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JP2005317346A - Display device - Google Patents

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JP2005317346A
JP2005317346A JP2004133707A JP2004133707A JP2005317346A JP 2005317346 A JP2005317346 A JP 2005317346A JP 2004133707 A JP2004133707 A JP 2004133707A JP 2004133707 A JP2004133707 A JP 2004133707A JP 2005317346 A JP2005317346 A JP 2005317346A
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JP
Japan
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display device
substrate
organic
sealing substrate
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP2004133707A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Haruhara
一之 春原
Reiko Yamashita
礼子 山下
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Japan Display Central Inc
Original Assignee
Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device maintaining a good display performance for a long time, and reduced in size and manufacturing cost. <P>SOLUTION: The display device is equipped with an array substrate 100 and a sealing substrate 200 to seal the array substrate 100. The sealing substrate 200 is equipped with a heat conduction layer 250 having a higher thermal conductivity than the sealing substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、表示装置に係り、特に、複数の自己発光素子を含んで構成される有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。   The present invention relates to a display device, and more particularly to an organic electroluminescence display device including a plurality of self-light emitting elements.

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。   In recent years, organic electroluminescence (EL) display devices have attracted attention as flat display devices. Since this organic EL display device is a self-luminous element, it has a wide viewing angle, can be thinned without requiring a backlight, has low power consumption, and has a high response speed. ing.

これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。有機EL表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した有機EL素子をマトリックス状に配置することにより構成されたアレイ基板を備えて構成されている。   Because of these characteristics, organic EL display devices are attracting attention as potential candidates for next-generation flat display devices that can replace liquid crystal display devices. An organic EL display device is configured to include an array substrate configured by arranging organic EL elements having an organic active layer containing an organic compound having a light emitting function between an anode and a cathode in a matrix. .

このような有機EL表示装置においては、有機EL素子の長寿命化が課題となっている。   In such an organic EL display device, there is a problem of extending the life of the organic EL element.

有機EL素子が劣化する大きな原因のひとつとして熱による影響が挙げられる。この熱は、発光のために電圧、電流を流す以上は必ず発生してしまう。また、有機EL表示装置の画面内で熱の発生または除熱の状態が異なることにより、各有機EL素子における輝度の劣化度合いも異なる。このため、輝度劣化に面内バラツキが生じてしまい、その結果、表示品位の低下を招くことになる。   One of the major causes of deterioration of the organic EL element is the influence of heat. This heat is inevitably generated as long as voltage and current are applied for light emission. In addition, the degree of deterioration in luminance in each organic EL element varies depending on the state of heat generation or heat removal in the screen of the organic EL display device. For this reason, in-plane variation occurs in the luminance deterioration, and as a result, the display quality is lowered.

これを解決するために、アレイ基板を構成するプラスチック基板上に放熱層を設ける技術が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。このような放熱層は、複数の画素に共通に形成される。このため、導電性を有する材料によって放熱層を形成した場合には、画素間のショートを防止するために放熱層と各画素の有機EL素子との間に絶縁層を設ける必要がある。絶縁層の成膜精度によるが放熱層と有機EL素子との間を確実に絶縁するためには、相当の膜厚を必要とする。したがって、アレイ基板を構成する全体の厚さが増してしまい、これに伴って有機EL表示装置としての厚さも増してしまうため、薄型化に不利である。また、絶縁層を形成するため材料及び絶縁層を設けるための製造工程が必要となり、製造コストに関しても不利である。   In order to solve this, a technique of providing a heat dissipation layer on a plastic substrate that constitutes an array substrate is disclosed (for example, refer to Patent Document 1). Such a heat dissipation layer is formed in common for a plurality of pixels. For this reason, when the heat dissipation layer is formed of a conductive material, it is necessary to provide an insulating layer between the heat dissipation layer and the organic EL element of each pixel in order to prevent a short circuit between the pixels. Although depending on the film formation accuracy of the insulating layer, a considerable film thickness is required to reliably insulate between the heat dissipation layer and the organic EL element. Therefore, the thickness of the entire array substrate is increased, and as a result, the thickness of the organic EL display device is also increased, which is disadvantageous for thinning. In addition, a material and a manufacturing process for providing the insulating layer are required to form the insulating layer, which is disadvantageous in terms of manufacturing cost.

さらに、放熱層をガラス材やセラミック材などの絶縁性材料によって形成した場合、一般に絶縁性材料は十分に高い熱伝導率を有しておらず、有機EL表示装置の画面内において全体にわたって熱を均一に拡散することは困難である。特に、画面の中央部では発生した熱が拡散しにくく、局所的に高温になりやすい。このため、画面の中央部に配置された有機EL素子が周辺部のものより早期に劣化してしまい、表示品位を著しく低下させてしまうことになる。
特開2002−63985号公報
Furthermore, when the heat dissipation layer is formed of an insulating material such as a glass material or a ceramic material, the insulating material generally does not have a sufficiently high thermal conductivity, and heat is entirely applied within the screen of the organic EL display device. It is difficult to diffuse uniformly. In particular, the heat generated at the center of the screen is difficult to diffuse and tends to be locally hot. For this reason, the organic EL element arrange | positioned at the center part of a screen will deteriorate earlier than the thing of a peripheral part, and will reduce display quality remarkably.
JP 2002-63985 A

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、長期にわたって良好な表示性能を維持することが可能な表示装置を提供することにある。また、この発明の目的は、薄型化が可能であるとともに製造コストの低減が可能な表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a display device capable of maintaining good display performance over a long period of time. Another object of the present invention is to provide a display device that can be thinned and can be reduced in manufacturing cost.

この発明の第1の様態による表示装置は、
画像を表示する表示エリアにおいて、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極と、前記第1電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に保持された有機活性層と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板を封止する封止基板と、を備え、
前記封止基板は、前記封止基板より高い熱伝導率を有する熱伝導層を備えたことを特徴とする。
A display device according to a first aspect of the present invention includes:
In a display area for displaying an image, a first electrode formed in an independent island shape for each pixel arranged in a matrix, and a second electrode arranged opposite to the first electrode and formed in common for all pixels An array substrate comprising: an organic active layer held between the first electrode and the second electrode;
A sealing substrate for sealing the array substrate,
The sealing substrate includes a heat conductive layer having a higher thermal conductivity than the sealing substrate.

この発明の第2の様態による表示装置は、
画像を表示する表示エリアにおいて、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極と、前記第1電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に保持された有機活性層と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板を封止する封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に配置されたスペーサと、を備え、
前記スペーサは、前記封止基板より高い熱伝導率を有することを特徴とする。
A display device according to a second aspect of the present invention provides:
In a display area for displaying an image, a first electrode formed in an independent island shape for each pixel arranged in a matrix, and a second electrode arranged opposite to the first electrode and formed in common for all pixels An array substrate comprising: an organic active layer held between the first electrode and the second electrode;
A sealing substrate for sealing the array substrate;
A spacer disposed between the array substrate and the sealing substrate,
The spacer has a higher thermal conductivity than the sealing substrate.

この発明によれば、長期にわたって良好な表示性能を維持することが可能な表示装置を提供することができる。また、この発明によれば、薄型化が可能であるとともに製造コストの低減が可能な表示装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a display device capable of maintaining good display performance over a long period of time. In addition, according to the present invention, it is possible to provide a display device that can be reduced in thickness and reduced in manufacturing cost.

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。   Hereinafter, a display device and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, a self-luminous display device such as an organic EL (electroluminescence) display device will be described as an example of the display device.

(第1実施形態)
図1及び図2に示すように、有機EL表示装置1は、画像を表示する表示エリア102を有するアレイ基板100と、アレイ基板100の少なくとも表示エリア102を密封する封止基板200とを備えて構成される。アレイ基板100の表示エリア102は、マトリクス状に配置された複数の画素PX(R、G、B)によって構成される。
(First embodiment)
As shown in FIGS. 1 and 2, the organic EL display device 1 includes an array substrate 100 having a display area 102 for displaying an image, and a sealing substrate 200 for sealing at least the display area 102 of the array substrate 100. Composed. The display area 102 of the array substrate 100 is configured by a plurality of pixels PX (R, G, B) arranged in a matrix.

各画素PX(R、G、B)は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ10と、画素スイッチ10を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ20と、駆動トランジスタ20のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子30とを備えている。これら画素スイッチ10及び駆動トランジスタ20は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここではそれらの半導体層にポリシリコンを用いている。   Each pixel PX (R, G, B) is supplied via a pixel switch 10 and a pixel switch 10 having a function of electrically separating an on-pixel and an off-pixel and holding a video signal to the on-pixel. The driving transistor 20 supplies a desired driving current to the display element based on the video signal, and the storage capacitor element 30 holds the gate-source potential of the driving transistor 20 for a predetermined period. The pixel switch 10 and the drive transistor 20 are constituted by, for example, thin film transistors, and here, polysilicon is used for their semiconductor layers.

また、各画素PX(R、G、B)は、表示素子としての有機EL素子40(R、G、B)をそれぞれ備えている。すなわち、赤色画素PXRは、赤色に発光する有機EL素子40Rを備え、緑色画素PXGは、緑色に発光する有機EL素子40Gを備え、さらに、青色画素PXBは、青色に発光する有機EL素子40Bを備えている。   Each pixel PX (R, G, B) includes an organic EL element 40 (R, G, B) as a display element. That is, the red pixel PXR includes an organic EL element 40R that emits red light, the green pixel PXG includes an organic EL element 40G that emits green light, and the blue pixel PXB includes an organic EL element 40B that emits blue light. I have.

