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JP2006148004A - 薬液塗布方法及び薬液塗布装置 - Google Patents

薬液塗布方法及び薬液塗布装置 Download PDF

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JP2006148004A
JP2006148004A JP2004338910A JP2004338910A JP2006148004A JP 2006148004 A JP2006148004 A JP 2006148004A JP 2004338910 A JP2004338910 A JP 2004338910A JP 2004338910 A JP2004338910 A JP 2004338910A JP 2006148004 A JP2006148004 A JP 2006148004A
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wafer
chemical solution
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sealed space
chemical
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Akira Ezaki
朗 江崎
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

【課題】 ウエーハ上の所定の領域に薬液を塗布することができるとともに、ウエーハに形成されたトレンチなどを確実に充填することが可能な薬液塗布方法及び薬液塗布装置を提供する。
【解決手段】 ステージ2上に被処理ウエーハ1を載置、固定する工程と、前記被処理ウエーハ1表面の所定領域上に、圧力制御手段、薬液供給手段を備える密閉空間5を形成する工程と、前記密閉空間5を前記圧力制御手段により減圧する工程と、前記密閉空間5に前記薬液供給手段より薬液7aを供給し、前記被処理ウエーハ1表面の所定領域上に前記薬液7aを塗布する工程を具備する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、ウエーハ上に薬液を塗布する方法及び装置に関する。
一般に、半導体製造プロセスにおいて、レジストやポリイミドなどの薬液を塗布する手法として、スピン塗布が用いられている(例えば特許文献1参照)。スピン塗布は、ウエーハ上に薬液を供給、高速回転させ、遠心力により薬液を塗布する手法であり、薬液を薄く均一に塗布することが可能である。
しかしながら、半導体素子微細化に伴い、製造工程においてウエーハに形成されるトレンチや穴も微細化され、高アスペクト比となっている。そのため、図11に示すように、被処理ウエーハ11に形成されるトレンチ溝11aを薬液17aで埋め込み、乾燥する際、内部のエアが薬液の侵入を阻害し、十分に充填されないまま乾燥されるため、ボイドが発生してしまう、という問題があった。また、面内の位置により薬液の埋め込み状態が不均一になるという問題があった。
さらに、ウエーハ周辺部に薬液のつかないエッヂカット領域を設けようとする場合、周辺部にリンス液を塗布しながら回転させる必要があるが、その場合、オリエンテーションフラットなど円周上にない領域のエッヂカットを行うことができない、という問題があった。
特開2003−37053号公報
本発明は、ウエーハ上の所定の領域に薬液を塗布することができるとともに、ウエーハに形成されたトレンチなどを確実に充填することが可能な薬液塗布方法及び薬液塗布装置を提供することを目的とするものである。
本発明の一態様によれば、ステージ上に被処理ウエーハを載置、固定する工程と、前記被処理ウエーハ表面の所定領域上に、圧力制御手段、薬液供給手段を備える密閉空間を形成する工程と、前記密閉空間を前記圧力制御手段により減圧する工程と、前記密閉空間に前記薬液供給手段より薬液を供給し、前記被処理ウエーハ表面の所定領域上に前記薬液を塗布する工程を備えることを特徴とする薬液塗布方法が提供される。
また、本発明の一態様によれば、被処理ウエーハを載置するステージと、前記被処理ウエーハ表面の所定領域上に密閉空間を形成するチャンバと、前記密閉空間内の圧力を制御する圧力制御手段と、前記密閉空間内に薬液を供給する薬液供給手段を備えることを特徴とする薬液塗布装置が提供される。
本発明の一実施態様によれば、ウエーハ上の所定の領域に薬液を塗布することができるとともに、ウエーハに形成されたトレンチなどを確実に充填することが可能となる。
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
(実施形態1)
図1に本実施形態の薬液塗布装置を示す。図に示すように、被処理ウエーハ1は、全面吸着ステージ2上に載置・固定されている。被処理ウエーハ1上部には、真空チャンバ3が設置され、被処理ウエーハ1の外周と略同径のOリング4を介して、シリンダなどの押圧手段(図示せず)により押圧することにより、被処理ウエーハ1、Oリング3、真空チャンバ4により密閉空間5を形成することが可能となっている。真空チャンバ3には、密閉空間5内の圧力を制御する圧力制御手段、密閉空間5内に薬液を供給する薬液供給手段が設置されている。圧力制御手段は、ピストン穴6a内をシリンダ、モータなどの直動機構(図示せず)により上下駆動するピストンロッド6b、ピストン穴6aとピストンロッド6b間の空間を密閉するOリング6cと、真空ポンプ(図示せず)に接続され、密閉空間5内からの排気を行う排気口6dから構成されている。そして、薬液供給手段は、薬液7aを供給するピストン7bを備えた薬液供給ポンプ7cと、薬液の供給を制御するバルブ7dと、パイプ7eを介してバルブ7dと接続し、密閉空間5内に薬液を注入するための薬液注入穴7fから構成されている。
