JP2004259713A

JP2004259713A - Adhesive film for surface protection of semiconductor wafer and method for protecting semiconductor wafer using the film

Info

Publication number: JP2004259713A
Application number: JP2003045243A
Authority: JP
Inventors: Hideki Fukumoto; 英樹福本; Takanobu Koshimizu; 孝信小清水; Makoto Kataoka; 真片岡; Yoshihisa Saimoto; 芳久才本
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2003-02-24
Filing date: 2003-02-24
Publication date: 2004-09-16
Anticipated expiration: 2023-02-24
Also published as: JP4707936B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive film for the surface protection of a semiconductor wafer in which the semiconductor wafer can be protected against damage at the time of carriage while correcting warp even if the semiconductor wafer is made as thin as 100 μm or less and exposed to a high temperature in a die bonding process, and to provide a method for protecting the semiconductor wafer using the adhesive film. <P>SOLUTION: The adhesive film for the surface protection of a semiconductor wafer has an adhesive agent layer formed on one surface of a substrate film comprising a resin layer having a storage modulus in a range of 1×10<SP>7</SP>-1×10<SP>10</SP>Pa at least at 23-200°C and a resin layer having residual stress after 30 sec of 0.5(%) or less at 120°C. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハ保護方法に関する。詳しくは、半導体ウエハを薄層化加工する工程における半導体ウエハの反り矯正、及び破損防止に有用であり、生産性の向上を図り得る半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハ保護方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハを加工する工程は、半導体ウエハの回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する工程、半導体ウエハの回路非形成面を加工する工程、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程、半導体ウエハを分割切断するダイシング工程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合するダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外部保護の為に樹脂で封止するモールド工程、等により構成されている。
【０００３】
従来、ダイボンディング工程では、リードフレーム上にダイボンディング材料である樹脂ペーストを供給し、その上に半導体チップを載せて接着する方法が最も多く用いられている。しかし、樹脂ペーストを用いた場合、リードフレーム上に均一に塗布することが困難である為、接着層の硬化時にボイドが発生したり、チップクラックが生じる等の問題がある。
【０００４】
ダイボンディング材料である樹脂ペーストの欠点である不均一な塗布性を改善すること、及び工程全般の合理化を目的として、特開平６−３０２６２９号公報には、ダイボンディング工程において、ダイボンディング用接着フィルムを用いる方法が開示されている。この方法は、半導体ウエハの回路非形成面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する工程、ダイボンディング用接着フィルムを貼着した状態の半導体ウエハをダイシングテープに固着した後、分割切断するダイシング工程、及びダイシングテープを剥離する工程を経た後、半導体チップをリードフレームにダイボンディングする工程を実施する方法である。
【０００５】
しかしながら、この方法は、半導体ウエハの回路非形成面を加工して、半導体ウエハを更に薄くした場合、特に１００μｍ以下にした場合には、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムが貼着していない状態では、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する際に、ロールの圧力、ウエハを薄層化した為に生じたウエハの反り等により半導体ウエハが破損する等の重大な問題が発生する。
【０００６】
近年益々、半導体チップの薄層化の要求が高まっており、厚みが３０〜１００μｍ程度のチップも望まれている。従って、このように薄層化された半導体ウエハであっても破損することなく、ダイボンディング用粘着フィルムを貼着できる半導体ウエハの保護方法が望まれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題に鑑み、半導体ウエハが厚み１００μｍ以下程度に薄層化され、且つ、ダイボンディング工程において高温に晒された場合であっても、半導体ウエハの反りを矯正し、ウエハ搬送時の破損を防止し得る半導体ウエハの表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの保護方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意検討した結果、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルムに着目し、少なくとも特定の貯蔵弾性率の範囲にある耐熱樹脂層と１２０℃における３０秒後の残留応力率が特定の値以下になる樹脂層から構成される基材フィルムを用いることにより、上記課題が解決できることを見出し、本発明に到った。
すなわち、本発明は基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、少なくとも２３〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０^７〜１×１０^１０Ｐａの範囲にある耐熱樹脂層と１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂層からなることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムである。
【０００９】
また、本発明の他の発明は、半導体ウエハの回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、半導体ウエハの回路非形成面を加工する第二工程、及び半導体ウエハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィルムを貼着する第三工程を具備する半導体ウエハの製造工程における半導体ウエハ保護方法であって、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに第三工程を実施し、且つ、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムとして、前記半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いることを特徴とする半導体ウエハ保護方法である。
本発明によれば、厚みが１００μｍ以下に薄層化され、且つ、ダイボンディング工程において高温に晒された場合であっても、上記一連の工程における半導体ウエハの反りを矯正し、破損、汚染などを防止できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
先ず、本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムについて説明する。本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムは、基材フィルムの片表面に粘着剤層を形成することにより製造される。通常、粘着剤層を保護するために、粘着剤層の表面に剥離フィルムが貼着される。剥離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤層の表面を介して半導体ウエハ表面に貼着することを考慮し、粘着剤層による半導体ウエハ表面の汚染防止を図るためには、剥離フィルムの片面に、粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、得られた粘着剤層を基材フィルムの片面に転写する方法が好ましい。
基材フィルムは、少なくとも２３〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０^７〜１×１０^１０Ｐａ、更に好ましくは１×１０^８〜１×１０^１０Ｐａの耐熱樹脂層と１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂層からなることを特徴としている。
【００１１】
耐熱樹脂層は、２００℃において２分間加熱したときの機械方向の収縮率が０．０１〜１％の範囲にあることが好ましい。耐熱樹脂層は、１０〜２００μｍ、さらには１０〜１００μｍの厚みを有することが好ましい。耐熱樹脂層の２３〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０^７Ｐａ未満である場合は、ダイボンディング用接着フィルムの貼着工程において、熱により耐熱フィルム層が軟化し、チャックテーブルに接着することがあり、ウエハの搬送に問題が生じることがある。
【００１２】
前記の要件を満たす樹脂として、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルフォン等、及びこれらの混合樹脂が挙げられる。代表的市販品として、ポリエチレンテレフタレート〔帝人（株）製、商品名：テオネックス〕、ポリイミド〔鐘淵化学（株）製商品名アピカル〕等が挙げられる。
１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂層は、ＪＩＳＫ６７３０に規定される１９０℃におけるメルトフローレート（以下、ＭＦＲ）が１５〜２００（単位ｇ／１０分）、更に好ましくは３０〜１００ｇ／１０分であることが好ましい。高いメルトフローレートの樹脂と低いメルトフローレートの樹脂を溶融混合し形成し、みかけ上のメルトフローレートが上記範囲を満たす樹脂でもよい。
１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂層は、耐熱樹脂層が加熱時及び加熱後に寸法変化する際に発生する応力をウエハに伝えなくすることにより、加熱後のウエハ反り変形量を最小限にする効果がある。１２０℃における３０秒後の残留応力率は、更に好ましくは、０．１（％）以下である。
【００１３】
該樹脂層は、裏面加工時のウエハ破損を防ぐ役割も有するため、ウエハの表面段差、バンプ電極の有無等により、適切な厚みを選択することが好ましい。該樹脂層の厚みは、２０μｍ〜３００μｍ程度が好ましい。更に好ましくは、５０μｍ〜３００μｍである。
１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アルキルアクリレート共重合体（アルキル基の炭素数１〜４）、エチレン−α−オレフィン共重合体、プロピレン−α−オレフィン共重合体等が挙げられる。
エチレン−酢酸ビニル共重合体として三井デュポン株式会社製エバフレックス（登録商標）Ｅ４２０、同ＥＶ１５０、同Ｖ５７７３Ｗ、エチレンーエチレンアクリレート共重合体として三井デュポン株式会社製ＥＶＡＦＬＥＸーＥＥＡ（登録商標）、エチレン−αオレフィン共重合体として三井化学株式会社製タフマー（登録商標）等が市販品として例示できる。
Ｔダイ押出成形、インフレ押出成形等を用いて基材フィルムを製造できる。メルトフローレートが高い場合、樹脂と押出し装置の特性から、押出し成形する際の温度を最適化する。すなわち、樹脂のメルトフローレートの温度依存性を把握し、装置にあった押出し温度を選択すればよい。
【００１４】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの粘着剤層を形成する粘着剤は、ダイボンディング用接着フィルム貼着時の温度条件下、例えば１５０℃程度の温度でも、粘着剤として充分機能するものであることが好ましい。具体的には、アクリル系粘着剤、シリコン系粘着剤等が例示される。粘着剤層の厚みは３〜１００μｍ、更には１０〜８０μｍであることが好ましい。粘着剤層は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムをウエハの回路形成面（以下、表面という）から剥離した後、半導体ウエハの表面に糊残りなどによる汚染が生じないことが好ましい。
【００１５】
粘着剤層は、特に、ダイボンディング用接着フィルムを加熱貼着するダイボンディング工程において１５０℃程度の高温に曝された際に、粘着力が大きくなり過ぎないように、また、半導体ウエハ表面の汚染が増加しないように、反応性官能基を有する架橋剤、過酸化物、放射線等により高密度に架橋されたものであることが好ましい。更に、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する際に、温度１５０℃以上の条件下で加熱処理された場合であっても、粘着力が上昇して剥離不良を起こさないこと、及び糊残りが発生しないことが好ましい。その為、粘着剤層は、１５０℃における貯蔵弾性率が少なくとも１×１０^５Ｐａであることが好ましい。貯蔵弾性率は、高ければ高いほどよいが、通常、その上限は１×１０^８Ｐａ程度である。
【００１６】
上記特性を有する粘着剤層を形成する方法として、アクリル系粘着剤を用いる方法を例示する。粘着剤層は、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位、架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー単位、２官能性モノマー単位をそれぞれ特定量含む乳化重合共重合体であるアクリル系粘着剤、並びに、凝集力を上げたり粘着力を調整するための、官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤を含む溶液またはエマルション液を用いることにより形成される。溶液で使用する場合は、乳化重合で得られたエマルション液からアクリル系粘着剤を塩析等で分離した後、溶剤等で再溶解して使用する。アクリル系粘着剤は、分子量が充分に大きく、溶剤への溶解性が低く、若しくは溶解しない場合が多いので、コスト的な観点から鑑みても、エマルション液のまま使用することが好ましい。
【００１７】
本発明に用いるアクリル系粘着剤としては、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル、又はこれらの混合物を主モノマー〔以下、モノマー（Ａ）〕として、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーを含むモノマー混合物を共重合して得られたものが挙げられる。
モノマー（Ａ）としては、炭素数１〜１２程度のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステル、又はメタクリル酸アルキルエステル〔以下、これらの総称して（メタ）アクリル酸アルキルエステルという〕が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルである。具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で使用しても、また、２種以上を混合して使用してもよい。モノマー（Ａ）の使用量は粘着剤の原料となる全モノマーの総量中に、通常、１０〜９８．９重量％の範囲で含ませることが好ましい。更に好ましくは８５〜９５重量％である。モノマー（Ａ）の使用量をかかる範囲とすることにより、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）１０〜９８．９重量％、好ましくは８５〜９５重量％を含むポリマーが得られる。
【００１８】
