JP2003301257A - Method for forming carbonaceous film and method for manufacturing magnetic disc - Google Patents
Method for forming carbonaceous film and method for manufacturing magnetic discInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、摺動耐久性が良好
な炭素質皮膜形成方法、その方法を用いた磁気ディスク
の製造方法、その方法によって製造された炭素質薄膜及
び炭素質皮膜形成装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a carbonaceous film having good sliding durability, a method for producing a magnetic disk using the method, a carbonaceous thin film produced by the method, and a carbonaceous film forming apparatus. Regarding
【0002】[0002]
【従来の技術】磁気ディスク装置は、ますます大容量情
報記憶メディアとしての重要性を増しており、従来から
のコンピュータ、パソコンの用途のみならず画像や音声
の記録装置として普及しつつある。これはひとえに記録
密度向上による小型化、大容量化、低コスト化が驚異的
な速さで進んでいるからに他ならない。このための技術
革新は日々進められており、従来の技術を次々と革新し
ていく必要がある。特に記録密度向上に関しては磁気ヘ
ッドと磁気記録媒体との隙間、すなわちスペーシングロ
スを極限まで少なくする必要があり、この間に入ってい
る保護膜厚や潤滑層厚及びヘッドの浮上高さを低減し、
かつ平坦化していく必要がある。今日実現している数1
0Gb/in2の段階でこの間隔は20数nmであり、
保護膜厚は数nmであるが、今後は2.5nm以下の超
薄膜化が必要である。このような厚さでは従来のダイヤ
モンドライクカーボン等では数原子層にしかならず、た
とえていえば保護膜を通して地膚が見える状態になる。
従って耐食性と強度を確保するためには原子密度、結合
密度を上げることが必須課題となる。2. Description of the Related Art Magnetic disk devices are becoming more and more important as large-capacity information storage media, and are becoming popular not only as conventional computers and personal computers but also as image and sound recording devices. This is because the miniaturization, large capacity, and cost reduction by improving the recording density are progressing at an amazing speed. Technological innovation for this purpose is progressing daily, and it is necessary to innovate conventional technologies one after another. In particular, in order to improve the recording density, it is necessary to minimize the gap between the magnetic head and the magnetic recording medium, that is, the spacing loss, and reduce the protective film thickness, the lubricating layer thickness, and the flying height of the head that are contained in the gap. ,
And it needs to be flattened. Number 1 realized today
At 0 Gb / in 2 , this distance is 20 nm or more,
Although the protective film thickness is several nm, it is necessary to make the film thinner than 2.5 nm in the future. With such a thickness, conventional diamond-like carbon or the like has only a few atomic layers, and for example, the skin can be seen through the protective film.
Therefore, in order to secure the corrosion resistance and strength, it is essential to raise the atomic density and the bond density.
【0003】炭素系皮膜において高密度なものにダイヤ
モンドがあるが、どうしても多結晶性皮膜となるので粒
界が弱点となり、機械的にも化学的にも反って弱くなる
ことが推定される。最近ではダイヤモンドに匹敵する密
度のアモルファス炭素膜、いわゆるテトラヘドラルアモ
ルファスカーボン(以下、ta−Cと略す)が見出さ
れ、磁気ディスク保護膜としての検討もなされている。
しかし、ta−Cの欠点は高いヤング率及び圧縮応力で
あり、保護膜自身は強くても磁気ヘッドの角が当ったり
異物を噛み込んだ場合に保護膜の下の磁性層以下で応力
が集中し、根こそぎ破壊されるモードが発生する。ま
た、ヘッドとの高速摺動において摩擦力が大きくなり、
ヘッドがばたつくという現象も起きやすい。Diamond has a high density of carbon-based coatings, but since it is a polycrystalline coating, grain boundaries become weak points, and it is presumed that the carbon-based coatings are weakened mechanically and chemically. Recently, an amorphous carbon film having a density comparable to that of diamond, so-called tetrahedral amorphous carbon (hereinafter, abbreviated as ta-C) has been found, and is being studied as a magnetic disk protective film.
However, the disadvantages of ta-C are high Young's modulus and compressive stress, and even if the protective film itself is strong, when the corner of the magnetic head hits or foreign matter is caught, stress concentrates in the magnetic layer below the protective film. However, a mode occurs in which the root is destroyed. In addition, the frictional force increases during high-speed sliding with the head,
The phenomenon of the head fluttering easily occurs.
【0004】通常上記のような摩擦力は潤滑層により低
減されるが、ta−Cの場合は潤滑層とta−Cの界面
における付着力が小さいため接触時にはぎ取られやす
く、しかもヤング率が高いので接触時に発生する摩擦力
も大きくなり、反ってヘッド振動が大きくなって膜を破
壊するという問題があった。Usually, the frictional force as described above is reduced by the lubricating layer. However, in the case of ta-C, the adhesive force at the interface between the lubricating layer and ta-C is small, so that it is easily stripped off at the time of contact and the Young's modulus is Since it is high, the frictional force generated at the time of contact also becomes large, and there is a problem in that the vibration of the head becomes large and the film is destroyed.
【0005】ta−CにおいてN等の元素を添加するこ
とでヤング率を下げ、潤滑層付着性を向上する試みが、
アイイーイーイー トランザクション オン マグネチ
ックス,第37巻第4号1789〜1791頁(200
1年)(IEEE Transaction on M
agnetics,Vol.37,No.4,1789
〜1791(2001))に開示されている。Attempts have been made to lower the Young's modulus and improve the adhesion of the lubricating layer by adding an element such as N in ta-C.
IEE Transaction on Magnetics, Vol. 37, No. 4, pp. 1789-1791 (200
1 year) (IEEE Transaction on M
agnetics, Vol. 37, No. 4,1789
~ 1791 (2001)).
