JP2005210607A - 分波回路及び高周波スイッチモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】アイソレーションが良好で挿入損失の改善された分波回路、及び高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】低周波側フィルタは共通端子に接続された伝送線路Ｌｆ１と、低周波側端子とグランド間に接続された伝送線路Ｌｆ２とコンデンサＣｆ１とからなる直列共振回路より構成され、高周波側フィルタは共通端子に接続されたコンデンサＣｆ２と、Ｃｆ２と高周波側端子との間に接続されたコンデンサＣｆ３と、Ｃｆ３とｆ２との接続点とグランドの間に接続された伝送線路Ｌｆ３と第４のコンデンサＣｆ４とからなる直列共振回路より構成され、分波回路を構成する。伝送線路Ｌｆ１〜Ｌｆ３およびコンデンサＣｆ１〜Ｃｆ４を電極パターンとして積層基板に内蔵し、伝送線路Ｌｆ１を構成する電極パターンと、コンデンサＣｆ２を構成する電極パターンとが、積層基板の積層方向に対して実質的に重畳しない様にする。
【選択図】図１

Description

本発明は、２つ以上の異なる周波数の信号を１つのアンテナを共用して送受信する為に用いる分波回路及び高周波スイッチモジュールに関する。特に、２つ以上の異なる周波数の送受信信号のアイソレーションを更に改良したものに関する。

携帯電話には種々の周波数帯を用いた方式があり、主に欧州で盛んなＥＧＳＭ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）方式及びＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍ）方式、米国で盛んなＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）方式、次世代携帯無線システムとしてＷ−ＣＤＭＡ（Ｗｉｄｅ−ｂａｎｄ ＣｏｄｅＤｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ）方式などがある。
ＥＧＳＭ方式は、送信周波数８８０〜９１５ＭＨｚ、受信周波数９２５〜９６０ＭＨｚで、ＤＣＳ方式は、送信周波数１７１０〜１７８５ＭＨｚ、受信周波数１８０５〜１８８０ＭＨｚで、ＰＣＳ方式は、送信周波数１８５０〜１９１０ＭＨｚ、受信周波数１９３０〜１９９０ＭＨｚ、Ｗ−ＣＤＭＡ方式は、送信周波数１９２０〜１９８０ＭＨｚ、受信周波数２１１０〜２１７０ＭＨｚである。

１台の携帯電話機で複数の周波数帯に共用したい場合、アンテナにて受信される複数の周波数帯の受信信号を分波するため及びアンテナから出力される複数の周波数帯の送信信号を合成するための分波回路、及び送受信経路を切り換えるためのスイッチを組み込んだ高周波スイッチモジュールが必須部品と成る。従来技術として、例えば、特許文献１記載のものがある。

特許文献１記載の発明は、図９に示すように、共通端子２と低周波側端子１間を接続したインダクタ３ａと、このインダクタ３ａと低周波側端子１との間に一端が接続され他端が接地されたインダクタ３ｂとコンデンサ３ｃの直列共振回路３ｄとからなるＬＰＦ回路３と、高周波側端子４と共通端子２間を接続したコンデンサ５ａと、このコンデンサ５ａと高周波側端子４との間に一端が接続され他端が接地されたインダクタ５ｂとコンデンサ５ｃの直列共振回路５ｄとからなるＨＰＦ回路５とを一体に組み合わせたものである。それにより、共通端子２から入力される、異なる周波数帯域の信号を高周波数側と低周波数側に分波するものである。

特開２００２−４３８８３号公報

本発明者は、特許文献１記載の発明において複数の周波数帯の信号におけるアイソレーション（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）に改善すべき課題のあることを知見した。
ここでアイソレーションとは、例えば低周波側端子から共通端子正しく伝送される信号と、低周波側端子から高周波側端子に漏れ出して流れる信号との比（ｄＢ表示）である。つまり、アイソレーションが高いと言うことは、低周波側端子と高周波側端子の間で不要に流れる信号が少ないことを意味し、低周波側のＥＧＳＭ回路と高周波側のＤＣＳ，ＰＣＳ，Ｗ−ＣＤＭＡ回路などとの干渉が少ないことを意味する。

信号の周波数が高くなる程、信号線路以外への干渉により、回路の性能劣化等が生じる。
特に、ＥＧＳＭにおける周波数帯域の２倍の周波数が、ＤＣＳやＰＣＳの周波数帯域と重複するか非常に近いため、分波回路における低周波側回路と高周波側回路のアイソレーションが悪いと、ＥＧＳＭの送信信号の２倍波高調波が高周波側回路側に漏れ込み、そのままアンテナ端子から出力されてしまい、低周波側回路の高調波減衰量が劣化するという問題が起こる。

また、分波回路における低周波側回路と高周波側回路のアイソレーションが悪いと、各周波数帯の信号が不要な経路に漏れ込み、挿入損失の劣化が生じるという問題が起こる。

そこで、本発明は、アイソレーションが良好で、低周波側回路の高調波減衰量および各経路の挿入損失の改善された分波回路、及びそれを組み込んだ高周波スイッチモジュールの提供を目的とする。

〔手段１〕
本発明の手段１は、低周波側フィルタと高周波側フィルタより構成され、共通端子（Ｐａ）、低周波側端子（Ｐｂ）、および高周波側端子（Ｐｃ）を有し、前記低周波側フィルタは前記共通端子（Ｐａ）に接続された第１の伝送線路（Ｌｆ１）と、前記低周波側端子（Ｐｂ）とグランドの間に接続された第２の伝送線路（Ｌｆ２）と第１のコンデンサ（Ｃｆ１）とからなる直列共振回路より構成され、前記高周波側フィルタは前記共通端子（Ｐａ）に接続された第２のコンデンサ（Ｃｆ２）と、該第２のコンデンサ（Ｃｆ２）と前記高周波側端子（Ｐｂ）との間に接続された第３のコンデンサ（Ｃｆ３）と、該第３のコンデンサ（Ｃｆ３）と前記第２のコンデンサ（Ｃｆ２）との接続点とグランドとの間に接続された第３の伝送線路（Ｌｆ３）と第４のコンデンサ（Ｃｆ４）とからなる直列共振回路より構成されて周波数の異なる信号を分波する分波回路（ＤＩＰ）であって、前記複数の伝送線路（Ｌｆ１〜Ｌｆ３）および前記複数のコンデンサ（Ｃｆ１〜Ｃｆ４）を電極パターンとして積層基板に内蔵し、前記第１の伝送線路（Ｌｆ１）を構成する電極パターンと、前記第２のコンデンサ（Ｃｆ２）を構成する電極パターンとが、前記積層基板の積層方向に対して実質的に重畳しないことを特徴とする分波回路（ＤＩＰ）である。