各種有機EL素子40(R、G、B)は、基本的に同一構造である。すなわち、有機EL素子40は、マトリクス状に配置され画素毎PXに独立島状に形成された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され全画素PXに共通に形成された第2電極66と、これら第1電極60と第2電極66との間に保持された有機活性層64と、によって構成される。   The various organic EL elements 40 (R, G, B) basically have the same structure. That is, the organic EL element 40 is arranged in a matrix and is formed in an independent island shape for each pixel PX, and a first electrode 60 that is opposed to the first electrode 60 and is formed in common for all the pixels PX. The two electrodes 66 and the organic active layer 64 held between the first electrode 60 and the second electrode 66 are configured.

アレイ基板100は、画素PXの行方向(すなわち図1のY方向)に沿って配置された複数の走査線Ym(m=1、2、…)と、走査線Ymと略直交する方向(すなわち図1のX方向)に沿って配置された複数の信号線Xn(n=1、2、…)と、有機EL素子40の第1電極60側に電源を供給するための電源供給線Pm(m=1、2、…)と、を備えている。電源供給線Pmは、表示エリア102の周囲に配置された図示しない第1電極電源線に接続されている。有機EL素子40の第2電極66側端は、表示エリア102の周囲に配置されコモン電位ここでは接地電位を供給する図示しない第2電極電源線に接続されている。   The array substrate 100 includes a plurality of scanning lines Ym (m = 1, 2,...) Arranged along the row direction of the pixels PX (that is, the Y direction in FIG. 1), and a direction substantially orthogonal to the scanning lines Ym (that is, A plurality of signal lines Xn (n = 1, 2,...) Arranged along the X direction in FIG. 1 and a power supply line Pm (for supplying power to the first electrode 60 side of the organic EL element 40). m = 1, 2,...). The power supply line Pm is connected to a first electrode power line (not shown) arranged around the display area 102. The second electrode 66 side end of the organic EL element 40 is connected to a second electrode power supply line (not shown) that is arranged around the display area 102 and supplies a common potential, here, a ground potential.

また、アレイ基板100は、表示エリア102の外周に沿った周辺エリア104に、走査線Ymに走査信号を供給する走査線駆動回路107と、信号線Xnに映像信号を供給する信号線駆動回路108と、を備えている。すべての走査線Ymは、走査線駆動回路107に接続されている。また、すべての信号線Xnは、信号線駆動回路108に接続されている。   The array substrate 100 has a scanning line driving circuit 107 that supplies a scanning signal to the scanning line Ym and a signal line driving circuit 108 that supplies a video signal to the signal line Xn in a peripheral area 104 along the outer periphery of the display area 102. And. All the scanning lines Ym are connected to the scanning line driving circuit 107. All signal lines Xn are connected to the signal line driving circuit 108.

画素スイッチ10は、ここでは走査線Ymと信号線Xnとの交差部近傍に配置されている。画素スイッチ10のゲート電極は走査線Ymに接続され、ソース電極は信号線Xnに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子30を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ20のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ20のソース電極は蓄積容量素子30を構成する他方の電極及び電源供給線Pmに接続され、ドレイン電極は有機EL素子40の第1電極60に接続されている。   Here, the pixel switch 10 is disposed in the vicinity of the intersection between the scanning line Ym and the signal line Xn. The pixel switch 10 has a gate electrode connected to the scanning line Ym, a source electrode connected to the signal line Xn, and a drain electrode connected to one electrode constituting the storage capacitor 30 and the gate electrode of the drive transistor 20. The source electrode of the drive transistor 20 is connected to the other electrode constituting the storage capacitor element 30 and the power supply line Pm, and the drain electrode is connected to the first electrode 60 of the organic EL element 40.

図2に示すように、アレイ基板100は、配線基板120上に配置された有機EL素子40を備えている。なお、配線基板120は、ガラス基板やプラスチックシートなどの光透過性を有する絶縁性支持基板上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108、各種配線(走査線、信号線、電源供給線等)などを備えて構成されたものとする。   As shown in FIG. 2, the array substrate 100 includes an organic EL element 40 disposed on the wiring substrate 120. Note that the wiring substrate 120 is formed on a light-transmitting insulating support substrate such as a glass substrate or a plastic sheet, the pixel switch 10, the driving transistor 20, the storage capacitor element 30, the scanning line driving circuit 107, and the signal line driving circuit 108. It is assumed that the apparatus is configured to include various wirings (scanning lines, signal lines, power supply lines, etc.).

有機EL素子40を構成する第1電極60は、配線基板120表面の絶縁膜上に配置される。この第1電極60は、ここではITO(Indium Tin Oxide:インジウム・ティン・オキサイド)やIZO(インジウム・ジンク・オキサイド)などの光透過性導電部材によって形成され、陽極として機能する。   The first electrode 60 constituting the organic EL element 40 is disposed on the insulating film on the surface of the wiring substrate 120. Here, the first electrode 60 is formed of a light-transmitting conductive member such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), and functions as an anode.

有機活性層64は、少なくとも発光機能を有する有機化合物を含み、各色共通に形成されるホールバッファ層、各色毎に形成される有機発光層、エレクトロンバッファ層の3層積層で構成されても良く、機能的に複合された2層または単層で構成されても良い。例えば、ホールバッファ層は、陽極および有機発光層間に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成される。有機発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。この有機発光層は、例えば高分子系の発光材料を採用する場合には、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などの薄膜により構成される。   The organic active layer 64 includes an organic compound having at least a light emitting function, and may be configured by a three-layer stack of a hole buffer layer formed in common for each color, an organic light emitting layer formed for each color, and an electron buffer layer, It may be composed of two layers or a single layer functionally combined. For example, the hole buffer layer is disposed between the anode and the organic light emitting layer, and is formed of a thin film such as an aromatic amine derivative, a polythiophene derivative, or a polyaniline derivative. The organic light emitting layer is formed of an organic compound having a light emitting function that emits red, green, or blue light. This organic light emitting layer is constituted by a thin film such as PPV (polyparaphenylene vinylene), a polyfluorene derivative, or a precursor thereof when, for example, a polymer light emitting material is employed.

第2電極66は、有機活性層64上に各有機EL素子40に共通に配置される。この第2電極66は、例えばCa(カルシウム)、Al(アルミニウム)、Ba(バリウム)、Ag(銀)、Yb(イッテルビウム)などの電子注入機能を有する金属膜によって形成され、陰極として機能している。この第2電極66は、陰極として機能する金属膜の表面をカバーメタルで被覆した2層構造であっても良い。カバーメタルは、例えばアルミニウムによって形成される。さらに、この第2電極66の表面は、乾燥剤として吸湿性を有する材料で被覆されてもよい。すなわち、有機EL素子40は、水分に触れると、その発光特性が急速に劣化する。このため、有機EL素子40を水分から保護する目的で、その表面に相当する第2電極66上に乾燥剤を配置しても良い。   The second electrode 66 is disposed on the organic active layer 64 in common with each organic EL element 40. The second electrode 66 is formed of a metal film having an electron injection function such as Ca (calcium), Al (aluminum), Ba (barium), Ag (silver), Yb (ytterbium), and functions as a cathode. Yes. The second electrode 66 may have a two-layer structure in which the surface of a metal film functioning as a cathode is covered with a cover metal. The cover metal is made of aluminum, for example. Further, the surface of the second electrode 66 may be coated with a hygroscopic material as a desiccant. That is, when the organic EL element 40 is exposed to moisture, its light emission characteristics are rapidly deteriorated. For this reason, in order to protect the organic EL element 40 from moisture, a desiccant may be disposed on the second electrode 66 corresponding to the surface thereof.

また、アレイ基板100は、表示エリア102において、各画素PX(R、G、B)を分離する隔壁70を備えている。隔壁70は、第1電極60の周縁に沿って格子状に配置されている。この隔壁70は、樹脂材料によって形成されるが、例えば、親液性を有する有機材料によって形成された第1絶縁層、及び、第1絶縁層上に配置され疎液性を有する有機材料によって形成された第2絶縁層を積層した構造を有している。   Further, the array substrate 100 includes a partition wall 70 that separates the pixels PX (R, G, B) in the display area 102. The partition walls 70 are arranged in a lattice shape along the periphery of the first electrode 60. The partition wall 70 is formed of a resin material. For example, the partition wall 70 is formed of a lyophilic organic material and a liquid-phobic organic material disposed on the first insulating layer. The second insulating layer is laminated.

一方、封止基板200は、ガラス基板やプラスチックシートなどによって構成されている。この封止基板200は、熱伝導層250を備えている。この熱伝導層250は、封止基板200より高い熱伝導率を有している。   On the other hand, the sealing substrate 200 is configured by a glass substrate, a plastic sheet, or the like. The sealing substrate 200 includes a heat conductive layer 250. This thermal conductive layer 250 has a higher thermal conductivity than the sealing substrate 200.

