JP2005259931A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板への処理動作の途中で処理動作が異常終了した場合に、簡便に復旧作業を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 複数の基板を一枚ずつ処理する複数の処理室と、前記複数の処理室に連接し、前記処理室で処理される基板を搬送するための搬送室と、前記処理室における基板の処理手順を定義するシーケンスレシピを記憶する第１の記憶領域と、前記記憶されたシーケンスレシピに基づいて前記処理室における基板の処理を制御する制御部とを有する基板処理装置において、前記処理室内の温度および圧力を所定の状態にする処理を定義するポストレシピを前記シーケンスレシピに対応付けて記憶する第２の記憶領域と、前記シーケンスレシピに基づく処理を実行中に該処理が中断した場合に、該処理が中断したシーケンスレシピに対応付けて記憶されているポストレシピを実行させるためのポストレシピ実行部とを有する。
【選択図】 図５

Description

本発明は、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置に関するものである。

基板を一枚ずつ処理する枚葉式基板処理装置においては、被処理基板をカセットから取り出し、処理室（ＰＭ：Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｍｏｄｕｌｅ）まで搬送し、そこで成膜処理を施し、その後に基板冷却を経てカセットに戻す。

このような処理を複数の基板単位（ロット）に行うのであるが、ＰＭ内での基板に対する圧力や温度などは、プロセスレシピとして定義されている。また、複数の基板に対する一連の動作をシーケンスレシピとして、搬送経路やプロセスレシピ等を定義する。

さらには、一連の基板処理が終了した後に、ＰＭを定常（ＩＤＬＥ）状態として、温度や圧力を安定した状態に保つことが必要であり、この動作はポストレシピとして定義されている。ここでのＩＤＬＥ状態とは、ＰＭ内の温度、圧力、ガス雰囲気およびウェーハ台などの各種状態が、問題なく次のプロセス処理を行うことができる状態（例えば、温度＝プロセス温度近傍、圧力＝高真空状態、ガス雰囲気＝Ｎ２パージ状態、ウェーハ台（エレベータ位置）＝プロセス位置）を意味する。

ポストレシピは、基板処理時の温度・圧力に適したものが必要で、ＰＭ毎に複数必要となる場合がある。このとき、ポストレシピの指定は、ＰＭ毎に一意ではなくなるため、各シーケンスレシピに対応づけられている。

このような枚葉式基板処理装置では、全ての基板処理が正常に終了することが理想であるが、装置部品の劣化等、種々の原因により、運転中に動作が停止してしまうことがある。

運転が停止した場合、滞留している基板を回収するのはもちろんだが、基板処理装置を使った工場では、高効率生産を求められており、異常状態から装置を迅速に復旧させることが要求されており、基板回収後のＰＭを早急にＩＤＬＥ状態に復帰させることも重要である。

しかし、ＰＭを異常状態からＩＤＬＥ状態に復帰させる作業が温度・圧力等の多くのパラメータの調整を要し、その装置を理解している人間でなければ、困難である。

また、正常に終了したものであればポストレシピとして定義されていたものを自動実行すればよいが、枚葉装置の場合、複数のＰＭに対して、異常発生時にどのポストレシピを使って復旧させるのが適当か、即座に判断しかねる場合もあった。

本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、基板への処理動作の途中で処理動作が異常終了した場合に、簡便に復旧作業を行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、複数枚の基板を一枚ずつ処理する複数の処理室と、前記複数の処理室に連接し、前記処理室で処理される基板を搬送するための搬送室と、前記処理室における基板の処理手順を定義するシーケンスレシピを記憶する第１の記憶領域と、前記記憶されたシーケンスレシピに基づいて前記処理室における基板の処理を制御する制御部とを有する基板処理装置において、前記処理室内の温度および圧力を所定の状態にする処理を定義するポストレシピを前記シーケンスレシピに対応付けて記憶する第２の記憶領域と、前記シーケンスレシピに基づく処理を実行中に該処理が中断した場合に、該処理が中断したシーケンスレシピに対応付けて記憶されているポストレシピを実行させるためのポストレシピ実行部とを有することを特徴とするものである。

このような構成とすることにより、シーケンスレシピに基づく処理が中断した場合でも、その中断した状態から処理室内の温度および圧力を所定の状態に復帰させるのに温度・圧力等の多くのパラメータの調整についての知識をもたずとも、ポストレシピ実行部により容易に復帰させることができる。

すなわち、基板への処理動作の途中で処理動作が異常終了した場合に、簡便に復旧作業を行うことができる基板処理装置を提供することができる。

以上に詳述したように本発明によれば、基板への処理動作の途中で処理動作が異常終了した場合に、簡便に復旧作業を行うことができる基板処理装置を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。

