JP2005347667A - Semiconductor fabrication device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体製造装置に関し、特に、パーティクルによる汚染防止技術に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に熱処理(thermal treatment )を施す熱処理装置(furnace )に利用して有効なものに関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a technology for preventing contamination by particles. , And wafer), which is effective when used in a heat treatment apparatus (furnace) for applying a thermal treatment.
ICの製造方法においてウエハに絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成したり不純物を拡散したりする熱処理工程には、熱処理装置が広く使用されている。
従来のこの種の熱処理装置においては、ウエハの表面を汚染しICの製造方法の歩留りに悪影響を及ぼすパーティクル(塵埃)を抑えるために、ボートが待機する待機室にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットが設置されており、クリーンユニットから待機室に吹き出されたクリーンエアは排気装置によって待機室から排気するように構成されている(例えば、特許文献1参照)。
In this type of conventional heat treatment equipment, a clean unit that blows clean air is installed in the waiting room where the boat stands by in order to suppress particles (dust) that contaminate the wafer surface and adversely affect the yield of the IC manufacturing method. The clean air blown from the clean unit to the standby chamber is configured to be exhausted from the standby chamber by an exhaust device (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、前記した熱処理装置においては、クリーンエアの流れが一方向でないために、クリーンエアが澱んだりパーティクルや汚染物質が溜まり易いという問題点がある。また、待機室に設置されたボートエレベータから有機物が発生し、ウエハを汚染するという問題点がある。 However, in the above-described heat treatment apparatus, since the flow of clean air is not unidirectional, there is a problem that clean air is stagnation and particles and contaminants are likely to accumulate. Further, there is a problem that organic matter is generated from the boat elevator installed in the waiting room and the wafer is contaminated.
本発明の目的は、クリーンエアの澱みによるパーティクルおよびボートエレベータからの有機物による汚染を防止することができる半導体製造装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing contamination by particles of clean air and organic matter from a boat elevator.
本発明に係る半導体製造装置は、基板を処理する処理室と、前記基板を積層して保持する基板保持具と、前記基板保持具を前記処理室に搬入および搬出する基板保持具搬送装置と、前記処理室に隣接して前記基板保持具が待機する待機室と、前記待機室に清浄気体を供給する清浄気体供給装置と、前記待機室を排気する排気装置とを備えており、
前記基板保持具搬送装置は前記基板保持具の搬送領域の側面に取付具によって前記待機室に取り付けられており、前記取付具には開口部が前記基板保持具搬送装置と前記待機室との間に前記清浄気体を流すように開設されていることを特徴とする。
A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a processing chamber for processing a substrate, a substrate holder for stacking and holding the substrate, a substrate holder transport device for carrying the substrate holder into and out of the processing chamber, A standby chamber in which the substrate holder stands by adjacent to the processing chamber; a clean gas supply device that supplies clean gas to the standby chamber; and an exhaust device that exhausts the standby chamber;
The substrate holder transfer device is attached to the standby chamber by a fixture on a side surface of the transfer area of the substrate holder, and an opening is formed between the substrate holder transfer device and the standby chamber on the fixture. It is opened so that the said clean gas may flow.
前記した手段によれば、清浄気体供給装置から吹き出された清浄気体の流れが開口部によって一方向になるために、パーティクルを待機室から確実に排気することができる。
また、開口部が基板保持具搬送装置の取付具に開設されているために、基板保持具搬送装置から発生した有機物が待機室に流出するのを防止し、排気装置によって待機室から直ちに排気することができる。
According to the above-described means, the flow of the clean gas blown from the clean gas supply device becomes one direction by the opening, so that the particles can be reliably exhausted from the standby chamber.
In addition, since the opening is provided in the fixture of the substrate holder transport device, the organic matter generated from the substrate holder transport device is prevented from flowing into the standby chamber and is immediately exhausted from the standby chamber by the exhaust device. be able to.
