JP2003279944A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゲート信号線に供給される走査信号の波形遅
延を低減させる。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれ
た領域を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号に
よって作動されるスイッチング素子と、このスイッチン
グ素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給さ
れる画素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電
極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記
対向電極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行
方向に沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁膜を
介して前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧信号
線と同層に形成され、前記絶縁膜は、少なくとも無機材
料からなる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積
層体から構成されているとともに、前記対向電圧信号線
の下方の前記無機材料からなる保護膜の一部に孔開けが
なされている。
延を低減させる。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれ
た領域を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号に
よって作動されるスイッチング素子と、このスイッチン
グ素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給さ
れる画素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電
極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記
対向電極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行
方向に沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁膜を
介して前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧信号
線と同層に形成され、前記絶縁膜は、少なくとも無機材
料からなる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積
層体から構成されているとともに、前記対向電圧信号線
の下方の前記無機材料からなる保護膜の一部に孔開けが
なされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置
に関する。
り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】横電界方式と称される液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶
側の面の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に
電界を発生せしめる対向電極とを備え、該電界のうち基
板とほぼ平行な成分によって液晶を挙動させる構成とな
っている。
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶
側の面の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に
電界を発生せしめる対向電極とを備え、該電界のうち基
板とほぼ平行な成分によって液晶を挙動させる構成とな
っている。
【０００３】そして、このような構成をアクティブマト
リクス型のものに適用させたものは、まず、前記一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これら各ゲート信号線と交差するようにして並設された
複数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を前記画素領
域としている。
リクス型のものに適用させたものは、まず、前記一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これら各ゲート信号線と交差するようにして並設された
複数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を前記画素領
域としている。
【０００４】そして、これら各画素領域に、ゲート信号
線からの走査信号によって作動する薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される前記画素電極と、該映像信号に
対して基準となる信号が供給される前記対向電極とが備
えられている。
線からの走査信号によって作動する薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される前記画素電極と、該映像信号に
対して基準となる信号が供給される前記対向電極とが備
えられている。
【０００５】ここで、画素電極と対向電極はそれぞれ一
方向に延在する帯状のパターンとして形成され、それら
各電極は２個あるいはそれ以上の個数で形成して交互に
配置させるのが通常である。
方向に延在する帯状のパターンとして形成され、それら
各電極は２個あるいはそれ以上の個数で形成して交互に
配置させるのが通常である。
【０００６】また、このような構成において、対向電極
をドレイン信号線をも被って形成される絶縁膜の上面に
形成させるとともに、該ドレイン信号線とその中心軸を
ほぼ一致させ該ドレイン信号線の幅よりも大きな幅を有
して該ドレイン信号線に沿って形成された構成のものも
知られている。
をドレイン信号線をも被って形成される絶縁膜の上面に
形成させるとともに、該ドレイン信号線とその中心軸を
ほぼ一致させ該ドレイン信号線の幅よりも大きな幅を有
して該ドレイン信号線に沿って形成された構成のものも
知られている。
【０００７】ドレイン信号線からの電気力線がその上方
の対向電極に終端させやすくし、画素電極に終端させる
のを防止するためである。画素電極に該電気力線が終端
するとそれがノイズとなってしまうからである。
の対向電極に終端させやすくし、画素電極に終端させる
のを防止するためである。画素電極に該電気力線が終端
するとそれがノイズとなってしまうからである。
【０００８】そして、前記各対向電極は、ゲート信号線
をも被って形成される絶縁膜の上面に形成された対向電
圧信号線と同層かつ一体に形成され、この対向電圧信号
線を介して該各対向電極に基準信号を供給するようにな
っている。
をも被って形成される絶縁膜の上面に形成された対向電
圧信号線と同層かつ一体に形成され、この対向電圧信号
線を介して該各対向電極に基準信号を供給するようにな
っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成からなる液晶表示装置は、ゲート信号線と対向
電圧信号線との間に寄生容量が発生し、この寄生容量に
よって、ゲート信号線に供給される走査信号に波形遅延
が生じることが指摘されるに至った。そして、液晶表示
装置の大型にともない、ゲート信号線の長さが大きくな
ってきている近年において、該走査信号の波形遅延をな
くすことが大きな課題となってきている。本発明は、こ
のような事情によってなされたもので、その目的は、ゲ
ート信号線に供給される走査信号の波形遅延をなくした
液晶表示装置を提供することにある。また、本発明の他
の目的は、ドレイン信号線に供給される映像信号の波形
遅延をなくした液晶表示装置を提供することにある。
うな構成からなる液晶表示装置は、ゲート信号線と対向
電圧信号線との間に寄生容量が発生し、この寄生容量に
よって、ゲート信号線に供給される走査信号に波形遅延
が生じることが指摘されるに至った。そして、液晶表示
装置の大型にともない、ゲート信号線の長さが大きくな
ってきている近年において、該走査信号の波形遅延をな
くすことが大きな課題となってきている。本発明は、こ
のような事情によってなされたもので、その目的は、ゲ
ート信号線に供給される走査信号の波形遅延をなくした
液晶表示装置を提供することにある。また、本発明の他
の目的は、ドレイン信号線に供給される映像信号の波形
遅延をなくした液晶表示装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶
側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲー
ト信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線と
が形成され、これら信号線に囲まれた領域を画素領域と
し、ゲート信号線からの走査信号によって作動されるス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、対
向電圧信号線に接続され前記画素電極との間に電界を生
じせしめる対向電極とを備え、前記対向電極は、絶縁膜
を介して前記ドレイン信号線の走行方向に沿って重畳さ
れるものを含むとともに、絶縁膜を介して前記ゲート信
号線と重畳される前記対向電圧信号線と同層に形成さ
れ、前記絶縁膜は、少なくとも無機材料からなる保護膜
と有機材料からなる保護膜との順次積層体から構成され
ているとともに、前記対向電圧信号線の下方の前記無機
材料からなる保護膜の一部に孔開けがなされていること
を特徴とするものである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶
側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲー
ト信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線と
が形成され、これら信号線に囲まれた領域を画素領域と
し、ゲート信号線からの走査信号によって作動されるス
イッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレ
イン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、対
向電圧信号線に接続され前記画素電極との間に電界を生
じせしめる対向電極とを備え、前記対向電極は、絶縁膜
を介して前記ドレイン信号線の走行方向に沿って重畳さ
れるものを含むとともに、絶縁膜を介して前記ゲート信
号線と重畳される前記対向電圧信号線と同層に形成さ
れ、前記絶縁膜は、少なくとも無機材料からなる保護膜
と有機材料からなる保護膜との順次積層体から構成され
ているとともに、前記対向電圧信号線の下方の前記無機
材料からなる保護膜の一部に孔開けがなされていること
を特徴とするものである。
【００１１】手段２．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた領域
を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号によって
作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記対向電
極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行方向に
沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁膜を介して
前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧信号線と同