ここで「実質的に重畳しない」とは、要求されるアイソレーションの程度によっては多少の重畳は許容されるということである。なお、本発明は、例示したこの実施例に限定されるものではない。

〔手段２〕
本発明の手段２は、低周波側フィルタと高周波側フィルタより構成され、共通端子（Ｐａ）、低周波側端子（Ｐｂ）、および高周波側端子（Ｐｃ）を有し、前記低周波側フィルタは前記共通端子（Ｐａ）に接続された第１の伝送線路（Ｌｆ１）と、前記低周波側端子（Ｐｂ）とグランドの間に接続された第２の伝送線路（Ｌｆ２）と第１のコンデンサ（Ｃｆ１）とからなる直列共振回路より構成され、前記高周波側フィルタは前記共通端子（Ｐａ）に接続された第２のコンデンサ（Ｃｆ２）と、該第２のコンデンサ（Ｃｆ２）と前記高周波側端子（Ｐｂ）との間に接続された第３のコンデンサ（Ｃｆ３）と、該第３のコンデンサ（Ｃｆ３）と前記第２のコンデンサ（Ｃｆ２）との接続点とグランドとの間に接続された第３の伝送線路（Ｌｆ３）と第４のコンデンサ（Ｃｆ４）とからなる直列共振回路より構成されて周波数の異なる信号を分波する分波回路（ＤＩＰ）であって、前記複数の伝送線路（Ｌｆ１〜Ｌｆ３）および前記複数のコンデンサ（Ｃｆ１〜Ｃｆ４）を電極パターンとして積層基板に内蔵し、前記第１の伝送線路（Ｌｆ１）を構成する電極パターンと、前記第２のコンデンサ（Ｃｆ２）を構成する電極パターンとが、前記積層基板の積層方向に対して実質的に重畳せず、前記第１の伝送線路を構成する電極パターンが前記第２のコンデンサを構成する電極パターンより積層基板の上部に配置されていることを特徴とする分波回路（ＤＩＰ）である。

〔手段３〕
本発明の手段３は、手段１または２記載の分波回路（ＤＩＰ）と、送受信信号を切り換える為のスイッチ回路とを複合し、アンテナで送受信する２つ以上の異なった周波数の信号を分波、切り換えする高周波スイッチモジュール（ＡＳＭ）であって、前記分波回路（ＤＩＰ）を構成する伝送線路およびコンデンサ、及び前記スイッチ回路を構成する伝送線路およびコンデンサの一部を積層基板に内蔵し、前記スイッチ回路の一部を構成するスイッチ素子、インダクタ、コンデンサ、及び抵抗を積層基板上に搭載したことを特徴とする高周波スイッチモジュール（ＡＳＭ）である。

本発明によると、アイソレーションが良好で、低周波側回路の高調波減衰量および各経路の挿入損失の改善された分波回路、及びそれを組み込んだ高周波スイッチモジュールを提供できる。

本発明者は、特許文献１記載の発明（図９参照）における送受信信号のアイソレーションに改善の余地があることを見出した。
すなわち、図９において、誘電体シート６ｆ上にはコンデンサ５ａを形成する電極パターン１６が設けられ、誘電体シート６ｉ上には伝送線路３ａを形成する電極パターン２０が設けられている。そして、電極パターン１６と電極パターン２０とが、積層基板の積層方向に対して重畳して配置されていることが、アイソレーション低下の原因であることを知見した。

図１を用いて、本発明に係る分波回路の回路構成と動作を説明する。分波回路は、送信の際には高周波側送信回路あるいは低周波側送信回路の送信信号を結合し、受信の際には高周波側受信回路あるいは低周波側受信回路に受信信号を分配する機能を有する。

本発明に係る分波回路は、低周波側フィルタと高周波側フィルタとを一体に組み合わせたものである。
低周波側フィルタは、低周波側端子Ｐｂと共通端子Ｐａ間を接続した第１の伝送線路Ｌｆ１と、この第１の伝送線路Ｌｆ１と低周波側端子Ｐｂとの間に一端が接続され他端が接地された第２の伝送線路Ｌｆ２と第１のコンデンサＣｆ１の直列共振回路とからなるローパスフィルタにて構成される。
高周波側フィルタは、高周波側端子Ｐｃと共通端子Ｐａ間を直列接続したコンデンサＣｆ２，Ｃｆ３、コンデンサＣｆ２，Ｃｆ３との接続点の間に一端が接続され他端が接地された第3のインダクタＬｆ３と第4のコンデンサＣｆ４との直列共振回路とからなるハイパスフィルタにて構成される。

それにより、アンテナ端子ＡＮＴに接続された共通端子Ｐａから入力される、異なる周波数帯域の信号を高周波側と低周波側に分波するものである。
ここで、異なる周波数帯域の信号は２周波数（ダブルバンド）に限られるものではなく３周波数（トリプルバンド）以上のマルチバンドに適用できる。この場合、前記のハイパフフィルタとローパスフィルタの遮断周波数をずらしたものを３つ以上組み合わせれば良い。

図２は、図１に示した本発明に係る分波回路を積層基板で構成したものの、各層の電極パーン図である。誘電体シートＳ１〜Ｓ７の７層に各々、電極パターンを印刷などで形成する。伝送線路Ｌｆ１〜Ｌｆ３は、第１層の誘電体シートＳ１と第３層の誘電体シートＳ３とに分けて、中間の第２層の誘電体シートＳ２に形成したビアホール（ｖｉａ−ｈｏｌｅ）で線状の電極パターンを接続することにより、コンデンサＣｆ１〜Ｃｆ４は、第５層の誘電体シートＳ５から第７層の誘電体シートＳ７にかけて形成した面積を持った電極パターン間で形成される静電コンデンサによって構成される。各電極パターンの層間接続は黒点で示されたビアホールによって接続されて分波回路を構成している。

図３は、図２に示した本発明に係る分波回路を積層基板で構成したものの、第１層の誘電体シートＳ１と第５層の誘電体シートＳ５とを取り出して、伝送線路Ｌｆ１とコンデンサＣｆ２との積層基板の積層方向に対する重畳の度合いを示したものである。
図３（Ａ）は、本発明に係る分波回路で伝送線路Ｌｆ１とコンデンサＣｆ２との積層基板の積層方向に対して実質的に重畳しないように配置したものである。

ここで、「実質的に重畳しない」とは、全く重畳しないことに限定するものではなく要求されるアイソレーションの仕様と電極パターン設計の自由度との関係において、多少の重畳は許容できることを意味する。

