JP2005310758A

JP2005310758A - Manufacturing method of light emission device, and electronic device

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Publication number: JP2005310758A
Application number: JP2005074315A
Authority: JP
Inventors: Tsunenori Suzuki; 恒徳鈴木; Tetsushi Seo; 哲史瀬尾; Ryoji Nomura; 亮二野村
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2004-03-26
Filing date: 2005-03-16
Publication date: 2005-11-04

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emission device capable of reducing the increase of power consumption generated by the stabilizing treatment of lowering of brightness caused by the elapse of light emitting period. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the light emission device comprises a process of impressing a reversed voltage on a light emitting element having rectifying function after applying a treatment of stabilizing the lowering of the brightness of the light emitting element. Although there is not any specific restriction on the treatment for stabilizing the lowering of the brightness, for example, a process of impressing forward voltage can be applied. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、発光装置の製造方法に関し、特に発光輝度の低下の安定化処理に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device, and more particularly, to a stabilization process for a decrease in light emission luminance.

エレクトロルミネッセンス素子（発光素子）からの発光を利用した発光装置は、高視野角、低消費電力の表示用装置として注目されている装置である。 A light-emitting device using light emission from an electroluminescence element (light-emitting element) is a device that has attracted attention as a display device with a high viewing angle and low power consumption.

ところで、発光素子は、一定の電流を流し続けて発光させたとき、発光時間の経過に伴って発光輝度が下がっていく現象を示す。このような発光輝度の低下は、特に経過時間の初期において顕著であり、一定時間が経過した後、徐々に安定になる。 By the way, the light emitting element exhibits a phenomenon in which the light emission luminance decreases as the light emission time elapses when light is emitted while a constant current is applied. Such a decrease in light emission luminance is particularly remarkable at the beginning of the elapsed time, and becomes gradually stable after a certain time has elapsed.

その為、発光装置の製造においては、発光時間の経過に伴う発光輝度の低下を安定化するための処理が行われることがある。例えば、特許文献１では、駆動時の電流密度の５〜１０００倍の電流密度でエージングする有機電界発光素子の製造方法について開示されている。 Therefore, in the manufacture of a light emitting device, a process for stabilizing a decrease in light emission luminance with the passage of light emission time may be performed. For example, Patent Document 1 discloses a method for manufacturing an organic electroluminescent element that is aged at a current density that is 5 to 1000 times the current density during driving.

しかし、発光素子は、発光時間の経過に伴って、或る特定の大きさの電流を流すのに必要な電圧が大きくなるという現象も示す。この為、特許文献１に記載の製造方法では、発光装置の消費電力が増加するという問題がある。 However, the light-emitting element also exhibits a phenomenon that a voltage necessary for flowing a current having a specific magnitude increases with the passage of light emission time. For this reason, the manufacturing method described in Patent Document 1 has a problem that the power consumption of the light emitting device increases.

特開平８−１８５９７９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 8-185979

本発明は、発光時間の経過に伴う発光輝度の低下の安定化処理によって生じる消費電力の増加を低減できる発光装置の製造方法について提供することを課題とする。 It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a light emitting device that can reduce an increase in power consumption caused by a stabilization process of a decrease in light emission luminance with the passage of light emission time.

本発明の発光装置の製造方法の一は、整流作用を示す発光素子に対して、発光輝度の低下を安定化するための処理をした後、逆方向の電圧を印加する工程を含むことを特徴としている。 One of the methods for manufacturing a light-emitting device of the present invention includes a step of applying a reverse voltage to a light-emitting element exhibiting a rectifying effect after a treatment for stabilizing a decrease in light emission luminance. It is said.

発光輝度の低下を安定化するための処理について特に限定はないが、例えば、順方向の電圧を印加する処理が挙げられる。 There is no particular limitation on the process for stabilizing the decrease in light emission luminance. For example, a process of applying a forward voltage can be mentioned.

本発明の発光装置の製造方法の一は、発光素子を作製後、電流が流れやすい方向の電圧を発光素子に印加し、さらに、電流が流れにくい方向の電圧を発光素子に印加する工程を含むことを特徴としている。 One method for manufacturing a light-emitting device of the present invention includes a step of applying a voltage in a direction in which a current easily flows to the light-emitting element after manufacturing the light-emitting element, and further applying a voltage in a direction in which a current does not easily flow to the light-emitting element. It is characterized by that.

本発明の発光装置の製造方法の一は、一対の電極に発光層が挟まれて成り、整流作用を示す発光素子について、発光輝度の低下を安定化するための処理をした後、逆方向の電圧を印加する工程を含むことを特徴としている。 One of the methods for manufacturing a light-emitting device of the present invention is that a light-emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes, and a light-emitting element exhibiting a rectifying function is treated in a reverse direction after being treated to stabilize a decrease in light emission luminance. It includes a step of applying a voltage.

本発明によって、発光時間の経過に伴う発光輝度の低下が安定化すると共に、安定化処理によって生じる消費電力の増加が低減した発光装置を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to obtain a light emitting device in which a decrease in light emission luminance with the passage of light emission time is stabilized and an increase in power consumption caused by the stabilization process is reduced.

以下、本発明の一態様について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention can be implemented in many different modes, and those skilled in the art can easily understand that the modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Is done. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of this embodiment mode.

（実施の形態１）
本形態では、第１の電極１０２と第２の電極１０４との間に発光層１０３を挟んで成る発光素子１０５を含む発光装置の製造方法について図１（Ａ）の斜視図と、図１（Ｂ）の断面図を用いて説明する。なお、図１（Ｂ）は、基板１０１上に作製される複数の発光素子の中の一つの断面図である。発光素子１０５において、第１の電極１０２から発光層１０３に注入された正孔と、第２の電極１０４から発光層１０３に注入された電子とは、発光層１０３において再結合し、励起子を形成する。その励起子が基底状態に戻るときに発光する。つまり、第１の電極１０２は陽極として機能し、第２の電極１０４は陰極として機能する。 (Embodiment 1)
In this embodiment mode, a manufacturing method of a light-emitting device including a light-emitting element 105 in which a light-emitting layer 103 is sandwiched between a first electrode 102 and a second electrode 104, and a perspective view of FIG. This will be described with reference to the sectional view of B). Note that FIG. 1B is a cross-sectional view of one of the plurality of light-emitting elements manufactured over the substrate 101. In the light-emitting element 105, holes injected from the first electrode 102 into the light-emitting layer 103 and electrons injected from the second electrode 104 into the light-emitting layer 103 are recombined in the light-emitting layer 103, thereby excitons. Form. Light is emitted when the exciton returns to the ground state. That is, the first electrode 102 functions as an anode, and the second electrode 104 functions as a cathode.

基板１０１上に、第１の電極１０２を形成する。第１の電極１０２は、導電膜を成膜後、その導電膜を、行方向または列方向のいずれか一方向に並列に延びた複数の導電膜が形成されるように加工することによって形成すればよい。ここで、第１の電極１０２について特に限定はないが、仕事関数の大きい物質を用いて形成することが好ましい。具体的には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、２〜２０％の酸化亜鉛を含む酸化インジウムの他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等を用いることができる。なお、第１の電極１０２の形成方法について特に限定はなく、例えばスパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。 A first electrode 102 is formed over the substrate 101. The first electrode 102 is formed by forming a conductive film and then processing the conductive film so that a plurality of conductive films extending in parallel in either the row direction or the column direction are formed. That's fine. Here, there is no particular limitation on the first electrode 102, but it is preferable to use a substance having a high work function. Specifically, indium tin oxide (ITO), indium tin oxide containing silicon oxide, indium oxide containing 2 to 20% zinc oxide, gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni ), Tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu), palladium (Pd), or the like. Note that there is no particular limitation on the method for forming the first electrode 102, and the first electrode 102 can be formed by, for example, a sputtering method or an evaporation method.

次に、第１の電極１０２上に、発光層１０３を形成する。発光層１０３は、以下に示すように、第１の層１１１、第２の層１１２、第３の層１１３、第４の層１１４、第５の層１１５を順に積層して形成する。 Next, the light-emitting layer 103 is formed over the first electrode 102. As described below, the light-emitting layer 103 is formed by sequentially stacking a first layer 111, a second layer 112, a third layer 113, a fourth layer 114, and a fifth layer 115.

