JP2005057725A - 高周波発振器 - Google Patents

Abstract

【課題】 異なる２つの周波数のいずれを出力する場合にも、安定に動作すし、安定した高周波信号を出力する周波数選択型高周波発振器を提供する。
【解決手段】 周波数選択型高周波発振器は、第１の増幅回路３ａの動作を制御する第１のスイッチ回路２ａと、該第１のスイッチ回路２ａと第２の増幅回路３ｂとの動作を制御する第２のスイッチ回路２ｂとを備え、該第２のスイッチ回路２ｂに切替制御信号を入力する。切替制御信号が「Ｌｏｗ」の場合、第２のスイッチ回路２ｂがオン状態になり、第２の増幅回路３ｂのみが動作して第２の共振回路１ｂの共振周波数に応じた高周波信号が出力される。一方、切替制御信号が「Ｈｉ」の場合、第２のスイッチ回路２ｂがオフ状態となることで第１のスイッチ回路２ａがオン状態になり、第１の増幅回路３ａのみが動作して第１の共振回路１ａの共振周波数に応じた高周波信号が出力される。
【選択図】 図１

Description

この発明は、各種高周波装置に搭載される高周波発振器、特に、互いに異なる２つの発振周波数を切り替えて動作する周波数選択型高周波発振器に関するものである。

従来、電圧制御発振器等の高周波発振器には、１つの装置（回路）で異なる２つ周波数の高周波信号を発振する周波数選択型高周波発振器が存在する。このような周波数選択型高周波発振器では、それぞれ異なる周波数で共振する第１・第２の共振回路と、これら第１または第２の共振回路にそれぞれ接続する第１・第２の増幅回路と、これら第１・第２の増幅回路からの出力信号を増幅して出力するバッファ回路と、前記第１・第２の増幅回路を選択する切替回路とが備えられている。この切替回路は、第１・第２の増幅回路にそれぞれ接続する、第１・第２のスイッチ回路からなり、これら第１・第２のスイッチ回路をそれぞれ個別に動作させるための第１・第２の制御信号入力端子が設けられている。そして、出力したい所望周波数に応じて、第１・第２の制御信号入力端子を選択して第１・第２のスイッチ回路のいずれかに制御信号を入力することで、動作させる増幅回路を選択し、前記所望周波数の信号を発振して出力する（例えば、特許文献１参照）。

また、このような周波数選択型高周波発振器には、次に示す図１２のようなものも存在する。
図１２は従来の周波数選択型高周波発振器の回路図である。なお、以下の説明では、高周波信号の流れに沿って概要の構成のみを説明し、各受動素子の説明は省略する。
図１２に示すように、第１の共振周波数ｆ₁ を有する第１の共振回路１０１ａは第１の増幅回路１０３ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁₀₂のベース端子に接続し、第２の共振周波数ｆ₂ を有する第２の共振回路１０１ｂは第２の増幅回路１０３ｂのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁₀₃のベース端子に接続している。第１の増幅回路１０３ａは、第１の共振回路１０１ａとの間で、第１の共振回路１０１ａに基づく共振周波数ｆ₁ で発振し、その一部を出力する。また、第２の増幅回路１０３ｂは、第２の共振回路１０１ｂとの間で、第２の共振回路１０１ｂに基づく共振周波数ｆ₂ で発振し、その一部を出力する。ＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁₀₁を備えたバッファ回路１０４は、トランジスタＴｒ₁₀₂を備えた第１の増幅回路１０３ａと，トランジスタＴｒ₁₀₃を備えた第２の増幅回路１０３ｂに接続しており、これらいずれかの増幅回路から出力された高周波信号を入力して増幅し、出力端子１０６に出力する。

また、この高周波発振器には、第１の増幅回路１０３ａのトランジスタＴｒ₁₀₂のベース端子にコレクタ端子が接続し、電源端子１０５にエミッタ端子が接続するＰＮＰ型トランジスタＴｒ₁₀₄を備えた第１のスイッチ回路（ＳＷ１）１０２ａと、第２の増幅回路１０３ｂのトランジスタＴｒ₁₀₃のエミッタ端子にコレクタ端子が接続し、エミッタ端子が接地するＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁₀₅を備えた第２のスイッチ回路（ＳＷ２）１０２ｂとを備える。これらスイッチ回路１０２ａ，１０２ｂのトランジスタＴｒ₁₀₄，Ｔｒ₁₀₅のベース端子は、切替制御信号入力端子１０７に接続している。

このような構成では、切替制御信号が「Ｌｏｗ」ならば、第１のスイッチ回路１０２ａがオン状態となり、第２のスイッチ回路１０２ｂがオフ状態となるので、第１の増幅回路１０３ａのみが動作し、第１の共振周波数ｆ₁ の高周波信号が発振されて出力される。一方、切替制御信号が「Ｈｉ」ならば、第１のスイッチ回路１０２ａがオフ状態となり、第２のスイッチ回路１０２ｂがオン状態となるので、第２の増幅回路１０３ｂのみが動作し、第２の共振周波数ｆ₂ の高周波信号が発振されて出力される。
特開２００１−２３７６４０公報

ところが、前述の特許文献１に開示された周波数選択型高周波発振器では、周波数を選択するために異なる２つの制御信号を用いなければならないため、制御が煩雑になってしまう。

一方、図１２に示した周波数選択型高周波発振器では、制御信号は１つでよいが、代わりに次に示す問題が生じる。

図１２に示す高周波発振器では、切替制御信号が「Ｈｉ」になると、第２のスイッチ回路１０２ｂがオン状態となる。この際、切替制御信号とともに切替制御信号入力端子１０７から入力されるノイズがあると、第２のスイッチ回路１０２ｂを介して第２の増幅回路１０３ｂのトランジスタＴｒ₁₀₃に入力され、発振信号に重畳される。このようにノイズを重畳した高周波信号は、バッファ回路１０４のトランジスタＴｒ₁₀₁に入力されて増幅されるため、ノイズが増幅されてしまい、出力される高周波信号のＳ／Ｎ比が劣化する。

