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JP2005198024A - Macro-cell, integrated circuit apparatus, and electronic instrument - Google Patents

Macro-cell, integrated circuit apparatus, and electronic instrument Download PDF

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JP2005198024A JP2004002260A JP2004002260A JP2005198024A JP 2005198024 A JP2005198024 A JP 2005198024A JP 2004002260 A JP2004002260 A JP 2004002260A JP 2004002260 A JP2004002260 A JP 2004002260A JP 2005198024 A JP2005198024 A JP 2005198024A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a macro-cell capable of freely allocating a first and a second pad for a differential signal to a first and a second differential signal, and to provide an integrated circuit apparatus and an electronic instrument. <P>SOLUTION: The macro-cell MC 1 includes: a single end receiver 34 connected to the pad P 1 for one of a DP (D+) or a DM (D-) being a signal for constituting a differential signal, and outputting a signal SEQ 1; and a single end receiver 36 connected to the pad P2 for the other one and outputting a signal SEQ 2. A selector 100 included in the MC 1 outputs the SEQ 1 as an SLQ 1 and the SEQ 2 as an SLQ 2 in a first mode and outputs the SEQ 2 as the SLQ 1 and the SEQ 1 as the SLQ 2 in a second mode. A differential receiver 32 outputs a signal DFQ and its reversal signal XDFQ by connecting a first and a second differential input to the pad 1 and the pad 2. A selector 104 outputs the DFQ as an SLQ 3 in the first mode and the XDFQ as the SLQ 3 in the second mode. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、マクロセル、集積回路装置、及び電子機器に関する。   The present invention relates to a macro cell, an integrated circuit device, and an electronic device.

近年、電子機器間を接続するためのインターフェース規格として、USB(Universal Serial Bus)が注目を集めている。このUSBでは、差動信号を構成する信号DP(D+)、DM(D−)を用いてデータ転送が行われる。このためUSBのデータ転送機能を有する集積回路装置は、DP、DM用のパッド(第1、第2のパッド)を有しており、このDP、DM用のパッドは、外部端子を介して外部のUSBレセプタクルに接続される。   In recent years, USB (Universal Serial Bus) has attracted attention as an interface standard for connecting electronic devices. In this USB, data transfer is performed using signals DP (D +) and DM (D−) constituting a differential signal. Therefore, an integrated circuit device having a USB data transfer function has DP and DM pads (first and second pads), and these DP and DM pads are externally connected via external terminals. Connected to a USB receptacle.

しかしながら、これまでの集積回路装置では、これらのDP、DM用のパッドの配列が固定されていた。従って集積回路装置(半導体IC)が実装される回路基板(circuit bord)の仕様等によって、DP、DM用のパッド配列を変更する場合には、集積回路装置が有するマクロセルのマスクパターンやレイアウトを変更しなければならないという課題があった。
特開2000−148716号公報
However, in conventional integrated circuit devices, the arrangement of these DP and DM pads has been fixed. Therefore, when changing the pad layout for DP and DM according to the specifications of the circuit board (circuit board) on which the integrated circuit device (semiconductor IC) is mounted, the mask pattern and layout of the macrocell of the integrated circuit device are changed. There was a problem that had to be done.
JP 2000-148716 A

本発明の目的は、差動信号用の第1、第2のパッドを差動信号の第1、第2の信号に自由に割り当てることを可能にするマクロセル、これを含む集積回路装置及び電子機器を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a macro cell capable of freely assigning first and second pads for differential signals to first and second signals of a differential signal, an integrated circuit device including the macro cell, and an electronic apparatus. Is to provide.

本発明は、差動信号を用いてデータ転送を行う所与のインターフェース規格の物理層の回路を少なくとも含むマクロセルであって、差動信号を構成する第1、第2の信号のうちいずれか一方用の第1のパッドにその入力が接続され、第1の出力信号を出力する第1のシングルエンドレシーバと、前記一方とは異なる他方用の第2のパッドにその入力が接続され、第2の出力信号を出力する第2のシングルエンドレシーバと、第1のモードでは、前記第1、第2のシングルエンドレシーバからの前記第1、第2の出力信号のうち第1の出力信号を第1のセレクタ出力信号として出力すると共に第2の出力信号を第2のセレクタ出力信号として出力し、第2のモードでは、前記第1、第2の出力信号のうち第2の出力信号を前記第1のセレクタ出力信号として出力すると共に第1の出力信号を前記第2のセレクタ出力信号として出力するセレクタとを含むマクロセルに関係する。   The present invention is a macro cell including at least a physical layer circuit of a given interface standard that performs data transfer using a differential signal, and is one of first and second signals constituting the differential signal. A first single-ended receiver that outputs a first output signal, and an input that is connected to a second pad for the other side different from the one, A second single-ended receiver that outputs a first output signal of the first and second output signals from the first and second single-ended receivers in the first mode. 1 as a selector output signal and a second output signal as a second selector output signal. In the second mode, the second output signal of the first and second output signals is the first output signal. 1 selector output Relating the first output signal and outputs a signal to the macrocell and a selector for outputting as said second selector output signal.

本発明のマクロセルは、差動信号を用いてデータ転送を行う物理層(例えば最下位層)の回路として第1、第2のシングルエンドレシーバを含む。そして第1のシングルエンドレシーバには、差動信号を構成する第1、第2の信号のうちいずれか一方が第1のパッドを介して入力される。また第2のシングルエンドレシーバには、第1、第2の信号の他方が第2のパッドを介して入力される。そしてセレクタが、第1のモードでは、第1のシングルエンドレシーバからの第1の出力信号を第1のセレクタ出力信号として出力し、第2のシングルエンドレシーバからの第2の出力信号を第2のセレクタ出力信号として出力する。一方、第2のモードでは、第2のシングルエンドレシーバからの第2の出力信号を第1のセレクタ出力信号として出力し、第1のシングルエンドレシーバからの第1の出力信号を第2のセレクタ出力信号として出力する。このようにすることで、差動信号用の第1、第2のパッドを差動信号の第1、第2の信号に自由に割り当てることが可能になり、利便性を向上できる。   The macro cell according to the present invention includes first and second single-ended receivers as circuits in a physical layer (for example, the lowest layer) that performs data transfer using a differential signal. One of the first and second signals constituting the differential signal is input to the first single-ended receiver via the first pad. The other of the first and second signals is input to the second single-ended receiver via the second pad. In the first mode, the selector outputs the first output signal from the first single-ended receiver as the first selector output signal, and the second output signal from the second single-ended receiver as the second output signal. As a selector output signal. On the other hand, in the second mode, the second output signal from the second single-ended receiver is output as the first selector output signal, and the first output signal from the first single-ended receiver is output as the second selector. Output as an output signal. By doing in this way, it becomes possible to freely assign the first and second pads for differential signals to the first and second signals of the differential signal, and the convenience can be improved.

また本発明では、前記セレクタからの前記第1、第2のセレクタ出力信号を、前記物理層よりも上位層の回路を含む第2のマクロセルに出力するための第1、第2の出力端子を含み、前記セレクタが、前記第1のモードでは、前記第1の出力信号を前記第1のセレクタ出力信号として前記第1の出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力すると共に前記第2の出力信号を前記第2のセレクタ出力信号として前記第2の出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力し、前記第2のモードでは、前記第2の出力信号を前記第1のセレクタ出力信号として前記第1の出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力すると共に前記第1の出力信号を前記第2のセレクタ出力信号として前記第2の出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力するようにしてもよい。   In the present invention, the first and second output terminals for outputting the first and second selector output signals from the selector to a second macro cell including a circuit in a layer higher than the physical layer are provided. In the first mode, the selector outputs the first output signal as the first selector output signal to the second macro cell via the first output terminal and the second mode. An output signal is output as the second selector output signal to the second macro cell via the second output terminal, and in the second mode, the second output signal is output to the first selector output signal. Output to the second macro cell via the first output terminal and output the first output signal as the second selector output signal to the second macro cell via the second output terminal. You It may be so.

このようにすれば、例えば第1の信号に対応する信号を常に第1の出力端子から出力し、第2の信号に対応する信号を常に第2の出力端子から出力することが可能になり、パッド配列の変更の影響が第2のマクロセルに及ぶのを防止できる。   In this way, for example, a signal corresponding to the first signal can always be output from the first output terminal, and a signal corresponding to the second signal can always be output from the second output terminal. The influence of the change in the pad arrangement can be prevented from reaching the second macro cell.

また本発明では、前記第1、第2の出力端子が、マクロセルの四辺のうちの一辺に沿って設けられる受信インターフェース領域に配置されるようにしてもよい。   In the present invention, the first and second output terminals may be arranged in a reception interface area provided along one of the four sides of the macro cell.

このようにすれば、マクロセルと第2のマクロセルとの間でやり取りされる信号のタイミング設計の容易化等を図れる。   In this way, the timing design of signals exchanged between the macro cell and the second macro cell can be facilitated.

また本発明では、前記第1のパッドに接続される信号ラインを駆動する第1の送信ドライバと、前記第2のパッドに接続される信号ラインを駆動する第2の送信ドライバとを含み、マクロセルの第1の辺から対向する第3の辺へと向かう方向を第1の方向とした場合に、前記第1、第2の送信ドライバが、前記第1、第2のパッドの前記第1の方向側に配置されると共に前記第1の方向に沿った第1のラインを対称軸として線対称に配置され、前記第1、第2のシングルエンドレシーバが、前記第1、第2の送信ドライバの前記第1の方向側に配置されるようにしてもよい。   In the present invention, a macro cell includes a first transmission driver that drives a signal line connected to the first pad, and a second transmission driver that drives a signal line connected to the second pad, When the direction from the first side to the third side opposite to the first side is the first direction, the first and second transmission drivers are configured so that the first and second pads of the first and second pads The first and second single-ended receivers are arranged on the direction side and arranged symmetrically about the first line along the first direction as an axis of symmetry. It may be arranged on the first direction side.

このようにすれば、種々の場所に配置しても差動信号の信号特性等を維持できるマクロセルの提供や、マクロセルの小面積化を図ることが可能になる。   In this way, it is possible to provide a macro cell that can maintain the signal characteristics of a differential signal and the like even if it is arranged in various places, and to reduce the area of the macro cell.

また本発明は、前記第1、第2のシングルエンドレシーバと前記第1、第2のパッドとを接続する信号ラインを前記第1の方向に沿って配線するための配線領域が、前記第1、第2の送信ドライバの間の領域に設けられるようにしてもよい。   According to the present invention, there is provided a wiring region for wiring a signal line connecting the first and second single-ended receivers and the first and second pads along the first direction. , And may be provided in an area between the second transmission drivers.

このようにすれば、線対称に配置される第1、第2の送信ドライバ間の空きスペースを有効活用して、第1、第2のシングルエンドレシーバと第1、第2のパッドとを接続する信号ラインを配線することが可能になる。   In this way, the first and second single-ended receivers are connected to the first and second pads by effectively utilizing the empty space between the first and second transmission drivers arranged symmetrically with respect to the line. It is possible to wire a signal line to be performed.

また本発明は、差動信号を用いてデータ転送を行う所与のインターフェース規格の物理層の回路を少なくとも含むマクロセルであって、差動信号を構成する第1、第2の信号のうちいずれか一方用の第1のパッドにその第1の差動入力が接続され、前記一方とは異なる他方用の第2のパッドにその第2の差動入力が接続され、第1の出力信号と、前記第1の出力信号の反転信号である第2の出力信号を出力する差動レシーバと、第1のモードでは、前記差動レシーバからの前記第1、第2の出力信号のうち第1の出力信号をセレクタ出力信号として出力し、第2のモードでは、前記差動レシーバからの前記第1、第2の出力信号のうち第2の出力信号を前記セレクタ出力信号として出力するセレクタとを含むマクロセルに関係する。   Further, the present invention is a macro cell including at least a physical layer circuit of a given interface standard that performs data transfer using a differential signal, and is one of first and second signals constituting the differential signal. The first differential input is connected to the first pad for one side, the second differential input is connected to the second pad for the other side different from the one, and the first output signal; A differential receiver that outputs a second output signal that is an inverted signal of the first output signal; and a first mode out of the first and second output signals from the differential receiver in the first mode. An output signal is output as a selector output signal, and the second mode includes a selector that outputs a second output signal of the first and second output signals from the differential receiver as the selector output signal. Related to macrocells.

本発明のマクロセルは、差動信号を用いてデータ転送を行う物理層(例えば最下位層)の回路として差動レシーバを含む。そして差動レシーバの第1の差動入力には、差動信号を構成する第1、第2の信号のうちいずれか一方が第1のパッドを介して入力される。また差動レシーバの第2の差動入力には、第1、第2の信号の他方が第2のパッドを介して入力される。そしてセレクタが、第1のモードでは、差動レシーバからの第1の出力信号をセレクタ出力信号として出力出力する。一方、第2のモードでは、差動レシーバからの第2の出力信号をセレクタ出力信号として出力する。このようにすることで、差動信号用の第1、第2のパッドを差動信号の第1、第2の信号に自由に割り当てることが可能になり、利便性を向上できる。   The macro cell of the present invention includes a differential receiver as a circuit in a physical layer (for example, the lowest layer) that performs data transfer using a differential signal. One of the first and second signals constituting the differential signal is input to the first differential input of the differential receiver through the first pad. The other of the first and second signals is input to the second differential input of the differential receiver via the second pad. In the first mode, the selector outputs and outputs the first output signal from the differential receiver as a selector output signal. On the other hand, in the second mode, the second output signal from the differential receiver is output as a selector output signal. By doing in this way, it becomes possible to freely assign the first and second pads for differential signals to the first and second signals of the differential signal, and the convenience can be improved.

また本発明では、前記セレクタからのセレクタ出力信号を、前記物理層よりも上位層の回路を含む第2のマクロセルに出力するための出力端子を含み、前記セレクタが、前記第1のモードでは、前記第1の出力信号を前記セレクタ出力信号として前記出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力し、前記第2のモードでは、前記第2の出力信号を前記セレクタ出力信号として前記出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力するようにしてもよい。   The present invention further includes an output terminal for outputting a selector output signal from the selector to a second macro cell including a circuit in a layer higher than the physical layer, and the selector is in the first mode, The first output signal is output as the selector output signal to the second macro cell via the output terminal. In the second mode, the second output signal is output as the selector output signal to the output terminal. And output to the second macro cell.

このようにすれば、パッド配列が変更された場合にも、出力端子から第1、第2の信号の適正な差動増幅信号を出力できるようになる。   In this way, even when the pad arrangement is changed, an appropriate differential amplified signal of the first and second signals can be output from the output terminal.

また本発明では、前記出力端子が、マクロセルの四辺のうちの一辺に沿って設けられる受信インターフェース領域に配置されるようにしてもよい。   In the present invention, the output terminal may be arranged in a reception interface area provided along one of the four sides of the macro cell.

このようにすれば、マクロセルと第2のマクロセルとの間でやり取りされる信号のタイミングの設計の容易化等を図れる。   In this way, the design of the timing of signals exchanged between the macro cell and the second macro cell can be facilitated.

また本発明では、前記第1のパッドに接続される信号ラインを駆動する第1の送信ドライバと、前記第2のパッドに接続される信号ラインを駆動する第2の送信ドライバとを含み、マクロセルの第1の辺から対向する第3の辺へと向かう方向を第1の方向とした場合に、前記第1、第2の送信ドライバが、前記第1、第2のパッドの前記第1の方向側に配置されると共に前記第1の方向に沿った第1のラインを対称軸として線対称に配置され、前記差動レシーバが、前記第1、第2の送信ドライバの前記第1の方向側に配置されるようにしてもよい。   In the present invention, a macro cell includes a first transmission driver that drives a signal line connected to the first pad, and a second transmission driver that drives a signal line connected to the second pad, When the direction from the first side to the third side opposite to the first side is the first direction, the first and second transmission drivers are configured so that the first and second pads of the first and second pads The differential receiver is arranged on the direction side and arranged symmetrically about the first line along the first direction as an axis of symmetry, and the differential receiver is arranged in the first direction of the first and second transmission drivers. It may be arranged on the side.

また本発明では、前記差動レシーバと前記第1、第2のパッドとを接続する信号ラインを前記第1の方向に沿って配線するための配線領域が、前記第1、第2の送信ドライバの間の領域に設けられるようにしてもよい。   According to the present invention, a wiring region for wiring a signal line connecting the differential receiver and the first and second pads along the first direction is the first and second transmission drivers. You may make it provide in the area | region between.

また本発明では、前記所与のインターフェース規格が、USB(Universal Serial Bus)規格であってもよい。   In the present invention, the given interface standard may be a USB (Universal Serial Bus) standard.

また本発明では、前記物理層よりも上位層の回路を含む第2のマクロセルのI/O領域の一部に対して、マクロセルのI/O領域の全体がオーバラップするように配置される場合において、マクロセルの前記第1の辺の長さをLとし、前記第2のマクロセルのI/O領域に配置されるI/Oセルのピッチ幅をPLとした場合に、L=PL×N(Nは2以上の整数)であってもよい。   In the present invention, the entire macro cell I / O area is arranged so as to overlap with a part of the I / O area of the second macro cell including the upper layer circuit than the physical layer. , When the length of the first side of the macro cell is L and the pitch width of the I / O cell arranged in the I / O region of the second macro cell is PL, L = PL × N ( N may be an integer of 2 or more.

このようにすれば、マクロセルを色々な場所に配置できるようになり、利便性を向上できる。そして、このようにマクロセルを色々な場所に配置した場合にも、差動信号の信号特性等を維持することが可能になる。   In this way, the macro cell can be arranged in various places, and convenience can be improved. Even when the macrocells are arranged in various places as described above, it is possible to maintain the signal characteristics and the like of the differential signal.

また本発明は、複数のマクロセルを含む物理層回路であって、上記のいずれかのマクロセルと、前記物理層よりも上位層の回路を含む第2のマクロセルとを含む集積回路装置に関係する。   The present invention also relates to an integrated circuit device that is a physical layer circuit including a plurality of macrocells, and includes any one of the above macrocells and a second macrocell including a higher layer circuit than the physical layer.

また本発明は、上記の集積回路装置と、前記集積回路装置を制御する処理部とを含む電子機器に関係する。   The present invention also relates to an electronic apparatus including the integrated circuit device described above and a processing unit that controls the integrated circuit device.

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. The present embodiment described below does not unduly limit the contents of the present invention described in the claims, and all the configurations described in the present embodiment are indispensable as means for solving the present invention. Not necessarily.

