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JP2004234129A - Storage device identification circuit in semiconductor integrated circuit - Google Patents

Storage device identification circuit in semiconductor integrated circuit Download PDF

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JP2004234129A
JP2004234129A JP2003019430A JP2003019430A JP2004234129A JP 2004234129 A JP2004234129 A JP 2004234129A JP 2003019430 A JP2003019430 A JP 2003019430A JP 2003019430 A JP2003019430 A JP 2003019430A JP 2004234129 A JP2004234129 A JP 2004234129A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
storage device
circuit
flash rom
terminals
identification circuit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2003019430A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideji Matsuda
秀治 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2003019430A priority Critical patent/JP2004234129A/en
Publication of JP2004234129A publication Critical patent/JP2004234129A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit capable of easily identifying a type of a connected flash ROM, and easily setting of an address width, a data bus width or the like according to the type of the flash ROM. <P>SOLUTION: This semiconductor integrated circuit has: a plurality of terminals 7 for executing connection to the flash ROM 30; a terminal state decision circuit 13 deciding a terminal state of each of the plurality of terminals 7; a flash ROM decision circuit 9 reading identification information stored in the flash ROM 30 to identify the flash ROM 30; a flash ROM control circuit 4 executing setting necessary for the connection to the flash ROM 30, and imparting a required control command to a write command; a terminal control circuit 6 controlling the address width/data bus width when executing access through the plurality of terminals 7; and a control circuit 8 of an internal address bus width and an internal data bus width for transmitting a signal between the plurality of terminals 7 and each of the circuits. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記憶装置識別回路に関し、特に半導体集積回路に接続して用いられるフラッシュROMの識別回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路において、制御コードを格納する目的には、外部記憶装置を使用することが多く、外部記憶装置としては、記憶容量、コストメリット、不揮発性という特徴等から、フラッシュROMが多く用いられる。
【0003】
半導体集積回路と、フラッシュROMとの接続システムの検討段階等においては、接続するフラッシュROMを頻繁に切り替える場合があるため、半導体集積回路にて、フラッシュROMとの接続に必要な諸設定を柔軟に実行することが可能であることが望まれている。
【0004】
マイクロコンピュータ内蔵の半導体集積回路では、中央演算装置(CPU)のアドレス空間の一部を、外部に接続したフラッシュROMに割り当てることで、CPUからフラッシュROMへのアクセスが可能になる。
【0005】
半導体集積回路と、フラッシュROMとを接続する場合には、半導体集積回路にて、フラッシュROMの記憶容量、レイテンシ、及び各種制御信号の出力波形の仕様、等について設定を行う必要がある。半導体集積回路の、フラッシュROMとの接続に必要な設定は、CPUによって半導体集積回路が実装するフラッシュROMの制御を行うレジスタに、設定することで行う。
【0006】
フラッシュROMに制御コードを格納する手法としては、フラッシュROMライタを用いる手法と、半導体集積回路からフラッシュROMに対して書き込みを行う手法、とがある。半導体集積回路を搭載した最終製品の量産段階においては、製造コストの面から、前述の手法ではなく、後述の手法が用いられる。
【0007】
後述の手法について、図面を参照して説明する。
図3は、従来技術における、半導体集積回路と、フラッシュROMとを接続した場合の概要図である。
図4は、半導体集積回路から、フラッシュROMに対して書き込みを行う場合のフローチャート図であり、この図4を参照して、半導体集積回路からフラッシュROMに対して書き込みを行う場合の動作について、説明する。
【0008】
フラッシュROM200に格納すべき制御コードは、制御コード転送ソフトと共に、外部とのデータ通信手段103にて半導体集積回路100に内蔵するRAM(Random Access Memory)102に一時的に書き込まれる(ステップS41)。そして、CPU101が動作を開始し(ステップS42)、該CPU101が、RAM102に格納された制御コード転送ソフトを実行する(ステップS43)と、上記制御コードは、フラッシュROM200に書き込まれる。
【0009】
このCPU101により、フラッシュROM200に対して書き込みを行う動作は、該フラッシュROM200の予め定められたアドレスに、予め定められたデータを書き込む命令を、所定の回数分だけ実行することにより行う。ここでは、この動作を、ライトコマンドを実行する、と呼ぶことにする。