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、一般
にta−Cをフィルタードカソディックアーク蒸着とい
う方法で形成しており、窒素をガスとして混入させても
アークを抑制したりイオン選別を不安定にさせるので、
好ましい構造、比率で化合させることは困難であるとい
うことについて配慮されていなかった。In the prior art described above, generally, ta-C is formed by a method called filtered cathodic arc vapor deposition, and even if nitrogen is mixed as a gas, the arc is suppressed or ion selection is unstable. So that
No consideration was given to the fact that it is difficult to combine the compounds in a preferable structure and ratio.
【0007】このように、超薄膜のレベル、例えば、
2.5nm以下のレベルで、しかも将来必要になる極低
浮上に耐えうる保護皮膜については十分に検討されてい
なかった。Thus, at the ultra-thin film level, for example,
A protective film having a level of 2.5 nm or less and capable of withstanding extremely low levitation required in the future has not been sufficiently studied.
【0008】本発明の第1の目的は、高速低浮上摺動に
おける損傷が少なく、耐久性の高い炭素質皮膜の形成方
法を提供することにある。本発明の第2の目的は、高速
低浮上摺動における損傷が少なく、耐久性の高い炭素質
皮膜を提供することにある。本発明の第3の目的は、高
速低浮上摺動における損傷が少なく、耐久性の高い磁気
ディスクの製造方法を提供することにある。本発明の第
4の目的は、高速低浮上摺動における損傷が少なく、耐
久性の高い炭素質皮膜の形成装置を提供することにあ
る。A first object of the present invention is to provide a method for forming a carbonaceous film which is less likely to be damaged by high-speed low-flying sliding and has high durability. A second object of the present invention is to provide a carbonaceous film which is less likely to be damaged by high-speed low-flying sliding and has high durability. A third object of the present invention is to provide a method of manufacturing a magnetic disk which is less damaged during high speed low floating sliding and has high durability. A fourth object of the present invention is to provide a device for forming a carbonaceous film which is less likely to be damaged by high-speed low-floating sliding and has high durability.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るために、本発明の炭素質皮膜形成方法は、炭素からな
る陰極に炭素以外の元素のイオン処理を施し、この陰極
の表面にアーク放電を発生させ、生じるイオン種を基板
に誘導し、基板表面に炭素と炭素以外の元素の化合した
薄膜を形成するようにしたものである炭素以外のイオン
は、窒素イオン又は酸素イオンであることが好ましい。
基板表面に形成される薄膜は、すべてが炭素と炭素以外
の元素の化合した薄膜になるのではなく、炭素だけの部
分があってもよい。炭素以外の元素が酸素であるとき
は、2から10原子%の範囲で含まれることが好まし
く、窒素であるときは、10から30原子%の範囲で含
まれることが好ましい。炭素以外の元素がこの範囲で含
まれているとき、炭素がta−C構造を保つことがで
き、かつ、炭素質皮膜上を摺動するものがあるときに、
損傷が少なく、耐久性に優れた皮膜となる。皮膜の厚さ
は0.5nm〜2.5nmであることが好ましい。0.
5nm未満では均一な薄膜になりにくいからである。In order to achieve the above-mentioned first object, the method for forming a carbonaceous film of the present invention is such that a cathode made of carbon is subjected to ion treatment of an element other than carbon, and the surface of the cathode is An arc discharge is generated, the generated ion species are induced in the substrate, and a thin film of carbon and a combination of elements other than carbon is formed on the substrate surface. Ions other than carbon are nitrogen ions or oxygen ions. It is preferable.
The thin film formed on the surface of the substrate does not have to be a thin film in which all carbon and elements other than carbon are combined, but may have only carbon. When the element other than carbon is oxygen, it is preferably contained in the range of 2 to 10 atom%, and when it is nitrogen, it is preferably contained in the range of 10 to 30 atom%. When an element other than carbon is contained in this range, when the carbon can maintain the ta-C structure and there is something that slides on the carbonaceous film,
A film with little damage and excellent durability. The thickness of the film is preferably 0.5 nm to 2.5 nm. 0.
This is because if it is less than 5 nm, it is difficult to form a uniform thin film.
【0010】また、上記第2の目的を達成するために、
本発明の炭素質薄膜は、密度2.5から3.5g/cm
3のテトラヘドラルアモルファスカーボンからなり、こ
のカーボンに炭素以外の元素が化合した構造を有する薄
膜であって、炭素以外の元素は、酸素又は窒素であっ
て、炭素以外の元素が酸素であるときは、2原子%から
10原子%の範囲の量が含まれ、炭素以外の元素が窒素
であるときは、10原子%から30原子%の範囲の量が
含まれているように構成されたものである。In order to achieve the above second object,
The carbon thin film of the present invention has a density of 2.5 to 3.5 g / cm.
A thin film comprising a tetrahedral amorphous carbon of 3 and having a structure in which an element other than carbon is combined with this carbon, wherein the element other than carbon is oxygen or nitrogen, and the element other than carbon is oxygen. Is contained in an amount in the range of 2 atom% to 10 atom%, and when the element other than carbon is nitrogen, it is contained in an amount in the range of 10 atom% to 30 atom%. Is.
【0011】薄膜は、0.5nmから2.5nmの範囲
の厚さであることが好ましい。また、密度が上記の範囲
であることは、耐食性と強度を確保できるので好まし
い。薄膜は、すべてが炭素と炭素以外の元素の化合した
薄膜になるのではなく、炭素だけの部分があってもよい
ことは前述と同じである。炭素以外の元素の好ましい含
有される範囲の理由等も前述と同じである。The thin film preferably has a thickness in the range of 0.5 nm to 2.5 nm. Further, it is preferable that the density is in the above range because the corrosion resistance and the strength can be secured. As described above, the thin film does not have to be a thin film in which all carbon and elements other than carbon are combined, but may have only carbon. The reason for the preferable range of containing elements other than carbon is the same as above.
