JP2003326459A - Polishing method - Google Patents
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Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 239
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 5
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 52
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 15
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、チャックテーブル
に保持された半導体ウエーハ等の被加工物を乾式研磨す
る研磨装置を用いた研磨方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing method using a polishing apparatus for dry-polishing a workpiece such as a semiconductor wafer held on a chuck table.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイス製造工程においては、略
円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列さ
れたストリートと呼ばれる切断ラインによって多数の矩
形領域を区画し、該矩形領域の各々に半導体回路を形成
する。このように多数の半導体回路が形成された半導体
ウエーハをストリートに沿って分離することにより、個
々の半導体チップを形成する。半導体チップの小型化お
よび軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをスト
リートに沿って切断して個々の矩形領域を分離するのに
先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さ
に形成している。半導体ウエーハの裏面の研削は、通
常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボン
ドで固着して形成した研削工具を、高速回転せしめなが
ら半導体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂
行されている。このような研削方式によって半導体ウエ
ーハの裏面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に所謂
加工歪が生成され、これによって個々に分割された半導
体チップの抗折強度が相当低減される。この研削された
半導体ウエーハの裏面に生成される加工歪を除去する対
策として、研削された半導体ウエーハの裏面を硝酸およ
び弗化水素酸を含むエンチング液を使用して化学的エッ
チングするウエットエッチング法やエッチングガスを用
いるドライエッチング法が使用されている。また、研削
された半導体ウエーハの裏面を遊離砥粒を使用してポリ
ッシングするポリッシング法も実用化されている。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular areas are divided by cutting lines called streets arranged in a lattice pattern on a surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and a semiconductor is formed in each of the rectangular areas. Form a circuit. Individual semiconductor chips are formed by separating the semiconductor wafer on which a large number of semiconductor circuits are formed in this way along the streets. In order to reduce the size and weight of a semiconductor chip, usually, the back surface of the semiconductor wafer is ground to a predetermined thickness before the semiconductor wafer is cut along the streets to separate the individual rectangular areas. Is forming. Grinding of the back surface of a semiconductor wafer is usually performed by pressing a grinding tool formed by fixing diamond abrasive grains with an appropriate bond such as a resin bond to the back surface of the semiconductor wafer while rotating at high speed. When the back surface of the semiconductor wafer is ground by such a grinding method, so-called processing strain is generated on the back surface of the semiconductor wafer, and thereby the bending strength of the individually divided semiconductor chips is considerably reduced. As a measure for removing the processing strain generated on the back surface of the ground semiconductor wafer, a wet etching method of chemically etching the back surface of the ground semiconductor wafer with an etching solution containing nitric acid and hydrofluoric acid is used. A dry etching method using an etching gas is used. Further, a polishing method in which the back surface of a ground semiconductor wafer is polished using free abrasive grains has also been put into practical use.
【０００３】しかしながら、上述したウエットエッチン
グ法、ドライエッチング法およびポリッシング法は、生
産性が悪いとともに、廃液が環境汚染の原因となる。こ
のような問題を解決するために本出願人は、フエルトに
砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石
からなる研磨工具を用いて、研削された半導体ウエーハ
の裏面を研磨し、研削歪みを取り除く技術を特願２００
１−９３３９７として提案した。この研磨技術を用いた
研磨装置は、被加工物搬入・搬出域と研磨域との間を移
動可能に構成され被加工物を載置する載置面を備えたチ
ャックテーブルと、該チャックテーブルを被加工物搬入
・搬出域と研磨域に移動せしめるチャックテーブル移動
機構と、該チャックテーブルの載置面上に載置されてい
る被加工物を乾式研磨するための研磨工具を備えた研磨
ユニットと、該研磨ユニットを該チャックテーブルの該
載置面と垂直な方向に進退せしめる研磨ユニット送り機
構とを具備している。However, the above-mentioned wet etching method, dry etching method and polishing method have poor productivity and waste liquid causes environmental pollution. In order to solve such a problem, the present applicant uses an abrasive tool made of a felt grindstone in which abrasive grains are dispersed in a felt and fixed with an appropriate bonding agent, and a back surface of a ground semiconductor wafer is abraded and ground. Patent application 200 for technology to remove distortion
1-93397. A polishing apparatus using this polishing technique is provided with a chuck table that is configured to be movable between a workpiece loading / unloading area and a polishing area and that has a mounting surface on which a workpiece is mounted, and the chuck table. A chuck table moving mechanism for moving the workpiece into and out of the workpiece and a polishing area, and a polishing unit including a polishing tool for dry-polishing the workpiece mounted on the mounting surface of the chuck table. A polishing unit feed mechanism for moving the polishing unit forward and backward in a direction perpendicular to the mounting surface of the chuck table.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述した研磨装置にお
いては被加工物を乾式で研磨するため、研磨時に研磨粉
が飛散する。このため上記研磨域は防塵カバーによって
覆われており、防塵カバー内に飛散した研磨粉を排気ダ
クトを通して排出している。しかるに、防塵カバー内に
浮遊している研磨粉が研磨後の被加工物の研磨面に堆積
する。研磨が終了した被加工物を保持したチャックテー
ブルは研磨域から被加工物搬入・搬出域に搬送される
が、上記のように被加工物の研磨面に堆積している研磨
粉が飛散して研磨装置を配置したクリーンルームを汚染
するという問題がある。また、研磨された被加工物は洗
浄手段に搬送されて洗浄されるが、被加工物の表面に堆
積した研磨粉は静電気等の影響により除去することが困
難である。In the above-mentioned polishing apparatus, since the work piece is dry-polished, the polishing powder scatters during polishing. Therefore, the polishing area is covered with the dustproof cover, and the polishing powder scattered in the dustproof cover is discharged through the exhaust duct. However, the polishing powder floating in the dustproof cover accumulates on the polishing surface of the workpiece after polishing. The chuck table holding the workpiece after polishing is conveyed from the polishing area to the workpiece loading / unloading area, but as described above, the polishing powder accumulated on the polishing surface of the workpiece is scattered. There is a problem of contaminating the clean room where the polishing device is arranged. Further, although the polished workpiece is conveyed to the cleaning means and cleaned, the polishing powder accumulated on the surface of the workpiece is difficult to remove due to the influence of static electricity or the like.
