JP2003258310A - 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
表面実装型発光ダイオード及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003258310A JP2003258310A JP2002056667A JP2002056667A JP2003258310A JP 2003258310 A JP2003258310 A JP 2003258310A JP 2002056667 A JP2002056667 A JP 2002056667A JP 2002056667 A JP2002056667 A JP 2002056667A JP 2003258310 A JP2003258310 A JP 2003258310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- light emitting
- fluorescent substance
- electrode
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 白色やパステル調の発光色を容易に量産に適
するＬＥＤ及びその製造方法。 【解決手段】 表面実装型ＬＥＤ１０において、配線基
板５１の両面には、上面電極から側面電極を経由して下
面電極に至る一方の配線パターンである電極パターン５
２、並びに同じく他方の他方の配線パターンである電極
パターン５３が形成されている。ワイヤ５５によりＬＥ
Ｄ素子５４の他方の電極と上面電極とが接続されてい
る。配線基板５１上の少なくともＬＥＤ素子５４の周面
に、インクジェット方式等により蛍光物質５７が均一に
定量塗布されている。ＬＥＤ素子５４の接続部及びワイ
ヤ５５等の保護と、ＬＥＤ素子５４の発光を効果的にす
ることのために、透光性のエポキシ樹脂等から成る封止
樹脂５６により封止されている。
するＬＥＤ及びその製造方法。 【解決手段】 表面実装型ＬＥＤ１０において、配線基
板５１の両面には、上面電極から側面電極を経由して下
面電極に至る一方の配線パターンである電極パターン５
２、並びに同じく他方の他方の配線パターンである電極
パターン５３が形成されている。ワイヤ５５によりＬＥ
Ｄ素子５４の他方の電極と上面電極とが接続されてい
る。配線基板５１上の少なくともＬＥＤ素子５４の周面
に、インクジェット方式等により蛍光物質５７が均一に
定量塗布されている。ＬＥＤ素子５４の接続部及びワイ
ヤ５５等の保護と、ＬＥＤ素子５４の発光を効果的にす
ることのために、透光性のエポキシ樹脂等から成る封止
樹脂５６により封止されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型発光ダ
イオード（以下ＬＥＤと略記する）、特に白色ＬＥＤや
パステル調ＬＥＤ及びその製造方法に関する。
イオード（以下ＬＥＤと略記する）、特に白色ＬＥＤや
パステル調ＬＥＤ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤはＧａＰやＧａＮ等の化合物半導
体ウエハ上にＰＮ接合を形成し、これに順方向電流を通
じて可視光又は近赤外光の発光を得るものであり、近年
表示、通信、計測、制御等に広く応用されている。しか
し、このような従来のＬＥＤの発光色は限られた色調の
ものしか存在しない。そこで、所望のカラー光源を得よ
うと、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止樹脂中に
蛍光物質や着色剤を含有させる試みがあった。このよう
な従来のＬＥＤの一例を、図面により説明する。
体ウエハ上にＰＮ接合を形成し、これに順方向電流を通
じて可視光又は近赤外光の発光を得るものであり、近年
表示、通信、計測、制御等に広く応用されている。しか
し、このような従来のＬＥＤの発光色は限られた色調の
ものしか存在しない。そこで、所望のカラー光源を得よ
うと、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止樹脂中に
蛍光物質や着色剤を含有させる試みがあった。このよう
な従来のＬＥＤの一例を、図面により説明する。
【０００３】図３は従来のＬＥＤ５０の縦断面図であ
る。５１は両面銅箔張りのガラスエポキシ樹脂等より成
る配線基板であり、配線基板５１の両面銅箔部にはメッ
キレジストをラミネートし、露光現像して配線パターン
を形成し、更にその上に金メッキ等の表面処理を施して
ある。５２は、上面電極５２ａから側面電極５２ｂを経
由して下面電極５２ｃに至る配線パターンである一方の
電極パターンであり、５３は、同じく上面電極５３ａか
ら側面電極５３ｂを経由して下面電極５３ｃに至る他方
の電極パターンである。
る。５１は両面銅箔張りのガラスエポキシ樹脂等より成
る配線基板であり、配線基板５１の両面銅箔部にはメッ
キレジストをラミネートし、露光現像して配線パターン
を形成し、更にその上に金メッキ等の表面処理を施して
ある。５２は、上面電極５２ａから側面電極５２ｂを経
由して下面電極５２ｃに至る配線パターンである一方の
電極パターンであり、５３は、同じく上面電極５３ａか
ら側面電極５３ｂを経由して下面電極５３ｃに至る他方
の電極パターンである。
【０００４】５４は、上面電極５２ａに一方の電極を銀
ペーストによりダイボンディングしたＧａＮ系の青色Ｌ
ＥＤ素子である。５５はＡｕ線等より成るワイヤであ
り、ワイヤ５５によりＬＥＤ素子５４の他方の電極と上