層に形成され、前記絶縁膜は、少なくとも無機材料から
なる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体か
ら構成され、前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料
からなる保護膜の一部に孔開けがなされているととも
に、該対向電圧信号線に前記孔の形成領域内に該孔より
小さな面積を有する孔開けがなされていることを特徴と
するものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた領域
を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号によって
作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記対向電
極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行方向に
沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁膜を介して
前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧信号線と同
層に形成され、前記絶縁膜は、少なくとも無機材料から
なる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体か
ら構成され、前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料
からなる保護膜の一部に孔開けがなされているととも
に、該対向電圧信号線に前記孔の形成領域内に該孔より
小さな面積を有する孔開けがなされていることを特徴と
するものである。
【００１２】手段３．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段２の構成を前提として、画素電極はドレイ
ン信号線の走行方向に延在された帯状のパターンをなす
とともに、前記対向電圧信号線に形成された孔に近接し
て配置される前記画素電極の一端はゲート信号線に重畳
されることなく該対向電圧信号線に重畳されていること
を特徴とするものである。
とえば、手段２の構成を前提として、画素電極はドレイ
ン信号線の走行方向に延在された帯状のパターンをなす
とともに、前記対向電圧信号線に形成された孔に近接し
て配置される前記画素電極の一端はゲート信号線に重畳
されることなく該対向電圧信号線に重畳されていること
を特徴とするものである。
【００１３】手段４．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段２の構成を前提として、スイッチング素子
は薄膜トランジスタから構成され、ゲート信号線ＧＬは
該薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を兼ねる絶縁膜、無
機材料からなる保護膜、および有機材料からなる保護膜
との順次積層体によって形成されているとともに、無機
材料からなる前記保護膜に形成される孔はその下層の前
記絶縁膜に貫通して形成されていることを特徴とするも
のである。
とえば、手段２の構成を前提として、スイッチング素子
は薄膜トランジスタから構成され、ゲート信号線ＧＬは
該薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を兼ねる絶縁膜、無
機材料からなる保護膜、および有機材料からなる保護膜
との順次積層体によって形成されているとともに、無機
材料からなる前記保護膜に形成される孔はその下層の前
記絶縁膜に貫通して形成されていることを特徴とするも
のである。
【００１４】手段５．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段４の構成を前提として、無機材料からなる
前記保護膜および絶縁膜に形成される孔はゲート信号線
の走行方向に平行な各辺部を露出させることなく形成さ
れていることを特徴とするものである。
とえば、手段４の構成を前提として、無機材料からなる
前記保護膜および絶縁膜に形成される孔はゲート信号線
の走行方向に平行な各辺部を露出させることなく形成さ
れていることを特徴とするものである。
【００１５】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた領域
を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号によって
作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記対向電
極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行方向に
沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁膜を介して
前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧信号線と同
層に形成され、前記絶縁膜は、少なくとも無機材料から
なる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体か
ら構成され、前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料
からなる保護膜の一部に孔開けがなされているととも
に、該対向電圧信号線に前記孔の形成領域内に該孔より
小さな面積を有する孔開けがなされ、かつ、前記基板の
うち他方の基板の液晶側の面に形成された支柱状のスペ
ーサの頂部が前記対向電圧信号線に形成された孔に対向
するようにして設けられているとともに、該スペーサは
前記液晶の誘電率より小さい誘電率の材料で構成されて
いることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた領域
を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号によって
作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記対向電
極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行方向に
沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁膜を介して
前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧信号線と同
層に形成され、前記絶縁膜は、少なくとも無機材料から
なる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体か
ら構成され、前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料
からなる保護膜の一部に孔開けがなされているととも
に、該対向電圧信号線に前記孔の形成領域内に該孔より
小さな面積を有する孔開けがなされ、かつ、前記基板の
うち他方の基板の液晶側の面に形成された支柱状のスペ
ーサの頂部が前記対向電圧信号線に形成された孔に対向
するようにして設けられているとともに、該スペーサは
前記液晶の誘電率より小さい誘電率の材料で構成されて
いることを特徴とするものである。
【００１６】手段７．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた領域
を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号によって
作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記対向電
極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行方向に
沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁膜を介して
前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧信号線と同
層に形成され、前記絶縁膜は、少なくとも無機材料から
なる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体か
ら構成され、前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料
からなる保護膜の一部に孔開けがなされているととも
に、該対向電圧信号線に前記孔の形成領域内に該孔より
小さな面積を有する孔開けがなされ、かつ、前記基板の
うち他方の基板の液晶側の面に少なくとも前記対向電圧
信号線と対向するブラックマトリクスが形成され、この
ブラックマトリクスの抵抗が１０８Ω・ｃｍ以下に設定
されていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた領域
を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号によって
作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記対向電
極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行方向に
沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁膜を介して
前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧信号線と同
層に形成され、前記絶縁膜は、少なくとも無機材料から
なる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体か
ら構成され、前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料
からなる保護膜の一部に孔開けがなされているととも
に、該対向電圧信号線に前記孔の形成領域内に該孔より
小さな面積を有する孔開けがなされ、かつ、前記基板の
うち他方の基板の液晶側の面に少なくとも前記対向電圧
信号線と対向するブラックマトリクスが形成され、この
ブラックマトリクスの抵抗が１０８Ω・ｃｍ以下に設定
されていることを特徴とするものである。
【００１７】手段８．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた領域
を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号によって
作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記対向電
極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行方向に
沿って重畳されるものを含むとともに、前記絶縁膜は、
少なくとも無機材料からなる保護膜と有機材料からなる
保護膜との順次積層体から構成されているとともに、前
記ドレイン信号線の上方であって対向電極の下方の一部
に前記無機材料からなる保護膜の一部に孔開けがなされ
ていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた領域
を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号によって
作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記対向電
極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行方向に
沿って重畳されるものを含むとともに、前記絶縁膜は、
少なくとも無機材料からなる保護膜と有機材料からなる