架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー単位（Ｂ）を形成するモノマー（Ｂ）としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド等である。これらの一種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、また２種以上を共重合させてもよい。架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー（Ｂ）の使用量は、粘着剤の原料となる全モノマーの総量中に、通常、１〜４０重量％の範囲で含まれていることが好ましい。更に好ましくは、１〜１０重量％である。而して、モノマー組成とほぼ等しい組成の構成単位（Ｂ）を有するポリマーが得られる。
【００１９】
更に、粘着剤層は、半導体ウエハの裏面加工、及びダイボンディング用接着フィルムの貼着時等における温度条件下でも、粘着剤として充分機能するように、粘着力や剥離性を調整することが好ましい。その方策として、エマルション粒子の凝集力を維持する為に粒子バルクの架橋方式も考慮することが好ましい。
【００２０】
エマルション粒子に対しては、１５０〜２００℃の温度条件下でも貯蔵弾性率が１×１０^５Ｐａ以上を有する為に、２官能モノマー（Ｃ）を共重合することによって凝集力を維持するよう架橋方式を改良することが好ましい。良好に共重合するモノマーとして、メタクリル酸アリル、アクリル酸アリル、ジビニルベンゼン、メタクリル酸ビニル、アクリル酸ビニルや、例えば、両末端がジアクリレートまたはジメタクリレートで主鎖の構造がプロピレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；ＰＤＰ−２００、同ＰＤＰ−４００、同ＡＤＰ−２００、同ＡＤＰ−４００〕、テトラメチレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；ＡＤＴ‐２５０、同ＡＤＴ‐８５０〕及びこれらの混合型〔日本油脂（株）製、商品名：ＡＤＥＴ‐１８００、同ＡＤＰＴ−４０００〕であるもの等が挙げられる。
２官能モノマー（Ｃ）を乳化共重合する場合、その使用量は、全モノマー中に０．１〜３０重量％含むことが好ましい。更に好ましくは０．１〜５重量％である。而して、モノマー組成とほぼ等しい組成の構成単位（Ｃ）を有するポリマーが得られる。
【００２１】
上記粘着剤を構成する主モノマー、及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの他に、界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有すると共に、乳化重合する場合には乳化剤としての作用を有する。重合性界面活性剤を用いて乳化重合したアクリル系粘着剤を用いた場合には、通常、界面活性剤による半導体ウエハ表面に対する汚染が生じない。また、粘着剤層に起因する僅かな汚染が生じた場合においても、半導体ウエハ表面を水洗することにより容易に除去することが可能となる。
【００２２】
このような重合性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハク酸ジエステル系〔花王（株）製；商品名：ラテムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。更に必要に応じて、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性２重結合を有するモノマーを共重合してもよい。
【００２３】
アクリル系粘着剤の重合反応機構としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響及び半導体ウエハ表面へのイオンの影響等を等慮すればラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物が挙げられる。
【００２４】
乳化重合法により重合する場合には、これらのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が更に好ましい。４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が特に好ましい。
【００２５】
本発明に用いる架橋性の官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤は、アクリル系粘着剤が有する官能基と反応させ、粘着力及び凝集力を調整するために用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサンの４官能性エポキシ系化合物及びヘキサメトキシメチロールメラミン等のメラミン系化合物が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上に対して併用してもよい。
【００２６】
架橋剤の含有量は、通常、架橋剤中の官能基数がアクリル系粘着剤中の官能基数よりも多くならない程度の範囲が好ましい。しかし、架橋反応で新たに官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応じて過剰に含有してもよい。好ましい含有量は、アクリル系粘着剤１００重量部に対し、架橋剤０．１〜１５重量部である。含有量が少なすぎると、粘着剤層の凝集力が不十分となり、１５０〜２００℃において、弾性率が１×１０^５Ｐａ未満となり、耐熱特性が低下する。そのため、粘着剤層に起因する糊残りを生じ易くなったり、粘着力が高くなり、表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハ表面から剥離する際に自動剥がし機で剥離トラブルが発生したり、半導体ウエハを完全に破損したりすることがある。含有量が多すぎると、粘着剤層と半導体ウエハ表面との密着力が弱くなり、半導体ウエハ裏面研削工程において、半導体ウエハ表面と粘着剤層の間に研磨屑が浸入して半導体ウエハを破損したり、半導体ウエハ表面を汚染することがある。
【００２７】
本発明に用いる粘着剤塗布液には、上記の特定の２官能モノマーを共重合したアクリル系粘着剤及び架橋剤の他に、粘着特性を調整するためにロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を本発明の目的に影響しない程度に適宜含有してもよい。また、塗布液がエマルション液である場合は、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を本発明の目的に影響しない程度に適宜添加してよい。造膜助剤として使用されるジエチレングリコールモノアルキルエーテル及びその誘導体は、粘着剤層中に多量に存在した場合、洗浄が不可能となる程度に半導体ウエハ表面を汚染することがある。そのため、粘着剤塗布液の乾燥温度において揮発する性質を有するものを使用し、粘着剤層中の残存量を極力低くすることが好ましい。
【００２８】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの粘着力は、半導体ウエハの加工条件、半導体ウエハの直径、裏面研削後の半導体ウエハの厚み、ダイボンディング用接着フィルム貼着温度等を勘案して適宜調整できる。粘着力が低すぎると、半導体ウエハ表面への表面保護用粘着フィルムの貼着が困難となったり、表面保護用粘着フィルムによる保護性能が不十分となり、半導体ウエハが破損したり、半導体ウエハ表面に研削屑等による汚染が生じることがある。また、粘着力が高すぎると、半導体ウエハの裏面加工を実施した後、表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハ表面から剥離する際に、自動剥がし機で剥離トラブルが発生する等、剥離作業性が低下したり、半導体ウエハを破損したりすることがある。通常、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力に換算して５〜５００ｇ／２５ｍｍ、好ましくは１０〜３００ｇ／２５ｍｍである。
【００２９】
基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０〜１７０℃において、１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、表面保護粘着フィルムを４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。
【００３０】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウエハ表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィルム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持されていることが好ましい。
【００３１】
本発明に係わる半導体ウエハ保護方法を適用した半導体ウエハの製造方法は、先ず、前記の如く、半導体ウエハの表面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、及び半導体ウエハの回路非形成面（以下、裏面という）を加工する第二工程を順次実施し、引き続き、該表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに半導体ウエハの裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する第三工程を実施する。以後の工程には特に制限はないが、例えば、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程、半導体ウエハを分割切断するダイシング工程、半導体チップを外部保護の為に樹脂で封止するモールド工程等を順次実施することができる。
【００３２】
本発明の半導体ウエハ保護方法について詳細に説明する。本発明の半導体ウエハ保護方法は、半導体ウエハの表面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、及び半導体ウエハの裏面を加工する第二工程を順次実施し、引き続き、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに、半導体ウエハ裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する第三工程を実施する。この際、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムとして、前記半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いる。
【００３３】
本発明に係わる半導体ウエハ保護方法の詳細は、先ず、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム（以下、表面保護用粘着フィルムと略称する）の粘着剤層側から剥離フィルムを剥離し、粘着剤層表面を露出させ、その粘着剤層を介して、半導体ウエハの表面に表面保護用粘着フィルムを貼着する（第一工程）。次いで、裏面加工機のチャックテーブル等に表面保護用粘着フィルムの基材フィルム層を介して半導体ウエハを固定し、半導体ウエハの裏面を加工する（第二工程）。第二工程は、半導体ウエハの裏面研削工程、ウェットエッチング工程、及びポリッシング工程を全て実施してもよいし、又は、これらの工程のいずれか一工程を実施してもよい。次いで、表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに、ダイボンディング用接着フィルムの貼着工程に搬送され、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する（第三工程）。その後、表面保護用粘着フィルムは剥離される。また、必要に応じて表面保護用粘着フィルムを剥離した後に、半導体ウエハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の処理が施される。
【００３４】
裏面加工工程において、研削前の厚みが５００〜１０００μｍであった半導体ウエハを本発明の保護方法を適用することにより、１００μｍ以下の厚みまで薄層化することができる。その場合、半導体ウエハの最低厚みは２０μｍ程度である。１００μｍ以下まで薄くする場合は、裏面研削に引き続いて、ウェットエッチング工程やポリッシング工程を実施することもできる。裏面を研削する前の半導体ウエハの厚みは、半導体ウエハの直径、種類等により適宜決められ、裏面研削後の半導体ウエハの厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類等により適宜決められる。
【００３５】
表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハの表面に貼着する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、ロール状の表面保護用粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置によって行われる。このような自動貼り機として、例えばタカトリ（株）製、形式：ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、同ＴＥＡＭ−１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＬシリーズ等が挙げられる。
【００３６】
裏面研削方式としては、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用される。通常、いずれの方法においても、半導体ウエハと砥石に水を供給して冷却しながら裏面研削が行われる。裏面研削終了後、必要に応じて、ウェットエッチング、ポリッシングが行われる。ウェットエッチング工程及びポリッシング工程は、半導体ウエハ裏面に生じた歪の除去、半導体ウエハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際の前処理等を目的として行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択される。
【００３７】
ダイボンディング用接着フィルムを貼着する工程で用いる装置としては、例えば、タカトリ（株）製、形式：ＤＭ−８００等が挙げられる。ダイボンディング用接着フィルムとしては、ポリエステル系、ポリプロピレン系フィルムの表面に、ポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂の混合物からなるワニスを塗布して、接着剤層を形成したダイボンディング用接着フィルムが挙げられる。この時、必要に応じてポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂の混合物に添加剤を混合することもある。ロールを用いて、ダイボンディング用接着フィルムを半導体ウエハ裏面に加熱貼着することにより、接着剤付半導体ウエハとされる。
【００３８】
通常、半導体ウエハ裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する際には、上記の如きダイボンディング用接着フィルム貼着装置が用いられる。１５０℃程度に加熱し、該装置に内蔵するロールによって押圧して、半導体ウエハ裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する。この際、薄層化されたウエハに大きな反りがあると、ロールの押圧によってウエハが破損し易い。また、ウエハが破損することなしに、ダイボンディング用接着フィルムを半導体ウエハ裏面に貼着できても、ウエハに大きな反りがある場合、ウエハ搬送時に吸着不良などの問題が生じてしまう。ウエハ表面に本発明に係わる粘着フィルムを貼着してウエハを薄層化し、且つ、粘着フィルムを剥離することなしにダイボンディング用接着フィルム貼着することにより、ウエハの反りが矯正され、その破損及び搬送不良を防止することができるのである。
【００３９】
裏面研削工程、エッチング工程、及びダイボンディング用接着フィルムの貼着工程がそれぞれ終了した後、半導体ウエハ表面から表面保護用粘着フィルムが剥離される。これらの一連の操作は、人手により行われる場合もあるが、一般的に自動剥がし機と称される装置を用いて行われる。このような自動剥がし機としては、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、同ＡＴＲＭ−２１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＰシリーズ等が挙げられる。また、剥離性の向上を目的として、必要に応じて加熱剥離することが好ましい。
【００４０】
表面保護用粘着フィルムを剥離した後の半導体ウエハ表面は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法は、半導体ウエハ表面の汚染状況により適宜選択される。
本発明の半導体ウエハ保護方法が適用できる半導体ウエハとして、シリコンウエハに限らず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム等のウエハが挙げられる。
【００４１】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例において、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持された環境において粘着剤塗布液の調製及び塗布、半導体シリコンウエハの裏面研削、並びにダイボンディング用接着フィルム貼着等の製造を実施した。本発明はこれら実施例に限定されるものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の方法で測定した。
【００４２】
１．各種特性の測定方法
１−１．粘着力測定（ｇ／２５ｍｍ）
