JP2005235442A - Manufacturing method and device of flat display panel, and flat display panel - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、内部に密閉空間を有する平面ディスプレイパネルの製造方法および製造装置、ならびに、この製造方法または製造装置によって製造された平面ディスプレイパネルに関する。 The present invention relates to a method and apparatus for manufacturing a flat display panel having a sealed space inside, and a flat display panel manufactured by the manufacturing method or apparatus.
平面ディスプレイパネルの中には、例えば、プラズマディスプレイパネル(PDP)やフィールド・エミッション・ディスプレイパネルのように、二枚の平面基板の間に画像形成のための密閉空間を備えているものがある。 Some flat display panels include a sealed space for image formation between two flat substrates, such as a plasma display panel (PDP) and a field emission display panel.
図1は、このような平面ディスプレイパネルの一例として、PDPの構成を概略的に示す側断面図である。 FIG. 1 is a side sectional view schematically showing a configuration of a PDP as an example of such a flat display panel.
この図1において、PDPは、背面側に行電極対および誘電体層,保護層等の各種構造物が形成された前面ガラス基板P1と、この前面ガラス基板P1と対向する側の面に列電極および列電極保護層,隔壁,蛍光体層等の各種構造物が形成された背面ガラス基板P2が、間に放電空間Sを挟んで互いに平行に対向され、この前面ガラス基板P1と背面ガラス基板P2の間の周縁部分に放電空間Sを囲むように封着層P3が形成されて、この封着層P3によって前面ガラス基板P1と背面ガラス基板P2が互いに一体化されるとともに、放電空間Sが封止される構造となっている。 In FIG. 1, a PDP has a front glass substrate P1 on which various structures such as a row electrode pair and a dielectric layer and a protective layer are formed on the back side, and a column electrode on the surface facing the front glass substrate P1. The rear glass substrate P2 on which various structures such as the column electrode protective layer, the partition walls, and the phosphor layer are formed is opposed to each other in parallel with the discharge space S therebetween, and the front glass substrate P1 and the rear glass substrate P2 A sealing layer P3 is formed around the discharge space S at a peripheral portion between the front glass substrate P1 and the rear glass substrate P2 by the sealing layer P3, and the discharge space S is sealed. The structure is stopped.
図2は、上記のような構成のPDPを製造するための従来の製造装置を概略的に示す側面図である。 FIG. 2 is a side view schematically showing a conventional manufacturing apparatus for manufacturing the PDP configured as described above.
この図2の製造装置1は、互いに接続された状態で直線状に配列された複数の加熱チャンバ2と、この各加熱チャンバ2内を水平方向に挿通されるローラ・コンベア3とを備えており、このローラ・コンベア3の搬送方向上流側(図2の左側)から八個の加熱チャンバ2によって昇温ゾーンZ1が構成され、この昇温ゾーンZ1の次の二個の加熱チャンバ2によって封着ゾーンZ2が構成され、この封着ゾーンZ2の次の八個の加熱チャンバ2によって冷却ゾーンZ3が構成されている。
The
そして、封着ゾーンZ2の加熱チャンバ2のうち最後尾の加熱チャンバ2Aは、その前後が真空バルブ4によって仕切られているとともに、真空排気装置5とガス導入装置6が接続されている。
The
図3は、この製造装置1によるPDPの製造工程を示すフロー図である。
FIG. 3 is a flowchart showing the manufacturing process of the PDP by the
この図3において、前面ガラス基板製造工程S1において所要の構造物が形成された前面ガラス基板P1と、背面ガラス基板製造工程S2において所要の構造物が形成され溶剤を含む低融点ガラスペーストが周縁部に塗布されて仮焼成により封着層P3が形成された背面ガラス基板P2が、重ね行程S3において、互いに所定の位置に重ね合わされる。 In FIG. 3, a front glass substrate P1 on which a required structure is formed in the front glass substrate manufacturing step S1, and a low melting point glass paste containing a solvent on which a required structure is formed in the rear glass substrate manufacturing step S2 are peripheral portions. The back glass substrates P2 coated on the substrate and formed with the sealing layer P3 by temporary baking are overlapped at predetermined positions in the overlapping step S3.
このようにして前面ガラス基板P1と背面ガラス基板P2が重ね合わされたパネルP(図2参照)は、次の封着ベーク行程S4において、ローラ・コンベア3によって製造装置1の昇温ゾーンZ1内に搬入され、この昇温ゾーンZ1において、各加熱チャンバ2毎に所定の時間ずつ停止されながら順次加熱されてゆく。
The panel P (see FIG. 2) in which the front glass substrate P1 and the rear glass substrate P2 are overlapped in this way is placed in the temperature rising zone Z1 of the
この昇温ゾーンZ1において所定温度まで加熱されたパネルPは、次に封着ゾーンZ2の上流側の加熱チャンバ2内に搬入され、最高温度に保持されたこの加熱チャンバ2内において、加熱によって軟化した封着層P3の低融点ガラスが前面ガラス基板P1に溶着されることによって、前面ガラス基板P1と背面ガラス基板P2の間の放電空間Sが封止される。 The panel P heated to a predetermined temperature in the temperature raising zone Z1 is then carried into the heating chamber 2 upstream of the sealing zone Z2, and is softened by heating in the heating chamber 2 maintained at the maximum temperature. The low melting point glass of the sealing layer P3 is welded to the front glass substrate P1, thereby sealing the discharge space S between the front glass substrate P1 and the rear glass substrate P2.
そして、次の排気工程S5において、パネルPが封着ゾーンZ2の下流側の加熱チャンバ2A内に搬入されると、その両側の真空バルブ4が閉められた後、真空排気装置5によって、加熱チャンバ2A内が真空にされるとともに、背面ガラス基板P2の排気孔(図示せず)に接続された排気管(図示せず)を介して放電空間S(図1参照)内からの排気が行われて、放電空間S内が真空にされる。
In the next evacuation step S5, when the panel P is carried into the
この後、封入行程S6において、ガス導入装置6から排気管を介して放電空間S内に放電ガスが導入され、さらに、次の封止行程S7において、排気管が封止されて、放電空間S内に放電ガスが封じ込められる。 Thereafter, in the sealing step S6, the discharge gas is introduced into the discharge space S from the gas introduction device 6 through the exhaust pipe. Further, in the next sealing step S7, the exhaust pipe is sealed, and the discharge space S The discharge gas is contained inside.
このようにして、放電ガスが封入されたパネルPは、加熱チャンバ2Aから冷却ゾーンZ3内に搬入されて、この冷却ゾーンZ3の各加熱チャンバ2内を搬送されながら、徐々に冷却されてゆく(例えば、特許文献1参照)。
In this way, the panel P in which the discharge gas is sealed is carried into the cooling zone Z3 from the
上記のようなPDPの製造方法は、バッチ炉を用いた製造方法に対して、PDPの製造を連続的に行うことが出来るという利点を有している。 The PDP manufacturing method as described above has an advantage that the PDP can be continuously manufactured as compared with the manufacturing method using a batch furnace.
