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JP2006253571A - Laser emission apparatus and method therefor, and laser anneal apparatus and method therefor - Google Patents

Laser emission apparatus and method therefor, and laser anneal apparatus and method therefor Download PDF

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JP2006253571A
JP2006253571A JP2005070966A JP2005070966A JP2006253571A JP 2006253571 A JP2006253571 A JP 2006253571A JP 2005070966 A JP2005070966 A JP 2005070966A JP 2005070966 A JP2005070966 A JP 2005070966A JP 2006253571 A JP2006253571 A JP 2006253571A
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Japan
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laser
polarization direction
polarization
optical element
wave plate
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Withdrawn
Application number
JP2005070966A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenichiro Nishida
健一郎 西田
Fumio Matsuzaka
文夫 松坂
Atsushi Izawa
淳 伊澤
Ryusuke Kawakami
隆介 川上
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IHI Corp
Original Assignee
IHI Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser emission apparatus and method that can emit a laser beam with arranged polarization directions even when laser beams emitted from a plurality of laser oscillators are composed so as to thereby obtain isotropic crystal grains, in the case of applying this method to laser anneal of an amorphous semiconductor, and can enhance the processing efficiency and improve the productivity; and to provide a laser anneal apparatus and method. <P>SOLUTION: The laser emission apparatus disclosed herein includes a plurality of the laser oscillators 2A, 2B for emitting pulse laser beams; a pulse control unit 4 for outputting a control signal to the laser oscillators 2A, 2B to deviate pulse timings of a plurality of the laser oscillators 2A, 2B; a polarization beam splitter 6 for composing a plurality of the laser beams onto a coaxial optical path; and a polarization adjustment means 12 arranged on the optical path for the composed laser beam, selectively rotating the polarization direction different from that to be arranged in polarization components orthogonal to each other in incident laser beams, so as to arrange the polarization directions of the laser beams emitted to an object 1 to be emitted. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、パルスレーザ光を用いて非晶質半導体の結晶化を行うのに好適なレーザ照射装置および方法、並びにレーザアニール装置及び方法に関する。   The present invention relates to a laser irradiation apparatus and method suitable for crystallizing an amorphous semiconductor using pulsed laser light, and a laser annealing apparatus and method.

液晶ディスプレイの製造工程において、ガラス基板上に成膜したアモルファスシリコン膜にパルスレーザ光を照射し多結晶シリコンに改質するレーザアニーリングが行われ、この手段としてレーザアニール装置が用いられる。このようなレーザアニーリングによれば、高性能、高画質のポリシリコンTFT型液晶パネルを製造でき、デジタルカメラ用モニター、携帯電話、PDA(携帯情報端末)、ノートパソコン等へ市場が拡大している。レーザアニール装置のレーザ発振器として、従来は主にエキシマレーザが用いられているが、近年、YAG、YLF、YVO等の固体レーザが注目されている。 In the manufacturing process of a liquid crystal display, laser annealing is performed in which an amorphous silicon film formed on a glass substrate is irradiated with pulsed laser light to be modified into polycrystalline silicon, and a laser annealing apparatus is used as this means. According to such laser annealing, a high-performance, high-quality polysilicon TFT liquid crystal panel can be manufactured, and the market is expanding to monitors for digital cameras, mobile phones, PDAs (personal digital assistants), notebook computers, and the like. . Conventionally, an excimer laser is mainly used as a laser oscillator of a laser annealing apparatus, but in recent years, solid-state lasers such as YAG, YLF, and YVO 4 have been attracting attention.

ここで、図6は下記特許文献1の「レーザ加工装置」の構成を示す図である。同図に示すように、特許文献1の装置は、2台のレーザ発振器51A、51Bと、この2台のレーザ発振器各々からのレーザ光の出射タイミングを制御する制御手段52と、2台のレーザ発振器各々からのレーザ光を同軸光路上に合成する偏光ビームスプリッタ53と、を備えている。なお、符号55は反射ミラー、符号56は集光レンズである。この装置では、出射タイミングをずらして照射される2つのレーザ光を合成して被加工物54へ照射することにより、加工スピードをレーザ発振器1台のときに比べて2倍にしている。   Here, FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a “laser processing apparatus” disclosed in Patent Document 1 below. As shown in the figure, the apparatus of Patent Document 1 includes two laser oscillators 51A and 51B, control means 52 for controlling the emission timing of laser light from each of the two laser oscillators, and two lasers. And a polarization beam splitter 53 for synthesizing laser beams from the respective oscillators on a coaxial optical path. Reference numeral 55 denotes a reflecting mirror, and reference numeral 56 denotes a condenser lens. In this apparatus, the processing speed is doubled compared to the case of one laser oscillator by combining two laser beams irradiated at different emission timings and irradiating the workpiece 54 with the combined laser beams.

特開平4−135083号公報(図1)JP-A-4-135083 (FIG. 1)

レーザアニール装置のスループットを向上させるために、上述したような特許文献1の技術を適用し、図7に示すレーザ照射装置を構成することが考えられる。このレーザ照射装置は、レーザ発振器2Aから照射されるパルスレーザ光L1を1/2波長板32で偏光方向を90°回転させ、反射ミラー34により反射し、このレーザ光L1とレーザ発振器2Bからのレーザ光L2を、偏光ビームスプリッタ6で同軸光路上に合成し、集光レンズ36により集光して、被照射物1(例えばアモルファスシリコン基板)に照射する。偏光ビームスプリッタ6により2つのレーザ光を合成する場合、この図に示すように、偏光方向が互いに直交するレーザ光を入射させる必要があるため、その合成レーザ光Lcは互いに偏光方向が直行する成分(P偏光とS偏光)が混在したものとなる。このため、被照射物1には、交互に偏光方向が直交したレーザ光が照射されることになる。しかし、これでは直線偏光の作るエネルギー分布がショット(1パルス)毎に変化してしまい、等方的な結晶粒を得ることができずトランジスタ特性が不均一になるという問題が生じる。   In order to improve the throughput of the laser annealing apparatus, it is conceivable to apply the technique of Patent Document 1 as described above to configure the laser irradiation apparatus shown in FIG. In this laser irradiation apparatus, the pulse laser beam L1 irradiated from the laser oscillator 2A is rotated by 90 ° in the polarization direction by the half-wave plate 32, reflected by the reflection mirror 34, and reflected from the laser beam L1 and the laser oscillator 2B. The laser beam L2 is synthesized on the coaxial optical path by the polarization beam splitter 6, condensed by the condenser lens 36, and irradiated to the irradiation object 1 (for example, an amorphous silicon substrate). When two laser beams are combined by the polarization beam splitter 6, as shown in this figure, it is necessary to make the laser beams whose polarization directions are orthogonal to each other, so that the combined laser beams Lc are components whose polarization directions are orthogonal to each other. (P-polarized light and S-polarized light) are mixed. For this reason, the irradiated object 1 is irradiated with laser beams whose polarization directions are alternately orthogonal. However, this causes a problem that the energy distribution produced by linearly polarized light changes every shot (one pulse), and isotropic crystal grains cannot be obtained, resulting in non-uniform transistor characteristics.

そこで、本発明はこのような従来技術の問題を解決するため、複数のレーザ発振器から出射されるレーザ光を合成しても偏光方向が揃ったレーザ光を照射することができ、これにより、非晶質半導体のレーザアニールに適用した場合に、等方的な結晶粒を得ることができるともに、処理効率を高め生産性を向上させることができるレーザ照射装置および方法、並びにレーザアニール装置および方法を提供することを目的とする。   Therefore, in order to solve such a problem of the prior art, the present invention can irradiate laser beams having the same polarization direction even if the laser beams emitted from a plurality of laser oscillators are combined. Laser irradiation apparatus and method, laser annealing apparatus and method capable of obtaining isotropic crystal grains and improving processing efficiency and productivity when applied to laser annealing of crystalline semiconductors The purpose is to provide.

上記課題を解決するため、本発明は、被照射物にパルスレーザ光を照射するレーザ照射装置であって、パルスレーザ光を出射する複数のレーザ発振器と、複数のレーザ発振器のパルスタイミングがずれるように各々に制御信号を出力するパルス制御部と、複数のレーザ光を同軸光路上に合成する偏光ビームスプリッタと、合成したレーザ光の光路上に配置され入射するレーザ光中の互いに直交する偏光成分のうち揃えるべき偏光方向と異なるものの偏光方向を選択的に回転させて、被照射物に照射するレーザ光の偏光方向を揃える偏光調整手段と、を備える、ことを特徴とする(請求項1)。   In order to solve the above-described problems, the present invention is a laser irradiation apparatus that irradiates an object to be irradiated with pulsed laser light, and a plurality of laser oscillators that emit pulsed laser light and pulse timings of the plurality of laser oscillators are shifted. A pulse control unit for outputting a control signal to each of them, a polarization beam splitter for synthesizing a plurality of laser beams on a coaxial optical path, and polarization components orthogonal to each other in the incident laser beam arranged on the optical path of the synthesized laser beam Polarization adjusting means for selectively rotating the polarization direction that is different from the polarization direction to be aligned, and aligning the polarization direction of the laser light irradiated to the irradiation object (Claim 1). .