下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳＺ０２３７−１９９１に規定される方法に準じて測定する。２３℃の雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、２０ｃｍ×５ｃｍの長方形のＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳＧ４３０５−１９９１規定）の表面に貼着し、同サイズに粘着フィルムをカットし、６０分放置する。但し、粘着フィルムは機械方向（以下、ＭＤ方向という）がＳＵＳ３０４−ＢＡ板の２０ｃｍの辺に、機械方向と直交する方向（以下、ＴＤ方向という）がＳＵＳ３０４−ＢＡ板の５ｃｍの辺に対するように粘着フィルムを貼着する。試料のＭＤ方向の一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離する際の応力を測定し、２５ｍｍ幅に換算する。
【００４３】
１−２．貯蔵弾性率（Ｐａ）
耐熱樹脂層
半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルム層部分を切断し、長方形（ＭＤ方向：３０ｍｍ、ＴＤ方向：１０ｍｍ）の耐熱樹脂層の試料を作製する。動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形式：ＲＳＡ−ＩＩ）を用いて、０〜３００℃までの貯蔵弾性率（機械方向）を測定する。測定周波数は、１Ｈｚとし、歪みは０．０１〜０．１％とする。
【００４４】
１−３．残留応力（％）
正方形（ＭＤ方向：２０ｍｍ、ＴＤ方向：２０ｍｍ）の試料を作製し、動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形式：ＲＭＳ−８００、コーンプレート）を用いて、１２０℃での応力緩和を測定する。３０秒後の残留応力率（％）をもとめる。
【００４５】
１−４．メルトフローレート（ｇ／１０分）
ＪＩＳＫ６７３０に規定される方法に準拠し行った。測定温度は、１９０℃で行った。
【００４６】
１−５．半導体ウエハ反り量の評価
半導体ウエハの表面に厚み１５μｍのポリイミド膜が付設されている８インチシリコンウエハ（以下、ＰＩウエハと略称する、直径約２００ｍｍ、厚み７４０μｍ）の表面に、表面保護用粘着フィルムをその粘着剤層を介してハンドローラを用いて貼付けた後、裏面研削機（（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ８６０）を用いて厚みが７５μｍになるまでウエハ裏面を研削し薄層化する。薄層化後、ＰＩウエハの表面に表面保護用粘着フィルムが貼り付けられている状態で、表面保護用粘着フィルムが貼付けられた薄層化後のＰＩウエハをホットプレート（アドバンテック社製、形式：ＴＰ−３２０）を用い、１８０℃で２分間加熱する。冷却後、表面保護用粘着フィルム貼付け面を上にしてＰＩウエハを定板上に乗せ、定板とウエハ裏面との最大距離を測定しウエハ反り量とする。１０枚のＰＩウエハについて評価し、その平均値で示す。
【００４７】
１−６．半導体ウエハの破損（枚数）
半導体ウエハ裏面研削工程、ダイボンディング用接着フィルム貼着工程、及び表面保護用粘着フィルム剥離工程における半導体ウエハの破損枚数を示す。１０枚のＰＩウエハについて評価し、破損した枚数を示す。
【００４８】
２．表面保護用粘着フィルムの製造例
２−１．基材フィルムの製造例１
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製テオネックス、５０℃の貯蔵弾性率２．８ＧＰａ、２００℃の貯蔵弾性率０．１９ＧＰａ）を選定し、これとメルトフローレートが１５０（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４２０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム１を作成した。メルトフローレートが１５０（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４２０）の残留応力率は、０．０２％であった。
【００４９】
２−２．基材フィルムの製造例２
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製テオネックス）を選定し、これとメルトフローレートを６０（ｇ／１０分）に調整したエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム２を作成した。メルトフローレートを６０（ｇ／１０分）に調整したエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製）の残留応力率は、０．０３％であった。
【００５０】
２−３．基材フィルムの製造例３
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製テオネックス）を選定し、これとメルトフローレートが３０（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製ＥＶ１５０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム２を作成した。メルトフローレートを３０（ｇ／１０分）に調整したエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製）の残留応力率は、０．０４％であった。
【００５１】
２−４．基材フィルムの製造例４
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製テオネックス）を選定し、これとメルトフローレートを１５（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製ＥＶ２５０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム４を作成した。メルトフローレートを１５（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製ＥＶ２５０）の残留応力率は、０．２２％であった。
【００５２】
２−５．基材フィルムの製造例５
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製テオネックス）を選定し、これとメルトフローレートを３（ｇ／１０分）のエチレン−αオレフィン共重合体（三井化学株式会社製タフマー（登録商標）Ａ−４０７０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−αオレフィン共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム５を作成した。メルトフローレート３（ｇ／１０分）のエチレン−αオレフィン共重合体の残留応力率は、０．０２％であった。
【００５３】
２−６．基材フィルムの比較製造例１
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製テオネックス）を選定し、これとメルトフローレートが２．５（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４６０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム６を作成した。エチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４６０）の残留応力率は、８％であった。
【００５４】
２−７．基材フィルムの比較製造例２
７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製テオネックス）を選定した。粘着剤層を形成する側の表面にコロナ放電処理を施し、フィルム７とした。
【００５５】
２−８．基材フィルムの比較製造例３
耐熱フィルム層として５０μｍの２軸延伸ポリプロピレンフィルム（５０℃の貯蔵弾性率１．３ＧＰａ、１７０℃の貯蔵弾性率１．０ＭＰａ）を選定し、これとメルトフローレートが１５０（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４２０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２４５μｍであるフィルム８を作成した。エチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４２０）の残留応力率は、０．０２％であった。
【００５６】
２−９．粘着剤主剤の製造例
重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤として４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．６２５重量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチルヘキシル６２．２５重量部、アクリル酸−ｎ−ブチル１８重量部、及びメタクリル酸メチル１２重量部、モノマー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチル３重量部、メタクリル酸２重量部、及びアクリルアミド１重量部、モノマー（Ｃ）としてポリテトラメチレングリコールジアクリレート〔日本油脂（株）製、商品名：ＡＤＴ−２５０〕１重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイドの付加モル数の平均値：約２０）の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製、商品名：アクアロンＨＳ−１０〕０．７５重量部を装入し、攪拌下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実施し、アクリル系樹脂エマルションを得た。これを９重量％アンモニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分４２．５重量％のアクリル系粘着剤（粘着剤主剤１）とした。
【００５７】
２−１０．粘着フィルムの製造例１〜５
粘着剤塗布液１を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに上記基材フィルム１〜５のコロナ放電処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１〜５を製造した。粘着力はそれぞれ１２０ｇ／２５ｍｍ、１２５ｇ／２５ｍｍ、１２５ｇ／２５ｍｍ、１２５ｇ／２５ｍｍおよび１２０ｇ／２５ｍｍであった。
【００５８】
２−１１．粘着フィルムの比較製造例
粘着剤塗布液１を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに上記基材フィルム６、７及び８のコロナ放電処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム６〜８を製造した。粘着力は、それぞれ１２０ｇ／２５ｍｍ、１００ｇ／２５ｍｍ及び１００ｇ／２５ｍｍであった。
【００５９】
３−１．保護方法の実施例１
半導体ウエハ（ＰＩウエハ）に対する、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１の保護性能を評価した。半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１を集積回路が組み込まれた１０枚のＰＩウエハ（直径：８インチ、厚み：７５０μｍ）の全表面に貼着した状態で、裏面研削機（（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ８６０）を用いて、厚みが７５μｍになるまでウエハ裏面を研削した。次いで、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１を貼着したままの状態で、１８０℃においてダイボンディング用接着フィルム貼着機（タカトリ（株）製、形式：ＤＭ−８００）を用いて、半導体ウエハ裏面にダイボンディング用接着フィルム（日立化成（株）製、商品名：ハイアタッチ）を貼着した。その結果、ダイボンディング用接着フィルム貼着機に内蔵するロールによってウエハに押圧がかかったにもかかわらず、１０枚全ての半導体ウエハに対して接着フィルム貼着時においてＰＩウエハの反りが原因である割れは発生しなかった。また、ダイボンディング用接着フィルム貼付け後、チャックテーブルからアームによるウエハの搬送に問題が生じなかった。表１には、この現象をＯＫと記載した。更に、剥離機（日東精機（株）製、形式：ＨＲ８５００ＩＩ）を用いて、ＰＩウエハ表面から半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１を剥離した。剥離の際においてもＰＩウエハの割れは発生しなかった。また、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１を剥離した後のＰＩウエハ表面に糊残り等の汚染は観察されなかった。
別途、他のＰＩウエハ（直径：８インチ、厚み：７４０μｍ）１０枚について上記と同様にして、厚みが７５μｍになるまでウエハ裏面を研削した後、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１を貼着したままの状態で、１８０℃で２分間加熱し、加熱後の反り量を測定した。その結果、ウエハの反り量は３ｍｍであった。得られた結果を表１に示す。
【００６０】
３−２．保護方法の実施例２〜５
半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム２〜５を用いた以外、保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。得られた結果を表１に示す。
【００６１】
３−３．保護方法の比較例１
半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム６を用いた以外、保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。その結果、ダイボンディング用接着フィルム貼付け時の熱によりウエハが大きく反ってしまい、チャックテーブルからアームによる搬送が吸着不良のため、１０枚全てのＰＩウエハに於いて搬送することが出来なかった。表１には、この現象をエラーと記載した。裏面研削後に１８０℃で２分間加熱後のウエハ反り量は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム貼付け面方向へ２５ｍｍであった。得られた結果を表１に示す。
【００６２】
３−４．保護方法の比較例２
半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム７を用いた以外、保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。その結果、ダイボンディング用接着フィルム貼付け時の熱によりウエハが大きく反ってしまい、チャックテーブルからアームによる搬送が吸着不良のため、１０枚全てのＰＩウエハに於いて搬送することが出来なかった。表１には、この現象をエラーと記載した。ウエハ反り量の評価結果は、１８０℃で２分間加熱後の反り量は半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム貼付け面方向へ２０ｍｍであった。得られた結果を表１に示す。
【００６３】
３−５．保護方法の比較例３
半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム８を用いた以外、保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。その結果、ダイボンディング用接着フィルム貼付け時の熱により、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムが、チャックテーブルに融着してしまい、チャックテーブルからアームによる搬送が不良のため、１０枚全てのＰＩウエハに於いて搬送することが出来なかった。表１にはこの現象をエラーと記載した。ウエハ反り量の評価は、１８０℃で加熱中、基材フィルムが融解してしまいウエハ反り量の測定が出来なかった。
【００６４】
【表１】

【００６５】
【発明の効果】
本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いることにより、半導体ウエハが厚み１００μｍ以下程度に薄層化され、且つ、ダイボンディング工程において高温に晒された場合であっても、半導体ウエハの反りを矯正し、ウエハ搬送時の破損を防止しすることができる。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface and a method for protecting a semiconductor wafer using the adhesive film. More specifically, an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface, which is useful for correcting the warpage and preventing breakage of a semiconductor wafer in a process of thinning a semiconductor wafer and capable of improving productivity, and a semiconductor wafer using the adhesive film Regarding protection methods.
[0002]
[Prior art]
