JP2004228084A - 電界放出素子 - Google Patents

Abstract

【課題】高電圧印加によるアーク放電の発生を防止できる電界放出素子を提供する。
【解決手段】第１基板４２と、第１基板４２上に形成された陰極５５、エミッタ４６、及びゲート４７よりなる電子放出体と、第１基板４２から所定間隔離間して配置され、第１基板と共に真空の空間を形成する第２基板４１と、第２基板４１上に形成され電子放出体から放射された電子によって発光する蛍光体５４と、電子放出体の上に配置されたメッシュグリッド５０と、を備える電界放出素子である。
【選択図】図４

Description

本発明は電界放出素子に係り、さらに詳細にはメッシュグリッドとフォーカシング電極とを備える電界放出素子に関する。

電界放出素子（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ）は、少なくとも一側面が透明な真空容器を前面基板と背面基板とで構成し、前記前面基板の内表面には陽極と蛍光体とを形成し、前記背面基板の内表面には陰極とエミッタとを形成したものである。エミッタから発生した電子は、陽極に向かって放出され、電子が陽極に到達した時、蛍光体を励起させて所定の発光効果を得られるようにしたものである。ＦＥＤを利用したディスプレイ装置は、たとえば、自動車の計器板に適用されうる。

図１は、従来技術によるＦＥＤの概略的な断面図である。

図面を参照すれば、通常的なＦＥＤは、基本的に透明な前面基板５と背面基板１とを備え、これら間にスペーサ８を配置して一定した間隔を維持する構造を有する。背面基板１上には陰極２を形成し、その上に絶縁層３を形成した後、その上にゲート４が形成される。陰極２上の絶縁層３にはホールが形成され、このホールによって露出された陰極２上には電子放出のためのマイクロチップ状であるエミッタ２’が形成されている。ゲート４にはホールに対応する開口部４’が形成されており、エミッタ２’から放出された電子が陽極６の側に放出されるようになっている。そして、前面基板５の内側対向面上には陽極６が形成され、陽極６の表面には蛍光体７が塗布されている。陽極６はストライプ状であるか、または前面基板の内側面にわたって一体に形成された電極でもありうる。前記のような構造において、エミッタ２’から放出されて陽極６に進む電子は蛍光体７を励起させて光を放出する。

このように電子が放出される間に、２つの基板間の内部空間にはアーク放電が発生しうる。このようなアーク発生の原因は、正確に究明されていないが、パネル内部から発生するアウトガシングによって瞬間的に多量のガスがイオン化しつつ起こる放電現象によって生じると推定される。

アークは、陽極とゲート間に電気的短絡現象を起こすので、ゲートに高い電圧がかかってゲート酸化物及び抵抗層に損傷を与える。このような可能性は、陽極電圧が増加するにつれてさらに激しく起こり、特に、１ｋＶ以上の陽極電圧の印加時にはアーク現象発生の可能性がさらに大きくなって、既存のＦＥＤのように陰極と陽極とがスペーサによって結合されている単純な構造では高電圧で安定的に動作する高輝度ＦＥＤを得るのが不可能である。

図２は、前記のようなアーク現象を防止するために提案された従来技術のＦＥＤであって、特許文献１に開示されたものである。

図面を参照すれば、ＦＥＤは、前述したように透明な前面基板１５と背面基板１１間にスペーサ１８を配置し、陰極１２と絶縁層１３及びゲート１４を備え、絶縁層１３に形成されたホールによってエミッタ１２’が露出される。また、前面基板１５には、陽極１６と蛍光体１７とが形成される。前述したように、陽極１６は、ストライプ状であるか、または前面基板１５の内側全体にわたって一体に形成されたものでありうる。

アークを防止するための手段として、ゲートと陽極間にエミッタ１２’から放出される電子を制御するメッシュグリッド１９がさらに備えられている。

このような構成を有するアーク防止用メッシュグリッドを有するＦＥＤは、−１００Ｖ〜３００Ｖ程度の電圧を印加してもゲートエッジにかかる電場値が小さくなってアークを防止し、アーク発生時にイオンが陰極に損傷を与える前に金属メッシュに捕集されて外部接地に抜くことによって、機械的損傷及び電気的損傷を防止する。

