JP2005029413A - シリカガラス板及びシリカガラス板の製造方法 - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 140
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 35
- 206010040925 Skin striae Diseases 0.000 claims description 26
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B23/00—Re-forming shaped glass
- C03B23/04—Re-forming tubes or rods
- C03B23/047—Re-forming tubes or rods by drawing
- C03B23/0476—Re-forming tubes or rods by drawing onto a forming die, e.g. a mandrel or a wire
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B23/00—Re-forming shaped glass
- C03B23/0026—Re-forming shaped glass by gravity, e.g. sagging
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Abstract
【解決手段】本シリカガラス板の製造方法は、円筒状合成シリカインゴットを作製し、このインゴットを加熱軟化させ、インゴットに隣接する円筒状の間隙から自重または強制的に引出し、このインゴットを軸方向に円筒状に伸延した管状体を準備し、この管状体にその軸方向にスリットを全長に渡って形成し、このスリットを真上になるように水平に支持し、加熱して、管状体を開き、板状体とする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はシリカガラス板及びシリカガラス板の製造方法に係わり、特に液晶表示板マスク製造に必要な大型マスクのシリカガラス板とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に合成シリカガラスは気相反応法によって合成される。気相反応法によって合成された合成シリカガラスの粗製インゴットはほぼ円柱状であり、成長面に沿って層状の脈理が残存している。この粗製インゴットを成形型内に設置し、高温に加熱しつつ押棒等で加圧することにより角柱状のような所定の形状に成形している。こうして得られた成形体(ブロック)を薄肉にスライスしてフォトマスク材、光学用シリカガラスなどの最終製品を得ている。
【0003】
従来の成形型は、特許文献1に記載のように、グラファイトで構成されているシリカガラスインゴットを設置したグラファイト質または黒鉛質の成形型を加熱して、シリカガラスインゴットの自重により、成形型に流れ込んでシリカガラスブロックが成形される。
【0004】
合成シリカは、一般的に堆積を重ねてインゴットを製造するため、粗製インゴットの軸線に垂直に存在する脈理は残存し、高温成形プロセスにおいて変形とともに流れて、一般的に成形後のブロックの上下表面に平行にはならない。図4は成形プロセスにおける脈理流動の計算機シミュレーション結果を示し、インゴット1aには脈理2が発生する。液晶表示板(LCD,liquid crystal display)マスクの基材は、図5に示すように、ブロック1eからスライスしたシリカガラス板状体1dである。上記脈理2はシリカガラス板状体1dの表面に一定角度以上の傾斜になると、面内の屈折率の不均一分布を引起し、マスクとして利用できなくなる。マスク要求の仕様に満足するためには、上記ブロック1eから切出されるシリカガラス板1dのサイズを小さくすれば、ある程度可能であるが、シリカガラス材料の歩留低下を招くことになる。さらに、LCDプロセスの微細化に伴い、脈理に対する要求がますます厳しくなり、シリカガラス材料の歩留低下は一層深刻になることもある。さらに、LCDマスクの大型に伴って、上記問題が一層顕著となる。
【0005】
また、上記シリカガラス成形プロセスを容易に実施するために、高温によるシリカガラスの粘性を低下させる必要がある。通常、1800℃以上の温度が必要となる。しかし、1700℃以上の温度では、シリカガラスと成形型のグラファイトとが反応して、SiOやCO等のガスが多量に発生する。短時間で成形させるためには、粘性が比較的小さくなる1600〜1700℃の高温で、押棒等による加圧装置を用いて成形が行われてきた。他方、1600℃以下の温度では、粘性が比較的大きいため加圧を行っても成形に時間を要しそのため失透が生じやすいなどの欠点があった。高温炉において、押棒等による加圧装置の機構が実現されにくい。
【0006】