保護膜との順次積層体から構成されているとともに、前
記ドレイン信号線の上方であって対向電極の下方の一部
に前記無機材料からなる保護膜の一部に孔開けがなされ
ていることを特徴とするものである。
【００１８】手段９．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた領域
を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号によって
作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記対向電
極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行方向に
沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁膜を介して
前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧信号線と同
層に形成され、前記絶縁膜は、少なくとも無機材料から
なる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体か
ら構成され、前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料
からなる保護膜の一部に孔開けがなされているととも
に、該対向電圧信号線に前記孔の形成領域内に該孔より
小さな面積を有する孔開けがなされ、かつ、前記基板の
うち他方の基板の液晶側の面に形成された支柱状のスペ
ーサの頂部が前記対向電圧信号線に形成された孔部に対
向していることを特徴するものである。なお、本発明は
以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しな
い範囲で種々の変更が可能である。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線とが形成され、これら信号線に囲まれた領域
を画素領域とし、ゲート信号線からの走査信号によって
作動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極と、対向電圧信号線に接続され前記画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記対向電
極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の走行方向に
沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁膜を介して
前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧信号線と同
層に形成され、前記絶縁膜は、少なくとも無機材料から
なる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体か
ら構成され、前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料
からなる保護膜の一部に孔開けがなされているととも
に、該対向電圧信号線に前記孔の形成領域内に該孔より
小さな面積を有する孔開けがなされ、かつ、前記基板の
うち他方の基板の液晶側の面に形成された支柱状のスペ
ーサの頂部が前記対向電圧信号線に形成された孔部に対
向していることを特徴するものである。なお、本発明は
以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しな
い範囲で種々の変更が可能である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《全体の構成》図２は、本発明による液晶表示装置の一
実施例を示す構成図である。同図は等価回路図である
が、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。同図
において、液晶を介して互いに対向配置される一対の透
明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明
基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を
兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《全体の構成》図２は、本発明による液晶表示装置の一
実施例を示す構成図である。同図は等価回路図である
が、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。同図
において、液晶を介して互いに対向配置される一対の透
明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明
基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を
兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
【００２０】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ向に延在し
ｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されて
いる。
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ向に延在し
ｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されて
いる。
【００２１】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
【００２２】また、ｘ方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線
ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
【００２３】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは、前記
対向電圧信号線ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に
電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制
御させるようになっている。
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは、前記
対向電圧信号線ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に
電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制
御させるようになっている。
【００２４】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
【００２５】垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどお
しがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導
体装置があてがわれるようになっている。
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどお
しがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導
体装置があてがわれるようになっている。
【００２６】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
【００２７】この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００２８】また、前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側
の端部で共通に接続され、その接続線はシール材ＳＬを
超えて延在され、その延在端において端子ＣＬＴを構成
している。この端子ＣＬＴからは映像信号に対して基準
となる電圧が供給されるようになっている。
の端部で共通に接続され、その接続線はシール材ＳＬを
超えて延在され、その延在端において端子ＣＬＴを構成
している。この端子ＣＬＴからは映像信号に対して基準
となる電圧が供給されるようになっている。
【００２９】前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。また、前記各ドレイン信号線ＤＬの
それぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲ
ート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号
が供給されるようになっている。
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。また、前記各ドレイン信号線ＤＬの
それぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲ
ート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号
が供給されるようになっている。
【００３０】なお、上述した実施例では、垂直走査駆動
回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場
合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる
半導体素子を配線層とともに形成されたものであっても
よい。
回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場
合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる
半導体素子を配線層とともに形成されたものであっても
よい。
【００３１】《画素の構成》図１は、前記画素領域の構
成の一実施例を示し、図１（ａ）は平面図を、図１
（ｂ）は図１（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を、図１
（ｃ）は図１（ａ）のｃ−ｃ線における断面図を示して
いる。
成の一実施例を示し、図１（ａ）は平面図を、図１
（ｂ）は図１（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を、図１
（ｃ）は図１（ａ）のｃ−ｃ線における断面図を示して
いる。
【００３２】各図において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。これらゲート信
号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩
形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領
域として構成するようになっている。
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。これらゲート信
号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩
形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領
域として構成するようになっている。
【００３３】また、前記各ゲート信号線ＧＬの中央には
該ゲート信号線ＧＬと平行に対向電圧信号線ＣＬ１が走
行して形成されている。この対向電圧信号線ＣＬ１はた
とえばゲート信号線ＧＬの形成の際に同時に形成される
ようになっている。このようにゲート信号線ＧＬおよび
対向電圧信号線ＣＬ１が形成された透明基板ＳＵＢ１の
表面にはたとえばＳｉＯ２からなる絶縁膜ＧＩが該ゲー