【0010】
しかるにここで、各種フラッシュROMの製造元、及び製品の違いによって、半導体集積回路100からフラッシュROM200に与えるべきライトコマンドが異なる場合がある。
【0011】
例として、富士通株式会社製MBM29LV002C(製品名)と、Silicon Storage Technology社製SST39LF512(製品名)との、2つのフラッシュROMのライトコマンドを、以下に示す。ここでは、16進数にてアドレス/データの順序で表記する。
【0012】
富士通株式会社製MBM29LV002TC
1.0x555 / 0xaa
2.0x2aa / 0x55
3.0x555 / 0xa0
4.ライトアドレス / ライトデータ
【0013】
Silicon Storage Technology社製SST39LF512
1.0x5555 / 0xaa
2.0x2aaa / 0x55
3.0x5555 / 0xa0
4.ライトアドレス / ライトデータ
【0014】
ここで、フラッシュROMとの接続を制御するコマンド設定、及びフラッシュROMに与えるライトコマンドは、制御コード転送ソフトにて実行される。
【0015】
【特許文献1】
特開2001−154916号公報
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
上述の、外部とのデータ通信手段103にて、半導体集積回路100に内蔵するRAM(Random Access Memory)102に、制御コード及び制御コード転送ソフトを一時的に書き込み、CPU101によって該制御コード転送ソフトを実行することで、制御コードをフラッシュROM200に書き込む手法においては、接続するフラッシュROM200を変更した場合に、制御コード転送ソフトにて、接続するフラッシュROM200に対して最適な制御レジスタ設定を行い、(すなわち、図4のステップS44における、制御コード転送ソフトによりフラッシュROM制御レジスタに設定する内容、の修正を行い、)再度、外部とのデータ通信手段103によって制御コード及び制御コード転送ソフトを、半導体集積回路100に内蔵するRAM102に書き込む必要があるため、操作が煩雑であり、汎用性に欠けるという欠点がある。
【0017】
さらに、外部とのデータ通信手段103にて、半導体集積回路100に内蔵するRAM102に、制御コード及び制御コード転送ソフトが転送されるまで、CPU101は動作を開始しないために、その間は、フラッシュROM200の制御レジスタへの設定ができず、最初の、フラッシュROM200へのアクセスが遅れてしまう、という欠点がある。
【0018】
また、半導体集積回路100とフラッシュROM200との接続システムを検討する段階等において、接続するフラッシュROM200の変更が度重なる場合にも、上述のライトコマンドを、接続するフラッシュROM200に対応したコマンドに変更する必要があるため、該ライトコマンドを接続するフラッシュROM200に対応したライトコマンドに変更した、(すなわち、図4のステップS45における、制御コードをフラッシュROMに転送するところのその部分の内容、を修正した、)制御コード転送ソフトを、再度、外部とのデータ通信手段103にて、制御コード及び制御コード転送ソフトとして、半導体集積回路100に内蔵するRAM102に書き込む必要があるため、同じく操作が煩雑であり、汎用性に欠けるという欠点があった。
【0019】
本発明は、上記のような従来の問題点に鑑みてなされたもので、制御コード転送ソフトを用いることなく、フラッシュROMとの接続に必要な諸設定を柔軟に実行することが可能な、記憶装置識別回路を提供することを目的としている。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1にかかる記憶装置識別回路は、半導体集積回路に接続される記憶装置を識別する記憶装置識別回路であって、上記記憶装置は、該記憶装置内に、該記憶装置の識別情報を記憶しているものであり、上記記憶装置と接続するための複数の端子であって、上記記憶装置からの入力、および上記記憶装置への出力の制御が可能であり、かつそのプルアップ・プルダウン処理が可能である複数の端子と、上記複数の端子の端子状態を読み出して、該端子状態の判定を行う端子状態判定回路と、上記複数の端子を介して上記記憶装置から該記憶装置の識別情報を読み出し、該記憶装置の識別を行う記憶装置判定回路と、上記端子状態判定回路の出力、および上記記憶装置判定回路の出力が入力され、上記記憶装置との接続に必要な設定を行う記憶装置制御回路と、上記複数の端子を介して上記記憶装置をアクセスする際の、該端子を介してのアドレスバス幅およびデータバス幅を制御するアドレスバス幅・データバス幅端子制御回路と、上記複数の端子、上記各回路間の信号の伝達を行うための内部アドレスバスおよび内部データバスのバス幅を制御する内部アドレスバス幅・内部データバス幅制御回路と、を備えた、ことを特徴とするものである。
【0021】
本発明の請求項2にかかる記憶装置識別回路は、請求項1に記載の記憶装置識別回路において、上記記憶装置は、フラッシュROMである、ものである。
【0022】
本発明の請求項3にかかる記憶装置識別回路は、請求項1または2に記載の記憶装置識別回路において、上記記憶装置判定回路は、電源投入後に、上記記憶装置から該記憶装置の識別情報を読み出し、該記憶装置の識別を行う、ものである。
【0023】
本発明の請求項4にかかる記憶装置識別回路は、請求項1ないし3のいずれかに記載の記憶装置識別回路において、上記記憶装置判定回路は、上記記憶装置から該記憶装置の製造者番号および製品番号の少なくとも一方を読み出す、ものである。
【0024】
本発明の請求項5にかかる記憶装置識別回路は、請求項4に記載の記憶装置識別回路において、上記記憶装置判定回路は、テーブルを保有し、上記読み出した上記記憶装置の製造者番号および/または製品番号の情報を元に、該記憶装置の識別を行う、ものである。
【0025】
本発明の請求項6にかかる記憶装置識別回路は、請求項5に記載の記憶装置識別回路において、上記記憶装置判定回路の有するテーブルは、ROMである、ものである。
【0026】
本発明の請求項7にかかる記憶装置識別回路は、請求項1ないし6のいずれかに記載の記憶装置識別回路において、上記端子状態判定回路は、電源投入後の、上記複数の端子の端子状態を判定する、ものである。
【0027】
本発明の請求項8にかかる記憶装置識別回路は、請求項1ないし7のいずれかに記載の記憶装置識別回路において、上記記憶装置制御回路は、上記記憶装置との接続に必要な設定情報を保持する記憶装置制御レジスタを備え、かつ上記記憶装置に対して与えられるライトコマンドに、上記記憶装置判定回路から出力される上記記憶装置に応じた制御コマンドを付与するコマンド付与回路を備えた、ものである。
【0028】
本発明の請求項9にかかる半導体集積回路における記憶装置識別回路は、請求項8に記載の記憶装置識別回路において、上記記憶装置制御回路は、上記記憶装置から読み出した、製造者番号および製品番号の少なくともいずれか一方の情報を元に、上記記憶装置との接続に必要な、アドレスバス端子、及び内部アドレスバスに関する仕様を、上記記憶装置制御レジスタに設定する、ものである。
【0029】
本発明の請求項10にかかる半導体集積回路における記憶装置識別回路は、請求項8に記載の記憶装置識別回路において、上記記憶装置制御回路は、電源投入後の上記複数の端子の端子状態の判定情報を元に、上記記憶装置との接続に必要な、データバス端子、及び内部データバスに関する仕様を、上記記憶装置制御レジスタに設定する、ものである。