また、上記本発明のレーザ照射装置において、好ましくは、前記偏光調整手段は、合成したレーザ光の光路上に配置された1/2波長板と、該1/2波長板を合成レーザ光の光軸を中心に回転させる駆動部とを有し、該駆動部は、前記複数のレーザ発振器のパルスタイミングに基づき1/2波長板を通過したレーザ光の偏光方向が揃うように1/2波長板を回転させる(請求項2)。   In the laser irradiation apparatus of the present invention, preferably, the polarization adjusting unit includes a half-wave plate disposed on the optical path of the synthesized laser beam, and the half-wave plate is combined with the light of the synthesized laser beam. A drive unit that rotates about an axis, and the drive unit is a half-wave plate so that the polarization directions of the laser beams that have passed through the half-wave plate are aligned based on the pulse timing of the plurality of laser oscillators Is rotated (claim 2).

また、上記本発明のレーザ照射装置において、好ましくは、前記駆動部は、1/2波長板に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と一致するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸とのなす角が0°又は90°となり、1/2波長板に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸とのなす角が45°となるように、1/2波長板を回転させる(請求項3)。   In the laser irradiation apparatus of the present invention, preferably, the drive unit is configured such that when the polarization direction of the laser light incident on the half-wave plate coincides with the polarization direction to be aligned, the polarization direction of the laser light. And the optical axis of the half-wave plate is 0 ° or 90 °, and when the polarization direction of the laser light incident on the half-wave plate is orthogonal to the polarization direction to be aligned, The half-wave plate is rotated so that the angle formed by the polarization direction and the optical axis of the half-wave plate is 45 °.

また、上記本発明のレーザ照射装置において、好ましくは、前記偏光調整手段は、合成したレーザ光の光路上に配置され所定の作動条件を満たすときにレーザ光の偏光方向を直角に回転させる光学素子と、該光学素子を作動させる光学素子作動手段とを有し、該光学素子作動手段は、前記複数のレーザ発振器のパルスタイミングに基づき、光学素子に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときにのみ偏光方向を直角に回転させるように光学素子を作動させる(請求項4)。   In the laser irradiation apparatus of the present invention, preferably, the polarization adjusting unit is arranged on an optical path of the synthesized laser beam and rotates the polarization direction of the laser beam at a right angle when a predetermined operating condition is satisfied. And an optical element actuating means for actuating the optical element, and the optical element actuating means is a polarized light whose polarization direction of laser light incident on the optical element is to be aligned based on the pulse timing of the plurality of laser oscillators. The optical element is operated so as to rotate the polarization direction at a right angle only when orthogonal to the direction.

また、上記本発明のレーザ照射装置において、好ましくは、前記光学素子は電気光学素子であり、前記光学素子作動手段は電気光学素子に電圧を印加する電源である(請求項5)。   In the laser irradiation apparatus of the present invention, preferably, the optical element is an electro-optical element, and the optical element operating means is a power source for applying a voltage to the electro-optical element.

また、上記本発明のレーザ照射装置において、好ましくは、前記光学素子は磁気光学素子であり、前記光学素子作動手段は磁気光学素子に磁界を印加する磁界発生器である(請求項6)。   In the laser irradiation apparatus of the present invention, preferably, the optical element is a magneto-optical element, and the optical element actuating means is a magnetic field generator that applies a magnetic field to the magneto-optical element.

また、本発明のレーザ照射方法は、複数のレーザ発振器から各々のパルスタイミングがずれるようにパルスレーザ光を出射し、この複数のレーザ光を同軸光路上に合成する偏光ビームスプリッタにより合成し、合成したレーザ光中の互いに直交する偏光成分のうち揃えるべき偏光方向と異なるものの偏光方向を選択的に回転させて、被照射物に照射するレーザ光の偏光方向を揃え、これを被照射物に照射する、ことを特徴とする(請求項7)。   Further, the laser irradiation method of the present invention emits a pulse laser beam from a plurality of laser oscillators so that each pulse timing is shifted, and combines the plurality of laser beams by a polarization beam splitter that synthesizes them on a coaxial optical path. Rotate the polarization direction of the laser beam that is different from the polarization direction to be aligned among the polarized components orthogonal to each other in the laser beam to align the polarization direction of the laser beam that irradiates the irradiation object, and irradiate the irradiation object with this. (Claim 7).

また、上記本発明のレーザ照射方法において、好ましくは、合成したレーザ光の光路上に1/2波長板を配置し、前記複数のレーザ発振器のパルスタイミングに基づき、1/2波長板を通過したレーザ光の偏光方向が揃うように、合成したレーザ光の光軸を中心に1/2波長板を回転駆動させる(請求項8)。   In the laser irradiation method of the present invention, preferably, a half-wave plate is disposed on the optical path of the synthesized laser beam, and passes through the half-wave plate based on the pulse timing of the plurality of laser oscillators. The half-wave plate is rotationally driven around the optical axis of the synthesized laser light so that the polarization directions of the laser light are aligned.

また、上記本発明のレーザ照射方法において、好ましくは、1/2波長板に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と一致するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸とのなす角が0°又は90°となり、1/2波長板に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸とのなす角が45°となるように、1/2波長板を回転させる(請求項9)。   In the laser irradiation method of the present invention, preferably, when the polarization direction of the laser light incident on the half-wave plate coincides with the polarization direction to be aligned, the polarization direction of the laser light and the half wavelength. When the angle between the optical axis of the plate is 0 ° or 90 ° and the polarization direction of the laser light incident on the half-wave plate is orthogonal to the polarization direction to be aligned, the polarization direction of the laser light is 1 / The half-wave plate is rotated so that the angle formed by the optical axis of the two-wave plate is 45 ° (claim 9).

また、上記本発明のレーザ照射方法において、好ましくは、合成したレーザ光の光路上に、所定の作動条件を満たすときに合成レーザ光の偏光方向を直角に回転させる光学素子を配置し、前記複数のレーザ発振器のパルスタイミングに基づき、光学素子に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときにのみ偏光方向を直角に回転させるように光学素子を作動させる(請求項10)。   In the laser irradiation method of the present invention, preferably, an optical element that rotates the polarization direction of the combined laser beam at a right angle when a predetermined operating condition is satisfied is disposed on the optical path of the combined laser beam, Based on the pulse timing of the laser oscillator, the optical element is operated so as to rotate the polarization direction at a right angle only when the polarization direction of the laser light incident on the optical element is orthogonal to the polarization direction to be aligned (claim 10). .

また、上記本発明のレーザ照射方法において、好ましくは、前記光学素子として、電気光学素子又は磁気光学素子を用いる(請求項11)。   In the laser irradiation method of the present invention, preferably, an electro-optical element or a magneto-optical element is used as the optical element.

また、本発明のレーザアニール装置は、請求項1〜6のいずれかに記載のレーザ照射装置を備え、該レーザ照射装置により基板上に非晶質半導体膜を形成した被照射物にレーザ光を照射する、ことを特徴とする(請求項12)。   A laser annealing apparatus of the present invention includes the laser irradiation apparatus according to any one of claims 1 to 6, and applies laser light to an irradiation object having an amorphous semiconductor film formed on a substrate by the laser irradiation apparatus. Irradiation (claim 12).

また、本発明のレーザアニール方法は、請求項7〜11のいずれかに記載のレーザ照射方法により、基板上に非晶質半導体膜を形成した被照射物にレーザ光を照射する、ことを特徴とする(請求項13)。   In addition, the laser annealing method of the present invention is characterized by irradiating an irradiated object having an amorphous semiconductor film formed on a substrate with a laser beam by the laser irradiation method according to any one of claims 7 to 11. (Claim 13).

本発明の装置および方法によれば、複数のレーザ発振器から出射されたレーザ光を同軸光路上に合成する偏光ビームスプリッタにより合成して被照射物に照射するので、被照射物に照射されるレーザ光のパルス周波数を、レーザ発振器各々が出射するパルス周波数を合算した周波数とすることができる。したがって、被照射物に対する処理速度を速めることができる。   According to the apparatus and method of the present invention, a laser beam emitted from a plurality of laser oscillators is synthesized by a polarization beam splitter that synthesizes the light beams on a coaxial optical path and irradiates the irradiated object. The pulse frequency of light can be set to a frequency obtained by adding the pulse frequencies emitted from the laser oscillators. Therefore, the processing speed for the irradiated object can be increased.

