JP2006284915A - Display device and array substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、アクティブマトリクス型表示装置及びそれに用いるアレイ基板に関する。 The present invention relates to an active matrix display device and an array substrate used therefor.
以下の特許文献1には、カレントコピー型の回路を画素回路に採用したアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が記載されている。このカレントコピー型の画素回路は、駆動制御素子であるnチャネル電界効果トランジスタと、有機EL素子と、キャパシタと、出力制御スイッチと、映像信号供給制御スイッチと、ダイオード接続スイッチとを含んでいる。 Patent Document 1 below describes an active matrix organic electroluminescence (EL) display device that employs a current copy type circuit as a pixel circuit. This current copy type pixel circuit includes an n-channel field effect transistor that is a drive control element, an organic EL element, a capacitor, an output control switch, a video signal supply control switch, and a diode connection switch.
駆動制御素子のソースは低電位の第1電源線に接続されており、キャパシタは駆動制御素子のゲートと第1電源線との間に接続されている。出力制御スイッチは駆動制御素子のドレインと有機EL素子の陰極との間に接続されており、有機EL素子の陽極はより高電位の第2電源線に接続されている。映像信号供給制御スイッチは駆動制御素子のドレインと映像信号線との間に接続されており、ダイオード接続スイッチは駆動制御素子のドレインとゲートとの間に接続されている。なお、各スイッチには、通常、電界効果トランジスタを使用する。 The source of the drive control element is connected to the first power supply line having a low potential, and the capacitor is connected between the gate of the drive control element and the first power supply line. The output control switch is connected between the drain of the drive control element and the cathode of the organic EL element, and the anode of the organic EL element is connected to a second power supply line having a higher potential. The video signal supply control switch is connected between the drain of the drive control element and the video signal line, and the diode connection switch is connected between the drain and gate of the drive control element. Note that a field effect transistor is usually used for each switch.
このカレントコピー型回路に代表されるように、多くのアクティブマトリクス型有機EL表示装置の画素回路では、駆動制御素子と出力制御スイッチと有機EL素子とを、第1及び第2電源端子間で、この順に直列に接続している。本発明者は、本発明を為すに際し、そのような画素回路を含んだ有機EL表示装置の製造においては、画素電極を形成してから有機EL素子を完成するまでの間に、出力制御スイッチの静電破壊(electrostatic damage)が生じ易いことを見い出している。
本発明の目的は、出力制御スイッチの静電破壊を生じ難くすることにある。 An object of the present invention is to make it difficult to cause electrostatic breakdown of an output control switch.
本発明の第1側面によると、絶縁基板と、その上で配列した複数の画素とを具備し、前記複数の画素のそれぞれは、第1電源端子と第1端子との間に接続された駆動トランジスタと、前記第1端子と第2端子との間に接続された出力制御トランジスタと、前記第2端子と第2電源端子との間に接続された表示素子と、前記出力制御トランジスタのゲートと前記第2端子との間に接続されたキャパシタとを含んだことを特徴とする表示装置が提供される。 According to a first aspect of the present invention, an insulating substrate and a plurality of pixels arranged on the insulating substrate are provided, and each of the plurality of pixels is connected between a first power supply terminal and a first terminal. A transistor, an output control transistor connected between the first terminal and the second terminal, a display element connected between the second terminal and a second power supply terminal, and a gate of the output control transistor; A display device including a capacitor connected to the second terminal is provided.
本発明の第2側面によると、絶縁基板と、その上で配列した複数の画素と、前記複数の画素が形成する行に沿って配列した複数の走査信号線と、前記複数の画素が形成する列に沿って配列した複数の映像信号線と、複数の電源線とを具備し、前記複数の画素のそれぞれは、前記電源線上の第1電源端子と第1端子との間に接続された駆動トランジスタと、前記第1端子と第2端子との間に接続された出力制御トランジスタと、前記第2端子に接続された画素電極と第2電源端子に接続された対向電極とそれらの間に介在した活性層とを含んだ表示素子とを含み、前記絶縁基板の主面に垂直な方向から見た場合に、前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記画素電極は、前記複数の走査信号線と前記複数の映像信号線と前記複数の電源線とのうち、その画素が含む前記出力制御トランジスタのゲートが接続された前記走査信号線のみと重なり合っていることを特徴とする表示装置が提供される。 According to a second aspect of the present invention, an insulating substrate, a plurality of pixels arranged thereon, a plurality of scanning signal lines arranged along a row formed by the plurality of pixels, and the plurality of pixels are formed. A plurality of video signal lines arranged along a column and a plurality of power supply lines, each of the plurality of pixels being connected between a first power supply terminal and a first terminal on the power supply line A transistor, an output control transistor connected between the first terminal and the second terminal, a pixel electrode connected to the second terminal, a counter electrode connected to the second power supply terminal, and an intervening therebetween A display element including the active layer, and when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the insulating substrate, the pixel electrode in each of the plurality of pixels includes the plurality of scanning signal lines and the plurality of scanning signal lines. A plurality of video signal lines and the plurality of power supply lines The display device is provided, characterized in that the gate of the output control transistor to which the pixel includes are only overlapped connected the scanning signal lines.
