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JP2005251804A - 撮像素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】撮影画面の中央や周辺で光を効率良く取り込むことができる撮像素子の構造を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部2と、柱状に形成された第1の部分31と撮影レンズに近い側に向けて開口面積が大きくなるテーパ形状部分32とを備える高屈折率部3と、高屈折率部の周囲に配置された低屈折率部4とを備え、高屈折率部は、テーパ形状の開口面積が大きい側の開口幅をx1、テーパ形状の開口面積が小さい側の開口幅をx2、テーパ形状の傾斜角をθ°、高屈折率部の屈折率をn1、低屈折率部の屈折率をn2、撮影レンズのFナンバーをF、光電変換部の撮影レンズの光軸中心からの距離をR、撮影レンズの瞳位置から撮像面までの距離をfとした場合に、1>x2/x1≧(1−tanθ/tanθ’)/(1+tanθ/tanθ’)、cosθ’≧n2/n1、ただし、θ’=θ0’+2θ、sinθ0’=1/2n1F+R/n1fで表わされる式を満たす形状に形成されている。
【選択図】 図1

Description

本発明は被写体像を撮像するための撮像素子の内部構造に関するものである。
撮像素子内に全反射の構造を形成して光線の取り込み効率の向上を目指した技術が特開平05−235313号公報に開示されている。同公報の実施例の形態に基づいた構造を図17に示す。ここでは撮像素子のピッチと深さの比であるD/L値を1として全反射面の斜面の角度θを約26.5度としている。これによってマイクロレンズを用いなくても撮像画面の中心の周辺で集光効率を落とすことなく光線を取り込むことができるというものである。
また、撮像素子に入射した光線を効率良く取り込むための構造が特開平06−224398号公報に開示されている。本公報の実施例の形態に基づいた構造を図18に示す。10は樹脂からなるキャップ層で1.6程度の屈折率を持つ材質で形成される。9は低屈折率層であり、キャップ層10よりも低屈折率の樹脂や中空(空気や窒素等の不活性ガスを充填)で形成されている。キャップ層10から低屈折率層9に向かう光線は臨界角を超えると界面で全反射する。そのため斜入射光が取り込めるというものである。
特開平05−235313号公報 特開平06−224398号公報
しかし、上記従来例には次のような問題点が存在する。
図17のような構造の場合、全反射面で全反射した光線のうち直接受光部へ到達するものは問題なく受光できる。ところがレンズのFナンバーが小さい光線を取り込もうとするとレンズの瞳周辺部からの光線、いわゆる斜入射光線は全反射面に当たっても全反射面の臨界角を超えずにそのまま抜けてしまうことがある。また全反射しても反対側の全反射面にもう一度当たってここで臨界角を超えずに抜けてしまうこともある。このような状態を制御するためには斜面の高さや入射開口・射出開口といった寸法関係を適切に構成しなければならない。
また、図18のような構造の場合、高屈折率のキャップ層10の入射側が小さなRの円弧となっているため斜入射の角度が強くなると円弧部に当たる光線が全反射せずに抜けてしまって別の画素に入ってしまうなどの問題を生じることになる。
したがって、本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、撮影画面の中央や周辺で光を効率良く取り込むことができ、また撮影レンズのFナンバーによって変化する斜入射光も取り込むことができる撮像素子の構造を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係わる撮像素子は、撮影レンズにより結像された被写体像を光電変換する複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部のそれぞれの上部に、該光電変換部の少なくとも一部を覆うように配置された高屈折率部であって、前記光電変換部の近くに位置する略均一な太さの角柱状又は円柱状に形成された第1の部分と、該第1の部分に連続して形成され、前記光電変換部に近い側から前記撮影レンズに近い側に向けて開口面積が大きくなるようなテーパ形状を持つ第2の部分とを備える高屈折率部と、該高屈折率部の周囲に配置され、該高屈折率部よりも屈折率の低い低屈折率部とを備え、前記高屈折率部は、前記テーパ形状の開口面積が大きい側の開口幅をx1、前記テーパ形状の開口面積が小さい側の開口幅をx2、前記テーパ形状の傾斜角をθ°、前記高屈折率部の屈折率をn1、前記低屈折率部の屈折率をn2、前記撮影レンズのFナンバーをF、前記光電変換部の前記撮影レンズの光軸中心からの距離をR、前記撮影レンズの瞳の位置から前記複数の光電変換部が配置された撮像面までの距離をfとした場合に、
1>x2/x1≧(1−tanθ/tanθ’)/(1+tanθ/tanθ’)
cosθ’≧n2/n1
ただし、θ’=θ0’+2θ、sinθ0’=1/2n1F+R/n1f
で表わされる式を満たす形状に形成されていることを特徴とする。
また、この発明に係わる撮像素子において、前記テーパ形状を、前記撮影レンズの光軸中心からの距離に応じて、前記式を満足させつつ変化させたことを特徴とする。
