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JP2005353880A - 電力変換装置 - Google Patents

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JP2005353880A
JP2005353880A JP2004173769A JP2004173769A JP2005353880A JP 2005353880 A JP2005353880 A JP 2005353880A JP 2004173769 A JP2004173769 A JP 2004173769A JP 2004173769 A JP2004173769 A JP 2004173769A JP 2005353880 A JP2005353880 A JP 2005353880A
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semiconductor
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heat
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JP2004173769A
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Mutsumi Ito
睦 伊藤
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

【課題】電力変換に用いる半導体部に対する放熱性を向上できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】ハイブリッド自動車などに搭載される電力変換用モジュール1は、電力変換に用いるスイッチング素子(半導体部)22と、スイッチング素子22を覆うモジュールケース20と、スイッチング素子22の近傍に設けられておりモジュールケース20に形成された流入口20aから流出口20bに冷却空気を流す流路部2pとを備えている。このような構造により、流路部2pを流れる冷却空気により充填剤29を介してスイッチング素子22の放熱Raを行えるため、半導体部に対する放熱性を向上できる。
【選択図】図1

Description

本発明は、ハイブリッド自動車や燃料電池自動車等に適した電力変換装置に関する。
従来、ハイブリッド自動車においては、バッテリの直流電力と3相モータ等における交流電力との間の変換のために、電力変換装置としてのインバータが用いられている。例えば、バッテリとモータとの相互間にインバータが介在され、インバータはバッテリからの直流電流を交流に変換して3相モータに供給するように構成されている。
このようなインバータ内には、スイッチング素子などのパワーデバイスを実装した電力変換用のパワーモジュールが配設されている。そして、パワーデバイスにおいて、電力損失により発熱が生じるため、パワーモジュールには例えば放熱板が取り付けられている。
上記のパワーモジュールにおいては、放熱板が取り付けられているものの、パワーデバイス(半導体部)がモジュールケースなどで密閉されているため、この密閉空間に蓄えられる熱を放熱板のみで処理するには限界がある。
特に、近年、ハイブリッド自動車に搭載されるパワーモジュールに対して、大容量化が要求されており、これに伴うパワーモジュールからの発熱も増加する傾向にあるが、このような大きな発熱に対して放熱板のみで冷却するのは難しいと考えられる。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、電力変換に用いる半導体部に対する放熱性を向上できる電力変換装置を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、電力変換装置であって、(a)電力変換に用いる半導体部と、(b)前記半導体部を覆うケーシングと、(c)前記半導体部の近傍に設けられており、前記ケーシングに形成された流入口から流出口に冷却媒体を流す流路部とを備える。
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る電力変換装置において、前記半導体部は、ワイドバンドギャップ半導体で構成される。
また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係る電力変換装置において、前記ワイドバンドギャップ半導体は、SiC半導体である。
また、請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかの発明に係る電力変換装置において、前記流路部を流れた冷却媒体を、自動車に搭載されるヒータ装置の熱源として利用する。
また、請求項5の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかの発明に係る電力変換装置において、前記ケーシングと前記半導体部との間の空間部には、前記流路部が占有する空間部分を除き充填剤が充填されている。
また、請求項6の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかの発明に係る電力変換装置において、(c)前記半導体部の放熱を行うための放熱板をさらに備える。
請求項1ないし請求項6の発明によれば、半導体部の近傍に設けられ、ケーシングに形成された流入口から流出口に冷却媒体を流す流路部を備えるため、半導体部に対する放熱性を向上できる。
特に、請求項2の発明においては、半導体部がワイドバンドギャップ半導体で構成されるため、比較的高温で使用する場合でも、放熱性能を確保できる。
また、請求項4の発明においては、流路部を流れた冷却媒体を自動車に搭載されるヒータ装置の熱源として利用するため、ハイブリッド自動車などにおいて半導体部での発熱を回収して有効利用できる。
