JP2005520337A - プラズマ処理のための改良された基板ホルダ - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 178
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 40
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】プラズマ処理のための改良された基板ホルダ
【解決手段】改良された基板ホルダは、フォーカスリングと基板とを支持する電極と電極と前記リングを囲む絶縁部材と絶縁部材を囲む接地部材と基板を囲む前記リングとを具備する。前記リングは、前記基板のＲＦインピーダンスと略等しいＲＦインピーダンスを有する。前記改良された基板ホルダを使用した基板処理方法は、基板端部と前記リングとの間のアーク放電を減少させる。前記方法は電極上に前記リングを置く工程と、電極上に基板を置く工程と、基板を処理する工程とを具備する。さらに、改良された基板ホルダを使用した前記リングと基板との温度制御方法は電極上に前記リングを置く工程と電極上に基板を置く工程と静電クランプを使用して前記リングと基板とを電極に固定する工程と、前記リングと電極との間の空間と基板と電極との間の第２の空間とに熱伝導ガスを供給する工程と、前記電極の温度を制御する工程と、を具備する。
【解決手段】改良された基板ホルダは、フォーカスリングと基板とを支持する電極と電極と前記リングを囲む絶縁部材と絶縁部材を囲む接地部材と基板を囲む前記リングとを具備する。前記リングは、前記基板のＲＦインピーダンスと略等しいＲＦインピーダンスを有する。前記改良された基板ホルダを使用した基板処理方法は、基板端部と前記リングとの間のアーク放電を減少させる。前記方法は電極上に前記リングを置く工程と、電極上に基板を置く工程と、基板を処理する工程とを具備する。さらに、改良された基板ホルダを使用した前記リングと基板との温度制御方法は電極上に前記リングを置く工程と電極上に基板を置く工程と静電クランプを使用して前記リングと基板とを電極に固定する工程と、前記リングと電極との間の空間と基板と電極との間の第２の空間とに熱伝導ガスを供給する工程と、前記電極の温度を制御する工程と、を具備する。
Description
この出願は、２００２年３月１２日に出願された米国特許第６０／３６３，２８４号に基づき優先権を主張し、そしてそれに関し、その全ての内容は、参照により完全にここに組み込まれる。
本願発明は、プラズマ処理で使用される基板ホルダに、そして、特にプラズマ処理のための改良された基板ホルダに関するものである。
驚くべき躍進を遂げる半導体業界におけるプラズマ処理の一領域としては、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造が挙げられる。一般的にはＩＣの、特にはメモリデバイスの速度増加に対する要求は、半導体製造業に、ウェハ表面のデバイスの小型化を強いている。逆に、基板上のデバイスサイズの縮小が起こっている間、単一基板上に形成されるデバイスの数は、基板直径（または実際にプロセスされる領域）が２００ｍｍ〜３００ｍｍまたはそれ以上にさらに拡大したことに伴って大幅に増加している。臨界寸法（ＣＤ）により大きな重点を置く特性サイズの減少と、基板サイズの増加との両方により、プラズマ処理の均一性に関する需要がより大きくなり、優れたデバイスの歩留まりを最大化させている。
不均一性プラズマ処理のそのような結果は、例えば、プラズマと接触する基板表面と基板を囲むフォーカスリングの等しくない帯電となりうる。現在のフォーカスリング設計手法を使用すると、フォーカスリングの表面電位は、基板の表面電位とはかなり異なることがありえる。その後、表面電位の違いは、不均一プラズマシース（鞘）の厚さにつながることとなり、そして、それによって、近接した基板端部の不均一性プラズマ特性の結果となる。さらに、基板端部とフォーカスリングの間の表面電位の違いは、破滅的なプロセス不良と素子歩留りの低下を生じる電気放電（アーク放電）の原因として十分に重要となりうる。