また、本発明に係わる撮像素子は、撮影レンズにより結像された被写体像を光電変換する複数の光電変換部と、該複数の光電変換部のそれぞれと前記撮影レンズとの間に配置され、前記光電変換部に光を集光するためのマイクロレンズと、前記複数の光電変換部のそれぞれの上部に、該光電変換部の少なくとも一部を覆うように配置された高屈折率部であって、前記光電変換部の近くに位置する略均一な太さの角柱状又は円柱状に形成された第1の部分と、該第1の部分に連続して形成され、前記光電変換部に近い側から前記撮影レンズに近い側に向けて開口面積が大きくなるようなテーパ形状を持つ第2の部分とを備える高屈折率部と、該高屈折率部の周囲に配置され、該高屈折率部よりも屈折率の低い低屈折率部とを備え、前記高屈折率部は、前記テーパ形状の開口面積が大きい側の開口幅をx1、前記テーパ形状の開口面積が小さい側の開口幅をx2、前記テーパ形状の傾斜角をθ°、前記高屈折率部の屈折率をn1、前記低屈折率部の屈折率をn2、前記撮影レンズのFナンバーをF、前記光電変換部の前記撮影レンズの光軸中心からの距離をR、前記撮影レンズの瞳の位置から前記複数の光電変換部が配置された撮像面までの距離をf、前記マイクロレンズの屈折率をn3、前記マイクロレンズの開口半径をr、前記マイクロレンズの前記光電変換部に近い側の端部から該光電変換部までの距離をH0とした場合に、
1>x2/x1≧(1−tanθ/tanθ’)/(1+tanθ/tanθ’)
cosθ’≧n2/n1
ただし、θ’=θ0’+2θ、sinθ0’=(n3/n1)・(1/2F−r/H0+R/f)
で表わされる式を満たす形状に形成されていることを特徴とする。
また、この発明に係わる撮像素子において、前記テーパ形状を、前記撮影レンズの光軸中心からの距離に応じて、前記式を満足させつつ変化させたことを特徴とする。
また、この発明に係わる撮像素子において、前記マイクロレンズの光軸を、前記撮影レンズの光軸中心からの距離に応じて、該光軸中心方向にオフセットさせたことを特徴とする。
本発明によれば、撮影画面の中央や周辺で光を効率良く取り込むことができ、また撮影レンズのFナンバーによって変化する斜入射光も取り込むことができる撮像素子の構造を提供することが可能となる。
以下、本発明の好適な実施形態について説明する。
(第1の実施の形態)
図1に本発明の第1の実施の形態を示す。図1は撮像素子の断面図で、1はシリコンウェハ、2は受光した光子を電荷へと変換する機能を有する光電変換部、3は高屈折率部、4は低屈折率部、5は光電変換部の電荷を制御するゲートの役割を果たすPoly配線層、6はアルミニウムなどの金属でできた配線層である。
図1において、高屈折率部3は屈折率2.5の二酸化チタン(TiO2)や屈折率2.0の窒化ケイ素(SiN)のような高屈折率の材料で形成され、低屈折率部4は屈折率1.46の二酸化ケイ素(SiO2)といった低屈折率の材料を用いて形成される。これにより高屈折率部3に入射した光線は低屈折率部4との界面で臨界角を超える光線が全反射して光電変換部2に到達するといういわゆる導光路の役割を果たすようになる。
図2には形状を分かりやすくするため高屈折率部3のみを取り出したものを示す。
高屈折率部3は光電変換部2に近い部分で光軸とほぼ平行な面をもつ角柱部31と光線の入射側に存在して角柱部31とは異なる角度を持つテーパ部32で構成されている。角柱部31は撮像素子上面から見るとほぼ正方形の形状をなしていて光軸と平行な面としては4面存在する。テーパ部32も同様に上面から見るとほぼ正方形の形状をなしているが切る高さによってその大きさが異なる。本実施形態においては高屈折率部3を断面が正方形の角柱で表現しているが、断面が長方形であったり5角形、6角形とった多角形形状であったりあるいは円形(円柱)であってもよい。
高屈折率部3を撮像素子上部から見た時のテーパの付き方を示したものが図3乃至図5となる。図3乃至図5は説明を簡単にするため、撮影レンズの光軸中心近傍の画素と四隅(対角部)の画素についてのみ表現している。
テーパ部32の形状としては、全体的に均一の形状とする場合(図3)、撮影レンズの光軸中心方向に向かって光軸からの距離に応じて1画素ずつ形状が異なる場合(図4)、図4と同様に形状が異なるが数画素ずつの単位で形状が異なる場合(図5)の3種類が考えられるがいずれにせよ後述する関係式を満足するようにテーパ形状を形成することが前提となる。
このような形状の高屈折率部3を形成する方法としては、低屈折率部4を平坦に形成しその上にレジストを塗布してエッチングを行い光電変換部2近傍まで穴を開ける。その後、高屈折率部3の材料(例えば、SiN)を蒸着するというものが考えられる。テーパ部については穴を形成するときのエッチング条件を制御することによって所望の形状になるようにすることができる。
次にテーパ形状の寸法関係について説明する。図6は複数の画素を備える撮像素子の1画素の断面図を示したものである。また図7は井戸形状のテーパ部32の部分拡大図である。
撮像素子102に撮影レンズ301を取り付けた状態を図8に示す。レンズ系へ入射する光線、及びレンズ系から出射される光線はすべてそのレンズ系の瞳を通ることから、撮影レンズの瞳302を用いて撮影レンズ301の光軸中心近傍(撮像素子102の中心近傍)における光線の様相を表すと図9のようになる。この時、撮影レンズ301の瞳径をD、FナンバーをF、瞳距離(撮影レンズ301の瞳の位置から撮像素子102までの距離)をfとすると以下のような関係式となる。
D=f/F …(1−1)
また、瞳の外周から来る光線と光軸中心とのなす角をθ0とすると、
sinθ0=1/2F …(1−2)
ここで、テーパ部32の形状は次のような考え方を元に構成する。
(1)最も角度のついた光線が画素100に入射してテーパ部32の入射部近傍(最上部)で全反射する。
(2)全反射した光線は対する面の角柱部31(垂直面31a)に当たって再び全反射する。
これによりテーパ部32に当たった光線はすべて対する面の垂直面31aに当たるためこの光線が再び反対側の垂直面31bに当たっても必ず全反射する。従ってすべての光線は直接あるいは井戸内で何度か全反射を繰り返して光電変換部2に導かれるということになる。