また、請求項5の発明においては、ケーシングと半導体部との間の空間部には流路部が占有する空間部分を除き充填剤が充填されているため、流路部を簡易に形成できる。
また、請求項6の発明においては、半導体部の放熱を行う放熱板をさらに備えるため、放熱性能を一層向上できる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る電力変換用モジュール1の断面図である。
電力変換用モジュール1は、例えばハイブリッド自動車に搭載される電力変換装置として働き、モジュール本体2と、モジュール本体2の下部に取り付けられている放熱板3とを備えている。
モジュール本体2は、モジュールケース20と、配線基板21と、配線基板21上に実装されるスイッチング素子22とを備えており、配線基板21およびスイッチング素子22は、絶縁破壊の防止やゴミ等の異物の混入防止などを図るために充填剤29で覆われている。
配線基板21は、表面・裏面での絶縁が施された構造となっており、放熱板3に半田23によって固設されている。
スイッチング素子22は、電力変換に用いる半導体部として機能し、パワーデバイス、例えばSiよりバンドギャップの大きいSiC、GaN、AlN、ダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体の一例としてのSiCトランジスタ(SiC製FET)で構成されている。なお、SiCトランジスタは、例えば250度以上の高温環境下でも動作可能となっている。
モジュールケース20は、例えば箱型の形状を有するケーシングであり、対向する側面には冷却空気(冷却媒体)を流すための流入口20aおよび流出口20bが形成されている。そして、モジュールケース20とスイッチング素子22との間の空間部には、冷却空気を流すための流路部2pが占有する空間部分を除き、充填剤29が充填されている。このようにスイッチング素子22の近傍に流路部2pが空洞として形成されるが、この流路部2p内に冷却空気を強制的に流して放熱Raを促すことで、充填剤29を介してスイッチング素子22で生じる熱を放熱できることとなる。さらに、電力変換用モジュール1では、スイッチング素子22に関して上記の流路部2pと反対側に設けられる放熱板3からの放熱Rbも行えるため、スイッチング素子22の放熱性が一層向上する。
以上のような電力変換用モジュールの構成により、スイッチング素子の上方に形成された流路部を冷却空気が流れるため、スイッチング素子に対する放熱性の向上が図れる。特に、スイッチング素子がSiCトランジスタなどで構成される場合には、比較的高温の状態で使用される場合があるが、この場合でも十分な放熱性能を確保できる。
なお、電力変換用モジュール1については、流路部2pに冷却空気を流すのは必須でなく、冷却媒体としての冷却水を流すようにしても良い。この場合でも、スイッチング素子22に対する放熱性の向上を図ることができる。
このように流路部2pに冷却水を流す場合には、流路部2pを流れ、流出口20bから電力変換用モジュール1の外に流れ出た冷却水を、図2に示すようにハイブリッド自動車に搭載されるヒータ9まで移送し、このヒータ9の熱源として車室内エアコンに利用することができる。すなわち、電力変換用モジュールでの発熱を冷却水による熱交換で回収し、回収した熱をヒータ9で有効活用できる。特に、電力変換用モジュールでSiCトランジスタを採用している場合には、比較的高温で使用されるため、この発熱を回収することによって、ヒータの機能性の向上が図れる。
以上のように、電力変換モジュールで生じる熱の有効利用を行えば、エンジンの空冷化を図る場合でも、エアコン用ヒータの熱源を確保でき、省エネルギ化や低コスト化が図れる。
<変形例>
◎上記の実施形態においては、電力変換用モジュールの流路部を通過した空気を車室内に直接引き込むようにしても良い。この場合には、電力変換用モジュールの放熱が図れるとともに、車室内を暖めることができる。
◎上記の実施形態においては、スイッチング素子としてトランジスタを使用するのは必須でなく、還流ダイオードを使用しても良い。
本発明の実施形態に係る電力変換用モジュール1の断面図である。 電力変換用モジュール1とヒータ9との関係を説明するための図である。
符号の説明
1 電力変換用モジュール
2 モジュール本体
2p 流路部
3 放熱板
20 モジュールケース
20a 流入口
20b 流出口
22 スイッチング素子
29 充填剤
Ra、Rb 放熱

Claims (6)

  1. 電力変換装置であって、
    (a)電力変換に用いる半導体部と、
    (b)前記半導体部を覆うケーシングと、
    (c)前記半導体部の近傍に設けられており、前記ケーシングに形成された流入口から流出口に冷却媒体を流す流路部と、
    を備えることを特徴とする電力変換装置。
  2. 請求項1に記載の電力変換装置において、
    前記半導体部は、ワイドバンドギャップ半導体で構成されることを特徴とする電力変換装置。
  3. 請求項2に記載の電力変換装置において、
    前記ワイドバンドギャップ半導体は、SiC半導体であることを特徴とする電力変換装置。
  4. 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電力変換装置において、
    前記流路部を流れた冷却媒体を、自動車に搭載されるヒータ装置の熱源として利用することを特徴とする電力変換装置。
  5. 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の電力変換装置において、
    前記ケーシングと前記半導体部との間の空間部には、前記流路部が占有する空間部分を除き充填剤が充填されていることを特徴とする電力変換装置。
  6. 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の電力変換装置において、
    (c)前記半導体部の放熱を行うための放熱板、
    をさらに備えることを特徴とする電力変換装置。
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