【0012】また、上記第3の目的を達成するために、
本発明の磁気ディスクの製造方法は、非磁性基板上に、
少なくとも磁性層を形成した後、前記の炭素質皮膜形成
方法により炭素質薄膜を形成するようにしたものであ
る。Further, in order to achieve the third object,
The method for manufacturing a magnetic disk of the present invention comprises:
After forming at least a magnetic layer, a carbonaceous thin film is formed by the above-mentioned carbonaceous film forming method.
【0013】好ましい炭素以外のイオンやその好ましい
含有される範囲、好ましい薄膜の状態等はすべて前述と
同じである。また、特に磁気ディスクでは、膜厚が2.
5nmを超えるとヘッドの極低浮上を達成しにくいの
で、膜厚が0.5nmから2.5nmの範囲の厚さであ
ることが好ましい。The preferred ions other than carbon, the preferred range of inclusion thereof, the preferred state of the thin film and the like are all the same as described above. In particular, the magnetic disk has a film thickness of 2.
If the thickness exceeds 5 nm, it is difficult to achieve extremely low flying height of the head, so the thickness is preferably in the range of 0.5 nm to 2.5 nm.
【0014】また、上記第4の目的を達成するために、
本発明の炭素質皮膜形成装置は、炭素からなる陰極表面
にアーク放電を発生させるアーク発生手段と、発生した
イオンを被処理基板表面へ導く誘導手段と、上記陰極表
面を炭素以外の元素のイオン処理を施すイオン処理手段
と、上記陰極が、炭素以外の元素のイオン処理された後
に、上記アーク放電を発生するように制御する制御手段
とから構成されるようにしたものである。In order to achieve the above-mentioned fourth object,
The carbonaceous film forming apparatus of the present invention is an arc generating means for generating an arc discharge on the cathode surface made of carbon, a guiding means for guiding the generated ions to the surface of the substrate to be treated, and an ion of an element other than carbon on the cathode surface. An ion treatment means for performing treatment and a control means for controlling the cathode so as to generate the arc discharge after the cathode is ion-treated with an element other than carbon.
【0015】上記の制御手段は、例えば、イオン処理と
アーク放電を順次行い、それを繰り返すように制御する
ことが好ましい。つまり、陰極を所望の時間はイオン処
理し、イオン処理を止めた後、所望の時間アーク放電を
行い、これを繰り返すように制御する手段であればよ
い。また、イオン処理される部分とアーク放電される部
分の位置を分け、例えば、陰極の左半分はイオン処理さ
れる部分で、右半分はアーク放電される部分とし、両者
の間を遮蔽板等で区切り、回転手段を用いて陰極を回転
させるように制御する手段であればよい。The above-mentioned control means preferably controls, for example, ion treatment and arc discharge in sequence and repeats them. That is, any means may be used as long as the cathode is subjected to the ion treatment for a desired time, the ion treatment is stopped, the arc discharge is performed for a desired time, and the control is repeated. In addition, the positions of the ion-processed part and the arc-discharged part are divided, for example, the left half of the cathode is the ion-processed part and the right half is the arc-discharged part. Any means may be used as long as it is a means for controlling the cathode to rotate using a partitioning and rotating means.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】本発明の方法を行うに適した炭素
質皮膜形成装置の一例を説明する。図1は、炭素質皮膜
形成装置の断面模式図である。真空容器1の内部にアー
ク蒸着源2が設けられ、これから発生するイオン種を電
極3により一定電圧で加速し、ソレノイドコイル4によ
り発生する磁界により基板5に入射するように導き、炭
素質皮膜を堆積させる。この特徴はアーク蒸着源2の構
造にある。すなわち、炭素からなる円柱状のカソード6
と、その一方のカソード端面6’の一部に対向してアー
クを発生させるためのアーク発生機構7を設ける。カソ
ード端面6’のアーク発生機構7と反対の部位に対向し
てイオン処理機構8を設ける。アーク発生機構7とイオ
ン処理機構8の間には遮蔽板を設け、アーク発生部位が
直接イオン処理されないようにする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An example of a carbonaceous film forming apparatus suitable for carrying out the method of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic sectional view of a carbonaceous film forming apparatus. An arc vapor deposition source 2 is provided inside a vacuum container 1, and ion species generated from this are accelerated by an electrode 3 at a constant voltage and guided by a magnetic field generated by a solenoid coil 4 so as to be incident on a substrate 5 to form a carbonaceous film. Deposit. This feature is in the structure of the arc evaporation source 2. That is, the columnar cathode 6 made of carbon
Further, an arc generating mechanism 7 for generating an arc is provided so as to face a part of one of the cathode end surfaces 6 '. An ion processing mechanism 8 is provided so as to face a portion of the cathode end surface 6 ′ opposite to the arc generating mechanism 7. A shielding plate is provided between the arc generating mechanism 7 and the ion processing mechanism 8 so that the arc generating portion is not directly ion-processed.