一方、さらに粘性が小さくなる1700℃以上の高温で短時間成形を行う成形型が特許文献2号公報に提案されている。この特許文献2号に記載の成形型は、発生したSiOガスとCOガスを、成形型に使用された多孔体により外部に排出させるものであり、シリカガラスインゴットと成形型との反応による材料損失が大きいだけでなく、成形型の焼損による形状の変化はブロック形状に影響を与え、その後スライス工程で材料損失が嵩んでしまう。さらに、発生したSiOガスとCOガスをシリカガラスの表面から排出するために、真空炉が必要となり、装置のコストが増大する。
【0007】
【特許文献1】
実開昭61−73629号公報全文明細書(第6頁ジ第8行〜第7頁第13行、第1図)
【0008】
【特許文献2】
特開平5−17174号公報(第4頁段落番号[0013]、[0015]、図2)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述した事情を考慮してなされたもので、材料歩留がよく、製造コストが安く、かつ、高品質で脈理特性に優れる液晶表示板マスク用シリカガラス板材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の1つの態様によれば、合成シリカインゴットを作製し、このインゴットを加熱軟化させ、インゴットに隣接する円筒状の間隙から自重によりまたは強制的に引出し、このインゴットを軸方向に円筒状に伸延した管状体を準備し、この管状体にその軸方向にスリットを全長に渡って形成し、このスリットを真上になるように水平に支持し、加熱して、管状体を開き、板状体とすることを特徴とするシリカガラス板の製造方法が提供される。これにより、材料歩留がよく、製造コストが安く、かつ、高品質で脈理特性に優れる液晶表示板マスク用シリカガラス板材の製造方法が実現される。
【0011】
本発明の他の態様によれば、合成シリカガラスの製造工程において合成シリカガラス管状体を作製し、この管状体を所定の長さに切断し、その軸方向に沿って直線状のスリットを全長に渡って形成し、このスリットを真上に向け、その反対側が平坦状のモールドに水平に接触した状態でシリカガラス管状体を1300〜1600℃に加熱し、この温度で保持して、平坦なモールドに沿ったシリカガラス板状体に成形することを特徴とするシリカガラス板の製造方法が提供される。これにより、材料歩留がよく、製造コストが安く、かつ、高品質で脈理特性に優れる液晶表示板マスク用シリカガラス板材の製造方法が実現される。
【0012】
好適な一例では、シリカガラス板を300℃以上の温度、水素雰囲気で熱処理する。これにより、肉厚方向に渡ってほぼ均一の水素分子濃度分布にすることができる。
【0013】
本発明の他の態様によれば、請求項1ないし3のいずれか1項に記載のシリカガラス板の製造方法により製造し、かつ液晶表示板マスクの仕様を満足するように表面加工する。これにより、表面欠陥が除去され、所望の面精度/平坦度、外径加工精度を有する液晶表示板マスクが実現される。
【0014】
また、好適な一例では、軸断面を観察する場合、シリカガラスの合成時に発生する脈理は、シリカガラス板の表面と10°以下の角度になる。これにより、脈理特性が優れる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わるシリカガラス板の製造方法の第1実施形態について添付図面を参照して説明する。
【0016】
図1は本発明に係わるシリカガラス板の製造方法の第1実施例としてのLCDマスク材の製造工程フロー図である。
【0017】
本発明の第1実施例のLCDマスク材の製造方法は、図1に示すような製造工程によりLCDマスク材を製造する。
【0018】
シリカガラスインゴット1aを合成する(シリカガラス合成工程)。
【0019】
図1(a)に示すような円柱状、例えば頭部が丸みをなす砲弾形状の合成シリカガラスインゴット1aを作製する。その合成方法として、例えば四塩化ケイ素を酸水素炎により、火炎加水分解し、堆積させる。一般的にインゴット1aは砲弾型となり、その上部の合成面に沿って図4に示すような軸対称性を持つ脈理2が発生する。
【0020】
図1(b)に示すように、砲弾型のインゴット1aを1800℃以上の温度に加熱軟化させ、隣接する円筒状の間隙3から自重によりまたは強制的に引出し、軸方向に円筒状に伸延したシリカガラス管1bを準備する(製管工程)。
【0021】
管状体としてのシリカガラス管1bの作製は、円筒状のケーシング4の出口近傍に間隙3が設けられるようにマンドレル5を配置し、ケーシング4に砲弾型のインゴット1aを入れ、その軸方向を垂直にして、1800℃以上に加熱し、自重でケーシング4とマンドレル5との間隙3から薄肉になり降下するシリカガラス管1bを下方に引っ張ることにより、インゴット1aを所望の均一直径及び肉厚のシリカガラス管1bに成形する。例えば、肉厚はLCDマスク材の肉厚に必要な加工代を加えた寸法とし、直径はLCDマスク角材の一辺の長さに必要な加工代を加えた寸法とする。