【０００５】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、被加工物の研磨工程が終
了した後に、被加工物の研磨面に堆積している研磨粉を
除去する工程を実施する研磨方法を提供することにあ
る。The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical problem is to remove the polishing powder accumulated on the polishing surface of the workpiece after the polishing step of the workpiece is completed. It is to provide a polishing method for carrying out the steps.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、被加工物搬入・搬出域と
研磨域との間を移動可能に構成され被加工物を載置する
載置面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブ
ルを被加工物搬入・搬出域と研磨域に移動せしめるチャ
ックテーブル移動機構と、該チャックテーブルの載置面
上に載置されている被加工物を乾式研磨するための研磨
工具を備えた研磨ユニットと、該研磨ユニットを該チャ
ックテーブルの該載置面と垂直な方向に進退せしめる研
磨ユニット送り機構とを具備する研磨装置を用いた研磨
方法であって、該被加工物搬入・搬出域において該載置
面上に被加工物が載置された該チャックテーブルを該研
磨域に移動するチャックテーブル移送工程と、該研磨域
に位置付けられた該チャックテーブルを回転しつつ該チ
ャックテーブル上に保持された被加工物に該研磨工具を
回転しつつ所定の研磨荷重を作用せしめて被加工物を研
磨する研磨工程と、該研磨工程が終了した後、該研磨荷
重を開放し該研磨工具が被加工物に接触している状態で
該チャックテーブルを回転しつつその中心が該研磨工具
の外周縁を通過する折り返し位置まで移動する研磨粉除
去工程と、該折り返し位置に達した該チャックテーブル
を該被加工物搬入・搬出域に向けて移動するチャックテ
ーブル退避工程と、を含む、ことを特徴とする研磨方法
が提供される。In order to solve the above-mentioned main technical problems, according to the present invention, a workpiece is placed so as to be movable between a workpiece loading / unloading area and a polishing area. A chuck table having a mounting surface, a chuck table moving mechanism for moving the chuck table to a work piece loading / unloading area and a polishing area, and a work piece mounted on the mounting surface of the chuck table. A polishing method using a polishing apparatus including a polishing unit having a polishing tool for dry polishing, and a polishing unit feeding mechanism for moving the polishing unit forward and backward in a direction perpendicular to the mounting surface of the chuck table. There is a chuck table transfer step of moving the chuck table, on which the workpiece is placed on the placing surface, to the polishing area in the workpiece loading / unloading area, and the chuck table is positioned in the polishing area. A polishing step of rotating the chuck table and applying a predetermined polishing load to the workpiece held on the chuck table to apply a predetermined polishing load to the workpiece, and after the polishing step is completed. A polishing powder removing step of releasing the polishing load and rotating the chuck table in a state where the polishing tool is in contact with an object to be processed, the center of the polishing table moving to a folding position where it passes through the outer peripheral edge of the polishing tool; And a chuck table retracting step of moving the chuck table that has reached the folding position toward the workpiece carry-in / carry-out area.
【０００７】上記チャックテーブル退避工程におけるチ
ャックテーブルの移動速度は、上記研磨粉除去工程にお
けるチャックテーブルの移動速度より速い速度に設定さ
れていることが望ましい。It is desirable that the moving speed of the chuck table in the chuck table retracting step is set to be higher than the moving speed of the chuck table in the polishing powder removing step.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明に従って構成された
研磨方法の好適な実施形態について、添付図面を参照し
て詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of a polishing method constructed according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
【０００９】図１には本発明による研磨方法を実施する
ための研磨装置の斜視図が示されている。研磨装置は、
全体を番号２で示す装置ハウジングを具備している。装
置ハウジング２は、細長く延在する直方体形状の主部２
１と、該主部２１の後端部（図１において右上端）に設
けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁２２とを有して
いる。直立壁２２の前面には、上下方向に延びる一対の
案内レール２２１、２２１が設けられている。この一対
の案内レール２２１、２２１に研磨ユニット３が上下方
向に移動可能に装着されている。FIG. 1 is a perspective view of a polishing apparatus for carrying out the polishing method according to the present invention. The polishing equipment is
It comprises a device housing generally designated by the number 2. The device housing 2 has a rectangular parallelepiped main portion 2 that extends in a slender shape.
1 and an upright wall 22 provided at a rear end portion (upper right end in FIG. 1) of the main portion 21 and extending substantially vertically upward. On the front surface of the upright wall 22, a pair of vertically extending guide rails 221 and 221 are provided. The polishing unit 3 is mounted on the pair of guide rails 221 and 221 so as to be vertically movable.
【００１０】研磨ユニット３は、移動基台３１と該移動
基台３１に装着されたスピンドルユニット３２を具備し
ている。移動基台３１は、後面両側に上下方向に延びる
一対の脚部３１１、３１１が設けられており、この一対
の脚部３１１、３１１に上記一対の案内レール２２１、
２２１と摺動可能に係合する被案内溝３１２、３１２が
形成されている。このように直立壁２２に設けられた一
対の案内レール２２１、２２１に摺動可能に装着された
移動基台３１の前面には前方に突出した支持部３１３が
設けられている。この支持部３１３にスピンドルユニッ
ト３２が取り付けられる。The polishing unit 3 comprises a moving base 31 and a spindle unit 32 mounted on the moving base 31. The moving base 31 is provided with a pair of leg portions 311 and 311 extending in the vertical direction on both sides of the rear surface. The pair of leg portions 311 and 311 are provided with the pair of guide rails 221.
Guided grooves 312 and 312 that slidably engage with 221 are formed. In this way, the front surface of the movable base 31 slidably mounted on the pair of guide rails 221 and 221 provided on the upright wall 22 is provided with the support portion 313 projecting forward. The spindle unit 32 is attached to the support portion 313.
【００１１】スピンドルユニット３２は、支持部３１３
に装着されたスピンドルハウジング３２１と、該スピン
ドルハウジング３２１に回転自在に配設された回転スピ
ンドル３２２と、該回転スピンドル３２２を回転駆動す
るための駆動源としてのサーボモータ３２３とを具備し
ている。回転スピンドル３２２の下端部はスピンドルハ
ウジング３２１の下端を越えて下方に突出せしめられて
おり、その下端には円板形状の工具装着部材３２４が設
けられている。なお、工具装着部材３２４には、周方向
に間隔をおいて複数のボルト挿通孔（図示していない）
が形成されている。この工具装着部材３２４の下面に研
磨工具３２５が装着される。研磨工具３２５は、図２お
よび図３に図示する如く、円板形状の支持部材３２６と
円板形状の研磨部材３２７とから構成されている。支持
部材３２６には周方向に間隔をおいてその上面から下方
に延びる複数の盲ねじ穴３２６ａが形成されている。支
持部材３２６の下面は円形支持面を構成しており、研磨
部材３２７はエポキシ樹脂系接着剤の如き適宜の接着剤
によって支持部材３２６の円形支持面に接合されてい
る。研磨部材３２７は、図示の実施形態においてはフエ
ルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエル
ト砥石が用いられている。このフエルト砥石からなる研
磨部材３２７自体の構成についての詳細な説明は、本出
願人が既に提案した特願２００１−９３３９７の明細書
および図面に詳細に説明されているのでかかる記載に委
ね、本明細書においては説明を省略する。上記回転スピ
ンドル３２２の下端に固定されている工具装着部材３２
４の下面に研磨工具３２５を位置付け、工具装着部材３
２４に形成されている貫通孔を通して研磨工具３２５の
支持部材３２６に形成されている盲ねじ孔３２６ａに締
結ボルト３２８を螺着することによって、工具装着部材
３２４に研磨工具３２５が装着される。The spindle unit 32 has a support portion 313.
A spindle housing 321 mounted on the spindle housing 321, a rotary spindle 322 rotatably disposed on the spindle housing 321, and a servo motor 323 as a drive source for rotationally driving the rotary spindle 322. The lower end of the rotary spindle 322 is projected downward beyond the lower end of the spindle housing 321, and a disc-shaped tool mounting member 324 is provided at the lower end. It should be noted that the tool mounting member 324 has a plurality of bolt insertion holes (not shown) at intervals in the circumferential direction.
Are formed. The polishing tool 325 is mounted on the lower surface of the tool mounting member 324. As shown in FIGS. 2 and 3, the polishing tool 325 includes a disc-shaped support member 326 and a disc-shaped polishing member 327. The support member 326 is formed with a plurality of blind screw holes 326a that extend downward from the upper surface of the support member 326 at intervals in the circumferential direction. The lower surface of the support member 326 constitutes a circular support surface, and the polishing member 327 is joined to the circular support surface of the support member 326 by an appropriate adhesive such as an epoxy resin adhesive. As the polishing member 327, in the illustrated embodiment, a felt grindstone in which abrasive grains are dispersed in a felt and fixed with an appropriate bonding agent is used. Since the detailed description of the structure of the polishing member 327 itself made of the felt grindstone is described in detail in the specification and drawings of Japanese Patent Application No. 2001-93397 already proposed by the applicant, the description is left to the description. The description is omitted in the book. Tool mounting member 32 fixed to the lower end of the rotary spindle 322
The polishing tool 325 is positioned on the lower surface of the tool mounting member 3
The polishing tool 325 is mounted on the tool mounting member 324 by screwing a fastening bolt 328 into a blind screw hole 326a formed in the support member 326 of the polishing tool 325 through a through hole formed in the tool mounting member 324.
