JP2006108654A - 無線チップ - Google Patents

Abstract

【課題】 無線通信によりデータの交信が可能なＩＤタグにおいて、ＩＤタグのサイズやＩＣチップのサイズを縮小し、チップ内の限られた面積の有効活用、消費電流の低減、通信距離の低下を防止すること課題とする。
【解決手段】集積回路と、共振容量部と、保持容量部とを備えたＩＣチップと、前記ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるようにアンテナを設け、前記アンテナと前記絶縁膜と前記集積回路を形成する配線または半導体膜とからなる積層構造を設け、当該積層構造によって、共振容量部および保持容量部の一方または両方の容量素子を構成する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、無線通信によりデータの交信が可能な無線チップ等の半導体装置に関する。

近年、インターネットの普及で、ＩＴ（Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）は全世界に浸透し、大変革をもたらしている。特に最近ではユビキタス情報社会と言われるように、いつでも、どこでも、ネットワークにアクセスできる環境が整ってきた。このような環境の中、個々の対象物にＩＤ（固体識別番号）を与えることで、その対象物の履歴を明確にし、生産、管理等に役立てるといった固体認識技術が注目されている。その中でも、特に、無線チップ（ＩＤタグ、ＩＣタグ、ＩＣチップ、ＲＦタグ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）、無線タグ、電子タグともよばれる）等のＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）が、企業内、市場等で試験的に導入され始めている。このような無線チップ等の半導体装置は、カード等に搭載され、最近では様々な分野への応用が提案されている。（例えば、特許文献１）

一般的に無線チップ１００は、図８（Ａ）に示すように、アンテナ１０１とＩＣチップ１０２から構成され、アンテナ１０１とＩＣチップ１０２がそれぞれ別々に形成された後に電気的に接続するように貼り合わされて形成される場合が多い。

また、ＩＣチップ１０２は主に、電源発生手段１０３、制御手段１０４、記憶手段１０５、共振容量部１０６を有している（図８（Ｂ））。電源発生手段１０３は、アンテナが受信した交流信号を整流後に平滑化を行い直流電圧を発生させる。また、電源発生手段１０３は、交流信号を整流後に平滑化を行い電荷を保持するための保持容量部１０７と呼ばれる容量素子を有している。制御手段１０４は、アンテナが受信した交流信号からデータ信号やクロック信号等を取り出したり、変調のかけられた交流信号をアンテナから送信したりする等の信号の制御を行う。記憶手段１０５は、半導体装置の固有のＩＤデータを格納する。共振容量部１０６は、規程の周波数の交流信号を最も効率よく受信するために設けられている。

ここで、図９に容量素子１１０の模式図を示す。容量素子１１０は、第１の電極１１１と第２の電極１１２の２つの電極を有し、２つの電極は絶縁膜を介して設けられている（図９（Ａ））。容量素子は、一般的に、電源発生手段、制御手段または記憶手段等のロジック部を構成する集積回路の配線や不純物が導入された半導体膜を一方の電極（例えば第１の電極１１１）として設け、他の配線や不純物が導入された半導体膜を他方の電極（例えば第２の電極１１２）として設け、２つの電極が絶縁膜１１３を介して構成されている（図９（Ｂ））。
特開２００１−２６０５８０号公報

一般的に、無線チップにおいて、アンテナとＩＣチップを重ねて配置した場合ＩＣチップに含まれる集積回路の誤作動等の恐れがあるため、アンテナとＩＣチップは重ならないように配置されている。しかしながら、アンテナとＩＣチップが重ならないで配置されている場合には、無線チップの面積のうち大部分がアンテナとＩＣチップの面積で占有されているため、例えば、コイル状のアンテナを設けても電磁誘導により生じる磁束が通りにくくなってしまう。さらに、保持容量部や共振容量部等の容量素子が占める面積が大きい場合は、ＩＣチップのサイズが大きくなるため、それに伴い無線チップ自身のサイズが大きくなってしまう。

また、前述したように無線チップのサイズやＩＣチップのサイズが大きい場合には、回路動作に必要な電流量が多くなってしまう。その結果、消費電流が増加し、電源が電圧降下する可能性があり、通信距離の低下、延いては応答しなくなる恐れがある。

上記の実情を鑑み、本発明は、無線通信によりデータの交信が可能な無線チップにおいて、無線チップのサイズやＩＣチップのサイズを縮小し、チップ内の限られた面積の有効活用、消費電流の低減、通信距離の低下を防止することを課題とする。

本発明は、前述した課題を解決するために、以下の構成を有する無線チップを提供する。

本発明の無線チップは、容量素子を備えたＩＣチップと、ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナとを有し、容量素子の２つの電極のうち、アンテナを一方の電極として設けることを特徴としている。本発明では、ＩＣチップとアンテナの重なる部分にＩＣチップに設けられた容量素子を配置する。また、ＩＣチップとアンテナが重なる部分に、選択的に前記容量素子を設けるとよい。

