JP2006128489A - レーザー処理装置及びレーザー処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光軸が前記レーザー光の光軸Lと同軸上になるように設けられたCCDカメラ44により、案内部材66を介してウエハWのノッチ等を検出し、ウエハWの位置合わせを行う。次いで主ノズル61やサブノズル62,63から噴出された液体を前記案内部材66により案内した状態で、その光軸が前記CCDカメラの光軸と同軸上に設けられたレーザー光を前記案内部材66を介して照射して、レーザー光の照射位置を水平方向に移動させながら当該表面に対して所定の処理を行ない、次いで前記チャック2からウエハWを搬出した後、前記案内部材66の下面にパージガスを供給して当該下面を乾燥させる。
【選択図】 図4
Description
基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の表面にレーザー光を照射して当該表面に対して処理を行うための光照射部と、
その光軸が前記レーザー光の光軸と同軸上になるように設けられ、基板の位置合わせを行うために基板を撮像するための撮像手段と、
前記基板上に液体を供給するための液体供給ノズルと、
前記基板と前記撮像手段との間に設けられ、前記ノズルから噴出された液体がその下面と前記基板の表面との間を通過するように案内し、前記光照射部からのレーザー光を透過する透明体よりなる案内部材と、
前記案内部材の下面に付着した液体を除去するためにパージガスを供給するためのパージノズルと、
前記基板の表面におけるレーザー光の処理位置を移動させるために、前記基板保持部と、前記光照射部及び案内部材とを相対的に水平方向に移動させるための移動機構と、を備えたことを特徴とする。
そしてこのようにウエハW上に純水の液膜を形成した状態でレーザー光照射部4からレーザー光を案内部材66を通じてウエハWの表面に照射しながら、例えば図9に示すように、X−Yステージ8によりチャック2を例えばY方向に移動させ、こうしてレーザー光によりウエハWの表面をさいの目状に走査する。このとき図9中点線で示す矢印の方向に主ノズル61及びサブノズル62,63により供給された純水の液流が形成される。この結果ウエハWの表面がレーザー光により切削され、いわばウエハWがハーフカットされてダイシングラインが形成される。なおダイシングラインが形成されたウエハWは、後工程でウエハWの裏面側からダイシングラインに沿ってカットされてチップに分断されることになる。またレーザー光により切削された削り滓は純水の液流に乗って回収ノズル52aから回収される。なお主ノズル61、サブノズル62,63から供給された純水の大部分は回収ノズル52aから回収されるが、回収されなかった純水はカップ3内にこぼれ落ち、カップ3内にこぼれ落ちた純水は排出ポート31から排出される。
。さらにはチャック2全体を定期的に洗浄する場合にも使用可能である。例えばチャック2上の平面度に影響する異物を除去するために、チャック2を回転させながら主ノズル61やサブノズル62,63から純水や洗浄液を供給して、これらの液体を乾燥させるときにパージノズル64,65からパージガスを供給するようにすることもできる。
2 チャック
3 カップ
4 レーザ光照射部
44 CCDカメラ
5 液膜形成部
51 ノズルユニット
52 液体回収部
53 ノズル本体
61 主ノズル
62,63 サブノズル
64,65 パージノズル
71 液体供給路
72 パージガス供給路
V1〜V3 バルブ
8 X−Yステージ
Claims (10)
- 基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の表面にレーザー光を照射して当該表面に対して処理を行うための光照射部と、
その光軸が前記レーザー光の光軸と同軸上になるように設けられ、基板の位置合わせを行うために基板を撮像するための撮像手段と、
前記基板上に液体を供給するための液体供給ノズルと、
前記基板と前記撮像手段との間に設けられ、前記ノズルから噴出された液体がその下面と前記基板の表面との間を通過するように案内し、前記光照射部からのレーザー光を透過する透明体よりなる案内部材と、
前記案内部材の下面に付着した液体を除去するためにパージガスを供給するためのパージノズルと、
前記基板の表面におけるレーザー光の処理位置を移動させるために、前記基板保持部と、前記光照射部及び案内部材とを相対的に水平方向に移動させるための移動機構と、を備えたことを特徴とするレーザー処理装置。 - 前記液体供給ノズル及びパージノズルを備えたノズルユニットが設けられ、前記案内部材はこのノズルユニットに固定されていることを特徴とする請求項1記載のレーザー処理装置。
- 前記ノズルユニットは、案内部材が固定されたノズル本体を備え、
前記液体供給ノズルとパージノズルとは、夫々の吐出口が前記案内部材の外側に位置するように、前記ノズル本体の内部に配置されることを特徴とする請求項2記載のレーザー処理装置。 - ノズル本体は筒状を半割りにした構造体からなり、案内部材は下面が平坦な逆円錐状に形成されたことを特徴とする請求項3記載のレーザー処理装置。
- 前記液体供給ノズルは、前記案内部材における前記光軸の直下に液体を供給する主ノズルと、
主ノズルの両側に設けられ、案内部材の下面に向けて液体を供給するサブノズルと、を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載のレーザー処理装置。 - 前記液体供給ノズルに第1の液体を供給するための第1の液体供給部と、
前記液体供給ノズルに第1の液体とは異なる第2の液体を供給するための第2の液体供給部と、
前記第1の液体供給部と第2の液体供給部との切り替え手段と、を備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載のレーザー処理装置。 - 前記主ノズル及びサブノズルのいずれか一方に第1の液体を供給するための第1の液体供給部と、
前記主ノズル及びサブノズルのいずれか他方に第2の液体を供給するための第2の液体供給部と、を備えることを特徴とする請求項5又は6記載のレーザー処理装置。 - 前記基板保持部は、基板と平面的に略同じ大きさに形成されると共に回転機構により鉛直軸の周りに回転自在に構成され、
基板が基板保持部から搬出された後、ノズルユニットを、当該基板保持部の外縁部にパージガスを供給するための位置に移動させ、回転機構を介して基板保持部を回転させながらパージノズルから基板保持部の外縁部にパージガスを供給して乾燥させるようにノズルユニット及び回転機構を制御する制御部を設けたことを特徴とする請求項2ないし4のいずれか一に記載のレーザー処理装置。 - 基板保持部に基板を水平に載置する工程と、
次いで、撮像手段により前記基板の位置合わせを行うための部位を、透明体よりなる案内部材を介して撮像し、その撮像結果に基づいて基板の位置合わせを行う工程と、