しかしながら、この従来のPDPの製造方法には、以下のような問題点が存在する。 However, this conventional PDP manufacturing method has the following problems.
すなわち、封着ゾーンZ2の加熱チャンバ2Aで行われる排気工程S5において、真空排気装置5によってパネルPの放電空間Sから真空排気が行われる際に、パネルPがベーク状態に保持されているために、排気中も、封着層P3を形成する低融点ガラスや前面ガラス基板P1と背面ガラス基板P2のそれぞれの構造物を形成する材料から不純ガスが発生し、さらには、排気管やパネルPのコンダクタンスによって、放電空間S内を高真空にするのが難しいという問題がある。
That is, in the exhaust process S5 performed in the
例えば、上記従来の製造方法においては、10−7Torrの真空度でパネルPの放電空間S内からの排気を行っても、放電空間S内は、0.01〜0.1Torr程度の真空度しか得ることが出来ず、また、PDPの製造に必要な高真空度を得ようとすれば、非常に長い排気時間を要するか、真空排気装置5として、例えばターボ分子ポンプやクライオポンプ等の高価な排気装置を必要とし、何れの場合も製造コストを上昇させる要因になる。
For example, in the above-described conventional manufacturing method, even if the discharge from the discharge space S of the panel P is performed at a vacuum of 10 −7 Torr, the discharge space S has a vacuum of about 0.01 to 0.1 Torr. However, if a high degree of vacuum required for manufacturing a PDP is to be obtained, a very long exhaust time is required, or the
さらに、上記従来のPDPの製造方法によれば、封着ベーク工程S4において、高温で封着層P3を形成する低融点ガラスを溶着させることによって放電空間Sの封止を行うので、背面ガラス基板P2の構造物である蛍光体層を形成する蛍光材料が劣化してしまうという問題が発生する。 Furthermore, according to the conventional PDP manufacturing method, the discharge space S is sealed by welding the low melting point glass forming the sealing layer P3 at a high temperature in the sealing baking step S4. There arises a problem that the fluorescent material forming the phosphor layer which is the structure of P2 is deteriorated.
さらにまた、上記従来のPDPの製造方法によれば、封着層P3を低融点ガラスによって形成して放電空間Sを封止するので、低融点ガラスペーストの溶剤や低融点ガラス自体から発生する不純ガスがパネルの内部に吸着されて、画像形成時の放電空間S内における放電の発生に悪影響を与えてしまうという問題が発生する。 Furthermore, according to the above conventional PDP manufacturing method, the sealing layer P3 is formed of low melting point glass to seal the discharge space S. Therefore, impurities generated from the solvent of the low melting point glass paste or the low melting point glass itself. There is a problem that the gas is adsorbed inside the panel and adversely affects the occurrence of discharge in the discharge space S during image formation.
この発明は、上記のような従来の平面ディスプレイパネルの製造方法および製造装置における一以上の問題点を解決することをその解決課題の一つとしているものである。 An object of the present invention is to solve one or more problems in the conventional method and apparatus for manufacturing a flat display panel as described above.
第1の発明(請求項1に記載の発明)による平面ディスプレイパネルの製造方法は、上記目的を達成するために、それぞれ構造物が形成された二枚の基板が空間を開けて平行に対向されてこの空間が二枚の基板の間の周縁部に形成された封着部によって封止されている平面ディスプレイパネルの製造方法であって、前記二枚の基板のうちの構造物が形成された一方の基板を真空状態が保持されるチャンバ内で搬送しこのチャンバ内の真空排気を行いながら加熱処理する第1加熱工程と、前記二枚の基板のうちの構造物が形成された他方の基板を真空状態が保持されるチャンバ内で搬送しこのチャンバ内の真空排気を行いながら加熱処理する第2加熱工程と、前記第1加熱工程が行われるチャンバおよび第2加熱工程が行われるチャンバの基板の搬送方向において下流側に設置されて真空排気が行われるチャンバ内で、第1加熱工程を経た一方の基板の他方の基板と対向する側の面の周縁部に封着部を形成するための封着材を塗布する封着材塗布工程と、この封着材塗布工程を経た一方の基板に第2加熱工程を経た他方の基板を真空排気が行われるチャンバ内において重ね合わせる重ね工程と、この重ね工程によって重ね合わされた二枚の基板の間の空間を封着材塗布工程において塗布された封着材によって真空排気が行われるチャンバ内において封止する封止工程とを有していることを特徴としている。 In order to achieve the above object, a method for manufacturing a flat display panel according to the first invention (the invention described in claim 1) is provided in such a manner that two substrates on which structures are formed are opposed to each other in parallel by opening a space. A method of manufacturing a flat display panel in which the space is sealed by a sealing portion formed at a peripheral edge between two substrates, in which a structure of the two substrates is formed A first heating step in which one of the substrates is transported in a chamber in which a vacuum state is maintained and the chamber is evacuated, and the other substrate on which the structure of the two substrates is formed; A second heating step in which a heat treatment is carried out in a chamber in which a vacuum state is maintained and the chamber is evacuated, a chamber in which the first heating step is performed, and a substrate of the chamber in which the second heating step is performed In a chamber installed on the downstream side in the transport direction and evacuated, a seal is formed to form a sealing portion at the peripheral portion of the surface of the one substrate that has undergone the first heating step on the side facing the other substrate. A sealing material coating process for coating the adhesive material, a stacking process for stacking the other substrate that has undergone the second heating process on the one substrate that has undergone the sealing material coating process in a chamber in which vacuum evacuation is performed, And a sealing step of sealing a space between the two substrates overlapped in the step in a chamber where vacuum evacuation is performed by the sealing material applied in the sealing material application step. It is said.