また、本発明の無線チップの別の構成は、集積回路と、共振容量部と、保持容量部とを備えたＩＣチップと、ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナとを有し、集積回路は、少なくとも不純物領域を含む半導体膜と、半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられたソースまたはドレイン電極とを有し、層間絶縁膜上に設けられた配線と、配線を覆って設けられた絶縁膜と、アンテナとの積層構造によって、共振容量部および保持容量部の一方または両方の容量が形成されていることを特徴としている。また、配線はソースまたはドレイン電極と同じ材料で設けることができ、ソースまたはドレイン電極と電気的に接続するように設けてもよい。本発明では、ＩＣチップとアンテナの重なる部分にＩＣチップに設けられた共振容量部と保持容量部を配置させ、重ならない部分に集積回路を配置するのが好ましい。なお、共振容量部の容量は、アンテナと共振容量部の容量とを並列に接続し、共振させることにより生じた電荷を保持する。

また、本発明は、上記構成において、ゲート絶縁膜上に配線を設け、ゲート絶縁膜上に設けられた配線と層間絶縁膜と絶縁膜とアンテナとからなる積層構造によって、共振容量部および保持容量部の一方または両方の容量が形成されていることを特徴としている。この場合、配線はゲート電極と同じ材料で設けることができ、ゲート電極と電気的に接続するように設けてもよい。

さらに、本発明は、上記構成において、絶縁表面上に配線を設け、絶縁表面上に設けられた配線とゲート絶縁膜と層間絶縁膜と絶縁膜とアンテナとからなる積層構造によって、共振容量部および保持容量部の一方または両方の容量が形成されていることを特徴としている。この場合、配線（不純物が導入された半導体膜ともいう）は半導体膜の不純物領域と同じ材料で設けることができる。

また、本発明の無線チップの別の構成は、共振容量部と保持容量部とを備えたＩＣチップと、ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナとを有し、共振容量部と前記保持容量部とが重なって配置され、共振容量部に設けられた容量素子の２つの電極のうち、アンテナを一方の電極として設け、他方の電極は保持容量部に設けられた容量素子の一方の電極と同じに設けることを特徴としている。なお、共振容量部と保持容量部は少なくとも一部が重なっていればよい。

また、本発明の無線チップの別の構成は、集積回路と、共振容量部と、保持容量部とを備えたＩＣチップと、ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナとを有し、集積回路は、少なくとも不純物領域を含む半導体膜と、半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられたソースまたはドレイン電極と、ソースまたはドレイン電極を覆って設けられた絶縁膜とを有し、共振容量部と前記保持容量部は重なって配置され、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の配線と、層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられた第２の配線との積層構造によって、保持容量部の容量が形成され、第２の配線と、絶縁膜と、アンテナとの積層構造によって、共振容量部の容量が形成されていることを特徴としている。また、第１の配線は、ゲート電極と同じ材料で設けることができ、ゲート電極と電気的に接続するように設けてもよい。第２の配線は、ソースまたはドレイン電極と同じ材料で設けることができ、ソースまたはドレイン電極と電気的に接続するように設けてもよい。

また、本発明の無線チップの別の構成は、集積回路と、共振容量部と、保持容量部とを備えたＩＣチップと、ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナとを有し、集積回路は、少なくとも絶縁表面上に設けられた不純物領域を含む半導体膜と、半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられたソースまたはドレイン電極を有し、共振容量部と前記保持容量部は重なって配置され、絶縁表面上に設けられた第１の配線とゲート絶縁膜と層間絶縁膜と層間絶縁膜上に設けられた第２の配線との積層構造によって、保持容量部の容量が形成され、第２の配線と絶縁膜とアンテナとの積層構造によって、共振容量部の容量が形成されていることを特徴としている。また、第１の配線は、半導体膜の不純物領域と同じ材料で設けることができる。第２の配線は、ソースまたはドレイン電極と同じ材料で設けることができ、ソースまたはドレイン電極と電気的に接続するように設けてもよい。

なお、本発明における無線チップは、ＩＣタグ、ＲＦタグ、無線タグ、電子タグ等の無線通信によりデータの交信が可能なものであれば全てその範疇に含まれる。

アンテナとＩＣチップを一体形成し、アンテナとＩＣチップを重ねて、ＩＣチップに含まれる保持容量や共振容量等の容量素子の２つの電極の一端をアンテナにすることによって、無線チップのサイズやＩＣチップのサイズを縮小し、チップ内の限られた面積の有効活用、消費電流を低減、通信距離の低下を防止することが出来る。

本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更しうることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。
（実施の形態１）

本実施の形態では、本発明の無線チップの一構成例に関して図面を用いて説明する。

図１（Ａ）に示すように、本実施の形態で示す無線チップ２００は、アンテナ２０１とＩＣチップ２０２を同一の基板２１０上に積層して作り込み、アンテナ２０１とＩＣチップ２０２の少なくとも一部を絶縁膜を介して重ねて配置する。ＩＣチップ２０２は、共振容量部２０４と、電源発生手段、制御手段および記憶手段等を含んでいるロジック部２０５を有している。また、ロジック部２０５には保持容量部２０３が設けられている。なお、アンテナ２０１とＩＣチップ２０２の重なる部分に選択的に共振容量部２０４や保持容量部２０３を配置させる。なお、アンテナ２０１の両端は、ロジック部２０５の集積回路と電気的に接続されている。

保持容量部２０３や共振容量部２０４等に設けられた容量素子は絶縁膜を介して２つの電極を有している。本実施の形態では、アンテナ２０１を保持容量部２０３または共振容量部２０４に設けられた容量素子の一方の電極として設ける。つまり、保持容量部２０３または共振容量部２０４において、容量素子を設ける領域に配置されたアンテナ２０１を容量素子の一方の電極として利用する。以下に、共振容量部２０４の容量素子の一方の電極をアンテナとする場合と、保持容量部２０３の容量素子の一方の電極をアンテナとする場合のそれぞれについて図面を用いて説明する。