本発明の第3側面によると、絶縁基板と、その上で配列した複数の画素回路とを具備し、前記複数の画素回路のそれぞれは、電源端子と第1端子との間に接続された駆動トランジスタと、前記第1端子と第2端子との間に接続された出力制御トランジスタと、前記第2端子に接続された画素電極と、前記出力制御トランジスタのゲートと前記第2端子との間に接続されたキャパシタとを含んだことを特徴とするアレイ基板が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an insulating substrate and a plurality of pixel circuits arranged thereon, and each of the plurality of pixel circuits is connected between a power supply terminal and a first terminal. A transistor; an output control transistor connected between the first terminal and the second terminal; a pixel electrode connected to the second terminal; and a gate of the output control transistor and the second terminal. An array substrate comprising a connected capacitor is provided.
本発明の第4側面によると、絶縁基板と、その上で配列した複数の画素回路と、前記複数の画素回路が形成する行に沿って配列した複数の走査信号線と、前記複数の画素回路が形成する列に沿って配列した複数の映像信号線と、前記行又は列に沿って配列した複数の電源線とを具備し、前記複数の画素回路のそれぞれは、前記電源線上の電源端子と第1端子との間に接続された駆動トランジスタと、前記第1端子と第2端子との間に接続された出力制御トランジスタと、前記第2端子に接続された画素電極とを含み、前記絶縁基板の主面に垂直な方向から見た場合に、前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、前記画素電極は、前記複数の走査信号線と前記複数の映像信号線と前記複数の電源線とのうち、その画素回路が含む前記出力制御トランジスタのゲートが接続された前記走査信号線のみと重なり合っていることを特徴とするアレイ基板が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, an insulating substrate, a plurality of pixel circuits arranged thereon, a plurality of scanning signal lines arranged along a row formed by the plurality of pixel circuits, and the plurality of pixel circuits A plurality of video signal lines arranged along a column formed by the plurality of power supply lines arranged along the row or column, and each of the plurality of pixel circuits includes a power supply terminal on the power supply line. A drive transistor connected between the first terminal; an output control transistor connected between the first terminal and the second terminal; and a pixel electrode connected to the second terminal; When viewed from a direction perpendicular to the main surface of the substrate, in each of the plurality of pixel circuits, the pixel electrode includes the plurality of scanning signal lines, the plurality of video signal lines, and the plurality of power supply lines. The output control transistor included in the pixel circuit. Array substrate is provided, wherein a gate of Njisuta are only overlapped connected the scanning signal lines.
本発明によると、出力制御スイッチの静電破壊が生じ難くなる。 According to the present invention, electrostatic breakdown of the output control switch is less likely to occur.
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same referential mark is attached | subjected to the component which exhibits the same or similar function, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
図1は、本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図2は、図1の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図3は、図1の表示装置が含む画素の等価回路図である。図4は、図1の表示装置が含む画素に採用可能な構造の一例を概略的に示す平面図である。 FIG. 1 is a plan view schematically showing a display device according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a structure that can be employed in the display device of FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel included in the display device of FIG. FIG. 4 is a plan view schematically showing an example of a structure that can be employed in a pixel included in the display device of FIG.
なお、図2では、表示装置を、その表示面,すなわち前面又は光出射面,が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。また、図4には、表示面側から見た画素の構造を描いている。 In FIG. 2, the display device is drawn such that its display surface, that is, the front surface or the light emitting surface faces downward, and the back surface faces upward. FIG. 4 shows a pixel structure viewed from the display surface side.
この表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機EL表示装置である。この有機EL表示装置は、例えば、ガラス基板などの絶縁基板SUBを含んでいる。 This display device is a bottom emission type organic EL display device adopting an active matrix driving method. This organic EL display device includes, for example, an insulating substrate SUB such as a glass substrate.
基板SUB上には、図2に示すように、アンダーコート層UCとして、例えば、SiNx層とSiOx層とが順次積層されている。 On the substrate SUB, as shown in FIG. 2, for example, a SiN x layer and a SiO x layer are sequentially stacked as the undercoat layer UC.