【0017】本発明で用いるイオン処理は、イオンを発
生させてカソード表面を処理するもので、例えば直流放
電、交流放電、高周波放電等のグロー放電処理や、各種
イオンガンを用いたイオン照射処理、或いは光電離を用
いた処理等がある。ただし、アーク発生を妨げないよう
に低ガス圧で動作可能なものがよく、できれば差動排気
を用いてイオン発生源を離す等してアーク源の圧力上昇
を防ぐのがよい。図2、3及び4は本発明に好適に用い
ることのできるイオン処理装置の例を示したものであ
る。すなわち、図2はホローカソード型イオン源であ
り、ホローカソード9で発生したプラズマからグリッド
10によりイオンを引き出すものである。図3はECR
型イオン源であり、マイクロ波源11から供給されるマ
イクロ波を導波管12で導き、コイル13により発生し
た磁界により反応室14中でECRプラズマを発生さ
せ、グリッド15によりイオンを引き出すものである。
また図4はカソード6に近接させた平板電極16に電圧
を印加し、プラズマを発生させるものである。電源17
には直流電源から交流電源、高周波電源まで使用するこ
とができ、使用ガスや処理条件に合わせて変えることが
できる。また、プラズマが外部に漏れないように狭い間
隙18を保って空間を形成するようになされている。い
ずれの場合にも原料はガスとして供給設備19から供給
され、排気設備20から排気されてアーク発生部位への
回り込みを防ぐ工夫がなされている。The ion treatment used in the present invention is to treat the cathode surface by generating ions. For example, glow discharge treatment such as direct current discharge, alternating current discharge, high frequency discharge, ion irradiation treatment using various ion guns, or There is a process using photoionization. However, it is preferable that the gas can operate at a low gas pressure so as not to hinder the arc generation, and if possible, it is preferable to prevent the pressure increase of the arc source by separating the ion generation source using differential exhaust. 2, 3 and 4 show an example of an ion treatment apparatus which can be preferably used in the present invention. That is, FIG. 2 shows a hollow cathode type ion source in which ions are extracted from the plasma generated in the hollow cathode 9 by the grid 10. Figure 3 shows ECR
Type ion source, the microwave supplied from the microwave source 11 is guided by the waveguide 12, ECR plasma is generated in the reaction chamber 14 by the magnetic field generated by the coil 13, and ions are extracted by the grid 15. .
Further, in FIG. 4, a voltage is applied to the flat plate electrode 16 which is located close to the cathode 6 to generate plasma. Power supply 17
A DC power supply, an AC power supply, or a high-frequency power supply can be used for this, and it can be changed according to the gas used and the processing conditions. Further, a space is formed by keeping a narrow gap 18 so that plasma does not leak to the outside. In any case, the raw material is supplied as gas from the supply facility 19 and exhausted from the exhaust facility 20 to prevent the raw material from flowing into the arc generation site.
【0018】本発明で用いる処理イオン種は、炭素と共
有結合するものがよく、窒素、酸素等を用いることがで
きる。窒素、酸素はta−Cの歪んだ結合を密度を下げ
ることなく解消できるため優れている。水素も歪み解消
に役立つが、比率を大きくすると密度低下を招くので、
効果が限られる。The treated ionic species used in the present invention are preferably those which form a covalent bond with carbon, and nitrogen, oxygen or the like can be used. Nitrogen and oxygen are excellent because they can eliminate the distorted bond of ta-C without lowering the density. Hydrogen is also useful for strain relief, but increasing the ratio causes a decrease in density, so
Limited effect.
【0019】本発明において、連続的に皮膜形成処理を
するためにはアーク蒸着とイオン処理を同時に行いなが
らカソードを回転させるか、或いはアーク蒸着とイオン
処理を交互に行い、1サイクル毎にカソードを回転させ
てイオン処理した面がいつもアーク発生部位にくるよう
に制御するとよい。イオン処理によらなくても、例えば
アーク発生部位以外を特定のガス雰囲気にさらしておく
ことによっても同様の効果が期待できる。ただしこの場
合は物理吸着ガスを利用しているので効果は小さく、ア
ーク蒸着による蒸発量が十分小さい場合にのみ効果が得
られる。この場合利用できるガスは、窒素、酸素等であ
るが、NH3、N2O、NO、NO2、H2O、CO2等の
より吸着性の高いガスを持ちいれは、ガス圧を上げない
でも効果が得られ、アーク蒸着の動作を妨げない。In the present invention, in order to continuously perform the film forming treatment, the cathode is rotated while simultaneously performing the arc vapor deposition and the ion treatment, or the arc vapor deposition and the ion treatment are alternately performed so that the cathode is cycled every cycle. It is advisable to control so that the surface which is rotated and ion-treated is always at the arc generation site. Even if the ion treatment is not used, the same effect can be expected by exposing the part other than the arc generation part to a specific gas atmosphere. However, in this case, since the physical adsorption gas is used, the effect is small, and the effect is obtained only when the evaporation amount by arc vapor deposition is sufficiently small. The gases that can be used in this case are nitrogen, oxygen, etc., but if you bring in a gas with a higher adsorptive property such as NH 3 , N 2 O, NO, NO 2 , H 2 O, or CO 2 , increase the gas pressure. Even if it does not exist, the effect can be obtained and it does not hinder the operation of arc vapor deposition.
【0020】本発明によりta−Cのヤング率及び内部
応力を低減できる理由は以下のように推定される。ta
−Cの形成の初期段階では基板表面にまず炭素原子が薄
く堆積する。熱平衡的にはグラファイト構造が安定であ
るのでまずはこの構造を取ろうとするが、出来かけた炭
素原子のsp2結合のネットワークにエネルギーの揃っ
た炭素イオンが構造を一部壊しながら入り込んでいくた
め、歪んだsp3結合が発生する。従って結晶成長は起
らずアモルファスとなり、内部に高い圧縮応力が発生す
る。また、この歪みエネルギーが変形に対して抵抗する
ためヤング率も高くなる。この過程に窒素イオンや酸素
イオンを導入すると炭素原子が一部これらの原子に置き
換わるため、−C−N=C−や−C−O−C−のような
回転可能な結合が導入され、歪みを解消する方向に配置
を変えて安定化するのである。The reason why the Young's modulus and internal stress of ta-C can be reduced by the present invention is estimated as follows. ta
In the initial stage of the formation of -C, carbon atoms are first thinly deposited on the surface of the substrate. Since the graphite structure is stable in terms of thermal equilibrium, we will try to adopt this structure first, but because carbon ions with uniform energy enter into the network of sp2 bonds of the carbon atoms that have been created while partially destroying the structure, distortion occurs. Sp3 binding occurs. Therefore, crystal growth does not occur and it becomes amorphous, and a high compressive stress is generated inside. In addition, the strain energy resists deformation, so that the Young's modulus also increases. When nitrogen ions or oxygen ions are introduced in this process, carbon atoms are partially replaced with these atoms, so that a rotatable bond such as -CN = C- or -C-O-C- is introduced, resulting in strain. It is stabilized by changing the arrangement in the direction that eliminates.