図１（Ｂ）は、共振容量部２０４の断面図を示しており、基板２１０上にロジック部２０５を構成する集積回路２１１と共振容量部２０４とアンテナ２０１が設けられている。なお、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の無線チップ２００におけるＡ１−Ａ２間の断面に対応している。

集積回路２１１は、少なくとも不純物領域を含む半導体膜９０１ａ、９０１ｂと、半導体膜９０１ａ、９０１ｂ上にゲート絶縁膜９０２を介して設けられたゲート電極９０３と、ゲート電極９０３を覆って設けられた第１の層間絶縁膜９０４と、第１の層間絶縁膜９０４上に設けられ且つ半導体膜９０１ａ、９０１ｂの不純物領域と電気的に接続しているソースまたはドレイン電極９０５から構成されている。

また、共振容量部２０４は、配線２１２とアンテナ２０１が第２の層間絶縁膜２１３を介して設けられた構成となっている。このように、配線２１２と第２の層間絶縁膜２１３とアンテナ２０１とからなる積層構造によって共振容量部２０４の容量素子２１４において容量が形成されている。つまり、本実施の形態では、容量素子２１４の２つの電極のうち、アンテナ２０１を一方の電極として設け、配線２１２を他方の電極として設けている。この場合、容量を大きくとるために、第２の層間絶縁膜２１３を薄く形成することが好ましい。

次に、上記構成の作製方法に関して以下に簡単に説明する。

まず、基板２１０を用意する。基板２１０としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレスを含む金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。なお、基板２１０の表面を、ＣＭＰ法などの研磨により平坦化しておいても良い。

次に、基板２１０上にロジック部２０５を構成する集積回路２１１を公知の方法を用いて形成する。集積回路２１１は少なくとも、半導体膜９０１ａ、９０１ｂと、半導体膜９０１ａ、９０１ｂ上にゲート絶縁膜９０２を介して設けられたゲート電極９０３と、ゲート電極９０３を覆って設けられた第１の層間絶縁膜９０４と、第１の層間絶縁膜９０４上に設けられたソースまたはドレイン電極９０５から構成されている。

半導体膜９０１ａ、９０１ｂは、非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在した半導体、非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶半導体、及び結晶性半導体から選ばれたいずれの状態を有してもよい。本実施の形態では、非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を形成する。加熱処理とは、加熱炉、レーザー照射、もしくはレーザー光の代わりにランプから発する光の照射（ランプアニール）、またはそれらを組み合わせて用いることができる。

次に、半導体膜９０１ａ、９０１ｂを覆ってゲート絶縁膜９０２を形成する。ゲート絶縁膜９０２には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用いて単層または複数の膜を積層させて形成することができる。また成膜方法は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などを用いることができる。

続いて、半導体膜９０１ａ、９０１ｂの上方にゲート絶縁膜９０２を介してそれぞれゲート電極９０３を形成する。ゲート電極９０３は単層で形成してもよいし、複数の金属膜を積層して形成してもよい。ゲート電極としては、ＣＶＤ方やスパッタ法を用いて、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成することができる。本実施の形態においては、第１の導電層と第２の導電層とを順に積層させた構造で設けており、第１の導電層として窒化タンタルを用い、第２の導電層としてタングステン（Ｗ）を用いて形成する。

次に、ゲート電極９０３またはレジストを形成しパターニングしたものをマスクとして用い、半導体膜９０１ａ、９０１ｂにｎ型またはｐ型の導電性を付与する不純物を選択的に添加する。半導体膜９０１ａ、９０１ｂは、チャネル形成領域および不純物領域（ソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域を含む）を有し、添加される不純物元素の導電型によりｎチャネル型薄膜トランジスタ（以下、「ｎチャネル型ＴＦＴ」とも記す）またはｐチャネル型薄膜トランジスタ（以下、「ｐチャネル型ＴＦＴ」とも記す）と区別することができる。

図１では、ｎチャネル型ＴＦＴはゲート電極９０３の側壁にサイドウォールを有し、半導体膜９０１ｂにｎ型の導電性を付与する不純物が選択的に添加されたソース領域、ドレイン領域およびＬＤＤ領域が形成されている。また、ｐチャネル型ＴＦＴは半導体膜９０１ａにｐ型の導電性を付与する不純物が選択的に添加されたソース領域およびドレイン領域が形成されている。ここでは、ゲート電極９０３の側壁にサイドウォールを形成し、ｎチャネル型ＴＦＴに選択的にＬＤＤ領域を形成した構造を示したが、この構造に限定されず、ｐチャネル型ＴＦＴにもＬＤＤ領域を形成してもよいし、ｐチャネル型ＴＦＴにサイドウォールを設けなくてもよい。また、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ構造で形成してもよい。

次に、ゲート電極９０３を覆って第１の層間絶縁膜９０４を形成する。第１の層間絶縁膜９０４としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造を用いて形成することができる。また、他にもエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂等の樹脂材料を用いることができる。また、ベンゾシクロブテン、パリレン、フレア、ポリイミドなどの有機材料、シロキサン系ポリマー等の重合によってできた化合物材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物材料等を用いて形成してもよい。