なお、伝送線路Ｌｆ１を構成する電極パターンを、コンデンサＣｆ２を構成する電極パターンより積層基板の上部に配置することが、より好ましい。このように配置することにより、誘電体シートＳ７よりも下層に配置する図示しないＧＮＤパターンからの距離を大きくすることにより特性インピーダンスを大きくできる。その結果、伝送線路Ｌｆ１の線路長を短くできるので、コンデンサＣｆ２を構成する電極パターンとの重畳を回避できる実装設計の自由度が向上するためである。

これに対して、図３（Ｂ）は、比較例として、伝送線路Ｌｆ１とコンデンサＣｆ２とが重畳する場合である。

誘電体シートＳ７を一番下の層として、誘電体シートＳ１まで７層で構成する。誘電体シートは、誘電体材料でなるグリーンシート（未焼成の生シート）に銀ペーストなどで伝送線路やコンデンサの電極パターンを印刷して積層した後に共に焼成する低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）で構成する。層間の接続は、図示の黒丸で示すビアホール（ｖｉａ−ｈｏｌｅ）に導電性ペーストを充填することにより行う。

伝送線路Ｌｆ１〜Ｌｆ３は、誘電体シートＳ１と誘電体シートＳ３に線状パターンとして印刷形成され、誘電体シートＳ２に形成したビアホールで接続されている。
コンデンサＣｆ１〜Ｃｆ４は、誘電体シートＳ５から誘電体シートＳ７に面状パターンとして印刷形成され、伝送線路Ｌｆ１〜Ｌｆ３とはビアホールで接続されて積層基板を形成し、図１で示した本発明に係る分波回路ＤＩＰを構成する。

図４を用いて、本発明に係る高周波スイッチモジュールの回路構成と動作を説明する。
ここで例示した高周波スイッチモジュールは、３つの送受信系を切り換えるものである。
第１の送受信系がＥＧＳＭ（送信周波数８８０〜９１５ＭＨｚ、受信周波数９２５〜９６０ＭＨｚ）で、第２の送受信系がＤＣＳ（送信周波数１７１０〜１７８５ＭＨｚ、受信周波数１８０５〜１８８０ＭＨｚ）で、第３の送受信系がＰＣＳ（送信周波数１８５０〜１９１０ＭＨｚ、受信周波数１９３０〜１９９０ＭＨｚ）の場合を例にとって、以下詳細に説明する。

この高周波スイッチモジュールＡＳＭは、
（ａ）図１を用いて説明した分波回路ＤＩＰと、
（ｂ）低周波側フィルタの後段に配置され、制御端子ＶＣ３から供給される電圧により、第１の送受信系の送信端子Ｔｘ１（ＥＧＳＭ）と受信端子Ｒｘ１（ＥＧＳＭ）とを切り換える第１のスイッチ回路と、
（ｃ）高周波側フィルタの後段に配置され、制御端子ＶＣ１、ＶＣ２から供給される電圧により、第２及び第３の送受信系の送信端子Ｔｘ２（ＤＣＳ／ＰＣＳ）と第２の送受信系の受信端子Ｒｘ２（ＤＣＳ）と第３の送受信系の受信端子Ｒｘ３（ＰＣＳ）とを切り換える第２のスイッチ回路とを具備する。

送信端子Ｔｘ２（ＤＣＳ／ＰＣＳ）を共通化するため、図４に示すような等価回路で高周波スイッチモジュールを構成するのが好ましい。

〔回路構成の説明〕

（Ａ）分波回路ＤＩＰ
アンテナ端子ＡＮＴと接続されている低周波側フィルタ及び高周波側フィルタは、それぞれ伝送線路とコンデンサにより構成されている。ＥＧＳＭの送受信信号を通過させるとともにＤＣＳ及びＰＣＳの送受信信号を減衰させる低周波側フィルタとしてローパスフィルタを備え、ＤＣＳ及びＰＣＳの送受信信号を通過させるとともにＥＧＳＭの送受信信号を減衰させる高周波側フィルタとしてハイパスフィルタを備えている。
本発明においては、低周波側フィルタ及び高周波側フィルタのうち、接続点Ｐ１に直結する低周波側フィルタの伝送線路Ｌｆ１と高周波側フィルタのコンデンサＣｆ２との実装上の工夫、即ち各々の電極パターンを積層基板の積層方向に対して実質的に重畳しないように配置することにより、高周波側フィルタ回路と低周波側フィルタ回路間のアイソレーションの向上を果たした。
また、伝送線路Ｌｆ１を構成する電極パターンを、コンデンサＣｆ２を構成する電極パターンより積層基板の上部に配置することにより、高周波側フィルタ回路と低周波側フィルタ回路間のアイソレーションの更なる向上が果たせる。

伝送線路Ｌｆ１は、低周波側のＥＧＳＭ帯域の信号を低損失で通過させ、高周波側のＤＣＳ及びＰＣＳ帯域の信号に対して高インピーダンスとなるようにしてＤＣＳ及びＰＣＳ帯域の信号の回り込みを防止する。
伝送線路Ｌｆ２とコンデンサＣｆ１とは直列共振回路を構成し、ＤＣＳ及びＰＣＳ帯域に共振周波数を持つように設計して、ＤＣＳ及びＰＣＳ帯域の信号をグランドに落とし、回り込みを防止する。

コンデンサＣｆ２、Ｃｆ３は、高周波側のＤＣＳ、ＰＣＳ帯域の信号を低損失で通過させ、低周波側のＥＧＳＭ帯域の信号に対して高インピーダンスとなるようにしてＥＧＳＭ帯域の信号の回り込みを防止する。
伝送線路Ｌｆ３とコンデンサＣｆ４とは直列共振回路を構成し、ＥＧＳＭ帯域に共振周波数を持つように設計して、ＥＧＳＭ帯域の信号をグランドに落とし、回り込みを防止する。

ここで、伝送線路Ｌｆ１はＤＣＳ、ＰＣＳ帯域の信号の周波数にとって高インピーダンスになるようにある程度の長さに設定するのが好ましい。これによりＤＣＳ、ＰＣＳ帯域の信号がＥＧＳＭ系の経路へ伝送され難くなる。
逆に、コンデンサＣｆ２、Ｃｆ３はＥＧＳＭ系の信号の周波数にとって高インピーダンスになるように比較的小さい容量値に設定されるのが好ましい。これによりＥＧＳＭ系の信号がＤＣＳ、ＰＣＳ帯域系の経路へ伝送され難くなる。

（Ｂ）スイッチ回路
分波回路ＤＩＰの後段に配置されたＥＧＳＭの送信端子Ｔｘ１と受信端子Ｒｘ１とを切り換える第１のスイッチ回路、及びＤＣＳ及びＰＣＳの送信端子Ｔｘ２とＤＣＳの受信端子Ｒｘ２とＰＣＳの受信信号Ｒｘ３とを切り換える第２のスイッチ回路は、いずれもスイッチ素子と伝送線路を主要素子とする。