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1は本発明の実施の形態1による、フラッシュROMを接続する、半導体集積回路を説明するための概要図である。
図2は本発明の実施の形態1における、半導体集積回路からフラッシュROMに対して書き込みを行う場合のフローチャートである。
【0030】
図1に示される、本実施の形態1による、フラッシュROM30を接続する、半導体集積回路20は、フラッシュROM30との接続を行うための複数の端子7であって、フラッシュROM30からの入力、またはフラッシュROM30への出力の制御を行うとともに、そのプルアップ・プルダウンの処理が可能な端子である複数の端子7と、複数の端子7の端子状態を読み出して、該端子状態の判定を行う端子状態判定回路13と、該複数の端子7、後述するアドレスバス幅・データバス幅端子制御回路6、さらに、フラッシュROM制御回路4を介して、フラッシュROM30内に格納されている該フラッシュROM30の識別情報を読み出して、該フラッシュROM30の種別の識別を行うとともに、端子7より外側の、バス幅の可変な外部データバス幅について、接続するフラッシュROM30によって最適な設定を行うことができるよう、外部データバス幅と外部アドレスバス幅とコマンドとの間の対応関係を表にしたコマンドテーブル11を有する、フラッシュROM判定回路9と、フラッシュROM30との接続に必要な設定を、そのフラッシュROM制御レジスタ5内に行うとともに、CPU1によるフラッシュROM30に対する書き込みの実行時には、フラッシュROM30に対して与えられるライトコマンドに、フラッシュROM判定回路9から出力される該フラッシュROM30に応じた制御コマンドを付与して、CPU1よりはライトコマンドとしてライトアドレスにライトデータを書き込む命令を実行するだけで、異なる種別のフラッシュROMに対しても、書き込みの処理を実行可能とするコマンド付与回路12を有するフラッシュROM制御回路4と、上記複数の端子7を介して上記フラッシュROM30をアクセスするときの、該端子によるアドレスバス幅、およびデータバス幅を制御するアドレスバス幅・データバス幅端子制御回路6と、上記複数の端子7、上記フラッシュROM判定回路9、上記フラッシュROM制御回路4、上記端子状態判定回路13、上記アドレスバス幅・データバス幅端子制御回路6、間の信号の伝達を行うための、内部アドレスバス、及び内部データバスのバス幅を制御する、内部アドレスバス幅及び内部データバス幅制御回路8と、を備えて構成される。
【0031】
また、上述の各回路、フラッシュROM判定回路9、フラッシュROM制御回路4、端子状態判定回路13、アドレスバス端子及びデータバス端子制御回路6、内部アドレスバス幅及び内部データバス幅制御回路8は、内部バス15によって相互に接続されており、該内部バス15は、アドレスバス、データバスの他、リードストローブ、ライトストローブ、リセット信号、等の制御バスによって構成される。
【0032】
以下、本実施の形態1による半導体集積回路において、これにフラッシュROM30を接続するときの動作について、図2のフローチャートを用いて説明する。
【0033】
まず、電源の投入(ステップS1)の後に、端子状態判定回路13は、上記複数の端子7のうちの、あらかじめ予約された(設定された)、少なくとも1つ以上の端子の状態を、たとえば該当端子のHighもしくはLowレベル(スレッショルド電圧に対する高低)でもって判定する(ステップS2)。
【0034】
次に、上記ステップS2で端子状態判定回路13により判定された複数の端子7の、上記で判定したあらかじめ予約された端子の状態を元に、フラッシュROM制御回路4は、上記複数の端子7の所要数よりなる、データ端子のバス幅、および内部データバスのバス幅を、該当端子のHighもしくはLowレベル(スレッショルド電圧に対する高低)でもって、例えば8bitデータバス幅はLowレベル、16bitデータバス幅はHighレベルと決定し、該フラッシュROM制御回路4内のフラッシュROM制御レジスタ5内に、設定する(ステップS3)。
【0035】
次に、上記ステップS3の後、フラッシュROM30に対する最初のアクセスを、該接続されている該フラッシュROM30の識別情報が格納されているアドレスに対して行い、該アドレスより、フラッシュROMの識別情報として、該フラッシュROM30の製造者番号および製品番号のうち少なくとも一方を読み出す(ステップS4)。
【0036】
上記ステップS4でフラッシュROMの識別情報を読み出した後に、フラッシュROM判定回路9は、該回路9内に格納されているコマンドテーブル11を参照して、接続されているフラッシュROM30の種別を判定する(ステップS5)。
【0037】
フラッシュROM判定回路9にて判定されたフラッシュROM30の種別の情報を元に、フラッシュROM制御回路4は、接続されたフラッシュROM30の記憶容量、レイテンシ、及び各種制御信号の出力波形の仕様、等をフラッシュROM制御レジスタ5内に設定する(ステップS6)。
【0038】
また、フラッシュROM判定回路9にて判定された情報を元に、フラッシュROM制御回路4は、接続されたフラッシュROM30とのアクセスに必要な、アドレスバス端子、及び内部アドレスバスに関する仕様、および、接続されたフラッシュROM30との接続には不要となる、上記複数の端子7のうちのアドレスバス端子、のプルアップ・プルダウン処理を、フラッシュROM制御レジスタ5に設定する(ステップS7)。
【0039】
そして、フラッシュROM30に対して書き込みを行う場合には、CPU1は、ライトコマンドとしてライトアドレスにライトデータを書き込む命令を実行しさえすればよく、これに伴い、フラッシュROM制御回路4の有するコマンド付与回路12は、フラッシュROM30に対して与えられるライトコマンドに、上記フラッシュROM判定回路9から出力される該フラッシュROM30に応じた制御コマンドを付与し、これにより接続しているフラッシュROM30に適合したライトコマンドが生成されて、フラッシュROM30に対するアクセスを行うことが可能となる(ステップS8)。
【0040】
このように、本実施の形態1においては、CPU1が動作を開始する前に、接続されたフラッシュROM30との入出力を行うための、データ端子のバス幅、および内部データバスのバス幅の決定、さらには、接続されたフラッシュROM30の記憶容量、レイテンシ、及び各種制御信号の出力波形の仕様、等の設定を、さらには、接続されたフラッシュROM30とのアクセスに必要な、アドレスバス端子、及び内部アドレスバスに関する仕様、および、接続されたフラッシュROM30との接続には不要となる、上記複数の端子7のうちのアドレスバス端子、のプルアップ・プルダウン処理、の設定を、フラッシュROM制御レジスタ5内に行うことができ、かつ、CPU1は、ライトコマンドとしてライトアドレスにライトデータを書き込む命令を実行するだけで、コマンド付与回路12によって、フラッシュROM30に対して与えられるライトコマンドに、該フラッシュROM30に応じた制御コマンドが付与されて、接続しているフラッシュROM30に適合したライトコマンドが生成され、フラッシュROM30に対する簡易なアクセスが可能になるものである。
【0041】
また、この際、接続されたフラッシュROMの種別をフラッシュROMの識別情報を基に識別し、フラッシュROM判定回路9により接続に必要な設定を出力するので、接続するフラッシュROM30を変更した場合においても、該新しく接続されたフラッシュROM30とのアクセスに必要な仕様を、データ通信手段によって外部から取得しソフトの実行によって設定する、という必要がなく、フラッシュROMを変更する場合の処理を簡易化できる効果が得られる。
【0042】