アンダーコート層UC上には、例えばチャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層SC、例えばTEOS(TetraEthyl OrthoSilicate)などを用いて形成され得るゲート絶縁膜GI、及び例えばMoWなどからなるゲートGが順次積層されており、それらはトップゲート型の薄膜トランジスタを構成している。この例では、これら薄膜トランジスタは、pチャネル薄膜トランジスタであり、図1、図3及び図4の画素PXが含む駆動制御素子DR及びスイッチSW1乃至SW3として利用している。 On the undercoat layer UC, for example, a gate insulating film GI that can be formed using a semiconductor layer SC which is a polysilicon layer in which a channel and a source / drain are formed, for example, TEOS (TetraEthyl OrthoSilicate), etc., and MoW, for example, The gates G are sequentially stacked, and they constitute a top gate type thin film transistor. In this example, these thin film transistors are p-channel thin film transistors, and are used as the drive control element DR and the switches SW1 to SW3 included in the pixel PX in FIGS.
ゲート絶縁膜GI上には、図1、図3及び図4に示す走査信号線SL1及びSL2並びに図4に示す電極E1がさらに配置されている。走査信号線SL1及びSL2並びに電極E1は、ゲートGと同一の工程で形成可能である。 On the gate insulating film GI, scanning signal lines SL1 and SL2 shown in FIGS. 1, 3, and 4 and an electrode E1 shown in FIG. 4 are further arranged. The scanning signal lines SL1 and SL2 and the electrode E1 can be formed in the same process as the gate G.
走査信号線SL1及びSL2は、図1に示すように、各々が画素PXの行方向(X方向)に延びており、画素PXの列方向(Y方向)に交互に配列している。これら走査信号線SL1及びSL2は、走査信号線ドライバYDRに接続されている。走査信号線SL1の一部は、後述するキャパシタC2の一方の電極として利用する。 As shown in FIG. 1, the scanning signal lines SL1 and SL2 each extend in the row direction (X direction) of the pixels PX, and are alternately arranged in the column direction (Y direction) of the pixels PX. These scanning signal lines SL1 and SL2 are connected to the scanning signal line driver YDR. A part of the scanning signal line SL1 is used as one electrode of a capacitor C2 described later.
電極E1は、駆動制御素子DRのゲートGに接続されている。電極E1は、後述するキャパシタC1の一方の電極として利用する。 The electrode E1 is connected to the gate G of the drive control element DR. The electrode E1 is used as one electrode of the capacitor C1 described later.
ゲート絶縁膜GI、ゲートG、走査信号線SL1及びSL2、並びに電極E1は、図2に示す層間絶縁膜IIで被覆されている。層間絶縁膜IIは、例えばプラズマCVD法などにより成膜されたSiOxなどからなる。この層間絶縁膜IIのうち電極E1上の部分は、キャパシタC1の誘電体層として利用する。 The gate insulating film GI, the gate G, the scanning signal lines SL1 and SL2, and the electrode E1 are covered with an interlayer insulating film II shown in FIG. The interlayer insulating film II is made of, for example, SiO x formed by a plasma CVD method or the like. A portion of the interlayer insulating film II on the electrode E1 is used as a dielectric layer of the capacitor C1.
層間絶縁膜II上には、図2と図4とに示すソース電極SE及びドレイン電極DE、図1と図3と図4とに示す映像信号線DL及び電源線PSL、並びに図4に示す電極E2が配置されている。これらは、同一工程で形成可能であり、例えば、Mo/Al/Moの三層構造を有している。 On the interlayer insulating film II, the source electrode SE and the drain electrode DE shown in FIGS. 2 and 4, the video signal line DL and the power supply line PSL shown in FIGS. 1, 3 and 4, and the electrode shown in FIG. E2 is arranged. These can be formed in the same process and have, for example, a three-layer structure of Mo / Al / Mo.
ソース電極SE及びドレイン電極DEは、層間絶縁膜IIに設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタのソース及びドレインに電気的に接続されている。 The source electrode SE and drain electrode DE are electrically connected to the source and drain of the thin film transistor through contact holes provided in the interlayer insulating film II.
映像信号線DLは、図1に示すように、各々がY方向に延びており、X方向に配列している。これら映像信号線DLは、映像信号線ドライバXDRに接続されている。 As shown in FIG. 1, each video signal line DL extends in the Y direction and is arranged in the X direction. These video signal lines DL are connected to a video signal line driver XDR.
電源線PSLは、この例では、図4に示すように、各々がY方向に延びており、X方向に配列している。 In this example, as shown in FIG. 4, the power supply lines PSL each extend in the Y direction and are arranged in the X direction.
電極E2は、電源線PSLに接続されている。電極E2は、キャパシタC1の他方の電極として利用する。 The electrode E2 is connected to the power supply line PSL. The electrode E2 is used as the other electrode of the capacitor C1.
