JP2005026584A - Laser module - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、通信機器や光ディスク機器などで用いられるレーザモジュールに関し、特にキャンパッケージ型(ステム型)と呼ばれるレーザモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、キャンパッケージ型(ステム型)レーザモジュール(以下、キャンパッケージ型レーザモジュールという)は開発されてきた。従来のキャンパッケージ型レーザモジュールについて図3を用いて以下に説明する。
【0003】
図3に示すように、ステム101上にはヒートシンク102が取り付けられている。ヒートシンク102上には基板105が固定されて接続され、基板105上にレーザチップ106が実装されている。レーザチップ106の底面のカソード端子は基板105と導電性の半田などで接続されている。リードピン103と基板105上のパターンとがボンディングワイヤ108で接続されており、またリードピン104とレーザチップ106のアノードとがボンディングワイヤ107で接続されている。ここで、リードピン103からリードピン104にレーザ駆動電流が与えられると、駆動電流に応じてレーザチップ106が発光する。このようなキャンパッケージ型レーザモジュールが下記の特許文献1に記載されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−353846号公報(段落0015)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図3に示すような従来のキャンパッケージ型レーザモジュールにおいて、レーザ駆動電流を高速に変調した場合、ステム101内部側のリードピン103、104と、ボンディングワイヤ107、108とが長いため寄生インダクタンスが大きくなり、レーザチップ106へ供給される駆動電流の高速性が劣化し、レーザチップ106から出力される光信号を高速で強度変調することができないという問題があった。
【0006】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができるレーザモジュールを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、ステムと、ヒートシンクと、レーザチップと、リードピンと、屈曲可能なフレキシブル基板と、レーザチップとフレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段とを備える。すなわち、本発明によれば、ステムと、前記ステムに取り付けられたヒートシンクと、前記ヒートシンク上に配置されたレーザチップと、前記ステムから電気的に絶縁された状態で前記ステムを貫通して固定されるリードピンと、前記リードピンから前記レーザチップへ電流供給を行うための導電性パターンを有する屈曲可能なフレキシブル基板と、前記レーザチップと前記フレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段とを備えるレーザモジュールが提供される。この構成により、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができる。
【0008】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板が、前記ステム上の平面及び前記ヒートシンク上の平面に対して面接続されることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの光軸のずれが無く、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0009】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板が、前記導電性パターンを有する面の他方の面の少なくとも一部分にグランドパターンを有することは、本発明の好ましい態様である。この構成により、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0010】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記ヒートシンクと前記フレキシブル基板とが導電性の物質によって接続されていることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの光軸のずれが無く、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0011】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板を所定の位置に固定するためのストッパを、前記ヒートシンク上又は前記ステム上の少なくとも一方に設けたことは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの光軸のずれが無く、フレキシブル基板上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。
【0012】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記フレキシブル基板上にレーザ出力モニタ用の受光素子を配置したことは、本発明の好ましい態様である。この構成により、実装を容易にすることができる。
【0013】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記接続手段が、前記レーザチップのカソード側は導電性の物質であり、前記レーザチップのアノード側はボンディングワイヤであることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができる。
【0014】
また、本発明のレーザモジュールを構成する前記レーザチップのアノード端子又はカソード端子が前記ステムから電気的に短絡していることは、本発明の好ましい態様である。この構成により、レーザチップの高周波特性を改善することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
<第1の実施の形態>
以下、本発明の第1の実施の形態に係るレーザモジュールについて図1を用いて説明する。図1に示すように、ステム1にはレーザチップ6が搭載され、レーザチップ6の放熱を行うヒートシンク2が取り付けられている。また、レーザチップ6の駆動電流を供給するためのリードピン3、4が、ステム1から電気的に絶縁された状態でステム1を貫通している。電気的に絶縁する手段としては、例えばガラスを用いることができる。略L字状に折り曲げられたフレキシブル基板5は、ステム1及びヒートシンク2に対してそれぞれ面接続されている。この接続の手法としては、例えば半田付けを用いることができる。
【0016】
また、フレキシブル基板5は、導電性パターンを有する面の他方の面の少なくとも一部分にグランドパターンを有している。このグランドパターンによって、フレキシブル基板5上の伝送ラインの高周波インピーダンスを安定化させることができる。また、フレキシブル基板5上には、レーザチップ出力モニタ用の受光素子10(以下、受光素子10という)が配置されている。受光素子10によって、レーザチップ6から出力される光強度をモニタリングすることができる。ここで、フレキシブル基板5は屈曲可能であるため、受光素子10がフレキシブル基板5上の所定の位置に配置された後に、フレキシブル基板5はステム1及びヒートシンク2に接続される。これにより、受光素子10の実装を容易にすることができる。
【0017】