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施の形態においては、図1および図2に示されているように、本発明に係る半導体製造装置は熱処理装置として構成されている。
本実施の形態に係る熱処理装置10においては、ウエハ1を収容して搬送するためのキャリア(搬送治具)としては、FOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)が使用されている。ポッドは一つの面が開口した略立方体の箱形状に形成された本体を備えており、開口面にはキャップが着脱自在に装着されている。ウエハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度(クリーン度)は維持することができる。したがって、ウエハに作り込まれる集積回路の微細化が進むにつれ、昨今はポッドが使用される場合が増加して来ている。
なお、ウエハ1を収容して搬送するための他のキャリアとしては、互いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているオープンカセットがある。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is configured as a heat treatment apparatus.
In the
In addition, as another carrier for accommodating and transporting the
熱処理装置10は気密構造に構築された筐体11を備えている。筐体11の正面の下部には、ポッド2を筐体11内に搬入搬出するためのポッド搬入搬出ポート(以下、ポッドポートという。)13が設定されており、ポッドポート13に対応する筐体11の正面壁には、フロントシャッタ(図示せず)によって開閉されるポッド搬入搬出口14が開設されている。ポッドポート13に対してはポッド2が工程内搬送装置(図示せず)によって搬入搬出されるようになっている。筐体11の内部の正面壁のポッドポート13の上方には、複数個のポッド2を保管するバッファ棚15が、左右方向に一杯に水平に敷設されている。
The
筐体11内の最前部にはポッド移載装置設置室16が設定されており、この設置室16にはスカラ形ロボット(selective compliance assembly robot arm 。SCARA)によって構成されたポッド移載装置17が設置されている。ポッド移載装置17はポッドポート13、バッファ棚15、後記する回転棚19およびウエハローディングポート25間でポッド2を搬送するように構成されている。
筐体11の内側空間におけるポッド移載装置設置室16の後方の上部には、回転棚設置室18が設定されており、この設置室18には回転棚19が設置されている。回転棚19は複数個のポッド2を保管するように構成されている。すなわち、回転棚19は棚板20が複数段、モータ等の間欠回転駆動装置(図示せず)によって一方向にピッチ送り回転される回転軸21に上下方向に配されて水平に固定されており、棚板20に保管されたポッド2が正面の位置に回転軸21のピッチ送り回転によって順次送られるように構成されている。
A pod transfer
A rotary
筐体11の内側空間におけるポッド移載装置設置室16の後方の下部には、ポッド移載装置設置室16の後方空間を上下および前後に仕切る水平壁部23と垂直壁部24とからなる隔壁22が構築されており、隔壁22の水平壁部23の上には回転棚19が設置されている。
In the lower space behind the pod transfer
隔壁22の垂直壁部24における筐体11の回転棚19の下側には、ウエハ1をローディングおよびアンローディングするためのポート(以下、ウエハポートという。)25が一対、垂直方向の上下で対向するようにそれぞれ設定されている。垂直壁部24の上下のウエハポート25、25に対応する位置には、ウエハ1を出し入れするためのウエハ搬入搬出口26、26がそれぞれ開設されている。両ウエハ搬入搬出口26、26にはポッド2のキャップを着脱してポッド2を開閉する一対のポッドオープナ27、27がそれぞれ設置されている。
A pair of ports (hereinafter referred to as wafer ports) 25 for loading and unloading the
図1および図2に示されているように、隔壁22の後方の空間には基板保持具としてのボート30の処理室34への搬入搬出に対して待機する待機室28が設定されている。待機室28の前側の空間にはウエハ移載装置29が設置されている。ウエハ移載装置29はウエハポート25とボート30およびサブボート31との間でウエハ1を搬送してポッド2およびボート30に受け渡すように構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