次いで、液体供給ノズルから噴出された液体を前記案内部材の下面と基板の表面との間を案内した状態で、レーザー光を前記案内部材を介して照射して、レーザー光の照射位置を水平方向に移動させながら当該表面に対して処理を行う工程と、
次いで、前記案内部材の下面にパージガスを供給して当該下面に付着した液体を除去する工程と、を含むことを特徴とするレーザー処理方法。 - 前記基板保持部は、基板と平面的に略同じ大きさに形成されており、
前記案内部材の下面にパージガスを供給する工程は、基板を鉛直軸まわりに回転させながら基板保持部の端部にパージガスが供給されるように行うことを特徴とする請求項9記載のレーザー処理方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009038181A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JP2014075558A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
WO2017034807A1 (en) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser scan sequencing and direction with respect to gas flow |
US10654141B2 (en) | 2015-06-22 | 2020-05-19 | Electro Scientific Industries, Inc | Multi-axis machine tool and methods of controlling the same |
JP2021082764A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
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Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1690629B1 (en) * | 2005-02-09 | 2013-01-23 | Fanuc Corporation | Laser processing system |
US8647538B2 (en) | 2005-04-08 | 2014-02-11 | Transitions Optical, Inc. | Photochromic compounds having at least two photochromic moieties |
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US7556750B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-07-07 | Transitions Optical, Inc. | Photochromic materials with reactive substituents |
US9028728B2 (en) | 2005-04-08 | 2015-05-12 | Transitions Optical, Inc. | Photochromic materials that include indeno-fused naphthopyrans |
US20060228557A1 (en) * | 2005-04-08 | 2006-10-12 | Beon-Kyu Kim | Photochromic materials having extended pi-conjugated systems and compositions and articles including the same |
JP2007144494A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | レーザー処理装置及びレーザー処理方法 |
US20080268651A1 (en) * | 2006-08-15 | 2008-10-30 | Kent Riley Child | Catch-cup to diverter alignment leveling jig |
US7856939B2 (en) * | 2006-08-28 | 2010-12-28 | Transitions Optical, Inc. | Recirculation spin coater with optical controls |
JP2008130818A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
US8578953B2 (en) | 2006-12-20 | 2013-11-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium |
JP5466638B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2014-04-09 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | 半導体基板を洗浄する装置及び方法 |
JP5136103B2 (ja) * | 2008-02-12 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体 |
US9136105B2 (en) | 2008-06-30 | 2015-09-15 | United Microelectronics Corp. | Bevel etcher |
US8795434B2 (en) * | 2010-09-01 | 2014-08-05 | Jaw Tian Lin | Method and apparatus for mass production of graphene and carbon tubes by deposition of carbon atoms, on flat surfaces and inside walls of tubes, generated from dissociation of a carbon-containing gas stimulated by a tunable high power pulsed laser |
JP6137798B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2017-05-31 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置及び保護膜被覆方法 |
EP2874183A1 (de) | 2013-11-15 | 2015-05-20 | mechatronic Systemtechnik GmbH | Vorrichtung zum wenigstens Entleeren eines Transportbehälters |