先ず、第１の電極１０２上に第１の層１１１を形成する。ここで、第１の層１１１について特に限定はないが、第１の電極１０２から発光層１０３へ正孔が注入されるのを補助することができる物質を用いて形成することが好ましい。具体的には、フタロシアニン（略称：Ｈ₂Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）のようなフタロシアニン系の化合物の他、モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）、バナジウム酸化物（ＶＯｘ）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）、マンガン酸化物（ＭｎＯｘ）等の金属酸化物を用いて、第１の層１１１を形成することができる。なお、第１の層１１１の形成方法について特に限定はなく、例えばスパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。 First, the first layer 111 is formed over the first electrode 102. Here, there is no particular limitation on the first layer 111, but it is preferable to use a substance that can assist the injection of holes from the first electrode 102 into the light-emitting layer 103. Specifically, in addition to phthalocyanine compounds such as phthalocyanine (abbreviation: H ₂ Pc) and copper phthalocyanine (abbreviation: CuPc), molybdenum oxide (MoOx), vanadium oxide (VOx), ruthenium oxide (RuOx) ), Tungsten oxide (WOx), manganese oxide (MnOx), or other metal oxide can be used to form the first layer 111. Note that there is no particular limitation on a method for forming the first layer 111, and the first layer 111 can be formed by, for example, a sputtering method, an evaporation method, or the like.

次に、第１の層１１１上に第２の層１１２を形成する。ここで第２の層１１２について特に限定はないが、正孔を輸送し易い物質を用いて形成することが好ましい。また、正孔を輸送し易く、さらに電子が流れるのを阻止できるような物質を用いて形成することがより好ましい。具体的には、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）、４，４'−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４'，４''−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４'，４''−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）等の芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物等を用いて、第２の層１１２を形成することができる。なお、第２の層１１２の形成方法について特に限定はなく、例えば蒸着法等を用いて形成することができる。 Next, the second layer 112 is formed over the first layer 111. Here, there is no particular limitation on the second layer 112, but it is preferable to use a substance that easily transports holes. It is more preferable to use a substance that can easily transport holes and prevent electrons from flowing. Specifically, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] -biphenyl (abbreviation: α-NPD), 4,4′-bis [N- (3-methylphenyl) ) -N-phenyl-amino] -biphenyl (abbreviation: TPD), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenyl-amino] -triphenylamine (abbreviation: MTDATA) and other aromatic amine-based compounds (that is, having a benzene ring-nitrogen bond) Or the like can be used to form the second layer 112. Note that there is no particular limitation on a method for forming the second layer 112, and the second layer 112 can be formed by, for example, an evaporation method.

次に、第２の層１１２上に第３の層１１３を形成する。ここで第３の層１１３について特に限定はないが、発光性の高い物質（発光物質）を用いて形成することが好ましい。なお、発光物質が層中において分散している方が好ましいときは、発光物質と発光物質よりも、ＨＯＭＯ準位とＬＵＭＯ準位のエネルギーギャップの高い物質とを、発光物質が分散するように混合して、第３の層１１３を形成すればよい。なお、発光物質と発光物質よりもエネルギーギャップの高い物質とのいずれか一又は両方は、電子も正孔も輸送し易い物質であることがより好ましい。発光物質の具体例としては、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−［２−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジン−９−イル)エテニル］ −４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジン−９−イル)エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＢ）、ペリフランテン、２,５−ジシアノ−１,４−ビス［２−(１０−メトキシ−１,１,７,７−テトラメチルジュロリジン−９−イル)エテニル］ベンゼン、Ｎ,Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス(８−キノリノラト)アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、９,９’−ビアントリル、９,１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９,１０−ビス(２−ナフチル)アントラセン（略称：ＤＮＡ）が挙げられる。また、この他、周期表の第３族に属する元素である白金またはイリジウム等を中心金属とする金属錯体等を用いることができる。 Next, the third layer 113 is formed over the second layer 112. Here, there is no particular limitation on the third layer 113, but it is preferable to form the third layer 113 using a substance having high light-emitting properties (a light-emitting substance). Note that when it is preferable that the light-emitting substance is dispersed in the layer, the light-emitting substance and a substance having a higher energy gap between the HOMO level and the LUMO level than the light-emitting substance are mixed so that the light-emitting substance is dispersed. Then, the third layer 113 may be formed. Note that it is more preferable that one or both of the light-emitting substance and the substance having an energy gap higher than that of the light-emitting substance is a substance that easily transports both electrons and holes. As a specific example of a light-emitting substance, 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethyljulolidin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran (abbreviation: DCJT) ), 4-dicyanomethylene-2-tert-butyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethyljulolidin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran (abbreviation: DCJTB), periflanthene, 2,5-dicyano-1,4-bis [2- (10-methoxy-1,1,7,7-tetramethyljulolidin-9-yl) ethenyl] benzene, N, N′-dimethylquinacridone (abbreviation: DMQd), coumarin 6, coumarin 545T, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq ₃ ), 9,9′-bianthryl, 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPA) and 9,10-bis (2- Naf Til) anthracene (abbreviation: DNA). In addition, a metal complex having platinum or iridium as an element belonging to Group 3 of the periodic table as a central metal can be used.

次に、第３の層１１３上に第４の層１１４を形成する。ここで第４の層１１４について特に限定はないが、電子を輸送し易い物質を用いて形成することが好ましい。また、電子を輸送し易く、さらに正孔が流れるのを阻止できるような物質を用いて形成することがより好ましい。具体例には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ₃）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［h］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ₂）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。なお、第４の層１１４の形成方法について特に限定はなく、例えば蒸着法等を用いて形成することができる。 Next, the fourth layer 114 is formed over the third layer 113. Here, there is no particular limitation on the fourth layer 114, but it is preferable to form the fourth layer 114 using a substance that easily transports electrons. In addition, it is more preferable to use a substance that can easily transport electrons and prevent holes from flowing. Specific examples include tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq ₃ ), tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Almq ₃ ), bis (10-hydroxybenzo [h] -quinolinato) beryllium. A metal complex having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton, such as (abbreviation: BeBq ₂ ) or bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq), can be used. Note that there is no particular limitation on the method of forming the fourth layer 114, and the fourth layer 114 can be formed by, for example, an evaporation method.

次に、第４の層１１４上に第５の層１１５を形成する。ここで、第５の層１１５について特に限定はないが、第２の電極１０４から発光層１０３へ電子が注入されるのを補助することができる物質を用いて形成することが好ましい。具体的には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ₂）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物等を用いることができる。なお、第５の層１１５の形成方法について特に限定はなく、例えば蒸着法等を用いて形成することができる。 Next, a fifth layer 115 is formed over the fourth layer 114. Here, there is no particular limitation on the fifth layer 115, but it is preferable to form the fifth layer 115 using a substance that can assist injecting electrons from the second electrode 104 to the light-emitting layer 103. Specifically, an alkali metal or alkaline earth metal compound such as lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), calcium fluoride (CaF ₂ ), or the like can be used. Note that there is no particular limitation on the formation method of the fifth layer 115, and the fifth layer 115 can be formed by, for example, an evaporation method.

以上のようにして形成された発光層１０３上に、第２の電極１０４を形成する。第２の電極１０４は、導電膜を成膜後、その導電膜を、第１の電極１０２と交差するように並列に延びた複数の導電膜が形成されるように加工することによって形成すればよい。ここで、第２の電極１０４について特に限定はないが、仕事関数の小さい物質を用いて形成することが好ましい。具体的には、リチウム（Ｌｉ）等のアルカリ金属またはマグネシウム等のアルカリ土類金属等を含んだアルミニウム等を用いることができる。また、本形態のように、第２の電極１０４から発光層１０３へ電子が注入されるのを補助することができる物質を含んで成る層（第４の層１１４）を設けることによって、先に述べたＩＴＯ等のような仕事関数の高い物質を第２の電極１０４を形成する物質として用いることができる。なお、第２の電極１０４の形成方法について特に限定はなく、例えば蒸着法等を用いて形成することができる。また、第１の電極１０２と第２の電極１０４のいずれか一または両方は、可視光を透過できるように、電極の厚さ及び物質を選択して形成することが好ましい。 The second electrode 104 is formed over the light-emitting layer 103 formed as described above. The second electrode 104 may be formed by forming a conductive film and then processing the conductive film so that a plurality of conductive films extending in parallel so as to intersect the first electrode 102 are formed. Good. Here, there is no particular limitation on the second electrode 104; however, it is preferable to use a substance having a low work function. Specifically, aluminum containing an alkali metal such as lithium (Li) or an alkaline earth metal such as magnesium can be used. In addition, by providing a layer (fourth layer 114) containing a substance that can assist in injecting electrons from the second electrode 104 into the light-emitting layer 103 as in this embodiment mode, A substance having a high work function such as ITO described above can be used as a substance for forming the second electrode 104. Note that there is no particular limitation on a method for forming the second electrode 104, and the second electrode 104 can be formed by, for example, an evaporation method. Further, it is preferable that one or both of the first electrode 102 and the second electrode 104 be formed by selecting a thickness and a material of the electrode so that visible light can be transmitted.

以上のようにして、基板１０１上に行方向及び列方向に並んだ複数の発光素子１０５を作製することができる。なお、発光素子１０５は整流作用を示す素子である。 As described above, the plurality of light-emitting elements 105 arranged in the row direction and the column direction on the substrate 101 can be manufactured. Note that the light-emitting element 105 is an element that exhibits a rectifying action.