面電極５３ａとがワイヤボンディングにより接続されて
いる。５６は、ＬＥＤ素子５４、ＬＥＤ素子５４の接続
部及びワイヤ５５等の保護と、ＬＥＤ素子５４の発光を
効果的にすることのために封止している、透光性のエポ
キシ樹脂等から成る封止樹脂である。封止樹脂５６には
予め５７の蛍光物質（ＹＡＧ蛍光体）を含有させてあ
る。
ペーストによりダイボンディングしたＧａＮ系の青色Ｌ
ＥＤ素子である。５５はＡｕ線等より成るワイヤであ
り、ワイヤ５５によりＬＥＤ素子５４の他方の電極と上
面電極５３ａとがワイヤボンディングにより接続されて
いる。５６は、ＬＥＤ素子５４、ＬＥＤ素子５４の接続
部及びワイヤ５５等の保護と、ＬＥＤ素子５４の発光を
効果的にすることのために封止している、透光性のエポ
キシ樹脂等から成る封止樹脂である。封止樹脂５６には
予め５７の蛍光物質（ＹＡＧ蛍光体）を含有させてあ
る。
【０００５】ＬＥＤ５０を発光させると、ＬＥＤ素子５
４を発して封止樹脂５６の中で蛍光物質に当たった青色
光は黄色に変化して出射し、蛍光物質に当たらなかった
光は青色のまま出射することになるため、これら黄色と
青色とが混色となって白色光となる。また、封止樹脂中
に蛍光物質を含有させることにより白色光をフィルター
することで、パステル調の発光色を得ることができると
いうものである。
４を発して封止樹脂５６の中で蛍光物質に当たった青色
光は黄色に変化して出射し、蛍光物質に当たらなかった
光は青色のまま出射することになるため、これら黄色と
青色とが混色となって白色光となる。また、封止樹脂中
に蛍光物質を含有させることにより白色光をフィルター
することで、パステル調の発光色を得ることができると
いうものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなＬＥＤでは、蛍光物質は、封止樹脂よりも比
重が大きいために、樹脂に混入後キュアー炉で樹脂を硬
化させる過程において蛍光物質が沈殿してしまい、樹脂
内に均一に拡散させることが困難であった。また、蛍光
物質を定量塗布することが困難であるため、その量のバ
ラツキによって発光色の色調のバラツキが発生し、量産
上不良品の選別工程が欠かせなかった。従ってコストア
ップを招くので、ＬＥＤの色調のバラツキをいかに少な
くしてコストを押さえるかが課題であった。
このようなＬＥＤでは、蛍光物質は、封止樹脂よりも比
重が大きいために、樹脂に混入後キュアー炉で樹脂を硬
化させる過程において蛍光物質が沈殿してしまい、樹脂
内に均一に拡散させることが困難であった。また、蛍光
物質を定量塗布することが困難であるため、その量のバ
ラツキによって発光色の色調のバラツキが発生し、量産
上不良品の選別工程が欠かせなかった。従ってコストア
ップを招くので、ＬＥＤの色調のバラツキをいかに少な
くしてコストを押さえるかが課題であった。
【０００７】上記発明は、このような従来の問題を解決
するためになされたものであり、その目的は、発光色の
バラツキを改良して量産に適するＬＥＤ及びその製造方
法を提供することである。
するためになされたものであり、その目的は、発光色の
バラツキを改良して量産に適するＬＥＤ及びその製造方
法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ための本発明の手段は、外部接続端子を有する配線基板
上に青色の発光素子を搭載し、該発光素子を蛍光物質を
含有した樹脂で封止した表面実装型発光ダイオードにお
いて、前記配線基板上の少なくとも前記発光素子の周面
に蛍光物質が塗布されており、その上から樹脂により成
形封止したことを特徴とする。
ための本発明の手段は、外部接続端子を有する配線基板
上に青色の発光素子を搭載し、該発光素子を蛍光物質を
含有した樹脂で封止した表面実装型発光ダイオードにお
いて、前記配線基板上の少なくとも前記発光素子の周面
に蛍光物質が塗布されており、その上から樹脂により成
形封止したことを特徴とする。
【０００９】また、前述した目的を達成するための本発
明の他の手段は、請求項１記載の表面実装型ダイオード
を製造する方法において、前記配線基板上の少なくとも
前記発光素子の周面に、前記蛍光物質を含有した液体を
インクジェット方式により塗布する工程と、前記蛍光物
質を塗布した配線基板を樹脂で成形封止する工程を有す
ることを特徴とする。
明の他の手段は、請求項１記載の表面実装型ダイオード
を製造する方法において、前記配線基板上の少なくとも
前記発光素子の周面に、前記蛍光物質を含有した液体を
インクジェット方式により塗布する工程と、前記蛍光物
質を塗布した配線基板を樹脂で成形封止する工程を有す
ることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。まず、この実施の形態の構
成について説明する。図１は本発明の実施の形態である
ＬＥＤの断面図、図２はこのＬＥＤの製造方法を示す断
面図である。
に基づいて詳細に説明する。まず、この実施の形態の構
成について説明する。図１は本発明の実施の形態である
ＬＥＤの断面図、図２はこのＬＥＤの製造方法を示す断
面図である。
【００１１】図１において、１０は表面実装型ＬＥＤで
ある。ＬＥＤ１０が従来のＬＥＤ５０と異なるところ
は、蛍光物質の塗布形態及び蛍光物質の塗布方法であ
る。その他の構成はＬＥＤ５０と同じなので、同じ構成
要素にはＬＥＤ５０と同じ符号と名称を付して詳細な説
明を省略する。蛍光物質５７は予めＬＥＤ５４の周面及
び配線基板５１上に均一に定量塗布されている。
ある。ＬＥＤ１０が従来のＬＥＤ５０と異なるところ