また、本発明によれば、複数のレーザ発振器から各々のパルスタイミングがずれるようにパルスレーザ光を出射し、合成したレーザ光中の互いに直交する偏光成分のうち揃えるべき偏光方向と異なるものの偏光方向を選択的に回転させて、被照射物に照射するレーザ光の偏光方向を揃え、これを被照射物に照射するようにしたので、被照射物に照射されるレーザ光のエネルギー分布がショット(1パルス)毎に変化することが無い。したがって、非晶質半導体のレーザアニールに適用した場合に、等方的な結晶粒を得ることができる。   Further, according to the present invention, a pulse laser beam is emitted from a plurality of laser oscillators so that each pulse timing is shifted, and a polarization direction different from the polarization direction to be aligned among the mutually orthogonal polarization components in the synthesized laser beam. Is selectively rotated to align the polarization direction of the laser beam irradiated to the irradiated object and to irradiate the irradiated object, so that the energy distribution of the laser beam irradiated to the irradiated object is shot ( It does not change every 1 pulse). Therefore, isotropic crystal grains can be obtained when applied to laser annealing of an amorphous semiconductor.

つまり、本発明によれば、複数のレーザ発振器から出射されるレーザ光を合成しても偏光方向が揃ったレーザ光を照射することができ、これにより、非晶質半導体のレーザアニールに適用した場合に、等方的な結晶粒を得ることができるともに、処理効率を高め生産性を向上させることができるという優れた効果が得られる。   In other words, according to the present invention, it is possible to irradiate laser beams having the same polarization direction even if laser beams emitted from a plurality of laser oscillators are combined, and this is applied to laser annealing of amorphous semiconductors. In this case, an isotropic crystal grain can be obtained, and an excellent effect can be obtained that the processing efficiency can be increased and the productivity can be improved.

以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In each figure, the same portions are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図1は、本発明の第1の実施形態によるレーザ照射装置の構成を示す図である。このレーザ照射装置は、被照射物にパルスレーザ光を照射する装置であり、本実施形態では、基板上に非晶質半導体膜を形成した被照射物にレーザ光を照射して多結晶化を行うレーザアニール装置に適用している。この図に示すように、レーザ照射装置は、複数のレーザ発振器2A、2Bと、パルス制御部4と、偏光ビームスプリッタ6と、偏光調整手段12とを備えて構成されている。以下、各構成要素について説明する。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a laser irradiation apparatus according to the first embodiment of the present invention. This laser irradiation apparatus is an apparatus that irradiates an object to be irradiated with pulsed laser light. In this embodiment, the object to be irradiated on which an amorphous semiconductor film is formed on a substrate is irradiated with laser light to be polycrystallized. It is applied to the laser annealing equipment. As shown in this figure, the laser irradiation apparatus includes a plurality of laser oscillators 2A and 2B, a pulse control unit 4, a polarization beam splitter 6, and a polarization adjustment unit 12. Hereinafter, each component will be described.

レーザ発振器2A、2Bは、この例では、YAGレーザを使用しており、パルス周波数1kHzのパルスレーザを出射する。本実施形態によるレーザ照射装置では、レーザ発振器は2つであり、同一パルス周期および同一パルス時間幅のパルスレーザ光L1、L2を発振するようになっている。なお、本発明のレーザ発振器は、YAGレーザに限られず、その他の固体レーザ(YLF、YVO等)でもよく、エキシマレーザであってもよい。 In this example, the laser oscillators 2A and 2B use a YAG laser and emit a pulse laser having a pulse frequency of 1 kHz. In the laser irradiation apparatus according to the present embodiment, there are two laser oscillators, and the pulse laser beams L1 and L2 having the same pulse period and the same pulse time width are oscillated. The laser oscillator of the present invention is not limited to a YAG laser, and may be another solid-state laser (YLF, YVO 4 or the like) or an excimer laser.

また、この図において、各レーザ光の光路上に示す双方向矢印と二重丸印(白丸内に黒丸が配置された図形)は、各レーザ発振器2A、2Bから出射される単一のレーザパルス(すなわち単一ショット)を示しており、双方向矢印は偏光面が紙面に平行な偏光成分(P偏光)をもつパルス(ショット)を示し、二重丸印は偏光面が紙面に垂直な偏光成分(S偏光)をもつパルス(ショット)を示している。   Further, in this figure, a bidirectional arrow and a double circle (a figure in which a black circle is arranged in a white circle) shown on the optical path of each laser beam are a single laser pulse emitted from each laser oscillator 2A, 2B. (That is, a single shot), the double-headed arrow indicates a pulse (shot) having a polarization component (P-polarized light) whose polarization plane is parallel to the paper surface, and a double circle indicates a polarization whose polarization surface is perpendicular to the paper surface A pulse (shot) having a component (S-polarized light) is shown.

レーザ発振器2Aから出射されるレーザ光L1の光路上には、1/2波長板32と、反射ミラー34が配置されている。1/2波長板32は直線偏光の偏光面を回転させる機能を有しており、直線偏光が1/2波長板32に入射し、その入射偏光面と1/2波長板の光学軸とのなす角をθとしたとき、出射光は入射偏光面に対して2θ回転した直線偏光となる。したがって、この1/2波長板32を、その光学軸とレーザ光L1の偏光方向とのなす角が45°となるように配置すれば、図1に示すように、これを通過したレーザ光L1の偏光方向を直角に回転させることができる。つまり、レーザ発振器2Aから出射されるレーザ光L1の偏光方向をP偏光からS偏光に回転させることができる。反射ミラー34は、1/2波長板32を通過したレーザ光L1を直角に反射させて偏光ビームスプリッタ6へ導くようになっている。   A half-wave plate 32 and a reflection mirror 34 are disposed on the optical path of the laser light L1 emitted from the laser oscillator 2A. The half-wave plate 32 has a function of rotating the polarization plane of linearly polarized light, and the linearly polarized light enters the half-wave plate 32, and the incident polarization plane and the optical axis of the half-wave plate are When the angle formed is θ, the emitted light is linearly polarized light rotated by 2θ with respect to the incident polarization plane. Therefore, if the half-wave plate 32 is arranged so that the angle formed by the optical axis and the polarization direction of the laser light L1 is 45 °, the laser light L1 that has passed through the half-wave plate 32 as shown in FIG. Can be rotated at right angles. That is, the polarization direction of the laser light L1 emitted from the laser oscillator 2A can be rotated from P-polarized light to S-polarized light. The reflection mirror 34 reflects the laser beam L 1 that has passed through the half-wave plate 32 at a right angle and guides it to the polarization beam splitter 6.

なお、レーザ発振器2Aから出射されるレーザ光L1の偏光方向を直角に回転させるための他の手段として、入射光の偏光方向を90°回転させて出射する機能をもつ90°ローテータやダブプリズムを用いても良く、あるいは、ミラーの組み合わせにより偏光方向を90°回転させるようにしても良い。ミラーの組み合わせにより偏光方向を回転させるために、例えば、図2に示す構成例が考えられる。図2に示すようにミラーM1〜M4を配置し、紙面の表面側からこれに垂直方向にミラーM1にレーザ光L1を入射し、これを紙面に平行に直角方向に反射させ、この反射光をミラーM2〜M4により順次反射させる。これにより、入射したレーザ光L1は偏光方向が90°回転させられて出射する。また、出射するレーザ光の偏光方向が初めからS偏光となるように、レーザ発振器2A自体を、図1に示した状態から光軸を中心に90°回転させておけば、これらの回転手段を省略することができる。   As another means for rotating the polarization direction of the laser light L1 emitted from the laser oscillator 2A at a right angle, a 90 ° rotator or a dove prism having a function of rotating the polarization direction of the incident light by 90 ° and emitting it is used. Alternatively, the polarization direction may be rotated by 90 ° by a combination of mirrors. In order to rotate the polarization direction by a combination of mirrors, for example, a configuration example shown in FIG. 2 can be considered. As shown in FIG. 2, mirrors M1 to M4 are arranged, and laser light L1 is incident on the mirror M1 in a direction perpendicular to the surface from the surface of the paper, and this is reflected in a right angle direction parallel to the paper. Reflected sequentially by mirrors M2 to M4. As a result, the incident laser beam L1 is emitted with its polarization direction rotated by 90 °. Further, if the laser oscillator 2A itself is rotated by 90 ° about the optical axis from the state shown in FIG. 1 so that the polarization direction of the emitted laser light becomes S-polarized light from the beginning, these rotating means can be used. Can be omitted.

パルス制御部4は、2つのレーザ発振器2A、2Bのパルスタイミング(ショットタイミング)が時間的にずれるように、各々に制御信号としてパルス信号を出力する。本実施形態では、合成したレーザ光のレーザパルスが時間的に等間隔に並ぶようにパルスタイミングをずらしている。   The pulse controller 4 outputs a pulse signal as a control signal to each so that the pulse timings (shot timings) of the two laser oscillators 2A and 2B are shifted in time. In the present embodiment, the pulse timing is shifted so that the laser pulses of the combined laser beam are arranged at regular intervals in time.