また、端子状態判定回路13により、フラッシュROM30との接続をする複数の端子7のうちの、予め予約された端子のフラッシュROM30との接続状態を判別して、フラッシュROM30との入出力のためのデータ端子のバス幅と、内部データバスのバス幅を、決定するようにしたので、接続するフラッシュROMを変更した場合においても、該新しく接続されたフラッシュROM30とのアクセスに必要なデータバス幅の設定を、データ通信手段によって外部から取得する必要なく、簡易に行うことができ、異なる種類のフラッシュROMの接続を容易に可能にできる効果がある。
【0043】
また、半導体集積回路内に、接続されたフラッシュROM30に対するアクセスに必要な設定を与えるフラッシュROM判定回路9、およびデータ端子のバス幅、および内部データバスのバス幅の設定を行う端子状態判定回路13を備えたので、CPUが動作を開始する前に、短時間で接続されたフラッシュROMとのアクセスに必要な設定を行うことができ、最初のフラッシュROMへのアクセスの遅れを解消することができる。
【0044】
さらに、CPUにより、フラッシュROM30に対して書き込みを行う場合には、種別を判定したフラッシュROM30に対応したコマンドを、コマンド付与回路12によりCPUによる汎用的なライトコマンドに付与することで、該フラッシュROM30に適合したライトコマンドを生成するので、CPUは汎用的なライトデータの書き込む命令を実行するだけで、ライトコマンドの異なるフラッシュROMに対しても書き込みの実行を行うことができ、書き込みの処理を簡易化することができる。
【0045】
なお、本実施の形態においては、書き換え可能な不揮発性メモリであるフラッシュROMを接続する場合を例にあげて説明したが、本発明においては、フラッシュROMの代わりに、仕様を特定できる識別情報を持つとともに、データの書き込みに対して固有のライトコマンドが必要となるRAMやROM等の他の記憶装置を接続する場合においても同様に適用でき、上記実施の形態と同様の効果を奏する。
【0046】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明にかかる半導体記憶装置における記憶装置識別回路は、半導体集積回路に接続される記憶装置を識別する記憶装置識別回路であって、上記記憶装置は、該記憶装置内に、該記憶装置の識別情報を記憶しているものであり、上記記憶装置と接続するための複数の端子であって、該記憶装置からの入力、および該記憶装置への出力の制御が可能であり、かつそのプルアップ・プルダウン処理が可能である複数の端子と、上記複数の端子の端子状態を読み出して、該端子状態の判定を行う端子状態判定回路と、上記複数の端子を介して上記記憶装置から該記憶装置の識別情報を読み出し、該記憶装置の識別を行う記憶装置判定回路と、上記端子状態判定回路の出力、および上記記憶装置判定回路の出力が入力され、上記記憶装置との接続に必要な設定を行う記憶装置制御回路と、上記複数の端子を介して上記記憶装置をアクセスする際の、該端子を介してのアドレスバス幅およびデータバス幅を制御するアドレスバス幅・データバス幅端子制御回路と、上記複数の端子、上記各回路間の信号の伝達を行うための内部アドレスバスおよび内部データバスのバス幅を制御する内部アドレスバス幅・内部データバス幅制御回路と、を備えた、構成としたので、フラッシュROMの接続に関する設定、およびライトコマンドの実行を、CPUにより、予め制御コード転送ソフトにて行う必要がなくなるため、煩雑な処理を行うことなく、半導体集積回路と、不特定の記憶装置との接続を行うことが可能になる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における、半導体集積回路とフラッシュROMとを接続したときの概要図。
【図2】本発明の実施の形態1における、半導体集積回路からフラッシュROMに対して書き込みを行う場合のフローチャート図。
【図3】従来技術における、半導体集積回路とフラッシュROMを接続した場合の概要図。
【図4】従来技術における、半導体集積回路からフラッシュROMに対して書き込みを行う場合のフローチャート図。
【符号の説明】
1 CPU
30 フラッシュROM
7 複数の端子
13 端子状態判定回路
9 フラッシュROM判定回路
4 フラッシュROM制御回路
6 アドレスバス幅端子及びデータバス幅端子制御回路
8 内部アドレスバス幅及び内部データバス幅制御回路
15 内部バス
ステップS1 電源投入ステップ
ステップS2 端子7状態を判定するステップ
ステップS3 接続されたフラッシュROMとのアクセスに必要なデータバス端子及び内部データバスに関する仕様を、設定するステップ
ステップS4 製造者番号および製品番号のいずれか一方を読み出すステップ
ステップS5 接続されたフラッシュROMを判定するステップ
ステップS6 接続されたフラッシュROMの記憶容量、レイテンシ、及び各種制御信号の出力波形の仕様を、設定するステップ
ステップS7 接続されたフラッシュROMとのアクセスに必要なアドレスバス端子、及び内部アドレスバスに関する仕様、および接続されたフラッシュROMとの接続には不要となるアドレスバス端子のプルアップ・プルダウン処理を設定するステップ
ステップS8 フラッシュROM30に対するアクセスを行うステップ
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a storage device identification circuit, and more particularly, to a flash ROM identification circuit used in connection with a semiconductor integrated circuit.
[0002]
[Prior art]
Generally, in a semiconductor integrated circuit, an external storage device is often used for storing a control code, and a flash ROM is often used as the external storage device due to characteristics such as storage capacity, cost advantages, and non-volatility. Can be
[0003]
At the stage of studying the connection system between the semiconductor integrated circuit and the flash ROM, the flash ROM to be connected may be frequently switched, so that the semiconductor integrated circuit flexibly sets various settings required for connection with the flash ROM. It is hoped that it can be performed.
[0004]
In a semiconductor integrated circuit with a built-in microcomputer, a part of the address space of a central processing unit (CPU) is allocated to an externally connected flash ROM, so that the CPU can access the flash ROM.