The step of processing the semiconductor wafer includes the steps of attaching a semiconductor wafer surface protection adhesive film to the circuit formation surface of the semiconductor wafer, processing the circuit non-formation surface of the semiconductor wafer, and peeling the semiconductor wafer surface protection adhesive film. After the process, a dicing process for dividing and cutting the semiconductor wafer, a die bonding process for joining the divided semiconductor chips to the lead frame, and a molding process for sealing the semiconductor chips with a resin for external protection, etc. I have.
[0003]
Conventionally, in a die bonding process, a method of supplying a resin paste as a die bonding material onto a lead frame, mounting a semiconductor chip on the resin paste, and bonding the semiconductor chip thereon has been most often used. However, when a resin paste is used, it is difficult to apply the resin paste evenly on the lead frame, so that there are problems such as generation of voids and chip cracks when the adhesive layer is cured.
[0004]
JP-A-6-302629 discloses an adhesive film for die bonding in a die bonding step for the purpose of improving the non-uniform applicability which is a drawback of a resin paste as a die bonding material and streamlining the entire process. Are disclosed. This method includes a step of attaching a die bonding adhesive film to a circuit non-formation surface of a semiconductor wafer, a step of attaching a semiconductor wafer in a state where the die bonding adhesive film is attached to a dicing tape, and a dicing step of dividing and cutting the semiconductor wafer. And a step of die-bonding the semiconductor chip to the lead frame after the step of peeling the dicing tape.
[0005]
However, in this method, when the circuit non-formation surface of the semiconductor wafer is processed to further reduce the thickness of the semiconductor wafer, particularly when the thickness is reduced to 100 μm or less, the semiconductor wafer surface protection adhesive film is not adhered. When the adhesive film for die bonding is attached, serious problems such as breakage of the semiconductor wafer due to roll pressure, wafer warpage caused by thinning the wafer, and the like occur.
[0006]
In recent years, the demand for thinner semiconductor chips has been increasing, and chips having a thickness of about 30 to 100 μm have been desired. Therefore, there is a demand for a method of protecting a semiconductor wafer that can adhere an adhesive film for die bonding without damaging the semiconductor wafer even in such a thin layer.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In view of the above problems, it is an object of the present invention to correct the warpage of a semiconductor wafer even when the semiconductor wafer is thinned to a thickness of about 100 μm or less and exposed to a high temperature in a die bonding step. An object of the present invention is to provide an adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer which can prevent breakage during transportation, and a method for protecting a semiconductor wafer using the adhesive film.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies, the present inventors focused on the base film of the pressure-sensitive adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer, and found that the heat-resistant resin layer having at least a specific storage elastic modulus range and the residual stress rate after 30 seconds at 120 ° C. The present inventors have found that the above problems can be solved by using a base film composed of a resin layer having a specific value or less, and have reached the present invention.
That is, the present invention is an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface having an adhesive layer formed on one surface of a substrate film, wherein the substrate film has a storage elastic modulus of at least 1 to 10 at 23 to 200 ° C. ⁷ ~ 1 × 10 ¹⁰ A pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer, comprising a heat-resistant resin layer in the range of Pa and a resin layer having a residual stress rate of 0.5 (%) or less after 30 seconds at 120 ° C.
[0009]
Further, another invention of the present invention is a first step of attaching a semiconductor wafer surface protection adhesive film to a circuit forming surface of a semiconductor wafer, a second step of processing a circuit non-forming surface of the semiconductor wafer, and A method for protecting a semiconductor wafer in a manufacturing process of a semiconductor wafer, comprising a third step of attaching an adhesive film for die bonding to a surface on which a circuit is not formed, wherein the third step is performed without removing the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer. And using the pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface as a pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface.
According to the present invention, even when the thickness is reduced to 100 μm or less and the semiconductor wafer is exposed to a high temperature in the die bonding step, the semiconductor wafer in the above series of steps is corrected for warpage, and is damaged, contaminated, etc. Can be prevented.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
First, an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface according to the present invention will be described. The pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface according to the present invention is manufactured by forming a pressure-sensitive adhesive layer on one surface of a substrate film. Usually, a release film is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer in order to protect the pressure-sensitive adhesive layer. In consideration of sticking to the semiconductor wafer surface through the surface of the adhesive layer exposed when the release film is peeled off, in order to prevent the semiconductor wafer surface from being contaminated by the adhesive layer, it is necessary to use one side of the release film. It is preferable to apply a pressure-sensitive adhesive coating solution and dry to form a pressure-sensitive adhesive layer, and then transfer the obtained pressure-sensitive adhesive layer to one surface of a substrate film.
The base film has a storage elastic modulus of at least 1 × 10 at 23 to 200 ° C. ⁷ ~ 1 × 10 ¹⁰ Pa, more preferably 1 × 10 ⁸ ~ 1 × 10 ¹⁰ It is characterized by comprising a heat resistant resin layer of Pa and a resin layer having a residual stress rate of 0.5 (%) or less after 30 seconds at 120 ° C.
[0011]
The heat-resistant resin layer preferably has a shrinkage ratio in the machine direction when heated at 200 ° C. for 2 minutes in the range of 0.01 to 1%. The heat-resistant resin layer preferably has a thickness of 10 to 200 μm, more preferably 10 to 100 μm. The storage elastic modulus of the heat-resistant resin layer at 23 to 200 ° C. is 1 × 10 ⁷ If the pressure is less than Pa, the heat-resistant film layer may be softened by heat and adhere to the chuck table in the step of attaching the adhesive film for die bonding, which may cause a problem in transporting the wafer.
[0012]
Examples of the resin satisfying the above requirements include polyester such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyimide, polyetheretherketone, polyethersulfone, and the like, and a mixed resin thereof. Typical commercial products include polyethylene terephthalate (trade name: Teonex, manufactured by Teijin Limited), polyimide (apical, trade name, manufactured by Kaneka Chemical Co., Ltd.) and the like.
The resin layer having a residual stress rate of 0.5 (%) or less after 30 seconds at 120 ° C. has a melt flow rate (hereinafter, MFR) at 190 ° C. specified in JIS K6730 of 15 to 200 (unit: g / 10). Min), more preferably 30 to 100 g / 10 min. A resin having a high melt flow rate and a resin having a low melt flow rate may be melt-mixed to form an apparent melt flow rate satisfying the above range.