【００１２】図１に戻って説明を続けると、図示の実施
形態における研磨装置は、上記研磨ユニット３を上記一
対の案内レール２２１、２２１に沿って上下方向（後述
するチャックテーブルの載置面と垂直な方向）に移動せ
しめる研磨ユニット送り機構４を備えている。この研磨
ユニット送り機構４は、直立壁２２の前側に配設され実
質上鉛直に延びる雄ねじロッド４１を具備している。こ
の雄ねじロッド４１は、その上端部および下端部が直立
壁２２に取り付けられた軸受部材４２および４３によっ
て回転自在に支持されている。上側の軸受部材４２には
雄ねじロッド４１を回転駆動するための駆動源としての
パルスモータ４４が配設されており、このパルスモータ
４４の出力軸が雄ねじロッド４１に伝動連結されてい
る。移動基台３１の後面にはその幅方向中央部から後方
に突出する連結部（図示していない）も形成されてお
り、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴が形
成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド４１が
螺合せしめられている。従って、パルスモータ４４が正
転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が下降即ち前
進せしめられ、パルスモータ４４が逆転すると移動基台
３１即ち研磨ユニット３が上昇即ち後退せしめられる。Returning to FIG. 1 and continuing the description, in the polishing apparatus in the illustrated embodiment, the polishing unit 3 is moved vertically along the pair of guide rails 221 and 221 (to a mounting surface of a chuck table to be described later). A polishing unit feed mechanism 4 for moving the polishing unit in the vertical direction is provided. The polishing unit feeding mechanism 4 includes a male screw rod 41 that is disposed on the front side of the upright wall 22 and extends substantially vertically. The male screw rod 41 is rotatably supported at its upper end and lower end by bearing members 42 and 43 attached to the upright wall 22. The upper bearing member 42 is provided with a pulse motor 44 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 41, and the output shaft of the pulse motor 44 is transmission-coupled to the male screw rod 41. A connecting portion (not shown) is formed on the rear surface of the movable base 31 so as to project rearward from the center portion in the width direction, and a through female screw hole extending in the vertical direction is formed in this connecting portion. The male screw rod 41 is screwed into the female screw hole. Therefore, when the pulse motor 44 rotates in the forward direction, the moving base 31 or the polishing unit 3 is lowered or advanced, and when the pulse motor 44 is rotated in the reverse direction, the moving base 31 or the polishing unit 3 is raised or retracted.
【００１３】図１および図４を参照して説明を続ける
と、ハウジング２の主部２１の後半部上には略矩形状の
没入部２１１が形成されており、この没入部２１１には
チャックテーブル機構５が配設されている。チャックテ
ーブル機構５は、支持基台５１とこの支持基台５１に実
質上鉛直に延びる回転中心軸線を中心として回転自在に
配設された円板形状のチャックテーブル５２とを含んで
いる。支持基台５１は、上記没入部２１１上に前後方向
（直立壁２２の前面に垂直な方向）である矢印２３ａお
よび２３ｂで示す方向に延在する一対の案内レール２
３、２３上に摺動自在に載置されており、後述するチャ
ックテーブル移動機構５６によって図１に示す被加工物
搬入・搬出域２４（図４において実線で示す位置）と上
記スピンドルユニット３２を構成する研磨工具３２５の
研磨部材３２７と対向する研磨域２５（図４において２
点鎖線で示す位置）との間で移動せしめられる。Continuing the description with reference to FIGS. 1 and 4, a substantially rectangular recess 211 is formed on the rear half of the main portion 21 of the housing 2. The recess 211 has a chuck table. A mechanism 5 is provided. The chuck table mechanism 5 includes a support base 51 and a disk-shaped chuck table 52 rotatably arranged on the support base 51 about a rotation center axis extending substantially vertically. The support base 51 has a pair of guide rails 2 extending on the recessed portion 211 in the front-rear direction (direction perpendicular to the front surface of the upright wall 22) indicated by arrows 23a and 23b.
3 and 23 are slidably mounted, and a chuck table moving mechanism 56, which will be described later, moves the workpiece loading / unloading area 24 (position shown by a solid line in FIG. 4) shown in FIG. 1 and the spindle unit 32. The polishing area 25 (2 in FIG. 4) that faces the polishing member 327 of the polishing tool 325 that constitutes the polishing tool.
The position indicated by the dashed line).
【００１４】上記チャックテーブル５２は、上面に被加
工物を載置する載置面を有し、上記支持基台５１に回転
可能に支持されている。このチャックテーブル５２は、
その下面に装着された回転軸（図示せず）に連結された
サーボモータ５３によって回転せしめられる。なお、チ
ャックテーブル５２は、多孔質セラミッックスの如き適
宜の多孔性材料から構成されており、図示しない吸引手
段に接続されている。従って、チャックテーブル５２を
図示しない吸引手段に選択的に連通することにより、載
置面上に載置された被加工物を吸引保持する。なお、図
示のチャックテーブル機構５は、チャックテーブル５２
を挿通する穴を有し上記支持基台５１等を覆い支持基台
５１とともに移動可能に配設されたカバー部材５４（図
１参照）を備えている。The chuck table 52 has a mounting surface on which a workpiece is mounted, and is rotatably supported by the support base 51. This chuck table 52 is
It is rotated by a servo motor 53 connected to a rotation shaft (not shown) mounted on the lower surface thereof. The chuck table 52 is made of an appropriate porous material such as porous ceramics, and is connected to suction means (not shown). Therefore, by selectively communicating the chuck table 52 with a suction means (not shown), the workpiece placed on the mounting surface is suction-held. The chuck table mechanism 5 shown in the figure
A cover member 54 (see FIG. 1) is provided which has a hole through which the above-mentioned support base 51 and the like is covered so as to be movable together with the support base 51.
【００１５】図４を参照して説明を続けると、図示の実
施形態における研磨装置は、上記チャックテーブル機構
５を一対の案内レール２３に沿って矢印２３ａおよび２
３ｂで示す方向に移動せしめるチャックテーブル移動機
構５６を具備している。チャックテーブル移動機構５６
は、一対の案内レール２３間に配設され案内レール２３
と平行に延びる雄ねじロッド５６１と、該雄ねじロッド
５６１を回転駆動するサーボモータ５６２を具備してい
る。雄ねじロッド５６１は、上記支持基台５１に設けら
れたネジ穴５１１と螺合して、その先端部が一対の案内
レール２３、２３を連結して取り付けられた軸受部材５
６３によって回転自在に支持されている。サーボモータ
５６２は、その駆動軸が雄ねじロッド５６１の基端と伝
動連結されている。従って、サーボモータ５６２が正転
すると支持基台５３即ちチャックテーブル機構５が矢印
２３ａで示す方向に移動し、サーボモータ５６２が逆転
すると支持基台５３即ちチャックテーブル機構５が矢印
２３ｂで示す方向に移動せしめられる。矢印２３ａおよ
び２３ｂで示す方向に移動せしめられるチャックテーブ
ル機構５は、図４において実線で示す被加工物搬入・搬
出域と２点鎖線で示す研磨域に選択的に位置付けられ
る。また、チャックテーブル機構５は、研磨域において
は所定範囲に渡って矢印２３ａおよび２３ｂで示す方向
に往復動せしめられる。Continuing the description with reference to FIG. 4, in the polishing apparatus in the illustrated embodiment, the chuck table mechanism 5 is arranged along the pair of guide rails 23 with arrows 23a and 2a.
