JP2004031954A - 収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック及びｅｕｖ露光装置 - Google Patents
収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック及びｅｕｖ露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004031954A JP2004031954A JP2003174518A JP2003174518A JP2004031954A JP 2004031954 A JP2004031954 A JP 2004031954A JP 2003174518 A JP2003174518 A JP 2003174518A JP 2003174518 A JP2003174518 A JP 2003174518A JP 2004031954 A JP2004031954 A JP 2004031954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- chuck
- sensitive substrate
- deformed
- aberration correction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/703—Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
- G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【課題】ＥＵＶリソグラフィーにおいて、収差を補正するためのシステム、レチクルチャック等を提供することを目的とする。
【解決手段】レチクルを載置する変形レチクルチャックと、 前記レチクルの高さを測定するレチクル高さセンサと、 感応基板を載置する感応基板チャックと、 前記レチクルにＥＵＶ光を照射し、レチクルで反射されたＥＵＶ光を前記感応基板に投影する光学系であって、該光学系の射出瞳の近傍に変形ミラーを有する光学系と、 前記レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックと前記変形ミラーを制御するコントローラと、を備えることを特徴とする収差補正システムとした。
【選択図】 図１
【解決手段】レチクルを載置する変形レチクルチャックと、 前記レチクルの高さを測定するレチクル高さセンサと、 感応基板を載置する感応基板チャックと、 前記レチクルにＥＵＶ光を照射し、レチクルで反射されたＥＵＶ光を前記感応基板に投影する光学系であって、該光学系の射出瞳の近傍に変形ミラーを有する光学系と、 前記レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックと前記変形ミラーを制御するコントローラと、を備えることを特徴とする収差補正システムとした。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＵＶリソグラフィー技術に関する。特には、ＥＵＶリソグラフィーにおける収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック、ＥＵＶ露光装置、半導体デバイス、感応基板、半導体デバイス製造方法及び露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長（１１〜１４ｎｍ）のＸ線を使用した投影リソグラフィー技術が開発されている（例えば、非特許文献１参照）。この技術は、最近ではＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）リソグラフィーと呼ばれており、従来の波長１９０ｎｍの光線を用いた光リソグラフィーでは実現不可能な、７０ｎｍ以下の解像力を得られる技術として期待されている。
【０００３】
【非特許文献１】
Ｄ． Ｔｉｃｈｅｎｏｒ， ｅｔ ａｌ．、「ＳＰＩＥ」、１９９５年、第２４３７巻、ｐ．２９２
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＥＵＶリソグラフィー装置（ＥＵＶ露光装置）の光学性能を悪化させる要因にはいろいろなものがある。例えば、投影光学ミラーの製造誤差や、装置の動作中に照明領域で熱によって生じる変動のため、光学収差（ｏｐｔｉｃａｌ ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ）が生じ、感応基板（ウエハ）での像質が悪化する。また、ディストーション（ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ、ｉｍａｇｅ ｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｅｒｒｏｒ）も生じる。さらに、光学系はレチクル側が非テレセントリックな光学系であるため、レチクル（マスク）の高さが変化すると（例えば、レチクルの平坦性が悪い場合）、ウエハ上でディストーションが生じる。
【０００５】
ＥＵＶリソグラフィーにおいて、レチクルは反射型である。そして、レチクルのパターン面は多層膜からなり、多層膜の反射率は０．６５程度である。つまり、レチクルに入射するＥＵＶ光の多くはレチクルに吸収されるため、レチクルを冷却する必要がある。また、高スループットのＥＵＶリソグラフィー装置では、レチクルステージを８Ｇ（Ｇは重力加速度）以上の加速度で移動することが求められている。そのため、ステージの移動（加速）でレチクルがステージから滑り落ちたり、変形することを防ぐために、レチクルをしっかりと保持する必要がある。さらに、多層膜は圧縮応力を有し、レチクルはわずかに曲がる可能性があるため、そのレチクル湾曲をチャックの吸着により平坦に戻す必要がある。
【０００６】
レチクルをリソグラフィー装置（露光装置）に保持する際、透過型レチクルではパターンの周縁部をチャック（ｃｈｕｃｋ）で吸着しているが、反射型レチクルではパターンが形成されていない面（非パターン面、被吸着面）を吸着している。レチクルが反射型であるため、レチクルへの照明光の入射角度はほぼ垂直になっている。そのため、レチクルのパターンが形成されている面（パターン面）の高さが変化すると、ウエハ上で像の位置ずれやディストーションが生じる。また、レチクルの被吸着面又はチャックの吸着面が平坦でない場合や、吸着時にレチクルとチャックの間にごみ等の粒子が存在する場合、又はレチクルのパターン面が歪んでいる場合には、ウエハ上で生じる像の位置ずれやディストーションの量がさらに大きくなるという問題があった。
【０００７】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、ＥＵＶリソグラフィー又は投影露光装置において、光学収差やディストーション（以下、まとめて収差と記載することもある）を補正するためのシステム、レチクルチャック、ＥＵＶ露光装置等を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係る収差補正システムは、 ＥＵＶリソグラフィーにおいて、収差を補正するためのシステムであって、 レチクルを載置する変形レチクルチャックと、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルの高さを測定するレチクル高さセンサと、 感応基板を載置する感応基板チャックと、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルにＥＵＶ光を照射し、レチクルで反射されたＥＵＶ光を前記感応基板チャックに載置された感応基板に投影する光学系であって、該光学系の射出瞳の近傍に変形ミラーを有する光学系と、 前記レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックと前記変形ミラーを制御するコントローラと、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明においては、 前記感応基板チャックに載置された感応基板の高さを測定する感応基板高さセンサをさらに備え、 前記コントローラは、さらに前記感応基板高さセンサによって測定された感応基板の高さに基づいて、前記レチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックと前記変形ミラーを制御することが好ましい。
【００１０】
また、本発明においては、 前記感応基板チャックは変形感応基板チャックであり、 前記コントローラは、前記レチクル像の収差を補正するように、前記変形感応基板チャックをさらに制御することが好ましい。
【００１１】
本発明においては、 前記レチクルは電気伝導性膜を有し、 前記変形レチクルチャックは、 トップ面を有する支持体と、 前記支持体上に設けられた変形メンブレンであって、誘電体物質からなる誘電体層と電気伝導性物質からなる電気伝導体層を有する変形メンブレンと、 前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層の間に静電吸着力を発生させるために、前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層につながれた電圧電源と、 前記支持体を貫通して支持体のトップ面から突き出て、前記変形メンブレンにつながり変形メンブレンを支持するアクチュエータロッドであって、前記支持体のトップ面と前記変形メンブレンとの間に空間を形成し、複数のアクチュエータのそれぞれに連結されたアクチュエータロッドと、 前記空間に入っている熱伝導ガスと、を有することが好ましい。
【００１２】
また、本発明においては、 前記支持体は、冷媒を通すための貫通孔を有することが好ましい。
【００１３】
本発明においては、 前記アクチュエータロッドの調整が終わった後にアクチュエータロッドを固定するためのクランププレートをさらに備えることが好ましい。
【００１４】
本発明に係る収差補正方法は、 ＥＵＶリソグラフィーにおいて、収差を補正する方法であって、 レチクルを変形レチクルチャックに載置する工程と、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルの高さをレチクル高さセンサによって測定する工程と、 感応基板を感応基板チャックに載置する工程と、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルにＥＵＶ光を照射し、レチクルで反射されたＥＵＶ光を光学系により前記感応基板チャックに載置された感応基板に投影する際に、該光学系の射出瞳の近傍に配置された変形ミラーを介して投影する工程と、 前記レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックを制御する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、レチクルを変形レチクルチャックに載置し、レチクル高さセンサでレチクル表面の高さを測定する。光学系は変形レチクルチャックに載置されたレチクル上にＥＵＶ光を照射する。また、光学系はウエハチャックに載置されたウエハ上にレチクルからの反射ＥＵＶ光を投影する。この光学系の射出瞳の近傍（例えば、光学系の複数の反射鏡のうち最終段の反射鏡近傍）には、変形ミラーが配置されている。そして、レチクル高さセンサで測定したレチクルの高さに基づいて、変形レチクルチャックを制御し、光学系でウエハ上に形成されたレチクル像の光学収差やディストーションを補正しているので、光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を除去することができる。
【００１６】
本発明においては、 前記レチクルは電気伝導性膜を有し、 前記変形レチクルチャックは、 トップ面を有する支持体と、 前記支持体上に設けられた変形メンブレンであって、誘電体物質からなる誘電体層と電気伝導性物質からなる電気伝導体層を有する変形メンブレンと、 前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層の間に静電吸着力を発生させるために、前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層につながれた電圧電源と、 前記支持体を貫通して支持体のトップ面から突き出て、前記変形メンブレンにつながり変形メンブレンを支持するアクチュエータロッドであって、前記支持体のトップ面と前記変形メンブレンとの間に空間を形成し、複数のアクチュエータのそれぞれに連結されたアクチュエータロッドと、 前記空間に入っている熱伝導ガスと、を有することが好ましい。
【００１７】
また、本発明においては、 前記支持体に形成された貫通孔を介して冷媒を通す工程をさらに有することが好ましい。
【００１８】
本発明においては、 前記アクチュエータロッドの調整が終わった後にアクチュエータロッドを固定する工程をさらに有することが好ましい。
【００１９】
また、本発明においては、 前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形ミラーを制御する工程をさらに有することが好ましい。
【００２０】
本発明においては、 前記感応基板チャックに載置された感応基板の高さを感応基板高さセンサによって測定する工程と、 前記感応基板高さセンサによって測定された感応基板の高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックを制御する工程と、をさらに有することが好ましい。
【００２１】
本発明に係る変形レチクルチャックは、 電気伝導性膜を有するレチクルを載置する変形レチクルチャックであって、 トップ面を有する支持体と、 前記支持体上に設けられた変形メンブレンであって、誘電体物質からなる誘電体層と電気伝導性物質からなる電気伝導体層を有する変形メンブレンと、 前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層の間に静電吸着力を発生させるために、前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層につながれた電圧電源と、 前記支持体を貫通して支持体のトップ面から突き出て、前記変形メンブレンにつながり変形メンブレンを支持するアクチュエータロッドであって、前記支持体のトップ面と前記変形メンブレンとの間に空間を形成し、複数のアクチュエータのそれぞれに連結されたアクチュエータロッドと、 前記空間に入っている熱伝導ガスと、を備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、変形レチクルチャックは、支持体、変形メンブレン、電圧電源（例えば、バッテリー等）、アクチュエータロッドを有する。アクチュエータロッドは、支持体を貫通して支持体の表面から突き出て、変形メンブレンにつながっている。変形メンブレンと支持体表面との間の空間には熱伝導ガス（例えば、ヘリウム等）が入っている。このような構成にすることにより、容易に光学収差やディストーションを除去することができる。このとき、アクチュエータロッドを複数のアクチュエータのそれぞれに弱い弾性体（ばね、スプリング）を介して連結してもよい。
【００２３】
本発明においては、 前記支持体は、冷媒を通すための貫通孔を有することが好ましい。
【００２４】
また、本発明においては、 前記アクチュエータロッドの調整が終わった後にアクチュエータロッドを固定するためのクランププレートをさらに備えることが好ましい。
【００２５】
本発明に係るＥＵＶ露光装置は、 照明光源と、 レチクルを載置する変形レチクルチャックと、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルの高さを測定するレチクル高さセンサと、 感応基板を載置する感応基板チャックと、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルにＥＵＶ光を照射し、レチクルで反射されたＥＵＶ光を前記感応基板チャックに載置された感応基板に投影する光学系であって、該光学系の射出瞳の近傍に変形ミラーを有する光学系と、 前記レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックと前記変形ミラーを制御するコントローラと、 前記感応基板チャックの少なくとも一部を覆う感応基板チャンバと、を備えることを特徴とする。
【００２６】
本発明に係る半導体デバイスは、 上記のＥＵＶ露光装置を用いて製造されたことを特徴とする。
【００２７】
本発明に係る感応基板は、 上記のＥＵＶ露光装置を用いて像が形成されていることを特徴とする。
【００２８】
本発明に係る半導体デバイス製造方法は、 上記のＥＵＶ露光装置を用いて半導体デバイスを製造することを特徴とする。
【００２９】
本発明に係る露光方法は、 上記のＥＵＶ露光装置を用いて感応基板上にパターンを形成することを特徴とする。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ説明する。
【００３１】
図１は、本発明の収差補正システムを有するＥＵＶ露光装置の一部を模式的に示す図である。不図示の光源から射出されたＥＵＶ光は、変形レチクルチャック（ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ ｒｅｔｉｃｌｅ ｃｈｕｃｋ）１０上に載置されたレチクル１５に入射する。レチクル１５で反射されたＥＵＶ光は、光学系３０によって変形ウエハチャック（ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ ｗａｆｅｒ ｃｈｕｃｋ）２０上に載置されたウエハ２５に結像する。光学系３０は、複数の中間反射鏡３５と光学系３０の射出瞳（不図示）の近傍に配置された最終段の反射鏡である変形ミラー（ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ ｍｉｒｒｏｒ）４０を有する。また、ＥＵＶ露光装置はレチクル高さセンサ１６とウエハ高さセンサ２６を有する。コントローラ１８は、レチクル高さセンサ１６からの信号情報を処理し、変形レチクルチャック１０を調整する。コントローラ２８は、ウエハ高さセンサ２６からの信号情報を処理し、変形ウエハチャック２０を調整する。
【００３２】
回折限界システムでの収差理論については、例えば、Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ｏｆ Ｏｐｔｉｃｓ， Ｃｈａｐ． ９， ｉｎ Ｂｏｒｎ ａｎｄ Ｗｏｌｆに記載されている。収差を補正する最適の位置は、光学系の射出瞳の位置である。射出瞳では、収差が無い場合、球面波がガウス像面でその中心に収束する。反射光学投影システムでは、ウエハ直前の最終段のミラーが射出瞳の近傍に配置されるため、この最終段のミラーが収差の補正に最適なミラーである。一般に、射出瞳と共役な位置も収差の補正に利用することができる。しかし、ＥＵＶ反射鏡の多層膜の反射率はとても低いので、反射鏡（面）の数はできるだけ少なくする必要があり、補正用ミラーを新たに設けることは好ましくない。
【００３３】
収差がある場合、波面（ｗａｖｅ ｆｒｏｎｔ）は射出瞳で特徴的な形状を有する。一般的な円形瞳では、さまざまな収差の波面は、瞳中心からの半径ｒと方位角θのみに依存するＺｅｒｎｉｋｅ多項式によって特徴づけることができる。ディストーションによって生じる波面形状は半径ｒに一次従属である。また、他の多くの収差によって生じる波面形状も半径ｒに一次従属である。そして、他の収差を補正するため、ミラー表面の測定や調整を行う際に生じる誤差は新たな好ましくないディストーションを発生させる。
【００３４】
例えば、ミラーへの入射角がａで、ミラー表面が光軸に沿って距離ｚだけ移動した場合、光路長の変化は２ｚ／ｃｏｓａで表すことができる。ここで、ＥＵＶリソグラフィーは真空環境下で行われるため、屈折率を１．０としている。これは収差波面の変位を表しており、入射角ａが小さい場合には、収差波面の変位量はミラー表面の移動量の２倍に相当することになる。収差波面の球面波からのずれは１ｎｍ程度と予想されるので、ミラー表面を０．５ｎｍ以上の精度で制御する必要があり、ミラー制御は非常に高い精度が求められる。
【００３５】
このような条件下では、測定誤差や調整誤差のため、好ましくないディストーションが補正用ミラーによって生じる可能性がある。このような付加的なディストーションは、他に起因するディストーションと同様に、レチクル表面を適当に調整することで補正することができる。この補正は、後で詳述するように、変形レチクルチャック１０を用いて行うことができる。ウエハ２５でのディストーションの制御は、射出瞳で行うよりもレチクル１５で行うほうが容易である。なぜならば、ディストーションの補正の際、レチクル１５の高さ変化量を大きくすることができるからである。例えば、ウエハ２５でのディストーションを１ｎｍとすると、それに対応するレチクル１５の高さ変化は４０ｎｍになる。つまり、レチクル１５の制御精度を射出瞳でのミラー制御の精度よりも緩和することができる。ウエハ２５でのディストーションはセンサ又はテスト露光で求めることができる。レチクル高さセンサ１６でレチクル１５表面の高さを検出し、変形レチクルチャック１０の調整を適当に行う。
【００３６】
ＥＵＶ露光装置がステッパー（ｓｔｅｐｐｅｒ）方式の場合、適当なレチクル形状を一度決定したら、その後形状を変える必要はない。しかし、ステップアンドスキャン（ｓｔｅｐ ａｎｄ ｓｃａｎ）方式の場合、レチクル１５及びウエハ２５を相対的に同期走査し、輪帯状のＥＵＶ光でレチクル１５の回路パターンの全体をウエハ２５上の複数のショット領域の各々に転写する。ウエハ上での輪帯の大きさは、一例で、スキャン方向の幅が数ｍｍであり、長さはチップの幅と同じ２５〜３３ｍｍである。装置の縮小倍率（１／Ｍ）を１／４倍（Ｍ＝４）とすると、レチクル上での輪帯の大きさは、スキャン方向の幅が５〜１０ｍｍであり、長さが１００ｍｍ以上である。したがって、スキャン方向に沿って１０ｍｍ以内の範囲内で、レチクルを変形させる必要がある。レチクルの厚さが６．３５ｍｍの場合、１０ｍｍ以内の範囲内でレチクルの変形を行うためは、アクチュエータを高密度で配置する必要があり、実現するのは非常に難しい。したがって、投影光学系にもともと起因するディストーションのうち、スキャン方向でのディストーションの補正は、実際にはかなり制限される。
【００３７】
しかし、スキャン方向に垂直な方向では、レチクルの変形に適用できる範囲はより広い。また、変形量は輪帯中心からの距離に依存しているので、レチクルをスキャンするときに変化させる必要がない。したがって、スキャン方向に垂直な方向でのディストーションの補正はより容易に行うことができる。