【0022】
また、製管工程では、シリカガラスインゴット1aにほぼ水平方向に存在する脈理2を、管に対して同心円状になるようにする。シリカガラス管1cの軸断面においては、図1(b)に示すような脈理2が存在し、製管工程の軸対称性により脈理2はシリカガラス管1bの周方向に沿って同様、軸対称性(すなわち、同心円状)となり、ほぼ軸方向に一致するか、小さい角度となっている。この脈理2の角度は、製管工程の断面圧下比(シリカガラス管の横断面の面積対インゴットの横断面の面積)によりほぼ決められる。断面圧下比が小さいほど、脈理2の角度は小さい。シリカガラス管1bを板状に展開するために、シリカの高温粘性変形を利用する。
【0023】
図1(c)に示すように、シリカガラス管1bにその軸方向にスリット6を全長に渡って形成し、スリット入りシリカガラス管1cにする(スリット形成工程)。
【0024】
引出したままの管状体あるいは必要に応じて所望の長さに切断したシリカガラス管1bに、スリット6を形成しスリット入りシリカガラス管1cするが、スリット6の開口の幅は特に限定しない。
【0025】
図1(d)に示すように、スリット6を真上になるように水平に支持し、加熱して、スリット入りシリカガラス管1cを開き、板状体1dとする(板展開成形工程)。
【0026】
スリット6の反対側が平坦なモールド(成形型)7に水平に接触した状態でスリット入りシリカガラス管1cを1300〜1600℃に加熱して、この温度に保持し、スリット入りシリカガラス管1cを開き、平坦なモールド7に沿ったシリカガラス板状体1dに成形する。図2に示すような保持具8を用い、スリット6を真上に向けることにより、成形変形は自重により行われ、成形中モールド7を水平に保持すれば、スリット入りシリカガラス管1cは安定的にモールド7に保持されるため、特別な安定保持具を必要としない。成形温度はシリカガラスの軟化点以上になれば良い。上記加熱温度を1300〜1600℃以下にすることにより、シリカとモールドの反応を防止することができ、シリカ板の品質を改善することができる。また、成形温度の低下により、成形装置に使用する周辺材料の選択範囲が広くなり、場合によっては、成形炉の真空条件を不要とし大気条件でも成形が可能となる。なお、合成シリカとモールドが反応し失透することを防止するため、また、マスク材として利用するために水素分子を多く残留させるためには1360℃以上1480℃以下で実施することが好ましい。この温度範囲であっても少なくとも肉厚2〜30mmまでの管状シリカにおいて管開きが可能である。種々の粘性を有するシリカに適用可能である。また、管状体の上端温度と下端温度の差は100℃以下、好ましくは5〜40℃であればよい。
【0027】
本板展開成形工程において、最高温度を1600℃以下で制御する。これにより、シリカガラスとモールドの反応を防止することができて、シリカガラスの表面品質を改善することができ、また、成形温度の低下により、成形装置に使用する周辺材料の選択範囲が広くなり、場合によっては、成形炉の真空条件を不要とし大気条件でも成形が可能となる。また、本板展開成形工程においては、シリカガラスに含まれた水素分子濃度が表面で外方拡散によって減少する傾向があり、例えば、1600℃以下の低温で板展開成形を行った場合、表層から約2mmまで水素分子濃度が1×1018mo1ecu1es/cm3以下までとなるが、その内側はマスク材としての機能を十分満足するシリカガラス板となる。上記表層水素分子濃度の低下層は後続の加工工程で除去することが可能である。好適な例としては、水素ガス炉による水素ドープ工程を用い、水素ガス炉の温度は600℃で、シリカガラス板は炉内に24時間保持する。これにより、肉厚方向に渡ってほぼ均一の水素分子濃度分布にすることができる。
【0028】
図1(e)に示すように、上記のようにして製造されたシリカガラス板状体1dをLCDマスク材の仕様を満足するように表面加工する(表面加工工程)。
【0029】
LCDマスク材に要求される品質としては、▲1▼表面欠陥(傷、汚れ、異物など)、▲2▼内部欠陥(泡、異物、脈理など)、▲3▼面精度/平坦度(そり、うねりを含む)、▲4▼外径加工精度(大きさ、平均厚さ)▲5▼透過率、▲6▼熱膨張率があるが、
シリカガラスを用いることで、▲5▼透過率、▲6▼熱膨張率の要求は満たされ、上記板展開成形工程を採用することで▲2▼内部欠陥(泡、異物、脈理など)が除去され、さらに、研磨装置9を用いて表面加工することで、▲1▼表面欠陥(傷、汚れ、異物など)を除去し、▲3▼面精度/平坦度(そり、うねりを含む)、▲4▼外径加工精度(大きさ、平均厚さ)を出すことができる。
【0030】
上記のように、本第1実施例のLCDマスク材の製造方法によれば、管状体から平板になるまでの成形速度は、従来のインゴットから成形する方法に比べて、同様な温度条件で10〜100倍ほど速くなるため、成形温度を十分低くすることが可能となり、高品質のシリカ板を製造することができ、また、成形型を用いないのでスライス工程が不必要であり、材料損失がなく材料歩留がよく、さらに、特別な装置を必要とせず、製造コストが安くなり、また、脈理特性が優れるLCDマスク材を製造することができる。