待機室28の後側の空間には基板保持具搬送装置としてのボートエレベータ50が垂直に設置されており、ボートエレベータ50はボート30を支持したシールキャップ32を垂直方向に昇降させるように構成されている。シールキャップ32はマニホールド36を介してプロセスチューブ35をシール可能な円盤形状に形成されており、シールキャップ32の上にはボート30が垂直に立脚されている。ボート30は被処理基板としてのウエハ1を多数枚、中心を揃えて水平に配置した状態で保持するように構成されており、シールキャップ32のボートエレベータ50による昇降によってプロセスチューブ35の処理室34に対して搬入搬出されるようになっている。
A
図1に示されているように、筐体11の後端部における上部にはプロセスチューブ設置室33が設定されており、プロセスチューブ設置室33には処理室34を形成するプロセスチューブ35がマニホールド36を介して垂直に立脚され、待機室28の上に設置されている。マニホールド36には処理室34に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管37と、処理室34を真空排気するための排気管38が接続されている。ボートエレベータ50が昇降してボート(基板保持具)30がプロセスチューブ35に搬入搬出する領域を基板保持具の搬送領域と呼ぶ。
As shown in FIG. 1, a process
プロセスチューブ35の外側にはヒータユニット39が同心円に配されて筐体11に支持されており、ヒータユニット39は処理室34を全体にわたって均一または所定の温度分布を維持するように加熱するように構成されている。
A
図2に示されているように、待機室28の左側の側面にはサイドクリーンユニット40が垂直に配置されて、略全面をカバーするように設備されている。サイドクリーンユニット40はパーティクルを捕集するフィルタ41と複数のファン42とダクト部43とを備えており、フィルタ41が待機室28に露出するとともに、ファン42群およびダクト部43の下流側になるように構成されている。ダクト部43はインテークダクト(図示せず)に接続されており、インテークダクトは筐体11の上面においてクリーンルームに開口されている。
As shown in FIG. 2, a side
図2に示されているように、待機室28の右隅には待機室28を排気する排気装置としてのシロッコファン45が複数台、設置されており、図3に示されているように、複数台のシロッコファン45は垂直方向に間隔を置いて垂直に配置されている。各シロッコファン45はサイドクリーンユニット40から待機室28に噴き出されたクリーンエア44を吸い込んで、待機室28の外部に排気するように構成されている。
As shown in FIG. 2, a plurality of sirocco fans 45 as exhaust devices for exhausting the
待機室28のシロッコファン45とボート30との間には仕切板46が垂直に立設されており、シロッコファン45は仕切板46が画成した内側空間49に設置されている。仕切板46はボート30からの輻射熱を反射するように構成されている。仕切板46の正面側にはクリーンエア44を吸い込む吸込口47が開設されており、仕切板46のボート30側の側壁には逃げ孔48が垂直方向に長く開設されている。
A
図2に示されているように、基板保持具搬送装置としてのボートエレベータ50は仕切板46が画成した内側空間49に、取付具としての一対のリブ60、60によって設置されている。ポッド搬入搬出口14側(図2のA側)が装置前面であり、ボート等が配置されている側(図2のB側)が後面である。AB方向は装置の前後方向であり、一対のリブ60、60は装置の前後方向に設置されている。また、ボートエレベータ50はフレーム51を備えており、フレーム51は前記一対のリブ60、60のボート30側に配置されて据え付けられている。フレーム51には一対のガイドレール52、52が垂直に架設されているとともに、送りねじ軸53が垂直に架設されている。両ガイドレール52、52には昇降台54が昇降自在に支承されており、送りねじ軸53には昇降台54に固定された雌ねじ部材55が昇降可能に螺合されている。昇降台54にはアーム56がボート30の方向に突設されており、アーム56は仕切板46の逃げ孔48を挿通して仕切板46の外側に突出されている。アーム56の先端部にはシールキャップ32が据え付けられており、前述したように、シールキャップ32の上にはボート30が垂直に立設されている。
As shown in FIG. 2, the
図2および図3に示されているように、一対のリブ60、60には複数個の開口部61が垂直方向に間隔を置いて配されて、それぞれ装置の前後方向に貫通するように開設されている。前後のリブ60、60の各開口部61、61の間にはダクト62がそれぞれ架設されており、各ダクト62は前側の開口部61によって吸い込んだクリーンエア44を後側の開口部61から排気するように構成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of
次に、前記構成に係る熱処理装置の作用を説明する。 Next, the operation of the heat treatment apparatus according to the above configuration will be described.