次に、基板１０１上に作製された発光素子１０５に、一定時間、順方向の電圧を印加して、輝度の低下を安定化するための処理をする。ここで処理時間について特に限定はないが、特定の大きさの電流を流したときに得られる輝度が、処理前に得られる輝度（つまり輝度の初期値）の８０〜９５％になる迄、処理することが好ましい。具体的には、６×１０¹ｓｅｃ〜６×１０⁵ｓｅｃの間、処理することが好ましい。なお、輝度低下を安定化するための処理方法は、ここに示したものには限定されるものでなく、この他の処理方法を用いてもよい。 Next, a process for stabilizing a decrease in luminance is performed by applying a forward voltage to the light-emitting element 105 manufactured over the substrate 101 for a certain period of time. Here, the processing time is not particularly limited, but the processing is performed until the luminance obtained when a current having a specific magnitude flows is 80 to 95% of the luminance obtained before the processing (that is, the initial value of the luminance). It is preferable to do. Specifically, it is preferable to process for 6 × 10 ¹ sec to 6 × 10 ⁵ sec. Note that the processing method for stabilizing the luminance reduction is not limited to the one shown here, and other processing methods may be used.

次に、基板１０１上に作製された発光素子１０５に、一定時間、逆方向の電圧を印加する処理をする。これによって、先の輝度低下を安定化するための処理によって上がった駆動電圧を下げることができる。ここで処理時間について特に限定はないが、逆方向の電圧を印加する処理前に、特定の大きさの電流を流すために必要であった電圧の３０〜８０％になる迄、処理することが好ましい。具体的には、６×１０¹ｓｅｃ〜６×１０⁵ｓｅｃの間、処理することが好ましい。 Next, a process of applying a reverse voltage to the light-emitting element 105 manufactured over the substrate 101 for a certain period of time is performed. As a result, it is possible to reduce the drive voltage that has been raised by the process for stabilizing the previous luminance drop. Here, there is no particular limitation on the processing time, but it is possible to perform processing until it reaches 30 to 80% of the voltage required to flow a specific amount of current before applying the voltage in the reverse direction. preferable. Specifically, it is preferable to process for 6 × 10 ¹ sec to 6 × 10 ⁵ sec.

以上のようにして、パッシブ型の駆動によって発光素子１０５の発光・非発光を制御できる発光装置を得ることができる。 As described above, a light-emitting device that can control light emission / non-light emission of the light-emitting element 105 by passive driving can be obtained.

なお、本形態において製造した発光装置は、発光層へ正孔を注入するための電極を先に形成し、発光層へ電子を注入するための電極を後に形成しているが、発光素子を作製する工程は、これに限定されない。例えば、発光層へ電子を注入するための電極を先に形成し、発光層へ正孔を注入するための電極を後に形成してもよい。また、発光層の層構造についても本形態に示したものには限定されない。例えば、トリス(８−キノリノラト)アルミニウム（Ａｌｑ₃）のように発光性が高く、且つ電子を輸送し易い物質を用いる場合等は、発光素子１０５のように第３の層１１３と第４の層１１４とを別に形成しなくてもよい。また、例えば、ポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）とポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とを混合した高分子材料のように第１の電極１０２から発光層１０３へ正孔が注入されるのを補助でき、且つ正孔を輸送し易い物質を用いる場合等は、発光素子１０５のように第１の層１１１と第２の層１１２とを別に形成しなくてもよい。つまり、発光層を形成するために用いる物質の種類等によって、発光層を構成する層の数を適宜調整すればよい。発光層の形成には、低分子または高分子の有機物の他、無機物を用いてもよい。また、発光層を構成する層の厚さについても適宜調整すればよい。 Note that in the light-emitting device manufactured in this embodiment, an electrode for injecting holes into the light-emitting layer is formed first, and an electrode for injecting electrons into the light-emitting layer is formed later. The process to perform is not limited to this. For example, an electrode for injecting electrons into the light emitting layer may be formed first, and an electrode for injecting holes into the light emitting layer may be formed later. Further, the layer structure of the light emitting layer is not limited to that shown in this embodiment mode. For example, in the case of using a substance that has high light-emitting properties and easily transports electrons, such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq ₃ ), the third layer 113 and the fourth layer are formed as in the light-emitting element 105. 114 may not be formed separately. Further, for example, it can assist injection of holes from the first electrode 102 to the light emitting layer 103 like a polymer material in which polystyrene sulfonic acid (PSS) and polyethylene dioxythiophene (PEDOT) are mixed, and When a substance that easily transports holes is used, the first layer 111 and the second layer 112 are not necessarily formed separately as in the light-emitting element 105. In other words, the number of layers included in the light-emitting layer may be adjusted as appropriate depending on the type of a substance used for forming the light-emitting layer. For the formation of the light emitting layer, an inorganic substance may be used in addition to a low molecular or high molecular organic substance. Moreover, what is necessary is just to adjust suitably also about the thickness of the layer which comprises a light emitting layer.

また、発光素子１０５が空気中に含まれている水分等によって劣化しないように、以上のようにして製造した発光装置を、封止してもよい。また、発光時間の経過に伴う発光輝度の低下を安定化するための処理、または、その後行う逆方向の電圧を印加する処理を行ってもよい。 In addition, the light-emitting device manufactured as described above may be sealed so that the light-emitting element 105 is not deteriorated by moisture or the like contained in the air. In addition, a process for stabilizing a decrease in light emission luminance with the passage of the light emission time or a process for applying a reverse voltage performed thereafter may be performed.

以上のようにして製造された発光装置は、発光時間の経過に伴う発光輝度の低下が安定化され、さらに安定化処理によって生じる消費電力の増加が低減されたものである。 In the light emitting device manufactured as described above, a decrease in light emission luminance with the passage of light emission time is stabilized, and further, an increase in power consumption caused by the stabilization process is reduced.

（実施の形態２）
本発明の発光装置の製造方法によって、実施の形態１に示したようなパッシブ型の発光装置の他、アクティブマトリクス型の発光装置等も製造することができる。本実施の形態では、本発明を適用してアクティブマトリクス型の発光装置を製造する方法について、図２、３を用いて説明する。 (Embodiment 2)
In addition to the passive light-emitting device shown in Embodiment Mode 1, an active matrix light-emitting device and the like can be manufactured by the method for manufacturing a light-emitting device of the present invention. In this embodiment mode, a method for manufacturing an active matrix light-emitting device by applying the present invention will be described with reference to FIGS.

基板２０１上に、トランジスタ２０２、２０３と、そのトランジスタに信号を伝達するための配線２０５等を作製する。なお、図２（Ａ）において、トランジスタ２０２はゲート信号駆動回路部に含まれるトランジスタであり、トランジスタ２０３は、画素部に含まれるトランジスタである。 Over the substrate 201, the transistors 202 and 203, the wiring 205 for transmitting signals to the transistors, and the like are manufactured. Note that in FIG. 2A, the transistor 202 is a transistor included in the gate signal driver circuit portion, and the transistor 203 is a transistor included in the pixel portion.

次に、第１の電極２１１と第２の電極２１３との間に発光層２１２を挟んで成る発光素子２１４を作製する。発光素子２１４の作製方法について、以下に説明する。但し、発光素子２１４の構成は、下記のものには限定されない。 Next, a light-emitting element 214 in which the light-emitting layer 212 is sandwiched between the first electrode 211 and the second electrode 213 is manufactured. A method for manufacturing the light-emitting element 214 is described below. However, the structure of the light emitting element 214 is not limited to the following.

第１の電極２１１の一部と、トランジスタ２０３を覆う絶縁層を通ってトランジスタ２０３に至る配線２０５の一部とが接続するように、第１の電極２１１を形成する。ここで、第１の電極２１１について特に限定はないが、本形態では、実施の形態１における第２の電極１０４と同様の仕事関数の小さい物質を用いて第１の電極２１１を形成する。 The first electrode 211 is formed so that part of the first electrode 211 is connected to part of the wiring 205 that reaches the transistor 203 through the insulating layer covering the transistor 203. Here, there is no particular limitation on the first electrode 211; however, in this embodiment, the first electrode 211 is formed using a material having a low work function similar to that of the second electrode 104 in Embodiment 1.

次に、各々の発光素子を隔壁する、隔壁層２１０を形成する。隔壁層２１０は、曲率半径が連続的に変化する形状となるように形成することが好ましい。また、開口部からは第１の電極２１１が露出するようにする。なお、隔壁層２１０を形成する物質について特に限定はなく、例えば、アクリル、ポリイミド、シロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む物質）、レジスト等を用いることができる。ここで、アクリル、ポリイミド、レジストは、非感光性または感光性のいずれのものでもよい。 Next, a partition layer 210 that partitions each light emitting element is formed. The partition layer 210 is preferably formed so as to have a shape in which the radius of curvature continuously changes. In addition, the first electrode 211 is exposed from the opening. Note that there is no particular limitation on the substance forming the partition layer 210. For example, a substance having a skeleton structure formed of a bond of acrylic, polyimide, siloxane (silicon (Si) and oxygen (O), and containing at least hydrogen as a substituent. ), A resist or the like can be used. Here, the acrylic, polyimide, and resist may be non-photosensitive or photosensitive.