（大きな負荷が切替制御信号入力端子に接続される問題点の部分を削除しました。）
この発明の目的は、異なる２つの周波数のいずれを出力する場合にも、安定した高周波信号を出力する周波数選択型高周波発振器を提供することにある。

この発明は、互いに異なる周波数で共振する第１・第２の共振回路と、第１の共振回路に接続し、ＮＰＮ型トランジスタを備える第１の増幅回路と、第２の共振回路に接続し、ＮＰＮ型トランジスタを備える第２の増幅回路と、第１または第２の増幅回路の出力信号を増幅するバッファ回路と、第１・第２の増幅回路の動作切替制御を行う切替回路とを備えた高周波発振器において、
切替回路は、第１の増幅回路のＮＰＮ型トランジスタのベース端子にコレクタ端子が接続し、電源にエミッタ端子が接続するＰＮＰ型トランジスタを備えた第１のスイッチ回路と、第２の増幅回路のＮＰＮ型トランジスタのベース端子にコレクタ端子が接続し、電源にエミッタ端子が接続するＰＮＰ型トランジスタを備えた第２のスイッチ回路と、切替制御信号を入力するための切替制御信号入力端子とを備え、第２のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタのベース端子が切替制御信号入力端子に接続するとともに、第２のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタのコレクタ端子が第１のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタのベース端子に接続することを特徴としている。

この構成では、切替制御信号入力端子から「Ｌｏｗ」の切替制御信号が入力されると、第２のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタがオン状態となる。これにより、第２の増幅回路のＮＰＮ型トランジスタにベースバイアス電流が供給されて、第２の増幅回路が動作する。この結果、第２の増幅回路は、第２の共振回路との間で該第２の共振回路に基づく共振周波数の高周波信号を発振して、その一部をバッファ回路に出力する。バッファ回路は入力された高周波信号を増幅して出力端子に出力する。この場合、第２のスイッチ回路が動作することで、第１のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタのベース端子が「Ｈｉ」状態となるので、第１のスイッチ回路は動作しない。

ここで、第２のスイッチ回路、第２の増幅回路が動作する場合、切替制御信号は「Ｌｏｗ」状態であるので切替制御信号にノイズはなく、第２のスイッチ回路から第２の増幅回路に流れる電流にノイズが重畳することはない。これにより、第２の増幅回路にはノイズの重畳していない高周波信号が入力され増幅される。

一方、切替制御信号入力端子から「Ｈｉ」の切替制御信号が入力されると、第２のスイッチ回路がオフ状態となる。第２のスイッチ回路がオフ状態となることで、第２のスイッチ回路のコレクタ端子から第２の増幅回路のベース端子にベースバイアス電流が供給されず、第２の増幅回路は動作しない。また、第２のスイッチ回路がオフ状態となることでコレクタ電位が低下して、第１のスイッチ回路のベース電位が低下し、すなわち「Ｌｏｗ」となり、第１のスイッチ回路がオン状態となる。これにより、第１の増幅回路のトランジスタのベース端子にベースバイアス電流が供給されて、第１の増幅回路が動作し、第１の増幅回路は、第１の共振回路との間で該第１の共振回路に基づく共振周波数の高周波信号を発振して、その一部をバッファ回路に出力する。バッファ回路は入力された高周波信号を増幅して出力端子に出力する。

ここで、第１のスイッチ回路、第１の増幅回路が動作する場合、制御切替信号は「Ｈｉ」状態であるから第２のスイッチ回路が動作せず、第２のスイッチ回路のコレクタ端子のノイズが伝送されることはない。さらに、この状態で第１のスイッチ回路のベース端子は「Ｌｏｗ」状態であるので、第１のスイッチ回路から第１の増幅回路に流れる電流にノイズが重畳することはない。これにより、第１の増幅回路にはノイズの重畳していない高周波信号が入力され増幅される。

また、この発明は、切替制御信号入力端子と第２のスイッチ回路との間にコレクタ端子が第２のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタのベース端子に接続し、エミッタ端子が接地し、ベース端子が切替制御信号入力端子に接続するＮＰＮ型トランジスタを含む第３のスイッチ回路を挿入したことを特徴としている。

この構成では、切替制御信号入力端子から「Ｈｉ」の切替制御信号が入力されると、第３のスイッチ回路のＮＰＮ型トランジスタがオン状態になり、これに応じて第２のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタがオン状態となる。これにより、第２の増幅回路のＮＰＮ型トランジスタにベースバイアス電流が供給されて、第２の増幅回路が動作する。この結果、第２の増幅回路は、第２の共振回路との間で該第２の共振回路に基づく共振周波数の高周波信号を発振して、その一部をバッファ回路に出力する。バッファ回路は入力された高周波信号を増幅して出力端子に出力する。この場合、第２のスイッチ回路が動作することで、第１のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタのベース端子が「Ｈｉ」状態となるので、第１のスイッチ回路は動作しない。ここで、第２のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタが「Ｌｏｗ」で動作することにより、切替制御信号に重畳したノイズは第２のスイッチ回路の出力側には伝送されず、第２の増幅回路にはノイズの重畳していない高周波信号が入力され増幅される。

一方、切替制御信号入力端子から「Ｌｏｗ」の切替制御信号が入力されると、第３のスイッチ回路および第２のスイッチ回路は動作しない。これにより、第２の増幅回路は動作しない。また、第２のスイッチ回路が動作しないことにより、第１のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタのベース端子が「Ｌｏｗ」状態となるので、このＰＮＰ型トランジスタがオン状態になる。これにより、第１のスイッチ回路はオン状態となり、第１の増幅回路のＮＰＮ型トランジスタにベースバイアス電流が供給されて、第１の増幅回路が動作する。この結果、第１の増幅回路は、第１の共振回路との間で該第１の共振回路に基づく共振周波数の高周波信号を発振して、その一部をバッファ回路に出力する。バッファ回路は入力された高周波信号を増幅して出力端子に出力する。

