JP2003255354A - Electrooptical device and electronic instrument - Google Patents
Electrooptical device and electronic instrumentInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置及び
電子機器の技術分野に属し、特に、二枚の基板に挟まれ
た間隙の間隔を所定の値に保つため、柱状のスペーサが
利用される電気光学装置及びそのような電気光学装置を
具備してなる電子機器の技術分野に属するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the technical field of electro-optical devices and electronic equipment, and in particular, columnar spacers are used to keep a gap between two substrates at a predetermined value. The present invention belongs to the technical field of electro-optical devices having such electro-optical devices and electronic equipment having such electro-optical devices.
【0002】[0002]
【背景技術】液晶表示装置等の電気光学装置は、通常、
電極、配線、素子等が作り込まれた二枚の基板間に、液晶
が封入されて構成される。そして、このような電気光学
装置においては、前記二枚の基板間に、該二枚の基板に
より挟まれた間隙の間隔、すなわち液晶からなる層の層
厚(以下、「セルギャップ」という。)を、基板全面に
おいて一定(例えば、約3〜5μm)に保つため、いわ
ゆるスペーサが設けられるのが一般的である。ここで、
セルギャップを一定に保たなければならないのは、そう
しないと、光透過率、コントラスト比、応答速度等の表
示特性に影響を与え、悪い場合には、表示むら等を発生
させる可能性があるからである。BACKGROUND ART Electro-optical devices such as liquid crystal display devices are usually
A liquid crystal is sealed between two substrates on which electrodes, wirings, elements, etc. are formed. In such an electro-optical device, the gap between the two substrates, that is, the gap between the two substrates, that is, the layer thickness of the liquid crystal layer (hereinafter, referred to as “cell gap”). Is generally provided in order to maintain a constant value (for example, about 3 to 5 μm) over the entire surface of the substrate. here,
It is necessary to keep the cell gap constant. Otherwise, it may affect display characteristics such as light transmittance, contrast ratio, response speed, and in the worst case, display unevenness may occur. Because.
【0003】このスペーサとしては、より具体的には、
例えば微小な略球状の形状を有するものが広く利用され
ている。このような微小な略球状のスペーサは、液晶テ
レビ、モニタのように直視型(大型)の液晶表示装置の
場合には、その多数が二枚の基板間の液晶中に均等に散
布されて使用される。他方、プロジェクタのライトバル
ブなどの拡大表示を行う小型の液晶表示装置の場合に
は、二枚の基板間を相接着するシール材中に混合された
形態で使用されたりもする。As the spacer, more specifically,
For example, those having a microscopic, substantially spherical shape are widely used. In the case of a direct-viewing type (large size) liquid crystal display device such as a liquid crystal television and a monitor, many of such minute spherical spacers are evenly dispersed and used in the liquid crystal between two substrates. To be done. On the other hand, in the case of a small-sized liquid crystal display device such as a light valve of a projector that performs enlarged display, it may be used in a mixed form in a sealing material that mutually adheres two substrates.
【0004】また、スペーサの別の例としては、いわゆ
る柱形状を有するもの(以下、「柱状スペーサ」とい
う。)も利用されている。これは、適当な有機材料等か
らなる柱状の部材を、基板上に適当な間隔をおいて林立
させた形態で使用されるスペーサであって、該柱の軸方
向の耐力によって二枚の基板を支え、それらの間のセル
ギャップを一定に保つものである。ここで、「適当な間
隔」というのは、従来においては例えば、数画素から数
十画素に柱状スペーサが1本存在するといった程度であ
る。ちなみに、このような柱状スペーサが用いられる場
合にあっても、上述した、シール材中に混合されて使用
される略球状のスペーサ(以下、このシール材中のスペ
ーサのことを、特に「ギャップ材」と呼ぶこととす
る。)が、併せて使用されることが一般的である。これ
により、基板全面において、セルギャップ一定の要請を
よりよく満たすことが可能となるからである。Further, as another example of the spacer, a spacer having a so-called columnar shape (hereinafter referred to as "columnar spacer") is also used. This is a spacer used in the form of a columnar member made of a suitable organic material, etc. standing on the substrate at appropriate intervals, and the two substrates are separated by the axial proof strength of the column. It supports and maintains a constant cell gap between them. Here, the "appropriate interval" is, for example, in the related art such that one columnar spacer exists in several pixels to several tens of pixels. By the way, even when such a columnar spacer is used, the above-mentioned substantially spherical spacer mixed and used in the sealing material (hereinafter, the spacer in the sealing material is referred to as a “gap material”). ).) Is commonly used together. This makes it possible to better meet the requirement for a constant cell gap over the entire surface of the substrate.
【0005】なお、基板間を「一定」に保つという場合
における、その精度は、液晶からなる層を構成する液晶
分子の、二枚の基板間における「ねじれ角度」の相違に
応じて異なり、例えば、該ねじれ角度が90°であるT
N(Twisted Nematic)形の場合には±0.1μm程度
以下、該ねじれ角度が260°程度であるSTN(Supe
r Twisted Nematic)形の場合には±0.3μm程度以
下が要求される。The accuracy in the case where the distance between the substrates is kept "constant" varies depending on the difference in the "twist angle" between the two substrates of the liquid crystal molecules constituting the layer made of liquid crystal. , T where the twist angle is 90 °
In the case of the N (Twisted Nematic) type, the STN (Supe is about ± 0.1 μm or less and the twist angle is about 260 °.
In the case of r Twisted Nematic type, approximately ± 0.3 μm or less is required.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おけるスペーサにあっては、次のような問題があった。
すなわち、上述したような液晶表示装置においては、二
枚の基板間で電気的な導通をとるため、導通材が設けら
れることがあるが、この導通材の存在によって、セルギ
ャップを一定に保つことが困難となる点である。ここ
で、導通材とは、例えば銀粉等の導電性粉末材料を含む
ペースト等からなり、一般的に、基板の四隅、より具体
的には二枚の基板間を貼着するため基板周囲にロの字状
に配置されたシール材における、当該ロの字の四隅、に
設けられることが一般的である。However, the conventional spacer has the following problems.
That is, in the liquid crystal display device as described above, a conductive material may be provided in order to establish electrical conduction between the two substrates, but the presence of this conductive material keeps the cell gap constant. Is a difficult point. Here, the conductive material is made of, for example, a paste containing a conductive powder material such as silver powder, and generally the four corners of the substrate, more specifically, the periphery of the substrate for sticking between the two substrates. In general, it is provided at the four corners of the square shape in the seal material arranged in a square shape.
【0007】以下では、上述の事情をより具体的に説明
する。まず、液晶表示装置の製造は概略次のようにして
行われる。すなわち、予め、二枚の基板それぞれの上に
電極、配線、素子等々の必要な構成を作りこみ、次に、
前記二枚の基板の少なくとも一方の周囲に前記ギャップ
材が混入されたシール材を、基板周囲の形状に略一致す
るようにロの字状に塗布するとともに、当該ロの字状の
四隅に銀粉等を含むペースト状の導通材を塗布した後
(シール材塗布工程)、前記二枚の基板をそれぞれ貼り
合わせた上で(貼り合わせ工程)、最後に、液晶注入口
を通じて前記間隙内に液晶を真空吸引により導入する、
となる。The above situation will be described more specifically below. First, the manufacturing of the liquid crystal display device is performed as follows. That is, in advance, the necessary structures such as electrodes, wirings, elements, etc. were formed on each of the two substrates, and then
A sealing material mixed with the gap material around at least one of the two substrates is applied in a square shape so as to substantially match the shape around the substrates, and silver powder is applied to the four corners of the square shape. After applying a paste-like conductive material including the above (seal material applying step), the two substrates are bonded together (bonding step), and finally liquid crystal is injected into the gap through the liquid crystal inlet. Introduced by vacuum suction,
Becomes
【0008】このような製造工程において、前記貼り合
わせ工程は、二枚の基板に対して適当な圧力を加えつつ
行われるのが一般的であるが、この際、シール材中に含
まれるギャップ材と、導通材を構成することとなる銀粉
等の導電性粉末材とでは、一般に、それらに起因する抗
力が異なることになる。In such a manufacturing process, the bonding process is generally performed while applying an appropriate pressure to the two substrates. At this time, the gap material contained in the sealing material is used. And the conductive powder material such as silver powder that constitutes the conductive material generally have different drag forces caused by them.
【0009】このようなことから、前記導通材が存在す
る部分については、他の部分に比べて、セルギャップが
より大きくなってしまうのである。なぜなら、貼り合わ
せ工程では、上述したように、二枚の基板の貼り合わせ
を適当な圧力を利用しつつ実行するため、前記シール
材、あるいは該シール材中のギャップ材は、その圧力に
抗するように、相互に近づきつつある基板に対して所定
の抗力を発生するとともに、導通材を構成する導電性粉
末材料もまた、同じように所定の効力を発生することと
なり、この場合、前者の抗力は、後者の抗力よりも小さ
いのが一般的だからである。つまり、ギャップ材に起因
する抗力は、導電性粉末材に起因する抗力に比べて一般
に小さく、導通材が前記のように四隅に設けられる形態
であると、当該四隅の部分が他の部分に比べてセルギャ
ップが大きい、ということになってしまうのである。For this reason, the cell gap in the portion where the conductive material is present becomes larger than that in the other portions. This is because, in the bonding step, as described above, the bonding of the two substrates is executed while using an appropriate pressure, and therefore the sealing material or the gap material in the sealing material resists the pressure. As described above, a predetermined drag force is generated against the substrates that are approaching each other, and the conductive powder material forming the conductive material also similarly generates a predetermined force. Is generally less than the latter drag. That is, the drag force caused by the gap material is generally smaller than the drag force caused by the conductive powder material, and in the case where the conductive material is provided at the four corners as described above, the four corner portions are compared with other portions. It means that the cell gap is large.
【0010】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、導通材等の存在にもかかわらず、基板全面に
おいて、セルギャップを一定に保つことの可能な電気光
学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子
機器を提供することを課題とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an electro-optical device capable of maintaining a constant cell gap over the entire surface of a substrate despite the presence of a conductive material and the like. An object is to provide an electronic device including an electro-optical device.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置
は、上記課題を解決するため、電気光学物質を挟持して
なる一対の基板と、前記一対の基板間の電気的な導通を
図る導通材と、前記一対の基板の互いに対向する側の面
内に点在するよう複数配置されており、かつ、前記面内
において前記導通材付近ではより疎に、前記導通材付近
以外ではより密に配置された柱状スペーサとを備えてい
る。In order to solve the above-mentioned problems, an electro-optical device according to the present invention has a pair of substrates sandwiching an electro-optical substance and a conduction for electrically conducting the pair of substrates. A plurality of materials, and a plurality of them are arranged so as to be scattered in the surfaces of the pair of substrates facing each other, and in the surface, more sparse in the vicinity of the conducting material, and more dense in areas other than the vicinity of the conducting material. And columnar spacers arranged.
