JP2005511802A - チーグラー・ナッタ／メタロセン混合触媒の製造方法 - Google Patents
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Abstract
チーグラー・ナッタ／メタロセン混合触媒の製造方法を開示する。当該方法は、炭化水素溶媒中で脱水支持体をスラリー化する工程、ジアルキルマグネシウム化合物を添加する工程、その後、非メタロセンの４族又は５族金属化合物を添加する工程、その後さらに、メタロセン、アルモキサン、及び、所望ならばアルキルアルミニウム化合物及び電子供与体化合物を添加する工程、及び生成物を乾燥する工程を含む。また、芳香族溶媒中にアルモキサンが添加される。
Description
本発明は、オレフィン重合反応のためのバイメタル触媒を製造する方法に関するものである。より詳細には、本発明は、非メタロセン遷移金属触媒とメタロセン触媒を含む担持型バイメタル触媒の製造方法を提供する。当該方法により、改善された活性を有するバイメタル触媒が得られる。当該触媒は、二峰性（ｂｉｍｏｄａｌ）の分子量分布（ＭＷＤ）及び／又は二峰性の組成分布を有するポリオレフィン樹脂を成形するための、単一反応器におけるポリオレフィン重合において特に有用である。
二峰性の分子量分布及び／又は二峰性の組成分布を有するポリオレフィン樹脂は、多くの用途において望ましい。比較的高い分子量のポリオレフィンと比較的低い分子量のポリオレフィンの混合物を含む樹脂を製造することにより、高い分子量樹脂（及び、それらから作られた製品及びフィルム）についての大きな強度特性、及び低分子量樹脂についての優れた加工特性を利用することができる。
米国特許第５，０３２，５６２号及び第５，５２５，６７８号、及び欧州特許ＥＰ０７２９３８７に開示されているようなバイメタル触媒は、単一反応器において二峰性ポリオレフィン樹脂を製造することができる。これらの触媒は、典型的には、異なる平均分子量のポリオレフィンを生成する、非メタロセン触媒成分とメタロセン触媒成分とを含む。例えば、米国特許第５，５２５，６７８号には、１の実施態様において、高い分子量の樹脂を生成させるチタン非メタロセン成分及び低い分子量の樹脂を生成させるジルコニウメタロセン成分を含むバイメタル触媒が開示されている。反応器における各触媒の相対量、又は各触媒の相対的活性度を調節することにより、二峰性樹脂の生成を制御することができる。その他の背景技術には、ＥＰ０６７６４１８、ＷＯ９８／４９２０９、ＷＯ９７／３５８９１、及び米国特許第５，１８３，８６７号が含まれる。
バイメタル触媒の製造方法が、上記文献に開示されている。一般に、これらの方法は、非メタロセン遷移金属化合物を脱水した多孔質支持体に沈着させ、その後、当該支持体にメタロセン化合物を沈着させる工程を含む。しかしながら、いくつかの用途に対しては、当該公知のバイメタル触媒の活性は十分高くない。二峰性ポリオレフィン樹脂の製造のためのバイメタル触媒であって、既知のバイメタル触媒よりも高い活性を有するバイメタル触媒の製造方法が求められている。
驚くべきことに、本発明では、６００℃より高い温度で脱水した支持体を用いて調製された、担持型非メタロセン遷移金属触媒及び担持型バイメタル触媒のいずれもが、従来の触媒よりも高い活性を示すことを見出した。
１の実施態様では、本発明は、バイメタル触媒の製造方法であって、非極性炭化水素中の担持型非メタロセン触媒のスラリーを（当該担持型非メタロセン触媒を単離することなく）提供する工程、当該担持型非メタロセン触媒のスラリーをメタロセン化合物及びアルキルアルミニウム化合物の溶液と接触させる工程、当該得られたスラリーをアルモキサン溶液と接触させる工程、及び、当該接触生成物（ｃｏｎｔａｃｔ ｐｒｏｄｕｃｔ）を乾燥して担持型バイメタル触媒を得る工程を含む、当該方法を提供する。ここで、当該担持型非メタロセン触媒は、６００℃より高い温度で粒状支持体材料を脱水する工程、非極性脂肪族炭化水素中で当該脱水支持体のスラリーを調製する工程、当該スラリーを有機マグネシウム化合物及びアルコールと接触させる工程、及び、得られたスラリーを４族又は５族の遷移金属の非メタロセン化合物と接触させる工程によって調製される。当該接触生成物は、メタロセン／アルキルアルミニウム溶液との接触の前にスラリーから単離されない。
別の実施態様では、本発明は、バイメタル触媒の製造方法であって、非極性脂肪族炭化水素中の担持型非メタロセン触媒のスラリーを（当該担持型非メタロセン触媒を単離することなく）提供する工程、当該担持型非メタロセン触媒のスラリーをメタロセン化合物及びアルモキサンの溶液と接触させる工程、及び、当該接触生成物を乾燥して担持型バイメタル触媒を得る工程を含む、当該方法を提供する。ここで、当該担持型非メタロセン触媒は、６００℃より高い温度で粒状支持体材料を脱水する工程、非極性炭化水素中で当該脱水支持体のスラリーを調製する工程、当該スラリーを有機マグネシウム化合物及びアルコールと接触させる工程、及び、得られたスラリーを４族又は５族の遷移金属の非メタロセン化合物と接触させる工程によって調製される。当該接触生成物は、メタロセン／アルモキサン溶液との接触の前にスラリーから単離されない。
別の実施態様では、本発明は、バイメタル触媒の製造方法であって、非極性炭化水素中の担持型非メタロセン触媒のスラリーを（当該担持型非メタロセン触媒を単離することなく）提供する工程、当該担持型非メタロセン触媒のスラリーをアルキルアルミニウム化合物のと接触させる工程、当該得られたスラリーをメタロセン化合物及びアルモキサンの溶液と接触させる工程、及び、当該接触生成物を乾燥して担持型バイメタル触媒を得る工程を含む、当該方法を提供する。ここで、当該担持型非メタロセン触媒は、６００℃より高い温度で粒状支持体材料を脱水する工程、非極性炭化水素中で当該脱水支持体のスラリーを調製する工程、当該スラリーを有機マグネシウム化合物及びアルコールと接触させる工程、及び、得られたスラリーを４族又は５族の遷移金属の非メタロセン化合物と接触させる工程によって調製される。当該接触生成物は、アルキルアルミニウム化合物との接触の前にスラリーから単離されない。
別の実施態様では、本発明は、バイメタル触媒の製造方法であって、非極性炭化水素中の担持型非メタロセン触媒のスラリーを（当該担持型非メタロセン触媒を単離することなく）提供する工程、当該担持型非メタロセン触媒のスラリーをアルモキサン溶液と接触させる工程、当該得られたスラリーをメタロセン化合物及びアルキルアルミニウム化合物の溶液と接触させる工程、及び、当該接触生成物を乾燥して担持型バイメタル触媒を得る工程を含む、当該方法を提供する。ここで、当該担持型非メタロセン触媒は、６００℃より高い温度で粒状支持体材料を脱水する工程、非極性炭化水素中で当該脱水支持体のスラリーを調製する工程、当該スラリーを有機マグネシウム化合物及びアルコールと接触させる工程、及び、得られたスラリーを４族又は５族の遷移金属の非メタロセン化合物と接触させる工程によって調製される。当該接触生成物は、アルモキサン溶液との接触の前にスラリーから単離されない。
詳細な説明
１の側面において、本発明は、バイメタル触媒組成物を調製する方法を提供するものである。当該方法には、担持型非メタロセン触媒のスラリーを（当該担持型非メタロセン触媒を単離することなく）提供する工程、当該担持型非メタロセン触媒のスラリーをメタロセン化合物の溶液と接触させる工程、及び、当該接触生成物（ｃｏｎｔａｃｔ ｐｒｏｄｕｃｔ）を乾燥して担持型バイメタル触媒組成物を得る工程を含む。驚くべきことに、本発明では、６００℃より高い温度で脱水した支持体を用いて調製された、担持型非メタロセン遷移金属触媒及び担持型バイメタル触媒のいずれもが、従来の触媒よりも高い活性を示すことを見出した。
１の側面において、本発明は、バイメタル触媒組成物を調製する方法を提供するものである。当該方法には、担持型非メタロセン触媒のスラリーを（当該担持型非メタロセン触媒を単離することなく）提供する工程、当該担持型非メタロセン触媒のスラリーをメタロセン化合物の溶液と接触させる工程、及び、当該接触生成物（ｃｏｎｔａｃｔ ｐｒｏｄｕｃｔ）を乾燥して担持型バイメタル触媒組成物を得る工程を含む。驚くべきことに、本発明では、６００℃より高い温度で脱水した支持体を用いて調製された、担持型非メタロセン遷移金属触媒及び担持型バイメタル触媒のいずれもが、従来の触媒よりも高い活性を示すことを見出した。
１．担持型非メタロセン触媒
１の工程において、本発明の方法は、担持型非メタロセン触媒のスラリーを提供することを含む。当該担持型非メタロセン触媒は、粒状支持体を脱水し、及び、非極性炭化水素溶媒中において脱水支持体のスラリーを有機マグネシウム化合物、アルコール、非メタロセン遷移金属化合物と順番に接触させることによって調製される。触媒合成は、水及び酸素の非存在下において実施される。有益なことに、得られた担持型非メタロセン触媒は、スラリー中に維持され、さらに、当該担持型非メタロセン触媒を単離することなく以下に述べるメタロセン化合物と接触されるため、触媒調製におけるバッチ時間（ｂａｔｃｈ ｔｉｍｅ）が減少する。
１の工程において、本発明の方法は、担持型非メタロセン触媒のスラリーを提供することを含む。当該担持型非メタロセン触媒は、粒状支持体を脱水し、及び、非極性炭化水素溶媒中において脱水支持体のスラリーを有機マグネシウム化合物、アルコール、非メタロセン遷移金属化合物と順番に接触させることによって調製される。触媒合成は、水及び酸素の非存在下において実施される。有益なことに、得られた担持型非メタロセン触媒は、スラリー中に維持され、さらに、当該担持型非メタロセン触媒を単離することなく以下に述べるメタロセン化合物と接触されるため、触媒調製におけるバッチ時間（ｂａｔｃｈ ｔｉｍｅ）が減少する。
支持体は、固体、粒状、多孔質の無機材料が好ましく、例えば、ケイ素及び／又はアルミニウムの酸化物である。当該支持体材料は、約１−５００μｍ、典型的には約１０乃至２５０μｍの平均粒子サイズを有する乾燥粉末の形態で用いられる。当該支持体の表面積は、少なくとも約３ｍ２／ｇであり、典型的にはより大きく、例えば、５０−６００ｍ２／ｇ以上である。種々のグレードのシリカ及びアルミナ支持体材料が、多くの商業的供給源から広く市販されている。