本実施の形態による基板処理装置は、基板を一枚ずつ処理する複数の真空処理室を有する基板処理装置において、何らかの異常が発生した際に、その復旧操作を単純かつ安全に行うための保守機能に関するものである。

まず、本実施の形態による基板処理装置の構成について説明する。

図１および図２は、本実施の形態による基板処理装置の構成を説明するための図である。

本実施の形態による基板処理装置においては、ウェーハなどの基板を搬送するキャリアとしては、ＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ 。以下、ポッドという。）が採用されている。また、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。

図１および図２に示されているように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室（ＴＭ：Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）１０３を備えており、第一の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１０３には負圧下でウェーハ２００を移載する第一のウェーハ移載機１１２が設置されている。前記第一のウェーハ移載機１１２は、エレベータ１１５によって、第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。

筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室１２２と搬出用の予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４，１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造（ＬＭ：Ｌｏａｄｌｏｃｋ Ｍｏｄｕｌｅ）に構成されている。さらに、予備室１２２には搬入室用の基板置き台１４０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板置き台１４１が設置されている。

予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１にはウェーハ２００を移載する第二のウェーハ移載機１２４が設置されている。第二のウェーハ移載機１２４は第二の搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。

図１に示されているように、第二の搬送室１２１の左側にはオリフラ合わせ装置１０６が設置されている。また、図２に示されているように、第二の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。

図１および図２に示されているように、第二の搬送室１２１の筐体１２５には、ウェーハ２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するためのウェーハ搬入搬出口１３４と、前記ウェーハ搬入搬出口を閉塞する蓋１４２と、ポッドオープナ１０８がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１０８は、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウェーハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２を開閉するキャップ開閉機構１３６とを備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウェーハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２をキャップ開閉機構１３６によって開閉することにより、ポッド１００のウェーハ出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、前記ＩＯステージ１０５に、供給および排出されるようになっている。

図１に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち背面側に位置する二枚の側壁には、ウェーハに所望の処理を行う第一の処理炉（処理室）２０２と、第二の処理炉（処理室）１３７とがそれぞれ隣接して連結されている。第一の処理炉２０２および第二の処理炉１３７はいずれもコールドウオール式の処理炉によってそれぞれ構成されている。また、筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第三の処理炉としての第一のクーリングユニット１３８と、第四の処理炉としての第二のクーリングユニット１３９とがそれぞれ連結されており、第一のクーリングユニット１３８および第二のクーリングユニット１３９はいずれも処理済みのウェーハ２００を冷却するように構成されている。また、実施の形態による基板処理装置は、不図示のポストレシピ実行部、不図示の第１の記憶領域（ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤなど）、不図示の第２の記憶領域（ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤなど）および不図示の制御部（ＣＰＵなど）を備えている。

以下、上述のような構成の基板処理装置を使用した処理工程を説明する。

未処理のウェーハ２００は２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１および図２に示されているように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ及びウェーハ搬入搬出口１３４を開閉する蓋１４２がキャップ開閉機構１３６によって取り外され、ポッド１００のウェーハ出し入れ口が開放される。

ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第二の搬送室１２１に設置された第二のウェーハ移載機１２４はポッド１００からウェーハ２００をピックアップし、予備室１２２に搬入し、ウェーハ２００を基板置き台１４０に移載する。この移載作業中には、第一の搬送室１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、第一の搬送室１０３の負圧は維持されている。ウェーハ２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。

予備室１２２が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２４４、１３０が開かれ、予備室１２２、第一の搬送室１０３、第一の処理炉２０２が連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一のウェーハ移載機１１２は基板置き台１４０からウェーハ２００をピックアップして第一の処理炉２０２に搬入する。そして、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理がウェーハ２００に行われる。

第一の処理炉２０２で前記処理が完了すると、処理済みのウェーハ２００は第一の搬送室１０３の第一のウェーハ移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。

そして、第一のウェーハ移載機１１２は第一の処理炉２０２から搬出したウェーハ２００を第一のクーリングユニット１３８へ搬入し、処理済みのウェーハを冷却する。

第一のクーリングユニット１３８にウエハ２００を移載すると、第一のウエハ移載機１１２は予備室１２２の基板置き台１４０に予め準備されたウエハ２００を第一の処理炉２０２に前述した作動によって移載し、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理がウエハ２００に行われる。

第一のクーリングユニット１３８において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウェーハ２００は第一のウェーハ移載機１１２によって第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出される。