は、蛍光物質の塗布形態及び蛍光物質の塗布方法であ
る。その他の構成はＬＥＤ５０と同じなので、同じ構成
要素にはＬＥＤ５０と同じ符号と名称を付して詳細な説
明を省略する。蛍光物質５７は予めＬＥＤ５４の周面及
び配線基板５１上に均一に定量塗布されている。
【００１２】次に、この実施の形態の作用を説明する。
ＧａＮ系のＬＥＤ素子５４を発した青色光は、ＬＥＤ素
子５４の表面に均一に一定量存在する蛍光物質５７に当
たったものは黄色に変化して出射し、蛍光物質５７に当
たらなかった光は青色のまま出射することになるため、
これら黄色と青色が混色することにより白色光となる。
この場合に、蛍光物質がＬＥＤ素子５４の周面に均一
に、一定量塗布されているために、その量による色調の
バラツキが生じない。また、蛍光物質の量、即ち厚みを
精密に制御できることから、青みがかった白色、黄みが
かった白色等、所望の白色光を得ることができる。ま
た、パステル色についても同様である。
ＧａＮ系のＬＥＤ素子５４を発した青色光は、ＬＥＤ素
子５４の表面に均一に一定量存在する蛍光物質５７に当
たったものは黄色に変化して出射し、蛍光物質５７に当
たらなかった光は青色のまま出射することになるため、
これら黄色と青色が混色することにより白色光となる。
この場合に、蛍光物質がＬＥＤ素子５４の周面に均一
に、一定量塗布されているために、その量による色調の
バラツキが生じない。また、蛍光物質の量、即ち厚みを
精密に制御できることから、青みがかった白色、黄みが
かった白色等、所望の白色光を得ることができる。ま
た、パステル色についても同様である。
【００１３】次に、このＬＥＤ１０の製造方法につい
て、中でもインクジェット方式を採用して蛍光物質５７
を塗布する工程について説明する。図２において、２０
はインクジェット方式により蛍光物質５７を吐出するノ
ズルである。まず、ＬＥＤ素子５４を搭載後の配線基板
５１に対して、ノズル２０をＬＥＤ素子５４の上面に近
接させて蛍光物質５７を吐出する。このとき、ノズル２
０は揺動動作をする。蛍光物質５７の吐出を容易にする
ために、蛍光物質５７は蛍光物質５７の比重と近似した
比重を持つ媒体に予め混合しておく。ＬＥＤ１０を製造
する全体の工程には、配線基板５１の多数個取りが可能
な、集合状態の配線基板を用いて、配線基板上で同時多
数個の製造方式がとられる。
て、中でもインクジェット方式を採用して蛍光物質５７
を塗布する工程について説明する。図２において、２０
はインクジェット方式により蛍光物質５７を吐出するノ
ズルである。まず、ＬＥＤ素子５４を搭載後の配線基板
５１に対して、ノズル２０をＬＥＤ素子５４の上面に近
接させて蛍光物質５７を吐出する。このとき、ノズル２
０は揺動動作をする。蛍光物質５７の吐出を容易にする
ために、蛍光物質５７は蛍光物質５７の比重と近似した
比重を持つ媒体に予め混合しておく。ＬＥＤ１０を製造
する全体の工程には、配線基板５１の多数個取りが可能
な、集合状態の配線基板を用いて、配線基板上で同時多
数個の製造方式がとられる。
【００１４】次に、本実施の形態であるＬＥＤ１０の効
果について説明する。蛍光物質５７の塗布と封止成形と
を別工程にしたので、封止作業中の蛍光物質の沈殿が無
くなった。また、インクジェット方式を採用して、直接
ＬＥＤ素子５４周面に蛍光物質５７を塗布するようにし
たので、蛍光物質５７を均一に定量塗布にすることがで
きる。従って、蛍光物質の量を微調整することが可能と
なり、微妙な色調の調整が容易になって、白色は無論の
こと、中間色であるパステル調の発光色も容易に得られ
るようになった。そして、従来必要であった色調の選別
工程を廃止できた。なお、多数個取りのできる集合基板
である配線基板を用いて、同時多数個の処理ができるの
で、製造コストを削減できる。
果について説明する。蛍光物質５７の塗布と封止成形と
を別工程にしたので、封止作業中の蛍光物質の沈殿が無
くなった。また、インクジェット方式を採用して、直接
ＬＥＤ素子５４周面に蛍光物質５７を塗布するようにし
たので、蛍光物質５７を均一に定量塗布にすることがで
きる。従って、蛍光物質の量を微調整することが可能と
なり、微妙な色調の調整が容易になって、白色は無論の
こと、中間色であるパステル調の発光色も容易に得られ
るようになった。そして、従来必要であった色調の選別
工程を廃止できた。なお、多数個取りのできる集合基板
である配線基板を用いて、同時多数個の処理ができるの
で、製造コストを削減できる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
配線基板上に青色の発光素子を搭載し、該発光素子を蛍
光物質を含有した樹脂で封止した表面実装型発光ダイオ
ードにおいて、前記配線基板上の少なくとも前記発光素
子の周面に蛍光物質が塗布されており、その上から樹脂
により成形封止したので、蛍光物質の量と分布が均一と
なり、バラツキが減って、白色やパステル調の発光色を
有するＬＥＤが安定して量産できるようになった。
配線基板上に青色の発光素子を搭載し、該発光素子を蛍
光物質を含有した樹脂で封止した表面実装型発光ダイオ
ードにおいて、前記配線基板上の少なくとも前記発光素
子の周面に蛍光物質が塗布されており、その上から樹脂
により成形封止したので、蛍光物質の量と分布が均一と
なり、バラツキが減って、白色やパステル調の発光色を
有するＬＥＤが安定して量産できるようになった。
【００１６】蛍光物質を発光素子に塗布するのに、イン
クジェット方式を採用したので、蛍光物質を均一に塗布
でき、蛍光物質の量を微調整することが可能となって、
容易に白色、パステル色調の発光を得ることができるよ