ト信号線ＧＬ等をも被って形成されている。
該ゲート信号線ＧＬと平行に対向電圧信号線ＣＬ１が走
行して形成されている。この対向電圧信号線ＣＬ１はた
とえばゲート信号線ＧＬの形成の際に同時に形成される
ようになっている。このようにゲート信号線ＧＬおよび
対向電圧信号線ＣＬ１が形成された透明基板ＳＵＢ１の
表面にはたとえばＳｉＯ２からなる絶縁膜ＧＩが該ゲー
ト信号線ＧＬ等をも被って形成されている。
【００３４】この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬおよび
対向電圧信号線ＣＬ１に対する層間絶縁膜としての機能
を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において
はそのゲート絶縁膜としての機能等を有するようになっ
ている。
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬおよび
対向電圧信号線ＣＬ１に対する層間絶縁膜としての機能
を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において
はそのゲート絶縁膜としての機能等を有するようになっ
ている。
【００３５】そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴ
のそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１および
ソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線
の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型トラ
ンジスタを構成することができる。
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴ
のそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１および
ソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線
の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型トラ
ンジスタを構成することができる。
【００３６】ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソ
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。すなわち、ｙ方向に延
在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成さ
れ、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在され
てドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン
電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だ
け離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。すなわち、ｙ方向に延
在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成さ
れ、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在され
てドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン
電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だ
け離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
【００３７】また、このソース電極ＳＤ２は画素領域内
に形成される画素電極ＰＸと一体に形成されている。す
なわち、画素電極ＰＸは画素領域内をそのｙ方向に延在
しｘ方向に並設された複数（図では２本）の電極群から
構成されている。このうちの一つの画素電極ＰＸの一方
の端部は前記ソース電極ＳＤ２を兼ね、また、ほぼ中央
部の対向電圧信号線ＣＬ上では隣接する他の画素電極Ｐ
Ｘの対応する個所にて互いに電気的接続が図れるように
なっている。
に形成される画素電極ＰＸと一体に形成されている。す
なわち、画素電極ＰＸは画素領域内をそのｙ方向に延在
しｘ方向に並設された複数（図では２本）の電極群から
構成されている。このうちの一つの画素電極ＰＸの一方
の端部は前記ソース電極ＳＤ２を兼ね、また、ほぼ中央
部の対向電圧信号線ＣＬ上では隣接する他の画素電極Ｐ
Ｘの対応する個所にて互いに電気的接続が図れるように
なっている。
【００３８】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイ
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ
２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１
の表面には保護膜が形成されている。この保護膜は前記
薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避す
る膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せ
んとするようになっている。
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ
２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１
の表面には保護膜が形成されている。この保護膜は前記
薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避す
る膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せ
んとするようになっている。
【００３９】なお、この保護膜は、たとえばＳｉＮのよ
うな無機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳと、たとえば樹
脂等の有機材料層からなる保護膜ＰＡＳの順次積層体か
ら構成されている。このように保護膜として少なくとも
有機材料層を用いているのは保護膜それ自体の誘電率を
低減させることにある。
うな無機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳと、たとえば樹
脂等の有機材料層からなる保護膜ＰＡＳの順次積層体か
ら構成されている。このように保護膜として少なくとも
有機材料層を用いているのは保護膜それ自体の誘電率を
低減させることにある。
【００４０】ここで、ゲート信号線ＧＬ上に形成される
保護膜ＰＡＳにおいて、その一部に開口が形成され、保
護膜ＯＰＡＳはこの開口部を埋めるようにして積層され
ている。保護膜ＰＡＳに形成された開口の機能について
は後に説明する。この場合、絶縁膜ＧＩは、たとえばＳ
ｉＯ２で形成されていることから、前記保護膜ＰＡＳの
孔開けの際のストッパとして機能するようになる。
保護膜ＰＡＳにおいて、その一部に開口が形成され、保
護膜ＯＰＡＳはこの開口部を埋めるようにして積層され
ている。保護膜ＰＡＳに形成された開口の機能について
は後に説明する。この場合、絶縁膜ＧＩは、たとえばＳ
ｉＯ２で形成されていることから、前記保護膜ＰＡＳの
孔開けの際のストッパとして機能するようになる。
【００４１】保護膜ＯＰＡＳの上面には対向電極ＣＴが
形成されている。この対向電極ＣＴは前述の画素電極Ｐ
Ｘと同様にｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数
（図では３本）の電極群から構成され、かつ、それら各
電極は、平面的に観た場合、前記画素電極ＰＸを間に位
置付けるようにして配列されている。
形成されている。この対向電極ＣＴは前述の画素電極Ｐ
Ｘと同様にｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数
（図では３本）の電極群から構成され、かつ、それら各
電極は、平面的に観た場合、前記画素電極ＰＸを間に位
置付けるようにして配列されている。
【００４２】すなわち、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸ
は、一方の側のドレイン信号線ＤＬから他方の側のドレ
イン信号線ＤＬにかけて、対向電極ＣＴ、画素電極Ｐ
Ｘ、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、……、対向電極ＣＴ
の順にそれぞれ等間隔に配置されている。
は、一方の側のドレイン信号線ＤＬから他方の側のドレ
イン信号線ＤＬにかけて、対向電極ＣＴ、画素電極Ｐ
Ｘ、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、……、対向電極ＣＴ
の順にそれぞれ等間隔に配置されている。
【００４３】ここで、画素領域の両側に位置づけられる
対向電極ＣＴは、その一部がドレイン信号線ＤＬに重畳
されて形成されているとともに、隣接する画素領域の対
応する対向電極ＣＴと共通に形成されている。
対向電極ＣＴは、その一部がドレイン信号線ＤＬに重畳
されて形成されているとともに、隣接する画素領域の対
応する対向電極ＣＴと共通に形成されている。
【００４４】換言すれは、ドレイン信号線ＤＬ上には対
向電極ＣＴがその中心軸をほぼ一致づけて重畳され、該
対向電極ＣＴの幅はドレイン信号線ＤＬのそれよりも大
きく形成されている。ドレイン信号線ＤＬに対して左側
の対向電極ＣＴは左側の画素領域の各対向電極ＣＴの一
つを構成し、右側の対向電極ＣＴは右側の画素領域の各
対向電極ＣＴの一つを構成するようになっている。
向電極ＣＴがその中心軸をほぼ一致づけて重畳され、該
対向電極ＣＴの幅はドレイン信号線ＤＬのそれよりも大
きく形成されている。ドレイン信号線ＤＬに対して左側
の対向電極ＣＴは左側の画素領域の各対向電極ＣＴの一
つを構成し、右側の対向電極ＣＴは右側の画素領域の各
対向電極ＣＴの一つを構成するようになっている。
【００４５】このようにドレイン信号線ＤＬの上方にて
該ドレイン信号線ＤＬよりも幅の広い対向電極ＣＴを形
成することにより、該ドレイン信号線ＤＬからの電気力
線が該対向電極ＣＴに終端し画素電極ＰＸに終端するこ
とを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線Ｄ
Ｌからの電気力線が画素電極ＰＸに終端した場合、それ
がノイズとなってしまうからである。
該ドレイン信号線ＤＬよりも幅の広い対向電極ＣＴを形
成することにより、該ドレイン信号線ＤＬからの電気力
線が該対向電極ＣＴに終端し画素電極ＰＸに終端するこ
とを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線Ｄ
Ｌからの電気力線が画素電極ＰＸに終端した場合、それ
がノイズとなってしまうからである。
【００４６】そして、このように複数からなる各対向電
極ＣＴは、それと同層であって前記ゲート信号線ＧＬを
充分に被って形成される同一の材料からなる材料層と一
体に形成されている。
極ＣＴは、それと同層であって前記ゲート信号線ＧＬを
充分に被って形成される同一の材料からなる材料層と一
体に形成されている。
【００４７】ここで、該対向電極ＣＴとそれに一体に形
成される材料層は、ＩＴＯ（IndiumTin Oxide）、ＩＴ
ＺＯ（Indium Tin Zinc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zin
c Oxide）、ＳｎＯ２（酸化スズ）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化