1.集積回路装置の構成
図1に本実施形態のマクロセルが適用される集積回路装置の構成例を示す。この集積回路装置は、マクロセルMC1と第2のマクロセルMC2を含む。なお、これらのマクロセルMC1、MC2(メガセル、マクロブロック)は、論理機能を有する中規模又は大規模な回路の単位である。また、本実施形態の集積回路装置は3個以上のマクロセルを含むようにしてもよい。
1. Configuration of Integrated Circuit Device FIG. 1 shows a configuration example of an integrated circuit device to which the macro cell of this embodiment is applied. This integrated circuit device includes a macro cell MC1 and a second macro cell MC2. Note that these macrocells MC1 and MC2 (megacells and macroblocks) are units of a medium-scale or large-scale circuit having a logic function. Further, the integrated circuit device of this embodiment may include three or more macro cells.

図1においてマクロセルMC1は、差動信号(シリアルバス)を用いてデータ転送を行うインターフェース規格(例えばUSB又はIEEE1394等)の物理層の回路を少なくとも含むマクロセルである。この物理層回路は、例えばUSBのFS(フルスピード)モードやHS(ハイスピード)モードを実現する送信回路(第1、第2の送信ドライバ)や受信回路(差動レシーバ、第1、第2のシングルエンドレシーバ)や抵抗回路(プルアップ用抵抗回路、プルダウン用抵抗回路)などを含むことができる。なおマクロセルMC1は、物理層回路以外の回路(論理層回路等)を含むこともできる。   In FIG. 1, a macro cell MC1 is a macro cell including at least a physical layer circuit of an interface standard (for example, USB or IEEE 1394) that performs data transfer using a differential signal (serial bus). The physical layer circuit includes, for example, a transmission circuit (first and second transmission drivers) and a reception circuit (differential receiver, first and second) that realize a USB FS (full speed) mode and an HS (high speed) mode. A single-ended receiver) and a resistor circuit (pull-up resistor circuit, pull-down resistor circuit) and the like. Note that the macro cell MC1 may include a circuit (a logic layer circuit or the like) other than the physical layer circuit.

マクロセルMC1は、例えばその配線及び回路セル配置が固定化されるハードマクロになっている。より具体的には、例えば、配線や回路セル配置が手作業のレイアウトにより行われる(配線、配置の一部を自動化してもよい)。   The macro cell MC1 is, for example, a hard macro whose wiring and circuit cell arrangement are fixed. More specifically, for example, wiring and circuit cell placement are performed by manual layout (part of wiring and placement may be automated).

一方、マクロセルMC2は、物理層よりも上位層(論理層、リンク層、トランザクション層又はアプリケーション層等)の回路を含むマクロセルである。USBを例にとれば、マクロセルMC2は、SIE(Serial Interface Engine)やユーザロジック(デバイス固有の回路)などの論理層回路(MC1が含む論理層回路の他の部分)を含むことができる。   On the other hand, the macro cell MC2 is a macro cell including circuits in layers higher than the physical layer (logical layer, link layer, transaction layer, application layer, etc.). Taking USB as an example, the macro cell MC2 can include a logic layer circuit (another part of the logic layer circuit included in the MC1) such as an SIE (Serial Interface Engine) or a user logic (device-specific circuit).

マクロセルMC2は、例えばその配線及び回路セル配置が自動配置配線されるソフトマクロになっている。より具体的には、例えば、ゲートアレイの自動配置配線ツールにより基本セル間の配線等が自動的に行われる(配置、配線の一部を固定化してもよい)。   The macro cell MC2 is, for example, a soft macro whose wiring and circuit cell arrangement are automatically arranged and wired. More specifically, for example, wiring between basic cells is automatically performed by a gate array automatic placement and routing tool (part of placement and wiring may be fixed).

なお、図1において、マクロセルMC1として、物理層の回路のみを含むマクロセルを用いてもよい。またマクロセルMC2は、少なくとも物理層よりも上位の層の回路を含むものであればよい。   In FIG. 1, a macro cell including only a physical layer circuit may be used as the macro cell MC1. The macro cell MC2 only needs to include at least a circuit of a layer higher than the physical layer.

図1では集積回路装置の四辺に沿ってI/O領域が設けられている。このI/O領域には複数のI/Oセル(入力専用セル、出力専用セル、入出力兼用セル)が並んで配置される。またI/O領域の外側には、差動信号DP(D+)、DM(D−)用のパッドP1、P2(端子)を含む複数のパッドが並んで配置される。そして図1ではマクロセルMC1のI/O領域の全体がマクロセルMC2のI/O領域の一部にオーバラップするようにMC1が配置される。なおパッドをI/O領域内(I/Oセル内)に設ける構成としてもよい。   In FIG. 1, I / O regions are provided along the four sides of the integrated circuit device. In this I / O area, a plurality of I / O cells (input-only cells, output-only cells, and input / output cells) are arranged side by side. A plurality of pads including pads P1 and P2 (terminals) for differential signals DP (D +) and DM (D−) are arranged side by side outside the I / O region. In FIG. 1, MC1 is arranged so that the entire I / O area of macro cell MC1 overlaps a part of the I / O area of macro cell MC2. Note that the pad may be provided in the I / O region (in the I / O cell).

2.データ転送制御装置の構成
図2に、図1の集積回路装置により実現されるデータ転送制御装置の構成例を示す。なお本実施形態の集積回路装置により実現される装置は図2の構成に限定されない。例えば図2とは異なる構成のデータ転送制御装置を実現してもよい。或いは図2の構成にアプリケーション層デバイスやCPU(広義にはプロセッサ)などの構成を加えて、集積回路装置として1チップ化してもよい。
2. Configuration of Data Transfer Control Device FIG. 2 shows a configuration example of a data transfer control device realized by the integrated circuit device of FIG. Note that the device realized by the integrated circuit device of this embodiment is not limited to the configuration shown in FIG. For example, a data transfer control device having a configuration different from that shown in FIG. 2 may be realized. Alternatively, an application layer device, a CPU (processor in a broad sense), or the like may be added to the configuration of FIG. 2 to form a single chip as an integrated circuit device.

図2のデータ転送制御装置(集積回路装置)は、トランシーバ200と転送コントローラ210とバッファコントローラ220とデータバッファ230とインターフェース回路240を含む。なおこれらの回路ブロックの一部を省略したり、これらの回路ブロック間の接続形態を変更してもよい。   The data transfer control device (integrated circuit device) of FIG. 2 includes a transceiver 200, a transfer controller 210, a buffer controller 220, a data buffer 230, and an interface circuit 240. Note that some of these circuit blocks may be omitted or the connection form between these circuit blocks may be changed.

トランシーバ200は、差動信号DP、DM(差動データ信号)を用いてデータを送受信するための回路である。このトランシーバ200は、例えばUSB(広義には所与のインターフェース規格)の物理層回路(アナログフロントエンド回路)を含むことができる。なおトランシーバ200に物理層以外の層の回路を含めてもよい。   The transceiver 200 is a circuit for transmitting and receiving data using differential signals DP and DM (differential data signals). The transceiver 200 can include, for example, a physical layer circuit (analog front-end circuit) of USB (a given interface standard in a broad sense). The transceiver 200 may include circuits in layers other than the physical layer.

転送コントローラ210は、USBを介したデータ転送を制御するためのコントローラであり、いわゆるSIE(Serial Interface Engine)の機能などを実現するためのものである。例えば転送コントローラ210は、パケットハンドル処理、サスペンド&レジューム制御、或いはトランザクション管理などを行う。   The transfer controller 210 is a controller for controlling data transfer via the USB, and is for realizing a so-called SIE (Serial Interface Engine) function and the like. For example, the transfer controller 210 performs packet handle processing, suspend / resume control, or transaction management.

バッファコントローラ220は、データバッファ230に記憶領域(エンドポイント領域等)を確保したり、データバッファ230の記憶領域に対するアクセス制御を行う。より具体的にはバッファコントローラ220は、インターフェース回路240を介したアプリケーション層デバイス側からのアクセスや、インターフェース回路240を介したCPU側からのアクセスや、USB(転送コントローラ210)側からのアクセスを制御したり、これらのアクセスの調停を行ったり、アクセス・アドレスの生成・管理を行う。   The buffer controller 220 secures a storage area (endpoint area or the like) in the data buffer 230 and controls access to the storage area of the data buffer 230. More specifically, the buffer controller 220 controls access from the application layer device side via the interface circuit 240, access from the CPU side via the interface circuit 240, and access from the USB (transfer controller 210) side. Access arbitration, access address generation and management.

データバッファ230(パケットバッファ)は、USBを介して転送されるデータ(送信データ又は受信データ)を一時的に格納(バッファリング)するためバッファ(FIFO)である。このデータバッファ230はRAMなどのメモリにより構成できる。   The data buffer 230 (packet buffer) is a buffer (FIFO) for temporarily storing (buffering) data (transmission data or reception data) transferred via the USB. The data buffer 230 can be constituted by a memory such as a RAM.

インターフェース回路240は、アプリケーション層デバイスが接続されるDMA(DirectMemoryAccess)バスや、CPUが接続されるCPUバスを介したインターフェースを実現するための回路である。このインターフェース回路240には、DMA転送のためのDMAハンドラ回路などを含めることができる。   The interface circuit 240 is a circuit for realizing an interface via a DMA (Direct Memory Access) bus to which an application layer device is connected and a CPU bus to which a CPU is connected. The interface circuit 240 can include a DMA handler circuit for DMA transfer.

図1のマクロセルMC1は、図2のトランシーバ200の一部又は全部を含むことができる。またマクロセルMC2は、転送コントローラ210、バッファコントローラ220、データバッファ230、インターフェース回路240の一部又は全部を含むことができる。なおマクロセルMC2にアプリケーション層デバイスなどの回路を含ませてもよい。   The macro cell MC1 of FIG. 1 can include some or all of the transceiver 200 of FIG. The macro cell MC2 can include a part or all of the transfer controller 210, the buffer controller 220, the data buffer 230, and the interface circuit 240. The macro cell MC2 may include a circuit such as an application layer device.

3.トランシーバの構成
図3にトランシーバ200(物理層回路)の詳細な構成例を示す。
3. Configuration of Transceiver FIG. 3 shows a detailed configuration example of the transceiver 200 (physical layer circuit).

図3において送信回路10は、例えばUSBのFSモードにおいて差動信号DP、DMを用いてデータの送信処理を行うための回路である。この送信回路10は、差動信号を構成する信号DP(広義には第1の信号)のパッドに接続される信号ラインを駆動する第1の送信ドライバ12と、差動信号を構成する信号DM(広義には第2の信号)のパッドに接続される信号ラインを駆動する第2の送信ドライバ14を含む。これらの送信ドライバ12、14によりDP、DMのパッドの信号ラインを駆動することで、DP、DMのパッド(データ端子)を用いた差動信号の伝送が可能になる。   In FIG. 3, a transmission circuit 10 is a circuit for performing a data transmission process using differential signals DP and DM in, for example, the USB FS mode. The transmission circuit 10 includes a first transmission driver 12 that drives a signal line connected to a pad of a signal DP (first signal in a broad sense) that constitutes a differential signal, and a signal DM that constitutes the differential signal. A second transmission driver 14 for driving a signal line connected to a pad (second signal in a broad sense) is included. By driving the signal lines of the DP and DM pads by the transmission drivers 12 and 14, differential signals can be transmitted using the DP and DM pads (data terminals).

また送信回路10は、DP、DMのパッド(広義には第1、第2のパッド)に接続される第1のダンピング抵抗RDP1と第2のダンピング抵抗RDP2を含む。これらのダンピング抵抗RDP1、RDP2の一端は送信ドライバ12、14の出力に接続され、他端はDP、DMのパッドに接続される。なお送信回路10(集積回路装置)にダンピング抵抗RDP1、RDP2を含ませない構成としてもよい。この場合には、ダンピング抵抗RDP1、RDP2を外付けのパーツで実現すればよい。   The transmission circuit 10 includes a first damping resistor RDP1 and a second damping resistor RDP2 connected to DP and DM pads (first and second pads in a broad sense). One end of these damping resistors RDP1, RDP2 is connected to the outputs of the transmission drivers 12, 14, and the other end is connected to the pads of DP, DM. The transmission circuit 10 (integrated circuit device) may not include the damping resistors RDP1 and RDP2. In this case, the damping resistors RDP1 and RDP2 may be realized with external parts.

第1、第2の送信制御回路22、24は、第1、第2の送信ドライバ12、14の制御用の回路である。具体的には送信制御回路22は、前段の回路(例えばマクロセルMC2内の回路)から送信データ信号DOUT1とアウトプットディスイネーブル信号OUTDISを受け、制御信号OP1、ON1を送信ドライバ12に出力する。送信制御回路24は、前段の回路から信号DOUT2とOUTDISを受け、制御信号OP2、ON2を送信ドライバ14に出力する。   The first and second transmission control circuits 22 and 24 are circuits for controlling the first and second transmission drivers 12 and 14. Specifically, the transmission control circuit 22 receives the transmission data signal DOUT1 and the output disable signal OUTDIS from the preceding circuit (for example, the circuit in the macro cell MC2), and outputs the control signals OP1 and ON1 to the transmission driver 12. The transmission control circuit 24 receives the signals DOUT2 and OUTDIS from the preceding circuit, and outputs control signals OP2 and ON2 to the transmission driver 14.

受信回路30は、例えばUSBのFSモードにおいて差動信号DP、DMを用いてデータの受信処理を行うための回路である。この受信回路30は、差動レシーバ32と第1、第2のシングルエンドレシーバ34、36を含む。   The reception circuit 30 is a circuit for performing data reception processing using the differential signals DP and DM in, for example, the USB FS mode. The receiving circuit 30 includes a differential receiver 32 and first and second single-ended receivers 34 and 36.

差動レシーバ32(差動コンパレータ)は、DP、DMのパッドを介して入力される差動信号を差動増幅して、データ信号DINとして後段の回路(例えばマクロセルMC2内の回路)に出力する。この差動レシーバ32は、差動信号DP、DMがその第1、第2の差動入力に入力される演算増幅回路により実現できる。なお差動レシーバ32は、イネーブル信号COMPENBにより、その動作がイネーブル又はディスエーブルされる。   The differential receiver 32 (differential comparator) differentially amplifies the differential signal input through the DP and DM pads, and outputs the differential signal as a data signal DIN to a subsequent circuit (for example, a circuit in the macro cell MC2). . The differential receiver 32 can be realized by an operational amplifier circuit in which the differential signals DP and DM are input to the first and second differential inputs. The operation of the differential receiver 32 is enabled or disabled by an enable signal COMPENB.

シングルエンドレシーバ34は、DPのパッドを介して入力されるシングルエンドの信号を増幅して、データ信号SEDIN1として後段の回路(例えばマクロセルMC2内の回路)に出力する。シングルエンドレシーバ36は、DMのパッドを介して入力されるシングルエンドの信号を増幅して、データ信号SEDIN2として後段の回路に出力する。これらのシングルエンドレシーバ34、36は、例えば入力電圧の立ち上がり時と立ち下がり時とでしきい値が異なるヒステリシス特性を有するバッファ回路などにより実現できる。またシングルエンドレシーバ34、36は、イネーブル信号SEENB1、SEENB2により、その動作がイネーブル又はディスエーブルされる。   The single-ended receiver 34 amplifies the single-ended signal input via the DP pad, and outputs the amplified signal as a data signal SEDIN1 to a subsequent circuit (for example, a circuit in the macro cell MC2). The single-ended receiver 36 amplifies the single-ended signal input via the DM pad and outputs the amplified signal as a data signal SEDIN2 to a subsequent circuit. These single-ended receivers 34 and 36 can be realized by, for example, a buffer circuit having a hysteresis characteristic with different thresholds at the time of rising and falling of the input voltage. The operations of the single end receivers 34 and 36 are enabled or disabled by enable signals SEENB1 and SEENB2.

プルアップ用の抵抗回路40は、DPの信号ラインをプルアップするための回路であり、DPのパッド(第1のパッド)に接続される。この抵抗回路40は、トランジスタ等で実現されるスイッチ素子SUP1と、例えば1.5Kオームのプルアップ用の抵抗RUP1を含む。具体的にはスイッチ素子SUP1の一端はDPのパッドに接続され、他端は抵抗RUP1の一端に接続される。また抵抗RUP1の他端は電源VDDに接続される。   The pull-up resistor circuit 40 is a circuit for pulling up the DP signal line, and is connected to the DP pad (first pad). This resistance circuit 40 includes a switch element SUP1 realized by a transistor or the like and a pull-up resistor RUP1 of, for example, 1.5 K ohms. Specifically, one end of the switch element SUP1 is connected to the DP pad, and the other end is connected to one end of the resistor RUP1. The other end of the resistor RUP1 is connected to the power supply VDD.

抵抗回路42は、抵抗回路40がDPの信号ラインに接続されることで形成される寄生容量と等価な寄生容量等を、DMの信号ラインに形成するためのダミーの抵抗回路であり、DMの信号ラインに接続される。この抵抗回路42は、抵抗回路40のスイッチ素子SUP1、抵抗RUP1と同一構成(同一のゲート長・ゲート幅、同一の抵抗)のスイッチ素子SUP2、抵抗RUP2を含む。具体的にはスイッチ素子SUP2の一端はDMのパッドに接続され、他端は抵抗RUP2の一端に接続される。   The resistance circuit 42 is a dummy resistance circuit for forming, in the DM signal line, a parasitic capacitance equivalent to the parasitic capacitance formed by connecting the resistance circuit 40 to the DP signal line. Connected to signal line. The resistor circuit 42 includes a switch element SUP2 and a resistor RUP2 having the same configuration (same gate length / gate width and the same resistance) as the switch element SUP1 and resistor RUP1 of the resistor circuit 40. Specifically, one end of the switch element SUP2 is connected to the DM pad, and the other end is connected to one end of the resistor RUP2.

なお図3では抵抗RUP1、RUP2が電源VDD側に設けられているが、スイッチ素子SUP1、SUP2の方を電源VDD側に設けるようにしてもよい。   In FIG. 3, the resistors RUP1 and RUP2 are provided on the power supply VDD side, but the switch elements SUP1 and SUP2 may be provided on the power supply VDD side.

抵抗制御回路50、52は抵抗回路40、42の制御用の回路である。具体的には抵抗制御回路50、52は、スイッチ素子SUP1、SUP2のオン・オフを制御する信号RUPSW1、RUPSW2を生成して抵抗回路40、42に出力する。   The resistance control circuits 50 and 52 are circuits for controlling the resistance circuits 40 and 42. Specifically, the resistance control circuits 50 and 52 generate signals RUPSW1 and RUPSW2 for controlling on / off of the switch elements SUP1 and SUP2, and output them to the resistance circuits 40 and 42.