【００３８】
図２及び図３は本発明の一実施の形態に係る変形レチクルチャックの構造を模式的に示す図であり、図２は平面図であり、図３は一部断面図である。図では、チャックの上方にレチクルを載置するように描いているが、実際のＥＵＶ露光装置では、上下を逆転してチャックの下方でレチクルを吸着することもある。
【００３９】
本実施の形態では、変形レチクルチャック１０は静電チャックである。レチクル１５の非パターン面（被吸着面）の表面は、金属膜のような電気伝導性物質で覆われている。図３では、ガラス又はセラミックからなるメインボディ１５１と、電気伝導性膜１５２とでレチクル１５を示している。
【００４０】
変形レチクルチャック１０の上部には、誘電体層５１と、この誘電体層５１の下に設けられた電気伝導体層５２の２層からなる変形メンブレン（ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ ｍｅｍｂｒａｎｅ）５８がある。この変形メンブレン５８は支持体５０の上方に設けられている。レチクル１５を変形レチクルチャック１０の上面に載置した後、レチクル１５の伝導性膜１５２と変形レチクルチャック１０の伝導体層５２とに接続された電圧電源５３から電圧を供給する。すると、伝導性膜１５２と伝導体層５２との間の誘電体層５１で静電吸着力が働く。ここで、誘電体層５１は伝導性膜１５２と伝導体層５２が短絡するのを防いでいる。
【００４１】
誘電体層５１と伝導体層５２の２層からなる変形メンブレン５８は、アクチュエータロッド６０に取り付けられている。アクチュエータロッド６０は、変形レチクルチャック１０の全面にわたって配置されているアクチュエータ（不図示）に取り付けられている。各アクチュエータロッド６０は支持体５０を貫通して支持体５０の表面（トップ面）から突き出ていて、各アクチュエータの駆動力に応じて上下に動くことができるようになっている。アクチュエータロッド６０は、図２に示すように、レチクル１５のうちウエハへの結像に寄与する領域であるロッド領域７０内に配置されている。変形メンブレン５８下の空間５６には、ヘリウムのような冷却ガスが大気圧よりやや小さい圧力で含まれている。冷却ガスを利用して、伝導によりレチクル１５の熱を変形メンブレン５８を通して支持体５０に移動する。支持体５０には冷媒を通すための貫通孔５５が設けられている。変形メンブレン５８は、その外周７５のリム７６で支持体５０と密着していて、密封シールの役割を果たしている。
【００４２】
使用するアクチュエータとして、２種類のアクチュエータが考えられる。変位アクチュエータ（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ａｃｔｕａｔｏｒ）は、レチクルと固定基板との間の距離を調整することによってレチクル形状を制御するものである。しかし、固定基板自身に歪みが発生することがあり、その歪みによるアクチュエータの変位が補正されない場合には、固定基板自身の歪みがレチクル形状を変化させてしまう。これに対し、フォースアクチュエータ（ｆｏｒｃｅ ａｃｔｕａｔｏｒ）は、変形に必要な力をレチクルに作用させてレチクル形状を制御するものである。したがって、固定基板が変形した場合でも、レチクルに作用する力が一定であればレチクル形状は変化しない。また、変位アクチュエータは微小な長さ変化を得るように調節することが困難である。さらに、変位アクチュエータをリソグラフィーへ応用することは、特に安定性の面で、適しているとはいえない。しかし、アクチュエータ（例えば、変位アクチュエータ）の固定端と変形メンブレン５８の裏面との間に弱い弾性体（ばね、スプリング）を挿入すると、アクチュエータの変位がわずかに変化しても、そのようなわずかな変化は弾性力に影響を及ぼさないため、レチクル形状はほとんど変化しなくなる。したがって、変位アクチュエータであっても、弱いばねの挿入等によってフォースアクチュエータと同様な安定性、制御容易性を有するように改良された変位アクチュエータであれば、フォースアクチュエータと同様にレチクル形状の制御に使用することができる。本実施の形態では、アクチュエータとアクチュエータロッド６０との間に弱いばね６５が挿入されている。
【００４３】
ここで、「弱い」ばねについて説明する。レチクルに要求される変位は非常に小さいので、線形性を仮定することができる。そして、レチクルを局所的に変位量δｚｍだけ変位するために、δＦの力が必要であるとする。レチクルの弾性特性に依存するレチクル力定数をＫｍとすると、変位量δｚｍと力δＦとの間には（１）式のような関係がある。
δｚｍ＝（ｄｚ／ｄＦ）ｍδＦ＝ＫｍδＦ ・・（１）
そして、力δＦはばねの圧縮により生じるものであり、ばねの圧縮量をΔｚｓ、ばね定数をｋｓとすると、力δＦは（２）式で表すことができる。
δＦ＝ｋｓΔｚｓ ・・（２）
（１）式と（２）式から、変位量δｚｍは（３）式で表すことができる。
δｚｍ＝ＫｍｋｓΔｚｓ ・・（３）
レチクルの変位量δｚｍはｎｍのオーダーであるため、そのような小さい変位を制御することは容易でない。しかし、ばねの圧縮量Δｚｓがｎｍのオーダーよりも大きくなるようにばね定数ｋｓを調整することにより、レチクル形状の制御は容易になる。そのため、別の種類のアクチュエータを使用することも可能となる。レチクルの力定数Ｋｍに対してばね定数ｋｓを十分小さくすることにより、上記のようにレチクル形状の制御を容易することができる。つまり、弱いばねとは、レチクルの力定数Ｋｍに対してばね定数ｋｓを十分小さくしたばねのことである。
【００４４】
一般に、ガス分子の平均自由行程がシステムの大きさに比べて小さい場合、ガスの熱伝導率は圧力によって変化しない。したがって、比較的低い圧力においても熱移動に影響を及ぼさずに熱伝導ガスを使用することができる。圧力が比較的低い場合、チャックのメンブレンの歪みを抑制することができるため有利である。メンブレンが大きく変形すると、メンブレンと平坦なレチクルの接触面積が小さくなり、熱移動の効率が悪化する。また、レチクルの歪みも大きくなる。
【００４５】
誘電体層５１と伝導体層５２の２層からなる変形メンブレン５８は、レチクル１５の裏面（被吸着面）と全面で接触するようにしている。これにより、静電吸着力を最大にし、ステージの移動（加速）でレチクルがステージから滑り落ちるのを防いでいる。変形メンブレン５８を用いることにより、レチクルの被吸着面が平坦でない場合やレチクルとチャックの間にごみ等の粒子が存在する場合であっても、レチクルの表面（パターン面）に不必要な変形が生じることがない。
【００４６】
アクチュエータロッド６０と連結されているアクチュエータ（不図示）は、コントローラ１８によって制御されている。このコントローラ１８による制御は、レチクル１５表面の高さを計測するレチクル高さセンサ１６からの信号情報に基づいて行われており、レチクル１５表面が所定の高さと形状になるようにレチクル１５の裏面を変形させている。したがって、非テレセントリックな光学系に起因するウエハ２５での像のディストーションを低減することができる。アクチュエータは、アクチュエータロッド６０を介してレチクル１５の裏面に必要な力を作用させている。レチクル１５を頻繁に変形させる必要はないので、アクチュエータロッド６０の調整後に、クランププレート６２でアクチュエータロッド６０を固定すると良い。固定することにより、アクチュエータの動力（ａｃｔｕａｔｏｒ ｐｏｗｅｒ）を止めることができ、安定性を高め、熱の発生を最小に抑えることができる。クランププレート６２はばね６５の下に設けられている。
【００４７】
所望のレチクル形状を得るために最適なレチクルチャックアクチュエータの設定を決める方法は、変形ミラー４０を調整する際にも同様に利用することができる。この方法はアダプティブ光学（ａｄａｐｔｉｖｅ ｏｐｔｉｃｓ）として知られている。この原理は、Ｊｏｈｎ Ｈａｒｄｙによって「Ａｃｔｉｖｅ Ｏｐｔｉｃｓ： ａ Ｎｅｗ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔ」、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ， Ｖｏｌ． ６６， ６５１ （１９７８）に記載されている。
【００４８】
図４は、距離ｄ＝１００μｍの間隔をあけて平行に置かれた２つの面における、圧力に対するヘリウム（Ｈｅ）ガスの熱伝達係数を示した図である。なお、図４はＤ． Ｗｒｉｇｈｔによって「Ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｅｔｃｈ ｃｈｕｃｋ： ｍｏｄｅｌｉｎｇ ａｎｄ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ ｏｆ ｈｅａｔ ｔｒａｎｓｆｅｒ ａｎｄ ｗａｆｅｒ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ」、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＶａｃｕｕｍＳｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ａ１０， １０６５ （１９９２）に記載されたものに基づいている。圧力が７６０Ｔｏｒｒ（大気圧）から５０Ｔｏｒｒ程度（大気圧の約６％）まで下がったとしても、熱伝達係数は１５％程度しか下がらないことがわかる。Ｈｅの平均自由行程は、圧力が５０Ｔｏｒｒ、温度が２５度で約２．９μｍであり、距離ｄ＝１００μｍに比べて小さい。しかし、ガスの熱伝達係数はチャックの寸法（例えば、チャックのメンブレンと支持体との間の距離）に依存する関数であり、チャックの寸法によって変化する。図５は、チャックのメンブレンと支持体との間の距離をｄとして、３種類のｄについて圧力に対するＨｅガスの熱伝達係数を示した図である。図５において、◆はｄ＝０．０１ｍｍ（１０μｍ）の場合の熱伝達係数変化を示し、■はｄ＝０．０５ｍｍ（５０μｍ）の場合の熱伝達係数変化を示し、▲はｄ＝０．１ｍｍ（１００μｍ）の場合の熱伝達係数変化を示す。距離ｄの値が小さいほど熱伝達係数は大きくなることがわかる。圧力が１００Ｔｏｒｒ、距離ｄが１００μｍの場合、熱伝達係数は約１３０５Ｗ／（ｍ２Ｋ）であり、大気圧下での熱伝達係数に比べて８％程度しか下がらない。このように、効率的な熱伝達を行うことができ、このチャックを現在の真空環境下で問題なく使用することができる。
【００４９】
ＥＵＶレチクルは真空環境下に置く必要があるので、このような構造の変形レチクルチャック１０を使用することができる。
【００５０】
アクチュエータに要求されるストロークは比較的小さい。しかし、変形レチクルチャック１０からレチクル１５を取り外すためのリフトピンとして使用する場合には、いくつかのアクチュエータのストロークを長くすると良い。静電チャックでは、帯電を除去するために必要な時間が長く残留吸着力が働くため、リフトピンの使用はレチクル１５の取外し時間短縮に有効である。
【００５１】
変形レチクルチャック１０を使用してレチクル１５表面の形状を調整し、ディストーションを補正する方法について、図６を参照しつつさらに詳しく説明する。図６は、非テレセントリック性又はレチクル変形がディストーションに及ぼす影響を説明する図であり、図６（Ａ）は非テレセントリック性に関する説明図であり、図６（Ｂ）はレチクル変形に関する説明図である。
【００５２】
まず、非テレセントリック性がディストーションに及ぼす影響について、図６（Ａ）を参照しつつ説明する。レチクルが設定高さから垂直方向に距離ｈずれると、照明光の入射面内で距離ｈｔａｎθずれた位置のレチクルパターンが反射されることになる。なお、ここでθとは照明光の入射角度を示し、入射面の法線と入射光の光軸がなす角度を示す。レチクル像がウエハ上で１／Ｍ倍に縮小されているとすると、ウエハ上でのディストーションは（４）式で表すことができる。
ｈｔａｎθ／Ｍ ・・（４）
例えば、入射角度θ＝６度、Ｍ＝４の場合、ウエハ上でのディストーションは約ｈ／４０である。
【００５３】
次に、レチクル変形がディストーションに及ぼす影響について、図６（Ｂ）を参照しつつ説明する。ここでは、もともと平坦であったレチクルが機械的に変形されて湾曲しているものとする。レチクルの変形が比較的小さい場合、長さがレチクル変形によって変化しない中間面（ｍｉｄｐｌａｎｅ）と呼ばれる面ｍがある。そして、この中間面ｍにもともと垂直な直線は、レチクル変形後も中間面ｍに垂直であり、その直線の長さも変化しない。レチクルに加えられる変形力によって、中間面ｍより上の面は引っ張られ、中間面ｍより下の面は圧縮されている。図６（Ｂ）には、中間面ｍに垂直な直線が等間隔で描かれている。レチクル表面（上面）において、変形後の中間面ｍに垂直な直線の間隔は変形前の間隔に比べてαｔ変化している。ここで、αは中間面ｍのある位置において変形前の中間面ｍに垂直な直線と変形後の中間面ｍに垂直な直線がなす角度を示し、ｔは中間面ｍとレチクル表面との間の距離を示す。したがって、ウエハ上でのディストーションは（５）式で表すことができる。
αｔ／Ｍ ・・（５）
なお、レチクル内部の特性が均一である場合、中間面ｍはレチクルの中央に位置する。
【００５４】
マスクパターン描画装置でレチクルにパターンを描画した後、パターンの位置誤差、ディストーションを検査装置で検査する。ディストーションが非常に大きい場合には、レチクルを修正又は交換する必要がある。ここで、レチクルの機械的な変形に起因するディストーションと、マスクパターン描画装置に起因する装置固有の位置誤差（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｅｒｒｏｒ）を区別しておかなければならない。マスクパターン描画装置と検査装置でレチクルの保持方法が同じである場合、機械的な変形に起因するディストーションは発生しないであろう。また、ＥＵＶ露光装置でのレチクル保持方法も描画装置と検査装置での保持方法と同じである場合には、機械的な変形に起因するディストーションは発生しないであろう。しかし実際には、装置間でレチクルの保持方法は異なるため、その補正が必要となる。この補正を行うため、レチクルを保持した際にレチクルの平坦度を測定する。平坦度の差は、図６（Ｂ）を参照して説明したディストーションと関連がある。検査装置での測定により、レチクル保持方法の違いによって付加されたディストーションが補正されるので、その結果、マスクパターン描画装置に固有のディストーションが決定される。同様に、マスクパターン描画装置とＥＵＶ露光装置とでレチクルの平坦度が異なる場合も補正する必要がある。ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックを平坦度調整が可能なものとすれば、レチクルの平坦度をマスクパターン描画装置での平坦度に対して補正することができる。したがって、ＥＵＶ露光装置においても、レチクルを保持した際にレチクルの平坦度を測定する必要がある。
【００５５】
マスクパターン描画装置のレチクルチャックは必ずしも完全な平坦性を有するものではない。また、レチクルブランク自身も完全な平坦性を有するものではない。さらに、レチクルとチャックの間にごみ等の粒子が入り込む場合もあり、レチクル面とチャック面が密着しないこともある。その結果、レチクル表面の変形が引き起こされるため、上記の補正が必要になる。理想的には、マスクパターン描画装置でレチクルの表面が平坦であれば、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックはその平坦性を再現すればよい。しかし、マスクパターン描画装置でレチクルの表面は平坦ではない。そして、ＥＵＶ露光装置ではその非平坦性を再現しているため、レチクルの高さがばらつくことになる。そのため、図６（Ａ）を参照して説明したように、非テレセントリック性によるディストーションがウエハ上で発生することになる。レチクルが平坦であればこのディストーションは除去されるが、平坦にするためにレチクルを変形させることによるディストーションが新たに発生する。従来のこの問題に対する唯一の解は、レチクル及びチャックの平坦度を高くして、残留高さ変化を許容範囲内に収めることである。
【００５６】
しかし、本発明により、ウエハ上でのディストーションを低減することができる。特に、レチクルの入射面内にあるディストーション成分を低減し、あるいは完全に除去することができる。基本的には、レチクル変形に起因するディストーションとレチクルの高さ変化に起因するディストーションを互いに打ち消し合わせることによって、このディストーションを低減している。図６（Ｂ）に示すように、一般に、レチクル表面が変形すると、レチクル高さと傾きの両方が変化する。レチクルの変形が小さい場合、角度αはレチクル表面の傾きと同じである。つまり、角度αは入射面の傾き成分を表している。レチクル変形によるレチクル高さの変化量をｈ’とすると、ウエハ上でのディストーションは（６）式で表すことができる。
ｈ’ｔａｎθ／Ｍ ・・（６）
となる。さらに、レチクル表面（上面）のディストーションによって生じるウエハ上でのディストーションは（５）式で表されるαｔ／Ｍである。したがって、ウエハ上での全ディストーションは、（４）〜（６）式より、（７）式で表すことができる。
ｈｔａｎθ／Ｍ＋ｈ’ｔａｎθ／Ｍ＋αｔ／Ｍ ・・（７）
（７）式に示す３成分がお互いに打ち消し合うように調整することができれば、ウエハ上でのディストーションのうち入射面に起因するディストーションを除去することができる。これについて以下に説明する。レチクル表面にＸＹ軸直交座標系を設定し、さらにＸ軸とＹ軸の両方に直交するＺ軸を設定する。そして、入射光を含む平面をＸ−Ｚ平面と一致させる。レチクルをチャックで吸着する前のレチクル表面の非平坦性を関数Ｚｒｅｔ（ｘ，ｙ）で表し、レチクル表面全体の平均高さとレチクル上の点（ｘ，ｙ）における表面高さの差（距離）をＺｒｅｔ（ｘ，ｙ）＝ｈとする。また、レチクルをレチクルチャックで吸着して変形したときのレチクルの変形を関数Ｚｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）で表し、レチクル上の点（ｘ，ｙ）における表面高さの変形量をＺｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）＝ｈ’とする。Ｘ軸に沿ったレチクルの傾きは（８）式で表すことができる。
【００５７】
【数１】
【００５８】
（７）〜（８）式より、ウエハ上での全ディストーションを零にするための条件として、（９）式の微分方程式が得られる。
【００５９】
【数２】
【００６０】
（９）式の解は、（１０）式で表すことができる。
【００６１】
【数３】
【００６２】
したがって、ｙが一定（ｙ＝定数）の平面では、ウエハ上でのディストーションは零になる。図７は、（７）式及び（９）式で表されるレチクル表面の非平坦性Ｚｒｅｔ（ｘ，ｙ）とレチクルの変形Ｚｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）を組み合わせて、ウエハ上でのディストーションを補正している様子について示した図である。
【００６３】
この補正方法では、ｙが一定（ｙ＝定数）の平面で、ディストーションのＸ成分を除去している。図８は、レチクル高さの分布を示す図であり、図８（Ａ）は高さ分布がｘのみに依存する場合を示す図であり、図８（Ｂ）は高さ分布がｘとｙに依存する場合を示す図である。図８（Ａ）に示すように、レチクルの高さ分布がｘのみに依存する場合、すなわち、Ｚｒｅｔ（ｘ，ｙ）≡Ｚｒｅｔ（ｘ）の場合、（１０）式で表される解はすべてのｙについて適用することができ、ウエハ上でのディストーションは完全に零になる。しかし、通常レチクル高さの分布は、図８（Ｂ）に示すように、ｘとｙの両方に依存する。この場合、ウエハ上でのディストーションを完全に零にすることはできないが、通常用いられる最適化手法によってＺｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）を適当に調整し、ディストーションのＸ成分を最小にすることができる。例えば、ウエハ上でのディストーションの残留Ｘ成分に関係する誤差関数（ｅｒｒｏｒ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）Ｄｘは、（１１）式で表すことができる。
【００６４】
【数４】
【００６５】
ここでは、Ｚｒｅｔを測定したすべての点（ｘｉ， ｙｊ）について計算している。また、関数ＺｐｌａｎｅはＤｘを最小にするために位置と方向が最適化された平面を表している。Ｚｐｌａｎｅはレチクルステージの方向と高さを調整することによって決まり、レチクルチャック形状を調整によって決まるものではないので、Ｚｐｌａｎｅ はＺｃｈｕｃｋと区別されている。Ｄｘを最小にするためにＺｐｌａｎｅ とＺｃｈｕｃｋの両方を調整することにより、ウエハ上でのディストーションの残留Ｘ成分を最小自乗法で最小にすることができる。一般に、ウエハ上での全ディストーションは、（入射光を含む平面での）Ｘ成分とＹ成分を含んでいる。Ｚｃｈｕｃｋ（ｘ）はｙに依存しないので、レチクルのＹ方向ではレチクル変形は起きない。そのため、ウエハ上でのディストーションのＹ成分は、この最適化によって影響を受けることはない。
【００６６】
非テレセントリック性のため、ウエハ上でのディストーションのＸ成分は、Ｙ成分よりも大きくなると考えられる。ある点での全ディストーションは、ディストーションのＸ成分ｄｘとＹ成分ｄｙのベクトル和で表され、その大きさは（ｄｘ２＋ｄｙ２）１／２である。したがって、Ｚｃｈｕｃｋもｙ依存性であり、Ｚｃｈｕｃｋ＝Ｚｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）の場合、ディストーションの大きさをより小さくすることができる。この場合、ウエハ上でのディストーションのＹ成分は大きくなるが、Ｘ成分の低減量がそれ以上であればディストーションの大きさをより小さくすることができる。この場合、ウエハ上でのディストーションのＸ成分とＹ成分の両方を含む新たな誤差関数Ｄｔｏｔは、（１２）式で表すことができる。
【００６７】
【数５】
【００６８】
この場合も、Ｄｔｏｔを最小にするためにＺｐｌａｎｅ とＺｃｈｕｃｋの両方を調整することにより、ウエハ上での残留ディストーションを最小自乗法で最小にすることができる。
【００６９】
ウエハ上でのディストーションを低減する上記の方法は、調整が一度しか行われないという意味では、スタティック（ｓｔａｔｉｃ）である。一度レチクルの形状を調整すると、レチクルチャックのアクチュエータをその位置で固定し、アクチュエータの動力（ａｃｔｕａｔｏｒ ｐｏｗｅｒ）を止める。しかし、このディストーション低減方法は、ＥＵＶ投影光学系によって生じるウエハ上での像のディストーションの補正等にも適用することができる。この場合、レチクルの他の部分が照明走査されてそのパターンがウエハ上に投影結像されている間も、レチクルをアクチュエータで常に調整する必要がある。このときの誤差関数Ｄｘは、（１３）式で表すことができる。