最も角度のついた光線は撮影レンズの瞳302の外周部から出た光線であるため撮影レンズの光軸となす角度はθ0である。これが高屈折率部3に入射したときの射出角(高屈折率部3に透過した光の高屈折率部3の法線とのなす角度)をθ0’、撮像素子102上部(高屈折率部3の表面より上側の空間)の屈折率をn0 、高屈折率部3の屈折率をn1、とすると、
n0sinθ0=n1sinθ0’
となる。n0 は空気の屈折率となるのでn0 =1とすると、
sinθ0=n1sinθ0’ …(2−1)
が得られる。(1−2)式と(2−1)式から、
sinθ0’=1/2n1F …(2−1)’
となる。
また、幾何的な関係から撮影レンズの光軸とテーパ面のなす角度をθとすると、
θ2+θ0’+θ=90° …(2−2)
θ3=θ、また入射角と反射角は同じであることより、
θ2=θ+θ1 …(2−3)
となり、(2−2)式と(2−3)式から、θ’=θ0’+2θとおくと、
θ1=90°−θ0’−2θ=90°−θ’ …(2−4)
が得られる。
入射した光線はテーパ部で全反射することから低屈折率部4の屈折率をn2とすると、
sinθ2≧n2/n1 …(3−1)
という関係が得られる。
テーパ部の高さをH1とすると、
H1=(x1−x2)/2tanθ …(3−2)
またテーパ部で反射した光線が対する面に到達した時の高さをH2とすると、
tanθ1=H2 /{x1−(x1−x2)/2}=2H2/(x1+x2)
となる。よって、
H2=(x1+x2)tanθ1/2 …(3−3)
となる。テーパ部で全反射した光線は対する面の垂直面に到達するということから、
H1 ≦H2 …(3−4)
の関係を満たせばよいことになる。よって(3−2)式、(3−3)式、(3−4)式から、
(x1−x2)/2tanθ≦(x1+x2)tanθ1/2
となりtanθが正値を取ることから上式を整理すると、
(1+tanθtanθ1)・x2≧(1−tanθtanθ1)・x1
となる。さらに(1+tanθtanθ1)、x1が共に正値を取ることから、
x2 /x1≧(1−tanθtanθ1)/(1+tanθtanθ1) …(3−5)
となることがわかる。さらに(2−4)式を用いると(3−5)式は次のように整理することができる。
x2 /x1≧(1−tanθ/tanθ’)/(1+tanθ/tanθ’) …(3−6)
但し、θ’=θ0’+2θ
また、垂直面31aに当たった光線が全反射するためには、
sinθ1≧n2/n1 …(3−7)
も同時に成立つ必要がある。この関係式をθ’を用いて表すと、
cosθ’≧n2/n1 …(3−7)’
となる
次に周辺部の画素に入射する光線について考えてみる。周辺部は図10に示すように光軸中心を挟んで注目画素と反対側に位置する瞳周辺部から来る光線が最も角度のついた光線となり、この角度をθ0s、光軸中心から注目画素までの距離をRとすると、
tanθ0s=(D/2+R)/f=D/2f+R/f=1/2F+R/f
という関係が得られる。θ0sがあまり大きくない時は、
tanθ0s≒sinθ0s
と書けるから上の式は、
sinθ0s=1/2F+R/f …(4−1)
ということになる。これは(1−2)式と比較すると分かるように入射角にR/fという項が加わっただけである。中心部においてはR=0となるため(4−1)式は中心部においても成立つことが分かる。そこで(2−1)’を修正して、
sinθ0’=1/2n1F+R/n1f …(2−1)”
とすることで中心部から周辺部までの入射光線の最高角度を算出することができる。高屈折率部3に入射した後の挙動に関しては前述の通りで入射する光線の角度が(2−1)”式を満たすものに変わるだけである。
以上のことからテーパ部の形状を決定するための関係式として次のようになることが分かる。
x2/x1≧(1−tanθ/tanθ’)/(1+tanθ/tanθ’)
cosθ’≧n2/n1
θ’=θ0’+2θ
sinθ0’=1/2n1F+R/n1f
これらの関係式に(3−1)式が含まれていないが、θ2は(2−3)式よりθ2≧θ1になるのは明らかである。従って、
sinθ2≧sinθ1≧n2/n1
となり、(3−7)式あるいは(3−7)’式が成立てば(3−1)式は同時に満足することが分かる。
次にこれらの関係を検証するために実際の数値を当てはめてみる。高屈折率部3の屈折率n1を2.0、低屈折率部4の屈折率n2を1.46、撮影レンズのFナンバーを2.8、瞳距離fを60mmとし、撮像領域101は画素ピッチ3μmで長辺×短辺画素数を2400×1600画素、すなわち対角寸法を約8.7mmとする。まず撮影レンズの光軸中心付近の画素について計算してみると、(2−4)式および(3−7)’式より、
θ0’=5.12°
θ’≦43.11°
という数字が算出される。そこでテーパ部の傾斜角θを適当に振って計算したものが図13のようになる。本図は傾斜角θを15〜20°まで1°刻みで計算した結果である。傾斜角θが19°以上になるとθ’が上の関係を満たさなくなるため、傾斜角θは19°未満にする必要がある。傾斜角θを18°、高屈折率部3の角柱部31の幅x2を1.2μmとするとx1は2.6μm以下とすればいいことが分かる。
周辺部は図14に示すような結果となる。θ’の値から傾斜角θは13°未満にすればいいことが分かるため12°とすると、高屈折率部の角柱部31の幅x2が1.2μmのときx1は最大1.95μmとなる。このことから撮影レンズ301の光軸中心付近の画素でテーパ部の傾斜角θを18°とし、周辺に向かうに従って徐々に角度を減じていき対角位置で12°となるようにテーパ部を構成すれば良い。もしくはすべての画素において12°としても条件は満足される。