既知のプラズマ処理システムにおいて、基板のアーク放電は、観察されており、前記のフォーカスリング設計に起因していることがありえる。たとえば、図１は、ＲＦ印加可能な電極１０と、電極絶縁物１２と、表面に陽極処理１６された接地壁１４と、フォーカスリング１８と、を具備する既知の基板ホルダ１を示す。その基板ホルダ１は、基板２２の保持を容易にするために、さらに静電クランプ２０（ＥＳＣ：electrostatic clamp）を含む。図１で詳細で示さないが、静電クランプ２０は、典型的にセラミックボディ内に埋め込まれたクランプ電極を具備する。シリコン基板を処理するとき、フォーカスリング１８は、一般に、例えばシリコンまたは炭化珪素のようなシリコンを含む材料から製造される。しかしながら、フォーカスリング１８の材料とサイズは、低キャパシタンスと、それに対応した高ＲＦインピーダンスを招き、それは基板２２の表面電位よりかなり大きな表面電位を導くこととなる。結果として、プラズマシース３０は、フォーカスリング１８より上の薄い領域３２と、基板２２の上の厚い領域３４と、その間で存在している移行する領域３６と、を具備し、かなり不均一となり得る。上述の通り、不均一プラズマシースと関連する電位差は、破滅的な素子歩留まりの低下を招く基板のアーク放電として、現れ得る。そのため、基板全体と基板端部近傍との表面に均一なプラズマシース厚さを達成することが望ましい。
現在のフォーカスリング設計手法のさらなる欠点は、基板とフォーカスリングの間でかなり異なる温度を含んでいることである。実際、基板温度を摂氏数百度上回るフォーカスリングの温度を観測することは非現実的なことではない。この観測は、主にフォーカスリングと温度制御された電極の間の少ない熱の接点に起因している。結果として、”熱い”フォーカスリングは、不均一基板温度と、それ故に特に基板端部に局在化した不均一基板処理に至っている基板端部を熱することとなり得る。従って、基板温度と同様にフォーカスリング温度をコントロールすることが、望ましい。
本願発明は、良く知られた基板ホルダの前記の欠点を軽減するため、プラズマ処理システムに対し改良された基板ホルダを提供するものである。前記改良された基板ホルダは、その上面にフォーカスリングと基板を支える電極と、前記電極と前記フォーカスリングを囲む絶縁部材と、前記絶縁部材を囲む接地部材と、前記基板を囲むフォーカスリングと、を具備する。フォーカスリングは、基板のＲＦインピーダンスに、かなり等価なＲＦインピーダンスを具備する。
本願発明の更なる目的は、電極の上面として用いることができる静電クランプを、更に具備する改良された基板ホルダを提供することである。本願発明の更なる目的は、電極の温度をコントロールするために冷却および加熱システムを更に含んでいる改良された基板ホルダを提供することである。
本願発明は、さらに基板とフォーカスリングの端部の間で、アーク放電を最小にするために改良された基板ホルダを利用している基板処理方法を記述する。前記方法は、前記電極上に前記フォーカスリングを設置する工程と、前記電極上に前記基板を設置し前記基板を処理する工程と、を具備する。
さらに、本願発明は、前記改良された基板ホルダを利用してフォーカスリングと基板の温度コントロールの方法を記述する。前記方法は、前記電極上に前記フォーカスリングを設置する工程と、前記電極上に前記基板を設置する工程と、静電クランプを使用し前記電極に前記フォーカスリングと前記基板とを固定（クランプ）する工程と、前記フォーカスリングと前記電極との間に存在する第１の空間と前記基板と前記電極との間に存在する第２の空間とに熱伝導ガス（単独のガスもしくは複数のガス）を供給する工程と、前記電極の温度をコントロールする工程と、を具備する。
本願発明は、プラズマ処理で使用される基板ホルダに、そして、特にプラズマ処理のための改良された基板ホルダに関するものである。図２．Ａで表される本願発明の図示された実施形態によれば、改良された基板ホルダ１００は、電極１１０と、絶縁部材１１２と、接地部材１１４と、を具備することができる。上面１５０と、下面１５２と、外径のところの外面１５４と、内径のところの内面１５６と、を具備するフォーカスリング１１８は、電極１１０の上面１４０と結合する。フォーカスリング１１８の内面１５６の内径は、基板１２２を収容し、電極１１８の回転軸１１１を中心として基板１２２を中央に置くために十分な大きさを有している。基板１２２は、上面１６０と、底面１６２と、フォーカスリング１１８の内面１５６に向かい合っている外径のところの外面１６４と、を具備する。基板１２２は、基板１２２の底面１６２が電極１１０の上面１４０と対向する方法で電極１１０に結合している。