[0005]
When a semiconductor integrated circuit is connected to a flash ROM, it is necessary to set the storage capacity of the flash ROM, the latency, the specifications of the output waveforms of various control signals, and the like in the semiconductor integrated circuit. The setting required for the connection of the semiconductor integrated circuit to the flash ROM is performed by setting in a register for controlling the flash ROM mounted on the semiconductor integrated circuit by the CPU.
[0006]
As a method of storing the control code in the flash ROM, there are a method of using a flash ROM writer and a method of writing data from the semiconductor integrated circuit to the flash ROM. In the stage of mass production of a final product on which a semiconductor integrated circuit is mounted, the following method is used instead of the above method from the viewpoint of manufacturing cost.
[0007]
A method described below will be described with reference to the drawings.
FIG. 3 is a schematic diagram of a conventional technique in which a semiconductor integrated circuit is connected to a flash ROM.
FIG. 4 is a flowchart in the case where writing is performed from the semiconductor integrated circuit to the flash ROM. Referring to FIG. 4, the operation in the case where writing is performed from the semiconductor integrated circuit to the flash ROM will be described. I do.
[0008]
The control code to be stored in the flash ROM 200 is temporarily written, together with the control code transfer software, into a RAM (Random Access Memory) 102 built in the semiconductor integrated circuit 100 by the data communication means 103 with the outside (step S41). Then, when the CPU 101 starts operating (step S42) and executes the control code transfer software stored in the RAM 102 (step S43), the control code is written into the flash ROM 200.
[0009]
The operation of writing data to the flash ROM 200 by the CPU 101 is performed by executing a predetermined number of instructions for writing predetermined data to a predetermined address of the flash ROM 200. Here, this operation is referred to as executing a write command.
[0010]
However, here, write commands to be given from the semiconductor integrated circuit 100 to the flash ROM 200 may be different depending on the manufacturers and products of various flash ROMs.
[0011]
As an example, the following two write commands for the flash ROM, MBM29LV002C (product name) manufactured by Fujitsu Limited and SST39LF512 (product name) manufactured by Silicon Storage Technology, are shown below. Here, it is described in hexadecimal notation in the order of address / data.
[0012]
Fujitsu Limited MBM29LV002TC
1.0x555 / 0xaa
2.0x2aa / 0x55
3.0x555 / 0xa0
4. Write address / write data
SST39LF512 manufactured by Silicon Storage Technology
1.0x5555 / 0xaa
2.0x2aaa / 0x55
3.0x5555 / 0xa0
4. Write address / write data [0014]
Here, the command setting for controlling the connection with the flash ROM and the write command given to the flash ROM are executed by control code transfer software.
[0015]
[Patent Document 1]
JP 2001-154916 A
[Problems to be solved by the invention]
The control code and the control code transfer software are temporarily written in a RAM (Random Access Memory) 102 built in the semiconductor integrated circuit 100 by the above-described data communication means 103 with the outside, and the control code transfer software is written by the CPU 101. In the method of writing the control code into the flash ROM 200 by executing the control code, when the connected flash ROM 200 is changed, the control code transfer software sets the optimum control register for the connected flash ROM 200, The contents set in the flash ROM control register in step S44 of FIG. 4 are modified by the control code transfer software.) The control code and the control code transfer software are again transmitted by the data communication means 103 to / from the semiconductor integrated circuit. Since it is necessary to write to the RAM102 built in the 100, the operation is complicated, there is a disadvantage of lacking versatility.
[0017]
Further, the CPU 101 does not start operating until the control code and the control code transfer software are transferred to the RAM 102 built in the semiconductor integrated circuit 100 by the data communication means 103 with the outside. There is a disadvantage that the control register cannot be set, and the first access to the flash ROM 200 is delayed.
[0018]
In addition, when the connection of the flash ROM 200 to be connected is repeatedly changed, for example, at the stage of examining a connection system between the semiconductor integrated circuit 100 and the flash ROM 200, the above-described write command is changed to a command corresponding to the connected flash ROM 200. Since it is necessary, the write command is changed to a write command corresponding to the flash ROM 200 to be connected. (That is, the content of the portion where the control code is transferred to the flash ROM in step S45 of FIG. 4 is modified.) )) It is necessary to write the control code transfer software again in the RAM 102 incorporated in the semiconductor integrated circuit 100 as the control code and the control code transfer software in the data communication means 103 with the outside, so that the operation is also complicated. Lacks versatility There was a point.
[0019]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and is capable of flexibly executing various settings required for connection to a flash ROM without using control code transfer software. It is intended to provide a device identification circuit.
[0020]
[Means for Solving the Problems]
A storage device identification circuit according to claim 1 of the present invention is a storage device identification circuit for identifying a storage device connected to a semiconductor integrated circuit, wherein the storage device has an identification of the storage device in the storage device. A plurality of terminals for storing information, the terminals being connected to the storage device, and capable of controlling input from the storage device and output to the storage device, and having a pull-up thereof. A plurality of terminals capable of pull-down processing, a terminal state determination circuit for reading terminal states of the plurality of terminals and determining the terminal states; and a storage device from the storage device via the plurality of terminals. The storage device determination circuit that reads the identification information of the storage device and identifies the storage device, the output of the terminal state determination circuit, and the output of the storage device determination circuit are input, and settings necessary for connection with the storage device are input. A storage device control circuit for performing, when accessing the storage device via the plurality of terminals, an address bus width / data bus width terminal control circuit for controlling an address bus width and a data bus width via the terminals; An internal address bus width / internal data bus width control circuit for controlling a bus width of an internal address bus and an internal data bus for transmitting signals between the plurality of terminals and the circuits. It is a feature.
[0021]
A storage device identification circuit according to a second aspect of the present invention is the storage device identification circuit according to the first aspect, wherein the storage device is a flash ROM.
[0022]
The storage device identification circuit according to claim 3 of the present invention is the storage device identification circuit according to claim 1 or 2, wherein the storage device determination circuit transmits identification information of the storage device from the storage device after power-on. Read out and identify the storage device.
[0023]
A storage device identification circuit according to a fourth aspect of the present invention is the storage device identification circuit according to any one of the first to third aspects, wherein the storage device determination circuit determines a manufacturer number of the storage device from the storage device. At least one of the product numbers is read.