これらアレイ基板100及び封止基板200は、所定ギャップを形成した状態で表示エリア102を囲むような枠状のシール材400によって封止され、所定ギャップに密閉空間が形成される。この密閉空間には、窒素ガスなどの不活性ガスが充填されている。また、この密閉空間の内部には、乾燥剤が配置され、有機EL素子40に悪影響を与えない程度の乾燥状態に維持されている。   The array substrate 100 and the sealing substrate 200 are sealed with a frame-shaped sealing material 400 that surrounds the display area 102 in a state where a predetermined gap is formed, and a sealed space is formed in the predetermined gap. This sealed space is filled with an inert gas such as nitrogen gas. In addition, a desiccant is disposed inside the sealed space, and is maintained in a dry state that does not adversely affect the organic EL element 40.

このように構成された下面発光方式の有機EL表示装置1では、各画素PXの有機EL素子40において、第1電極60と第2電極66との間に挟持された有機活性層64に電子及びホールを注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、EL発光は、アレイ基板100の下面側すなわち第1電極60側から出射される。   In the organic EL display device 1 of the bottom emission type configured as described above, in the organic EL element 40 of each pixel PX, electrons and the organic active layer 64 sandwiched between the first electrode 60 and the second electrode 66 are stored. Excitons are generated by injecting holes and recombining them, and light is emitted by light emission of a predetermined wavelength generated when the excitons are deactivated. Here, EL light emission is emitted from the lower surface side of the array substrate 100, that is, the first electrode 60 side.

このような有機EL表示装置1によれば、封止基板200に設けた熱伝導層250により、装置内部で発生した熱を効率良く画面内全体にわたって均一に拡散することができる。すなわち、動作中に各有機EL素子40から発生した熱は、所定ギャップに充填された不活性ガスを介して熱伝導層250に伝わる。熱伝導層250は、高い熱伝導率を有しており、伝わった熱を封止基板200の全体に拡散して放熱する。したがって、各画素を駆動中に、画面中央部など局所的に高温になることを防止することができる。これにより、一部の有機EL素子40が早期に劣化することを抑制することができる。このため、熱による影響が緩和され、有機EL素子40を長寿命化することができるとともに、輝度の劣化度合いを画面内で均一化することができ、長期間にわたって良好な表示性能を維持することが可能となる。   According to the organic EL display device 1 as described above, the heat conduction layer 250 provided on the sealing substrate 200 can efficiently and uniformly diffuse the heat generated inside the device over the entire screen. That is, the heat generated from each organic EL element 40 during operation is transferred to the heat conduction layer 250 through the inert gas filled in the predetermined gap. The heat conductive layer 250 has a high thermal conductivity, and dissipates the transferred heat throughout the sealing substrate 200 to dissipate heat. Therefore, it is possible to prevent a local high temperature such as the center of the screen from being driven while driving each pixel. Thereby, it can suppress that some organic EL elements 40 deteriorate early. For this reason, the influence of heat can be alleviated, the life of the organic EL element 40 can be extended, the degree of luminance deterioration can be made uniform within the screen, and good display performance can be maintained over a long period of time. Is possible.

また、熱導電層250を封止基板200側に設けたことにより、各画素の有機L素子と放熱層とを絶縁するための絶縁層が不要となり、装置全体の薄型化が可能となる。また、絶縁層を形成するための材料が不要となるだけでなく、絶縁層を設けるための製造工程も不要となり、製造コストを低減することが可能となる。   Further, since the thermal conductive layer 250 is provided on the sealing substrate 200 side, an insulating layer for insulating the organic L element and the heat dissipation layer of each pixel becomes unnecessary, and the entire device can be thinned. Further, not only the material for forming the insulating layer is unnecessary, but also a manufacturing process for providing the insulating layer is not required, and the manufacturing cost can be reduced.

具体的には、熱伝導層250は、(室温において)10W/m・K以上の熱伝導率を有することが望ましい。熱伝導層250がこの程度の熱伝導率を有していれば、封止基板200の材質にかかわらず(ガラス基板の熱伝導率:0.55〜0.75W/m・K、プラスチック基板(例えばポリカーボネイト製基板)の熱伝導率:0.2W/m・K)、封止基板200より高い熱伝導率を有することとなり、上述したような効果を十分に発揮することができる。   Specifically, the heat conductive layer 250 desirably has a heat conductivity of 10 W / m · K or more (at room temperature). If the thermal conductive layer 250 has such a thermal conductivity, regardless of the material of the sealing substrate 200 (thermal conductivity of glass substrate: 0.55 to 0.75 W / m · K, plastic substrate ( For example, a polycarbonate substrate) has a thermal conductivity of 0.2 W / m · K) and a thermal conductivity higher than that of the sealing substrate 200, and the above-described effects can be sufficiently exhibited.

また、この熱伝導層250は、図2に示すように、封止基板200のアレイ基板100と対向する面に一体的に形成されている。ここで、熱伝導層250は、封止基板200のアレイ基板100と対向する面(内面)のみ、または、封止基板200の外面のみ、あるいは、封止基板の両面に設けても良いが、特に問題にしている熱の発生源は、アレイ基板100側に設けた有機EL素子40である。このため、アレイ基板100と対向する面(内面)に熱伝導層250を設けることが望ましく、これにより、有機EL素子40から発生した熱を効率良く拡散することができる。   Further, as shown in FIG. 2, the heat conductive layer 250 is integrally formed on a surface of the sealing substrate 200 facing the array substrate 100. Here, the heat conductive layer 250 may be provided only on the surface (inner surface) of the sealing substrate 200 facing the array substrate 100, only on the outer surface of the sealing substrate 200, or on both surfaces of the sealing substrate. The heat generation source in particular is the organic EL element 40 provided on the array substrate 100 side. For this reason, it is desirable to provide the heat conductive layer 250 on the surface (inner surface) facing the array substrate 100, whereby the heat generated from the organic EL element 40 can be efficiently diffused.

また、熱伝導層250を封止基板200側に設けたことにより、熱伝導層250を形成するためにウエットプロセスを導入したとしても、アレイ基板100側の有機EL素子40が水分に曝されることがなく、有機EL素子40の性能劣化を防止することができる。   In addition, by providing the heat conductive layer 250 on the sealing substrate 200 side, even if a wet process is introduced to form the heat conductive layer 250, the organic EL element 40 on the array substrate 100 side is exposed to moisture. In other words, the performance degradation of the organic EL element 40 can be prevented.

さらに、熱伝導層250は、表示エリア102からその外方まで延在して形成されている。すなわち、図2に示すように、熱伝導層250は、アレイ基板と封止基板の封着領域(ここではシール材配置領域)の内側からその外方、シール材400よりも外方(すなわち封止基板周縁)まで延在している。このため、表示エリア102内で発生した熱を効果的に外部に発散することができる。   Further, the heat conductive layer 250 is formed to extend from the display area 102 to the outside thereof. That is, as shown in FIG. 2, the heat conductive layer 250 is formed on the outside from the inside of the sealing region (here, the sealing material arrangement region) of the array substrate and the sealing substrate, and outside the sealing material 400 (that is, the sealing material is sealed). It extends to the periphery of the stationary substrate. For this reason, the heat generated in the display area 102 can be effectively dissipated to the outside.

このような熱伝導層250は、例えば金属材料によって形成される。ここで、金属材料としては、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、鉄(Fe)、シリコン(Si)などの金属材料、または、これらの合金などが適用可能である。このような金属材料を適用した場合、熱伝導層250は、蒸着法(スパッタ法、電子ビーム法、加熱蒸着法、イオンプレーティング法などを含む)、CVD法、メッキ法等などによって封止基板200上に所定の膜厚で形成される。なお、封止基板200として樹脂材料を適用すると、成膜温度等の制約を受けるため、金属材料によって熱伝導層250を形成する方法はあまり実用的ではない。すなわち、このような金属材料によって熱伝導層250を形成する場合には、封止基板200は、耐熱性に有利なガラス基板を適用することが望ましい。   Such a heat conductive layer 250 is formed of, for example, a metal material. Here, as a metal material, silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), beryllium (Be), magnesium (Mg), molybdenum (Mo), nickel (Ni), tungsten ( Metal materials such as W), chromium (Cr), iron (Fe), and silicon (Si), or alloys thereof are applicable. When such a metal material is applied, the heat conductive layer 250 is formed on the sealing substrate by a vapor deposition method (including a sputtering method, an electron beam method, a heat vapor deposition method, an ion plating method, etc.), a CVD method, a plating method, or the like. The film is formed on the substrate 200 with a predetermined film thickness. Note that, when a resin material is applied as the sealing substrate 200, a method of forming the heat conductive layer 250 using a metal material is not so practical because it is restricted by a film formation temperature or the like. That is, when the heat conductive layer 250 is formed of such a metal material, it is desirable to apply a glass substrate advantageous in heat resistance as the sealing substrate 200.

また、熱伝導層250は、導電性粒子を含有する樹脂材料によって形成しても良い。導電性粒子としては、上述したような各種金属材料からなる金属微粒子や、カーボン粒子、半導体微粒子などが適用可能である。樹脂材料としては、ポリエステル、ポリビニル、ポリスチレン、ナイロン、ポリシロキサン、ポリエーテル、エポキシなどの高分子材料が適用可能である。このような樹脂材料に上述した導電性粒子を分散した材料を適用した場合、熱伝導層250は、フォトリソグラフィ法、印刷法などによって封止基板200上に所定の膜厚で形成される。   Further, the heat conductive layer 250 may be formed of a resin material containing conductive particles. As the conductive particles, metal fine particles made of various metal materials as described above, carbon particles, semiconductor fine particles, and the like are applicable. As the resin material, polymer materials such as polyester, polyvinyl, polystyrene, nylon, polysiloxane, polyether, and epoxy are applicable. When a material in which the above-described conductive particles are dispersed is applied to such a resin material, the heat conductive layer 250 is formed on the sealing substrate 200 with a predetermined film thickness by a photolithography method, a printing method, or the like.