ここで、第１のスイッチ回路と切替制御信号入力端子との間には、第２，第３のスイッチ回路が存在するので、各増幅回路およびバッファ回路の電源端子からの駆動信号が前記各スイッチ回路により減衰されて、切替制御信号入力端子には伝送されない。これにより、例えば、切替制御信号入力端子に大きな負荷が接続されていても、この負荷に逆電流が流れることはなく、安定な切替制御信号が入力される。（メインの問題点から外したため、効果をこの位置に記載しておきました。）
また、この発明は、少なくとも第１のスイッチ回路をＰＮＰ型トランジスタのみで構成することを特徴としている。

この構成では、スイッチ回路の抵抗器、すなわち構成素子数が省略されるので、高周波発振器の構成要素が低減される。

この発明によれば、単一の切替制御信号入力端子で単一の切替制御信号を用いて異なる２つの周波数の高周波信号の発振を切り替える周波数選択型高周波発振器において、異なる２つの周波数のいずれを発振する場合にも、動作を安定させ、且つ優れたＳ／Ｎ比の高周波信号を出力するができる。

本発明の第１の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器について、図１を参照して説明する。
図１は本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図である。
本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器は、それぞれ異なる共振周波数を有する第１、第２の共振回路１ａ，１ｂと、これら第１、第２の共振回路１ａ，１ｂにそれぞれ接続された第１、第２の増幅回路３ａ，３ｂと、これらの第１、第２の増幅回路３ａ，３ｂの動作切替用の第１、第２のスイッチ回路２ａ，２ｂと、第１、第２の増幅回路３ａ，３ｂから入力された高周波信号を増幅し出力端子６ａから出力するバッファ回路４とを備える。

第１の共振回路１ａは第１の増幅回路３ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₂ のベース端子に接続し、第２の共振回路１ｂは第２の増幅回路３ｂのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₃ のベース端子に接続している。

第１の増幅回路３ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₂ のコレクタ端子はバッファ回路４のＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁ のエミッタ端子に接続するとともに、コンデンサＣ₃ を介して接地している。トランジスタＴｒ₂ のエミッタ端子は抵抗器Ｒ₄ とコンデンサＣ₄ との並列回路を介して接地するとともに、コンデンサＣ₁ を介してバッファ回路４のトランジスタＴｒ₁ のベース端子に接続している。トランジスタＴｒ₂ のベース端子は、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₁ 、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａ、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₂ の直列回路を介して、電源端子５に接続するとともに、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₃ を介して接地している。また、トランジスタＴｒ₂ のベース−エミッタ間にはコンデンサＣ₂ を接続している。

バッファ回路４のＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁ のベース端子は、抵抗器Ｒ₁ と第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａとの接続点に接続している。トランジスタＴｒ₁ のコレクタ端子は、インダクタＬ₁ を介して電源端子５に接続するとともに、コンデンサＣ₄₃を介して出力端子６に接続している。また、トランジスタＴｒ₁ のコレクタ端子は、コンデンサＣ₄₂を介して接地しており、電源端子５はコンデンサＣ₄₁を介して接地している。

第２の増幅回路３ｂのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₃ のコレクタ端子はバッファ回路４のトランジスタＴｒ₁ のエミッタ端子に接続するとともに、コンデンサＣ₁₃を介して接地している。トランジスタＴｒ₃ のエミッタ端子は抵抗器Ｒ₁₄とコンデンサＣ₁₄との並列回路を介して接地するとともに、コンデンサＣ₁₁を介してバッファ回路４のトランジスタＴｒ₁ のベース端子に接続している。トランジスタＴｒ₃ のベース端子は、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₁ 、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂ、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₁₂の直列回路を介して、電源端子５に接続するとともに、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₁₃を介して接地している。また、トランジスタＴｒ₃ のベース−エミッタ間にはコンデンサＣ₁₂を接続している。

第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａは、ＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄と、該トランジスタＴｒ₄のベース−エミッタ間に接続された抵抗器Ｒ₂₂と、トランジスタＴｒ₄のベース端子に接続された抵抗器Ｒ₂₁とからなる。そして、トランジスタＴｒ₄のエミッタ−コレクタ間を抵抗器Ｒ₁ ，Ｒ₂ の間に挿入し、エミッタ端子を抵抗器Ｒ₁ に、コレクタ端子を抵抗器Ｒ₂ に接続している。また、トランジスタＴｒ₄のベース端子は抵抗器Ｒ₂₁を介して第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのトランジスタＴｒ₅のコレクタ端子に接続している。

第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂは、ＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅と、該トランジスタＴｒ₅のベース−エミッタ間に接続された抵抗器Ｒ₂₄と、トランジスタＴｒ₅のベース端子に接続された抵抗器Ｒ₂₃とからなる。そして、トランジスタＴｒ₅のエミッタ−コレクタ間を抵抗器Ｒ₁ ，Ｒ₁₂間に挿入し、エミッタ端子を抵抗器Ｒ₁ にコレクタ端子を抵抗器Ｒ₁₂に接続している。また、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのトランジスタＴｒ₅のベース端子は抵抗器Ｒ₂₃を介して切替制御信号入力端子７に接続しており、この切替制御信号入力端子７はコンデンサＣ₇₁を介して接地している。

ここで、これら第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａ、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂ、および切替制御信号入力端子７とで本発明の「切替手段」を構成する。

次に、前述の構成の周波数選択型高周波発振器の動作について説明する。
（１）切替制御信号が「Ｌｏｗ」の場合。
「Ｌｏｗ」の切替制御信号が第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂに入力されると、ＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅のベース電位が低下してトランジスタＴｒ₅がオン状態となる。これにより、トランジスタＴｒ₅のコレクタ端子に接続する第２の増幅回路３ｂのトランジスタＴｒ₃のベース端子にベースバイアス電流が供給され、第２の増幅回路３ｂのトランジスタＴｒ₃が動作する。この結果、第２の増幅回路３ｂは、第２の共振回路１ｂとの間で該第２の共振回路１ｂに基づく共振周波数ｆ₂の高周波信号で発振し、その一部を出力する。トランジスタＴｒ₃から出力された高周波信号は、バッファ回路４のトランジスタＴｒ₁ に伝送される。トランジスタＴｒ₁ は、入力された高周波信号を増幅して、コンデンサＣ₄₃を介して出力端子６に出力する。