第2の発明(請求項15に記載の発明)による平面ディスプレイパネルの製造装置は、前記目的を達成するために、それぞれ構造物が形成された二枚の基板が空間を開けて平行に対向されてこの空間が二枚の基板の間の周縁部に形成された封着部によって封止されている平面ディスプレイパネルの製造装置であって、前記二枚の基板のうちの構造物が形成された一方の基板を搬送する第1搬送部材と、前記二枚の基板のうちの構造物が形成された他方の基板を搬送する第2搬送部材と、内部が真空状態に保持されるとともに前記第1搬送部材がこの内部を通って延びていてこの第1搬送部材によって搬送される一方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバと、内部が真空状態に保持されるとともに前記第2搬送部材がこの内部を通って延びていてこの第2搬送部材によって搬送される他方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバと、前記一方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバおよび他方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバの第1搬送部材および第2搬送部材の搬送方向において下流側に設置されて真空排気が行われるとともに第1搬送部材および第2搬送部材によってそれぞれ基板が搬入されるチャンバと、このチャンバ内に設置されて搬入されてきた一方の基板の他方の基板と対向する側の面の周縁部に封着部を形成するための封着材を塗布する封着材塗布部材と、前記二枚の基板が搬入されるチャンバ内に設置されて封着材塗布部材によって封着材が塗布された一方の基板と他方の基板を重ね合わせる重ね合わせ部材と、前記二枚の基板が搬入されるチャンバ内に設置されて重ね合わせ部材によって重ね合わされた二枚の基板の間の空間を封着材塗布部材において塗布された封着材によって封止する封着部材とを備えていることを特徴としている。 In order to achieve the above object, a flat display panel manufacturing apparatus according to a second invention (the invention described in claim 15) has two substrates on which structures are respectively formed facing each other in parallel by opening a space. A device for manufacturing a flat display panel in which the space is sealed by a sealing portion formed at a peripheral edge between two substrates, in which a structure of the two substrates is formed A first transport member for transporting one substrate, a second transport member for transporting the other substrate on which the structure of the two substrates is formed, and the inside being held in a vacuum state and the first A conveying member extends through the inside and a heating chamber for performing heat treatment on one of the substrates conveyed by the first conveying member, and the second conveying member is maintained in a vacuum state while the second conveying member Extending through the interior A heating chamber for performing heat treatment on the other substrate conveyed by the second conveying member, a heating chamber for performing heat treatment on the one substrate, and heating for performing heat treatment on the other substrate. A chamber that is installed downstream in the transport direction of the first transport member and the second transport member of the chamber and performs evacuation, and a substrate is loaded into the chamber by the first transport member and the second transport member, and the chamber A sealing material applying member for applying a sealing material for forming a sealing portion on a peripheral portion of a surface of the one substrate that has been installed and carried in facing the other substrate; and the two substrates The two substrates are carried in, and an overlapping member that is placed in a chamber into which the substrate is carried and one substrate on which the sealing material is applied by the sealing material application member and the other substrate are overlapped with each other. A sealing member that is installed in the chamber and seals the space between the two substrates superimposed by the overlapping member with the sealing material applied on the sealing material application member. Yes.
さらに、第3の発明(請求項28に記載の発明)による平面ディスプレイパネルは、前記目的を達成するために、第1の発明による製造方法によって製造されたことを特徴としている。 Furthermore, a flat display panel according to the third invention (the invention described in claim 28) is manufactured by the manufacturing method according to the first invention in order to achieve the object.
さらに、第4の発明(請求項29に記載の発明)による平面ディスプレイパネルは、前記目的を達成するために、第2の発明による製造装置によって製造されたことを特徴としている。 Furthermore, a flat display panel according to a fourth invention (the invention according to claim 29) is manufactured by a manufacturing apparatus according to the second invention in order to achieve the above object.
この発明は、構造物が形成された前面基板を前面基板製造ラインのチャンバ内において搬送装置によって搬送し、構造物が形成された背面基板を背面基板製造ラインのチャンバ内において搬送装置によって搬送し、前面基板製造ラインの途中に構成されるベーキング・ゾーンのチャンバ内において真空排気が行われている条件下で搬送装置によって搬送される前面基板に対して加熱処理を行い、背面基板製造ラインの途中に構成されるベーキング・ゾーンのチャンバ内において真空排気が行われている条件下で搬送装置によって搬送される背面基板に対して加熱処理を行い、この前面基板製造ラインを通過した前面基板と背面基板製造ラインを通過した背面基板とを真空排気が行われている同じチャンバ内に搬入し、このチャンバ内において、封止材塗布および基板重ね合わせ装置によって、先ず、前面基板または背面基板の一方の基板の他方の基板と対向する側の面の周縁部に封着層を形成するための封着材を塗布し、次に、この封着材が塗布された一方の基板と他方の基板を重ね合わせ、その後に、封止装置によって、重ね合わされた前面基板と背面基板の間の空間を塗布された封着材によって封止する製造装置、および、この製造装置によって実施される製造方法、ならびに、この製造装置および製造方法の実施によって製造された平面ディスプレイパネルを、その最良の実施形態としているものである。 In the present invention, the front substrate on which the structure is formed is transferred by the transfer device in the chamber of the front substrate production line, the rear substrate on which the structure is formed is transferred by the transfer device in the chamber of the rear substrate production line, Heat treatment is performed on the front substrate transported by the transport device under the condition that the vacuum zone is being evacuated in the chamber of the baking zone configured in the middle of the front substrate production line. Heat treatment is performed on the back substrate transported by the transport device under the condition that the evacuation is performed in the chamber of the configured baking zone, and the front substrate and the back substrate manufactured through this front substrate manufacturing line. The back substrate that has passed through the line is carried into the same chamber where the vacuum is being evacuated. First, a sealing material for forming a sealing layer is applied to the peripheral portion of the surface of one of the front substrate and the rear substrate facing the other substrate by the sealing material coating and substrate overlaying device. Next, the one substrate coated with this sealing material is superimposed on the other substrate, and then the sealing material coated with the space between the superimposed front substrate and rear substrate by the sealing device. The best embodiment is a manufacturing apparatus for sealing by the manufacturing method, a manufacturing method implemented by the manufacturing apparatus, and a flat display panel manufactured by the implementation of the manufacturing apparatus and the manufacturing method.
この実施形態による製造装置および製造方法によれば、平面ディスプレイパネルを構成する二枚の基板がそれぞれ単板で個別に真空条件下において加熱処理されるので、前面基板製造ラインおよび背面基板製造ラインを通過する際に前面基板および背面基板からの脱ガス処理が完了する。 According to the manufacturing apparatus and the manufacturing method according to this embodiment, since the two substrates constituting the flat display panel are individually heat-treated on a single plate under vacuum conditions, the front substrate manufacturing line and the rear substrate manufacturing line are Degassing processing from the front substrate and the rear substrate is completed when passing.
そして、それぞれ熱処理が完了した前面基板と背面基板が真空排気されているチャンバ内において重ね合わされてその間の内部空間が封止されることにより、改めて内部空間からの真空排気を行うことなく、平面ディスプレイパネルが完成される。 Then, the front substrate and the rear substrate, each of which has been heat-treated, are overlapped in a vacuum evacuated chamber and the internal space between them is sealed, so that the flat display can be performed without evacuating the internal space again. The panel is completed.
図4は、この発明による平面ディスプレイパネルの製造方法を実施するための製造装置の第1実施例を概略的に示す平面図である。 FIG. 4 is a plan view schematically showing a first embodiment of a manufacturing apparatus for carrying out the flat display panel manufacturing method according to the present invention.
なお、以下の実施例では、平面ディスプレイパネルとして、パネル内に放電ガスが封入されるPDPを例に挙げて説明を行うが、この発明は、例えばフィールドエミッションディスプレイ等のパネル内が真空状態に保持されるような他の平面ディスプレイを製造する際にも、後述するような放電ガスの導入工程を省略するだけで、実施が可能である。 In the following embodiments, a PDP in which a discharge gas is enclosed in the panel will be described as an example of a flat display panel. However, the present invention keeps the inside of a panel such as a field emission display in a vacuum state, for example. Such other flat display can be manufactured only by omitting the discharge gas introduction step as described later.