図３は、図２に示された例で、メッシュグリッドを設置する方式を示す概略的な断面図である。

図面を参照すれば、メッシュグリッド１９は、前面基板１５に対して設置される。スペーサ２８は、メッシュグリッド１９と前面基板１５間の間隔を維持させる役割をし、メッシュグリッド１９に形成された孔にスペーサ２８の突出部が挿し込まれる。ガラスホルダー２３は、スペーサ２８の両端を維持させる役割をし、導電性ペースト２４によって電極２２とメッシュグリッド１９とが連結されて電圧を印加できる。

図２及び図３を参照して説明された従来技術のＦＥＤは、メッシュグリッドを前面基板の陽極と整列させ、かつ焼成して固定した後に、背面基板の陰極と整列させて調整方式を取る。しかし、このような方式は、焼成工程時に発生する金属とガラス材質の熱膨張率の差によってメッシュグリッドと背面基板の陰極間の整列が容易でないという問題点がある。したがって、エミッタから発生した電子は、意図された発光領域でない隣接した他の蛍光体にぶつかって色純度が落ちる。また、ゲート電極とメッシュグリッドとに各々パルス電圧及びＤＣ電圧が印加され、この時、スペーサによってエッジ部分だけ固定されている構造では、メッシュグリッドの振動によるノイズ現象が発生する可能性がある。
韓国特許出願第２０００−７１１１５号公報

本発明は前記のような問題点を解決しようと案出されたものであって、本発明の目的は、改善された電界放出素子を提供することである。

本発明の他の目的は、高電圧印加によるアーク放電の発生を防止できる電界放出素子を提供することである。

本発明の他の目的は、高電圧印加によるアーク放電の発生を防止できる電界放出素子の製造方法を提供することである。

前記目的を達成するために、本発明によれば、第１基板と、前記第１基板上に形成された電子放出体と、前記第１基板から所定間隔離間した位置に配置され、前記第１基板と共に真空の空間を形成する第２基板と、前記第２基板上に形成され、前記電子放出体から放射された電子によって発光する蛍光体と、前記電子放出体の上に配置されたメッシュグリッドと、を備える電界放出素子が提供される。

本発明の一特徴によれば、前記メッシュグリッドは、金属である。

本発明の他の特徴によれば、前記メッシュグリッドは、ステンレス鋼、インバー、または鉄−ニッケル合金のうち何れか一つよりなる。

本発明の他の特徴によれば、前記鉄−ニッケル合金は、Ｃｒを２．０ないし１０．０ｗｔ％含有する。

本発明の他の特徴によれば、前記鉄−ニッケル合金は、Ｎｉを４０．０ないし４４．０ｗｔ％含有する。

本発明の他の特徴によれば、前記鉄−ニッケル合金は、Ｍｎを０．２ないし０．４ｗｔ％、Ｃを０．０７ｗｔ％以下、Ｓｉを０．３ｗｔ％以下含有する。

本発明の他の特徴によれば、前記メッシュグリッドの熱膨脹係数は、９．０ｘ１０^−６／℃ないし１０．０ｘ１０^−６／℃である。

本発明の他の特徴によれば、前記電子放出体は、陰極、ゲート、及び電子放出源よりなる。

本発明の他の特徴によれば、前記ゲートは、陰極の上部に形成される。

本発明の他の特徴によれば、前記ゲートは、陰極の下部に形成される。

本発明の他の特徴によれば、前記電子放出体と前記メッシュグリッド間に中間物質が設けられている。

本発明の他の特徴によれば、前記中間物質は、絶縁体である。

本発明の他の特徴によれば、前記中間物質は、抵抗体である。

本発明の他の特徴によれば、前記メッシュグリッド上には、フォーカシング電極がさらに形成されている。

また、本発明によれば、第１基板と、前記第１基板に形成された電子放出体と、前記第１基板から所定間隔離間した位置に配置され、前記第１基板と共に真空の空間を形成する第２基板と、前記第２基板上に形成される蛍光体として、前記電子放出体から放射された電子によって発光される蛍光体と、前記電子放出体上に提供されたメッシュグリッドと、を備え、前記メッシュグリッドはフリットによって前記電子放出体に接合されていることを特徴とする電界放出素子が提供される。

本発明によるＦＥＤは、アークによる損傷を防止できる。また、本発明によれば、放出電子の加速及び集束を補助するメッシュグリッド及びフォーカシング電極が備わったＦＥＤが提供される。そして、ゲートと陽極間の空間に陽極と陰極とが交差する部分に対応する領域でエミッタから放出される電子が通過されうるように開口部が形成されたメッシュグリッドを備える。また、前記メッシュグリッドの上部及び下部に絶縁層を形成し、このように製作されたメッシュグリッドをフリットを利用して背面基板に固着させることによって整列の調整が容易で、駆動時に発生しうるグリッドの振動によるノイズを最小化させ、アーク時にカソードに損傷が発生せず、アーク発生が最小化するため陽極への高電圧の印加が可能である。さらに、本発明によれば、放出電子の加速性能を向上させて高輝度のＦＥＤを得られる。また、フォーカシング電極に印加する電圧を可変させることによって電子ビームのフォーカシングが可能であるので、高輝度、高解像度のＦＥＤを得られる。

以下、図面を参照して本発明によるメッシュグリッドを備えたＦＥＤ及びその製造方法について、さらに詳細に説明する。

図４は、本発明の一実施例によるＦＥＤの概略的な断面図である。

図面を参照すれば、本発明によるＦＥＤは、透明なガラスで作られる前面基板４１と背面基板４２とが所定の間隔をおいて配置されて接合されることによって、その内側に真空の空間が形成される。

前面基板４１と背面基板４２とは、その間に所定の間隔を維持するためにスペーサ４３が設置される。背面基板４２の内表面上には陰極５５が形成され、陰極５５の表面には絶縁層４５が形成される。絶縁層４５には、ホールが形成されており、前記ホールを通じてマイクロチップ状の電子放出源に当るエミッタ４６が露出される。

絶縁層４５の表面にはゲート４７が積層され、ゲート４７にも絶縁層４５のホールに対応する開口部が形成されており、エミッタ４６から放出される電子が陽極５３に向かって照射されうる。前述された陰極５５、エミッタ４６、及びゲート４７は、電子放出体を形成する。図面に示した例では、ゲート４６が陰極５５の上部に配置されたことが分かる。

一方、図面に示されていない他の実施例では、ゲートが陰極５５の下部に配置されうる。この場合、ゲートと陰極５５とが相互絶縁されなければならず、ゲートに開口部を形成する必要はない。ゲートが陰極５５の下部に配置される例は、韓国特許出願２００２−１６８０４号に開示されている。

一方、前面基板４１の内表面には陽極５３が形成されるが、前記陽極５３は細長い形状であるストリップ状であるか、または前面基板４１の内表面全体にわたって一体に形成されたものでもありうる。ストリップ状である場合には、陰極５５と陽極５３とを平面上で見れば、相互垂直に交差したように見える。陽極５３の表面には蛍光体５４が塗布される。蛍光体５４は、レッド、グリーン、ブルーの蛍光体を備えられる。

ゲート４７と陽極５３間にはエミッタ４６から放出される電子を制御するようにメッシュグリッド５０が備わり、このようなメッシュグリッド５０はゲート４７の上部位置に配置されうる構造を有する。すなわち、メッシュグリッド５０の上部及び下部表面には、下部及び上部絶縁層４９，５１が形成されて、ゲート４７の上部に配置される。

前記下部絶縁層４９は、抵抗物質よりなる抵抗層に代えられる。また、上部及び下部絶縁層４９，５１は全てが抵抗層に代えられる。メッシュグリッド５０は、ゲート４７の上部に単純に支持されうるが、図面に示されたようにフリット４８を通じてゲート４７の上部に接合されることによってメッシュグリッド５０が固定されることもある。メッシュグリッド５０は、陽極５３の電界が陰極５５の電子放出に影響を及ぼすことを遮蔽する機能を有し、また放出された電子を加速させる機能を有する。

一方、図面に示されていない他の例で、陰極がゲートの上部に配置された場合には、前記のようなメッシュグリッド５０が陰極の上部に配置されうる。

メッシュグリッド５０の上部に形成された絶縁層５１の表面には、フォーカシング電極５２が形成される。フォーカシング電極５２は、電子ビームの集束性能を向上させる役割をする。すなわち、メッシュグリッド５０に対して加速された電子が広がることを防止し、当該陽極５３に衝突しうるように集束させる役割をする。

図５は、本発明の特徴によるメッシュグリッド５０とフォーカシング電極５２の全体的な構造を示す概略的な分解斜視図である。

図面を参照すれば、メッシュグリッド５０を介して上下部に絶縁層５１，４９が各々形成され、下部の絶縁層４９の下部表面にはフリット４８が配置され、上部の絶縁層５１の上部表面にはフォーカシング電極５２が配置される。

メッシュグリッド５０は網状を有し、たとえば、ステンレス鋼またはインバー（ｉｎｖａｒ）の材料で作られる。インバー鋼（低膨張合金ともいう）は、一般的なステンレス鋼に比べて熱膨張係数が非常に小さいため、所定工程時に発生する熱応力を減少させるのに効果的である。

他の例では、たとえば、鉄−ニッケル合金で作られる。鉄−ニッケル合金は、一般のステンレス材質に比べて熱膨張係数が非常に小さいため、製造時の焼成工程から発生する熱応力を弱めるのに特に効果的である。また、ガラス材質と熱膨張率が類似するので、メッシュグリッドを基板に接合させる時、陰極との整列に有利に作用して電子の持続に効果的である。

一方、メッシュグリッド５０には開口部５６が形成される。開口部５６は、それぞれの開口部に対して一つの画素を構成するレッド、ブルー、グリーンの蛍光体のうち何れか一つが対応するように形成される。すなわち、図４で、各開口部５６には単に一つの蛍光体５４だけが対応するように形成されたと理解され、具体的には相互垂直に交差する陰極５５と陽極５３との交差地点に対応する位置に開口部５６が形成される。開口部５６を通じてエミッタ４６からの電子が通過される。

メッシュグリッド５０の上部及び下部に形成された絶縁層４９，５１は、図面に示されたように、開口部５６と重畳されないように形成される。図面に示された例では、絶縁層４９，５１に開口部が形成されているが、前記開口部は陰極５５の長手方向に延びる。また、上部に配置された絶縁層５１上にはフォーカシング電極５２が同じ形状に配置され、下部絶縁層４９の下部にはフリット４８が同じ形状に配置される。フリット４８は、メッシュグリッド５０を正位置に維持させる役割をする。

メッシュグリッド５０にはまた、切開部５９が形成されるが、前記切開部５９を通じて図４に示されたスペーサ４３が挿し込まれる。スペーサ４３は、前面基板４１と背面基板４２間の間隔を維持する。

図６は、図４に示されたＦＥＤの一部に対する概略的な分解斜視図である。

図面を参照すれば、前面基板４１は、引っくり返った状態で示されている。前面基板４１の内表面には、陽極５３と蛍光体５４とが形成されていることが分かる。前記陽極５３と蛍光体５４とは、共に発光体を形成し、前記電子放出体から照射された電子によって発光される。前述したように、前記陽極５３は細長い形状であるストリップ状、または一体形に形成されたものでもありうる。陽極が一体形である場合にも蛍光体５４は、前記陰極と直交するストリップ状よりなることが望ましい。メッシュグリッド５０には、蛍光体５４に対応して開口部５６が形成され、また切開部５９が形成されてスペーサ４３が挿し込まれるようになっている。スペーサ４３は、図面に示されたように、陽極５３の長手方向に延びた水平部分４３ａと、前記水平部分４３ａから上下に垂直延びた垂直部分４３ｂを有し、垂直部分４３ｂの一部がメッシュグリッド５０の切開部５９を通じて挿し込まれる。垂直部分４３ｂの両端部は、前面基板４１と背面基板４２との内表面に接触することによって基板間の間隔を維持できる。

図７は、前記のような構造を有するＦＥＤの製造方法を示す概略的なフローチャートである。以下、図４ないし図７を参照して、ＦＥＤの製造方法を詳細に説明する。

まず、背面基板４２上に陰極５５、エミッタ４６、絶縁層４５、ゲート４７を形成する（７１段階）。前記陰極、エミッタ、絶縁層及び、ゲートの形成は、通常的な方法によって行われる。

次いで、メッシュグリッド５０を形成する（７２段階）。メッシュグリッドは、前述したようにステンレス鋼、またはインバーを使用して形成され、図５を参照して説明された所定の形状を有するように加工される。また、メッシュグリッドの材料として鉄−ニッケル合金を利用することによって熱膨脹による影響を最小化させうる。鉄−ニッケル合金には、２．０ｗｔ％ないし１０．０ｗｔ％のＣｒが含有されるように添加されることが望ましい。メッシュグリッドの熱膨張係数は、９．０×１０^−６／℃ないし１０．０×１０^−６／℃であることが望ましい。このような熱膨張係数は、従来のメッシュグリッドの材質であるインバーより基板の熱膨張係数にさらに近接したものである。なお、従来インバーの熱膨張係数は約１．２×１０^−６／℃である。特に、鉄−ニッケル合金よりなるメッシュグリッド５０はガラスで製作される基板の熱膨張係数と類似した熱膨張係数を有する。

さらに具体的には、メッシュグリッド５０がＮｉを４０．０ないし４４．０ｗｔ％、Ｆｅを４９．３８ないし５３．３８ｗｔ％、Ｃｒを２．０ないし１０．０ｗｔ％、Ｍｎを０．２ないし０．４ｗｔ％、Ｃを０．０７ｗｔ％以下、Ｓｉを０．３ｗｔ％以下及びその他の不純物を含有する鉄−ニッケル合金よりなる。

一方、図６で説明されたようにスペーサ４３の垂直部分４３ｂが挿し込まれる切開部をメッシュグリッドに形成する。

前述した所定形状を有するメッシュグリッドは、後工程での変形を防止するために前焼成のような前処理を経なければならない（７３段階）。これはメッシュグリッドを加工する中に残留応力の発生を防止するためのものである。もし、そのようなメッシュグリッドをそのまま使用すれば、以後の焼成工程中に歪曲が発生する可能性がある。前焼成工程時にはメッシュグリッド５０に酸化被膜を共に形成する。酸化被膜は、以後にメッシュグリッドに絶縁層を形成する時、接合力を向上するためのものである。前焼成は、８００ないし１０００℃の温度で行われる。

前焼成が完了した以後にはスクリーンプリンティング技術のような厚膜技術を利用してメッシュグリッドの外表面に絶縁材料を塗布する。塗布された絶縁材料を完全な絶縁層に完成するために４００ないし６００℃で焼成して結晶化させる（７４段階）。

上部及び下部表面に絶縁層が形成されたメッシュグリッドは、背面基板上のゲートホールによって露出されたエミッタに対して整列調整を通じて配置された以後に、フリットを利用して完全に固着させる。固着時にフリットを４００ないし５００℃で焼成されることによって接合される（７５段階）。他の例では、フリットによって固着されないこともある。すなわち、フリットを使用せず、但し電子放出体の上部に相対的な位置を維持するように支持されうる。

次いで、メッシュグリッドの上部表面に形成された絶縁層の上部にフォーカシング電極を形成する（７６段階）。フォーカシング電極は、電極物質をスクリーンプリンティングのような厚膜技術やスパッタリング、化学的蒸気蒸着、Ｅビームのような薄膜技術を利用して形成されうる。

次いで、スペーサ４３を背面基板に設置する（７７段階）。スペーサ４３は、背面基板４２と前面基板４１間に間隔を維持するように設置され、メッシュグリッド５０に形成された切開部５９を通じて挿し込まれて設置される。

次いで、陽極５３と蛍光体５４とが形成された前面基板４１を背面基板４２に対して接合させることによって組み立てられる（７８段階）。陽極５３と蛍光体５４とは、通常的な方法によって前面基板４１上に形成されうる。また、図面に示されていないが、蛍光体５４間にブラックマトリクスを形成できる。蛍光体とブラックマトリクスは、電気泳動、スクリーンプリンティング、スラリ方法で形成されうる。前面基板と背面基板との組み立てが完了した以後には４００ないし５００℃の温度で焼成することによって（７９段階）完成品を得られる。

ＦＥＤが完成すれば、最適の電子加速のためのメッシュグリッド電圧と最適のフォーカシングのためのフォーカシング電極電圧とを下記のような方式で選択する。

まず、通常の電圧をゲート及び陽極に印加するが、ゲートには約７０ないし１２０Ｖの電圧を印加し、陽極には約１ｋＶの以上の電圧を印加する。次いで、メッシュグリッドの電圧を３０Ｖないし３００Ｖに調節して最適のエミッタから放出された電子の加速条件を探す。そして、メッシュグリッドの上部に形成されたフォーカシング電極に−１００Ｖないし０Ｖの電圧を調節可能に印加して、加速された電子のフォーカシングのための最適の条件を探せる。

図８は、本発明によるＦＥＤの他の実施例を示す概略的な断面図である。

図面を参照すれば、ＦＥＤの全体的な構造は、図４に示されたものと全体的に類似であり、同じ構成要素については同じ図面番号に表示した。図８に示された例では、メッシュグリッド５０の上部表面にフォーカシング電極が省略された構造である。

前述したように、メッシュグリッド５０は、Ｃｒを２．０ないし１０．０ｗｔ％に含有する鉄−ニッケル合金で製作される。さらに詳細には、メッシュグリッド２０がＮｉを４０．０ないし４４．０ｗｔ％、Ｆｅを４９．３８ないし５３．３８ｗｔ％、Ｃｒを２．０ないし１０．０ｗｔ％、Ｍｎを０．２ないし０．４ｗｔ％、Ｃを０．０７ｗｔ％以下、Ｓｉを０．３ｗｔ％以下及びその他の不純物を含有する鉄−ニッケル合金よりなる。メッシュグリッド５０は、Ｃｒを含有する鉄−ニッケル合金で製作されことによって熱膨張係数が基板の熱膨張係数と類似し、それにより、メッシュグリッドと基板間の誤整列が防止されうる。

本発明は添付された図面に示された一実施例を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者は、それから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であることが分かる。したがって、本願発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によるだけで決まらなければならない。

本発明による電界放出素子は、多様なディスプレイ装置に適用されうる。

従来のＦＥＤの構造を概略的に示す断面図である。 従来の他のＦＥＤの構造を概略的に示す断面図である。 図２に示されたＦＥＤの一部を示す斜視図である。 本発明によるＦＥＤの構造を概略的に示す断面図である。 図４に示されたＦＥＤの一部メッシュグリッドを示す部分的な斜視図である。 図４に示されたＦＥＤのスペーサを示す部分的な斜視図である。 本発明によるＦＥＤの製造方法を示すフローチャートである。 本発明によるＦＥＤの他の実施例に関する概略的な断面図である。

符号の説明

４１ 前面基板
４２ 背面基板
４３ スペーサ
４５ 絶縁層
４６ エミッタ
４７ ゲート
４８ フリット
４９ 下部絶縁層
５０ メッシュグリッド
５１ 上部絶縁層
５２ フォーカシング電極
５３ 陽極
５４ 蛍光体
５５ 陰極
５６ 開口部

Claims (15)

1. 第１基板と、
   前記第１基板上に形成された電子放出体と、
   前記第１基板から所定間隔離間した位置に配置され、前記第１基板と共に真空の空間を形成する第２基板と、
   前記第２基板上に形成され、前記電子放出体から放射された電子によって発光する蛍光体と、
   前記電子放出体の上に配置されたメッシュグリッドと、を備える電界放出素子。
2. 前記メッシュグリッドは、金属であることを特徴とする請求項１に記載の電界放出素子。
3. 前記メッシュグリッドは、ステンレス鋼、インバー、または鉄−ニッケル合金のうち何れか一つよりなることを特徴とする請求項１に記載の電界放出素子。
4. 前記鉄−ニッケル合金は、Ｃｒを２．０ないし１０．０ｗｔ％含有することを特徴とする請求項３に記載の電界放出素子。
5. 前記鉄−ニッケル合金は、Ｎｉを４０．０ないし４４．０ｗｔ％含有することを特徴とする請求項３に記載の電界放出素子。
6. 前記鉄−ニッケル合金は、Ｍｎを０．２ないし０．４ｗｔ％、Ｃを０．０７ｗｔ％以下、Ｓｉを０．３ｗｔ％以下含有することを特徴とする請求項３に記載の電界放出素子。
7. 前記メッシュグリッドの熱膨脹係数は、９．０×１０^−６／℃ないし１０．０×１０^−６／℃であることを特徴とする請求項１に記載の電界放出素子。
8. 前記電子放出体は、陰極、ゲート、及び電子放出源よりなることを特徴とする請求項１に記載の電界放出素子。
9. 前記ゲートは、陰極の上部に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電界放出素子。
10. 前記ゲートは、陰極の下部に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電界放出素子。
11. 前記電子放出体と前記メッシュグリッド間に中間物質が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電界放出素子。
12. 前記中間物質は、絶縁体であることを特徴とする請求項１１に記載の電界放出素子の製造方法。
13. 前記中間物質は、抵抗体であることを特徴とする請求項１１に記載の電界放出素子。
14. 前記メッシュグリッド上には、フォーカシング電極がさらに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電界放出素子。
15. 第１基板と、
    前記第１基板に形成された電子放出体と、
    前記第１基板から所定間隔離間した位置に配置され、前記第１基板と共に真空の空間を形成する第２基板と、
    前記第２基板上に形成される蛍光体として、前記電子放出体から放射された電子によって発光される蛍光体と、
    前記電子放出体上に提供されたメッシュグリッドと、を備え、
    前記メッシュグリッドはフリットによって前記電子放出体に接合されていることを特徴とする電界放出素子。

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