JP2003255858A - 表示装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 開口率を向上させた表示装置を提供すること
である。 【解決手段】 本発明の表示装置は、下層配線を被覆す
る第１の平坦化絶縁膜１７と、当該第１の平坦化絶縁膜
１７上に陽極６１、発光層６３及び陰極６５を積層して
ＥＬ表示素子６０を構成する表示装置であって、前記陽
極６１の端部において前記陽極６１と、ＥＬ素子６０ま
たは陰極６５とを離間する第２の平坦化絶縁膜１９を備
え、前記陽極６１が、前記第２の平坦化絶縁膜１９を介
して前記下層配線（ゲート信号線５１、ドレイン信号線
５２）上に重畳されていることを特徴とするものであ
る。
である。 【解決手段】 本発明の表示装置は、下層配線を被覆す
る第１の平坦化絶縁膜１７と、当該第１の平坦化絶縁膜
１７上に陽極６１、発光層６３及び陰極６５を積層して
ＥＬ表示素子６０を構成する表示装置であって、前記陽
極６１の端部において前記陽極６１と、ＥＬ素子６０ま
たは陰極６５とを離間する第２の平坦化絶縁膜１９を備
え、前記陽極６１が、前記第２の平坦化絶縁膜１９を介
して前記下層配線（ゲート信号線５１、ドレイン信号線
５２）上に重畳されていることを特徴とするものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自発光素子を備え
た表示装置に関するものであり、特にエレクトロルミネ
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えた表示装置に
関する。
た表示装置に関するものであり、特にエレクトロルミネ
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えた表示装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子を
用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装
置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆動
させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備
えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子を
用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装
置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆動
させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備
えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】上記ＥＬ表示装置は、例えば透明なガラス
基板（以下、絶縁性基板）上にＴＦＴ及び有機ＥＬ素子
が順に積層形成されている。
基板（以下、絶縁性基板）上にＴＦＴ及び有機ＥＬ素子
が順に積層形成されている。
【０００４】この絶縁性基板上にゲート電極が形成さ
れ、その上にゲート絶縁膜及びｐ−Ｓｉ膜から成る能動
層が順に形成されている。
れ、その上にゲート絶縁膜及びｐ−Ｓｉ膜から成る能動
層が順に形成されている。
【０００５】その能動層には、ゲート電極上方のチャネ
ルと、このチャネルを介してゲート電極の両側にソース
・ドレイン領域が設けられている。
ルと、このチャネルを介してゲート電極の両側にソース
・ドレイン領域が設けられている。
【０００６】そして、前記ゲート絶縁膜、能動層上の全
面に層間絶縁膜が形成され、前記ドレイン領域に対応し
て設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してド
レイン電極が形成されている。
面に層間絶縁膜が形成され、前記ドレイン領域に対応し
て設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してド
レイン電極が形成されている。
【０００７】更に、全面に、例えば有機樹脂から成り表
面を平坦にする平坦化絶縁膜が形成され、当該平坦化絶
縁膜のソース領域に対応した位置にコンタクトホールが
形成され、このコンタクトホールを介してソース領域と
コンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成るソ
ース電極を兼ねた、ＥＬ素子の陽極が平坦化絶縁膜上に
形成されている。
面を平坦にする平坦化絶縁膜が形成され、当該平坦化絶
縁膜のソース領域に対応した位置にコンタクトホールが
形成され、このコンタクトホールを介してソース領域と
コンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成るソ
ース電極を兼ねた、ＥＬ素子の陽極が平坦化絶縁膜上に
形成されている。
【０００８】そして、このＩＴＯから成る陽極上にホー
ル輸送層が形成され、当該ホール輸送層上にＥＬ素子が
形成され、当該ＥＬ素子を被覆するように電子輸送層が
形成され、その上に陰極が積層形成されている。
ル輸送層が形成され、当該ホール輸送層上にＥＬ素子が
形成され、当該ＥＬ素子を被覆するように電子輸送層が
形成され、その上に陰極が積層形成されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このような表示装置に
おいて、発光効率を上げるために、開口率を向上させた
いという要望は絶えずあるものである。
おいて、発光効率を上げるために、開口率を向上させた
いという要望は絶えずあるものである。
【００１０】そこで、本発明は開口率を向上させた表示
装置を提供することを目的とする。
装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、下
層配線を被覆する第１の絶縁膜と、当該第１の絶縁膜上
に第１の電極、発光素子層及び第２の電極を積層して発
光領域を形成する表示装置であって、前記第１の電極の
端部において前記第１の電極と、発光素子層または第２
の電極とを離間する第２の絶縁膜を備え、前記第１の電
極が、前記第１の絶縁膜を介して前記下層配線上に重畳
されていることを特徴とするものである。
層配線を被覆する第１の絶縁膜と、当該第１の絶縁膜上
に第１の電極、発光素子層及び第２の電極を積層して発
光領域を形成する表示装置であって、前記第１の電極の
端部において前記第１の電極と、発光素子層または第２
の電極とを離間する第２の絶縁膜を備え、前記第１の電
極が、前記第１の絶縁膜を介して前記下層配線上に重畳
されていることを特徴とするものである。
【００１２】また、前記下層配線が、ドレイン信号線、
駆動電源線及び該両配線と同層配線のいずれかであるこ
とを特徴とするものである。
駆動電源線及び該両配線と同層配線のいずれかであるこ
とを特徴とするものである。
【００１３】更に、前記下層配線が、ゲート信号線であ
ることを特徴とするものである。
ることを特徴とするものである。
【００１４】また、前記第１の電極が、前記ゲート信号
線のみと重畳することを特徴とするものである。
線のみと重畳することを特徴とするものである。
【００１５】更に、前記第１の電極の端部において前記
第１の電極と、発光素子層または第２の電極とを離間す
る第２の絶縁膜を備え、前記第１の電極の端部が、前記
第１の絶縁膜に被覆された前記下層配線に起因する段差
部から外れた領域に形成されていることを特徴とするも
のである。
第１の電極と、発光素子層または第２の電極とを離間す
る第２の絶縁膜を備え、前記第１の電極の端部が、前記
第１の絶縁膜に被覆された前記下層配線に起因する段差
部から外れた領域に形成されていることを特徴とするも
のである。
【００１６】また、前記第２の絶縁膜が、前記第１の電
極の全周辺で当該第１の電極と重畳していることを特徴
とするものである。
極の全周辺で当該第１の電極と重畳していることを特徴
とするものである。
【００１７】更に、前記第１の電極、発光素子層及び第
２の電極の積層構造はエレクトロルミネッセンス素子で
あることを特徴とするものである。
２の電極の積層構造はエレクトロルミネッセンス素子で
あることを特徴とするものである。
【００１８】そして、前記第１の電極は、各画素ごとに
分離形成されており、前記第１の電極は薄膜トランジス
タに接続されていることを特徴とするものである。
分離形成されており、前記第１の電極は薄膜トランジス
タに接続されていることを特徴とするものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の表示装置を有機ＥＬ表示
装置に応用した場合について、以下に説明する。
装置に応用した場合について、以下に説明する。
【００２０】図２に本発明が適用される有機ＥＬ表示装
置の表示画素付近を示す平面図を示し、図３（ａ）に図
２中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図３（ｂ）に図
２中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
置の表示画素付近を示す平面図を示し、図３（ａ）に図
２中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図３（ｂ）に図
２中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【００２１】図２及び図３に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１０が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１０が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
【００２２】この表示画素１１０には、自発光素子であ
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成
っている。
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成
っている。
【００２３】即ち、両信号線５１，５２の交点付近には
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
【００２４】また、ゲート信号線５１と並行に保持容量
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
【００２５】図３に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板または導電性を有す
る基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及
び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板
１０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる
場合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなど
の絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機Ｅ
Ｌ素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極
がゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるト
ップゲート構造である。
ガラスや合成樹脂などから成る基板または導電性を有す
る基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及
び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板
１０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる
場合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなど
の絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機Ｅ
Ｌ素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極
がゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるト
ップゲート構造である。
【００２６】先ず、スイッチング用ＴＦＴである第１の
ＴＦＴ３０について説明する。
ＴＦＴ３０について説明する。
【００２７】図３（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１上に、非晶質シ
リコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶＤ
法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して
溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−Ｓ
ｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。そ
の上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体を
ゲート絶縁膜１２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１上に、非晶質シ
リコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶＤ
法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して
溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−Ｓ
ｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。そ
の上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体を
ゲート絶縁膜１２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
【００２８】そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層３３
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
【００２９】次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである
第２のＴＦＴ４０について説明する。図３（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶
化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形
成されており、その能動層４３には、チャネル４３ｃ
と、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレ
イン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜１
２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及
びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成
し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電
源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂
から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えてい
る。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画
素ごとに島状に分離形成されている。
第２のＴＦＴ４０について説明する。図３（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶
化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形
成されており、その能動層４３には、チャネル４３ｃ
と、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレ
イン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜１
２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及
びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成
し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電
源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂
から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えてい
る。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画
素ごとに島状に分離形成されている。
【００３０】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ（Indium Thi
n Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴ
Ａ（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）か
ら成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methy
lphenylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホ
ール輸送層から成るホール輸送層（ＨＴＬ層）６２、キ
ナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（1
0-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成
る発光素子層６３、及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層
（ＥＴＬ層）６４、マグネシウム・インジウム合金もし
くはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成る
陰極６５が、この順番で積層形成された構造である。
n Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴ
Ａ（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）か
ら成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methy
lphenylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホ
ール輸送層から成るホール輸送層（ＨＴＬ層）６２、キ
ナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（1
0-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成
る発光素子層６３、及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層
（ＥＴＬ層）６４、マグネシウム・インジウム合金もし
くはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成る
陰極６５が、この順番で積層形成された構造である。
【００３１】有機ＥＬ素子６０は、陽極６１から注入さ
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁性基板を介して外部へ放出されて発光する。
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁性基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００３２】ここで、本発明の第１の実施形態の特徴
は、図１に示すようにＩＴＯ（陽極６１）を平坦化絶縁
膜を介して下層配線（例えば、ドレイン信号線５２及び
ゲート信号線５１）と重畳させたことである。これによ
り、ＩＴＯ（陽極６１）の総面積を従来構成のＩＴＯ
（陽極）の総面積に比して増大させることで、開口率を
向上させている。尚、図１では便宜的に平坦化絶縁膜１
７，１９は図示していない。
は、図１に示すようにＩＴＯ（陽極６１）を平坦化絶縁
膜を介して下層配線（例えば、ドレイン信号線５２及び
ゲート信号線５１）と重畳させたことである。これによ
り、ＩＴＯ（陽極６１）の総面積を従来構成のＩＴＯ
（陽極）の総面積に比して増大させることで、開口率を
向上させている。尚、図１では便宜的に平坦化絶縁膜１
７，１９は図示していない。
【００３３】このように本発明の第１の実施形態では、
発光効率を上げるために開口率を稼ぐ手段として、ＥＬ
素子６０を囲むように配置されているドレイン／ゲート
信号線上に、前記陽極６１の周辺部が重畳するレイアウ
トを採用した。
発光効率を上げるために開口率を稼ぐ手段として、ＥＬ
素子６０を囲むように配置されているドレイン／ゲート
信号線上に、前記陽極６１の周辺部が重畳するレイアウ
トを採用した。
【００３４】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。
する。
【００３５】ここで、本発明の第２の実施形態の特徴
は、図５に示すようにゲート信号線５１上にのみ平坦化
絶縁膜を介してＩＴＯ電極（陽極６１）を重畳するよう
に構成したことである。この場合には、前記第１の実施
形態の構成よりも開口率は低下してしまうが、従来構成
に比べれば開口率を向上させることができる。
は、図５に示すようにゲート信号線５１上にのみ平坦化
絶縁膜を介してＩＴＯ電極（陽極６１）を重畳するよう
に構成したことである。この場合には、前記第１の実施
形態の構成よりも開口率は低下してしまうが、従来構成
に比べれば開口率を向上させることができる。
【００３６】当該第２の実施形態は、第１の実施形態を
採用する上での、以下の問題が発生する危険性を回避す
るためのものである。
採用する上での、以下の問題が発生する危険性を回避す
るためのものである。
【００３７】即ち、図３に示す断面図では、便宜的に平
坦化絶縁膜１７により完全に平坦化されているか如く説
明した。しかし、前記平坦化絶縁膜１７は、完全には透
明なものではないため、膜厚が多くなるに従って色味が
変化してしまう。そのため、例えばＡｌ配線部（ドレイ
ン信号線５２）の膜厚が０．８μｍであるのに対して、
第１の平坦化絶縁膜１７の膜厚は１．２μｍでしかない
ため、ドレイン信号線を含む当該Ａｌ配線部の近傍で
は、あまり平坦化できていない。
坦化絶縁膜１７により完全に平坦化されているか如く説
明した。しかし、前記平坦化絶縁膜１７は、完全には透
明なものではないため、膜厚が多くなるに従って色味が
変化してしまう。そのため、例えばＡｌ配線部（ドレイ
ン信号線５２）の膜厚が０．８μｍであるのに対して、
第１の平坦化絶縁膜１７の膜厚は１．２μｍでしかない
ため、ドレイン信号線を含む当該Ａｌ配線部の近傍で
は、あまり平坦化できていない。
【００３８】このような状況において、ＩＴＯ（陽極６
１）をドレイン信号線に重畳させてレイアウトした場
合、上述したようにＡｌ配線部（ドレイン信号線５２）
の膜厚と平坦化絶縁膜１７の膜厚との関係にもよるが、
場合によっては、図４に示すように前記Ａｌ配線部（ド
レイン信号線５２）の盛り上がった部分にＩＴＯ電極
（陽極６１）が更に乗り上がるため、この部分の段差に
よりカバレッジ不良が発生する危険性も考えられる。こ
のような場合には、例えば、前記陽極６１端部を覆う第
２の平坦化絶縁膜１９の端部が欠けてしまう場合も想定
できる。
１）をドレイン信号線に重畳させてレイアウトした場
合、上述したようにＡｌ配線部（ドレイン信号線５２）
の膜厚と平坦化絶縁膜１７の膜厚との関係にもよるが、
場合によっては、図４に示すように前記Ａｌ配線部（ド
レイン信号線５２）の盛り上がった部分にＩＴＯ電極
（陽極６１）が更に乗り上がるため、この部分の段差に
よりカバレッジ不良が発生する危険性も考えられる。こ
のような場合には、例えば、前記陽極６１端部を覆う第
２の平坦化絶縁膜１９の端部が欠けてしまう場合も想定
できる。
【００３９】そして、このように平坦化絶縁膜１９が欠
けてしまうと、平坦化絶縁膜１９の端部は急勾配とな
り、更に段差が厳しくなり、その領域上に形成されるＥ
Ｌ素子６０、陰極６５等にも亀裂が生じてしまう危険性
が発生する。
けてしまうと、平坦化絶縁膜１９の端部は急勾配とな
り、更に段差が厳しくなり、その領域上に形成されるＥ
Ｌ素子６０、陰極６５等にも亀裂が生じてしまう危険性
が発生する。
【００４０】そのため、この亀裂部分から侵入した水分
等によりＥＬ素子６０の特性が劣化し、ダークスポット
が形成されることになる。尚、図４は図１中のＣ１−Ｃ
１線に対応した領域において、上記不具合が発生した場
合を想定したときの断面図を示している。尚、図４で
は、説明の便宜上、上記ＨＴＬ層６２，ＥＴＬ層６４は
図示していない。
等によりＥＬ素子６０の特性が劣化し、ダークスポット
が形成されることになる。尚、図４は図１中のＣ１−Ｃ
１線に対応した領域において、上記不具合が発生した場
合を想定したときの断面図を示している。尚、図４で
は、説明の便宜上、上記ＨＴＬ層６２，ＥＴＬ層６４は
図示していない。
【００４１】そこで、第２の実施形態では、図５及び図
６に示すように前記ＩＴＯ（陽極６１）をゲート信号線
５１にのみ重畳させ、ドレイン信号線５２に重畳させな
いようにレイアウトしたことにより、例えばＡｌ配線部
（ドレイン信号線５２）の膜厚が０．８μｍであるのに
対して、平坦化絶縁膜１９の膜厚は１．２μｍでしかな
く、ドレイン信号線を含む当該Ａｌ配線部の近傍では、
あまり平坦化されていない領域においても、上述したよ
うなカバレッジ不良に起因するＥＬ素子６０等の亀裂が
生じないようにしている。
６に示すように前記ＩＴＯ（陽極６１）をゲート信号線
５１にのみ重畳させ、ドレイン信号線５２に重畳させな