なお抵抗制御回路50は、前段の回路(例えばマクロセルMC2内の回路)からのプルアップイネーブル信号RUPENB1に基づいて信号RUPSW1を出力し、スイッチ素子SUP1のオン・オフを制御する。一方、抵抗制御回路52は、前段の回路からのプルアップイネーブル信号RUPENB2に基づいて信号RUPSW2を出力し、スイッチ素子SUP2のオン・オフを制御する。   The resistance control circuit 50 outputs a signal RUPSW1 based on a pull-up enable signal RUPENB1 from a preceding circuit (for example, a circuit in the macro cell MC2), and controls on / off of the switch element SUP1. On the other hand, the resistance control circuit 52 outputs a signal RUPSW2 based on the pull-up enable signal RUPENB2 from the preceding circuit, and controls the on / off of the switch element SUP2.

図4(A)に送信回路10(FS用)の具体的な回路構成例を示す。送信ドライバ12は、電源VDD、VSS(広義には第1、第2の電源)間に直列接続されたP型トランジスタTPTR1とN型トランジスタTNTR1を含む。そしてその出力ノードTN1とDPのノードとの間にダンピング抵抗RDP1が設けられる。送信ドライバ14は、電源VDD、VSS間に直列接続されたP型トランジスタTPTR2とN型トランジスタTNTR2を含む。そしてその出力ノードTN2とDMのノードとの間にダンピング抵抗RDP2が設けられる。   FIG. 4A shows a specific circuit configuration example of the transmission circuit 10 (for FS). The transmission driver 12 includes a P-type transistor TPTR1 and an N-type transistor TNTR1 connected in series between power supplies VDD and VSS (first and second power supplies in a broad sense). A damping resistor RDP1 is provided between the output node TN1 and the node of DP. The transmission driver 14 includes a P-type transistor TPTR2 and an N-type transistor TNTR2 connected in series between the power supplies VDD and VSS. A damping resistor RDP2 is provided between the output node TN2 and the node of DM.

送信制御回路22は、前段の回路から信号DOUT1、OUTDISを受け、図4(B)に示す真理値表にしたがった論理演算を行って、送信ドライバ12に信号OP1、ON1を出力する。送信制御回路24は、前段の回路から信号DOUT2、OUTDISを受け、図4(B)に示す真理値表にしたがった論理演算を行って、送信ドライバ14に信号OP2、ON2を出力する。例えばOUTDISがローレベル(Lレベル)であるとする。すると、DOUT1がローレベルの場合はDPがローレベルになり、DOUT1がハイレベル(Hレベル)の場合はDPがハイレベルになる。またDOUT2がローレベルの場合はDMがローレベルになり、DOUT2がハイレベルの場合はDMがハイレベルになる。一方、OUTDISがハイベルの場合にはDP、DMは共にハイインピーダンス状態になる。   The transmission control circuit 22 receives the signals DOUT1 and OUTDIS from the preceding circuit, performs a logical operation according to the truth table shown in FIG. 4B, and outputs the signals OP1 and ON1 to the transmission driver 12. The transmission control circuit 24 receives the signals DOUT2 and OUTDIS from the preceding circuit, performs a logical operation according to the truth table shown in FIG. 4B, and outputs the signals OP2 and ON2 to the transmission driver 14. For example, assume that OUTDIS is at a low level (L level). Then, when DOUT1 is low level, DP becomes low level, and when DOUT1 is high level (H level), DP becomes high level. When DOUT2 is at a low level, DM is at a low level, and when DOUT2 is at a high level, DM is at a high level. On the other hand, when OUTDIS is high bell, both DP and DM are in a high impedance state.

図5に差動レシーバ32(FS用)の具体的な回路構成例を示す。この差動レシーバ32は演算増幅回路120、122と、出力回路124と、インバータ回路126、128と基準電圧発生回路130を含む。なおこれらの一部を省略する構成としてもよい。   FIG. 5 shows a specific circuit configuration example of the differential receiver 32 (for FS). The differential receiver 32 includes operational amplifier circuits 120 and 122, an output circuit 124, inverter circuits 126 and 128, and a reference voltage generation circuit 130. Note that some of these may be omitted.

ここで演算増幅回路120は、カレントミラー回路を構成するトランジスタTA1、TA2と、差動対を構成するトランジスタTA3、TA4と、電流源を構成するトランジスタTA5を含む。演算増幅回路122は、カレントミラー回路を構成するトランジスタTA6、TA7と、差動対を構成するトランジスタTA8、TA9と、電流源を構成するトランジスタTA10を含む。出力回路124は、駆動用のトランジスタTA11と、TA11に直列接続され電流源を構成するトランジスタTA12を含む。また出力回路124は、イネーブル信号ENB(COMPENB)がローレベル(ノンアクティブ)の場合に、出力回路124の出力ノードNA5を所定電圧(VDD)に設定するためのトランジスタTA13を含む。   Here, the operational amplifier circuit 120 includes transistors TA1 and TA2 constituting a current mirror circuit, transistors TA3 and TA4 constituting a differential pair, and a transistor TA5 constituting a current source. The operational amplifier circuit 122 includes transistors TA6 and TA7 that constitute a current mirror circuit, transistors TA8 and TA9 that constitute a differential pair, and a transistor TA10 that constitutes a current source. The output circuit 124 includes a driving transistor TA11 and a transistor TA12 that is connected in series to TA11 and forms a current source. The output circuit 124 also includes a transistor TA13 for setting the output node NA5 of the output circuit 124 to a predetermined voltage (VDD) when the enable signal ENB (COMPENB) is at a low level (non-active).

信号DP、DM(第1、第2の信号)は、演算増幅回路120の第1、第2の差動入力であるトランジスタTA3、TA4のゲートに入力される。演算増幅回路120の出力ノードNA2、NA1からの出力信号は、演算演算回路122の第1、第2の差動入力であるトランジスタTA8、TA9のゲートに入力される。演算演算回路122の出力ノードNA4からの出力信号は、出力回路124のトランジスタTA11のゲートに入力される。そして出力回路124の出力ノードNA5からの出力信号は、トランジスタTA14、TA15により構成されるインバータ回路126とトランジスタTA16、TA17により構成されるインバータ回路128によりバッファリングされて、信号DINとして出力される。   The signals DP and DM (first and second signals) are input to the gates of the transistors TA3 and TA4 which are the first and second differential inputs of the operational amplifier circuit 120. Output signals from the output nodes NA2 and NA1 of the operational amplifier circuit 120 are input to the gates of the transistors TA8 and TA9 which are the first and second differential inputs of the arithmetic operation circuit 122. An output signal from the output node NA4 of the arithmetic operation circuit 122 is input to the gate of the transistor TA11 of the output circuit 124. The output signal from the output node NA5 of the output circuit 124 is buffered by the inverter circuit 126 configured by the transistors TA14 and TA15 and the inverter circuit 128 configured by the transistors TA16 and TA17, and is output as the signal DIN.

基準電圧発生回路130は、コンパレータイネーブル信号COMPENBを受け、基準電圧VREFとイネーブル信号ENBを出力する。基準電圧VREFは、電流源を構成するトランジスタTA5、TA10、TA12のゲートに入力される。イネーブル信号ENBは出力回路124のトランジスタTA13のゲートに入力される。   The reference voltage generation circuit 130 receives the comparator enable signal COMPENB and outputs a reference voltage VREF and an enable signal ENB. The reference voltage VREF is input to the gates of the transistors TA5, TA10, and TA12 that constitute the current source. The enable signal ENB is input to the gate of the transistor TA13 of the output circuit 124.

図6に基準電圧発生回路130の回路構成例を示す。基準電圧発生回路130は、カレントミラー回路を構成するトランジスタTB1、TB2と、TB1に直列接続されるトランジスタTB3と、TB2に直列接続されるトランジスタTB4と、出力ノードNB2に接続されるトランジスタTB5を含む。   FIG. 6 shows a circuit configuration example of the reference voltage generation circuit 130. Reference voltage generation circuit 130 includes transistors TB1 and TB2 constituting a current mirror circuit, transistor TB3 connected in series to TB1, transistor TB4 connected in series to TB2, and transistor TB5 connected to output node NB2. .

信号COMPENBがハイレベル(アクティブ)になると、トランジスタTB3がオンになり、トランジスタTB1、TB3に流れる電流がカレントミラーによりトランジスタTB2、TB4に流れ、これにより基準電圧VREFが出力ノードNB2に発生する。一方、信号COMPENBがローレベル(ノンアクティブ)になると、トランジスタTB3がオフになると共にトランジスタTB5がオンになる。これにより基準電圧VREFがVSS(例えば0V)に設定されると共に基準電圧発生回路130において流れる電流が遮断される。また基準電圧VREFがVSSになることで図5のトランジスタTA5、TA10、TA12がオフになり、演算増幅回路120、122、出力回路124において流れる電流が遮断される。また信号ENBがローレベルになり、図5のトランジスタTA13がオンになることで、出力ノードNA5の電圧がVDDになり、NA5の電圧が不安定になることによる貫通電流の発生が防止される。以上により、差動レシーバ32のディスエーブル時に差動レシーバ32において流れる電流を遮断(制限)することができ、低消費電力化を図れる。   When the signal COMPENB becomes high level (active), the transistor TB3 is turned on, and the current flowing through the transistors TB1 and TB3 flows to the transistors TB2 and TB4 by the current mirror, thereby generating the reference voltage VREF at the output node NB2. On the other hand, when the signal COMPENB becomes low level (non-active), the transistor TB3 is turned off and the transistor TB5 is turned on. As a result, the reference voltage VREF is set to VSS (for example, 0 V) and the current flowing in the reference voltage generation circuit 130 is cut off. Further, when the reference voltage VREF becomes VSS, the transistors TA5, TA10, and TA12 in FIG. 5 are turned off, and the current flowing in the operational amplifier circuits 120 and 122 and the output circuit 124 is cut off. Further, when the signal ENB becomes low level and the transistor TA13 in FIG. 5 is turned on, the voltage of the output node NA5 becomes VDD, and generation of a through current due to the unstable voltage of NA5 is prevented. As described above, when the differential receiver 32 is disabled, the current flowing in the differential receiver 32 can be cut off (limited), and the power consumption can be reduced.

図7にシングルエンドレシーバ34(36)の回路構成例を示す。このシングルエンドレシーバ34(36)は、しきい値電圧のヒステリシス特性を有するバッファ回路140と、インバータ回路142、144を含む。   FIG. 7 shows a circuit configuration example of the single end receiver 34 (36). The single-ended receiver 34 (36) includes a buffer circuit 140 having a threshold voltage hysteresis characteristic and inverter circuits 142 and 144.

バッファ回路140は、直列接続されたトランジスタTC1、TC2、TC3、TC4と、TC1に並列接続されたトランジスタTC5と、TC2に並列接続されたトランジスタTC6と、TC4に並列接続されたトランジスタTC7を含む。またバッファ回路140は、トランジスタTC8、TC9、TC10、TC11で構成されるフィードバック用のインバータ回路141を含む。なおトランジスタTC1のゲートにはVSSが接続され、TC4のゲートにはVDDが接続される。   The buffer circuit 140 includes transistors TC1, TC2, TC3, and TC4 connected in series, a transistor TC5 connected in parallel to TC1, a transistor TC6 connected in parallel to TC2, and a transistor TC7 connected in parallel to TC4. The buffer circuit 140 includes a feedback inverter circuit 141 including transistors TC8, TC9, TC10, and TC11. Note that VSS is connected to the gate of the transistor TC1, and VDD is connected to the gate of the TC4.

信号DP(DM)はバッファ回路140のトランジスタTC2、TC3のゲートに入力される。そしてバッファ回路140の出力ノードNC2からの出力信号は、トランジスタTC12、TC13により構成されるインバータ回路142とトランジスタTC14,TC15により構成されるインバータ回路144によりバッファリングされて、信号SEDIN1(SEDIN2)として出力される。   The signal DP (DM) is input to the gates of the transistors TC2 and TC3 of the buffer circuit 140. The output signal from the output node NC2 of the buffer circuit 140 is buffered by the inverter circuit 142 composed of the transistors TC12 and TC13 and the inverter circuit 144 composed of the transistors TC14 and TC15, and output as a signal SEDIN1 (SEDIIN2). Is done.

なお信号DP(DM)がローレベルの場合には、出力ノードNC2の電圧がローレベルになり、トランジスタTC5がオンになり、P型トランジスタ側のオン抵抗が小さくなる。これにより、信号DP(DM)がローレベルからハイレベルに変化する時のしきい値電圧が高くなる。一方、信号DP(DM)がハイレベルの場合には、出力ノードNC2の電圧がハイレベルになり、トランジスタTC7がオンになり、N型トランジスタ側のオン抵抗が小さくなる。これにより、信号DP(DM)がハイレベルからローレベルに変化する時のしきい値電圧が低くなる。以上によりバッファ回路140のしきい値電圧のヒステリシス特性が実現される。   When the signal DP (DM) is at a low level, the voltage at the output node NC2 is at a low level, the transistor TC5 is turned on, and the on-resistance on the P-type transistor side is reduced. As a result, the threshold voltage when the signal DP (DM) changes from the low level to the high level is increased. On the other hand, when the signal DP (DM) is at a high level, the voltage at the output node NC2 is at a high level, the transistor TC7 is turned on, and the on-resistance on the N-type transistor side is reduced. Thereby, the threshold voltage when the signal DP (DM) changes from the high level to the low level is lowered. Thus, the hysteresis characteristic of the threshold voltage of the buffer circuit 140 is realized.

またイネーブル信号SEENB1がローレベル(ノンアクティブ)になると、トランジスタTC6がオンになり、ノードNC1の電圧がVDDに設定される。またトランジスタTC11がオンになり、ノードNC2の電圧がVSSに設定される。またトランジスタTC8がオフになり、フィードバック用インバータ回路141において流れる電流が遮断される。以上により、シングルエンドレシーバ34(36)のディスエーブル時にシングルエンドレシーバ34(36)において流れる電流を遮断(制限)することができ、低消費電力化を図れる。   When the enable signal SEENB1 becomes low level (non-active), the transistor TC6 is turned on and the voltage of the node NC1 is set to VDD. Further, the transistor TC11 is turned on, and the voltage of the node NC2 is set to VSS. Further, the transistor TC8 is turned off, and the current flowing in the feedback inverter circuit 141 is cut off. As described above, when the single end receiver 34 (36) is disabled, the current flowing in the single end receiver 34 (36) can be cut off (restricted), and the power consumption can be reduced.

4.マクロセルMC1の回路構成
さて図1の集積回路装置を回路基板に実装する際に以下のような課題がある。例えば図8(A)では、集積回路装置500とUSBのレセプタクル510が、回路基板520の一方の面側(例えば表面側)に同面実装されている。そして図8(A)のE1に示すような配線WL1、WL2により、集積回路装置500のDP、DM用の端子と、レセプタクル510のDP、DM用の端子とが接続される。なおUSBのレセプタクル510としては、Aレセプタクル、Bレセプタクル、Mini-Aレセプタクル、Mini-Bレセプタクル、Mini-ABレセプタクルなどがある。
4). Circuit Configuration of Macro Cell MC1 When the integrated circuit device of FIG. 1 is mounted on a circuit board, there are the following problems. For example, in FIG. 8A, the integrated circuit device 500 and the USB receptacle 510 are mounted on the same surface on one surface side (for example, the front surface side) of the circuit board 520. The DP and DM terminals of the integrated circuit device 500 and the DP and DM terminals of the receptacle 510 are connected to each other by wirings WL1 and WL2 as indicated by E1 in FIG. The USB receptacle 510 includes an A receptacle, a B receptacle, a Mini-A receptacle, a Mini-B receptacle, a Mini-AB receptacle, and the like.

一方、図8(B)では、集積回路装置500が回路基板520の一方の面側(例えば表面側)に実装され、USBのレセプタ510が回路基板520の他方の面側(例えば裏面側)に逆面実装されている。そして図8(B)のE2に示すような配線WL1、WL2により、集積回路装置500のDP、DM用の端子と、レセプタクル510のDP、DM用の端子が接続される。   On the other hand, in FIG. 8B, the integrated circuit device 500 is mounted on one surface side (for example, the front surface side) of the circuit board 520, and the USB receptor 510 is mounted on the other surface side (for example, the back surface side) of the circuit board 520. It is mounted on the reverse side. Then, the DP and DM terminals of the integrated circuit device 500 and the DP and DM terminals of the receptacle 510 are connected by wirings WL1 and WL2 as indicated by E2 in FIG. 8B.

この場合に図8(A)のE3と図8(B)のE4を比べれば明らかなように、集積回路装置500のDP、DMの端子の配列が異なっている。従って図8(A)(B)のような種々の実装形態に対応するためには、DP、DMの端子の配列や、これらの端子にボンディングワイヤを介して接続されるパッドの配列を変更する必要がある。   In this case, as apparent from comparing E3 in FIG. 8A and E4 in FIG. 8B, the arrangement of the DP and DM terminals of the integrated circuit device 500 is different. Therefore, in order to correspond to various mounting forms as shown in FIGS. 8A and 8B, the arrangement of DP and DM terminals and the arrangement of pads connected to these terminals via bonding wires are changed. There is a need.

ところがこれまでの集積回路装置では、DP、DMのパッド配列は固定されていた。従って図8(A)(B)に示すような同面実装や逆面実装などの種々の実装形態に対応するためには、配線WL1、WL2をクロスさせることなどが必要になり、これはDP、DMの信号特性の劣化を招く。   However, in conventional integrated circuit devices, the DP and DM pad arrays have been fixed. Therefore, in order to cope with various mounting modes such as the same surface mounting and the reverse surface mounting as shown in FIGS. 8A and 8B, it is necessary to cross the wirings WL1 and WL2, and this is because DP , DM signal characteristics are degraded.

また図8(A)のE3の配列でDP、DMのパッドが配置される集積回路装置(マクロセル)と図8(B)のE4の配列でDP、DMのパッドが配置される集積回路装置とを、別機種で用意すると、製品の高コスト化や開発期間の長期化を招く。またDP、DMのパッドの配列を変更することで、DP、DMの信号特性の対称性が崩れ、信号特性が劣化してしまうおそれもある。   Also, an integrated circuit device (macrocell) in which DP and DM pads are arranged in the arrangement of E3 in FIG. 8A, and an integrated circuit device in which DP and DM pads are arranged in the arrangement of E4 in FIG. If a different model is prepared, the cost of the product will be increased and the development period will be prolonged. Further, by changing the arrangement of the DP and DM pads, the symmetry of the DP and DM signal characteristics may be lost, and the signal characteristics may be deteriorated.