【0012】本発明の電気光学装置によれば、まず、柱
状スペーサによって、一対の基板により挟まれた間隙を
所定の厚さに保つことが可能となる。また、本発明にお
いては、一対の基板間の電気的な導通を図る導通材が設
けられているから、例えば、一対の基板のうちの一方に
ついてのみ外部との接続を図ることのできる端子を設け
さえすれば、該端子から導通材を介して、一対の基板の
うちの他方の基板上に設けられる例えば電極等につい
て、これを所定の電位に保つなどということが可能とな
る。According to the electro-optical device of the present invention, first, the columnar spacer can maintain the gap sandwiched by the pair of substrates at a predetermined thickness. Further, in the present invention, since the conductive material for electrically conducting the pair of substrates is provided, for example, only one of the pair of substrates is provided with the terminal capable of being connected to the outside. Then, it becomes possible to maintain the predetermined potential of, for example, an electrode or the like provided on the other substrate of the pair of substrates from the terminal via the conductive material.
【0013】ちなみに、このような導通材は、典型的に
は、一対の基板間を貼着するため該基板の周囲にロの字
状に配置されるシール材において、当該ロの字の四隅、
あるいは該四隅の少なくとも一つに設けられることが一
般的である。Incidentally, such a conductive material is typically used in a seal material arranged in a square shape around the substrates for adhering a pair of substrates, and the four corners of the square shape,
Alternatively, it is generally provided in at least one of the four corners.
【0014】また、この導通材は、例えば、銀粉等の導
電性粉末材料が混入されたペースト状材料からなるもの
が使用されることが一般的である。The conductive material is generally made of a paste material mixed with a conductive powder material such as silver powder.
【0015】ここで、本発明では特に、前記柱状スペー
サが、一対の基板間において該一対の基板に平行な面内
に点在するよう複数配置されており、かつ、前記面内に
おいて導通材付近ではより疎に、それ以外ではより密に
配置されている。したがって、導通材付近における柱状
スペーサに起因する抗力は、それ以外におけるそれより
も小さくなる。これにより、一対の基板を貼り合わせる
際に相当程度に大きな圧力がかかると、導通材付近で
は、当該圧力に十分に抗しえないことになる。したがっ
て、たとえ導通材中の銀粉等が大きな抗力を発生したと
しても、当該導通材の付近を全体的にみれば、所定の厚
さのセルギャップを確保することが可能となるのであ
る。Here, in the present invention, in particular, a plurality of the columnar spacers are arranged between a pair of substrates so as to be scattered in a plane parallel to the pair of substrates, and in the plane, near the conductive material. Are more sparsely populated, otherwise they are more densely populated. Therefore, the drag force due to the columnar spacers near the conducting material is smaller than that in other portions. As a result, if a considerably large pressure is applied when the pair of substrates are bonded together, the pressure cannot be sufficiently resisted in the vicinity of the conductive material. Therefore, even if the silver powder or the like in the conductive material generates a large drag force, it is possible to secure a cell gap having a predetermined thickness by looking around the conductive material as a whole.
【0016】ちなみに、このようなことを、従来広く用
いられていた略球状のスペーサの散布形態で実現しよう
とするのは極めて困難である。すなわち、一対の基板間
に略球状のスペーサを散布する形態で、導通材付近にお
けるセルギャップの広大化、換言すれば、導通材付近以
外におけるセルギャップの狭小化を防止しようとするた
めには、当該スペーサを該導通材付近以外に密集させて
散布する必要があるが、そのようなことは極めて困難で
ある。このような事情を鑑みるに、本発明において、柱
状スペーサを用いることの優位性が確認される。By the way, it is extremely difficult to realize such a thing in the scattered form of the substantially spherical spacers which have been widely used in the past. That is, in a form in which substantially spherical spacers are scattered between the pair of substrates, in order to prevent the cell gap from becoming wider in the vicinity of the conductive material, in other words, to narrow the cell gap other than in the vicinity of the conductive material, It is necessary to disperse the spacers densely except in the vicinity of the conductive material, which is extremely difficult. In view of such circumstances, the superiority of using the columnar spacer in the present invention is confirmed.
【0017】以上のことから、本発明によれば、導通材
付近における一対の基板間の間隙、すなわちセルギャッ
プを所定の厚さに保つことができ、ひいては基板全面に
関するセルギャップを所定の厚さに保つことができる。
また、このことから、本発明に係る電気光学装置によれ
ば、セルギャップの不均一さに起因する、光透過率、コ
ントラスト比、応答速度等の表示特性に悪影響が与えら
れる可能性を低減することができ、また、表示むら等を
発生させる可能性を低減することも可能となるから、画
像の品質を向上させることができるのである。From the above, according to the present invention, the gap between the pair of substrates in the vicinity of the conductive material, that is, the cell gap can be maintained at a predetermined thickness, and thus the cell gap over the entire surface of the substrate can be maintained at the predetermined thickness. Can be kept at
Further, from this, according to the electro-optical device of the present invention, it is possible to reduce the possibility that the display characteristics such as the light transmittance, the contrast ratio, and the response speed are adversely affected due to the nonuniformity of the cell gap. In addition, since it is possible to reduce the possibility of causing display unevenness and the like, it is possible to improve image quality.
【0018】なお、本発明において、「付近」というの
は、導通材を中心に考えて、適当な範囲にわたる領域の
ことをいう。更に言えば、「付近」というのは、前述し
たような表示ムラ等の画像上の不具合が発生しないよう
にするため、柱状スペーサを疎に配置すべきは、どの程
度の領域となるべきかが考慮されて、具体的に決せられ
るのである。In the present invention, the term "vicinity" means a region that covers an appropriate range with the conductive material as the center. Further speaking, "near" means that the columnar spacers should be sparsely arranged, and to what extent they should be, in order to prevent the above-mentioned image defects such as display unevenness from occurring. It is considered and specifically decided.
【0019】例えば、まず、より一般的には、前記表示
ムラは、mm(ミリメートル)オーダから1cm程度に
至る大きさを有するものが観察されることがあるため、
柱状スペーサを疎に配置すべき領域は、このような事情
が勘案されて決定されることになる。また、より具体的
には、画像表示領域が2インチである場合には、5mm
程度の表示ムラが観察されることがあるため、柱状スペ
ーサを疎に配置すべき領域は、例えば、その5mmとい
う値を挟んで3〜7mm程度、等というように決定され
るのである。For example, first, more generally, the display unevenness may be observed in the order of mm (millimeter) to about 1 cm.
The region where the columnar spacers are to be arranged sparsely is determined in consideration of such circumstances. More specifically, when the image display area is 2 inches, it is 5 mm.
Since some display unevenness may be observed, the regions where the columnar spacers are to be sparsely arranged are determined, for example, about 3 to 7 mm with the value of 5 mm therebetween.
【0020】要するに、本発明にいう「付近」というの
は、上述した内容も含めて、経験的、実験的、理論的、
あるいはシミュレーション等によって、適宜定めうる事
項である。In short, "near" in the present invention means empirical, experimental, theoretical, including the above-mentioned contents.
Alternatively, it is a matter that can be appropriately determined by simulation or the like.
【0021】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
導通材付近に配置された前記柱状スペーサは、前記面内
において該導通材を中心とした半円形状又は扇形状の領
域内で、より疎に配置されている。In one aspect of the electro-optical device of the present invention, the columnar spacers arranged in the vicinity of the conducting material are more preferably within a semi-circular or fan-shaped region centered on the conducting material in the plane. It is sparsely arranged.
【0022】この態様によれば、上述した本発明に係る
作用効果を、より効果的に享受することが可能となる。
というのも、従来問題となっていた、導通材付近におけ
るセルギャップが他の部分におけるそれよりも大きくな
るという場合において、その大きくなる領域は、一般
に、導通材を中心とした略半円形状又は扇形状にわたっ
ていたからである。換言すれば、導通材それ自体が設け
られている部分が最も潰れにくくセルギャップが最も大
きくなり、そこを基準に放射状にセルギャップが次第に
小さくなる、というのが一般的だったのである。According to this aspect, it is possible to more effectively enjoy the above-described effects of the present invention.
This is because, in the case where the cell gap in the vicinity of the conductive material becomes larger than that in other portions, which has been a problem in the related art, the area that becomes larger is generally a semicircular shape centered on the conductive material or This is because it was fan-shaped. In other words, it was general that the portion where the conductive material itself was provided was the most difficult to be crushed, the cell gap was the largest, and the cell gap was gradually reduced radially based on that.
【0023】しかるに、本態様においては、柱状スペー
サが、前記面内において導通材を中心とした半円形状又
は扇形状の領域内で、より疎に配置されているから、上
述のような特徴的なセルギャップの不均一さを、より効
果的に解消することが可能となるのである。また、密に
配置すべき柱状エスペーサの数を、必要最小限に抑える
ことも可能となる。However, in this embodiment, the columnar spacers are more sparsely arranged in the semi-circular or fan-shaped region centering on the conductive material in the above-mentioned plane, so that the above-mentioned characteristic features are obtained. It is possible to more effectively eliminate the nonuniformity of the cell gap. Further, the number of columnar spacers to be densely arranged can be suppressed to a necessary minimum.
【0024】なお、本態様にいう「半円形状」というの
は、字義どおり、「真円を、その直径で二つに切断した
場合における、一方の部分が有する形状」という意味合
いを含むことは勿論、例えば、「楕円を、その長径又は
短径で二つに切断した場合にける、一方の部分が有する
形状」、すなわちいわば半楕円形状等をも含む。The term "semi-circular shape" as used in this embodiment literally means that "a shape of one part of a true circle cut into two parts" has the meaning. Of course, for example, "a shape which one part has when an ellipse is cut into two with its major axis or minor axis", that is, a so-called semi-elliptical shape or the like is also included.
【0025】また、導通材は、上述したように、ロの字
状に配置されたシール材の四隅に設けられることが典型
的であるが、その場合においては、より疎に配置される
べき柱状スペーサの領域は、扇形状とすることが好まし
い。As described above, the conductive material is typically provided at the four corners of the seal material arranged in a square shape, but in that case, the columnar material should be arranged more sparsely. The spacer region is preferably fan-shaped.
【0026】その他、本態様にいう「半円形状の領
域」、あるいは「扇形状の領域」なる概念は、「半円形
状」、あるいは「扇形状」というに著しくかけ離れた形
状を除く、種々の変則的な形状等を含む概念である。In addition, the concept of "semi-circular area" or "fan-shaped area" in the present embodiment is not limited to "semi-circular shape" or "fan-shaped", and various shapes are excluded. It is a concept including irregular shapes.
【0027】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記一対の基板の一方たる第1基板上には、マトリクス状
に配列された画素電極及び該画素電極の各々に接続され
たスイッチング素子を備えるとともに、その他方たる第
2基板及び前記第1基板の少なくとも一方の上には、前
記マトリクス状に対応した遮光膜を備え、前記柱状スペ
ーサは、前記遮光膜の幅の範囲内に配置されている。In another aspect of the electro-optical device of the present invention, pixel electrodes arranged in a matrix and switching elements connected to each of the pixel electrodes are provided on a first substrate, which is one of the pair of substrates. A light-shielding film corresponding to the matrix is provided on at least one of the other second substrate and the first substrate, and the columnar spacers are arranged within the width of the light-shielding film. There is.