(第2の実施の形態)
図11に本発明の第2の実施の形態を示す。第1の実施の形態と同一番号のものは同一の機能を果たすものとする。7は被写体からのより広い光線を取り込むために備えられたマイクロレンズ、8はカラー画像を生成するために被写体の色分離を行うための波長選択部であるカラーフィルタである。
マイクロレンズ7は上に凸の球面形状であり正のレンズパワーを有する。従ってマイクロレンズ7上に到達した光線は光電変換部3に対して集光する働きを持つ。これにより、より多くの光線を光電変換部3に取り込むことができるため撮像素子の感度を上げることが可能となる。
画素200に入射する光線の挙動を図12に示す。
撮影レンズ301の瞳径D、FナンバーF、瞳距離fと最も角度の付いた入射光線角度θ0の関係式は第1の実施形態で説明した(1−1)式および(1−2)式と同じである。まず、この光線が高屈折率部3のテーパ部入口に到達するときの光軸となす角度θ”を算出する。このときマイクロレンズ7のレンズ効果によって光電変換部2の上部に撮影レンズ301の瞳が結像するものとすると結像の式より以下のような関係が得られる。
y’/(D/2)=H0/f
y’=DH0/2f=H0/2F …(4−1)
ただし、y’は結像した像の半径である。上式において主平面の位置は撮影レンズの瞳距離fがマイクロレンズ7の高さH0に比べて非常に大きいことから近似的にマイクロレンズ7の下面(球面と平面の交わる面)として導き出している。また結像に際してレンズの屈折率はマイクロレンズ7の屈折率n3と高屈折率部3の n1を考慮して算出すべきであるが簡単のためマイクロレンズ7の屈折率n1の材料で埋め込まれているものとして考えることにする。これらのことからマイクロレンズ7の開口半径(上面から見たときのマイクロレンズの半径)をrとすると、
tan(−θ0”)≒sin(−θ0”)=(r−y’)/H0=r/H0−1/2F
となる。θ0”に負号が付いているのは第1の実施の形態に対して角度の向きが変わっているためである。上式を整理すると、
sinθ0”= 1/2F−r/H0 …(4−2)
が得られる。従って高屈折率部3のテーパ部に入射する光線の角度θ0’は、
sinθ0’=(n3/n1)sinθ0”= (n3/n1)・(1/2F−r/H0) …(4−3)
となる。
高屈折率部3に入射した後の挙動に関しては前述の通りで入射する光線の角度が(4−3)式を満たすものと変わるだけである。
以上のことからマイクロレンズを備えた撮像素子の場合にテーパ部の形状が満たすべき関係式は以下のようになる。
x2/x1≧(1−tanθ/tanθ’)/(1+tanθ/tanθ’)
cosθ’≧n2/n1
θ’=θ0’+2θ
sinθ0’=(n3/n1)・(1/2F−r/H0)
次に周辺部の画素に入射する光線について考えてみる。これは第1の実施の形態で述べたように(4−2)式のθ0”の関係式で、光軸中心から注目画素までの距離をRとすると右辺に(R/f)を加えたものである。従って(4−3)式は、
sinθ0’=(n3/n1)・(1/2F−r/H0+R/f) …(4−3)’
となることが分かる。これは中心部においても成立つことからすべての領域において次のような関係が成立てばよいことになる。
x2/x1≧(1−tanθ/tanθ’)/(1+tanθ/tanθ’)
cosθ’≧n2/n1
θ’=θ0’+2θ
sinθ0’=(n3/n1)・(1/2F−r/H0+R/f)
次にこれらの関係を検証するために実際の数値を当てはめてみる。高屈折率部3の屈折率n1を2.0、低屈折率部4の屈折率n2を1.46、撮影レンズのFナンバーを2.8、マイクロレンズ7およびカラーフィルタ8の屈折率n3を1.58、瞳距離fを60mmとし、撮像領域101は画素ピッチ3μmで長辺×短辺画素数を2400×1600画素、すなわち対角寸法を約8.7mmとする。またマイクロレンズ7の下面から光電変換部までの高さH0を5.0μm(マイクロレンズ7の下面からカラーフィルタ8の下面まで2.5μm、高屈折率部3の高さ2.5μm)、マイクロレンズ7の開口半径rを1.4μmとする。まず撮影レンズの光軸中心付近の画素について計算してみると、(2−4)式および(4−3)’式より、
θ0’=−5.13°
θ’≦43.11°
という数字が算出される。そこでテーパ部の傾斜角θを適当に振って計算したものが図15のようになる。本図は傾斜角θを20〜25°まで1°刻みで計算した結果である。傾斜角θが24°以上になるとθ’が上の関係を満たさなくなるため傾斜角θは23°以下にする必要がある。傾斜角θを23°、高屈折率部3の角柱部31の幅x2を1.2μmとするとx1は3.43μm以下、すなわち1画素一杯まで使えることが分かる。
周辺部は図16に示すような結果となる。θ’の値から傾斜角θは21°以下にすればよいことが分かるため21°とすると、高屈折率部3の角柱部31の幅x2が1.2μmのときx1は最大2.99μmとなる。この場合もほぼ1画素一杯に入口部を広げることができることが分かる。従ってすべての画素においてテーパ角度を21°とし、入口部の幅x1はマイクロレンズ7によって光線が絞られることを考慮して少し小さめ、例えば2.2μm程度にすればテーパ部の高さが1.3μmとなり比較的低くできてきれいな構造を取ることができる。
さらにマイクロレンズ7の光軸中心は撮像素子全体においてそれぞれの画素の中心に配置する場合と撮影レンズの光軸中心(撮像部の中心)から離れるに従って画素の中心から撮影レンズ301の光軸中心側にシフトする場合がある。これはマイクロレンズ7で集光した光線が光電変換部2に像を作る際に撮影レンズ301の光軸中心から離れるに従って画素の中心から次第に外側にシフトしていくためである。これは撮影レンズの瞳距離fが短くなる程顕著に表れマイクロレンズ7のシフト量を大きくしなければならない。このようにマイクロレンズ7をシフトさせた場合においてもマイクロレンズ7から光電変換部2に向かう光線の様相は同じであることから前述の関係は同様に利用することができる。