インジウム）等の透光性の導電層で形成されている。
成される材料層は、ＩＴＯ（IndiumTin Oxide）、ＩＴ
ＺＯ（Indium Tin Zinc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zin
c Oxide）、ＳｎＯ２（酸化スズ）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化
インジウム）等の透光性の導電層で形成されている。
【００４８】これらの材料で構成された該対向電極ＣＴ
とそれに一体に形成される材料層は抵抗が比較的大きい
ことから、上述のようなパターンとするとともに、保護
膜ＯＰＡＳ、保護膜ＰＡＳ、および絶縁膜ＧＩを貫通し
て形成するスルーホールを通して前記対向電圧信号線Ｃ
Ｌ１に電気的に接続させている。各対向電極ＣＴには該
対向電圧信号線ＣＬ１を介して基準信号が供給されるよ
うになっている。
とそれに一体に形成される材料層は抵抗が比較的大きい
ことから、上述のようなパターンとするとともに、保護
膜ＯＰＡＳ、保護膜ＰＡＳ、および絶縁膜ＧＩを貫通し
て形成するスルーホールを通して前記対向電圧信号線Ｃ
Ｌ１に電気的に接続させている。各対向電極ＣＴには該
対向電圧信号線ＣＬ１を介して基準信号が供給されるよ
うになっている。
【００４９】なお、前記各対向電極ＣＴと一体に形成さ
れゲート信号線ＧＬを充分に被って形成される材料層の
部分を以下の説明において対向電圧信号線ＣＬと称す
る。この部分はゲート信号線ＧＬと同層に形成される前
記対向電圧信号線ＣＬ１とともに、対向電極ＣＴに基準
信号を供給するための信号線として機能するからであ
る。
れゲート信号線ＧＬを充分に被って形成される材料層の
部分を以下の説明において対向電圧信号線ＣＬと称す
る。この部分はゲート信号線ＧＬと同層に形成される前
記対向電圧信号線ＣＬ１とともに、対向電極ＣＴに基準
信号を供給するための信号線として機能するからであ
る。
【００５０】ここで、上述したように、ゲート信号線Ｇ
Ｌの上方に形成された保護膜ＰＡＳの一部には開口が形
成され、この開口部をも埋めるようにして有機材料層か
らなる保護膜ＯＰＡＳの上面に対向電極ＣＴと一体の前
記材料層が形成されている。
Ｌの上方に形成された保護膜ＰＡＳの一部には開口が形
成され、この開口部をも埋めるようにして有機材料層か
らなる保護膜ＯＰＡＳの上面に対向電極ＣＴと一体の前
記材料層が形成されている。
【００５１】すなわち、対向電極ＣＴと一体の前記材料
層とゲート信号線ＧＬとの間には、無機材料層からなる
保護膜ＰＡＳが存在せず、その分だけ加算された膜厚の
有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳが形成される部分が
存在することになる。
層とゲート信号線ＧＬとの間には、無機材料層からなる
保護膜ＰＡＳが存在せず、その分だけ加算された膜厚の
有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳが形成される部分が
存在することになる。
【００５２】このため、ゲート信号線ＧＬと対向電極Ｃ
Ｔとの間の寄生容量Ｃｇｓが低減されることになり、該
ゲート信号線ＧＬに供給される走査信号の波形遅延を低
減させる効果を奏する。
Ｔとの間の寄生容量Ｃｇｓが低減されることになり、該
ゲート信号線ＧＬに供給される走査信号の波形遅延を低
減させる効果を奏する。
【００５３】そして、ゲート信号線ＧＬを充分に被って
形成される前記材料層は、そのゲート信号線ＧＬからは
み出した部分において、前記各画素電極ＰＸの端部が位
置づけられ、これにより、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
との間に保護膜ＰＳＶ、保護膜ＯＰＡＳを誘電体膜とす
る容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。この容量素子Ｃ
ｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信号
を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようになっ
ている。
形成される前記材料層は、そのゲート信号線ＧＬからは
み出した部分において、前記各画素電極ＰＸの端部が位
置づけられ、これにより、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
との間に保護膜ＰＳＶ、保護膜ＯＰＡＳを誘電体膜とす
る容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。この容量素子Ｃ
ｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信号
を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようになっ
ている。
【００５４】そして、このように対向電極ＣＴが形成さ
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被
って配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜
は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラ
ビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけ
るようになっている。
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被
って配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜
は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラ
ビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけ
るようになっている。
【００５５】実施例２．図３は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図１（ｃ）に対応し
た図となっている。図１（ｃ）と比較して異なる構成
は、保護膜ＰＡＳに孔を開けた部分において、それから
露出される絶縁膜ＧＩをも孔を開けていることにある。
このようにした場合にも同様の効果を奏する。の場合、
絶縁膜ＧＩの材料として保護膜ＰＡＳの材料と同様のＳ
ｉＮを用いてもよい。
装置の他の実施例を示す構成図で、図１（ｃ）に対応し
た図となっている。図１（ｃ）と比較して異なる構成
は、保護膜ＰＡＳに孔を開けた部分において、それから
露出される絶縁膜ＧＩをも孔を開けていることにある。
このようにした場合にも同様の効果を奏する。の場合、
絶縁膜ＧＩの材料として保護膜ＰＡＳの材料と同様のＳ
ｉＮを用いてもよい。
【００５６】実施例３．図４は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図３に対応した図と
なっている。図３と比較して異なる構成は、ゲート信号
線ＧＬは、その材料としてＡｌあるいはＴａが用いら
れ、それぞれ、その表面に陽極化成によるＡｌ２Ｏ３、
Ｔａ２Ｏ３の酸化膜が形成されたものとなっている。こ
のようにした場合にも同様の効果を奏する。
装置の他の実施例を示す構成図で、図３に対応した図と
なっている。図３と比較して異なる構成は、ゲート信号
線ＧＬは、その材料としてＡｌあるいはＴａが用いら
れ、それぞれ、その表面に陽極化成によるＡｌ２Ｏ３、
Ｔａ２Ｏ３の酸化膜が形成されたものとなっている。こ
のようにした場合にも同様の効果を奏する。
【００５７】実施例４．図５は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。図１と比較して異なる構成は、まず、保護
膜ＰＡＳに孔を開けた部分に重畳されて形成された対向
電圧信号線ＣＬにおいても、該孔の領域内に前記孔より
も面積の小さな孔ＨＯＬを形成していることにある。
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図と
なっている。図１と比較して異なる構成は、まず、保護
膜ＰＡＳに孔を開けた部分に重畳されて形成された対向
電圧信号線ＣＬにおいても、該孔の領域内に前記孔より
も面積の小さな孔ＨＯＬを形成していることにある。
【００５８】この場合、図５（ｃ）に示すように、画素
電極ＰＸと対向電極ＣＴの重畳する幅をＡ、ゲート信号
線ＧＬと対向電極ＣＴの重畳する幅をＢ、保護膜ＰＡＳ
とゲート信号線ＧＬの重畳する幅をＣ、ゲート信号線Ｇ
Ｌと画素電極ＰＸの離間する幅をＤ、対向電圧信号線の
孔の幅をＥ、保護膜ＰＡＳの孔の幅をＦとした場合、そ
れらはいずれも０より大きいように設定されている。
電極ＰＸと対向電極ＣＴの重畳する幅をＡ、ゲート信号
線ＧＬと対向電極ＣＴの重畳する幅をＢ、保護膜ＰＡＳ
とゲート信号線ＧＬの重畳する幅をＣ、ゲート信号線Ｇ
Ｌと画素電極ＰＸの離間する幅をＤ、対向電圧信号線の
孔の幅をＥ、保護膜ＰＡＳの孔の幅をＦとした場合、そ
れらはいずれも０より大きいように設定されている。
【００５９】このように構成した液晶表示装置は、対向
電圧信号線ＣＬに孔ＨＯＬを形成していることにより、
ゲート信号線ＧＬとの間の寄生容量が低減するので、画
素電極ＰＸの電位変動を抑制することができる。
電圧信号線ＣＬに孔ＨＯＬを形成していることにより、
ゲート信号線ＧＬとの間の寄生容量が低減するので、画
素電極ＰＸの電位変動を抑制することができる。
【００６０】また、薄膜トランジスタＴＦＴがＯＦＦの
際の定常状態では、画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬ
の重畳する幅Ａにおける容量Ｃｓｃは容量素子Ｃｓｔｇ
として機能するようになる。仮に、該対向電圧信号線Ｃ
Ｌが形成されていない場合には画素電極ＰＸのゲート信
号線ＧＬによる飛込み電圧が増大することになる。
際の定常状態では、画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬ
の重畳する幅Ａにおける容量Ｃｓｃは容量素子Ｃｓｔｇ
として機能するようになる。仮に、該対向電圧信号線Ｃ
Ｌが形成されていない場合には画素電極ＰＸのゲート信
号線ＧＬによる飛込み電圧が増大することになる。
【００６１】そして、薄膜トランジスタＴＦＴがＯＦＦ
の際の定常状態では、ゲート信号線ＧＬと対向電極ＣＴ
の重畳する幅Ｂにおける容量Ｃｇｃと画素電極ＰＸと対
向電極ＣＴの重畳する幅Ａにおける容量Ｃｓｃとの経由
でゲート信号線ＧＬの変動を最小化することができる。
仮に、対向電圧信号線ＣＬに孔が形成されていない場合
には，ゲート信号線ＧＬの電位変動によって対向電圧信
号線ＣＬの電位が変動し、前記容量Ｃｓｃによって画素
電極ＰＸの電位が変動してしまうことになる。
の際の定常状態では、ゲート信号線ＧＬと対向電極ＣＴ
の重畳する幅Ｂにおける容量Ｃｇｃと画素電極ＰＸと対
向電極ＣＴの重畳する幅Ａにおける容量Ｃｓｃとの経由
でゲート信号線ＧＬの変動を最小化することができる。
仮に、対向電圧信号線ＣＬに孔が形成されていない場合
には，ゲート信号線ＧＬの電位変動によって対向電圧信
号線ＣＬの電位が変動し、前記容量Ｃｓｃによって画素
電極ＰＸの電位が変動してしまうことになる。
【００６２】なお、保護膜ＰＡＳとゲート信号線ＧＬの
重畳する幅Ｃを設けているのは、ゲート信号線ＧＬの電
界強度は対向電圧信号線ＣＬの存在によって、該ゲート
信号線ＧＬの端辺で増大することから、少なくとも該ゲ
ート信号線ＧＬの端辺を保護膜ＰＡＳで被うことにより
該ゲート信号線ＧＬの電蝕を防止している。さらに、ゲ
ート信号線ＧＬと画素電極ＰＸの離間する幅Ｄにより、
ゲート信号線ＧＬと画素電極ＰＸとの間の寄生容量Ｃｇ
ｓを低減させた構成としている。
重畳する幅Ｃを設けているのは、ゲート信号線ＧＬの電
界強度は対向電圧信号線ＣＬの存在によって、該ゲート
信号線ＧＬの端辺で増大することから、少なくとも該ゲ