【0031】
次に本発明に係わるシリカガラス板の製造方法の第2実施形態について添付図面を参照して説明する。
【0032】
上記第1実施形態が砲弾型インゴットを管状体に成形しこれを用いて板状体にするのに対し、本第2実施形態はシリカガラスの合成時直接管状体を作製しこれを用いて板状体にするものである。
【0033】
例えば、図3(a)に示すように、四塩化ケイ素を酸水素炎により、火炎加水分解して、管状体としてのシリカガラス管1bを作製する(シリカガラス合成・製管工程)。その後、図3(b)及び図3(c)に示すように、上記第1実施形態と同様の工程を経て板状体とする。他の構成は図1に示すシリカガラス板の製造方法と異ならないので、同一符号を付して説明は省略する。
【0034】
このように、本第2実施形態により、製造工程が一層簡素化され、脈理も第1実施形態と同様な結果が得られる。
【0035】
【実施例】
(実施例1)
図2に示す本発明の第1実施形態のシリカガラス板の製造工程により、700(w)×1100(l)×19(t)のLCDマスク材を製造した。砲弾型石英インゴットは、東芝セラミック製シリカガラスT−4040(登録商標)で、直径250mm、重さ40kgとなった。高温プレス成形により、石英インゴットは外径280mm、内径50mmの厚肉円筒に成形した。製管工程では、2200℃に加熱された厚肉円筒を外径280mm、内径252mmのシリカガラス管に引抜いた。シリカガラス管を1200mmの長さに切断し、軸方向に沿って約1mm幅のスリットを全長に渡って開口した。板展開成形工程では、1550℃の温度で3時間保持して、シリカガラス板材を得た。このシリカガラス板材は、OH基の含有量が1000ppm以上となり、製管工程後のシリカガラスに含まれるそれとほぼ同程度であった。また、水素分子濃度は、製管工程後では、シリカガラス管の肉厚方向に沿ってほぼ均一で、1×1018mo1ecu1es/cm3以上となったが、板展開成形後ではシリカガラス板材の両面近傍の約2mm以内では2×1017mo1ecu1es/cm3で、その内側は1×1018mo1ecu1es/cm3以上となった。上記シリカガラス板材に展開されたシリカガラス板材の肉厚は14mmとなったため、後続の研磨工程で表層の低水素分子濃度層が除去された。
【0036】
シリカガラス板材の側面を研磨した後、脈理について目視観察及びシャドー法観察を行った。目視観察では、脈理が存在しないことがわかった。シャドー法観察では、微弱の脈理が観察され、ほぼ直線となり、シリカガラス板の表面との傾斜角度は約6°となった。上記板展開成形においては、熱処理炉は常圧去採用したが、減圧または真空の条件でも同様な結果が得られた。
【0037】
(実施例2)
図4に示す本発明の第2実施形態のシリカガラス板の製造工程により、800(w)×920(l)×10(t)のLCDマスク材を製造した。シリカガラス合成工程では、四塩化ケイ素を酸水素炎により、火炎加水分解して、内径276mm、外径302mmの合成シリカガラス管材を堆積した。このシリカガラス管材を外周研磨し、外径300mmの管材に加工した。このシリカガラス管材を1000mmの長さに切断し、軸方向に沿って約1mm幅のスリットを全長に渡って開口した。板展開成形工程では、1600℃の温度で2時間保持して、シリカガラス板材を得た。このシリカガラス板材を500℃の水素炉で20時間熱処理した。肉厚方向にわたってほぼ均一の水素分子濃度分布で、1×1018mo1ecu1es/cm3以上となった。
【0038】
シリカガラス板材の側面を研磨した後、脈理について目視観察及びシャドー法観察を行った。目視観察では、脈理が存在しないことがわかった。シャドー法観察では、微弱の脈理が観察され、ほぼ直線となり、シリカガラス板の表面との傾斜角度は約8°となった。
【0039】
【発明の効果】
本発明に係わるシリカガラス板及びその製造方法によれば、材料歩留がよく、製造コストが安く、かつ、高品質で脈理特性に優れる液晶表示板マスク用シリカガラス板材及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例のLCDマスク材の製造工程フロー図。
【図2】図1の製造工程フローにおける板展開成形工程の概念図。
【図3】本発明の第2実施例のLCDマスク材の製造工程フロー図。
【図4】一般の合成シリカインゴットの縦断面図。
【図5】従来の合成シリカガラス板の製造方法を示す概念図。
【符号の説明】
1a シリカガラスインゴット
1b,1c シリカガラス管
1d 板状体
2 脈理
3 間隙
4 円筒状のケーシング
5 マンドレル
6 スリット
7 モールド(成形型)
8 保持具
Claims (5)
- 合成シリカインゴットを作製し、このインゴットを加熱軟化させ、インゴットに隣接する円筒状の間隙から自重によりまたは強制的に引出し、このインゴットを軸方向に円筒状に伸延した管状体を準備し、この管状体にその軸方向にスリットを全長に渡って形成し、このスリットを真上になるように水平に支持し、加熱して、管状体を開き、板状体とすることを特徴とするシリカガラス板の製造方法。
- 合成シリカガラスの製造工程において合成シリカガラス管状体を作製し、この管状体を所定の長さに切断し、その軸方向に沿って直線状のスリットを全長に渡って形成し、このスリットを真上に向け、その反対側が平坦状のモールドに水平に接触した状態でシリカガラス管状体を1300〜1600℃に加熱し、この温度で保持して、平坦なモールドに沿ったシリカガラス板状体に成形することを特徴とするシリカガラス板の製造方法。
- 請求項1または2に記載のシリカガラス板の製造方法において、上記製造されたシリカガラス板状体を300℃以上の温度、水素雰囲気で熱処理することを特徴とする請求項1または2のシリカガラス板の製造方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載のシリカガラス板の製造方法により製造し、かつ液晶表示板マスクの仕様を満足するように表面加工したことを特徴とする液晶表示板マスク用シリカガラス板。
- 請求項4に記載の液晶表示板マスク用シリカガラス板において、軸断面を観察する場合、シリカガラスの合成時に発生する脈理は、シリカガラス板の表面と10°以下の角度になることを特徴する液晶表示板マスク用シリカガラス板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003195293A JP4964401B2 (ja) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | シリカガラス板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003195293A JP4964401B2 (ja) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | シリカガラス板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005029413A true JP2005029413A (ja) | 2005-02-03 |
JP4964401B2 JP4964401B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003195293A Expired - Fee Related JP4964401B2 (ja) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | シリカガラス板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4964401B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007055871A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 金属元素ドープ大型石英ガラス部材の製造方法及び該製造方法で得られた金属元素ドープ大型石英ガラス部材 |
EP1924431A2 (en) * | 2005-09-12 | 2008-05-28 | Corning Inc. | Fused silica body and thermal reflow of glass |
-
2003
- 2003-07-10 JP JP2003195293A patent/JP4964401B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009507756A (ja) * | 2005-09-12 | 2009-02-26 | コーニング インコーポレイテッド | 溶融シリカ体およびガラスのサーマルリフロー |
EP1924431A4 (en) * | 2005-09-12 | 2011-03-02 | Corning Inc | SILICONE GLASS BODY AND THERMAL REFLECTION OF GLASS |
US8312740B2 (en) | 2005-09-12 | 2012-11-20 | Corning Incorporated | Thermal reflow of glass and fused silica body |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4964401B2 (ja) | 2012-06-27 |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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