そこで本実施形態では、マクロセルMC1のレイアウトを変更することなく、セレクト信号を入力するだけで、DP、DMの配列を任意に変更できる手法を採用している。図9にこの手法を用いたマクロセルMC1の回路構成例を示す。なお図9では、図3で説明した各種のイネーブル信号(OUTDIS、COMPENB等)については省略して示してある。   Therefore, in the present embodiment, a technique is employed in which the arrangement of DP and DM can be arbitrarily changed by simply inputting a select signal without changing the layout of the macro cell MC1. FIG. 9 shows a circuit configuration example of the macro cell MC1 using this technique. In FIG. 9, various enable signals (OUTDIS, COMPENB, etc.) described in FIG. 3 are omitted.

図9において、第1のパッドP1は、差動信号を構成する信号DP、DM(広義には第1、第2の信号)のいずれか一方用のパッドであり、第2のパッドP2は、この一方とは異なる他方用のパッドである。例えば第1のモードでは、パッドP1がDP用のパッドになり、パッドP2がDM用のパッドになる。一方、第2のモードでは、パッドP1がDM用のパッドになり、パッドP2がDP用のパッドになる。これらの第1、第2のモードはセレクト信号SELにより切り替えることができ、信号SELが第1のレベル(例えばハイレベル)の場合には第1のモードになり、信号SELが第2のレベル(例えばローレベル)の場合には第2のモードになる。   In FIG. 9, the first pad P1 is a pad for one of signals DP and DM (first and second signals in a broad sense) constituting a differential signal, and the second pad P2 is This is a pad for the other side different from the one side. For example, in the first mode, the pad P1 is a DP pad, and the pad P2 is a DM pad. On the other hand, in the second mode, the pad P1 is a DM pad and the pad P2 is a DP pad. These first and second modes can be switched by a select signal SEL. When the signal SEL is at a first level (for example, high level), the first mode is set, and the signal SEL is at a second level ( For example, in the case of low level), the second mode is set.

第1のシングルエンドレシーバ34は、パッドP1(P1に接続される信号ラインSL1)に、その入力が接続され、第1の出力信号SEQ1を出力する。第2のシングルエンドレシーバ36は、パッドP2(P2に接続される信号ラインSL2)に、その入力が接続され、第2の出力信号SEQ2を出力する。なお、これらのシングルエンドレシーバ34、36としては例えば図7のような構成の回路を採用できるが、これに限定されない。   The input of the first single-ended receiver 34 is connected to the pad P1 (signal line SL1 connected to P1), and the first output signal SEQ1 is output. The second single-ended receiver 36 has its input connected to the pad P2 (signal line SL2 connected to P2), and outputs a second output signal SEQ2. As these single-ended receivers 34 and 36, for example, a circuit having a configuration as shown in FIG. 7 can be adopted, but the present invention is not limited to this.

セレクタ100は、セレクト信号SELが第1のレベルになり第1のモードに設定されると、シングルエンドレシーバ34、36からの出力信号SEQ1、SEQ2のうちSEQ1を第1のセレクタ出力信号SLQ1として出力する。また出力信号SEQ2を第2のセレクタ出力信号SLQ2として出力する。一方、セレクト信号SELが第2のレベルになり第2のモードに設定されると、出力信号SEQ1、SEQ2のうちSEQ2をセレクタ出力信号SLQ1として出力する。また出力信号SEQ1をセレクタ出力信号SLQ2として出力する。   When the select signal SEL becomes the first level and is set to the first mode, the selector 100 outputs SEQ1 as the first selector output signal SLQ1 from the output signals SEQ1 and SEQ2 from the single-ended receivers 34 and 36. To do. The output signal SEQ2 is output as the second selector output signal SLQ2. On the other hand, when the select signal SEL becomes the second level and the second mode is set, SEQ2 of the output signals SEQ1 and SEQ2 is output as the selector output signal SLQ1. The output signal SEQ1 is output as the selector output signal SLQ2.

以上のようにすれば、第1のモードでは、パッドP1からの信号(例えばDP)がシングルエンドレシーバ34により増幅されてセレクタ出力信号SLQ1として出力され、パッドP2からの信号(例えばDM)がシングルエンドレシーバ36により増幅されてセレクタ出力信号SLQ2として出力されるようになる。一方、パッド配列が変更されて第2のモードになると、パッドP2からの信号(例えばDP)がシングルエンドレシーバ36により増幅されてセレクタ出力信号SLQ1として出力され、パッドP1からの信号(例えばDM)がシングルエンドレシーバ34により増幅されてセレクタ出力信号SLQ2として出力されるようになる。   In this manner, in the first mode, the signal (for example, DP) from the pad P1 is amplified by the single end receiver 34 and output as the selector output signal SLQ1, and the signal (for example, DM) from the pad P2 is single. The signal is amplified by the end receiver 36 and output as the selector output signal SLQ2. On the other hand, when the pad arrangement is changed to the second mode, the signal (for example, DP) from the pad P2 is amplified by the single-ended receiver 36 and output as the selector output signal SLQ1, and the signal (for example, DM) from the pad P1. Is amplified by the single-ended receiver 34 and output as the selector output signal SLQ2.

また図9において差動レシーバ32は、パッドP1に、その第1の差動入力が接続され、パッドP2に、その第2の差動入力が接続され、第1の出力信号DFQと、DFQの反転信号である第2の出力信号XDFQを出力する。この差動レシーバ32としては、例えば図5のような構成の回路を採用できるが、これに限定されない。また出力信号XDFQとしては、例えば図5のインバータ回路126の出力信号などを用いることができる。   9, the differential receiver 32 has its first differential input connected to the pad P1, its second differential input connected to the pad P2, and the first output signal DFQ and the DFQ of the DFQ. A second output signal XDFQ which is an inverted signal is output. As the differential receiver 32, for example, a circuit having a configuration as shown in FIG. 5 can be adopted, but the present invention is not limited to this. As the output signal XDFQ, for example, the output signal of the inverter circuit 126 in FIG. 5 can be used.

セレクタ102は、第1のモードに設定されると、差動レシーバ32からの出力信号DFQ、XDFQのうちDFQをセレクタ出力信号SLQ3として出力する。一方、第2のモードに設定されると、差動レシーバ32からの出力信号DFQ、XDFQのうちXDFQをセレクタ出力信号SLQ3として出力する。   When the selector 102 is set to the first mode, the selector 102 outputs the DFQ of the output signals DFQ and XDFQ from the differential receiver 32 as the selector output signal SLQ3. On the other hand, when the second mode is set, XDFQ of the output signals DFQ and XDFQ from the differential receiver 32 is output as the selector output signal SLQ3.

以上のようにすれば、第1のモードでは、パッドP1からの信号(例えばDP)を正極性としパッドP2からの信号(例えばDM)を負極性とする適正な差動増幅が差動レシーバ32により行われて、差動増幅された信号がセレクタ出力信号SLQ3として出力されるようになる。一方、パッド配列が変更されて第2のモードになると、パッドP2からの信号(例えばDP)を正極性としパッドP1からの信号(例えばDM)を負極性とする適正な差動増幅が差動レシーバ32により行われて、差動増幅された信号がセレクタ出力信号SLQ3として出力されるようになる。   As described above, in the first mode, proper differential amplification in which the signal from the pad P1 (for example, DP) has a positive polarity and the signal from the pad P2 (for example, DM) has a negative polarity is performed by the differential receiver 32. The differentially amplified signal is output as the selector output signal SLQ3. On the other hand, when the pad arrangement is changed to the second mode, proper differential amplification in which the signal from the pad P2 (for example, DP) has a positive polarity and the signal from the pad P1 (for example, DM) has a negative polarity is differential. A signal that is differentially amplified by the receiver 32 is output as the selector output signal SLQ3.

なおセレクト信号SELの設定情報は、例えば集積回路装置(マクロセルMC1)が内蔵するEEPROM(書き換え可能な不揮発性メモリ)やマスクROMなどのメモリ(レジスタ)に記憶できる。例えばパッドP1をDP用のパッドに設定し、パッドP2をDM用のパッドに設定する場合には、セレクト信号SELを例えば第1のレベルにして第1のモードに設定する情報を、上記メモリに記憶すればよい。また例えばパッドP1をDM用のパッドに設定し、パッドP2をDP用のパッドに設定する場合には、セレクト信号SELを例えば第2のレベルにして第2のモードに設定する情報を、上記メモリに記憶すればよい。   The setting information of the select signal SEL can be stored in a memory (register) such as an EEPROM (rewritable nonvolatile memory) or a mask ROM incorporated in the integrated circuit device (macrocell MC1). For example, when the pad P1 is set as the DP pad and the pad P2 is set as the DM pad, the information for setting the first signal by setting the select signal SEL to the first level is stored in the memory. Just remember. For example, when the pad P1 is set as a DM pad and the pad P2 is set as a DP pad, information for setting the select signal SEL to the second level, for example, to set the second mode is stored in the memory. You can memorize it.

また図9のマクロセルMC1は、セレクタ100からのセレクタ出力信号SLQ1、SLQ2や、セレクタ102からのセレクタ出力信号SLQ3を、図1のマクロセルMC2に出力するための出力端子TM1、TM2、TM3を含むことができる。ここでマクロセルMC2は、前述したように、物理層よりも上位層(論理層、リンク層、トランザクション層又はアプリケーション層等)の回路を含むマクロセルである。   9 includes output terminals TM1, TM2, and TM3 for outputting the selector output signals SLQ1 and SLQ2 from the selector 100 and the selector output signal SLQ3 from the selector 102 to the macrocell MC2 in FIG. Can do. Here, as described above, the macro cell MC2 is a macro cell including a circuit in a layer higher than the physical layer (a logical layer, a link layer, a transaction layer, an application layer, or the like).

そしてセレクタ100は、第1のモードでは、出力信号SEQ1をセレクタ出力信号SLQ1として出力端子TM1を介してマクロセルMC2に出力する。また出力信号SEQ2をセレクタ出力信号SLQ2として出力端子TM2を介してマクロセルMC2に出力する。一方、第2のモードでは、出力信号SEQ2をセレクタ出力信号SLQ1として出力端子TM1を介してマクロセルMC2に出力する。また出力信号SEQ1をセレクタ出力信号SLQ2として出力端子TM2を介してマクロセルMC2に出力する。   In the first mode, selector 100 outputs output signal SEQ1 as selector output signal SLQ1 to macro cell MC2 via output terminal TM1. Further, the output signal SEQ2 is outputted as the selector output signal SLQ2 to the macro cell MC2 via the output terminal TM2. On the other hand, in the second mode, the output signal SEQ2 is output as the selector output signal SLQ1 to the macro cell MC2 via the output terminal TM1. The output signal SEQ1 is output to the macro cell MC2 via the output terminal TM2 as the selector output signal SLQ2.

またセレクタ102は、第1のモードでは、出力信号DFQをセレクタ出力信号SLQ3として出力端子TM3を介してマクロセルMC2に出力する。一方、第2のモードでは、出力信号XDFQをセレクタ出力信号SLQ3として出力端子TM3を介してマクロセルMC2に出力する。   In the first mode, the selector 102 outputs the output signal DFQ as the selector output signal SLQ3 to the macro cell MC2 via the output terminal TM3. On the other hand, in the second mode, the output signal XDFQ is output as the selector output signal SLQ3 to the macro cell MC2 via the output terminal TM3.

そしてこれらの出力端子TM1、TM2、TM3は、マクロセルMC1の四辺のうちの一辺(例えば第3の辺)に沿って設けられる受信インターフェース領域に固定配置することができる。なお出力端子TM1、TM2、TM3は、実際のレイアウトでは信号SLQ1、SLQ2、SLQ3の出力用の信号ラインであり、例えばマクロセルMC1のネットリストなどにおいて出力端子として定義されるものである。また受信インターフェース領域については後述する。   These output terminals TM1, TM2, and TM3 can be fixedly arranged in a reception interface region provided along one side (for example, the third side) of the four sides of the macro cell MC1. The output terminals TM1, TM2, and TM3 are signal lines for outputting the signals SLQ1, SLQ2, and SLQ3 in an actual layout, and are defined as output terminals in the net list of the macro cell MC1, for example. The reception interface area will be described later.

出力端子TM1を介して出力されるセレクタ出力信号SLQ1は、図3の信号SEDIN1に相当し、出力端子TM2を介して出力されるセレクタ出力信号SLQ2は、信号SEDIN2に相当する。また出力端子TM3を介して出力されるセレクタ出力信号SLQ3は、信号DINに相当する。なおこれらの信号のバッファリングを行うバッファ回路や電圧のレベルシフトを行う回路などを、セレクタ100、102内に含めることができる。   The selector output signal SLQ1 output via the output terminal TM1 corresponds to the signal SEDIN1 in FIG. 3, and the selector output signal SLQ2 output via the output terminal TM2 corresponds to the signal SEDIN2. A selector output signal SLQ3 output via the output terminal TM3 corresponds to the signal DIN. Note that a buffer circuit that performs buffering of these signals, a circuit that performs voltage level shift, and the like can be included in the selectors 100 and 102.

また図9においてセレクタ104は、第1のモードに設定されると、第1、第2の入力信号SLI4、SLI5(データ信号)のうちSLI4を第1のセレクタ出力信号SLQ4として出力する。また入力信号SLI5を第2のセレクタ出力信号SLQ5として出力する。一方、第2のモードに設定されると、入力信号SLI4、SLI5のうちSLI5をセレクタ出力信号SLQ4として出力する。また入力信号SLI4をセレクタ出力信号SLQ5として出力する。   In FIG. 9, when the selector 104 is set to the first mode, the selector 104 outputs SLI4 of the first and second input signals SLI4 and SLI5 (data signal) as the first selector output signal SLQ4. The input signal SLI5 is output as the second selector output signal SLQ5. On the other hand, when the second mode is set, SLI5 of the input signals SLI4 and SLI5 is output as the selector output signal SLQ4. The input signal SLI4 is output as the selector output signal SLQ5.

また送信ドライバ12には、セレクタ出力信号SLQ4に対応した送信制御信号OP1、ON1が入力され、パッドP1に接続される信号ラインSL1を駆動する。また送信ドライバ14には、セレクタ出力信号SLQ5に対応した送信制御信号OP2、ON2が入力され、パッドP2に接続される信号ラインSL2を駆動する。   The transmission driver 12 receives transmission control signals OP1 and ON1 corresponding to the selector output signal SLQ4, and drives the signal line SL1 connected to the pad P1. The transmission driver 14 receives transmission control signals OP2 and ON2 corresponding to the selector output signal SLQ5, and drives the signal line SL2 connected to the pad P2.

以上のようにすれば、第1のモードでは、パッドP1(例えばDP)に接続される信号ラインSL1が、入力信号SLI4に応じた電圧で送信ドライバ12により駆動され、パッドP2(例えばDM)に接続される信号ラインSL2が、入力信号SLI5に応じた電圧で送信ドライバ14により駆動されるようになる。一方、パッド配列が変更されて第2のモードになると、パッドP2(例えばDP)に接続される信号ラインSL2が、入力信号SLI4に応じた電圧で送信ドライバ14により駆動され、パッドP1(例えばDM)に接続される信号ラインSL1が、入力信号SLI5に応じた電圧で送信ドライバ12により駆動されるようになる。   In this manner, in the first mode, the signal line SL1 connected to the pad P1 (for example, DP) is driven by the transmission driver 12 with a voltage corresponding to the input signal SLI4, and is applied to the pad P2 (for example, DM). The signal line SL2 to be connected is driven by the transmission driver 14 with a voltage corresponding to the input signal SLI5. On the other hand, when the pad arrangement is changed to enter the second mode, the signal line SL2 connected to the pad P2 (for example DP) is driven by the transmission driver 14 with a voltage corresponding to the input signal SLI4, and the pad P1 (for example DM ) Is driven by the transmission driver 12 at a voltage corresponding to the input signal SLI5.

また図9において、セレクタ106は、第1のモードに設定されると、第1、第2の入力信号SLI6、SLI7のうちSLI6を第1のセレクタ出力信号SLQ6として出力する。また入力信号SLI7を第2のセレクタ出力信号SLQ7として出力する。一方、第2のモードに設定されると、入力信号SLI6、SLI7のうちSLI7をセレクタ出力信号SLQ6として出力する。また入力信号SLI6をセレクタ出力信号SLQ7として出力する。   In FIG. 9, when the selector 106 is set to the first mode, the selector 106 outputs SLI6 among the first and second input signals SLI6 and SLI7 as the first selector output signal SLQ6. The input signal SLI7 is output as the second selector output signal SLQ7. On the other hand, when the second mode is set, SLI7 of the input signals SLI6 and SLI7 is output as the selector output signal SLQ6. The input signal SLI6 is output as the selector output signal SLQ7.

また第1の抵抗回路40には、セレクタ出力信号SLQ6に対応した抵抗制御信号RUPSW1が入力される。そしてこの第1の抵抗回路40は、パッドP1に接続されるプルアップ用又はダミー用の抵抗回路として機能する。また第2の抵抗回路42には、セレクタ出力信号SLQ7に対応した抵抗制御信号RUPSW2が入力される。そしてこの第2の抵抗回路42は、パッドP2に接続されるプルアップ用又はダミー用の抵抗回路として機能する。   The first resistance circuit 40 receives a resistance control signal RUPSW1 corresponding to the selector output signal SLQ6. The first resistor circuit 40 functions as a pull-up or dummy resistor circuit connected to the pad P1. The second resistance circuit 42 receives a resistance control signal RUPSW2 corresponding to the selector output signal SLQ7. The second resistor circuit 42 functions as a pull-up or dummy resistor circuit connected to the pad P2.