ート信号線ＧＬの端辺を保護膜ＰＡＳで被うことにより
該ゲート信号線ＧＬの電蝕を防止している。さらに、ゲ
ート信号線ＧＬと画素電極ＰＸの離間する幅Ｄにより、
ゲート信号線ＧＬと画素電極ＰＸとの間の寄生容量Ｃｇ
ｓを低減させた構成としている。
【００６３】実施例５．図６（ａ）は、本発明による液
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図５（ａ）に
対応した図となっている。また、図６（ｂ）は図６
（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を示している。図５
（ａ）と比較して異なる構成は、ゲート信号線ＧＬに重
畳して形成される対向電圧信号線ＣＬに形成される孔Ｈ
ＯＬはその幅が該ゲート信号線ＧＬの幅よりも大きく形
成されていることにある。これにより、ゲート信号線Ｇ
Ｌと対向電圧信号線ＣＬとの間の寄生容量を大幅に低減
させることができ、ゲート信号線ＧＬの波形遅延を低減
させることができる。
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図５（ａ）に
対応した図となっている。また、図６（ｂ）は図６
（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を示している。図５
（ａ）と比較して異なる構成は、ゲート信号線ＧＬに重
畳して形成される対向電圧信号線ＣＬに形成される孔Ｈ
ＯＬはその幅が該ゲート信号線ＧＬの幅よりも大きく形
成されていることにある。これにより、ゲート信号線Ｇ
Ｌと対向電圧信号線ＣＬとの間の寄生容量を大幅に低減
させることができ、ゲート信号線ＧＬの波形遅延を低減
させることができる。
【００６４】実施例６．図７は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図６（ａ）に対応し
た図となっている。図６（ａ）と比較して異なる構成
は、ゲート信号線ＧＬに重畳して形成される対向電圧信
号線ＣＬに形成される孔ＨＯＬは該ゲート信号線ＧＬの
走行方向に沿って複数個形成されていることにある。こ
のようにした場合にも、ゲート信号線ＧＬと対向電圧信
号線ＣＬとの間の寄生容量を大幅に低減させることがで
き、ゲート信号線ＧＬの波形遅延を低減させることがで
きる。
装置の他の実施例を示す構成図で、図６（ａ）に対応し
た図となっている。図６（ａ）と比較して異なる構成
は、ゲート信号線ＧＬに重畳して形成される対向電圧信
号線ＣＬに形成される孔ＨＯＬは該ゲート信号線ＧＬの
走行方向に沿って複数個形成されていることにある。こ
のようにした場合にも、ゲート信号線ＧＬと対向電圧信
号線ＣＬとの間の寄生容量を大幅に低減させることがで
き、ゲート信号線ＧＬの波形遅延を低減させることがで
きる。
【００６５】実施例７．図８は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図７に対応した図と
なっている。図７において、ゲート信号線ＧＬに重畳し
て形成される対向電圧信号線ＣＬに形成される孔ＨＯＬ
はそのパターンを円形形状としたものであるが、図８に
おいては矩形状のパターンとし、この矩形状の孔はゲー
ト信号線ＧＬの走行方向に対して若干の傾きを有するよ
うにして形成されている。ゲート信号線ＧＬからの電界
が画素領域側へ漏洩するのを低減させるためである。
装置の他の実施例を示す構成図で、図７に対応した図と
なっている。図７において、ゲート信号線ＧＬに重畳し
て形成される対向電圧信号線ＣＬに形成される孔ＨＯＬ
はそのパターンを円形形状としたものであるが、図８に
おいては矩形状のパターンとし、この矩形状の孔はゲー
ト信号線ＧＬの走行方向に対して若干の傾きを有するよ
うにして形成されている。ゲート信号線ＧＬからの電界
が画素領域側へ漏洩するのを低減させるためである。
【００６６】実施例８．図９（ａ）は、本発明による液
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図５（ａ）に
対応した図となっている。また、図９（ａ）のｂ−ｂ線
における断面図を図９（ｂ）に示している。この実施例
では、液晶表示部ＡＲにおける透明基板ＳＵＢ１と透明
基板ＳＵＢ２との間のギャップを確保するスペーサを透
明基板ＳＵＢ２側に形成した支柱状のスペーサＳＰとす
るとともに、その頂部を対向電圧信号線ＣＬの前記孔Ｈ
ＯＬの部分に位置づけられるようにしたものである。前
記支柱状のスペーサＳＰは透明基板ＳＵＢ２側に形成し
たアクリル、ポリイミド等の樹脂膜をフォトリソグラフ
ィ技術による選択エッチングによって形成されるもの
で、その比誘電率は液晶のそれよりも小さく構成され
る。このため、ドレイン信号線ＤＬとの間に生じる寄生
容量をさらに低減させることができるようになる。
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図５（ａ）に
対応した図となっている。また、図９（ａ）のｂ−ｂ線
における断面図を図９（ｂ）に示している。この実施例
では、液晶表示部ＡＲにおける透明基板ＳＵＢ１と透明
基板ＳＵＢ２との間のギャップを確保するスペーサを透
明基板ＳＵＢ２側に形成した支柱状のスペーサＳＰとす
るとともに、その頂部を対向電圧信号線ＣＬの前記孔Ｈ
ＯＬの部分に位置づけられるようにしたものである。前
記支柱状のスペーサＳＰは透明基板ＳＵＢ２側に形成し
たアクリル、ポリイミド等の樹脂膜をフォトリソグラフ
ィ技術による選択エッチングによって形成されるもの
で、その比誘電率は液晶のそれよりも小さく構成され
る。このため、ドレイン信号線ＤＬとの間に生じる寄生
容量をさらに低減させることができるようになる。
【００６７】実施例９．図１０は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す構成図で、図９（ｂ）に対応
した図となっている。透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面
に、少なくともゲート信号線ＧＬと重ねられるようにブ
ラックマトリクスＢＭが形成され、このブラックマトリ
クスＢＭはたとえば１０８Ω・ｃｍの樹脂層、あるいは
金属層から構成されている。これにより、ゲート信号線
ＧＬからの漏洩電界を該ブラックマトリクスＢＭによっ
てシールドできる構成としている。また、このような構
成において、図１１に示すように、該ブラックマトリク
スＢＭの表面に該ブラックマトリクスＢＭをも被って形
成るカラーフィルタＣＦ、あるいは平坦化膜（図示せ
ず）等を低抵抗材料で形成することによって、さらなる
効果を奏することができる。
示装置の他の実施例を示す構成図で、図９（ｂ）に対応
した図となっている。透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面
に、少なくともゲート信号線ＧＬと重ねられるようにブ
ラックマトリクスＢＭが形成され、このブラックマトリ
クスＢＭはたとえば１０８Ω・ｃｍの樹脂層、あるいは
金属層から構成されている。これにより、ゲート信号線
ＧＬからの漏洩電界を該ブラックマトリクスＢＭによっ
てシールドできる構成としている。また、このような構
成において、図１１に示すように、該ブラックマトリク
スＢＭの表面に該ブラックマトリクスＢＭをも被って形
成るカラーフィルタＣＦ、あるいは平坦化膜（図示せ
ず）等を低抵抗材料で形成することによって、さらなる
効果を奏することができる。
【００６８】実施例１０．図１２は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図５に対応した
図となっている。図５と比較して異なる構成は、保護膜
ＰＡＳに形成する孔はゲート信号線ＧＬ上のみならずド
レイン信号線ＤＬ上にも形成していることにある。ドレ
イン信号線ＤＬ上の保護膜ＰＡＳに形成する孔ＨＯＬ１
は該ドレイン信号線ＤＬに沿って、しかも該ドレイン信
号線ＤＬの走行方向に平行な各辺部を除く中央部を露出
させるようにして形成されている。これにより、ドレイ
ン信号線ＤＬと対向電極ＣＴとの間に介在される保護膜
は有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳのみとなり、該ド
レイン信号線ＤＬと対向電極ＣＴの間に形成される寄生
容量を低減でき、該ドレイン信号線ＤＬおよび対向電極
ＣＴのそれぞれに供給される各信号の波形遅延を低減で
きる効果を奏する。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図５に対応した
図となっている。図５と比較して異なる構成は、保護膜
ＰＡＳに形成する孔はゲート信号線ＧＬ上のみならずド
レイン信号線ＤＬ上にも形成していることにある。ドレ
イン信号線ＤＬ上の保護膜ＰＡＳに形成する孔ＨＯＬ１
は該ドレイン信号線ＤＬに沿って、しかも該ドレイン信
号線ＤＬの走行方向に平行な各辺部を除く中央部を露出
させるようにして形成されている。これにより、ドレイ
ン信号線ＤＬと対向電極ＣＴとの間に介在される保護膜
は有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳのみとなり、該ド
レイン信号線ＤＬと対向電極ＣＴの間に形成される寄生
容量を低減でき、該ドレイン信号線ＤＬおよび対向電極
ＣＴのそれぞれに供給される各信号の波形遅延を低減で
きる効果を奏する。
【００６９】実施例１１．図１３は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１２（ｃ）に
対応した図となっている。図１２（ｃ）と比較して異な
る構成は、ドレイン信号線ＤＬをその走行方向と平行な
各辺部をも露出させるようにして保護膜ＰＡＳに孔ＨＯ
Ｌ１を開けていることにある。この場合、絶縁膜ＧＩの
材料としてはＳｉＯ２を用いることが望ましい。保護膜
ＰＡＳの穴あけによって該絶縁膜ＧＩがストッパーの機
能を有するようになるからである。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１２（ｃ）に
対応した図となっている。図１２（ｃ）と比較して異な
る構成は、ドレイン信号線ＤＬをその走行方向と平行な
各辺部をも露出させるようにして保護膜ＰＡＳに孔ＨＯ
Ｌ１を開けていることにある。この場合、絶縁膜ＧＩの
材料としてはＳｉＯ２を用いることが望ましい。保護膜
ＰＡＳの穴あけによって該絶縁膜ＧＩがストッパーの機
能を有するようになるからである。
【００７０】実施例１２．図１４は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１３に対応し
た図となっている。図１３と比較して異なる構成は、絶
縁膜ＧＩをたとえばＳｉＮから構成するとともに、保護
膜ＰＡＳの穴あけの際に同時に、ドレイン信号線ＤＬを
マスクとして該絶縁膜ＧＩにも孔あけがされるようにし
ている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１３に対応し
た図となっている。図１３と比較して異なる構成は、絶
縁膜ＧＩをたとえばＳｉＮから構成するとともに、保護
膜ＰＡＳの穴あけの際に同時に、ドレイン信号線ＤＬを
マスクとして該絶縁膜ＧＩにも孔あけがされるようにし
ている。
【００７１】実施例１３．図１５は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図９に対応した
図となっている。図９と比較して異なる構成は、透明基
板ＳＵＢ２側に形成された支柱状のスペーサＳＰの頂部
は、対向電圧信号線ＣＬに形成された孔ＨＯＬの内部に
位置づけられ、該対向電圧信号線ＣＬと当接しないよう
になっている。このように構成することによって、画面
水平方向に圧力を加えた際（拭きずれ試験）に、拭きず
れを発生させにくい効果を奏する。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図９に対応した
図となっている。図９と比較して異なる構成は、透明基
板ＳＵＢ２側に形成された支柱状のスペーサＳＰの頂部