さらに、熱伝導層250は、導電性高分子材料によって形成しても良い。導電性高分子材料としては、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリチオフェンなどの導電性を有する高分子材料が適用可能であり、また、これら導電性高分子材料に上述した導電性粒子を添加した材料も適用可能である。このような導電性高分子材料を適用した場合、熱伝導層250は、フォトリソグラフィ法、印刷法などによって封止基板200上に所定の膜厚で形成される。   Further, the heat conductive layer 250 may be formed of a conductive polymer material. As the conductive polymer material, a polymer material having conductivity such as polyaniline, polyfluorene, polythiophene or the like can be applied, and a material obtained by adding the above-described conductive particles to these conductive polymer materials is also applicable. It is. When such a conductive polymer material is applied, the heat conductive layer 250 is formed with a predetermined thickness on the sealing substrate 200 by a photolithography method, a printing method, or the like.

熱伝導層250の膜厚は、厚い方が好ましいが、少なくとも0.5μm以上の膜厚であれば熱拡散性能を確保することができる。また、熱伝導層250の膜厚は、装置全体の薄型化を阻害しない程度の膜厚を上限とすることが望ましく、100μm以下とすることが好ましい。   The film thickness of the heat conductive layer 250 is preferably thick, but if the film thickness is at least 0.5 μm or more, thermal diffusion performance can be ensured. In addition, the upper limit of the film thickness of the heat conductive layer 250 is desirably set to an extent that does not hinder thinning of the entire apparatus, and is preferably set to 100 μm or less.

具体的な熱伝導層250のパターンとしては、例えば、図3に示すように、封止基板200の内面にほぼ均一な膜厚で少なくとも表示エリア102と同等の形状に形成されたベタパターンが適用可能である。また、熱伝導層250のパターンとしては、図4に示すように、封止基板200の内面にほぼ均一な膜厚で少なくとも表示エリア102と同等の外形形状に形成されたストライプパターンも適用可能である。   As a specific pattern of the heat conductive layer 250, for example, as shown in FIG. 3, a solid pattern formed on the inner surface of the sealing substrate 200 with a substantially uniform film thickness and at least the same shape as the display area 102 is applied. Is possible. Further, as the pattern of the heat conductive layer 250, as shown in FIG. 4, a stripe pattern formed on the inner surface of the sealing substrate 200 with a substantially uniform film thickness and at least the outer shape equivalent to the display area 102 is also applicable. is there.

このように、封止基板200上に選択的に熱伝導率が高い熱伝導層250を成膜することにより、有機EL表示装置全面にわたり均一にかつ効率良く除熱することができる。したがって、長期にわたって良好な表示性能を維持することが可能な表示装置を提供することができる。また、薄型化が可能であるとともに製造コストの低減が可能な表示装置を提供することができる。   As described above, by selectively forming the heat conductive layer 250 having a high thermal conductivity on the sealing substrate 200, heat can be uniformly and efficiently removed over the entire surface of the organic EL display device. Therefore, it is possible to provide a display device that can maintain good display performance over a long period of time. Further, it is possible to provide a display device that can be thinned and can be manufactured at a reduced cost.

なお、上述した第1実施形態では、下面発光方式の有機EL表示装置を例に説明したが、上面発光方式にも適用可能である。すなわち、封止基板200として光透過性を有する基板を適用し、しかも、熱伝導層250として光透過性を有する材料、例えばITO(Indium Tin Oxide:インジウム・ティン・オキサイド)やIZO(インジウム・ジンク・オキサイド)などの光透過性導電部材を適用することにより、EL発光をアレイ基板100の上面側すなわち封止基板200側から出射させることも可能である。このような上面発光方式は、配線基板120における回路のレイアウトの影響に左右されず、大きな開口率を確保することができ、下面発光方式と同一駆動電力でも高い輝度が得られるといったメリットがある。   In the first embodiment described above, the bottom emission type organic EL display device has been described as an example, but the present invention can also be applied to a top emission type. That is, a light-transmitting substrate is applied as the sealing substrate 200, and a light-transmitting material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc) is used as the heat conductive layer 250. By applying a light-transmitting conductive member such as oxide), it is possible to emit EL light from the upper surface side of the array substrate 100, that is, the sealing substrate 200 side. Such a top emission method has an advantage that a large aperture ratio can be secured without being influenced by the influence of the circuit layout on the wiring substrate 120, and high luminance can be obtained even with the same driving power as the bottom emission method.

(第2実施形態)
次に、第2実施形態について説明する。この第2実施形態に係る有機EL表示装置は、基本的に上述した第1実施形態と同一の構造であり、上述した第1実施形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。第1実施形態と異なる構造は、図5に示すように、アレイ基板100と封止基板200との間に所定ギャップを形成するためのスペーサ300を備えた点である。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described. The organic EL display device according to the second embodiment has basically the same structure as that of the first embodiment described above, and it goes without saying that the same effects as those of the first embodiment described above can be obtained. A structure different from the first embodiment is that a spacer 300 for forming a predetermined gap between the array substrate 100 and the sealing substrate 200 is provided as shown in FIG.

スペーサ300は、封止基板200のアレイ基板100と対向する面に一体的に形成されている。このスペーサ300は、樹脂材料によって形成され、フォトリソグラフィ法、印刷法などによって封止基板200上に所定の高さに形成される。そして、アレイ基板100と封止基板200とを封止する際、封止基板200側のスペーサ300がアレイ基板100側の表面層、例えば第2電極66(あるいはカバーメタル、乾燥剤、保護膜など)に接触して所定ギャップが形成される。   The spacer 300 is integrally formed on the surface of the sealing substrate 200 facing the array substrate 100. The spacer 300 is formed of a resin material and is formed at a predetermined height on the sealing substrate 200 by a photolithography method, a printing method, or the like. When the array substrate 100 and the sealing substrate 200 are sealed, the spacer 300 on the sealing substrate 200 side is a surface layer on the array substrate 100 side, such as the second electrode 66 (or cover metal, desiccant, protective film, etc.). ) To form a predetermined gap.

このような有機EL表示装置1によれば、封止基板200に設けた熱伝導層250により、装置内部で発生した熱を効率良く画面内全体にわたって均一に拡散することができる。すなわち、動作中に各有機EL素子40から発生した熱は、所定ギャップに充填された不活性ガスを介して熱伝導層250に伝わる。また、このとき、動作中に各有機EL素子40から発生した熱は、有機EL素子40に接触した状態のスペーサ300も介して熱伝導層250に伝わる。このようにして熱伝導層250に伝わった熱は、封止基板200の全体に拡散して放熱される。したがって、スペーサ300を放熱のための有効なパスとして使用することができ、第1実施形態より効率的に除熱することが可能となる。   According to the organic EL display device 1 as described above, the heat conduction layer 250 provided on the sealing substrate 200 can efficiently and uniformly diffuse the heat generated inside the device over the entire screen. That is, the heat generated from each organic EL element 40 during operation is transferred to the heat conduction layer 250 through the inert gas filled in the predetermined gap. At this time, heat generated from each organic EL element 40 during operation is also transmitted to the heat conductive layer 250 through the spacer 300 in contact with the organic EL element 40. The heat transmitted to the heat conductive layer 250 in this manner is diffused and dissipated throughout the sealing substrate 200. Therefore, the spacer 300 can be used as an effective path for heat dissipation, and heat can be removed more efficiently than in the first embodiment.

また、スペーサ300は封止基板200側に配置したことにより、スペーサ300を形成するためにウエットプロセスを導入したとしても、アレイ基板100側の有機EL素子40が水分に曝されることがなく、有機EL素子40の性能劣化を防止することができる。   In addition, since the spacer 300 is arranged on the sealing substrate 200 side, even if a wet process is introduced to form the spacer 300, the organic EL element 40 on the array substrate 100 side is not exposed to moisture, The performance deterioration of the organic EL element 40 can be prevented.

さらに、スペーサ300を配置したことにより、大画面化に伴って基板サイズが大型化した場合であっても、アレイ基板100及び封止基板200が撓んだ時に、各基板の破損を防止することができるとともに各基板の接触による有機EL素子40の破壊を防止することができる。   Furthermore, by arranging the spacers 300, even when the substrate size is increased as the screen size is increased, each substrate can be prevented from being damaged when the array substrate 100 and the sealing substrate 200 are bent. In addition, the organic EL element 40 can be prevented from being destroyed by the contact of each substrate.

またさらに、スペーサ300を設けたことにより、アレイ基板100と封止基板200との間に所定のギャップを維持することができ、いずれの基板に応力が加わった場合であっても、封止基板200を通じた複数の画素間での有機EL素子40のショートを防止することができる。   Furthermore, by providing the spacer 300, a predetermined gap can be maintained between the array substrate 100 and the sealing substrate 200, and the sealing substrate can be used even when stress is applied to any of the substrates. Short-circuiting of the organic EL element 40 between a plurality of pixels through 200 can be prevented.