特定の実施態様では、支持体はシリカである。適切なシリカは、高い表面積の非晶質シリカであり、例えば、Ｗ．Ｒ．Ｇｒａｃｅ ａｎｄ ＣｏｍｐａｎｙのＤａｖｉｓｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＤｉｖｉｓｉｏｎによりＤａｖｉｓｏｎ９５２又はＤａｖｉｓｏｎ９５５の商品名で市販されている材料である。これらのシリカは、噴霧乾燥法により得られる球状粒子の形態であり、約３００ｍ２／ｇの表面積、及び約１．６５ｃｍ３／ｇの細孔容積を有する。窒素中に流動化し、約６００℃に加熱することによってシリカを脱水することが周知であり、例えば、米国特許５，５２５，６７８号に記載されている。しかしながら、本明細書に記載のバイメタル触媒のような担持型触媒の活性が、予期せぬことに当該脱水温度に依存することを見出した。従って、例えば、米国特許第５，５２５，６７８号の実施例は６００℃で脱水を示すのに対し、本発明では、驚くべきことに、触媒支持体の調製において６００℃より大きい脱水温度を用いた場合、それよりはるかに高い触媒活性が達成できることを見出した。当該シリカは、６００℃より大きい、又は少なくとも６５０℃、又は少なくとも７００℃、又は少なくとも７５０℃であり、９００℃まで、又は８５０℃まで、又は８００℃までの温度において脱水されることができ、ここで、これらの任意の下限温度から任意の上限温度までの範囲が考慮される。本明細書の実施例に示すように、シリカ担持型バイメタル触媒の活性は、約７００−８５０℃又は７５０−８００℃における最大値まで、シリカ脱水温度と共に非線形的に増大し、及び、これらの範囲における最大触媒活性が特に好ましい。
脱水されたシリカは、非極性炭化水素中にスラリー化される。当該スラリーは、攪拌及び加熱しながら、脱水シリカと炭化水素を混合することによって調製することができる。その後に添加される触媒の失活を避けるため、当該工程及び触媒調製におけるその他の工程は、９０℃未満の温度で実施されるべきである。当該スラリーの調製における典型的な温度範囲は、２５乃至７０℃、又は４０乃至６０℃である。
当該シリカスラリーにおいて適切な非極性炭化水素は、反応温度において液体のものであり、以下に述べる有機マグネシウム化合物、アルコール、及び遷移金属化合物が、少なくとも部分的に当該非極性炭化水素中へ溶解するように選択される。適切な非極性炭化水素には、Ｃ４−Ｃ１０の線状又は分枝アルカン、シクロアルカン、及び芳香族化合物が含まれる。当該非極性炭化水素は、例えば、アルカン（例えば、イソペンタン、ヘキサン、イソヘキサン、ｎ−ヘプタン、オクタン、ノナン、又はデカン等）、シクロアルカン（例えば、シクロヘキサン等）、又は芳香族化合物（例えば、ベンゼン、トルエン、又はエチルベンゼン）であることができる。非極性炭化水素の混合物も、用いることができる。用いる前に、当該非極性炭化水素を、例えばアルミナ、シリカゲル、及び／又はモレキュラーシーブを用いるパーコレーション（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ）によって精製し、微量の水、酸素、極性化合物、及び、触媒活性に悪影響を与え得るその他の物質を除去することができる。
その後、スラリーは、有機マグネシウム化合物と接触される。当該有機マグネシウム化合物は、ＲＭｇＲ’の化合物であり、ここで、Ｒ及びＲ’は、同一又は異なるＣ２−Ｃ１２のアルキル基、又はＣ４−Ｃ１０のアルキル基、又はＣ４−Ｃ８のアルキル基である。特定の実施態様では、有機マグネシウム化合物は、ジブチルマグネシウムである。
用いられる有機マグネシウム化合物の量は、好ましくは、支持体状に物理的又は化学的に沈着（ｄｅｐｏｓｉｔｅ）するシリカスラリーに対する有機マグネシウム化合物の量以下である。これは、過剰の有機マグネシウム化合物が、望ましくない副反応を生じさせる可能性があるからである。支持体の脱水温度は、有機マグネシウム化合物のために使用可能な、支持体上におけるヒドロキシル部位の数に影響を与える。すなわち、脱水温度が高くなると、当該部位の数が減少する。従って、ヒドロキシル基に対する有機マグネシウム化合物の正確なモル比は、変動するものであるが、個別的に、過剰の有機マグネシウム化合物が全く又はほとんど用いられないように決定することができる。有機マグネシウム化合物の適切な量は、当該技術分野における当業者が通常の手法によって（例えば、当該スラリーを攪拌しながら、溶媒中に有機マグネシウム化合物が検出されるまで当該有機マグネシウム化合物をスラリーに添加する等によって）容易に決定できるものである。おおよその指針として、スラリーに添加される有機マグネシウム化合物の量は、Ｍｇ対ヒドロキシル基（ＯＨ）のモル比で、０．５：１乃至４：１、又は０．８：１乃至３：１、又は０．９：１乃至２：１、又は約１：１である。当該有機マグネシウム化合物は、非極性炭化水素に溶解し、有機マグネシウム化合物がそこから支持体上に沈着する溶液を形成する。脱水シリカ（グラム）に対する有機マグネシウム化合物の量（モル）は、典型的には、０．２ｍｍｏｌ／ｇ乃至２ｍｍｏｌ／ｇ、又は０．４ｍｍｏｌ／ｇ乃至１．５ｍｍｏｌ／ｇ、又は０．６ｍｍｏｌ／ｇ乃至１．０ｍｍｏｌ／ｇ、又は０．７ｍｍｏｌ／ｇ乃至０．９ｍｍｏｌ／ｇである。
支持体上に沈着する量を超える有機マグネシウム化合物を添加し、その後、ろ過や洗浄等によってそれを除去することも可能である（ただし、好ましいものではない）。
所望ならば、有機マグネシウム化合物で処理したスラリーは、電子供与体、例えば、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）又は有機アルコールＲ”ＯＨと接触される。ここで、Ｒ”は、Ｃ１−Ｃ１２のアルキル基、又はＣ１−Ｃ８のアルキル基、又はＣ２−Ｃ４のアルキル基である。特定の実施態様において、Ｒ”ＯＨは、ｎ−ブタノールである。用いられるアルコールの量は、Ｒ”ＯＨ：Ｍｇ（モル／モル）の比が、０．２乃至１．５、又は０．４乃至１．２、又は０．６乃至１．１、又は０．９乃至１．０となるのに効果的な量である。
有機マグネシウム化合物及びアルコールで処理したスラリーは、非メタロセン遷移金属化合物と接触される。適切な非メタロセン遷移金属化合物は、シリカスラリーの形成に用いられる非極性炭化水素に可溶性の４族又は５族金属化合物である。適切な非メタロセン遷移金属化合物には、例えば、チタン及びバナジウムのハロゲン化物、オキシハライド（ｏｘｙｈａｌｉｄｅ）、又はアルコキシハライド（ａｌｋｏｘｙｈａｌｉｄｅ）、例えば、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四塩化バナジウム（ＶＣｌ４）、及びオキシ三塩化バナジウム（ＶＯＣｌ３）、及び、チタン及びバナジウムのアルコキシドが含まれる。ここで、当該アルコキシド部位は、１乃至２０炭素原子、好ましくは１乃至６炭素原子の分枝又は非分枝アルキルを有する。そのような遷移金属化合物の混合物も、用いることができる。用いられる非メタロセン遷移金属化合物の量は、遷移金属対マグネシウム（モル／モル）の比が、０．３乃至１．５、又は０．５乃至０．８となるのに十分な量である。
２．担持型バイメタル触媒
担持型バイメタル触媒は、スラリーから担持型非メタロセン触媒を予め単離することなく、担持型非メタロセン遷移金属触媒上にメタロセン化合物を沈着させることにより調製される。
担持型バイメタル触媒は、スラリーから担持型非メタロセン触媒を予め単離することなく、担持型非メタロセン遷移金属触媒上にメタロセン化合物を沈着させることにより調製される。
本明細書において、“メタロセン化合物”という語は、４、５、又は６族の遷移金属（Ｍ）、置換されていることもできるシクロペンタジエニル（Ｃｐ）配位子、少なくとも１の非シクロペンタジエニル由来の配位子（Ｘ）、及び、０又は１のヘテロ原子含有配位子（Ｙ）を有する化合物を意味し、これらの配位子は、原子価に対応した数でＭに配位している。一般に、活性メタロセン触媒（すなわち、配位し、インサートし、オレフィンを重合することができる空の配位部位を有する有機金属化合物）を得るためには、メタロセン触媒前駆体を適切な助触媒（“活性剤”と呼ぶ）で活性化することが必要になる。当該メタロセン触媒前駆体は、以下に示すいずれか又は両方のメタロセン化合物である。
（１）２つのＣｐ環系を配位子として有するシクロペンタジエニル（Ｃｐ）錯体。当該Ｃｐ配位子は、金属とサンドイッチ錯体を形成し、回転自由（未架橋）であることができ、或いは、架橋基を介してリジッドな（ｒｉｇｉｄ）立体配置に固定されることもできる。当該Ｃｐ環配位子は、類似でも非類似でもよく、未置換体、置換体、又はそれらの誘導体であることができる（例えば、置換されることもできるヘテロ環構造）。また、当該置換基が縮合して、その他の置換又は未置換の環構造（例えば、テトラヒドロインデニル、インデニル、又はフルオレニル環等）を形成することができる。当該シクロペンタジエニル錯体は、以下の化学式を有する。
（Ｃｐ１Ｒ１ ｍ）Ｒ３ ｎ（ＣＰ２Ｒ２ ｐ）ＭＸｑ
ここで、ＣＰ１及びＣＰ２は、同一の又は異なるシクロペンタジエニル環であり；Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、ハロゲン、ヒドロカルビル、ハロカルビル、又は、約２０までの炭素原子を有するヒドロカルビル置換有機メタロイド又はハロカルビル置換有機メタロイド基であり；ｍは０乃至５であり；ｐは０乃至５であり；シクロペンタジエニル環の隣接した炭素原子における２つのＲ１及び／又はＲ２置換基は、互いに結合して、４乃至約２０の炭素原子を有する環を形成できる。Ｒ３は架橋基であり；ｎは、２つの配位子を直結させる鎖の原子数であって、０乃至８、好ましくは０乃至３であり；Ｍは、３乃至６の原子価を有する遷移金属であって、好ましくは、元素周期表の４、５、又は６族であり、好ましくは最も高い酸化状態であり；各Ｘは、非シクロペンタジエニル配位子であって、独立に、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、オキシヒドロカルビル、ハロカルビル、約２０までの炭素原子を有するヒドロカルビル置換有機メタロイド、オキシヒドロカルビル置換有機メタロイド、又はハロカルビル置換有機メタロイド基であり；及び、ｑは、Ｍの原子価から２を引いた数である。
（Ｃｐ１Ｒ１ ｍ）Ｒ３ ｎ（ＣＰ２Ｒ２ ｐ）ＭＸｑ