は、対向電圧信号線ＣＬに形成された孔ＨＯＬの内部に
位置づけられ、該対向電圧信号線ＣＬと当接しないよう
になっている。このように構成することによって、画面
水平方向に圧力を加えた際（拭きずれ試験）に、拭きず
れを発生させにくい効果を奏する。
【００７２】実施例１４．図１６（ａ）は、本発明によ
る液晶表示装置の他の実施例を示す平面図である。ま
た、図１６（ｂ）は図１６（ａ）のｂ−ｂ線における断
面図である。同図は、いわゆる縦電界方式と称される画
素構造を示し、たとえば図１と比較して異なる構成は、
まず、画素電極ＰＸにある。この画素電極ＰＸは、薄膜
トランジスタＴＦＴをも被って形成される無機材料から
なる保護膜ＰＡＳと有機材料からなる保護膜ＯＰＡＳの
順次積層体の表面に、画素領域の全域を被って形成され
ている。
る液晶表示装置の他の実施例を示す平面図である。ま
た、図１６（ｂ）は図１６（ａ）のｂ−ｂ線における断
面図である。同図は、いわゆる縦電界方式と称される画
素構造を示し、たとえば図１と比較して異なる構成は、
まず、画素電極ＰＸにある。この画素電極ＰＸは、薄膜
トランジスタＴＦＴをも被って形成される無機材料から
なる保護膜ＰＡＳと有機材料からなる保護膜ＯＰＡＳの
順次積層体の表面に、画素領域の全域を被って形成され
ている。
【００７３】そして、この画素電極ＰＸは、たとえば、
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＴＺＯ（Indium Tin Z
inc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＳｎＯ２
（酸化スズ）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）等の透光
性の導電膜から構成されている。画素電極ＰＸの周辺は
ドレイン信号線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬに重畳する
ようにして形成され、画素の開口率の向上を図ってい
る。
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＴＺＯ（Indium Tin Z
inc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＳｎＯ２
（酸化スズ）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）等の透光
性の導電膜から構成されている。画素電極ＰＸの周辺は
ドレイン信号線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬに重畳する
ようにして形成され、画素の開口率の向上を図ってい
る。
【００７４】画素電極ＰＸとの間に電界を発生せしめる
対向電極は、他方の透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に各
画素領域に共通に、たとえばＩＴＯ等の透光性の導電膜
から構成されている。この場合、画素領域内の無機材料
からなる保護膜ＰＡＳとその下層の絶縁膜ＧＩにはそれ
らを貫通する孔ＨＯＬ２が複数個形成されて構成されて
いる。
対向電極は、他方の透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に各
画素領域に共通に、たとえばＩＴＯ等の透光性の導電膜
から構成されている。この場合、画素領域内の無機材料
からなる保護膜ＰＡＳとその下層の絶縁膜ＧＩにはそれ
らを貫通する孔ＨＯＬ２が複数個形成されて構成されて
いる。
【００７５】このようにした場合、前記保護膜ＰＡＳの
上面に形成される有機材料からなる保護膜ＯＰＡＳが該
孔ＨＯＬ２に埋め込まれて形成され、該保護膜ＯＰＡＳ
のずれを防止できる効果を奏する。有機材料からなる保
護膜ＯＰＡＳは熱履歴によるずれが生じやすいことか
ら、このような対策を必要とする。
上面に形成される有機材料からなる保護膜ＯＰＡＳが該
孔ＨＯＬ２に埋め込まれて形成され、該保護膜ＯＰＡＳ
のずれを防止できる効果を奏する。有機材料からなる保
護膜ＯＰＡＳは熱履歴によるずれが生じやすいことか
ら、このような対策を必要とする。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、ゲート信号線に供
給される走査信号の波形遅延を低減させることができ
る。また、ドレイン信号線に供給される映像信号の波形
遅延を低減させることができる。
本発明による液晶表示装置によれば、ゲート信号線に供
給される走査信号の波形遅延を低減させることができ
る。また、ドレイン信号線に供給される映像信号の波形
遅延を低減させることができる。
【図１】 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図２】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
構成図である。
構成図である。
【図３】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図４】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図５】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図６】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図７】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図８】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図９】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図１０】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図１１】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図１２】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す構成図である。
施例を示す構成図である。
【図１３】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図１４】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図１５】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す構成図である。
施例を示す構成図である。
【図１６】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す構成図である。
施例を示す構成図である。
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイ
ン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜トラン
ジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＧＩ…絶縁
膜、ＰＡＳ…保護膜（無機材料からなる）、ＯＰＡＳ…
保護膜（有機材料からなる）、ＨＯＬ、ＨＯＬ１、ＨＯ
Ｌ２…孔。
ン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜トラン
ジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＧＩ…絶縁
膜、ＰＡＳ…保護膜（無機材料からなる）、ＯＰＡＳ…
保護膜（有機材料からなる）、ＨＯＬ、ＨＯＬ１、ＨＯ
Ｌ２…孔。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 柳川 和彦
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
Ｆターム(参考） 2H089 LA09 MA04 NA14 QA16 SA17
TA02
2H090 HA02 HB02X HB07X HD13
JA05 LA01
2H092 GA14 GA17 GA25 GA29 HA02
JA24 JA37 JA41 JB24 JB57
NA23 PA02
Claims (9)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線とが形成され、 これら信号線に囲まれた領域を画素領域とし、ゲート信
号線からの走査信号によって作動されるスイッチング素
子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線か
らの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線
に接続され前記画素電極との間に電界を生じせしめる対
向電極とを備え、 前記対向電極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の
走行方向に沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁
膜を介して前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧
信号線と同層に形成され、 前記絶縁膜は、少なくとも無機材料からなる保護膜と有
機材料からなる保護膜との順次積層体から構成されてい
るとともに、前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料
からなる保護膜の一部に孔開けがなされていることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線とが形成され、 これら信号線に囲まれた領域を画素領域とし、ゲート信
号線からの走査信号によって作動されるスイッチング素
子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線か
らの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線
に接続され前記画素電極との間に電界を生じせしめる対
向電極とを備え、 前記対向電極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の
走行方向に沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁
膜を介して前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧
信号線と同層に形成され、 前記絶縁膜は、少なくとも無機材料からなる保護膜と有
機材料からなる保護膜との順次積層体から構成され、 前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料からなる保護
膜の一部に孔開けがなされているとともに、該対向電圧
信号線に前記孔の形成領域内に該孔より小さな面積を有
する孔開けがなされていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３】 画素電極はドレイン信号線の走行方向に
延在された帯状のパターンをなすとともに、前記対向電
圧信号線に形成された孔に近接して配置される前記画素
電極の一端はゲート信号線に重畳されることなく該対向
電圧信号線に重畳されていることを特徴とする請求項２
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 スイッチング素子は薄膜トランジスタか
ら構成され、ゲート信号線ＧＬは該薄膜トランジスタの
ゲート絶縁膜を兼ねる絶縁膜、無機材料からなる保護
膜、および有機材料からなる保護膜との順次積層体によ
って形成されているとともに、無機材料からなる前記保
護膜に形成される孔はその下層の前記絶縁膜に貫通して