図4において、PDPの製造装置10は、前面ガラス基板P1(図1参照)を製造する前面ガラス基板製造ライン11と、背面ガラス基板P2を製造する背面ガラス基板製造ライン12と、基板封着部13とによって構成されており、この前面ガラス基板製造ライン11と背面ガラス基板製造ライン12と基板封着部13は、内部が真空状態に保持されるチャンバ11A,12A,13A内にそれぞれ構成されている。
4, a
前面ガラス基板製造ライン11は、チャンバ11A内が複数個(図示の例では13個)のブロック11Aaに区画されており、この各ブロック11Aa内を図示しないコンベアが上流側(図4の左側)から下流側(図4の右側)に向けて挿通されるように設置されていて、後述するように製造工程における前面ガラス基板P1を前面ガラス基板製造ライン11の上流側から下流側に搬送してゆくようになっている。
In the front glass
そして、この前面ガラス基板製造ライン11は、上流側から複数個(図示の例では4個)のブロック11Aaによって加熱ゾーン11Z1が構成され、次の複数個(図示の例では6個)のブロック11Aaによってベーキング・ゾーン11Z2が構成され、さらに、次の複数個(図示の例では3個)のブロック11Aaによって放電ガス置換・冷却ゾーン11Z3が構成されている。
In the front glass
さらに、チャンバ11Aの各ゾーンに図示しない加熱装置が取り付けられているとともに、排気装置11Bがそれぞれ接続されており、放電ガス置換・冷却ゾーン11Z3には、放電ガス導入装置11Cが接続されていている。
Further, a heating device (not shown) is attached to each zone of the
背面ガラス基板製造ライン12も、前面ガラス基板製造ライン11と同様に、チャンバ12A内が複数個(図示の例では13個)のブロック12Aaに区画されており、この各ブロック12Aa内を図示しないコンベアが上流側(図4の左側)から下流側(図4の右側)に向けて挿通されるように設置されていて、後述するように、製造工程における背面ガラス基板P2を背面ガラス基板製造ライン12の上流側から下流側に搬送してゆくようになっている。
Similarly to the front glass
そして、この背面ガラス基板製造ライン12も、上流側から複数個(図示の例では4個)のブロック12Aaによって加熱ゾーン12Z1が構成され、次の複数個(図示の例では6個)のブロック12Aaによって真空保持ゾーン12Z2が構成され、さらに、次の複数個(図示の例では3個)のブロック12Aaによって放電ガス置換・冷却ゾーン12Z3が構成されている。
In the rear glass
さらに、チャンバ12Aの各ゾーンに図示しない加熱装置が取り付けられているとともに、排気装置12Bがそれぞれ接続されており、放電ガス置換・冷却ゾーン12Z3には、放電ガス導入装置12Cが接続されていている。
Further, a heating device (not shown) is attached to each zone of the
基板封着部13は、チャンバ13A内の上流側(図4の左側)位置に、封着材塗布および基板重ね合わせ装置13Bが設置され、下流側(図4の右側)位置に、複数台(図示の例では二台)の封着装置13Cが設置されている。
The
そして、この基板封着部13のチャンバ13Aには、排気装置13Dが接続されていて、チャンバ13A内からの真空排気を行うようになっているとともに、放電ガス導入装置13Eが接続されていて、チャンバ13A内に放電ガスの導入を行うようになっている。
An
次に、上記の製造装置10によるPDPの製造方法を、図5に示される製造工程のフロー図を参照しながら説明する。
Next, a method of manufacturing a PDP using the
この図5において、前面ガラス基板製造工程S10の構造物形成工程S10Aにおいて行電極対や誘電体層等の構造物が形成された製造過程の前面ガラス基板P1が、製造装置10の前面ガラス基板製造ライン11に搬入されると、この前面ガラス基板P1は、コンベアによってチャンバ11A内を上流のブロック11Aaから下流側のブロック11Aaに順次搬送される。
In FIG. 5, the front glass substrate P1 in the manufacturing process in which structures such as row electrode pairs and dielectric layers are formed in the structure forming step S10A of the front glass substrate manufacturing step S10 is the front glass substrate manufacturing of the
この前面ガラス基板製造ライン11に搬入された前面ガラス基板P1に対して、先ず、加熱ゾーン11Z1において、昇温工程S10Bが実施される。
For the front glass substrate P1 carried into the front glass
すなわち、この加熱ゾーン11Z1では、排気装置11Bによって、ブロック11Aa内の真空度が上流側から下流側にゆくほど高くなるように真空排気が行われているとともに、加熱装置によって、同様に、ブロック11Aa内の温度が上流側から下流側にゆくほど高くなるように加熱が行われている。 That is, in this heating zone 11Z1, vacuum exhaust is performed by the exhaust device 11B so that the degree of vacuum in the block 11Aa becomes higher from the upstream side to the downstream side, and the block 11Aa is similarly applied by the heating device. Heating is performed so that the temperature of the inside becomes higher as it goes from the upstream side to the downstream side.
これによって、この昇温工程S10Bにおいて、前面ガラス基板P1が加熱ゾーン11Z1内を下流側方向に搬送されてゆくにしたがって、真空度と加熱温度が高くなり、前面ガラス基板P1の各構造物を形成する材料から加熱によって発生してくる不純ガスが徐々に排気されてゆく。 Thereby, in this temperature raising step S10B, as the front glass substrate P1 is transported in the heating zone 11Z1 in the downstream direction, the degree of vacuum and the heating temperature increase, and each structure of the front glass substrate P1 is formed. The impure gas generated by heating from the material is gradually exhausted.
この昇温工程S10Bの終了後、前面ガラス基板P1が次のベーキング・ゾーン11Z2内に搬送されてくると、このベーキング・ゾーン11Z2においてベーキング工程S10Cが実施される。 When the front glass substrate P1 is transferred into the next baking zone 11Z2 after the temperature raising step S10B is completed, the baking step S10C is performed in the baking zone 11Z2.
すなわち、このベーキング・ゾーン11Z2では、各ブロック11Aa内の真空度と加熱温度が、排気装置11Bと加熱装置によって、それぞれ一定な所定の値に保持されている。 That is, in the baking zone 11Z2, the degree of vacuum and the heating temperature in each block 11Aa are held at a predetermined constant value by the exhaust device 11B and the heating device, respectively.
ここで、このベーキング・ゾーン11Z2の各ブロック11Aa内の真空度は、加熱ゾーン11Z1において不純ガスの排気が徐々に行われていること、および、前面ガラス基板P1を単板で処理していることによって、従来の製造装置において要求される真空度(例えば、10−7Torr)よりも低い真空度、例えば、0.01〜0.1Torrの真空度で良く、この程度の真空度で不純ガスの十分な脱ガス効果を得ることが可能である。 Here, the degree of vacuum in each block 11Aa of the baking zone 11Z2 is that the impure gas is gradually exhausted in the heating zone 11Z1, and the front glass substrate P1 is processed by a single plate. Therefore, the degree of vacuum lower than that required in the conventional manufacturing apparatus (for example, 10 −7 Torr), for example, 0.01 to 0.1 Torr may be sufficient. It is possible to obtain a sufficient degassing effect.