次に、隔壁層２１０の開口部から露出した第１の電極２１１上に、発光層２１２を形成する。発光層２１２について特に限定はないが、本形態では、図１０に表すように、第１の電極２１１から発光層２１２へ電子が注入されるのを補助することができる物質を含んで成る第１の層２２１と、電子を輸送し易い物質を含んで成る第２の層２２２と、発光物質を含んで成る第３の層２２３と、正孔を輸送し易い物質を含んで成る第４の層２２４と、第２の電極２１３から発光層２１２へ正孔が注入されるのを補助することができる物質を含んで成る第５の層２２５とを、第１の層２２１から順に積層して発光層２１２を形成する。 Next, the light emitting layer 212 is formed over the first electrode 211 exposed from the opening of the partition wall layer 210. Although there is no particular limitation on the light-emitting layer 212, in this embodiment mode, as illustrated in FIG. 10, a first substance including a substance that can assist injection of electrons from the first electrode 211 to the light-emitting layer 212 is used. 221, a second layer 222 containing a substance that easily transports electrons, a third layer 223 containing a light-emitting substance, and a fourth layer containing a substance that easily transports holes 224 and a fifth layer 225 including a substance that can assist in injecting holes from the second electrode 213 into the light-emitting layer 212 are stacked in order from the first layer 221 to emit light. Layer 212 is formed.

なお、第１の電極２１１から発光層２１２へ電子が注入されるのを補助することができる物質は、実施の形態１で記載した第２の電極１０４から発光層１０３へ電子が注入されるのを補助することができる物質と同様である。また、電子を輸送しやすい物質は、実施の形態１で記載した電子を輸送しやすい物質と同様である。また、発光物質は、実施の形態１で記載した発光物質と同様である。また、正孔を輸送しやすい物質は、実施の形態１で記載した正孔を輸送しやすい物質と同様である。また、第２の電極２１３から発光層２１２へ正孔が注入されるのを補助することができる物質は、実施の形態１で記載した第１の電極１０２から発光層１０３へ正孔が注入されるのを補助することができる物質と同様である。 Note that a substance that can assist the injection of electrons from the first electrode 211 into the light-emitting layer 212 is such that electrons are injected from the second electrode 104 described in Embodiment 1 into the light-emitting layer 103. It is the same as the substance that can assist. The substance that easily transports electrons is the same as the substance that easily transports electrons described in Embodiment 1. The light-emitting substance is similar to the light-emitting substance described in Embodiment 1. The substance that easily transports holes is the same as the substance that easily transports holes described in Embodiment 1. The substance that can assist in injecting holes from the second electrode 213 to the light-emitting layer 212 is such that holes are injected from the first electrode 102 described in Embodiment 1 to the light-emitting layer 103. It is similar to substances that can help.

次に、発光層２１２上に第２の電極２１３を形成する。第２の電極２１３について特に限定はないが、本形態では、実施の形態１における第１の電極１０２と同様の仕事関数の大きい物質を用いて第２の電極２１３を形成する。 Next, the second electrode 213 is formed over the light-emitting layer 212. Although there is no particular limitation on the second electrode 213, in this embodiment, the second electrode 213 is formed using a material having a high work function similar to that of the first electrode 102 in Embodiment 1.

次に、基板２０１と、基板２４０とをシール材２４１を用いて、発光素子２１４が内側に封じ込められるように貼り合わせ、封止する。この時、封じ込められた内部は、窒素等の不活性ガスまたは透湿性が低い樹脂によって充填してもよいし、または真空でもよい。 Next, the substrate 201 and the substrate 240 are bonded to each other with a sealant 241 so that the light-emitting element 214 can be enclosed inside. At this time, the enclosed interior may be filled with an inert gas such as nitrogen or a resin with low moisture permeability, or may be a vacuum.

次に、異方導電性接着剤２４３を用いて、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）２４２を基板２０１上に設けられた端子部２０６に取り付ける。 Next, an FPC (Flexible Printed Circuit) 242 is attached to the terminal portion 206 provided on the substrate 201 using an anisotropic conductive adhesive 243.

なお、駆動回路部は、上記のように必ずしも画素部と同一基板上に設けられている必要はなく、例えば、配線パターンが形成されたＦＰＣ上にＩＣチップを実装したもの（ＴＣＰ）等を利用し、基板外部に設けられていてもよい。 Note that the driver circuit portion does not necessarily have to be provided on the same substrate as the pixel portion as described above. For example, an IC chip mounted on an FPC on which a wiring pattern is formed (TCP) or the like is used. However, it may be provided outside the substrate.

次に、発光素子２１４の輝度の低下を安定化するための処理をする。なお、本工程は、実施の形態１に記載した工程（順方向の電圧を印加する工程）と同様にして行えばよい。 Next, a process for stabilizing a decrease in luminance of the light emitting element 214 is performed. Note that this step may be performed in the same manner as the step described in Embodiment 1 (step of applying a forward voltage).

次に、発光素子２１４に特定の大きさの電流を流すために必要な電圧を下げるための処理をする。なお、本工程は、実施の形態１に記載した工程（逆方向の電圧を印加する工程）と同様にして行えばよい。 Next, a process for lowering a voltage necessary for supplying a specific current to the light emitting element 214 is performed. Note that this step may be performed in the same manner as the step described in Embodiment 1 (step of applying a reverse voltage).

以上のようにして製造された発光装置は、発光時間の経過に伴う発光輝度の低下が安定化され、さらに安定化処理によって生じる消費電力の増加を低減されたものである。 In the light emitting device manufactured as described above, a decrease in light emission luminance with the passage of light emission time is stabilized, and an increase in power consumption caused by the stabilization process is reduced.

なお、本形態では、封止後に、輝度の低下を安定化するための処理と、特定の大きさの電流を流すために必要な電圧を下げるための処理とをしているが、これに限らず、例えば封止前において、これらの処理をしてもよい。これらの処理の工程部位は、特に限定されるものではない。 In this embodiment, after sealing, a process for stabilizing a decrease in luminance and a process for lowering a voltage necessary for flowing a current of a specific magnitude are performed. For example, these treatments may be performed before sealing. The process site | part of these processes is not specifically limited.

また、トランジスタ２０２、２０３について、特に限定はなく、シングルゲート型、マルチゲート型等のいずれでもよい。また、シングルドレイン型でもＬＤＤ（Lightly Doped Drain）型等のいずれでもよい。また、スタガ型、逆スタガ型のいずれでもよい。また、結晶成分を含む半導体層を活性層として含むトランジスタでもよいし、非晶質成分からなる半導体層を活性層として含むトランジスタでもよい。ここで、結晶成分を含む半導体には、セミアモルファス半導体も含まれる。セミアモルファスな半導体とは、次のようなものである。非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるものである。また少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０nmの結晶粒を含んでいる。ラマンスペクトルが５２０ｃｍ^-1よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）を終端するために水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。所謂微結晶半導体（マイクロクリスタル半導体）とも言われている。珪化物気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。珪化物気体としては、ＳｉＨ₄、その他にもＳｉ₂Ｈ₆、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂、ＳｉＨＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄、ＳｉＦ₄などを用いることができる。この珪化物気体をＨ₂、又は、Ｈ₂とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は２〜１０００倍の範囲。圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ。基板加熱温度は３００℃以下でよく、好ましくは１００〜２５０℃。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０²⁰/cm³以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０¹⁹/cm³以下、好ましくは１×１０¹⁹/cm³以下とする。なお、セミアモルファスなものを有する半導体を用いたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の移動度はおよそ１〜１０ｍ²/Vsecとなる。 The transistors 202 and 203 are not particularly limited and may be either a single gate type or a multi-gate type. Further, either a single drain type or an LDD (Lightly Doped Drain) type may be used. Further, either a staggered type or an inverted staggered type may be used. Further, a transistor including a semiconductor layer including a crystalline component as an active layer may be used, or a transistor including a semiconductor layer including an amorphous component as an active layer may be used. Here, the semiconductor containing a crystal component includes a semi-amorphous semiconductor. The semi-amorphous semiconductor is as follows. A semiconductor having an intermediate structure between amorphous and crystalline (including single crystal and polycrystal) and having a third state that is stable in terms of free energy, has a short-range order, and has a lattice distortion. It contains a crystalline region. Further, at least a partial region in the film contains crystal grains of 0.5 to 20 nm. The Raman spectrum is shifted to the lower wavenumber side than 520 cm ⁻¹ . In X-ray diffraction, diffraction peaks of (111) and (220) that are derived from the Si crystal lattice are observed. In order to terminate dangling bonds (dangling bonds), hydrogen or halogen is contained at least 1 atomic% or more. It is also called a so-called microcrystalline semiconductor (microcrystal semiconductor). A silicide gas is formed by glow discharge decomposition (plasma CVD). As the silicide gas, SiH ₄ , Si ₂ H ₆ , SiH ₂ Cl ₂ , SiHCl ₃ , SiCl ₄ , SiF ₄ or the like can be used. This silicide gas may be diluted with H ₂ , or H ₂ and one or more kinds of rare gas elements selected from He, Ar, Kr, and Ne. The dilution rate is in the range of 2 to 1000 times. The pressure is generally in the range of 0.1 Pa to 133 Pa, and the power supply frequency is 1 MHz to 120 MHz, preferably 13 MHz to 60 MHz. The substrate heating temperature may be 300 ° C. or less, preferably 100 to 250 ° C. As an impurity element in the film, impurities of atmospheric components such as oxygen, nitrogen, and carbon are desirably 1 × 10 ²⁰ / cm ³ or less, and in particular, the oxygen concentration is 5 × 10 ¹⁹ / cm ³ or less, preferably 1 × 10 ¹⁹ / cm ³ or less Note that the mobility of a TFT (thin film transistor) using a semi-amorphous semiconductor is approximately 1 to 10 m ² / Vsec.

