JP2006119141A - ドリフトタイプ放射線検出器および検出装置の変換係数の率依存変化を補正するための方法と回路配置。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ドリフトタイプ放射線検出器(301)の電荷−電圧変換係数の率依存変化を補正するために、前記ドリフトタイプ放射線検出器に作用する瞬時光子衝突率の変化を検出する。前記ドリフトタイプ放射線検出器(301)の集積アンプ(302)を通って流れるドレイン電流は、前記瞬時光子衝突率で検出された変化に比例する量で変更される(902、903)。
【選択図】図4
Description
Fiorini, P. Lechner: “Continuous Charge Restoration in Semiconductor Detectors
by Means of the Gate-to-Drain Current of the Integrated Front-End JFET”, IEEE
Trans. on Nucl. Sci., vol. 46, No. 3, June 1999, pp. 761-764.)に詳細に記載されている。ドリフトタイプ検出器の固体半導体検出素子は、大部分が共通してシリコンで作られている。そのため、これらの検出器はよくSDD(シリコンドリフト検出器)と言われている。一部を切り欠かれた例として図1に示されたSDDは、いわゆるドリフト輪101を構成するフィールド電極配置およびダイオード成分に統合されたアンプを持っているという点で、通常のシリコンをベースとしたPINダイオード検出器とは異なる。アンプは最も代表的なFET(電界効果トランジスタ)であり、ソース電極、ゲート電極およびドレイン電極が、図1に102、103および104としてそれぞれに現れている。検出器ダイオードのアノード電極およびカソード電極は、図1に105および106としてそれぞれ図示されている。
Cdet=Ca+Cdg (1)
一つのX線光子が衝突の結果として陽極に集められる電荷をq0と仮定すると、電位Vsの変化ΔVsを下式のように表することができる。
ΔVs=q0/Cdet=q0/(Ca+Cdg) (2)
また、検出器の電荷−電圧変換係数は、(Ca+Cdg)−1であるといった別の言葉で表現できる。
for Low-Noise Cryogenic Preamplifiers”, IEEE Trans. on
Nucl. Sci., NS-19, No. 1, 1972, pp. 403-411.)の刊行物に見い出される。漏れ電流ILの流れを制御する主要な係数であるイオン化率は、FETのドレイン−ゲート接合間の電圧Vdgに強く依存する。漏れ電流ILの値は、SDD中のFETのドレイン−ソース間電圧Vdsに少なくとも部分的に依存すると推定することができる。
線光子が検出器に衝突する率が増加すると電圧Vdsも増加する。このことは、それ自体問題ではないだろうが、検出器容量が一定ではなく、検出チップ内の電圧に依存するので問題となる。検出器容量Cdetの変化は、検出器の電荷−電圧変換係数の変化を意味する。測定されたX線スペクトルにおいて、ある一定のエネルギーの放射を表すピークは、X線光子がより遅い率で届くか、より速い率で届くかどうかに依存しながら異なった位置にシフトするだろう。シフトが上方であるか下方であるかは、容量CaとCdgとの関連性の相互の順序に依存する。なぜならば、これらは、光子衝突率について反対方向の依存性を有するからである。
は、光子衝突率の関数として、または検出チップ中のFETのドレイン−ソース間電圧(それ自体、光子衝突率の関数である)の関数として、ドレイン電流を制御可能に変化させるために使用される。
PCA−2型のマルチチャネルアナライザとが使用された。図8aおよび8bは、ある測定結果を図示している。図8aのグラフ801は、補正回路のスイッチがOFFされ、ドレイン電流は必然的に一定であった時、マルチチャネルアナライザのチャネルで観測されたピーク位置を図示する。グラフ802は、補正回路を使用した時の観測されたピーク位置を図示する。図8bのグラフ811は、グラフ802と同じものをより詳細なスケールで図示したものである。補正回路が使用されてなければ、数百cpsオーダから63000cpsまでの光子衝突率の変化により、およそ20数チャネルくらいのピーク位置のシフトを引き起こすが、補正回路に切り替えると、一つのチャネルの半分以内でピーク位置を維持することが可能であり、光子衝突率がテストされた範囲の大部分にわたり、ちょうど本質的に一定であることが容易に理解できる。
302 FET
303,502,701 プリアンプ
304 電流発生器
305,503 差動アンプ
306 制御アンプ
307,504 線形化回路
308 可変電圧源
400 測定回路構成