A chuck table moving mechanism 56 for moving in the direction indicated by 3b is provided. Chuck table moving mechanism 56
Is disposed between the pair of guide rails 23 and
It is provided with a male screw rod 561 extending in parallel with and a servomotor 562 for rotationally driving the male screw rod 561. The male screw rod 561 is screwed into a screw hole 511 provided in the support base 51, and a tip end portion of the male screw rod 561 is connected to the pair of guide rails 23, and the bearing member 5 is attached.
It is rotatably supported by 63. The drive shaft of the servo motor 562 is transmission-coupled to the base end of the male screw rod 561. Therefore, when the servo motor 562 rotates normally, the support base 53, that is, the chuck table mechanism 5 moves in the direction shown by the arrow 23a, and when the servo motor 562 rotates reversely, the support base 53, that is, the chuck table mechanism 5 moves in the direction shown by the arrow 23b. Can be moved. The chuck table mechanism 5, which is moved in the directions indicated by the arrows 23a and 23b, is selectively positioned in the workpiece loading / unloading area indicated by the solid line and the polishing area indicated by the two-dot chain line in FIG. Further, the chuck table mechanism 5 is reciprocally moved in a direction indicated by arrows 23a and 23b over a predetermined range in the polishing area.
【００１６】図１に戻って説明を続けると、上記チャッ
クテーブル機構５を構成する支持基台５１の移動方向両
側には、図１に示すように横断面形状が逆チャンネル形
状であって、上記一対の案内レール２３、２３や雄ねじ
ロッド５６１およびサーボモータ５６２等を覆っている
蛇腹手段６１および６２が付設されている。蛇腹手段６
１および６２はキャンパス布の如き適宜の材料から形成
することができる。蛇腹手段６１の前端は没入部２１１
の前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構５の
カバー部材５４の前端面に固定されている。蛇腹手段６
２の前端はチャックテーブル機構５のカバー部材５４の
後端面に固定され、後端は装置ハウジング２の直立壁２
２の前面に固定されている。チャックテーブル機構５が
矢印２３ａで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手
段６１が伸張されて蛇腹手段６２が収縮され、チャック
テーブル機構５が矢印２３ｂで示す方向に移動せしめら
れる際には蛇腹手段６１が収縮されて蛇腹手段６２が伸
張せしめられる。Returning to FIG. 1, the description will be continued. On both sides of the support base 51 constituting the chuck table mechanism 5 in the moving direction, as shown in FIG. Bellows means 61 and 62 for covering the pair of guide rails 23, 23, the male screw rod 561 and the servomotor 562 are provided. Bellows means 6
1 and 62 can be formed from any suitable material such as campus cloth. The front end of the bellows means 61 has a recess 211.
Is fixed to the front wall of the chuck table mechanism 5, and the rear end is fixed to the front end surface of the cover member 54 of the chuck table mechanism 5. Bellows means 6
The front end of 2 is fixed to the rear end surface of the cover member 54 of the chuck table mechanism 5, and the rear end thereof is the upright wall 2 of the apparatus housing 2.
It is fixed to the front of 2. When the chuck table mechanism 5 is moved in the direction indicated by the arrow 23a, the bellows means 61 is expanded and the bellows means 62 is contracted, and when the chuck table mechanism 5 is moved in the direction indicated by arrow 23b. 61 is contracted and the bellows means 62 is expanded.
【００１７】図示の実施形態における研磨装置は、研磨
域５２に位置せしめられているチャックテーブル機構５
とともに、チャックテーブル５２上に保持された被加工
物に押圧せしめらている研磨工具３２５を囲繞する防塵
カバー７を具備している。この防塵カバー７は全体とし
て箱形状であり、上壁９１、前壁７２および両側壁７
３、７３を有する。防塵カバー７の両側壁７３、７３は
上下方向中間に下方を向いた肩面７３ａ、７３ａを有
し、両側壁７３、７３の下半部は上記没入部２１１の両
側面に密接せしめられ、肩面７３ａ、７３ａがハウジン
グ２の主部２１の両側縁部の上面に載置せしめられる。
防塵カバー７の前壁７２にはチャックテーブル機構５の
通過を許容するための矩形開口７２ａが形成されてい
る。防塵カバー７の上壁７１には、研磨工具３２５の通
過を許容するための円形開口７１ａが形成されている。
また、防塵カバー７の上壁７１には、円形開口７１ａの
周縁から上方に延びる円筒部材７４が設けられている。
防塵カバー７の上壁７１の一部には、開閉自在な保守点
検用の扉７５が配設されている。更に、防塵カバー７の
上壁７１には、防塵カバー７内を排気するための排気ダ
クト７６が付設されている。排気ダクト７６は適宜の排
気手段（図示していない）に接続されており、研磨工具
３２５によって被加工物を研磨する際には、防塵カバー
７によって囲繞されている研磨域２５における研磨粉等
の粉塵が排気される。The polishing apparatus in the illustrated embodiment has a chuck table mechanism 5 located in the polishing area 52.
In addition, the dust-proof cover 7 surrounding the polishing tool 325 pressed against the workpiece held on the chuck table 52 is provided. The dust-proof cover 7 has a box shape as a whole, and includes an upper wall 91, a front wall 72, and both side walls 7.
3 and 73. Both side walls 73, 73 of the dustproof cover 7 have downwardly facing shoulder surfaces 73a, 73a in the middle in the vertical direction, and the lower half portions of both side walls 73, 73 are closely contacted with the both side surfaces of the recessed portion 211. The surfaces 73a and 73a are placed on the upper surfaces of both side edge portions of the main portion 21 of the housing 2.
The front wall 72 of the dustproof cover 7 is formed with a rectangular opening 72a for allowing the chuck table mechanism 5 to pass therethrough. The upper wall 71 of the dust cover 7 is formed with a circular opening 71a for allowing the polishing tool 325 to pass therethrough.
A cylindrical member 74 extending upward from the peripheral edge of the circular opening 71a is provided on the upper wall 71 of the dustproof cover 7.
On a part of the upper wall 71 of the dustproof cover 7, a door 75 for maintenance that can be opened and closed is provided. Further, an exhaust duct 76 for exhausting the inside of the dust cover 7 is attached to the upper wall 71 of the dust cover 7. The exhaust duct 76 is connected to an appropriate exhaust means (not shown), and when the workpiece is polished by the polishing tool 325, the polishing dust and the like in the polishing area 25 surrounded by the dust cover 7 is removed. Dust is exhausted.