（実施の形態３）
実施の形態１または実施の形態２のようにして製造された発光装置は、例えば電子機器の表示部として用いることができる。 (Embodiment 3)
The light-emitting device manufactured as in Embodiment 1 or Embodiment 2 can be used as a display portion of an electronic device, for example.

本形態では、電子機器の表示部に組み込まれる発光装置、及びその発光装置の画素部に設けられた回路及びその駆動、本発明を適用して製造された発光装置が組み込まれた電子機器について説明する。 In this embodiment mode, a light-emitting device incorporated in a display portion of an electronic device, a circuit provided in a pixel portion of the light-emitting device and its driving, and an electronic device in which a light-emitting device manufactured by applying the present invention is incorporated are described. To do.

図４は、ＦＰＣが装着された発光装置の上面図である。図４の発光装置は、実施の形態２に示したような製造方法によって製造されたものである。 FIG. 4 is a top view of the light emitting device to which the FPC is mounted. The light emitting device of FIG. 4 is manufactured by the manufacturing method as shown in the second embodiment.

図４において、第１の基板１００１と第２の基板１０２１とは対向するように貼り合わせられている。第１の基板１００１には画素部１０１１、第１の走査線を駆動するための駆動回路部１０１２、第２の走査線を駆動するための駆動回路部１０１３、ソース信号線を駆動するための駆動回路部１０１４、接続配線群１０１５（点線で囲まれている。）が設けられている。駆動回路部１０１２，１０１３、１０１４には、シフトレジスタやバッファ、スイッチ等が設けられている。また接続配線群１０１５と外部入力端子であるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１０３１とは、異方導電性接着剤によって接続している。また、画素部１０１１には、発光素子とそれを駆動するための回路とを含んで成る画素が複数配列されている。ＦＰＣ１０３１を介してコントローラから駆動回路部１０１２，１０１３、１０１４、電流供給線１０１６等へビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等の信号が送られる。そして、駆動回路部１０１２，１０１３、１０１４、電流供給線１０１６から画素部１０１１に信号が送られる。 In FIG. 4, the first substrate 1001 and the second substrate 1021 are bonded to face each other. The first substrate 1001 includes a pixel portion 1011, a drive circuit portion 1012 for driving the first scan line, a drive circuit portion 1013 for driving the second scan line, and a drive for driving the source signal line. A circuit portion 1014 and a connection wiring group 1015 (enclosed by a dotted line) are provided. The driver circuit portions 1012, 1013, and 1014 are provided with shift registers, buffers, switches, and the like. Further, the connection wiring group 1015 and an FPC (flexible printed circuit) 1031 which is an external input terminal are connected by an anisotropic conductive adhesive. In the pixel portion 1011, a plurality of pixels each including a light emitting element and a circuit for driving the light emitting element are arranged. Signals such as a video signal, a clock signal, a start signal, and a reset signal are sent from the controller to the drive circuit units 1012, 1013, and 1014, the current supply line 1016, and the like via the FPC 1031. Then, signals are sent from the driver circuit portions 1012, 1013, and 1014 and the current supply line 1016 to the pixel portion 1011.

なお、駆動回路部は、上記のように必ずしも画素部１０１１と同一基板上に設けられている必要はなく、例えば、配線パターンが形成されたＦＰＣ上にＩＣチップを実装したもの（ＴＣＰ）等を利用し、基板外部に設けられていてもよい。 Note that the driver circuit portion is not necessarily provided on the same substrate as the pixel portion 1011 as described above. For example, a driver circuit portion (TCP) mounted on an FPC on which a wiring pattern is formed (TCP) or the like is used. It may be used and provided outside the substrate.

上記のような発光装置において、画素部１０１１には、発光素子とそれを駆動するための回路とを含んで成る画素が複数配列されている。発光素子を駆動するために画素に含まれている回路について以下に図５を用いて説明する。但し、発光素子を駆動するための回路の構成は、以下に示すものに限定されるものではない。 In the light emitting device as described above, the pixel portion 1011 includes a plurality of pixels each including a light emitting element and a circuit for driving the light emitting element. A circuit included in the pixel for driving the light emitting element is described below with reference to FIG. However, the configuration of the circuit for driving the light emitting element is not limited to the following.

図５（Ａ）に示すように、発光素子３０１には、各々の発光素子を駆動するための回路が接続されている。当該回路は、それぞれ、映像信号によって発光素子３０１の発光・非発光を決定する駆動用トランジスタ３２１と、前記映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ３２２と、前記映像信号に関わらず発光素子３０１を非発光状態にする消去用トランジスタ３２３とを有する。ここで、スイッチング用トランジスタ３２２のソース（又はドレイン）はソース信号線３３１と接続し、駆動用トランジスタ３２１のソース及び消去用トランジスタ３２３のソースはソース信号線３３１と並列するように延びた電流供給線３３２と接続し、スイッチング用トランジスタ３２２のゲートは第１の走査線３３３と接続し、消去用トランジスタ３２３のゲートは第１の走査線３３３と並列に延びた第２の走査線３３４と接続している。また、駆動用トランジスタ３２１と発光素子３０１とは直列に接続している。なお、発光素子３０１のうち陽極として機能する電極と駆動用トランジスタ３２１とが接続しているとき、駆動用トランジスタ３２１はＰチャネル型トランジスタとする。また、発光素子３０１のうち陰極として機能する電極と駆動用トランジスタ３２１とが接続しているとき、駆動用トランジスタ３２１はＮチャネル型トランジスタとする。 As shown in FIG. 5A, the light emitting element 301 is connected to a circuit for driving each light emitting element. The circuit includes a driving transistor 321 that determines light emission / non-light emission of the light emitting element 301 based on a video signal, a switching transistor 322 that controls input of the video signal, and a light emitting element 301 regardless of the video signal. And an erasing transistor 323 which is brought into a non-light-emitting state. Here, the source (or drain) of the switching transistor 322 is connected to the source signal line 331, and the source of the driving transistor 321 and the source of the erasing transistor 323 are extended in parallel with the source signal line 331. 332, the gate of the switching transistor 322 is connected to the first scanning line 333, and the gate of the erasing transistor 323 is connected to the second scanning line 334 extending in parallel with the first scanning line 333. Yes. Further, the driving transistor 321 and the light emitting element 301 are connected in series. Note that when the electrode functioning as an anode in the light-emitting element 301 is connected to the driving transistor 321, the driving transistor 321 is a P-channel transistor. In addition, when the electrode functioning as a cathode in the light-emitting element 301 is connected to the driving transistor 321, the driving transistor 321 is an N-channel transistor.

発光素子３０１が発光するときの駆動方法について説明する。書き込み期間において第１の走査線３３３が選択されると、第１の走査線３３３にゲートが接続されているスイッチング用トランジスタ３２２がオンになる。そして、ソース信号線３３１に入力された映像信号が、スイッチング用トランジスタ３２２を介して駆動用トランジスタ３２１のゲートに入力さることによって電流供給線３３２から発光素子３０１へ電流が流れ発光する。この時、発光素子３０１へ流れる電流の大きさによって発光の輝度が決まる。 A driving method when the light emitting element 301 emits light will be described. When the first scan line 333 is selected in the writing period, the switching transistor 322 whose gate is connected to the first scan line 333 is turned on. Then, when a video signal input to the source signal line 331 is input to the gate of the driving transistor 321 through the switching transistor 322, a current flows from the current supply line 332 to the light emitting element 301, and light is emitted. At this time, the luminance of light emission is determined by the magnitude of the current flowing to the light emitting element 301.