次に、このような薬液塗布装置を用いて、例えば図2に示すようなトレンチ幅4〜5μm、トレンチ深さ60μmのトレンチ溝1aが形成された被処理ウエーハ1上に薬液を塗布し、トレンチ溝1a内に薬液を埋め込む工程を、図3〜7を参照して説明する。
先ず、図3に示すように、被処理ウエーハ1を全面吸着ステージ2上に載置し、吸着固定する。次いで、真空チャンバ3を、シリンダ(図示せず)により、Oリング4を介して被処理ウエーハ1上に押圧し、密閉空間5を形成する。
次いで、図4に示すように、ピストンロッド6bを直動機構(図示せず)により上昇させ、密閉空間5を排気口6dと接続する。そして、この状態で真空ポンプ(図示せず)により密閉空間5内を真空排気する。このとき、被処理ウエーハ1には下方からも真空による引張り力がかかっているため、被処理ウエーハ1に破損するほどの負荷は生じていない。例えば、被処理ウエーハ1の直径をΦ150、真空チャンバ3(Oリング4)の内径をΦ140、全面吸着ステージ2の気孔率を0.8とすると、被処理ウエーハ1にかかる引張り力は80N程度となる。
次いで、図5に示すように、ピストンロッド6bを下降させ元の位置に戻す。このとき、密閉空間5は真空のまま保持されている。従って、被処理ウエーハに形成されたトレンチ溝1a内も真空となっている。
そして、図6に示すように、薬液供給手段のバルブ7dを開く。ピストン7bは、真空となっている密閉空間5内との差圧により下降し、薬液7aが密閉空間5に押し出され、完全に満たされるまで動作する。すなわち、この状態で密閉空間5内は大気圧となっている。そして、密閉空間5が薬液7aで完全に満たされた後、バルブ7dを閉じる。このとき、図5の状態で真空となっていたトレンチ溝1a内にも薬液7aは抵抗なく充填されている。
次いで、図7に示すように、ピストンロッド6aを再度上昇させ、密閉空間5内を真空ポンプ(図示せず)により再度排気することにより、塗布・充填された薬液は真空乾燥される。そして、真空ポンプを止めて密閉空間5内を大気圧にした後、真空チャンバ3を上方に移動させ、被処理ウエーハを取り出す。
本実施形態において、被処理ウエーハ1上に設置されるOリング4は、被処理ウエーハの外周と略同径としているが、形状は特に限定されるものではなく、ウエーハ形状に合わせて、例えば図8に示すように、被処理ウエーハのオリエンテーションフラットに合わせて、フラット部を設けても良い。
本実施形態により、被処理ウエーハ周辺部を除く所定の領域に薬液を均一に塗布することが可能となり、オリエンテーションフラット部を含むエッジカット領域の形成が容易となる。また、被処理ウエーハに形成されたトレンチ溝内部にも薬液を確実に充填することができ、ボイドの発生などを抑えることが可能となる。
(実施形態2)
本実施形態においては、実施形態1と同様の装置を用いて被処理ウエーハ上に薬液を塗布するが、薬液の供給時に押圧する点が異なっている。
図9に示すように、実施形態1と同様に、被処理ウエーハ1上に密閉空間5を形成し、真空状態とする。次いで、薬液供給手段のバルブ7dを開き、ピストン7b上部よりシリンダなど直動機構(図示せず)により押圧する。すなわち、この状態で密閉空間5内はシリンダへの導入圧力と等しくなっている。そして、密閉空間5が薬液7aで完全に満たされ、トレンチ溝内にも薬液が充填された後、バルブ7dを閉じ、実施形態1と同様に薬液を乾燥する。
本実施形態により、実施毛板1と同様の効果が得られる上に、薬液供給時に押圧することにより、トレンチ溝内部へ薬液をより確実に充填することが可能となる。
(実施形態3)
本実施形態においては、実施形態1と同様の装置を用いて被処理ウエーハ上に薬液を塗布するが、乾燥方法が異なっている。
図10に示すように、実施形態1と同様に、被処理ウエーハ1に薬液7aを塗布し、密閉空間が大気圧になった後、真空チャンバ3を被処理ウエーハ1上方に移動させ、熱風、ライトアニールなどの熱乾燥手段8を用いて薬液7aを乾燥させた後、被処理ウエーハ1を取り出す。
本実施形態においては、乾燥前に真空チャンバ3を取り除いてしまうため、真空チャンバ3を取り除いても薬液が被処理ウエーハ周辺に流れ出ることのない、薬液粘度が高い場合において、実施形態1と同様の効果が得られると共に、実施形態1より工程を簡略化した薬液塗布が可能となる。また、薬液粘度が低い場合でも、被処理ウエーハのエッジカットが不要な場合などには用いることが可能である。この場合も、実施形態1と同様にトレンチ溝内部への薬液の確実な充填が可能となると共に、従来のスピン塗布と比較して、薬液のロスを抑えることができる。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
本発明の一態様における薬液塗布装置を示す図。 本発明の一態様における被処理ウエーハに形成されたトレンチ溝を示す図。 本発明の一態様における薬液塗布工程を示す図。 本発明の一態様における薬液塗布工程を示す図。 本発明の一態様における薬液塗布工程を示す図。 本発明の一態様における薬液塗布工程を示す図。 本発明の一態様における薬液塗布工程を示す図。 本発明の一態様における薬液塗布工程を示す図。 本発明の一態様における薬液塗布工程を示す図。 本発明の一態様における薬液塗布工程を示す図。 従来の薬液塗布方法の問題を示す図。
符号の説明
1、11 被処理ウエーハ、 1a、11a トレンチ溝、 2 全面吸着ステージ、 3 真空チャンバ、 4 Oリング、 5 密閉空間、 圧力制御手段、 6a ピストン穴、 6b ピストンロッド、 6c Oリング、 6d 排気口、 薬液供給手段、 7a 薬液、 7b ピストン、 7c 薬液供給ポンプ、 7d バルブ、 7e パイプ、 7f 薬液注入穴、 8 熱乾燥手段。

