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JP2005108471A - Contact mechanism device and method for manufacturing it - Google Patents

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JP2005108471A
JP2005108471A JP2003336675A JP2003336675A JP2005108471A JP 2005108471 A JP2005108471 A JP 2005108471A JP 2003336675 A JP2003336675 A JP 2003336675A JP 2003336675 A JP2003336675 A JP 2003336675A JP 2005108471 A JP2005108471 A JP 2005108471A
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Japan
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mechanism device
contact mechanism
contact
protecting
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JP2003336675A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyasu Torasawa
裕康 虎澤
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Oki Sensor Device Corp
Original Assignee
Oki Sensor Device Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contact mechanism device with a thin package, and a method for manufacturing the contact mechanism device. <P>SOLUTION: This device comprises the package formed by connecting an element forming substrate 35 having a contact element (switch element 25) formed thereon to an element protecting substrate 21 for protecting the contact element (switch element 25). The contact element (switch element 25) has magnetic bodies 26a and 28a, and the switching is performed by applying a magnetic field to the magnetic bodies 26a, 28a. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は接点機構デバイス及びその製造方法に関し、特にパッケージが薄型である接点機構デバイス及びこの接点機構デバイスを製造する方法に関する。   The present invention relates to a contact mechanism device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a contact mechanism device having a thin package and a method of manufacturing the contact mechanism device.

図9は、一般的な電子部品等のモールド型パッケージのパッケージング工程を示す図である。従来のモールド型パッケージは、電子部品や機構部品等の心臓部となる機能素子を保護するためにエポキシ系樹脂等で機能素子の周囲を固めるものである。
まず、シリコンウエハ等からなる基板1に素子2を形成し(図9(a))、スクライブ(傷を付けて割断すること)によって素子2を個片に分割する(図9(b))。そして、金属等からなるリードフレーム3に個片に分割された素子2をダイスボンディング(ダイボンディングとも呼ばれる)する(図9(c))。なお、リードフレーム3は樹脂や銅箔等からなるテープキャリアの場合もある。次に、素子2に形成された素子電極パット4とリードフレーム3に形成された外部接続端子5を、金等からなるワイヤ6で結線する(図9(d))。そして、リードフレーム3を金型8にセットしてエポキシ系樹脂9を金型8に注入し(図9(e))、エポキシ系樹脂9を硬化した後に金型8を外してモールドパッケージ10を形成する。その後、外部接続端子5を所定の形状にプレス加工することによってモールド型パッケージが完成する(図9(f))。
FIG. 9 is a diagram illustrating a packaging process of a mold-type package such as a general electronic component. A conventional mold type package is one in which the periphery of a functional element is hardened with an epoxy resin or the like in order to protect the functional element that becomes the heart of electronic parts and mechanical parts.
First, the element 2 is formed on the substrate 1 made of a silicon wafer or the like (FIG. 9A), and the element 2 is divided into individual pieces by scribing (scratching and dividing) (FIG. 9B). Then, the element 2 divided into pieces on the lead frame 3 made of metal or the like is die-bonded (also called die bonding) (FIG. 9C). The lead frame 3 may be a tape carrier made of resin, copper foil, or the like. Next, the element electrode pad 4 formed on the element 2 and the external connection terminal 5 formed on the lead frame 3 are connected by a wire 6 made of gold or the like (FIG. 9D). Then, the lead frame 3 is set in the mold 8 and the epoxy resin 9 is injected into the mold 8 (FIG. 9E). After the epoxy resin 9 is cured, the mold 8 is removed and the mold package 10 is removed. Form. Thereafter, the external connection terminal 5 is pressed into a predetermined shape to complete a mold package (FIG. 9F).

図10は、一般的な電子部品等のセラミック型パッケージのパッケージング工程を示す図である。従来のセラミック型パッケージは、機能素子をセラミックパッケージ及び蓋により保護するものである。
まず、上述のモールド型パッケージと同様にシリコンウエハ等からなる基板11に素子12を形成し(図10(a))、スクライブによって素子12を個片に分割する(図10(b))。そして、セラミックパッケージ13に個片に分割された素子12をダイスボンディングする(図10(c))。次に、素子12に形成された素子電極パット14と、セラミックパッケージに形成され外部接続端子に繋がる内部電極15をワイヤ16で結線する(図10(d))。そして、セラミック等からなる蓋17を接着剤18で接着し(図10(e))、セラミック型パッケージが完成する(図10(f))。
FIG. 10 is a diagram illustrating a packaging process of a ceramic type package such as a general electronic component. A conventional ceramic package protects a functional element with a ceramic package and a lid.
First, similarly to the above-described mold type package, the element 12 is formed on the substrate 11 made of a silicon wafer or the like (FIG. 10A), and the element 12 is divided into individual pieces by scribing (FIG. 10B). Then, the element 12 divided into individual pieces is die-bonded to the ceramic package 13 (FIG. 10C). Next, the element electrode pad 14 formed in the element 12 and the internal electrode 15 formed in the ceramic package and connected to the external connection terminal are connected by a wire 16 (FIG. 10D). Then, the lid 17 made of ceramic or the like is adhered with the adhesive 18 (FIG. 10E), and the ceramic type package is completed (FIG. 10F).

従来のモールド型パッケージでは、金型8を利用してエポキシ樹脂9により樹脂封止するため、リードフレーム3の上下のエポキシ樹脂9及びリードフレーム3の3層分の厚さが必要となり、1mm以下の厚さにパッケージを薄型化するのが困難であるという問題点があった。また、後述の本発明に係る接点機構デバイスにこのモールド型パッケージを適用する場合には、梁28の周囲を樹脂封止しないようにする必要があり、素子形成基板35と上下のエポキシ樹脂を合わせた厚み以上の厚さが必要なため薄型化が困難であるという問題点がある。   In the conventional mold type package, since the resin is sealed with the epoxy resin 9 using the mold 8, the thickness of the epoxy resin 9 above and below the lead frame 3 and the thickness of the three layers of the lead frame 3 is required. There is a problem that it is difficult to reduce the thickness of the package. In addition, when this mold type package is applied to a contact mechanism device according to the present invention described later, it is necessary to prevent the periphery of the beam 28 from being resin-sealed. Therefore, there is a problem that it is difficult to reduce the thickness.

また従来のセラミック型パッケージでは、セラミックパッケージ13の素子12を収納する空洞部に、素子12とワイヤ16が収納できる厚さが必要であり、モールド型パッケージと同様に1mm以下の厚さにパッケージを薄型化するのが困難であるという問題点があった。また、後述の本発明に係る接点機構デバイスにこのセラミック型パッケージを適用する場合には、ワイヤを収納できる厚みの余裕が必要となり薄型化が困難であるという問題点がある。   Further, in the conventional ceramic type package, it is necessary to have a thickness capable of accommodating the element 12 and the wire 16 in the cavity portion for accommodating the element 12 of the ceramic package 13. There was a problem that it was difficult to reduce the thickness. In addition, when this ceramic type package is applied to a contact mechanism device according to the present invention to be described later, there is a problem that it is difficult to reduce the thickness because a sufficient thickness is required to accommodate the wire.

本発明に係る接点機構デバイスは、接点素子が形成された素子形成基板と、接点素子を保護するための素子保護用基板を接合することによりパッケージが形成されているものである。
接点素子が形成された素子形成基板と、接点素子を保護するための素子保護用基板を接合してパッケージを形成するため、素子形成基板と素子保護用基板の2層分の厚さでパッケージを形成することができ、1mm以下の薄型化が可能となる。
The contact mechanism device according to the present invention is such that a package is formed by joining an element forming substrate on which a contact element is formed and an element protection substrate for protecting the contact element.
In order to form a package by bonding an element formation substrate on which contact elements are formed and an element protection substrate for protecting the contact elements, the package is formed with a thickness corresponding to two layers of the element formation substrate and the element protection substrate. It can be formed, and a thickness of 1 mm or less can be achieved.

また本発明に係る接点機構デバイスは、上記の接点素子が磁性体を有し、該磁性体に磁場を印加することによりスイッチングが行われるものである。
接点素子に設けられた磁性体に磁場を印加して、接点素子の2つの電極を導通させることにより微小な磁場で高感度のスイッチングが可能となる。
In the contact mechanism device according to the present invention, the contact element has a magnetic body, and switching is performed by applying a magnetic field to the magnetic body.
By applying a magnetic field to the magnetic body provided in the contact element and making the two electrodes of the contact element conductive, highly sensitive switching can be performed with a very small magnetic field.

実施形態1.
図1及び図2は、本発明の実施形態1に係る接点機構デバイスの製造工程を示す斜視図である。なお図1及び図2では、1つの接点機構デバイスとなる部分(点線に囲まれた部分)とその周辺部を図示しているが、一般的には1組の素子形成用基板21及び素子保護用基板30(後述する)から複数の接点素子デバイスが作成される。
図1(a)に示すように、素子形成用基板21には表面から裏面に貫通するスルーホール22が形成されており、素子形成用基板21の表面、裏面及びスルーホール22の側面には金属膜が張られている。次に、この素子形成用基板21にフォトリソグラフィーによってレジストパターンを形成し、所定の位置をメッキ処理して他の不要な部分をエッチング処理により除去する。このメッキ処理及びエッチング処理を繰り返すことにより金属膜を積層して、図1(b)に示すようにスイッチ素子25を形成する。
Embodiment 1. FIG.
1 and 2 are perspective views showing manufacturing steps of the contact mechanism device according to Embodiment 1 of the present invention. 1 and FIG. 2 show a portion (a portion surrounded by a dotted line) that becomes one contact mechanism device and its peripheral portion, but in general, a set of element forming substrate 21 and element protection A plurality of contact element devices are created from the substrate 30 (described later).
As shown in FIG. 1A, through holes 22 that penetrate from the front surface to the back surface are formed in the element forming substrate 21, and metal is formed on the front and back surfaces of the element forming substrate 21 and the side surfaces of the through holes 22. The membrane is stretched. Next, a resist pattern is formed on the element forming substrate 21 by photolithography, plating is performed at a predetermined position, and other unnecessary portions are removed by etching. By repeating the plating process and the etching process, the metal films are laminated to form the switch element 25 as shown in FIG.

スイッチ素子25は、素子電極26、素子電極27及び梁28からなり、素子電極26及び素子電極27は、金属膜又は金属メッキで別々のスルーホール22に接続されている。また上記のメッキ処理及びエッチング処理の際に、素子形成用基板21の裏面には外部接続電極29を形成するようにし、素子形成用基板21の裏面のその他の部分の金属膜は除去するようにする。この外部接続電極29は、スルーホール22の側面に張られた金属膜と電気的に導通しており、結果的にそれぞれの外部接続電極29は素子電極26及び素子電極27と電気的に接続されることとなる。なお上述のスイッチ素子25の形成の際に、後述する磁性体26a及び磁性体28aが、素子電極26及び梁28に内蔵されるようにする(図3参照)。   The switch element 25 includes an element electrode 26, an element electrode 27, and a beam 28. The element electrode 26 and the element electrode 27 are connected to separate through holes 22 by a metal film or metal plating. Further, during the plating process and the etching process, the external connection electrode 29 is formed on the back surface of the element forming substrate 21 and the metal film on the other part of the back surface of the element forming substrate 21 is removed. To do. The external connection electrode 29 is electrically connected to the metal film stretched on the side surface of the through hole 22, and as a result, each external connection electrode 29 is electrically connected to the element electrode 26 and the element electrode 27. The Rukoto. When forming the switch element 25 described above, a magnetic body 26a and a magnetic body 28a described later are incorporated in the element electrode 26 and the beam 28 (see FIG. 3).

図2は、図1の接点機構デバイスの製造工程の続きの製造工程を示した図である。図2(a)に示すように、素子保護用基板30には凹部31が形成されており、この凹部31にスイッチ素子25が収納されることによりスイッチ素子25が外部環境から保護される。この凹部31は、例えば素子保護用基板30をエッチングすることにより形成する。この素子保護用基板30の凹部31の形成されている側の表面に接着剤を塗布し、スイッチ素子25の形成された素子形成用基板21と接合して接合基板32を形成する(図2(b))。なお図2(b)では、素子保護用基板30を透明にして示している。この接着剤は絶縁性のものであり、素子保護用基板21の接触面に数十μm〜数百μmの厚さで塗布する。また、この接着剤は凹部31の部分には塗布しないようにする。
なお接着剤による接合ではなく、陽極接合等によって素子形成用基板21と素子保護用基板30を接合してもよい。
FIG. 2 is a view showing a manufacturing process subsequent to the manufacturing process of the contact mechanism device of FIG. As shown in FIG. 2A, a recess 31 is formed in the element protection substrate 30. By storing the switch element 25 in the recess 31, the switch element 25 is protected from the external environment. The recess 31 is formed, for example, by etching the element protection substrate 30. An adhesive is applied to the surface of the element protection substrate 30 on which the concave portion 31 is formed, and is bonded to the element formation substrate 21 on which the switch element 25 is formed to form a bonded substrate 32 (FIG. 2 ( b)). In FIG. 2B, the element protection substrate 30 is shown transparent. This adhesive is insulative and is applied to the contact surface of the element protection substrate 21 with a thickness of several tens of μm to several hundreds of μm. Further, this adhesive is not applied to the concave portion 31.
The element forming substrate 21 and the element protecting substrate 30 may be bonded by anodic bonding or the like instead of bonding by an adhesive.

次に、スイッチ素子25が凹部25で覆われるように接合された接合基板32を、スクライブ処理(傷を付けて割断すること)によって個片に分離して接点機構デバイスのパッケージが完成する(図3参照)。
なお接着剤の塗布の際に、スクライブライン33の部分に接着剤を塗布しないようにし、スクライブ処理の際に接着剤層をスクライブしないようにすることができる。この接着剤を塗布しない部分は、一般的なスクライブライン幅である100μm程度にすればよい。これにより、硬化後の接着剤層にチッピング(破片の散乱)やクラック(基板の欠陥)が発生するのを防止することができる。このスクライブラインの部分に接着剤を塗布しないようにする方法は、後の実施形態2にも同様に適用できる。
Next, the bonding substrate 32 bonded so that the switch element 25 is covered with the recess 25 is separated into individual pieces by scribing (scratching and cleaving) to complete the package of the contact mechanism device (see FIG. 3).
It is possible to prevent the adhesive from being applied to the portion of the scribe line 33 when applying the adhesive, and not to scribe the adhesive layer during the scribing process. The portion where the adhesive is not applied may be about 100 μm which is a general scribe line width. Thereby, it can prevent that a chipping (scattering of a fragment) and a crack (defect of a board | substrate) generate | occur | produce in the adhesive bond layer after hardening. This method of preventing the adhesive from being applied to the scribe line portion can be similarly applied to the second embodiment.

図3は、完成した(パッケージングの終了した)接点機構デバイスの縦断面図である。なお本実施形態1では、複数のスイッチ素子25が形成された基板を素子形成用基板21と称し、スクライブ処理等によって1つのスイッチ素子25が搭載されている状態の基板を素子形成基板35と称している。なお、この呼称は後の実施形態2及び実施形態3においても使用する。
上述の製造工程で作成された接点機構デバイスは、スイッチ素子25(接点素子)が形成された素子形成基板35と、素子保護用基板21が接合されたパッケージ構造となっている。また、素子電極26の内部又は上面にはニッケル等からなる磁性体26aが内蔵されており、梁28の内部又は下面にもニッケル等からなる磁性体28aが内蔵されている。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the completed contact mechanism device (packaging completed). In the first embodiment, a substrate on which a plurality of switch elements 25 are formed is referred to as an element forming substrate 21, and a substrate on which one switch element 25 is mounted by scribing or the like is referred to as an element forming substrate 35. ing. This designation is also used in the second and third embodiments later.
The contact mechanism device created in the above manufacturing process has a package structure in which the element forming substrate 35 on which the switch element 25 (contact element) is formed and the element protection substrate 21 are joined. A magnetic body 26a made of nickel or the like is built in the element electrode 26 or on the upper surface, and a magnetic body 28a made of nickel or the like is also built in or on the lower surface of the beam 28.

素子電極26、素子電極27及び梁28は、磁性体26a及び磁性体28aの部分を除いて金等の金属から形成されている。梁28は素子電極27に取付けられており、素子電極26とは多少の空隙を保った状態で配置されている。スイッチ素子25に外部から磁場をかけると、例えば磁性体26aがN極となり磁性体28aがS極となるようになっており、互いに引き合うようになっている。そして梁28が湾曲して素子電極26と接触することにより、素子電極26と素子電極27が導通した状態となる。このときに素子電極26と素子電極27の間に電圧が印加されていれば、これらの電極間に電流が流れ、結果的に素子電極26及び素子電極27に導通している外部接続電極29の間に電流が流れることとなる。   The element electrode 26, the element electrode 27, and the beam 28 are made of a metal such as gold except for the magnetic body 26a and the magnetic body 28a. The beam 28 is attached to the element electrode 27, and is arranged in a state of maintaining a slight gap from the element electrode 26. When a magnetic field is applied to the switch element 25 from the outside, for example, the magnetic body 26a becomes an N pole and the magnetic body 28a becomes an S pole, and attracts each other. The beam 28 is curved and comes into contact with the element electrode 26, whereby the element electrode 26 and the element electrode 27 become conductive. At this time, if a voltage is applied between the element electrode 26 and the element electrode 27, a current flows between these electrodes, and as a result, the external connection electrode 29 connected to the element electrode 26 and the element electrode 27. Current will flow between them.

スイッチ素子25に印加された磁場を除去すると、磁性体26a及び磁性体28aの磁化がなくなり、磁性体26a及び磁性体28aが引き合わなくなる。このため梁28が元の状態に戻り、素子電極26と梁28が導通しなくなって、外部接続電極29の間に電流が流れなくなる。このようにして、外部からの磁場によってスイッチ素子25のスイッチング(ON・OFF動作)が行われる。   When the magnetic field applied to the switch element 25 is removed, the magnetization of the magnetic body 26a and the magnetic body 28a disappears, and the magnetic body 26a and the magnetic body 28a do not attract each other. For this reason, the beam 28 returns to the original state, the element electrode 26 and the beam 28 do not conduct, and no current flows between the external connection electrodes 29. In this manner, the switching element 25 is switched (ON / OFF operation) by the magnetic field from the outside.

本実施形態1では、スイッチ素子25が形成された素子形成用基板21と、スイッチ素子25を保護するための素子保護用基板30を接合してパッケージを形成するため、素子形成基板21と素子保護用基板30の2層分の厚さでパッケージを形成することができ、接点機構デバイスを1mm以下に薄型化することが可能となる。
また、スイッチ素子25に設けられた磁性体26a、磁性体28aに磁場を印加して、スイッチ素子25の2つの電極を導通させることにより微小な磁場で高感度のスイッチングが可能となる。
In the first embodiment, the element formation substrate 21 on which the switch element 25 is formed and the element protection substrate 30 for protecting the switch element 25 are joined to form a package. The package can be formed with a thickness corresponding to two layers of the substrate 30 for use, and the contact mechanism device can be thinned to 1 mm or less.
Further, by applying a magnetic field to the magnetic body 26a and the magnetic body 28a provided in the switch element 25 and making the two electrodes of the switch element 25 conductive, highly sensitive switching can be performed with a very small magnetic field.

さらにスイッチ素子25は金属膜を積層することにより形成されているため、容易に形成することができる。また、外部接続電極29が素子形成基板21の裏面に形成されスルーホール22によって電気的に導通されているため、ワイヤ等を設ける必要がなく、更に接点機構デバイスの薄型化が可能となる。
またスルーホール22は、スクライブ処理で接点機構デバイスが個片に分離された際に、外部接続電極29に凹状のくぼみを形成するため、外部接続電極29にハンダ等を塗布して接点機構デバイスを実装する際に、アンカーホール効果によって接合強度を向上させることができる。
Furthermore, since the switch element 25 is formed by laminating metal films, it can be easily formed. In addition, since the external connection electrode 29 is formed on the back surface of the element formation substrate 21 and is electrically connected by the through hole 22, it is not necessary to provide a wire or the like, and the contact mechanism device can be made thinner.
In addition, when the contact mechanism device is separated into individual pieces by the scribing process, the through hole 22 forms a concave recess in the external connection electrode 29. When mounting, the joint strength can be improved by the anchor hole effect.

なお、素子形成用基板21や素子保護用基板30は、ホウ珪酸ガラス等のガラス基板、セラミック基板又はシリコン基板から形成することができる。例えば、素子形成用基板21及び素子保護用基板30をセラミック基板から形成すれば、上述のセラミック型パッケージと同等の強度が得られる。また、素子形成用基板21をシリコン基板から形成し、素子保護用基板30をホウ珪酸ガラスからなるガラス基板から形成すれば、両基板を陽極接合により容易に接合することができる。素子形成用基板21や素子保護用基板30の材質については、後述の実施形態2及び実施形態3についても同様である。   The element forming substrate 21 and the element protecting substrate 30 can be formed from a glass substrate such as borosilicate glass, a ceramic substrate, or a silicon substrate. For example, if the element forming substrate 21 and the element protecting substrate 30 are formed from a ceramic substrate, the same strength as the above ceramic package can be obtained. Further, if the element forming substrate 21 is formed from a silicon substrate and the element protecting substrate 30 is formed from a glass substrate made of borosilicate glass, both substrates can be easily bonded by anodic bonding. The material of the element formation substrate 21 and the element protection substrate 30 is the same in the second and third embodiments described later.

実施形態2.
図4及び図5は、本発明の実施形態2に係る接点機構デバイスの製造工程を示す斜視図である。なお本実施形態2に係る接点機構デバイスの製造方法は、素子保護用基板30にスルーホール40が形成されており、素子形成用基板21にはスルーホールが設けられていない。その代わりに、実施形態1においてスルーホール22が形成されていた部分に追加電極26a、追加電極27aが設けられている(後述する)。その他の部分については実施形態1の接点機構デバイスの製造方法と同様であり、同じ部分については実施形態1と同じ符号を付して説明する。
Embodiment 2. FIG.
4 and 5 are perspective views showing manufacturing steps of the contact mechanism device according to the second embodiment of the present invention. In the method for manufacturing the contact mechanism device according to the second embodiment, the through hole 40 is formed in the element protection substrate 30, and the through hole is not provided in the element formation substrate 21. Instead, an additional electrode 26a and an additional electrode 27a are provided in a portion where the through hole 22 is formed in the first embodiment (described later). Other parts are the same as those in the method of manufacturing the contact mechanism device of the first embodiment, and the same parts are described with the same reference numerals as those of the first embodiment.

図4(a)に示すように、素子保護用基板30には表面から裏面に貫通するスルーホール40が設けられており、実施形態1と同様にスイッチ素子25を保護するための凹部31が形成されている。また、スルーホール40の周囲とスルーホールの側面には金属膜が張られている。この素子保護用基板30の凹部31が形成されている反対側の面に、メッキ処理等によって外部接続電極41を形成する。そして、素子保護用基板30の凹部31が形成されている側の面のスルーホール40の周辺部40aを金属メッキ等でメッキ処理し、周辺部40aが外部接続電極41と電気的に導通された状態にする。またこの周辺部40aの周囲に導電性接着剤42を塗布し、その他の部分に絶縁性接着剤43を塗布しておく(図4(b))。なお、導電性接着剤42と絶縁性接着剤43は実施形態1と同様に、数十μm〜数百μmの厚さで塗布するようにする。   As shown in FIG. 4A, the element protection substrate 30 is provided with a through hole 40 penetrating from the front surface to the back surface, and a recess 31 for protecting the switch element 25 is formed as in the first embodiment. Has been. A metal film is stretched around the through hole 40 and on the side surface of the through hole. External connection electrodes 41 are formed on the opposite surface of the element protection substrate 30 where the recesses 31 are formed by plating or the like. Then, the peripheral portion 40a of the through hole 40 on the surface where the concave portion 31 of the element protection substrate 30 is formed is plated with metal plating or the like, and the peripheral portion 40a is electrically connected to the external connection electrode 41. Put it in a state. Further, a conductive adhesive 42 is applied around the peripheral portion 40a, and an insulating adhesive 43 is applied to the other portions (FIG. 4B). The conductive adhesive 42 and the insulating adhesive 43 are applied with a thickness of several tens to several hundreds of μm, as in the first embodiment.

図5は、図4の接点機構デバイスの製造工程の続きの製造工程を示した図である。実施形態1と同様に素子形成用基板21には、メッキ処理及びエッチング処理によってスイッチ素子25が形成されている。但し、実施形態1でスルーホール22のあった部分には追加電極26a、追加電極27aが形成され、それぞれ素子電極26、素子電極27と電気的に導通するようになっている。そして、凹部31がスイッチ素子25を覆い、またスルーホール40と追加電極26a及び追加電極27aが接続されるように両基板を接合する(図5(a))。これにより、接合基板32を形成し(図5(b))、この接合基板32をスクライブ処理することによって、接点機構デバイスが完成する。なお、図5(b)では素子保護用基板30の部分を透明にして示している。   FIG. 5 is a view showing a manufacturing process subsequent to the manufacturing process of the contact mechanism device of FIG. As in the first embodiment, the switch element 25 is formed on the element forming substrate 21 by plating and etching. However, the additional electrode 26a and the additional electrode 27a are formed in the portion where the through hole 22 is present in the first embodiment, and are electrically connected to the element electrode 26 and the element electrode 27, respectively. Then, both the substrates are joined so that the recess 31 covers the switch element 25 and the through hole 40 and the additional electrode 26a and the additional electrode 27a are connected (FIG. 5A). Thereby, the bonding substrate 32 is formed (FIG. 5B), and the bonding mechanism device is completed by scribing the bonding substrate 32. In FIG. 5B, the element protection substrate 30 is shown transparent.

本実施形態2に係る接点機構デバイスの動作は、実施形態1に係る接点機構デバイスと同様である。また本実施形態2に係る接点機構デバイス及びその製造方法の効果も実施形態1のものと同様である。   The operation of the contact mechanism device according to the second embodiment is the same as that of the contact mechanism device according to the first embodiment. The effects of the contact mechanism device and the manufacturing method thereof according to the second embodiment are the same as those of the first embodiment.

実施形態3.
図6及び図7は、本発明の実施形態2に係る接点機構デバイスの製造工程を示す斜視図である。なお、本実施形態3に係る接点機構デバイスの完成品は実施形態2のものと同様であるが、製造方法が異なる。実施形態2と同じ部分については実施形態2と同じ符号を付して説明する。
まず、図6(a)に示すように実施形態2の図4(b)と同様の処理を行った素子保護用基板30を準備する。なお、図6(a)の時点では接着剤は塗布していない。また、図6(b)に示すように、実施形態2の図5(a)と同様のスイッチ素子25の形成された素子形成基板21を準備する。
Embodiment 3. FIG.
6 and 7 are perspective views showing manufacturing steps of the contact mechanism device according to Embodiment 2 of the present invention. The completed contact mechanism device according to the third embodiment is the same as that of the second embodiment, but the manufacturing method is different. The same parts as those in the second embodiment will be described with the same reference numerals as those in the second embodiment.
First, as shown in FIG. 6A, an element protection substrate 30 that has been processed in the same manner as in FIG. 4B of the second embodiment is prepared. In addition, the adhesive agent is not apply | coated at the time of Fig.6 (a). Further, as shown in FIG. 6B, an element forming substrate 21 on which the same switch element 25 as that of FIG. 5A of the second embodiment is formed is prepared.

次に、素子保護用基板30をダイシングソー、レーザー光等で切断し、1つの接点機構デバイスに対応した個片に分割する。また、素子形成用基板21もダイシングソー、レーザー光等で切断し、1つの接点機構デバイスに対応した素子形成基板50に分割する。そして実施形態2と同様に、個片に分離された素子保護用基板30の接着面の、スルーホール40の周囲に導電性接着剤51を塗布し、その他の部分に絶縁性接着剤52を塗布する。その後、個片に分離された素子保護用基板30と素子形成基板50を、実施形態2と同様に接合する(図7)。そして、図8に示すような接点機構デバイスが完成する。なお、図8では個片に分離された素子保護用基板30を透明にして示している。   Next, the element protection substrate 30 is cut with a dicing saw, laser light, or the like, and divided into individual pieces corresponding to one contact mechanism device. The element forming substrate 21 is also cut with a dicing saw, laser light, or the like, and divided into element forming substrates 50 corresponding to one contact mechanism device. In the same manner as in the second embodiment, the conductive adhesive 51 is applied around the through hole 40 on the bonding surface of the element protection substrate 30 separated into individual pieces, and the insulating adhesive 52 is applied to other portions. To do. Thereafter, the element protection substrate 30 and the element formation substrate 50 separated into individual pieces are bonded in the same manner as in the second embodiment (FIG. 7). Then, the contact mechanism device as shown in FIG. 8 is completed. In FIG. 8, the element protection substrate 30 separated into individual pieces is shown transparent.

本実施形態3に係る接点機構デバイスの動作は、実施形態2に係る接点機構デバイスと同様である。また本実施形態3に係る接点機構デバイスの効果も実施形態2のものと同様である。
本実施形態3に係る接点機構デバイスの製造方法では、素子保護用基板30を個片に分離して使用しているため、素子形成用基板21のスイッチ素子25の歩留りに左右されることがなく、素子保護用基板30の無駄を低減することが可能となる。
The operation of the contact mechanism device according to the third embodiment is the same as that of the contact mechanism device according to the second embodiment. The effect of the contact mechanism device according to the third embodiment is the same as that of the second embodiment.
In the manufacturing method of the contact mechanism device according to the third embodiment, the element protection substrate 30 is used by being separated into individual pieces, so that it is not affected by the yield of the switch elements 25 of the element formation substrate 21. It is possible to reduce the waste of the element protection substrate 30.

実施形態4.
実施形態1、実施形態2又は実施形態3において、素子形成用基板21又は素子保護用基板30にホウ珪酸ガラスからなるガラス基板等を使用した場合には、素子形成用基板21又は素子形成基板50と素子保護用基板30を接合する際にレーザー光や赤外線ランプを使用して加熱融着することができる。これにより、両基板の密着度が向上し、接合強度を高めることができる。
なお、実施形態1のような接点機構デバイスを製造するときにも、素子形成用基板21と素子保護用基板30を1つの接点機構デバイスに対応した個片に分離した後に接合してもよい。
Embodiment 4 FIG.
In the first embodiment, the second embodiment, or the third embodiment, when a glass substrate made of borosilicate glass or the like is used for the element forming substrate 21 or the element protecting substrate 30, the element forming substrate 21 or the element forming substrate 50 is used. When the element protection substrate 30 is bonded, it can be heat-sealed using a laser beam or an infrared lamp. Thereby, the adhesion degree of both board | substrates improves and joining strength can be raised.
When manufacturing the contact mechanism device as in the first embodiment, the element forming substrate 21 and the element protection substrate 30 may be separated after being separated into individual pieces corresponding to one contact mechanism device.

本発明の実施形態1に係る接点機構デバイスの製造工程を示す斜視図。The perspective view which shows the manufacturing process of the contact mechanism device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 図1の接点機構デバイスの製造工程の続きの製造工程を示した図。The figure which showed the manufacturing process of the continuation of the manufacturing process of the contact mechanism device of FIG. 本発明の実施形態1に係る接点機構デバイスの縦断面図。The longitudinal cross-sectional view of the contact mechanism device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態2に係る接点機構デバイスの製造工程を示す斜視図。The perspective view which shows the manufacturing process of the contact mechanism device which concerns on Embodiment 2 of this invention. 図4の接点機構デバイスの製造工程の続きの製造工程を示した図。The figure which showed the manufacturing process of the continuation of the manufacturing process of the contact mechanism device of FIG. 本発明の実施形態2に係る接点機構デバイスの製造工程を示す斜視図。The perspective view which shows the manufacturing process of the contact mechanism device which concerns on Embodiment 2 of this invention. 図6の接点機構デバイスの製造工程の続きの製造工程を示した図。The figure which showed the manufacturing process of the continuation of the manufacturing process of the contact mechanism device of FIG. 本発明の実施形態3に係る接点機構デバイスの斜視図。The perspective view of the contact mechanism device which concerns on Embodiment 3 of this invention. 従来のモールド型パッケージのパッケージング工程を示す図。The figure which shows the packaging process of the conventional mold type package. 従来のセラミック型パッケージのパッケージング工程を示す図。The figure which shows the packaging process of the conventional ceramic type package.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板、2 素子、3 リードフレーム、4 素子電極パット、5 外部接続電極、6 ワイヤ、8 金型、9 エポキシ系樹脂、10 モールドパッケージ、11 基板、12 素子、14 素子電極パット、15 内部電極、16 ワイヤ、17 蓋、18 接着剤、21 素子形成用基板、22 スルーホール、25 スイッチ素子、26 素子電極、27 素子電極、28 梁、29 外部接続電極、30 素子保護用基板、31 凹部、32 接合基板、33 スクライブライン、35 素子形成基板、40 スルーホール、41 外部接続電極、42 導電性接着剤、43 絶縁性接着剤、50 素子形成基板。
1 substrate, 2 elements, 3 lead frame, 4 element electrode pad, 5 external connection electrode, 6 wire, 8 mold, 9 epoxy resin, 10 mold package, 11 substrate, 12 element, 14 element electrode pad, 15 internal electrode , 16 wire, 17 lid, 18 adhesive, 21 element forming substrate, 22 through hole, 25 switch element, 26 element electrode, 27 element electrode, 28 beam, 29 external connection electrode, 30 element protecting substrate, 31 recess, 32 bonding substrate, 33 scribe line, 35 element forming substrate, 40 through hole, 41 external connection electrode, 42 conductive adhesive, 43 insulating adhesive, 50 element forming substrate.

Claims (16)

接点素子が形成された素子形成基板と、前記接点素子を保護するための素子保護用基板を接合することによりパッケージが形成されていることを特徴とする接点機構デバイス。   A contact mechanism device, wherein a package is formed by bonding an element forming substrate on which a contact element is formed and an element protection substrate for protecting the contact element. 前記接点素子は磁性体を有し、該磁性体に磁場を印加することによりスイッチングが行われることを特徴とする請求項1記載の接点機構デバイス。   The contact mechanism device according to claim 1, wherein the contact element has a magnetic body, and switching is performed by applying a magnetic field to the magnetic body. 前記接点素子が、金属膜を積層することにより形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の接点機構デバイス。   The contact mechanism device according to claim 1, wherein the contact element is formed by laminating metal films. 前記素子形成基板の、前記接点素子が形成される面の反対側の面に外部接続電極が形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の接点機構デバイス。   The contact mechanism device according to claim 1, wherein an external connection electrode is formed on a surface of the element forming substrate opposite to a surface on which the contact element is formed. 前記素子形成基板に、前記外部接続電極と電気的に導通しているスルーホールが形成されていることを特徴とする請求項4記載の接点機構デバイス。   The contact mechanism device according to claim 4, wherein a through hole electrically connected to the external connection electrode is formed in the element formation substrate. 前記素子保護用基板に、外部接続電極が形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の接点機構デバイス。   The contact mechanism device according to claim 1, wherein an external connection electrode is formed on the element protection substrate. 前記素子保護用基板に、前記外部接続電極と電気的に導通しているスルーホールが形成されていることを特徴とする請求項6記載の接点機構デバイス。   The contact mechanism device according to claim 6, wherein a through hole electrically connected to the external connection electrode is formed in the element protection substrate. 前記外部接続電極が、メッキ処理によって形成されていることを特徴とする請求項4〜7のいずれかに記載の接点機構デバイス。   The contact mechanism device according to claim 4, wherein the external connection electrode is formed by plating. 前記素子形成基板及び/又は前記素子保護用基板が、ガラス基板から形成されることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の接点機構デバイス。   The contact mechanism device according to claim 1, wherein the element formation substrate and / or the element protection substrate is formed from a glass substrate. 前記素子形成基板及び/又は前記素子保護用基板が、セラミック基板から形成されることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の接点機構デバイス。   The contact mechanism device according to claim 1, wherein the element formation substrate and / or the element protection substrate is formed from a ceramic substrate. 前記素子形成基板及び/又は前記素子保護用基板が、シリコン基板から形成されることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の接点機構デバイス。   The contact mechanism device according to claim 1, wherein the element formation substrate and / or the element protection substrate is formed from a silicon substrate. 1又は複数の接点素子が形成される素子形成用基板と、前記接点素子を保護するための素子保護用基板を接合して接合基板を形成し、該接合基板を切断してパッケージを形成することを特徴とする接点機構デバイスの製造方法。   Bonding an element forming substrate on which one or a plurality of contact elements are formed and an element protecting substrate for protecting the contact elements to form a bonded substrate, and cutting the bonded substrate to form a package; A method of manufacturing a contact mechanism device characterized by the above. 前記素子形成用基板と前記素子保護用基板を加熱融着により接合することを特徴とする請求項12記載の接点機構デバイスの製造方法。   13. The method for manufacturing a contact mechanism device according to claim 12, wherein the element forming substrate and the element protecting substrate are bonded by heat fusion. 1又は複数の接点素子が形成される素子形成用基板を切断して素子形成基板を切り出し、前記素子保護用基板と前記接点素子を保護するための素子保護用基板を接合することによりパッケージを形成することを特徴とする接点機構デバイスの製造方法。   A device forming substrate on which one or a plurality of contact elements are formed is cut to cut out the element forming substrate, and a package is formed by joining the element protecting substrate and an element protecting substrate for protecting the contact elements. A method for manufacturing a contact mechanism device. 前記素子形成基板と前記素子保護用基板を加熱融着により接合することを特徴とする請求項14記載の接点機構デバイスの製造方法。   The method for manufacturing a contact mechanism device according to claim 14, wherein the element forming substrate and the element protection substrate are bonded by heat fusion. 前記接点素子は磁性体を有し、該磁性体に磁場を印加することによりスイッチングを行うことを特徴とする請求項12〜15のいずれかに記載の接点機構デバイスの製造方法。
The method of manufacturing a contact mechanism device according to claim 12, wherein the contact element includes a magnetic body, and switching is performed by applying a magnetic field to the magnetic body.
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