冷却済みのウェーハ２００が第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出されたのち、ゲートバルブ１２７が開かれる。そして、第１のウェーハ移載機１１２は第一のクーリングユニット１３８から搬出したウェーハ２００を予備室１２３へ搬送し、基板置き台１４１に移載した後、予備室１２３はゲートバルブ１２７によって閉じられる。

予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、前記排出用予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。前記予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、第二の搬送室１２１の予備室１２３に対応したウェーハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２と、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップがポッドオープナ１０８によって開かれる。続いて、第二の搬送室１２１の第二のウェーハ移載機１２４は基板置き台１４１からウェーハ２００をピックアップして第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１のウェーハ搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。処理済みの２５枚のウェーハ２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップとウェーハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２がポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。

以上の作動が繰り返されることにより、ウェーハが、順次、処理されて行く。以上の作動は第一の処理炉２０２および第一のクーリングユニット１３８が使用される場合を例にして説明したが、第二の処理炉１３７および第二のクーリングユニット１３９が使用される場合についても同様の作動が実施される。

なお、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。また、第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７で別の処理を行う場合、例えば第一の処理炉２０２でウェーハ２００にある処理を行った後、続けて第二の処理炉１３７で別の処理を行わせてもよい。また、第一の処理炉２０２でウェーハ２００にある処理を行った後、第二の処理炉１３７で別の処理を行わせる場合、第一のクーリングユニット１３８（又は第二のクーリングユニット１３９）を経由するようにしてもよい。又、第三の処理炉として、クーリングユニット１３８が接続されているが、ここにも、第一の処理炉、第二の処理炉と同様に処理室を接続し、処理を行うことができる。この場合、第一、第二、第三の処理炉は、それぞれ同じ処理でも別々の処理でも構わない。

本実施の形態による基板処理装置では、複数のプロセスレシピから構成される（処理室における基板の処理手順を定義する）シーケンスレシピを各基板に対応付けて不図示の第１の記憶領域に格納し、この格納されたシーケンスレシピに基づいたこれら各基板への処理が不図示の制御部によって制御されている。

図３は、本実施の形態による基板処理装置において使用するシーケンスレシピを構成するデータ項目の一例を示す図である。

同図において、Ｐｒｅ１は、ＴＭおよびＬＭを備えてなるＭＦ（Ｍａｉｎ Ｆｒａｍｅ）における排気状態とプロセスレシピについて定義している。ＭＦにおける排気状態とは、ＭＦとしての圧力状態の指定に関するものである（ここでは、ＴＭ：ＥＶＡＣ、ＬＭ：ＬＥＡＫ（大気圧）としている。）。また、ここでのプロセスレシピとは、ＰＭ毎に指定され、シーケンスレシピに定義される処理の開始時に、指定されたＰＭに対して一括で実行され、ウェーハの無い状態でのプロセス実行に関するものであり、プロセス温度への昇温・圧力指定の定義を目的とするものである。

Ｐｒｅ２はプロセスレシピについて定義している。ここでのプロセスレシピとは、ＰＭ毎に指定され、ＰＭ毎にＭａｉｎ（後述）のプロセスを実行するためのウェーハ搬入直前に実行され、ウェーハの無い状態でのプロセス実行に関するものであり、ウェーハ搬入による降温を見越した事前の昇温動作やＰＭへの基板搬送準備（搬送圧力の指定）を目的とするものである。

Ｍａｉｎはプロセスレシピについて定義している。ここでのプロセスレシピとは、ウェーハのＰＭへの搬入後に実行され、ＰＭ毎に指定されるものであり、ウェーハに対する成膜レシピとしての役割を有する。

ＰｏｓｔはプロセスレシピとＭＦにおける排気状態について定義している。すなわち、処理室内の温度および圧力を所定の状態にする処理を定義する。ここでのプロセスレシピとは、ＰＭ毎に指定されるものであり、ＰＭ毎における最後のウェーハ処理終了後に実行される。つまり、このプロセスレシピがポストレシピとして、別の記憶領域に記憶される。

すなわち、このポストレシピは、シーケンスレシピに対応付けて定義されるものであり、上述の不図示の第２の記憶領域に格納される。これはＰＭのＩＤＬＥ状態の設定を目的とするものである。ＭＦにおける排気状態とは、ＭＦとしての圧力状態の指定に関するものであり、ＭＦの各モジュールがＩＤＬＥ状態として安定する排気状態を指定することを目的としている。