このスイッチ素子としては、ＰＩＮダイオードが好適である。他にＧａＡｓスイッチも使用できる。一般的にＰＩＮダイオードを使用したスイッチ回路はＧａＡｓスイッチと比較して低コストで回路を構築できるという利点があり、逆にＧａＡｓスイッチはＰＩＮダイオードを使用したスイッチ回路と比較すると低消費電力化が可能になるという利点があるので、これらの特徴を生かすように選択できる。

第１のスイッチ回路は、図４の上側にあるスイッチ回路であり、ＥＧＳＭの送信端子Ｔｘ１と受信端子Ｒｘ１とを切り換えるものである。第１のスイッチ回路は、２つのダイオードＤｇ１、Ｄｇ２及び２つの伝送線路Ｌｇ２、Ｌｇ３を主要素子とする。
ダイオードＤｇ１は、接続点Ｐ３と送信端子Ｔｘ１との間に配置され、そのアノードは接続点Ｐ３に接続され、カソードは伝送線路Ｌｇ１とコンデンサＣｇ２〜Ｃｇ４とにより構成されたπ型のローパスフィルタを介挿して接続点Ｐ４に接続され、接続点Ｐ４とグランドとの間には伝送線路Ｌｇ２が接続されている。

ここで、π型のローパスフィルタについて説明する。このフィルタは、ＥＧＳＭ側のパワーアンプ（図示しない）から入力される送信信号に含まれる高次の高調波歪みを抑制するため、ＥＧＳＭ送信信号を通過し、ＥＧＳＭ送信信号の２倍以上の周波数を十分に減衰するような特性を持つことが好ましい。

Ｌｇ１とＣｇ４は並列共振回路を構成し、その共振周波数はＥＧＳＭの送信周波数の２倍もしくは３倍の周波数に設定する。それにより、図示しないパワーアンプから入力されるＥＧＳＭ側の送信信号に含まれる高調波歪みを除去できる。

なお、コンデンサＣｇ１，Ｃｇ５、Ｃｇ６、およびＣｇ７は、直流分を除去してダイオードＤｇ１およびＤｇ２を含む回路に制御用の直流電圧を印加できるようにしたＤＣカットコンデンサである。

接続点Ｐ３と受信端子Ｒｘ１との間には伝送線路Ｌｇ３が接続され、受信端子Ｒｘ１側の伝送線路Ｌｇ３の一端（接続点Ｐ５）とグランドとの間にダイオードＤｇ２が接続され、ダイオードＤｇ２のアノードとグランドとの間にコンデンサＣｇ６が接続されている。ダイオードＤｇ２のアノードと制御端子ＶＣ３との間には抵抗Ｒｇが直列に接続されている。

伝送線路Ｌｇ２及び伝送線路Ｌｇ３は、いずれも共振周波数がＥＧＳＭの送信信号の周波数帯域内となるような線路長を有するのが好ましい。例えば、それぞれの共振周波数をＥＧＳＭの送信信号周波数のほぼ中間周波数（８９７．５ＭＨｚ）とすると、所望の周波数帯域内で優れた挿入損失特性を得ることができる。

第２のスイッチ回路は、図２の下側にあるスイッチ回路であり、ＤＣＳの受信端子Ｒｘ２と、ＰＣＳの受信端子Ｒｘ３と、ＤＣＳ及びＰＣＳの送信端子Ｔｘ２とを切り換える。
第２のスイッチ回路は、４つのダイオードＤｄ１，Ｄｄ２，Ｄｐ１、及びＤｐ２と、４つの伝送線路Ｌｄ５、Ｌｐ１、Ｌｄ４、及びＬｐ２とを主要素子とする。
ダイオードＤｄ１は、接続点Ｐ６と送信端子Ｔｘ２との間に配置され、そのアノードは接続点Ｐ６に接続され、そのカソードは、伝送線路Ｌｄ２、Ｌｄ３とコンデンサＣｄ２，Ｃｄ３とにより構成されたπ型のローパスフィルタを介挿して接続点Ｐ７に接続され、接続点Ｐ７とグランドとの間には伝送線路Ｌｄ４が接続されている。

ここで、π型のローパスフィルタについて説明する。このフィルタは、ＤＣＳおよびＰＣＳ側のパワーアンプ（図示しない）から入力される送信信号に含まれる高次高調波歪みを抑制するため、ＤＣＳあるいはＰＣＳ送信信号を通過し、ＤＣＳあるいはＰＣＳ送信信号の２倍以上の周波数を十分に減衰するような特性を持つことが好ましい。

ダイオードＤｄ１に並列接続されたインダクタＬｄ１とコンデンサＣｄ１の機能を説明する。
ダイオードＤｄ１のＯＦＦ時、ＤＣＳおよびＰＣＳの送信端子Ｔｘ２とアンテナ端子ＡＮＴ間、ＤＣＳおよびＰＣＳの送信端子Ｔｘ２とＤＣＳの受信端子Ｒｘ２間およびＤＣＳおよびＰＣＳの送信端子Ｔｘ２とＰＣＳの受信端子Ｒｘ３間のアイソレーション確保を目的として、インダクタＬｄ１とコンデンサＣｄ１の直列回路をダイオードＤｄ１に対して並列接続し、ＯＦＦ時のダイオードの容量成分を相殺している。

伝送線路Ｌｄ４及びＬｄ５は、それらの共振周波数がＤＣＳとＰＣＳの送受信系の、送信信号の周波数帯域の最大周波数から最小周波数までの範囲内に入るような線路長を有するのが好ましく、特に最大周波数と最小周波数の中間の周波数となるような線路長を有するのが好ましい。
例えば伝送線路Ｌｄ４及びＬｄ５の共振周波数を、ＤＣＳ帯域とＰＣＳ帯域の送信信号周波数のほぼ中間周波数（１８１０ＭＨｚ）とすると、それぞれのモードにおいて優れた電気的特性を得ることができ、２つの送信信号を１つの回路で扱うことができる。

ローパスフィルタを構成する伝送線路Ｌｄ３の線路長は、λ／８〜λ／１２（ただしλはＤＣＳ及びＰＣＳの送受信系における送信信号の中間周波数の波長）とするのが好ましい。ＤＣＳ帯域及びＰＣＳ帯域の送受信系における送信信号の中間周波数λは、ＤＣＳの送信信号１７１０〜１７８５ＭＨｚとＰＣＳの送信信号１８５０〜１９１０ＭＨｚとの中間の周波数（１８１０ＭＨｚ）となる。
中間周波数の波長λに対し、伝送線路Ｌｄ３の線路長がλ／８超であると、通過帯域特性が狭帯域となり、ＤＣＳの送信信号の下限周波数及びＰＣＳの送信信号近傍で所望の挿入損失特性が得られない。また伝送線路Ｌｄ３の線路長がλ／１２未満であると、２倍波、３倍波等の高周波数域における減衰量が劣化する。このように、いずれの場合も高周波スイッチモジュールとしての特性が劣化するため好ましくない。

なお、コンデンサＣｄ４は、直流分を除去してダイオードＤｄ１およびＤｄ２を含む回路に制御用の直流電圧を印加できるようにしたＤＣカットコンデンサであり、コンデンサＣｐ１、Ｃｐ４、およびＣｐ５は、ダイオードＤｐ１およびＤｐ２を含む回路に制御用の直流電圧を印加できるようにしたＤＣカットコンデンサである。

接続点Ｐ６と接続点Ｐ８との間には伝送線路Ｌｄ５が接続され、接続点Ｐ８とグランドの間にはダイオードＤｄ２とコンデンサＣｄ５が接続される。ダイオードＤｄ２のアノードには抵抗Ｒｄを介して制御端子Ｖｃ１が接続される。
制御端子Ｖｃ１〜Ｖｃ３には制御電圧が印加されてスイッチ回路の制御が行われる。その制御とアンテナスイッチモジュールの送信、受信の動作については、後述する［２］動作の説明で詳しく説明する。

接続点Ｐ８と接続点Ｐ９との間には２〜１０ｐＦの大きさのＤＣカットコンデンサＣｐ１が接続される。接続点Ｐ９と受信端子Ｒｘ２との間に伝送線路Ｌｐ１が接続される。伝送線路Ｌｐ１の一端、接続点Ｐ１０はグランドとの間にはダイオードＤｐ２とコンデンサＣｐ２を介してグランドに接続され、ダイオードＤｐ２とコンデンサＣｐ２の接続点は抵抗Ｒｐを経て制御端子Ｖｃ２に接続されている。

また、接続点Ｐ９と受信端子Ｒｘ３との間にはダイオードＤｐ１が接続される。ダイオードＤｐ１のカソードとグランドとの間には伝送線路Ｌｐ２とコンデンサＣｐ３の並列共振回路が接続され、ＰＣＳ受信信号のグランドへの信号の漏れ込みを防止している。

なお、受信端子Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３に接続されたＤＣカットコンデンサＣｇ７、Ｃｐ４、およびＣｐ５は、ＳＡＷフィルタを用いる場合には、ＳＡＷ自体が直流成分を除去することができるため、取り除いても良い。

［２］動作の説明
本発明の高周波スイッチモジュールＡＳＭは、制御端子に電圧を印加してダイオードスイッチをＯＮ状態／ＯＦＦ状態に制御することにより、ＥＧＳＭ、ＤＣＳ、及びＰＣＳの送受信系のいずれか一つを選択するようになっている。

図４に示す等価回路の高周波スイッチモジュールについて、その動作を説明する。

（ａ）ＥＧＳＭ 送信モード
ＥＧＳＭの送信端子Ｔｘ１（ＥＧＳＭ Ｔｘ）からアンテナ端子ＡＮＴに送信信号を送出する場合、制御端子Ｖｃ３をＨｉｇｈ（例えば２．６Ｖ）に、制御端子Ｖｃ１をＬｏｗ（例えばゼロ電圧），Ｖｃ２をＨｉｇｈあるいはＬｏｗとする。

ここで、制御端子に印加する制御電圧がＨｉｇｈとは、＋１〜＋５Ｖ，Ｌｏｗとは−０．５〜＋０．５Ｖが望ましい。以下同様である。

制御端子ＶＣ３から印加された正電圧は、Ｃｇ１、Ｃｇ５、Ｃｇ６、及びＣｇ７のコンデンサによりＤＣ（直流）分がカットされて、ダイオードＤｇ２及びＤｇ１を含む回路に印加される。その結果、ダイオードＤｇ２及びＤｇ１はＯＮ状態となる。ダイオードＤｇ１がＯＮ状態となることにより、ＥＧＳＭの送信端子Ｔｘ１と接続点Ｐ３の間のインピーダンスが低くなる。またＯＮ状態となったダイオードＤｇ２及びコンデンサＣｇ６により伝送線路Ｌｇ３は高周波的にグランド（接地）されて共振し、接続点Ｐ３からＥＧＳＭの受信端子Ｒｘ１を見たインピーダンスは非常に大きくなる。
従って、ＥＧＳＭの送信端子Ｔｘ１から送出される送信信号は、ＥＧＳＭの受信端子Ｒｘ１に漏洩することなく、アンテナ端子ＡＮＴに送出される。

ここで、伝送線路Ｌｇ２、Ｌｇ３はＥＧＳＭの送信周波数帯においてλ／４共振器となるように伝送線路の長さを設定する。

なお、伝送線路Ｌｇ２はＥＧＳＭの送信周波数においてグランドレベルがオープン（高インピーダンス状態）に見える程度のチョークコイルでも代用可能である。この場合インダクタンス値は１０〜１００ｎＨ程度が望ましい。

抵抗Ｒｇは制御端子Ｖｃ３がＨｉｇｈ状態でのダイオードＤｇ１、Ｄｇ２に流れる電流を決定する。

制御端子Ｖｃ３がＨｉｇｈの時、ＰＩＮダイオードＤｇ２には接続ワイヤなどの寄生インダクタンスが存在するため、これを打ち消すようにコンデンサＣｇ６と直列共振させる。コンデンサＣｇ６の容量値は適宜設定する。

（ｂ）ＤＣＳ／ＰＣＳ 送信モード
ＤＣＳ、ＰＣＳ共通の送信端子Ｔｘ２（ＤＣＳ／ＰＣＳ＿Ｔｘ）からアンテナ端子ＡＮＴにＤＣＳ、ＰＣＳいずれかの送信信号を送出する場合、制御端子Ｖｃ１をＨｉｇｈ、制御端子Ｖｃ２をＨｉｇｈあるいはＬｏｗ，制御端子Ｖｃ３をＬｏｗとする。
その結果、ダイオードＤｄ１およびＤｄ２はＯＮ状態となる。ダイオードＤｄ１がＯＮ状態となると、ＤＣＳおよびＰＣＳの送信端子Ｔｘ２と接続点Ｐ６との間のインピーダンスが低くなる。

またＯＮ状態となったダイオードＤｄ２及びコンデンサＣｄ５により伝送線路Ｌｄ５は高周波的に接地されて共振し、接続点Ｐ６からＤＣＳの受信端子Ｒｘ２およびＰＣＳの受信端子Ｒｘ３を見たインピーダンスは非常に大きくなる。
その結果、ＤＣＳおよびＰＣＳの送信端子Ｔｘ２から送出される送信信号は受信端子Ｒｘ２及び受信端子Ｒｘ３に漏洩することなく、アンテナ端子ＡＮＴに送出される。

（ｃ）ＥＧＳＭ 受信モード
ＥＧＳＭの受信端子Ｒｘ１（ＥＧＳＭ Ｒｘ）にアンテナ端子ＡＮＴからの信号を受信する場合、制御端子Ｖｃ１〜Ｖｃ３は全てＬｏｗとする。このことにより、ダイオードＤｇ１，Ｄｇ２をＯＦＦ状態とする。ダイオードＤｇ１がＯＦＦ状態となることにより、接続点Ｐ３とＥＧＳＭの送信端子Ｔｘ１との間のインピーダンスが大きくなり、伝送線路Ｌｇ３を介して接続点Ｐ３とＥＧＳＭの受信端子Ｒｘ１が接続される。
その結果、アンテナ端子ＡＮＴを経て分波回路ＤＩＰから入る受信信号は、送信端子Ｔｘ１に漏洩することなく受信端子Ｒｘ１に伝送される。

（ｄ）ＤＣＳ 受信モード
ＤＣＳの受信端子Ｒｘ２（ＤＣＳ Ｒｘ）にアンテナ端子ＡＮＴからの信号を受信する場合、制御端子Ｖｃ１〜Ｖｃ３は全てＬｏｗとする。
それにより、ダイオードＤｄ１、Ｄｄ２、Ｄｐ２及びＤｐ１はＯＦＦ状態となる。ダイオードＤｄ１がＯＦＦ状態となることにより、接続点Ｐ６とＤＣＳおよびＰＣＳの送信端子Ｔｘ２との間のインピーダンスが大きくなり、伝送線路Ｌｄ５を介して接続点Ｐ６と接続点Ｐ８が接続される。更に、ダイオードＤｐ１がＯＦＦ状態となることにより、接続点Ｐ９とＰＣＳの受信端子Ｒｘ３との間のインピーダンスが大きくなり、伝送線路Ｌｐ１を介して接続点９とＤＣＳの受信端子Ｒｘ２が接続される。
その結果、アンテナ端子ＡＮＴを経て分波回路ＤＩＰから入るＤＣＳの受信信号は、ＤＣＳおよびＰＣＳの送信端子Ｔｘ２及びＰＣＳの受信端子Ｒｘ３に漏洩することなく、ＤＣＳの受信端子Ｒｘ２に伝送される。

（ｅ）ＰＣＳ 受信モード
この場合、制御端子Ｖｃ２に正の電圧、例えば２．６Ｖを与え、制御端子Ｖｃ１、Ｖｃ３の電圧はゼロ電圧とする。
制御端子Ｖｃ２に印加された正の電圧は、Ｃｐ１、Ｃｐ２、Ｃｐ４、及びＣｄ５のコンデンサにより直流分がカットされて、ダイオードＤｐ１及びＤｐ２を含む回路に印加される。
その結果、ダイオードＤｐ２及びＤｐ１がＯＮ状態となり、ダイオードＤｄ１およびＤｄ２がＯＦＦ状態となる。ダイオードＤｄ１およびＤｄ２がＯＦＦ状態となることにより、伝送線路Ｌｄ５を介して接続点Ｐ６と接続点Ｐ８が接続される。またダイオードＤｐ１がＯＮ状態となることにより、ＰＣＳの受信回路Ｒｘ３と接続点Ｐ９の間のインピーダンスが低くなる。
またＯＮ状態となったダイオードＤｐ２及びコンデンサＣＰ２により伝送線路ＬＰ１は高周波的に接地されて、ＰＣＳの受信信号周波数帯域で共振し、接続点Ｐ９からＤＣＳの受信端子Ｒｘ２を見たインピーダンスはＰＣＳの受信信号帯域で非常に大きくなる。
その結果、アンテナ端子ＡＮＴを経て分波回路ＤＩＰから入るＰＣＳの受信信号は、ＤＣＳおよびＰＣＳの送信端子Ｔｘ２及びＤＣＳの受信端子Ｒｘ２に漏洩することなく、ＰＣＳの受信端子Ｒｘ３に伝送される。

図５を用いて、図１で示した本発明に係る分波回路ＤＩＰを組み込んだ高周波スイッチモジュールＡＳＭを積層基板で構成した場合を説明する。図４に示した等価回路に相当する。

本発明における分波回路ＤＩＰやスイッチ回路、フィルタを構成する伝送線路およびコンデンサの一部を誘電体積層基板に内蔵し、スイッチ回路の一部を構成するＰＩＮダイオードやＧａＡｓスイッチなどのスイッチ素子、および抵抗、コンデンサ、インダクタなどのチップ部品を誘電体積層基板上に搭載することにより、小型で安価なマルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品が得られる。

誘電体シートＳ１〜Ｓ１５は上から順番に積層されている。誘電体シートＳ１５が一番下の層となる。誘電体シートＳ１５の下に「裏面」と図示した面は、誘電体シートＳ１５の裏面である。
誘電体シートＳ１には、ダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタを搭載するためのランド電極およびメタルシールド（金属ケース）を搭載するためのランド電極が印刷されている。後者のランド電極は、誘電体シートＳ１の左右端に縦長に形成された電極パターンである。

異なる誘電体シートに形成された電極パターン同士を接続するビアホール電極は、図中黒丸で表示している。

積層基板の底面にはグランド端子Ｇ、アンテナ端子ＡＮＴ、ＥＧＳＭ送信端子Ｔｘ１、ＤＣＳ／ＰＣＳ共通の送信端子Ｔｘ２、ＤＣＳ受信端子Ｒｘ２、ＰＣＳ受信端子Ｒｘ２、ＥＧＳＭ受信端子Ｒｘ１、および制御端子Ｖｃ１〜Ｖｃ３が形成されている。各端子間にグランド端子Ｇを配置していることにより、各端子間の良好なアイソレーション特性が得られる。

誘電体シートＳ３〜Ｓ５、誘電体シートＳ１２〜Ｓ１４には主に伝送線路となる電極パターンが印刷されており、誘電体シートＳ７〜Ｓ９には主にコンデンサを形成するコンデンサ用の電極パターンが印刷されている。また、誘電体シートＳ８、Ｓ１０、Ｓ１５にはグランド電極ＧＮＤが印刷されている。

次に、図２の等価回路との対応を説明する。図５において、分波回路ＤＩＰは、誘電体シートＳ３，Ｓ５、Ｓ７〜Ｓ９に形成される。低周波側フィルタを形成する伝送線路Ｌｆ１，Ｌｆ２、コンデンサＣｆ１を形成する電極パターンは、誘電体シートＳ３、Ｓ５、Ｓ８に形成されてビアホールで層間が接続される。高周波側フィルタを形成する伝送線路Ｌｆ３、コンデンサＣｆ２〜Ｃｆ４を形成する電極パターンは、誘電体シートＳ３、Ｓ５、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９に形成されてビアホールで層間が接続される。