ソース電極SE、ドレイン電極DE、映像信号線DL、電源線PSL、及び電極E2は、図2に示すパッシベーション膜PSで被覆されている。パッシベーション膜PSは、例えばSiNxなどからなる。層間絶縁膜II及びパッシベーション膜PSの一部は、キャパシタC2の誘電体層として利用する。 The source electrode SE, the drain electrode DE, the video signal line DL, the power supply line PSL, and the electrode E2 are covered with the passivation film PS shown in FIG. The passivation film PS is made of, for example, SiN x . A part of the interlayer insulating film II and the passivation film PS is used as a dielectric layer of the capacitor C2.
パッシベーション膜PS上には、図2に示すように、前面電極として、光透過性の第1電極PEが互いから離間して並置されている。各第1電極PEは、画素電極であり、図2及び図3に示すように、パッシベーション膜PSに設けた貫通孔を介して、スイッチSW1のドレイン電極DEに接続されている。 On the passivation film PS, as shown in FIG. 2, light-transmitting first electrodes PE are juxtaposed apart from each other as a front electrode. Each first electrode PE is a pixel electrode, and is connected to the drain electrode DE of the switch SW1 through a through hole provided in the passivation film PS as shown in FIGS.
第1電極PEは、この例では陽極である。第1電極PEの材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)のような透明導電性酸化物を使用することができる。第1電極PEのうち走査信号線SL1と向き合っている部分は、キャパシタC2の他方の電極として利用する。 The first electrode PE is an anode in this example. As a material of the first electrode PE, for example, a transparent conductive oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) can be used. A portion of the first electrode PE facing the scanning signal line SL1 is used as the other electrode of the capacitor C2.
パッシベーション膜PS上には、さらに、図2に示す隔壁絶縁層PIが配置されている。隔壁絶縁層PIには、第1電極PEに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、第1電極PEが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層PIには、第1電極PEに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。 A partition insulating layer PI shown in FIG. 2 is further disposed on the passivation film PS. In the partition insulating layer PI, a through hole is provided at a position corresponding to the first electrode PE, or a slit is provided at a position corresponding to a column or row formed by the first electrode PE. Here, as an example, the partition insulating layer PI is provided with a through hole at a position corresponding to the first electrode PE.
隔壁絶縁層PIは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層PIは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。 The partition insulating layer PI is, for example, an organic insulating layer. The partition insulating layer PI can be formed using, for example, a photolithography technique.
第1電極PE上には、活性層として、発光層を含んだ有機物層ORGが配置されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ORGは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。 On the first electrode PE, an organic layer ORG including a light emitting layer is disposed as an active layer. The light emitting layer is, for example, a thin film containing a luminescent organic compound whose emission color is red, green, or blue. The organic layer ORG can further include a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like in addition to the light emitting layer.
隔壁絶縁層PI及び有機物層ORGは、背面電極である第2電極CEで被覆されている。第2電極CEは、画素PX間で互いに接続された対向電極,すなわち共通電極,であり、この例では光反射性の陰極である。第2電極CEは、例えば、パッシベーション膜PSと隔壁絶縁層PIとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線DLと同一の層上に形成された電極配線(図示せず)に電気的に接続されている。各々の有機EL素子OLEDは、第1電極PE、有機物層ORG及び第2電極CEで構成されている。 The partition insulating layer PI and the organic layer ORG are covered with a second electrode CE that is a back electrode. The second electrode CE is a counter electrode connected to each other between the pixels PX, that is, a common electrode, and is a light-reflective cathode in this example. For example, the second electrode CE is electrically connected to an electrode wiring (not shown) formed on the same layer as the video signal line DL through a contact hole provided in the passivation film PS and the partition insulating layer PI. It is connected to the. Each organic EL element OLED includes a first electrode PE, an organic layer ORG, and a second electrode CE.
各画素PXを構成している画素回路は、この例では、図1、図3及び図4に示すように、有機EL素子OLEDと、駆動制御素子(駆動トランジスタ)DRと、出力制御スイッチ(出力制御トランジスタ)SW1と、映像信号供給制御スイッチ(映像信号供給制御トランジスタ)SW2と、ダイオード接続スイッチ(ダイオード接続トランジスタ)SW3と、キャパシタC1及びC2とを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動制御素子DR及びスイッチSW1乃至SW3はpチャネル薄膜トランジスタである。また、この例では、映像信号供給制御スイッチSW2とダイオード接続スイッチSW3とは、駆動制御素子DRのドレインと映像信号線DLと駆動制御素子DRのゲートとの接続状態を、それらが互いに接続された第1状態と、それらが互いから遮断された第2状態との間で切り替えるスイッチ群を構成している。 In this example, the pixel circuit constituting each pixel PX includes an organic EL element OLED, a drive control element (drive transistor) DR, and an output control switch (output) as shown in FIGS. It includes a control transistor SW1, a video signal supply control switch (video signal supply control transistor) SW2, a diode connection switch (diode connection transistor) SW3, and capacitors C1 and C2. As described above, in this example, the drive control element DR and the switches SW1 to SW3 are p-channel thin film transistors. In this example, the video signal supply control switch SW2 and the diode connection switch SW3 are connected to each other in the connection state between the drain of the drive control element DR, the video signal line DL, and the gate of the drive control element DR. The switch group which switches between a 1st state and the 2nd state from which they were interrupted | blocked from each other is comprised.
駆動制御素子DRと出力制御スイッチSW1と有機EL素子OLEDとは、第1電源端子NDps1と第2電源端子NDps2との間で、この順に直列に接続されている。この例では、第1電源端子NDps1は高電位電源端子であり、第2電源端子NDps2は低電位電源端子である。なお、以下、第1電源端子NDps1と第2電源端子NDps2とを結ぶ導電路上のノードND1及びND2を、それぞれ、第1及び第2端子と呼ぶこととする。 The drive control element DR, the output control switch SW1, and the organic EL element OLED are connected in series between the first power supply terminal NDps1 and the second power supply terminal NDps2 in this order. In this example, the first power supply terminal ND ps 1 is a high potential power supply terminal, and the second power supply terminal ND ps 2 is a low potential power supply terminal. Hereinafter, the first power supply terminal ND ps 1 and a second power supply terminal ND ps 2 and nodes ND1 and ND2 conductive paths connecting each is referred to as a first and a second terminal.
出力制御スイッチSW1のゲートは、走査信号線SL1に接続されている。映像信号供給制御スイッチSW2は映像信号線DLと第1端子ND1との間に接続されており、そのゲートは走査信号線SL2に接続されている。ダイオード接続スイッチSW3は駆動制御素子DRのゲートと第1端子ND1の間に接続されており、そのゲートは走査信号線SL2に接続されている。 The gate of the output control switch SW1 is connected to the scanning signal line SL1. The video signal supply control switch SW2 is connected between the video signal line DL and the first terminal ND1, and its gate is connected to the scanning signal line SL2. The diode connection switch SW3 is connected between the gate of the drive control element DR and the first terminal ND1, and the gate thereof is connected to the scanning signal line SL2.
キャパシタC1は、駆動制御素子DRのゲートと定電位端子NDcpとの間に接続されている。キャパシタC2は、出力制御スイッチSW1のゲートと第2端子ND2との間に接続されている。 The capacitor C1 is connected between the gate of the drive control element DR and the constant potential terminal ND cp . The capacitor C2 is connected between the gate of the output control switch SW1 and the second terminal ND2.
なお、この有機EL表示装置から第2電極CEや有機物層ORGを除いた構造がアレイ基板に相当している。 A structure obtained by removing the second electrode CE and the organic layer ORG from the organic EL display device corresponds to an array substrate.
この有機EL表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線SL1及びSL2の各々を線順次駆動する。そして、或る画素PXに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバYDRから、先の画素PXが接続された走査信号線SL1にスイッチSW1を開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素PXが接続された走査信号線SL2にスイッチSW2及びSW3を閉じる走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバXDRから、先の画素PXが接続された映像信号線DLに映像信号を電流信号として出力し、駆動制御素子DRのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバYDRから、先の画素PXが接続された走査信号線SL2にスイッチSW2及びSW3を開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素PXが接続された走査信号線SL1にスイッチSW1を閉じる走査信号を電圧信号として出力する。 When an image is displayed on this organic EL display device, for example, each of the scanning signal lines SL1 and SL2 is line-sequentially driven. In a writing period in which a video signal is written to a certain pixel PX, first, a scanning signal for opening the switch SW1 is output as a voltage signal from the scanning signal line driver YDR to the scanning signal line SL1 to which the previous pixel PX is connected. Subsequently, a scanning signal for closing the switches SW2 and SW3 is output as a voltage signal to the scanning signal line SL2 to which the previous pixel PX is connected. In this state, the video signal line driver XDR outputs the video signal as a current signal to the video signal line DL to which the previous pixel PX is connected, and the gate-source voltage of the drive control element DR is converted to the previous video signal. Set to the corresponding size. Thereafter, a scanning signal for opening the switches SW2 and SW3 is output as a voltage signal from the scanning signal line driver YDR to the scanning signal line SL2 to which the previous pixel PX is connected, and then the scanning signal to which the previous pixel PX is connected. A scanning signal for closing the switch SW1 is output as a voltage signal to the line SL1.