[0024]
The storage device identification circuit according to a fifth aspect of the present invention is the storage device identification circuit according to the fourth aspect, wherein the storage device determination circuit has a table, and the read manufacturer number and / or the storage device of the storage device. Alternatively, the storage device is identified based on the information of the product number.
[0025]
A storage device identification circuit according to claim 6 of the present invention is the storage device identification circuit according to claim 5, wherein the table of the storage device determination circuit is a ROM.
[0026]
A storage device identification circuit according to a seventh aspect of the present invention is the storage device identification circuit according to any one of the first to sixth aspects, wherein the terminal state determination circuit determines a terminal state of the plurality of terminals after power-on. Is determined.
[0027]
The storage device identification circuit according to claim 8 of the present invention is the storage device identification circuit according to any one of claims 1 to 7, wherein the storage device control circuit transmits setting information necessary for connection with the storage device. A storage device control register to be held, and a command providing circuit for providing a control command corresponding to the storage device output from the storage device determination circuit to a write command given to the storage device. It is.
[0028]
A storage device identification circuit in a semiconductor integrated circuit according to claim 9 of the present invention is the storage device identification circuit according to claim 8, wherein the storage device control circuit reads a manufacturer number and a product number from the storage device. Based on at least one of the information, the specifications relating to the address bus terminal and the internal address bus required for connection with the storage device are set in the storage device control register.
[0029]
The storage device identification circuit in the semiconductor integrated circuit according to claim 10 of the present invention is the storage device identification circuit according to claim 8, wherein the storage device control circuit determines a terminal state of the plurality of terminals after power-on. Based on the information, the specifications relating to a data bus terminal and an internal data bus required for connection with the storage device are set in the storage device control register.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a semiconductor integrated circuit to which a flash ROM is connected according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart in the case where writing is performed from the semiconductor integrated circuit to the flash ROM in the first embodiment of the present invention.
[0030]
The semiconductor integrated circuit 20 for connecting the flash ROM 30 according to the first embodiment shown in FIG. 1 is a plurality of terminals 7 for connection with the flash ROM 30 and is an input from the flash ROM 30 or a flash. A terminal state determination that controls output to the ROM 30 and reads a plurality of terminals 7 that are terminals capable of pull-up / pull-down processing and terminal states of the plurality of terminals 7 to determine the terminal states. Through the circuit 13, the plurality of terminals 7, an address bus width / data bus width terminal control circuit 6 described later, and the flash ROM control circuit 4, the identification information of the flash ROM 30 stored in the flash ROM 30 is obtained. By reading the information, the type of the flash ROM 30 is identified, and the bus width outside the terminal 7 is changed. A flash ROM having a command table 11 in which a correspondence relationship between an external data bus width, an external address bus width, and a command is set so that the external data bus width can be optimally set by the connected flash ROM 30. The setting necessary for the connection between the determination circuit 9 and the flash ROM 30 is performed in the flash ROM control register 5, and when the CPU 1 executes writing to the flash ROM 30, a write command given to the flash ROM 30 includes a flash ROM By giving a control command corresponding to the flash ROM 30 output from the determination circuit 9 and executing a command for writing write data to a write address as a write command from the CPU 1, the flash ROM 30 of a different type can be used. Also, a flash ROM control circuit 4 having a command providing circuit 12 capable of executing a write process, and an address bus width and data by the terminals when accessing the flash ROM 30 via the plurality of terminals 7 An address bus width / data bus width terminal control circuit 6 for controlling a bus width; the plurality of terminals 7; the flash ROM determination circuit 9; the flash ROM control circuit 4; the terminal state determination circuit 13; An internal address bus for controlling transmission of signals between the data bus width terminal control circuit and an internal address bus width and an internal data bus width control circuit for controlling a bus width of the internal data bus; Be composed.
[0031]
The above-described circuits, the flash ROM determination circuit 9, the flash ROM control circuit 4, the terminal state determination circuit 13, the address bus terminal and data bus terminal control circuit 6, the internal address bus width and the internal data bus width control circuit 8, The internal bus 15 is interconnected by an internal bus 15. The internal bus 15 is composed of an address bus, a data bus, and a control bus such as a read strobe, a write strobe, and a reset signal.
[0032]
Hereinafter, the operation of connecting the flash ROM 30 to the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG.
[0033]
First, after turning on the power (step S1), the terminal state determination circuit 13 determines the state of at least one of the plurality of terminals 7 that is reserved (set) in advance, for example, The determination is made based on the High or Low level (high or low with respect to the threshold voltage) of the terminal (step S2).
[0034]
Next, on the basis of the states of the plurality of terminals 7 determined by the terminal state determination circuit 13 in the above step S2 and the previously reserved terminals determined above, the flash ROM control circuit 4 The bus width of the data terminal and the bus width of the internal data bus, which are the required numbers, are set to the High or Low level (high or low with respect to the threshold voltage) of the corresponding terminal. High level is determined and set in the flash ROM control register 5 in the flash ROM control circuit 4 (step S3).
[0035]
Next, after the above step S3, the first access to the flash ROM 30 is made to the address where the identification information of the connected flash ROM 30 is stored, and based on the address, as the flash ROM identification information, At least one of the manufacturer number and the product number of the flash ROM 30 is read (step S4).
[0036]
After reading the identification information of the flash ROM in step S4, the flash ROM determination circuit 9 determines the type of the connected flash ROM 30 with reference to the command table 11 stored in the circuit 9 ( Step S5).
[0037]
On the basis of the information on the type of the flash ROM 30 determined by the flash ROM determination circuit 9, the flash ROM control circuit 4 determines the storage capacity, latency, and output waveform specifications of various control signals of the connected flash ROM 30. It is set in the flash ROM control register 5 (step S6).
[0038]
Further, based on the information determined by the flash ROM determination circuit 9, the flash ROM control circuit 4 determines the specifications related to the address bus terminal and the internal address bus necessary for accessing the connected flash ROM 30, and the connection. The pull-up / pull-down processing of the address bus terminal of the plurality of terminals 7 which is unnecessary for the connection with the flash ROM 30 thus set is set in the flash ROM control register 5 (step S7).
[0039]
When writing to the flash ROM 30, the CPU 1 only needs to execute a command to write the write data to the write address as a write command. Reference numeral 12 gives a control command corresponding to the flash ROM 30 output from the flash ROM determination circuit 9 to a write command given to the flash ROM 30 so that a write command suitable for the connected flash ROM 30 is obtained. Once generated, it is possible to access the flash ROM 30 (step S8).
[0040]
As described above, in the first embodiment, before the CPU 1 starts the operation, the bus width of the data terminal and the bus width of the internal data bus for performing input / output with the connected flash ROM 30 are determined. Further, settings such as the storage capacity of the connected flash ROM 30, the latency, and the specification of the output waveform of various control signals, etc., and further, an address bus terminal required for accessing the connected flash ROM 30, and The settings relating to the internal address bus and the setting of the pull-up / pull-down processing of the address bus terminal of the plurality of terminals 7 which are not necessary for connection with the connected flash ROM 30 are set in the flash ROM control register 5. CPU 1 writes write data to a write address as a write command. By simply executing the instruction to insert the flash ROM 30, the command giving circuit 12 gives the write command given to the flash ROM 30 a control command corresponding to the flash ROM 30 so that the write command suitable for the connected flash ROM 30 is obtained. It is generated and allows easy access to the flash ROM 30.
[0041]
At this time, the type of the connected flash ROM is identified based on the identification information of the flash ROM, and the setting necessary for the connection is output by the flash ROM determination circuit 9. Therefore, even when the connected flash ROM 30 is changed, There is no need to obtain the specifications required for access to the newly connected flash ROM 30 from the outside by the data communication means and to set the specifications by executing the software, thereby simplifying the processing when changing the flash ROM. Is obtained.
[0042]
Further, the terminal state determination circuit 13 determines the connection state of the reserved terminal among the plurality of terminals 7 connected to the flash ROM 30 with the flash ROM 30, and performs input / output with the flash ROM 30. Since the bus width of the data terminal and the bus width of the internal data bus are determined, even when the flash ROM to be connected is changed, the data bus width required for access to the newly connected flash ROM 30 is changed. The setting can be easily performed without the need to obtain the setting from the outside by the data communication means, and there is an effect that connection of different types of flash ROMs can be easily made.
[0043]
Further, a flash ROM determination circuit 9 for setting necessary for accessing the connected flash ROM 30 in the semiconductor integrated circuit, and a terminal state determination circuit 13 for setting a bus width of a data terminal and a bus width of an internal data bus. Before starting the operation of the CPU, it is possible to make settings necessary for accessing the connected flash ROM in a short time, and to eliminate the delay of the first access to the flash ROM. .
[0044]
Further, when writing to the flash ROM 30 is performed by the CPU, a command corresponding to the flash ROM 30 whose type has been determined is added to a general-purpose write command by the CPU by the command applying circuit 12, so that the flash ROM 30 is written. Since the CPU generates a write command that conforms to the above specifications, the CPU can execute writing to general-purpose write data, and can also execute writing to flash ROMs with different write commands, simplifying the writing process. Can be
[0045]
In this embodiment, the case where a flash ROM which is a rewritable nonvolatile memory is connected has been described as an example. However, in the present invention, instead of the flash ROM, identification information capable of specifying specifications is used. In addition, the present invention can be similarly applied to a case where another storage device such as a RAM or a ROM that requires a unique write command for writing data is connected, and has the same effect as the above embodiment.
[0046]
【The invention's effect】
As described above, the storage device identification circuit in the semiconductor storage device according to the present invention is a storage device identification circuit that identifies a storage device connected to a semiconductor integrated circuit. A plurality of terminals for connecting to the storage device, wherein input terminals from the storage device and outputs to the storage device can be controlled. And a plurality of terminals capable of performing pull-up / pull-down processing, a terminal state determination circuit for reading terminal states of the plurality of terminals, and determining the terminal states, and a plurality of terminals via the plurality of terminals. The storage device determination circuit that reads the identification information of the storage device from the storage device and performs identification of the storage device, the output of the terminal state determination circuit, and the output of the storage device determination circuit are input. A storage device control circuit for performing settings necessary for connection with the storage device, and an address for controlling an address bus width and a data bus width via the terminals when accessing the storage device via the plurality of terminals. A bus width / data bus width terminal control circuit, the plurality of terminals, an internal address bus for controlling transmission of signals between the circuits, and an internal address bus width / internal data bus width for controlling a bus width of the internal data bus And a control circuit, so that it is not necessary for the CPU to perform the setting relating to the connection of the flash ROM and the execution of the write command by the control code transfer software in advance by the CPU, so that complicated processing is not performed. Thus, an effect is obtained that allows connection between the semiconductor integrated circuit and an unspecified storage device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram when a semiconductor integrated circuit and a flash ROM are connected in Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart in the case where writing is performed from the semiconductor integrated circuit to the flash ROM according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 3 is a schematic diagram of a conventional technique when a semiconductor integrated circuit and a flash ROM are connected.
FIG. 4 is a flowchart of a conventional technique for writing data from a semiconductor integrated circuit to a flash ROM.