図1に示されているように、ポッドポート13に供給されたポッド2はポッド搬入搬出口14からポッド移載装置設置室16へポッド移載装置17によって搬入される。搬入されたポッド2は回転棚19の指定された位置にポッド移載装置17によって適宜に搬送されて一時的に保管される。
As shown in FIG. 1, the
回転棚19に保管されたポッド2はポッド移載装置17によって適宜にピックアップされて、上下のうちの指定されたウエハポート25に搬送され、図1および図2に示されているように、載置台に移載される。
The
ウエハポート25の載置台に移載されたポッド2はポッドオープナ27によってキャップを外されて開放される。この一方のウエハポート25におけるポッドオープナ27による開放作業の間に、他方のウエハポート25には別のポッド2がポッド移載装置17によって回転棚19からピックアップされて移載される。したがって、ポッド移載装置17は上下のウエハポート25と回転棚19との間、並びに、回転棚19とポッドポート13との間をきわめて効率よく移動して稼働することになる。
The
ウエハポート25においてポッド2が開放されると、ポッド2に収納された複数枚のウエハ1はウエハ移載装置29によってボート30に移載されて装填(チャージング)される。この際、ボート30がバッチ処理するウエハ1の枚数(例えば、百枚〜百五十枚)は一台のポッド2に収納されたウエハ1の枚数(例えば、二十五枚)よりも何倍も多いため、複数台のポッド2が上下のウエハポート25、25にポッド移載装置17によって交互に繰り返し供給されることになる。
When the
予め指定された枚数のウエハ1が上下のウエハポート25、25からボート30に移載されると、ボート30はボートエレベータ50によって上昇されてプロセスチューブ35の処理室34に搬入される。ボート30が上限に達すると、ボート30を保持したシールキャップ32の上面の周辺部がプロセスチューブ35をシール状態に閉塞するため、処理室34は気密に閉じられた状態になる。
When a predetermined number of
プロセスチューブ35の処理室34が気密に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管38によって真空排気され、ヒータユニット39によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管37によって所定の流量だけ供給される。これにより、所定のCVD膜がウエハ1に形成される。ちなみに、取り扱う膜種によって異なるが、例えば、処理時間は約1時間〜2時間になる。
In a state where the processing chamber 34 of the
そして、予め設定された処理時間が経過すると、ボート30がボートエレベータ50によって下降されることにより、処理済みウエハ1を保持したボート30が待機室28における元の待機位置に搬出(ボートアンローディング)される。ボート30のプロセスチューブ35の処理室34への搬入搬出作業および処理作業の間に、ポッドポート13や回転棚19においてはポッド2の搬入搬出作業や移送作業が同時に進行される。
When a preset processing time elapses, the
待機室28に搬出されたボート30の処理済みウエハ1は、ボート30からウエハ移載装置29によってピックアップされてウエハポート25に搬送され、ウエハポート25に予め搬送されてキャップを外されて開放された空のポッド2に収納される。
The processed
続いて、ポッド2がポッドオープナ27によって閉じられた後に、処理済みのウエハ1が収納されたポッド2は回転棚19の指定された位置にポッド移載装置17によって搬送されて一時的に保管される。
Subsequently, after the
処理済みウエハ1を収納したポッド2は回転棚19からポッドポート13へポッド移載装置17によって搬送される。ポッドポート13に移載されたポッド2は次工程へ搬送される。
The
以降、前述した作用が繰り返されてウエハ1が熱処理装置10によってバッチ処理されて行く。
Thereafter, the operation described above is repeated and the
他方、図2に示されているように、筐体11の待機室28にはクリーンエア44がサイドクリーンユニット40から全面にわたって吹き出されて供給される。サイドクリーンユニット40の全面から吹き出されたクリーンエア44は、仕切板46の吸込口47から仕切板46が画成した内側空間49に吸い込まれる。
このように待機室28におけるクリーンエア44の流れは一方向になるために、クリーンエア44は待機室28において澱んだり滞留したりすることはない。また、クリーンエア44によって流されてクリーンエア44に随伴して流れるパーティクルも、待機室28に澱んだり滞留したりすることはない。したがって、クリーンエア44に随伴して流れるパーティクルによるウエハ1の汚染は確実に防止することができる。
On the other hand, as shown in FIG. 2,
As described above, the flow of the
仕切板46の内側空間49に吸い込まれたクリーンエア44は、前側のリブ60の各開口部61からダクト62に吸い込まれて後側のリブ60の各開口部61から吐き出され、シロッコファン45によって仕切板46の内側空間49から待機室28の外部に排気される。
このように仕切板46の内側空間49においてもクリーンエア44の一方向の流れが生成されるために、万一、ボート30から汚染の原因になる有機物が発生したとしても、発生した有機物は仕切板46の内側空間49から待機室28に流出することなく、シロッコファン45によって直ちに外部に排気されることになる。したがって、ボート30から発生する有機物によるウエハ1の汚染は確実に防止することができる。