The resin layer having a residual stress rate of 0.5 (%) or less after 30 seconds at 120 ° C. does not transmit the stress generated when the heat-resistant resin layer changes dimensions after heating and after heating to the wafer, This has the effect of minimizing the amount of warpage of the wafer after heating. The residual stress rate after 30 seconds at 120 ° C. is more preferably 0.1 (%) or less.
[0013]
Since the resin layer also has a role of preventing the wafer from being damaged at the time of processing the back surface, it is preferable to select an appropriate thickness according to the step on the surface of the wafer, the presence or absence of bump electrodes, and the like. The thickness of the resin layer is preferably about 20 μm to 300 μm. More preferably, it is 50 μm to 300 μm.
Resins having a residual stress rate of 0.5 (%) or less after 30 seconds at 120 ° C. include ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-alkyl acrylate copolymer (alkyl group having 1 to 4 carbon atoms), Examples include an ethylene-α-olefin copolymer and a propylene-α-olefin copolymer.
EVAFLEX (registered trademark) E420, EV150, and V5773W (manufactured by Mitsui DuPont) as an ethylene-vinyl acetate copolymer, and EVAFLEX-EEA (registered trademark), manufactured by Mitsui Dupont Co., Ltd., as an ethylene-ethylene acrylate copolymer. As the α-olefin copolymer, Tuffmer (registered trademark) manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. and the like can be exemplified as commercially available products.
A base film can be manufactured using T-die extrusion molding, inflation extrusion molding, or the like. When the melt flow rate is high, the temperature during extrusion molding is optimized from the characteristics of the resin and the extruder. That is, the temperature dependency of the melt flow rate of the resin may be grasped, and the extrusion temperature suitable for the apparatus may be selected.
[0014]
The pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer of the semiconductor wafer surface protection pressure-sensitive adhesive film of the present invention is one that functions sufficiently as a pressure-sensitive adhesive, even at a temperature of about 150 ° C. at the time of bonding the die-bonding adhesive film. Preferably, there is. Specifically, an acrylic adhesive, a silicone adhesive and the like are exemplified. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 3 to 100 μm, more preferably 10 to 80 μm. It is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer does not cause contamination due to adhesive residue or the like on the surface of the semiconductor wafer after the pressure-sensitive adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer is peeled off from the circuit forming surface (hereinafter referred to as the surface) of the wafer.
[0015]
The pressure-sensitive adhesive layer prevents the adhesive force from becoming too large, particularly when exposed to a high temperature of about 150 ° C. in a die bonding step of heating and bonding an adhesive film for die bonding, and prevents contamination of the semiconductor wafer surface. It is preferable that the resin be cross-linked at a high density by a cross-linking agent having a reactive functional group, a peroxide, radiation or the like so as not to increase. Furthermore, when the adhesive film for die bonding is adhered, even if it is heat-treated at a temperature of 150 ° C. or more, the adhesive strength is increased and no peeling failure occurs, and adhesive residue is generated. Preferably not. Therefore, the pressure-sensitive adhesive layer has a storage elastic modulus at 150 ° C. of at least 1 × 10 ⁵ It is preferably Pa. The higher the storage modulus, the better, but usually the upper limit is 1 × 10 ⁸ It is about Pa.
[0016]
As a method for forming a pressure-sensitive adhesive layer having the above characteristics, a method using an acrylic pressure-sensitive adhesive is exemplified. The pressure-sensitive adhesive layer is an acrylic pressure-sensitive adhesive which is an emulsion polymerization copolymer containing a specific amount of a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer unit, a monomer unit having a functional group capable of reacting with a crosslinking agent, and a bifunctional monomer unit, In addition, it is formed by using a solution or an emulsion liquid containing a cross-linking agent having two or more functional groups in one molecule for increasing cohesive strength or adjusting adhesive strength. When used as a solution, the acrylic pressure-sensitive adhesive is separated from the emulsion obtained by emulsion polymerization by salting out or the like, and then is redissolved in a solvent or the like before use. The acrylic pressure-sensitive adhesive has a sufficiently large molecular weight, low solubility in a solvent, or does not dissolve in many cases. Therefore, it is preferable to use the emulsion pressure-sensitive adhesive from the viewpoint of cost.
[0017]
As the acrylic pressure-sensitive adhesive used in the present invention, a comonomer having a functional group capable of reacting with a cross-linking agent by using an alkyl acrylate, an alkyl methacrylate, or a mixture thereof as a main monomer [hereinafter, monomer (A)] is used. And a monomer mixture obtained by copolymerizing the monomer mixture.
Examples of the monomer (A) include alkyl acrylates having alkyl groups having about 1 to 12 carbon atoms or alkyl methacrylates (hereinafter, these are collectively referred to as alkyl (meth) acrylates). Preferably, it is a (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Specific examples include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, and 2-ethylhexyl acrylate. These may be used alone or as a mixture of two or more. It is preferable that the amount of the monomer (A) used is usually in the range of 10 to 98.9% by weight in the total amount of all the monomers used as the raw material of the pressure-sensitive adhesive. More preferably, it is 85 to 95% by weight. By setting the amount of the monomer (A) to be in such a range, a polymer containing 10 to 98.9% by weight, preferably 85 to 95% by weight of the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer unit (A) can be obtained.
[0018]
Examples of the monomer (B) forming a monomer unit (B) having a functional group capable of reacting with a crosslinking agent include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, fumaric acid, maleic acid, and monoalkyl itaconate. Esters, monoalkyl mesaconate, monoalkyl citraconic, monoalkyl fumarate, monoalkyl maleate, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, Acrylamide, methacrylamide, tert-butylaminoethyl acrylate, tert-butylaminoethyl methacrylate and the like can be mentioned. Preferred are acrylic acid, methacrylic acid, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, acrylamide, methacrylamide and the like. One of these may be copolymerized with the above main monomer, or two or more thereof may be copolymerized. It is preferable that the amount of the monomer (B) having a functional group capable of reacting with the crosslinking agent is usually contained in the range of 1 to 40% by weight in the total amount of all the monomers used as the raw material of the pressure-sensitive adhesive. More preferably, it is 1 to 10% by weight. Thus, a polymer having a constitutional unit (B) having a composition substantially equal to the monomer composition is obtained.
[0019]
Further, the pressure-sensitive adhesive layer, even under temperature conditions such as when processing the back surface of the semiconductor wafer and attaching the adhesive film for die bonding, it is preferable to adjust the adhesive force and the releasability so as to function sufficiently as a pressure-sensitive adhesive. . As a measure, it is preferable to consider a method of crosslinking the particle bulk in order to maintain the cohesive force of the emulsion particles.
[0020]
With respect to the emulsion particles, the storage elastic modulus is 1 × 10 even under a temperature condition of 150 to 200 ° C. ⁵ In order to have Pa or more, it is preferable to improve the crosslinking method so as to maintain the cohesive force by copolymerizing the bifunctional monomer (C). Examples of monomers that can be copolymerized well include allyl methacrylate, allyl acrylate, divinylbenzene, vinyl methacrylate, and vinyl acrylate.For example, both ends are diacrylate or dimethacrylate and the main chain structure is a propylene glycol type (Nippon Oil & Fats) PDP-200, PDP-400, ADP-200, ADP-400], tetramethylene glycol type (manufactured by NOF Corporation, trade names: ADT-250, ADT- 850] and a mixed type thereof (manufactured by NOF CORPORATION, trade names: ADET-1800, ADPT-4000).
When the bifunctional monomer (C) is emulsion-copolymerized, the amount used is preferably from 0.1 to 30% by weight in all the monomers. More preferably, the content is 0.1 to 5% by weight. Thus, a polymer having a constitutional unit (C) having a composition substantially equal to the monomer composition is obtained.
[0021]
In addition to the main monomer constituting the pressure-sensitive adhesive and a comonomer having a functional group capable of reacting with a crosslinking agent, a specific comonomer having a property as a surfactant (hereinafter, referred to as a polymerizable surfactant) is copolymerized. May be. The polymerizable surfactant has a property of copolymerizing with the main monomer and the comonomer, and has an action as an emulsifier when emulsion polymerization is performed. When an acrylic pressure-sensitive adhesive emulsion-polymerized using a polymerizable surfactant is used, the surface of the semiconductor wafer is generally not contaminated by the surfactant. Further, even when slight contamination caused by the adhesive layer occurs, the surface can be easily removed by washing the surface of the semiconductor wafer with water.
[0022]
Examples of such a polymerizable surfactant include those obtained by introducing a polymerizable 1-propenyl group into a benzene ring of polyoxyethylene nonyl phenyl ether [manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd .; trade name: Aqualon RN-10, RN-20, RN-30, RN-50, etc.), and those in which a polymerizable 1-propenyl group is introduced into the benzene ring of an ammonium salt of a sulfate of polyoxyethylene nonylphenyl ether [No. Manufactured by Ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd .; trade name: Aqualon HS-10, HS-20, etc.) and sulfosuccinic acid diester having a polymerizable double bond in the molecule [manufactured by Kao Corporation; trade name: Latemul S-120A, S-180A etc.]. Further, if necessary, a monomer having a polymerizable double bond such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene may be copolymerized.
[0023]
Examples of the polymerization reaction mechanism of the acrylic pressure-sensitive adhesive include radical polymerization, anionic polymerization, and cationic polymerization. In consideration of the production cost of the pressure-sensitive adhesive, the influence of the functional group of the monomer, the influence of ions on the surface of the semiconductor wafer, and the like, it is preferable to carry out the polymerization by radical polymerization. When polymerizing by radical polymerization reaction, organic radicals such as benzoyl peroxide, acetyl peroxide, isobutyryl peroxide, octanoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, di-tert-amyl peroxide are used as radical polymerization initiators. Inorganic peroxides such as peroxides, ammonium persulfate, potassium persulfate, and sodium persulfate, 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis-2-methylbutyronitrile, 4,4 And azo compounds such as' -azobis-4-cyanovaleric acid.
[0024]
When polymerization is carried out by an emulsion polymerization method, among these radical polymerization initiators, water-soluble inorganic peroxides such as ammonium persulfate, potassium persulfate, and sodium persulfate, and water-soluble 4,4′-azobis An azo compound having a carboxyl group in a molecule such as -4-cyanovaleric acid is preferred. In consideration of the influence of ions on the surface of the semiconductor wafer, azo compounds having a carboxyl group in the molecule, such as ammonium persulfate and 4,4′-azobis-4-cyanovaleric acid, are more preferable. An azo compound having a carboxyl group in the molecule such as 4,4'-azobis-4-cyanovaleric acid is particularly preferred.
[0025]
The cross-linking agent having two or more cross-linkable functional groups in one molecule used in the present invention is used to react with the functional group of the acrylic pressure-sensitive adhesive to adjust the adhesion and cohesion. Examples of the crosslinking agent include epoxy compounds such as sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, diglycerol polyglycidyl ether, glycerol polyglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, and resorcin diglycidyl ether. , Tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, toluene diisocyanate 3 adduct of trimethylolpropane, isocyanate compounds such as polyisocyanate, trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, tetramethylolmethane-tri-β- Aziridinyl propionate, N, N'-diphenylmethane-4,4'-bis (1-aziridinecarboxyamido ), N, N'-hexamethylene-1,6-bis (1-aziridinecarboxamide), N, N'-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β Aziridine compounds such as-(2-methylaziridine) propionate, N, N, N ', N'-tetraglycidyl m-xylenediamine, 1,3-bis (N, N'-diglycidylaminomethyl) cyclohexane; Examples include functional epoxy compounds and melamine compounds such as hexamethoxymethylol melamine. These may be used alone or in combination of two or more.
[0026]
Usually, the content of the crosslinking agent is preferably in a range where the number of functional groups in the crosslinking agent does not become larger than the number of functional groups in the acrylic pressure-sensitive adhesive. However, when a new functional group is generated by a crosslinking reaction, or when a crosslinking reaction is slow, an excessive amount may be contained as necessary. The preferred content is 0.1 to 15 parts by weight of the crosslinking agent based on 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive. If the content is too small, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer becomes insufficient, and the elastic modulus is 1 × 10 ⁵ It becomes less than Pa, and heat resistance falls. For this reason, adhesive residue due to the pressure-sensitive adhesive layer is likely to occur, or the adhesive strength is increased, and when the pressure-sensitive adhesive film for surface protection is peeled from the surface of the semiconductor wafer, a peeling trouble occurs with an automatic peeling machine, or the semiconductor wafer is removed. It may be completely damaged. If the content is too large, the adhesion between the pressure-sensitive adhesive layer and the surface of the semiconductor wafer is weakened, and in the semiconductor wafer back surface grinding step, polishing debris intrudes between the surface of the semiconductor wafer and the pressure-sensitive adhesive layer, causing damage to the semiconductor wafer. Or the surface of the semiconductor wafer may be contaminated.
[0027]
The pressure-sensitive adhesive coating liquid used in the present invention includes, in addition to the acrylic pressure-sensitive adhesive and cross-linking agent copolymerized with the above-mentioned specific bifunctional monomer, a tackifier such as a rosin-based or terpene resin-based tackifier for adjusting the adhesive properties. And various surfactants may be appropriately contained to such an extent that the purpose of the present invention is not affected. When the coating liquid is an emulsion liquid, a film-forming auxiliary such as diethylene glycol monoalkyl ether may be appropriately added to such an extent that the purpose of the present invention is not affected. When a large amount of diethylene glycol monoalkyl ether and its derivative used as a film-forming aid is present in the pressure-sensitive adhesive layer, the surface of the semiconductor wafer may be contaminated to such an extent that cleaning is impossible. Therefore, it is preferable to use a substance having a property of volatilizing at the drying temperature of the pressure-sensitive adhesive coating liquid, and to minimize the residual amount in the pressure-sensitive adhesive layer.
[0028]
The adhesive strength of the adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer of the present invention is appropriately adjusted in consideration of the processing conditions of the semiconductor wafer, the diameter of the semiconductor wafer, the thickness of the semiconductor wafer after the back surface grinding, the temperature at which the adhesive film for die bonding is applied, and the like. it can. If the adhesive strength is too low, it becomes difficult to attach the adhesive film for surface protection to the surface of the semiconductor wafer, or the protective performance by the adhesive film for surface protection becomes insufficient, and the semiconductor wafer is damaged, Contamination due to grinding debris may occur. Also, if the adhesive strength is too high, the peeling workability is deteriorated, for example, when the back surface processing of the semiconductor wafer is performed, and when the surface protecting adhesive film is peeled off from the semiconductor wafer surface, a peeling trouble occurs with an automatic peeling machine. Or the semiconductor wafer may be damaged. Usually, it is 5 to 500 g / 25 mm, preferably 10 to 300 g / 25 mm in terms of adhesive strength to the SUS304-BA plate.
[0029]
As a method of applying the pressure-sensitive adhesive coating solution to one surface of the base film or the release film, conventionally known coating methods, for example, a roll coater method, a reverse roll coater method, a gravure roll method, a bar coat method, a comma coater method, A die coater method or the like can be employed. There are no particular restrictions on the drying conditions for the applied pressure-sensitive adhesive, but it is generally preferable to dry the adhesive in a temperature range of 80 to 200 ° C. for 10 seconds to 10 minutes. More preferably, drying is performed at 80 to 170 ° C. for 15 seconds to 5 minutes. In order to sufficiently promote the cross-linking reaction between the cross-linking agent and the pressure-sensitive adhesive, the surface protective pressure-sensitive adhesive film may be heated at 40 to 80 ° C. for about 5 to 300 hours after the drying of the pressure-sensitive adhesive application liquid.
[0030]
The method for producing the adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer of the present invention is as described above, but from the viewpoint of preventing contamination of the surface of the semiconductor wafer, the production environment for all the raw materials such as a base film, a release film, and an adhesive base material. The preparation, preservation, application and drying environment of the pressure-sensitive adhesive coating liquid are preferably maintained in a class 1,000 or less cleanliness specified by US Federal Standard 209b.
[0031]
The method for manufacturing a semiconductor wafer to which the method for protecting a semiconductor wafer according to the present invention is applied includes, as described above, a first step of attaching an adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer to the surface of the semiconductor wafer, A third step of sequentially performing a second step of processing a formation surface (hereinafter, referred to as a back surface), and subsequently attaching a die bonding adhesive film to the back surface of the semiconductor wafer without peeling the surface protection adhesive film. Is carried out. Although the subsequent steps are not particularly limited, for example, a step of peeling an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface, a dicing step of dividing and cutting a semiconductor wafer, a molding step of sealing a semiconductor chip with a resin for external protection, and the like. Can be sequentially performed.
[0032]
The semiconductor wafer protection method of the present invention will be described in detail. The method for protecting a semiconductor wafer according to the present invention sequentially performs a first step of attaching an adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer to the surface of the semiconductor wafer, and a second step of processing the back surface of the semiconductor wafer. The third step of attaching the die bonding adhesive film to the back surface of the semiconductor wafer without removing the protective adhesive film is performed. In this case, the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer is used as the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer.
[0033]
The details of the method for protecting a semiconductor wafer according to the present invention are as follows. First, the release film is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer side of the pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer surface protection (hereinafter, abbreviated as “surface protection pressure-sensitive adhesive film”). It is exposed, and an adhesive film for surface protection is attached to the surface of the semiconductor wafer via the adhesive layer (first step). Next, the semiconductor wafer is fixed to a chuck table or the like of the backside processing machine via the base film layer of the surface protection adhesive film, and the backside of the semiconductor wafer is processed (second step). In the second step, all of the back grinding step, the wet etching step, and the polishing step of the semiconductor wafer may be performed, or any one of these steps may be performed. Next, the adhesive film for die bonding is transported to the die bonding adhesive film bonding step without peeling off the surface protection adhesive film, and the die bonding adhesive film is bonded (third step). Thereafter, the pressure-sensitive adhesive film for surface protection is peeled off. After the surface protection adhesive film is peeled off as necessary, the surface of the semiconductor wafer is subjected to a treatment such as water washing and plasma washing.
[0034]
In the back surface processing step, a semiconductor wafer having a thickness of 500 to 1000 μm before grinding can be reduced to a thickness of 100 μm or less by applying the protection method of the present invention. In that case, the minimum thickness of the semiconductor wafer is about 20 μm. When the thickness is reduced to 100 μm or less, a wet etching step or a polishing step can be performed subsequent to the back surface grinding. The thickness of the semiconductor wafer before grinding the back surface is appropriately determined depending on the diameter, type, and the like of the semiconductor wafer, and the thickness of the semiconductor wafer after grinding the back surface is appropriately determined based on the size of the obtained chip, the type of circuit, and the like.
[0035]
The operation of attaching the surface protection adhesive film to the surface of the semiconductor wafer may be performed manually, but is generally performed by an apparatus called an automatic application machine equipped with a roll-shaped surface protection adhesive film. . Examples of such an automatic laminating machine include Takatori Co., Ltd., types: ATM-1000B, ATM-1100, TEAM-100, Teikoku Seiki Co., Ltd., type: STL series.
[0036]
As the back surface grinding method, a known grinding method such as a through-feed method and an in-feed method is employed. Normally, in either method, the backside grinding is performed while supplying water to the semiconductor wafer and the grindstone to cool them. After the back surface grinding, wet etching and polishing are performed as necessary. The wet etching step and the polishing step are performed for the purpose of removing distortion generated on the back surface of the semiconductor wafer, further reducing the thickness of the semiconductor wafer, removing oxide films and the like, and performing pretreatment when forming electrodes on the back surface. The etching solution is appropriately selected according to the above purpose.
[0037]
As an apparatus used in the step of attaching the adhesive film for die bonding, for example, Takatori Co., Ltd., model: DM-800 and the like can be mentioned. Examples of the die bonding adhesive film include a die bonding adhesive film in which a varnish made of a mixture of a polyimide resin and a thermosetting resin is applied to the surface of a polyester-based or polypropylene-based film to form an adhesive layer. At this time, if necessary, an additive may be mixed with the mixture of the polyimide resin and the thermosetting resin. Using a roll, the adhesive film for die bonding is heated and adhered to the back surface of the semiconductor wafer to obtain a semiconductor wafer with an adhesive.
[0038]
Usually, when bonding the die bonding adhesive film to the back surface of the semiconductor wafer, the die bonding adhesive film bonding apparatus as described above is used. It is heated to about 150 ° C. and pressed by a roll built in the apparatus to attach an adhesive film for die bonding to the back surface of the semiconductor wafer. At this time, if the thinned wafer has a large warp, the wafer is likely to be damaged by the pressing of the roll. Further, even if the adhesive film for die bonding can be adhered to the back surface of the semiconductor wafer without damaging the wafer, if the wafer has a large warp, problems such as poor suction may occur at the time of transporting the wafer. The adhesive film according to the present invention is attached to the wafer surface to make the wafer thinner, and the adhesive film for die bonding is attached without peeling the adhesive film, so that the warpage of the wafer is corrected and the wafer is damaged. In addition, it is possible to prevent poor conveyance.
[0039]
After the back grinding step, the etching step, and the step of attaching the die bonding adhesive film are completed, the surface protection adhesive film is peeled off from the semiconductor wafer surface. Although a series of these operations may be performed manually, they are generally performed using an apparatus called an automatic peeling machine. Examples of such an automatic peeling machine include Takatori Co., Ltd., Model: ATRM-2000B and ATRM-2100, Teikoku Seiki Co., Ltd., Model: STP series. Further, for the purpose of improving the releasability, it is preferable to peel off by heating as necessary.
[0040]
The surface of the semiconductor wafer after the surface protection adhesive film has been peeled off is washed as necessary. Examples of the cleaning method include wet cleaning such as water cleaning and solvent cleaning, and dry cleaning such as plasma cleaning. In the case of wet cleaning, ultrasonic cleaning may be used together. These cleaning methods are appropriately selected depending on the state of contamination on the surface of the semiconductor wafer.
The semiconductor wafer to which the semiconductor wafer protection method of the present invention can be applied is not limited to a silicon wafer, but may be a wafer of germanium, gallium-arsenic, gallium-phosphorus, gallium-arsenic-aluminum, or the like.
[0041]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. In all of the examples and comparative examples shown below, preparation and application of an adhesive coating solution in an environment maintained at a cleanliness level of 1,000 or less defined by US Federal Standard 209b, grinding of the backside of a semiconductor silicon wafer, Production of an adhesive film for die bonding was performed. The present invention is not limited to these examples. The various characteristic values shown in the examples were measured by the following methods.
[0042]
1. How to measure various characteristics
1-1. Adhesive strength measurement (g / 25mm)
Except for the conditions specified below, all measurements are performed in accordance with the method specified in JIS Z0237-1991. In an atmosphere of 23 ° C., the pressure-sensitive adhesive film obtained in the example or the comparative example is adhered to the surface of a 20 cm × 5 cm rectangular SUS304-BA plate (JIS G4305-1991) through the pressure-sensitive adhesive layer. Then, the adhesive film is cut to the same size and left for 60 minutes. However, the adhesive film has a machine direction (hereinafter referred to as MD direction) on a 20 cm side of the SUS304-BA plate and a direction perpendicular to the machine direction (hereinafter referred to as TD direction) on a 5 cm side of the SUS304-BA plate. Attach an adhesive film. One end of the sample in the MD direction was sandwiched, and a peel angle of 180 ° and a peel speed of 300 mm / min. Is used to measure the stress at the time of peeling the sample from the surface of the SUS304-BA plate, and convert to a 25 mm width.
[0043]
1-2. Storage modulus (Pa)
Heat resistant resin layer
A base film layer portion of the pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface is cut to prepare a rectangular (MD direction: 30 mm, TD direction: 10 mm) heat-resistant resin layer sample. The storage elastic modulus (machine direction) from 0 to 300 ° C. is measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (manufactured by Rheometrics, model: RSA-II). The measurement frequency is 1 Hz, and the distortion is 0.01 to 0.1%.
[0044]
1-3. Residual stress (%)
A sample having a square shape (MD direction: 20 mm, TD direction: 20 mm) was prepared, and stress relaxation at 120 ° C. was performed using a dynamic viscoelasticity measurement device (Rheometrics: Model: RMS-800, cone plate). Measure. The residual stress rate (%) after 30 seconds is determined.
[0045]
1-4. Melt flow rate (g / 10 minutes)
The measurement was performed according to the method specified in JIS K6730. The measurement was performed at 190 ° C.
[0046]
1-5. Evaluation of semiconductor wafer warpage
On a surface of an 8-inch silicon wafer (hereinafter abbreviated as PI wafer, about 200 mm in diameter, 740 μm in thickness) having a 15 μm-thick polyimide film attached to the surface of a semiconductor wafer, a surface protection adhesive film is coated with an adhesive layer. After that, the wafer is adhered using a hand roller, and the back surface of the wafer is ground using a back surface grinding machine (manufactured by Disco Co., Ltd., type: DFG860) until the thickness becomes 75 μm to make it thinner. After the thinning, the PI wafer with the surface protection adhesive film stuck thereon is placed on a hot plate (manufactured by Advantech Co., type: Using TP-320), heat at 180 ° C. for 2 minutes. After cooling, the PI wafer is placed on the surface plate with the surface protective adhesive film affixed side facing up, and the maximum distance between the surface plate and the back surface of the wafer is measured to determine the amount of wafer warpage. The evaluation was performed on 10 PI wafers, and the average value is shown.
[0047]
1-6. Semiconductor wafer breakage (number)
The figure shows the number of damaged semiconductor wafers in a semiconductor wafer back surface grinding step, a die bonding adhesive film sticking step, and a surface protection adhesive film peeling step. Ten PI wafers were evaluated and the number of damaged wafers is shown.
[0048]
2. Production example of adhesive film for surface protection
2-1. Production example 1 of base film
A 75 μm polyethylene naphthalate film (Teonex manufactured by Teijin DuPont Co., Ltd., storage elastic modulus at 50 ° C. 2.8 GPa, storage elastic modulus at 200 ° C. 0.19 GPa) was selected as the heat-resistant film layer, and the melt flow rate was set to 150 ( g / 10 min) of an ethylene-vinyl acetate copolymer (EV420, manufactured by Du Pont-Mitsui Co., Ltd.) film (thickness: 195 μm) was laminated by corona discharge treatment. Corona discharge treatment was also applied to the side of the ethylene-vinyl acetate copolymer forming the pressure-sensitive adhesive layer. Film 1 having a total thickness of the base film of 270 μm was prepared. The residual stress rate of an ethylene-vinyl acetate copolymer having a melt flow rate of 150 (g / 10 minutes) (EV420, manufactured by Du Pont-Mitsui Co., Ltd.) was 0.02%.
[0049]
2-2. Production example 2 of base film
A 75 μm polyethylene naphthalate film (Teonex, manufactured by Teijin DuPont Co., Ltd.) was selected as the heat-resistant film layer, and an ethylene-vinyl acetate copolymer (Mitsui DuPont Co., Ltd.) was prepared by adjusting the melt flow rate to 60 (g / 10 minutes). (Film thickness: 195 μm) was laminated by performing a corona discharge treatment. Corona discharge treatment was also applied to the side of the ethylene-vinyl acetate copolymer forming the pressure-sensitive adhesive layer. Film 2 having a total thickness of the base film of 270 μm was prepared. The residual stress rate of the ethylene-vinyl acetate copolymer (manufactured by Mitsui DuPont) whose melt flow rate was adjusted to 60 (g / 10 minutes) was 0.03%.
[0050]
2-3. Production example 3 of base film
A 75 μm polyethylene naphthalate film (Teonex manufactured by Teijin DuPont) was selected as a heat-resistant film layer, and an ethylene-vinyl acetate copolymer having a melt flow rate of 30 (g / 10 minutes) (EV150 manufactured by DuPont Mitsui) was selected. ) A film (thickness: 195 µm) was laminated by performing a corona discharge treatment. Corona discharge treatment was also applied to the side of the ethylene-vinyl acetate copolymer forming the pressure-sensitive adhesive layer. Film 2 having a total thickness of the base film of 270 μm was prepared. The residual stress rate of the ethylene-vinyl acetate copolymer (manufactured by Du Pont-Mitsui Co., Ltd.) whose melt flow rate was adjusted to 30 (g / 10 minutes) was 0.04%.
[0051]
2-4. Production example 4 of base film
A 75 μm polyethylene naphthalate film (Teonex, manufactured by Teijin Dupont Co., Ltd.) was selected as the heat-resistant film layer, and the melt flow rate was set to 15 (g / 10 minutes) with an ethylene-vinyl acetate copolymer (EV250, manufactured by Du Pont-Mitsui Co., Ltd.). ) A film (thickness: 195 µm) was laminated by performing a corona discharge treatment. Corona discharge treatment was also applied to the side of the ethylene-vinyl acetate copolymer forming the pressure-sensitive adhesive layer. Film 4 having a total thickness of the base film of 270 μm was prepared. The residual stress rate of the ethylene-vinyl acetate copolymer (EV250 manufactured by Du Pont-Mitsui Co., Ltd.) having a melt flow rate of 15 (g / 10 minutes) was 0.22%.
[0052]
2-5. Production example 5 of base film
A 75 μm polyethylene naphthalate film (Teonex manufactured by Teijin DuPont Co., Ltd.) was selected as the heat-resistant film layer, and the melt flow rate was set to 3 (g / 10 minutes) by an ethylene-α-olefin copolymer (Tuffmer manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) (Registered trademark) A-4070) film (thickness: 195 μm) was laminated by performing a corona discharge treatment. Corona discharge treatment was also applied to the ethylene-α-olefin copolymer forming the pressure-sensitive adhesive layer. Film 5 having a total thickness of the base film of 270 μm was prepared. The residual stress rate of the ethylene-α-olefin copolymer having a melt flow rate of 3 (g / 10 minutes) was 0.02%.