【００７０】
【数６】
【００７１】
ここで、ＤＰｏｘ（Ｘｉ，Ｙｊ）はＥＵＶ投影光学系によって生じるウエハ上でのディストーションであり、ＸｉとＹｊは像面の中心から測定した値であり、（ｘｉ， ｙｊ）は像面上の位置（Ｘｉ，Ｙｊ）に対応するレチクル上の点の位置である。また、像面上にある点又はそれに対応するレチクル上の点についてだけ計算を行う。レチクルの他の部分が照明走査されているとき、ＤＰｏｘ（Ｘｉ，Ｙｊ）は一定であるが、Ｚｒｅｔ（ｘｉ，ｙｊ）、Ｚｃｈｕｃｋ（ｘｉ，ｙｊ）、Ｚｐｌａｎｅ（ｘｉ，ｙｊ）は変化する。走査中、ＺｃｈｕｃｋとＺｐｌａｎｅを常に更新する必要がある。
【００７２】
このときの誤差関数Ｄｔｏｔは、（１４）式で表すことができる。
【００７３】
【数７】
【００７４】
レチクルが変形されているとき、チャックはレチクルの横方向の動きを制限するので、（１４）式において、レチクルの中間面（ｍｉｄｐｌａｎｅ）までの距離を表すｔは、実際のレチクルにおける中間面（ｍｉｄｐｌａｎｅ）までの距離と異なる可能性がある。レチクルがチャックと密着している場合、レチクルの横方向の動きは完全に制限される。また、レチクルとチャックが同じ物性を有する場合（熱膨張を考慮すると同じ物性であることが望ましい）、距離ｔはレチクルとチャックの厚さの合計の半分になる。レチクルとチャックが異なる物性を有する場合、又は、レチクルの横方向の動きが可能である場合、経験則やより洗練されたモデリング等のより複雑な方法によって距離ｔを決定する必要がある。
【００７５】
本実施の形態では、レチクルをＸ方向、すなわち、入射光を含む平面と平行な方向に走査しているものとする。レチクルの走査方向が入射光を含む平面と直交する場合、上記の説明を適当に変える必要がある。
【００７６】
変形チャックの考えはウエハ２５にも適用することができる。光学系のウエハ側はテレセントリックな光学系であり、ウエハの高さ変化はディストーションに影響しない。しかし、ウエハの高さ変化によって、焦点ぼけの誤差（ｄｅｆｏｃｕｓ ｅｒｒｏｒ）が生じ、収差の均衡に影響を及ぼす。また、投影光学系の像面湾曲（ｆｉｅｌｄｃｕｒｖａｔｕｒｅ）が完全に補正されていない場合、適当な高さ位置にある平坦なウエハであっても、像面で焦点ぼけの誤差の影響を受ける。像面湾曲は像面の中心から離れるほど大きくなる。したがって、走査方向と垂直な方向では像面の大きさがより大きいので、その方向で像面湾曲はより問題となる。次に、変形ウエハチャック２０を用いてウエハ２５にスタティックな変形を与える場合について説明する。
【００７７】
像面湾曲を補正するためにウエハを変形する場合、レチクルの場合と同様に、パターン領域にディストーションが生じる。しかし、Ｙ平面においてレチクルとウエハの両方の変形を適当に調整することにより、ディストーションの影響を打ち消すことができる。輪帯状のＥＵＶ光の幅は狭いため、走査方向に垂直な方向でのみ像面湾曲を補正すればよい。したがって、ディストーションの打ち消しは、Ｙ方向、すなわち、走査方向に直交する方向で行えばよい。変形ウエハチャックによって与える、像面湾曲を補正するために必要なウエハ表面の高さ変化Ｚｗａｆｅｒ（ｙｗ）とすると、この高さ変化によるディストーションは（１５）式で表すことができる。
【００７８】
【数８】
【００７９】
ここで、ｔｗはウエハ表面からウエハとウエハチャックを合わせて考えた中間面（ｍｉｄｐｌａｎｅ）までの距離であり、位置はウエハチップの座標系（ｘｗ， ｙｗ）で考えている。ウエハチップの座標系（ｘｗ， ｙｗ）に対応するレチクルの座標系を（ｘｒ， ｙｒ）とし、レチクル表面からレチクルとレチクルチャックを合わせて考えた中間面（ｍｉｄｐｌａｎｅ）までの距離をｔｒとすると、このときの誤差関数Ｄｒｗは、（１６）式で表すことができる。
【００８０】
【数９】
【００８１】
この場合も、Ｄｒｗを最小にするためにＺｐｌａｎｅ とＺｃｈｕｃｋの両方を調整することにより、像面湾曲の補正に影響を与えることなく、ウエハ上でのディストーションを最小自乗法で最小にすることができる。
【００８２】
ディストーションを最小にする方法は上記の説明に限らず、他の最適化方法を用いることができる。例えば、他の誤差関数を利用することができるし、また、最小自乗法以外の最適化方法を利用することもできる。変形ミラーの調整にも誤差関数を利用することができる。さらに、ディストーション以外の幾何収差を低減するために、変形ミラーと２つの変形チャックを同時に調整することもできる。
【００８３】
次に、本発明の実施の形態に係る軟Ｘ線（ＳＸＲ）光学機器としてのＸ線露光装置（ＥＵＶ露光装置）について図面を参照して説明する。
【００８４】
図９は、図１に示す収差補正システムを搭載したＥＵＶ露光装置の全体構成を示す図である。
【００８５】
このＥＵＶ露光装置は、露光用の照明光として、波長１３ｎｍ近傍の軟Ｘ線領域の光（以下、ＥＵＶ光）を用いて、ステップアンドスキャン方式により露光動作を行う投影露光装置である。
【００８６】
ＥＵＶ露光装置１１０の最上流部には、レーザ光源１１３が配置されている。レーザ光源１１３は、赤外域から可視域の波長のレーザ光を供給する機能を有し、例えば半導体レーザ励起によるＹＡＧレーザやエキシマレーザ等を使用する。レーザ光源１１３から発せられたレーザ光は、集光光学系１１５により集光され、下部に配置されたレーザプラズマ光源１１７に達する。レーザプラズマ光源１１７は、波長１３ｎｍ近傍のＸ線を効率よく発生することができる。
【００８７】
レーザプラズマ光源１１７には、図示せぬノズルが配置されており、キセノンガスを噴出する。噴出されたキセノンガスはレーザプラズマ光源１１７において高照度のレーザ光を受ける。キセノンガスは、高照度のレーザ光のエネルギーにより高温になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際にＥＵＶ光を放出する。ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低いため、その光路はチャンバ（真空室）１１９により覆われて外気が遮断されている。なお、キセノンガスを放出するノズルからデブリが発生するため、チャンバ１１９を他のチャンバとは別に配置する必要がある。
【００８８】
レーザプラズマ光源１１７の上部には、Ｍｏ／ＳＩ多層膜をコートした回転放物面反射鏡１２１が配置されている。レーザプラズマ光源１１７から輻射されたＸ線は、放物面反射鏡１２１に入射し、波長１３ｎｍ付近のＸ線のみが露光装置１１０の下方に向かって平衡に反射される。
【００８９】
回転放物面反射鏡１２１の下方には、厚さ０．１５μｍのＢｅ（ベリリウム）からなる可視光カットＸ線透過フィルター１２３が配置されている。放物面反射鏡１２１で反射されたＸ線の内、所望の１３ｎｍのＸ線のみが透過フィルター１２３を通過する。透過フィルター１２３付近は、チャンバ１２５により覆われて外気を遮断している。
【００９０】
透過フィルター１２３の下方には、露光チャンバ１４３が設置されている。露光チャンバ１４３内の透過フィルター１２３の下方には、照明光学系１２７が配置されている。照明光学系１２７は、コンデンサー系の反射鏡、フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており、透過フィルター１２３から入力されたＸ線を円弧上に整形し、図の左方に向かって照射する。
【００９１】
照明光学系１２７の図の左方には、Ｘ線反射鏡１２９が配置されている。Ｘ線反射鏡１２９は、図の右側の反射面１２９ａが凹型をした円形の回転放物円ミラーであり、保持部材により垂直に保持されている。Ｘ線反射鏡１２９は、反射面１２９ａが高精度に加工された石英の基板からなる。反射面１２９ａには、波長１３ｎｍのＸ線の反射率が高いＭｏとＳｉの多層膜が形成されている。なお、波長が１０〜１５ｎｍのＸ線を用いる場合には、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）等の物質、Ｓｉ、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｂ４Ｃ（４ホウ化炭素）等の物質とを組み合わせた多層膜でも良い。
【００９２】
Ｘ線反射鏡１２９の図の右方には、光路折り曲げ反射鏡１３１が斜めに配置されている。光路折り曲げ反射鏡１３１の上方には、反射型レチクル１３３が、反射面が下になるように水平に配置されている。照明光学系１２７から放出されたＸ線は、Ｘ線反射鏡１２９により反射集光された後に、光路折り曲げ反射鏡１３１を介して、反射型レチクル１３３の反射面に達する。
【００９３】
反射型レチクル１３３の反射面にも多層膜からなる反射鏡が形成されている。この反射膜には、ウエハ１３９に転写するパターンに応じたレチクルパターンが形成されている。反射型レチクル１３３は、その上部に図示されたレチクルステージ１３５にレチクルチャックを介して固定されている。レチクルステージ１３５は、少なくともＹ方向に移動可能であり、光路折り曲げ反射鏡１３１で反射されたＸ線を順次レチクル１３３上に照射する。
【００９４】
反射型レチクル１３３の下部には、順に投影光学系１３７、ウエハ１３９が配置されている。投影光学系１３７は、複数の反射鏡からなり、反射型レチクル１３３上のパターンを所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小し、ウエハ１３９上に結像する。ウエハ１３９は、ＸＹＺ方向に移動可能なウエハステージ１４１にウエハチャックを介して吸着等により固定されている。
【００９５】
露光チャンバ１４３にはゲートバルブ１４５を介して予備排気室１４７（ロードロック室）が設けられている。予備排気室１４７には真空ポンプ１４９が接続しており、真空ポンプ１４９の運転により予備排気室１４７は真空排気される。
【００９６】
露光動作を行う際には、照明光学系１２７により反射型レチクル１３３の反射面にＥＵＶ光を照射する。その際、反射投影光学系１３７に対して反射型レチクル１３３及びウエハ１３９を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の速度比で相対的に同期走査する。これにより、反射型レチクル１３３の回路パターンの全体をウエハ１３９上の複数のショット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転写する。なお、ウエハ１３９のチップは例えば２５×２５ｍｍ角であり、レジスト上で０．０７μｍＬ／ＳのＩＣパターンが露光できる。
【００９７】
投影光学系１３７は複数の多層膜反射鏡からなり、感応基板に最も近い多層膜反射鏡に、可視光、紫外光、軟Ｘ線などの波長が４００ｎｍ以下の光が照射されるようになっている。図１０に、投影光学系１３７を拡大した図を示す。図１０に示す投影光学系１３７は６枚の多層膜反射鏡１６２、１６３、１６４、１６５、１６６、１６７からなる。レチクル１３３から反射されたＥＵＶ光は、順次、多層膜反射鏡１６２、１６３、１６４、１６５、１６６、１６７で反射され、ウエハ１３９に到達し、ウエハ１３９にレチクルパターンが形成される。
【００９８】
図９に示す露光装置１１０においては、レチクルチャック及び／又はウエハチャックが上述した本発明の変形チャックである。また、露光装置１１０にはレチクル高さセンサとウエハ高さセンサが設けられ、レチクル高さセンサからの信号情報に基づいて変形レチクルチャックを調整し、ウエハ高さセンサからの信号情報に基づいて変形ウエハチャックを調整している。さらに、図１０の投影光学系においては、ウエハ１３９に最も近い、すなわち最後にＥＵＶ光を反射する多層膜反射鏡１６７が変形ミラーである。
【００９９】
次に、本発明の他の実施の形態に係るＸ線露光装置（ＥＵＶ露光装置）について図面を参照して説明する。
【０１００】
図１１は、図１に示す収差補正システムを搭載した他の実施の形態に係るＥＵＶ露光装置の全体構成を示す図である。
【０１０１】
このＥＵＶ露光装置は、主にＥＵＶ光源Ｓ、照明光学系（ＧＩ、ＩＲ１〜ＩＲ４）、レチクルＭをレチクルチャックを介して載置するステージＭＳＴ、投影光学系（ＰＲ１〜ＰＲ４）、ウエハＷをウエハチャックを介して載置するステージＷＳＴなどにより構成されている。
【０１０２】
ＥＵＶ光源Ｓには、プラズマ励起用のレーザＬＡからなるレーザプラズマ光源の他に放電プラズマ光源や放射光などが使用され、ＥＵＶ光の照明ビームＩＢを生成する。レーザＬＡから発せられたレーザ光ＬＢ（赤外域から可視域の波長のレーザ光）は、レンズＬにより集光され、キセノンガス等のターゲット物質を噴出するノズルＴの噴出部に達する。ターゲット物質は、高照度のレーザ光ＬＢのエネルギーにより高温になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際に、照明ビームＩＢを構成するＥＵＶ光を放出する。照明ビームＩＢは、放物面反射鏡ＰＭで反射されて窓Ｗ１に達する。ＥＵＶ光源Ｓは、チャンバ（真空室）Ｃ１により覆われて外気が遮断されており、不図示の真空ポンプの運転によりチャンバＣ１は真空排気される。照明ビームＩＢは窓Ｗ１を通って光学系チャンバＣ２の内部に入射する。
【０１０３】
照明ビームＩＢは、順次、照明光学系のミラーＧＩ、ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３及びＩＲ４で反射される。ミラーＧＩは斜入射ミラーであり、ＥＵＶ光源Ｓから反射面に斜め方向から入射した照明ビームＩＢを反射させる。ミラーＧＩとして、斜入射ミラーの代わりに反射面が多層膜により形成される多層膜ミラーを用いても良い。ミラーＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３及びＩＲ４は、ＥＵＶ光の反射率が高い多層膜ミラーである。また、照明光学系には、所定の波長のＥＵＶ光のみを透過させる不図示のフィルターが設けられている。この照明光学系によってレチクルＭ上の所定領域を所望の波長の照明ビームＩＢで照明する。軟Ｘ線の波長域では透明な物質は存在しないので、レチクルＭには従来の透過型のレチクルではなく反射型のレチクルが使用される。レチクルＭで反射されたビームには、照明ビームＩＢで照明されたレチクルＭの回路パターンの情報が含まれているので、このレチクルＭで反射されたビームをパターンビームＰＢという。
【０１０４】
投影光学系は複数の多層膜ミラーＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３及びＰＲ４により構成されている。レチクルＭ上の所定領域に形成された回路パターンは、投影光学系によりレジストが塗布されたウエハＷ上の対応する領域に結像して該レジストに転写される。このようにして、レチクルＭ上に形成された回路パターンは、ウエハＷ上に投影結像される。ここで、投影光学系の多層膜ミラーＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３及びＰＲ４のうちのいくつか（例えば、多層膜ミラーＰＲ１及びＰＲ４の２つ）は、パターンビームＰＢを遮らないようにカットされている。上記のように、投影されたパターンを転写可能にするため、ウエハＷ上には感光性レジストが塗布されている。なお、ＥＵＶ光は大気に吸収されて減衰するため、光学系チャンバＣ２の内部は所定の真空度（例えば、１×１０−５Ｔｏｒｒ以下）に維持されている。ウエハＷの露光は、ステップアンドリピート方式、ステップアンドスキャン方式、スキャン方式、あるいはその他の適当な方式で行われる。その際、レチクルステージＭＳＴ及びウエハステージＷＳＴを相対的に移動する。露光中、ウエハＷはウエハチャンバＣ３内のウエハステージＷＳＴ上に配置されている。パターンビームＰＢは、窓Ｗ２を通って光学系チャンバＣ２からウエハチャンバＣ３内に入射する。
【０１０５】
図１１に示すＥＵＶ露光装置においては、レチクルチャック及び／又はウエハチャックが上述した本発明の変形チャックである。また、露光装置にはレチクル高さセンサとウエハ高さセンサが設けられ、レチクル高さセンサからの信号情報に基づいて変形レチクルチャックを調整し、ウエハ高さセンサからの信号情報に基づいて変形ウエハチャックを調整している。さらに、投影光学系においては、ウエハＷに最も近い、すなわち最後にＥＵＶ光を反射する多層膜ミラーＰＲ４が変形ミラーである。
【０１０６】
波面収差が所定の範囲内に収まるように、収差を補正する必要がある。そこで、本発明の波面収差補正システムを用いることにより、波面収差誤差（ｗａｖｅｆｒｏｎｔ ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ ｅｒｒｏｒ）を補正することができる。波面収差はシステムの内部又は外部で測定することができる。ＥＵＶ投影光学系の波面収差測定装置については、例えば、米国特許第６，２６６，３８９号に記載されている。測定した波面収差が所定の範囲内に収まるように、ミラー表面の形状を変化させる必要があるが、すべてのミラーについてその表面形状を変化させる必要はない。複数のミラーのうち１つのミラー表面の形状を調整できれば十分である。上記の米国特許第６，２６６，３８９号には、測定した波面収差からミラー表面の最終形状を得るための方法についても記載されている。
【０１０７】
次に、上記説明したＥＵＶ露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
【０１０８】
図１２は、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造方法のフローチャートである。
【０１０９】
まず、ステップ３０１（回路設計）において、半導体デバイスの回路設計を行う。次に、ステップ３０２（レチクル製造）において、設計した回路パターンを形成したレチクルを製造する。この時、パターンについて局部的にリサイズを施すことにより近接効果や空間電荷効果によるビームボケの補正を行ってもよい。一方、ステップ３０３（ウエハ製造）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。そして、ステップ３０４（ウエハプロセス）において、ステップ３０２で製造したレチクルを用いて上記のＥＵＶ露光装置によって、レチクルの回路パターンをステップ３０３で製造したウエハに露光する。ステップ３０４に続くステップ３０５（組立）は、上の工程によって製造されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。そして、ステップ３０６（検査）において、ステップ３０５で製造された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成しこれが出荷される。
【０１１０】
図１３は、図１２を参照しつつ説明した半導体デバイス製造方法のステップ３０４（ウエハプロセス）を詳細に説明するフローチャートである。
【０１１１】
ステップ３１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ３１２（ＣＶＤ）では、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ３１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ３１４（イオン注入）では、ウエハにイオンを注入する（打ち込む）。ステップ３１１〜３１４はウエハプロセスのうちの前処理工程であり、必要とされるプロセスに応じて各工程を行う。
【０１１２】
上記の前処理工程が終了後、次の後処理工程に移る。後処理工程では、まず、ステップ３１５（レジスト形成）において、ウエハに感光剤（レジスト）を塗布する。次に、ステップ３１６（露光）において、上記のＥＵＶ露光装置によって、レチクルの回路パターンをウエハに露光する。そして、ステップ３１７（現像）において、露光したウエハを現像する。次に、ステップ３１８（エッチング）では、レジスト像以外の部分をエッチングにより選択的に取り除く。そして、ステップ３１９（レジスト剥離）では、エッチングがすんで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【０１１３】
以上、本発明の実施の形態に係る収差補正システム等について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な変更を加えることができる。
【０１１４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック及びＥＵＶ露光装置等によれば、レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、変形レチクルチャック、変形ミラー等を制御しているので、光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の光学収差やディストーションを除去することができる。その結果、ＥＵＶ露光装置の光学性能の悪化を抑制し、高品質の半導体デバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の収差補正システムを有するＥＵＶ露光装置の一部を模式的に示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る変形レチクルチャックの構造を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る変形レチクルチャックの構造を模式的に示す一部断面図である。
【図４】距離ｄ＝１００μｍの間隔をあけて平行に置かれた２つの面における、圧力に対するヘリウム（Ｈｅ）ガスの熱伝達係数を示した図である。
【図５】チャックのメンブレンと支持体との間の距離をｄとして、３種類のｄについて圧力に対するＨｅガスの熱伝達係数を示した図である。
【図６】非テレセントリック性又はレチクル変形がディストーションに及ぼす影響を説明する図であり、図６（Ａ）は非テレセントリック性に関する説明図であり、図６（Ｂ）はレチクル変形に関する説明図である。
【図７】（７）式及び（９）式で表されるレチクル表面の非平坦性Ｚｒｅｔ（ｘ，ｙ）とレチクルの変形Ｚｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）を組み合わせて、ウエハ上でのディストーションを補正している様子について示した図である。
【図８】レチクル高さの分布を示す図であり、図８（Ａ）は高さ分布がｘのみに依存する場合を示す図であり、図８（Ｂ）は高さ分布がｘとｙに依存する場合を示す図である。
【図９】図１に示す収差補正システムを搭載したＥＵＶ露光装置の全体構成を示す図である。
【図１０】図９に示すＥＵＶ露光装置の投影光学系１３７の拡大図である。