Claims (5)

  1. ステージ上に被処理ウエーハを載置、固定する工程と、
    前記被処理ウエーハ表面の所定領域上に、圧力制御手段、薬液供給手段を備える密閉空間を形成する工程と、
    前記密閉空間を前記圧力制御手段により減圧する工程と、
    前記密閉空間に前記薬液供給手段より薬液を供給し、前記被処理ウエーハ表面の所定領域上に前記薬液を塗布する工程を備えることを特徴とする薬液塗布方法。
  2. 前記密閉空間に前記薬液供給手段より薬液を供給する工程において、押圧して薬液を供給することを特徴とする請求項1に記載の薬液塗布方法。
  3. 塗布された前記薬液を減圧乾燥及び/又は熱乾燥により乾燥させる工程を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の薬液塗布方法。
  4. 前記被処理ウエーハは、前記ステージ上に吸着固定されることを特徴とする請求項1乃至3に記載の薬液塗布方法。
  5. 被処理ウエーハを載置するステージと、
    前記被処理ウエーハ表面の所定領域上に密閉空間を形成するチャンバと、
    前記密閉空間内の圧力を制御する圧力制御手段と、
    前記密閉空間内に薬液を供給する薬液供給手段を備えることを特徴とする薬液塗布装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013103396A (ja) * 2011-11-14 2013-05-30 Disco Corp 樹脂膜形成装置
JP2017188575A (ja) * 2016-04-06 2017-10-12 株式会社ディスコ パッケージウェーハの製造方法
JP2017188610A (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 株式会社ディスコ パッケージウェーハの製造方法及びデバイスチップの製造方法
CN112897891A (zh) * 2021-03-05 2021-06-04 尚昊 一种手持式挡风玻璃镀膜装置

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