偏光ビームスプリッタ6は、レーザ発振器2Aからのレーザ光L1を直角方向に反射し、レーザ発振器2Bからのレーザ光L2を透過することにより、2つのレーザ発振器2A、2Bからのレーザ光を同軸光路上に合成する。以下、この合成したレーザ光を合成レーザ光Lcと呼ぶ。この結果、図1に示すように、合成レーザ光Lcのレーザパルスは時間的に等間隔で並び、そのパルス周波数は元のレーザ発振器2A、2Bからのパルス周波数を合算した周波数、つまり2倍の周波数となる。また、この図に示すように、偏光ビームスプリッタ6を通過した直後の合成レーザ光Lcのパルスは、互いに直交する偏光成分からなる。   The polarization beam splitter 6 reflects the laser light L1 from the laser oscillator 2A in the right-angle direction and transmits the laser light L2 from the laser oscillator 2B, thereby allowing the laser light from the two laser oscillators 2A and 2B to be on the coaxial optical path. To synthesize. Hereinafter, this synthesized laser beam is referred to as a synthesized laser beam Lc. As a result, as shown in FIG. 1, the laser pulses of the synthesized laser beam Lc are arranged at equal intervals in time, and the pulse frequency is the sum of the pulse frequencies from the original laser oscillators 2A and 2B, that is, twice the pulse frequency. It becomes frequency. Further, as shown in this figure, the pulse of the combined laser beam Lc immediately after passing through the polarization beam splitter 6 is composed of mutually orthogonal polarization components.

偏光調整手段12は、合成レーザ光Lcの光路上に配置されており、これに入射するレーザ光中の互いに直交する偏光成分のうち揃えるべき変更方向と異なるものの偏光方向を選択的に回転させて、被照射物1に照射するレーザ光の偏光方向を揃える機能を有している。本実施形態において、偏光調整手段12は、合成レーザ光Lcの光路上に配置された1/2波長板14と、この1/2波長板13を合成レーザ光Lcの光軸を中心に回転させる駆動部16とを有している。また、この駆動部16は、この例では高速回転可能なモータ18と、モータの回転を制御する制御部20とからなる。この構成により、偏光調整手段12は、レーザ発振器のパルスタイミングに基づき、1/2波長板14を通過したレーザ光L3の偏光方向が揃うように1/2波長板14の回転を制御することができる。   The polarization adjusting unit 12 is disposed on the optical path of the combined laser beam Lc, and selectively rotates the polarization direction of the orthogonally polarized components in the laser beam incident thereon different from the change direction to be aligned. The laser beam irradiates the irradiated object 1 with the function of aligning the polarization direction of the laser beam. In the present embodiment, the polarization adjusting unit 12 rotates the half-wave plate 14 disposed on the optical path of the combined laser beam Lc and the half-wave plate 13 around the optical axis of the combined laser beam Lc. And a drive unit 16. In this example, the drive unit 16 includes a motor 18 that can rotate at a high speed and a control unit 20 that controls the rotation of the motor. With this configuration, the polarization adjusting unit 12 can control the rotation of the half-wave plate 14 so that the polarization directions of the laser light L3 that has passed through the half-wave plate 14 are aligned based on the pulse timing of the laser oscillator. it can.

偏光調整手段12を通過したレーザ光Laは、集光レンズ36により集光されて被照射物1に照射される。本実施形態における被照射物1は、ガラス基板上に非晶質半導体膜(例えばアモルファスシリコン)を形成したものであり、レーザ光の照射により、照射した膜部分が溶融、固化されて多結晶化される。   The laser beam La that has passed through the polarization adjusting unit 12 is condensed by the condenser lens 36 and irradiated onto the irradiation object 1. The irradiated object 1 in this embodiment is formed by forming an amorphous semiconductor film (for example, amorphous silicon) on a glass substrate, and the irradiated film portion is melted and solidified by laser light irradiation to be polycrystallized. Is done.

図3は、本実施形態の偏光調整手段12により、合成レーザ光Lcの偏光方向を揃える方法について具体的に説明する図である。ここでは揃えるべき偏光方向をP偏光とした場合について説明する。この図に示すように、1/2波長板14には合成レーザ光Lcが入射するが、このレーザ光は互いに直交する偏光成分(P偏光とS偏光)が時間的に等間隔で並んでいる。図中の(A)〜(D)は、合成レーザ光Lcが進行する様子を上から順に経時的に並べた図である。上述したように、1/2波長板14は直線偏光の偏光面を回転させる機能を有しており、直線偏光が1/2波長板に入射し、その入射偏光面と1/2波長板の光学軸とのなす角をθとしたとき、出射光は入射偏光面に対して2θ回転した直線偏光となる。本発明は、この1/2波長板の性質を利用したものである。   FIG. 3 is a diagram for specifically explaining a method of aligning the polarization direction of the combined laser light Lc by the polarization adjusting unit 12 of the present embodiment. Here, a case where the polarization direction to be aligned is P-polarized light will be described. As shown in this figure, the combined laser beam Lc is incident on the half-wave plate 14, but in this laser beam, polarized components (P-polarized light and S-polarized light) orthogonal to each other are arranged at equal intervals in time. . (A)-(D) in the figure is the figure which arranged a mode that synthetic laser beam Lc progressed in order from the top. As described above, the half-wave plate 14 has a function of rotating the polarization plane of linearly polarized light. The linearly polarized light enters the half-wave plate, and the incident polarization plane and the half-wave plate When the angle formed with the optical axis is θ, the emitted light is linearly polarized light rotated by 2θ with respect to the incident polarization plane. The present invention utilizes the property of this half-wave plate.

すなわち、(A)のように1/2波長板14に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向(この例ではP偏光)と一致するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸aとのなす角θが0°であれば、通過後のレーザ光の偏光方向は回転しない。したがって、通過後のレーザ光の偏光方向は依然としてP偏光であり、レーザ光は揃えるべき偏光方向を向いている。   That is, when the polarization direction of the laser light incident on the half-wave plate 14 matches the polarization direction to be aligned (P-polarized light in this example) as shown in FIG. If the angle θ formed with the optical axis a of the two-wavelength plate is 0 °, the polarization direction of the laser light after passing does not rotate. Therefore, the polarization direction of the laser light after passing is still P-polarized light, and the laser light is oriented in the polarization direction to be aligned.

一方、(B)のように1/2波長板が(A)の位置から45°回転し、1/2波長板14に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸aとのなす角θが45°であれば、通過後のレーザ光の偏光方向は2θ、つまり90°回転する。したがって、通過後のレーザ光の偏光方向はP偏光であり、レーザ光は揃えるべき偏光方向を向く。   On the other hand, when the half-wave plate is rotated 45 ° from the position (A) as shown in (B) and the polarization direction of the laser light incident on the half-wave plate 14 is orthogonal to the polarization direction to be aligned. If the angle θ formed by the polarization direction of the laser light and the optical axis a of the half-wave plate is 45 °, the polarization direction of the laser light after passing is rotated by 2θ, that is, 90 °. Therefore, the polarization direction of the laser light after passing is P-polarized light, and the laser light faces the polarization direction to be aligned.

続いて、(C)のように、レーザ光が進行するとともに1/2波長板が(B)の位置から45°回転し、1/2波長板14に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と一致するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板14の光学軸aとのなす角θが90°であれば、通過後のレーザ光の偏光方向は2θ、つまり180°回転する。しかし、直線偏光の偏光方向としてみた場合は、結果として回転していないのと同然であるから、通過後のレーザ光の偏光方向も依然としてP偏光であり、レーザ光は揃えるべき偏光方向を向いている。   Subsequently, as shown in (C), the laser beam advances and the half-wave plate is rotated 45 ° from the position (B), so that the polarization direction of the laser beam incident on the half-wave plate 14 is aligned. If the angle θ formed by the polarization direction of the laser beam and the optical axis a of the half-wave plate 14 is 90 ° when it coincides with the power polarization direction, the polarization direction of the laser beam after passing is 2θ, that is, Rotate 180 °. However, when viewed as the polarization direction of linearly polarized light, it is almost the same as not rotating as a result. Therefore, the polarization direction of the laser light after passing is still P-polarized light, and the laser light faces the polarization direction to be aligned. Yes.

続いて、(D)のように、レーザ光が進行するとともに1/2波長板が(C)の位置から45°回転し、1/2波長板14に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸aとのなす角θが45°であれば、通過後のレーザ光の偏光方向は2θ、つまり90°回転する。したがって、通過後のレーザ光の偏光方向はP偏光であり、レーザ光は揃えるべき偏光方向を向く。   Subsequently, as shown in (D), the laser beam advances and the half-wave plate is rotated 45 ° from the position (C), so that the polarization direction of the laser beam incident on the half-wave plate 14 is aligned. If the angle θ formed between the polarization direction of the laser beam and the optical axis a of the half-wave plate is 45 ° when orthogonal to the power polarization direction, the polarization direction of the laser beam after passing is 2θ, that is, 90 Rotate. Therefore, the polarization direction of the laser light after passing is P-polarized light, and the laser light faces the polarization direction to be aligned.