うになった。
クジェット方式を採用したので、蛍光物質を均一に塗布
でき、蛍光物質の量を微調整することが可能となって、
容易に白色、パステル色調の発光を得ることができるよ
うになった。
【図１】本発明の実施の形態であるＬＥＤの断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施の形態であるＬＥＤの製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】従来のＬＥＤの縦断面図である。
１０ 発光ダイオード（ＬＥＤ）
５１ 配線基板
５２、５３ 電極パターン
５４ ＬＥＤ素子（発光素子）
５６ 封止樹脂
５７ 蛍光物質
Claims (2)
- 【請求項１】 外部接続端子を有する配線基板上に青色
の発光素子を搭載し、該発光素子を蛍光物質を含有した
樹脂で封止した表面実装型発光ダイオードにおいて、前
記配線基板上の少なくとも前記発光素子の周面に蛍光物
質が塗布されており、その上から樹脂により成形封止し
たことを特徴とする表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項２】 請求項１記載の表面実装型ダイオードを
製造する方法において、前記配線基板上の少なくとも前
記発光素子の周面に、前記蛍光物質を含有した液体をイ
ンクジェット方式により塗布する工程と、前記蛍光物質
を塗布した配線基板を樹脂で成形封止する工程を有する
ことを特徴とする表面実装型発光ダイオードの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002056667A JP4039552B2 (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | 表面実装型発光ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002056667A JP4039552B2 (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | 表面実装型発光ダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258310A true JP2003258310A (ja) | 2003-09-12 |
| JP4039552B2 JP4039552B2 (ja) | 2008-01-30 |
Family
ID=28667116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002056667A Expired - Fee Related JP4039552B2 (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | 表面実装型発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4039552B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210491A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| US7300326B2 (en) | 2004-11-10 | 2007-11-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED device and method for manufacturing the same |
| CN100386897C (zh) * | 2005-05-31 | 2008-05-07 | 李锋 | 一种发光二极管支架的制作方法 |
| CN100397668C (zh) * | 2005-02-28 | 2008-06-25 | 夏普株式会社 | 发光二极管器件及其制造方法 |
| JP2008288229A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| KR100978566B1 (ko) * | 2008-02-29 | 2010-08-27 | 삼성엘이디 주식회사 | 측면방출 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101038883B1 (ko) | 2009-02-17 | 2011-06-02 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| US8460952B2 (en) | 2009-10-13 | 2013-06-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode device, light emitting apparatus and method of manufacturing light emitting diode device |
| WO2013181537A1 (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Cree, Inc. | Light emitter packages, systems, and methods having improved performance |
| KR101346341B1 (ko) | 2007-05-08 | 2013-12-31 | 서울반도체 주식회사 | 서브마운트를 갖는 발광장치 및 그 제조방법 |