例えば、完成品のPDPの放電空間内に導入されている放電ガスのガス圧を500Torrとした場合に、製造工程において上記のような真空度で脱ガスを行うと、放電空間内の放電ガスの不純度は、
(0.01〜0.1/500)×100 =0.002〜0.02(%)
となる。
For example, when the gas pressure of the discharge gas introduced into the discharge space of the finished PDP is 500 Torr, if the degassing is performed at the vacuum degree as described above in the manufacturing process, the discharge gas in the discharge space Impureness is
(0.01-0.1 / 500) × 100 = 0.002-0.02 (%)
It becomes.
すなわち、完成品のPDPの放電空間内の放電ガスの純度を99.998〜99.98パーセントに保つことが出来るので、ブロック11Aa内の真空度を、従来の製造装置に要求されていた真空度よりも低い上記のような真空度に設定した場合でも、PDPの放電空間内の放電ガスの純度を十分に高純度に保つことが可能になる。 That is, since the purity of the discharge gas in the discharge space of the finished PDP can be maintained at 99.998 to 99.98%, the degree of vacuum in the block 11Aa is set to the degree of vacuum required for the conventional manufacturing apparatus. Even when the degree of vacuum is set lower than the above, the purity of the discharge gas in the discharge space of the PDP can be kept sufficiently high.
従って、排気装置11Bには、クライオ・ポンプやターボ分子ポンプのような高価で高い排気能力を有する排気装置を使用する必要がなく、例えば回転式ポンプや流体作動式ポンプのような低価格のロータリ・ポンプ等の使用が可能である。 Therefore, it is not necessary to use an expensive exhaust device having a high exhaust capability such as a cryo pump or a turbo molecular pump for the exhaust device 11B. For example, a low cost rotary such as a rotary pump or a fluid operated pump is used.・ Pumps can be used.
なお、上記真空度は、一般的なロータリ・ポンプの最大排気能力である0.001Torrまで真空度を高めても純度が高くなるので当然問題はなく、また、PDPが安定して放電出来る限界点である純度98パーセントに保つことが出来る真空度である10Torrまでであれば、チャンバ内の真空度については特に問題なく、PDPを製造することが出来る。 The degree of vacuum is not problematic because the purity is increased even if the degree of vacuum is increased to 0.001 Torr, which is the maximum exhaust capacity of a general rotary pump, and the limit point at which the PDP can discharge stably. As long as the degree of vacuum is 10 Torr, which can maintain a purity of 98%, the PDP can be manufactured without any particular problem with respect to the degree of vacuum in the chamber.
そして、上記のように、このベーキング工程S10Cでは従来のような高い真空度を要求されないので、ブロック11Aa内の真空度が設定された値まで到達する時間が短くて済み、従って、工程時間の大幅な短縮が可能となる。 As described above, the baking step S10C does not require a high degree of vacuum as in the prior art, so the time required for the degree of vacuum in the block 11Aa to reach the set value can be shortened. Can be shortened.
以上のようにして、このベーキング工程S10Cにおいて、前面ガラス基板P1がベーキング・ゾーン11Z2を通過する間、前面ガラス基板P1に形成された構造物のベーキングと、この構造物からベーキングによって発生する不純ガスの排出(脱ガス)が行われる。 As described above, in this baking step S10C, while the front glass substrate P1 passes through the baking zone 11Z2, the structure formed on the front glass substrate P1 is baked, and the impure gas generated by baking from this structure. Is discharged (degassed).
このベーキング工程S10Cの終了後、前面ガラス基板P1が次の放電ガス置換・冷却ゾーン11Z3内に搬送されてくると、この放電ガス置換・冷却ゾーン11Z3において置換・冷却工程S10Dが実施される。 When the front glass substrate P1 is transferred into the next discharge gas replacement / cooling zone 11Z3 after the baking step S10C is completed, the replacement / cooling step S10D is performed in the discharge gas replacement / cooling zone 11Z3.
すなわち、この放電ガス置換・冷却ゾーン11Z3では、排気装置11Bによってベーキング・ゾーン11Z2のブロック11Aaと同じ真空度にされたブロック11Aa内に、放電ガス導入装置11Cからキセノン(Xe)ガスとネオン(Ne)ガスなどが含まれた放電ガスが、上流側から下流側にゆくにしたがって高濃度になるように導入される。 That is, in this discharge gas replacement / cooling zone 11Z3, xenon (Xe) gas and neon (Ne) are supplied from the discharge gas introducing device 11C into the block 11Aa that is evacuated by the exhaust device 11B to the same degree as the block 11Aa of the baking zone 11Z2. ) A discharge gas containing gas or the like is introduced so as to increase in concentration from the upstream side to the downstream side.
そして、放電ガス置換・冷却ゾーン11Z3の最後のブロック11Aa内での放電ガスの圧力が、完成品のPDPの放電空間内における放電ガスの圧力、例えば、500Torr になるように設定されている。 The pressure of the discharge gas in the last block 11Aa of the discharge gas replacement / cooling zone 11Z3 is set to be the pressure of the discharge gas in the discharge space of the finished PDP, for example, 500 Torr.
この放電ガス置換・冷却ゾーン11Z3において各ブロック11Aa内に導入される放電ガスは、PDPの完成品に封入される放電ガスと同じその純度がほぼ100パーセントの放電ガスである。 The discharge gas introduced into each block 11Aa in the discharge gas replacement / cooling zone 11Z3 is a discharge gas having the same purity as that of the discharge gas sealed in the finished product of the PDP.
さらに、この放電ガス置換・冷却ゾーン11Z3の各ブロック11Aa内の温度は、上流側から下流側にゆくにしたがって、ベーキング・ゾーン11Z2での加熱温度から段階的に低くなるように、それぞれ設定されている。 Further, the temperature in each block 11Aa of the discharge gas replacement / cooling zone 11Z3 is set so as to gradually decrease from the heating temperature in the baking zone 11Z2 from the upstream side to the downstream side. Yes.
前面ガラス基板P1は、この放電ガス置換・冷却ゾーン11Z3の各ブロック11Aa内を順次搬送されてゆくことによって、前面ガラス基板P1の構造物に付着している不純ガスが徐々に放電ガス中の成分と置換されて、前面ガラス基板P1から不純ガスがさらに徹底して除去されるとともに、徐々に冷却されてゆく。 The front glass substrate P1 is sequentially conveyed through the respective blocks 11Aa of the discharge gas replacement / cooling zone 11Z3, so that the impure gas adhering to the structure of the front glass substrate P1 gradually becomes a component in the discharge gas. The impure gas is further thoroughly removed from the front glass substrate P1 and gradually cooled.