このように、1/2波長板14に入射するレーザ光の偏光方向に合わせて、光学軸aが所定角度となるように1/2波長板14を回転させることにより、これを通過したレーザ光の偏光方向を揃えることができる。したがって、偏光調整手段12の駆動部16は、1/2波長板に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と一致するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸とのなす角が0°又は90°となり、1/2波長板に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸とのなす角が45°となるように、1/2波長板14を回転させる。つまり、交互に偏光方向が直交するレーザ光が入射される場合は、パルス(ショット)間に1/2波長板14が45°ずつ回転するように制御すればよい。例えば、この例のように、パルス周波数1kHzのレーザ発振器を使用する場合、合成レーザ光Lcのパルス間隔(ショット間隔)は500μsecとなる。したがって、4msecで1/2波長板14を1回転させれば、合成レーザ光Lcの偏光方向を揃えることができる。   As described above, the half-wave plate 14 is rotated by rotating the half-wave plate 14 so that the optical axis a becomes a predetermined angle in accordance with the polarization direction of the laser beam incident on the half-wave plate 14. The polarization direction can be made uniform. Therefore, when the polarization direction of the laser light incident on the half-wave plate coincides with the polarization direction to be aligned, the drive unit 16 of the polarization adjusting unit 12 and the polarization direction of the laser light and the half-wave plate When the angle between the optical axis is 0 ° or 90 ° and the polarization direction of the laser light incident on the half-wave plate is orthogonal to the polarization direction to be aligned, the polarization direction of the laser light and the half wavelength The half-wave plate 14 is rotated so that the angle formed by the optical axis of the plate is 45 °. That is, in the case where laser beams having orthogonal polarization directions are alternately incident, the half-wave plate 14 may be controlled to rotate by 45 ° between pulses (shots). For example, when a laser oscillator having a pulse frequency of 1 kHz is used as in this example, the pulse interval (shot interval) of the combined laser beam Lc is 500 μsec. Therefore, if the half-wave plate 14 is rotated once in 4 msec, the polarization direction of the synthetic laser light Lc can be made uniform.

本発明の第1実施形態によれば、2つのレーザ発振器2A、2Bから出射されたレーザ光L1、L2を同軸光路上に合成する偏光ビームスプリッタ6により合成して被照射物1に照射するので、被照射物1に照射されるレーザ光Laのパルス周波数を、レーザ発振器2A、2B各々が出射するパルス周波数の2倍とすることができる。したがって、被照射物1に対する処理速度を速めることができる。   According to the first embodiment of the present invention, since the laser beams L1 and L2 emitted from the two laser oscillators 2A and 2B are combined by the polarization beam splitter 6 that combines on the coaxial optical path, the irradiated object 1 is irradiated. The pulse frequency of the laser beam La irradiated to the irradiation object 1 can be made twice the pulse frequency emitted from each of the laser oscillators 2A and 2B. Therefore, the processing speed with respect to the irradiated object 1 can be increased.

また、本実施形態によれば、2つのレーザ発振器2A、2Bから各々のパルスタイミングがずれるようにパルスレーザ光L1、L2を出射し、合成したレーザ光Lc中の互いに直交する偏光成分のうち揃えるべき偏光方向と異なるものの偏光方向を選択的に回転させて、被照射物1に照射するレーザ光Laの偏光方向を揃え、これを被照射物1に照射するようにしたので、被照射物1に照射されるレーザ光のエネルギー分布がショット(1パルス)毎に変化することが無い。したがって、非晶質半導体のレーザアニールに適用した場合に、等方的な結晶粒を得ることができる。   Further, according to the present embodiment, the pulse laser beams L1 and L2 are emitted from the two laser oscillators 2A and 2B so that the respective pulse timings are shifted, and are aligned among the mutually orthogonal polarization components in the combined laser beam Lc. Since the polarization direction of the laser beam La that is irradiated to the irradiation object 1 is aligned by selectively rotating the polarization direction that is different from the power polarization direction, the irradiation object 1 is irradiated with this. The energy distribution of the laser light applied to the laser beam does not change every shot (one pulse). Therefore, isotropic crystal grains can be obtained when applied to laser annealing of an amorphous semiconductor.

つまり、本発明によれば、複数のレーザ発振器から出射されるレーザ光を合成しても偏光方向が揃ったレーザ光を照射することができ、これにより、非晶質半導体のレーザアニールに適用した場合に、等方的な結晶粒を得ることができるともに、処理効率を高め生産性を向上させることができるという優れた効果が得られる。   In other words, according to the present invention, it is possible to irradiate laser beams having the same polarization direction even if laser beams emitted from a plurality of laser oscillators are combined, and this is applied to laser annealing of amorphous semiconductors. In this case, an isotropic crystal grain can be obtained, and an excellent effect can be obtained that the processing efficiency can be increased and the productivity can be improved.

次に、本発明の第2実施形態について説明する。図4は本発明の第2実施形態によるレーザ照射装置の構成を示す図である。この第2実施形態の第1実施形態と異なる点は、偏光調整手段12を別の構成とした点である。ただし、本実施形態では、合成レーザ光Lcのレーザパルスが時間的に等間隔に並ぶようにパルスタイミングをずらしているが、必ずしも等間隔となる必要はない。その他の構成は、第1実施形態と同様である。   Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a laser irradiation apparatus according to the second embodiment of the present invention. The difference of the second embodiment from the first embodiment is that the polarization adjusting means 12 has a different configuration. However, in this embodiment, the pulse timing is shifted so that the laser pulses of the synthesized laser light Lc are aligned at regular intervals in time, but it is not always necessary to have regular intervals. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

この第2実施形態において、偏光調整手段12は、合成レーザ光Lcの光路上に配置され所定の作動条件を満たすときにレーザ光の偏光方向を直角に回転させる光学素子22と、この光学素子22を作動させる光学素子作動手段24とを有している。この光学素子作動手段24は、レーザ発振器2A、2Bのパルスタイミングに基づき、光学素子22に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときにのみ偏光方向を直角に回転させるように光学素子22を作動させる機能を有する。   In the second embodiment, the polarization adjusting means 12 is arranged on the optical path of the combined laser beam Lc and rotates the polarization direction of the laser beam at a right angle when a predetermined operating condition is satisfied, and the optical element 22 And an optical element actuating means 24 for actuating. Based on the pulse timing of the laser oscillators 2A and 2B, the optical element operating unit 24 rotates the polarization direction at a right angle only when the polarization direction of the laser light incident on the optical element 22 is orthogonal to the polarization direction to be aligned. Has a function of operating the optical element 22.

本実施形態では、光学素子22は電気光学素子であり、光学素子作動手段24は電気光学素子に電圧を印加する電源である。電気光学素子22には、複屈折結晶(偏光方向によって屈折率が異なる結晶)であるDKDP結晶を使用している。このDKDP結晶は45゜Zcutで立方体に切り出されており、結晶のY'方向とレーザ光の進行方向が一致し、レーザ光の偏光方向とDKDP結晶のZ方向が45゜の角度をなすよう配置されている。DKDP結晶は複屈折材料であり、結晶に入射したレーザ光は偏光方向がX´方向とZ方向の2つに分離して伝搬する。DKDP結晶にはZ方向に電圧を印加できるようZ面上に電極が設けられており、Z方向に電圧を印加することによりZ方向の偏光に対する屈折率を変化させることができる。この場合Z方向の屈折率変化量は印加電圧に比例するため(ポッケルス効果)、印加電圧によって結晶出射時のX´方向とZ方向の偏光に任意の位相差をつけることができる。X´方向とZ方向の偏光の位相差がちょうどλ/2になる場合、結晶出射後、X´方向とZ方向偏光が結合された偏光の方向は、結晶入射時の偏光方向と直交したものになる。この場合結晶への印加電圧をλ/2電圧という。   In the present embodiment, the optical element 22 is an electro-optical element, and the optical element actuating means 24 is a power source that applies a voltage to the electro-optical element. The electro-optic element 22 uses a DKDP crystal that is a birefringent crystal (a crystal having a different refractive index depending on the polarization direction). This DKDP crystal is cut into a cube at 45 ° Zcut, and the Y ′ direction of the crystal and the traveling direction of the laser beam coincide with each other, and the polarization direction of the laser beam and the Z direction of the DKDP crystal form an angle of 45 °. Has been. The DKDP crystal is a birefringent material, and the laser light incident on the crystal propagates with the polarization direction separated into two, the X ′ direction and the Z direction. The DKDP crystal is provided with electrodes on the Z plane so that a voltage can be applied in the Z direction, and the refractive index for polarized light in the Z direction can be changed by applying a voltage in the Z direction. In this case, since the amount of change in the refractive index in the Z direction is proportional to the applied voltage (Pockels effect), an arbitrary phase difference can be given to the polarized light in the X ′ direction and the Z direction at the time of crystal emission by the applied voltage. When the phase difference between the polarized light in the X ′ direction and the Z direction is exactly λ / 2, the direction of the polarized light in which the X ′ direction and the Z direction polarized light are combined after exiting the crystal is orthogonal to the polarization direction at the time of crystal incidence. become. In this case, the voltage applied to the crystal is referred to as λ / 2 voltage.