具体的には、例えば、図6に示すように、熱伝導層250は、封止基板200の内面にほぼ均一な膜厚で少なくとも表示エリア102と同等の形状に形成され、かつスペーサ300に対応する位置に開口を有するパターンとして形成され、また、スペーサ300は、熱伝導層250の膜厚より厚い高さに形成される。スペーサ300の配置密度(単位面積あたりに配置されたスペーサの個数)は、必要な支持強度などに応じて適宜設定される。   Specifically, for example, as shown in FIG. 6, the heat conductive layer 250 is formed on the inner surface of the sealing substrate 200 with a substantially uniform film thickness and at least the shape equivalent to the display area 102, and corresponds to the spacer 300. The spacer 300 is formed at a height higher than the thickness of the heat conductive layer 250. The arrangement density of the spacers 300 (the number of spacers arranged per unit area) is appropriately set according to the required support strength and the like.

熱伝導層250及びスペーサ300を封止基板200のアレイ基板100との対向面に一体的に形成する場合、熱伝導層250は遮光性を有する材料で形成されることが望ましい。このような構造は、以下のような製造方法によって形成可能である。   When the heat conductive layer 250 and the spacer 300 are integrally formed on the surface of the sealing substrate 200 facing the array substrate 100, the heat conductive layer 250 is preferably formed of a material having a light shielding property. Such a structure can be formed by the following manufacturing method.

すなわち、図7の(a)に示すように、まず、封止基板200の一方の主面200Aに、熱伝導率が高くしかも遮光性が高い材料を用いて所定パターンの熱伝導層250を形成する。そして、図7の(b)に示すように、熱伝導層250を形成した封止基板200の主面200A側全体に、感光性樹脂材料300’を塗布する。このとき、露光部分が重合して硬化するネガタイプの感光性樹脂材料(例えば紫外線硬化型樹脂材料)を適用する。そして、この感光性樹脂材料300’を封止基板200の他方の主面200B側から(例えば紫外線で)露光する。このとき、先に主面200Aに形成された熱伝導層250がマスクとなり、熱伝導層250が形成されていない部分の感光性樹脂材料(すなわち封止基板200の主面200A上に直接塗布された感光性樹脂材料)のみが選択的に露光される。そして、図7の(c)に示すように、露光された感光性樹脂材料を現像し、さらに焼成することにより、熱伝導層250及びスペーサ300を一体的に備えた封止基板200が形成される。   That is, as shown in FIG. 7A, first, a heat conductive layer 250 having a predetermined pattern is formed on one main surface 200A of the sealing substrate 200 using a material having high thermal conductivity and high light shielding properties. To do. Then, as shown in FIG. 7B, a photosensitive resin material 300 'is applied to the entire main surface 200A side of the sealing substrate 200 on which the heat conductive layer 250 is formed. At this time, a negative photosensitive resin material (for example, an ultraviolet curable resin material) in which the exposed portion is polymerized and cured is applied. Then, the photosensitive resin material 300 ′ is exposed (for example, with ultraviolet rays) from the other main surface 200 </ b> B side of the sealing substrate 200. At this time, the heat conductive layer 250 previously formed on the main surface 200A serves as a mask, and is applied directly to the photosensitive resin material (that is, the main surface 200A of the sealing substrate 200) where the heat conductive layer 250 is not formed. Only the photosensitive resin material) is selectively exposed. Then, as shown in FIG. 7C, the exposed photosensitive resin material is developed and further baked to form the sealing substrate 200 integrally including the heat conductive layer 250 and the spacer 300. The

このような方法で形成することで、パターニングのためのフォトレジストやフォトマスクが不要となり、製造工程が簡素化され、製造コストを低減することができるとともに、製造時間も短縮することができる。   By forming by such a method, a photoresist or a photomask for patterning becomes unnecessary, the manufacturing process is simplified, the manufacturing cost can be reduced, and the manufacturing time can be shortened.

このように、封止基板200上に選択的に熱伝導率が高い熱伝導層250を成膜するとともに、アレイ基板100と封止基板200との間に所定ギャップを形成するスペーサ300を配置したことにより、有機EL表示装置全面にわたり均一にかつ効率良く除熱することができる。したがって、長期にわたって良好な表示性能を維持することが可能な表示装置を提供することができる。また、薄型化が可能であるとともに製造コストの低減が可能な表示装置を提供することができる。   As described above, the thermal conductive layer 250 having a high thermal conductivity is selectively formed on the sealing substrate 200, and the spacer 300 that forms a predetermined gap between the array substrate 100 and the sealing substrate 200 is disposed. Thus, heat can be removed uniformly and efficiently over the entire surface of the organic EL display device. Therefore, it is possible to provide a display device that can maintain good display performance over a long period of time. Further, it is possible to provide a display device that can be thinned and can be manufactured at a reduced cost.

なお、上述した第2実施形態では、下面発光方式の有機EL表示装置を例に説明したが、上面発光方式にも適用可能である。すなわち、封止基板200として光透過性を有する基板を適用し、スペーサ300として光透過性を有する材料を適用する。熱伝導層250を、隔壁70に対応して開口部を有するパターンで構成し、放熱スペーサを画素の開口部(実質的に発光する部分)を覆うように配置することにより、EL発光をアレイ基板100の上面側すなわち封止基板200側から出射させることも可能である。   In the second embodiment described above, the bottom emission organic EL display device has been described as an example, but the present invention can also be applied to a top emission method. That is, a light-transmitting substrate is applied as the sealing substrate 200, and a light-transmitting material is applied as the spacer 300. The heat conductive layer 250 is configured in a pattern having an opening corresponding to the partition wall 70, and the heat dissipation spacer is disposed so as to cover the opening (substantially light emitting portion) of the pixel, so that the EL light emission is emitted from the array substrate. It is also possible to emit light from the upper surface side of 100, that is, the sealing substrate 200 side.

(第3実施形態)
次に、第3実施形態について説明する。この第3実施形態に係る有機EL表示装置は、図1及び図8に示すように、画像を表示する表示エリア102を有するアレイ基板100と、アレイ基板100の少なくとも表示エリア102を密封する封止基板200とを備えて構成される。アレイ基板100の表示エリア102は、マトリクス状に配置された複数の画素PX(R、G、B)によって構成される。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment will be described. As shown in FIGS. 1 and 8, the organic EL display device according to the third embodiment includes an array substrate 100 having a display area 102 for displaying an image, and sealing that seals at least the display area 102 of the array substrate 100. And a substrate 200. The display area 102 of the array substrate 100 is configured by a plurality of pixels PX (R, G, B) arranged in a matrix.

アレイ基板100の構造及び各画素PX(R、G、B)の構造は、第1実施形態で説明した通りであり、各画素に配置される有機EL素子40の構造も、第1実施形態で説明した通りである。一方、封止基板200は、ガラス基板やプラスチックシートなどの光透過性を有する絶縁性基板によって構成されている。   The structure of the array substrate 100 and the structure of each pixel PX (R, G, B) are as described in the first embodiment, and the structure of the organic EL element 40 disposed in each pixel is also the same as that in the first embodiment. As explained. On the other hand, the sealing substrate 200 is configured by an insulating substrate having light transparency such as a glass substrate or a plastic sheet.

第3実施形態に係る有機EL表示装置1は、アレイ基板100と封止基板200との間に配置されたスペーサ300を備えている。このスペーサ300は、封止基板200より高い熱伝導率を有している。   The organic EL display device 1 according to the third embodiment includes a spacer 300 disposed between the array substrate 100 and the sealing substrate 200. The spacer 300 has a higher thermal conductivity than the sealing substrate 200.

上述したアレイ基板100と封止基板200とを封止する際、封止基板200側のスペーサ300がアレイ基板100側の表面層、例えば第2電極66(あるいはカバーメタル、乾燥剤、保護膜など)に接触して所定ギャップが形成される。所定ギャップに形成された密閉空間には、窒素ガスなどの不活性ガスが充填されている。また、この密閉空間の内部には、乾燥剤が配置され、有機EL素子40に悪影響を与えない程度の乾燥状態に維持されている。   When sealing the array substrate 100 and the sealing substrate 200 described above, the spacer 300 on the sealing substrate 200 side is a surface layer on the array substrate 100 side, such as the second electrode 66 (or cover metal, desiccant, protective film, etc.). ) To form a predetermined gap. The sealed space formed in the predetermined gap is filled with an inert gas such as nitrogen gas. In addition, a desiccant is disposed inside the sealed space, and is maintained in a dry state that does not adversely affect the organic EL element 40.

このような有機EL表示装置1によれば、スペーサ300により、装置内部で発生した熱を効率良く画面内全体にわたって均一に拡散することができる。すなわち、動作中に各有機EL素子40から発生した熱は、所定ギャップを形成するためのスペーサ300に伝わる。スペーサ300は、高い熱伝導率を有しており、伝わった熱を封止基板200の全体に拡散して放熱する。したがって、各画素を駆動中に、画面中央部など局所的に高温になることを防止することができる。これにより、一部の有機EL素子40が早期に劣化することを抑制することができる。このため、熱による影響が緩和され、有機EL素子40を長寿命化することができるとともに、輝度の劣化度合いを画面内で均一化することができ、長期間にわたって良好な表示性能を維持することが可能となる。   According to such an organic EL display device 1, the heat generated inside the device can be efficiently diffused uniformly throughout the screen by the spacer 300. That is, the heat generated from each organic EL element 40 during operation is transmitted to the spacer 300 for forming a predetermined gap. The spacer 300 has a high thermal conductivity and dissipates the transferred heat throughout the sealing substrate 200 to dissipate heat. Therefore, it is possible to prevent a local high temperature such as the center of the screen from being driven while driving each pixel. Thereby, it can suppress that some organic EL elements 40 deteriorate early. For this reason, the influence of heat can be alleviated, the life of the organic EL element 40 can be extended, the degree of luminance deterioration can be made uniform within the screen, and good display performance can be maintained over a long period of time. Is possible.