US20150262848A1 (en) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method for discharge of processing liquid from nozzle |
CN104526213B (zh) * | 2015-01-24 | 2016-01-06 | 南通润雅机电科技有限公司 | 跟踪焊缝位置的焊炬位移控制系统 |
KR101715223B1 (ko) * | 2015-05-15 | 2017-03-14 | 고려대학교 산학협력단 | 국부 원자층 선택 박막 증착 장치 |
JP6851831B2 (ja) * | 2017-01-12 | 2021-03-31 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
KR101993732B1 (ko) * | 2017-05-10 | 2019-06-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 노즐 위치 세팅 방법 |
CN107971629A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-01 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 激光加工光路结构 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003031466A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2004134461A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及び乾燥処理方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3660294B2 (ja) | 2000-10-26 | 2005-06-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
TW550635B (en) * | 2001-03-09 | 2003-09-01 | Toshiba Corp | Manufacturing system of electronic devices |
TWI236944B (en) * | 2001-12-17 | 2005-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Film removal method and apparatus, and substrate processing system |
JP3869358B2 (ja) | 2001-12-17 | 2007-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜除去装置及び膜除去方法 |
-
2004
- 2004-10-29 JP JP2004316558A patent/JP4486476B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-10-26 US US11/258,040 patent/US7622000B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003031466A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2004134461A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置及び乾燥処理方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009038181A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JP2014075558A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
US10654141B2 (en) | 2015-06-22 | 2020-05-19 | Electro Scientific Industries, Inc | Multi-axis machine tool and methods of controlling the same |
US11185957B2 (en) | 2015-06-22 | 2021-11-30 | Electro Scientific Industries, Inc | Multi-axis machine tool and methods of controlling the same |
WO2017034807A1 (en) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser scan sequencing and direction with respect to gas flow |
US10328529B2 (en) | 2015-08-26 | 2019-06-25 | Electro Scientific Industries, Inc | Laser scan sequencing and direction with respect to gas flow |
TWI723040B (zh) * | 2015-08-26 | 2021-04-01 | 美商伊雷克托科學工業股份有限公司 | 用於增強由雷射掃描所引起的雷射誘導材料效應之邊緣特性的方法 |
JP2021082764A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
JP7336967B2 (ja) | 2019-11-21 | 2023-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
JP7525242B2 (ja) | 2019-11-21 | 2024-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
JP7490302B2 (ja) | 2020-02-19 | 2024-05-27 | 株式会社ディスコ | クリーニング装置及びクリーニング方法 |
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Publication number | Publication date |
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