【0021】得られる炭素質皮膜は、炭素に窒素や酸素
が結合したものであり、不活性ガスに窒素や酸素を混合
したスパッタリング法でも類似の皮膜が得られる。しか
し、スパッタリングで得られる炭素質皮膜は本質的にs
p2結合主体であり、本発明で目的とするような高い密
度の皮膜を得ることはできない。また、ガス成分から皮
膜中に取り込まれる窒素や酸素原子の結合はC≡N或い
はC=Oのように末端結合となりやすく、強固なネット
ワークを形成することはできない。本発明のように
N+、O+のイオンの形で加速して入射させることでC−
N=C−、C−OーCのような結合となるのである。
〈実施例1〉本発明の一実施例として磁気ディスク保護
膜の形成工程に応用した例を述べる。図5は製造した磁
気ディスクの部分断面図である。非磁性基板21には通
常用いられる強化ガラス、結晶化ガラス、NiPめっき
アルミニウム−マグネシウム合金等を用いることができ
る。基板としては2.5インチ、3.5インチ等所定の
外径をもつ円板であって、スピンドルモータに取り付け
るための穴を中心にあけたものを用いる。厚さ、端面形
状等はその用途に応じてきめればよく、本発明はこれに
はよらない。通常用いられる非磁性NiPめっきを施し
たアルミニウムマグネシウム合金や表面を強化したガラ
ス基板等はもちろん、その他の非磁性基板材料も同様に
用いることができる。ただし、その表面の平坦性は重要
であり、できうる限り平坦なものを用いるのがよい。The carbonaceous film obtained is one in which nitrogen and oxygen are bound to carbon, and a similar film can be obtained by a sputtering method in which an inert gas is mixed with nitrogen and oxygen. However, the carbonaceous film obtained by sputtering is essentially s
Since it is mainly composed of p2 bonds, it is not possible to obtain a film having a high density as intended in the present invention. Further, the bonds of nitrogen and oxygen atoms taken from the gas component into the film are likely to be terminal bonds like C≡N or C═O, and a strong network cannot be formed. By accelerating and injecting in the form of N + and O + ions as in the present invention, C-
A bond such as N = C- or C-O-C is obtained. <Example 1> As an example of the present invention, an example applied to a process of forming a magnetic disk protective film will be described. FIG. 5 is a partial cross-sectional view of the manufactured magnetic disk. As the non-magnetic substrate 21, normally used tempered glass, crystallized glass, NiP plated aluminum-magnesium alloy or the like can be used. As the substrate, a disc having a predetermined outer diameter such as 2.5 inches and 3.5 inches, which has a hole for mounting the spindle motor at the center, is used. The thickness, end face shape, etc. may be determined according to the application, and the present invention is not limited to this. In addition to the commonly used non-magnetic NiP-plated aluminum-magnesium alloy, the surface-reinforced glass substrate, and the like, other non-magnetic substrate materials can be used as well. However, the flatness of the surface is important, and it is preferable to use a flat surface as much as possible.
【0022】基板はそのまま、或いはテクスチャ加工と
よばれる表面加工を行ったのち、欠陥低減のために洗浄
を行う。洗剤を供給しながらブラシ或いはパッド等で表
面についたごみや汚染物質をこすりとる工程、純水スプ
レーに超音波を重畳させて微小異物を落とす工程、スピ
ン乾燥や温風乾燥等の工程を組み合わせて行うのがよ
い。また、酸やアルカリ等でごく表面層を溶かし出す工
程やプラズマ処理等で表面を改質する工程を組み込むこ
ともできる。本発明はこれらの工程の如何によらず行う
ことができる。必要があればヘッドの起動・停止領域い
わゆるCSSゾーンに粘着防止のための凹凸を形成する
ことができ、例えばレーザースポットを照射してその部
分の基板材を溶かし、固化するときにできる凹凸を適当
な間隔で並べてもよい。なお、図5ではこれらの加工、
凹凸形成の図示は省略してある。The substrate is left as it is, or after surface treatment called texturing is performed, cleaning is performed to reduce defects. Combining a process of scrubbing dust and contaminants on the surface with a brush or a pad while supplying detergent, a process of superimposing ultrasonic waves on a pure water spray to remove minute foreign substances, a process of spin drying, warm air drying, etc. Good to do. It is also possible to incorporate a step of dissolving the surface layer with an acid or an alkali, or a step of modifying the surface by plasma treatment or the like. The present invention can be carried out regardless of these steps. If necessary, it is possible to form irregularities for preventing adhesion in the start / stop area of the head, the so-called CSS zone. For example, the irregularities formed when the substrate material in that portion is melted and solidified is appropriate. They may be arranged at various intervals. In addition, in FIG. 5, these processes,
Illustration of the concavo-convex formation is omitted.
【0023】次に、記録層23の磁性膜の結晶性を制御
するため真空中で基板を加熱し、スパッタリングにより
適当な下地層22を設けた後に強磁性材料の層を形成す
る。加熱温度は所望する磁気特性によって異なるが、お
およそ150℃から300℃の間であり、下地層22は
記録層23との格子マッチングのよいCr又はCrの合
金がよく用いられる。下地層22、記録層23はそれぞ
れ1層でなく複数の層からなっていてもよい。記録層2
3の表面には本発明により炭素質皮膜24が設けられ、
さらにその上にフッ素系の潤滑油層25が形成される。
保護層である炭素質皮膜24の上に潤滑油層25を形成
するには、潤滑油を溶媒に一定濃度で溶解した浴を設
け、ディスク基板をこれに浸して静かに引き上げる方法
やディスク表面に一定量の溶液を垂らしてディスク基板
を回転し塗布するスピン塗布法等を用いることができ
る。潤滑油層25の厚さは厚すぎるとヘッドとの接触面
にたまって粘着するので薄いほうがよいが、薄すぎると
その効果が小さいので、5〜20Å程度が好ましい。上
記のようにして作製した磁気ディスクは磁気ヘッドと組
み合せ、実装することにより磁気ディスク装置として用
いることができる。Next, in order to control the crystallinity of the magnetic film of the recording layer 23, the substrate is heated in a vacuum, an appropriate underlayer 22 is provided by sputtering, and then a ferromagnetic material layer is formed. The heating temperature varies depending on the desired magnetic characteristics, but is approximately 150 ° C. to 300 ° C., and the underlayer 22 is often made of Cr or an alloy of Cr that has a good lattice matching with the recording layer 23. The base layer 22 and the recording layer 23 may each be composed of a plurality of layers instead of one layer. Recording layer 2
The surface of 3 is provided with a carbonaceous film 24 according to the present invention,
Further, a fluorine-based lubricating oil layer 25 is formed thereon.