本実施形態では、光学素子作動手段24としての電源は、レーザ発振器2A、2Bのパルスタイミングに基づき、電気光学素子22に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向(この例ではP偏光)と直交するときにのみ電気光学素子22にλ/2電圧を印加する。つまり、図3における1/2波長板14を電気光学素子22に置き換えて説明すると、(A)と(C)のときは電気光学素子22に電圧を印加せず、(B)と(D)のときにのみ電気光学素子22にλ/2電圧を印加するのである。これにより、合成レーザ光Lc中のS偏光の偏光成分のみが電気光学素子22により偏光方向が90°回転させられるため、これを通過したレーザ光Laの偏光方向はP偏光に揃えられる。   In this embodiment, the power source as the optical element actuating means 24 is based on the pulse timing of the laser oscillators 2A and 2B, and the polarization direction of the laser light incident on the electro-optical element 22 should be aligned (in this example, P-polarized light). The λ / 2 voltage is applied to the electro-optic element 22 only when it is orthogonal to (). That is, when the half-wave plate 14 in FIG. 3 is replaced with the electro-optic element 22, in (A) and (C), no voltage is applied to the electro-optic element 22, and (B) and (D). Only at this time, the λ / 2 voltage is applied to the electro-optic element 22. As a result, only the polarization component of the S-polarized light in the combined laser light Lc is rotated by 90 ° by the electro-optic element 22, so that the polarization direction of the laser light La that has passed therethrough is aligned with the P-polarized light.

このように、本発明の第2実施形態によっても、上述した第1実施形態と同様の効果が得られる。   Thus, also by the second embodiment of the present invention, the same effect as that of the first embodiment described above can be obtained.

次に、本発明の第3実施形態について説明する。図5は本発明の第3実施形態によるレーザ照射装置の構成を示す図である。この図に示すように、第3実施形態によるレーザ照射装置は、3つのレーザ発振器2A、2B、2Cと、パルス制御部4と、第1及び第2の偏光ビームスプリッタ6A、6Bと、第1及び第2の偏光調整手段12A、12Bとを備えている。3つのレーザ発振器2A、2B、2Cと第1及び第2の偏光ビームスプリッタ6A、6Bは、第1及び第2実施形態と同様の構成である。また、第1及び第2の偏光調整手段12A、12Bは、それぞれ、第2実施形態と同様の電気光学素子22と電源24とを有している。   Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a laser irradiation apparatus according to the third embodiment of the present invention. As shown in this figure, the laser irradiation apparatus according to the third embodiment includes three laser oscillators 2A, 2B, and 2C, a pulse control unit 4, first and second polarizing beam splitters 6A and 6B, And second polarization adjusting means 12A and 12B. The three laser oscillators 2A, 2B, 2C and the first and second polarization beam splitters 6A, 6B have the same configuration as in the first and second embodiments. The first and second polarization adjusting units 12A and 12B each have the same electro-optic element 22 and power source 24 as those in the second embodiment.

パルス制御部4は、3つのレーザ発振器2A、2B、2Cのパスルタイミング(ショットタイミング)が時間的にずれるように、各々にパルス信号を出力する。本実施形態では、合成したレーザ光のレーザパルスが時間的に等間隔に並ぶようにパスルタイミングをずらしているが、必ずしも等間隔となる必要はない。   The pulse controller 4 outputs a pulse signal to each of the three laser oscillators 2A, 2B, and 2C so that the pulse timings (shot timings) of the laser oscillators 2A, 2B, and 2C are shifted in time. In this embodiment, the pulse timing is shifted so that the laser pulses of the synthesized laser light are aligned at regular intervals in time, but it is not always necessary to have regular intervals.

第1の偏光ビームスプリッタ6Aは、レーザ発振器2Aとレーザ発振器2Bから出射されたレーザ光L1、L2を同軸光軸上に合成し第1の合成レーザ光Lc1を生成する。第1の偏光調整手段12Aは、上述した第2実施形態で説明したのと同様に第1の合成レーザ光Lc1の偏光方向を揃える。   The first polarization beam splitter 6A combines the laser beams L1 and L2 emitted from the laser oscillator 2A and the laser oscillator 2B on the coaxial optical axis to generate a first combined laser beam Lc1. The first polarization adjusting unit 12A aligns the polarization direction of the first combined laser beam Lc1 in the same manner as described in the second embodiment.

第2の偏光ビームスプリッタ6Bは、第1の偏光調整手段12Aを通過した第1の合成レーザ光Lc1の光路上に配置され、この第1の合成レーザ光Lc1とレーザ発振器2Cから出射されたレーザ光L3を同軸光路上に合成し第2の合成レーザ光Lc2を生成する。すると、この図に示すように、第2の合成レーザ光Lc2には、レーザ発振器2CからのS偏光のレーザ光L3が合成されたため、P偏光とS偏光とが混在し、互いに偏光方向が直交する偏光成分を含んでいる。第2の偏光調整手段12Bでは、光学素子作動手段(電源)24は、3つのレーザ発振器2A、2B、2Cのパルスタイミングに基づき、電気光学素子22に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向(この例ではP偏光)と直交するときにのみ偏光方向を90°回転させるように電気光学素子22に電圧(λ/2電圧)を印加する。これにより、第2の合成レーザ光Lc2中のS偏光の偏光成分のみが電気光学素子22により偏光方向が90°回転させられるため、これを通過した第2の合成レーザ光Lc2の偏光方向はP偏光に揃えられる。   The second polarization beam splitter 6B is disposed on the optical path of the first combined laser beam Lc1 that has passed through the first polarization adjusting unit 12A, and the first combined laser beam Lc1 and the laser emitted from the laser oscillator 2C. The light L3 is combined on the coaxial optical path to generate a second combined laser light Lc2. Then, as shown in this figure, since the S-polarized laser beam L3 from the laser oscillator 2C is synthesized with the second synthesized laser beam Lc2, P-polarized light and S-polarized light are mixed, and the polarization directions are orthogonal to each other. The polarization component to be included is included. In the second polarization adjusting unit 12B, the optical element operating unit (power source) 24 should align the polarization direction of the laser light incident on the electro-optical element 22 based on the pulse timings of the three laser oscillators 2A, 2B, and 2C. A voltage (λ / 2 voltage) is applied to the electro-optic element 22 so that the polarization direction is rotated by 90 ° only when orthogonal to the polarization direction (P-polarized light in this example). As a result, only the polarization component of the S-polarized light in the second synthetic laser beam Lc2 is rotated by 90 ° by the electro-optic element 22, so the polarization direction of the second synthetic laser beam Lc2 that has passed through this is P Aligned with polarized light.

本発明の第3実施形態によれば、3つのレーザ発振器から出射されるレーザ光を同軸光路上に合成して被照射物に照射するので、被照射物に照射されるレーザ光のパルス周波数を、レーザ発振器各々が出射するパルス周波数の3倍とすることができる。したがって、被照射物に対する処理速度を、第1実施形態より更に速めることができる。このため、処理効率を更に高め生産性をより向上させることができるという優れた効果が得られる。   According to the third embodiment of the present invention, the laser beams emitted from the three laser oscillators are synthesized on the coaxial optical path and irradiated onto the irradiated object. Therefore, the pulse frequency of the laser light irradiated onto the irradiated object is set to , And 3 times the pulse frequency emitted from each laser oscillator. Therefore, the processing speed for the irradiated object can be further increased than in the first embodiment. For this reason, the outstanding effect that processing efficiency can further be raised and productivity can be improved more is acquired.

なお、上述した第1〜第3の実施形態では、合成したレーザ光中のS偏光成分を回転させることによりレーザ光の偏光方向を揃えたが、これとは逆に、P偏光成分を回転させることにより偏光方向を揃えるようにしても良い。   In the first to third embodiments described above, the polarization direction of the laser beam is aligned by rotating the S-polarized component in the combined laser beam. Conversely, the P-polarized component is rotated. Thus, the polarization directions may be aligned.