その後、第１の層間絶縁膜９０４上にソースまたはドレイン電極９０５を形成する。ソースまたはドレイン電極９０５は半導体膜９０１ａ、９０１ｂの不純物領域と電気的に接続している。また、図１では、ソースまたはドレイン電極９０５と同じ材料で配線２１２を形成する。ソースまたはドレイン電極９０５、配線２１２としては、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料に相当する。ソースまたはドレイン電極９０５、配線２１２は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、ソースまたはドレイン電極９０５、配線２１２を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることができる。

続いて、ソースまたはドレイン電極９０５および配線２１２を覆って第２の層間絶縁膜２１３を形成する。第２の層間絶縁膜２１３としては、上記第１の層間絶縁膜で示したいずれかの材料を用いて形成することができる。

その後、第２の層間絶縁膜２１３上にアンテナ２０１を形成し、アンテナ２０１上に保護膜２１５を形成することによって無線チップが完成する。アンテナ２０１は、ＣＶＤ法、スパッタ法、スクリーン印刷法または液滴吐出法等を用いて、導電性材料により形成する。導電性材料は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層構造又は積層構造で形成する。また、保護膜２１５の材料は、上記第１の層間絶縁膜で示したいずれかの材料を用いて形成することができる。なお、図１では、共振容量部２０４の容量素子２１４の一方の電極として２巻きしたコイル状のアンテナ２０１を設けた場合を示しているがこれに限られず、１巻きまたは複数回巻いているアンテナを容量素子２１４の一方の電極として用いてもよい。

次に、保持容量部２０３の容量素子の２つの電極のうち、アンテナを一方の電極として用いる場合について説明する。

図１（Ｃ）は、保持容量部２０３の断面図を示しており、基板２１０上にロジック部２０５を構成する集積回路２１１と保持容量部２０３とアンテナ２０１が設けられている。なお、図１（Ｃ）は図１（Ａ）の無線チップ２００におけるＢ１−Ｂ２間の断面に対応している。

前述したように、集積回路２１１は、少なくとも不純物領域を含む半導体膜９０１ａ、９０１ｂと、半導体膜９０１ａ、９０１ｂ上にゲート絶縁膜９０２を介して設けられたゲート電極９０３と、ゲート電極９０３を覆って設けられた第１の層間絶縁膜９０４と、第１の層間絶縁膜９０４上に設けられ且つ不純物領域と電気的に接続しているソースまたはドレイン電極９０５から構成されている。

また、保持容量部２０３は、集積回路を構成するソースまたはドレイン電極９０５と同様に形成された配線２１６とアンテナ２０１が第２の層間絶縁膜２１３を介して設けられた構成となっている。配線２１６と第２の層間絶縁膜２１３とアンテナ２０１の積層構造によって保持容量部２０３の容量素子２１７において容量が形成されている。つまり、本実施の形態では、容量素子２１７の２つの電極のうち、アンテナ２０１を一方の電極として設け、配線２１６を他方の電極として設けている。

また、保持容量部２０３は上記共振容量部２０４と同じように形成することができる。なお、ここでは、保持容量部２０３の容量素子２１７の一方の電極として１巻きしたコイル状のアンテナ２０１を設けた場合を示しているがこれに限られず、複数回巻いているアンテナを容量素子の一端として用いてもよい。

本実施の形態では、ＩＣチップ２０２に含まれる保持容量部２０３や共振容量部２０４等の容量素子の２つの電極のうち、アンテナを一方の電極として利用することによって容量を形成する。この場合、保持容量部２０３と共振容量部２０４の容量素子のうちどちらか一方にのみ、上記構成を適用してもよいし、両方に上記構成を適用してもよい。図２に、保持容量部２０３の容量素子と共振容量部２０４の容量素子のそれぞれに上記構成を適用した場合を示す。

図２（Ｂ）は、保持容量部２０３および共振容量部２０４の断面図を示しており、基板２１０上にロジック部２０５を構成する集積回路２１１と保持容量部２０３と共振容量部２０４とアンテナ２０１が設けられている。なお、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の無線チップ２００におけるＣ１−Ｃ２の断面に対応している。

図２では、アンテナ２０１が、共振容量部２０４および保持容量部２０３の容量素子における２つの電極のうちの一方の電極として共通に設けられている。そして、配線２１２が共振容量部２０４の容量素子２１４における他方の電極として、配線２１６が保持容量部２０３の容量素子２１７における他方の電極としてそれぞれ設けられている。

このように、配線２１２および配線２１６と第２の層間絶縁膜２１３とアンテナ２０１を積層して設けることによって、容量素子２１４、２１７において容量を形成することができる。また、配線２１２と配線２１６は、集積回路２１１を構成するソースまたはドレイン電極９０５と同じ材料でに形成することができる。なお、保持容量部２０３の容量素子２１７および共振容量部２０４の容量素子２１４の一方の電極はコイル状のアンテナを利用しているが、アンテナの巻数は１巻きでもよいし、複数巻いたアンテナを容量素子の電極として設けてもよい。

なお、本実施の形態では、容量素子の一方の電極をアンテナとして、他方の電極を配線として設けた場合を示したが、これに限られず他方の電極は不純物が添加された半導体膜で設けてもよいし、ゲート電極と同じ材料で形成された配線で設けてもよい。