図６は、図５（Ａ）に示すような回路を有する発光装置の画素部の上面図である。図６に付した数値は、それぞれ図５（Ａ）と同じものを表す。また、図６では、発光素子３０１は図示しておらず、発光素子３０１の電極８４を図示している。 FIG. 6 is a top view of a pixel portion of a light emitting device having a circuit as shown in FIG. Numerical values given in FIG. 6 represent the same values as those in FIG. In FIG. 6, the light emitting element 301 is not illustrated, and the electrode 84 of the light emitting element 301 is illustrated.

また、各々の発光素子に接続する回路の構成は、ここで述べたものに限定されず、例えば後述する図５（Ｂ）、または図５（Ｃ）等と同様の構成であっても構わない。 Further, the structure of a circuit connected to each light-emitting element is not limited to the one described here, and may be the same structure as that illustrated in FIG. 5B or 5C described later, for example. .

次に、図５（Ｂ）で表される回路について説明する。図５（Ｂ）に示すように、発光素子８０１には、各々の発光素子を駆動するための回路が接続されている。当該回路は、映像信号によって発光素子８０１の発光または非発光を決定する駆動用トランジスタ８２１と、前記映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ８２２と、前記映像信号に関わらず発光素子８０１を非発光状態にする消去用トランジスタ８２３と、発光素子８０１に供給される電流の大きさを制御するための電流制御用トランジスタ８２４とを有する。ここで、スイッチング用トランジスタ８２２のソース（又はドレイン）はソース信号線８３１と接続し、駆動用トランジスタ８２１のソース及び消去用トランジスタ８２３のソースはソース信号線８３１と並列するように延びた電流供給線８３２と接続し、スイッチング用トランジスタ８２２のゲートは第１の走査線８３３と接続し、第１の走査線８３３と並列に延びた消去用トランジスタ８２３のゲートは第２の走査線８３４と接続している。また、駆動用トランジスタ８２１と発光素子８０１と間に電流制御用トランジスタ８２４を挟み、直列に接続している。電流制御用トランジスタ８２４のゲートは、電源線８３５に接続している。なお、電流制御用トランジスタ８２４は、電圧−電流（Ｖｄ−Ｉｄ）特性における飽和領域において電流が流れるように構成、制御されたものであり、これによって、電流制御用トランジスタ８２４に流れる電流値の大きさを決定することができる。なお、発光素子８０１のうち陽極として機能する電極と駆動用トランジスタ８２１とが接続しているとき、駆動用トランジスタ８２１はＰチャネル型トランジスタとする。また、発光素子８０１のうち陰極として機能する電極と駆動用トランジスタ８２１とが接続しているとき、駆動用トランジスタ８２１はＮチャネル型トランジスタとする。 Next, the circuit illustrated in FIG. 5B will be described. As shown in FIG. 5B, the light-emitting element 801 is connected to a circuit for driving each light-emitting element. The circuit includes a driving transistor 821 that determines whether the light emitting element 801 emits light or not according to a video signal, a switching transistor 822 that controls input of the video signal, and a light emitting element 801 that does not emit light regardless of the video signal. It has an erasing transistor 823 for making a state and a current control transistor 824 for controlling the magnitude of the current supplied to the light emitting element 801. Here, the source (or drain) of the switching transistor 822 is connected to the source signal line 831, and the source of the driving transistor 821 and the source of the erasing transistor 823 extend in parallel with the source signal line 831. 832, the gate of the switching transistor 822 is connected to the first scanning line 833, and the gate of the erasing transistor 823 extending in parallel with the first scanning line 833 is connected to the second scanning line 834. Yes. In addition, a current control transistor 824 is sandwiched between the driving transistor 821 and the light emitting element 801 and connected in series. The gate of the current control transistor 824 is connected to the power supply line 835. Note that the current control transistor 824 is configured and controlled so that a current flows in a saturation region in the voltage-current (Vd-Id) characteristics, and thus, a current value flowing through the current control transistor 824 is large. Can be determined. Note that when the electrode serving as the anode of the light-emitting element 801 is connected to the driving transistor 821, the driving transistor 821 is a P-channel transistor. In addition, when the electrode functioning as a cathode in the light-emitting element 801 is connected to the driving transistor 821, the driving transistor 821 is an N-channel transistor.

発光素子８０１が発光するときの駆動方法について説明する。書き込み期間において第１の走査線８３３が選択されると、第１の走査線８３３にゲートが接続されているスイッチング用トランジスタ８２２がオンになる。そして、ソース信号線８３１に入力された映像信号が、スイッチング用トランジスタ８２２を介して駆動用トランジスタ８２１のゲートに入力さる。さらに、駆動用トランジスタ８２１と、電源線８３５からの信号を受けてオン状態になった電流制御用トランジスタ８２４とを介して電流供給線８３２から発光素子８０１へ電流が流れ、発光に至る。このとき、発光素子へ流れる電流の大きさは、電流制御用トランジスタ８２４によって決まる。 A driving method when the light-emitting element 801 emits light will be described. When the first scan line 833 is selected in the writing period, the switching transistor 822 whose gate is connected to the first scan line 833 is turned on. Then, the video signal input to the source signal line 831 is input to the gate of the driving transistor 821 through the switching transistor 822. Further, current flows from the current supply line 832 to the light-emitting element 801 through the driving transistor 821 and the current control transistor 824 that is turned on in response to a signal from the power supply line 835, and thus light emission is performed. At this time, the magnitude of the current flowing to the light emitting element is determined by the current control transistor 824.

図７は、図５（Ｂ）に示すような回路を有し、一対の発光素子の電極のうち一方の電極を形成する前の発光装置の画素部の上面図である。図７に付した数値は、それぞれ図６と同じものを表す。また、図７では、発光素子８０１は図示しておらず、発光素子８０１の電極９４を図示している。 FIG. 7 is a top view of the pixel portion of the light-emitting device having the circuit shown in FIG. 5B and before forming one of the electrodes of the pair of light-emitting elements. The numerical values given in FIG. 7 are the same as those in FIG. In FIG. 7, the light emitting element 801 is not illustrated, and the electrode 94 of the light emitting element 801 is illustrated.

次に、図５（Ｃ）で表される回路について説明する。発光素子４０１には、各々の発光素子を駆動するための回路が接続されている。当該回路は、それぞれ、映像信号によって発光素子４０１の発光・非発光を決定する駆動用トランジスタ４２１と、前記映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ４２２とを有する。ここで、スイッチング用トランジスタ４２２のソース（又はドレイン）はソース信号線４３１と接続し、駆動用トランジスタ４２１のソースはソース信号線４３１と並列するように延びた電流供給線４３２と接続し、スイッチング用トランジスタ４２２のゲートは走査線４３３と接続している。また、駆動用トランジスタ４２１と発光素子４０１とは直列に接続している。なお、発光素子４０１のうち陽極として機能する電極と駆動用トランジスタ４２１とが接続しているとき、駆動用トランジスタ４２１はＰチャネル型トランジスタとする。また、発光素子４０１のうち陰極として機能する電極と駆動用トランジスタ４２１とが接続しているとき、駆動用トランジスタ４２１はＮチャネル型トランジスタとする。 Next, the circuit illustrated in FIG. 5C will be described. A circuit for driving each light emitting element is connected to the light emitting element 401. Each of the circuits includes a driving transistor 421 that determines light emission / non-light emission of the light-emitting element 401 based on a video signal, and a switching transistor 422 that controls input of the video signal. Here, the source (or drain) of the switching transistor 422 is connected to the source signal line 431, and the source of the driving transistor 421 is connected to the current supply line 432 extending in parallel with the source signal line 431. The gate of the transistor 422 is connected to the scan line 433. Further, the driving transistor 421 and the light emitting element 401 are connected in series. Note that when the electrode functioning as an anode in the light-emitting element 401 is connected to the driving transistor 421, the driving transistor 421 is a P-channel transistor. In addition, when the electrode functioning as a cathode in the light-emitting element 401 is connected to the driving transistor 421, the driving transistor 421 is an N-channel transistor.

発光素子４０１が発光するときの駆動方法について説明する。書き込み期間において走査線４３３が選択されると、走査線４３３にゲートが接続されているスイッチング用トランジスタ４２２がオンになる。そして、ソース信号線４３１に入力された映像信号が、スイッチング用トランジスタ４２２を介して駆動用トランジスタ４２１のゲートに入力さることによって電流供給線４３２から発光素子４０１へ電流が流れ発光する。この時、発光素子４０１へ流れる電流の大きさによって発光の輝度が決まる。 A driving method when the light-emitting element 401 emits light will be described. When the scan line 433 is selected in the writing period, the switching transistor 422 whose gate is connected to the scan line 433 is turned on. Then, when a video signal input to the source signal line 431 is input to the gate of the driving transistor 421 through the switching transistor 422, a current flows from the current supply line 432 to the light emitting element 401, and light is emitted. At this time, the luminance of light emission is determined by the magnitude of the current flowing to the light emitting element 401.