フォーカスリング１１８と基板１２２の上面１６０との両方に渡って均一なプラズマシースの厚さ１３０を維持するために、従って空間的に均一な表面電位を維持するために、フォーカスリング１１８は、基板１２２にかなり類似したＲＦインピーダンスを具備している電気素子として設計および実行される。第１の実施形態として、フォーカスリング１１８は、例えばシリコンを具備する基板１２２を処理するときには例えばシリコンと炭化珪素とのうちの少なくとも１つを具備する。フォーカスリング１１８の材料特性は、特に、基板１２２のＲＦインピーダンスに、かなり等しくフォーカスリング１１８のＲＦインピーダンスが生ずるように選ばれる。フォーカスリング１１８は、その固有のキャパシタンス、インダクタンスおよび抵抗が基板１２２のそれと近似しているような材料特性を具備することができる。たとえば、シリコンを具備している基板１２２を処理するとき、フォーカスリング１１８は重度ドーピングした炭化珪素を具備することができる。代わりの実施形態であって、例えば、フォーカスリング１１８の上面１５０は、たとえば平面以外の形状、例えば図２．Ｂ、図２．Ｃで示すような斜面、を具備することができる。他の実施形態として（図示せず）、フォーカスリング１１８の上面１５０は、凹面と凸面とのうちの少なくとも１つを具備する。さらに、フォーカスリング１１８の厚さは、基板１２２の厚さに合わせた設計がされる。たとえば、基板１２２の厚さは、７５０ミクロンでありえる。第１つの実施形態として、フォーカスリングは、１００から２０００ミクロンの厚さを有する。他の実施形態として、フォーカスリングは、基板１２２の厚さとかなり等しい厚さを有する。フォーカスリングの典型的な厚さは、制限はされないが、（１）基板の厚さの２０％以内の厚さ、（２）基板の厚さの１０％以内の厚さ、（３）基板の厚さの５％以内の厚さ、（４）基板の厚さの１％以内の厚さを含む。他の実施形態においては、フォーカスリング１１８の厚さは、基板１２２の厚さとは、かなり異なる。
電極１１０は、例えば、外径のところの外面１４４と、回転軸１１１と、を具備する円筒形と一般にすることが出来る。さらに、電極１１０はアルミニュウムを具備し、それは陽極酸化処理が可能であり、それゆえ、図２．Ａに示すように陽極酸化処理層１４２を具備する。望ましく、電極１１０の外面１４４の外径は、フォーカスリング１１８の外面１５４の外径に、かなり等しい。他の実施形態として、電極１１０の外面１４４の外径はフォーカスリング１１８の外面の外径とは異なる。
絶縁部材１１２は、また、たとえば、内径のところに内面１４５と、外径のところに外面１４６と、回転軸１１１と、を具備する円筒形と一般にすることが出来る。望ましくは、内面１４５は、電極１１０の外面１４４の外径に、かなり等しい内径に対応する。さらに、絶縁部材１１２の内面１４５の内径は、フォーカスリング１１８の外面１５４の外径にかなり等しくできる。それによって、絶縁部材１１２は、回転軸１１１に対しフォーカスリング１１８を中心にする手段として提供するために、フォーカスリング１１８の外面１５４と略同一面である内部の端面１９０を具備することができる。他の実施形態として、絶縁部材１１２は、フォーカスリング１１８の外面１５４の外径と異なる内径を有する内面１４５を具備することが出来る、そして、それによって、上記の中心合わせ機能を提供するため、絶縁部材１１２の上面内に機械加工される端面（または溝）１９０は許容される。望ましくは、絶縁部材１１２は、例えば石英またはアルミナのような誘電材料を具備する。
接地部材１１４は、また、例えば一般に、内径のところの内面１４７と、外径のところの外面１４８と、回転軸１１１と、を具備した円筒形であり得る。望ましくは、内面１４７は、絶縁部材１１２の外面１４６の外径に略等しい内径に対応する。さらに、接地部材１１４は、アルミニュウムを具備し、従って、それは陽極酸化処理が可能であり、それゆえ、図２．Ａに示すように陽極酸化処理層１１６を具備する。
あるいは、基板１２２は、例えば、静電クランプ１２０を介して基板ホルダ１００に吸着される。静電クランプ１２０は、高電圧（High Voltage：ＨＶ）の直流（Direct Current:ＤＣ）電源（図示せず）に接続されたクランプ電極１２１を具備する。典型的には、クランプ電極は銅から製造されて、セラミック素子内に埋め込まれる。静電クランプ１２０は、単極モードか双極モードで使用可能である。それぞれのモードは、静電クランプシステムの分野における通常の知識を有する者（当業者）には、良く知られている。望ましくは、クランプ電極１２０は、電極１１０の上面１４０として提供され、フォーカスリング１１８の下面１５２と基板１２２の下面１６２との下に広がっている。１つの実施形態として静電クランプ１２０はフォーカスリング１１８と基板１２２の両方を固定するために利用される。他の実施形態として、フォーカスリング１１８と基板１２２とを独立して固定するために、静電クランプ１２０は、２つ以上独立したクランプ電極で、分けられた高電圧直流（ＨＶ ＤＣ）電源を有するものを具備可能である。