In order to form the lubricating oil layer 25 on the carbonaceous film 24 which is a protective layer, a method in which a bath in which lubricating oil is dissolved in a solvent at a constant concentration is provided and the disc substrate is dipped in the bath and gently pulled up, or the disc surface is fixed It is possible to use a spin coating method or the like in which an amount of the solution is dropped and the disk substrate is rotated and coated. If the thickness of the lubricating oil layer 25 is too thick, it will stick to the contact surface with the head and stick to it, so it is preferable to be thin, but if it is too thin, the effect is small, so about 5-20Å is preferable. The magnetic disk manufactured as described above can be used as a magnetic disk device by combining and mounting it with a magnetic head.
【0024】本実施例では層構成を以下のようにし記録
膜23まではスパッタリングで形成した。
基板:結晶化ガラス基板、65mmφ、板厚0.635
mm
下地膜1:NiTa合金、厚さ30nm
下地膜2:CoCrTa合金、厚さ10nm
記録膜1:CoCrPt合金、厚さ5nm
記録膜2:Ru、厚さ2nm
記録膜3:CoCrPtB、厚さ20nm
この基板に炭素質保護膜を形成するに当たり、イオン処
理機構としては図4に示す平行平板型プラズマ源を用い
た。アーク蒸着源の内部では予め窒素ガスを供給してプ
ラズマを発生させ、カソードを回転させておく。次にア
ークを発生させる。生じたイオンはソレノイドコイルの
作る磁場により曲げられ、螺旋状の軌道を描きながら管
にそって移動する。ビーム走査コイルを調節してビーム
が基板位置の外へ外れるようにしておく。次に記録膜ま
で形成した基板を基板位置に移動させ、ビーム走査コイ
ル調整してビームが基板位置に当るようにした。アーク
電流15Aにおいて3秒間ビームを当てたところ、2n
mの厚さの窒素含有カーボンが得られた。この膜の密度
は2.9g/cm3であった。また、窒素比率は18%
であった。微小押し込み法により硬度、ヤング率を測定
したところ、10nmの押し込み深さの点での硬度は2
2GPa、ヤング率は140GPaであった。次にこの
表面にディップ法で分子量4000で両末端基がCH2
OHであるパーフロロポリエーテル潤滑剤を平均15Å
の厚さに塗布した。In this embodiment, the layer structure is as follows, and the recording film 23 is formed by sputtering. Substrate: Crystallized glass substrate, 65 mmφ, plate thickness 0.635
mm Base film 1: NiTa alloy, thickness 30 nm Base film 2: CoCrTa alloy, thickness 10 nm Recording film 1: CoCrPt alloy, thickness 5 nm Recording film 2: Ru, thickness 2 nm Recording film 3: CoCrPtB, thickness 20 nm In forming the carbonaceous protective film on the substrate, the parallel plate type plasma source shown in FIG. 4 was used as the ion treatment mechanism. Inside the arc evaporation source, nitrogen gas is previously supplied to generate plasma, and the cathode is rotated. Next, an arc is generated. The generated ions are bent by the magnetic field created by the solenoid coil, and move along the tube while drawing a spiral orbit. The beam scanning coil is adjusted to allow the beam to move out of the substrate position. Next, the substrate on which the recording film was formed was moved to the substrate position, and the beam scanning coil was adjusted so that the beam hits the substrate position. When the beam was applied for 3 seconds at an arc current of 15 A, 2n
A m-thick nitrogen-containing carbon was obtained. The density of this film was 2.9 g / cm 3 . The nitrogen ratio is 18%
Met. When the hardness and Young's modulus were measured by the micro indentation method, the hardness at the indentation depth of 10 nm was 2
The Young's modulus was 2 GPa and 140 GPa. Next, a molecular weight of 4000 and both end groups were CH2
OH perfluoropolyether lubricant is 15Å on average
Applied to the thickness of.
【0025】このようにして作成した磁気ディスクをド
ライブに組込んでロード−シーク−アンロードのサイク
ルを1,000,000回繰り返す試験を行った。結果
は傷の発生もエラーの増加も見られず良好であった。さ
らに試験後の磁気ディスクを60℃、95%の環境に1
00hr保管した。その後2次イオンスペクトル分析法
により円板表面のCo量を測定したところ、Coの析出
はみられず、良好な耐食性を示した。
〈実施例2〉本発明の別の実施例として垂直磁気記録用
磁気ディスクに使用した例を示す。図6はその磁気ディ
スクの部分断面図である。図5に示した磁気ディスクと
の違いは、非磁性基板21の上に軟磁性材料からなる裏
打ち層26が設けられていることである。裏打ち層26
は単独の層であってもよいが、複数の層の積層とするこ
ともできる。また、垂直磁気記録膜は、基板に垂直方向
に磁化容易軸が向いた構造の磁性膜であり、CoCr系
合金薄膜やCoとPtやPdのごく薄い層を10〜30
層積層した人工格子構造の薄膜等を用いることができ
る。本実施例では裏打ち層にCoCrTa合金を用い、
200nmの厚みにスパッタリング形成した。A test was carried out in which the magnetic disk thus prepared was incorporated into a drive and the load-seek-unload cycle was repeated 1,000,000 times. The results were good, with neither scratches nor increase in errors. Furthermore, the magnetic disk after the test is placed in an environment of 60 ° C and 95%.