以上説明したように、上述した第1の実施形態によれば、被写体像を結像させる撮影レンズを備えた撮像装置であって、該撮影レンズの予定結像面近傍に備えられた撮像素子において、
複数の光電変換部を1次元あるいは2次元的に配列して備え、該光電変換部の上部であって少なくとも光電変換部の一部を覆うように高屈折率部、該高屈折率部の周辺に低屈折率部を設け、前記高屈折率部と低屈折率部の界面は前記撮影レンズの光軸に略平行な面と光電変換部に向かうに従って開口面積が小さくなるようなテーパ形状でかつ略均一な角度を持つ傾斜面を有しており、該傾斜面の角度および開口径は、
θ’=θ0’+2θ
sinθ0’=1/2n1F+R/n1f
x2/x1:テーパ出口幅/入口幅
θ:テーパ部の傾斜角(度)
n1:高屈折率部の屈折率
n2:低屈折率部の屈折率
F:撮影レンズのFナンバー
R:撮影レンズの光軸からの距離
f:撮影レンズの瞳距離
とすると、
1>x2/x1≧(1−tanθ/tanθ’)/(1+tanθ/tanθ’)
cosθ’≧n2/n1
を満たすようにすることで、、テーパ面で確実に入射光を全反射させて光電変換部に効率良く導くことができるテーパ面の形状を簡単に決定することができた。
また、第2の実施形態によれば、被写体像を結像させる撮影レンズを備えた撮像装置であって、該撮影レンズの予定結像面近傍に備えられた撮像素子において、
複数の光電変換部を1次元あるいは2次元的に配列して備え、外部からの光線を集光するためのマイクロレンズと、該光電変換部の上部であって少なくとも光電変換部の一部を覆うように高屈折率部、該高屈折率部の周辺に低屈折率部を設け、前記高屈折率部と低屈折率部の界面は前記撮影レンズの光軸に略平行な面と光電変換部に向かうに従って開口面積が小さくなるようなテーパ形状でかつ略均一な角度を持つ傾斜面を有しており、該傾斜面の角度および開口径は、
θ’=θ0’+2θ
sinθ0’= (n3/n1)・(1/2F−r/H0+R/f)
n3:マイクロレンズの屈折率
r:マイクロレンズの開口半径
H0:マイクロレンズ下端から光電変換部までの距離
とすると、
1>x2/x1≧(1−tanθ/tanθ’)/(1+tanθ/tanθ’)
cosθ’≧n2/n1
を満たすようにすることでマイクロレンズを備えた撮像素子においても入射光をテーパ面で確実に全反射させて光を光電変換部に効率良く導くことができた。
また、撮影レンズの光軸中心からの距離に応じて前記テーパ形状は前記の関係式に基づいて変化するように構成することで、中心からの距離によって入射角が変わっても中心付近の画素に比べて光線の利用効率がほとんど変わらないようにできた。
また、撮影レンズの光軸中心からの距離に応じてマイクロレンズの光軸は撮影レンズの光軸中心方向にオフセットすることによって、マイクロレンズを用いた時にも効率良く光線を取り込むことができた。
本発明の第1の実施の形態を表す図である。 本発明の第1の実施の形態の高屈折率部を示す斜視図である。 本発明の第1の実施の形態の高屈折率部を上面から見た図である。 本発明の第1の実施の形態の高屈折率部を上面から見た図である。 本発明の第1の実施の形態の高屈折率部を上面から見た図である。 高屈折率部内の光線の様相を示す図である。 高屈折率部内の光線の様相を示す部分拡大図である。 撮影レンズを撮像素子に適応させた状態を示す図である。 中心画素に対する撮影レンズの瞳と光線の関係を表す図である。 周辺画素に対する撮影レンズの瞳と光線の関係を表す図である。 本発明の第2の実施の形態を表す図である。 第2の実施の形態の高屈折率部内の光線の様相を示す図である。 第1の実施の形態における、高屈折率部のテーパ部の傾斜角θに対応するθ’の値を示す図である。 第1の実施の形態における、高屈折率部のテーパ部の傾斜角θに対応するθ’の値を示す図である。 第2の実施の形態における、高屈折率部のテーパ部の傾斜角θに対応するθ’の値を示す図である。 第2の実施の形態における、高屈折率部のテーパ部の傾斜角θに対応するθ’の値を示す図である。 従来例を示す図である。 他の従来例を示す図である。
符号の説明
1 シリコンウェハ
2 光電変換部
3 高屈折率部
4 低屈折率部
5 Poly配線層
6 Al配線層
7 マイクロレンズ
8 カラーフィルタ
9 低屈折率層
10 キャップ層
11 マイクロレンズ支持層
12 物体光
31 角柱部
32 テーパ部
100,200 画素
101 撮像領域
102 撮像素子
201 全反射面
301 撮影レンズ
302 撮影レンズの瞳

Claims (5)

  1. 撮影レンズにより結像された被写体像を光電変換する複数の光電変換部と、
    前記複数の光電変換部のそれぞれの上部に、該光電変換部の少なくとも一部を覆うように配置された高屈折率部であって、前記光電変換部の近くに位置する略均一な太さの角柱状又は円柱状に形成された第1の部分と、該第1の部分に連続して形成され、前記光電変換部に近い側から前記撮影レンズに近い側に向けて開口面積が大きくなるようなテーパ形状を持つ第2の部分とを備える高屈折率部と、
    該高屈折率部の周囲に配置され、該高屈折率部よりも屈折率の低い低屈折率部とを備え、
    前記高屈折率部は、前記テーパ形状の開口面積が大きい側の開口幅をx1、前記テーパ形状の開口面積が小さい側の開口幅をx2、前記テーパ形状の傾斜角をθ°、前記高屈折率部の屈折率をn1、前記低屈折率部の屈折率をn2、前記撮影レンズのFナンバーをF、前記光電変換部の前記撮影レンズの光軸中心からの距離をR、前記撮影レンズの瞳の位置から前記複数の光電変換部が配置された撮像面までの距離をfとした場合に、