以上のようにすれば、第1のモードでは、パッドP1(例えばDP)に接続される抵抗回路40が、例えばプルアップ用の抵抗回路として機能し、信号ラインSL1がプルアップされ、パッドP2(例えばDM)に接続される抵抗回路42が例えばダミー用の抵抗回路として機能するようになる。一方、パッド配列が変更されて第2のモードになると、パッドP2(例えばDP)に接続される抵抗回路42が例えばプルアップ用の抵抗回路として機能し、パッドP1(例えばDM)に接続される抵抗回路40が例えばダミー用の抵抗回路として機能するようになる。これにより、パッド配列が変更されても適正なプルアップ制御を実現できるようになる。   In this way, in the first mode, the resistor circuit 40 connected to the pad P1 (for example, DP) functions as, for example, a pull-up resistor circuit, the signal line SL1 is pulled up, and the pad P2 ( For example, the resistor circuit 42 connected to DM) functions as a dummy resistor circuit, for example. On the other hand, when the pad arrangement is changed to the second mode, the resistor circuit 42 connected to the pad P2 (for example, DP) functions as, for example, a pull-up resistor circuit and is connected to the pad P1 (for example, DM). The resistor circuit 40 functions as a dummy resistor circuit, for example. As a result, proper pull-up control can be realized even if the pad arrangement is changed.

なおUSBのOTG(On-The-Go)に対応するためには、信号ラインSL1に接続されるプルダウン用の第1の抵抗回路と、信号ラインSL2に接続されるプルダウン用の第2の抵抗回路と、これらの抵抗回路用のセレクタを設ければよい。そしてこれらのプルダウン用の第1、第2の抵抗回路とセレクタとを、図9の抵抗回路40、42、セレクタ106と同様に動作させればよい。   In order to support USB OTG (On-The-Go), a first pull-down resistor circuit connected to the signal line SL1 and a second pull-down resistor circuit connected to the signal line SL2 are used. And a selector for these resistance circuits may be provided. The pull-down first and second resistor circuits and the selector may be operated in the same manner as the resistor circuits 40 and 42 and the selector 106 in FIG.

また図9のマクロセルMC1は、図1のマクロセルMC2から入力信号SLI4、SLI5,SLI6、SLI7を入力するための入力端子TM4、TM5、TM6、TM7を含むことができる。   9 can include input terminals TM4, TM5, TM6, and TM7 for inputting input signals SLI4, SLI5, SLI6, and SLI7 from the macrocell MC2 of FIG.

そしてセレクタ104は、第1のモードでは、入力端子TM4を介して入力された入力信号SLI4をセレクタ出力信号SLQ4として出力する。また入力端子TM5を介して入力された入力信号SLI5をセレクタ出力信号SLQ5として出力する。一方、第2のモードでは、入力端子TM5を介して入力された入力信号SLI5をセレクタ出力信号SLQ4として出力する。また入力端子TM4を介して入力された入力信号SLI4をセレクタ出力信号SLQ5として出力する。   In the first mode, the selector 104 outputs the input signal SLI4 input via the input terminal TM4 as the selector output signal SLQ4. Also, the input signal SLI5 input via the input terminal TM5 is output as the selector output signal SLQ5. On the other hand, in the second mode, the input signal SLI5 input via the input terminal TM5 is output as the selector output signal SLQ4. Also, the input signal SLI4 input through the input terminal TM4 is output as the selector output signal SLQ5.

またセレクタ106は、第1のモードでは、入力端子TM6を介して入力された入力信号SLI6をセレクタ出力信号SLQ6として出力する。また入力端子TM7を介して入力された入力信号SLI7をセレクタ出力信号SLQ7として出力する。一方、第2のモードでは、入力端子TM7を介して入力された入力信号SLI7をセレクタ出力信号SLQ6として出力する。また入力端子TM6を介して入力された入力信号SLI6をセレクタ出力信号SLQ7として出力する。   In the first mode, the selector 106 outputs the input signal SLI6 input through the input terminal TM6 as the selector output signal SLQ6. Further, the input signal SLI7 input via the input terminal TM7 is output as the selector output signal SLQ7. On the other hand, in the second mode, the input signal SLI7 input via the input terminal TM7 is output as the selector output signal SLQ6. Further, the input signal SLI6 input through the input terminal TM6 is output as the selector output signal SLQ7.

そしてこれらの入力端子TM4〜TM7は、マクロセルMC1の四辺のうちの一辺(例えば第3の辺)に沿って設けられる送信インターフェース領域に固定配置することができる。なお入力端子TM4〜TM7は実際のレイアウトでは信号SLQ4〜SQ7の入力用の信号ラインであり、例えばマクロセルMC1のネットリストなどにおいて入力端子として定義されるものである。また送信インターフェース領域については後述する。   These input terminals TM4 to TM7 can be fixedly arranged in a transmission interface area provided along one side (for example, the third side) of the four sides of the macro cell MC1. Input terminals TM4 to TM7 are signal lines for inputting signals SLQ4 to SQ7 in the actual layout, and are defined as input terminals in the net list of macro cell MC1, for example. The transmission interface area will be described later.

また入力端子TM4を介して入力される信号SLI4は、図3の信号DOUT1に相当し、入力端子TM5を介して入力される信号SLI5は、信号DOUT2に相当する。また入力端子TM6を介して入力される信号SLI6は、信号RUPENB1に相当し、入力端子TM7を介して入力される信号SLI7は、信号RUPENB2に相当する。   The signal SLI4 input via the input terminal TM4 corresponds to the signal DOUT1 in FIG. 3, and the signal SLI5 input via the input terminal TM5 corresponds to the signal DOUT2. The signal SLI6 input via the input terminal TM6 corresponds to the signal RUPENB1, and the signal SLI7 input via the input terminal TM7 corresponds to the signal RUPENB2.

図10(A)に図9のセレクタ100、104、106の回路構成例を示し、図10(B)にセレクタ102の回路構成例を示す。なおこれらのセレクタの構成は図10(A)(B)に示す構成に限定されない。   FIG. 10A shows a circuit configuration example of the selectors 100, 104, and 106 in FIG. 9, and FIG. 10B shows a circuit configuration example of the selector 102. Note that the configurations of these selectors are not limited to the configurations shown in FIGS.

例えば図10(A)において、信号S(セレクト信号SEL)がハイレベル(第1のレベル)になると、P型トランジスタとN型トランジスタにより構成されるトランスファー・ゲートTG1、TG4がオン(導通状態)になり、TG2、TG3がオフ(非導通状態)になる。これにより、入力信号I1、I2が、各々、出力信号Q1、Q2として出力されるようになる。一方、信号Sがローレベル(第2のレベル)になると、トランスファー・ゲートTG2、TG3がオンになり、TG1、TG4がオフになる。これにより、入力信号I1,I2が、各々、出力信号Q2、Q1として出力されるようになる。   For example, in FIG. 10A, when the signal S (select signal SEL) is at a high level (first level), the transfer gates TG1 and TG4 composed of P-type transistors and N-type transistors are turned on (conductive state). TG2 and TG3 are turned off (non-conducting state). As a result, the input signals I1 and I2 are output as the output signals Q1 and Q2, respectively. On the other hand, when the signal S becomes low level (second level), the transfer gates TG2 and TG3 are turned on and TG1 and TG4 are turned off. As a result, the input signals I1 and I2 are output as output signals Q2 and Q1, respectively.

また図10(B)において、信号Sがハイレベルになると、入力信号I1が選択されて出力信号Qとして出力され、信号Sがローレベルになると、入力信号I2が選択されて出力信号Qとして出力されるようになる。   In FIG. 10B, when the signal S becomes high level, the input signal I1 is selected and output as the output signal Q. When the signal S becomes low level, the input signal I2 is selected and output as the output signal Q. Will come to be.

以上のように説明した図9のマクロセルMC1によれば、マクロセルMC1のレイアウト等を変更することなく、セレクト信号SELの設定を変えるだけで、DP、DMのパッド配列を任意に変更できる。   According to the macro cell MC1 of FIG. 9 described above, the DP and DM pad arrangement can be arbitrarily changed by changing the setting of the select signal SEL without changing the layout of the macro cell MC1.

例えばセレクト信号を第1のレベルにして第1のモードに設定すれば、パッドP1をDP用のパッドとして使用でき、パッドP2をDM用のパッドとして使用できる。一方、セレクト信号を第2のレベルにして第2のモードに設定すれば、パッドP2をDP用のパッドとして使用でき、パッドP1をDM用のパッドとして使用できる。これにより図8(A)(B)のような種々の実装形態に柔軟に対応できる。   For example, if the select signal is set to the first level to set the first mode, the pad P1 can be used as a DP pad and the pad P2 can be used as a DM pad. On the other hand, if the select signal is set to the second level to set the second mode, the pad P2 can be used as a DP pad, and the pad P1 can be used as a DM pad. Thereby, it is possible to flexibly cope with various mounting forms as shown in FIGS.

そしてこのようにパッド配列が変更されても、本実施形態によれば、端子TM1、TM4、TM6についてはDP用の専用端子として使用でき、端子TM2、TM5、TM7についてはDM用の専用端子として使用できるという利点がある。また端子TM3からは、信号DP、DMの極性に応じた適正な差動増幅信号を出力できるという利点がある。   Even if the pad arrangement is changed in this way, according to the present embodiment, the terminals TM1, TM4, and TM6 can be used as dedicated DP terminals, and the terminals TM2, TM5, and TM7 can be used as dedicated DM terminals. There is an advantage that it can be used. Further, there is an advantage that an appropriate differential amplified signal corresponding to the polarities of the signals DP and DM can be output from the terminal TM3.

即ち本実施形態によれば、第1のモードでは、パッドP1に入力された信号DPに対応する信号SLQ1が、端子TM1から出力され、パッドP2に入力された信号DMに対応する信号SLQ2が、端子TM2から出力される。そして第2のモードに設定されてパッド配列が変更された場合にも、パッドP2に入力された信号DPに対応する信号SLQ1が、端子TM1から出力され、パッドP1に入力された信号DMに対応する信号SLQ2が、端子TM2から出力される。即ち第1、第2のモードのいずれのモードに設定されたとしても、常に、端子TM1からは信号DPに対応する信号が出力され、端子TM2からは信号DMに対応する信号が出力されるようになる。   That is, according to the present embodiment, in the first mode, the signal SLQ1 corresponding to the signal DP input to the pad P1 is output from the terminal TM1, and the signal SLQ2 corresponding to the signal DM input to the pad P2 is Output from terminal TM2. Even when the pad arrangement is changed in the second mode, the signal SLQ1 corresponding to the signal DP input to the pad P2 is output from the terminal TM1 and corresponds to the signal DM input to the pad P1. The signal SLQ2 to be output is output from the terminal TM2. That is, regardless of whether the mode is set to the first mode or the second mode, a signal corresponding to the signal DP is always output from the terminal TM1, and a signal corresponding to the signal DM is output from the terminal TM2. become.

また本実施形態によれば、第1のモードでは、パッドP1に入力された信号DPを正極性とし、パッドP2に入力された信号DMを負極性として差動増幅された信号SLQ3が、端子TM3から出力される。そして第2のモードに設定されてパッド配列が変更された場合にも、パッドP2に入力された信号DPを正極性とし、パッドP1に入力された信号DMを負極性として差動増幅された信号SLQ3が、端子TM3から出力されるようになる。即ち第1、第2のモードのいずれのモードに設定されたとしても、常に、端子TM3からは信号DP、DMの極性に応じた適正な差動増幅信号が出力されるようになる。   Further, according to the present embodiment, in the first mode, the signal SLQ3 differentially amplified with the signal DP input to the pad P1 having the positive polarity and the signal DM input to the pad P2 having the negative polarity is the terminal TM3. Is output from. Even when the pad arrangement is changed in the second mode, the signal DP input to the pad P2 has a positive polarity, and the signal DM input to the pad P1 has a negative polarity to be differentially amplified. SLQ3 is output from the terminal TM3. That is, regardless of the first mode or the second mode, an appropriate differential amplified signal corresponding to the polarities of the signals DP and DM is always output from the terminal TM3.

また本実施形態によれば、第1のモードでは、端子TM4から入力されたDP用の入力信号SLI4に基づいて、DP用のパッドP1の信号ラインSL1が駆動され、端子TM5から入力されたDM用の入力信号SLI5に基づいて、DM用のパッドP2の信号ラインSL2が駆動される。そして第2のモードに設定されてパッド配列が変更された場合にも、端子TM4から入力されたDP用の入力信号SLI4に基づいて、DP用のパッドP2の信号ラインSL2が駆動され、端子TM5から入力されたDM用の入力信号SLI5に基づいて、DM用のパッドP1の信号ラインSL1が駆動される。即ち第1、第2のモードのいずれのモードに設定されたとしても、常に、端子TM4にはDP用の信号を入力でき、端子TM5にはDM用の信号を入力できるようになる。   According to the present embodiment, in the first mode, the signal line SL1 of the DP pad P1 is driven based on the DP input signal SLI4 input from the terminal TM4, and DM input from the terminal TM5. The signal line SL2 of the DM pad P2 is driven based on the input signal SLI5. Even when the pad arrangement is changed in the second mode, the signal line SL2 of the DP pad P2 is driven based on the DP input signal SLI4 input from the terminal TM4, and the terminal TM5 The signal line SL1 of the DM pad P1 is driven based on the input signal SLI5 for DM input from. That is, regardless of whether the mode is set to the first mode or the second mode, a DP signal can always be input to the terminal TM4 and a DM signal can be input to the terminal TM5.

また本実施形態によれば、第1のモードでは、端子TM6から入力されたDP用の入力信号SLI6に基づいて、DP用のパッドP1の信号ラインSL1がプルアップされ、端子TM7から入力されたDM用の入力信号SLI7に基づいて、DM用のパッドP2の信号ラインSL2がプルアップされないようになる。そして第2のモードに設定されてパッド配列が変更された場合にも、端子TM6から入力されたDP用の入力信号SLI6に基づいて、DP用のパッドP2の信号ラインSL2がプルアップされ、端子TM7から入力されたDM用の入力信号SLI7に基づいて、DM用のパッドP1の信号ラインSL1がプルアップされないようになる。即ち第1、第2のモードのいずれのモードに設定されたとしても、常に、端子TM6にはDP用の信号を入力でき、端子TM7にはDM用の信号を入力できるようになる。   Further, according to the present embodiment, in the first mode, the signal line SL1 of the DP pad P1 is pulled up based on the DP input signal SLI6 input from the terminal TM6 and input from the terminal TM7. Based on the DM input signal SLI7, the signal line SL2 of the DM pad P2 is not pulled up. Even when the pad arrangement is changed in the second mode, the signal line SL2 of the DP pad P2 is pulled up based on the DP input signal SLI6 input from the terminal TM6, and the terminal Based on the DM input signal SLI7 input from TM7, the signal line SL1 of the DM pad P1 is not pulled up. That is, regardless of whether the mode is set to the first mode or the second mode, a DP signal can always be input to the terminal TM6 and a DM signal can be input to the terminal TM7.

以上のように本実施形態によれば、DP、DMのパッド配列を任意に変更できる一方で、端子TM1〜TM7については、それぞれDP用、DM用の端子として固定できる。従って上位層の回路を含むマクロセルMC2とのインターフェース部分(端子と配線の接続部分)を固定化でき、DP、DMのパッド配列を変更した場合にも、マクロセルMC2に影響が及ぶのを防止できる。   As described above, according to the present embodiment, the DP and DM pad arrays can be arbitrarily changed, while the terminals TM1 to TM7 can be fixed as DP and DM terminals, respectively. Accordingly, the interface portion (terminal-wiring connection portion) with the macro cell MC2 including the upper layer circuit can be fixed, and even when the DP and DM pad arrangement is changed, the macro cell MC2 can be prevented from being affected.

また本実施形態では、セレクト信号SELの設定を変えるだけで、DP、DMのパッド配列の変更を実現でき、差動レシーバ32、シングルエンドレシーバ34、36、送信ドライバ12、14、抵抗回路40、42などの物理層回路のレイアウトを変更する必要がない。従って、信号DP、DMの良好な信号特性を維持できるという利点がある。   In the present embodiment, the DP and DM pad arrangement can be changed simply by changing the setting of the select signal SEL. The differential receiver 32, the single-ended receivers 34 and 36, the transmission drivers 12 and 14, the resistance circuit 40, There is no need to change the layout of the physical layer circuit such as 42. Therefore, there is an advantage that good signal characteristics of the signals DP and DM can be maintained.

5.マクロセルMC1のレイアウト
図11に本実施形態のマクロセルMC1のレイアウト例を示す。なおマクロセルMC1のレイアウトは図11の例に限定されず、種々の変形実施が可能である。
5). Layout of Macro Cell MC1 FIG. 11 shows a layout example of the macro cell MC1 of the present embodiment. The layout of the macro cell MC1 is not limited to the example shown in FIG. 11, and various modifications can be made.

図11のマクロセルMC1は、複数(N個)のI/Oセルが配置されるI/O領域を含む。これらの複数のI/OセルはI/O領域の長手方向に沿って並んで配置される。またI/O領域の外側にはDP、DM用のパッドP1、P2を含む複数のパッドが配置される。なおI/O領域(I/Oセル)がパッドを含む構成にしてもよい。   The macro cell MC1 in FIG. 11 includes an I / O region in which a plurality (N) of I / O cells are arranged. The plurality of I / O cells are arranged side by side along the longitudinal direction of the I / O region. A plurality of pads including DP and DM pads P1 and P2 are arranged outside the I / O region. The I / O region (I / O cell) may include a pad.

マクロセルMC1の第1の辺SD1から、SD1に対向する第3の辺SD3へと向かう方向を第1の方向DR1としたとする。すると、送信回路10が含む送信ドライバ12、14は、パッドP1、P2(I/O領域)の第1の方向DR1側に配置される。具体的にI/O領域に隣接するように送信ドライバ12、14が配置される。   It is assumed that the direction from the first side SD1 of the macro cell MC1 toward the third side SD3 facing the SD1 is a first direction DR1. Then, the transmission drivers 12 and 14 included in the transmission circuit 10 are disposed on the first direction DR1 side of the pads P1 and P2 (I / O region). Specifically, the transmission drivers 12 and 14 are arranged so as to be adjacent to the I / O area.

また第1の方向DR1に沿ったラインを第1のラインSYLとする。すると送信ドライバ12、14は、ラインSYLを対称軸として線対称(実質的に線対称である場合も含む)に配置される。また送信回路10(集積回路装置)がダンピング抵抗RDP1、RDP2を内蔵する場合には、ダンピング抵抗RDP1、RDP2もラインSYLを対称軸として線対称に配置される。また、パッドP1、P2もラインSYLを対称軸として線対称に配置することができる。   A line along the first direction DR1 is defined as a first line SYL. Then, the transmission drivers 12 and 14 are arranged in line symmetry (including the case of being substantially line symmetrical) with the line SYL as the axis of symmetry. When the transmission circuit 10 (integrated circuit device) includes the damping resistors RDP1 and RDP2, the damping resistors RDP1 and RDP2 are also arranged in line symmetry with the line SYL as the symmetry axis. The pads P1 and P2 can also be arranged line-symmetrically with the line SYL as the axis of symmetry.