Stored for 00 hr. After that, when the amount of Co on the disk surface was measured by the secondary ion spectrum analysis method, no precipitation of Co was observed and good corrosion resistance was exhibited. <Embodiment 2> As another embodiment of the present invention, an example used in a magnetic disk for perpendicular magnetic recording will be described. FIG. 6 is a partial sectional view of the magnetic disk. The difference from the magnetic disk shown in FIG. 5 is that a backing layer 26 made of a soft magnetic material is provided on the non-magnetic substrate 21. Backing layer 26
May be a single layer, or may be a laminate of a plurality of layers. Further, the perpendicular magnetic recording film is a magnetic film having a structure in which the easy axis of magnetization is oriented in the direction perpendicular to the substrate, and a CoCr-based alloy thin film or a very thin layer of Co and Pt or Pd is used in the range of 10 to 30.
A thin film having an artificial lattice structure in which layers are stacked can be used. In this embodiment, a CoCrTa alloy is used for the backing layer,
Sputtering was performed to a thickness of 200 nm.
【0026】次にこの基板を200℃に加熱し、連続多
層膜形成装置でCoCrTa上にCr下地膜を30nm
形成し、Coを厚さ1.3nm、Pdを厚さ0.7nm
を1回として20回繰り返し成膜して人工格子記録膜を
作成した。この基板に実施例1と同様に窒素を含む炭素
質皮膜24と潤滑油層25を形成し、同じ評価を行っ
た。結果は実施例1と同様に良好な耐摺動性と耐食性を
示した。
〈実施例3〉実施例1の製造方法で、処理イオンを酸素
とした以外は全く同様に処理して磁気ディスクを作成し
た。得られた炭素質皮膜の酸素含有量は5%、密度は
2.7g/cm3、硬度20GPa、ヤング率120G
Paであった。実施例1と同じ評価を行ったところ、結
果は実施例1と同様に良好な耐摺動性と耐食性を示し
た。
〈比較例1〉実施例1の製造方法で、イオン処理を行わ
ずに炭素質皮膜を20Å形成した。得られた炭素質皮膜
の密度は3.2g/cm3、硬度35GPa、ヤング率
280GPaであった。この磁気ディスクについて実施
例1と同じ評価を行った結果、ロード/アンロードの
1,500サイクルにてクラッシュが発生した。
〈比較例2〉実施例1の製造方法で、保護皮膜24の形
成に本発明の方法ではなく、アルゴン−窒素雰囲気での
スパッタリングによる窒素化カーボン保護膜を用いた。
膜厚は20Åとした。それ以外は実施例1と同様にディ
スクを作成、評価したところ、窒素含有量は18%であ
ったが、密度は1.8g/cm3と本発明に比べ低く、
硬度は10GPa、ヤング率120GPaであり、ロー
ド/アンロードサイクルが100回にも満たずクラッシ
ュした。また、耐食性試験の結果、表面にCo酸化物の
粒子が観測された。Next, this substrate is heated to 200 ° C., and a Cr underlayer film of 30 nm is formed on CoCrTa by a continuous multilayer film forming apparatus.
Formed, Co is 1.3 nm thick, Pd is 0.7 nm thick
Was repeated 20 times to form an artificial lattice recording film. A carbonaceous film 24 containing nitrogen and a lubricating oil layer 25 were formed on this substrate in the same manner as in Example 1, and the same evaluation was performed. The results showed good sliding resistance and corrosion resistance as in Example 1. <Example 3> A magnetic disk was prepared by the same process as in Example 1, except that the treating ions were oxygen. The carbonaceous film obtained had an oxygen content of 5%, a density of 2.7 g / cm 3 , a hardness of 20 GPa, and a Young's modulus of 120 G.
It was Pa. When the same evaluation as that of Example 1 was performed, the result showed good sliding resistance and corrosion resistance as in Example 1. <Comparative Example 1> According to the manufacturing method of Example 1, a carbonaceous film was formed in an amount of 20 l without performing ion treatment. The obtained carbonaceous film had a density of 3.2 g / cm 3 , a hardness of 35 GPa and a Young's modulus of 280 GPa. As a result of performing the same evaluation as in Example 1 on this magnetic disk, a crash occurred at 1,500 cycles of loading / unloading. Comparative Example 2 In the manufacturing method of Example 1, the protective film 24 was not formed by the method of the present invention, but a nitrogenated carbon protective film formed by sputtering in an argon-nitrogen atmosphere was used.
The film thickness was 20Å. Other than that, when a disk was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1, the nitrogen content was 18%, but the density was 1.8 g / cm 3, which was lower than that of the present invention.
The hardness was 10 GPa and the Young's modulus was 120 GPa, and the load / unload cycle was less than 100 times and the vehicle crashed. As a result of the corrosion resistance test, Co oxide particles were observed on the surface.
【0027】[0027]
【発明の効果】本発明により、実質厚さ2.5nm或い
はそれ以下の膜厚の保護膜でも十分な強度及び耐摺動性
を有する炭素質皮膜を得ることができた。また、本発明
の炭素質薄膜は、強度に優れ、摺動耐久性が良好であっ
た。また、本発明の磁気ディスクの製造方法によって得
られた磁気ディスクは、摺動耐久性が良好で、強度に優
れ、潤滑剤の粘着耐性も向上させることができた。ま
た、本発明の炭素質皮膜形成装置は、摺動耐久性が良好
で、強度に優れた炭素質薄膜を容易に製造することがで
きた。According to the present invention, it is possible to obtain a carbonaceous film having sufficient strength and sliding resistance even with a protective film having a substantial thickness of 2.5 nm or less. The carbon thin film of the present invention had excellent strength and good sliding durability. Further, the magnetic disk obtained by the method for producing a magnetic disk of the present invention had good sliding durability, excellent strength, and improved adhesive resistance of the lubricant. Further, the carbonaceous film forming apparatus of the present invention had good sliding durability and could easily produce a carbonaceous thin film having excellent strength.