    1>x2/x1≧(1−tanθ/tanθ’)/(1+tanθ/tanθ’)
    cosθ’≧n2/n1
    ただし、θ’=θ0’+2θ、sinθ0’=1/2n1F+R/n1f
    で表わされる式を満たす形状に形成されていることを特徴とする撮像素子。
  2. 前記テーパ形状を、前記撮影レンズの光軸中心からの距離に応じて、前記式を満足させつつ変化させたことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
  3. 撮影レンズにより結像された被写体像を光電変換する複数の光電変換部と、
    該複数の光電変換部のそれぞれと前記撮影レンズとの間に配置され、前記光電変換部に光を集光するためのマイクロレンズと、
    前記複数の光電変換部のそれぞれの上部に、該光電変換部の少なくとも一部を覆うように配置された高屈折率部であって、前記光電変換部の近くに位置する略均一な太さの角柱状又は円柱状に形成された第1の部分と、該第1の部分に連続して形成され、前記光電変換部に近い側から前記撮影レンズに近い側に向けて開口面積が大きくなるようなテーパ形状を持つ第2の部分とを備える高屈折率部と、
    該高屈折率部の周囲に配置され、該高屈折率部よりも屈折率の低い低屈折率部とを備え、
    前記高屈折率部は、前記テーパ形状の開口面積が大きい側の開口幅をx1、前記テーパ形状の開口面積が小さい側の開口幅をx2、前記テーパ形状の傾斜角をθ°、前記高屈折率部の屈折率をn1、前記低屈折率部の屈折率をn2、前記撮影レンズのFナンバーをF、前記光電変換部の前記撮影レンズの光軸中心からの距離をR、前記撮影レンズの瞳の位置から前記複数の光電変換部が配置された撮像面までの距離をf、前記マイクロレンズの屈折率をn3、前記マイクロレンズの開口半径をr、前記マイクロレンズの前記光電変換部に近い側の端部から該光電変換部までの距離をH0とした場合に、
    1>x2/x1≧(1−tanθ/tanθ’)/(1+tanθ/tanθ’)
    cosθ’≧n2/n1
    ただし、θ’=θ0’+2θ、sinθ0’=(n3/n1)・(1/2F−r/H0+R/f)
    で表わされる式を満たす形状に形成されていることを特徴とする撮像素子。
  4. 前記テーパ形状を、前記撮影レンズの光軸中心からの距離に応じて、前記式を満足させつつ変化させたことを特徴とする請求項3に記載の撮像素子。
  5. 前記マイクロレンズの光軸を、前記撮影レンズの光軸中心からの距離に応じて、該光軸中心方向にオフセットさせたことを特徴とする請求項3又は4に記載の撮像素子。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010087039A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2011222827A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Canon Inc 固体撮像素子
EP2487715A2 (en) 2011-02-09 2012-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device and method for manufacturing solid-state image pickup device
JP2013508964A (ja) * 2009-10-21 2013-03-07 ナム タイ,ヒョク 色最適化イメージセンサー
US8872086B2 (en) 2007-10-03 2014-10-28 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and imaging system

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7524694B2 (en) * 2005-12-16 2009-04-28 International Business Machines Corporation Funneled light pipe for pixel sensors
US7911693B2 (en) * 2006-03-20 2011-03-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Ambient light absorbing screen
US9000353B2 (en) 2010-06-22 2015-04-07 President And Fellows Of Harvard College Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires
US8299472B2 (en) 2009-12-08 2012-10-30 Young-June Yu Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors
US9515218B2 (en) 2008-09-04 2016-12-06 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings
US8748799B2 (en) 2010-12-14 2014-06-10 Zena Technologies, Inc. Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors
US9478685B2 (en) 2014-06-23 2016-10-25 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same
US9406709B2 (en) 2010-06-22 2016-08-02 President And Fellows Of Harvard College Methods for fabricating and using nanowires
US8889455B2 (en) 2009-12-08 2014-11-18 Zena Technologies, Inc. Manufacturing nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US8229255B2 (en) 2008-09-04 2012-07-24 Zena Technologies, Inc. Optical waveguides in image sensors
US9299866B2 (en) 2010-12-30 2016-03-29 Zena Technologies, Inc. Nanowire array based solar energy harvesting device
US8890271B2 (en) 2010-06-30 2014-11-18 Zena Technologies, Inc. Silicon nitride light pipes for image sensors
US8866065B2 (en) 2010-12-13 2014-10-21 Zena Technologies, Inc. Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires
US8546742B2 (en) 2009-06-04 2013-10-01 Zena Technologies, Inc. Array of nanowires in a single cavity with anti-reflective coating on substrate
US8519379B2 (en) 2009-12-08 2013-08-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured photodiode with a surrounding epitaxially grown P or N layer
US8791470B2 (en) 2009-10-05 2014-07-29 Zena Technologies, Inc. Nano structured LEDs
US8735797B2 (en) 2009-12-08 2014-05-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US9082673B2 (en) 2009-10-05 2015-07-14 Zena Technologies, Inc. Passivated upstanding nanostructures and methods of making the same
US8274039B2 (en) 2008-11-13 2012-09-25 Zena Technologies, Inc. Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits
US8384007B2 (en) 2009-10-07 2013-02-26 Zena Technologies, Inc. Nano wire based passive pixel image sensor
US8835831B2 (en) 2010-06-22 2014-09-16 Zena Technologies, Inc. Polarized light detecting device and fabrication methods of the same
US9343490B2 (en) 2013-08-09 2016-05-17 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same
US8269985B2 (en) 2009-05-26 2012-09-18 Zena Technologies, Inc. Determination of optimal diameters for nanowires
US8507840B2 (en) * 2010-12-21 2013-08-13 Zena Technologies, Inc. Vertically structured passive pixel arrays and methods for fabricating the same
US20100230583A1 (en) * 2008-11-06 2010-09-16 Sony Corporation Solid state image pickup device, method of manufacturing the same, image pickup device, and electronic device
JP5262823B2 (ja) 2009-02-23 2013-08-14 ソニー株式会社 固体撮像装置および電子機器
JP5631176B2 (ja) * 2010-11-29 2014-11-26 キヤノン株式会社 固体撮像素子及びカメラ
US8742309B2 (en) 2011-01-28 2014-06-03 Aptina Imaging Corporation Imagers with depth sensing capabilities