【００１８】図１に基づいて説明を続けると、装置ハウ
ジング２の主部２１における前半部上には、第１のカセ
ット１１と、第２のカセット１２と、被加工物仮載置手
段１３と、洗浄手段１４と、被加工物搬送手段１５と、
被加工物搬入手段１６および被加工物搬出手段１７が配
設されている。第１のカセット１１は研磨加工前の被加
工物を収納し、装置ハウジング２の主部２１におけるカ
セット搬入域に載置される。第２のカセット１２は装置
ハウジング２の主部２１におけるカセット搬出域に載置
され、研磨加工後の被加工物を収納する。被加工物仮載
置手段１３は第１のカセット１１と被加工物搬入・搬出
域２４との間に配設され、研磨加工前の被加工物を仮載
置する。洗浄手段１４は被加工物搬入・搬出域２４と第
２のカセット１２との間に配設され、研磨加工後の被加
工物を洗浄する。被加工物搬送手段１５第１のカセット
１１と第２のカセット１２との間に配設され、第１のカ
セット１１内に収納された被加工物を被加工物仮載置手
段１３に搬出するとともに洗浄手段１４で洗浄された被
加工物を第２のカセット１２に搬送する。被加工物搬入
手段１６は被加工物仮載置手段１３と被加工物搬入・搬
出域２４との間に配設され、被加工物仮載置手段１３上
に載置された研磨加工前の被加工物を被加工物搬入・搬
出域２４に位置付けられたチャックテーブル機構５のチ
ャックテーブル５２上に搬送する。被加工物搬出手段１
７は被加工物搬入・搬出域２４と洗浄手段１４との間に
配設され、被加工物搬入・搬出域２４に位置付けられた
チャックテーブル５２上に載置されている研磨加工後の
被加工物を洗浄手段１４に搬送する。また、図示の実施
形態における研磨装置は、装置ハウジング２の主部２１
における中央部に上記チャックテーブル５２を洗浄する
洗浄水噴射ノズル１８を備えている。この洗浄水噴射ノ
ズル１８は、チャックテーブル機構５が被加工物搬入・
搬出域２４に位置付けられた状態において、チャックテ
ーブル５２に向けて洗浄水を噴出する。Continuing the description with reference to FIG. 1, a first cassette 11, a second cassette 12, and a workpiece temporary placing means 13 are provided on the front half of the main portion 21 of the apparatus housing 2. A cleaning means 14, a workpiece conveying means 15,
Workpiece carry-in means 16 and workpiece carry-out means 17 are provided. The first cassette 11 accommodates an object to be processed before polishing and is placed in the cassette loading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. The second cassette 12 is placed in the cassette unloading area of the main portion 21 of the apparatus housing 2 and stores the workpiece after polishing. The workpiece temporary placing means 13 is disposed between the first cassette 11 and the workpiece loading / unloading area 24, and temporarily places the workpiece before polishing. The cleaning means 14 is arranged between the workpiece loading / unloading area 24 and the second cassette 12 and cleans the workpiece after polishing. Workpiece conveying means 15 is arranged between the first cassette 11 and the second cassette 12, and the workpiece stored in the first cassette 11 is carried out to the workpiece temporary placing means 13. At the same time, the workpiece cleaned by the cleaning means 14 is conveyed to the second cassette 12. The workpiece loading means 16 is disposed between the workpiece temporary placing means 13 and the workpiece loading / unloading area 24, and is placed on the workpiece temporary placing means 13 before polishing. The workpiece is conveyed onto the chuck table 52 of the chuck table mechanism 5 positioned in the workpiece loading / unloading area 24. Workpiece unloading means 1
Reference numeral 7 denotes a workpiece to be processed after polishing, which is disposed between the workpiece loading / unloading area 24 and the cleaning means 14, and is placed on the chuck table 52 positioned in the workpiece loading / unloading area 24. The object is conveyed to the cleaning means 14. In addition, the polishing apparatus in the illustrated embodiment includes a main part 21 of the apparatus housing 2.
The cleaning water jet nozzle 18 for cleaning the chuck table 52 is provided in the central portion of the table. The cleaning water injection nozzle 18 is loaded by the chuck table mechanism 5 into the workpiece.
In the state of being positioned in the carry-out area 24, the cleaning water is jetted toward the chuck table 52.
【００１９】上記第１のカセット１１に収容される被加
工物は、環状のフレームに保護テープを介して表面側が
装着された半導体ウエーハ（従って、半導体ウエーハは
裏面が上側に位置する）、或いは支持基板（サブストレ
ート）上に表面側が装着された半導体ウエーハ（従っ
て、半導体ウエーハは裏面が上側に位置する）でよい。
このような被加工物である半導体ウエーハを収容した第
１のカセット１１は、装置ハウジング２の主部２１にお
ける所定のカセット搬入域に載置される。そして、カセ
ット搬入域に載置された第１のカセット１１に収容され
ていた研磨加工前の半導体ウエーハが全て搬出される
と、空のカセット１１に代えて複数個の半導体ウエーハ
を収容した新しいカセット１１が手動でカセット搬入域
に載置される。一方、装置ハウジング２の主部２１にお
ける所定のカセット搬出域に載置された第２のカセット
１２に所定数の研磨加工後の半導体ウエーハが搬入され
ると、かかる第２のカセット１２が手動で搬出され、新
しい空の第２のカセット１２が載置される。The workpiece contained in the first cassette 11 is a semiconductor wafer whose front side is attached to an annular frame via a protective tape (hence, the back side of the semiconductor wafer is located on the upper side), or a support. It may be a semiconductor wafer whose front surface side is mounted on a substrate (therefore, the back surface of the semiconductor wafer is located on the upper side).
The first cassette 11 accommodating the semiconductor wafer that is such a workpiece is placed in a predetermined cassette loading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. Then, when all the semiconductor wafers before polishing which were accommodated in the first cassette 11 placed in the cassette carry-in area are unloaded, a new cassette containing a plurality of semiconductor wafers instead of the empty cassette 11 is carried out. 11 is manually placed in the cassette loading area. On the other hand, when a predetermined number of polished semiconductor wafers are loaded into the second cassette 12 placed in a predetermined cassette unloading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2, the second cassette 12 is manually operated. It is carried out and a new empty second cassette 12 is placed.
【００２０】次に、上述した研磨装置を用いた研磨方法
について、主に図１と図５および図６を参照して説明す
る。第１のカセット１１に収容された研磨加工前の被加
工物としての半導体ウエーハは被加工物搬送手段１５の
上下動作および進退動作により搬送され、被加工物仮載
置手段１３に載置される。被加工物仮載置手段１３に載
置された半導体ウエーハは、ここで中心合わせが行われ
た後に被加工物搬入手段１６の旋回動作によって被加工
物搬入・搬出域２４に位置せしめられているチャックテ
ーブル機構５のチャックテーブル５２上に載置される。
チャックテーブル５２上に載置された被加工物としての
半導体ウエーハは、図示しない吸引手段によってチャッ
クテーブル５２上に吸引保持される。Next, a polishing method using the above-described polishing apparatus will be described mainly with reference to FIGS. 1, 5 and 6. The semiconductor wafer as the workpiece before polishing, which is accommodated in the first cassette 11, is transported by the vertical movement and the forward / backward movement of the workpiece transport means 15, and is placed on the workpiece temporary placement means 13. . The semiconductor wafer placed on the workpiece temporary placing means 13 is positioned in the workpiece loading / unloading area 24 by the turning operation of the workpiece loading means 16 after centering is performed here. It is placed on the chuck table 52 of the chuck table mechanism 5.
The semiconductor wafer as a workpiece placed on the chuck table 52 is suction-held on the chuck table 52 by suction means (not shown).