上記構成とすることにより、無線チップのサイズやＩＣチップのサイズを縮小し、チップ内の限られた面積の有効活用し、消費電流を低減し、通信距離の低下を防止することが出来る。

（実施の形態２）
本実施の形態では、無線チップにおいて上記実施の形態とは異なる構成に関して図面を用いて説明する。具体的には、容量素子の２つの電極のうち、アンテナを一方の電極として設け、半導体膜またはゲート配線を他方の電極として設ける構成に関して示す。なお、本実施の形態において、上記実施の形態と同様のものを示す場合は同じ符号を用いて表す。

図３（Ｂ）は、共振容量部２０４の断面図を示しており、基板２１０上にロジック部２０５を構成する集積回路２１１と共振容量部２０４とアンテナ２０１が設けられている。なお、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の無線チップ２００におけるＡ１−Ａ２間の断面に対応している。

図３（Ｂ）において、共振容量部２０４は、集積回路２１１を構成する半導体膜９０１ａ、９０１ｂの不純物領域と同じ材料で形成された半導体膜２５２とアンテナ２０１がゲート絶縁膜９０２と第１の層間絶縁膜９０４と第２の層間絶縁膜２１３とを介して設けられている。このように、不純物が導入された半導体膜２５２とゲート絶縁膜９０２と第１の層間絶縁膜９０４と第２の層間絶縁膜２１３とアンテナ２０１の積層構造によって容量素子２５４において容量が形成されている。つまり、容量素子２５４の２つの電極のうち、アンテナ２０１を一方の電極として設け、不純物が導入された半導体膜２５２を他方の電極として設けている。なお、図３（Ｂ）に示した構成は、図１（Ｂ）に示した配線２１２を不純物が導入された半導体膜２５２に置き換えて容量素子２５４を設けたものである。

このように、不純物が導入された半導体膜２５２を容量素子２５４の電極として用いることができる。不純物が導入された半導体膜２５２は、半導体膜９０１ａ、９０１ｂの不純物領域と同様に形成することができる。つまり、半導体膜９０１ａ、９０１ｂにソースまたはドレイン領域やＬＤＤ領域を形成するために不純物を添加する際に、同時に共振容量部２０４に形成された半導体膜の全面に不純物を添加して不純物が導入された半導体膜２５２を形成する。

また、保持容量部２０３においても共振容量部２０４と同様に、容量素子の２つの電極のうち、アンテナ２０１を一方の電極として設け、不純物が導入された半導体膜２５６を他方の電極として設けることによって容量素子２５７において容量を形成することができる（図３（Ｃ）。このように、不純物が導入された半導体膜２５６とゲート絶縁膜９０２と第１の層間絶縁膜９０４と第２の層間絶縁膜２１３とアンテナ２０１の積層構造によって容量素子２５７において容量が形成されている。なお、図３（Ｃ）に示した構成は、図１（Ｃ）に示した配線２１６を不純物が導入された半導体膜２５６に置き換えて容量素子２５７を設けたものである。

次に、共振容量部２０４や保持容量部２０３の容量素子の２つの電極のうち、アンテナを一方の電極として設け、ゲート電極と同時に形成した配線を他方の電極として設けた場合について、図４に示す。

図４（Ｂ）は、図３（Ｂ）に示した容量素子２５４の一方の電極である不純物が導入された半導体膜２５２を配線２６２に置き換えたものである。同様に図４（Ｃ）は、図３（Ｃ）に示した容量素子２５７の一方の電極である不純物が導入された半導体膜２５６を配線２６６に置き換えたものである。つまり、図４（Ｂ）において、集積回路を構成するゲート電極９０３と同じ材料で形成された配線２６２と第１の層間絶縁膜９０４と第２の層間絶縁膜２１３とアンテナ２０１との積層構造によって共振容量部２０４の容量素子２６４において容量が形成されている。また、図４（Ｃ）においては、集積回路を構成するゲート電極９０３と同じ材料で形成された配線２６６と第１の層間絶縁膜９０４と第２の層間絶縁膜２１３とアンテナ２０１との積層構造によって保持容量部２０３の容量素子２６７において容量が形成されている。なお、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）はそれぞれ図４（Ａ）の無線チップ２００におけるＡ１−Ａ２間、Ｂ１−Ｂ２間の断面に対応している。

このように、配線２６２を容量素子２６４の電極として、配線２６６を容量素子２６７の電極としてそれぞれ用いることができる。なお、配線２６２、２６６はゲート電極９０３と同様に単層で形成してもよいし複数の金属膜を積層して形成してもよい。また、ゲート電極９０３が複数の金属膜を積層して形成している場合であっても、単層で形成してもよいし、ゲート電極と同じく複数の金属膜を積層して形成してもよい。

また、本実施の形態では、上記構成を組み合わせて容量素子を形成することができる。つまり、保持容量部２０３と共振容量部２０４の容量素子の２つの電極のうち、アンテナ２０１を一方の電極として設け、他方の電極をそれぞれ実施の形態１および２で上述した配線や不純物が導入された半導体膜のいずれか組み合わせて形成することが可能である。