また、上述した第2と第3の実施形態では、合成するレーザ光は、それぞれ2つ、3つであったが、本発明はこれに限定されず、それ以上のレーザ光を合成するようにしてもよい。この場合、偏光ビームスプリッタ6と偏光調整手段12を第3実施形態の例のように適正数ずつ増やして配置すれば良い。   Further, in the second and third embodiments described above, the number of laser beams to be combined is two and three, respectively, but the present invention is not limited to this. May be. In this case, the polarization beam splitter 6 and the polarization adjusting unit 12 may be arranged by increasing by an appropriate number as in the example of the third embodiment.

また、上述した本発明の第2と第3の実施形態では、偏光方向を90°回転させるための光学素子として、いずれもポッケルス効果を利用した電気光学素子を使用する構成を示したが、電気光学素子はこれに限られるものではなく、複屈折率が印加電圧の2乗に比例するカー効果を利用しても同様の効果が得られる。   In the second and third embodiments of the present invention described above, as the optical element for rotating the polarization direction by 90 °, an electro-optical element using the Pockels effect is used. The optical element is not limited to this, and the same effect can be obtained even if the Kerr effect in which the birefringence is proportional to the square of the applied voltage is used.

また、偏光方向の回転に磁気光学効果の1つであるファラデー効果を利用した磁気光学素子を使用しても、偏光方向を90°回転させることは可能であり、上述した電気光学素子を使用した場合と同様の効果が得られる。この場合、光学素子作動手段は、磁気光学素子に磁界を印加する磁界発生器である。   Even if a magneto-optical element using the Faraday effect, which is one of the magneto-optical effects, is used to rotate the polarization direction, the polarization direction can be rotated by 90 °, and the above-described electro-optical element is used. The same effect as the case can be obtained. In this case, the optical element actuating means is a magnetic field generator that applies a magnetic field to the magneto-optical element.

その他、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加え得ることは勿論である。   In addition, the technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

本発明の第1実施形態を説明する図である。It is a figure explaining 1st Embodiment of this invention. ミラーの組み合わせにより偏光方向を回転させるための構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example for rotating a polarization direction with the combination of a mirror. 本発明の第1実施形態の偏光調整手段によるレーザ光の偏光について説明する図である。It is a figure explaining the polarization | polarized-light of the laser beam by the polarization adjusting means of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態を説明する図である。It is a figure explaining 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態を説明する図である。It is a figure explaining 3rd Embodiment of this invention. 従来技術を説明する図である。It is a figure explaining a prior art. 従来技術を説明する図である。It is a figure explaining a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

1 被照射物
2A、2B、2C レーザ発振器
4 パルス制御部
6 偏光ビームスプリッタ
6A 第1の偏光ビームスプリッタ
6B 第2の偏光ビームスプリッタ
12 偏光調整手段
12A 第1の偏光調整手段
12B 第2の偏光調整手段
14 1/2波長板
16 駆動部
18 モータ
20 制御部
22 光学素子(電気光学素子)
24 光学素子作動手段(電源)
32 1/2波長板
34 反射ミラー
36 集光レンズ
a 光学軸
M1〜M4 反射ミラー
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Irradiated object 2A, 2B, 2C Laser oscillator 4 Pulse control part 6 Polarization beam splitter 6A First polarization beam splitter 6B Second polarization beam splitter 12 Polarization adjustment means 12A First polarization adjustment means 12B Second polarization adjustment Means 14 Half-wave plate 16 Drive unit 18 Motor 20 Control unit 22 Optical element (electro-optical element)
24 Optical element operation means (power supply)
32 half-wave plate 34 reflecting mirror 36 condensing lens a optical axis M1 to M4 reflecting mirror

Claims (13)

被照射物にパルスレーザ光を照射するレーザ照射装置であって、
パルスレーザ光を出射する複数のレーザ発振器と、
複数のレーザ発振器のパルスタイミングがずれるように各々に制御信号を出力するパルス制御部と、
複数のレーザ光を同軸光路上に合成する偏光ビームスプリッタと、
合成したレーザ光の光路上に配置され入射するレーザ光中の互いに直交する偏光成分のうち揃えるべき偏光方向と異なるものの偏光方向を選択的に回転させて、被照射物に照射するレーザ光の偏光方向を揃える偏光調整手段と、を備える、
ことを特徴とするレーザ照射装置。
A laser irradiation apparatus for irradiating an irradiated object with pulsed laser light,
A plurality of laser oscillators emitting pulsed laser light;
A pulse control unit that outputs a control signal to each of the pulse timings of a plurality of laser oscillators, and
A polarization beam splitter that combines a plurality of laser beams on a coaxial optical path;
Polarization of laser light that irradiates the irradiated object by selectively rotating the polarization direction that is different from the polarization direction that should be aligned among the orthogonal polarization components in the incident laser light that is placed on the optical path of the synthesized laser light Polarization adjusting means for aligning the direction,
The laser irradiation apparatus characterized by the above-mentioned.
前記偏光調整手段は、合成したレーザ光の光路上に配置された1/2波長板と、該1/2波長板を合成レーザ光の光軸を中心に回転させる駆動部とを有し、
該駆動部は、前記複数のレーザ発振器のパルスタイミングに基づき1/2波長板を通過したレーザ光の偏光方向が揃うように1/2波長板を回転させる、ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ照射装置。
The polarization adjusting means includes a half-wave plate disposed on the optical path of the synthesized laser beam, and a drive unit that rotates the half-wave plate about the optical axis of the synthesized laser beam,
2. The drive unit according to claim 1, wherein the drive unit rotates the half-wave plate so that the polarization directions of the laser beams that have passed through the half-wave plate are aligned based on pulse timings of the plurality of laser oscillators. The laser irradiation apparatus as described.
前記駆動部は、
1/2波長板に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と一致するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸とのなす角が0°又は90°となり、
1/2波長板に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸とのなす角が45°となるように、1/2波長板を回転させる、ことを特徴とする請求項2に記載のレーザ照射装置。
The drive unit is
When the polarization direction of the laser light incident on the half-wave plate coincides with the polarization direction to be aligned, the angle formed by the polarization direction of the laser light and the optical axis of the half-wave plate is 0 ° or 90 °. And
When the polarization direction of the laser beam incident on the half-wave plate is orthogonal to the polarization direction to be aligned, the angle formed by the polarization direction of the laser beam and the optical axis of the half-wave plate is 45 ° The laser irradiation apparatus according to claim 2, wherein the half-wave plate is rotated.
前記偏光調整手段は、合成したレーザ光の光路上に配置され所定の作動条件を満たすときにレーザ光の偏光方向を直角に回転させる光学素子と、該光学素子を作動させる光学素子作動手段とを有し、
該光学素子作動手段は、前記複数のレーザ発振器からのパルスタイミングに基づき、光学素子に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときにのみ偏光方向を直角に回転させるように光学素子を作動させる、ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ照射装置。
The polarization adjusting means is disposed on the optical path of the combined laser light, and rotates an optical element that rotates the polarization direction of the laser light at a right angle when a predetermined operating condition is satisfied, and an optical element operating means that operates the optical element. Have
The optical element actuating means rotates the polarization direction at right angles only when the polarization direction of the laser light incident on the optical element is orthogonal to the polarization direction to be aligned, based on the pulse timing from the plurality of laser oscillators. The laser irradiation apparatus according to claim 1, wherein the optical element is operated.
前記光学素子は電気光学素子であり、前記光学素子作動手段は電気光学素子に電圧を印加する電源である、ことを特徴とする請求項4に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 4, wherein the optical element is an electro-optical element, and the optical element operating unit is a power source that applies a voltage to the electro-optical element. 前記光学素子は磁気光学素子であり、前記光学素子作動手段は磁気光学素子に磁界を印加する磁界発生器である、ことを特徴とする請求項4に記載のレーザ照射装置。   The laser irradiation apparatus according to claim 4, wherein the optical element is a magneto-optical element, and the optical element actuating means is a magnetic field generator that applies a magnetic field to the magneto-optical element. 複数のレーザ発振器から各々のパルスタイミングがずれるようにパルスレーザ光を出射し、この複数のレーザ光を同軸光路上に合成する偏光ビームスプリッタにより合成し、合成したレーザ光中の互いに直交する偏光成分のうち揃えるべき偏光方向と異なるものの偏光方向を選択的に回転させて、被照射物に照射するレーザ光の偏光方向を揃え、これを被照射物に照射する、ことを特徴とするレーザ照射方法。   Pulse laser beams are emitted from a plurality of laser oscillators so that their pulse timings are shifted, and the plurality of laser beams are synthesized by a polarization beam splitter that synthesizes them on a coaxial optical path. A laser irradiation method characterized by selectively rotating a polarization direction that is different from a polarization direction to be aligned, aligning a polarization direction of laser light to be irradiated on the irradiated object, and irradiating the irradiated object with this . 合成したレーザ光の光路上に1/2波長板を配置し、前記複数のレーザ発振器のパルスタイミングに基づき、1/2波長板を通過したレーザ光の偏光方向が揃うように、合成したレーザ光の光軸を中心に1/2波長板を回転駆動させる、ことを特徴とする請求項7に記載のレーザ照射方法。   A half-wave plate is arranged on the optical path of the synthesized laser beam, and the synthesized laser beam is aligned so that the polarization directions of the laser beams that have passed through the half-wave plate are aligned based on the pulse timing of the plurality of laser oscillators. The laser irradiation method according to claim 7, wherein the half-wave plate is driven to rotate about the optical axis of the laser beam. 1/2波長板に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と一致するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸とのなす角が0°又は90°となり、1/2波長板に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときに、そのレーザ光の偏光方向と1/2波長板の光学軸とのなす角が45°となるように、1/2波長板を回転させる、ことを特徴とする請求項8に記載のレーザ照射方法。   When the polarization direction of the laser light incident on the half-wave plate coincides with the polarization direction to be aligned, the angle formed by the polarization direction of the laser light and the optical axis of the half-wave plate is 0 ° or 90 °. When the polarization direction of the laser light incident on the half-wave plate is orthogonal to the polarization direction to be aligned, the angle formed by the polarization direction of the laser light and the optical axis of the half-wave plate is 45 °. The laser irradiation method according to claim 8, wherein the half-wave plate is rotated as follows. 合成したレーザ光の光路上に、所定の作動条件を満たすときに合成レーザ光の偏光方向を直角に回転させる光学素子を配置し、前記複数のレーザ発振器のパルスタイミングに基づき、光学素子に入射するレーザ光の偏光方向が、揃えるべき偏光方向と直交するときにのみ偏光方向を直角に回転させるように光学素子を作動させる、ことを特徴とする請求項7に記載のレーザ照射方法。   An optical element that rotates the polarization direction of the synthesized laser beam at a right angle when a predetermined operating condition is satisfied is disposed on the optical path of the synthesized laser beam, and is incident on the optical element based on the pulse timing of the plurality of laser oscillators. 8. The laser irradiation method according to claim 7, wherein the optical element is operated so as to rotate the polarization direction at a right angle only when the polarization direction of the laser light is orthogonal to the polarization direction to be aligned. 前記光学素子として、電気光学素子又は磁気光学素子を用いる、ことを特徴とする請求項10に記載のレーザ照射方法。   The laser irradiation method according to claim 10, wherein an electro-optical element or a magneto-optical element is used as the optical element. 請求項1〜6のいずれかに記載のレーザ照射装置を備え、該レーザ照射装置により基板上に非晶質半導体膜を形成した被照射物にレーザ光を照射する、ことを特徴とするレーザアニール装置。   A laser annealing comprising the laser irradiation apparatus according to claim 1, wherein the laser irradiation is performed to irradiate an object having an amorphous semiconductor film formed on a substrate by the laser irradiation apparatus. apparatus. 請求項7〜11のいずれかに記載のレーザ照射方法により、基板上に非晶質半導体膜を形成した被照射物にレーザ光を照射する、ことを特徴とするレーザアニール方法。   12. A laser annealing method, comprising: irradiating an irradiation object having an amorphous semiconductor film formed on a substrate with a laser beam by the laser irradiation method according to claim 7.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008130713A (en) * 2006-11-20 2008-06-05 Ihi Corp Method and device for laser annealing
JP2009049311A (en) * 2007-08-22 2009-03-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser processing apparatus and laser processing method
JP2009231528A (en) * 2008-03-24 2009-10-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Laser radiation device
JP2011516913A (en) * 2008-03-31 2011-05-26 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド Method of combining multiple beams to form a polarized laser beam with high repetition rate and average power
CN104078339A (en) * 2013-03-26 2014-10-01 上海微电子装备有限公司 Laser annealing device and method
JP2015167264A (en) * 2009-11-24 2015-09-24 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク System and method for non-periodic pulse sequential lateral solidification
JP2016076721A (en) * 2015-12-01 2016-05-12 株式会社半導体エネルギー研究所 Laser irradiation device
CN106206362A (en) * 2015-05-26 2016-12-07 三星显示有限公司 Laser beam annealing device and the method using laser beam annealing device manufacture display device
JP2017195382A (en) * 2017-05-25 2017-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Laser irradiation device
WO2019054723A1 (en) * 2017-09-14 2019-03-21 고려대학교 세종산학협력단 Laser crystallization apparatus and method therefor
CN110893508A (en) * 2018-09-11 2020-03-20 三星显示有限公司 Laser ablation apparatus and method of manufacturing display device
CN112987323A (en) * 2019-12-13 2021-06-18 中国科学院大连化学物理研究所 High-energy solid pulse laser polarization beam combining device
WO2022044519A1 (en) * 2020-08-31 2022-03-03 株式会社日本製鋼所 Laser anneal device, laser anneal method, and semiconductor device manufacturing method
WO2022203618A1 (en) * 2021-03-24 2022-09-29 Lumos Lazer Anoni̇m Şi̇rketi̇ Variable repetition rate multiplier based on polarization rotation