【図１１】図１に示す収差補正システムを搭載した他の実施の形態に係るＥＵＶ露光装置の全体構成を示す図である。
【図１２】半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造方法のフローチャートである。
【図１３】図１２に示す半導体デバイス製造方法のステップ３０４（ウエハプロセス）を詳細に説明するフローチャートである。
【符号の説明】
１０・・・変形レチクルチャック １５・・・レチクル
１５１・・・メインボディ １５２・・・電気伝導性膜
１６・・・レチクル高さセンサ １８・・・コントローラ
２０・・・変形ウエハチャック ２５・・・ウエハ
２６・・・ウエハ高さセンサ ２８・・・コントローラ
３０・・・光学系 ３５・・・中間反射鏡
４０・・・変形ミラー ５０・・・支持体
５１・・・誘電体層 ５２・・・電気伝導体層
５３・・・電圧電源 ５５・・・貫通孔
５６・・・空間 ５８・・・メンブレン
６０・・・アクチュエータロッド ６２・・・クランププレート
６５・・・ばね ７０・・・ロッド領域
７５・・・外周 ７６・・・リム
１１０・・・ＥＵＶ露光装置 １１３・・・レーザ光源
１１５・・・集光光学系 １１７・・・レーザプラズマ光源
１１９・・・チャンバ １２１・・・回転放物面反射鏡
１２３・・・Ｘ線透過フィルター １２５・・・チャンバ
１２７・・・照明光学系 １２９・・・Ｘ線反射鏡
１３１・・・光路折り曲げ反射鏡 １３３・・・反射型レチクル
１３５・・・レチクルステージ １３７・・・投影光学系
１３９・・・ウエハ １４１・・・ウエハステージ
１４３・・・露光チャンバ １４５・・・ゲートバルブ
１４７・・・予備排気室 １４９・・・真空ポンプ
１６２・・・多層膜反射鏡 １６３・・・多層膜反射鏡
１６４・・・多層膜反射鏡 １６５・・・多層膜反射鏡
１６６・・・多層膜反射鏡 １６７・・・多層膜反射鏡
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＵＶリソグラフィー技術に関する。特には、ＥＵＶリソグラフィーにおける収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック、ＥＵＶ露光装置、半導体デバイス、感応基板、半導体デバイス製造方法及び露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長（１１〜１４ｎｍ）のＸ線を使用した投影リソグラフィー技術が開発されている（例えば、非特許文献１参照）。この技術は、最近ではＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）リソグラフィーと呼ばれており、従来の波長１９０ｎｍの光線を用いた光リソグラフィーでは実現不可能な、７０ｎｍ以下の解像力を得られる技術として期待されている。
【０００３】
【非特許文献１】
Ｄ． Ｔｉｃｈｅｎｏｒ， ｅｔ ａｌ．、「ＳＰＩＥ」、１９９５年、第２４３７巻、ｐ．２９２
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＥＵＶリソグラフィー装置（ＥＵＶ露光装置）の光学性能を悪化させる要因にはいろいろなものがある。例えば、投影光学ミラーの製造誤差や、装置の動作中に照明領域で熱によって生じる変動のため、光学収差（ｏｐｔｉｃａｌ ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ）が生じ、感応基板（ウエハ）での像質が悪化する。また、ディストーション（ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ、ｉｍａｇｅ ｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｅｒｒｏｒ）も生じる。さらに、光学系はレチクル側が非テレセントリックな光学系であるため、レチクル（マスク）の高さが変化すると（例えば、レチクルの平坦性が悪い場合）、ウエハ上でディストーションが生じる。
【０００５】
ＥＵＶリソグラフィーにおいて、レチクルは反射型である。そして、レチクルのパターン面は多層膜からなり、多層膜の反射率は０．６５程度である。つまり、レチクルに入射するＥＵＶ光の多くはレチクルに吸収されるため、レチクルを冷却する必要がある。また、高スループットのＥＵＶリソグラフィー装置では、レチクルステージを８Ｇ（Ｇは重力加速度）以上の加速度で移動することが求められている。そのため、ステージの移動（加速）でレチクルがステージから滑り落ちたり、変形することを防ぐために、レチクルをしっかりと保持する必要がある。さらに、多層膜は圧縮応力を有し、レチクルはわずかに曲がる可能性があるため、そのレチクル湾曲をチャックの吸着により平坦に戻す必要がある。
【０００６】
レチクルをリソグラフィー装置（露光装置）に保持する際、透過型レチクルではパターンの周縁部をチャック（ｃｈｕｃｋ）で吸着しているが、反射型レチクルではパターンが形成されていない面（非パターン面、被吸着面）を吸着している。レチクルが反射型であるため、レチクルへの照明光の入射角度はほぼ垂直になっている。そのため、レチクルのパターンが形成されている面（パターン面）の高さが変化すると、ウエハ上で像の位置ずれやディストーションが生じる。また、レチクルの被吸着面又はチャックの吸着面が平坦でない場合や、吸着時にレチクルとチャックの間にごみ等の粒子が存在する場合、又はレチクルのパターン面が歪んでいる場合には、ウエハ上で生じる像の位置ずれやディストーションの量がさらに大きくなるという問題があった。
【０００７】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、ＥＵＶリソグラフィー又は投影露光装置において、光学収差やディストーション（以下、まとめて収差と記載することもある）を補正するためのシステム、レチクルチャック、ＥＵＶ露光装置等を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係る収差補正システムは、 ＥＵＶリソグラフィーにおいて、収差を補正するためのシステムであって、 レチクルを載置する変形レチクルチャックと、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルの高さを測定するレチクル高さセンサと、 感応基板を載置する感応基板チャックと、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルにＥＵＶ光を照射し、レチクルで反射されたＥＵＶ光を前記感応基板チャックに載置された感応基板に投影する光学系であって、該光学系の射出瞳の近傍に変形ミラーを有する光学系と、 前記レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックと前記変形ミラーを制御するコントローラと、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明においては、 前記感応基板チャックに載置された感応基板の高さを測定する感応基板高さセンサをさらに備え、 前記コントローラは、さらに前記感応基板高さセンサによって測定された感応基板の高さに基づいて、前記レチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックと前記変形ミラーを制御することが好ましい。
【００１０】
また、本発明においては、 前記感応基板チャックは変形感応基板チャックであり、 前記コントローラは、前記レチクル像の収差を補正するように、前記変形感応基板チャックをさらに制御することが好ましい。
【００１１】
本発明においては、 前記レチクルは電気伝導性膜を有し、 前記変形レチクルチャックは、 トップ面を有する支持体と、 前記支持体上に設けられた変形メンブレンであって、誘電体物質からなる誘電体層と電気伝導性物質からなる電気伝導体層を有する変形メンブレンと、 前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層の間に静電吸着力を発生させるために、前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層につながれた電圧電源と、 前記支持体を貫通して支持体のトップ面から突き出て、前記変形メンブレンにつながり変形メンブレンを支持するアクチュエータロッドであって、前記支持体のトップ面と前記変形メンブレンとの間に空間を形成し、複数のアクチュエータのそれぞれに連結されたアクチュエータロッドと、 前記空間に入っている熱伝導ガスと、を有することが好ましい。
【００１２】
また、本発明においては、 前記支持体は、冷媒を通すための貫通孔を有することが好ましい。
【００１３】
本発明においては、 前記アクチュエータロッドの調整が終わった後にアクチュエータロッドを固定するためのクランププレートをさらに備えることが好ましい。
【００１４】
本発明に係る収差補正方法は、 ＥＵＶリソグラフィーにおいて、収差を補正する方法であって、 レチクルを変形レチクルチャックに載置する工程と、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルの高さをレチクル高さセンサによって測定する工程と、 感応基板を感応基板チャックに載置する工程と、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルにＥＵＶ光を照射し、レチクルで反射されたＥＵＶ光を光学系により前記感応基板チャックに載置された感応基板に投影する際に、該光学系の射出瞳の近傍に配置された変形ミラーを介して投影する工程と、 前記レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックを制御する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、レチクルを変形レチクルチャックに載置し、レチクル高さセンサでレチクル表面の高さを測定する。光学系は変形レチクルチャックに載置されたレチクル上にＥＵＶ光を照射する。また、光学系はウエハチャックに載置されたウエハ上にレチクルからの反射ＥＵＶ光を投影する。この光学系の射出瞳の近傍（例えば、光学系の複数の反射鏡のうち最終段の反射鏡近傍）には、変形ミラーが配置されている。そして、レチクル高さセンサで測定したレチクルの高さに基づいて、変形レチクルチャックを制御し、光学系でウエハ上に形成されたレチクル像の光学収差やディストーションを補正しているので、光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を除去することができる。
【００１６】
本発明においては、 前記レチクルは電気伝導性膜を有し、 前記変形レチクルチャックは、 トップ面を有する支持体と、 前記支持体上に設けられた変形メンブレンであって、誘電体物質からなる誘電体層と電気伝導性物質からなる電気伝導体層を有する変形メンブレンと、 前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層の間に静電吸着力を発生させるために、前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層につながれた電圧電源と、 前記支持体を貫通して支持体のトップ面から突き出て、前記変形メンブレンにつながり変形メンブレンを支持するアクチュエータロッドであって、前記支持体のトップ面と前記変形メンブレンとの間に空間を形成し、複数のアクチュエータのそれぞれに連結されたアクチュエータロッドと、 前記空間に入っている熱伝導ガスと、を有することが好ましい。
【００１７】
また、本発明においては、 前記支持体に形成された貫通孔を介して冷媒を通す工程をさらに有することが好ましい。
【００１８】
本発明においては、 前記アクチュエータロッドの調整が終わった後にアクチュエータロッドを固定する工程をさらに有することが好ましい。
【００１９】
また、本発明においては、 前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形ミラーを制御する工程をさらに有することが好ましい。
【００２０】
本発明においては、 前記感応基板チャックに載置された感応基板の高さを感応基板高さセンサによって測定する工程と、 前記感応基板高さセンサによって測定された感応基板の高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックを制御する工程と、をさらに有することが好ましい。
【００２１】
本発明に係る変形レチクルチャックは、 電気伝導性膜を有するレチクルを載置する変形レチクルチャックであって、 トップ面を有する支持体と、 前記支持体上に設けられた変形メンブレンであって、誘電体物質からなる誘電体層と電気伝導性物質からなる電気伝導体層を有する変形メンブレンと、 前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層の間に静電吸着力を発生させるために、前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層につながれた電圧電源と、 前記支持体を貫通して支持体のトップ面から突き出て、前記変形メンブレンにつながり変形メンブレンを支持するアクチュエータロッドであって、前記支持体のトップ面と前記変形メンブレンとの間に空間を形成し、複数のアクチュエータのそれぞれに連結されたアクチュエータロッドと、 前記空間に入っている熱伝導ガスと、を備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、変形レチクルチャックは、支持体、変形メンブレン、電圧電源（例えば、バッテリー等）、アクチュエータロッドを有する。アクチュエータロッドは、支持体を貫通して支持体の表面から突き出て、変形メンブレンにつながっている。変形メンブレンと支持体表面との間の空間には熱伝導ガス（例えば、ヘリウム等）が入っている。このような構成にすることにより、容易に光学収差やディストーションを除去することができる。このとき、アクチュエータロッドを複数のアクチュエータのそれぞれに弱い弾性体（ばね、スプリング）を介して連結してもよい。
【００２３】
本発明においては、 前記支持体は、冷媒を通すための貫通孔を有することが好ましい。
【００２４】
また、本発明においては、 前記アクチュエータロッドの調整が終わった後にアクチュエータロッドを固定するためのクランププレートをさらに備えることが好ましい。
【００２５】
本発明に係るＥＵＶ露光装置は、 照明光源と、 レチクルを載置する変形レチクルチャックと、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルの高さを測定するレチクル高さセンサと、 感応基板を載置する感応基板チャックと、 前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルにＥＵＶ光を照射し、レチクルで反射されたＥＵＶ光を前記感応基板チャックに載置された感応基板に投影する光学系であって、該光学系の射出瞳の近傍に変形ミラーを有する光学系と、 前記レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックと前記変形ミラーを制御するコントローラと、 前記感応基板チャックの少なくとも一部を覆う感応基板チャンバと、を備えることを特徴とする。
【００２６】
本発明に係る半導体デバイスは、 上記のＥＵＶ露光装置を用いて製造されたことを特徴とする。
【００２７】
本発明に係る感応基板は、 上記のＥＵＶ露光装置を用いて像が形成されていることを特徴とする。
【００２８】
本発明に係る半導体デバイス製造方法は、 上記のＥＵＶ露光装置を用いて半導体デバイスを製造することを特徴とする。
【００２９】
本発明に係る露光方法は、 上記のＥＵＶ露光装置を用いて感応基板上にパターンを形成することを特徴とする。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ説明する。
【００３１】
図１は、本発明の収差補正システムを有するＥＵＶ露光装置の一部を模式的に示す図である。不図示の光源から射出されたＥＵＶ光は、変形レチクルチャック（ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ ｒｅｔｉｃｌｅ ｃｈｕｃｋ）１０上に載置されたレチクル１５に入射する。レチクル１５で反射されたＥＵＶ光は、光学系３０によって変形ウエハチャック（ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ ｗａｆｅｒ ｃｈｕｃｋ）２０上に載置されたウエハ２５に結像する。光学系３０は、複数の中間反射鏡３５と光学系３０の射出瞳（不図示）の近傍に配置された最終段の反射鏡である変形ミラー（ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ ｍｉｒｒｏｒ）４０を有する。また、ＥＵＶ露光装置はレチクル高さセンサ１６とウエハ高さセンサ２６を有する。コントローラ１８は、レチクル高さセンサ１６からの信号情報を処理し、変形レチクルチャック１０を調整する。コントローラ２８は、ウエハ高さセンサ２６からの信号情報を処理し、変形ウエハチャック２０を調整する。
【００３２】
回折限界システムでの収差理論については、例えば、Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ｏｆ Ｏｐｔｉｃｓ， Ｃｈａｐ． ９， ｉｎ Ｂｏｒｎ ａｎｄ Ｗｏｌｆに記載されている。収差を補正する最適の位置は、光学系の射出瞳の位置である。射出瞳では、収差が無い場合、球面波がガウス像面でその中心に収束する。反射光学投影システムでは、ウエハ直前の最終段のミラーが射出瞳の近傍に配置されるため、この最終段のミラーが収差の補正に最適なミラーである。一般に、射出瞳と共役な位置も収差の補正に利用することができる。しかし、ＥＵＶ反射鏡の多層膜の反射率はとても低いので、反射鏡（面）の数はできるだけ少なくする必要があり、補正用ミラーを新たに設けることは好ましくない。
【００３３】
収差がある場合、波面（ｗａｖｅ ｆｒｏｎｔ）は射出瞳で特徴的な形状を有する。一般的な円形瞳では、さまざまな収差の波面は、瞳中心からの半径ｒと方位角θのみに依存するＺｅｒｎｉｋｅ多項式によって特徴づけることができる。ディストーションによって生じる波面形状は半径ｒに一次従属である。また、他の多くの収差によって生じる波面形状も半径ｒに一次従属である。そして、他の収差を補正するため、ミラー表面の測定や調整を行う際に生じる誤差は新たな好ましくないディストーションを発生させる。
【００３４】
例えば、ミラーへの入射角がａで、ミラー表面が光軸に沿って距離ｚだけ移動した場合、光路長の変化は２ｚ／ｃｏｓａで表すことができる。ここで、ＥＵＶリソグラフィーは真空環境下で行われるため、屈折率を１．０としている。これは収差波面の変位を表しており、入射角ａが小さい場合には、収差波面の変位量はミラー表面の移動量の２倍に相当することになる。収差波面の球面波からのずれは１ｎｍ程度と予想されるので、ミラー表面を０．５ｎｍ以上の精度で制御する必要があり、ミラー制御は非常に高い精度が求められる。
【００３５】
このような条件下では、測定誤差や調整誤差のため、好ましくないディストーションが補正用ミラーによって生じる可能性がある。このような付加的なディストーションは、他に起因するディストーションと同様に、レチクル表面を適当に調整することで補正することができる。この補正は、後で詳述するように、変形レチクルチャック１０を用いて行うことができる。ウエハ２５でのディストーションの制御は、射出瞳で行うよりもレチクル１５で行うほうが容易である。なぜならば、ディストーションの補正の際、レチクル１５の高さ変化量を大きくすることができるからである。例えば、ウエハ２５でのディストーションを１ｎｍとすると、それに対応するレチクル１５の高さ変化は４０ｎｍになる。つまり、レチクル１５の制御精度を射出瞳でのミラー制御の精度よりも緩和することができる。ウエハ２５でのディストーションはセンサ又はテスト露光で求めることができる。レチクル高さセンサ１６でレチクル１５表面の高さを検出し、変形レチクルチャック１０の調整を適当に行う。
【００３６】
ＥＵＶ露光装置がステッパー（ｓｔｅｐｐｅｒ）方式の場合、適当なレチクル形状を一度決定したら、その後形状を変える必要はない。しかし、ステップアンドスキャン（ｓｔｅｐ ａｎｄ ｓｃａｎ）方式の場合、レチクル１５及びウエハ２５を相対的に同期走査し、輪帯状のＥＵＶ光でレチクル１５の回路パターンの全体をウエハ２５上の複数のショット領域の各々に転写する。ウエハ上での輪帯の大きさは、一例で、スキャン方向の幅が数ｍｍであり、長さはチップの幅と同じ２５〜３３ｍｍである。装置の縮小倍率（１／Ｍ）を１／４倍（Ｍ＝４）とすると、レチクル上での輪帯の大きさは、スキャン方向の幅が５〜１０ｍｍであり、長さが１００ｍｍ以上である。したがって、スキャン方向に沿って１０ｍｍ以内の範囲内で、レチクルを変形させる必要がある。レチクルの厚さが６．３５ｍｍの場合、１０ｍｍ以内の範囲内でレチクルの変形を行うためは、アクチュエータを高密度で配置する必要があり、実現するのは非常に難しい。したがって、投影光学系にもともと起因するディストーションのうち、スキャン方向でのディストーションの補正は、実際にはかなり制限される。
【００３７】
しかし、スキャン方向に垂直な方向では、レチクルの変形に適用できる範囲はより広い。また、変形量は輪帯中心からの距離に依存しているので、レチクルをスキャンするときに変化させる必要がない。したがって、スキャン方向に垂直な方向でのディストーションの補正はより容易に行うことができる。
【００３８】
図２及び図３は本発明の一実施の形態に係る変形レチクルチャックの構造を模式的に示す図であり、図２は平面図であり、図３は一部断面図である。図では、チャックの上方にレチクルを載置するように描いているが、実際のＥＵＶ露光装置では、上下を逆転してチャックの下方でレチクルを吸着することもある。
【００３９】
本実施の形態では、変形レチクルチャック１０は静電チャックである。レチクル１５の非パターン面（被吸着面）の表面は、金属膜のような電気伝導性物質で覆われている。図３では、ガラス又はセラミックからなるメインボディ１５１と、電気伝導性膜１５２とでレチクル１５を示している。
【００４０】