【００２１】チャックテーブル５２上に半導体ウエーハ
を吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構５６
（図４参照）を作動してチャックテーブル機構５を矢印
２３ａで示す方向に移動し、図５において実線で示す研
磨域の研磨開始位置（チャックテーブル５２上に保持さ
れた半導体ウエーハＷの外周部と研磨工具３２５の研磨
部材３２７外周部とが重合する位置）に位置付ける（チ
ャックテーブル移送工程）。研磨域の研磨開始位置おい
ては、半導体ウエーハＷを保持したチャックテーブル５
２を例えば１００〜３００ｒｐｍ程度で回転し、上記サ
ーボモータ３２３を駆動して研磨工具３２５を４０００
〜７０００ｒｐｍで回転するとともに、上記研磨ユニッ
ト送り機構４のパルスモータ４４を正転駆動して研磨ユ
ニット３を図５において実線で示す待機位置から下降即
ち前進せしめる。そして、図５において２点鎖線で示す
ように研磨工具３２５の研磨部材３２７をチャックテー
ブル５２上の半導体ウエーハＷの裏面に所定の荷重（研
磨荷重）で押圧する。なお、チャックテーブル５２上の
半導体ウエーハＷに作用する研磨工具３２５の荷重は、
チャックテーブル５２と支持部材との間に配設されたキ
スラー動力計等の荷重センサー（図示せず）によって検
出される。次に、チャックテーブル移動機構５６を一方
向に作動しチャックテーブル機構５を矢印２３ａで示す
方向に図５において２点鎖線で示す折り返し位置、即ち
半導体ウエーハＷの中心が研磨部材３２７の外周縁を僅
かに越える位置まで移動する。このとき、チャックテー
ブル機構５の移動速度（Ｖ１）は、例えば１００〜２０
０ｍｍ／分に設定されている。そして、チャックテーブ
ル５２が折り返し位置まで移動したら、チャックテーブ
ル移動機構５６を一方向に作動してチャックテーブル機
構５を矢印２３ｂで示す方向に移動速度（Ｖ１）で移動
し図５において実線で示す研磨開始位置に戻し、研磨工
程が終了する。このようにして研磨工程を実行すること
により、研磨部材３２７の作用によって半導体ウエーハ
Ｗの裏面が所定量乾式研磨され、残留加工歪が除去され
る。When the semiconductor wafer is sucked and held on the chuck table 52, the chuck table moving mechanism 56
(See FIG. 4) to move the chuck table mechanism 5 in the direction shown by the arrow 23a, and the polishing start position in the polishing area indicated by the solid line in FIG. 5 (the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W held on the chuck table 52). And the outer periphery of the polishing member 327 of the polishing tool 325 are overlapped with each other (chuck table transfer step). At the polishing start position in the polishing area, the chuck table 5 holding the semiconductor wafer W is held.
2 is rotated at, for example, about 100 to 300 rpm, and the servo motor 323 is driven to set the polishing tool 325 to 4000.
While rotating at ˜7000 rpm, the pulse motor 44 of the polishing unit feeding mechanism 4 is driven in the normal direction to lower or advance the polishing unit 3 from the standby position shown by the solid line in FIG. Then, as shown by the chain double-dashed line in FIG. 5, the polishing member 327 of the polishing tool 325 is pressed against the back surface of the semiconductor wafer W on the chuck table 52 with a predetermined load (polishing load). The load of the polishing tool 325 acting on the semiconductor wafer W on the chuck table 52 is
It is detected by a load sensor (not shown) such as a Kistler dynamometer arranged between the chuck table 52 and the support member. Next, the chuck table moving mechanism 56 is operated in one direction to move the chuck table mechanism 5 in the direction indicated by the arrow 23a at the folding position indicated by the chain double-dashed line in FIG. Move to a slightly over position. At this time, the moving speed (V1) of the chuck table mechanism 5 is, for example, 100 to 20.
It is set to 0 mm / min. Then, when the chuck table 52 moves to the folding position, the chuck table moving mechanism 56 is operated in one direction to move the chuck table mechanism 5 in the direction indicated by the arrow 23b at the moving speed (V1), and the polishing indicated by the solid line in FIG. The polishing step is completed by returning to the starting position. By performing the polishing process in this manner, the back surface of the semiconductor wafer W is dry-polished by a predetermined amount by the action of the polishing member 327, and the residual processing strain is removed.
【００２２】上述した研磨工程における乾式研磨作用に
よって研磨粉が飛散するが、この際には図示しない排気
手段が作動せしめられていて、防塵カバー７内に飛散し
た研磨粉は排気ダクト７６を通して排気される。しかし
ながら、防塵カバー７内に飛散した研磨粉の全てを排気
ダクト７６を通して排気することは困難であり、防塵カ
バー７内に浮遊している研磨粉の一部はチャックテーブ
ル５２上の半導体ウエーハＷの研磨面に堆積する。即
ち、上記研磨工程におけるチャックテーブル５２の移動
速度（Ｖ１）は１００〜２００ｍｍ／分と非常に遅いた
め、チャックテーブル５２が折り返し位置から研磨開始
位置まで戻る間に半導体ウエーハＷの研磨面特に中央部
にはかなりの量の研磨粉が堆積する。この半導体ウエー
ハＷの研磨面に堆積された研磨粉を除去するために、図
示の実施形態においては上記研磨工程が終了した後に、
以下に述べる研磨粉除去工程を実行する。The polishing powder is scattered by the dry polishing action in the above-mentioned polishing process. At this time, the exhaust means (not shown) is operated, and the polishing powder scattered in the dustproof cover 7 is exhausted through the exhaust duct 76. It However, it is difficult to exhaust all of the polishing powder scattered in the dustproof cover 7 through the exhaust duct 76, and a part of the polishing powder floating in the dustproof cover 7 is removed from the semiconductor wafer W on the chuck table 52. Deposit on the polished surface. That is, since the moving speed (V1) of the chuck table 52 in the polishing step is very slow at 100 to 200 mm / min, the polishing surface of the semiconductor wafer W, especially the central portion, is returned while the chuck table 52 returns from the folding position to the polishing start position. A considerable amount of polishing powder is deposited on the surface. In order to remove the polishing powder deposited on the polished surface of the semiconductor wafer W, in the illustrated embodiment, after the polishing step is completed,
The polishing powder removing step described below is executed.
【００２３】研磨粉除去工程について、図６を参照して
説明する。上述した研磨工程終了時には、チャックテー
ブル５２は図６において実線で示す研磨開始位置に戻さ
れる。この研磨開始位置が図示の実施形態においては研
磨粉除去工程における研磨粉除去開始位置となる。な
お、このときチャックテーブル５２は例えば１００〜３
００ｒｐｍ程度で回転しており、研磨工具３２５は４０
００〜７０００ｒｐｍで回転している。このようにチャ
ックテーブル５２が研磨開始位置に戻され研磨工程が終
了した時点で、上記研磨ユニット送り機構４のパルスモ
ータ４４を逆転駆動し、研磨ユニット３を上昇せしめて
研磨工具３２５による研磨荷重を開放する。このとき、
研磨ユニット送り機構４のパルスモータ４４を１ステッ
プずつゆっくり例えば５μｍ／秒の速度で作動し、研磨
工具３２５による研磨荷重を検出する荷重センサーの出
力値が零（０）または僅かに荷重が作用している時点
で、研磨ユニット送り機構４のパルスモータ４４を停止
する。この状態では、研磨工具３２５の研磨部材３２７
の下面はチャックテーブル５２上の半導体ウエーハＷと
接触している。このように、研磨荷重を開放し研磨部材
３２７の下面が半導体ウエーハＷと接触している状態が
図６において実線で示す状態である。The polishing powder removing step will be described with reference to FIG. At the end of the polishing process described above, the chuck table 52 is returned to the polishing start position shown by the solid line in FIG. In the illustrated embodiment, this polishing start position is the polishing powder removal start position in the polishing powder removal step. At this time, the chuck table 52 is, for example, 100 to 3
It is rotating at about 00 rpm and the polishing tool 325 is 40
It is rotating at 00-7000 rpm. In this way, when the chuck table 52 is returned to the polishing start position and the polishing process is completed, the pulse motor 44 of the polishing unit feeding mechanism 4 is reversely driven to raise the polishing unit 3 to increase the polishing load by the polishing tool 325. Open. At this time,
The pulse motor 44 of the polishing unit feed mechanism 4 is slowly operated step by step at a speed of, for example, 5 μm / sec, and the output value of the load sensor for detecting the polishing load by the polishing tool 325 is zero (0) or slightly applied. At that time, the pulse motor 44 of the polishing unit feed mechanism 4 is stopped. In this state, the polishing member 327 of the polishing tool 325 is
The lower surface of the wafer contacts the semiconductor wafer W on the chuck table 52. In this way, the state where the polishing load is released and the lower surface of the polishing member 327 is in contact with the semiconductor wafer W is the state shown by the solid line in FIG.
【００２４】上記のようにして研磨荷重を開放したら、
チャックテーブル機構５を矢印２３ａで示す方向に図６
において２点鎖線で示す折り返し位置、即ち半導体ウエ
ーハＷの中心が研磨部材３２７の外周縁を僅かに越える
位置まで移動する（研磨粉除去工程）。このとき、チャ
ックテーブル機構５の移動速度（Ｖ２）は、上記研磨時
におけるチャックテーブル５２の移動速度（Ｖ１）であ
る１００〜２００ｍｍ／分より早い例えば４０ｍｍ／秒
程度に設定されている。この移動速度（Ｖ２）は、速過
ぎると半導体ウエーハＷの上面に堆積された研磨粉を確
実に拭い去ることができず、遅いと研磨粉除去工程に時
間を要し生産性が低下するので、４０ｍｍ／秒程度が適
当である。このように、チャックテーブル機構５を移動
速度（Ｖ２）で図６において２点鎖線で示す折り返し位
置まで移動することにより、研磨部材３２７により半導
体ウエーハＷの全面が拭われ、半導体ウエーハＷ上研磨
面に堆積した研磨粉が除去される。When the polishing load is released as described above,
The chuck table mechanism 5 is moved in the direction shown by the arrow 23a in FIG.
At the folding position indicated by the two-dot chain line, that is, to the position where the center of the semiconductor wafer W slightly exceeds the outer peripheral edge of the polishing member 327 (polishing powder removing step). At this time, the moving speed (V2) of the chuck table mechanism 5 is set to, for example, about 40 mm / sec, which is faster than the moving speed (V1) of the chuck table 52 at the time of polishing, which is 100 to 200 mm / min. If the moving speed (V2) is too high, the polishing powder deposited on the upper surface of the semiconductor wafer W cannot be wiped off reliably, and if the moving speed is slow, the polishing powder removing step requires time and the productivity is reduced. About 40 mm / sec is suitable. In this way, by moving the chuck table mechanism 5 at the moving speed (V2) to the folding position shown by the chain double-dashed line in FIG. 6, the polishing member 327 wipes the entire surface of the semiconductor wafer W, and the polishing surface on the semiconductor wafer W is polished. The polishing powder accumulated on the surface is removed.
【００２５】上述した研磨粉除去工程が終了したら、以
下に述べるチャックテーブル退避工程を実行する。即
ち、チャックテーブル機構５を図６において２点鎖線で
示す折り返し位置まで移動したら、チャックテーブル移
動機構５６を図６において矢印２３ｂで示す方向に上記
研磨粉除去工程における移動速度（Ｖ２）より速い移動
速度（Ｖ３）で被加工物搬入・搬出域２４へ移動する。
なお、移動速度（Ｖ３）は研磨粉除去工程において研磨
粉が除去された半導体ウエーハＷの研磨面に防塵カバー
７内に浮遊している研磨粉が再び堆積しないように素早
く退避することが望ましく、１００ｍｍ／秒程度が適当
である。After the above-mentioned polishing powder removing step is completed, a chuck table retracting step described below is executed. That is, when the chuck table mechanism 5 is moved to the folding position shown by the chain double-dashed line in FIG. 6, the chuck table moving mechanism 56 is moved in the direction shown by the arrow 23b in FIG. 6 faster than the moving speed (V2) in the polishing powder removing step. The workpiece is moved to the work loading / unloading area 24 at a speed (V3).
It is desirable that the moving speed (V3) be swiftly retracted so that the polishing powder floating in the dust-proof cover 7 is not redeposited on the polishing surface of the semiconductor wafer W from which the polishing powder was removed in the polishing powder removing step. About 100 mm / sec is suitable.
【００２６】上述したように研磨粉除去工程の後にチャ
ックテーブル退避工程を実行することにより、チャック
テーブル機構５が被加工物搬入・搬出域２４に位置付け
られたならば、チャックテーブル５２上の研磨加工され
た半導体ウエーハの吸引保持が解除される。そして、吸
引保持が解除された半導体ウエーハは被加工物搬出手段
１７により搬出されて洗浄手段１４に搬送される。この
とき、上述したように研磨工程において半導体ウエーハ
の研磨面に堆積した研磨粉が研磨粉除去工程で除去され
ているので、研磨装置を配置したクリーンルームを汚染
することはない。洗浄手段１４に搬送された半導体ウエ
ーハはここで洗浄されるが、上述したように半導体ウエ
ーハの研磨面に堆積した研磨粉は研磨粉除去工程で除去
されているので、極めて容易に洗浄できる。洗浄手段１
４で洗浄された半導体ウエーハは、被加工物搬送手段１
５よって第２のカセット１２の所定位置に収納される。By performing the chuck table retracting step after the polishing powder removing step as described above, when the chuck table mechanism 5 is positioned in the workpiece loading / unloading area 24, the polishing process on the chuck table 52 is performed. The suction holding of the semiconductor wafer thus made is released. Then, the semiconductor wafer from which the suction holding is released is carried out by the workpiece carrying-out means 17 and carried to the cleaning means 14. At this time, as described above, since the polishing powder accumulated on the polishing surface of the semiconductor wafer in the polishing process is removed in the polishing powder removing process, the clean room in which the polishing apparatus is arranged is not contaminated. The semiconductor wafer conveyed to the cleaning means 14 is cleaned here, but as described above, since the polishing powder accumulated on the polishing surface of the semiconductor wafer is removed in the polishing powder removing step, it can be cleaned very easily. Cleaning means 1
The semiconductor wafer washed in step 4 is transferred to the workpiece transfer means 1
Therefore, the second cassette 12 is stored in a predetermined position.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明による研磨方法においては、研磨
工程が終了した後に研磨荷重を開放し研磨工具が被加工
物に接触している状態でチャックテーブルを回転しつつ
その中心が研磨工具の外周縁を通過する折り返し位置ま
で移動する研磨粉除去工程を実行するので、研磨工程に
おいて被加工物の研磨面に堆積した研磨粉が除去され、
チャックテーブルを被加工物搬入・搬出域に向けて移動
しても研磨粉によって研磨装置を配置したクリーンルー
ムを汚染することはない。また、研磨された被加工物の
洗浄も、上述したように研磨面に堆積した研磨粉が除去
されているので、極めて容易に行うことができる。In the polishing method according to the present invention, after the polishing step is completed, the polishing load is released and the chuck table is rotated while the polishing tool is in contact with the workpiece, while the center of the polishing table is outside the polishing tool. Since the polishing powder removing process of moving to the folding position passing through the peripheral edge is performed, the polishing powder accumulated on the polishing surface of the workpiece in the polishing process is removed,
Even if the chuck table is moved toward the workpiece loading / unloading area, the clean powder in which the polishing apparatus is arranged is not contaminated by the polishing powder. In addition, since the polishing powder accumulated on the polishing surface is removed as described above, the cleaning of the polished workpiece can be extremely easily performed.