具体例を挙げると、共振容量部２０４と保持容量部２０３の容量素子の一方の電極にアンテナ２０１を設け、他方の電極に配線２６２、２６６を設けることができる（図５（Ａ））。また、他にも共振容量部２０４と保持容量部２０３の容量素子の一方の電極にアンテナ２０１を設け、他方の電極に、配線２６２と不純物が導入された半導体膜２５６（図５（Ｂ））、または配線２１２、配線２６６（図５（Ｃ）等を設けることが可能である。また、上述した構成であればどのような組み合わせで設けてもよく実施者が適宜選択することができる。なお、図５は、図２（Ａ）の無線チップ２００におけるＣ１−Ｃ２の断面に対応している。

また、上記図３〜図５において、アンテナ２０１を第２の層間絶縁膜２１３上に設けた例を示したがこれに限られず、アンテナ２０１を第１の層間絶縁膜９０４上に形成してもよい（図１５）。このような構成とすることによって、容量素子２９４の２つの電極間の絶縁膜の厚さを薄くすることができるため、容量を大きくとることが可能となる。なお、図１５は図３（Ｂ）のアンテナを第１の層間絶縁膜９０４上に設けた構成（図１５（Ａ））となっている。また、アンテナ２０１は、第１の層間絶縁膜９０４上に絶縁膜９０７を介して設けた構成（図１５（Ｂ））としてもよい。図４（Ｂ）に関してもアンテナを第１の層間絶縁膜９０４上に設けてもよい。

なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。
（実施の形態３）

本実施の形態では、ＩＣチップ２０２に含まれる共振容量部３３４の容量素子の２つの電極うち一方の電極をアンテナ２０１として設け、他方の電極を保持容量部３３３の容量素子の２つの電極のうち一方の電極と共通して設ける形態、つまり、保持容量部と共振容量部とを重ねて設けた場合を示す（図６（Ａ））。

図６（Ｂ）は、保持容量部３３３と共振容量部３３４との積層構造の断面図を示しており、基板２１０上にロジック部２０５を構成する集積回路２１１と保持容量部３３３と共振容量部３３４とアンテナ２０１が設けられている。なお、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の無線チップ２００におけるＤ１−Ｄ２の断面に対応している。

図６（Ｂ）においては、配線３１６と配線３１２が第１の層間絶縁膜９０４を介して設けられており、配線３１６と第１の層間絶縁膜９０４と配線３１２の積層構造によって保持容量部３３３の容量素子３１７において容量が形成されている。さらに、本実施の形態では、配線３１２とアンテナ２０１が第２の層間絶縁膜２１３を介して設けられており、配線３１２と第２の層間絶縁膜２１３とアンテナ２０１の積層構造によって共振容量部３３４の容量素子３１４において容量が形成されている。

配線３１６、配線３１２は、それぞれ集積回路２１１を構成するゲート電極、ソースまたはドレイン電極と同じ材料で形成することによって得られる。

また、本実施の形態は上記構成に限られず保持容量部３３３の容量素子の一方の電極である配線３１６を他の構成と置き換えることができる。この場合について図７に示す。

図７（Ａ）は、図６（Ｂ）で示した配線３１６を不純物が導入された半導体膜３２６として設けたものである。図７（Ａ）では、不純物が導入された半導体膜３２６と第１の層間絶縁膜９０４と配線３１２の積層構造によって保持容量部３３３の容量素子３２７において容量が形成されている。また、不純物が導入された半導体膜３２６は集積回路２１１を構成する半導体膜の不純物領域と同様に形成することができる。

図７（Ｂ）は、第１の層間絶縁膜９０４の上に配線３３６を設け、第２の層間絶縁膜２１３上に配線３３２を設け、配線３３２を覆って第２の層間絶縁膜２１３上にさらに第３の層間絶縁膜３１８を設けた構成を示している。そのため、図７（Ｂ）において、配線３３６と配線３３２が第２の層間絶縁膜２１３を介して設けられており、配線３３６と第２の層間絶縁膜２１３と配線３３２の積層構造によって保持容量部３３３の容量素子３３７において容量が形成されている。さらに、配線３３２とアンテナ２０１が第３の層間絶縁膜３１８を介して設けられており、配線３３２と第３の層間絶縁膜３１８とアンテナ２０１の積層構造によって共振容量部３３４の容量素子３４４において容量が形成されている。また、配線３３６は集積回路２１１を構成するソースまたはドレイン電極と同じ材料で形成することができる。

上記の構成とすることによって、無線チップのサイズやＩＣチップのサイズを縮小し、チップ内の限られた面積の有効活用、消費電流を低減、通信距離の低下を防止することが出来る。

なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した無線チップにおけるアンテナとＩＣチップの配置とは異なる構造に関して図１４を用いて説明する。

上記実施の形態では、無線チップ２００におけるアンテナ２０１とＩＣチップ２０２の構造を同じものを示して説明した（図１〜図７）が、本発明はこれに限られずアンテナ２０１とＩＣチップ２０２をどのように配置させてもよい。

上述したように、本発明では、アンテナ２０１と重なるようにＩＣチップ２０２を設けるが、ＩＣチップ２０２を構成する集積回路がアンテナと重なって配置された場合には、集積回路の誤作動の恐れがあるため、容量素子をアンテナ２０１と重なる部分に選択的に設けし、集積回路は極力アンテナと重ならないように設ける。つまり、上記のようにアンテナとＩＣチップが重なるように配置すればどのように無線チップを形成してもよく、例えば、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように設けてもよい。

つまり、無線チップ２００のアンテナ２０１が形成されている端部に共振容量部２０４、保持容量部２０３等を設け、アンテナ２０１が形成されていない無線チップ２００の中央側に集積回路を設ける。ただし、この場合、電磁誘導により生じる磁束が通りにくくならないように設ける必要がある。