なお、各基板と各シーケンスレシピとの組み合わせは、例えば以下のようになる。
基板番号 シーケンスレシピの名称
♯１ シーケンスレシピＡ
♯２ シーケンスレシピＡ
♯３ シーケンスレシピＢ
♯４ シーケンスレシピＢ
♯５ シーケンスレシピＣ
図４に示すように、複数の基板について同じシーケンスレシピが指定されている場合、一番目の基板の処理動作の前に上述のＰｒｅ１／Ｐｒｅ２を行い、最後の基板への処理終了時にＰｏｓｔを行う。すなわち、途中の基板処理については、効率よく処理を行うために、Ｐｒｅ１／Ｐｒｅ２／Ｐｏｓｔの処理は行わない。同図中において、例えばＭａｉｎ（ＰＭ１）の処理が３つの矢印の範囲分だけ行われているが、これらの矢印の範囲はそれぞれウェーハ一枚の処理を意味している。すなわち、Ｍａｉｎ（ＰＭ１）ではウェーハ３枚に対して処理を行っている。なお、同図中におけるＳＷＡＰとは、ＰＭに対して、処理済みの基板と未処理の基板とを交換する搬送動作を意味する。

１つの運転においてシーケンスレシピが指定されている場合、シーケンスレシピが同一であるものをシーケンスグループと呼び、シーケンスグループとそれに続くシーケンスグループとの間では、先行するシーケンスグループのＰｏｓｔ処理が終わってから、次のシーケンスグループのＰｒｅ処理が始まるようになっている。

つまり同一のシーケンスグループ内の基板については、連続的に処理するが、別のシーケンスグループの基板については、先行するシーケンスグループの基板がすべて一旦キャリアに戻って、Ｐｏｓｔ処理を行った後に次のシーケンスグループの基板処理が始まる。

このようにシーケンスレシピを実行している最中に、何らかの異常が発生したことによって、装置の運転が異常終了した場合に、ポストレシピを実行させるためには、少なくともシーケンスレシピを実行するときには、そのシーケンスレシピに対応するポストレシピを記憶してある必要がある。

図５に示すように、複数の基板に対して指定されたシーケンスレシピにより、Ｐｒｅ１／Ｐｒｅ２／Ｐｏｓｔ処理は●で表される箇所で実行される。

ここで、各シーケンスレシピに対応するポストレシピ名称の不図示の第２の記憶領域への記憶動作は、◎のついた基板についてのシーケンスレシピ（すなわち、各シーケンスグループにおいて最初に実行されるシーケンスレシピ）の処理が開始された時点（Ｐｒｅ１／Ｐｒｅ２／Ｍａｉｎのいずれか）で行う。

なお、このポストレシピ名称の記憶動作は、装置における運転が異常終了したタイミングに行うことも可能であるが、複数のＰＭを有する枚葉式の基板処理装置において、複数の運転を同時に実行することが可能な場合、その管理が複雑になるため、シーケンスレシピ毎に実行開始時点で記憶することが好ましい。

同図に示すように、５番目の基板（基板処理番号５）については、シーケンスレシピＢが指定されており、ポストレシピは指定なし（×）となっている。よって、５番目の基板についてのシーケンスレシピの処理の開始時にはポストレシピ名称は記憶せず、前のシーケンスレシピＡに対応させて記憶しておいたポストレシピ名称をクリアする。このクリア動作は、５番目の基板についてのシーケンスレシピの処理が開始された時点（Ｐｒｅ１／Ｐｒｅ２／Ｍａｉｎのいずれか）で行う。

次に、装置の異常終了時にポストレシピの処理を簡易に実行させるための機能（以下、１タッチＰｏｓｔと呼ぶ）について説明する。図６に不図示の操作部（ポストレシピ実行部）にて１タッチＰｏｓｔボタンを押下した場合（１タッチＰｏｓｔ機能を選択した場合）に不図示の操作部の表示画面に表示されるイメージの例を示す。

同図において、「ＳｅｌｅｃｔＰＭ」とはポストレシピを実行するＰＭを選択する項目である。ここでは、太枠で囲まれているＰＭ３が選択されている例を示している。次に、「ＳｃｈｅｄｕｌｅＰＭ」とは装置の運転が異常終了した際に実行されていたシーケンスレシピの運転対象ＰＭを表示する項目である。ここでは、太枠で囲まれているＰＭ３が、装置の運転が異常終了した際にシーケンスレシピが実行されていたＰＭであることを示している。次に、「Ｐｏｓｔ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｒｅｃｉｐｅ」とはそのＰＭにおいて最後に実行されたシーケンスレシピに対応づけて記憶されていたポストレシピ名を表示する項目である。

このようにポストレシピ名とともに表示されたＰＭのうち、ポストレシピを実行させようとするものを「ＳｅｌｅｃｔＰＭ」の項目から選択し、「ＯＫ」ボタンによってそのＰＭに対応付けられて記憶されているポストレシピを実行させる。すなわち、このポストレシピ実行部によって、シーケンスレシピに基づく処理を実行中に該処理が中断した場合に、該処理が中断したシーケンスレシピに対応付けて記憶されているポストレシピを実行させる。