スイッチSW1を閉じている有効表示期間では、有機EL素子OLEDには、駆動制御素子DRのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機EL素子OLEDは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。 In the effective display period in which the switch SW1 is closed, a drive current having a magnitude corresponding to the gate-source voltage of the drive control element DR flows through the organic EL element OLED. The organic EL element OLED emits light with a luminance corresponding to the magnitude of the drive current.
さて、上記の通り、従来技術では、第1電極PEを形成してから有機EL素子OLEDを完成するまでの間に、出力制御スイッチSW1の静電気破壊が生じ易い。出力制御スイッチSW1の静電気破壊を生じた画素PXは、輝点として視認される可能性がある。
本発明者は、この現象について詳細に調べた。その結果、以下の事実を見い出した。
As described above, in the prior art, the electrostatic breakdown of the output control switch SW1 is likely to occur between the formation of the first electrode PE and the completion of the organic EL element OLED. The pixel PX in which the electrostatic breakdown of the output control switch SW1 has occurred may be visually recognized as a bright spot.
The inventor examined this phenomenon in detail. As a result, we found the following facts.
第1電極PEを形成してから有機EL素子OLEDを完成するまでの間、第1電極PEは第2電極CEで覆われていない。そのため、第1電極PEは、例えば、蒸着用の金属マスクをアレイ基板に近づけた場合などにキャパシタを形成し、出力制御スイッチSW1のドレインに電位変化を生じさせる。その結果、従来技術に係るアレイ基板では、出力制御スイッチSW1のドレインと走査信号線SL1との間に大きな電圧が加わり、それらの短絡を生じ易かった。 From the formation of the first electrode PE to the completion of the organic EL element OLED, the first electrode PE is not covered with the second electrode CE. Therefore, the first electrode PE forms a capacitor when, for example, a metal mask for vapor deposition is brought close to the array substrate, and causes a potential change at the drain of the output control switch SW1. As a result, in the array substrate according to the prior art, a large voltage is applied between the drain of the output control switch SW1 and the scanning signal line SL1, and they are easily short-circuited.
本態様では、出力制御スイッチSW1にキャパシタC2の一方の電極を接続する。そのため、上述した電位変化は生じ難い。しかも、本態様では、キャパシタC2の他方の電極は出力制御スイッチSW1のゲートに接続する。そのため、出力制御スイッチSW1のドレイン電位が変化したとしても、出力制御スイッチSW1のゲート電位も同様に変化する。したがって、本態様によると、出力制御スイッチSW1のドレインと走査信号線SL1との間に大きな電圧が加わるのを防止することができる。すなわち、出力制御スイッチの静電破壊を生じ難くすることが可能となる。 In this embodiment, one electrode of the capacitor C2 is connected to the output control switch SW1. Therefore, the above-described potential change hardly occurs. Moreover, in this embodiment, the other electrode of the capacitor C2 is connected to the gate of the output control switch SW1. Therefore, even if the drain potential of the output control switch SW1 changes, the gate potential of the output control switch SW1 changes in the same manner. Therefore, according to this aspect, it is possible to prevent a large voltage from being applied between the drain of the output control switch SW1 and the scanning signal line SL1. That is, it is possible to make the output control switch less susceptible to electrostatic breakdown.
キャパシタC2のキャパシタンスは、例えば、0.01pF乃至0.1pFの範囲内とする。キャパシタC2のキャパシタンスが小さい場合、上述した効果が十分に得られないことがある。キャパシタC2のキャパシタンスが大きい場合、走査信号の鈍りを生じることがある。 The capacitance of the capacitor C2 is, for example, in the range of 0.01 pF to 0.1 pF. When the capacitance of the capacitor C2 is small, the above-described effect may not be sufficiently obtained. When the capacitance of the capacitor C2 is large, the scanning signal may become dull.
第1電極PEは、典型的には、絶縁基板SUBの主面に垂直な方向から見た場合に、走査信号線SL2、映像信号線DL、電源線PSL、駆動制御素子DR、スイッチSW1乃至SW3、及びキャパシタC1と重なり合わないように配置する。加えて、第1電極PEは、走査信号線SL1のうち、その第1電極PEを含んでいる画素PXが接続されたもののみと重なり合うように配置する。こうすると、信号の遅延が生じるのを防止できると共に、トランジスタの動作に悪影響を与えることがない。 The first electrode PE typically has a scanning signal line SL2, a video signal line DL, a power supply line PSL, a drive control element DR, and switches SW1 to SW3 when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the insulating substrate SUB. And so as not to overlap with the capacitor C1. In addition, the first electrode PE is arranged so as to overlap only the scan signal line SL1 to which the pixel PX including the first electrode PE is connected. This can prevent signal delay and does not adversely affect the operation of the transistor.