レーザチップ6を駆動させる電流は、リードピン4からフレキシブル基板5上の導電性パターンを通じて、導電性パターンに半田などで接続されたレーザチップ6のアノード側へ流れる。レーザチップ6のアノード側へ流れた電流は、レーザチップ6のカソード側から、ボンディングワイヤ7を介してフレキシブル基板5上の導電性パターンを通じてリードピン3へ流れる。このようにしてレーザ駆動電流が供給される。このレーザ駆動電流を変化させることでレーザチップ6の光強度が変化する。ここで、アノード端子又はカソード端子がステム1から電気的に短絡していても実施可能である。電気的に短絡させることによって、レーザモジュールをグランド(GND)した場合に、レーザチップ6の高周波特性が改善できる。また、フレキシブル基板5上の導電性パターンの途中に直列に抵抗が配置されても実施可能である。抵抗が配置されることによって、インピーダンスの整合をとることができる。この抵抗としては、例えば薄膜抵抗を用いることができる。
【0018】
上記のような構成にすることによって、リードピン3、4及びボンディングワイヤ7を短くすることができるため、リードピン3、4及びボンディングワイヤ7においてそれぞれ生じる寄生インダクタンスを削減でき、高速で強度変調可能なレーザモジュールが実現可能となる。
【0019】
<第2の実施の形態>
次に、本発明の第2の実施の形態に係るレーザモジュールについて図2を用いて説明する。図2のレーザモジュールは、第1の実施の形態に係るレーザモジュールに、フレキシブル基板5の位置を固定させるためのストッパ8、9を設けたものである。このストッパ8、9によって、フレキシブル基板5を実装させる際に位置の固定が容易にできる。ここで、ストッパ8、9をステム1及びヒートシンク2に固定させる手段としては、例えば半田を用いることができる。また、ストッパ8、9の材質としては、例えば金属やプラスチックを用いることができる。なお、ストッパ8、9は、上述したものに限られるものではない。例えば、フレキシブル基板5の実装の際の位置固定が容易になされれば、図2に示すような形状でなくても実施可能である。
【0020】
ストッパ8、9以外の図2に示すレーザモジュールの構成要素は、上記第1の実施の形態に係るレーザモジュールの構成要素と同様であるため説明を省略する。
【0021】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、ステムと、ステムに取り付けられたヒートシンクと、ヒートシンク上に配置されたレーザチップと、ステムから電気的に絶縁された状態でステムを貫通して固定されるリードピンと、リードピンからレーザチップへ電流供給を行うための導電性パターンを有する屈曲可能なフレキシブル基板と、レーザチップとフレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段とを備えるので、リードピンやボンディングワイヤにおいて生じる寄生インダクタンスを削減し、高速で強度変調をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るレーザモジュールを示す図
【図2】本発明の第2の実施の形態に係るレーザモジュールを示す図
【図3】従来のキャンパッケージ型レーザモジュールを示す図
【符号の説明】
1、101 ステム
2、102 ヒートシンク
3、4、103、104 リードピン
5 フレキシブル基板
6、106 レーザチップ
7、107、108 ボンディングワイヤ(接続手段)
8、9 ストッパ
10 受光素子
105 基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a laser module used in communication equipment, optical disc equipment, and the like, and more particularly to a laser module called a can package type (stem type).
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a can package type (stem type) laser module (hereinafter referred to as a can package type laser module) has been developed. A conventional can package type laser module will be described below with reference to FIG.
[0003]
As shown in FIG. 3, a
[0004]
[Patent Document 1]
JP 2000-353846 A (paragraph 0015)
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional can package type laser module as shown in FIG. 3, when the laser driving current is modulated at a high speed, the
[0006]
The present invention has been made to solve the above problem, and an object of the present invention is to provide a laser module that can reduce parasitic inductance generated in a lead pin and a bonding wire and can perform intensity modulation at high speed.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention includes a stem, a heat sink, a laser chip, a lead pin, a flexible substrate that can be bent, and connection means for electrically connecting the laser chip and the flexible substrate. That is, according to the present invention, the stem, the heat sink attached to the stem, the laser chip disposed on the heat sink, and the stem are fixed while penetrating through the stem while being electrically insulated from the stem. A laser module comprising: a lead pin that has a conductive pattern for supplying a current from the lead pin to the laser chip; and a connection unit that electrically connects the laser chip and the flexible substrate. Is provided. With this configuration, it is possible to reduce the parasitic inductance generated in the lead pin and the bonding wire and perform the intensity modulation at a high speed.