以上に説明した発光装置は、モノカラー表示のものでも良いし、フルカラー表示のものでもよい。
フルカラー表示を行う場合は、例えば、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成することによって、フルカラー表示を行えるようにすることができる。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルター（着色層）を設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化（映り込み）の防止を図ることができる。フィルター（着色層）を設けることで、従来必要であるとされていた円偏光板などを省略することが可能となり、発光層から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素部（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を一層低減することができる。 The light emitting device described above may be a mono color display or a full color display.
In the case of performing full color display, for example, full color display can be performed by forming a light emitting layer having a different emission wavelength band for each pixel. Typically, a light emitting layer corresponding to each color of R (red), G (green), and B (blue) is formed. In this case as well, by providing a filter (colored layer) that transmits light in the emission wavelength band on the light emission side of the pixel, the color purity is improved and the pixel portion is mirrored (reflected). Prevention can be achieved. By providing the filter (colored layer), it is possible to omit a circularly polarizing plate that has been conventionally required, and it is possible to eliminate the loss of light emitted from the light emitting layer. Furthermore, a change in color tone that occurs when the pixel portion (display screen) is viewed obliquely can be further reduced.

また、上記のように各色に対応した発光層を設けて、カラー表示を行う以外に、発光層は単色又は白色の発光を呈する構成とすることもできる。白色発光材料を用いる場合には、画素の光放射側に特定の波長の光を透過するフィルター（着色層）を設けた構成としてカラー表示を可能にすることができる。 In addition to providing a light emitting layer corresponding to each color and performing color display as described above, the light emitting layer may be configured to emit a single color or white light. In the case of using a white light emitting material, color display can be made possible by providing a filter (colored layer) that transmits light of a specific wavelength on the light emission side of the pixel.

なお、白色に発光する発光層を形成するには、例えば、Ａｌｑ₃、部分的にナイルレッドをドープしたＡｌｑ₃、Ａｌｑ₃、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＰＤ（芳香族ジアミン）を蒸着法により順次積層することで白色を得ることができる。また、スピンコートを用いた塗布法により発光層を形成する場合には、塗布した後、真空加熱で焼成することが好ましい。例えば、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を全面に塗布、焼成し、その後、色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成すればよい。 In order to form a light emitting layer that emits white light, for example, Alq _3, Alq ₃ partially doped with Nile red, Alq _3, p-EtTAZ, TPD (aromatic diamine) are sequentially stacked by a vapor deposition method In this way, white can be obtained. Moreover, when forming a light emitting layer by the apply | coating method using spin coating, after apply | coating, it is preferable to bake by vacuum heating. For example, a poly (ethylenedioxythiophene) / poly (styrenesulfonic acid) aqueous solution (PEDOT / PSS) is applied and fired on the entire surface, and then dye (1,1,4,4-tetraphenyl-1,3-butadiene is obtained. (TPB), 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p-dimethylamino-styryl) -4H-pyran (DCM1), Nile Red, Coumarin 6 etc.) doped polyvinyl carbazole (PVK) solution is applied over the entire surface What is necessary is just to bake.

本発明を適用した発光装置を実装した電子機器の一実施例を図８に示す。 One embodiment of an electronic device mounted with a light emitting device to which the present invention is applied is shown in FIG.

図８（Ａ）は、本発明を適用して作製したノート型のパーソナルコンピュータであり、本体５５２１、筐体５５２２、表示部５５２３、キーボード５５２４などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことでパーソナルコンピュータを完成できる。 FIG. 8A illustrates a laptop personal computer manufactured by applying the present invention, which includes a main body 5521, a housing 5522, a display portion 5523, a keyboard 5524, and the like. A personal computer can be completed by incorporating a light-emitting device having the light-emitting element of the present invention as a display portion.

図８（Ｂ）は、本発明を適用して作製した電話機であり、本体５５５２には表示部５５５１と、音声出力部５５５４、音声入力部５５５５、操作スイッチ５５５６、５５５７、アンテナ５５５３等によって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことで電話機を完成できる。 FIG. 8B illustrates a telephone manufactured by applying the present invention. The main body 5552 includes a display portion 5551, an audio output portion 5554, an audio input portion 5555, operation switches 5556 and 5557, an antenna 5553, and the like. ing. A telephone can be completed by incorporating a light-emitting device having the light-emitting element of the present invention as a display portion.

図８（Ｃ）は、本発明を適用して作製したテレビ受像機であり、表示部５５３１、筐体５５３２、スピーカー５５３３などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことでテレビ受像機を完成できる。 FIG. 8C illustrates a television set manufactured by applying the present invention, which includes a display portion 5531, a housing 5532, a speaker 5533, and the like. A television receiver can be completed by incorporating a light-emitting device having the light-emitting element of the present invention as a display portion.

以上のように本発明の発光装置は、各種電子機器の表示部として用いるのに非常に適している。 As described above, the light-emitting device of the present invention is very suitable for use as a display portion of various electronic devices.

なお、本形態では、パーソナルコンピュータについて述べているが、この他にカーナビゲイション、或いは照明機器等に本発明の発光素子を有する発光装置を実装しても構わない。 Note that although a personal computer is described in this embodiment mode, a light-emitting device having the light-emitting element of the present invention may be mounted on a car navigation device or a lighting device.

以上のような本発明を適用した電子機器は、良好な表示画像を提供できる。また、本発明を適用した電子機器は、低消費電力で駆動することができる。 The electronic apparatus to which the present invention as described above is applied can provide a good display image. In addition, an electronic device to which the present invention is applied can be driven with low power consumption.

本発明を適用して製造した発光装置の諸特性について測定した結果について説明する。 The measurement results of various characteristics of the light emitting device manufactured by applying the present invention will be described.

先ず、評価に用いた発光素子について説明する。評価に用いた発光素子は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る電極の上に１００ｎｍの厚さとなるように成膜されたトリス(８−キノリノラト)アルミニウム（Ａｌｑ₃）から成る層を有し、さらにＡｌｑ₃から成る層の上にアルミニウムから成る電極を有する、整流素子である。 First, the light emitting element used for evaluation will be described. The light emitting element used for the evaluation has a layer made of tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq ₃ ) formed to have a thickness of 100 nm on an electrode made of indium tin oxide (ITO), Further, the rectifying device has an electrode made of aluminum on a layer made of Alq ₃ .

次に、測定方法について説明する。なお、電圧は、特に説明のない限り、順方向の電圧を表す。また、本実施例では、蛍光分光光度計を用いて発光素子の発光スペクトルを測定している。発光スペクトルを積分して得られた値の変化は、光子数の変化に対応し、さらに光子数の変化は輝度の変化に対応する。従って、発光スペクトルの積分値の変化を調べることによって、間接的に輝度の変化を調べることができる。 Next, a measurement method will be described. The voltage represents a forward voltage unless otherwise specified. In this embodiment, the emission spectrum of the light emitting element is measured using a fluorescence spectrophotometer. A change in the value obtained by integrating the emission spectrum corresponds to a change in the number of photons, and a change in the number of photons corresponds to a change in luminance. Therefore, the change in luminance can be indirectly examined by examining the change in the integrated value of the emission spectrum.

最初に、１ｍＡの電流を流したときに得られる発光スペクトルの積分値、及び１ｍＡの電流を流すのに必要な電圧を測定した。 First, an integral value of an emission spectrum obtained when a current of 1 mA was passed, and a voltage required to pass a current of 1 mA were measured.

次に、発光素子に、一定時間（本実施例では１８００秒間）、順方向の電圧を印加して１ｍＡの電流を流した。その間、６００秒置きに、１ｍＡの電流を流したときに得られる発光スペクトルの積分値、及び１ｍＡの電流を流すのに必要な電圧を測定した。 Next, a forward voltage was applied to the light emitting element for a certain period of time (1800 seconds in this example) to pass a current of 1 mA. During this time, the integral value of the emission spectrum obtained when a current of 1 mA was passed and the voltage required to pass a current of 1 mA were measured every 600 seconds.

さらに、発光素子に、一定時間（本実施例では１２００秒間）、逆方向の電圧を１０Ｖの大きさで印加した。そして、その間、３００秒置きに、１ｍＡの電流を流したときに得られる発光スペクトルの積分値、及び１ｍＡの電流を流すのに必要な電圧（順方向の電圧）を測定した。 Further, a reverse voltage of 10 V was applied to the light emitting element for a certain period of time (1200 seconds in this example). In the meantime, the integral value of the emission spectrum obtained when a current of 1 mA was passed and the voltage (forward voltage) necessary to pass a current of 1 mA were measured every 300 seconds.