US10015471B2 (en) * 2011-08-12 2018-07-03 Semiconductor Components Industries, Llc Asymmetric angular response pixels for single sensor stereo
US9554115B2 (en) 2012-02-27 2017-01-24 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging pixels with depth sensing capabilities
JP6125878B2 (ja) * 2013-04-01 2017-05-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置および電子機器
US9293488B2 (en) * 2014-05-07 2016-03-22 Visera Technologies Company Limited Image sensing device
CN109387915A (zh) * 2017-08-14 2019-02-26 宁波舜宇光电信息有限公司 成像组件及其制作方法以及模塑模具、摄像模组和智能终端
TW202144856A (zh) * 2020-05-19 2021-12-01 雅得近顯股份有限公司 近眼顯示裝置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960000223B1 (ko) * 1990-11-16 1996-01-03 가부시키가이샤 도시바 고체촬상장치 및 그 제조방법
JPH05235313A (ja) 1992-02-25 1993-09-10 Sony Corp 受光素子
JPH05273495A (ja) * 1992-03-27 1993-10-22 Mitsubishi Rayon Co Ltd レンズアレイ
JP2833941B2 (ja) * 1992-10-09 1998-12-09 三菱電機株式会社 固体撮像装置とその製造方法
JP2869280B2 (ja) 1993-01-27 1999-03-10 シャープ株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP2917920B2 (ja) * 1996-06-27 1999-07-12 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US6489624B1 (en) * 1997-07-18 2002-12-03 Nikon Corporation Apparatus and methods for detecting thickness of a patterned layer
JP2003229553A (ja) * 2002-02-05 2003-08-15 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
US7119319B2 (en) * 2004-04-08 2006-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image sensing element and its design support method, and image sensing device
US7427798B2 (en) * 2004-07-08 2008-09-23 Micron Technology, Inc. Photonic crystal-based lens elements for use in an image sensor

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8872086B2 (en) 2007-10-03 2014-10-28 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and imaging system
JP2010087039A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2013508964A (ja) * 2009-10-21 2013-03-07 ナム タイ,ヒョク 色最適化イメージセンサー
JP2011222827A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Canon Inc 固体撮像素子
US8817162B2 (en) 2010-04-12 2014-08-26 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device with optical waveguide and blocking member
EP2487715A2 (en) 2011-02-09 2012-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device and method for manufacturing solid-state image pickup device
US9224777B2 (en) 2011-02-09 2015-12-29 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device and method for manufacturing solid-state image pickup device

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