| JP2016012540A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | ミネベア株式会社 | 面状照明装置及びその製造方法 |
| USD749051S1 (en) | 2012-05-31 | 2016-02-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) package |
| US9349929B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-05-24 | Cree, Inc. | Light emitter packages, systems, and methods |
-
2002
- 2002-03-01 JP JP2002056667A patent/JP4039552B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7300326B2 (en) | 2004-11-10 | 2007-11-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED device and method for manufacturing the same |
| JP2006210491A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| CN100397668C (zh) * | 2005-02-28 | 2008-06-25 | 夏普株式会社 | 发光二极管器件及其制造方法 |
| CN100386897C (zh) * | 2005-05-31 | 2008-05-07 | 李锋 | 一种发光二极管支架的制作方法 |
| KR101346341B1 (ko) | 2007-05-08 | 2013-12-31 | 서울반도체 주식회사 | 서브마운트를 갖는 발광장치 및 그 제조방법 |
| JP2008288229A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| KR100978566B1 (ko) * | 2008-02-29 | 2010-08-27 | 삼성엘이디 주식회사 | 측면방출 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101038883B1 (ko) | 2009-02-17 | 2011-06-02 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| US9012941B2 (en) | 2009-10-13 | 2015-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode device, light emitting apparatus and method of manufacturing light emitting diode device |
| US8460952B2 (en) | 2009-10-13 | 2013-06-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode device, light emitting apparatus and method of manufacturing light emitting diode device |
| WO2013181537A1 (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Cree, Inc. | Light emitter packages, systems, and methods having improved performance |
| CN104335368A (zh) * | 2012-05-31 | 2015-02-04 | 克利公司 | 具有改进性能的光发射器封装件、系统及方法 |
| USD749051S1 (en) | 2012-05-31 | 2016-02-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) package |
| US9349929B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-05-24 | Cree, Inc. | Light emitter packages, systems, and methods |
| US10439112B2 (en) | 2012-05-31 | 2019-10-08 | Cree, Inc. | Light emitter packages, systems, and methods having improved performance |
| CN110611025A (zh) * | 2012-05-31 | 2019-12-24 | 克利公司 | 光发射器封装件 |
| JP2016012540A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | ミネベア株式会社 | 面状照明装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4039552B2 (ja) | 2008-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4789350B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| JP3768864B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