また本実施形態では受信回路30が、送信回路10(送信ドライバ12、14)の第1の方向DR1側に配置される。より具体的には送信回路10の第1の方向DR1側に隣接するように受信回路30が配置される。この受信回路30は、差動レシーバ32やシングルエンドレシーバ34、36を含む。   In the present embodiment, the reception circuit 30 is disposed on the first direction DR1 side of the transmission circuit 10 (transmission drivers 12 and 14). More specifically, the receiving circuit 30 is arranged so as to be adjacent to the transmitting circuit 10 on the first direction DR1 side. The receiving circuit 30 includes a differential receiver 32 and single-ended receivers 34 and 36.

また本実施形態では、送信ドライバ12、14の制御用の送信制御回路22、24も、送信回路10の第1の方向DR1側に配置される。より具体的には送信回路10の第1の方向DR1側に隣接するように送信制御回路22、24が配置される。そして受信回路30は、これらの送信制御回路22、24の間の領域に配置される。   In this embodiment, the transmission control circuits 22 and 24 for controlling the transmission drivers 12 and 14 are also arranged on the first direction DR1 side of the transmission circuit 10. More specifically, the transmission control circuits 22 and 24 are arranged so as to be adjacent to the transmission circuit 10 on the first direction DR1 side. The receiving circuit 30 is disposed in an area between the transmission control circuits 22 and 24.

なお送信制御回路22と受信回路30との間の領域や、送信制御回路24と受信回路30との間の領域に、他の回路ブロック(例えば信号のレベルを変換するレベルシフタ等)を配置してもよい。また送信回路10と、受信回路30、送信制御回路22、24との間の領域に他の回路ブロックを配置することも可能である。   In the area between the transmission control circuit 22 and the reception circuit 30 and in the area between the transmission control circuit 24 and the reception circuit 30, another circuit block (for example, a level shifter for converting the signal level) is arranged. Also good. It is also possible to arrange other circuit blocks in a region between the transmission circuit 10, the reception circuit 30, and the transmission control circuits 22 and 24.

また本実施形態では、受信回路30とパッドP1、P2とを接続する信号ラインを配線するための配線領域60が、送信ドライバ12と送信ドライバ14との間の領域に設けられている。なお配線領域60を他の場所(例えば送信ドライバ12の左側や送信ドライバ14の右側)に設ける構成とすることもできる。   In the present embodiment, a wiring region 60 for wiring a signal line connecting the receiving circuit 30 and the pads P1 and P2 is provided in a region between the transmission driver 12 and the transmission driver 14. Note that the wiring region 60 may be provided in another location (for example, the left side of the transmission driver 12 or the right side of the transmission driver 14).

またマクロセルMC1の第2の辺SD2から、SD2に対向する第4の辺SD4へと向かう方向を第2の方向DR2としたとする。すると本実施形態では、抵抗回路40と抵抗回路42が、送信回路10(送信ドライバ12、14)の第2の方向DR2側に配置される。そして抵抗制御回路50、52が、抵抗回路40、42の第1の方向DR1側に配置される。   Further, it is assumed that the direction from the second side SD2 of the macro cell MC1 toward the fourth side SD4 opposite to SD2 is the second direction DR2. Then, in this embodiment, the resistor circuit 40 and the resistor circuit 42 are arranged on the second direction DR2 side of the transmission circuit 10 (transmission drivers 12 and 14). The resistance control circuits 50 and 52 are arranged on the first direction DR1 side of the resistance circuits 40 and 42.

なお図11ではマクロセルMC1の左側辺が第2の辺SD2となり、右側辺が第4の辺SD4になっているが、左側辺を第4の辺SD4、右側辺を第2の辺SD2としてもよい。この場合には、送信回路10の左側に抵抗回路40、42が配置されることになる。また送信回路10と抵抗回路40、42との間の領域や、抵抗回路40、42と抵抗制御回路50、52の間の領域に、他の回路ブロックを配置してもよい。また抵抗回路40(及び抵抗制御回路50)と、抵抗回路42(及び抵抗制御回路52)とを、第1のラインSYLを対称軸として線対称に配置することも可能である。   In FIG. 11, the left side of the macro cell MC1 is the second side SD2, and the right side is the fourth side SD4. However, the left side is the fourth side SD4 and the right side is the second side SD2. Good. In this case, the resistance circuits 40 and 42 are arranged on the left side of the transmission circuit 10. Further, other circuit blocks may be arranged in a region between the transmission circuit 10 and the resistance circuits 40 and 42 or a region between the resistance circuits 40 and 42 and the resistance control circuits 50 and 52. It is also possible to arrange the resistance circuit 40 (and the resistance control circuit 50) and the resistance circuit 42 (and the resistance control circuit 52) in line symmetry with the first line SYL as the axis of symmetry.

さて、従来ではFSモード用の物理層回路は、ゲートアレイ(シーオブゲート)などの自動配置配線手法により配置されていた。従って、送信回路10や受信回路30を構成する回路セルが、集積回路装置の色々な場所に散在してしまうと共にその散在する配置位置も集積回路装置の機種毎に変化してしまう。この結果、差動信号DP、DMの信号特性も集積回路装置の機種毎に変化してしまい、新たな集積回路装置を製品化する毎にDP、DMの信号特性を再評価しなければならないという課題があった。   Conventionally, the physical layer circuit for the FS mode has been arranged by an automatic placement and routing technique such as a gate array (sea of gate). Therefore, circuit cells constituting the transmission circuit 10 and the reception circuit 30 are scattered in various places of the integrated circuit device, and the arrangement positions thereof are changed for each type of integrated circuit device. As a result, the signal characteristics of the differential signals DP and DM also change depending on the model of the integrated circuit device, and the signal characteristics of the DP and DM must be re-evaluated every time a new integrated circuit device is commercialized. There was a problem.

これに対して本実施形態では図11に示すように、送信回路10、受信回路30などの物理層回路が、その配線及び回路セル配置が固定化されるハードマクロとしてマクロセル化されている。従って、送信回路10や受信回路30を構成する回路セルの配置位置が集積回路装置内で散在してしまう事態を防止でき、差動信号DP、DMの信号特性を機種間で一定に保つことが容易になる。この結果、ASICとして新たな集積回路装置を製品化した場合に、DP、DMの信号特性を再評価しなくても済むようになり、開発コストの低減化や開発期間の短縮化を図れる。   On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 11, physical layer circuits such as the transmission circuit 10 and the reception circuit 30 are formed into macro cells as hard macros whose wiring and circuit cell arrangement are fixed. Accordingly, it is possible to prevent the arrangement positions of the circuit cells constituting the transmission circuit 10 and the reception circuit 30 from being scattered in the integrated circuit device, and to keep the signal characteristics of the differential signals DP and DM constant among the models. It becomes easy. As a result, when a new integrated circuit device is commercialized as an ASIC, it is not necessary to re-evaluate the signal characteristics of DP and DM, and the development cost and the development period can be shortened.

またダンピング抵抗RDP1、RDP2や、抵抗回路40内のプルアップ抵抗RUP1を、集積回路装置の外付けパーツで実現する手法では、ユーザによって千差万別の種類の抵抗が使われる可能性があるため、DP、DMの信号特性を保証することが難しくなる。これに対して本実施形態では、ダンピング抵抗RDP1、RDP2やプルアップ抵抗RUP1がオンチップの抵抗としてマクロセルMC1内に内蔵される。従って、これらの抵抗を集積回路装置の外付けパーツで実現する手法に比べて、DP、DMの信号特性を保証することが容易になる。   Further, in the method of realizing the damping resistors RDP1 and RDP2 and the pull-up resistor RUP1 in the resistor circuit 40 with external parts of the integrated circuit device, various types of resistors may be used depending on the user. It becomes difficult to guarantee the signal characteristics of DP, DM. In contrast, in the present embodiment, the damping resistors RDP1, RDP2 and the pull-up resistor RUP1 are built in the macro cell MC1 as on-chip resistors. Therefore, it becomes easier to guarantee the signal characteristics of DP and DM as compared with a method of realizing these resistors with external parts of the integrated circuit device.

なおダンピング抵抗RDP1、RDP2は、例えば所定の極性の不純物が導入された拡散領域により構成される拡散抵抗により実現できる。このようにすれば、拡散抵抗を構成する拡散領域と基板との間に形成される寄生ダイオードを、DP、DMの信号ラインの静電保護回路として活用でき、集積回路装置の信頼性を向上できる。即ち拡散抵抗で構成されるダンピング抵抗RDP1、RDP2を集積回路装置に内蔵することで、DP、DMの信号特性の保証と集積回路装置の信頼性の向上とを両立できるという利点がある。   The damping resistors RDP1 and RDP2 can be realized by, for example, a diffusion resistor configured by a diffusion region into which an impurity having a predetermined polarity is introduced. In this way, the parasitic diode formed between the diffusion region constituting the diffusion resistor and the substrate can be used as an electrostatic protection circuit for the DP and DM signal lines, and the reliability of the integrated circuit device can be improved. . That is, by incorporating the damping resistors RDP1 and RDP2 composed of diffusion resistors in the integrated circuit device, there is an advantage that both the guarantee of the DP and DM signal characteristics and the improvement of the reliability of the integrated circuit device can be achieved.

また本実施形態では、送信ドライバ12、14を、ラインSYLを対称軸として対称に配置している。従って、パッドP1、P2からの信号ラインについても、ラインSYLを対称軸として線対称に配線でき、これらの信号ラインの配線長を同等にできる。この結果、DPの信号ラインの寄生容量や寄生抵抗とDMの信号ラインの寄生容量や寄生抵抗を同等(実質的に同等の場合も含む)にすることができ、DP、DMの信号特性を向上できる。   In the present embodiment, the transmission drivers 12 and 14 are arranged symmetrically with the line SYL as the axis of symmetry. Therefore, the signal lines from the pads P1 and P2 can also be wired symmetrically with the line SYL as the axis of symmetry, and the wiring lengths of these signal lines can be made equal. As a result, the parasitic capacitance and parasitic resistance of the DP signal line and the parasitic capacitance and parasitic resistance of the DM signal line can be made equal (including substantially the same case), and the DP and DM signal characteristics are improved. it can.

例えば図12(A)は、送信回路10や受信回路30をゲートアレイなどの自動配置配線手法で配置した場合のDP、DMの信号特性(アイパターン)である。図12(A)では、C1、C2に示すようにDP、DMの信号波形の対称性を維持できず、これらの信号のクロスポイントが理想値(例えばフルスイング電圧である3.3Vの半分の1.65V)からずれてしまう。この結果、例えばC3、C4に示すように、DP、DMの信号波形と禁止領域(六角形の領域)との間の余裕が少なくなってしまい、良好な信号特性を得ることができない。   For example, FIG. 12A shows DP and DM signal characteristics (eye patterns) when the transmission circuit 10 and the reception circuit 30 are arranged by an automatic arrangement and wiring method such as a gate array. In FIG. 12A, the symmetry of the DP and DM signal waveforms cannot be maintained as indicated by C1 and C2, and the cross point of these signals is an ideal value (for example, half of 3.3V which is a full swing voltage). 1.65V). As a result, for example, as indicated by C3 and C4, the margin between the DP and DM signal waveforms and the prohibited region (hexagonal region) is reduced, and good signal characteristics cannot be obtained.

一方、図12(B)は、本実施形態の手法で送信回路10や受信回路30を配置した場合のDP、DMの信号特性である。図12(B)では、C5、C6に示すようにDP、DMの信号波形の対称性が維持され、これらの信号のクロスポイントを理想値に近づけることができる。この結果、例えばC7、C8に示すように、DP、DMの信号波形と禁止領域との間の余裕が大きくなり、良好な信号特性を得ることができる。   On the other hand, FIG. 12B shows the signal characteristics of DP and DM when the transmission circuit 10 and the reception circuit 30 are arranged by the method of this embodiment. In FIG. 12B, the symmetry of the DP and DM signal waveforms is maintained as indicated by C5 and C6, and the cross point of these signals can be brought close to the ideal value. As a result, as indicated by C7 and C8, for example, the margin between the DP and DM signal waveforms and the prohibited region is increased, and good signal characteristics can be obtained.

また本実施形態では送信回路10がパッドP1、P2の第1の方向DR1側に配置され、受信回路30が送信回路10の第1の方向DR1側に配置されており、これにより、マクロセルMC1のレイアウト面積を格段に小さくできる。   In the present embodiment, the transmission circuit 10 is disposed on the first direction DR1 side of the pads P1 and P2, and the reception circuit 30 is disposed on the first direction DR1 side of the transmission circuit 10, whereby the macro cell MC1. The layout area can be significantly reduced.

即ち送信回路10の送信ドライバ12、14は、USBのDP、DMラインを駆動する必要があるため、一定の電流駆動能力(例えば18mA)が必要になる。従ってパッドP1、P2と送信回路10とを接続する信号ラインSLT1、SLT2の線幅が細いと、エレクトロンマイグレーションにより信号ラインが切断されてしまうおそれがある。このため、信号ラインSLT1、SLT2の線幅についてはなるべく太くすることが望ましい。   That is, since the transmission drivers 12 and 14 of the transmission circuit 10 need to drive the USB DP and DM lines, a constant current driving capability (for example, 18 mA) is required. Therefore, if the line widths of the signal lines SLT1 and SLT2 that connect the pads P1 and P2 and the transmission circuit 10 are thin, the signal lines may be cut by electron migration. For this reason, it is desirable to make the signal lines SLT1 and SLT2 as wide as possible.

一方、受信回路30側においては、DP、DMの信号は、受信回路30を構成するCMOSトランジスタのゲートに入力される。従ってパッドP1、P2と受信回路30とを接続する配線領域60内の信号ラインSLR1、SLR2については、送信回路10側の信号ラインSLT1、SLT2に比べて、その線幅を細くできる。即ち例えばデザインルール上の最小線幅にできる。   On the other hand, on the receiving circuit 30 side, the DP and DM signals are input to the gates of the CMOS transistors constituting the receiving circuit 30. Therefore, the signal lines SLR1 and SLR2 in the wiring region 60 connecting the pads P1 and P2 and the receiving circuit 30 can be narrower than the signal lines SLT1 and SLT2 on the transmission circuit 10 side. That is, for example, the minimum line width on the design rule can be achieved.

従って例えば図11とは逆に送信回路10の方を受信回路30の第1の方向DR1側に配置するレイアウトにすると、太い線幅の信号ラインSLT1、SLT2を送信回路10に接続するための配線領域が必要になってしまう。このため、太い線幅の信号ラインSLT1、SLT2の分だけ、マクロセルMC1の幅(SD1の長さ)が太くなってしまい、集積回路装置の回路面積が大きくなり製品の高コスト化を招く。   Therefore, for example, if the layout of the transmission circuit 10 is arranged on the first direction DR1 side of the reception circuit 30 contrary to FIG. 11, wiring for connecting the signal lines SLT1 and SLT2 having thick line widths to the transmission circuit 10 Space is needed. For this reason, the width of the macro cell MC1 (length of SD1) is increased by the thick signal lines SLT1 and SLT2, and the circuit area of the integrated circuit device is increased, resulting in an increase in cost of the product.

これに対して本実施形態では図11に示すように、送信回路10の第1の方向DR1側に受信回路30を配置している。従って、太い線幅の信号ラインSLT1、SLT2については、パッドP1、P2の近くに配置される送信回路10までにだけ配線すれば済む。この結果、これらの太い線幅の信号ラインSLT1、SLT2の配線領域が要因となってマクロセルMC1の幅が太くなってしまうという事態を防止できる。そして、送信ドライバ12、14間に設けられる配線領域60に配線される信号ラインSLR1、SLR2の線幅は細くできる。従って、配線領域60の幅が細くなるため、これらの配線領域60を送信ドライバ12、14間に設けても、マクロセルMC1の幅はそれほど太くならない。この結果、集積回路装置の回路面積を小さくでき、製品の低コスト化を実現できる。   In contrast, in the present embodiment, as shown in FIG. 11, the receiving circuit 30 is arranged on the side of the transmitting circuit 10 in the first direction DR1. Therefore, the signal lines SLT1 and SLT2 having thick line widths need only be wired up to the transmission circuit 10 arranged near the pads P1 and P2. As a result, it is possible to prevent a situation in which the width of the macro cell MC1 is increased due to the wiring areas of the signal lines SLT1 and SLT2 having the large line width. Then, the line widths of the signal lines SLR1 and SLR2 wired in the wiring region 60 provided between the transmission drivers 12 and 14 can be reduced. Accordingly, since the width of the wiring region 60 is narrowed, even if these wiring regions 60 are provided between the transmission drivers 12 and 14, the width of the macro cell MC1 does not become so large. As a result, the circuit area of the integrated circuit device can be reduced, and the cost of the product can be reduced.

また送信ドライバ12、14には大きな電流供給能力が要求されるため、送信ドライバ12、14を構成するトランジスタ(図4(A)のTPTR1、TNTR1、TPTR2、TNTR2)のサイズ(W/L)は大きくする必要がある。従って図11に示すように、送信ドライバ12、14を含む送信回路10のレイアウト面積は、受信回路30のレイアウト面積に比べて大きくなる。従って、図11のように送信回路10の第1の方向DR1側に受信回路30を配置する手法によれば、受信回路30の両側に空きスペースを形成できる。そして受信回路30の両側の空きスペースに送信制御回路22、24を配置するようにすれば、空きスペースを有効活用でき、レイアウト効率を高めることができる。   In addition, since the transmission drivers 12 and 14 are required to have a large current supply capability, the size (W / L) of the transistors (TPTR1, TNTR1, TPTR2, and TNTR2 in FIG. It needs to be bigger. Therefore, as shown in FIG. 11, the layout area of the transmission circuit 10 including the transmission drivers 12 and 14 is larger than the layout area of the reception circuit 30. Therefore, according to the technique of arranging the receiving circuit 30 on the first direction DR1 side of the transmitting circuit 10 as shown in FIG. 11, an empty space can be formed on both sides of the receiving circuit 30. If the transmission control circuits 22 and 24 are arranged in the empty space on both sides of the receiving circuit 30, the empty space can be used effectively and the layout efficiency can be improved.