一方、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのトランジスタＴｒ₅がオン状態となり、ベースバイアス電流が流れることで、トランジスタＴｒ₅のコレクタ端子の電位が高くなる。これにより、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａのＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄のベース電位が高くなり、トランジスタＴｒ₄はオフ状態となる。トランジスタＴｒ₄がオフ状態となると、トランジスタＴｒ₄のエミッタ−コレクタ間には電流が流れず、第１の増幅回路３ａのトランジスタＴｒ₂のベース端子にベースバイアス電流が供給されない。このため、第１の増幅回路３ａのトランジスタＴｒ₂は動作しない。

（２）切替制御信号が「Ｈｉ」の場合。
「Ｈｉ」の切替制御信号が第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂに入力されると、ＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅のベース電位が高くなり、トランジスタＴｒ₅がオフ状態となる。このため、トランジスタＴｒ₅のエミッタ−コレクタ間には電流が流れず、第２の増幅回路３ｂのトランジスタＴｒ₃にベースバイアス電流が供給されない。これにより、第２の増幅回路３ｂのトランジスタＴｒ₃は動作しない。

一方、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのトランジスタＴｒ₅がオフ状態となり、エミッタ−コレクタ電流が流れないことにより、トランジスタＴｒ₅のコレクタ端子に接続された第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａのＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄のベース電位が低い状態となり、トランジスタＴｒ₄がオン状態となる。トランジスタＴｒ₄がオン状態となることで、第１の増幅回路３ａのトランジスタＴｒ₂のベース端子にベースバイアス電流が供給され、第１の増幅回路３ａのトランジスタＴｒ₂が動作する。この結果、第１の増幅回路３ａは、第１の共振回路１ａとの間で該第１の共振回路１ａに基づく共振周波数ｆ₁の高周波信号で発振し、その一部を出力する。トランジスタＴｒ₂から出力された高周波信号は、バッファ回路４のトランジスタＴｒ₁ に伝送される。トランジスタＴｒ₁ は、入力された高周波信号を増幅して、コンデンサＣ₄₃を介して出力端子６に出力する。この際、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのトランジスタＴｒ₅はオフ状態であるので、切替制御信号入力端子から「Ｈｉ」状態の切替制御信号にノイズが重畳されて入力されても、このノイズが第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａに伝送されることはない。

このような構成とすることで、第２の増幅回路３ｂのトランジスタＴｒ₃を動作させる際に第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂに入力される信号は「Ｌｏｗ」状態であり、第１の増幅回路３ａのトランジスタＴｒ₂を動作させる際に第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａに入力される信号も「Ｌｏｗ」状態である。すなわち、いずれの増幅回路を作動させる場合にも、対象とする増幅回路を作動させるスイッチ回路が「Ｌｏｗ」信号の入力でオン状態になるので、制御信号入力端子からノイズがいずれの増幅回路にも伝送されない。これにより、いずれの発振周波数に対しても優れたＳ／Ｎ比を有する高周波信号を出力する周波数選択型高周波発振器を構成することができる。

また、前述の構成とすることで、スイッチ回路がベースバイアス供給回路に挿入されることとなり駆動電力が小さくなる。これにより、低消費電力の周波数選択型高周波発振器を構成することができる。

なお、本実施形態では、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのトランジスタＴｒ₅のベースに切替制御信号入力端子７を接続し、コレクタに第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａのトランジスタＴｒ₄のベースを接続する構成を示した。しかし、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａのトランジスタＴｒ₄のベースに切替制御信号入力端子７を接続し、コレクタに第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのトランジスタＴｒ₅のベースを接続する構成を用いてもよい。このように、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａと第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂとの接続順を反対にすることで、容易に制御の論理反転を行うことが可能となる。

次に、第２の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器について図２を参照して説明する。
図２は本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図である。
本実施形態に示す周波数選択型高周波発振器は、それぞれ異なる共振周波数を有する第１、第２の共振回路１ａ，１ｂと、これらの第１、第２の共振回路１ａ，１ｂに接続された第１、第２の増幅回路３ａ，３ｂと、これらの第１、第２の増幅回路３ａ，３ｂの動作切替用の第１、第２のスイッチ回路２ａ，２ｂと、第１、第２の増幅回路３ａ，３ｂからそれぞれ入力された高周波信号を増幅し出力端子６ａ，６ｂから出力する第１、第２のバッファ回路４ａ，４ｂとを備える。

第１の増幅回路３ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₂ のコレクタ端子は第１のバッファ回路４ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁₂のエミッタ端子に接続するとともに、コンデンサＣ₃ を介して接地している。トランジスタＴｒ₂ のエミッタ端子は抵抗器Ｒ₄ とコンデンサＣ₄ との並列回路を介して接地するとともにコンデンサＣ₁ を介して第１のバッファ回路４ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁₂のベース端子に接続している。トランジスタＴｒ₂ のベース端子は、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａ、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₁ ，Ｒ₂ の直列回路を介して、第１の電源端子５ａに接続するとともに、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₃ を介して接地している。また、トランジスタＴｒ₂ のベース−エミッタ間にはコンデンサＣ₂ を接続している。

第１のバッファ回路４ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁₂のベース端子は、抵抗器Ｒ₁ と抵抗器Ｒ₂との接続点に接続している。トランジスタＴｒ₁₂のコレクタ端子は、インダクタＬ₁ を介して第１の電源端子５ａに接続するとともに、コンデンサＣ₄₃を介して第１の出力端子６ａに接続している。また、トランジスタＴｒ₁₂のコレクタ端子はコンデンサＣ₄₂を介して接地しており、第１の電源端子５ａはコンデンサＣ₄₁を介して接地している。

第２の増幅回路３ｂのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₃ のコレクタ端子は第２のバッファ回路４ｂのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₂₂のエミッタ端子に接続するとともに、コンデンサＣ₁₃を介して接地している。トランジスタＴｒ₃ のエミッタ端子は抵抗器Ｒ₁₄とコンデンサＣ₁₄との並列回路を介して接地するとともに、コンデンサＣ₁₁を介して第２のバッファ回路４ｂのトランジスタＴｒ₂₂のベース端子に接続している。トランジスタＴｒ₃ のベース端子は、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂ、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₁₁，Ｒ₁₂の直列回路を介して、第２の電源端子５ｂに接続するとともに、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₁₃を介して接地している。また、トランジスタＴｒ₃ のベース−エミッタ間にはコンデンサＣ₁₂を接続している。

第２のバッファ回路４ｂのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₂₂のベース端子は、抵抗器Ｒ₁₁と抵抗器Ｒ₁₂との接続点に接続している。トランジスタＴｒ₂₂のコレクタ端子は、インダクタＬ₂を介して第２の電源端子５ｂに接続するとともに、コンデンサＣ₄₆を介して第２の出力端子６ｂに接続している。また、トランジスタＴｒ₂₂のコレクタ端子はコンデンサＣ₄₅を介して接地しており、第２の電源端子５ｂはコンデンサＣ₄₄を介して接地している。

第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａ、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂの構成はＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄のエミッタ端子が第１の電源端子５ａに接続してコレクタ端子が抵抗器Ｒ₁に接続し、ＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅のエミッタ端子が第２の電源端子５ｂに接続してコレクタ端子が抵抗器Ｒ₁₁に接続することを除き、第１の実施形態に示した周波数選択型高周波発振器（図１参照）と同じであり、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａと第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂとの接続関係も第１の実施形態と同じである。

このように、本実施形態の周波数選択型高周波発振器は、それぞれの第１、第２の増幅回路３ａ，３ｂに対して個別に第１、第２のバッファ回路４ａ，４ｂ、第１、第２の電源端子５ａ，５ｂ、第１、第２の出力端子６ａ，６ｂを備えるものであり、他の構成は第１の実施形態に示した周波数選択型高周波発振器と同じである。
このような構成でも、前述の実施形態に示したものと同様の効果を奏することができる。

次に、第３の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器について図３を参照して説明する。
図３は本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図である。
図３に示す周波数選択型高周波発振器は、第１のスイッチ回路２ａがＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄のみから構成され、第２のスイッチ回路２ｂがＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅とこのトランジスタＴｒ₅のベース端子に接続された抵抗器Ｒ₂₃から構成されており、他の構成は第２の実施形態に示した周波数選択型高周波発振器（図２）と同じである。
このような構成を用いても、前述の実施形態に示したものと同様の効果を奏することができる。

次に、第４の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器について図４を参照して説明する。
図４は本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図である。
図４に示す周波数選択型高周波発振器は、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂが抵抗器Ｒ₁₁と抵抗器Ｒ₁₂との間に接続され、ＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅のエミッタ端子が抵抗器Ｒ₁₁に、コレクタ端子が抵抗器Ｒ₁₂に接続したものであり、他の構成は第２の実施形態に示した周波数選択型高周波発振器（図２）と同じである。
このような構成を用いても、前述の実施形態に示したものと同様の効果を奏することができる。

次に、第５の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器について、図５を参照して説明する。
図５は、本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図である。
本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器は、それぞれ異なる共振周波数を有する第１、第２の共振回路１ａ，１ｂと、これら第１、第２の共振回路１ａ，１ｂにそれぞれ接続された第１、第２の増幅回路３ａ，３ｂと、これらの第１、第２の増幅回路３ａ，３ｂの動作切替用の第１、第２のスイッチ回路２ａ，２ｂと、第２のスイッチ回路２ｂと切替制御信号入力端子７との間に接続された第３のスイッチ回路２ｃと、第１、第２の増幅回路３ａ，３ｂから入力された高周波信号を増幅し出力端子６ａから出力するバッファ回路４とを備える。

第１の共振回路１ａは第１の増幅回路３ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₂ のベース端子に接続し、第２の共振回路１ｂは第２の増幅回路３ｂのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₃ のベース端子に接続している。

第１の増幅回路３ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₂ のコレクタ端子はバッファ回路４のＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁ のエミッタ端子に接続するとともに、コンデンサＣ₃ を介して接地している。トランジスタＴｒ₂ のエミッタ端子は抵抗器Ｒ₄ とコンデンサＣ₄ との並列回路を介して接地するとともに、コンデンサＣ₁ を介してバッファ回路４のトランジスタＴｒ₁ のベース端子に接続している。トランジスタＴｒ₂ のベース端子は、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₁ 、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａ、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₂ の直列回路を介して、電源端子５に接続するとともに、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₃ を介して接地している。また、トランジスタＴｒ₂ のベース−エミッタ間にはコンデンサＣ₂ を接続している。

バッファ回路４のＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁ のベース端子は、抵抗器Ｒ₁ と第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａとの接続点に接続している。トランジスタＴｒ₁ のコレクタ端子は、インダクタＬ₁ を介して電源端子５に接続するとともに、コンデンサＣ₄₃を介して出力端子６に接続している。また、トランジスタＴｒ₁ のコレクタ端子は、コンデンサＣ₄₂を介して接地している。また、電源端子５はコンデンサＣ₄₁を介して接地している。

第２の増幅回路３ｂのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₃ のコレクタ端子はバッファ回路４のＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁ のエミッタ端子に接続するとともに、コンデンサＣ₁₃を介して接地している。トランジスタＴｒ₃ のエミッタ端子は抵抗器Ｒ₁₄とコンデンサＣ₁₄との並列回路を介して接地するとともに、コンデンサＣ₁₁を介してバッファ回路４のトランジスタＴｒ₁ のベース端子に接続している。トランジスタＴｒ₃ のベース端子は、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₁ 、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂ、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₁₂の直列回路を介して、電源端子５に接続するとともに、バイアス電流供給用抵抗器Ｒ₁₃を介して接地している。また、トランジスタＴｒ₃ のベース−エミッタ間にはコンデンサＣ₁₂を接続している。