| US7985980B2 (en) | Chip-type LED and method for manufacturing the same | |
| JP5262054B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| EP1890341B1 (en) | Porcelain enameled substrate for light-emitting device mounting, light-emitting device module, illuminating device, display and traffic signal device | |
| JP4039552B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオードの製造方法 | |
| KR20130087374A (ko) | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 | |
| JP4003866B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2010186968A (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
| US11114583B2 (en) | Light emitting device encapsulated above electrodes | |
| JPH0945965A (ja) | セラミックスｌｅｄパッケージおよびその製造方法 | |
| US20090146171A1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same | |
| TWM405514U (en) | Lighting module | |
| JP2004153261A (ja) | 発光基層のスクリーン印刷方法 | |
| CN102044617A (zh) | 发光二极管器件及其制造方法和发光装置 | |
| JP2004266168A (ja) | 発光体を備えた電子機器及びその製造方法 | |
| JP2012142428A (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
| KR20080055549A (ko) | Ｌｅｄ 패키지 제조방법 | |
| US20070099316A1 (en) | LED manufacturing process | |
| JPH09283803A (ja) | チップタイプｌｅｄ及びその製造方法 | |
| JP2002094128A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2001024238A (ja) | 多色発光ダイオード | |
| JP4503950B2 (ja) | 蛍光体一体型ｌｅｄランプの製造方法 | |
| CN109698190B (zh) | 一种彩色显示灯珠的加工方法 | |
| CN107690714A (zh) | 发光元件搭载用基板、发光装置以及发光模块 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040514 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061124 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061129 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070226 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070419 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070604 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070626 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070806 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070823 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070911 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071031 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071101 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4039552 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131116 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |