JP2005108471A - Contact mechanism device and method for manufacturing it - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は接点機構デバイス及びその製造方法に関し、特にパッケージが薄型である接点機構デバイス及びこの接点機構デバイスを製造する方法に関する。 The present invention relates to a contact mechanism device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a contact mechanism device having a thin package and a method of manufacturing the contact mechanism device.
図9は、一般的な電子部品等のモールド型パッケージのパッケージング工程を示す図である。従来のモールド型パッケージは、電子部品や機構部品等の心臓部となる機能素子を保護するためにエポキシ系樹脂等で機能素子の周囲を固めるものである。
まず、シリコンウエハ等からなる基板1に素子2を形成し(図9(a))、スクライブ(傷を付けて割断すること)によって素子2を個片に分割する(図9(b))。そして、金属等からなるリードフレーム3に個片に分割された素子2をダイスボンディング(ダイボンディングとも呼ばれる)する(図9(c))。なお、リードフレーム3は樹脂や銅箔等からなるテープキャリアの場合もある。次に、素子2に形成された素子電極パット4とリードフレーム3に形成された外部接続端子5を、金等からなるワイヤ6で結線する(図9(d))。そして、リードフレーム3を金型8にセットしてエポキシ系樹脂9を金型8に注入し(図9(e))、エポキシ系樹脂9を硬化した後に金型8を外してモールドパッケージ10を形成する。その後、外部接続端子5を所定の形状にプレス加工することによってモールド型パッケージが完成する(図9(f))。
FIG. 9 is a diagram illustrating a packaging process of a mold-type package such as a general electronic component. A conventional mold type package is one in which the periphery of a functional element is hardened with an epoxy resin or the like in order to protect the functional element that becomes the heart of electronic parts and mechanical parts.
First, the
図10は、一般的な電子部品等のセラミック型パッケージのパッケージング工程を示す図である。従来のセラミック型パッケージは、機能素子をセラミックパッケージ及び蓋により保護するものである。
まず、上述のモールド型パッケージと同様にシリコンウエハ等からなる基板11に素子12を形成し(図10(a))、スクライブによって素子12を個片に分割する(図10(b))。そして、セラミックパッケージ13に個片に分割された素子12をダイスボンディングする(図10(c))。次に、素子12に形成された素子電極パット14と、セラミックパッケージに形成され外部接続端子に繋がる内部電極15をワイヤ16で結線する(図10(d))。そして、セラミック等からなる蓋17を接着剤18で接着し(図10(e))、セラミック型パッケージが完成する(図10(f))。
FIG. 10 is a diagram illustrating a packaging process of a ceramic type package such as a general electronic component. A conventional ceramic package protects a functional element with a ceramic package and a lid.
First, similarly to the above-described mold type package, the
従来のモールド型パッケージでは、金型8を利用してエポキシ樹脂9により樹脂封止するため、リードフレーム3の上下のエポキシ樹脂9及びリードフレーム3の3層分の厚さが必要となり、1mm以下の厚さにパッケージを薄型化するのが困難であるという問題点があった。また、後述の本発明に係る接点機構デバイスにこのモールド型パッケージを適用する場合には、梁28の周囲を樹脂封止しないようにする必要があり、素子形成基板35と上下のエポキシ樹脂を合わせた厚み以上の厚さが必要なため薄型化が困難であるという問題点がある。
In the conventional mold type package, since the resin is sealed with the
また従来のセラミック型パッケージでは、セラミックパッケージ13の素子12を収納する空洞部に、素子12とワイヤ16が収納できる厚さが必要であり、モールド型パッケージと同様に1mm以下の厚さにパッケージを薄型化するのが困難であるという問題点があった。また、後述の本発明に係る接点機構デバイスにこのセラミック型パッケージを適用する場合には、ワイヤを収納できる厚みの余裕が必要となり薄型化が困難であるという問題点がある。
Further, in the conventional ceramic type package, it is necessary to have a thickness capable of accommodating the
本発明に係る接点機構デバイスは、接点素子が形成された素子形成基板と、接点素子を保護するための素子保護用基板を接合することによりパッケージが形成されているものである。
接点素子が形成された素子形成基板と、接点素子を保護するための素子保護用基板を接合してパッケージを形成するため、素子形成基板と素子保護用基板の2層分の厚さでパッケージを形成することができ、1mm以下の薄型化が可能となる。
The contact mechanism device according to the present invention is such that a package is formed by joining an element forming substrate on which a contact element is formed and an element protection substrate for protecting the contact element.
In order to form a package by bonding an element formation substrate on which contact elements are formed and an element protection substrate for protecting the contact elements, the package is formed with a thickness corresponding to two layers of the element formation substrate and the element protection substrate. It can be formed, and a thickness of 1 mm or less can be achieved.
また本発明に係る接点機構デバイスは、上記の接点素子が磁性体を有し、該磁性体に磁場を印加することによりスイッチングが行われるものである。
接点素子に設けられた磁性体に磁場を印加して、接点素子の2つの電極を導通させることにより微小な磁場で高感度のスイッチングが可能となる。
In the contact mechanism device according to the present invention, the contact element has a magnetic body, and switching is performed by applying a magnetic field to the magnetic body.
By applying a magnetic field to the magnetic body provided in the contact element and making the two electrodes of the contact element conductive, highly sensitive switching can be performed with a very small magnetic field.
実施形態1.
図1及び図2は、本発明の実施形態1に係る接点機構デバイスの製造工程を示す斜視図である。なお図1及び図2では、1つの接点機構デバイスとなる部分(点線に囲まれた部分)とその周辺部を図示しているが、一般的には1組の素子形成用基板21及び素子保護用基板30(後述する)から複数の接点素子デバイスが作成される。
図1(a)に示すように、素子形成用基板21には表面から裏面に貫通するスルーホール22が形成されており、素子形成用基板21の表面、裏面及びスルーホール22の側面には金属膜が張られている。次に、この素子形成用基板21にフォトリソグラフィーによってレジストパターンを形成し、所定の位置をメッキ処理して他の不要な部分をエッチング処理により除去する。このメッキ処理及びエッチング処理を繰り返すことにより金属膜を積層して、図1(b)に示すようにスイッチ素子25を形成する。
Embodiment 1. FIG.
1 and 2 are perspective views showing manufacturing steps of the contact mechanism device according to Embodiment 1 of the present invention. 1 and FIG. 2 show a portion (a portion surrounded by a dotted line) that becomes one contact mechanism device and its peripheral portion, but in general, a set of
As shown in FIG. 1A, through
スイッチ素子25は、素子電極26、素子電極27及び梁28からなり、素子電極26及び素子電極27は、金属膜又は金属メッキで別々のスルーホール22に接続されている。また上記のメッキ処理及びエッチング処理の際に、素子形成用基板21の裏面には外部接続電極29を形成するようにし、素子形成用基板21の裏面のその他の部分の金属膜は除去するようにする。この外部接続電極29は、スルーホール22の側面に張られた金属膜と電気的に導通しており、結果的にそれぞれの外部接続電極29は素子電極26及び素子電極27と電気的に接続されることとなる。なお上述のスイッチ素子25の形成の際に、後述する磁性体26a及び磁性体28aが、素子電極26及び梁28に内蔵されるようにする(図3参照)。
The
図2は、図1の接点機構デバイスの製造工程の続きの製造工程を示した図である。図2(a)に示すように、素子保護用基板30には凹部31が形成されており、この凹部31にスイッチ素子25が収納されることによりスイッチ素子25が外部環境から保護される。この凹部31は、例えば素子保護用基板30をエッチングすることにより形成する。この素子保護用基板30の凹部31の形成されている側の表面に接着剤を塗布し、スイッチ素子25の形成された素子形成用基板21と接合して接合基板32を形成する(図2(b))。なお図2(b)では、素子保護用基板30を透明にして示している。この接着剤は絶縁性のものであり、素子保護用基板21の接触面に数十μm〜数百μmの厚さで塗布する。また、この接着剤は凹部31の部分には塗布しないようにする。
なお接着剤による接合ではなく、陽極接合等によって素子形成用基板21と素子保護用基板30を接合してもよい。
FIG. 2 is a view showing a manufacturing process subsequent to the manufacturing process of the contact mechanism device of FIG. As shown in FIG. 2A, a
The
次に、スイッチ素子25が凹部25で覆われるように接合された接合基板32を、スクライブ処理(傷を付けて割断すること)によって個片に分離して接点機構デバイスのパッケージが完成する(図3参照)。
なお接着剤の塗布の際に、スクライブライン33の部分に接着剤を塗布しないようにし、スクライブ処理の際に接着剤層をスクライブしないようにすることができる。この接着剤を塗布しない部分は、一般的なスクライブライン幅である100μm程度にすればよい。これにより、硬化後の接着剤層にチッピング(破片の散乱)やクラック(基板の欠陥)が発生するのを防止することができる。このスクライブラインの部分に接着剤を塗布しないようにする方法は、後の実施形態2にも同様に適用できる。
Next, the
It is possible to prevent the adhesive from being applied to the portion of the
図3は、完成した(パッケージングの終了した)接点機構デバイスの縦断面図である。なお本実施形態1では、複数のスイッチ素子25が形成された基板を素子形成用基板21と称し、スクライブ処理等によって1つのスイッチ素子25が搭載されている状態の基板を素子形成基板35と称している。なお、この呼称は後の実施形態2及び実施形態3においても使用する。
上述の製造工程で作成された接点機構デバイスは、スイッチ素子25(接点素子)が形成された素子形成基板35と、素子保護用基板21が接合されたパッケージ構造となっている。また、素子電極26の内部又は上面にはニッケル等からなる磁性体26aが内蔵されており、梁28の内部又は下面にもニッケル等からなる磁性体28aが内蔵されている。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the completed contact mechanism device (packaging completed). In the first embodiment, a substrate on which a plurality of
The contact mechanism device created in the above manufacturing process has a package structure in which the
素子電極26、素子電極27及び梁28は、磁性体26a及び磁性体28aの部分を除いて金等の金属から形成されている。梁28は素子電極27に取付けられており、素子電極26とは多少の空隙を保った状態で配置されている。スイッチ素子25に外部から磁場をかけると、例えば磁性体26aがN極となり磁性体28aがS極となるようになっており、互いに引き合うようになっている。そして梁28が湾曲して素子電極26と接触することにより、素子電極26と素子電極27が導通した状態となる。このときに素子電極26と素子電極27の間に電圧が印加されていれば、これらの電極間に電流が流れ、結果的に素子電極26及び素子電極27に導通している外部接続電極29の間に電流が流れることとなる。
The
スイッチ素子25に印加された磁場を除去すると、磁性体26a及び磁性体28aの磁化がなくなり、磁性体26a及び磁性体28aが引き合わなくなる。このため梁28が元の状態に戻り、素子電極26と梁28が導通しなくなって、外部接続電極29の間に電流が流れなくなる。このようにして、外部からの磁場によってスイッチ素子25のスイッチング(ON・OFF動作)が行われる。
When the magnetic field applied to the
本実施形態1では、スイッチ素子25が形成された素子形成用基板21と、スイッチ素子25を保護するための素子保護用基板30を接合してパッケージを形成するため、素子形成基板21と素子保護用基板30の2層分の厚さでパッケージを形成することができ、接点機構デバイスを1mm以下に薄型化することが可能となる。
また、スイッチ素子25に設けられた磁性体26a、磁性体28aに磁場を印加して、スイッチ素子25の2つの電極を導通させることにより微小な磁場で高感度のスイッチングが可能となる。
In the first embodiment, the
Further, by applying a magnetic field to the
さらにスイッチ素子25は金属膜を積層することにより形成されているため、容易に形成することができる。また、外部接続電極29が素子形成基板21の裏面に形成されスルーホール22によって電気的に導通されているため、ワイヤ等を設ける必要がなく、更に接点機構デバイスの薄型化が可能となる。
またスルーホール22は、スクライブ処理で接点機構デバイスが個片に分離された際に、外部接続電極29に凹状のくぼみを形成するため、外部接続電極29にハンダ等を塗布して接点機構デバイスを実装する際に、アンカーホール効果によって接合強度を向上させることができる。
Furthermore, since the
In addition, when the contact mechanism device is separated into individual pieces by the scribing process, the through
なお、素子形成用基板21や素子保護用基板30は、ホウ珪酸ガラス等のガラス基板、セラミック基板又はシリコン基板から形成することができる。例えば、素子形成用基板21及び素子保護用基板30をセラミック基板から形成すれば、上述のセラミック型パッケージと同等の強度が得られる。また、素子形成用基板21をシリコン基板から形成し、素子保護用基板30をホウ珪酸ガラスからなるガラス基板から形成すれば、両基板を陽極接合により容易に接合することができる。素子形成用基板21や素子保護用基板30の材質については、後述の実施形態2及び実施形態3についても同様である。
The
実施形態2.
図4及び図5は、本発明の実施形態2に係る接点機構デバイスの製造工程を示す斜視図である。なお本実施形態2に係る接点機構デバイスの製造方法は、素子保護用基板30にスルーホール40が形成されており、素子形成用基板21にはスルーホールが設けられていない。その代わりに、実施形態1においてスルーホール22が形成されていた部分に追加電極26a、追加電極27aが設けられている(後述する)。その他の部分については実施形態1の接点機構デバイスの製造方法と同様であり、同じ部分については実施形態1と同じ符号を付して説明する。
4 and 5 are perspective views showing manufacturing steps of the contact mechanism device according to the second embodiment of the present invention. In the method for manufacturing the contact mechanism device according to the second embodiment, the through
図4(a)に示すように、素子保護用基板30には表面から裏面に貫通するスルーホール40が設けられており、実施形態1と同様にスイッチ素子25を保護するための凹部31が形成されている。また、スルーホール40の周囲とスルーホールの側面には金属膜が張られている。この素子保護用基板30の凹部31が形成されている反対側の面に、メッキ処理等によって外部接続電極41を形成する。そして、素子保護用基板30の凹部31が形成されている側の面のスルーホール40の周辺部40aを金属メッキ等でメッキ処理し、周辺部40aが外部接続電極41と電気的に導通された状態にする。またこの周辺部40aの周囲に導電性接着剤42を塗布し、その他の部分に絶縁性接着剤43を塗布しておく(図4(b))。なお、導電性接着剤42と絶縁性接着剤43は実施形態1と同様に、数十μm〜数百μmの厚さで塗布するようにする。
As shown in FIG. 4A, the
図5は、図4の接点機構デバイスの製造工程の続きの製造工程を示した図である。実施形態1と同様に素子形成用基板21には、メッキ処理及びエッチング処理によってスイッチ素子25が形成されている。但し、実施形態1でスルーホール22のあった部分には追加電極26a、追加電極27aが形成され、それぞれ素子電極26、素子電極27と電気的に導通するようになっている。そして、凹部31がスイッチ素子25を覆い、またスルーホール40と追加電極26a及び追加電極27aが接続されるように両基板を接合する(図5(a))。これにより、接合基板32を形成し(図5(b))、この接合基板32をスクライブ処理することによって、接点機構デバイスが完成する。なお、図5(b)では素子保護用基板30の部分を透明にして示している。
FIG. 5 is a view showing a manufacturing process subsequent to the manufacturing process of the contact mechanism device of FIG. As in the first embodiment, the
本実施形態2に係る接点機構デバイスの動作は、実施形態1に係る接点機構デバイスと同様である。また本実施形態2に係る接点機構デバイス及びその製造方法の効果も実施形態1のものと同様である。 The operation of the contact mechanism device according to the second embodiment is the same as that of the contact mechanism device according to the first embodiment. The effects of the contact mechanism device and the manufacturing method thereof according to the second embodiment are the same as those of the first embodiment.
実施形態3.
図6及び図7は、本発明の実施形態2に係る接点機構デバイスの製造工程を示す斜視図である。なお、本実施形態3に係る接点機構デバイスの完成品は実施形態2のものと同様であるが、製造方法が異なる。実施形態2と同じ部分については実施形態2と同じ符号を付して説明する。
まず、図6(a)に示すように実施形態2の図4(b)と同様の処理を行った素子保護用基板30を準備する。なお、図6(a)の時点では接着剤は塗布していない。また、図6(b)に示すように、実施形態2の図5(a)と同様のスイッチ素子25の形成された素子形成基板21を準備する。
6 and 7 are perspective views showing manufacturing steps of the contact mechanism device according to
First, as shown in FIG. 6A, an
次に、素子保護用基板30をダイシングソー、レーザー光等で切断し、1つの接点機構デバイスに対応した個片に分割する。また、素子形成用基板21もダイシングソー、レーザー光等で切断し、1つの接点機構デバイスに対応した素子形成基板50に分割する。そして実施形態2と同様に、個片に分離された素子保護用基板30の接着面の、スルーホール40の周囲に導電性接着剤51を塗布し、その他の部分に絶縁性接着剤52を塗布する。その後、個片に分離された素子保護用基板30と素子形成基板50を、実施形態2と同様に接合する(図7)。そして、図8に示すような接点機構デバイスが完成する。なお、図8では個片に分離された素子保護用基板30を透明にして示している。
Next, the
本実施形態3に係る接点機構デバイスの動作は、実施形態2に係る接点機構デバイスと同様である。また本実施形態3に係る接点機構デバイスの効果も実施形態2のものと同様である。
本実施形態3に係る接点機構デバイスの製造方法では、素子保護用基板30を個片に分離して使用しているため、素子形成用基板21のスイッチ素子25の歩留りに左右されることがなく、素子保護用基板30の無駄を低減することが可能となる。
The operation of the contact mechanism device according to the third embodiment is the same as that of the contact mechanism device according to the second embodiment. The effect of the contact mechanism device according to the third embodiment is the same as that of the second embodiment.
In the manufacturing method of the contact mechanism device according to the third embodiment, the
実施形態4.
実施形態1、実施形態2又は実施形態3において、素子形成用基板21又は素子保護用基板30にホウ珪酸ガラスからなるガラス基板等を使用した場合には、素子形成用基板21又は素子形成基板50と素子保護用基板30を接合する際にレーザー光や赤外線ランプを使用して加熱融着することができる。これにより、両基板の密着度が向上し、接合強度を高めることができる。
なお、実施形態1のような接点機構デバイスを製造するときにも、素子形成用基板21と素子保護用基板30を1つの接点機構デバイスに対応した個片に分離した後に接合してもよい。
Embodiment 4 FIG.
In the first embodiment, the second embodiment, or the third embodiment, when a glass substrate made of borosilicate glass or the like is used for the
When manufacturing the contact mechanism device as in the first embodiment, the
1 基板、2 素子、3 リードフレーム、4 素子電極パット、5 外部接続電極、6 ワイヤ、8 金型、9 エポキシ系樹脂、10 モールドパッケージ、11 基板、12 素子、14 素子電極パット、15 内部電極、16 ワイヤ、17 蓋、18 接着剤、21 素子形成用基板、22 スルーホール、25 スイッチ素子、26 素子電極、27 素子電極、28 梁、29 外部接続電極、30 素子保護用基板、31 凹部、32 接合基板、33 スクライブライン、35 素子形成基板、40 スルーホール、41 外部接続電極、42 導電性接着剤、43 絶縁性接着剤、50 素子形成基板。
1 substrate, 2 elements, 3 lead frame, 4 element electrode pad, 5 external connection electrode, 6 wire, 8 mold, 9 epoxy resin, 10 mold package, 11 substrate, 12 element, 14 element electrode pad, 15 internal electrode , 16 wire, 17 lid, 18 adhesive, 21 element forming substrate, 22 through hole, 25 switch element, 26 element electrode, 27 element electrode, 28 beam, 29 external connection electrode, 30 element protecting substrate, 31 recess, 32 bonding substrate, 33 scribe line, 35 element forming substrate, 40 through hole, 41 external connection electrode, 42 conductive adhesive, 43 insulating adhesive, 50 element forming substrate.
Claims (16)
The method of manufacturing a contact mechanism device according to claim 12, wherein the contact element includes a magnetic body, and switching is performed by applying a magnetic field to the magnetic body.
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JP2011517016A (en) * | 2008-03-20 | 2011-05-26 | エイチティー マイクロアナレティカル インク. | Integrated reed switch |
US8665041B2 (en) | 2008-03-20 | 2014-03-04 | Ht Microanalytical, Inc. | Integrated microminiature relay |
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