一方、前面ガラス基板製造工程S11の構造物形成工程S11Aにおいて列電極や列電極保護層,隔壁,蛍光体層等の構造物が形成された製造過程の背面ガラス基板P2が、製造装置10の背面ガラス基板製造ライン12に搬入されると、前面ガラス基板製造ライン11の場合と同様に、背面ガラス基板P2は、コンベアによってチャンバ12A内を上流のブロック12Aaから下流側のブロック12Aaに順次搬送される。
On the other hand, the rear glass substrate P2 in the manufacturing process in which structures such as column electrodes, column electrode protective layers, partition walls, and phosphor layers are formed in the structure forming step S11A of the front glass substrate manufacturing step S11 is the rear surface of the
この前面ガラス基板製造ライン12に搬入された背面ガラス基板P2に対して、前面ガラス基板製造ライン11の場合と同様に、加熱ゾーン12Z1において、昇温工程S11Bが実施され、この昇温工程S11Bの終了後、次のベーキング・ゾーン12Z2においてベーキング工程S11Cが実施され、このベーキング工程S11Cの終了後、放電ガス置換・冷却ゾーン12Z3において置換・冷却工程S11Dが実施される。
As in the case of the front glass
加熱ゾーン12Z1およびベーキング・ゾーン12Z2,放電ガス置換・冷却ゾーン12Z3の各ブロック12Aaにおける真空度および温度,放電ガス濃度等の態様は、前述した前面ガラス基板製造ライン11における場合と同様であり、昇温工程S11Bおよびベーキング工程S11C,置換・冷却工程S11Dにおけるそれぞれの背面ガラス基板P2に対する処理は、前述した前面ガラス基板P1に対する処理と同様である。
The aspects such as the degree of vacuum, temperature, discharge gas concentration, etc. in each block 12Aa of the heating zone 12Z1, baking zone 12Z2, and discharge gas replacement / cooling zone 12Z3 are the same as those in the front glass
ここで、ベーキング・ゾーン12Z2でのベーキング工程S11Cにおいて、ブロック12Aa内の加熱温度(ベーキング温度)は、背面ガラス基板P2を単板で処理することによって、従来の製造装置におけるべーキング温度(通常、450℃)よりも低い温度、例えば350〜400℃で十分である。 Here, in the baking step S11C in the baking zone 12Z2, the heating temperature (baking temperature) in the block 12Aa is obtained by treating the back glass substrate P2 with a single plate, so that the baking temperature in a conventional manufacturing apparatus (usually, A temperature lower than 450 ° C., for example 350-400 ° C. is sufficient.
このベーキング工程S11Cにおける加熱温度が、蛍光体塗布後の工程において最高温度となるために、背面ガラス基板P2の構造物の一つである蛍光体層を形成する蛍光材料の加熱による劣化が、従来の製造方法と比較して軽減される。 Since the heating temperature in this baking step S11C becomes the highest temperature in the step after applying the phosphor, deterioration due to heating of the fluorescent material forming the phosphor layer, which is one of the structures of the back glass substrate P2, has been conventionally caused. Compared with the manufacturing method of
以上のようにして、前面ガラス基板製造工程S10と背面ガラス基板製造工程S11において、それぞれ、ベーキングと脱ガス処理が行われた前面ガラス基板P1と背面ガラス基板P2は、基板封着部13のチャンバ13A内に搬入され、この後、チャンバ13A内において、封着材塗布工程S12と、基板重ね工程S13と、封着工程S14が順次行われてゆく。
As described above, the front glass substrate P1 and the rear glass substrate P2 that have been baked and degassed in the front glass substrate manufacturing step S10 and the rear glass substrate manufacturing step S11, respectively, are the chambers of the
すなわち、基板封着部13のチャンバ13A内は、排気装置13Dによって真空排気されて、前面ガラス基板製造ライン11のベーキング・ゾーン11Z2および背面ガラス基板製造ライン12のベーキング・ゾーン12Z2での真空度と同様の真空度が達成された後、放電ガス導入装置13Eによって、純度がほぼ100パーセントの完成品のPDPに封入される放電ガスと同じ放電ガスが導入されて、その放電ガスの圧力が、完成品のPDPの放電空間内における放電ガスの圧力と同じ値、例えば、500Torrになるように設定されている。
That is, the inside of the
このチャンバ13A内は加熱されおらず、その温度は、ほぼ常温に設定されている。
The inside of the
このような環境下のチャンバ13A内において、先ず封着材塗布工程S12が実施され、封着材塗布および基板重ね合わせ装置13Bによって、前面ガラス基板製造ライン11から搬入されてきた前面ガラス基板P1、または、背面ガラス基板製造ライン12から搬入されてきた背面ガラス基板P2の構造物が形成されている側の面の周縁部に、樹脂系封止材が塗布される。
In the
この樹脂系封止材としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル樹脂やシリコン樹脂系接着材,ポリイミド系接着材,シリコン変成オレフィン樹脂系接着材,エポキシ系接着材等が挙げられる。 Examples of the resin-based sealing material include an ultraviolet curable acrylic resin, a silicon resin-based adhesive, a polyimide-based adhesive, a silicon-modified olefin resin-based adhesive, and an epoxy-based adhesive.
この封着材塗布工程S12の後、基板重ね工程S13において、何れかの面に樹脂系封止材が塗布された前面ガラス基板P1と背面ガラス基板P2を、封着材塗布および基板重ね合わせ装置13Bによって、互いに構造物が形成されている側の面が対向されるとともに所定の位置に位置合わせされた状態で、重ね合わされる。 After this sealing material application step S12, in the substrate overlapping step S13, the front glass substrate P1 and the rear glass substrate P2 coated with a resin-based sealing material on either surface are applied to the sealing material application and substrate overlapping device. By 13B, the surfaces on which the structures are formed are opposed to each other and are superposed in a state of being aligned at a predetermined position.
次に、この基板重ね工程S13の後、封着工程S14において、互いに重ね合わされた前面ガラス基板P1と背面ガラス基板P2が、チャンバ13A内の封着装置13Cに移されて、何れかに塗布されている樹脂系封止材による前面ガラス基板P1と背面ガラス基板P2との封着が行われる。
Next, after the substrate stacking step S13, in the sealing step S14, the front glass substrate P1 and the back glass substrate P2 stacked on each other are transferred to the
すなわち、封着装置13Cによって、樹脂系封止材に対して、例えばこの樹脂系封止材が紫外線硬化型の樹脂である場合には紫外線が照射されることにより、また、樹脂系封止材が自然乾燥または加熱によって硬化する樹脂である場合には乾燥処理または加熱処理が行われることにより、重ね合わせによって前面ガラス基板P1と背面ガラス基板P2の間に挟まれて両者を接着している封止材が硬化して、この前面ガラス基板P1と背面ガラス基板P2の間に形成される放電空間Sが封止される。
That is, by the
以上のように、この封着材塗布工程S12および基板重ね工程S13,封着工程S14が、何れも、チャンバ13A内が真空排気された後に放電ガス圧力が完成品のPDPの放電空間S内と同じ500Torrに設定された環境下で行われることにより、封着工程S14の終了によってPDPが完成される。
As described above, the sealing material application step S12, the substrate stacking step S13, and the sealing step S14 all have a discharge gas pressure within the discharge space S of the finished PDP after the
そして、前面ガラス基板製造ライン11および背面ガラス基板製造ライン12における各工程において前面ガラス基板P1および背面ガラス基板P2からの脱ガス処理が完了しており、封着工程S14においては封着層P3から不純ガスが発生する虞が無いので、放電空間S内において行われる画像形成のための放電に悪影響が発生することは無い。
And in each process in the front glass
なお、基板封着部13において、一台の封着材塗布および基板重ね合わせ装置13Bに対して複数台(図示の例では二台)の封着装置13Cが設置されているのは、封着材塗布および基板重ね合わせ装置13Bに対して封着装置13Cの処理速度が遅いためであり、封着装置13Cを複数台設置することによって効率的にPDPの製造を行うようにできるが、一台の封着装置13Cを設置するようにしても良い。
In the
また、上記実施例においては、前面ガラス基板製造ライン11と背面ガラス基板製造ライン12,基板封着部13に、排気装置11B,12B,13Dと放電ガス導入装置11C,12C,13Eがそれぞれ別個に接続されているが、一台の排気装置によってそれぞれの真空排気を行い、また、一台の放電ガス導入装置によってそれぞれに放電ガスの導入を行うようにしても良い。
Moreover, in the said Example,
図6は、この発明による平面ディスプレイパネルの製造方法を実施するための製造装置の第2の実施例を概略的に示す平面図である。 FIG. 6 is a plan view schematically showing a second embodiment of the manufacturing apparatus for carrying out the flat display panel manufacturing method according to the present invention.