[0053]
2-6. Comparative Production Example 1 of Base Film
A 75 μm polyethylene naphthalate film (Teonex, manufactured by Teijin DuPont Co., Ltd.) was selected as the heat-resistant film layer, and an ethylene-vinyl acetate copolymer having a melt flow rate of 2.5 (g / 10 minutes) (Mitsui DuPont Co., Ltd.) EV460) film (thickness: 195 μm) was laminated by performing a corona discharge treatment. Corona discharge treatment was also applied to the side of the ethylene-vinyl acetate copolymer forming the pressure-sensitive adhesive layer. Film 6 having a total thickness of the base film of 270 μm was prepared. The residual stress rate of the ethylene-vinyl acetate copolymer (EV460, manufactured by Du Pont-Mitsui Co., Ltd.) was 8%.
[0054]
2-7. Comparative Production Example 2 of Base Film
A 75 μm polyethylene naphthalate film (Teonex manufactured by Teijin DuPont) was selected. The surface on the side where the pressure-sensitive adhesive layer was formed was subjected to a corona discharge treatment to obtain a film 7.
[0055]
2-8. Comparative Production Example 3 of Base Film
A 50 μm biaxially stretched polypropylene film (storage modulus at 50 ° C .: 1.3 GPa, storage modulus at 170 ° C .: 1.0 MPa) was selected as the heat-resistant film layer, and a melt flow rate of 150 (g / 10 min) was selected. An ethylene-vinyl acetate copolymer (EV420, manufactured by DuPont Mitsui) film (thickness: 195 μm) was laminated by performing corona discharge treatment. Corona discharge treatment was also applied to the side of the ethylene-vinyl acetate copolymer forming the pressure-sensitive adhesive layer. Film 8 having a total thickness of the base film of 245 μm was prepared. The residual stress rate of the ethylene-vinyl acetate copolymer (EV420 manufactured by Du Pont-Mitsui Co., Ltd.) was 0.02%.
[0056]
2-9. Production example of adhesive base
In a polymerization reactor, 150 parts by weight of deionized water, 0.64 part by weight of 4,4′-azobis-4-cyanovaleric acid [manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., trade name: ACVA] as a polymerization initiator, and a monomer ( 62.25 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 18 parts by weight of n-butyl acrylate and 12 parts by weight of methyl methacrylate as A), 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate as monomer (B), methacrylic acid 2 parts by weight of an acid, 1 part by weight of acrylamide, 1 part by weight of polytetramethylene glycol diacrylate (manufactured by NOF Corporation, trade name: ADT-250) as a monomer (C), and polyoxyethylene nonylphenyl as a water-soluble comonomer Ammonium salt of a sulfate ester of ether (average number of moles of ethylene oxide added: about 20) A benzene ring having a polymerizable 1-propenyl group introduced therein (manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., trade name: AQUALON HS-10) is charged at 0.75 parts by weight and stirred at 70 to 72 ° C. Emulsion polymerization was carried out for 8 hours to obtain an acrylic resin emulsion. This was neutralized (pH = 7.0) with 9% by weight of aqueous ammonia to obtain an acrylic pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive main agent 1) having a solid content of 42.5% by weight.
[0057]
2-10. Production Examples 1 to 5 of Adhesive Film
The pressure-sensitive adhesive coating liquid 1 was applied to a polypropylene film (release film, thickness: 50 μm) using a roll coater, and dried at 120 ° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm. The corona-discharge treated surfaces of the above base films 1 to 5 were bonded to each other and pressed to transfer the pressure-sensitive adhesive layer. After the transfer, the resultant was heated at 60 ° C. for 48 hours, and then cooled to room temperature to produce pressure-sensitive adhesive films 1 to 5 for semiconductor wafer surface protection. The adhesive strength was 120 g / 25 mm, 125 g / 25 mm, 125 g / 25 mm, 125 g / 25 mm and 120 g / 25 mm, respectively.
[0058]
2-11. Comparative production example of adhesive film
The pressure-sensitive adhesive coating liquid 1 was applied to a polypropylene film (release film, thickness: 50 μm) using a roll coater, and dried at 120 ° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm. The corona discharge-treated surfaces of the base films 6, 7, and 8 were bonded and pressed to transfer the pressure-sensitive adhesive layer. After the transfer, the resultant was heated at 60 ° C. for 48 hours, and then cooled to room temperature to produce pressure-sensitive adhesive films 6 to 8 for protecting the surface of the semiconductor wafer. The adhesive strength was 120 g / 25 mm, 100 g / 25 mm and 100 g / 25 mm, respectively.
[0059]
3-1. Example 1 of protection method
The protective performance of the semiconductor wafer surface protection adhesive film 1 on a semiconductor wafer (PI wafer) was evaluated. A backside grinding machine (manufactured by Disco Corporation) with the adhesive film 1 for protecting the semiconductor wafer surface adhered to the entire surface of ten PI wafers (diameter: 8 inches, thickness: 750 μm) in which integrated circuits were incorporated. The back surface of the wafer was ground to a thickness of 75 μm using a DFG860). Next, with the adhesive film 1 for protecting the surface of the semiconductor wafer still attached, the back surface of the semiconductor wafer was heated at 180 ° C. using an adhesive film attaching machine for die bonding (manufactured by Takatori Co., Ltd., type: DM-800). An adhesive film for die bonding (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name: High Attach) was attached to the substrate. As a result, even though the wafer was pressed by the roll built into the adhesive film bonding machine for die bonding, warpage of the PI wafer was caused when bonding the adhesive film to all ten semiconductor wafers. No cracking occurred. In addition, there was no problem in transferring the wafer from the chuck table by the arm after the die bonding adhesive film was attached. Table 1 describes this phenomenon as OK. Further, the pressure-sensitive adhesive film 1 for protecting the surface of the semiconductor wafer was peeled from the PI wafer surface using a peeling machine (Model: HR8500II, manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.). No cracking of the PI wafer occurred during peeling. Further, no contamination such as adhesive residue was observed on the PI wafer surface after peeling the semiconductor wafer surface protection pressure-sensitive adhesive film 1.
Separately, the back surface of the wafer was ground to a thickness of 75 μm in the same manner as described above for ten other PI wafers (diameter: 8 inches, thickness: 740 μm), and then the semiconductor wafer surface protection adhesive film 1 was adhered. In this state, heating was performed at 180 ° C. for 2 minutes, and the amount of warpage after heating was measured. As a result, the amount of warpage of the wafer was 3 mm. Table 1 shows the obtained results.
[0060]
3-2. Examples 2 to 5 of protection method
The same method as in Example 1 of the protection method was performed, except that the pressure-sensitive adhesive films 2 to 5 for protecting the semiconductor wafer surface were used. Table 1 shows the obtained results.
[0061]
3-3. Comparative example 1 of protection method
A method similar to that of Example 1 of the protection method was performed, except that the adhesive film 6 for protecting the semiconductor wafer surface was used. As a result, the wafer was greatly warped due to the heat at the time of bonding the adhesive film for die bonding, and the transfer by the arm from the chuck table could not be performed on all 10 PI wafers due to poor suction. Table 1 describes this phenomenon as an error. The amount of warpage of the wafer after heating at 180 ° C. for 2 minutes after the backside grinding was 25 mm in the direction of the surface to which the pressure-sensitive adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface was attached. Table 1 shows the obtained results.
[0062]
3-4. Comparative Example 2 of protection method
A method similar to that of Example 1 of the protection method was used, except that the semiconductor wafer surface protection adhesive film 7 was used. As a result, the wafer was greatly warped due to the heat at the time of bonding the adhesive film for die bonding, and the transfer by the arm from the chuck table could not be performed on all 10 PI wafers due to poor suction. Table 1 describes this phenomenon as an error. As a result of the evaluation of the amount of wafer warpage, the amount of warpage after heating at 180 ° C. for 2 minutes was 20 mm in the direction of the surface where the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer was attached. Table 1 shows the obtained results.
[0063]
3-5. Comparative Example 3 of protection method
A method similar to that of Example 1 of the protection method was performed, except that the adhesive film 8 for protecting the surface of the semiconductor wafer was used. As a result, the heat of bonding the adhesive film for die bonding causes the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface to be fused to the chuck table, and the transfer from the chuck table to the arm is defective. Could not be transported. Table 1 describes this phenomenon as an error. In the evaluation of the amount of wafer warpage, the base film was melted during heating at 180 ° C., and the amount of wafer warpage could not be measured.
[0064]
[Table 1]

[0065]
【The invention's effect】
By using the pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface according to the present invention, even if the semiconductor wafer is thinned to a thickness of about 100 μm or less and exposed to a high temperature in a die bonding step, the warpage of the semiconductor wafer is caused. Can be corrected, and damage during wafer transfer can be prevented.

Claims

A pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface having a pressure-sensitive adhesive layer formed on one surface of a substrate film, wherein the substrate film has a storage elastic modulus of at least 23 to 200 ° C. of 1 × 10 ⁷ to 1 × 10 ¹⁰ Pa. And a resin layer having a residual stress rate of 0.5 (%) or less after 30 seconds at 120 ° C.

A resin layer having a residual stress of 0.5 (%) or less after 30 seconds at 120 ° C. has a melt flow rate (hereinafter referred to as MFR) at 190 ° C. specified in JIS K6730 of 15 to 200 (unit: g / 10). 2. The pressure-sensitive adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein

The first step of attaching the semiconductor wafer surface protection adhesive film to the circuit formation surface of the semiconductor wafer, the second step of processing the circuit non-formation surface of the semiconductor wafer are sequentially performed, and then the semiconductor wafer surface protection adhesive film is removed. A method for protecting a semiconductor wafer in a manufacturing process of a semiconductor wafer, comprising a third step of attaching an adhesive film for die bonding to a circuit non-formed surface of the semiconductor wafer without peeling, the method comprising: A method for protecting a semiconductor wafer, comprising using the pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface according to claim 1.

The method according to claim 3, wherein the second step includes at least one step selected from a back surface grinding step, a wet etching step, and a polishing step.

The method according to claim 3, wherein the thickness of the semiconductor wafer after the second step is 100 μm or less.