[Explanation of symbols]
1 CPU
30 Flash ROM
7 Plural terminals 13 Terminal state determination circuit 9 Flash ROM determination circuit 4 Flash ROM control circuit 6 Address bus width and data bus width terminal control circuit 8 Internal address bus width and internal data bus width control circuit 15 Internal bus step S1 Power on Step S2 Step 7 for determining the status of the terminal 7 Step S3 for setting the specifications relating to the data bus terminal and the internal data bus necessary for accessing the connected flash ROM. Step S4: Specifying either the manufacturer number or the product number. Step S5 for reading Step S6 for determining the connected flash ROM Step S6 for setting the storage capacity of the connected flash ROM, the latency, and the specification of the output waveform of various control signals Step S7 Step S8 for setting the address bus terminal and internal address bus necessary for access to the flash ROM 30 and the pull-up / pull-down processing of the address bus terminal which is not necessary for connection to the connected flash ROM Steps to do

Claims (10)

半導体集積回路に接続される記憶装置を識別する記憶装置識別回路であって、
上記記憶装置は、該記憶装置内に、該記憶装置の識別情報を記憶しているものであり、
上記記憶装置と接続するための複数の端子であって、該記憶装置からの入力、および該記憶装置への出力の制御が可能であり、かつそのプルアップ・プルダウン処理が可能である複数の端子と、
上記複数の端子の端子状態を読み出して、該端子状態の判定を行う端子状態判定回路と、
上記複数の端子を介して上記記憶装置から該記憶装置の識別情報を読み出し、該記憶装置の識別を行う記憶装置判定回路と、
上記端子状態判定回路の出力、および上記記憶装置判定回路の出力が入力され、上記記憶装置との接続に必要な設定を行う記憶装置制御回路と、
上記複数の端子を介して上記記憶装置をアクセスする際の、該端子を介してのアドレスバス幅およびデータバス幅を制御するアドレスバス幅・データバス幅端子制御回路と、
上記複数の端子、上記各回路間の信号の伝達を行うための内部アドレスバスおよび内部データバスのバス幅を制御する内部アドレスバス幅・内部データバス幅制御回路と、を備えた、
ことを特徴とする記憶装置識別回路。
A storage device identification circuit for identifying a storage device connected to a semiconductor integrated circuit,
The storage device stores identification information of the storage device in the storage device,
A plurality of terminals for connecting to the storage device, the plurality of terminals being capable of controlling input from the storage device and output to the storage device, and capable of performing pull-up / pull-down processing thereof; When,
A terminal state determination circuit that reads terminal states of the plurality of terminals and determines the terminal state;
A storage device determination circuit that reads the identification information of the storage device from the storage device through the plurality of terminals and performs identification of the storage device;
An output of the terminal state determination circuit and an output of the storage device determination circuit are input, and a storage device control circuit that performs settings necessary for connection with the storage device,
An address bus width / data bus width terminal control circuit for controlling an address bus width and a data bus width via the terminals when accessing the storage device through the plurality of terminals;
An internal address bus width / internal data bus width control circuit for controlling a bus width of an internal address bus and an internal data bus for transmitting a signal between the plurality of terminals and the respective circuits,
A storage device identification circuit.
請求項1に記載の記憶装置識別回路において、
上記記憶装置は、フラッシュROMである、
ことを特徴とする記憶装置識別回路。
The storage device identification circuit according to claim 1,
The storage device is a flash ROM,
A storage device identification circuit.
請求項1または2に記載の記憶装置識別回路において、
上記記憶装置判定回路は、電源投入後に、上記記憶装置から該記憶装置の識別情報を読み出し、該記憶装置の識別を行う、
ことを特徴とする記憶装置識別回路。
3. The storage device identification circuit according to claim 1, wherein
The storage device determination circuit reads the identification information of the storage device from the storage device after power-on, and performs identification of the storage device.
A storage device identification circuit.
請求項1ないし3のいずれかに記載の記憶装置識別回路において、
上記記憶装置判定回路は、上記記憶装置から該記憶装置の製造者番号および製品番号の少なくともいずれか一方を読み出す、
ことを特徴とする記憶装置識別回路。
The storage device identification circuit according to any one of claims 1 to 3,
The storage device determination circuit reads at least one of a manufacturer number and a product number of the storage device from the storage device,
A storage device identification circuit.
請求項4に記載の記憶装置識別回路において、
上記記憶装置判定回路は、テーブルを保有し、上記読み出した上記記憶装置の製造者番号および製品番号の少なくともいずれか一方の情報を元に、該記憶装置の識別を行う、
ことを特徴とする記憶装置識別回路。
The storage device identification circuit according to claim 4,
The storage device determination circuit holds a table, and identifies the storage device based on at least one of the read manufacturer number and product number of the storage device,
A storage device identification circuit.
請求項5に記載の記憶装置識別回路において、
上記記憶装置判定回路の有するテーブルは、ROMである、
ことを特徴とする記憶装置識別回路。
The storage device identification circuit according to claim 5,
The table of the storage device determination circuit is a ROM.
A storage device identification circuit.
請求項1ないし6のいずれかに記載の記憶装置識別回路において、
上記端子状態判定回路は、電源投入後の、上記複数の端子の端子状態を判定する、
ことを特徴とする記憶装置識別回路。
The storage device identification circuit according to any one of claims 1 to 6,
The terminal state determination circuit determines the terminal states of the plurality of terminals after power-on,
A storage device identification circuit.
請求項1ないし7のいずれかに記載の記憶装置識別回路において、
上記記憶装置制御回路は、上記記憶装置との接続に必要な設定情報を保持する記憶装置制御レジスタを備え、かつ、
上記記憶装置に対して与えられるライトコマンドに、上記記憶装置判定回路から出力される上記記憶装置に応じた制御コマンドを付与するコマンド付与回路を備えた、
ことを特徴とする記憶装置識別回路。
The storage device identification circuit according to any one of claims 1 to 7,
The storage device control circuit includes a storage device control register that holds setting information necessary for connection with the storage device, and
A write command given to the storage device, a command application circuit for applying a control command corresponding to the storage device output from the storage device determination circuit,
A storage device identification circuit.
請求項8に記載の記憶装置識別回路において、
上記記憶装置制御回路は、上記記憶装置から読み出した、製造者番号および製品番号の少なくともいずれか一方の情報を元に、上記記憶装置との接続に必要な、アドレスバス端子、及び内部アドレスバスに関する仕様を、上記記憶装置制御レジスタに設定する、
ことを特徴とする記憶装置識別回路。
9. The storage device identification circuit according to claim 8,
The storage device control circuit relates to an address bus terminal and an internal address bus necessary for connection to the storage device based on at least one of a manufacturer number and a product number read from the storage device. Setting the specifications in the storage device control register,
A storage device identification circuit.
請求項8または9に記載の記憶装置識別回路において、
上記記憶装置制御回路は、電源投入後の上記複数の端子の端子状態の判定情報を元に、上記記憶装置との接続に必要な、データバス端子、及び内部データバスに関する仕様を、上記記憶装置制御レジスタに設定する、
ことを特徴とする記憶装置識別回路。
The storage device identification circuit according to claim 8, wherein
The storage device control circuit, based on the determination information of the terminal state of the plurality of terminals after power is turned on, the specification of the data bus terminal and the internal data bus required for connection with the storage device, Set in the control register,
A storage device identification circuit.
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