前述した第1実施例の製造装置10においては、前面ガラス基板製造ライン11が通過するチャンバ11Aと背面ガラス基板製造ライン12が通過するチャンバ12Aは、互いに別個に構成されていたのに対し、この図6の製造装置20は、前面ガラス基板製造ライン21と背面ガラス基板製造ライン22が、一列に並ぶ同じチャンバ23内を通過するように構成されており、前面ガラス基板と背面ガラス基板が、それぞれ前面ガラス基板製造ライン21と背面ガラス基板製造ライン22によって、同じチャンバ23内を並行して通過するようになっている。
In the
基板封止部13およびその他の部分の構成(図示せず)については、第1実施例の製造装置10とほぼ同様である。
About the structure (not shown) of the board | substrate sealing | blocking
図7は、この発明による平面ディスプレイパネルの製造方法を実施するための製造装置の第3の実施例を概略的に示す平面図である。 FIG. 7 is a plan view schematically showing a third embodiment of the manufacturing apparatus for carrying out the method for manufacturing a flat display panel according to the present invention.
前述した第1実施例の製造装置10においては、前面ガラス基板製造ライン11と背面ガラス基板製造ライン12が別個に構成されていたのに対し、この図7の製造装置30は、前面ガラス基板と背面ガラス基板を同じガラス基板製造ライン31によって搬送するようになっており、一列に並ぶチャンバ32内をこのガラス基板製造ライン31が通過するようになっている。
In the
基板封止部13およびその他の部分の構成(図示せず)については、第1実施例の製造装置10とほぼ同様である。
About the structure (not shown) of the board | substrate sealing | blocking
この製造装置30によれば、ガラス基板製造ライン31によって、例えば前面ガラス基板と背面ガラス基板が交互に搬送されて、このペアになっている前面ガラス基板と背面ガラス基板が基板封止部13において重ね合わされる。
According to this
10 …製造装置
11 …前面ガラス基板製造ライン
11A …チャンバ
11Aa …ブロック
11B …排気装置
11C …放電ガス導入装置
11Z1 …加熱ゾーン
11Z2 …ベーキング・ゾーン
11Z3 …放電ガス置換・冷却ゾーン
12 …背面ガラス基板製造ライン
12A …チャンバ
12Aa …ブロック
12B …排気装置
12C …放電ガス導入装置
12Z1 …加熱ゾーン
12Z2 …ベーキング・ゾーン
12Z3 …放電ガス置換・冷却ゾーン
13 …基板封着部
13A …チャンバ
13B …封着材塗布および基板重ね合わせ装置(封着材塗布部材,重ね合わせ部材)
13C …封着装置(封着部材)
13D …排気装置
13E …放電ガス導入装置
20 …製造装置
21 …前面ガラス基板製造ライン
22 …背面ガラス基板製造ライン
23 …チャンバ
30 …製造装置
31 …ガラス基板製造ライン
32 …チャンバ
P1 …前面ガラス基板(基板)
P2 …背面ガラス基板(基板)
P3 …封着層(封着部)
S …放電空間(空間)
DESCRIPTION OF
13C: Sealing device (sealing member)
DESCRIPTION OF
P2 ... Back glass substrate (substrate)
P3 ... Sealing layer (sealing part)
S: Discharge space (space)
Claims (29)
前記二枚の基板のうちの構造物が形成された一方の基板を真空状態が保持されるチャンバ内で搬送しこのチャンバ内の真空排気を行いながら加熱処理する第1加熱工程と、
前記二枚の基板のうちの構造物が形成された他方の基板を真空状態が保持されるチャンバ内で搬送しこのチャンバ内の真空排気を行いながら加熱処理する第2加熱工程と、
前記第1加熱工程が行われるチャンバおよび第2加熱工程が行われるチャンバの基板の搬送方向において下流側に設置されて真空排気が行われるチャンバ内で、第1加熱工程を経た一方の基板の他方の基板と対向する側の面の周縁部に封着部を形成するための封着材を塗布する封着材塗布工程と、
この封着材塗布工程を経た一方の基板に第2加熱工程を経た他方の基板を真空排気が行われるチャンバ内において重ね合わせる重ね工程と、
この重ね工程によって重ね合わされた二枚の基板の間の空間を封着材塗布工程において塗布された封着材によって真空排気が行われるチャンバ内において封止する封止工程と、
を有していることを特徴とする平面ディスプレイパネルの製造方法。 A flat display panel in which two substrates on which structures are formed are opposed to each other in parallel by opening a space, and this space is sealed by a sealing portion formed at a peripheral portion between the two substrates. A manufacturing method comprising:
A first heating step in which one of the two substrates on which the structure is formed is transported in a chamber in which a vacuum state is maintained and heat-treated while evacuating the chamber;
A second heating step in which the other substrate on which the structure of the two substrates is formed is transported in a chamber in which a vacuum state is maintained and heat-treated while evacuating the chamber;
The other of the one substrate that has undergone the first heating step in the chamber in which the first heating step is performed and the chamber in which the second heating step is performed are disposed downstream in the substrate transport direction and the vacuum is exhausted. A sealing material application step of applying a sealing material for forming a sealing portion on the peripheral edge of the surface facing the substrate;
An overlapping step of superimposing the other substrate that has undergone the second heating step on the one substrate that has undergone the sealing material application step in a chamber in which evacuation is performed;
A sealing step of sealing the space between the two substrates stacked in this stacking step in a chamber in which evacuation is performed by the sealing material applied in the sealing material coating step;
A method for producing a flat display panel, comprising:
前記第2加熱工程が行われるチャンバの上流側に設置されて内部を他方の基板が搬送されるチャンバ内において、このチャンバ内の真空度を基板の搬送方向に沿って高めてゆくとともに、チャンバ内における他方の基板に対する加熱温度を搬送方向に沿って第2加熱工程における加熱温度まで上昇させてゆく第2昇温工程と、
をさらに有している請求項1に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。 In a chamber installed upstream of the chamber where the first heating step is performed and in which one substrate is transported, the degree of vacuum in the chamber is increased along the transport direction of the substrate, A first temperature raising step in which the heating temperature for one of the substrates is increased to the heating temperature in the first heating step along the conveying direction;
In a chamber that is installed upstream of the chamber where the second heating step is performed and the other substrate is transported inside, the degree of vacuum in the chamber is increased along the transport direction of the substrate, A second temperature raising step for raising the heating temperature for the other substrate in the step to the heating temperature in the second heating step along the conveying direction;
The method for producing a flat display panel according to claim 1, further comprising:
前記第2加熱工程が行われるチャンバの下流側に設置されて真空排気が行われるとともに内部を他方の基板が搬送されるチャンバ内において、このチャンバ内を搬送される他方の基板の冷却を行う第2冷却工程と、
をさらに有している請求項1に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。 The first heating step is performed on the downstream side of the chamber in which the first heating step is performed to perform evacuation, and in the chamber in which one substrate is transported, the second substrate that is transported in the chamber is cooled. 1 cooling process;
The second heating step is performed on the downstream side of the chamber where the second heating step is performed, and evacuation is performed. In the chamber in which the other substrate is transported, the other substrate transported in the chamber is cooled. 2 cooling processes;
The method for producing a flat display panel according to claim 1, further comprising:
前記第2加熱工程が行われるチャンバの下流側に設置されて内部を他方の基板が搬送されるチャンバ内において、真空状態のチャンバ内に所要のガスを導入する第2ガス導入工程と、
をさらに有している請求項1に記載の平面ディスプレイパネルの製造方法。 A first gas introduction step for introducing a required gas into a vacuum chamber in a chamber installed on the downstream side of the chamber in which the first heating step is performed and in which one substrate is transported;