変形レチクルチャック１０の上部には、誘電体層５１と、この誘電体層５１の下に設けられた電気伝導体層５２の２層からなる変形メンブレン（ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ ｍｅｍｂｒａｎｅ）５８がある。この変形メンブレン５８は支持体５０の上方に設けられている。レチクル１５を変形レチクルチャック１０の上面に載置した後、レチクル１５の伝導性膜１５２と変形レチクルチャック１０の伝導体層５２とに接続された電圧電源５３から電圧を供給する。すると、伝導性膜１５２と伝導体層５２との間の誘電体層５１で静電吸着力が働く。ここで、誘電体層５１は伝導性膜１５２と伝導体層５２が短絡するのを防いでいる。
【００４１】
誘電体層５１と伝導体層５２の２層からなる変形メンブレン５８は、アクチュエータロッド６０に取り付けられている。アクチュエータロッド６０は、変形レチクルチャック１０の全面にわたって配置されているアクチュエータ（不図示）に取り付けられている。各アクチュエータロッド６０は支持体５０を貫通して支持体５０の表面（トップ面）から突き出ていて、各アクチュエータの駆動力に応じて上下に動くことができるようになっている。アクチュエータロッド６０は、図２に示すように、レチクル１５のうちウエハへの結像に寄与する領域であるロッド領域７０内に配置されている。変形メンブレン５８下の空間５６には、ヘリウムのような冷却ガスが大気圧よりやや小さい圧力で含まれている。冷却ガスを利用して、伝導によりレチクル１５の熱を変形メンブレン５８を通して支持体５０に移動する。支持体５０には冷媒を通すための貫通孔５５が設けられている。変形メンブレン５８は、その外周７５のリム７６で支持体５０と密着していて、密封シールの役割を果たしている。
【００４２】
使用するアクチュエータとして、２種類のアクチュエータが考えられる。変位アクチュエータ（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ａｃｔｕａｔｏｒ）は、レチクルと固定基板との間の距離を調整することによってレチクル形状を制御するものである。しかし、固定基板自身に歪みが発生することがあり、その歪みによるアクチュエータの変位が補正されない場合には、固定基板自身の歪みがレチクル形状を変化させてしまう。これに対し、フォースアクチュエータ（ｆｏｒｃｅ ａｃｔｕａｔｏｒ）は、変形に必要な力をレチクルに作用させてレチクル形状を制御するものである。したがって、固定基板が変形した場合でも、レチクルに作用する力が一定であればレチクル形状は変化しない。また、変位アクチュエータは微小な長さ変化を得るように調節することが困難である。さらに、変位アクチュエータをリソグラフィーへ応用することは、特に安定性の面で、適しているとはいえない。しかし、アクチュエータ（例えば、変位アクチュエータ）の固定端と変形メンブレン５８の裏面との間に弱い弾性体（ばね、スプリング）を挿入すると、アクチュエータの変位がわずかに変化しても、そのようなわずかな変化は弾性力に影響を及ぼさないため、レチクル形状はほとんど変化しなくなる。したがって、変位アクチュエータであっても、弱いばねの挿入等によってフォースアクチュエータと同様な安定性、制御容易性を有するように改良された変位アクチュエータであれば、フォースアクチュエータと同様にレチクル形状の制御に使用することができる。本実施の形態では、アクチュエータとアクチュエータロッド６０との間に弱いばね６５が挿入されている。
【００４３】
ここで、「弱い」ばねについて説明する。レチクルに要求される変位は非常に小さいので、線形性を仮定することができる。そして、レチクルを局所的に変位量δｚｍだけ変位するために、δＦの力が必要であるとする。レチクルの弾性特性に依存するレチクル力定数をＫｍとすると、変位量δｚｍと力δＦとの間には（１）式のような関係がある。
δｚｍ＝（ｄｚ／ｄＦ）ｍδＦ＝ＫｍδＦ ・・（１）
そして、力δＦはばねの圧縮により生じるものであり、ばねの圧縮量をΔｚｓ、ばね定数をｋｓとすると、力δＦは（２）式で表すことができる。
δＦ＝ｋｓΔｚｓ ・・（２）
（１）式と（２）式から、変位量δｚｍは（３）式で表すことができる。
δｚｍ＝ＫｍｋｓΔｚｓ ・・（３）
レチクルの変位量δｚｍはｎｍのオーダーであるため、そのような小さい変位を制御することは容易でない。しかし、ばねの圧縮量Δｚｓがｎｍのオーダーよりも大きくなるようにばね定数ｋｓを調整することにより、レチクル形状の制御は容易になる。そのため、別の種類のアクチュエータを使用することも可能となる。レチクルの力定数Ｋｍに対してばね定数ｋｓを十分小さくすることにより、上記のようにレチクル形状の制御を容易することができる。つまり、弱いばねとは、レチクルの力定数Ｋｍに対してばね定数ｋｓを十分小さくしたばねのことである。
【００４４】
一般に、ガス分子の平均自由行程がシステムの大きさに比べて小さい場合、ガスの熱伝導率は圧力によって変化しない。したがって、比較的低い圧力においても熱移動に影響を及ぼさずに熱伝導ガスを使用することができる。圧力が比較的低い場合、チャックのメンブレンの歪みを抑制することができるため有利である。メンブレンが大きく変形すると、メンブレンと平坦なレチクルの接触面積が小さくなり、熱移動の効率が悪化する。また、レチクルの歪みも大きくなる。
【００４５】
誘電体層５１と伝導体層５２の２層からなる変形メンブレン５８は、レチクル１５の裏面（被吸着面）と全面で接触するようにしている。これにより、静電吸着力を最大にし、ステージの移動（加速）でレチクルがステージから滑り落ちるのを防いでいる。変形メンブレン５８を用いることにより、レチクルの被吸着面が平坦でない場合やレチクルとチャックの間にごみ等の粒子が存在する場合であっても、レチクルの表面（パターン面）に不必要な変形が生じることがない。
【００４６】
アクチュエータロッド６０と連結されているアクチュエータ（不図示）は、コントローラ１８によって制御されている。このコントローラ１８による制御は、レチクル１５表面の高さを計測するレチクル高さセンサ１６からの信号情報に基づいて行われており、レチクル１５表面が所定の高さと形状になるようにレチクル１５の裏面を変形させている。したがって、非テレセントリックな光学系に起因するウエハ２５での像のディストーションを低減することができる。アクチュエータは、アクチュエータロッド６０を介してレチクル１５の裏面に必要な力を作用させている。レチクル１５を頻繁に変形させる必要はないので、アクチュエータロッド６０の調整後に、クランププレート６２でアクチュエータロッド６０を固定すると良い。固定することにより、アクチュエータの動力（ａｃｔｕａｔｏｒ ｐｏｗｅｒ）を止めることができ、安定性を高め、熱の発生を最小に抑えることができる。クランププレート６２はばね６５の下に設けられている。
【００４７】
所望のレチクル形状を得るために最適なレチクルチャックアクチュエータの設定を決める方法は、変形ミラー４０を調整する際にも同様に利用することができる。この方法はアダプティブ光学（ａｄａｐｔｉｖｅ ｏｐｔｉｃｓ）として知られている。この原理は、Ｊｏｈｎ Ｈａｒｄｙによって「Ａｃｔｉｖｅ Ｏｐｔｉｃｓ： ａ Ｎｅｗ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔ」、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ， Ｖｏｌ． ６６， ６５１ （１９７８）に記載されている。
【００４８】
図４は、距離ｄ＝１００μｍの間隔をあけて平行に置かれた２つの面における、圧力に対するヘリウム（Ｈｅ）ガスの熱伝達係数を示した図である。なお、図４はＤ． Ｗｒｉｇｈｔによって「Ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｅｔｃｈ ｃｈｕｃｋ： ｍｏｄｅｌｉｎｇ ａｎｄ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ ｏｆ ｈｅａｔ ｔｒａｎｓｆｅｒ ａｎｄ ｗａｆｅｒ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ」、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＶａｃｕｕｍＳｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ａ１０， １０６５ （１９９２）に記載されたものに基づいている。圧力が７６０Ｔｏｒｒ（大気圧）から５０Ｔｏｒｒ程度（大気圧の約６％）まで下がったとしても、熱伝達係数は１５％程度しか下がらないことがわかる。Ｈｅの平均自由行程は、圧力が５０Ｔｏｒｒ、温度が２５度で約２．９μｍであり、距離ｄ＝１００μｍに比べて小さい。しかし、ガスの熱伝達係数はチャックの寸法（例えば、チャックのメンブレンと支持体との間の距離）に依存する関数であり、チャックの寸法によって変化する。図５は、チャックのメンブレンと支持体との間の距離をｄとして、３種類のｄについて圧力に対するＨｅガスの熱伝達係数を示した図である。図５において、◆はｄ＝０．０１ｍｍ（１０μｍ）の場合の熱伝達係数変化を示し、■はｄ＝０．０５ｍｍ（５０μｍ）の場合の熱伝達係数変化を示し、▲はｄ＝０．１ｍｍ（１００μｍ）の場合の熱伝達係数変化を示す。距離ｄの値が小さいほど熱伝達係数は大きくなることがわかる。圧力が１００Ｔｏｒｒ、距離ｄが１００μｍの場合、熱伝達係数は約１３０５Ｗ／（ｍ２Ｋ）であり、大気圧下での熱伝達係数に比べて８％程度しか下がらない。このように、効率的な熱伝達を行うことができ、このチャックを現在の真空環境下で問題なく使用することができる。
【００４９】
ＥＵＶレチクルは真空環境下に置く必要があるので、このような構造の変形レチクルチャック１０を使用することができる。
【００５０】
アクチュエータに要求されるストロークは比較的小さい。しかし、変形レチクルチャック１０からレチクル１５を取り外すためのリフトピンとして使用する場合には、いくつかのアクチュエータのストロークを長くすると良い。静電チャックでは、帯電を除去するために必要な時間が長く残留吸着力が働くため、リフトピンの使用はレチクル１５の取外し時間短縮に有効である。
【００５１】
変形レチクルチャック１０を使用してレチクル１５表面の形状を調整し、ディストーションを補正する方法について、図６を参照しつつさらに詳しく説明する。図６は、非テレセントリック性又はレチクル変形がディストーションに及ぼす影響を説明する図であり、図６（Ａ）は非テレセントリック性に関する説明図であり、図６（Ｂ）はレチクル変形に関する説明図である。
【００５２】
まず、非テレセントリック性がディストーションに及ぼす影響について、図６（Ａ）を参照しつつ説明する。レチクルが設定高さから垂直方向に距離ｈずれると、照明光の入射面内で距離ｈｔａｎθずれた位置のレチクルパターンが反射されることになる。なお、ここでθとは照明光の入射角度を示し、入射面の法線と入射光の光軸がなす角度を示す。レチクル像がウエハ上で１／Ｍ倍に縮小されているとすると、ウエハ上でのディストーションは（４）式で表すことができる。
ｈｔａｎθ／Ｍ ・・（４）
例えば、入射角度θ＝６度、Ｍ＝４の場合、ウエハ上でのディストーションは約ｈ／４０である。
【００５３】
次に、レチクル変形がディストーションに及ぼす影響について、図６（Ｂ）を参照しつつ説明する。ここでは、もともと平坦であったレチクルが機械的に変形されて湾曲しているものとする。レチクルの変形が比較的小さい場合、長さがレチクル変形によって変化しない中間面（ｍｉｄｐｌａｎｅ）と呼ばれる面ｍがある。そして、この中間面ｍにもともと垂直な直線は、レチクル変形後も中間面ｍに垂直であり、その直線の長さも変化しない。レチクルに加えられる変形力によって、中間面ｍより上の面は引っ張られ、中間面ｍより下の面は圧縮されている。図６（Ｂ）には、中間面ｍに垂直な直線が等間隔で描かれている。レチクル表面（上面）において、変形後の中間面ｍに垂直な直線の間隔は変形前の間隔に比べてαｔ変化している。ここで、αは中間面ｍのある位置において変形前の中間面ｍに垂直な直線と変形後の中間面ｍに垂直な直線がなす角度を示し、ｔは中間面ｍとレチクル表面との間の距離を示す。したがって、ウエハ上でのディストーションは（５）式で表すことができる。
αｔ／Ｍ ・・（５）
なお、レチクル内部の特性が均一である場合、中間面ｍはレチクルの中央に位置する。
【００５４】
マスクパターン描画装置でレチクルにパターンを描画した後、パターンの位置誤差、ディストーションを検査装置で検査する。ディストーションが非常に大きい場合には、レチクルを修正又は交換する必要がある。ここで、レチクルの機械的な変形に起因するディストーションと、マスクパターン描画装置に起因する装置固有の位置誤差（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｅｒｒｏｒ）を区別しておかなければならない。マスクパターン描画装置と検査装置でレチクルの保持方法が同じである場合、機械的な変形に起因するディストーションは発生しないであろう。また、ＥＵＶ露光装置でのレチクル保持方法も描画装置と検査装置での保持方法と同じである場合には、機械的な変形に起因するディストーションは発生しないであろう。しかし実際には、装置間でレチクルの保持方法は異なるため、その補正が必要となる。この補正を行うため、レチクルを保持した際にレチクルの平坦度を測定する。平坦度の差は、図６（Ｂ）を参照して説明したディストーションと関連がある。検査装置での測定により、レチクル保持方法の違いによって付加されたディストーションが補正されるので、その結果、マスクパターン描画装置に固有のディストーションが決定される。同様に、マスクパターン描画装置とＥＵＶ露光装置とでレチクルの平坦度が異なる場合も補正する必要がある。ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックを平坦度調整が可能なものとすれば、レチクルの平坦度をマスクパターン描画装置での平坦度に対して補正することができる。したがって、ＥＵＶ露光装置においても、レチクルを保持した際にレチクルの平坦度を測定する必要がある。
【００５５】
マスクパターン描画装置のレチクルチャックは必ずしも完全な平坦性を有するものではない。また、レチクルブランク自身も完全な平坦性を有するものではない。さらに、レチクルとチャックの間にごみ等の粒子が入り込む場合もあり、レチクル面とチャック面が密着しないこともある。その結果、レチクル表面の変形が引き起こされるため、上記の補正が必要になる。理想的には、マスクパターン描画装置でレチクルの表面が平坦であれば、ＥＵＶ露光装置のレチクルチャックはその平坦性を再現すればよい。しかし、マスクパターン描画装置でレチクルの表面は平坦ではない。そして、ＥＵＶ露光装置ではその非平坦性を再現しているため、レチクルの高さがばらつくことになる。そのため、図６（Ａ）を参照して説明したように、非テレセントリック性によるディストーションがウエハ上で発生することになる。レチクルが平坦であればこのディストーションは除去されるが、平坦にするためにレチクルを変形させることによるディストーションが新たに発生する。従来のこの問題に対する唯一の解は、レチクル及びチャックの平坦度を高くして、残留高さ変化を許容範囲内に収めることである。
【００５６】
しかし、本発明により、ウエハ上でのディストーションを低減することができる。特に、レチクルの入射面内にあるディストーション成分を低減し、あるいは完全に除去することができる。基本的には、レチクル変形に起因するディストーションとレチクルの高さ変化に起因するディストーションを互いに打ち消し合わせることによって、このディストーションを低減している。図６（Ｂ）に示すように、一般に、レチクル表面が変形すると、レチクル高さと傾きの両方が変化する。レチクルの変形が小さい場合、角度αはレチクル表面の傾きと同じである。つまり、角度αは入射面の傾き成分を表している。レチクル変形によるレチクル高さの変化量をｈ’とすると、ウエハ上でのディストーションは（６）式で表すことができる。
ｈ’ｔａｎθ／Ｍ ・・（６）
となる。さらに、レチクル表面（上面）のディストーションによって生じるウエハ上でのディストーションは（５）式で表されるαｔ／Ｍである。したがって、ウエハ上での全ディストーションは、（４）〜（６）式より、（７）式で表すことができる。
ｈｔａｎθ／Ｍ＋ｈ’ｔａｎθ／Ｍ＋αｔ／Ｍ ・・（７）
（７）式に示す３成分がお互いに打ち消し合うように調整することができれば、ウエハ上でのディストーションのうち入射面に起因するディストーションを除去することができる。これについて以下に説明する。レチクル表面にＸＹ軸直交座標系を設定し、さらにＸ軸とＹ軸の両方に直交するＺ軸を設定する。そして、入射光を含む平面をＸ−Ｚ平面と一致させる。レチクルをチャックで吸着する前のレチクル表面の非平坦性を関数Ｚｒｅｔ（ｘ，ｙ）で表し、レチクル表面全体の平均高さとレチクル上の点（ｘ，ｙ）における表面高さの差（距離）をＺｒｅｔ（ｘ，ｙ）＝ｈとする。また、レチクルをレチクルチャックで吸着して変形したときのレチクルの変形を関数Ｚｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）で表し、レチクル上の点（ｘ，ｙ）における表面高さの変形量をＺｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）＝ｈ’とする。Ｘ軸に沿ったレチクルの傾きは（８）式で表すことができる。
【００５７】
【数１】
（７）〜（８）式より、ウエハ上での全ディストーションを零にするための条件として、（９）式の微分方程式が得られる。
【００５９】
【数２】
（９）式の解は、（１０）式で表すことができる。
【００６１】
【数３】
したがって、ｙが一定（ｙ＝定数）の平面では、ウエハ上でのディストーションは零になる。図７は、（７）式及び（９）式で表されるレチクル表面の非平坦性Ｚｒｅｔ（ｘ，ｙ）とレチクルの変形Ｚｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）を組み合わせて、ウエハ上でのディストーションを補正している様子について示した図である。
【００６３】
この補正方法では、ｙが一定（ｙ＝定数）の平面で、ディストーションのＸ成分を除去している。図８は、レチクル高さの分布を示す図であり、図８（Ａ）は高さ分布がｘのみに依存する場合を示す図であり、図８（Ｂ）は高さ分布がｘとｙに依存する場合を示す図である。図８（Ａ）に示すように、レチクルの高さ分布がｘのみに依存する場合、すなわち、Ｚｒｅｔ（ｘ，ｙ）≡Ｚｒｅｔ（ｘ）の場合、（１０）式で表される解はすべてのｙについて適用することができ、ウエハ上でのディストーションは完全に零になる。しかし、通常レチクル高さの分布は、図８（Ｂ）に示すように、ｘとｙの両方に依存する。この場合、ウエハ上でのディストーションを完全に零にすることはできないが、通常用いられる最適化手法によってＺｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）を適当に調整し、ディストーションのＸ成分を最小にすることができる。例えば、ウエハ上でのディストーションの残留Ｘ成分に関係する誤差関数（ｅｒｒｏｒ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）Ｄｘは、（１１）式で表すことができる。
【００６４】
【数４】
ここでは、Ｚｒｅｔを測定したすべての点（ｘｉ， ｙｊ）について計算している。また、関数ＺｐｌａｎｅはＤｘを最小にするために位置と方向が最適化された平面を表している。Ｚｐｌａｎｅはレチクルステージの方向と高さを調整することによって決まり、レチクルチャック形状を調整によって決まるものではないので、Ｚｐｌａｎｅ はＺｃｈｕｃｋと区別されている。Ｄｘを最小にするためにＺｐｌａｎｅ とＺｃｈｕｃｋの両方を調整することにより、ウエハ上でのディストーションの残留Ｘ成分を最小自乗法で最小にすることができる。一般に、ウエハ上での全ディストーションは、（入射光を含む平面での）Ｘ成分とＹ成分を含んでいる。Ｚｃｈｕｃｋ（ｘ）はｙに依存しないので、レチクルのＹ方向ではレチクル変形は起きない。そのため、ウエハ上でのディストーションのＹ成分は、この最適化によって影響を受けることはない。
【００６６】
非テレセントリック性のため、ウエハ上でのディストーションのＸ成分は、Ｙ成分よりも大きくなると考えられる。ある点での全ディストーションは、ディストーションのＸ成分ｄｘとＹ成分ｄｙのベクトル和で表され、その大きさは（ｄｘ２＋ｄｙ２）１／２である。したがって、Ｚｃｈｕｃｋもｙ依存性であり、Ｚｃｈｕｃｋ＝Ｚｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）の場合、ディストーションの大きさをより小さくすることができる。この場合、ウエハ上でのディストーションのＹ成分は大きくなるが、Ｘ成分の低減量がそれ以上であればディストーションの大きさをより小さくすることができる。この場合、ウエハ上でのディストーションのＸ成分とＹ成分の両方を含む新たな誤差関数Ｄｔｏｔは、（１２）式で表すことができる。
【００６７】
【数５】
この場合も、Ｄｔｏｔを最小にするためにＺｐｌａｎｅ とＺｃｈｕｃｋの両方を調整することにより、ウエハ上での残留ディストーションを最小自乗法で最小にすることができる。
【００６９】
ウエハ上でのディストーションを低減する上記の方法は、調整が一度しか行われないという意味では、スタティック（ｓｔａｔｉｃ）である。一度レチクルの形状を調整すると、レチクルチャックのアクチュエータをその位置で固定し、アクチュエータの動力（ａｃｔｕａｔｏｒ ｐｏｗｅｒ）を止める。しかし、このディストーション低減方法は、ＥＵＶ投影光学系によって生じるウエハ上での像のディストーションの補正等にも適用することができる。この場合、レチクルの他の部分が照明走査されてそのパターンがウエハ上に投影結像されている間も、レチクルをアクチュエータで常に調整する必要がある。このときの誤差関数Ｄｘは、（１３）式で表すことができる。
【００７０】
【数６】
ここで、ＤＰｏｘ（Ｘｉ，Ｙｊ）はＥＵＶ投影光学系によって生じるウエハ上でのディストーションであり、ＸｉとＹｊは像面の中心から測定した値であり、（ｘｉ， ｙｊ）は像面上の位置（Ｘｉ，Ｙｊ）に対応するレチクル上の点の位置である。また、像面上にある点又はそれに対応するレチクル上の点についてだけ計算を行う。レチクルの他の部分が照明走査されているとき、ＤＰｏｘ（Ｘｉ，Ｙｊ）は一定であるが、Ｚｒｅｔ（ｘｉ，ｙｊ）、Ｚｃｈｕｃｋ（ｘｉ，ｙｊ）、Ｚｐｌａｎｅ（ｘｉ，ｙｊ）は変化する。走査中、ＺｃｈｕｃｋとＺｐｌａｎｅを常に更新する必要がある。
【００７２】
このときの誤差関数Ｄｔｏｔは、（１４）式で表すことができる。
【００７３】
【数７】