The
As described above, a flow in one direction of the
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.
1) 待機室におけるクリーンエアの流れが一方向になるように構成することにより、クリーンエアが待機室において澱んだり滞留したりするのを防止することができるので、クリーンエアに随伴して流れるパーティクルによるウエハの汚染を確実に防止することができる。 1) By configuring the flow of clean air in the waiting room to be unidirectional, it is possible to prevent the clean air from stagnating or staying in the waiting room. It is possible to reliably prevent the contamination of the wafer.
2) 装置の前後方向で一対のリブに開口部をそれぞれ開設し、仕切板の内側空間においてもクリーンエアの一方向の流れを生成することにより、ボートから発生した有機物を仕切板の内側空間から待機室に流出することなくシロッコファンによって直ちに外部に排気させることができるので、ボートから発生する有機物によるウエハの汚染を確実に防止することができる。 2) Opening openings in the pair of ribs in the front-rear direction of the device, and by generating a flow of clean air in one direction in the inner space of the partition plate, the organic matter generated from the boat is removed from the inner space of the partition plate. Since the air can be immediately exhausted to the outside by the sirocco fan without flowing into the waiting room, contamination of the wafer by the organic matter generated from the boat can be surely prevented.
3) パーティクルおよび有機物によるウエハの汚染を防止することにより、ICの製造方法の歩留りの低下を防止することができるため、ICの製造方法のスループットを高めることができる。 3) By preventing contamination of the wafer by particles and organic substances, it is possible to prevent a decrease in the yield of the IC manufacturing method, and thus the throughput of the IC manufacturing method can be increased.
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
例えば、待機室は大気圧に耐える程度の気密構造の筐体によって構築するに限らず、大気圧未満の圧力に耐える所謂耐圧構造の容器によって構築してもよい。 For example, the standby chamber is not limited to being constructed with a hermetically sealed casing capable of withstanding atmospheric pressure, but may be constructed with a so-called pressure-resistant container capable of withstanding pressures below atmospheric pressure.
排気装置はシロッコファンによって構成するに限らず、外部に設置された排気装置の排気管を待機室の側壁に接続して構成してもよい。 The exhaust device is not limited to a sirocco fan, and may be configured by connecting an exhaust pipe of an exhaust device installed outside to the side wall of the standby chamber.
前記実施の形態ではバッチ式縦形熱処理装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、バッチ式縦形拡散装置等の半導体製造装置全般に適用することができる。 In the above embodiment, the case of a batch type vertical heat treatment apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to general semiconductor manufacturing apparatuses such as a batch type vertical diffusion apparatus.