キャパシタC2は、図4に示すように第1電極PEと走査信号線SL1とを利用して形成してもよく、或いは、他の部材で構成してもよい。例えば、出力制御スイッチSW1と第1電極PEとを接続しているドレイン電極DEを走査信号線SL1と向き合うように設計し、これらドレイン電極DE及び走査信号線SL1をキャパシタC2の電極対として用いてもよい。 The capacitor C2 may be formed using the first electrode PE and the scanning signal line SL1 as shown in FIG. 4, or may be composed of other members. For example, the drain electrode DE connecting the output control switch SW1 and the first electrode PE is designed to face the scanning signal line SL1, and the drain electrode DE and the scanning signal line SL1 are used as an electrode pair of the capacitor C2. Also good.
本態様では、有機EL表示装置を下面発光型としたが、上面発光型としてもよい。また、本態様では、画素PXに図3の回路を採用したが、画素PXには他の回路を採用してもよい。例えば、画素PXには、映像信号として電流信号を使用する回路の代わりに、映像信号として電圧信号を使用する回路を採用してもよい。 In this embodiment, the organic EL display device is a bottom emission type, but may be a top emission type. In this aspect, the circuit of FIG. 3 is adopted for the pixel PX, but another circuit may be adopted for the pixel PX. For example, the pixel PX may employ a circuit that uses a voltage signal as a video signal instead of a circuit that uses a current signal as a video signal.
C1…キャパシタ、C2…キャパシタ、CE…第2電極、DE…ドレイン電極、DL…映像信号線、DR…駆動制御素子、E1…電極、E2…電極、G…ゲート、GI…ゲート絶縁膜、II…層間絶縁膜、ND1…第1端子、ND2…第2端子、NDcp…定電位端子、NDps1…第1電源端子、NDps2…第2電源端子、OLED…有機EL素子、ORG…有機物層、PE…第1電極、PI…隔壁絶縁層、PS…パッシベーション膜、PSL…電源線、PX…画素、SC…半導体層、SE…ソース電極、SL1…走査信号線、SL2…走査信号線、SUB…絶縁基板、SW1…出力制御スイッチ、SW2…映像信号供給制御スイッチ、SW3…ダイオード接続スイッチ、UC…アンダーコート層、XDR…映像信号線ドライバ、YDR…走査信号線ドライバ。 C1 ... capacitor, C2 ... capacitor, CE ... second electrode, DE ... drain electrode, DL ... video signal line, DR ... drive control element, E1 ... electrode, E2 ... electrode, G ... gate, GI ... gate insulating film, II ... Interlayer insulating film, ND1 ... first terminal, ND2 ... second terminal, ND cp ... constant potential terminal, ND ps 1 ... first power supply terminal, ND ps 2 ... second power supply terminal, OLED ... organic EL element, ORG ... Organic layer, PE ... first electrode, PI ... partition insulating layer, PS ... passivation film, PSL ... power supply line, PX ... pixel, SC ... semiconductor layer, SE ... source electrode, SL1 ... scan signal line, SL2 ... scan signal line , SUB ... insulating substrate, SW1 ... output control switch, SW2 ... video signal supply control switch, SW3 ... diode connection switch, UC ... undercoat layer, XDR ... video signal line driver, YDR ... running Signal line driver.
Claims (5)
第1電源端子と第1端子との間に接続された駆動トランジスタと、
前記第1端子と第2端子との間に接続された出力制御トランジスタと、
前記第2端子と第2電源端子との間に接続された表示素子と、
前記出力制御トランジスタのゲートと前記第2端子との間に接続されたキャパシタとを含んだことを特徴とする表示装置。 Comprising an insulating substrate and a plurality of pixels arranged thereon, each of the plurality of pixels comprising:
A drive transistor connected between the first power supply terminal and the first terminal;
An output control transistor connected between the first terminal and the second terminal;
A display element connected between the second terminal and a second power supply terminal;
A display device comprising a capacitor connected between the gate of the output control transistor and the second terminal.