なお図11では、抵抗回路40、42(及び抵抗制御回路50、52)については、ラインSLYを対称軸として線対称には配置されていない。この点、DP、DMの信号ラインの寄生抵抗や寄生容量を同等にする目的のためには、抵抗回路40、42についてもSLYに対して線対称に配置することが望ましい。しかしながら、このように線対称に配置すると、抵抗回路40、42間の距離が離れてしまう。このため、製造プロセスのばらつきが要因となって、抵抗回路40の抵抗や寄生容量と抵抗回路42の抵抗や寄生容量とが同等にならなくなり、DP、DMの信号特性が劣化するおそれがある。   In FIG. 11, the resistance circuits 40 and 42 (and the resistance control circuits 50 and 52) are not arranged symmetrically about the line SLY as an axis of symmetry. In this respect, for the purpose of equalizing the parasitic resistance and parasitic capacitance of the DP and DM signal lines, it is desirable to arrange the resistance circuits 40 and 42 in line symmetry with respect to SLY. However, when arranged symmetrically in this way, the distance between the resistance circuits 40 and 42 is increased. For this reason, due to variations in the manufacturing process, the resistance and parasitic capacitance of the resistance circuit 40 and the resistance and parasitic capacitance of the resistance circuit 42 are not equalized, and the signal characteristics of DP and DM may be deteriorated.

これに対して図11では、抵抗回路40、42については線対称に配置せずに、送信回路10の第2の方向DR2側に設けている。従って、抵抗回路40、42が互いに近くに配置されるようになり、製造プロセスがばらついても、抵抗回路40の抵抗や寄生容量と抵抗回路42の抵抗や寄生容量とをほぼ同等にできる。また図11のA1に示すように、本来は必要の無いダミーの配線を設ければ、抵抗回路40、42を線対称に配置しなくても、DP、DMの配線長を同等にできる。この結果、DP、DMの信号特性が劣化する事態を防止できる。   On the other hand, in FIG. 11, the resistance circuits 40 and 42 are not arranged in line symmetry but are provided on the second direction DR2 side of the transmission circuit 10. Accordingly, the resistance circuits 40 and 42 are arranged close to each other, and the resistance and parasitic capacitance of the resistance circuit 40 and the resistance and parasitic capacitance of the resistance circuit 42 can be made substantially equal even if the manufacturing process varies. Further, as shown by A1 in FIG. 11, if dummy wirings that are not necessary are provided, the wiring lengths of DP and DM can be made equal without arranging the resistance circuits 40 and 42 symmetrically. As a result, it is possible to prevent the signal characteristics of DP and DM from deteriorating.

6.マクロセルMC1の配置
図11のレイアウトのマクロセルMC1を用いれば、図1や図13に示すように、マクロセルMC1を集積回路装置の任意の場所(任意の四辺の任意の場所)に配置できるという利点がある。
6). Arrangement of Macro Cell MC1 If the macro cell MC1 having the layout of FIG. 11 is used, as shown in FIG. 1 and FIG. is there.

即ち集積回路装置を使用するユーザが、マクロセルMC1を図1のように集積回路装置の下辺に配置するのではなく、図13のように集積回路装置の右辺に配置することを要求してくる場合がある。このような要求に応えるためには、マクロセルMC1は、集積回路装置の任意の四辺に配置できることが望ましい。またパッドP1、P2がコーナーに配置されると、DP、DMのボンディングワイヤが配線できなくなったり、DP、DMのボンディングワイヤの長さに差が生じてしまいDP、DMの負荷バランスが崩れてしまう場合がある。従ってマクロセルMC1は、集積回路装置の四辺の各辺の任意の場所に配置できることが望ましい。   That is, when the user who uses the integrated circuit device requests the macro cell MC1 to be arranged on the right side of the integrated circuit device as shown in FIG. 13 instead of arranging it on the lower side of the integrated circuit device as shown in FIG. There is. In order to meet such a demand, it is desirable that the macro cell MC1 can be arranged on any four sides of the integrated circuit device. Further, if the pads P1 and P2 are arranged at the corners, DP and DM bonding wires cannot be wired, or the lengths of the DP and DM bonding wires are different, and the load balance between DP and DM is lost. There is a case. Therefore, it is desirable that the macro cell MC1 can be disposed at any location on each of the four sides of the integrated circuit device.

この点、本実施形態では、マクロセルMC2は、その配線及び回路セル配置が自動配置配線されるマクロセルとなっており、このマクロセルMC2の四辺の内周には、図13に示すように、I/Oセルが並んで配置されるI/O領域が設けられている。そしてマクロセルMC1のI/O領域の全体が、マクロセルMC2のI/O領域の一部にオーバラップするように、マクロセルMC1が配置される。即ち、マクロセルMC1のI/O領域の長手方向に伸びる上下のラインと、マクロセルMC2のI/O領域の長手方向に伸びる上下のラインとが一致するように、マクロセルMC1が配置される。   In this regard, in the present embodiment, the macro cell MC2 is a macro cell in which the wiring and circuit cell arrangement are automatically arranged and wired, and an I / I is provided on the inner periphery of the four sides of the macro cell MC2, as shown in FIG. An I / O region in which O cells are arranged side by side is provided. Then, the macro cell MC1 is arranged so that the entire I / O area of the macro cell MC1 overlaps a part of the I / O area of the macro cell MC2. That is, the macro cell MC1 is arranged so that the upper and lower lines extending in the longitudinal direction of the I / O region of the macro cell MC1 coincide with the upper and lower lines extending in the longitudinal direction of the I / O region of the macro cell MC2.

そしてマクロセルMC1の第1の辺SD1の長さをLとし、マクロセルMC2のI/O領域に配置されるI/Oセルのピッチ幅をPLとした場合に、L=PL×N(Nは2以上の整数)の関係が成り立つようになっている。   When the length of the first side SD1 of the macro cell MC1 is L and the pitch width of the I / O cell arranged in the I / O region of the macro cell MC2 is PL, L = PL × N (N is 2 The above integer) relationship is established.

このようにすることで、マクロセルMC1を集積回路装置(マクロセルMC2)の任意の四辺の任意の場所に配置することが可能になる。そしてMC1は、その配線や回路セル配置が固定されたマクロセルであるため、MC1を任意の場所に配置しても、DP、DMの信号特性を一定に保つことができ、信号特性の再評価が不要になるという利点がある。   In this way, the macro cell MC1 can be arranged at any location on any four sides of the integrated circuit device (macro cell MC2). And since MC1 is a macro cell whose wiring and circuit cell arrangement is fixed, the signal characteristics of DP and DM can be kept constant even if MC1 is arranged at any place, and the signal characteristics can be reevaluated. There is an advantage that it becomes unnecessary.

7.インターフェース領域
図11では、マクロセルMC1とMC2との間での信号をやり取りするためのインターフェース領域IFRX、IFTX1、IFTX2、IFRCがマクロセルMC1に設けられている。これらのインターフェース領域IFRX、IFTX1、IFTX2、IFRCは、マクロセルMC1からの信号をバッファリングしてマクロセルMC2に出力するバッファや、マクロセルMC2からの信号をバッファリングしてマクロセルMC1に入力するバッファなどを含む領域である。
7). Interface Area In FIG. 11, interface areas IFRX, IFTX1, IFTX2, and IFRC for exchanging signals between the macrocells MC1 and MC2 are provided in the macrocell MC1. These interface areas IFRX, IFTX1, IFTX2, and IFRC include a buffer that buffers a signal from the macro cell MC1 and outputs the buffer to the macro cell MC2, a buffer that buffers a signal from the macro cell MC2 and inputs the buffer to the macro cell MC1, and the like. It is an area.

例えば受信インターフェース領域IFRXは、受信回路30とマクロセルMC2との間で信号をインターフェースするための領域である。この受信インターフェース領域IFRXには、例えば図9のセレクタ100、102や、端子TM1、TM2、TM3を配置できる。   For example, the reception interface area IFRX is an area for interfacing signals between the reception circuit 30 and the macro cell MC2. In the reception interface area IFRX, for example, the selectors 100 and 102 of FIG. 9 and the terminals TM1, TM2, and TM3 can be arranged.

また送信インターフェース領域IFTX1、IFTX2は、送信制御回路22、24とマクロセルMC2との間で信号をインターフェースするための領域である。この送信インターフェース領域IFTX1、IFTX2には、例えば図9のセレクタ104や、端子TM4、TM5を配置できる。   The transmission interface areas IFTX1 and IFTX2 are areas for interfacing signals between the transmission control circuits 22 and 24 and the macro cell MC2. In the transmission interface areas IFTX1 and IFTX2, for example, the selector 104 of FIG. 9 and terminals TM4 and TM5 can be arranged.

また抵抗制御インターフェース領域IFRCは、抵抗制御回路50、52とマクロセルMC2との間で信号をインターフェースするための領域である。この抵抗制御インターフェース領域IFRCには、例えば図9のセレクタ106や、端子TM6、TM7を配置できる。   The resistance control interface area IFRC is an area for interfacing signals between the resistance control circuits 50 and 52 and the macro cell MC2. In the resistance control interface area IFRC, for example, the selector 106 of FIG. 9 and terminals TM6 and TM7 can be arranged.

本実施形態ではこのようなインターフェース領域IFRX、IFTX1、IFTX2、IFRCを、マクロセルMC1の例えば第3の辺(広義にはMC1の四辺のうちのいずれか一辺)に沿って設けている。より具体的には第3の辺に沿って固定配置している。このようにすれば、マクロセルMC1、MC2間でやり取りされる信号の遅延や受け渡しタイミングを許容範囲内に収めることが容易になり、マクロセルMC2の回路構成や規模が変化した場合にも、安定した回路動作を保証できるようになる。   In the present embodiment, such interface areas IFRX, IFTX1, IFTX2, and IFRC are provided along, for example, the third side of the macrocell MC1 (any one of the four sides of MC1 in a broad sense). More specifically, it is fixedly arranged along the third side. In this way, it becomes easy to keep the delay and delivery timing of signals exchanged between the macrocells MC1 and MC2 within an allowable range, and a stable circuit even when the circuit configuration or scale of the macrocell MC2 changes. Operation can be guaranteed.

即ち、インターフェース領域IFRX、IFTX1、IFTX2、IFRCの場所が固定化されていれば、マクロセルMC1、MC2間の信号ラインの寄生容量を容易に見積もることが可能になる。従って、これらの信号ラインの寄生容量が許容範囲内に収まるように設定して、ソフトマクロであるマクロセルMC2の自動配置配線を行うことが可能になり、信号タイミングの設計を容易化できる。またマクロセルMC2の自動配置配線の際のルーティング条件の設定が容易になり、マクロセルMC2の自動配置配線の配線効率を向上できる。   That is, if the locations of the interface areas IFRX, IFTX1, IFTX2, and IFRC are fixed, it is possible to easily estimate the parasitic capacitance of the signal line between the macro cells MC1 and MC2. Therefore, it is possible to perform the automatic placement and routing of the macro cell MC2, which is a soft macro, by setting the parasitic capacitance of these signal lines to be within an allowable range, and the design of the signal timing can be facilitated. In addition, routing conditions for automatic placement and routing of the macro cell MC2 can be easily set, and the wiring efficiency of the automatic placement and routing of the macro cell MC2 can be improved.

8.HSモード
USBでは、転送レートが12MbpsであるFS(Full Speed)モードが定義されている。そしてUSB2.0では、このFSモードに加えて、転送レートが480MbpsであるHS(High Speed)モードが定義されている。
8). HS Mode USB defines an FS (Full Speed) mode with a transfer rate of 12 Mbps. In USB 2.0, in addition to this FS mode, an HS (High Speed) mode with a transfer rate of 480 Mbps is defined.

図14に、このHSモードを実現する場合の物理層回路の構成例を示す。図3と異なるのは、図14では、HS用の送信回路70及びその送信制御回路82、84と、HS用の受信回路90と、検出回路98が更に設けられている点である。   FIG. 14 shows a configuration example of the physical layer circuit when realizing the HS mode. FIG. 14 is different from FIG. 3 in that an HS transmission circuit 70 and transmission control circuits 82 and 84 thereof, an HS reception circuit 90, and a detection circuit 98 are further provided.

HS用の送信回路70は、DP、DMのパッドに接続され、電流源76(定電流源)と、第1、第2の送信ドライバ72、74(電流ドライバ)を含む。電流源76は、イネーブル信号HSENBがアクティブになると、送信ドライバ72、74に電流を供給する。   The HS transmission circuit 70 is connected to DP and DM pads, and includes a current source 76 (constant current source) and first and second transmission drivers 72 and 74 (current drivers). The current source 76 supplies current to the transmission drivers 72 and 74 when the enable signal HSENB becomes active.

HS用の第1、第2の送信制御回路82、84は、第1、第2の送信ドライバ72、74の制御用の回路である。具体的には送信制御回路82は、前段の回路から送信データ信号HSDOUT1とアウトプットディスイネーブル信号HSOUTDISを受け、制御信号GC1を送信ドライバ72に出力する。送信制御回路84は、前段の回路から信号HSDOUT2とHSOUTDISを受け、制御信号GC2を送信ドライバ74に出力する。   The first and second transmission control circuits 82 and 84 for HS are circuits for controlling the first and second transmission drivers 72 and 74. Specifically, the transmission control circuit 82 receives the transmission data signal HSDOUT1 and the output disable signal HSOUTDIS from the preceding circuit, and outputs the control signal GC1 to the transmission driver 72. The transmission control circuit 84 receives the signals HSDOUT2 and HSOUTDIS from the previous stage circuit, and outputs a control signal GC2 to the transmission driver 74.

受信回路90は、USBのHSモードにおいて受信処理を行うための回路であり、差動レシーバ92を含む。差動レシーバ92(差動コンパレータ)は、DP、DMのパッドを介して入力される差動信号を差動増幅して、データ信号HSDINとして後段の回路に出力する。この差動レシーバ92は、差動信号DP、DMがその第1、第2の差動入力に入力される演算増幅回路により実現できる。なお差動レシーバ92は、イネーブル信号HSCOMPENBにより、その動作がイネーブル又はディスエーブルされる。   The reception circuit 90 is a circuit for performing reception processing in the USB HS mode, and includes a differential receiver 92. The differential receiver 92 (differential comparator) differentially amplifies the differential signal input through the DP and DM pads, and outputs the differential signal as a data signal HSDIN to a subsequent circuit. The differential receiver 92 can be realized by an operational amplifier circuit in which the differential signals DP and DM are input to the first and second differential inputs. The operation of the differential receiver 92 is enabled or disabled by an enable signal HSCOMPENB.

検出回路98(スケルチ回路)は、USB上の信号(DP、DM)が有効なデータなのかノイズなのかを区別するための回路である。より具体的には検出回路98は、USBの信号のピーク値を保持し、信号の包絡線を検波することで、信号の振幅を検出する。そして例えば、その振幅が100mV以下であれば信号はノイズであると判断し、150mV以上であれば有効なデータであると判断する。そして有効なデータであると判断した場合には、出力信号HSSQをアクティブにする。なお検出回路98は、イネーブル信号HSSQENBにより、その動作がイネーブル又はディスエーブルされる。   The detection circuit 98 (squelch circuit) is a circuit for distinguishing whether a signal (DP, DM) on the USB is valid data or noise. More specifically, the detection circuit 98 holds the peak value of the USB signal and detects the amplitude of the signal by detecting the envelope of the signal. For example, if the amplitude is 100 mV or less, the signal is determined to be noise, and if the amplitude is 150 mV or more, it is determined to be valid data. If it is determined that the data is valid, the output signal HSSQ is activated. The operation of the detection circuit 98 is enabled or disabled by an enable signal HSSQENB.

図15に送信回路70の構成例を示す。図15において、ISは電流源76に相当し、トランジスタTE1は送信ドライバ72に相当し、トランジスタTE2は送信ドライバ74に相当する。   FIG. 15 shows a configuration example of the transmission circuit 70. In FIG. 15, IS corresponds to the current source 76, the transistor TE1 corresponds to the transmission driver 72, and the transistor TE2 corresponds to the transmission driver 74.

制御信号GC1がハイレベル(アクティブ)になると、電流源ISからトランジスタTE1を介してDPに電流(定電流)が流れ、USBのバスステートがJ状態になる。一方、制御信号GC2がハイレベルになると、電流源ISからトランジスタTE2を介してDMに電流が流れ、USBのバスステートがK状態になる。そして、送信データに応じてUSBのバスステートをJ又はK状態にすることで、HSモードでの送信が可能になる。一方、送信(HS送信)期間以外の期間では、制御信号GC3がアクティブになり、電流源ISからトランジスタTE3を介してVSS(AVSS)に電流が流れる。これにより、送信開始時に直ぐに安定した電流を流すことができ、送信回路70のレスポンスを向上できる。   When the control signal GC1 becomes high level (active), a current (constant current) flows from the current source IS to the DP via the transistor TE1, and the USB bus state becomes the J state. On the other hand, when the control signal GC2 becomes high level, a current flows from the current source IS to the DM via the transistor TE2, and the USB bus state becomes the K state. Then, the USB bus state is set to the J or K state according to the transmission data, thereby enabling transmission in the HS mode. On the other hand, in a period other than the transmission (HS transmission) period, the control signal GC3 becomes active, and a current flows from the current source IS to VSS (AVSS) via the transistor TE3. Thereby, a stable current can be flowed immediately at the start of transmission, and the response of the transmission circuit 70 can be improved.

HSモードに対応したマクロセルMC1は、図9に示す回路に加えて、図16の示す回路を含むことができる。   The macro cell MC1 corresponding to the HS mode can include the circuit shown in FIG. 16 in addition to the circuit shown in FIG.

図16において差動レシーバ70は、パッドP1にその第1の差動入力が接続され、パッドP2にその第2の差動入力が接続され、第1の出力信号HSDFQと、HSDFQの反転信号である第2の出力信号HSXDFQを出力する。   In FIG. 16, the differential receiver 70 has a first differential input connected to the pad P1, a second differential input connected to the pad P2, and a first output signal HSDFQ and an inverted signal of HSDFQ. A second output signal HSXDFQ is output.

セレクタ110は、第1のモードでは、差動レシーバ70からの出力信号HSDFQをセレクタ出力信号SLQ8として出力する。一方、第2のモードでは、差動レシーバ70からの出力信号HSXDFQをセレクタ出力信号SLQ8として出力する。なお出力信号SLQ8は出力端子TM8を介してマクロセルMC2に出力される。   In the first mode, selector 110 outputs output signal HSDFQ from differential receiver 70 as selector output signal SLQ8. On the other hand, in the second mode, the output signal HSXDFQ from the differential receiver 70 is output as the selector output signal SLQ8. The output signal SLQ8 is output to the macro cell MC2 via the output terminal TM8.