【図1】本発明の炭素質皮膜の形成装置を示す模式図で
ある。FIG. 1 is a schematic view showing a carbonaceous film forming apparatus of the present invention.
【図2】本発明に用いるホローカソード型イオン源の例
を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an example of a hollow cathode ion source used in the present invention.
【図3】本発明に用いるECR型イオン源の例を示す断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of an ECR type ion source used in the present invention.
【図4】本発明に用いる平行平板型イオン源の例を示す
断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing an example of a parallel plate type ion source used in the present invention.
【図5】本発明により製造した磁気ディスクの一実施例
の部分断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view of an embodiment of a magnetic disk manufactured according to the present invention.
【図6】本発明により製造した磁気ディスクの他の実施
例の部分断面図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view of another embodiment of a magnetic disk manufactured according to the present invention.
1…真空容器、2…アーク蒸着源、3…電極、4…ソレ
ノイドコイル、5…基板、6…カソード、6’…カソー
ド端面、7…アーク発生機構、8…イオン処理機構、9
…ホローカソード、10…グリッド、11…マイクロ波
源、12…導波管、13…コイル、14…反応室、15
…グリッド、16…平板電極、17…電源、18…間
隙、19…ガス供給設備、20…排気設備、21…非磁
性基板、22…下地層、23…記録層、24…炭素質皮
膜、25…潤滑油層、26…裏打ち層。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum container, 2 ... Arc vapor deposition source, 3 ... Electrode, 4 ... Solenoid coil, 5 ... Substrate, 6 ... Cathode, 6 '... Cathode end face, 7 ... Arc generating mechanism, 8 ... Ion processing mechanism, 9
... Hollow cathode, 10 ... Grid, 11 ... Microwave source, 12 ... Waveguide, 13 ... Coil, 14 ... Reaction chamber, 15
... grid, 16 ... flat plate electrode, 17 ... power supply, 18 ... gap, 19 ... gas supply equipment, 20 ... exhaust equipment, 21 ... non-magnetic substrate, 22 ... underlayer, 23 ... recording layer, 24 ... carbonaceous film, 25 ... Lubricating oil layer, 26 ... Backing layer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大野 俊典 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 Fターム(参考) 4G146 AA01 AA15 AB07 AC15A AD02 AD28 BA42 DA17 4K029 AA09 BA34 BC02 BD11 CA03 DD06 5D006 AA02 AA04 AA05 5D112 AA07 BC05 FB04 FB11 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Toshinori Ohno 2880 Kozu, Odawara City, Kanagawa Stock Association Storage Systems Division, Hitachi, Ltd. F-term (reference) 4G146 AA01 AA15 AB07 AC15A AD02 AD28 BA42 DA17 4K029 AA09 BA34 BC02 BD11 CA03 DD06 5D006 AA02 AA04 AA05 5D112 AA07 BC05 FB04 FB11
Claims (5)
ン処理を施し、該陰極の表面にアーク放電を発生させ、
生じるイオン種を基板に誘導し、該基板表面に炭素と炭
素以外の元素の化合した薄膜を形成することを特徴とす
る炭素質皮膜形成方法。1. A cathode made of carbon is subjected to ion treatment of an element other than carbon to generate arc discharge on the surface of the cathode,
A method for forming a carbonaceous film, which comprises inducing generated ionic species to a substrate to form a thin film of carbon and an element other than carbon on the surface of the substrate.
素イオンであることを特徴とする請求項1記載の炭素質
皮膜形成方法。2. The method for forming a carbonaceous film according to claim 1, wherein the ions other than carbon are nitrogen ions or oxygen ions.
した後、請求項1又は2記載の炭素質皮膜形成方法によ
り炭素質薄膜を形成することを特徴とする磁気ディスク
の製造方法。3. A method of manufacturing a magnetic disk, comprising forming a carbon thin film by the carbonaceous film forming method according to claim 1 after forming at least a magnetic layer on a non-magnetic substrate.
させるアーク発生手段と、発生したイオンを被処理基板
表面へ導く誘導手段と、上記陰極表面を炭素以外の元素
のイオン処理を施すイオン処理手段と、上記陰極が、炭
素以外の元素のイオン処理された後に、上記アーク放電
を発生するように制御する制御手段とを有することを特
徴とする炭素質皮膜形成装置。4. An arc generating means for generating an arc discharge on a cathode surface made of carbon, an induction means for guiding the generated ions to a surface of a substrate to be treated, and an ion treatment for subjecting the cathode surface to an ion treatment of an element other than carbon. A carbonaceous film forming apparatus comprising: a means and a control means for controlling the cathode to generate the arc discharge after the cathode is ion-treated with an element other than carbon.
ヘドラルアモルファスカーボンからなり、該カーボンに
炭素以外の元素が化合した構造を有する薄膜であって、
上記炭素以外の元素は、酸素又は窒素であって、上記炭
素以外の元素が酸素であるときは、2原子%から10原
子%の範囲の量が含まれ、上記炭素以外の元素が窒素で
あるときは、10原子%から30原子%の範囲の量が含
まれていることを特徴とする炭素質薄膜。5. A thin film made of tetrahedral amorphous carbon having a density of 2.5 to 3.5 g / cm 3 and having a structure in which an element other than carbon is combined with the carbon,
The element other than carbon is oxygen or nitrogen, and when the element other than carbon is oxygen, an amount in the range of 2 atom% to 10 atom% is included, and the element other than carbon is nitrogen. In some cases, the carbon thin film contains an amount in the range of 10 atom% to 30 atom%.
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