レチクルが変形されているとき、チャックはレチクルの横方向の動きを制限するので、（１４）式において、レチクルの中間面（ｍｉｄｐｌａｎｅ）までの距離を表すｔは、実際のレチクルにおける中間面（ｍｉｄｐｌａｎｅ）までの距離と異なる可能性がある。レチクルがチャックと密着している場合、レチクルの横方向の動きは完全に制限される。また、レチクルとチャックが同じ物性を有する場合（熱膨張を考慮すると同じ物性であることが望ましい）、距離ｔはレチクルとチャックの厚さの合計の半分になる。レチクルとチャックが異なる物性を有する場合、又は、レチクルの横方向の動きが可能である場合、経験則やより洗練されたモデリング等のより複雑な方法によって距離ｔを決定する必要がある。
【００７５】
本実施の形態では、レチクルをＸ方向、すなわち、入射光を含む平面と平行な方向に走査しているものとする。レチクルの走査方向が入射光を含む平面と直交する場合、上記の説明を適当に変える必要がある。
【００７６】
変形チャックの考えはウエハ２５にも適用することができる。光学系のウエハ側はテレセントリックな光学系であり、ウエハの高さ変化はディストーションに影響しない。しかし、ウエハの高さ変化によって、焦点ぼけの誤差（ｄｅｆｏｃｕｓ ｅｒｒｏｒ）が生じ、収差の均衡に影響を及ぼす。また、投影光学系の像面湾曲（ｆｉｅｌｄｃｕｒｖａｔｕｒｅ）が完全に補正されていない場合、適当な高さ位置にある平坦なウエハであっても、像面で焦点ぼけの誤差の影響を受ける。像面湾曲は像面の中心から離れるほど大きくなる。したがって、走査方向と垂直な方向では像面の大きさがより大きいので、その方向で像面湾曲はより問題となる。次に、変形ウエハチャック２０を用いてウエハ２５にスタティックな変形を与える場合について説明する。
【００７７】
像面湾曲を補正するためにウエハを変形する場合、レチクルの場合と同様に、パターン領域にディストーションが生じる。しかし、Ｙ平面においてレチクルとウエハの両方の変形を適当に調整することにより、ディストーションの影響を打ち消すことができる。輪帯状のＥＵＶ光の幅は狭いため、走査方向に垂直な方向でのみ像面湾曲を補正すればよい。したがって、ディストーションの打ち消しは、Ｙ方向、すなわち、走査方向に直交する方向で行えばよい。変形ウエハチャックによって与える、像面湾曲を補正するために必要なウエハ表面の高さ変化Ｚｗａｆｅｒ（ｙｗ）とすると、この高さ変化によるディストーションは（１５）式で表すことができる。
【００７８】
【数８】
ここで、ｔｗはウエハ表面からウエハとウエハチャックを合わせて考えた中間面（ｍｉｄｐｌａｎｅ）までの距離であり、位置はウエハチップの座標系（ｘｗ， ｙｗ）で考えている。ウエハチップの座標系（ｘｗ， ｙｗ）に対応するレチクルの座標系を（ｘｒ， ｙｒ）とし、レチクル表面からレチクルとレチクルチャックを合わせて考えた中間面（ｍｉｄｐｌａｎｅ）までの距離をｔｒとすると、このときの誤差関数Ｄｒｗは、（１６）式で表すことができる。
【００８０】
【数９】
この場合も、Ｄｒｗを最小にするためにＺｐｌａｎｅ とＺｃｈｕｃｋの両方を調整することにより、像面湾曲の補正に影響を与えることなく、ウエハ上でのディストーションを最小自乗法で最小にすることができる。
【００８２】
ディストーションを最小にする方法は上記の説明に限らず、他の最適化方法を用いることができる。例えば、他の誤差関数を利用することができるし、また、最小自乗法以外の最適化方法を利用することもできる。変形ミラーの調整にも誤差関数を利用することができる。さらに、ディストーション以外の幾何収差を低減するために、変形ミラーと２つの変形チャックを同時に調整することもできる。
【００８３】
次に、本発明の実施の形態に係る軟Ｘ線（ＳＸＲ）光学機器としてのＸ線露光装置（ＥＵＶ露光装置）について図面を参照して説明する。
【００８４】
図９は、図１に示す収差補正システムを搭載したＥＵＶ露光装置の全体構成を示す図である。
【００８５】
このＥＵＶ露光装置は、露光用の照明光として、波長１３ｎｍ近傍の軟Ｘ線領域の光（以下、ＥＵＶ光）を用いて、ステップアンドスキャン方式により露光動作を行う投影露光装置である。
【００８６】
ＥＵＶ露光装置１１０の最上流部には、レーザ光源１１３が配置されている。レーザ光源１１３は、赤外域から可視域の波長のレーザ光を供給する機能を有し、例えば半導体レーザ励起によるＹＡＧレーザやエキシマレーザ等を使用する。レーザ光源１１３から発せられたレーザ光は、集光光学系１１５により集光され、下部に配置されたレーザプラズマ光源１１７に達する。レーザプラズマ光源１１７は、波長１３ｎｍ近傍のＸ線を効率よく発生することができる。
【００８７】
レーザプラズマ光源１１７には、図示せぬノズルが配置されており、キセノンガスを噴出する。噴出されたキセノンガスはレーザプラズマ光源１１７において高照度のレーザ光を受ける。キセノンガスは、高照度のレーザ光のエネルギーにより高温になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際にＥＵＶ光を放出する。ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低いため、その光路はチャンバ（真空室）１１９により覆われて外気が遮断されている。なお、キセノンガスを放出するノズルからデブリが発生するため、チャンバ１１９を他のチャンバとは別に配置する必要がある。
【００８８】
レーザプラズマ光源１１７の上部には、Ｍｏ／ＳＩ多層膜をコートした回転放物面反射鏡１２１が配置されている。レーザプラズマ光源１１７から輻射されたＸ線は、放物面反射鏡１２１に入射し、波長１３ｎｍ付近のＸ線のみが露光装置１１０の下方に向かって平衡に反射される。
【００８９】
回転放物面反射鏡１２１の下方には、厚さ０．１５μｍのＢｅ（ベリリウム）からなる可視光カットＸ線透過フィルター１２３が配置されている。放物面反射鏡１２１で反射されたＸ線の内、所望の１３ｎｍのＸ線のみが透過フィルター１２３を通過する。透過フィルター１２３付近は、チャンバ１２５により覆われて外気を遮断している。
【００９０】
透過フィルター１２３の下方には、露光チャンバ１４３が設置されている。露光チャンバ１４３内の透過フィルター１２３の下方には、照明光学系１２７が配置されている。照明光学系１２７は、コンデンサー系の反射鏡、フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており、透過フィルター１２３から入力されたＸ線を円弧上に整形し、図の左方に向かって照射する。
【００９１】
照明光学系１２７の図の左方には、Ｘ線反射鏡１２９が配置されている。Ｘ線反射鏡１２９は、図の右側の反射面１２９ａが凹型をした円形の回転放物円ミラーであり、保持部材により垂直に保持されている。Ｘ線反射鏡１２９は、反射面１２９ａが高精度に加工された石英の基板からなる。反射面１２９ａには、波長１３ｎｍのＸ線の反射率が高いＭｏとＳｉの多層膜が形成されている。なお、波長が１０〜１５ｎｍのＸ線を用いる場合には、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）等の物質、Ｓｉ、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｂ４Ｃ（４ホウ化炭素）等の物質とを組み合わせた多層膜でも良い。
【００９２】
Ｘ線反射鏡１２９の図の右方には、光路折り曲げ反射鏡１３１が斜めに配置されている。光路折り曲げ反射鏡１３１の上方には、反射型レチクル１３３が、反射面が下になるように水平に配置されている。照明光学系１２７から放出されたＸ線は、Ｘ線反射鏡１２９により反射集光された後に、光路折り曲げ反射鏡１３１を介して、反射型レチクル１３３の反射面に達する。
【００９３】
反射型レチクル１３３の反射面にも多層膜からなる反射鏡が形成されている。この反射膜には、ウエハ１３９に転写するパターンに応じたレチクルパターンが形成されている。反射型レチクル１３３は、その上部に図示されたレチクルステージ１３５にレチクルチャックを介して固定されている。レチクルステージ１３５は、少なくともＹ方向に移動可能であり、光路折り曲げ反射鏡１３１で反射されたＸ線を順次レチクル１３３上に照射する。
【００９４】
反射型レチクル１３３の下部には、順に投影光学系１３７、ウエハ１３９が配置されている。投影光学系１３７は、複数の反射鏡からなり、反射型レチクル１３３上のパターンを所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小し、ウエハ１３９上に結像する。ウエハ１３９は、ＸＹＺ方向に移動可能なウエハステージ１４１にウエハチャックを介して吸着等により固定されている。
【００９５】
露光チャンバ１４３にはゲートバルブ１４５を介して予備排気室１４７（ロードロック室）が設けられている。予備排気室１４７には真空ポンプ１４９が接続しており、真空ポンプ１４９の運転により予備排気室１４７は真空排気される。
【００９６】
露光動作を行う際には、照明光学系１２７により反射型レチクル１３３の反射面にＥＵＶ光を照射する。その際、反射投影光学系１３７に対して反射型レチクル１３３及びウエハ１３９を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の速度比で相対的に同期走査する。これにより、反射型レチクル１３３の回路パターンの全体をウエハ１３９上の複数のショット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転写する。なお、ウエハ１３９のチップは例えば２５×２５ｍｍ角であり、レジスト上で０．０７μｍＬ／ＳのＩＣパターンが露光できる。
【００９７】
投影光学系１３７は複数の多層膜反射鏡からなり、感応基板に最も近い多層膜反射鏡に、可視光、紫外光、軟Ｘ線などの波長が４００ｎｍ以下の光が照射されるようになっている。図１０に、投影光学系１３７を拡大した図を示す。図１０に示す投影光学系１３７は６枚の多層膜反射鏡１６２、１６３、１６４、１６５、１６６、１６７からなる。レチクル１３３から反射されたＥＵＶ光は、順次、多層膜反射鏡１６２、１６３、１６４、１６５、１６６、１６７で反射され、ウエハ１３９に到達し、ウエハ１３９にレチクルパターンが形成される。
【００９８】
図９に示す露光装置１１０においては、レチクルチャック及び／又はウエハチャックが上述した本発明の変形チャックである。また、露光装置１１０にはレチクル高さセンサとウエハ高さセンサが設けられ、レチクル高さセンサからの信号情報に基づいて変形レチクルチャックを調整し、ウエハ高さセンサからの信号情報に基づいて変形ウエハチャックを調整している。さらに、図１０の投影光学系においては、ウエハ１３９に最も近い、すなわち最後にＥＵＶ光を反射する多層膜反射鏡１６７が変形ミラーである。
【００９９】
次に、本発明の他の実施の形態に係るＸ線露光装置（ＥＵＶ露光装置）について図面を参照して説明する。
【０１００】
図１１は、図１に示す収差補正システムを搭載した他の実施の形態に係るＥＵＶ露光装置の全体構成を示す図である。
【０１０１】
このＥＵＶ露光装置は、主にＥＵＶ光源Ｓ、照明光学系（ＧＩ、ＩＲ１〜ＩＲ４）、レチクルＭをレチクルチャックを介して載置するステージＭＳＴ、投影光学系（ＰＲ１〜ＰＲ４）、ウエハＷをウエハチャックを介して載置するステージＷＳＴなどにより構成されている。
【０１０２】
ＥＵＶ光源Ｓには、プラズマ励起用のレーザＬＡからなるレーザプラズマ光源の他に放電プラズマ光源や放射光などが使用され、ＥＵＶ光の照明ビームＩＢを生成する。レーザＬＡから発せられたレーザ光ＬＢ（赤外域から可視域の波長のレーザ光）は、レンズＬにより集光され、キセノンガス等のターゲット物質を噴出するノズルＴの噴出部に達する。ターゲット物質は、高照度のレーザ光ＬＢのエネルギーにより高温になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際に、照明ビームＩＢを構成するＥＵＶ光を放出する。照明ビームＩＢは、放物面反射鏡ＰＭで反射されて窓Ｗ１に達する。ＥＵＶ光源Ｓは、チャンバ（真空室）Ｃ１により覆われて外気が遮断されており、不図示の真空ポンプの運転によりチャンバＣ１は真空排気される。照明ビームＩＢは窓Ｗ１を通って光学系チャンバＣ２の内部に入射する。
【０１０３】
照明ビームＩＢは、順次、照明光学系のミラーＧＩ、ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３及びＩＲ４で反射される。ミラーＧＩは斜入射ミラーであり、ＥＵＶ光源Ｓから反射面に斜め方向から入射した照明ビームＩＢを反射させる。ミラーＧＩとして、斜入射ミラーの代わりに反射面が多層膜により形成される多層膜ミラーを用いても良い。ミラーＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３及びＩＲ４は、ＥＵＶ光の反射率が高い多層膜ミラーである。また、照明光学系には、所定の波長のＥＵＶ光のみを透過させる不図示のフィルターが設けられている。この照明光学系によってレチクルＭ上の所定領域を所望の波長の照明ビームＩＢで照明する。軟Ｘ線の波長域では透明な物質は存在しないので、レチクルＭには従来の透過型のレチクルではなく反射型のレチクルが使用される。レチクルＭで反射されたビームには、照明ビームＩＢで照明されたレチクルＭの回路パターンの情報が含まれているので、このレチクルＭで反射されたビームをパターンビームＰＢという。
【０１０４】
投影光学系は複数の多層膜ミラーＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３及びＰＲ４により構成されている。レチクルＭ上の所定領域に形成された回路パターンは、投影光学系によりレジストが塗布されたウエハＷ上の対応する領域に結像して該レジストに転写される。このようにして、レチクルＭ上に形成された回路パターンは、ウエハＷ上に投影結像される。ここで、投影光学系の多層膜ミラーＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３及びＰＲ４のうちのいくつか（例えば、多層膜ミラーＰＲ１及びＰＲ４の２つ）は、パターンビームＰＢを遮らないようにカットされている。上記のように、投影されたパターンを転写可能にするため、ウエハＷ上には感光性レジストが塗布されている。なお、ＥＵＶ光は大気に吸収されて減衰するため、光学系チャンバＣ２の内部は所定の真空度（例えば、１×１０−５Ｔｏｒｒ以下）に維持されている。ウエハＷの露光は、ステップアンドリピート方式、ステップアンドスキャン方式、スキャン方式、あるいはその他の適当な方式で行われる。その際、レチクルステージＭＳＴ及びウエハステージＷＳＴを相対的に移動する。露光中、ウエハＷはウエハチャンバＣ３内のウエハステージＷＳＴ上に配置されている。パターンビームＰＢは、窓Ｗ２を通って光学系チャンバＣ２からウエハチャンバＣ３内に入射する。
【０１０５】
図１１に示すＥＵＶ露光装置においては、レチクルチャック及び／又はウエハチャックが上述した本発明の変形チャックである。また、露光装置にはレチクル高さセンサとウエハ高さセンサが設けられ、レチクル高さセンサからの信号情報に基づいて変形レチクルチャックを調整し、ウエハ高さセンサからの信号情報に基づいて変形ウエハチャックを調整している。さらに、投影光学系においては、ウエハＷに最も近い、すなわち最後にＥＵＶ光を反射する多層膜ミラーＰＲ４が変形ミラーである。
【０１０６】
波面収差が所定の範囲内に収まるように、収差を補正する必要がある。そこで、本発明の波面収差補正システムを用いることにより、波面収差誤差（ｗａｖｅｆｒｏｎｔ ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ ｅｒｒｏｒ）を補正することができる。波面収差はシステムの内部又は外部で測定することができる。ＥＵＶ投影光学系の波面収差測定装置については、例えば、米国特許第６，２６６，３８９号に記載されている。測定した波面収差が所定の範囲内に収まるように、ミラー表面の形状を変化させる必要があるが、すべてのミラーについてその表面形状を変化させる必要はない。複数のミラーのうち１つのミラー表面の形状を調整できれば十分である。上記の米国特許第６，２６６，３８９号には、測定した波面収差からミラー表面の最終形状を得るための方法についても記載されている。
【０１０７】
次に、上記説明したＥＵＶ露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
【０１０８】
図１２は、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造方法のフローチャートである。
【０１０９】
まず、ステップ３０１（回路設計）において、半導体デバイスの回路設計を行う。次に、ステップ３０２（レチクル製造）において、設計した回路パターンを形成したレチクルを製造する。この時、パターンについて局部的にリサイズを施すことにより近接効果や空間電荷効果によるビームボケの補正を行ってもよい。一方、ステップ３０３（ウエハ製造）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。そして、ステップ３０４（ウエハプロセス）において、ステップ３０２で製造したレチクルを用いて上記のＥＵＶ露光装置によって、レチクルの回路パターンをステップ３０３で製造したウエハに露光する。ステップ３０４に続くステップ３０５（組立）は、上の工程によって製造されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。そして、ステップ３０６（検査）において、ステップ３０５で製造された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成しこれが出荷される。
【０１１０】
図１３は、図１２を参照しつつ説明した半導体デバイス製造方法のステップ３０４（ウエハプロセス）を詳細に説明するフローチャートである。
【０１１１】
ステップ３１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ３１２（ＣＶＤ）では、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ３１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ３１４（イオン注入）では、ウエハにイオンを注入する（打ち込む）。ステップ３１１〜３１４はウエハプロセスのうちの前処理工程であり、必要とされるプロセスに応じて各工程を行う。
【０１１２】
上記の前処理工程が終了後、次の後処理工程に移る。後処理工程では、まず、ステップ３１５（レジスト形成）において、ウエハに感光剤（レジスト）を塗布する。次に、ステップ３１６（露光）において、上記のＥＵＶ露光装置によって、レチクルの回路パターンをウエハに露光する。そして、ステップ３１７（現像）において、露光したウエハを現像する。次に、ステップ３１８（エッチング）では、レジスト像以外の部分をエッチングにより選択的に取り除く。そして、ステップ３１９（レジスト剥離）では、エッチングがすんで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【０１１３】
以上、本発明の実施の形態に係る収差補正システム等について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な変更を加えることができる。
【０１１４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック及びＥＵＶ露光装置等によれば、レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、変形レチクルチャック、変形ミラー等を制御しているので、光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の光学収差やディストーションを除去することができる。その結果、ＥＵＶ露光装置の光学性能の悪化を抑制し、高品質の半導体デバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の収差補正システムを有するＥＵＶ露光装置の一部を模式的に示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る変形レチクルチャックの構造を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る変形レチクルチャックの構造を模式的に示す一部断面図である。
【図４】距離ｄ＝１００μｍの間隔をあけて平行に置かれた２つの面における、圧力に対するヘリウム（Ｈｅ）ガスの熱伝達係数を示した図である。
【図５】チャックのメンブレンと支持体との間の距離をｄとして、３種類のｄについて圧力に対するＨｅガスの熱伝達係数を示した図である。
【図６】非テレセントリック性又はレチクル変形がディストーションに及ぼす影響を説明する図であり、図６（Ａ）は非テレセントリック性に関する説明図であり、図６（Ｂ）はレチクル変形に関する説明図である。
【図７】（７）式及び（９）式で表されるレチクル表面の非平坦性Ｚｒｅｔ（ｘ，ｙ）とレチクルの変形Ｚｃｈｕｃｋ（ｘ，ｙ）を組み合わせて、ウエハ上でのディストーションを補正している様子について示した図である。
【図８】レチクル高さの分布を示す図であり、図８（Ａ）は高さ分布がｘのみに依存する場合を示す図であり、図８（Ｂ）は高さ分布がｘとｙに依存する場合を示す図である。
【図９】図１に示す収差補正システムを搭載したＥＵＶ露光装置の全体構成を示す図である。
【図１０】図９に示すＥＵＶ露光装置の投影光学系１３７の拡大図である。
【図１１】図１に示す収差補正システムを搭載した他の実施の形態に係るＥＵＶ露光装置の全体構成を示す図である。
【図１２】半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造方法のフローチャートである。
【図１３】図１２に示す半導体デバイス製造方法のステップ３０４（ウエハプロセス）を詳細に説明するフローチャートである。
【符号の説明】
１０・・・変形レチクルチャック １５・・・レチクル
１５１・・・メインボディ １５２・・・電気伝導性膜
１６・・・レチクル高さセンサ １８・・・コントローラ
２０・・・変形ウエハチャック ２５・・・ウエハ
２６・・・ウエハ高さセンサ ２８・・・コントローラ
３０・・・光学系 ３５・・・中間反射鏡
４０・・・変形ミラー ５０・・・支持体
５１・・・誘電体層 ５２・・・電気伝導体層
５３・・・電圧電源 ５５・・・貫通孔
５６・・・空間 ５８・・・メンブレン
６０・・・アクチュエータロッド ６２・・・クランププレート
６５・・・ばね ７０・・・ロッド領域
７５・・・外周 ７６・・・リム
１１０・・・ＥＵＶ露光装置 １１３・・・レーザ光源
１１５・・・集光光学系 １１７・・・レーザプラズマ光源
１１９・・・チャンバ １２１・・・回転放物面反射鏡
１２３・・・Ｘ線透過フィルター １２５・・・チャンバ
１２７・・・照明光学系 １２９・・・Ｘ線反射鏡