具体的には、スペーサ300は、(室温において)10W/m・K以上の熱伝導率を有することが望ましい。スペーサ300がこの程度の熱伝導率を有していれば、封止基板200の材質にかかわらず(ガラス基板の熱伝導率:0.55〜0.75W/m・K、プラスチック基板(例えばポリカーボネイト製基板)の熱伝導率:0.2W/m・K)、封止基板200より高い熱伝導率を有することとなり、上述したような効果を十分に発揮することができる。   Specifically, the spacer 300 desirably has a thermal conductivity of 10 W / m · K or more (at room temperature). If the spacer 300 has such a thermal conductivity, regardless of the material of the sealing substrate 200 (thermal conductivity of the glass substrate: 0.55 to 0.75 W / m · K, plastic substrate (for example, polycarbonate The thermal conductivity of the manufactured substrate) is 0.2 W / m · K), which is higher than that of the sealing substrate 200, and the effects as described above can be sufficiently exhibited.

また、スペーサ300は、封止基板200のアレイ基板100と対向する面に一体的に形成されている。これにより、各画素の有機L素子と放熱層とを絶縁するための絶縁層が不要となり、装置全体の薄型化が可能となる。また、絶縁層を形成するための材料が不要となるだけでなく、絶縁層を設けるための製造工程も不要となり、製造コストを低減することが可能となる。   The spacer 300 is integrally formed on the surface of the sealing substrate 200 facing the array substrate 100. This eliminates the need for an insulating layer for insulating the organic L element and the heat dissipation layer of each pixel, and enables the entire device to be thinned. Further, not only the material for forming the insulating layer is unnecessary, but also a manufacturing process for providing the insulating layer is not required, and the manufacturing cost can be reduced.

さらに、スペーサ300を封止基板200側に設けたことにより、スペーサ300を形成するためにウエットプロセスを導入したとしても、アレイ基板100側の有機EL素子40が水分に曝されることがなく、有機EL素子40の性能劣化を防止することができる。   Furthermore, by providing the spacer 300 on the sealing substrate 200 side, even if a wet process is introduced to form the spacer 300, the organic EL element 40 on the array substrate 100 side is not exposed to moisture, The performance deterioration of the organic EL element 40 can be prevented.

なお、このスペーサ300は、図8に示すように、封止基板200のアレイ基板100と対向する面(内面)のみに一体的に形成されているが、アレイ基板100の封止基板200と対向する面のみに一体的に形成しても良いし、両基板の内面にそれぞれ一体的に形成しても良いし、さらには、両基板に一体的に形成せずに両基板の内面間で挟持されても良い。   As shown in FIG. 8, the spacer 300 is integrally formed only on the surface (inner surface) of the sealing substrate 200 that faces the array substrate 100, but the spacer 300 faces the sealing substrate 200 of the array substrate 100. May be formed integrally only on the surface to be mounted, may be formed integrally on the inner surfaces of both substrates, or may be sandwiched between the inner surfaces of both substrates without being formed integrally on both substrates. May be.

このようなスペーサ300は、例えば金属材料によって形成される。ここで、金属材料としては、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、鉄(Fe)、シリコン(Si)などの金属材料、または、これらの合金などが適用可能である。このような金属材料を適用した場合、スペーサ300は、蒸着法(スパッタ法、電子ビーム法、加熱蒸着法、イオンプレーティング法などを含む)、CVD法、メッキ法等などによって封止基板200上に所定の高さに形成される。   Such a spacer 300 is formed of, for example, a metal material. Here, as a metal material, silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), beryllium (Be), magnesium (Mg), molybdenum (Mo), nickel (Ni), tungsten ( Metal materials such as W), chromium (Cr), iron (Fe), and silicon (Si), or alloys thereof are applicable. When such a metal material is applied, the spacer 300 is formed on the sealing substrate 200 by an evaporation method (including a sputtering method, an electron beam method, a heating evaporation method, an ion plating method, or the like), a CVD method, a plating method, or the like. Formed at a predetermined height.

また、スペーサ300は、導電性粒子を含有する樹脂材料によって形成しても良い。導電性粒子としては、上述したような各種金属材料からなる金属微粒子や、カーボン粒子、半導体微粒子などが適用可能である。樹脂材料としては、ポリエステル、ポリビニル、ポリスチレン、ナイロン、ポリシロキサン、ポリエーテル、エポキシなどの高分子材料が適用可能である。このような樹脂材料に上述した導電性粒子を分散した材料を適用した場合、スペーサ300は、フォトリソグラフィ法、印刷法などによって封止基板200上に所定の高さに形成される。   Further, the spacer 300 may be formed of a resin material containing conductive particles. As the conductive particles, metal fine particles made of various metal materials as described above, carbon particles, semiconductor fine particles, and the like are applicable. As the resin material, polymer materials such as polyester, polyvinyl, polystyrene, nylon, polysiloxane, polyether, and epoxy are applicable. In the case where a material in which the above-described conductive particles are dispersed is applied to such a resin material, the spacer 300 is formed on the sealing substrate 200 at a predetermined height by a photolithography method, a printing method, or the like.

さらに、スペーサ300は、導電性高分子材料によって形成によって形成しても良い。導電性高分子材料としては、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリチオフェンなどの導電性を有する高分子材料が適用可能であり、また、これら導電性高分子材料に上述した導電性粒子を添加した材料も適用可能である。さらに、メッキペーストのように導電性粒子にガラス粒子を混入した材料も適用可能である。このような導電性高分子材料を適用した場合、スペーサ300は、フォトリソグラフィ法、印刷法などによって封止基板200上に所定の高さに形成される。   Further, the spacer 300 may be formed by forming with a conductive polymer material. As the conductive polymer material, a polymer material having conductivity such as polyaniline, polyfluorene, polythiophene or the like can be applied, and a material obtained by adding the above-described conductive particles to these conductive polymer materials is also applicable. It is. Furthermore, a material in which glass particles are mixed into conductive particles such as a plating paste is also applicable. When such a conductive polymer material is applied, the spacer 300 is formed at a predetermined height on the sealing substrate 200 by a photolithography method, a printing method, or the like.

具体的なスペーサ300のパターンとしては、例えば、図9に示すように、封止基板200の内面において、所定の配置密度で配置される。スペーサ300の配置密度は、必要な熱伝導性や必要な支持強度などに応じて適宜設定される。   As a specific pattern of the spacer 300, for example, as shown in FIG. 9, the spacer 300 is arranged at a predetermined arrangement density on the inner surface of the sealing substrate 200. The arrangement density of the spacers 300 is appropriately set according to necessary thermal conductivity, necessary support strength, and the like.

このように、封止基板200上に選択的に熱伝導率が高いスペーサ300を形成することにより、有機EL表示装置全面にわたり均一にかつ効率良く除熱することができる。したがって、長期にわたって良好な表示性能を維持することが可能な表示装置を提供することができる。また、薄型化が可能であるとともに製造コストの低減が可能な表示装置を提供することができる。   As described above, by selectively forming the spacer 300 having a high thermal conductivity on the sealing substrate 200, heat can be uniformly and efficiently removed over the entire surface of the organic EL display device. Therefore, it is possible to provide a display device that can maintain good display performance over a long period of time. Further, it is possible to provide a display device that can be thinned and can be manufactured at a reduced cost.

なお、上述した第3実施形態では、下面発光方式の有機EL表示装置を例に説明したが、上面発光方式にも適用可能である。すなわち、封止基板200として光透過性を有する基板を適用し、しかも、スペーサ300が画素の開口部(実質的に発光する部分)を覆わないように配置することにより、EL発光をアレイ基板100の上面側すなわち封止基板200側から出射させることも可能である。   In the third embodiment described above, the bottom emission organic EL display device has been described as an example, but the present invention can also be applied to a top emission method. That is, by applying a light-transmitting substrate as the sealing substrate 200 and disposing the spacer 300 so as not to cover the opening (substantially light emitting portion) of the pixel, the EL light emission is emitted from the array substrate 100. It is also possible to emit light from the upper surface side, that is, the sealing substrate 200 side.

(実施例1)
実施例1における有機EL表示装置の製造方法について説明する。なお、表示エリア102は対角6インチのサイズを有しており、精細度は150ppi(pixel per inch)である。
Example 1
A method of manufacturing the organic EL display device in Example 1 will be described. The display area 102 has a size of 6 inches diagonal, and the definition is 150 ppi (pixel per inch).

まず、配線基板120を用意する。すなわち、光透過性を有する0.7mm厚の絶縁性基板を用意する。そして、金属膜及び絶縁膜の成膜、パターニングなどの処理を繰り返し、絶縁基板上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108の他に、信号線Xn、走査線Ym、電源供給線Pm等の各種配線も形成した配線基板120を形成する。   First, the wiring board 120 is prepared. That is, a 0.7 mm thick insulating substrate having light transmittance is prepared. Then, processes such as formation of a metal film and an insulating film and patterning are repeated, and in addition to the pixel switch 10, the driving transistor 20, the storage capacitor element 30, the scanning line driving circuit 107, and the signal line driving circuit 108 on the insulating substrate. Then, the wiring substrate 120 on which various wirings such as the signal line Xn, the scanning line Ym, and the power supply line Pm are also formed.