1…ウエハ(基板)、2…ポッド(ウエハキャリア)、10…熱処理装置(半導体製造装置)、11…筐体、13…ポッドポート(ポッド搬入搬出ポート)、14…ポッド搬入搬出口、15…バッファ棚、16…ポッド移載装置設置室、17…ポッド移載装置、18…回転棚設置室、19…回転棚、20…棚板、21…回転軸、22…隔壁、23…水平壁部、24…垂直壁部、25…ウエハポート、26…ウエハ搬入搬出口、27…ポッドオープナ、28…待機室、29…ウエハ移載装置、30…ボート(基板保持具)、31…サブボート、32…シールキャップ、33…プロセスチューブ設置室、34…処理室、35…プロセスチューブ、36…マニホールド、37…ガス導入管、38…排気管、39…ヒータユニット、40…サイドクリーンユニット(清浄気体供給装置)、41…フィルタ、42…ファン、43…ダクト部、44…クリーンエア、45…シロッコファン(排気装置)、46…仕切板、47…吸込口、48…逃げ孔、49…内側空間、50…ボートエレベータ(基板保持具搬送装置)、51…フレーム、52…ガイドレール、53…送りねじ軸、54…昇降台、55…雌ねじ部材、56…アーム、60…リブ(取付具)、61…開口部、62…ダクト。
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記基板保持具搬送装置は前記基板保持具の搬送領域の側面に取付具によって前記待機室に取り付けられており、前記取付具には開口部が前記基板保持具搬送装置と前記待機室との間に前記清浄気体を流すように開設されていることを特徴とする半導体製造装置。 A processing chamber for processing a substrate, a substrate holder for stacking and holding the substrate, a substrate holder transporting device for carrying the substrate holder in and out of the processing chamber, and the substrate adjacent to the processing chamber A standby chamber in which a holder waits; a clean gas supply device that supplies clean gas to the standby chamber; and an exhaust device that exhausts the standby chamber;
The substrate holder transfer device is attached to the standby chamber by a fixture on a side surface of the transfer area of the substrate holder, and an opening is formed between the substrate holder transfer device and the standby chamber on the fixture. The semiconductor manufacturing apparatus is configured to allow the clean gas to flow through.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
ID=35499723
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2005347667A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008198477A (en) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Foi:Kk | Plasma generating device and cooling method of plasma generating device |
US7731470B2 (en) | 2006-07-31 | 2010-06-08 | Murata Kikai Kabushiki Kaisha | Clean stocker and method of storing articles |
JP2013254778A (en) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Tokyo Electron Ltd | Vertical thermal treatment device and method for operating vertical thermal treatment device |
KR20130142943A (en) | 2012-06-19 | 2013-12-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate transfer facility |
CN106558512A (en) * | 2015-10-22 | 2017-04-05 | 安徽超元半导体有限公司 | A kind of prober air exhausting device |
CN111799193A (en) * | 2019-04-09 | 2020-10-20 | 显示器生产服务株式会社 | Substrate processing apparatus and inline substrate processing system |
-
2004
- 2004-06-07 JP JP2004168137A patent/JP2005347667A/en active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7731470B2 (en) | 2006-07-31 | 2010-06-08 | Murata Kikai Kabushiki Kaisha | Clean stocker and method of storing articles |
KR101291630B1 (en) * | 2006-07-31 | 2013-08-01 | 무라타 기카이 가부시키가이샤 | Clean stocker and keeping method of article |
JP2008198477A (en) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Foi:Kk | Plasma generating device and cooling method of plasma generating device |
JP2013254778A (en) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Tokyo Electron Ltd | Vertical thermal treatment device and method for operating vertical thermal treatment device |
KR20130142943A (en) | 2012-06-19 | 2013-12-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate transfer facility |
CN106558512A (en) * | 2015-10-22 | 2017-04-05 | 安徽超元半导体有限公司 | A kind of prober air exhausting device |
CN111799193A (en) * | 2019-04-09 | 2020-10-20 | 显示器生产服务株式会社 | Substrate processing apparatus and inline substrate processing system |
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