ＥＧＳＭ系のスイッチ回路とフィルタ回路の実装について説明する。スイッチ回路を形成する伝送線路Ｌｇ２，Ｌｇ３は誘電体シートＳ１２〜Ｓ１４に、コンデンサＣｇ６は誘電体シートＳ７とＳ９に形成する。スイッチ素子Ｄｇ１，Ｄｇ２、コンデンサＣｇ１，Ｃｇ５、及び抵抗Ｒｇは積層基板の上に搭載する。
フィルタ回路を形成する伝送線路Ｌｇ１は誘電体シートＳ３〜Ｓ５に、コンデンサＣｇ２〜Ｃｇ４は誘電体シートＳ７〜Ｓ９に形成する。

ＤＣＳおよびＰＣＳ系の送信回路について説明する。スイッチ回路を形成する伝送線路Ｌｄ４，Ｌｄ５は誘電体シートＳ１２〜Ｓ１４に、コンデンサＣｄ５は誘電体シートＳ７に形成する。スイッチ素子Ｄｄ１，Ｄｄ２、コンデンサＣｄ１，Ｃｄ４、及びインダクタＬｄ１とコンデンサＣｄ１の直列回路、及び抵抗Ｒｇは積層基板の上に搭載する。
フィルタ回路を形成する伝送線路Ｌｄ２，Ｌｄ３は誘電体シートＳ３〜Ｓ５に、コンデンサＣｄ２，Ｃｄ３は誘電体シートＳ８に形成する。

ＤＣＳ、ＰＣＳ系の受信回路について説明する。伝送線路Ｌｐ１、Ｌｐ２は誘電体シートＳ１２とＳ１３に形成する。コンデンサＣｐ２は誘電体シートＳ７に、コンデンサＣｐ３は誘電体シートＳ１１に形成する。スイッチ素子Ｄｐ１，Ｄｐ２、コンデンサＣｐ１、及び抵抗Ｒｐ，Ｒｄは、積層基板の上に搭載する。

以下、具体的な実施例を用いて本発明に係る分波回路（〔実施例１〕）と高周波スィッチモジュール（〔実施例２〕）について説明する。
なお、本発明の技術的思想は、具体的な実施例に限定されるものではない。

〔実施例１〕
図１に等価回路を示し図２と図３（Ａ）に積層基板の構造を示した、本発明に係る分波回路ＤＩＰについて、比較例（図３（Ｂ））を用いて説明する。
本発明の特徴は、分波回路を構成する伝送線路Ｌｆ１の電極パターンとコンデンサＣｆ２の電極パターンとが、積層基板の積層方向に対して実質的に重畳しない点にある。この実施例では、更に伝送線路Ｌｆ１を構成する電極パターンを、コンデンサＣｆ２を構成する電極パターンより積層基板の上部に配置した。

ここで、比較例は、図２において伝送線路Ｌｆ１の電極パターンとコンデンサＣｆ２の電極パターンとが、積層基板の積層方向に対して重畳するようにコンデンサＣｆ２の電極パターンを図２で右方向にずらしたものである。

誘電体シートは９５０℃以下の低温焼成が可能なセラミック誘電材料を用い、伝送線路、コンデンサを形成しやすいように、シート厚みが４０〜２００μｍのものを使用した。この誘電体シートＳ１〜Ｓ７を積層し、側面電極を印刷した後、９５０℃で焼成することにより、分波回路ＤＩＰの積層基板を得た。

〔実施例１〕におけるアイソレーションの測定方法について説明する。この実施例では、低周波側端子Ｐｂと高周波側端子Ｐｃとの間のアイソレーションを測定するために、高周波側の中心周波数１８００ＭＨｚの信号を低周波側端子Ｐｂに入力し、高周波側端子Ｐｃに出てくる信号をネットワークアナライザ（またはスペクトラムアナライザ）を用いて測定し、両者の電力の比をｄＢ表示で算出した。

〔実施例１〕におけるアイソレーションの測定結果について説明する。本発明に係る分波回路ＤＩＰのアイソレーションは３５ｄＢに対して、比較例の分波回路では３０ｄＢと、本発明に係る分波回路ＤＩＰのアイソレーションは５ｄＢも向上した。

〔実施例２〕
図４に等価回路を示し図５に積層基板の構造を示した、本発明に係る高周波スイッチモジュールＡＳＭについて、比較例（図６）を用いて説明する。なお、本発明は、例示したこの実施例に限定されるものではない。
〔実施例１〕と同様、誘電体シートは低温焼成が可能なセラミック誘電材料を用い、シート厚みが４０〜２００μｍのものを使用した。

ここで、比較例は、図６に示す積層構造のものである。本発明の場合、伝送線路Ｌｆ１を構成する電極パターンと、コンデンサＣｆ２を構成する電極パターンとが、積層基板の積層方向に対して実質的に重畳しないように配置する必要があるため、比較例の場合に比べて誘電体シートが１層多い。しかし、シート厚みは４０〜２００μｍと極めて薄いため、１層多いことは何の支障にもならない。

なお、積層基板上にダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタなどを実装した。

〔実施例２〕における減衰量と挿入損失の測定方法について説明する。この場合、周波数５００〜６０００ＭＨｚの信号をＥＧＳＭ系の送信端子Ｔｘ１に入力し、ＥＧＳＭの送信モードにして、アンテナ端子ＡＮＴに出てくる信号をネットワークアナライザ（またはスペクトラムアナライザ）を用いて測定し、周波数特性を求めた。

〔実施例２〕における減衰量と挿入損失の測定結果について、図７と図８を用いて説明する。図７（Ａ）は本発明に係る高周波スイッチモジュールＡＳＭの減衰量の周波数特性を、図７（Ｂ）は比較例における減衰量の周波数特性を示す。１８００ＭＨｚにおいて、本発明に係る高周波スイッチモジュールＡＳＭでは、分波器部分のアイソレーション特性が向上したことにより、減衰量として１３ｄＢ以上も改善されたことが分かる。
図８（Ａ）は本発明に係る高周波スイッチモジュールＡＳＭの挿入損失の周波数特性を、図８（Ｂ）は比較例の場合の周波数特性を示す。本発明に係る高周波スイッチモジュールＡＳＭの挿入損失は、広い周波数帯域に亙って０．１ｄＢ以上も改善されたことが分かる。