第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａは、ＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄ と、該トランジスタＴｒ₄ のベース−エミッタ間に接続された抵抗器Ｒ₂₂と、トランジスタＴｒ₄ のベース端子に接続された抵抗器Ｒ₂₁とからなる。そして、トランジスタＴｒ₄ のエミッタ−コレクタ間を抵抗器Ｒ₁ ，Ｒ₂ の間に挿入し、エミッタ端子を抵抗器Ｒ₁ に、コレクタ端子を抵抗器Ｒ₂ に接続している。

第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂは、ＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅ と、該トランジスタＴｒ₅ のベース−エミッタ間に接続された抵抗器Ｒ₂₄と、トランジスタＴｒ₅ のベース端子に接続された抵抗器Ｒ₂₃とからなる。そして、トランジスタＴｒ₅ のエミッタ−コレクタ間を抵抗器Ｒ₁ ，Ｒ₁₂間に挿入し、エミッタ端子を抵抗器Ｒ₁ に、コレクタ端子を抵抗器Ｒ₁₂に接続している。

また、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａのトランジスタＴｒ₄ のベース端子に接続された抵抗器Ｒ₂₁は第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのトランジスタＴｒ₅ のコレクタ端子に接続している。

第３のスイッチ回路（ＳＷ３）２ｃは、ＮＰＮ型トランジスタＴｒ₆ と、該トランジスタＴｒ₆ のベース−エミッタ間に接続された抵抗器Ｒ₂₆と、トランジスタＴｒ₆ のベース端子に接続された抵抗器Ｒ₂₅とからなる。トランジスタＴｒ₆ のエミッタ端子は接地しており、コレクタ端子は第２のスイッチ回路（ＳＷ２）のトランジスタＴｒ₅ のベース端子に接続された抵抗器Ｒ₂₃に接続している。さらに、第３のスイッチ回路（ＳＷ３）２ｃのトランジスタＴｒ₆ のベース端子は、抵抗器Ｒ₂₅を介して切替制御信号入力端子７に接続している。この切替制御信号入力端子７はコンデンサＣ₇₁を介して接地している。ここで、これら第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａ、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂ、および第３のスイッチ回路（ＳＷ３）と、切替制御信号入力端子７とで本発明の「切替手段」を構成する。

以上のように、本実施形態の高周波発振器は、前述の第１の実施形態に示した高周波発振器の第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂと切替制御信号入力端子７との間にＮＰＮ型トランジスタＴｒ₆を含む第３のスイッチ回路（ＳＷ３）を挿入した構成となっている。

次に、この構成の周波数選択型高周波発振器の動作について説明する。

（１）切替制御信号が「Ｈｉ」の場合。
「Ｈｉ」の切替制御信号が第３のスイッチ回路（ＳＷ３）２ｃに入力されると、ＮＰＮ型トランジスタＴｒ₆ のベース−エミッタ間にバイアス電流が流れてオン状態となり、コレクタ−エミッタ間に電流が流れる。これにより、トランジスタＴｒ₆ のコレクタ端子に接続する第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂにバイアス電流が流れて、ＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅のベース端子が抵抗器Ｒ₂₃を介して接地され、低電位状態（「Ｌｏｗ」状態）となる。そして、ＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅ のベース端子の電位が略接地まで低下することで、ＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅ がオン状態となり、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂがオン状態となる。これにより、トランジスタＴｒ₅ のエミッタ−コレクタ間に電流が流れ、抵抗器Ｒ₁₂を介して第２の増幅回路３ｂのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₃ のベース端子にベースバイアス電流が供給される。

この結果、トランジスタＴｒ₃ が動作し、第２の増幅回路３ｂは、第２の共振回路１ｂとの間で、該第２の共振回路１ｂに基づく共振周波数ｆ₂ で発振して出力する。

一方、第２のスイッチ回路２ｂがオン状態となることで、抵抗器Ｒ₁₂，Ｒ₁₃で電圧降下が生じるので、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのトランジスタＴｒ₅ のコレクタ端子の電位が高くなる。これにより、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａのＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄ のベース電位が上昇して、トランジスタＴｒ₄ がオフ状態となるので、トランジスタＴｒ₄ のエミッタ−コレクタ間に電流が流れない。この結果、第１の増幅回路３ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₂ にはベースバイアス電流が供給されず、トランジスタＴｒ₂ は動作しない。

第２の増幅回路３ｂのトランジスタＴｒ₃ から出力された高周波信号は、バッファ回路４のＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁ に伝送される。トランジスタＴｒ₁ は、入力された高周波信号を増幅して、コンデンサＣ₄₃を介して出力端子６に出力する。

この構成では、切替制御信号が「Ｈｉ」の場合には、第３のスイッチ回路（ＳＷ３）２ｃがオン状態になることで、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂはＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅のベース電位が低下してオン状態となり、第２の増幅回路３ｂにベースバイアス電流が供給される。このため、例え、切替制御信号にノイズが重畳されていても、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのトランジスタＴｒ₅は「Ｌｏｗ」状態でオン状態となるので、ベースバイアス電流にノイズが重畳されることはない。これにより、第２の増幅回路３ｂにはノイズが入力されず、第２の増幅回路３ｂから出力される高周波信号のＳ／Ｎ比が劣化しない。すなわち、優れたＳ／Ｎ比を有する高周波信号を増幅して出力することができる。

（２）切替制御信号が「Ｌｏｗ」の場合。
「Ｌｏｗ」の切替制御信号が第３のスイッチ回路（ＳＷ３）２ｃに入力されると、ＮＰＮ型トランジスタＴｒ₆ のベース−エミッタ間にはバイアス電流が流れずトランジスタＴｒ₆ がオフ状態となる。これにより、トランジスタＴｒ₆ のコレクタ端子に接続する第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅ のベース端子が高電位で保持され、トランジスタＴｒ₅ がオフ状態となる。トランジスタＴｒ₅ がオフ状態となると、トランジスタＴｒ₅ のエミッタ−コレクタ間には電流が流れず、トランジスタＴｒ₃ にベースバイアス電流が供給されない。このため、第２の増幅回路３ｂのトランジスタＴｒ₃ は動作しない。