１３１・・・光路折り曲げ反射鏡 １３３・・・反射型レチクル
１３５・・・レチクルステージ １３７・・・投影光学系
１３９・・・ウエハ １４１・・・ウエハステージ
１４３・・・露光チャンバ １４５・・・ゲートバルブ
１４７・・・予備排気室 １４９・・・真空ポンプ
１６２・・・多層膜反射鏡 １６３・・・多層膜反射鏡
１６４・・・多層膜反射鏡 １６５・・・多層膜反射鏡
１６６・・・多層膜反射鏡 １６７・・・多層膜反射鏡
Claims (20)
- ＥＵＶリソグラフィーにおいて、収差を補正するためのシステムであって、
レチクルを載置する変形レチクルチャックと、
前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルの高さを測定するレチクル高さセンサと、
感応基板を載置する感応基板チャックと、
前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルにＥＵＶ光を照射し、レチクルで反射されたＥＵＶ光を前記感応基板チャックに載置された感応基板に投影する光学系であって、該光学系の射出瞳の近傍に変形ミラーを有する光学系と、
前記レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックと前記変形ミラーを制御するコントローラと、
を備えることを特徴とする収差補正システム。 - 請求項１に記載の収差補正システムであって、
前記感応基板チャックに載置された感応基板の高さを測定する感応基板高さセンサをさらに備え、
前記コントローラは、さらに前記感応基板高さセンサによって測定された感応基板の高さに基づいて、前記レチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックと前記変形ミラーを制御することを特徴とする収差補正システム。 - 請求項１又は２に記載の収差補正システムであって、
前記感応基板チャックは変形感応基板チャックであり、
前記コントローラは、前記レチクル像の収差を補正するように、前記変形感応基板チャックをさらに制御することを特徴とする収差補正システム。 - 請求項１乃至３のいずれかに記載の収差補正システムであって、
前記レチクルは電気伝導性膜を有し、
前記変形レチクルチャックは、
トップ面を有する支持体と、
前記支持体上に設けられた変形メンブレンであって、誘電体物質からなる誘電体層と電気伝導性物質からなる電気伝導体層を有する変形メンブレンと、
前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層の間に静電吸着力を発生させるために、前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層につながれた電圧電源と、
前記支持体を貫通して支持体のトップ面から突き出て、前記変形メンブレンにつながり変形メンブレンを支持するアクチュエータロッドであって、前記支持体のトップ面と前記変形メンブレンとの間に空間を形成し、複数のアクチュエータのそれぞれに連結されたアクチュエータロッドと、
前記空間に入っている熱伝導ガスと、
を有することを特徴とする収差補正システム。 - 請求項４に記載の収差補正システムであって、
前記支持体は、冷媒を通すための貫通孔を有することを特徴とする収差補正システム。 - 請求項４又は５に記載の収差補正システムであって、
前記アクチュエータロッドの調整が終わった後にアクチュエータロッドを固定するためのクランププレートをさらに備えることを特徴とする収差補正システム。 - ＥＵＶリソグラフィーにおいて、収差を補正する方法であって、
レチクルを変形レチクルチャックに載置する工程と、
前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルの高さをレチクル高さセンサによって測定する工程と、
感応基板を感応基板チャックに載置する工程と、
前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルにＥＵＶ光を照射し、レチクルで反射されたＥＵＶ光を光学系により前記感応基板チャックに載置された感応基板に投影する際に、該光学系の射出瞳の近傍に配置された変形ミラーを介して投影する工程と、
前記レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックを制御する工程と、
を有することを特徴とする収差補正方法。 - 請求項７に記載の収差補正方法であって、
前記レチクルは電気伝導性膜を有し、
前記変形レチクルチャックは、
トップ面を有する支持体と、
前記支持体上に設けられた変形メンブレンであって、誘電体物質からなる誘電体層と電気伝導性物質からなる電気伝導体層を有する変形メンブレンと、
前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層の間に静電吸着力を発生させるために、前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層につながれた電圧電源と、
前記支持体を貫通して支持体のトップ面から突き出て、前記変形メンブレンにつながり変形メンブレンを支持するアクチュエータロッドであって、前記支持体のトップ面と前記変形メンブレンとの間に空間を形成し、複数のアクチュエータのそれぞれに連結されたアクチュエータロッドと、
前記空間に入っている熱伝導ガスと、
を有することを特徴とする収差補正方法。 - 請求項８に記載の収差補正方法であって、
前記支持体に形成された貫通孔を介して冷媒を通す工程をさらに有することを特徴とする収差補正方法。 - 請求項８又は９に記載の収差補正方法であって、
前記アクチュエータロッドの調整が終わった後にアクチュエータロッドを固定する工程をさらに有することを特徴とする収差補正方法。 - 請求項７に記載の収差補正方法であって、
前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形ミラーを制御する工程をさらに有することを特徴とする収差補正方法。 - 請求項７に記載の収差補正方法であって、
前記感応基板チャックに載置された感応基板の高さを感応基板高さセンサによって測定する工程と、
前記感応基板高さセンサによって測定された感応基板の高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックを制御する工程と、
をさらに有することを特徴とする収差補正方法。 - 電気伝導性膜を有するレチクルを載置する変形レチクルチャックであって、
トップ面を有する支持体と、
前記支持体上に設けられた変形メンブレンであって、誘電体物質からなる誘電体層と電気伝導性物質からなる電気伝導体層を有する変形メンブレンと、
前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層の間に静電吸着力を発生させるために、前記レチクルの電気伝導性膜と前記変形メンブレンの電気伝導体層につながれた電圧電源と、
前記支持体を貫通して支持体のトップ面から突き出て、前記変形メンブレンにつながり変形メンブレンを支持するアクチュエータロッドであって、前記支持体のトップ面と前記変形メンブレンとの間に空間を形成し、複数のアクチュエータのそれぞれに連結されたアクチュエータロッドと、
前記空間に入っている熱伝導ガスと、
を備えることを特徴とする変形レチクルチャック。 - 請求項１３に記載の変形レチクルチャックであって、
前記支持体は、冷媒を通すための貫通孔を有することを特徴とする変形レチクルチャック。 - 請求項１３又は１４に記載の変形レチクルチャックであって、
前記アクチュエータロッドの調整が終わった後にアクチュエータロッドを固定するためのクランププレートをさらに備えることを特徴とする変形レチクルチャック。 - 照明光源と、
レチクルを載置する変形レチクルチャックと、
前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルの高さを測定するレチクル高さセンサと、
感応基板を載置する感応基板チャックと、
前記変形レチクルチャックに載置されたレチクルにＥＵＶ光を照射し、レチクルで反射されたＥＵＶ光を前記感応基板チャックに載置された感応基板に投影する光学系であって、該光学系の射出瞳の近傍に変形ミラーを有する光学系と、
前記レチクル高さセンサによって測定されたレチクルの高さに基づいて、前記光学系により感応基板上に形成されたレチクル像の収差を補正するように、前記変形レチクルチャックと前記変形ミラーを制御するコントローラと、
前記感応基板チャックの少なくとも一部を覆う感応基板チャンバと、
を備えることを特徴とするＥＵＶ露光装置。 - 請求項１６に記載のＥＵＶ露光装置を用いて製造されたことを特徴とする半導体デバイス。
- 請求項１６に記載のＥＵＶ露光装置を用いて像が形成されていることを特徴とする感応基板。
- 請求項１６に記載のＥＵＶ露光装置を用いて半導体デバイスを製造することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
- 請求項１６に記載のＥＵＶ露光装置を用いて感応基板上にパターンを形成することを特徴とする露光方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US39088002P | 2002-06-21 | 2002-06-21 | |
| US39105902P | 2002-06-21 | 2002-06-21 | |
| US10/455,254 US6897940B2 (en) | 2002-06-21 | 2003-06-04 | System for correcting aberrations and distortions in EUV lithography |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004031954A true JP2004031954A (ja) | 2004-01-29 |
Family
ID=29718540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003174518A Pending JP2004031954A (ja) | 2002-06-21 | 2003-06-19 | 収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック及びｅｕｖ露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6897940B2 (ja) |
| EP (1) | EP1376238A3 (ja) |
| JP (1) | JP2004031954A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005274953A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Toshiba Corp | 描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法 |
| US7518706B2 (en) | 2004-12-27 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, a tilting device method for performing a tilted focus test, and a device manufactured accordingly |
| US7834975B2 (en) | 2004-12-27 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Method and exposure apparatus for performing a tilted focus and a device manufactured accordingly |
| JP2012142619A (ja) * | 2012-04-11 | 2012-07-26 | Renesas Electronics Corp | 反射型露光方法 |
| JP2013527590A (ja) * | 2009-06-30 | 2013-06-27 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | 像補正をするアドレス可能な静電チャックシステム |
| JP2013543274A (ja) * | 2010-11-05 | 2013-11-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ露光装置の投影対物系 |
| US8599360B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-12-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflective reticle chuck, reflective illumination system including the same, method of controlling flatness of reflective reticle using the chuck, and method of manufacturing semiconductor device using the chuck |
| JP2017502321A (ja) * | 2013-12-22 | 2017-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | チャックアセンブリを有する極端紫外線リソグラフィーシステム及びその製造方法 |
| KR20170053713A (ko) * | 2014-09-15 | 2017-05-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 마이크로리소그라피를 위한 투영 렌즈, 투영 노광 장치 및 투영 노광 방법 |
| KR20170095837A (ko) | 2014-12-19 | 2017-08-23 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 이들의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| KR20180093923A (ko) * | 2015-12-15 | 2018-08-22 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 시스템 |
| JP2022520760A (ja) * | 2019-02-06 | 2022-04-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 動作環境における反射フォトリソグラフィマスクのパターン要素の配置を決定するためのデバイスおよびその方法 |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10216786C5 (de) * | 2002-04-15 | 2009-10-15 | Ers Electronic Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden |
| DE10258715B4 (de) * | 2002-12-10 | 2006-12-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung eines optischen Abbildungssystems |
| US7022443B2 (en) * | 2003-02-12 | 2006-04-04 | Intel Corporation | Compensation of reflective mask effects in lithography systems |
| US7125128B2 (en) * | 2004-01-26 | 2006-10-24 | Nikon Corporation | Adaptive-optics actuator arrays and methods for using such arrays |
| DE102004010002B4 (de) * | 2004-03-01 | 2007-10-31 | Infineon Technologies Ag | Maskenhalter zum Halten einer lithografischen Reflexionsmaske und Verfahren |
| US20050223973A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Infineon Technologies Ag | EUV lithography system and chuck for releasing reticle in a vacuum isolated environment |
| US7463336B2 (en) * | 2004-04-14 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and apparatus with applied electric field |
| FR2877104B1 (fr) * | 2004-10-27 | 2006-12-29 | Sagem | Dispositif d'imagerie ou d'insolation, notamment pour la realisation d'un micro-circuit electronique |
| US7184124B2 (en) * | 2004-10-28 | 2007-02-27 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus having an adjustable projection system and device manufacturing method |
| US20060138349A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7436484B2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-10-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI464545B (zh) * | 2005-06-07 | 2014-12-11 | Ricoh Co Ltd | Toner containers |
| US7518703B2 (en) * | 2005-06-28 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| US7446855B2 (en) * | 2005-07-25 | 2008-11-04 | Micron Technology, Inc | Methods and apparatuses for configuring radiation in microlithographic processing of workpieces using an adjustment structure |
| US7643130B2 (en) * | 2005-11-04 | 2010-01-05 | Nuflare Technology, Inc. | Position measuring apparatus and positional deviation measuring method |
| US7961291B2 (en) * | 2005-12-23 | 2011-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR100809329B1 (ko) * | 2006-09-08 | 2008-03-07 | 삼성전자주식회사 | 광학계의 수차를 보정하기 위한 미러를 포함하는포토리소그래피 장치 및 수차 보정부를 포함하는 미러 |
| US7817252B2 (en) * | 2006-09-29 | 2010-10-19 | Intel Corporation | Holder for carrying a photolithography mask in a flattened condition |
| US7853067B2 (en) | 2006-10-27 | 2010-12-14 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for lithographic reticle inspection |
| JP4814782B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2011-11-16 | 株式会社ジェイテック | 位相回復法を用いたｘ線集光方法及びその装置 |
| US7759024B2 (en) * | 2007-02-28 | 2010-07-20 | Intel Corporation | Controlling shape of a reticle with low friction film coating at backside |
| US7894038B2 (en) * | 2007-03-14 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, lithographic apparatus, and a computer program |
| US8975599B2 (en) * | 2007-05-03 | 2015-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Image sensor, lithographic apparatus comprising an image sensor and use of an image sensor in a lithographic apparatus |
| DE102008002377A1 (de) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einem derartigen Beleuchtungssystem |
| KR20100128352A (ko) * | 2008-04-11 | 2010-12-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