【0028】この態様によれば、例えば、薄膜トランジ
スタ(以下、適宜「TFT」という。)や薄膜ダイオー
ド(以下、適宜「TFD」という。)等のスイッチング
素子を介して、画素電極のそれぞれに対して所定の電界
を印加することが可能であるから、いわゆるアクティブ
マトリクス駆動が可能となる。なお、画素電極の一及び
スイッチング素子の一を少なくとも含むものを一単位と
して、いわゆる「画素」の一が定義される。また、マト
リクス状に対応した遮光膜、すなわち例えば格子状、ス
トライプ状等となる遮光膜が備えられていることによ
り、画素間の光が混合することで、コントラスト比の低
下等を招くようなことがない。また、公知のカラーフィ
ルタを設ける場合にあっては、混色の防止を図ることも
できる。According to this aspect, for example, each of the pixel electrodes is provided via a switching element such as a thin film transistor (hereinafter appropriately referred to as “TFT”) or a thin film diode (hereinafter appropriately referred to as “TFD”). Since it is possible to apply a predetermined electric field, so-called active matrix driving is possible. A so-called "pixel" is defined as a unit including at least one pixel electrode and one switching element. Further, since a light-shielding film corresponding to a matrix, that is, a light-shielding film having a lattice shape, a stripe shape, or the like is provided, the light between pixels is mixed, which causes a reduction in contrast ratio. There is no. Further, when a known color filter is provided, color mixture can be prevented.
【0029】そして本態様では特に、柱状スペーサは、
前記遮光膜の幅の範囲内に配置されている。つまり、柱
状スペーサは、画像の表示にとって直接には関係のない
部分に設けられることになるから、該柱状スペーサを設
けることによっても、画像の明るさ等を損なうことがな
い。In this embodiment, in particular, the columnar spacer is
It is arranged within the range of the width of the light shielding film. That is, since the columnar spacers are provided in a portion that is not directly related to the display of the image, the provision of the columnar spacers does not impair the brightness of the image.
【0030】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記一対の基板それぞれの、前記電気光学物質に対向する
側に形成される配向膜を更に備え、前記柱状スペーサ
は、前記マトリクス状に対応した遮光領域における交差
部内の隅部に配置されている。In another aspect of the electro-optical device of the present invention, an alignment film formed on the side of each of the pair of substrates facing the electro-optical material is further provided, and the columnar spacers correspond to the matrix. It is arranged at a corner in the intersection in the shaded region.
【0031】この態様によれば、柱状スペーサは、いわ
ば画素電極の角部付近に柱状スペーサが配置されること
になる。このことと、本態様において特に備えられる配
向膜との関係から、次のような作用効果が享受される。According to this aspect, the columnar spacers are, so to speak, arranged in the vicinity of the corners of the pixel electrode. From this and the relationship between the alignment film particularly provided in this embodiment, the following operational effects are enjoyed.
【0032】すなわち、本態様によれば、前記配向膜に
対して、通常施すことの必要とされるラビング処理を好
適に行うことが可能となる。ここで、ラビング処理と
は、回転金属ローラ等に巻き付けたバフ布で、焼成後の
配向膜表面を一定方向に擦る処理をいう。これにより、
電気光学物質の一例たる液晶の配向方位を所定の方向に
揃えることが可能となる。これは、配向膜を構成するポ
リイミドのポリマー主鎖がラビング方向に延伸され、こ
の延伸方向に沿って液晶分布が配列することによる。That is, according to this aspect, it is possible to suitably perform the rubbing treatment which is usually required to be performed on the alignment film. Here, the rubbing treatment means a treatment of rubbing the orientation film surface after firing in a certain direction with a buff cloth wound around a rotating metal roller or the like. This allows
It is possible to align the orientation of liquid crystal, which is an example of an electro-optical material, in a predetermined direction. This is because the polymer main chain of polyimide forming the alignment film is stretched in the rubbing direction, and the liquid crystal distribution is aligned along the stretching direction.
【0033】ところで、このようなラビング処理は、配
向膜の全面に関し、可能な限り均一に行われることが好
ましい。しかしながら、一対の基板のそれぞれの上にお
いては、通常、電極、配線、素子等の各種構成が形成さ
れるとともに、本発明に関しては特に、柱状スペーサも
設けられることから、ラビング処理を配向膜全面に関し
て均一に行うことには困難が伴う。なぜなら、前記各種
構成や柱状スペーサは「高さ」を有するから、焼成後の
配向膜表面には、通常、当該高さに応じた凸凹が生じて
いるからである。つまり、この凸凹を前記回転ローラ等
によって擦ったとしても、例えば、その凹の部分は十分
にラビングできないなどということが生じうるのであ
る。したがって、この場合、画像の品質に相応の悪影響
が及ぶ可能性がある。By the way, such a rubbing treatment is preferably carried out as uniformly as possible on the entire surface of the alignment film. However, on each of the pair of substrates, various structures such as electrodes, wirings, and elements are usually formed, and columnar spacers are also provided particularly in the present invention. Therefore, the rubbing treatment is performed on the entire surface of the alignment film. Difficulty in performing uniformly. This is because the various structures and the columnar spacers have a “height”, and therefore, the surface of the alignment film after firing usually has irregularities corresponding to the height. That is, even if the unevenness is rubbed by the rotating roller or the like, for example, the uneven part may not be sufficiently rubbed. Therefore, in this case, the quality of the image may be adversely affected.
【0034】しかるに、本態様においては、柱状スペー
サが、交差部内の隅部に配置されていることにより、上
述の不具合を相当程度解消することが可能なのである。However, in this aspect, the columnar spacers are arranged at the corners of the intersecting portion, so that the above-mentioned problems can be solved to a considerable extent.
【0035】すなわち、本態様に係る柱状スペーサの配
置態様によれば、交差部内の中央部や、該交差部内の隅
部以外の周辺部は、柱状スペーサが配されることなく略
平坦な面となる。このような場合において、ラビング処
理の方向を、前記隅部から前記交差部の中央部に至るよ
うな方向とするのである。これによれば、柱状スペーサ
が有する「高さ」に起因して、その影となる部分、すな
わちラビング処理を有効に行うことが困難な部分は、前
記交差部内に含まれることになる。That is, according to the arrangement of the columnar spacers according to this aspect, the central portion in the intersection and the peripheral portion other than the corners in the intersection have a substantially flat surface without the columnar spacers arranged. Become. In such a case, the rubbing process is performed from the corner to the center of the intersection. According to this, due to the “height” of the columnar spacer, the shadowed portion, that is, the portion where it is difficult to effectively perform the rubbing process is included in the intersection.
【0036】ところで、この交差部とは、そもそもマト
リクス状に配列された画素電極間のいわば「隙間」に対
応する遮光領域における交差部であって、かつ、この遮
光領域には、上述したように遮光膜等が設けられること
が一般的であることを鑑みるに、上述したように、ラビ
ング処理不奏効の部分を前記交差部内に留めることは、
画像の品質向上にとって好適となることがわかる。つま
り、そのような遮光領域に、ラビング処理不奏効の部分
があったとしても、画像の品質に大きな影響を及ぼすこ
とはない。このことを言い換えれば、柱状スペーサを設
ける以上、ラビング処理不奏効の部分が多少なりとも生
じるところ、本態様によれば、当該部分を画像の表示に
とって影響のない部分に閉じ込めることが可能となると
いう意味で、好適なラビング処理を実施することができ
るといえるのである。By the way, the intersecting portion is an intersecting portion in a light-shielding region corresponding to a so-called "gap" between pixel electrodes arranged in a matrix in the first place, and as described above, this light-shielding region is formed. In view of the fact that a light-shielding film or the like is generally provided, as described above, keeping the rubbing treatment ineffective portion in the intersection,
It can be seen that it is suitable for improving the image quality. In other words, even if there is a rubbing process ineffective portion in such a light-shielded region, it does not significantly affect the image quality. In other words, as long as the columnar spacers are provided, some portion of the rubbing process ineffectiveness occurs, but according to this aspect, it is possible to confine the portion to a portion that does not affect the display of the image. In a sense, it can be said that a suitable rubbing process can be performed.
【0037】なお、前記交差部としては、例えば、これ
を正方形であると仮定し、柱状スペーサはその隅部のう
ちの一つである左上隅部に配置する、等という形態を具
体的に想定することが可能である。この場合、該正方形
の中央部や、該正方形内の右上隅部、左下隅部、右下隅
部を含む周辺部は略平坦な面となる。したがって、この
ような場合におけるラビング処理の方向は、前記正方形
に関し、前記左上隅部から前記中央部ないし前記右下隅
部に向かう方向等と設定すればよい。The crossing portion is assumed to be square, for example, and the columnar spacer is arranged in the upper left corner which is one of the corners. It is possible to In this case, the central part of the square and the peripheral part including the upper right corner, the lower left corner and the lower right corner in the square are substantially flat surfaces. Therefore, the direction of the rubbing process in such a case may be set such that the direction from the upper left corner to the central portion or the lower right corner with respect to the square.
【0038】この態様では特に、前記一対の基板のうち
前記柱状スペーサが配置された方に、ラビング処理が施
された配向膜を更に備え、前記隅部は、前記柱状スペー
サが配置された方の基板上において、前記交差部内にお
ける前記ラビング方向の上流側の隅に位置するようにす
るとよい。その作用効果は、上述したところから明らか
である。In this aspect, in particular, one of the pair of substrates on which the columnar spacers are arranged is further provided with an alignment film subjected to a rubbing treatment, and the corner is formed on the side where the columnar spacers are arranged. On the substrate, it may be located at an upstream corner in the rubbing direction within the intersection. The action and effect are clear from the above.
【0039】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記一対の基板間で前記電気光学物質を包囲するシール材
を更に備えており、前記導通材は、前記電気光学物質を
基準にして前記シール材の外側において、前記シール材
の四隅に配置されている。In another aspect of the electro-optical device of the present invention, a sealing material surrounding the electro-optical material between the pair of substrates is further provided, and the conductive material is based on the electro-optical material. Outside the sealing material, they are arranged at the four corners of the sealing material.
【0040】この態様によれば、既に述べたところから
明らかなように、導通材の設置形態として一般的な態様
について、本発明に係る作用効果を享受することが可能
となる。According to this aspect, as is clear from the above description, it is possible to enjoy the operation and effect of the present invention in a general aspect of the installation form of the conductive material.
【0041】本発明の電子機器は、上記課題を解決する
ために、上述した本発明の電気光学装置(ただし、その
各種態様を含む。)を具備してなる。In order to solve the above problems, the electronic equipment of the present invention comprises the above-mentioned electro-optical device of the present invention (however, including its various aspects).
【0042】本発明の電子機器によれば、上述した、各
種態様を含む本発明の電気光学装置を具備してなるか
ら、当該電気光学装置を構成する一対の基板間のセルギ
ャップが一定に保たれることによって、高品質な画像を
表示することの可能な、投射型表示装置(液晶プロジェ
クタ)、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロ
セッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオ
テープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、P
OS端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現するこ
とができる。According to the electronic apparatus of the present invention, which is provided with the electro-optical device of the present invention including various aspects described above, the cell gap between the pair of substrates constituting the electro-optical device is kept constant. A projection type display device (liquid crystal projector), a liquid crystal television, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, a viewfinder type or a monitor direct view type video tape recorder, which can display a high-quality image by leaning. Station, videophone, P
Various electronic devices such as an OS terminal and a touch panel can be realized.
【0043】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。The operation and other advantages of the present invention will be apparent from the embodiments described below.
【0044】[0044]
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態に
ついて図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本
発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The following embodiments apply the electro-optical device of the present invention to a liquid crystal device.
【0045】(電気光学装置の全体構成)まず、本実施
形態に係る電気光学装置の全体構成を、図1及び図2を
参照して説明する。なお、図1は、TFTアレイ基板を
その上に形成された各構成要素とともに対向基板20の
側からみた平面図であり、図2は、図1のH−H´断面
図である。(Overall Configuration of Electro-Optical Device) First, the overall configuration of the electro-optical device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Note that FIG. 1 is a plan view of the TFT array substrate together with the constituent elements formed thereon as viewed from the counter substrate 20, and FIG. 2 is a sectional view taken along line HH ′ of FIG.
【0046】図1及び図2において、本実施形態に係る
電気光学装置では、TFTアレイ基板10と対向基板2
0とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対
向基板20との間には、液晶層50が封入されており、
TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領
域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシー
ル材52により相互に接着されている。1 and 2, in the electro-optical device according to this embodiment, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 2 are used.
0 and 0 are arranged to face each other. A liquid crystal layer 50 is enclosed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20,
The TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are adhered to each other by a sealing material 52 provided in a sealing region located around the image display region 10a.
【0047】ここで、液晶層50は、例えば一種又は数
種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、後述
する一対の配向膜間で、所定の配向状態をとるものであ
る。Here, the liquid crystal layer 50 is made of, for example, liquid crystal in which one kind or several kinds of nematic liquid crystals are mixed, and has a predetermined alignment state between a pair of alignment films described later.
【0048】また、画像表示領域10aは、TFTアレ
イ基板10上において、画素電極9a、該画素電極9a
に接続されたTFT、走査線及びデータ線等が設けられ
た領域、あるいは該領域に対向し且つ対向基板20上の
全面において対向電極21が設けられた領域のことであ
り、図1において紙面に向かってこちら側から向こう側
に至る(すなわち、対向基板20側からTFTアレイ基
板10側に至る)光の透過が可能とされることで、画像
の表示に寄与することとなる領域のことである。なお、
光の透過が可能とされるのは、前記の画素電極9a又は
その一部、あるいは対向電極21が透明材料からなると
ともに、該画素電極9aに対する電界の印加によって前
記液晶層50の状態が変更を受けることによる。また、
画素電極9aの一及び前記TFTの一を少なくとも含む
ものを一単位として、一画素が定義されるが、本実施形
態においては、この「画素」と「画素電極」とを略同一
の意義を有する用語して使用することとする。The image display area 10a is formed on the TFT array substrate 10 by the pixel electrode 9a and the pixel electrode 9a.
1 is a region provided with TFTs, scanning lines and data lines connected to, or a region facing the region and provided with a counter electrode 21 on the entire surface of the counter substrate 20. This is a region that contributes to the display of an image by enabling the transmission of light from this side to the other side (that is, from the counter substrate 20 side to the TFT array substrate 10 side). . In addition,
Light can be transmitted because the pixel electrode 9a or a part thereof or the counter electrode 21 is made of a transparent material, and the state of the liquid crystal layer 50 is changed by applying an electric field to the pixel electrode 9a. By receiving. Also,
One pixel is defined as one unit that includes at least one of the pixel electrode 9a and one of the TFTs. In the present embodiment, the "pixel" and the "pixel electrode" have substantially the same meaning. It will be used as a term.
【0049】さらに、シール材52は、図1に示すよう
に、画像表示領域10aの周囲を囲むように、平面的に
みて、「ロ」の字状に設けられているが、その一部にお
いては、図1の下方に示すように、切り欠きが形成され
て液晶注入口52aが設けられている。この液晶注入口
52aの存在により、TFTアレイ基板10及び対向基
板20により挟まれた間隙とその外部との連通が図られ
ており、これを利用することによって、製造工程時、前
記間隙に対して液晶を注入することが可能となる。な
お、完成された電気光学装置においては、液晶注入口5
2aが存在する部分に対応して、前記間隙に導入された
液晶が外部に漏れることのないようにするため、例えば
紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる封止材54が設け
られる。Further, as shown in FIG. 1, the sealing material 52 is provided in a "B" shape in plan view so as to surround the periphery of the image display area 10a, but a part thereof is provided. As shown in the lower part of FIG. 1, a notch is formed and a liquid crystal inlet 52a is provided. Due to the existence of the liquid crystal injection port 52a, the gap sandwiched by the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 and the outside thereof are communicated with each other. It becomes possible to inject liquid crystal. In the completed electro-optical device, the liquid crystal injection port 5
In order to prevent the liquid crystal introduced into the gap from leaking outside, a sealing material 54 made of, for example, an ultraviolet curable acrylic resin is provided corresponding to the portion where 2a exists.
【0050】また、本実施形態においては、上述のよう
に、ロの字状に設けられたシール材52における、当該
ロの字の四隅に、TFTアレイ基板10と対向基板20
との間で電気的な導通をとるための上下導通材106が
設けられている。この上下導通材106は、銀粉等を含
むペースト状材料等からなり、両基板10及び20の貼
り合わせ工程時において、当該ペーストが押しつぶさ
れ、かつ、前記銀粉等が互いに接触することにより、両
基板10及び20間の電気的な導通が図られることにな
る。Further, in the present embodiment, as described above, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are provided at the four corners of the square shape in the sealing material 52 provided in the square shape.
An upper and lower conducting member 106 is provided to establish electrical conduction between the and. The vertical conductive material 106 is made of a paste-like material containing silver powder or the like, and the paste is crushed and the silver powder or the like comes into contact with each other during the bonding process of the substrates 10 and 20, so that both substrates are Electrical conduction between 10 and 20 will be achieved.
【0051】一方で、上述のようなシール材52を構成
する材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹
脂等を挙げることができる。TFTアレイ基板10及び
対向基板20を貼り合わせるにあたっては、適当な圧力
をかけて両基板10及び20を圧着するとともに、シー
ル材が前記紫外線硬化樹脂からなるのであれば該シール
材に対して紫外線を照射することにより、また、前記熱
硬化樹脂からなるのであれば加熱を行うこと等により、
硬化させられている。On the other hand, examples of the material constituting the sealing material 52 as described above include ultraviolet curable resin and thermosetting resin. When the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together, both substrates 10 and 20 are pressure-bonded to each other by applying an appropriate pressure, and if the sealing material is the ultraviolet curable resin, ultraviolet rays are applied to the sealing material. By irradiating, or by heating if it is composed of the thermosetting resin,
It has been cured.
【0052】また、このシール材52中には、両基板1
0及び20に挟まれた間隙の間隔、すなわちセルギャッ
プを所定値とするため、スペーサの一種たるギャップ材
(不図示)が混入されている。このギャップ材は、例え
ばグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等からなり、
略球状の形状を有するものを利用するのが一般的であ
る。Further, in the sealing material 52, both substrates 1
A gap material (not shown), which is a kind of spacer, is mixed in order to set the gap between 0 and 20 to be a predetermined value, that is, the cell gap. This gap material is made of, for example, glass fiber or glass beads,
It is common to use a material having a substantially spherical shape.
【0053】さらに、シール材52の外側の領域には、
後述するデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給
することにより該データ線を駆動するデータ線駆動回路
101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板
10の一辺に沿って設けられている。前記上下導通材1
06、ないし対向基板20に対しては、前記外部回路接
続端子102を通じて、所定の電位が供給されることに
なる。Further, in the area outside the sealing material 52,
A data line driving circuit 101 and an external circuit connection terminal 102 for driving the data line described later by supplying an image signal to the data line at a predetermined timing are provided along one side of the TFT array substrate 10. The upper and lower conducting material 1
A predetermined potential is supplied to 06 or the counter substrate 20 through the external circuit connection terminal 102.
【0054】そして、本実施形態では特に、TFTアレ
イ基板10及び対向基板20間のセルギャップを所定の
値に保つため、上述のギャップ材の他、図2に示すよう
に、対向基板20側、かつ、対向電極21上に、柱状ス
ペーサ401が設けられている。この柱状スペーサ40
1は、例えばアクリル系樹脂、ポリイミド等の材料から
なり、その1本1本は、図2に示すように、略四角柱形
状、あるいは略円柱形状を有している。また、このよう
な形状は、例えば、TFTアレイ基板10及び対向基板
20の少なくとも一方の上に、前記材料からなる原膜を
いったん形成した後、フォトリソグラフィ技術を応用し
て前記原膜をエッチングすることで成形ないしパターニ
ングする、等の手法によって形成することが可能であ
る。この場合においては、前記原膜上に形成するレジス
ト膜に対する露光処理(パターニング処理)の如何によ
って、柱状スペーサ401の形状を上述のように成形す
ることができるだけでなく、それらの配置を自由に定め
ることも可能となる。In this embodiment, in order to maintain the cell gap between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 at a predetermined value, in addition to the above-mentioned gap material, as shown in FIG. In addition, the columnar spacer 401 is provided on the counter electrode 21. This columnar spacer 40
Reference numeral 1 is made of a material such as acrylic resin or polyimide, and each of them has a substantially quadrangular prism shape or a substantially columnar shape as shown in FIG. In addition, such a shape is obtained by, for example, once forming an original film made of the above material on at least one of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and then etching the original film by applying a photolithography technique. Thus, it can be formed by a method such as molding or patterning. In this case, the shape of the columnar spacers 401 can be shaped as described above by the exposure process (patterning process) for the resist film formed on the original film, and their arrangement can be freely determined. It is also possible.
【0055】そして、これらの柱状スペーサ401は、
図3に観念的に示されているように、前記上下導通材1
06が存在する付近ではより疎に、それ以外の部分では
より密に形成・配置されている。より具体的には、本実
施形態において、柱状スペーサ401は、上下導通材1
06が存在する付近の略四辺形状の領域(以下、「四辺
形状領域」という。)501内において、その他の領域
502よりも、より疎に配置された形態となっている。
なお、図3は、あくまでも観念的な意味で、疎・密が表
されていることに注意されたい。Then, these columnar spacers 401 are
As shown conceptually in FIG. 3, the upper and lower conducting members 1 are
In the vicinity where 06 exists, they are formed and arranged more sparsely, and in other parts, they are formed and arranged more densely. More specifically, in the present embodiment, the columnar spacers 401 are the upper and lower conducting members 1.
In a substantially quadrilateral region (hereinafter, referred to as “quadrilateral region”) 501 where 06 is present, the regions are arranged more sparsely than the other regions 502.
It should be noted that FIG. 3 represents sparseness / denseness only in an ideal sense.
【0056】図4及び図5では、図3中符号X及びYで
示される円内部分をそれぞれ拡大したものが示されてお
り、柱状スペーサ401の配置の様子が、より詳しく、
またより実際に即した形で示されている。すなわちま
ず、図4において、複数の柱状スペーサ401それぞれ
は、画素電極9aの一々に対応するように1本ずつ設け
られている一方、図5においては、図中縦横それぞれの
方向において、二つの画素電極9aを間に挟んで、1本
ずつ設けられている。密度の単位を用いれば、前者は、
柱状スペーサ401が1〔本/画素〕で配置されている
のに対し、後者は、約0.1〔本/画素〕(=1÷9)
で配置されているといえる。4 and 5, enlarged views of the circled portions indicated by reference characters X and Y in FIG. 3 are shown, and the arrangement of the columnar spacers 401 will be described in more detail.
It is also shown in a more realistic form. That is, first, in FIG. 4, each of the plurality of columnar spacers 401 is provided one by one so as to correspond to each of the pixel electrodes 9a, while in FIG. 5, two pixel spacers are provided in each of the vertical and horizontal directions in the drawing. The electrodes 9a are provided one by one with the electrode 9a interposed therebetween. Using the density unit, the former is
The columnar spacers 401 are arranged at 1 [lines / pixel], whereas the latter are about 0.1 [lines / pixel] (= 1/9).
It can be said that it is arranged in.
【0057】一方で、両者いずれにおいても、柱状スペ
ーサ401は、画素電極9a間の隙間を縫うように規定
される格子状の遮光領域内に配置されている。そして、
この格子状の遮光領域には、該領域に略一致する格子状
の遮光膜23(図2も参照)と、その最外周を規定する
額縁遮光膜53(図1も参照)とが備えられている。つ
まり、本実施形態における柱状スペーサ401は、格子
状の遮光膜23の幅の範囲内に配置されていることにな
る。On the other hand, in both cases, the columnar spacers 401 are arranged in a grid-shaped light-shielding region defined so as to sew the gaps between the pixel electrodes 9a. And
The lattice-shaped light-shielding region is provided with a lattice-shaped light-shielding film 23 (see also FIG. 2) that substantially coincides with the region and a frame light-shielding film 53 (see also FIG. 1) that defines the outermost periphery thereof. There is. That is, the columnar spacers 401 in this embodiment are arranged within the width of the lattice-shaped light shielding film 23.
【0058】ちなみに、この遮光膜23によれば、画素
電極9a間の光の混合を防止することができ、コントラ
ストの低下等を招くことがない。また、この遮光膜23
を構成する材料としては、金属クロム、カーボン又はチ
タンをフォトレジストに分散した樹脂ブラックや、ニッ
ケル等の金属材料等を考えることができ、更には、これ
らを含む二つ以上の材料により積層構造を有するものと
することも可能である。By the way, according to the light-shielding film 23, it is possible to prevent the mixing of light between the pixel electrodes 9a, and to prevent the deterioration of contrast. In addition, this light shielding film 23
Examples of the material that can be used include a resin black in which metallic chromium, carbon, or titanium is dispersed in a photoresist, a metallic material such as nickel, and the like, and a laminated structure including two or more materials including these materials. It is also possible to have it.
【0059】また、本実施形態における柱状スペーサ4
01は、前記格子状の遮光膜23の幅の範囲内に設けら
れている他、より詳細に言えば、図4及び図5に示すよ
うに、画素電極9aの角部付近に対応するように配置さ
れている。換言すれば、柱状スペーサ401は、マトリ
クス状に配列された前記格子状の遮光領域における交差
部601内の図中左上隅部601aに配置されているの
である。In addition, the columnar spacer 4 in this embodiment
01 is provided within the width of the lattice-shaped light-shielding film 23, and more specifically, as shown in FIGS. 4 and 5, it corresponds to the vicinity of the corner of the pixel electrode 9a. It is arranged. In other words, the columnar spacers 401 are arranged at the upper left corner 601a in the drawing within the intersection 601 in the lattice-shaped light-shielding regions arranged in a matrix.
【0060】以上のような構成のほか、図1及び図2に
おいては、後述する走査線に走査信号を所定のタイミン
グで供給することにより該走査線を駆動する走査線駆動
回路104が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けら
れている。加えて、TFTアレイ基板10の残る一辺に
は、画像表示領域10aの両側に設けられた走査線駆動
回路104間をつなぐための複数の配線105が設けら
れている。なお、走査線に供給される走査信号遅延が問
題にならないのならば、前記走査線駆動回路104は、
片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ
線駆動回路101を画像表示領域10aの辺に沿って両
側に配列してもよい。In addition to the above configuration, in FIG. 1 and FIG. 2, the scanning line driving circuit 104 for driving the scanning line by supplying the scanning signal to the scanning line to be described later at a predetermined timing has one side. Are provided along two sides adjacent to. In addition, a plurality of wirings 105 for connecting the scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display area 10a are provided on the remaining one side of the TFT array substrate 10. If the delay of the scanning signal supplied to the scanning line does not matter, the scanning line driving circuit 104
It goes without saying that only one side is required. Further, the data line driving circuits 101 may be arranged on both sides along the side of the image display area 10a.
【0061】また、図2において、TFTアレイ基板1
0上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、デー
タ線等の配線が形成された後の画素電極9a上に、配向
膜16が形成されている。他方、対向基板20上には、
ITO(インディウム・ティン・オキサイド)等の透明
材料からなる対向電極21のほか、最上層部分に配向膜
22が形成されている。ここで、本実施形態における配
向膜22は、対向基板20側に、上述したような柱状ス
ペーサ401が設けられている関係から、対向電極21
を覆うように形成されている他、この柱状スペーサ40
1をも覆うように形成されている。Further, in FIG. 2, the TFT array substrate 1
An alignment film 16 is formed on the pixel electrode 9a after the TFTs for pixel switching and wirings such as scanning lines and data lines are formed on 0. On the other hand, on the counter substrate 20,
In addition to the counter electrode 21 made of a transparent material such as ITO (indium tin oxide), an alignment film 22 is formed on the uppermost layer. Here, in the alignment film 22 in the present embodiment, the counter electrode 21 is provided because the columnar spacers 401 as described above are provided on the counter substrate 20 side.
In addition to being formed so as to cover the columnar spacer 40
It is formed so as to cover 1 as well.
【0062】なお、TFTアレイ基板10上には、これ
らのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等
に加えて、複数のデータ線6aに画像信号を所定のタイ
ミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線6
aに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先
行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷
時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための
検査回路等を形成してもよい。On the TFT array substrate 10, in addition to the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, etc., a sampling circuit for applying an image signal to a plurality of data lines 6a at a predetermined timing, a plurality of sampling circuits. Data line 6
In a, a precharge circuit for supplying a precharge signal of a predetermined voltage level prior to each image signal, an inspection circuit for inspecting the quality, defects, etc. of the electro-optical device during manufacturing or shipping are formed. Good.
【0063】このような構成となる本実施形態の電気光
学装置においては、特に、上述の柱状スペーサ401の
特徴的な配置態様により、次のような作用効果が奏され
ることになる。In the electro-optical device of the present embodiment having such a configuration, the following operational effects are particularly achieved due to the characteristic arrangement of the columnar spacers 401 described above.
【0064】すなわちまず、柱状スペーサ401は、上
下導通材106付近の四辺形状領域501では、より疎
に配置されていたから、本実施形態に係る電気光学装置
を製造する過程、とりわけTFTアレイ基板10と対向
基板20の貼り合わせ工程において、上下導通材106
付近のセルギャップが、他の部分のそれよりも大きくな
るという不具合を解消することができる。That is, first, since the columnar spacers 401 are more sparsely arranged in the quadrilateral region 501 near the upper and lower conducting members 106, the columnar spacers 401 face the TFT array substrate 10, especially in the process of manufacturing the electro-optical device according to this embodiment. In the bonding process of the substrates 20, the upper and lower conductive materials 106
It is possible to solve the problem that the cell gap in the vicinity becomes larger than that in other portions.
【0065】このような作用効果を、より具体的に説明
すると、次のようである。まず、前述の不具合、すなわ
ちTFTアレイ基板10及び対向基板20の貼り合わせ
工程において、上下導通材106付近のセルギャップ
が、他の部分のそれよりも大きくなるというのは、前記
上下導通材106に含まれる銀粉等と、前記シール材5
2に含まれるギャップ材とで、その潰される度合い(つ
まり、弾性的・塑性的な変形の度合い)が異なるからで
ある。例えば、両基板10及び20の貼り合わせ工程前
において、前記銀粉の直径が数十μm程度あり、前記ギ
ャップ材のそれが10〜20μm程度あると仮定する
と、貼り合わせ工程後においては、前記ギャップ材は3
μm程度まで潰されることが可能であるのに対し、前記
銀粉は6μm程度までしか潰されえない。このようなこ
とにより、上下導通材106が設けられている付近の領
域では、セルギャップがより大きくなってしまうのであ
る。The operation and effect will be described in more detail below. First, the above-mentioned problem, that is, in the step of bonding the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 with each other, the cell gap in the vicinity of the upper and lower conducting members 106 is larger than that of other portions, that is, in the upper and lower conducting members 106. The included silver powder and the sealing material 5
This is because the crushed degree (that is, the degree of elastic / plastic deformation) of the gap material included in 2 is different. For example, assuming that the diameter of the silver powder is about several tens of μm before the bonding process of both substrates 10 and 20 and that the gap material is about 10 to 20 μm, the gap material after the bonding process. Is 3
The silver powder can be crushed to about 6 μm, while the silver powder can be crushed to about 6 μm. As a result, the cell gap becomes larger in the region near the upper and lower conducting members 106.
【0066】しかるに、本実施形態においては、前記四
辺形状領域501において、柱状スペーサ401がより
疎に形成されているのである。このことは、前記貼り合
わせ工程においては、該柱状スペーサ401に起因する
抗力が、それ以外における該柱状スペーサ401に起因
する抗力よりも小さくなることを意味する。これによ
り、TFTアレイ基板10及び対向基板20を貼り合せ
る際に相当程度に大きな圧力がかかると、上下導通材1
06付近では、それ以外の部分に比べて、当該圧力に十
分対抗しえないことになる。したがって、たとえ上下導
通材106中の銀粉等が大きな抗力を発生したとして
も、当該上下導通材106の付近を全体的にみれば、所
定の厚さのセルギャップを確保することが可能となるの
である。However, in the present embodiment, the columnar spacers 401 are formed more sparsely in the quadrilateral region 501. This means that in the bonding step, the drag force caused by the columnar spacer 401 is smaller than the drag force caused by the columnar spacer 401 in other cases. As a result, when a considerably large pressure is applied when the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together, the upper and lower conducting members 1
In the vicinity of 06, the pressure cannot be sufficiently counteracted as compared with the other portions. Therefore, even if the silver powder or the like in the upper and lower conducting members 106 generates a large drag force, it is possible to secure a cell gap having a predetermined thickness by looking around the upper and lower conducting members 106 as a whole. is there.
【0067】これにより、上下導通材106付近のセル
ギャップを、他の部分におけるそれと、略同等に維持す
ることができ、もって両基板10及び20全面に関する
セルギャップを所定の値に保つことが可能となる。そし
て、このことから、本実施形態に係る電気光学装置によ
れば、光透過率、コントラスト比、応答速度等の表示特
性に悪影響が与えられる可能性を低減することができ、
また、表示ムラ等を発生させる可能性を低減することも
可能となるから、画像の品質を向上させることができ
る。As a result, the cell gap in the vicinity of the upper and lower conducting members 106 can be maintained substantially equal to that in the other portions, and thus the cell gaps over the entire surfaces of both substrates 10 and 20 can be maintained at a predetermined value. Becomes From this, according to the electro-optical device according to the present embodiment, it is possible to reduce the possibility that the display characteristics such as the light transmittance, the contrast ratio, and the response speed are adversely affected.
Further, since it is possible to reduce the possibility of causing display unevenness and the like, it is possible to improve image quality.
【0068】また、上記に加えて、本実施形態において
は、柱状スペーサ401は、図4及び図5を参照して説
明したように、遮光膜23の幅の範囲内であって、か
つ、交差部601の左上隅部601aに形成されていた
から、該柱状スペーサ401が画像表示上の邪魔になる
ようなことがなく、また、前記配向膜22に対するラビ
ング処理を好適に実施することが可能となる。ここでラ
ビング処理が好適に実施されるとは、本実施形態におい
て、ラビング処理不奏効の部分を交差部601内にとど
めることが可能となることを意味する。Further, in addition to the above, in the present embodiment, the columnar spacers 401 are within the width of the light shielding film 23 and intersect as described with reference to FIGS. 4 and 5. Since the columnar spacer 401 is formed in the upper left corner 601a of the portion 601, the columnar spacer 401 does not interfere with image display, and the rubbing process for the alignment film 22 can be preferably performed. Here, the rubbing process being preferably performed means that, in the present embodiment, a portion where the rubbing process is ineffective can be retained within the intersection 601.
【0069】例えば、図4及び図5において、図に示す
矢印に一致する方向でラビング処理を実施することによ
れば、ラビング処理不奏効の部分は、交差部601内に
留められることとなる。ここで、この交差部601は、
格子状の遮光膜23の形成領域の一部であったから、当
該交差部601を挟んだ積層構造内に、何かしらの軽微
な不具合があったとしても、それは、基本的には画像の
表示に大きな影響を及ぼすことがない。したがって、配
向膜22に対するラビング処理不良が、交差部601内
で発生したとしても、それが画像の表示に対して大きな
影響を及ぼすようなことはないのである。言い換える
と、柱状スペーサ401を設ける以上、ラビング処理不
奏効の部分が多少なりとも生じるところ、本実施形態に
おいては、当該部分を画像の表示にとって影響のない部
分(つまり、交差部601)に閉じ込めることが可能と
なるという意味で、好適なラビング処理を実施すること
ができるといえるのである。For example, in FIG. 4 and FIG. 5, when the rubbing process is performed in the direction that coincides with the arrow shown in the figure, the portion where the rubbing process is ineffective is retained in the intersection 601. Here, this intersection 601 is
Since it is a part of the formation region of the lattice-shaped light-shielding film 23, even if there is some slight defect in the laminated structure sandwiching the intersection 601, it is basically large in displaying an image. It has no effect. Therefore, even if the rubbing process defect on the alignment film 22 occurs in the intersection 601, it does not significantly affect the image display. In other words, as long as the columnar spacers 401 are provided, some portion of the rubbing process ineffectiveness occurs, but in the present embodiment, the portion is confined in a portion that does not affect the display of the image (that is, the intersecting portion 601). Therefore, it can be said that a suitable rubbing process can be carried out in the sense that it is possible.
【0070】なお、上記では、柱状スペーサ401がよ
り密に形成されるべき領域が、略四辺形状とされていた
が、本発明は、このような形態に限定されるものではな
い。例えば、図6に観念的に示すように、上下導通材1
06を中心として略扇形状となる領域(以下、「扇形状
領域」という。)503を想定し、その内部において、
柱状スペーサ401をより疎に配置するとともに、該扇
形状領域503以外の領域504において、より密に配
置することが考えられる。In the above description, the region where the columnar spacers 401 should be formed more densely has a substantially quadrilateral shape, but the present invention is not limited to such a form. For example, as shown conceptually in FIG.
Assuming an area 503 having a substantially fan shape centered on 06 (hereinafter referred to as “fan shape area”) 503, and inside thereof,
It is considered that the columnar spacers 401 are arranged more sparsely and the columnar spacers 401 are arranged more densely in the region 504 other than the fan-shaped region 503.
【0071】このような形態によれば、画像上における
表示ムラの発生を、より確実に防止することが可能とな
る。というのも、従来問題となっていた、上下導通材1
06付近におけるセルギャップが他の部分におけるそれ
よりも大きくなるという場合において、その大きくなる
領域は、一般に、上下導通材106を中心とした略扇形
状にわたっていたからである。According to such a form, it is possible to more reliably prevent the occurrence of display unevenness on the image. This is because the upper and lower conducting material 1 has been a problem in the past.
This is because, in the case where the cell gap in the vicinity of 06 is larger than that in the other portions, the area in which the cell gap becomes larger generally covers a substantially fan shape centered on the upper and lower conducting members 106.
【0072】しかるに、本形態によれば、柱状スペーサ
401が、図6に示すように、平面的にみて上下導通材
106を中心とした略扇形状の領域内で、より疎に配置
されていることから、上述のような特徴的なセルギャッ
プの不均一さを、より効果的に解消することが可能とな
るのである。However, according to the present embodiment, the columnar spacers 401 are more sparsely arranged in a substantially fan-shaped region centered on the upper and lower conducting members 106 as shown in FIG. Therefore, it is possible to more effectively eliminate the characteristic nonuniformity of the cell gap as described above.
【0073】本発明においては、上述した四辺形状領域
501、あるいは扇形状領域503のほか、柱状スペー
サ401を疎に配置すべき領域を、種々に設定すること
が可能であることは言うまでもない。In the present invention, needless to say, in addition to the above-described quadrilateral region 501 or fan-shaped region 503, various regions in which the columnar spacers 401 should be arranged sparsely can be set.
【0074】さらに、上記では、四辺形状領域501及
びそれ以外の領域502(図3参照)に形成されるべき
柱状スペーサ401の配置密度は、それぞれ、約0.1
〔本/画素〕及び1〔本/画素〕とされていたが、本発
明が、このような形態に限定されるものでは勿論ない。
要するに、図3を例にしていえば、上下導通材106付
近の四辺形状領域501における柱状スペーサ401の
配置密度をp、上下導通材106付近以外の領域502
における柱状スペーサ401の配置密度をqとすれば、
p<qなる関係が満たされておれば、それでよいのであ
る。Furthermore, in the above, the arrangement density of the columnar spacers 401 to be formed in the quadrilateral region 501 and the other regions 502 (see FIG. 3) is about 0.1, respectively.
[Book / pixel] and 1 [book / pixel] have been described, but the present invention is not limited to such a form.
In short, referring to FIG. 3 as an example, the arrangement density of the columnar spacers 401 in the quadrilateral region 501 near the upper and lower conducting members 106 is p, and the region 502 other than the upper and lower conducting members 106 is 502.
If the arrangement density of the columnar spacers 401 in
It is sufficient if the relation p <q is satisfied.
【0075】加えて、上記においては、柱状スペーサ4
01は、対向基板20側、かつ、対向電極21上にアク
リル系樹脂等を柱状に構成するものとして形成されてい
たが、本発明は、そのような形態に限定されるものでは
ない。例えば、図7に示すような各種の変形形態を考え
ることができる。In addition, in the above, the columnar spacer 4
Although 01 was formed as a columnar structure of acrylic resin or the like on the counter substrate 20 side and on the counter electrode 21, the present invention is not limited to such a form. For example, various modifications as shown in FIG. 7 can be considered.
【0076】まず、図7(a)に示すように、対向基板
20上において、ITO膜からなる対向電極21の下
(図中、上側)にある遮光膜23を絶縁材料層としてパ
ターニングして柱状スペーサ401´を形成してもよ
い。この場合には、画素電極9aと対向電極21とのシ
ョート防止用に両者間(少なくとも一方の基板上)に透
明な絶縁膜302を設けるとよい。また、図7(b)に
示すように、TFTアレイ基板側に柱状スペーサ401
´´を設けてもよい。この場合には、画素電極9a上に
透明な絶縁膜402を介して柱状スペーサ401´´が
形成されており、不図示の対向基板20側の配向膜22
に対してラビング処理を施してもよい。あるいは、図7
(c)に示すように、対向基板20上において、配向膜
22を形成した後に、柱状スペーサ401´´´を設け
てもよい。First, as shown in FIG. 7A, on the counter substrate 20, the light shielding film 23 under the counter electrode 21 made of an ITO film (upper side in the drawing) is patterned as an insulating material layer to form a columnar shape. The spacer 401 'may be formed. In this case, it is preferable to provide a transparent insulating film 302 between the pixel electrode 9a and the counter electrode 21 (at least on one substrate) to prevent a short circuit between the pixel electrode 9a and the counter electrode 21. In addition, as shown in FIG. 7B, a columnar spacer 401 is formed on the TFT array substrate side.
″ May be provided. In this case, the columnar spacer 401 ″ is formed on the pixel electrode 9 a via the transparent insulating film 402, and the alignment film 22 on the counter substrate 20 side (not shown) is formed.
A rubbing process may be performed on the. Alternatively, FIG.
As shown in (c), columnar spacers 401 ″ ″ may be provided after forming the alignment film 22 on the counter substrate 20.
【0077】また、柱状スペーサを適当な有機材料等か
らパターニング形成する代わりに、例えばエッチングに
より基板本体(対向基板20又はTFTアレイ基板1
0)や基板上に積層された層間絶縁膜に溝を形成するな
ど、柱状スペーサを形成すべき領域を除く基板上領域に
溝(凹部)を形成することで、隔壁を溝以外の凸状部分
から形成してもよい。なお、この場合にも、図7の変形
例の場合と同様に、画素電極9aと対向電極21とのシ
ョート防止用に透明な絶縁膜を設けておくとよい。Further, instead of patterning the columnar spacers from an appropriate organic material or the like, the substrate main body (the counter substrate 20 or the TFT array substrate 1) is etched, for example.
0) or a groove (recess) formed in a region on the substrate other than the region where the columnar spacers are to be formed, such as forming a trench in the interlayer insulating film laminated on the substrate, so that the partition wall is a convex portion other than the groove. You may form from. In this case as well, as in the case of the modification of FIG. 7, it is preferable to provide a transparent insulating film for preventing a short circuit between the pixel electrode 9a and the counter electrode 21.
【0078】(電気光学装置の回路構成及び動作)以下
では、上述のような構成となる電気光学装置において、
画素電極9a等が如何に駆動されるかについて、図8を
参照して説明する。ここに、図8は、電気光学装置の画
像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の
画素100aにおける各種素子、配線等の等価回路であ
る。(Circuit Configuration and Operation of Electro-Optical Device) Below, in the electro-optical device having the above-described configuration,
How the pixel electrodes 9a and the like are driven will be described with reference to FIG. Here, FIG. 8 is an equivalent circuit of various elements, wirings, etc. in the plurality of pixels 100a formed in a matrix which configures the image display area of the electro-optical device.
【0079】図8において、複数の画素100aには、
それぞれ、画素電極9aと当該画素電極9aをスイッチ
ング制御するためのTFT30とが形成されており、画
像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT30のソ
ースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込
む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に
供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a
同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよ
い。In FIG. 8, a plurality of pixels 100a include
A pixel electrode 9a and a TFT 30 for controlling switching of the pixel electrode 9a are formed respectively, and a data line 6a to which an image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT 30. The image signals S1, S2, ..., Sn to be written in the data line 6a may be line-sequentially supplied in this order, or a plurality of adjacent data lines 6a may be supplied.
You may make it supply to each other for every group.
【0080】また、TFT30のゲートに走査線3aが
電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線
3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、こ
の順に線順次で印加するように構成されている。画素電
極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されて
おり、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だ
けそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから
供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイ
ミングで書き込む。The scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signals G1, G2, ..., Gm are pulse-wise applied in this order to the scanning line 3a in a pulsed manner at a predetermined timing. Is configured to. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and by closing the switch of the TFT 30, which is a switching element, for a certain period, the image signals S1, S2, ..., Sn supplied from the data line 6a are transmitted. Write at a predetermined timing.
【0081】画素電極9aを介して電気光学物質の一例
としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S
1、S2、…、Snは、対向基板20に形成された対向
電極21との間で一定期間保持される。液晶は、印加さ
れる電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化する
ことにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノー
マリーホワイトモードであれば、各画素100aの単位
で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少
し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素100
aの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過
率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号
に応じたコントラストをもつ光が出射する。An image signal S of a predetermined level written in liquid crystal as an example of an electro-optical material through the pixel electrode 9a.
, S2, ..., Sn are held for a fixed period between the counter electrode 21 formed on the counter substrate 20. The liquid crystal modulates light by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level, and enables gradation display. In the normally white mode, the transmittance for incident light decreases according to the voltage applied in units of each pixel 100a, and in the normally black mode, each pixel 100a
The transmittance with respect to the incident light is increased according to the voltage applied in the unit of a, and light having a contrast according to the image signal is emitted from the electro-optical device as a whole.
【0082】なお、保持された画像信号がリークするの
を防ぐために、画素電極9aと対向電極21との間に形
成される液晶容量と並列に蓄積容量70を付加すること
がある。例えば、画素電極9aの電圧は、ソース電圧が
印加された時間よりも3桁も長い時間だけ蓄積容量70
により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善
され、コントラスト比の高い電気光学装置を実現するこ
とができる。なお、蓄積容量70を形成する方法として
は、それ専用の特別の配線である容量線300を形成す
る場合、及び前段の走査線3aとの間に形成する場合の
いずれであってもよい。In order to prevent the held image signal from leaking, the storage capacitor 70 may be added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode 21. For example, the voltage of the pixel electrode 9a is 70 times longer than the time when the source voltage is applied.
Held by. As a result, the charge retention characteristics are improved, and an electro-optical device having a high contrast ratio can be realized. The storage capacitor 70 may be formed by either forming the capacitance line 300, which is a special wiring dedicated to the storage capacitor 70, or forming it between the capacitance line 300 and the preceding scanning line 3a.
【0083】(TFT及びその周辺の実際的な構成)上
述したような画素100aは、より実際的には、図9及
び図10に示すような構成を有する。ここに、図9は、
第2実施形態に用いたTFTアレイ基板の相互に隣接す
る複数の画素群の平面図であり、図10は、図9のA−
A´断面図である。ただし、図9及び図10において
は、一画素についてのみ、その詳細を示している。(Practical Configuration of TFT and its Periphery) The pixel 100a as described above has a configuration more practically as shown in FIGS. 9 and 10. Here, in FIG.
FIG. 10 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on the TFT array substrate used in the second embodiment, and FIG.
It is an A'sectional view. However, FIG. 9 and FIG. 10 show the details of only one pixel.
【0084】図9において、TFTアレイ基板上には、
上述したTFT30、走査線3a、データ線6a、蓄積
容量70等のほか、透明電極8、反射電極9等が設けら
れている。なお、上述までの画素電極9aとは、いま述
べた透明電極8及び反射電極9の両者を含意した用語で
ある。In FIG. 9, on the TFT array substrate,
In addition to the above-mentioned TFT 30, scanning line 3a, data line 6a, storage capacitor 70, etc., a transparent electrode 8, a reflective electrode 9, etc. are provided. The pixel electrode 9a described above is a term that includes both the transparent electrode 8 and the reflective electrode 9 just described.
【0085】反射電極9は、TFTアレイ基板10上
に、マトリクス状に形成されており、これら各反射電極
9に対し、透明電極8を介して、画素スイッチング用の
TFT30が電気的に接続されている。また、この反射
電極9には、図9に示すように透過窓14が形成され、
この透過窓14に対応する領域は、透明電極8によって
覆われている。このような反射電極9は、アルミニウム
や銀、若しくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタ
ン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成されて
おり、透明電極8は、ITO(インディウム・ティン・オ
キサイド)等から構成されている。The reflective electrodes 9 are formed in a matrix on the TFT array substrate 10, and the pixel switching TFTs 30 are electrically connected to the respective reflective electrodes 9 via the transparent electrodes 8. There is. Further, a transmission window 14 is formed on the reflection electrode 9 as shown in FIG.
The region corresponding to the transparent window 14 is covered with the transparent electrode 8. The reflective electrode 9 is formed of a laminated film of aluminum, silver, or an alloy thereof, or titanium, titanium nitride, molybdenum, tantalum, or the like, and the transparent electrode 8 is formed of ITO (indium tin oxide). ) Etc.
【0086】一方、反射電極9及び透明電極8の下に
は、図10に示すように、凹凸形成層13、及びその上
層の凹凸層7(いずれも、図9では示されない)が形成
されている。ここで凹凸形成層13及び凹凸層7は、例
えば、有機系樹脂等の感光性樹脂からなり、特に前者
は、基板面に点在するブロック塊を含むような形で形成
される層であり、後者は、このような凹凸形成層13を
含む基板の全面を覆うような形で形成される層である。
したがって、凹凸層7の表面は、凹凸形成層13を構成
するブロック塊の点在態様に応じて、いわば「うねる」
こととなり、その結果、凹凸パターン9gが形成される
ことになる。図9においては、この凹凸パターン9gが
円形状で示されており、該円形状の部分は、その他の部
分に比べて、図の紙面に向かってこちら側に突出した形
となっていることを示している。すなわち、当該円形状
の部分における、図の紙面に向かって向こう側には、凹
凸層7、そして前記ブロック塊が形成されているのであ
る(図10参照)。On the other hand, below the reflective electrode 9 and the transparent electrode 8, as shown in FIG. 10, a concavo-convex forming layer 13 and a concavo-convex layer 7 (not shown in FIG. 9) are formed. There is. Here, the concavo-convex forming layer 13 and the concavo-convex layer 7 are made of, for example, a photosensitive resin such as an organic resin, and the former is a layer formed so as to include block lumps scattered on the substrate surface. The latter is a layer formed so as to cover the entire surface of the substrate including such an unevenness forming layer 13.
Therefore, the surface of the concavo-convex layer 7 is, so to speak, “wavy” depending on the scattered mode of the block lumps forming the concavo-convex forming layer 13.
As a result, the uneven pattern 9g is formed. In FIG. 9, the concavo-convex pattern 9g is shown as a circular shape, and the circular portion has a shape protruding toward this side toward the paper surface of the drawing as compared with other portions. Shows. That is, in the circular portion, the uneven layer 7 and the block block are formed on the side facing away from the drawing sheet (see FIG. 10).
【0087】このような構成を備える第2実施形態の電
気光学装置では、透明電極8及び透過窓14を利用する
ことで、透過モードによる画像表示を行うことが可能と
なり、反射電極9並びに凹凸形成層13、凹凸層7及び
凹凸パターン9gを利用することで、反射モードによる
画像表示を行うことが可能となる。すなわち、前者の構
成により規定される領域は、図示されない内部光源から
発せられた光を図10の紙面向こう側からこちら側に至
るように透過させる透過領域であり、後者の構成により
規定される領域は、紙面こちら側から前記反射電極9に
至って反射した後、再び紙面こちら側に至らせるような
反射領域となる。なお、後者の場合では特に、凹凸パタ
ーン9gによって光の散乱反射が起きるから、画像の視
野角依存性を小さくすることができる。In the electro-optical device of the second embodiment having such a configuration, by using the transparent electrode 8 and the transmissive window 14, it is possible to display an image in the transmissive mode, and to form the reflective electrode 9 and the unevenness. By using the layer 13, the concavo-convex layer 7, and the concavo-convex pattern 9g, it is possible to display an image in the reflection mode. That is, the area defined by the former configuration is a transmissive area that allows light emitted from an internal light source (not shown) to pass from the other side of the paper surface of FIG. 10 to this side, and the area defined by the latter configuration. Is a reflection area that reaches the reflection electrode 9 from this side of the paper surface and is reflected again, and then reaches this side of the paper surface again. In the latter case, in particular, light scattering and reflection are caused by the uneven pattern 9g, so that the viewing angle dependence of the image can be reduced.
【0088】さて、図9に戻り、反射電極9を形成する
領域の縦横の境界に沿っては、データ線6a、走査線3
a及び容量線300が形成され、TFT30は、データ
線6a及び容量線300に対して接続されている。すな
わち、データ線6aは、コンタクトホールを介してTF
T30の高濃度ソース領域1dに電気的に接続され、透
明電極8は、コンタクトホール15及びソース線6bを
介してTFT30の高濃度ドレイン領域1eに電気的に
接続されている。また、TFT30のチャネル領域1a
´に対向するように走査線3aが延在している。Now, returning to FIG. 9, the data lines 6a and the scanning lines 3 are provided along the vertical and horizontal boundaries of the region where the reflective electrode 9 is formed.
a and the capacitance line 300 are formed, and the TFT 30 is connected to the data line 6a and the capacitance line 300. That is, the data line 6a is connected to the TF via the contact hole
It is electrically connected to the high-concentration source region 1d of T30, and the transparent electrode 8 is electrically connected to the high-concentration drain region 1e of the TFT 30 through the contact hole 15 and the source line 6b. In addition, the channel region 1a of the TFT 30
The scanning line 3a extends so as to face ‘
【0089】なお、蓄積容量70は、画素スイッチング
用のTFT30を形成するための半導体膜1の延設部分
1fを導電化したものを下部電極とし、この下部電極
に、走査線3aと同層の容量線300が上部電極として
重なった構造になっている。In the storage capacitor 70, a conductive material is formed in the extended portion 1f of the semiconductor film 1 for forming the TFT 30 for pixel switching as a lower electrode, and this lower electrode has the same layer as the scanning line 3a. The capacitor line 300 has a structure in which it overlaps as an upper electrode.
【0090】ちなみに、本実施形態では特に、既に図3
乃至図5等を参照して述べたように、反射電極9の角部
に対応する位置に、柱状スペーサ401が設けられてい
ることに特徴がある(図9参照)。By the way, in this embodiment, in particular, FIG.
As described above with reference to FIGS. 5A to 5C, the columnar spacers 401 are provided at positions corresponding to the corners of the reflective electrode 9 (see FIG. 9).
【0091】なお、図10においては上記のほか、TF
Tアレイ基板10上に、厚さが100〜500nmのシ
リコン酸化膜(絶縁膜)からなる下地保護膜111が形
成され、この下地保護膜111とTFT30の上に、厚
さが300〜800nmのシリコン酸化膜からなる第1
層間絶縁膜4、更に、この第1層間絶縁膜4の上に厚さ
が100〜800nmのシリコン窒化膜からなる第2層
間絶縁膜5(表面保護膜)等が形成されている。ただ
し、場合により、この第2層間絶縁膜5は、形成してな
くてもよい。また、TFTアレイ基板10側には、その
最上層として、配向膜16が形成されている。その他、
図10においては、各種構成要素を電気的に接続するコ
ンタクトホール等が設けられる。一方、対向基板20側
には、画素100a間のいわば隙間を縫うように延在す
る遮光膜23、基板全面に形成された対向電極21及び
配向膜22が、この順に積層するように形成されてい
る。In FIG. 10, in addition to the above, TF
A base protective film 111 made of a silicon oxide film (insulating film) having a thickness of 100 to 500 nm is formed on the T array substrate 10, and silicon having a thickness of 300 to 800 nm is formed on the base protective film 111 and the TFT 30. First made of oxide film
An interlayer insulating film 4 is further formed, and a second interlayer insulating film 5 (surface protection film) made of a silicon nitride film having a thickness of 100 to 800 nm is formed on the first interlayer insulating film 4. However, in some cases, the second interlayer insulating film 5 may not be formed. An alignment film 16 is formed as the uppermost layer on the TFT array substrate 10 side. Other,
In FIG. 10, contact holes and the like for electrically connecting various components are provided. On the other hand, on the counter substrate 20 side, a light shielding film 23 extending so as to sew a gap between the pixels 100a, a counter electrode 21 and an alignment film 22 formed on the entire surface of the substrate are formed so as to be stacked in this order. There is.