上記のように、無線チップにおいてアンテナとＩＣチップを設けることによって、無線チップのサイズやＩＣチップのサイズを縮小し、チップ内の限られた面積の有効活用、消費電流を低減、通信距離の低下を防止することが出来る。

（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した無線チップにおける集積回路とは異なる構造に関して図１３を用いて説明する。

図１３は、図１（Ｂ）に示した集積回路２１１の構造に、下部電極を加えた構造である。つまり、図１３に示すように半導体膜９０１ａ、９０１ｂのチャネル領域が絶縁膜を介して下部電極５１３ａ、５１３ｂとゲート電極９０３の間に挟まれている構造となっている。

下部電極５１３ａ、５１３ｂは、金属または一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌなどを用いることができる。また、下地絶縁膜として機能する窒化珪素膜５１４、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）５１５が設けてあるが、この材料や積層順に限定されるものではない。

このように、集積回路２１１として下部電極を有する構造を用いても良い。一般に、ＴＦＴのサイズが小さくなり、回路を動作させるクロック周波数が向上すると、集積回路の消費電力が増加する。従って、消費電力の増加を抑止するために、下部電極にバイアス電圧を印加する方法が有効である。このバイアス電圧を変化させることで、ＴＦＴのしきい値電圧を変化させることができる。

ｎチャネル型ＴＦＴの下部電極に対して負のバイアス電圧の印加は、しきい値電圧を高めリークを減少させる。その反対に正のバイアス電圧の印加は、しきい値電圧を下げ、チャネルに電流が流れやすくなり、ＴＦＴはより高速化、若しくは低電圧で動作する。ｐチャネル型ＴＦＴの下部電極に対するバイアス電圧の効果はこの反対となる。このことより下部電極に印加するバイアス電圧を制御することで、集積回路の特性を大きく向上させることができる。

このバイアス電圧を使って、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧を制御させることで集積回路の特性を改善することができる。このとき、消費電力を低減するために、電源電圧と下部電極に印加するバイアス電圧との両方を制御しても良い。また、回路がスタンバイモードの時は、大きく逆方向のバイアス電 圧を与え、動作時についても負荷の小さいときは弱い逆方向バイアス、負荷の大きいときには、弱い順バイアス電圧を印加する。バイアス電圧の印加は制御回路を設けて、回路の動作状態若しくは負荷の状態により切り替え可能とすれば良い。このような手法で、消費電力やＴＦＴの性能をコントロールし、回路の性能を最大限に発揮させることができる。

なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。

（実施の形態６）
本発明の無線チップ３０６を用いた通信手順について、以下に簡単に説明する（図１０）。図１０では、説明の都合上アンテナ３０５をＩＣチップ３０４と重ねていないが、本発明のように重なっているものとする。まず、無線チップ３０６が含むアンテナ３０５がリーダライタ３０７からの電波を受信する。そうすると、電源発生手段３０３において、共振作用により起電力が発生する。そして、無線チップ３０６が含むＩＣチップ３０４が起動して、制御手段３０２により、記憶手段３０１内のデータが信号化される。次に、無線チップ３０６が含むアンテナ３０５から信号を発信する。そうすると、リーダライタ３０７が含むアンテナにより送信された信号を受信する。受信した信号は、リーダライタ３０７が含むコントローラを介して、データ処理装置に送信され、ソフトウエアを用いてデータ処理が行われる。なお上記通信手順は、コイル型のアンテナを用い、無線チップのコイルとリーダライタのコイル間に誘導されて発生する磁束を利用した電磁誘導方式を用いた場合を例示しているが、マイクロ波帯の電波を使った電波方式を用いてもよい。

無線チップ３０６は、非接触で通信を行う点、複数読取りが可能である点、データの書き込みが可能である点、様々な形状に加工可能である点、選択する周波数によっては、指向性が広く、認識範囲が広い点等の利点を有する。無線チップ３０６は、非接触による無線通信で人や物の個々の情報を識別可能なＩＣタグ、ラベル加工を施して目標物への貼り付けを可能としたラベル、イベントやアミューズメント向けのリストバンド等に適用することができる。また、無線チップ３０６を樹脂材料により成型加工してもよいし、無線通信を阻害する金属に直接固定してもよい。さらに、無線チップ３０６は、入退室管理システムや精算システムといった、システムの運用に活用することができる。

次に、無線チップ３０６を実際に使用するときの一形態について説明する。表示部３２１を含む携帯端末の側面には、リーダライタ３２０が設けられ、品物３２２の側面には無線チップ３２３が設けられる（図１１（Ａ））。品物３２２が含む無線チップ３２３にリーダライタ３２０をかざすと、表示部３２１に品物の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴等、更に品物の説明等の商品に関する情報が表示される。また、品物３２８をベルトコンベアにより搬送する際に、リーダライタ３２４と、品物３２８に設けられた無線チップ３２５を用いて、該品物３２８の検品を行うことができる（図１１（Ｂ））。このように、システムに無線チップを活用することで、情報の取得を簡単に行うことができ、高機能化と高付加価値化を実現する。

なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した無線チップの用途に関して説明する。無線チップ２５０は、例えば、紙幣、硬貨、有価証券、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１２（Ａ））、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１２（Ｂ））、ＤＶＤソフトやＣＤやビデオテープ等の記録媒体（図１２（Ｃ））、車やバイクや自転車等の乗り物類（図１２（Ｄ））、鞄や眼鏡等の身の回り品（図１２（Ｅ））、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビまたはテレビ受像器とも呼ぶ）および携帯電話機等を指す。

なお、無線チップは、物品の表面に貼り付けたり、物品に埋め込んだりして物品に固定することができる。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に無線チップを設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に無線チップを設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。また乗物類に無線チップを設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物に無線タグを埋め込むことによって、生まれた年や性別または種類等を容易に識別することが可能となる。

以上のように、本発明の無線チップは物品（生き物を含む）であればどのようなものにでも設けて使用することができる。なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。

本発明の無線チップの構造を示す図。 本発明の無線チップの構造を示す図。 本発明の無線チップの構造を示す図。 本発明の無線チップの構造を示す図。 本発明の無線チップの構造を示す図。 本発明の無線チップの構造を示す図。 本発明の無線チップの構造を示す図。 従来の無線チップの構成を示す図。 容量素子の構成を示す図。 本発明の無線チップの構成を示す図。 本発明の無線チップを実装した物品を示す図。 本発明の無線チップを実装した物品を示す図。 本発明の無線チップの構造を示す図。 本発明の無線チップの構造を示す図。 本発明の無線チップの構造を示す図。

Claims (11)

1. 集積回路と、共振容量部と、保持容量部とを備えたＩＣチップと、
   前記ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナとを有し、
   前記集積回路は、少なくとも不純物領域を含む半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられたソースまたはドレイン電極とを有し、
   前記層間絶縁膜上に設けられた配線と、前記配線を覆って設けられた前記絶縁膜と、前記アンテナとの積層構造によって、前記共振容量部および前記保持容量部の一方または両方の容量が形成されていることを特徴とする無線チップ。
2. 請求項１において、
   前記配線は、前記ソースまたはドレイン電極と同じ材料で設けられていることを特徴とする無線チップ。
3. 集積回路と、共振容量部と、保持容量部とを備えたＩＣチップと、
   前記ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナとを有し、
   前記集積回路は、少なくとも不純物領域を含む半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられたソースまたはドレイン電極とを有し、
   前記ゲート絶縁膜上に設けられた配線と、前記層間絶縁膜および前記絶縁膜と、前記アンテナとの積層構造によって、前記共振容量部および前記保持容量部の一方または両方の容量が形成されていることを特徴とする無線チップ。
4. 請求項３において、
   前記配線は、前記ゲート電極と同じ材料で設けられていることを特徴とする無線チップ。
5. 集積回路と、共振容量部と、保持容量部とを備えたＩＣチップと、
   前記ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナとを有し、
   前記集積回路は、少なくとも絶縁表面上に設けられた不純物領域を含む半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられたソースまたはドレイン電極を有し、
   前記絶縁表面上に設けられた配線と、前記ゲート絶縁膜、前記層間絶縁膜および前記絶縁膜と、前記アンテナとの積層構造によって、前記共振容量部および前記保持容量部の一方または両方の容量が形成されていることを特徴とする無線チップ。
6. 請求項５において、
   前記配線は、前記半導体膜の不純物領域と同じ材料で設けられていることを特徴とする無線チップ。
7. 共振容量部と保持容量部とを備えたＩＣチップと、
   前記ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナとを有し、
   前記共振容量部と前記保持容量部とが重なって配置され、
   前記共振容量部に設けられた容量素子の２つの電極のうち、前記アンテナを一方の電極として設け、他方の電極は前記保持容量部に設けられた容量素子の一方の電極と同じに設けることを特徴とする無線チップ。
8. 集積回路と、共振容量部と、保持容量部とを備えたＩＣチップと、
   前記ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナとを有し、
   前記集積回路は、少なくとも不純物領域を含む半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられたソースまたはドレイン電極と、前記ソースまたはドレイン電極を覆って設けられた前記絶縁膜とを有し、
   前記共振容量部と前記保持容量部は重なって配置され、
   前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１の配線と、前記層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられた第２の配線との積層構造によって、前記保持容量部の容量が形成され、
   前記第２の配線と、前記絶縁膜と、前記アンテナとの積層構造によって、前記共振容量部の容量が形成されていることを特徴とする無線チップ。
9. 請求項８において、
   前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料で設けられ、
   前記第２の配線は、前記ソースまたはドレイン電極と同じ材料で設けられていることを特徴とする無線チップ。
10. 集積回路と、共振容量部と、保持容量部とを備えたＩＣチップと、
    前記ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナとを有し、
    前記集積回路は、少なくとも絶縁表面上に設けられた不純物領域を含む半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に設けられたソースまたはドレイン電極を有し、
    前記共振容量部と前記保持容量部は重なって配置され、
    前記絶縁表面上に設けられた第１の配線と前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜と前記層間絶縁膜上に設けられた第２の配線との積層構造によって、前記保持容量部の容量が形成され、
    前記第２の配線と前記絶縁膜と前記アンテナとの積層構造によって、前記共振容量部の容量が形成されていることを特徴とする無線チップ。
11. 請求項１０において、
    前記第１の配線は、前記半導体膜の不純物領域と同じ材料で形成され、
    前記第２の配線は、前記ソースまたはドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする無線チップ。
    
    
    

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