401 可変電流発生器
402,403 回路素子
411,412,413 矢印
501 固定電圧源
702 補正回路
703 線形アンプ
704 マルチチャネルアナライザ
706 回路
801 補正回路未使用で、観測されたピーク位置
802 補正回路使用で、観測されたピーク位置
811 802のグラフを詳細化
Claims (11)
- ドリフトタイプ放射線検出器(301)の電荷−電圧変換係数の率依存変化を補正するための回路配置であって、
前記ドリフトタイプ放射線検出器(301)に作用する瞬時光子衝突率についての情報を収集する情報収集回路(402)と、
前記情報収集回路の出力に接続され、前記瞬時光子衝突率を示す制御信号を生成する制御信号生成回路(403)と、
ドレイン電流の制御可能な大きさが前記制御信号の値に依存するように、制御可能な大きさのドレイン電流を前記ドリフトタイプ放射線検出器(301)の集積アンプ(302)を通って流れさせることによって、前記制御信号に応答する可変電流発生器(401)と、
を含むことを特徴とする回路配置。 - 前記情報収集回路(402)は、前記集積アンプ(302)のドレイン−ソース間電圧をモニタすることを特徴とする請求項1記載の回路配置。
- 前記集積アンプの電界効果トランジスタ(302)のドレイン電極は固定電位(501)に接続され、前記情報収集回路(402)は、前記電界効果トランジスタ(302)のソース電位と参照電位とを比較すると共に、前記出力に出力信号を送るコンパレータ(503)を含み、前記出力信号の大きさは、前記ソース電位と前記参照電位との間の絶対差に比例することを特徴とする請求項2記載の回路配置。
- 前記コンパレータ(503)の前記出力信号と、前記可変電流発生器(401)の間に、線形化回路(504)を含むことを特徴とする請求項3記載の回路配置。
- 集積アンプ(302)を備えるドリフトタイプ放射線検出器(301)を含み、X線スペクトルを測定するための検出装置において、
前記集積アンプ(302)を通してドレイン電流を流れさせる電流発生器(401)と、
前記ドリフトタイプ放射線検出器(301)に作用する瞬時光子衝突率を示す出力を生成する、率依存情報収集回路要素(402,503)と、
前記率依存情報収集回路要素(402,503)から前記電流発生器(401)への接続と、を備え、
前記電流発生器(401)は、制御可能であり、かつ前記ドレイン電流の大きさを制御可能に変化させることによって前記接続を通して受ける制御信号に応答することを特徴とする検出装置。 - 前記集積アンプ(302)から得られるソース電位を受けて増幅するように接続されるプリアンプ(701)を含み、前記率依存情報収集回路要素(402,503)は、前記ドリフトタイプ放射線検出器に作用する瞬時光子衝突率を示す情報として、前記ソース電位を受けるように接続されることを特徴とする請求項5記載の検出装置。
- 前記プリアンプ(701)の信号出力に接続される、線形アンプ(703)とマルチチャンネルアナライザ(704)との直列接続を含み、前記率依存情報収集回路要素、前記電流発生器および前記率依存情報収集回路要素から前記電流発生器への前記接続がともに、前記マルチチャンネルアナライザでのピーク位置の率依存シフトを補正することを特徴とする請求項6記載の検出装置。
- 前記集積アンプは、ドレイン電極、ソース電極およびゲート電極を含む電界効果トランジスタ(302)であり、前記定電流源(401)は、前記電界効果トランジスタ(302)のソース電極と固定電位との間に接続されることを特徴とする請求項5記載の検出装置。
- 前記率依存情報収集回路要素(402,503)は、前記電界効果トランジスタ(302)のソース電極に接続される第1の入力電位と、参照電位に接続される第2の入力電位とを備え、前記率依存情報収集回路要素(402,503)は、前記電界効果トランジスタ(302)のソース電極と前記参照電位との電位差を測定し、前記電位差は、前記ドリフトタイプ放射線検出器に作用する瞬時光子衝突率を示す前記情報を構成することを特徴とする請求項8記載の検出装置。
- ドリフトタイプ放射線検出器(301)の電荷−電圧変換係数の率依存変化を補正する方法において、
前記ドリフトタイプ放射線検出器(301)に作用する瞬時光子衝突率の変化を検出し、
前記瞬時光子衝突率の検出された変化に比例する量によって、前記ドリフトタイプ放射線検出器(301)の集積アンプ(302)を通って流れるドレイン電流を変化させる(902、903)ステップを含むことを特徴とする方法。 - 前記光子衝突率の変化を検出することが、前記集積アンプ(302)のソース電位の変化を検出することを含むことを特徴とする請求項10記載の方法。
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