以上、分波回路ＤＩＰの共通端子に直結した伝送線路Ｌｆ１とコンデンサＣｆ２とを、積層基板の積層方向に対して実質的に重畳しない例について説明したが、本発明の技術的思想は、それに限定されず展開可能である。すなわち、分波回路ＤＩＰの低周波側フィルタに伝送線路Ｌｆ１を、高周波側にコンデンサＣｆ２を接続したものに限定されず、例えば、伝送線路Ｌｆ１にコンデンサを並列接続したものなどにも適用できる。
要するに、低周波側フィルタと高周波側フィルタの構成部品で共通端子に直結したものの電極パターンが積層基板の積層方向に対して実質的に重畳しなければよい。

本発明に係る高周波スイッチモジュールＡＳＭの信頼性を向上するために、静電気サージ（ＥＳＤ）対策を施すこともできる。例えば、図２に示す分波回路ＤＩＰの低周波側フィルタの出口、すなわち接続点Ｐ２とグランドとの間にインダクタを接続することが出来る。
更に、本出願人による特開２００１−３５２２７１号公報、特開２００３−１５２５８８号公報、特開２００３−１３３９８９号公報、特開２００３−２７３６８７号公報記載の発明を、本発明に取り込むことも出来る。

本発明によると、２つ以上の異なる周波数の信号を１つのアンテナを共用して送受信する為に用いる分波回路及び高周波スイッチモジュールにおいて、異なる周波数の送受信信号のアイソレーションを更に改良できるため、携帯電話などの携帯端末の高性能化に大きく寄与する。

本発明に係る分波回路の一実施例を示す図である。 本発明に係る分波回路を積層基板で構成した場合の各層の電極パターンを示す図である。 分波回路の積層基板の主要層における電極パターンを示す図であり、図３（Ａ）は本発明に係る分波回路の積層基板、図３（Ｂ）は比較例における分波回路を構成する積層基板の主要層の電極パターンを示す図である。 本発明に係る高周波スイッチモジュールの一実施例を示す図である。 本発明に係る高周波スイッチモジュールにおける積層基板の各層の電極パターンを示す図である。 比較例における高周波スイッチモジュールを構成する積層基板の各層の電極パターンを示す図である。 減衰量の周波数特性を示す図であり、図７（Ａ）は本発明に係る高周波スイッチモジュールの周波数特性を示す図、図７（Ｂ）は比較例の場合の周波数特性を示す図である。 挿入損失の周波数特性を示す図であり、図８（Ａ）は本発明に係る高周波スイッチモジュールの周波数特性を示す図、図８（Ｂ）は比較例の場合の周波数特性を示す図である。 従来の分波回路の等価回路図である。

符号の説明

ＡＮＴ アンテナ端子
ＡＳＭ 高周波スイッチモジュール
Ｃｄ１〜Ｃｄ５ コンデンサ
Ｃｆ１〜Ｃｆ４ コンデンサ
Ｃｇ１〜Ｃｇ７ コンデンサ
Ｃｐ１〜Ｃｐ５ コンデンサ
Ｄｄ１、Ｄｄ２ ダイオード
Ｄｇ１，Ｄｇ２ ダイオード
ＤＩＰ 分波回路
Ｄｐ１，Ｄｐ２ ダイオード
Ｌｄ１ インダクタ
Ｌｄ２〜Ｌｄ５ 伝送線路
Ｌｆ１〜Ｌｆ３ 伝送線路
Ｌｇ１〜Ｌｇ３ 伝送線路
Ｌｐ１，Ｌｐ２ 伝送線路
Ｐ１〜Ｐ１０ 接続点
Ｐａ 共通端子
Ｐｂ 低周波側端子
Ｐｃ 高周波側端子
Ｒｇ，Ｒｐ，Ｒｄ 抵抗
Ｒｘ，Ｒｘ１〜Ｒｘ３ 受信端子
Ｓ１〜Ｓ１５ 誘電体シート
Ｔｘ、Ｔｘ１〜Ｔｘ３ 送信端子
Ｖｃ１〜Ｖｃ３ 制御端子

Claims (3)

1. 低周波側フィルタと高周波側フィルタより構成され、
   共通端子、低周波側端子、および高周波側端子を有し、
   前記低周波側フィルタは前記共通端子に接続された第１の伝送線路と、前記低周波側端子とグランドの間に接続された第２の伝送線路と第１のコンデンサとからなる直列共振回路より構成され、
   前記高周波側フィルタは前記共通端子に接続された第２のコンデンサと、該第２のコンデンサと前記高周波側端子との間に接続された第３のコンデンサと、該第３のコンデンサと前記第２のコンデンサとの接続点とグランドとの間に接続された第３の伝送線路と第４のコンデンサとからなる直列共振回路より構成されて周波数の異なる信号を分波する分波回路であって、
   前記複数の伝送線路および前記複数のコンデンサを電極パターンとして積層基板に内蔵し、
   前記第１の伝送線路を構成する電極パターンと、前記第２のコンデンサを構成する電極パターンとが、前記積層基板の積層方向に対して実質的に重畳しないことを特徴とする分波回路。
2. 低周波側フィルタと高周波側フィルタより構成され、
   共通端子、低周波側端子、および高周波側端子を有し、
   前記低周波側フィルタは前記共通端子に接続された第１の伝送線路と、前記低周波側端子とグランドの間に接続された第２の伝送線路と第１のコンデンサとからなる直列共振回路より構成され、
   前記高周波側フィルタは前記共通端子に接続された第２のコンデンサと、該第２のコンデンサと前記高周波側端子との間に接続された第３のコンデンサと、該第３のコンデンサと前記第２のコンデンサとの接続点とグランドとの間に接続された第３の伝送線路と第４のコンデンサとからなる直列共振回路より構成されて周波数の異なる信号を分波する分波回路であって、
   前記複数の伝送線路および前記複数のコンデンサを電極パターンとして積層基板に内蔵し、
   前記第１の伝送線路を構成する電極パターンと、前記第２のコンデンサを構成する電極パターンとが、前記積層基板の積層方向に対して実質的に重畳せず、前記第１の伝送線路を構成する電極パターンが前記第２のコンデンサを構成する電極パターンより積層基板の上部に配置されていることを特徴とする分波回路。
3. 請求項１または２記載の分波回路と、送受信信号を切り換える為のスイッチ回路とを複合し、アンテナで送受信する２つ以上の異なった周波数の信号を分波、切り換えする高周波スイッチモジュールであって、
   前記分波回路を構成する伝送線路およびコンデンサ、及び前記スイッチ回路を構成する伝送線路およびコンデンサの一部を積層基板に内蔵し、
   前記スイッチ回路の一部を構成するスイッチ素子、インダクタ、コンデンサ、及び抵抗を積層基板上に搭載したことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
   

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