一方、トランジスタＴｒ₃ のベースバイアス電流（トランジスタＴｒ₅ のエミッタ−コレクタ電流）が流れないことにより、抵抗Ｒ₁₂，Ｒ₁₃での電圧降下が生じないので、トランジスタＴｒ₅ のコレクタ端子の電位は接地電位まで低下する。このため、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａのＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄ のベース電位が低下して、トランジスタＴｒ₄ がオン状態となる。これにより、トランジスタＴｒ₄ のエミッタ−コレクタ間に電流が流れ、第１の増幅回路３ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₂ にベースバイアス電流が供給されて、トランジスタＴｒ₂ が動作する。

この結果、第１の増幅回路３ａは、第１の共振回路１ａとの間で該第１の共振回路１ａに基づく共振周波数ｆ₁ の高周波信号で発振し、その一部を出力する。トランジスタＴｒ₂ から出力された高周波信号は、バッファ回路４のトランジスタＴｒ₁ に伝送される。トランジスタＴｒ₁ は、入力された高周波信号を増幅して、コンデンサＣ₄₃を介して出力端子６に出力する。

この構成では、切替制御信号が「Ｌｏｗ」であるのでノイズが重畳されず、さらに第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａのＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄が「Ｌｏｗ」でオン状態になるので、第１の増幅回路３ａのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₂にはノイズが入力されず、第１の増幅回路３ａから出力される高周波信号のＳ／Ｎ比が劣化しない。すなわち、優れたＳ／Ｎ比を有する高周波信号を増幅して出力することができる。

また、この構成では、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａのベース端子は切替制御信号入力端子７には接続されておらず、切替制御信号入力端子７はＮＰＮ型トランジスタＴｒ₆ のベース端子に接続されている。このため、切替制御信号が「Ｌｏｗ」になっても、電源端子５から切替制御信号入力端子７には電流は流れない。これにより、例えば、切替制御信号入力端子７に高負荷回路が接続されていても、切替制御信号に悪影響を与えることはなく、安定した切替制御信号が入力される。

以上のように、本実施形態に示す回路構成とすることで、単一の切替制御信号入力端子で単一の切替制御信号を用いて異なる２つの周波数の高周波信号の発振を切り替える周波数選択型高周波発振器において、異なる２つの周波数のいずれを発振する場合にも、動作を安定させ、且つ優れたＳ／Ｎ比の高周波信号を出力することができる。

次に、第６の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器について、図６を参照して説明する。
図６は本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図であり、第５の実施形態に示した周波数選択型高周波発振器（図５）と同じ回路素子には、同符号を付す。

図６に示す周波数選択型高周波発振器は、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａがＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄ のみで構成され、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂがＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅ とこのトランジスタＴｒ₅ のベース−エミッタ間に接続された抵抗器Ｒ₂₄とトランジスタＴｒ₅のベース端子に接続された抵抗器Ｒ₂₃とで構成され、第３のスイッチ回路（ＳＷ３）２ｃがＮＰＮ型トランジスタＴｒ₆ とこのトランジスタＴｒ₆のベース端子に接続されたＲ₂₅とで構成されたものである。他の構成は図５に示した周波数選択型高周波発振器と同じである。

このような構成としても、前述の第５の実施形態と同じ効果を得ることができる。また、各スイッチ回路２ａ〜２ｃが簡素に構成されているので、周波数選択型高周波発振器を簡素な構造で構成することができる。

次に、第７の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器について、図７を参照して説明する。
図７は本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図であり、第５の実施形態に示した周波数選択型高周波発振器（図５）と同じ回路素子には、同符号を付す。

図７に示す周波数選択型高周波発振器は、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａのＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄ が抵抗器Ｒ₂ ，Ｒ₃ の間に挿入され、トランジスタＴｒ₄ のエミッタ端子が抵抗器Ｒ₂ に接続し、コレクタ端子が抵抗器Ｒ₃ に接続したものである。他の構成は、図５に示した周波数選択型高周波発振器と同じである。

このような構成においても、前述の第５の実施形態と同じ効果を得ることができる。

次に、第８の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器について、図８を参照して説明する。
図８は本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図であり、第５の実施形態に示した周波数選択型高周波発振器（図５）と同じ回路素子には、同符号を付す。

図８に示す周波数選択型高周波発振器は、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅ が抵抗器Ｒ₁₂，Ｒ₁₃の間に挿入され、トランジスタＴｒ₅ のエミッタ端子が抵抗器Ｒ₁₂に接続し、コレクタ端子が抵抗器Ｒ₁₃に接続したものである。他の構成は、図５に示した周波数選択型高周波発振器と同じである。

このような構成においても、前述の第５の実施形態と同じ効果を得ることができる。

次に、第９の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器について、図９を参照して説明する。
図９は本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図であり、第５の実施形態に示した周波数選択型高周波発振器（図５）と同じ回路素子には、同符号を付す。

図９に示す周波数選択型高周波発振器は、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａのＰＮＰ型トランジスタＴｒ₄ が抵抗器Ｒ₂ ，Ｒ₃ の間に挿入され、トランジスタＴｒ₄ のエミッタ端子が抵抗器Ｒ₂ に接続し、コレクタ端子が抵抗器Ｒ₃ に接続したものである。また、図９に示す周波数選択型高周波発振器は、第２のスイッチ回路（ＳＷ２）２ｂのＰＮＰ型トランジスタＴｒ₅ が抵抗器Ｒ₁₂，Ｒ₁₃の間に挿入され、トランジスタＴｒ₅ のエミッタ端子が抵抗器Ｒ₁₂に接続し、コレクタ端子が抵抗器Ｒ₁₃に接続したものである。他の構成は、図５に示した周波数選択型高周波発振器と同じである。