続いて、各画素PXに光透過性を有する導電性材料例えばITO(インジウム・ティン・オキサイド)からなる第1電極60を形成する。ITOを成膜する際には、スパッタの温度制御により表面の凹凸差の平均値を50オングストローム以下となるよう制御した。そして、このような配線基板120上に第1電極60を囲むように親液性を有する第1絶縁層や疎液性を有する第2絶縁層などを積層した構造の隔壁70を形成する。   Subsequently, a first electrode 60 made of a conductive material having optical transparency, for example, ITO (indium tin oxide) is formed in each pixel PX. When forming the ITO film, the average value of the surface unevenness difference was controlled to 50 angstroms or less by controlling the temperature of sputtering. Then, a partition wall 70 having a structure in which a lyophilic first insulating layer, a lyophobic second insulating layer, or the like is laminated on the wiring substrate 120 so as to surround the first electrode 60 is formed.

続いて、各画素内に、有機発光層の他にホールバッファ層などを含む有機活性層64を形成する。この有機活性層64は、例えば、ホールバッファ層や有機発光層などを形成する導電性高分子PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)さらに高分子系発光ポリマ材料をピエゾ式インクジェットノズルを用いて塗布した後、乾燥処理を施すことで形成される。   Subsequently, an organic active layer 64 including a hole buffer layer and the like in addition to the organic light emitting layer is formed in each pixel. The organic active layer 64 is formed by, for example, applying a conductive polymer PEDOT (polyethylenedioxythiophene), which forms a hole buffer layer, an organic light emitting layer, or the like, and a polymer light emitting polymer material using a piezoelectric inkjet nozzle, It is formed by applying a drying process.

続いて、アレイ基板100の表面全体に第2電極66を形成する。すなわち、この第2電極は、有機活性層64上及び有機活性層64より突出した隔壁70上に配置され、全画素共通に設けられる。ここでは、陰極材料としてバリウム(Ba)と、カバーメタルとして銀(Ag)とを連続蒸着した。この際、バリウムの成膜レートを前半5オングストローム/sec、後半20オングストローム/secとし、さらに銀の成膜レートを50オングストローム/secに設定した。これにより、各画素PXの有機EL素子40が形成される。   Subsequently, the second electrode 66 is formed on the entire surface of the array substrate 100. That is, the second electrode is disposed on the organic active layer 64 and on the partition wall 70 protruding from the organic active layer 64, and is provided in common for all pixels. Here, barium (Ba) as the cathode material and silver (Ag) as the cover metal were continuously deposited. At this time, the deposition rate of barium was set to 5 angstrom / sec in the first half, 20 angstrom / sec in the latter half, and the deposition rate of silver was set to 50 angstrom / sec. Thereby, the organic EL element 40 of each pixel PX is formed.

続いて、封止基板200を用意する。すなわち、封止基板200としては、光透過性を有する0.7mm厚のガラス基板を用意する。そして、この封止基板200の一方の主面に、所定パターンのマスクを介して銀(Ag)を蒸着し、図3に示したようなパターンの熱伝導層250を形成する。   Subsequently, the sealing substrate 200 is prepared. That is, as the sealing substrate 200, a 0.7 mm thick glass substrate having light transmittance is prepared. And silver (Ag) is vapor-deposited through the mask of a predetermined pattern on one main surface of this sealing substrate 200, and the heat conductive layer 250 of a pattern as shown in FIG. 3 is formed.

続いて、この封止基板200における熱伝導層250を形成した主面の外周に沿って紫外線硬化型のシール材400を印刷し、不活性ガス雰囲気中において、アレイ基板100と封止基板200とを圧着して貼り合わせる。これにより、有機EL素子40は、不活性ガス雰囲気の密閉空間内に封入される。その後、紫外線を照射して、シール材400を硬化させる。その後、さらに、OLB(outer lead bonding)により外部接続端子を実装し、有機EL表示装置を製造した。   Subsequently, an ultraviolet curable sealant 400 is printed along the outer periphery of the main surface of the sealing substrate 200 on which the heat conductive layer 250 is formed. In an inert gas atmosphere, the array substrate 100, the sealing substrate 200, and the like are printed. Crimp and paste together. Thereby, the organic EL element 40 is enclosed in the sealed space of an inert gas atmosphere. Thereafter, the sealing material 400 is cured by irradiating with ultraviolet rays. Thereafter, external connection terminals were further mounted by OLB (outer lead bonding) to manufacture an organic EL display device.

このようにして製造した有機EL表示装置1において、各画素の有機EL素子40に流す駆動電流量を調整して初期輝度100Cd/mの条件でライフ試験を行った。この結果、有機EL素子40の輝度が半減する寿命は約20,000時間であり、十分なライフ特性を得られることが確認できた。 In the organic EL display device 1 manufactured as described above, the life test was performed under the condition of the initial luminance of 100 Cd / m 2 by adjusting the amount of drive current flowing through the organic EL element 40 of each pixel. As a result, the lifetime in which the luminance of the organic EL element 40 is halved is about 20,000 hours, and it was confirmed that sufficient life characteristics can be obtained.

(実施例2)
実施例2における有機EL表示装置の製造方法について説明する。ここでは、実施例1の場合と同様な構造のアレイ基板100を用いた。なお、ITOを成膜する際には、スパッタ後に220℃で1時間アニールすることで表面の凹凸差の平均値を100オングストローム以下となるように膜質を改善した。また、隔壁70を形成した後に、ITO上にホール接合材料としてTPD(N,N’ビフェニルN,N’ビスメチルフェニル−ビフェニルジアミン)、有機発光層材料としてAlq3(トリスヒドロキシキノンアルミニウム)を連続蒸着した。さらに、陰極材料としてマグネシウム(Mg)とカバーメタルとして銀(Ag)を連続蒸着した。この際、マグネシウムを50オングストローム成膜した後に銀(Ag)とマグネシウム(Mg)とを交互に蒸着し、100オングストロームの合金を成膜した後に、さらに銀(Ag)を500オングストローム成膜した。
(Example 2)
A method of manufacturing the organic EL display device in Example 2 will be described. Here, the array substrate 100 having the same structure as that of the first embodiment is used. When forming the ITO film, the film quality was improved by annealing at 220 ° C. for 1 hour after sputtering so that the average value of the surface unevenness difference was 100 angstroms or less. After forming the partition wall 70, TPD (N, N′biphenyl N, N′bismethylphenyl-biphenyldiamine) as a hole bonding material and Alq3 (trishydroxyquinone aluminum) as an organic light emitting layer material are continuously deposited on ITO. did. Further, magnesium (Mg) as a cathode material and silver (Ag) as a cover metal were continuously deposited. At this time, magnesium (Ag) and magnesium (Mg) were alternately deposited after forming a magnesium film having a thickness of 50 angstroms to form a 100 angstrom alloy, and then a silver (Ag) film having a thickness of 500 angstroms was further formed.

続いて、封止基板200を用意する。すなわち、封止基板200としては、光透過性を有する0.7mm厚のガラス基板を用意する。そして、この封止基板200の一方の主面に、所定パターンのマスクを介してアルミニウム(Al)を蒸着し、図4に示したようなパターンの熱伝導層250を形成する。   Subsequently, the sealing substrate 200 is prepared. That is, as the sealing substrate 200, a 0.7 mm thick glass substrate having light transmittance is prepared. And aluminum (Al) is vapor-deposited through the mask of a predetermined pattern on one main surface of this sealing substrate 200, and the heat conductive layer 250 of a pattern as shown in FIG. 4 is formed.

続いて、熱伝導層250を形成した封止基板200の主面に、さらに紫外線硬化型のアクリル樹脂を5μmの膜厚に塗布して乾燥する。そして、封止基板200の他方の主面(熱伝導層250が形成されていない面)全体に紫外線を照射することによってアクリル樹脂を選択的に露光する。そして、このアクリル樹脂を現像することにより、スペーサ300を形成する。
他のプロセスは実施例1と同様に行い、有機EL表示装置を製造した。
Subsequently, an ultraviolet curable acrylic resin is further applied to the main surface of the sealing substrate 200 on which the heat conductive layer 250 is formed to a thickness of 5 μm and dried. Then, the acrylic resin is selectively exposed by irradiating the entire other main surface (the surface on which the heat conductive layer 250 is not formed) of the sealing substrate 200 with ultraviolet rays. Then, the spacer 300 is formed by developing the acrylic resin.
Other processes were performed in the same manner as in Example 1 to manufacture an organic EL display device.

このようにして製造した有機EL表示装置1において、実施例1と同様のライフ試験を行った結果、有機EL素子40の輝度が半減する寿命は約30,000時間であり、十分なライフ特性を得られることが確認できた。   In the organic EL display device 1 thus manufactured, the life test similar to that of Example 1 was performed. As a result, the lifetime in which the luminance of the organic EL element 40 was reduced by half was about 30,000 hours, and sufficient life characteristics were obtained. It was confirmed that it was obtained.