また図16においてセレクタ112は、第1のモードでは、入力信号SLI9、SLI10のうちSLI9をセレクタ出力信号SLQ9として出力し、SLI10をセレクタ出力信号SLQ10として出力する。一方、第2のモードでは、SLI10をセレクタ出力信号SLQ9として出力し、SLI9をセレクタ出力信号SLQ10として出力する。   In FIG. 16, in the first mode, the selector 112 outputs SLI9 as the selector output signal SLQ9 and outputs SLI10 as the selector output signal SLQ10 among the input signals SLI9 and SLI10. On the other hand, in the second mode, SLI10 is output as the selector output signal SLQ9, and SLI9 is output as the selector output signal SLQ10.

また送信ドライバ72には、セレクタ出力信号SLQ9に対応した送信制御信号GC1が入力され、パッドP1に接続される信号ラインSL1を駆動する。また送信ドライバ74には、セレクタ出力信号SLQ10に対応した送信制御信号GC2が入力され、パッドP2に接続される信号ラインSL2を駆動する。   The transmission driver 72 receives the transmission control signal GC1 corresponding to the selector output signal SLQ9, and drives the signal line SL1 connected to the pad P1. The transmission driver 74 receives the transmission control signal GC2 corresponding to the selector output signal SLQ10, and drives the signal line SL2 connected to the pad P2.

なお図16では検出回路98に対応するセレクタは設けられていないが、検出回路98の回路構成によっては、このようなセレクタを設けるようにしてもよい。   In FIG. 16, a selector corresponding to the detection circuit 98 is not provided, but such a selector may be provided depending on the circuit configuration of the detection circuit 98.

9.電子機器
図17に、本実施形態の集積回路装置(マクロセル)により実現されるデータ転送制御装置を含む電子機器の構成例を示す。この電子機器300は、本実施形態で説明したデータ転送制御装置310(集積回路装置)、ASICなどで構成されるアプリケーション層デバイス320、CPU330、ROM340、RAM350、表示部360、操作部370を含む。なおこれらの機能ブロックの一部を省略する構成としてもよい。
9. Electronic Device FIG. 17 shows a configuration example of an electronic device including a data transfer control device realized by the integrated circuit device (macro cell) of this embodiment. The electronic device 300 includes the data transfer control device 310 (integrated circuit device) described in the present embodiment, an application layer device 320 including an ASIC, a CPU 330, a ROM 340, a RAM 350, a display unit 360, and an operation unit 370. A part of these functional blocks may be omitted.

ここでアプリケーション層デバイス320は、例えば、携帯電話のアプリケーションエンジンを実現するデバイスや、情報記憶媒体(ハードディスク、光ディスク)のドライブを制御するデバイスや、プリンタを制御するデバイスや、MPEGエンコーダ、MPEGデコーダ等を含むデバイスなどである。処理部330(CPU)はデータ転送制御装置310や電子機器全体の制御を行う。ROM340は制御プログラムや各種データを記憶する。RAM350は処理部330やデータ転送制御装置310のワーク領域やデータ格納領域として機能する。表示部360は種々の情報をユーザに表示する。操作部370はユーザが電子機器を操作するためのものである。   Here, the application layer device 320 is, for example, a device that realizes an application engine of a mobile phone, a device that controls a drive of an information storage medium (hard disk, optical disk), a device that controls a printer, an MPEG encoder, an MPEG decoder, or the like Including the device. The processing unit 330 (CPU) controls the data transfer control device 310 and the entire electronic device. The ROM 340 stores control programs and various data. The RAM 350 functions as a work area and a data storage area for the processing unit 330 and the data transfer control device 310. The display unit 360 displays various information to the user. The operation unit 370 is for the user to operate the electronic device.

なお図17ではDMAバスとCPUバスが分離されているが、これらを共通化してもよい。またデータ転送制御装置310を制御する処理部と、電子機器を制御する処理部とを別々に設けてもよい。また本実施形態が適用できる電子機器としては、携帯電話、光ディスクドライブ(CD−ROM、DVD)、光磁気ディスクドライブ(MO)、ハードディスクドライブ、TV、TVチューナ、VTR、ビデオカメラ、オーディオ機器、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、電子手帳、或いはワードプロセッサなどの種々のものがある。   In FIG. 17, the DMA bus and the CPU bus are separated, but they may be shared. Further, a processing unit that controls the data transfer control device 310 and a processing unit that controls the electronic apparatus may be provided separately. As electronic devices to which the present embodiment can be applied, mobile phones, optical disk drives (CD-ROM, DVD), magneto-optical disk drives (MO), hard disk drives, TVs, TV tuners, VTRs, video cameras, audio devices, projectors. There are various types such as personal computers, electronic notebooks, and word processors.

なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。   In addition, this invention is not limited to this embodiment, A various deformation | transformation implementation is possible within the range of the summary of this invention.

例えば明細書や図面中の記載において広義又は同義な用語(所与のインターフェース規格、第1の信号、第2の信号、第1のパッド、第2のパッド、第1の電源、第2の電源等)として引用された用語(USB、DP、DM、DPのパッド、DMのパッド、VDD、VSS等)は、明細書や図面中の他の記載においても広義又は同義な用語に置き換えることができる。   For example, terms in the specification and drawings have broad or synonymous terms (a given interface standard, first signal, second signal, first pad, second pad, first power source, second power source Etc.) (USB, DP, DM, DP pad, DM pad, VDD, VSS, etc.) can be replaced with broad or synonymous terms in the description and other descriptions in the drawings. .

また本発明により実現されるデータ転送制御装置は、図2等で説明した構成に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。また本発明のマクロセルの回路構成やレイアウトも、図9、図11、図16等で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。   Further, the data transfer control device realized by the present invention is not limited to the configuration described with reference to FIG. 2 and the like, and various modifications can be made. The circuit configuration and layout of the macro cell of the present invention are not limited to those described with reference to FIGS. 9, 11, 16, and the like, and various modifications can be made.

集積回路装置の構成例。2 shows a configuration example of an integrated circuit device. 集積回路装置により実現されるデータ転送制御装置の構成例。1 is a configuration example of a data transfer control device realized by an integrated circuit device. 物理層回路の構成例。The structural example of a physical layer circuit. 図4(A)(B)は送信回路の構成例。4A and 4B show configuration examples of the transmission circuit. 差動レシーバの構成例。The example of a structure of a differential receiver. 基準電圧発生回路の構成例。2 is a configuration example of a reference voltage generation circuit. シングルエンドレシーバの構成例。Configuration example of single-ended receiver. 図8(A)(B)は種々の実装形態の説明図。8A and 8B are explanatory diagrams of various mounting forms. マクロセルMC1の構成例。The structural example of macrocell MC1. 図10(A)(B)はセレクタの構成例。10A and 10B are configuration examples of the selector. マクロセルMC1のレイアウト例。The layout example of macrocell MC1. 図12(A)(B)はDP、DMの信号特性の説明図。12A and 12B are explanatory diagrams of signal characteristics of DP and DM. マクロセルMC1の配置手法の説明図。Explanatory drawing of the arrangement | positioning method of macrocell MC1. HS用の物理層回路の構成例。2 is a configuration example of a physical layer circuit for HS. HS用の送信回路の構成例。2 shows a configuration example of a transmission circuit for HS. HS用のマクロセルMC1の構成例。The structural example of macrocell MC1 for HS. 電子機器の構成例。Configuration example of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

MC1、MC2 マクロセル、RDP1、RDP2 ダンピング抵抗、
SD1〜SD4 第1〜第4の辺、TM1〜TM13 出力端子又は入力端子、
10 送信回路、12、14 送信ドライバ、22、24 送信制御回路、
30 受信回路、32 差動レシーバ、34、36 シングルエンドレシーバ、
40、42 抵抗回路、50、52 抵抗制御回路、
100、102、104、106、110、112 セレクタ、
200 トランシーバ、210 転送コントローラ、220 バッファコントローラ、
230 データバッファ、240 インターフェース回路、
MC1, MC2 macrocell, RDP1, RDP2 damping resistor,
SD1 to SD4, first to fourth sides, TM1 to TM13, output terminals or input terminals,
10 transmission circuit, 12, 14 transmission driver, 22, 24 transmission control circuit,
30 receiver circuit, 32 differential receiver, 34, 36 single-ended receiver,
40, 42 resistance circuit, 50, 52 resistance control circuit,
100, 102, 104, 106, 110, 112 selector,
200 transceiver, 210 transfer controller, 220 buffer controller,
230 data buffer, 240 interface circuit,

Claims (14)

差動信号を用いてデータ転送を行う所与のインターフェース規格の物理層の回路を少なくとも含むマクロセルであって、
差動信号を構成する第1、第2の信号のうちいずれか一方用の第1のパッドにその入力が接続され、第1の出力信号を出力する第1のシングルエンドレシーバと、
前記一方とは異なる他方用の第2のパッドにその入力が接続され、第2の出力信号を出力する第2のシングルエンドレシーバと、
第1のモードでは、前記第1、第2のシングルエンドレシーバからの前記第1、第2の出力信号のうち第1の出力信号を第1のセレクタ出力信号として出力すると共に第2の出力信号を第2のセレクタ出力信号として出力し、第2のモードでは、前記第1、第2の出力信号のうち第2の出力信号を前記第1のセレクタ出力信号として出力すると共に第1の出力信号を前記第2のセレクタ出力信号として出力するセレクタと、
を含むことを特徴とするマクロセル。
A macrocell comprising at least a physical layer circuit of a given interface standard for transferring data using differential signals,
A first single-ended receiver whose input is connected to the first pad for one of the first and second signals constituting the differential signal and outputs the first output signal;
A second single-ended receiver whose input is connected to a second pad for the other different from the one and outputs a second output signal;
In the first mode, a first output signal of the first and second output signals from the first and second single-ended receivers is output as a first selector output signal and a second output signal is output. Is output as the second selector output signal, and in the second mode, the second output signal of the first and second output signals is output as the first selector output signal and the first output signal is output. A selector that outputs the second selector output signal as a second selector output signal;
A macrocell characterized by containing.
請求項1において、
前記セレクタからの前記第1、第2のセレクタ出力信号を、前記物理層よりも上位層の回路を含む第2のマクロセルに出力するための第1、第2の出力端子を含み、
前記セレクタが、
前記第1のモードでは、前記第1の出力信号を前記第1のセレクタ出力信号として前記第1の出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力すると共に前記第2の出力信号を前記第2のセレクタ出力信号として前記第2の出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力し、前記第2のモードでは、前記第2の出力信号を前記第1のセレクタ出力信号として前記第1の出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力すると共に前記第1の出力信号を前記第2のセレクタ出力信号として前記第2の出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力することを特徴とするマクロセル。
In claim 1,
Including first and second output terminals for outputting the first and second selector output signals from the selector to a second macrocell including a circuit in a layer higher than the physical layer;
The selector
In the first mode, the first output signal is output as the first selector output signal to the second macro cell via the first output terminal, and the second output signal is output to the second macro cell. As a selector output signal to the second macro cell via the second output terminal, and in the second mode, the second output signal is used as the first selector output signal as the first output. And outputting the first output signal as the second selector output signal to the second macro cell via the second output terminal as well as outputting to the second macro cell via the terminal. Macro cell.
請求項2において、
前記第1、第2の出力端子が、
マクロセルの四辺のうちの一辺に沿って設けられる受信インターフェース領域に配置されることを特徴とするマクロセル。
In claim 2,
The first and second output terminals are
A macro cell arranged in a reception interface area provided along one of four sides of a macro cell.
請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記第1のパッドに接続される信号ラインを駆動する第1の送信ドライバと、
前記第2のパッドに接続される信号ラインを駆動する第2の送信ドライバとを含み、
マクロセルの第1の辺から対向する第3の辺へと向かう方向を第1の方向とした場合に、
前記第1、第2の送信ドライバが、
前記第1、第2のパッドの前記第1の方向側に配置されると共に前記第1の方向に沿った第1のラインを対称軸として線対称に配置され、
前記第1、第2のシングルエンドレシーバが、
前記第1、第2の送信ドライバの前記第1の方向側に配置されることを特徴とするマクロセル。
In any one of Claims 1 thru | or 3,
A first transmission driver for driving a signal line connected to the first pad;
A second transmission driver for driving a signal line connected to the second pad,
When the direction from the first side of the macro cell to the third side facing the macro cell is the first direction,
The first and second transmission drivers are
Arranged on the first direction side of the first and second pads and arranged symmetrically about the first line along the first direction as an axis of symmetry;
The first and second single-ended receivers are:
A macro cell arranged on the first direction side of the first and second transmission drivers.
請求項4において、
前記第1、第2のシングルエンドレシーバと前記第1、第2のパッドとを接続する信号ラインを前記第1の方向に沿って配線するための配線領域が、前記第1、第2の送信ドライバの間の領域に設けられることを特徴とするマクロセル。
In claim 4,
A wiring region for wiring a signal line connecting the first and second single-ended receivers and the first and second pads along the first direction is the first and second transmissions. A macro cell provided in an area between drivers.
差動信号を用いてデータ転送を行う所与のインターフェース規格の物理層の回路を少なくとも含むマクロセルであって、
差動信号を構成する第1、第2の信号のうちいずれか一方用の第1のパッドにその第1の差動入力が接続され、前記一方とは異なる他方用の第2のパッドにその第2の差動入力が接続され、第1の出力信号と、前記第1の出力信号の反転信号である第2の出力信号を出力する差動レシーバと、
第1のモードでは、前記差動レシーバからの前記第1、第2の出力信号のうち第1の出力信号をセレクタ出力信号として出力し、第2のモードでは、前記差動レシーバからの前記第1、第2の出力信号のうち第2の出力信号を前記セレクタ出力信号として出力するセレクタと、
を含むことを特徴とするマクロセル。
A macrocell comprising at least a physical layer circuit of a given interface standard for transferring data using differential signals,
The first differential input is connected to the first pad for one of the first and second signals constituting the differential signal, and the second differential pad is connected to the second pad for the other of the first and second signals. A differential receiver to which a second differential input is connected and which outputs a first output signal and a second output signal that is an inverted signal of the first output signal;
In the first mode, the first output signal of the first and second output signals from the differential receiver is output as a selector output signal. In the second mode, the first output signal from the differential receiver is output from the first receiver. A selector that outputs a second output signal of the first and second output signals as the selector output signal;
A macrocell characterized by containing.
請求項6において、
前記セレクタからのセレクタ出力信号を、前記物理層よりも上位層の回路を含む第2のマクロセルに出力するための出力端子を含み、
前記セレクタが、
前記第1のモードでは、前記第1の出力信号を前記セレクタ出力信号として前記出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力し、前記第2のモードでは、前記第2の出力信号を前記セレクタ出力信号として前記出力端子を介して前記第2のマクロセルに出力することを特徴とするマクロセル。
In claim 6,
Including an output terminal for outputting a selector output signal from the selector to a second macro cell including a circuit in a layer higher than the physical layer;
The selector
In the first mode, the first output signal is output as the selector output signal to the second macro cell via the output terminal, and in the second mode, the second output signal is output to the selector. A macro cell that outputs an output signal to the second macro cell via the output terminal.
請求項7において、
前記出力端子が、
マクロセルの四辺のうちの一辺に沿って設けられる受信インターフェース領域に配置されることを特徴とするマクロセル。
In claim 7,
The output terminal is
A macro cell arranged in a reception interface area provided along one of four sides of a macro cell.
請求項6乃至8のいずれかにおいて、
前記第1のパッドに接続される信号ラインを駆動する第1の送信ドライバと、
前記第2のパッドに接続される信号ラインを駆動する第2の送信ドライバとを含み、
マクロセルの第1の辺から対向する第3の辺へと向かう方向を第1の方向とした場合に、
前記第1、第2の送信ドライバが、
前記第1、第2のパッドの前記第1の方向側に配置されると共に前記第1の方向に沿った第1のラインを対称軸として線対称に配置され、
前記差動レシーバが、
前記第1、第2の送信ドライバの前記第1の方向側に配置されることを特徴とするマクロセル。
In any of claims 6 to 8,
A first transmission driver for driving a signal line connected to the first pad;
A second transmission driver for driving a signal line connected to the second pad,
When the direction from the first side of the macro cell to the third side facing the macro cell is the first direction,
The first and second transmission drivers are
Arranged on the first direction side of the first and second pads and arranged symmetrically about the first line along the first direction as an axis of symmetry;
The differential receiver is
A macro cell arranged on the first direction side of the first and second transmission drivers.
請求項9において、
前記差動レシーバと前記第1、第2のパッドとを接続する信号ラインを前記第1の方向に沿って配線するための配線領域が、前記第1、第2の送信ドライバの間の領域に設けられることを特徴とするマクロセル。
In claim 9,
A wiring region for wiring a signal line connecting the differential receiver and the first and second pads along the first direction is in a region between the first and second transmission drivers. A macrocell characterized by being provided.
請求項1乃至10のいずれかにおいて、
前記所与のインターフェース規格が、USB(Universal Serial Bus)規格であることを特徴とするマクロセル。
In any one of Claims 1 thru | or 10.
The macro cell according to claim 1, wherein the given interface standard is a USB (Universal Serial Bus) standard.
請求項1乃至11のいずれかにおいて、
前記物理層よりも上位層の回路を含む第2のマクロセルのI/O領域の一部に対して、マクロセルのI/O領域の全体がオーバラップするように配置される場合において、
マクロセルの前記第1の辺の長さをLとし、前記第2のマクロセルのI/O領域に配置されるI/Oセルのピッチ幅をPLとした場合に、L=PL×N(Nは2以上の整数)であることを特徴とするマクロセル。
In any one of Claims 1 thru | or 11,
In the case where the entire I / O area of the macro cell overlaps with a part of the I / O area of the second macro cell including the upper layer circuit than the physical layer,
When the length of the first side of the macro cell is L and the pitch width of the I / O cell arranged in the I / O region of the second macro cell is PL, L = PL × N (N is A macro cell characterized by being an integer of 2 or more.
複数のマクロセルを含む物理層回路であって、
請求項1乃至12のいずれかのマクロセルと、
前記物理層よりも上位層の回路を含む第2のマクロセルと、
を含むことを特徴とする集積回路装置。
A physical layer circuit including a plurality of macrocells,
A macrocell according to any one of claims 1 to 12,
A second macrocell including a circuit in an upper layer than the physical layer;
An integrated circuit device comprising:
請求項13の集積回路装置と、
前記集積回路装置を制御する処理部と、
を含むことを特徴とする電子機器。
An integrated circuit device according to claim 13;
A processing unit for controlling the integrated circuit device;
An electronic device comprising:
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