ここで、ＣＰ１及びＣＰ２は、同一の又は異なるシクロペンタジエニル環であり；Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、ハロゲン、ヒドロカルビル、ハロカルビル、又は、約２０までの炭素原子を有するヒドロカルビル置換有機メタロイド又はハロカルビル置換有機メタロイド基であり；ｍは０乃至５であり；ｐは０乃至５であり；シクロペンタジエニル環の隣接した炭素原子における２つのＲ１及び／又はＲ２置換基は、互いに結合して、４乃至約２０の炭素原子を有する環を形成できる。Ｒ３は架橋基であり；ｎは、２つの配位子を直結させる鎖の原子数であって、０乃至８、好ましくは０乃至３であり；Ｍは、３乃至６の原子価を有する遷移金属であって、好ましくは、元素周期表の４、５、又は６族であり、好ましくは最も高い酸化状態であり；各Ｘは、非シクロペンタジエニル配位子であって、独立に、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、オキシヒドロカルビル、ハロカルビル、約２０までの炭素原子を有するヒドロカルビル置換有機メタロイド、オキシヒドロカルビル置換有機メタロイド、又はハロカルビル置換有機メタロイド基であり；及び、ｑは、Ｍの原子価から２を引いた数である。
（２）ただ１つのＣｐ環系を配位子として有するモノシクロペンタジエニル錯体。当該Ｃｐ配位子は、金属と半サンドイッチ錯体を形成し、回転自由（未架橋）であることができ、或いは、架橋基からへテロ原子含有配位子までリジッドな（ｒｉｇｉｄ）立体配置に固定されることもできる。当該Ｃｐ環配位子は、未置換体、置換体、又はそれらの誘導体であることができる（例えば、置換されることもできるヘテロ環構造）。また、当該置換基が縮合して、その他の置換又は未置換の環構造（例えば、テトラヒドロインデニル、インデニル、又はフルオレニル環等）を形成することができる。へテロ原子含有配位子は、金属、及び、（所望ならば）架橋基を経てＣｐ配位子の両方と結合する。当該ヘテロ原子自体は、元素周期表における１５族の配位数３の原子、又は１６族の配位数２の原子である。当該モノシクロペンタジエニル錯体は、以下の化学式を有する。
（Ｃｐ１Ｒ１ ｍ）Ｒ３ ｎ（ＹｒＲ２）ＭＸｓ
ここで、各Ｒ１は、独立に、ハロゲン、ヒドロカルビル、ハロカルビル、又は、約２０までの炭素原子を有するヒドロカルビル置換有機メタロイド又はハロカルビル置換有機メタロイド基であり；“ｍ”は０乃至５であり；シクロペンタジエニル環の隣接した炭素原子における２つのＲ１置換基は、互いに結合して、４乃至約２０の炭素原子を有する環を形成できる。Ｒ３は架橋基であり；“ｎ”は、０乃至３であり；Ｍは、３乃至６の原子価を有する遷移金属であって、好ましくは、元素周期表の４、５、又は６族であり、好ましくは最も高い酸化状態である。Ｙは、元素周期表における１５族の配位数３の原子、又は１６族の配位数２の原子を含むヘテロ原子であって、好ましくは、窒素、リン、酸素、又は硫黄である。Ｒ２は、Ｃ１乃至Ｃ２０の炭化水素ラジカル、及びＣ１乃至Ｃ２０の置換炭化水素ラジカルよりなる群から選択されるラジカルであって、ここで、１以上の水素原子がハロゲン原子で置換される。Ｙが３配位でかつ未架橋の場合には、Ｙに２つのＲ２が存在することができ、当該Ｒ２は、それぞれ独立に、Ｃ１乃至Ｃ２０の炭化水素ラジカル、及びＣ１乃至Ｃ２０の置換炭化水素ラジカルよりなる群から選択され、ここで、１以上の水素原子がハロゲン原子で置換される。各Ｘは、非シクロペンタジエニル配位子であって、独立に、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、オキシヒドロカルビル、ハロカルビル、約２０までの炭素原子を有するヒドロカルビル置換有機メタロイド、オキシヒドロカルビル置換有機メタロイド、又はハロカルビル置換有機メタロイド基であり、“ｓ”は、Ｍの原子価から２を引いた数である。
（Ｃｐ１Ｒ１ ｍ）Ｒ３ ｎ（ＹｒＲ２）ＭＸｓ
ここで、各Ｒ１は、独立に、ハロゲン、ヒドロカルビル、ハロカルビル、又は、約２０までの炭素原子を有するヒドロカルビル置換有機メタロイド又はハロカルビル置換有機メタロイド基であり；“ｍ”は０乃至５であり；シクロペンタジエニル環の隣接した炭素原子における２つのＲ１置換基は、互いに結合して、４乃至約２０の炭素原子を有する環を形成できる。Ｒ３は架橋基であり；“ｎ”は、０乃至３であり；Ｍは、３乃至６の原子価を有する遷移金属であって、好ましくは、元素周期表の４、５、又は６族であり、好ましくは最も高い酸化状態である。Ｙは、元素周期表における１５族の配位数３の原子、又は１６族の配位数２の原子を含むヘテロ原子であって、好ましくは、窒素、リン、酸素、又は硫黄である。Ｒ２は、Ｃ１乃至Ｃ２０の炭化水素ラジカル、及びＣ１乃至Ｃ２０の置換炭化水素ラジカルよりなる群から選択されるラジカルであって、ここで、１以上の水素原子がハロゲン原子で置換される。Ｙが３配位でかつ未架橋の場合には、Ｙに２つのＲ２が存在することができ、当該Ｒ２は、それぞれ独立に、Ｃ１乃至Ｃ２０の炭化水素ラジカル、及びＣ１乃至Ｃ２０の置換炭化水素ラジカルよりなる群から選択され、ここで、１以上の水素原子がハロゲン原子で置換される。各Ｘは、非シクロペンタジエニル配位子であって、独立に、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、オキシヒドロカルビル、ハロカルビル、約２０までの炭素原子を有するヒドロカルビル置換有機メタロイド、オキシヒドロカルビル置換有機メタロイド、又はハロカルビル置換有機メタロイド基であり、“ｓ”は、Ｍの原子価から２を引いた数である。
本発明のｍ−ＶＤＬＰＥポリマーを製造するための、上記グループ（１）に記載したタイプのビスシクロペンタジエニルメタロセンの例は、米国特許第５，３２４，８００号、第５，１９８，４０１号、第５，２７８，１１９号、第５，３８７，５６８号、第５，１２０，８６７号、第５，０１７，７１４号、第４，８７１，７０５号、第４，５４２，１９９号、第４，７５２，５９７号、第５，１３２，２６２号、第５，３９１，６２９号、第５，２４３，００１号、第５，２７８，２６４号、第５，２９６，４３４号、及び第５，３０４，６１４号に開示されている。
上記グループ（１）に記載のタイプにおける適切なビスシクロペンタジエニルメタロセンの具体例は、
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(インデニル)２Ｍ(Ｃｌ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(インデニル)２Ｍ(ＣＨ３)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(テトラヒドロインデニル)２Ｍ(Ｃｌ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(テトラヒドロインデニル)２Ｍ(ＣＨ３)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(インデニル)２Ｍ(ＣＨ２ＣＨ３)２; 及び、
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ(インデニル)２Ｍ(ＣＨ３)２;
（ここで、Ｍは、Ｚｒ又はＨｆである）、
のラセミ体である（ただし、これらに限定されるものではない）。
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(インデニル)２Ｍ(Ｃｌ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(インデニル)２Ｍ(ＣＨ３)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(テトラヒドロインデニル)２Ｍ(Ｃｌ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(テトラヒドロインデニル)２Ｍ(ＣＨ３)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(インデニル)２Ｍ(ＣＨ２ＣＨ３)２; 及び、
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ(インデニル)２Ｍ(ＣＨ３)２;
（ここで、Ｍは、Ｚｒ又はＨｆである）、
のラセミ体である（ただし、これらに限定されるものではない）。
上記グループ（１）に記載のタイプにおける適切な非対称シクロペンタジエニルメタロセンの例は、米国特許第４，８９２，８５１号、第５，３３４，６７７号、第５，４１６，２２８号、及び第５，４４９，６５１号、及びＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１１０巻、６２５５頁（１９８８年）に開示されている。
上記グループ（１）に記載のタイプにおける好ましい非対称シクロペンタジエニルメタロセンの具体例は、
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ（３−メチルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｃ（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ（シクロペンタジエニル）（２−メチルインデニル）Ｍ(ＣＨ３)２;
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ（３−メチルシクロペンタジエニル）（２−メチルインデニル）Ｍ(Ｃｌ)２;
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ（シクロペンタジエニル）（２，７−ジメチルフルオレニル）Ｍ(Ｒ)２; 及び、
μ−(ＣＨ３)２Ｃ（シクロペンタジエニル）（２，７−ジメチルフルオレニル）Ｍ(Ｒ)２;
であり、ここで、ＭはＺｒ又はＨｆであり、ＲはＣｌ又はＣＨ３である（ただし、これらに限定されるものではない）。
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ（３−メチルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｃ（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ（シクロペンタジエニル）（２−メチルインデニル）Ｍ(ＣＨ３)２;