以上のようにして測定した結果を図９に示す。なお、横軸は測定開始時からの経過時間（秒）を表している。また、縦軸は、１ｍＡの電流を流したときに得られる発光スペクトルの積分値の相対値（任意単位）と１ｍＡの電流を流すのに必要な電圧の相対値（任意単位）を表している。なお、相対値は、測定開始時において１ｍＡの電流を流したときに得られる発光スペクトルの積分値、および１ｍＡの電流を流すのに必要な電圧を基準として求めた値である。 The results measured as described above are shown in FIG. The horizontal axis represents the elapsed time (seconds) from the start of measurement. The vertical axis represents the relative value (arbitrary unit) of the integral value of the emission spectrum obtained when a current of 1 mA is passed and the relative value (arbitrary unit) of the voltage necessary to pass the current of 1 mA. . The relative value is a value obtained on the basis of an integral value of an emission spectrum obtained when a current of 1 mA is passed at the start of measurement and a voltage necessary to pass a current of 1 mA.

図９の黒丸（●）のプロットから、０秒〜１８００秒（順方向の電圧を印加したとき）では、時間の経過に伴って、１ｍＡの電流を流したときに得られる発光スペクトルの積分値は低下し、特に０秒〜６００秒において急激に低下していることが分かる。そして、６００秒経過後、発光スペクトルの積分値の低下は徐々に少なくなってきていることが分かる。また図９の白抜きの三角（△）のプロットから、１ｍＡの電流を流すのに必要な電圧は、時間の経過に伴って、徐々に大きくなっていることが分かる。 From the plot of the black circle (●) in FIG. 9, from 0 to 1800 seconds (when a forward voltage is applied), the integrated value of the emission spectrum obtained when a current of 1 mA is passed over time. It can be seen that the value decreases, particularly rapidly from 0 to 600 seconds. And it turns out that the fall of the integrated value of an emission spectrum is gradually decreasing after 600 second progress. Further, it can be seen from the white triangle (Δ) plot of FIG. 9 that the voltage required to pass a current of 1 mA gradually increases with time.

また、１８００秒〜３０００秒（逆方向の電圧を印加したとき）では、１ｍＡの電流を流したときに得られる発光スペクトルの積分値は、時間が経過しても、殆ど変わらない。一方、１ｍＡの電流を流すのに必要な電圧は、時間の経過に伴って、徐々に小さくなっていることが分かる。 In addition, from 1800 seconds to 3000 seconds (when a voltage in the reverse direction is applied), the integrated value of the emission spectrum obtained when a current of 1 mA is passed is hardly changed over time. On the other hand, it can be seen that the voltage required to pass a current of 1 mA gradually decreases with time.

以上のことから、逆方向の電圧を印加することによって、時間経過に伴った輝度低下の安定性を保った状態で、安定化処理（順方向の電圧の印加）により増加した１ｍＡの電流を流すのに必要な電圧を小さくできることが分かる。 From the above, by applying a reverse voltage, a current of 1 mA increased by a stabilization process (applying a forward voltage) is allowed to flow while maintaining the stability of luminance reduction with time. It can be seen that the voltage required for this can be reduced.

本発明の発光装置の製造方法について説明する図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の製造方法について説明する図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a light-emitting device of the present invention. 本発明の発光装置の製造方法について説明する図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a light-emitting device of the present invention. 本発明に係る発光装置の上面模式図。1 is a schematic top view of a light emitting device according to the present invention. 本発明に係る発光装置の画素部を駆動するための回路について説明する図。4A and 4B illustrate a circuit for driving a pixel portion of a light-emitting device according to the present invention. 本発明に係る発光装置の画素部の上面図。FIG. 6 is a top view of a pixel portion of a light emitting device according to the present invention. 本発明に係る発光装置の画素部の上面図。FIG. 6 is a top view of a pixel portion of a light emitting device according to the present invention. 本発明を適用した電子機器。Electronic equipment to which the present invention is applied. １ｍＡの電流を流したときに得られる発光スペクトルの積分値の相対値と１ｍＡの電流を流すのに必要な電圧の相対値とに関する測定結果を示す図。The figure which shows the measurement result regarding the relative value of the integral value of the emission spectrum obtained when the electric current of 1 mA is sent, and the relative value of the voltage required to pass the electric current of 1 mA. 本発明に係る発光装置に含まれる発光素子について説明する図。4A and 4B illustrate a light-emitting element included in a light-emitting device according to the present invention.

Explanation of symbols

９４電極
１０１基板
１０２第１の電極
１０３発光層
１０４第２の電極
１０５発光素子
１１１第１の層
１１２第２の層
１１３第３の層
１１４第４の層
１１５第５の層
２０１基板
２０２トランジスタ
２０３トランジスタ
２０５配線
２０６端子部
２１０隔壁層
２１１第１の電極
２１２発光層
２１３第２の電極
２４０基板
２４１シール材
２４２ＦＰＣ
２４３異方導電性接着剤
３０１発光素子
３２２スイッチング用トランジスタ
３２３消去用トランジスタ
３３１ソース信号線
３３２電流供給線
３３３第１の走査線
３３４第２の走査線
４０１発光素子
４２１駆動用トランジスタ
４２２スイッチング用トランジスタ
４３１ソース信号線
４３２電流供給線
４３３ゲートは走査線
８０１発光素子
８２１駆動用トランジスタ
８２２スイッチング用トランジスタ
８２３消去用トランジスタ
８２４電流制御用トランジスタ
８３１ソース信号線
８３２電流供給線
８３３第１の走査線
８３４第２の走査線
８３５電源線
１００１第１の基板
１０１１画素部
１０１２ａ
１０１３駆動回路部
１０１４駆動回路部
１０１５接続配線群
１０２１第２の基板
１０３１ＦＰＣ
５５２１本体
５５２２筐体
５５２３表示部
５５２４キーボード
５５５１表示部
５５５２本体
５５５３アンテナ
５５５４音声出力部
５５５５音声入力部
５５５６操作スイッチ
５５５７操作スイッチ
５５３１表示部
５５３２筐体
５５３３スピーカー
94 electrode 101 substrate 102 first electrode 103 light emitting layer 104 second electrode 105 light emitting element 111 first layer 112 second layer 113 third layer 114 fourth layer 115 fifth layer 201 substrate 202 transistor 203 Transistor 205 Wiring 206 Terminal portion 210 Partition layer 211 First electrode 212 Light emitting layer 213 Second electrode 240 Substrate 241 Sealing material 242 FPC
243 anisotropic conductive adhesive 301 light emitting element 322 switching transistor 323 erasing transistor 331 source signal line 332 current supply line 333 first scanning line 334 second scanning line 401 light emitting element 421 driving transistor 422 switching transistor 431 Source signal line 432 Current supply line 433 Gate is scanning line 801 Light emitting element 821 Driving transistor 822 Switching transistor 823 Erase transistor 824 Current control transistor 831 Source signal line 832 Current supply line 833 First scanning line 834 Second scanning line Scan line 835 Power supply line 1001 First substrate 1011 Pixel portion 1012a
1013 Drive circuit portion 1014 Drive circuit portion 1015 Connection wiring group 1021 Second substrate 1031 FPC
5521 Main body 5522 Housing 5523 Display unit 5524 Keyboard 5551 Display unit 5552 Main unit 5553 Antenna 5554 Audio output unit 5555 Audio input unit 5556 Operation switch 5557 Operation switch 5531 Display unit 5532 Housing 5533 Speaker

Claims

A method for manufacturing a light-emitting device, comprising: applying a reverse voltage to a light-emitting element exhibiting a rectifying action, and then applying a reverse voltage.

A light-emitting device comprising a step of applying a forward voltage to a light-emitting element exhibiting a rectifying action so that the luminance is 80 to 95% of the initial luminance, and then applying a reverse voltage. Manufacturing method.

Manufacturing of a light-emitting device including a step of applying a reverse voltage to a light-emitting element exhibiting a rectifying action after applying a forward voltage for 6 × 10 ^{1 to} 6 × 10 ⁵ seconds Method.

4. The method for manufacturing a light emitting device according to claim ¹ , wherein the reverse voltage is applied for 6 × 10 ¹ to 6 × 10 ⁵ seconds. ⁵ .

A transistor and a light emitting element connected to the transistor and exhibiting a rectifying action are manufactured,
A method for manufacturing a light-emitting device, comprising: applying a forward voltage to the light-emitting element, and then applying a reverse voltage.

A transistor and a light emitting element connected to the transistor and exhibiting a rectifying action are manufactured,
A method of manufacturing a light-emitting device, comprising: applying a reverse voltage to the light-emitting element after applying a forward voltage to a luminance of 80 to 95% of an initial luminance. .

A transistor and a light emitting element connected to the transistor and exhibiting a rectifying action are manufactured,
The manufacturing method of the light-emitting device characterized by including the process of applying the voltage of a reverse direction after applying a forward voltage to the said light emitting element between 6 * 10 < ¹ > sec-6 * 10 < ⁵ > sec.

The method for manufacturing a light emitting device according to claim 5, wherein the reverse voltage is applied for 6 × 10 ¹ to 6 × 10 ⁵ sec.

An electronic device including a light emitting device manufactured by the method for manufacturing a light emitting device according to any one of claims 1 to 8.