JP2004343094A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 真空引き可能になされた処理容器内にて、被処理体の表面に形成されているシリコン酸化膜であってケミカル処理によって形成されたケミカル酸化膜を除去するための除去方法において、
   ＨＦガスとＮＨ_３ ガスとの混合ガスを用いると共に、シリコン材料に対する前記ケミカル酸化膜の選択性を得るために処理温度は２００℃〜４００℃の範囲内に設定されて、前記シリコン酸化膜を除去するようにしたことを特徴とするシリコン酸化膜の除去方法。
2. 処理圧力は２６Ｐａ（０．２Ｔｏｒｒ）〜５３２００Ｐａ（４００Ｔｏｒｒ）の範囲内に設定されることを特徴とする請求項１記載のシリコン酸化膜の除去方法。
3. 前記ＨＦガスとＮＨ_３ ガスとの流量比は、１０：１〜１：５０の範囲内に設定されることを特徴とする請求項１または２記載のシリコン酸化膜の除去方法。
4. 真空引き可能になされた処理容器内にて、被処理体の表面に形成されているシリコン酸化膜であってケミカル処理によって形成されたケミカル酸化膜を除去するための除去方法において、
   ＨＦガスとＮＨ _３ ガスとの混合ガスを用いると共に、シリコン窒化膜に対する前記ケミカル酸化膜の選択性を得るために処理温度は２００℃〜６００℃の範囲内に設定されて、前記シリコン酸化膜を除去するようにしたことを特徴とするシリコン酸化膜の除去方法。
5. 真空引き可能になされた処理容器内にて、被処理体の表面に形成されているシリコン酸化膜であってケミカル処理によって形成されたケミカル酸化膜を除去するための除去方法において、
   ＨＦガスとＮＨ _３ ガスとの混合ガスを用いると共に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成されたシリコン酸化膜に対する前記ケミカル酸化膜の選択性を得るために処理温度は２００℃〜４００℃の範囲内に設定され、前記シリコン酸化膜を除去するようにしたことを特徴とするシリコン酸化膜の除去方法。
6. 真空引き可能になされた処理容器内にて、被処理体の表面に形成されているシリコン酸化膜であってケミカル処理によって形成されたケミカル酸化膜を除去するための除去方法において、
   ＨＦガスとＮＨ _３ ガスとの混合ガスを用いると共に、熱酸化膜に対する前記ケミカル酸化膜の選択性を得るために処理温度は１００℃〜６００℃の範囲内に設定され、前記シリコン酸化膜を除去するようにしたことを特徴とするシリコン酸化膜の除去方法。
7. 前記ＨＦガスとＮＨ_３ ガスとの流量比は１：１０〜１：５０の範囲内に設定されることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載のシリコン酸化膜の除去方法。
8. 前記処理圧力は５３２００Ｐａ（４００Ｔｏｒｒ）以下に設定されることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載のシリコン酸化膜の除去方法。
9. 被処理体の表面に形成されているシリコン酸化膜であってケミカル処理によって形成されたケミカル酸化膜を除去するための処理装置において、
   真空引き可能になされた処理容器と、
   被処理体を保持するための支持手段と、
   前記被処理体を加熱する加熱手段と、
   前記処理容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系と、
   前記処理容器内にＨＦガスを供給するＨＦガス供給系と、
   前記処理容器内にＮＨ_３ ガスを供給するＮＨ_３ ガス供給系と、
   を備え、熱処理時には、前記ＨＦガスとＮＨ _３ ガスとの混合ガスを用いると共に、シリコン材料に対する前記ケミカル酸化膜の選択性を得るために処理温度は２００℃〜４００℃の範囲内に設定されることを特徴とする処理装置。
10. 被処理体の表面に形成されているシリコン酸化膜であってケミカル処理によって形成されたケミカル酸化膜を除去するための処理装置において、
    真空引き可能になされた処理容器と、
    被処理体を保持するための支持手段と、
    前記被処理体を加熱する加熱手段と、
    前記処理容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系と、
    前記処理容器内にＨＦガスを供給するＨＦガス供給系と、
    前記処理容器内にＮＨ_３ ガスを供給するＮＨ_３ ガス供給系と、
    を備え、熱処理時には、前記ＨＦガスとＮＨ _３ ガスとの混合ガスを用いると共に、シリコン窒化膜に対する前記ケミカル酸化膜の選択性を得るために処理温度は２００℃〜６００℃の範囲内に設定されることを特徴とする処理装置。
11. 被処理体の表面に形成されているシリコン酸化膜であってケミカル処理によって形成されたケミカル酸化膜を除去するための処理装置において、
    真空引き可能になされた処理容器と、
    被処理体を保持するための支持手段と、
    前記被処理体を加熱する加熱手段と、
    前記処理容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系と、
    前記処理容器内にＨＦガスを供給するＨＦガス供給系と、
    前記処理容器内にＮＨ_３ ガスを供給するＮＨ_３ ガス供給系と、
    を備え、熱処理時には、前記ＨＦガスとＮＨ _３ ガスとの混合ガスを用いると共に、ＣＶＤにより形成されたシリコン酸化膜に対する前記ケミカル酸化膜の選択性を得るために処理温度は２００℃〜４００℃の範囲内に設定されることを特徴とする処理装置。
12. 被処理体の表面に形成されているシリコン酸化膜であってケミカル処理によって形成されたケミカル酸化膜を除去するための処理装置において、
    真空引き可能になされた処理容器と、
    被処理体を保持するための支持手段と、
    前記被処理体を加熱する加熱手段と、
    前記処理容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系と、
    前記処理容器内にＨＦガスを供給するＨＦガス供給系と、
    前記処理容器内にＮＨ_３ ガスを供給するＮＨ_３ ガス供給系と、
    を備え、熱処理時には、前記ＨＦガスとＮＨ _３ ガスとの混合ガスを用いると共に、熱酸化膜に対する前記ケミカル酸化膜の選択性を得るために処理温度は１００℃〜６００℃の範囲内に設定されることを特徴とする処理装置。
13. 前記処理容器内に水蒸気、或いは水蒸気を形成するためのガスを供給する酸化用ガス供給系が設けられることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれかに記載の処理装置。
14. 前記処理容器内にシリコン膜形成用のガスを供給するシリコン膜形成用ガス供給系が設けられることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれかに記載の処理装置。