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ（３−メチルシクロペンタジエニル）（２−メチルインデニル）Ｍ(Ｃｌ)２;
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ（シクロペンタジエニル）（２，７−ジメチルフルオレニル）Ｍ(Ｒ)２; 及び、
μ−(ＣＨ３)２Ｃ（シクロペンタジエニル）（２，７−ジメチルフルオレニル）Ｍ(Ｒ)２;
であり、ここで、ＭはＺｒ又はＨｆであり、ＲはＣｌ又はＣＨ３である（ただし、これらに限定されるものではない）。
上記グループ（２）に記載のタイプにおける適切なモノシクロペンタジエニルメタロセンの例は、米国特許第５，０２６，７９８号、第５，０５７，４７５号、第５，３５０，７２３号、第５，２６４，４０５号、第５，０５５，４３８号、及びＷＯ９６／００２２４４に開示されている。
上記グループ（２）に記載のタイプにおける好ましいモノシクロペンタジエニルメタロセンの具体例は、
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(シクロペンタジエニル)（１−アダマンチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル)（１−アダマンチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ２(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−アダマンチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−アダマンチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｃ(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−アダマンチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−ｔｅｒｔ−ブチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(フルオレニル)（１−ｔｅｒｔ−ブチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−シクロドデシルアミド）Ｍ(Ｒ)２; 及び
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−シクロドデシルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
であり、ここで、ＭはＴｉ、Ｚｒ又はＨｆであり、ＲはＣｌ又はＣＨ３である（ただし、これらに限定されるものではない）。
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(シクロペンタジエニル)（１−アダマンチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル)（１−アダマンチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ２(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−アダマンチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−アダマンチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｃ(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−アダマンチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−ｔｅｒｔ−ブチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(フルオレニル)（１−ｔｅｒｔ−ブチルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
μ−(ＣＨ３)２Ｓｉ(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−シクロドデシルアミド）Ｍ(Ｒ)２; 及び
μ−(Ｃ６Ｈ５)２Ｃ(テトラメチルシクロペンタジエニル)（１−シクロドデシルアミド）Ｍ(Ｒ)２;
であり、ここで、ＭはＴｉ、Ｚｒ又はＨｆであり、ＲはＣｌ又はＣＨ３である（ただし、これらに限定されるものではない）。
有用な触媒であるその他の有機金属錯体は、ジイミド配位子系を有するものであり、例えば、ＷＯ ９６／２３０１０に記載されている。適切な有機金属錯体が記載されているその他の参照文献は、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ、２０４６頁（１９９９年）、ＰＣＴ公報ＷＯ９９／１４２５０、ＷＯ９８／５０３９２、ＷＯ９８／４１５２９、ＷＯ９８／４０４２０、ＷＯ９８／４０３７４、ＷＯ９８／４７９３３、及び、欧州公報ＥＰ０８８１２３３及びＥＰ０８９０５８１である。
特定の実施態様において、当該メタロセン化合物は、ビス（シクロペンタジエニル）金属ジハライド、ビス（シクロペンタジエニル）金属ヒドリドハライド、ビス（シクロペンタジエニル）金属モノアルキルモノハライド、ビス（シクロペンタジエニル）金属ジアルキル、又はビス（インデニル）金属ジハライドである。ここで、金属は、ジルコニウム又はハフニウムであり、ハライド基は、好ましくは塩素原子であり、及びアルキル基は、Ｃ１−Ｃ６のアルキルである。そのようなメタロセンの具体例は、
ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（インデニル）ジルコニウム ジブロミド；
ビス（インデニル）ジルコニウム ビス（ｐ−トルエンスルホン酸）;
ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（フルオレニル）ジルコニウム ジクロリド;
エチレン−ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
エチレン−ビス（インデニル）ジルコニウム ジブロミド;
エチレン−ビス（インデニル）ジメチル ジルコニウム;
エチレン−ビス（インデニル）ジフェニル ジルコニウム;
エチレン−ビス（インデニル）メチルジルコニウム モノクロリド;
エチレン−ビス（インデニル）ジルコニウム ビス（メタンスルホン酸）;
エチレン−ビス（インデニル）ジルコニウム ビス（ｐ−トルエンスルホン酸）;
エチレン−ビス（インデニル）ジルコニウム ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）;
エチレン−ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウム ジクロリド;
イソプロピリデン（シクロペンタジエニル−フルオレニル）ジルコニウム ジクロリド;
イロプロピリデン（シクロペンタジエニル−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（インデニル）ジルコニウム ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）;
ジメチルシリル−ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル（シクロペンタジエニル−フルオレニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジフェニルシリル−ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
メチルフェニルシリル−ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ジブロミド;
ビス（シクロペンタジエニル）メチルジルコニウム モノクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）エチルジルコニウム モノクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）シクロヘキシルジルコニウム モノクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）フェニルジルコニウム モノクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ベンジルジルコニウム モノクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム モノクロリド モノヒドリド；
ビス（シクロペンタジエニル）メチルジルコニウム モノヒドリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ジメチルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）ジフェニルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）ジベンジルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）メトキシジルコニウム クロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）エトキシジルコニウム クロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ビス（メタンスルホン酸）；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ビス（ｐ−トルエンスルホン酸）；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）;
ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）エトキシジルコニウム クロリド;
ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）；
ビス（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（メチルエチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（プロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（メチルプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（メチルブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（メチルブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ビス（メタンスルホン酸）；
ビス（トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（ヘキシルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ハフニウム ジクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル；
ビス（シクロペンタジエニル）ハフニウム ジメチル；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ヒドリドクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ハフニウム ヒドリドクロリド；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ハフニウム ジクロリド；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ハフニウム ジメチル；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ヒドリドクロリド；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ハフニウム ヒドリドクロリド；
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ハフニウム ジクロリド；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
シクロペンタジエニルジルコニウム トリクロリド；
ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
及び、
エチレン−[ビス（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−インデニル）ジルコニウム ジクロリド
である（ただし、これらに限定されるものではない）。
ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（インデニル）ジルコニウム ジブロミド；
ビス（インデニル）ジルコニウム ビス（ｐ−トルエンスルホン酸）;
ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（フルオレニル）ジルコニウム ジクロリド;
エチレン−ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
エチレン−ビス（インデニル）ジルコニウム ジブロミド;
エチレン−ビス（インデニル）ジメチル ジルコニウム;
エチレン−ビス（インデニル）ジフェニル ジルコニウム;
エチレン−ビス（インデニル）メチルジルコニウム モノクロリド;
エチレン−ビス（インデニル）ジルコニウム ビス（メタンスルホン酸）;
エチレン−ビス（インデニル）ジルコニウム ビス（ｐ−トルエンスルホン酸）;
エチレン−ビス（インデニル）ジルコニウム ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）;
エチレン−ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウム ジクロリド;
イソプロピリデン（シクロペンタジエニル−フルオレニル）ジルコニウム ジクロリド;
イロプロピリデン（シクロペンタジエニル−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル−ビス（インデニル）ジルコニウム ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）;
ジメチルシリル−ビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジメチルシリル（シクロペンタジエニル−フルオレニル）ジルコニウム ジクロリド;
ジフェニルシリル−ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
メチルフェニルシリル−ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ジブロミド;
ビス（シクロペンタジエニル）メチルジルコニウム モノクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）エチルジルコニウム モノクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）シクロヘキシルジルコニウム モノクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）フェニルジルコニウム モノクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ベンジルジルコニウム モノクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム モノクロリド モノヒドリド；
ビス（シクロペンタジエニル）メチルジルコニウム モノヒドリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ジメチルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）ジフェニルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）ジベンジルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）メトキシジルコニウム クロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）エトキシジルコニウム クロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ビス（メタンスルホン酸）；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ビス（ｐ−トルエンスルホン酸）；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）;
ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド;
ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）エトキシジルコニウム クロリド;
ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ビス（トリフルオロメタンスルホン酸）；
ビス（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（メチルエチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（プロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（メチルプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（メチルブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（メチルブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ビス（メタンスルホン酸）；
ビス（トリメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（ヘキシルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ハフニウム ジクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル；
ビス（シクロペンタジエニル）ハフニウム ジメチル；
ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム ヒドリドクロリド；
ビス（シクロペンタジエニル）ハフニウム ヒドリドクロリド；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ハフニウム ジクロリド；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ハフニウム ジメチル；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ヒドリドクロリド；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ハフニウム ヒドリドクロリド；
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ハフニウム ジクロリド；
ビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロリド；
シクロペンタジエニルジルコニウム トリクロリド；
ビス（インデニル）ジルコニウム ジクロリド；
ビス（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−インデニル）ジルコニウム ジクロリド;
及び、
エチレン−[ビス（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−インデニル）ジルコニウム ジクロリド
である（ただし、これらに限定されるものではない）。
種々の実施態様では、芳香族溶媒（例えば、ベンゼン、トルエン、又はエチルベンゼン等）においてアルモキサン活性剤の溶液が調製される。アルモキサンは、典型的には、化学式（Ｒ−Ａｌ−Ｏ）ｎで表わされる環状化合物、又はＲ（Ｒ−Ａｌ−Ｏ）ｎＡｌＲ２で表わされる線状化合物であるオリゴマー性アルミニウム化合物である。これらの化学式において、Ｒ又はＲ２は、それぞれＣ１乃至Ｃ８のアルキルラジカル、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、又はペンチルであり、“ｎ”は、１乃至約５０の整数である。最も好ましくは、Ｒはメチル、“ｎ”は少なくとも４であり、すなわち、メチルアルモキサン（ＭＡＯ）である。アルモキサンは、当該技術分野において公知の種々の手法によって調製することができる。例えば、アルキルアルミニウムを、不活性有機溶媒に溶解した水で処理することにより、或いは、不活性有機溶媒に懸濁した水和塩（例えば、水和硫酸銅又は水和硫酸鉄）と接触させることにより、アルモキサンを得ることができる。アルモキサンの調製の例が、米国特許第５，０９３，２９５号、第５，９０２，７６６号、及びそれらにおける引用文献に開示されている。調製できるとはいっても、一般には、一定限度の量の水とアルキルアルミニウムとの反応では、アルモキサンの複雑な混合物が得られる。ＭＡＯの更なる特性評価については、Ｄ．Ｃａｍ及びＥ．Ａｌｂｉｚｚａｔｉ、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．、１９１巻、１６４１−１６４７頁（１９９０）に記載されている。ＭＡＯは、また、種々の商業的供給源から、典型的には３０重量％のトルエン溶液として入手可能である。１の実施態様では、アルモキサンによって供給されるアルミニウムの量は、アルミニウム対メタロセンの遷移金属（モル／モル）の比が、５０：１乃至５００：１、又は７５：１乃至３００：１、又は８５：１乃至２００：１、又は９０：１乃至１１０：１となるのに十分な量である。
特定の実施態様では、当該メタロセン化合物は、アルモキサン溶液中に存在する。これらの実施態様では、当該メタロセン化合物とアルモキサンは、芳香族溶媒中において、２０乃至８０℃で０．１乃至６．０時間混合される。
特定の実施態様では、アルキルアルミニウム化合物が用いられる。当該アルキルアルミニウム化合物は、トリアルキルアルミニウム化合物であることができ、ここで、当該アルキル基は１乃至１０の炭素原子を有し、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、ヘプチル、イソヘプチル、オクチル、又はイソオクチルである。特に有用なアルキルアルミニウム化合物には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）及びトリエチルアルミニウム（ＴＥＡＬ）が含まれる。当該アルキルアルミニウム化合物は、メタロセン化合物によって供給される遷移金属化合物に対するトリアルキルアルミニウム化合物のモル比が、０．５０又は１．０又は２．０乃至５０又は２０又は１５の範囲となるような量で用いられる。特定の実施態様では、当該アルキルアルミニウム化合物は、Ｃ５−Ｃ１２の炭化水素溶媒（例えば、ペンタン、イソペンタン、ヘキサン、イソヘキサン、又はヘプタン）の溶液中に供給される。
１の実施態様では、非メタロセン遷移金属触媒のスラリーは、Ｃ５−Ｃ１２の炭化水素溶媒中のアルキルアルミニウム化合物及びメタロセン化合物の溶液と接触される。得られた混合物は、その後、芳香族溶媒中のアルモキサン溶液と接触される。
別の実施態様では、非メタロセン遷移金属触媒のスラリーは、芳香族溶媒中のアルモキサン及びメタロセン化合物の溶液と接触される。
別の実施態様では、非メタロセン遷移金属触媒のスラリーは、アルキルアルミニウム化合物、又はアルキルアルミニウム化合物溶液と接触される。得られた混合物は、その後、芳香族溶媒中のアルモキサン及びメタロセン化合物の溶液と接触される。
別の実施態様では、非メタロセン遷移金属触媒のスラリーは、芳香族溶媒中のアルモキサン溶液と接触される。得られた混合物は、その後、Ｃ５−Ｃ１２の炭化水素溶媒中のアルキルアルミニウム化合物及びメタロセン化合物と接触される。
これら実施態様のいずれにおいても、その後、得られた接触生成物（ｃｏｎｔａｃｔ ｐｒｏｄｕｃｔ）を（典型的には４０−６０℃の温度において）乾燥することによって、担持型バイメタル触媒が得られる。
当該バイメタル触媒を用いて、二峰性分布の分子量或いはコモノマー組成、又はその両方を有するポリオレフィンのホモポリマー及びコポリマーを製造することができる。これらの触媒は、種々の重合反応器において、例えば、流動床反応器、オートクレーブ、及びスラリー反応器等において用いることができる。
本実施例は、触媒調製に用いる支持体材料を従来よりも高い温度で脱水した場合に、担持型非メタロセン遷移金属触媒の活性が向上することを示すものである。Ｄａｖｉｓｏｎ９５５の２つの試料を用意し、一方は６００℃の温度において脱水し（試料１Ａ）、もう一方は８５０℃の温度において脱水した（試料１Ｂ）。その後、当該脱水シリカを、上記のように、ジブチルマグネシウム（シリカ１ｇ当り０．７２ｍｍｏｌ）、ブタノール、及び四塩化チタンで処理し、担持型非メタロセン遷移金属触媒を得た。続いて、当該担持型非メタロセン触媒を乾燥し、さらさらの粉末を得た。その後、実験用スラリー反応器中で当該触媒を用いてエチレンを重合し、各試料について触媒活性を評価した。試料１Ａ（６００℃で脱水したシリカを使用）の活性は、１時間当り、触媒１グラム当り３９００グラムのポリエチレンであり、試料１Ｂ（８５０℃で脱水したシリカを使用）の活性は、１時間当り、触媒１グラム当り４９６０グラムのポリエチレンであった。
２つの非メタロセン遷移金属触媒を調製した。Ｄａｖｉｓｏｎ９５５の試料を、６００℃（試料２Ａ）及び８００℃（試料２Ｂ）において４時間、窒素流れ下で脱水した。その後、各試料を以下のように処理した。４．００ｇの脱水シリカを、１００ｍＬのヘキサンと共にシュレンクフラスコ（ｓｃｈｌｅｎｋ ｆｌａｓｋ）に入れた。当該フラスコを約５０℃の油浴に入れ、攪拌した。シリンジを用いてジブチルマグネシウム（２．８８ｍｍｏｌ）を約５０℃の攪拌スラリーへ添加し、当該スラリーをこの温度で１時間攪拌した。２．９６ｍｍｏｌのｎ−ブタノールを、シリンジを用いて約５０℃の攪拌スラリーへ添加し、当該混合物をこの温度で１時間攪拌した。最後に、１．７２８ｍｍｏｌのＴｉＣｌ４を、シリンジを用いて約５０℃の攪拌スラリーへ添加し、攪拌を１時間続けた。その後、約５０℃において窒素流れ下で液相を除去し、さらさらの粉末を得た。
当該２つの試料を用いて、エチレン／１−ヘキセンコポリマーを調製した。２．０Ｌのステンレス製オートクレーブに、緩やかに窒素パージしつつ、ヘキサン（７５０ｍＬ）及び１−ヘキセン（４０ｍＬ）を添加し、さらに、２．０ｍｍｏｌのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を添加した。反応器の通気口（ｖｅｎｔ）を閉め、攪拌を１０００ｒｐｍまで増加し、温度を９５℃まで上昇させた。水素により内部圧を６．０ｐｓｉ（４１ｋＰａ）に上昇させた後、エチレンを導入して２７０ｐｓｉｇ（１．９ＭＰａ）の全圧を維持した。その後、温度を８５℃まで下げ、２０．３ｍｇの触媒をエチレン超過圧力（ｏｖｅｒ−ｐｒｅｓｓｕｒｅ）の反応器に導入し、温度を上昇させ９５℃に維持した。重合反応を１時間実行し、その後、エチレンの供給を停止した。当該反応器を室温まで冷却し、ポリエチレンを捕集した。
６００℃で脱水したシリカから調製した触媒（試料２Ａ）の活性は、１時間当り、触媒１グラム当り３６２０グラムのポリエチレンであり、８００℃で脱水したシリカから調製した触媒（試料２Ｂ）の活性は、１時間当り、触媒１グラム当り４６１０グラムのポリエチレンであった。
２つのバイメタル触媒試料を調製した。まず、実施例２と同様に、６００℃で脱水したシリカを用いて（試料３Ａ）及び８００℃で脱水したシリカ（試料３Ｂ）を用いて、それぞれ非メタロセン触媒を調製し、単離した。その後、各試料を以下のように処理した。室温において、攪拌しながら、乾燥した非メタロセン触媒をヘキサン（触媒１グラム当り５ｍＬ）中に再度スラリー化した。当該攪拌スラリーへ、トルエン中で３０重量％のＭＡＯ（非メタロセン触媒１ｇ当り６．８ｍｍｏｌのＡｌ）とビス（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド（Ａｌ／Ｚｒのモル比が、１００：１）の反応生成物溶液をゆっくり添加した。当該暗褐色の混合物を、室温で１時間攪拌した後、約４５℃に加熱した。その後、窒素流れ下で液相を除去し、さらさらの褐色粉末を得た。
当該２つのバイメタル触媒試料を用いて、実施例２に従ってエチレン／１−ヘキセンを重合した。６００℃で脱水したシリカを用いて調製したバイメタル触媒（試料３Ａ）の活性は、１時間当り、バイメタル触媒１グラム当り１８５０グラムのポリエチレンであり、８００℃で脱水したシリカを用いて調製したバイメタル触媒（試料２Ｂ）の活性は、１時間当り、バイメタル触媒１グラム当り２９７０グラムのポリエチレンであった。
実施例３に従って調製したバイメタル触媒を用い、パイロット規模の流動床反応器においてエチレン／１−ヘキセンを重合した。表１における実施例４Ａは、試料３Ａ触媒についての反応器条件及び結果を示すものであり、実施例４Ｂは試料３Ｂ触媒についての反応器条件及び結果を示すものである。