いようにレイアウトしたことにより、例えばＡｌ配線部
（ドレイン信号線５２）の膜厚が０．８μｍであるのに
対して、平坦化絶縁膜１９の膜厚は１．２μｍでしかな
く、ドレイン信号線を含む当該Ａｌ配線部の近傍では、
あまり平坦化されていない領域においても、上述したよ
うなカバレッジ不良に起因するＥＬ素子６０等の亀裂が
生じないようにしている。
【００４２】更に言えば、図６に示すように、本実施形
態ではＡｌ配線部（ドレイン信号線５２）の盛り上がっ
た部分には陽極６１が乗り上がらず、段差底部にのみ陽
極６１部分が存在するため、当該陽極６１により段差部
が軽減され、より平坦化が図れることになる。尚、図６
は図５中のＣ２−Ｃ２線に沿った断面図である。
態ではＡｌ配線部（ドレイン信号線５２）の盛り上がっ
た部分には陽極６１が乗り上がらず、段差底部にのみ陽
極６１部分が存在するため、当該陽極６１により段差部
が軽減され、より平坦化が図れることになる。尚、図６
は図５中のＣ２−Ｃ２線に沿った断面図である。
【００４３】また、本実施形態では、図５に示すように
Ｃｒから成るゲート信号線５１上にＩＴＯ（陽極６１）
を重畳させているが、当該ゲート信号線５１は前記ドレ
イン信号線５２に比して十分に深い層（下層）であるた
め、平坦性の問題は生じない。従って、当該ゲート信号
線５１とＩＴＯ（陽極６１）とを重畳させてレイアウト
することで、開口率を稼ぐことができる。
Ｃｒから成るゲート信号線５１上にＩＴＯ（陽極６１）
を重畳させているが、当該ゲート信号線５１は前記ドレ
イン信号線５２に比して十分に深い層（下層）であるた
め、平坦性の問題は生じない。従って、当該ゲート信号
線５１とＩＴＯ（陽極６１）とを重畳させてレイアウト
することで、開口率を稼ぐことができる。
【００４４】これにより、段差部におけるカバレッジ不
良により発生する亀裂部分から水分等が侵入し、ＥＬ素
子６０の特性劣化を引き起こすおそれを抑止でき、ダー
クスポットの形成を回避した表示装置を提供することが
できる。
良により発生する亀裂部分から水分等が侵入し、ＥＬ素
子６０の特性劣化を引き起こすおそれを抑止でき、ダー
クスポットの形成を回避した表示装置を提供することが
できる。
【００４５】そして、前記平坦化絶縁膜１７から露出し
たＩＴＯ電極（陽極６１）及び平坦化絶縁膜１９上に発
光層６３及び陰極６５を積層している。尚、図６では、
説明の便宜上、上記ＨＴＬ層６２，ＥＴＬ層６４は図示
していない。
たＩＴＯ電極（陽極６１）及び平坦化絶縁膜１９上に発
光層６３及び陰極６５を積層している。尚、図６では、
説明の便宜上、上記ＨＴＬ層６２，ＥＴＬ層６４は図示
していない。
【００４６】また、第３の実施形態について図７及び図
８を参照しながら説明する。尚、図８は図７中のＣ３−
Ｃ３線に沿った断面図である。
８を参照しながら説明する。尚、図８は図７中のＣ３−
Ｃ３線に沿った断面図である。
【００４７】ここで、第３の本実施形態の特徴は、前記
ドレイン信号線５２を跨るように前記ＩＴＯ（陽極６
１）を重畳させていることである。このように本実施形
態では、前記ＩＴＯ（陽極６１）が前記ドレイン信号線
５２を跨ぎ、第１の平坦化絶縁膜１７上の比較的平坦化
された領域（前記ドレイン信号線５２から成る段差部か
ら外れた領域）に当該ＩＴＯ（陽極６１）の端部が配置
されるように構成したため、この場合にも図４に示すよ
うな亀裂の発生を回避することができる。しかも、前記
ドレイン信号線５２を跨って隣り合う画素側に向かうよ
うに広がって前記ＩＴＯ（陽極６１）が形成されるた
め、第１，第２の実施形態に比して、より開口率を稼ぐ
ことができる。
ドレイン信号線５２を跨るように前記ＩＴＯ（陽極６
１）を重畳させていることである。このように本実施形
態では、前記ＩＴＯ（陽極６１）が前記ドレイン信号線
５２を跨ぎ、第１の平坦化絶縁膜１７上の比較的平坦化
された領域（前記ドレイン信号線５２から成る段差部か
ら外れた領域）に当該ＩＴＯ（陽極６１）の端部が配置
されるように構成したため、この場合にも図４に示すよ
うな亀裂の発生を回避することができる。しかも、前記
ドレイン信号線５２を跨って隣り合う画素側に向かうよ
うに広がって前記ＩＴＯ（陽極６１）が形成されるた
め、第１，第２の実施形態に比して、より開口率を稼ぐ
ことができる。
【００４８】そして、前記平坦化絶縁膜１７から露出し
たＩＴＯ電極（陽極６１）及び平坦化絶縁膜１９上に発
光層６３及び陰極６５を積層している。尚、図８では、
説明の便宜上、上記ＨＴＬ層６２，ＥＴＬ層６４は図示
していない。
たＩＴＯ電極（陽極６１）及び平坦化絶縁膜１９上に発
光層６３及び陰極６５を積層している。尚、図８では、
説明の便宜上、上記ＨＴＬ層６２，ＥＴＬ層６４は図示
していない。
【００４９】更に、第４の実施形態について図９及び図
１０を参照しながら説明する。尚、図１０は図９中のＣ
４−Ｃ４線に沿った断面図である。
１０を参照しながら説明する。尚、図１０は図９中のＣ
４−Ｃ４線に沿った断面図である。
【００５０】ここで、第４の本実施形態の特徴は、ドレ
イン信号線５２上にＩＴＯ（陽極６１）が重畳している
点では第１の実施形態と同様であるが、異なる点は、本
実施形態では幅広なドレイン配線５２Ａ上にＩＴＯ（陽
極６１）を重畳させていることである。
イン信号線５２上にＩＴＯ（陽極６１）が重畳している
点では第１の実施形態と同様であるが、異なる点は、本
実施形態では幅広なドレイン配線５２Ａ上にＩＴＯ（陽
極６１）を重畳させていることである。
【００５１】即ち、第４の実施形態では、ドレイン配線
５２Ａが幅広く形成されているため、当該幅広なドレイ
ン配線５２Ａ上にＩＴＯ（陽極６１）の端部が配置され
たとしても、その上を被覆するＥＬ素子６３や陰極６５
等に亀裂が発生する危険性は低くなる。
５２Ａが幅広く形成されているため、当該幅広なドレイ
ン配線５２Ａ上にＩＴＯ（陽極６１）の端部が配置され
たとしても、その上を被覆するＥＬ素子６３や陰極６５
等に亀裂が発生する危険性は低くなる。
【００５２】尚、上記第４の実施形態の構成を採用する
ＥＬ表示装置としては、幅広なドレイン信号線５２Ａを
構成しても、当該ドレイン信号線５２Ａにより光が遮光
されることのない、いわゆるトップエミッション方式の
ＥＬ表示装置への適用が好適である。更に言えば、図１
０では第１平坦化絶縁膜１７がドレイン信号線５２Ａか
ら成る段差部を吸収し切れていないように図示している
が、上記トップエミッション方式のＥＬ表示装置では、
第１平坦化絶縁膜１７の膜厚が厚くなっても色味に影響
を及ぼすことがないため、当該第１平坦化絶縁膜１７を
より厚く平坦化可能となる程度までに形成することがで
きる。従って、上記亀裂が発生する危険性が低減でき
る。
ＥＬ表示装置としては、幅広なドレイン信号線５２Ａを
構成しても、当該ドレイン信号線５２Ａにより光が遮光
されることのない、いわゆるトップエミッション方式の
ＥＬ表示装置への適用が好適である。更に言えば、図１
０では第１平坦化絶縁膜１７がドレイン信号線５２Ａか
ら成る段差部を吸収し切れていないように図示している
が、上記トップエミッション方式のＥＬ表示装置では、
第１平坦化絶縁膜１７の膜厚が厚くなっても色味に影響
を及ぼすことがないため、当該第１平坦化絶縁膜１７を
より厚く平坦化可能となる程度までに形成することがで
きる。従って、上記亀裂が発生する危険性が低減でき
る。
【００５３】そして、前記平坦化絶縁膜１７から露出し
たＩＴＯ電極（陽極６１）及び平坦化絶縁膜１９上に発
光層６３及び陰極６５を積層している。尚、図１０で
は、説明の便宜上、上記ＨＴＬ層６２，ＥＴＬ層６４は
図示していない。
たＩＴＯ電極（陽極６１）及び平坦化絶縁膜１９上に発
光層６３及び陰極６５を積層している。尚、図１０で
は、説明の便宜上、上記ＨＴＬ層６２，ＥＴＬ層６４は
図示していない。
【００５４】尚、本発明はドレイン配線５２，５２Ａと
ＩＴＯ（陽極６１）との関係に限らず、駆動電源線５３
や当該ドレイン配線や駆動電源線と同層配線とＩＴＯ
（陽極）との関係においても適用可能なものである。
ＩＴＯ（陽極６１）との関係に限らず、駆動電源線５３
や当該ドレイン配線や駆動電源線と同層配線とＩＴＯ
（陽極）との関係においても適用可能なものである。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、下層配線上にも平坦化
絶縁膜を介して重畳するように第１の電極を構成してい
るため、開口率を向上させることができる。
絶縁膜を介して重畳するように第１の電極を構成してい
るため、開口率を向上させることができる。
【００５６】また、平坦化絶縁膜上に形成した第１の電
極の厚みによるカバレッジ不良を抑止し、発光層の劣化
を抑制する表示装置を得ることができる。
極の厚みによるカバレッジ不良を抑止し、発光層の劣化
を抑制する表示装置を得ることができる。
【００５７】更に、下層配線から成る段差部を外れた領
域に第１の電極を構成しているため、当該第１の電極上
に形成される発光素子層や第２の電極等に亀裂が生じな
い。
域に第１の電極を構成しているため、当該第１の電極上
に形成される発光素子層や第２の電極等に亀裂が生じな
い。
【図１】本発明の第１の実施形態のＥＬ表示装置の要部
拡大平面図である。
拡大平面図である。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の平面図である。
【図３】本発明のＥＬ表示装置の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態のＥＬ表示装置の要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態のＥＬ表示装置の要部
拡大平面図である。
拡大平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態のＥＬ表示装置の要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態のＥＬ表示装置の要部
拡大平面図である。
拡大平面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態のＥＬ表示装置の要部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態のＥＬ表示装置の要部
拡大平面図である。
拡大平面図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態のＥＬ表示装置の要
部拡大断面図である。
部拡大断面図である。
１７ 第１の平坦化絶縁膜
１９ 第２の平坦化絶縁膜
５１ ゲート信号線
５２ ドレイン信号線
６０ 有機ＥＬ素子
６１ 陽極（ＩＴＯ電極）
６５ 陰極
１１０ 表示画素
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ
Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB11 DB03 GA00
5C094 AA10 BA03 BA27 CA19 DA15
EA04 EA07 FB15
5F110 AA26 AA30 BB02 CC02 DD01
DD02 DD03 DD13 DD14 EE04
EE37 FF02 FF03 FF09 GG02
GG13 GG44 HL03 HL07 HM19
NN03 NN23 NN24 NN27 NN71
NN73 PP03 QQ01 QQ19
Claims (10)
- 【請求項１】 下層配線を被覆する第１の絶縁膜と、当
該第１の絶縁膜上に第１の電極、発光素子層及び第２の
電極を積層して発光領域を形成する表示装置であって、 前記第１の電極の端部において前記第１の電極と、発光
素子層または第２の電極とを離間する第２の絶縁膜を備
え、 前記第１の電極が、前記第１の絶縁膜を介して前記下層
配線上に重畳されていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記下層配線が、ドレイン信号線、駆動
電源線及び該両配線と同層配線のいずれかであることを
特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記下層配線が、ゲート信号線であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記第１の電極が、前記ゲート信号線の
みと重畳することを特徴とする請求項３に記載の表示装
置。 - 【請求項５】 下層配線を被覆する第１の絶縁膜と、当
該第１の絶縁膜上に第１の電極、発光素子層及び第２の
電極を積層して発光領域を形成する表示装置であって、 前記第１の電極の端部において前記第１の電極と、発光
素子層または第２の電極とを離間する第２の絶縁膜を備
え、 前記第１の電極の端部が、前記第１の絶縁膜に被覆され
た前記下層配線に起因する段差部から外れた領域に形成
されていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項６】 前記下層配線が、ドレイン信号線、駆動
電源線及び該両配線と同層配線のいずれかであることを
特徴とする請求項５に記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記第１の電極が、ゲート信号線に重畳
されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装
置。 - 【請求項８】 前記第２の絶縁膜が、前記第１の電極の
全周辺で当該第１の電極と重畳していることを特徴とす
る請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項９】 前記第１の電極、発光素子層及び第２の
電極の積層構造はエレクトロルミネッセンス素子である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記
載の表示装置。 - 【請求項１０】 前記第１の電極は、各画素ごとに分離
形成されており、前記第１の電極は薄膜トランジスタに
接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９
のいずれかに記載の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002054308A JP2003255858A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 表示装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002054308A JP2003255858A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003255858A true JP2003255858A (ja) | 2003-09-10 |
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ID=28665498
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002054308A Pending JP2003255858A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 表示装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003255858A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006066206A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
| JP2007226184A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
| JP2008282049A (ja) * | 2003-11-24 | 2008-11-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
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