(実施例3)
実施例3における有機EL表示装置の製造方法について説明する。ここでは、実施例1の場合と同一構造のアレイ基板100を用いた。封止基板200としては、光透過性を有する0.7mm厚のガラス基板を用意する。そして、この封止基板200の一方の主面に、所定パターンのマスクを介してハンダペーストを10μmの膜厚にスクリーン印刷した後、焼成することにより、図8に示したようなパターンのスペーサ300を封止基板200上に固着形成する。
他のプロセスは実施例1と同様に行い、有機EL表示装置を製造した。
(Example 3)
A method for manufacturing the organic EL display device in Example 3 will be described. Here, the array substrate 100 having the same structure as in the first embodiment is used. As the sealing substrate 200, a 0.7 mm thick glass substrate having light transmittance is prepared. Then, a solder paste is screen-printed to a thickness of 10 μm on one main surface of the sealing substrate 200 through a mask having a predetermined pattern, and then baked to form a spacer 300 having a pattern as shown in FIG. Is fixedly formed on the sealing substrate 200.
Other processes were performed in the same manner as in Example 1 to manufacture an organic EL display device.

このようにして製造した有機EL表示装置1において、実施例1と同様のライフ試験を行った結果、有機EL素子40の輝度が半減する寿命は約20,000時間であり、十分なライフ特性を得られることが確認できた。   In the organic EL display device 1 manufactured as described above, a life test similar to that of Example 1 was performed. As a result, the lifetime at which the luminance of the organic EL element 40 was reduced by half was about 20,000 hours, and sufficient life characteristics were obtained. It was confirmed that it was obtained.

(実施例4)
実施例4における有機EL表示装置の製造方法について説明する。ここでは、実施例2の場合と同一構造のアレイ基板100を用いた。封止基板200としては、光透過性を有する0.7mm厚のガラス基板を用意する。そして、この封止基板200の一方の主面に、カーボン粒子を含有した紫外線硬化型のアクリル樹脂を5μmの膜厚に塗布して乾燥する。そして、所定パターン(スペーサを形成する部分で紫外線を透過可能なパターン)のフォトマスクを介して封止基板200の主面に紫外線を照射することによってアクリル樹脂を選択的に露光する。そして、このアクリル樹脂を現像することにより、スペーサ300を形成する。
他のプロセスは実施例1と同様に行い、有機EL表示装置を製造した。
Example 4
A method of manufacturing the organic EL display device in Example 4 will be described. Here, the array substrate 100 having the same structure as that of the second embodiment is used. As the sealing substrate 200, a 0.7 mm thick glass substrate having light transmittance is prepared. Then, an ultraviolet curable acrylic resin containing carbon particles is applied to one main surface of the sealing substrate 200 to a thickness of 5 μm and dried. Then, the acrylic resin is selectively exposed by irradiating the main surface of the sealing substrate 200 with ultraviolet light through a photomask having a predetermined pattern (pattern capable of transmitting ultraviolet light at a portion where the spacer is formed). Then, the spacer 300 is formed by developing the acrylic resin.
Other processes were performed in the same manner as in Example 1 to manufacture an organic EL display device.

このようにして製造した有機EL表示装置1において、実施例1と同様のライフ試験を行った結果、有機EL素子40の輝度が半減する寿命は約30,000時間であり、十分なライフ特性を得られることが確認できた。   In the organic EL display device 1 thus manufactured, the life test similar to that of Example 1 was performed. As a result, the lifetime in which the luminance of the organic EL element 40 was reduced by half was about 30,000 hours, and sufficient life characteristics were obtained. It was confirmed that it was obtained.

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the spirit of the invention in the stage of implementation. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

図1は、この発明の一実施の形態に係る有機EL表示装置の構成を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 図2は、第1実施形態に係る有機EL表示装置の一部の断面構造を概略的に示す図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing a partial cross-sectional structure of the organic EL display device according to the first embodiment. 図3は、第1実施形態に適用可能な封止基板の構造を概略的に示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view schematically showing a structure of a sealing substrate applicable to the first embodiment. 図4は、第1実施形態に適用可能な封止基板の他の構造を概略的に示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view schematically showing another structure of the sealing substrate applicable to the first embodiment. 図5は、第2実施形態に係る有機EL表示装置の一部の断面構造を概略的に示す図である。FIG. 5 is a diagram schematically showing a partial cross-sectional structure of the organic EL display device according to the second embodiment. 図6は、第2実施形態に適用可能な封止基板の構造を概略的に示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view schematically showing a structure of a sealing substrate applicable to the second embodiment. 図7の(a)乃至(c)は、第2実施形態に適用可能な封止基板の製造方法を概略的に説明するための図である。FIGS. 7A to 7C are views for schematically explaining a method for manufacturing a sealing substrate applicable to the second embodiment. 図8は、第3実施形態に係る有機EL表示装置の一部の断面構造を概略的に示す図である。FIG. 8 is a diagram schematically showing a partial cross-sectional structure of the organic EL display device according to the third embodiment. 図9は、第3実施形態に適用可能な封止基板の構造を概略的に示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view schematically showing the structure of a sealing substrate applicable to the third embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1…有機EL表示装置、10…画素スイッチ、20…駆動トランジスタ、30…蓄積容量素子、40…有機EL素子、60…第1電極、64…有機活性層、66…第2電極、70…隔壁、100…アレイ基板、200…封止基板、250…熱伝導層、300…スペーサ、400…シール材、PX…画素   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display apparatus, 10 ... Pixel switch, 20 ... Drive transistor, 30 ... Storage capacitor element, 40 ... Organic EL element, 60 ... 1st electrode, 64 ... Organic active layer, 66 ... 2nd electrode, 70 ... Partition , 100 ... Array substrate, 200 ... Sealing substrate, 250 ... Thermally conductive layer, 300 ... Spacer, 400 ... Sealing material, PX ... Pixel

Claims (15)

画像を表示する表示エリアにおいて、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極と、前記第1電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に保持された有機活性層と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板を封止する封止基板と、を備え、
前記封止基板は、前記封止基板より高い熱伝導率を有する熱伝導層を備えたことを特徴とする表示装置。
In a display area for displaying an image, a first electrode formed in an independent island shape for each pixel arranged in a matrix, and a second electrode arranged opposite to the first electrode and formed in common for all pixels An array substrate comprising: an organic active layer held between the first electrode and the second electrode;
A sealing substrate for sealing the array substrate,
The display device, wherein the sealing substrate includes a heat conductive layer having a higher thermal conductivity than the sealing substrate.
前記熱伝導層は、10W/m・K以上の熱伝導率を有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the heat conductive layer has a heat conductivity of 10 W / m · K or more. 前記熱伝導層は、前記アレイ基板と対向する面に一体的に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the heat conductive layer is integrally formed on a surface facing the array substrate. 前記熱伝導層は、前記アレイ基板および封止基板との封着領域内からその外方まで延在して形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the heat conductive layer is formed to extend from a sealing region between the array substrate and the sealing substrate to the outside thereof. 前記アレイ基板と前記封止基板との間に所定ギャップを形成するためのスペーサを備えたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, further comprising a spacer for forming a predetermined gap between the array substrate and the sealing substrate. 前記熱伝導層は、遮光性を有するとともに、
前記スペーサは、前記熱伝導層とともに前記封止基板の前記アレイ基板と対向する面に一体的に形成されたことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
The heat conductive layer has a light shielding property,
The display device according to claim 5, wherein the spacer is formed integrally with a surface of the sealing substrate facing the array substrate together with the heat conductive layer.
前記熱伝導層は、金属材料によって形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the heat conductive layer is formed of a metal material. 前記熱伝導層は、導電性粒子を含有する樹脂材料によって形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the heat conductive layer is formed of a resin material containing conductive particles. 前記熱伝導層は、導電性高分子材料によって形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the heat conductive layer is formed of a conductive polymer material. 画像を表示する表示エリアにおいて、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第1電極と、前記第1電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に保持された有機活性層と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板を封止する封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に配置されたスペーサと、を備え、
前記スペーサは、前記封止基板より高い熱伝導率を有することを特徴とする表示装置。
In a display area for displaying an image, a first electrode formed in an independent island shape for each pixel arranged in a matrix, and a second electrode arranged opposite to the first electrode and formed in common for all pixels An array substrate comprising: an organic active layer held between the first electrode and the second electrode;
A sealing substrate for sealing the array substrate;
A spacer disposed between the array substrate and the sealing substrate,
The display device, wherein the spacer has a higher thermal conductivity than the sealing substrate.
前記スペーサは、10W/m・K以上の熱伝導率を有することを特徴とする請求項10に記載の表示装置。   The display device according to claim 10, wherein the spacer has a thermal conductivity of 10 W / m · K or more. 前記スペーサは、前記封止基板の前記アレイ基板と対向する面に一体的に形成されたことを特徴とする請求項10に記載の表示装置。   The display device according to claim 10, wherein the spacer is integrally formed on a surface of the sealing substrate facing the array substrate. 前記熱伝導層は、金属材料によって形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the heat conductive layer is formed of a metal material. 前記スペーサは、導電性粒子を含有する樹脂材料によって形成されたことを特徴とする請求項10に記載の表示装置。   The display device according to claim 10, wherein the spacer is formed of a resin material containing conductive particles. 前記スペーサは、導電性高分子材料によって形成されたことを特徴とする請求項10に記載の表示装置。   The display device according to claim 10, wherein the spacer is made of a conductive polymer material.
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