実施例１−４の結果を表２にまとめる。各実施例において、“Ａ”試料は、６００℃で脱水したシリカを用いて調製したものであり、“Ｂ”試料は、６００℃より高い温度で脱水したシリカを用いて調製したものである。ここで、異なる行における活性の値は、触媒や重合方法等が相違するため、直接は比較できないことに留意されたい。しかしながら、同じ行においては、活性の変化（増加率％）は、高いシリカ焼成温度を用いることによる予期せぬ効果を示している。
実施例２に従って、ＴｉＯ４に基づく担持型非メタロセン触媒を調製し、単離した。ただし、シリカ試料は、６００℃乃至８３０℃の種々の温度において脱水したものである。当該チタン触媒を用いて、エチレン／１−ヘキセンコポリマーを以下のとおり調製した。２．０Ｌのステンレス製オートクレーブに、緩やかに窒素パージしつつ、イソブタン（８００ｍＬ）及び１−ヘキセン（２０ｍＬ）を添加し、さらに、１．８６ｍｍｏｌのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を添加した。反応器の通気口を閉め、攪拌を１０００ｒｐｍまで増加し、温度を８５℃まで上昇させた。エチレン及び７５ｍｍｏｌの水素を添加して、全圧を３２５ｐｓｉｇ（２．２４ＭＰａ）にした。１００ｍｇの触媒をエチレン超過圧力の反応器に導入し、温度を８５℃に維持した。重合反応を４０分間実行し、その後、エチレンの供給を停止した。当該反応器を室温まで冷却し、ポリエチレンを捕集した。各脱水温度について、それぞれ２つの試料を調製し、実験を行った。各温度における活性の結果を表３に示す。
脱水温度に対する平均活性を図１に示す（ひし形記号、縦軸は左）。
本実施例では、実施例５の非メタロセン触媒を用いて、実施例３に従ってバイメタル触媒を調整した。その後、エチレン／１−ヘキセンの重合を以下のとおり行った。２．０Ｌのステンレス製オートクレーブに、緩やかに窒素パージしつつ、ｎ−ヘキサン（７００ｍＬ）、１−ヘキセン（４０ｍＬ）、及び水（１４μＬ）を添加し、さらに、２．０ｍｍｏｌのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を添加した。反応器の通気口を閉め、攪拌を１０００ｒｐｍまで増加し、温度を９５℃まで上昇させた。エチレン及び４ｐｓｉｇ（２８ｋＰａ）の水素を添加して、全圧を２０５ｐｓｉｇ（１．４１ＭＰａ）にした。３０ｍｇのバイメタル触媒をエチレン超過圧力の反応器に導入し、温度を９５℃に維持した。重合反応を６０分間実行し、その後、エチレンの供給を停止した。当該反応器を室温まで冷却し、ポリエチレンを捕集した。各脱水温度について、それぞれ少なくとも２つの試料を調製し、実験を行った。各温度における活性の結果を表４に示す。
脱水温度に対する平均活性（四角記号、縦軸は右）を、比較のための非メタロセン遷移金属触媒のデータと共に図１に示す。この図から明らかなように、６００℃より高い温度で脱水したシリカを用いることにより、非メタロセン遷移金属触媒の活性及びバイメタル触媒の活性がいずれも著しく増大している。
以下の実施例は、メタロセン化合物との接触の前に非メタロセン触媒を単離しないでバイメタル触媒を調製する方法を例証するものである。
Ｄａｖｉｓｏｎ９５５シリカを、８００℃において４時間脱水した。２．００ｇの当該シリカと６０ｍＬのヘプタンをシュレンクフラスコに添加した。当該フラスコを５５℃の油浴に入れ、攪拌した。ジブチルマグネシウム（１．４４ｍｍｏｌ）を５５℃の攪拌スラリーに添加し、攪拌を１時間続けた。５５℃において１−ブタノール（１．３６８ｍｍｏｌ）を添加し、当該混合物をさらに１時間攪拌した。５５℃においてＴｉＣｌ４（０．８６４ｍｍｏｌ）を添加し、攪拌を１時間続けた。フラスコを油浴から取り出し、室温まで冷却した。２．３８ｍｍｏｌのＴＭＡ及び０．１９０４ｍｍｏｌの（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２を含むヘプタン溶液（１．８ｍＬ）を添加した。１時間の攪拌の後、トルエン中のＭＡＯ（１９．０４ｍｍｏｌのＡｌ）を混合物に添加し、攪拌を０．６時間続けた。その後、フラスコを５５℃の油浴に入れ、窒素パージ下で溶媒を除去し、さらさらの褐色粉末を得た。
ＴｉＣｌ４を添加する工程までを実施例７に従って触媒を調製した。フラスコを油浴から取り出して室温まで冷却した後、ＭＡＯ（１９．０４ｍｍｏｌのＡｌ）及び（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２（０．１９０４ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（４．４ｍＬ）を混合物に添加した。１時間の攪拌の後、フラスコを油浴（５０℃）に入れ、窒素パージ下で溶媒を除去し、さらさらの褐色粉末を得た。
ＴｉＣｌ４を添加する工程までを実施例７に従って触媒を調製した。フラスコを油浴から取り出して室温まで冷却した後、ＴＭＡ（２．３８ｍｍｏｌ）を混合物に添加した。１時間の攪拌の後、ＭＡＯ（１９．０４ｍｍｏｌのＡｌ）及び（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２（０．１９０４ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（４．４ｍＬ）を混合物に添加した。１時間の攪拌の後、フラスコを油浴（５０℃）に入れ、窒素パージ下で溶媒を除去し、さらさらの粉末を得た。
Ｄａｖｉｓｏｎ９５５シリカを、８００℃において４時間脱水した。２．５０ｇの当該シリカと９０ｍＬのヘプタンをシュレンクフラスコに添加した。当該フラスコを５０℃の油浴に入れ、攪拌した。ジブチルマグネシウム（１．８０ｍｍｏｌ）を４９℃の攪拌スラリーに添加し、攪拌を約１時間続けた。４９℃において１−ブタノール（２．１６ｍｍｏｌ）を添加し、当該混合物をさらに１時間攪拌した。４９℃においてＴｉＣｌ４（１．０８ｍｍｏｌ）を添加し、攪拌を１時間続けた。フラスコを油浴から取り出し、室温まで冷却した。ＴＭＡ（４．３０ｍｍｏｌ）のヘプタン溶液を添加し、攪拌を１時間続けた。０．２０３ｍｍｏｌの（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２を含むＭＡＯ（２０．３０ｍｍｏｌのＡｌ）のトルエン溶液を添加した。その後、窒素パージ下で溶媒を除去し、さらさらの粉末を得た。
ＴｉＣｌ４を添加する工程までを実施例７に従って触媒を調製した。フラスコを油浴から取り出して室温まで冷却した後、トルエン中のＭＡＯ（１９．０４ｍｍｏｌのＡｌ）を混合物に添加した。１時間の攪拌の後、ＴＭＡ（２．３８ｍｍｏｌ）及び（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２（０．１９０４ｍｍｏｌ）を含むヘプタン溶液（１．８ｍＬ）を室温で混合物に添加した。その後、フラスコを油浴（５５℃）に入れ、窒素パージ下で溶媒を除去し、さらさらの褐色粉末を得た。
ＴＭＡの代わりにトリエチルアルミニウム（ＴＥＡＬ、２．３８ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例７と同様に触媒を調製した。
実施例７−１２の調製手順の概略を表５に示す。ここで、“９５５−８００Ｓｉ”は、８００℃で脱水したＤａｖｉｓｏｎ９５５シリカを表わし、“Ｍ”はメタロセン化合物を表わす。
いくつかの実施態様では、メタロセン化合物のパラフィン系炭化水素溶液を用いている（実施例７、１１、及び１２）。メタロセン化合物は全て、それ自体ではそのような溶媒にほとんど溶けないが、トリアルキルアルミニウム化合物と接触させると可溶化するものがいくつかある。
０．１９０４ｍｍｏｌ（０．０７７ｇ）の（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２を１０ｍＬのセラムボトル（ｓｅｒｕｍ ｂｏｔｔｌｅ）に添加し、窒素を流した後、ＴＭＡのヘプタン溶液１．８ｍＬ（２．３８ｍｍｏｌ）を添加した。メタロセン錯体は速やかに溶解し、黄色の溶液が得られた。
０．２３０ｍｍｏｌ（０．０９３３ｇ）の（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２をＮＭＲチューブに添加し、窒素を流した後、ｎ−ヘプタンを２ｍＬ添加した。メタロセン錯体は溶解しなかった。その後、ＴＭＡのヘプタン溶液２．３ｍＬ（１．７０ｍｍｏｌ）をチューブに添加したところ、メタロセン錯体が速やかに溶解した。当該溶液の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを測定し、（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２錯体単独の場合（重クロロホルム溶液）のスペクトルと比較した。（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２単独の場合のスペクトルは、Ｃｐの炭素原子の範囲において、−１３５．２、−１１６．８、及び−１１２．４ｐｐｍの３つのシグナルしか示さなかった。一方、（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２とＴＭＡの接触生成物のスペクトルは、−１３５．５、−１３１．７、−１１７．０、−１１４．８、−１１２．５、−１１２．０、−１１０．６、及び−１０８．８ｐｐｍに８つのシグナルを示した。この相違は、（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２−ＴＭＡ接触生成物が、特異な物質（ｕｎｉｑｕｅ ｅｎｔｉｔｙ）であることを示すものである。
ＴＭＡの代わりに２．３８ｍｍｏｌのＴＥＡＬを用いたこと以外は、実施例１３と同様に（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２をヘプタンに溶解させた。メタロセン錯体は速やかに溶解し、黄色の溶液が得られた。