| NL2003673A (en) * | 2008-11-21 | 2010-05-25 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and methods for compensating substrate unflatness, determining the effect of patterning device unflatness, and determing the effect of thermal loads on a patterning device. |
| DE102009009221A1 (de) * | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Aktuatorsystem |
| NL2006190A (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-13 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| US20120026480A1 (en) * | 2010-07-26 | 2012-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Image-Compensating Addressable Electrostatic Chuck System |
| EP2434345B1 (en) * | 2010-09-27 | 2013-07-03 | Imec | Method and system for evaluating euv mask flatness |
| DE102010041556A1 (de) | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Abbildung |
| US20140253887A1 (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Applied Materials, Inc. | Contamination prevention for photomask in extreme ultraviolet lithography application |
| WO2014139543A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithographic apparatus |
| US9476764B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wavefront adjustment in extreme ultra-violet (EUV) lithography |
| US9405204B2 (en) | 2013-09-18 | 2016-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of overlay in extreme ultra-violet (EUV) lithography |
| US9034665B2 (en) * | 2013-10-11 | 2015-05-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Tool configuration and method for extreme ultra-violet (EUV) patterning with a deformable reflective surface |
| JP6661371B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2020-03-11 | キヤノン株式会社 | 評価方法、露光方法、および物品の製造方法 |
| WO2024083404A1 (en) * | 2022-10-19 | 2024-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4003640A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-18 | Hughes Aircraft Company | Electro-hydraulic driver for deformable face plate |
| DE3238108A1 (de) | 1982-10-14 | 1984-04-19 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Adaptives optisches system |
| DE3502025A1 (de) * | 1985-01-23 | 1986-07-24 | Diehl GmbH & Co, 8500 Nürnberg | Verformbarer spiegel |
| US4737621A (en) * | 1985-12-06 | 1988-04-12 | Adaptive Optics Assoc., Inc. | Integrated adaptive optical wavefront sensing and compensating system |
| US4875765A (en) * | 1988-07-29 | 1989-10-24 | Eastman Kodak Company | Method for correction of distortions of a mirror |
| JP2690960B2 (ja) * | 1988-09-07 | 1997-12-17 | 株式会社日立製作所 | 拡大投影露光方法及びその装置 |
| US5026977A (en) * | 1989-04-05 | 1991-06-25 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Wavefront sensing and correction with deformable mirror |
| US5005961A (en) * | 1989-12-19 | 1991-04-09 | Eastman Kodak Company | Device for converting a displacement in a direction into a force in the same direction |
| US5142132A (en) * | 1990-11-05 | 1992-08-25 | Litel Instruments | Adaptive optic wafer stepper illumination system |
| US5229889A (en) * | 1991-12-10 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Simple adaptive optical system |
| US5793473A (en) * | 1994-06-09 | 1998-08-11 | Nikon Corporation | Projection optical apparatus for projecting a mask pattern onto the surface of a target projection object and projection exposure apparatus using the same |
| US5745309A (en) * | 1994-06-13 | 1998-04-28 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for removing tilt control in adaptive optics systems |
| WO1997033247A1 (en) * | 1996-03-07 | 1997-09-12 | Accu-Sort Systems, Inc. | Dynamic focusing apparatus for optical imaging systems |
| US6235438B1 (en) * | 1997-10-07 | 2001-05-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
| DE19824030A1 (de) | 1998-05-29 | 1999-12-02 | Zeiss Carl Fa | Katadioptrisches Projektionsobjektiv mit adaptivem Spiegel und Projektionsbelichtungsverfahren |
| JPH11345761A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| US5986795A (en) * | 1998-06-15 | 1999-11-16 | Chapman; Henry N. | Deformable mirror for short wavelength applications |
| US6166865A (en) * | 1999-05-19 | 2000-12-26 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus |
| US6229871B1 (en) * | 1999-07-20 | 2001-05-08 | Euv Llc | Projection lithography with distortion compensation using reticle chuck contouring |
| TW508653B (en) * | 2000-03-24 | 2002-11-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method |
| TW575771B (en) * | 2000-07-13 | 2004-02-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| DE10051466C2 (de) * | 2000-10-17 | 2002-09-19 | Infineon Technologies Ag | Anordnung als Maske für Lithographie |
| EP1393133B1 (en) | 2001-01-09 | 2005-10-26 | Carl Zeiss SMT AG | Projection system for euv lithography |
| EP1231513A1 (en) | 2001-02-08 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Lithographic projection apparatus with adjustable focal surface |
-
2003
- 2003-06-04 US US10/455,254 patent/US6897940B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-19 JP JP2003174518A patent/JP2004031954A/ja active Pending
- 2003-06-20 EP EP03013978A patent/EP1376238A3/en not_active Withdrawn
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005274953A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Toshiba Corp | 描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法 |
| US7704645B2 (en) | 2004-03-24 | 2010-04-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of generating writing pattern data of mask and method of writing mask |
| US7518706B2 (en) | 2004-12-27 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, a tilting device method for performing a tilted focus test, and a device manufactured accordingly |
| US7834975B2 (en) | 2004-12-27 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Method and exposure apparatus for performing a tilted focus and a device manufactured accordingly |
| JP2013527590A (ja) * | 2009-06-30 | 2013-06-27 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | 像補正をするアドレス可能な静電チャックシステム |
| US8599360B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-12-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflective reticle chuck, reflective illumination system including the same, method of controlling flatness of reflective reticle using the chuck, and method of manufacturing semiconductor device using the chuck |
| JP2013543274A (ja) * | 2010-11-05 | 2013-11-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ露光装置の投影対物系 |
| JP2012142619A (ja) * | 2012-04-11 | 2012-07-26 | Renesas Electronics Corp | 反射型露光方法 |
| JP2017502321A (ja) * | 2013-12-22 | 2017-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | チャックアセンブリを有する極端紫外線リソグラフィーシステム及びその製造方法 |
| KR20170053713A (ko) * | 2014-09-15 | 2017-05-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 마이크로리소그라피를 위한 투영 렌즈, 투영 노광 장치 및 투영 노광 방법 |
| JP2017528775A (ja) * | 2014-09-15 | 2017-09-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖマイクロリソグラフィのための投影レンズ、投影露光装置、及び投影露光方法 |
| US10591825B2 (en) | 2014-09-15 | 2020-03-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection lens, projection exposure apparatus and projection exposure method for EUV microlithography |
| KR102469060B1 (ko) * | 2014-09-15 | 2022-11-22 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 마이크로리소그라피를 위한 투영 렌즈, 투영 노광 장치 및 투영 노광 방법 |
| KR20170095837A (ko) | 2014-12-19 | 2017-08-23 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 이들의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| US10578961B2 (en) | 2014-12-19 | 2020-03-03 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, multi-layer reflective film coated substrate, and mask blank |
| KR20180093923A (ko) * | 2015-12-15 | 2018-08-22 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 시스템 |
| KR102694720B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2024-08-14 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 시스템 |
| JP2022520760A (ja) * | 2019-02-06 | 2022-04-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 動作環境における反射フォトリソグラフィマスクのパターン要素の配置を決定するためのデバイスおよびその方法 |
| JP7312264B2 (ja) | 2019-02-06 | 2023-07-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 動作環境における反射フォトリソグラフィマスクのパターン要素の配置を決定するためのデバイスおよびその方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1376238A2 (en) | 2004-01-02 |
| US20040013956A1 (en) | 2004-01-22 |
| EP1376238A3 (en) | 2009-07-08 |
| US6897940B2 (en) | 2005-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004031954A (ja) | 収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック及びｅｕｖ露光装置 | |
| JP2004064076A (ja) | 変形ミラー構造体、変形ミラーの制御方法及び露光装置 | |
| JP2003249542A (ja) | 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2018521344A (ja) | 基板ホルダ、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2002246309A (ja) | リソグラフィック装置、デバイス製造方法、およびその方法により製造したデバイス | |
| JP2004064069A (ja) | 波面収差補正装置及び露光装置 | |
| JP2007329368A (ja) | 多層膜ミラー、評価方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| US7315347B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US7348582B2 (en) | Light source apparatus and exposure apparatus having the same | |
| JP4307130B2 (ja) | 露光装置 | |
| US8755030B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP4202996B2 (ja) | リトグラフ装置、および、デバイスの製造方法 | |
| WO1999036949A1 (fr) | Procede d'exposition et systeme de lithographie, appareil d'exposition et son procede de fabrication | |
| US7543948B2 (en) | Multilayer mirror manufacturing method, optical system manufacturing method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP2009266886A (ja) | マスク、マスク保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP2004228456A (ja) | 露光装置 | |
| JP2000286191A (ja) | 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法 | |
| JP2003172858A (ja) | 光学部品保持装置及び露光装置 | |
| JP3532742B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィ装置およびｘ線露光方法 | |
| JP4018564B2 (ja) | 光学系、及びそれを用いた露光装置、デバイスの製造方法 | |
| JP2009194204A (ja) | 露光装置、露光システムおよびデバイス製造方法 | |
| JP4348734B2 (ja) | 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| JP2012028770A (ja) | イメージ補償のアドレス可能な静電チャックシステム | |
| JP4985392B2 (ja) | 基板保持装置、露光装置およびデバイスの製造方法 | |
| JP2007242707A (ja) | 計測装置、パターン形成装置及びリソグラフィ装置 |