このような構成においても、前述の第５の実施形態と同じ効果を得ることができる。

次に、第１０の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器について、図１０を参照して説明する。
図１０は本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図であり、第５の実施形態に示した周波数選択型高周波発振器（図５）と同じ回路素子には、同符号を付す。

図１０に示す周波数選択型高周波発振器は、第１のスイッチ回路（ＳＷ１）２ａの抵抗器Ｒ₂₁の一端を抵抗器Ｒ₁₂，Ｒ₁₃の間に接続したものである。他の構成は、図５に示した周波数選択型高周波発振器と同じである。

このような構成においても、前述の第５の実施形態と同じ効果を得ることができる。

次に、第１１の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器について、図１１を参照して説明する。
図１１は本実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図であり、第５の実施形態に示した周波数選択型高周波発振器（図５）と同じ回路素子には、同符号を付す。

図１１に示す周波数選択型高周波発振器は、バッファ回路４のＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁ のコレクタ端子と電源端子５との間に電源端子５側から順にインダクタＬ₁ ，Ｌ₂ を直列接続し、このインダクタＬ₁ ，Ｌ₂ の接続点と、第３のスイッチ回路（ＳＷ３）２ｃのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₆ のコレクタ端子とをコンデンサＣ₄₄を介して接続したものである。他の構成は、図５に示した周波数選択型高周波発振器と同じである。

このような構成においても、前述の第５の実施形態と同じ効果を得ることができる。

また、この構成では、切替制御信号が「Ｈｉ」になると、第３のスイッチ回路（ＳＷ３）２ｃのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₆ がオン状態となり、トランジスタＴｒ₆ のコレクタ端子が等価的に接地状態となる。このため、インダクタＬ₁ とインダクタＬ₂ との接続点がコンデンサＣ₄₄を介して接地状態となり、バッファ回路４のＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁ のコレクタ端子と出力端子６との整合はインダクタＬ₂ とコンデンサＣ₄₃とを用いて行われる。すなわち、第２の増幅回路３ｂから出力される共振周波数ｆ₂ の高周波信号を出力端子６から出力する場合、インダクタＬ₂ とコンデンサＣ₄₃とでトランジスタＴｒ₁ のコレクタ端子と出力端子６とのインピーダンス整合を行う。

一方、切替制御信号が「Ｌｏｗ」になると、第３のスイッチ回路（ＳＷ３）２ｃのＮＰＮ型トランジスタＴｒ₆ はオフ状態となり、エミッタ−コレクタ間は等価的に開放となる。このため、インダクタＬ₁ とインダクタＬ₂ との接続点が接地状態とならず、バッファ回路４のＮＰＮ型トランジスタＴｒ₁ のコレクタ端子と出力端子６との整合はインダクタＬ₁ ，Ｌ₂ とコンデンサＣ₄₃とを用いて行われる。すなわち、第１の増幅回路３ａから出力された共振周波数ｆ₁ の高周波信号を出力端子６から出力する場合、インダクタＬ₁ ，Ｌ₂ とコンデンサＣ₄₃とでトランジスタＴｒ₁ のコレクタ端子と出力端子６とのインピーダンス整合を行う。ここで、前記インダクタＬ₁ ，Ｌ₂ のインダクタンスを予め調整しておくことで、それぞれの周波数の高周波信号に対して、バッファ回路４の出力端と出力端子６とのインピーダンス整合を最適にすることができる。

第１の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図 第２の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図 第３の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図 第４の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図 第５の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図 第６の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図 第７の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図 第８の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図 第９の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図 第１０の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図 第１１の実施形態に係る周波数選択型高周波発振器の回路図 従来の周波数選択型高周波発振器の回路図

符号の説明

１ａ，１ｂ，１０１ａ，１０１ｂ−共振回路
２ａ，２ｂ，２ｃ，１０２ａ，１０２ｂ−スイッチ回路
３ａ，３ｂ，１０３ａ，１０３ｂ−増幅回路
４，４ａ，４ｂ，１０４−バッファ回路
５，５ａ，５ｂ，１０５−電源端子
６，６ａ，６ｂ，１０６−出力端子
７，１０７−切替制御信号入力端子

Claims (3)

1. 互いに異なる周波数で共振する第１・第２の共振回路と、第１の共振回路に接続し、ＮＰＮ型トランジスタを備える第１の増幅回路と、第２の共振回路に接続し、ＮＰＮ型トランジスタを備える第２の増幅回路と、前記第１または第２の増幅回路の出力信号を増幅するバッファ回路と、前記第１・第２の増幅回路の動作切替制御を行う切替回路とを備えた高周波発振器において、
   前記切替回路は、
   前記第１の増幅回路のＮＰＮ型トランジスタのベース端子にコレクタ端子が接続し、電源にエミッタ端子が接続するＰＮＰ型トランジスタを備えた第１のスイッチ回路と、
   前記第２の増幅回路のＮＰＮ型トランジスタのベース端子にコレクタ端子が接続し、電源にエミッタ端子が接続するＰＮＰ型トランジスタを備えた第２のスイッチ回路と、
   切替制御信号を入力するための切替制御信号入力端子とを備え、
   前記第２のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタのベース端子が前記切替制御信号入力端子に接続するとともに、前記第２のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタのコレクタ端子が前記第１のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタのベース端子に接続することを特徴とする高周波発振器。
2. 前記切替制御信号入力端子と前記第２のスイッチ回路との間に、コレクタ端子が前記第２のスイッチ回路のＰＮＰ型トランジスタのベース端子に接続し、エミッタ端子が接地し、ベース端子が前記切替制御信号入力端子に接続するＮＰＮ型トランジスタを含む第３のスイッチ回路が挿入されたことを特徴とする請求項１に記載の高周波発振器。
3. 少なくとも前記第１のスイッチ回路はＰＮＰ型トランジスタのみからなる請求項１または請求項２に記載の高周波発振器。

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