上述のように、シーケンスレシピを第１の記憶領域に、ポストレシピを第２の記憶領域に格納させる構成としたことで、例えば装置の異常によりいずれかのシーケンスレシピの処理が中断し、この異常が第１の記憶領域にも関わるものである場合に、第１の記憶領域の機能に障害が生じても、第２の記憶領域に格納されているポストレシピは確実に実行することができる。

なお、本実施の形態では、第１の記憶領域と第２の記憶領域とは別個に配置されている例を示しているが、これに限られるものではなく、第１の記憶領域と第２の記憶領域に記憶されている情報を同一の記憶領域内に格納することも可能であることは言うまでもない。また、第１の記憶領域と第２の記憶領域は、基板処理装置内に内蔵される構成としているが、これに限らず、ＦＤＤ、ＭＯなどの記憶媒体に格納してもよいし、当該装置と通信可能に接続された外部機器に備えられた記憶領域に格納してもよい。

以上のように、本発明によれば、複数の基板を一枚ずつ処理する複数の処理室と、前記複数の処理室に連接し、前記処理室で処理される基板を搬送するための搬送室と、前記処理室における基板の処理手順を定義するシーケンスレシピを記憶する第１の記憶領域と、前記記憶されたシーケンスレシピに基づいて前記処理室における基板の処理を制御する制御部とを有する基板処理装置において、前記処理室内の温度および圧力を所定の状態にする処理を定義するポストレシピを前記シーケンスレシピに対応付けて記憶する第２の記憶領域と、前記シーケンスレシピに基づく処理を実行中に該処理が中断した場合に、該処理が中断したシーケンスレシピに対応付けて記憶されているポストレシピを実行させるためのポストレシピ実行部とを有することを特徴とする基板処理装置を提供することができる。

換言すれば、複数の基板を一枚ずつ処理する複数の処理室と、前記複数の処理室に連接し、これら前記基板を搬入・搬出するために圧力制御される搬送室と、前記基板の処理手順を定義するシーケンスレシピに従い、前記基板の処理を制御する制御部とを有する基板処理装置において、前記処理室の温度および圧力を所定の状態にする複数のポストレシピを予め用意しておき、前記基板の処理中に停止した場合、その停止状態に適した前記ポストレシピが選択され実行されることを特徴とする基板処理装置を構成することができる。

また、このような基板処理装置において、基板の処理中に該処理が停止した場合、前記複数の処理室のうち、前記基板の処理が行われた前記処理室に対応するポストレシピが実行されるようにすることが好ましい。

この他、上述のような構成の基板処理装置において、上述の制御部が、予め前記ポストレシピを記憶しておく記憶部と、前記処理室の状態を表示させる表示部と、前記処理室の状態より前記ポストレシピの入力を行う操作部と、前記操作部からの入力により、前記ポストレシピの処理を行う処理部とを有する構成とすることもできる。

本実施の形態による基板処理装置の構成を説明するための図である。 本実施の形態による基板処理装置の構成を説明するための図である。 シーケンスレシピを構成するデータ項目の一例を示す図である。 シーケンスレシピの実行タイミングについて説明するため図である。 ポストレシピ名称の記憶動作について説明するための図である。 １タッチＰｏｓｔ機能について説明するため図である。

符号の説明

１０１ 筐体、１０３ 第一の搬送室、１０８ ポッドオープナ、１２１ 第二の搬送室、１２２ 予備室、１２３ 予備室、１３７ 第二の処理炉、１３８ 第一のクーリングユニット、１３９ 第二のクーリングユニット、２０２ 第一の処理炉。

Claims (1)

1. 複数枚の基板を一枚ずつ処理する複数の処理室と、
   前記複数の処理室に連接し、前記処理室で処理される基板を搬送するための搬送室と、
   前記処理室における基板の処理手順を定義するシーケンスレシピを記憶する第１の記憶領域と、
   前記記憶されたシーケンスレシピに基づいて前記処理室における基板の処理を制御する制御部とを有する基板処理装置において、
   前記処理室内の温度および圧力を所定の状態にする処理を定義するポストレシピを前記シーケンスレシピに対応付けて記憶する第２の記憶領域と、
   前記シーケンスレシピに基づく処理を実行中に該処理が中断した場合に、該処理が中断したシーケンスレシピに対応付けて記憶されているポストレシピを実行させるためのポストレシピ実行部とを有することを特徴とする基板処理装置。

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