【図１】本発明による研磨方法を実施する研磨装置の一
実施形態を示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a polishing apparatus for carrying out a polishing method according to the present invention.
【図２】図１に示す研磨装置に装備される研磨ユニット
を構成する研磨工具を示す斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing a polishing tool that constitutes a polishing unit equipped in the polishing apparatus shown in FIG.
【図３】図２に示す研磨工具その下面側から見た状態を
示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing a state of the polishing tool shown in FIG. 2 as viewed from the lower surface side thereof.
【図４】図１に示す研磨装置に装備されるチャックテー
ブル機構およびチャックテーブル移動機構を示す斜視
図。FIG. 4 is a perspective view showing a chuck table mechanism and a chuck table moving mechanism equipped in the polishing apparatus shown in FIG.
【図５】本発明による研磨方法における研磨工程を示す
説明図。FIG. 5 is an explanatory view showing a polishing step in the polishing method according to the present invention.
【図６】本発明による研磨方法における研磨粉除去工程
およびチャックテーブル退避工程を示す説明図。FIG. 6 is an explanatory view showing a polishing powder removing step and a chuck table retracting step in the polishing method according to the present invention.
２：装置ハウジング ３：研磨ユニット ３１：移動基台 ３２：スピンドルユニット ３２１：スピンドルハウジング ３２２：回転スピンドル ３２３：サーボモータ ３２４：工具装着部材 ３２５：研磨工具 ３２６：支持部材 ３２７：研磨部材 ４：研磨ユニット送り機構 ４４：パルスモータ ５：チャックテーブル機構 ５１：支持基台 ５２：チャックテーブル ５３：サーボモータ ５４：カバー部材 ５６：チャックテーブル移動機構 ６１、６２：蛇腹手段 ７：防塵カバー １１：第１のカセット １２：第２のカセット １３：被加工物仮載置手段 １４：洗浄手段 １５：被加工物搬送手段 １６：被加工物搬入手段 １７：被加工物搬出手段 １８：洗浄水噴射ノズル 2: Device housing 3: Polishing unit 31: Moving base 32: Spindle unit 321: Spindle housing 322: rotating spindle 323: Servo motor 324: Tool mounting member 325: Polishing tool 326: Support member 327: Polishing member 4: Polishing unit feeding mechanism 44: Pulse motor 5: Chuck table mechanism 51: Support base 52: Chuck table 53: Servo motor 54: Cover member 56: Chuck table moving mechanism 61, 62: bellows means 7: Dustproof cover 11: First cassette 12: Second cassette 13: Workpiece temporary placement means 14: Cleaning means 15: Workpiece conveying means 16: Workpiece loading means 17: Workpiece unloading means 18: Wash water injection nozzle
Claims (3)
移動可能に構成され被加工物を載置する載置面を備えた
チャックテーブルと、該チャックテーブルを被加工物搬
入・搬出域と研磨域に移動せしめるチャックテーブル移
動機構と、該チャックテーブルの載置面上に載置されて
いる被加工物を乾式研磨するための研磨工具を備えた研
磨ユニットと、該研磨ユニットを該チャックテーブルの
該載置面と垂直な方向に進退せしめる研磨ユニット送り
機構とを具備する研磨装置を用いた研磨方法であって、 該被加工物搬入・搬出域において該載置面上に被加工物
が載置された該チャックテーブルを該研磨域に移動する
チャックテーブル移送工程と、 該研磨域に位置付けられた該チャックテーブルを回転し
つつ該チャックテーブル上に保持された被加工物に該研
磨工具を回転しつつ所定の研磨荷重を作用せしめて被加
工物を研磨する研磨工程と、 該研磨工程が終了した後、該研磨荷重を開放し該研磨工
具が被加工物に接触している状態で該チャックテーブル
を回転しつつその中心が該研磨工具の外周縁を通過する
折り返し位置まで移動する研磨粉除去工程と、 該折り返し位置に達した該チャックテーブルを該被加工
物搬入・搬出域に向けて移動するチャックテーブル退避
工程と、を含む、 ことを特徴とする研磨方法。1. A chuck table having a mounting surface configured to be movable between a workpiece loading / unloading area and a polishing area and on which a workpiece is mounted, and a chuck table loading / unloading the workpiece. A chuck table moving mechanism for moving to a carry-out area and a polishing area, a polishing unit equipped with a polishing tool for dry-polishing a workpiece placed on a placing surface of the chuck table, and the polishing unit. A polishing method using a polishing apparatus, comprising: a polishing unit feed mechanism that moves the chuck table forward and backward in a direction perpendicular to the mounting surface, the method comprising: A chuck table transfer step of moving the chuck table on which the workpiece is placed to the polishing area, and an object held on the chuck table while rotating the chuck table positioned in the polishing area. A polishing step in which a predetermined polishing load is applied to a workpiece to apply a predetermined polishing load to polish a workpiece, and after the polishing step is completed, the polishing load is released and the polishing tool becomes a workpiece. A polishing powder removing step of rotating the chuck table in contact with the chuck table and moving the center thereof to a folding position where the center passes through the outer peripheral edge of the polishing tool, and the chuck table reaching the folding position is used as the workpiece. And a chuck table retracting step of moving toward a carry-in / carry-out area.
チャックテーブルの移動速度は、該研磨粉除去工程にお
ける該チャックテーブルの移動速度より速い速度に設定
されている、請求項１記載の研磨方法。2. The polishing method according to claim 1, wherein a moving speed of the chuck table in the chuck table retracting step is set to be higher than a moving speed of the chuck table in the polishing powder removing step.
せ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石からなってい
る、請求項１記載の研磨方法。3. The polishing method according to claim 1, wherein the polishing tool comprises a felt grindstone in which abrasive grains are dispersed in a felt and fixed with an appropriate bonding agent.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002132893A JP4295469B2 (en) | 2002-05-08 | 2002-05-08 | Polishing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002132893A JP4295469B2 (en) | 2002-05-08 | 2002-05-08 | Polishing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003326459A true JP2003326459A (en) | 2003-11-18 |
| JP4295469B2 JP4295469B2 (en) | 2009-07-15 |
Family
ID=29696203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002132893A Expired - Lifetime JP4295469B2 (en) | 2002-05-08 | 2002-05-08 | Polishing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4295469B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098574A (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | Polishing device of wafer |
| JP2008114350A (en) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dry type polishing device |
| JP2012106293A (en) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Disco Corp | Method and apparatus for polishing wafer |
| JP2017001164A (en) * | 2015-06-15 | 2017-01-05 | 株式会社ディスコ | Polishing device |
| JP2019048339A (en) * | 2017-09-08 | 2019-03-28 | 株式会社ディスコ | Dry polishing device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102862104A (en) * | 2012-09-25 | 2013-01-09 | 济南济变志亨电力设备有限公司 | Coil sprue polishing device |
-
2002
- 2002-05-08 JP JP2002132893A patent/JP4295469B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2008098574A (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | Polishing device of wafer |
| JP2008114350A (en) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dry type polishing device |
| JP2012106293A (en) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Disco Corp | Method and apparatus for polishing wafer |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4295469B2 (en) | 2009-07-15 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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