前記複数の画素のそれぞれは、前記電源線上の第1電源端子と第1端子との間に接続された駆動トランジスタと、前記第1端子と第2端子との間に接続された出力制御トランジスタと、前記第2端子に接続された画素電極と第2電源端子に接続された対向電極とそれらの間に介在した活性層とを含んだ表示素子とを含み、
前記絶縁基板の主面に垂直な方向から見た場合に、前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記画素電極は、前記複数の走査信号線と前記複数の映像信号線と前記複数の電源線とのうち、その画素が含む前記出力制御トランジスタのゲートが接続された前記走査信号線のみと重なり合っていることを特徴とする表示装置。 Insulating substrate, a plurality of pixels arranged thereon, a plurality of scanning signal lines arranged along a row formed by the plurality of pixels, and a plurality of images arranged along a column formed by the plurality of pixels Comprising a signal line and a plurality of power lines;
Each of the plurality of pixels includes a drive transistor connected between a first power supply terminal and a first terminal on the power supply line, and an output control transistor connected between the first terminal and the second terminal. A display element including a pixel electrode connected to the second terminal, a counter electrode connected to the second power supply terminal, and an active layer interposed therebetween,
When viewed from a direction perpendicular to the main surface of the insulating substrate, in each of the plurality of pixels, the pixel electrode includes the plurality of scanning signal lines, the plurality of video signal lines, and the plurality of power supply lines. Among these, the display device is characterized in that it overlaps only with the scanning signal line to which the gate of the output control transistor included in the pixel is connected.
電源端子と第1端子との間に接続された駆動トランジスタと、
前記第1端子と第2端子との間に接続された出力制御トランジスタと、
前記第2端子に接続された画素電極と、
前記出力制御トランジスタのゲートと前記第2端子との間に接続されたキャパシタとを含んだことを特徴とするアレイ基板。 An insulating substrate and a plurality of pixel circuits arranged thereon, each of the plurality of pixel circuits,
A drive transistor connected between the power supply terminal and the first terminal;
An output control transistor connected between the first terminal and the second terminal;
A pixel electrode connected to the second terminal;
An array substrate comprising a capacitor connected between a gate of the output control transistor and the second terminal.
前記複数の画素回路のそれぞれは、前記電源線上の電源端子と第1端子との間に接続された駆動トランジスタと、前記第1端子と第2端子との間に接続された出力制御トランジスタと、前記第2端子に接続された画素電極とを含み、
前記絶縁基板の主面に垂直な方向から見た場合に、前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、前記画素電極は、前記複数の走査信号線と前記複数の映像信号線と前記複数の電源線とのうち、その画素回路が含む前記出力制御トランジスタのゲートが接続された前記走査信号線のみと重なり合っていることを特徴とするアレイ基板。 An insulating substrate, a plurality of pixel circuits arranged on the insulating substrate, a plurality of scanning signal lines arranged along a row formed by the plurality of pixel circuits, and a column formed by the plurality of pixel circuits. A plurality of video signal lines, and a plurality of power supply lines arranged along the row or column,
Each of the plurality of pixel circuits includes a drive transistor connected between a power supply terminal on the power supply line and a first terminal, an output control transistor connected between the first terminal and the second terminal, A pixel electrode connected to the second terminal,
When viewed from a direction perpendicular to the main surface of the insulating substrate, in each of the plurality of pixel circuits, the pixel electrode includes the plurality of scanning signal lines, the plurality of video signal lines, and the plurality of power supply lines. An array substrate characterized by overlapping only the scanning signal line to which the gate of the output control transistor included in the pixel circuit is connected.
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---|---|---|---|---|
USRE48146E1 (en) | 2012-01-25 | 2020-08-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Data search device, data search method, computer readable medium storing data search program, data registration device, data registration method, computer readable medium storing data registration program, and information processing device |
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4936082B2 (en) * | 2007-01-15 | 2012-05-23 | 株式会社島津製作所 | TFT array drive |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002351357A (en) * | 2001-03-22 | 2002-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device, driving method for the same, and electronic instrument |
JP2004246349A (en) * | 2003-01-22 | 2004-09-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Organic el display and active matrix substrate |
WO2004086343A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device substrate and light-emitting device |
JP2004295135A (en) * | 2001-11-21 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus |
JP2005011974A (en) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002351357A (en) * | 2001-03-22 | 2002-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device, driving method for the same, and electronic instrument |
JP2004295135A (en) * | 2001-11-21 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus |
JP2004246349A (en) * | 2003-01-22 | 2004-09-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Organic el display and active matrix substrate |
WO2004086343A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device substrate and light-emitting device |
JP2005011974A (en) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE48146E1 (en) | 2012-01-25 | 2020-08-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Data search device, data search method, computer readable medium storing data search program, data registration device, data registration method, computer readable medium storing data registration program, and information processing device |
CN115047661A (en) * | 2019-04-24 | 2022-09-13 | 友达光电股份有限公司 | Touch control display device |
CN115047661B (en) * | 2019-04-24 | 2023-06-16 | 友达光电股份有限公司 | Touch display device |
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Publication number | Publication date |
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