【0092】(電子機器)このように構成された電気光
学装置は、各種の電子機器の表示部として用いることが
できるが、その一例を、図11〜図13を参照しつつ具
体的に説明する。(Electronic Device) The electro-optical device configured as described above can be used as a display portion of various electronic devices, and one example thereof will be specifically described with reference to FIGS. 11 to 13. .
【0093】図11は、本発明に係る電気光学装置を表
示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック
図である。FIG. 11 is a block diagram showing a circuit configuration of an electronic device using the electro-optical device according to the present invention as a display device.
【0094】図11において、電子機器は、表示情報出
力原77、表示情報処理回路71、電源回路72、タイ
ミングジェネレータ73及び液晶表示装置74を有す
る。また、液晶表示装置74は、液晶表示パネル75及
び駆動回路76を有する。液晶装置74としては、前述
した電気光学装置を用いることができる。In FIG. 11, the electronic equipment has a display information output source 77, a display information processing circuit 71, a power supply circuit 72, a timing generator 73, and a liquid crystal display device 74. The liquid crystal display device 74 also includes a liquid crystal display panel 75 and a drive circuit 76. As the liquid crystal device 74, the electro-optical device described above can be used.
【0095】表示情報出力原77は、ROM(Read Onl
y Memory)、RAM(Random Access Memory)等のよう
なメモリ、各種ディスク等のストレージユニット、デジ
タル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミ
ングジェネレータ73によって生成された各種のクロッ
ク信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等のよ
うな表示情報を、表示情報処理回路71に供給する。The display information output source 77 is a ROM (Read Onl
y memory), a memory such as RAM (Random Access Memory), a storage unit such as various disks, a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal, and the like, based on various clock signals generated by the timing generator 73. Display information such as an image signal in a predetermined format is supplied to the display information processing circuit 71.
【0096】表示情報処理回路71は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等のような周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号CLKとともに駆動回路76
へ供給する。電源回路72は、各構成要素に所定の電圧
を供給する。The display information processing circuit 71 is provided with various known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, a clamp circuit, etc., and executes processing of input display information. The image signal together with the clock signal CLK.
Supply to. The power supply circuit 72 supplies a predetermined voltage to each component.
【0097】図12は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ80は、キ
ーボード81を備えた本体部82と、液晶表示ユニット
83とを有する。液晶表示ユニット83は、前述した電
気光学装置100を含んで構成される。FIG. 12 shows a mobile personal computer which is an embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. The personal computer 80 shown here has a main body 82 having a keyboard 81, and a liquid crystal display unit 83. The liquid crystal display unit 83 includes the electro-optical device 100 described above.
【0098】図13は、他の電子機器である携帯電話機
を示している。ここに示す携帯電話機90は、複数の操
作ボタン91と、前述した電気光学装置100からなる
表示部とを有している。FIG. 13 shows a mobile phone which is another electronic device. The mobile phone 90 shown here has a plurality of operation buttons 91 and a display unit including the electro-optical device 100 described above.
【0099】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可
能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子
機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものであ
る。The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be appropriately modified within the scope of the gist or the concept of the invention which can be read from the claims and the entire specification, and accompanying such modifications. Electro-optical devices and electronic devices are also included in the technical scope of the present invention.
【図1】 本発明の実施形態の電気光学装置におけるT
FTアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とと
もに対向基板の側から見た平面図である。FIG. 1 illustrates a T in an electro-optical device according to an embodiment of the invention.
It is the top view which looked at an FT array substrate from the counter substrate side with each component formed on it.
【図2】 図1のH−H´断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line HH ′ of FIG.
【図3】 本発明の実施形態に係る柱状スペーサの配置
態様を観念的に示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view conceptually showing an arrangement mode of columnar spacers according to the embodiment of the present invention.
【図4】 上下導通材付近以外の領域における柱状スペ
ーサの配置態様を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing an arrangement mode of columnar spacers in a region other than the vicinity of the upper and lower conducting members.
【図5】 上下導通材付近の領域における柱状スペーサ
の配置態様を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing an arrangement mode of columnar spacers in a region near the upper and lower conducting members.
【図6】 図3とは異なる柱状スペーサの配置態様を観
念的に示す説明図であって、図3とは、柱状スペーサが
より疎に配置されるべき領域が扇形状となる点について
異なるものである。FIG. 6 is an explanatory view conceptually showing an arrangement mode of columnar spacers different from FIG. 3, and is different from FIG. 3 in that the regions where the columnar spacers should be arranged more sparsely are fan-shaped. Is.
【図7】 柱状スペーサの各種変形形態を示す断面図で
ある。FIG. 7 is a cross-sectional view showing various modifications of the columnar spacer.
【図8】 本発明の実施形態の電気光学装置における画
像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設け
られた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図であ
る。FIG. 8 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of various elements, wirings, etc. provided in a plurality of pixels in a matrix forming an image display area in the electro-optical device according to the embodiment of the present invention.
【図9】 TFTアレイ基板の相互に隣接する複数の画
素群の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate.
【図10】 図9のA−A´線断面図である。10 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
【図11】 本発明に係る電気光学装置を表示装置とし
て用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。FIG. 11 is a block diagram showing a circuit configuration of an electronic device using the electro-optical device according to the invention as a display device.
【図12】 本発明に係る電気光学装置を用いた電子機
器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ
を示す説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram showing a mobile personal computer as an example of an electronic apparatus using the electro-optical device according to the invention.
【図13】 本発明に係る電気光学装置を用いた電子機
器の他の例としての携帯電話機の説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of a mobile phone as another example of an electronic apparatus using the electro-optical device according to the invention.
9a…画素電極 10…TFTアレイ基板 10a…画像表示領域 20…対向基板 21…対向電極 23…遮光膜 50…液晶層 52…シール材 52a…液晶注入口 54…封止材 401…柱状スペーサ 501…四辺形状領域 502…(四辺形領域以外の)領域 503…扇形状領域 503…(扇形状領域以外の)領域 601…交差部 601a…交差部の左上隅部 3a…走査線 6a…データ線 30…TFT 50…液晶層 70…蓄積容量 106…上下導通材 9a ... Pixel electrode 10 ... TFT array substrate 10a ... Image display area 20 ... Counter substrate 21 ... Counter electrode 23 ... Shading film 50 ... Liquid crystal layer 52 ... Sealing material 52a ... Liquid crystal inlet 54 ... Sealing material 401 ... Columnar spacer 501 ... Quadrilateral area 502 ... Area (other than quadrilateral area) 503 ... fan-shaped area 503 ... Area (other than fan-shaped area) 601 ... intersection 601a ... The upper left corner of the intersection 3a ... scanning line 6a ... Data line 30 ... TFT 50 ... Liquid crystal layer 70 ... Storage capacity 106 ... Top and bottom conductive material
フロントページの続き Fターム(参考) 2H089 KA17 LA04 LA09 LA16 LA19 LA20 MA07Z PA06 PA08 PA12 QA03 QA12 QA13 QA14 2H092 HA05 JA25 JA29 JA38 JA42 JA46 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA37 NA01 NA14 NA15 NA25 NA29 Continued front page F-term (reference) 2H089 KA17 LA04 LA09 LA16 LA19 LA20 MA07Z PA06 PA08 PA12 QA03 QA12 QA13 QA14 2H092 HA05 JA25 JA29 JA38 JA42 JA46 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA37 NA01 NA14 NA15 NA25 NA29
Claims (7)
と、 前記一対の基板間の電気的な導通を図る導通材と、 前記一対の基板の互いに対向する側の面内に点在するよ
う複数配置されており、かつ、前記面内において、前記
導通材付近ではより疎に、前記導通材付近以外ではより
密に配置された柱状スペーサとを備えていることを特徴
とする電気光学装置。1. A pair of substrates sandwiching an electro-optical material, a conductive material for electrically conducting the pair of substrates, and scattered on the surfaces of the pair of substrates facing each other. And the columnar spacers are arranged more sparsely in the vicinity of the conductive material and denser in areas other than the conductive material in the plane. .
ペーサは、 前記面内において該導通材を中心とした半円形状又は扇
形状の領域内で、より疎に配置されていることを特徴と
する請求項1に記載の電気光学装置。2. The columnar spacers arranged in the vicinity of the conducting material are more sparsely arranged in a semicircular or fan-shaped region centered on the conducting material in the plane. The electro-optical device according to claim 1.
は、マトリクス状に配列された画素電極及び該画素電極
の各々に接続されたスイッチング素子を備えるととも
に、その他方たる第2基板及び前記第1基板の少なくと
も一方の上には、前記マトリクス状に対応した遮光膜を
備え、 前記柱状スペーサは、前記遮光膜の幅の範囲内に配置さ
れていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気
光学装置。3. A first substrate, which is one of the pair of substrates, includes pixel electrodes arranged in a matrix and switching elements connected to each of the pixel electrodes, and a second substrate, which is the other one. The light shielding film corresponding to the matrix is provided on at least one of the first substrates, and the columnar spacers are arranged within a width range of the light shielding film. 2. The electro-optical device according to item 2.
学物質に対向する側に形成される配向膜を更に備え、 前記柱状スペーサは、 前記マトリクス状に対応した遮光領域における交差部内
の隅部に配置されていることを特徴とする請求項1乃至
3のいずれか一項に記載の電気光学装置。4. An alignment film formed on the side of each of the pair of substrates facing the electro-optical material is further provided, wherein the columnar spacers are provided at corners within intersections in the light-shielding regions corresponding to the matrix. The electro-optical device according to any one of claims 1 to 3, wherein the electro-optical device is arranged.
が配置された方に、ラビング処理が施された配向膜を更
に備え、 前記隅部は、前記柱状スペーサが配置された方の基板上
において、前記交差部内における前記ラビング方向の上
流側の隅に位置することを特徴とする請求項4に記載の
電気光学装置。5. The one of the pair of substrates, on which the columnar spacers are arranged, is further provided with an alignment film subjected to a rubbing treatment, and the corners are on the substrate on which the columnar spacers are arranged. The electro-optical device according to claim 4, wherein the electro-optical device is located at a corner on the upstream side in the rubbing direction in the intersection.
包囲するシール材を更に備えており、 前記導通材は、前記電気光学物質を基準にして前記シー
ル材の外側において、前記シール材の四隅に配置されて
いることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に
記載の電気光学装置。6. A sealing material surrounding the electro-optical material between the pair of substrates is further provided, and the conductive material is provided on the outer side of the sealing material based on the electro-optical material. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device is arranged at four corners.
電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機
器。7. An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1. Description:
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (1)
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- 2002-02-27 JP JP2002052387A patent/JP2003255354A/en not_active Withdrawn
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