形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項５】 無機材料からなる前記保護膜および絶縁
膜に形成される孔はゲート信号線の走行方向に平行な各
辺部を露出させることなく形成されていることを特徴と
する請求項４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線とが形成され、 これら信号線に囲まれた領域を画素領域とし、ゲート信
号線からの走査信号によって作動されるスイッチング素
子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線か
らの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線
に接続され前記画素電極との間に電界を生じせしめる対
向電極とを備え、 前記対向電極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の
走行方向に沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁
膜を介して前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧
信号線と同層に形成され、 前記絶縁膜は、少なくとも無機材料からなる保護膜と有
機材料からなる保護膜との順次積層体から構成され、 前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料からなる保護
膜の一部に孔開けがなされているとともに、該対向電圧
信号線に前記孔の形成領域内に該孔より小さな面積を有
する孔開けがなされ、 かつ、前記基板のうち他方の基板の液晶側の面に形成さ
れた支柱状のスペーサの頂部が前記対向電圧信号線に形
成された孔に対向するようにして設けられているととも
に、該スペーサは前記液晶の誘電率より小さい誘電率の
材料で構成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線とが形成され、 これら信号線に囲まれた領域を画素領域とし、ゲート信
号線からの走査信号によって作動されるスイッチング素
子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線か
らの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線
に接続され前記画素電極との間に電界を生じせしめる対
向電極とを備え、 前記対向電極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の
走行方向に沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁
膜を介して前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧
信号線と同層に形成され、 前記絶縁膜は、少なくとも無機材料からなる保護膜と有
機材料からなる保護膜との順次積層体から構成され、 前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料からなる保護
膜の一部に孔開けがなされているとともに、該対向電圧
信号線に前記孔の形成領域内に該孔より小さな面積を有
する孔開けがなされ、 かつ、前記基板のうち他方の基板の液晶側の面に少なく
とも前記対向電圧信号線と対向するブラックマトリクス
が形成され、このブラックマトリクスの抵抗が１０８Ω
・ｃｍ以下に設定されていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項８】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線とが形成され、 これら信号線に囲まれた領域を画素領域とし、ゲート信
号線からの走査信号によって作動されるスイッチング素
子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線か
らの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線
に接続され前記画素電極との間に電界を生じせしめる対
向電極とを備え、 前記対向電極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の
走行方向に沿って重畳されるものを含むとともに、 前記絶縁膜は、少なくとも無機材料からなる保護膜と有
機材料からなる保護膜との順次積層体から構成されてい
るとともに、前記ドレイン信号線の上方であって対向電
極の下方の一部に前記無機材料からなる保護膜の一部に
孔開けがなされていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線とが形成され、 これら信号線に囲まれた領域を画素領域とし、ゲート信
号線からの走査信号によって作動されるスイッチング素
子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線か
らの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線
に接続され前記画素電極との間に電界を生じせしめる対
向電極とを備え、 前記対向電極は、絶縁膜を介して前記ドレイン信号線の
走行方向に沿って重畳されるものを含むとともに、絶縁
膜を介して前記ゲート信号線と重畳される前記対向電圧
信号線と同層に形成され、 前記絶縁膜は、少なくとも無機材料からなる保護膜と有
機材料からなる保護膜との順次積層体から構成され、 前記対向電圧信号線の下方の前記無機材料からなる保護
膜の一部に孔開けがなされているとともに、該対向電圧
信号線に前記孔の形成領域内に該孔より小さな面積を有
する孔開けがなされ、 かつ、前記基板のうち他方の基板の液晶側の面に形成さ
れた支柱状のスペーサの頂部が前記対向電圧信号線に形
成された孔部に対向していることを特徴する液晶表示装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002080876A JP2003279944A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | 液晶表示装置 |
| US10/392,899 US6947115B2 (en) | 2002-03-22 | 2003-03-21 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002080876A JP2003279944A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003279944A true JP2003279944A (ja) | 2003-10-02 |
Family
ID=28035718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002080876A Pending JP2003279944A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | 液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6947115B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003279944A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008052161A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2008076800A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2011237836A (ja) * | 2011-08-31 | 2011-11-24 | Sony Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| KR20140084605A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI248684B (en) * | 2004-11-26 | 2006-02-01 | Innolux Display Corp | Liquid crystal display device |
| JP5090133B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2012-12-05 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP5244439B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2013-07-24 | 三菱電機株式会社 | 透明導電膜、表示装置、及びこれらの製造方法 |
| CN105022184A (zh) * | 2014-04-17 | 2015-11-04 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
| CN104597679B (zh) * | 2015-02-12 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其断线修补方法 |
| CN106684036B (zh) * | 2017-01-04 | 2019-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3087841B2 (ja) | 1996-10-29 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 広視野角液晶表示装置 |
| JP2000056323A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP3125872B2 (ja) | 1998-09-14 | 2001-01-22 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2003140188A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP4085170B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2008-05-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
-
2002
- 2002-03-22 JP JP2002080876A patent/JP2003279944A/ja active Pending
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2003
- 2003-03-21 US US10/392,899 patent/US6947115B2/en not_active Expired - Lifetime
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| KR20140084605A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101971143B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2019-04-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6947115B2 (en) | 2005-09-20 |
| US20030179331A1 (en) | 2003-09-25 |
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