０．２７２ｍｍｏｌ（０．１０９７ｇ）の（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２をＮＭＲチューブに添加し、窒素を流した後、ｎ−ヘプタンを２ｍＬ添加した。メタロセン錯体は溶解しなかった。その後、ＴＥＡＬのヘプタン溶液２．０ｍＬ（３．０６ｍｍｏｌ）をチューブに添加したところ、メタロセン錯体が速やかに溶解した。当該溶液の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを測定し、（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２錯体単独の場合のスペクトルと比較した。（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２とＴＥＡＬの接触生成物のスペクトルは、−１２６．２乃至−１０４．４ｐｐｍの範囲を含むＣｐ炭素の領域において、１５のシグナルを示した。（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２単独のスペクトル（実施例１４参照）に対する当該相違は、（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２−ＴＥＡＬ接触生成物が、特異な物質であることを示すものである。
Ｃｐ２ＺｒＣｌ２をヘプタンに溶解する試みを、実施例１３に従って実行した。（ｎ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＣｌ２に代えて、０．１９０４ｍｍｏｌのＣｐ２ＺｒＣｌ２を用いた。しかしながら、この場合には、メタロセン錯体は溶解しないままであった。それゆえ、実施例７、１１、及び１２と同様の触媒調製手法は、この錯体には適用できない。
本実施例は、バイメタル触媒とＴＭＡ助触媒を用いるエチレン／１−ヘキセンコポリマーの調製を示すものである。電磁式羽根攪拌機を備えた１．６Ｌのステンレス製オートクレーブに、５０℃で緩やかに窒素パージしつつ、ヘプタン（７５０ｍＬ）及び１−ヘキセン（３０ｍＬ）を添加し、さらに、２．０ｍｍｏｌのＴＭＡを添加した。その後、反応器の通気口を閉め、攪拌を１０００ｒｐｍまで増加し、温度を９５℃まで上昇させた。水素により内部圧を６．０ｐｓｉ（４１ｋＰａ）に上昇させた後、エチレンを導入して２０４ｐｓｉｇ（１．４１ＭＰａ）の全圧を維持した。その後、温度を８５℃まで下げ、３７．６ｍｇのバイメタル触媒をエチレン超過圧力の反応器に導入し、温度を上昇させ９５℃に維持した。重合反応を１時間実行し、その後、エチレンの供給を停止した。当該反応器を室温まで冷却し、ポリエチレンを捕集した。
以下に述べる以外は実施例８の手順に従って、２つの触媒を調製した。実施例１９Ａについては、６００℃で脱水したシリカを用い、ヘプタンの代わりにヘキサンをシリカスラリーに用いた。実施例１９Ｂについては、８００℃で脱水したシリカを用い、シリカスラリーにヘキサンを用いた。得られたバイメタル触媒を用いて、実施例１８の方法によりエチレン／１−ヘキセンを重合し、当該触媒の活性を測定した。結果を表６に示す。
表６から、より高い温度で脱水したシリカを用いて製造した触媒の活性が、比較例の触媒よりも約２０％高いことがわかる。
すべての特許、試験方法、及び本明細書で引用したその他の刊行物（優先権書類を含む）は、そのような開示内容が本発明と矛盾しない範囲内において、並びにそのような取り込みが許されるすべての法域において、引用によって本明細書中に完全に取り込まれる。
Claims (22)
- バイメタル触媒の製造方法であって、
（ａ）（i）６００℃より高い温度で粒状支持体材料を脱水する工程、
（ii）非極性脂肪族炭化水素中で当該脱水支持体のスラリーを調製する工程、
（iii）（ii）のスラリーを有機マグネシウム化合物ＲＭｇＲ’の化合物（ここで、Ｒ及びＲ’は、同一又は異なるＣ２−Ｃ１２のアルキル基である）と接触させる工程、及び、
（iv）（iii）のスラリーを４族又は５族の遷移金属の非メタロセン化合物と接触させる工程
により担持型非メタロセン触媒のスラリーを提供する工程、
（ｂ）当該非極性炭化水素中の担持型非メタロセン触媒のスラリーをＣ５−Ｃ１２脂肪族溶媒中のアルキルアルミニウム化合物及びメタロセン化合物の溶液と接触させる工程、
（ｃ）（ｂ）のスラリーを芳香族溶媒中のアルキルアルモキサン溶液と接触させる工程、及び、
（ｄ）（ｃ）の生成物を乾燥して担持型バイメタル触媒を得る工程
を含む、当該方法。 - バイメタル触媒の製造方法であって、
（ａ）（i）６００℃より高い温度で粒状支持体材料を脱水する工程、
（ii）非極性脂肪族炭化水素中で当該脱水支持体のスラリーを調製する工程、
（iii）（ii）のスラリーを有機マグネシウム化合物ＲＭｇＲ’の化合物（ここで、Ｒ及びＲ’は、同一又は異なるＣ２−Ｃ１２のアルキル基である）と接触させる工程、及び、
（iv）（iii）のスラリーを４族又は５族の遷移金属の非メタロセン化合物と接触させる工程
により担持型非メタロセン触媒のスラリーを提供する工程、
（ｂ）当該非極性炭化水素中の担持型非メタロセン触媒のスラリーを芳香族溶媒中のアルキルアルモキサン及びメタロセン化合物の溶液と接触させる工程、及び、
（ｃ）（ｂ）の生成物を乾燥して担持型バイメタル触媒を得る工程
を含む、当該方法。 - バイメタル触媒の製造方法であって、
（ａ）（i）６００℃より高い温度で粒状支持体材料を脱水する工程、
（ii）非極性脂肪族炭化水素中で当該脱水支持体のスラリーを調製する工程、
（iii）（ii）のスラリーを有機マグネシウム化合物ＲＭｇＲ’の化合物（ここで、Ｒ及びＲ’は、同一又は異なるＣ２−Ｃ１２のアルキル基である）と接触させる工程、及び、
（iv）（iii）のスラリーを４族又は５族の遷移金属の非メタロセン化合物と接触させる工程
により担持型非メタロセン触媒のスラリーを提供する工程、
（ｂ）当該非極性炭化水素中の担持型非メタロセン触媒のスラリーをアルキルアルミニウム化合物と接触させる工程、
（ｃ）（ｂ）のスラリーを芳香族溶媒中のアルキルアルモキサン及びメタロセン化合物の溶液と接触させる工程、及び、
（ｄ）（ｃ）の生成物を乾燥して担持型バイメタル触媒を得る工程
を含む、当該方法。 - バイメタル触媒の製造方法であって、
（ａ）（i）６００℃より高い温度で粒状支持体材料を脱水する工程、
（ii）非極性脂肪族炭化水素中で当該脱水支持体のスラリーを調製する工程、
（iii）（ii）のスラリーを有機マグネシウム化合物ＲＭｇＲ’の化合物（ここで、Ｒ及びＲ’は、同一又は異なるＣ２−Ｃ１２のアルキル基である）と接触させる工程、及び、
（iv）（iii）のスラリーを４族又は５族の遷移金属の非メタロセン化合物と接触させる工程
により担持型非メタロセン触媒のスラリーを提供する工程、
（ｂ）当該非極性炭化水素中の担持型非メタロセン触媒のスラリーを芳香族溶媒中のアルキルアルモキサン溶液と接触させる工程、
（ｃ）（ｂ）のスラリーをＣ５−Ｃ１２脂肪族溶媒中のアルキルアルミニウム化合物及びメタロセン化合物の溶液と接触させる工程、及び、
（ｄ）（ｃ）の生成物を乾燥して担持型バイメタル触媒を得る工程
を含む、当該方法。 - 前記支持体材料がシリカである、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記支持体材料が６５０℃乃至９００℃の温度において脱水される、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記支持体材料が７００℃乃至８５０℃の温度において脱水される、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記支持体材料が７５０℃乃至８００℃の温度において脱水される、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記工程（ａ）における非極性炭化水素が、Ｃ４−Ｃ１０の線状又は分枝アルカン、シクロアルカン、及び芳香族化合物よりなる群から選択される、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記有機マグネシウム化合物がジブチルマグネシウムである、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記有機マグネシウム化合物が、脱水支持体材料１グラム当り０．２ｍｍｏｌ乃至２ｍｍｏｌの量で用いられる、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 工程（iv）の前に、（iii）のスラリーを電子供与体と接触させる工程をさらに含む、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記電子供与体が、アルコールＲ”ＯＨ（ここで、Ｒ”は、Ｃ１−Ｃ１２のアルキル基である）を含む、請求項１２に記載の方法。
- 前記アルコールがｎ−ブタノールである、請求項１３に記載の方法。
- 前記アルコールが、前記有機マグネシウム化合物により提供されるマグネシウム１モル当り０．２乃至１．５モルの量で用いられる、請求項１３に記載の方法。
- 前記４族又は５族の遷移金属が、チタン又はバナジウムである、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記非メタロセン遷移金属化合物が、ハロゲン化チタン、チタンオキシハライド、チタンアルコキシハライド、ハロゲン化バナジウム、バナジウムオキシハライド、又はバナジウムアルコキシハライドである、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記非メタロセン遷移金属化合物が、前記有機マグネシウム化合物により提供されるマグネシウム１モル当り０．３乃至１．５モルの４族又は５族遷移金属を提供する量で用いられる、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記メタロセン化合物が、置換された未架橋のビスシクロペンタジエニル化合物である、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記アルキルアルミニウム化合物がトリメチルアルミニウムである、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記アルキルアルミニウム化合物がトリエチルアルミニウムである、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
- 前記アルキルアルモキサンがメチルアルモキサンである、請求項１乃至４のいずれか１に記載の方法。
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