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04135083A (en) * 1990-09-26 1992-05-08 Nec Corp Laser beam machine
JP2000107875A (en) * 1998-10-02 2000-04-18 Mitsubishi Electric Corp Device for irradiating laser beam
JP2002176006A (en) * 2000-12-08 2002-06-21 Sumitomo Heavy Ind Ltd Apparatus and method for laser processing
JP2003068644A (en) * 2001-08-28 2003-03-07 Sumitomo Heavy Ind Ltd Method for crystallizing silicon and laser annealing system
JP2003347236A (en) * 2002-05-28 2003-12-05 Sony Corp Laser irradiation device
JP2006095566A (en) * 2004-09-29 2006-04-13 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser irradiation device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04135083A (en) * 1990-09-26 1992-05-08 Nec Corp Laser beam machine
JP2000107875A (en) * 1998-10-02 2000-04-18 Mitsubishi Electric Corp Device for irradiating laser beam
JP2002176006A (en) * 2000-12-08 2002-06-21 Sumitomo Heavy Ind Ltd Apparatus and method for laser processing
JP2003068644A (en) * 2001-08-28 2003-03-07 Sumitomo Heavy Ind Ltd Method for crystallizing silicon and laser annealing system
JP2003347236A (en) * 2002-05-28 2003-12-05 Sony Corp Laser irradiation device
JP2006095566A (en) * 2004-09-29 2006-04-13 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser irradiation device

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008130713A (en) * 2006-11-20 2008-06-05 Ihi Corp Method and device for laser annealing
JP2009049311A (en) * 2007-08-22 2009-03-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser processing apparatus and laser processing method
JP2009231528A (en) * 2008-03-24 2009-10-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Laser radiation device
JP2011516913A (en) * 2008-03-31 2011-05-26 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド Method of combining multiple beams to form a polarized laser beam with high repetition rate and average power
JP2015167264A (en) * 2009-11-24 2015-09-24 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク System and method for non-periodic pulse sequential lateral solidification
CN104078339A (en) * 2013-03-26 2014-10-01 上海微电子装备有限公司 Laser annealing device and method
CN106206362A (en) * 2015-05-26 2016-12-07 三星显示有限公司 Laser beam annealing device and the method using laser beam annealing device manufacture display device
JP2016076721A (en) * 2015-12-01 2016-05-12 株式会社半導体エネルギー研究所 Laser irradiation device
JP2017195382A (en) * 2017-05-25 2017-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Laser irradiation device
WO2019054723A1 (en) * 2017-09-14 2019-03-21 고려대학교 세종산학협력단 Laser crystallization apparatus and method therefor
KR20190030462A (en) * 2017-09-14 2019-03-22 고려대학교 세종산학협력단 Laser annealing apparatus and the controlling method thereof
KR101963510B1 (en) * 2017-09-14 2019-03-28 고려대학교 세종산학협력단 Laser annealing apparatus and the controlling method thereof
CN110893508A (en) * 2018-09-11 2020-03-20 三星显示有限公司 Laser ablation apparatus and method of manufacturing display device
US11690278B2 (en) 2018-09-11 2023-06-27 Samsung Display Co., Ltd. Laser ablation apparatus and method of manufacturing display device
CN112987323A (en) * 2019-12-13 2021-06-18 中国科学院大连化学物理研究所 High-energy solid pulse laser polarization beam combining device
CN112987323B (en) * 2019-12-13 2022-03-22 中国科学院大连化学物理研究所 High-energy solid pulse laser polarization beam combining device
WO2022044519A1 (en) * 2020-08-31 2022-03-03 株式会社日本製鋼所 Laser anneal device, laser anneal method, and semiconductor device manufacturing method
JP7534892B2 (en) 2020-08-31 2024-08-15 Jswアクティナシステム株式会社 Laser annealing apparatus, laser annealing method, and method for manufacturing semiconductor device
WO2022203618A1 (en) * 2021-03-24 2022-09-29 Lumos Lazer Anoni̇m Şi̇rketi̇ Variable repetition rate multiplier based on polarization rotation

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