[0008]
Moreover, it is a preferable aspect of the present invention that the flexible substrate constituting the laser module of the present invention is surface-connected to the plane on the stem and the plane on the heat sink. With this configuration, there is no deviation of the optical axis of the laser chip, and the high-frequency impedance of the transmission line on the flexible substrate can be stabilized.
[0009]
Moreover, it is a preferable aspect of the present invention that the flexible substrate constituting the laser module of the present invention has a ground pattern on at least a part of the other surface having the conductive pattern. With this configuration, the high frequency impedance of the transmission line on the flexible substrate can be stabilized.
[0010]
Moreover, it is a preferable aspect of the present invention that the heat sink and the flexible substrate constituting the laser module of the present invention are connected by a conductive substance. With this configuration, there is no deviation of the optical axis of the laser chip, and the high-frequency impedance of the transmission line on the flexible substrate can be stabilized.
[0011]
Moreover, it is a preferable aspect of the present invention that a stopper for fixing the flexible substrate constituting the laser module of the present invention at a predetermined position is provided on at least one of the heat sink or the stem. With this configuration, there is no deviation of the optical axis of the laser chip, and the high-frequency impedance of the transmission line on the flexible substrate can be stabilized.
[0012]
Moreover, it is a preferable aspect of the present invention that a light receiving element for laser output monitoring is arranged on the flexible substrate constituting the laser module of the present invention. With this configuration, mounting can be facilitated.
[0013]
In addition, it is a preferable aspect of the present invention that the connecting means constituting the laser module of the present invention is such that the cathode side of the laser chip is a conductive material and the anode side of the laser chip is a bonding wire. . With this configuration, it is possible to reduce the parasitic inductance generated in the lead pin and the bonding wire and perform the intensity modulation at a high speed.
[0014]
Moreover, it is a preferable aspect of the present invention that the anode terminal or the cathode terminal of the laser chip constituting the laser module of the present invention is electrically short-circuited from the stem. With this configuration, the high frequency characteristics of the laser chip can be improved.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
<First Embodiment>
Hereinafter, a laser module according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, a
[0016]
The
[0017]
The current for driving the
[0018]
With the above-described configuration, the lead pins 3 and 4 and the
[0019]
<Second Embodiment>
Next, a laser module according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The laser module of FIG. 2 is provided with
[0020]
The constituent elements of the laser module shown in FIG. 2 other than the
[0021]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, a stem, a heat sink attached to the stem, a laser chip disposed on the heat sink, and a lead that is fixed through the stem while being electrically insulated from the stem. It is generated in a lead pin or a bonding wire because it includes a pin, a flexible flexible substrate having a conductive pattern for supplying current from the lead pin to the laser chip, and connection means for electrically connecting the laser chip and the flexible substrate. Parasitic inductance can be reduced and intensity modulation can be performed at high speed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a laser module according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing a laser module according to a second embodiment of the present invention. Diagram showing modules 【Explanation of symbols】
1, 101
8, 9
Claims (8)
前記ステムに取り付けられたヒートシンクと、
前記ヒートシンク上に配置されたレーザチップと、
前記ステムから電気的に絶縁された状態で前記ステムを貫通して固定されるリードピンと、
前記リードピンから前記レーザチップへ電流供給を行うための導電性パターンを有する屈曲可能なフレキシブル基板と、
前記レーザチップと前記フレキシブル基板とを電気的に接続する接続手段とを備えるレーザモジュール。Stem,
A heat sink attached to the stem;
A laser chip disposed on the heat sink;
A lead pin that is fixed through the stem while being electrically insulated from the stem;
A bendable flexible substrate having a conductive pattern for supplying current from the lead pin to the laser chip;
A laser module comprising connection means for electrically connecting the laser chip and the flexible substrate.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2003192379A JP2005026584A (en) | 2003-07-04 | 2003-07-04 | Laser module |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2003192379A JP2005026584A (en) | 2003-07-04 | 2003-07-04 | Laser module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005026584A true JP2005026584A (en) | 2005-01-27 |
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ID=34189700
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---|---|---|---|
JP2003192379A Withdrawn JP2005026584A (en) | 2003-07-04 | 2003-07-04 | Laser module |
Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227724A (en) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light-emitting device |
US7851829B2 (en) | 2007-02-05 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip module |
WO2019116547A1 (en) * | 2017-12-15 | 2019-06-20 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor laser device and semiconductor laser device production method |
-
2003
- 2003-07-04 JP JP2003192379A patent/JP2005026584A/en not_active Withdrawn
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US7851829B2 (en) | 2007-02-05 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip module |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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