A second gas introduction step of introducing a required gas into the vacuum chamber in a chamber installed on the downstream side of the chamber in which the second heating step is performed and the other substrate is transported inside;
The method for producing a flat display panel according to claim 1, further comprising:
前記二枚の基板のうちの構造物が形成された一方の基板を搬送する第1搬送部材と、
前記二枚の基板のうちの構造物が形成された他方の基板を搬送する第2搬送部材と、
内部が真空状態に保持されるとともに前記第1搬送部材がこの内部を通って延びていてこの第1搬送部材によって搬送される一方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバと、
内部が真空状態に保持されるとともに前記第2搬送部材がこの内部を通って延びていてこの第2搬送部材によって搬送される他方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバと、
前記一方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバおよび他方の基板に対して加熱処理を行う加熱チャンバの第1搬送部材および第2搬送部材の搬送方向において下流側に設置されて真空排気が行われるとともに第1搬送部材および第2搬送部材によってそれぞれ基板が搬入されるチャンバと、
このチャンバ内に設置されて搬入されてきた一方の基板の他方の基板と対向する側の面の周縁部に封着部を形成するための封着材を塗布する封着材塗布部材と、
前記二枚の基板が搬入されるチャンバ内に設置されて封着材塗布部材によって封着材が塗布された一方の基板と他方の基板を重ね合わせる重ね合わせ部材と、
前記二枚の基板が搬入されるチャンバ内に設置されて重ね合わせ部材によって重ね合わされた二枚の基板の間の空間を封着材塗布部材において塗布された封着材によって封止する封着部材と、
を備えていることを特徴とする平面ディスプレイパネルの製造装置。 A flat display panel in which two substrates on which structures are formed are opposed to each other in parallel by opening a space, and this space is sealed by a sealing portion formed at a peripheral portion between the two substrates. Manufacturing equipment,
A first transport member that transports one of the two substrates on which the structure is formed;
A second transport member that transports the other substrate on which the structure of the two substrates is formed;
A heating chamber in which the inside is maintained in a vacuum state and the first transport member extends through the inside and performs heat treatment on one substrate transported by the first transport member;
A heating chamber in which the inside is maintained in a vacuum state and the second transport member extends through the inside and performs heat treatment on the other substrate transported by the second transport member;
The heating chamber that performs the heat treatment on the one substrate and the heating chamber that performs the heat treatment on the other substrate are installed on the downstream side in the transport direction of the first transport member and the second transport member to perform vacuum exhaust. And a chamber into which the substrate is loaded by the first transport member and the second transport member,
A sealing material application member that applies a sealing material to form a sealing portion on the peripheral edge of the surface of the one substrate that has been installed and carried into the chamber and that faces the other substrate;
An overlapping member that is installed in the chamber into which the two substrates are loaded and that superimposes one substrate on which the sealing material is applied by the sealing material application member and the other substrate;
A sealing member that is installed in a chamber into which the two substrates are carried and seals the space between the two substrates that are overlapped by the overlapping member by the sealing material applied on the sealing material applying member. When,
An apparatus for producing a flat display panel, comprising:
前記第2搬送部材の搬送方向において加熱チャンバの上流側に設置されて第2搬送部材が内部を通って延びていて、真空度が第2搬送部材の搬送方向に沿って高められるとともに第2搬送部材によって搬送される他方の基板に対する加熱温度が搬送方向に沿って加熱チャンバ内における加熱温度まで上昇してゆく昇温チャンバと、
をさらに備えている請求項15に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。 The first transport member is installed upstream of the heating chamber in the transport direction of the first transport member, the first transport member extends through the inside, and the degree of vacuum is increased along the transport direction of the first transport member. A temperature raising chamber in which the heating temperature for one substrate carried by the member rises to the heating temperature in the heating chamber along the carrying direction;
The second transport member is installed on the upstream side of the heating chamber in the transport direction of the second transport member, the second transport member extends through the inside, and the degree of vacuum is increased along the transport direction of the second transport member. A temperature raising chamber in which the heating temperature for the other substrate carried by the member rises to the heating temperature in the heating chamber along the carrying direction;
The flat panel display manufacturing apparatus according to claim 15, further comprising:
前記第2搬送部材の搬送方向において加熱チャンバの下流側に設置されて第2搬送部材が内部を通って延びていて真空排気が行われるとともに加熱チャンバ内から搬送されてきた他方の基板を冷却する冷却チャンバと、
をさらに備えている請求項15に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。 The first transport member is installed on the downstream side of the heating chamber in the transport direction of the first transport member, and the first transport member extends through the inside to be evacuated and cools one substrate transported from the heating chamber. A cooling chamber;
The second transport member is installed on the downstream side of the heating chamber in the transport direction of the second transport member, and the second transport member extends through the inside to be evacuated and cools the other substrate transported from the heating chamber. A cooling chamber;
The flat panel display manufacturing apparatus according to claim 15, further comprising:
前記第2搬送部材の搬送方向において加熱チャンバの下流側に設置されて第2搬送部材が内部を通って延びていて所要のガスが導入されるガスチャンバと、
をさらに備えている請求項15に記載の平面ディスプレイパネルの製造装置。 A gas chamber installed on the downstream side of the heating chamber in the conveying direction of the first conveying member, the first conveying member extending through the inside, and a required gas being introduced;
A gas chamber installed on the downstream side of the heating chamber in the conveying direction of the second conveying member, the second conveying member extending through the inside, and a required gas being introduced;
The flat panel display manufacturing apparatus according to claim 15, further comprising:
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