あるいは、電極１１０は、さらに、冷やされたときには、基板１２２とフォーカスリング１１８とから熱を受け取り、熱交換システム（図示せず）に熱を移し、加熱されたときには、熱交換システムから上記の構成素子に熱を移す再循環流体を含む冷却／加熱のシステムを有する。他の実施形態として、例えば抵抗加熱素子のような発熱素子または熱電式ヒータ−／クーラーは加熱／冷却システムの一部として含まれる。加熱／冷却システムは、さらに電極１１０の温度モニタのための装置（図示せず）を具備する。その装置とは、例えば、熱電対（例えば、Ｋタイプ熱電対）であり得る。
さらに、熱伝導ガスは、第１のガス供給ライン１７２を使用してフォーカスリング１１８の下面１５２と電極１１０の上面１４０との間の第１の空間１７０と、第２のガス供給ライン１８２を使用して基板１２２の下面１６２と電極１１０の上面１４０との間の第２の空間１８０とのうちの少なくとも１つに供給される（図２．Ａ参照）。ガス供給ライン１７２と１８２とは、電極１１０上面１４０に形成された１つ以上のオリフィス又は溝に、熱伝導ガスを分配する。熱伝導ガス分配の実現は、基板処理の分野の通常の知識を有する者（当業者）には良く知られている。第１の空間１７０への熱伝導ガスの供給は、フォーカスリング１１８の下面１５２と電極１１０の上面１４０との間のガス間隔熱導電率を改良することができ、一方、第２の空間１８０への熱伝導ガスの供給は、基板１２２の下面１６２と電極１２０の上面１４０との間のガス間隔熱導電率を改良することができる。
熱伝導ガスは、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンのような希ガス、Ｃ4Ｆ８、ＣＦ4、Ｃ5Ｆ8、Ｃ4Ｆ6、およびＣ2Ｆ6のようなプロセスガス、またはそれらのガスの混合であり得る。それによって、前記の加熱／冷却システムを介して電極１１０の温度をコントロールすることは、フォーカスリング１１８の温度と基板１２２の温度との両方の温度を制御することになる。１つの実施形態として、第１の空間１７０への熱伝導ガスの供給は、図２．Ａに示すように独立したガス供給１７４と１８４とを使用することにより、第２の空間１８０への熱伝導ガスの供給から独立している。独立した熱伝導ガス供給を使用することにより、第１の空間１７０の圧力は、第２の空間１８０の圧力と異なるように調整できる。他の実施形態として、ガス供給ライン１７２と１８２とは単一の熱伝導ガス供給から熱伝導ガスを供給される。他の実施形態として、第２の空間１８０は、熱伝導ガスが独立に供給される１つ以上の空間に分けられる。
基板１２２は、例えば、ロボット基板移動システムを介し、スロットバルブ（図示せず）とフィードスルー（図示せず）とを通り、プロセスチャンバ内に、及び外に移動される、ここでロボット基板移動システムとは、基板が、基板ホルダ１００の内部に収容されている基板リフトピン（図示せず）によって受けとられ、機械的にその内部に収容されている装置によって移動されるものである。従って、電極１１０内のリフトピンの孔（図示せず）と静電クランプ１２０とは、基板１２２の下面１６２への、そしてそこからの、リフトピンの通過を許容する。一旦、基板１２２は、基板移動システムから受け取られるために、それは基板ホルダ１００の上面１４０に降ろされる。
図２．Ａに図示された実施形態として、電極１１０は、例えば、基板１２２に近接した処理領域でプラズマに結合するＲＦパワーが通過するＲＦ電極として提供することが出来る。例えば、電極１１０は、ＲＦ電源（図示せず）からインピーダンスマッチングネットワーク（図示せず）を通して電極１１０に、ＲＦパワーの移送を介して、電気的にＲＦ電圧でバイアス印加される。ＲＦバイアスは、電子を加熱し、そしてそれによってプラズマ形成と維持がなされる、又はＲＦバイアスは、基板１２２の上面１６０でのイオンエネルギの制御を可能とする。
今、図３を参照し、フローチャート３００は、基板端部とフォーカスリングとの間のアーク放電の可能性を最小とするため、図２に示す改良された基板ホルダを使用した基板処理方法を記載する。この方法は、工程３１０で始められ、それは先に記載されたように、フォーカスリング１１８は、基板ホルダ１００上に置かれ、電極１１０の上面１４０と結合する。フォーカスリング１１８は、例えば、チャンバメンテナンスの間、オペレータによって電極１１０の上にセットすることができる。さらに、フォーカスリング１１８は、絶縁部材１１２の内部の端面１９０と同一面に、フォーカスリング１１８の外面１５４の位置調整を行うことによって、回転軸１１１を中心とするように置くことができる。あるいは、フォーカスリング１１８は、先に記載したロボット基板移動システムを介してチャンバの内部へ、および外部へ移される中で、１組のリフトピン（図示せず）により、受け取られ、電極１１０の上面１４０に降ろされる。
工程３２０で、基板１２２は、基板ホルダ１００の上に置かれ、電極１１０の上面１４０と結合する。基板１２２は、例えば、ロボット基板移動システムを介してチャンバ内へ、及び外へ移動される中で、先に記載したように１組のリフトピン（図示せず）によって、受け取られ、電極１１０へ降ろされる。さらに、基板１２２はフォーカスリング１１８の内部の端面１５６と同一面に、基板１２２の外面１６４の位置調整を行うことによって、回転軸１１１を中心とするように置くことが出来る。
工程３３０では、基板１２２は、プロセスレシピに従って、プラズマ処理システム内で処理される。このプロセスレシピは、例えば、静電クランプ電圧（静電クランプ力）と、背面ガス圧力（例えば、空間１７０と１８０とのガス圧力）と、電極１１０のＲＦパワーと、チャンバガス圧力と、プロセスガスの分圧力と、ガスの流量等と、を調整することを含むことが出来る。
今、図４を参照し、フローチャート４００は、フォーカスリング１１８と基板１２２との温度制御のため、図２に示す改良された基板ホルダを使用した基板の処理方法を記載する。この方法は、工程４１０で始められ、先に記載されたように、フォーカスリング１１８は、基板ホルダ１００上に置かれ、電極１１０の上面１４０と結合する。フォーカスリング１１８は、例えば、チャンバメンテナンスの間、オペレータによって電極１１０の上にセットすることが出来る。さらに、フォーカスリング１１８は、絶縁部材１１２の内部の端面１９０と同一面に、フォーカスリング１１８の外面１５４の位置調整を行うことによって、回転軸１１１を中心とするように置くことができる。あるいは、フォーカスリング１１８は、先に記載したロボット基板移動システムを介してチャンバの内部へ、および外部へ移される中で、１組のリフトピン（図示せず）により、受け取られ、電極１１０の上面１４０に降ろされる。
工程４２０で、基板１２２は、基板ホルダ１００の上に置かれ、電極１１０の上面１４０と結合する。基板１２２は、例えば、ロボット基板移動システムを介してチャンバ内へ、及び外へ移動される中で、先に記載したように１組のリフトピン（図示せず）によって、受け取られ、電極１１０へ降ろされる。さらに、基板１２２はフォーカスリング１１８の内部の端面１５６と同一面に、基板１２２の外面１６４の位置調整を行うことによって、回転軸１１１を中心とするように置くことが出来る。
工程４３０で、高電圧直流（ＨＶ，ＤＣ）電源から供給される電圧は、基板と電極１１０と同等に、フォーカスリング１１８と電極１１０との間にクランプ力を提供するために、静電クランプに印加される。工程４４０では、フォーカスリング１１８と電極１１０との間と、基板１２２と電極１１０との間との、ガス間隔熱伝導率を改善するため、フォーカスリング１１８と基板１２２とは、固定され、先に記載したように熱伝導ガスは第１の空間１７０と第２の空間１８０とに供給される。本願発明の実施形態として、第１の空間１７０のガス圧力は、かなり第２の空間１８０のガス圧力と等しい。他の実施形態では、第１の空間１７０のガス圧力は、第２の空間１８０のガス圧力とは、かなり異なる。
工程４５０では、電極１１０の温度は、先に記載した加熱／冷却システムを介して、制御され、そして、それによって温度調節をフォーカスリング１１８と基板１２２の温度制御がなされる。
この発明の特定の典型的な実施形態だけが上で詳細に記述されたが、当業者は、多くの修正が、新しい教示から具体的に出発することのない典型的な実施態様と、この発明の利点で可能であると容易に認める。
したがって、全てのそのような修正は、この発明の範囲内に含まれることは予定される。
Claims (21)
- プラズマ処理のための改良された基板ホルダであって、
基板の厚さに略等しい厚さを有し、この基板を囲むフォーカスリングと、
前記基板と前記フォーカスリングをその上面で支えることが可能な電極と、
前記電極を囲む絶縁部材と、
前記絶縁部材を囲む接地部材と、を具備する改良された基板ホルダ。 - 前記電極の前記上面は、前記フォーカスリングと前記基板とのうちの少なくとも１つを前記電極に固定するための少なくとも１つの静電クランプを有し、
前記少なくとも１つの静電クランプは、前記電極の前記上面近くで、セラミック部材内部に埋め込まれたクランプ電極を有し、
前記クランプ電極は、前記フォーカスリングと前記基板とのうちの少なくとも１つの下に広がっている、請求項１の改良された基板ホルダ。 - 前記絶縁部材は、さらに前記フォーカスリングの中心合わせが出来る請求項１の改良された基板ホルダ。
- 前記電極は、ＲＦが印加可能である請求項１の改良された基板ホルダ。
- 前記電極は、温度制御が可能である請求項１の改良された基板ホルダ。
- 前記フォーカスリング並びに前記基板と、前記静電クランプとの間に広がっている空間に、熱伝導ガスが供給される請求項２の改良された基板ホルダ。
- 前記熱伝導ガスは、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン、Ｃ４Ｆ８、ＣＦ４、Ｃ５Ｆ８、Ｃ２Ｆ６のうちの少なくとも１つを含んでいる請求項６の改良された基板ホルダ。
- 前記基板は、シリコンウェハである請求項１の改良された基板ホルダ。
- 前記フォーカスリングは、シリコンと炭化珪素との少なくとも一方により形成されている請求項１の改良された基板ホルダ。
- 前記絶縁部材は、石英とアルミニュウムとの少なくとも１つを有する請求項１の改良された基板ホルダ。
- 前記接地部材は、アルミニュウムと、陽極酸化されたアルミニュウムとの少なくとも１つを有する請求項１の改良された基板ホルダ。
- 前記フォーカスリングの前記厚さは、１００ミクロン乃至２０００ミクロンの範囲である請求項１の改良された基板ホルダ。
- 前記フォーカスリングの前記厚さは、前記基板の前記厚さの２０％以内である請求項１の改良された基板ホルダ。
- 前記フォーカスリングの前記厚さは、前記基板の前記厚さの１０％以内である請求項１の改良された基板ホルダ。
- 前記フォーカスリングの前記厚さは、前記基板の前記厚さの５％以内である請求項１の改良された基板ホルダ。
- 前記フォーカスリングの前記厚さは、前記基板の前記厚さの１％以内である請求項１の改良された基板ホルダ。
- プラズマ処理のための改良された基板ホルダであって、
基板のＲＦインピーダンスに略等しいＲＦインピーダンスを有し、この基板を囲むフォーカスリングと、
前記基板と前記フォーカスリングをその上面で支えることが可能な電極と、
前記電極を囲む絶縁部材と、
前記絶縁部材を囲む接地部材と、を具備する改良された基板ホルダ。 - プラズマ処理中の、基板とフォーカスリングとの間のアーク放電を、最小にする方法であって、
電極を囲む絶縁部材によって、この電極の回転軸に中心を合わせて、前記フォーカスリングをこの電極の上に置く工程と、
前記フォーカスリングによって、前記電極の回転軸に中心を合わせて、前記基板を前記電極の上に置く工程と、
プロセスレシピを使用して、前記基板のプラズマ処理を行う工程と、を具備する方法。 - 基板とフォーカスリングとの温度を制御する方法であって、
電極を囲む絶縁部材によって、この電極の回転軸に中心を合わせて前記フォーカスリングをこの電極の上に置く工程と、
前記フォーカスリングによって、前記電極の回転軸に中心を合わせて前記基板を前記電極の上に置く工程と、
前記電極の上面内に形成された静電クランプを使用し、前記フォーカスリングと前記基板とのうちの少なくとも１つを前記電極に固定する工程と、
前記フォーカスリングと前記電極との間の第１の空間と、前記基板と前記電極との間の第２の空間とに熱伝導ガスを供給する工程と、
前記電極の温度を制御する工程と、を具備する温度制御方法。 - 同じ静電クランプを使用して、前記フォーカスリングと前記基板とを前記電極に固定する請求項１９の温度制御方法。
- 異なる静電クランプを使用して、前記フォーカスリングと前記基板とを前記電極に固定する請求項１９の温度制御方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US36328402P | 2002-03-12 | 2002-03-12 | |
| PCT/US2003/006154 WO2003079404A2 (en) | 2002-03-12 | 2003-03-11 | An improved substrate holder for plasma processing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005520337A true JP2005520337A (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=28041747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003577304A Withdrawn JP2005520337A (ja) | 2002-03-12 | 2003-03-11 | プラズマ処理のための改良された基板ホルダ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050120960A1 (ja) |
| JP (1) | JP2005520337A (ja) |
| AU (1) | AU2003228226A1 (ja) |
| WO (1) | WO2003079404A2 (ja) |
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| JP2013168690A (ja) * | 2013-06-06 | 2013-08-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびフォーカスリングとフォーカスリング部品 |
| JP2020161827A (ja) * | 2020-06-05 | 2020-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| US11990323B2 (en) | 2016-07-14 | 2024-05-21 | Tokyo Electron Limited | Focus ring replacement method and plasma processing system |
| JP7544450B2 (ja) | 2021-03-17 | 2024-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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| US8721833B2 (en) | 2012-02-05 | 2014-05-13 | Tokyo Electron Limited | Variable capacitance chamber component incorporating ferroelectric materials and methods of manufacturing and using thereof |
| US8486798B1 (en) | 2012-02-05 | 2013-07-16 | Tokyo Electron Limited | Variable capacitance chamber component incorporating a semiconductor junction and methods of manufacturing and using thereof |
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| CN112736015B (zh) * | 2020-12-31 | 2024-09-20 | 拓荆科技股份有限公司 | 用于调节处理腔中电浆曲线的装置及其控制方法 |
| US20230081862A1 (en) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | Tokyo Electron Limited | Focus Ring Regeneration |
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- 2003-03-11 JP JP2003577304A patent/JP2005520337A/ja not_active Withdrawn
- 2003-03-11 US US10/506,237 patent/US20050120960A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-11 WO PCT/US2003/006154 patent/WO2003079404A2/en active Application Filing
- 2003-03-11 AU AU2003228226A patent/AU2003228226A1/en not_active Abandoned
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| JP7544450B2 (ja) | 2021-03-17 | 2024-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2003228226A1 (en) | 2003-09-29 |
| US20050120960A1 (en) | 2005-06-09 |
| AU2003228226A8 (en) | 2003-09-29 |
| WO2003079404A3 (en) | 2003-12-24 |
| WO2003079404A2 (en) | 2003-09-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060221 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070712 |