JP2006186228A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- 半導体レーザダイオードチップと、該半導体レーザダイオードチップの筺体とからなる半導体レーザダイオードであって、前記半導体レーザダイオードチップの共振器端面に形成され、前記半導体レーザダイオードチップから放出された光により活性化される、ＴｉＯ ２ に窒素をドープしたＴｉＯ ２−Ｘ Ｎ Ｘ から成る光触媒層を有する、ことを特徴とする半導体レーザダイオード。
- 前記共振器端面と前記光触媒層との間に、反射率を制御する光学薄膜層を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザダイオード。
- 前記光学薄膜層は、Ａｌ２Ｏ３で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザダイオード。
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