JP2003133158A - 電子部品、端子電極材料ペースト及び電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品、端子電極材料ペースト及び電子部品の製造方法Info
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- JP2003133158A JP2003133158A JP2001332786A JP2001332786A JP2003133158A JP 2003133158 A JP2003133158 A JP 2003133158A JP 2001332786 A JP2001332786 A JP 2001332786A JP 2001332786 A JP2001332786 A JP 2001332786A JP 2003133158 A JP2003133158 A JP 2003133158A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】十分な端子強度を持つ電子部品を提供する。
【解決手段】端子電極２、３はセラミック素体１に焼付
けられた電極である。端子電極２、３は、第１の金属成
分と、第２の金属成分と、ガラス成分とを含む。第１の
金属成分は、融点が第２の金属成分の融点よりも低い。
ガラス成分は、軟化点が前記第２の金属成分の融点より
も低い。
けられた電極である。端子電極２、３は、第１の金属成
分と、第２の金属成分と、ガラス成分とを含む。第１の
金属成分は、融点が第２の金属成分の融点よりも低い。
ガラス成分は、軟化点が前記第２の金属成分の融点より
も低い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品、端子電
極材料ペースト及び電子部品の製造方法に関する。
極材料ペースト及び電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、セラミックコンデンサ等各種の
電子部品は、セラミック素体に回路要素が構成され、回
路要素の引出し電極、外部電極となる端子電極がセラミ
ック素体に焼付けられて形成されている。セラミック素
体に対する端子電極の端子接着強度が不足すると端子電
極がセラミック素体から剥がれるという問題が生ずるの
で、端子電極には端子接着強度が必要である。
電子部品は、セラミック素体に回路要素が構成され、回
路要素の引出し電極、外部電極となる端子電極がセラミ
ック素体に焼付けられて形成されている。セラミック素
体に対する端子電極の端子接着強度が不足すると端子電
極がセラミック素体から剥がれるという問題が生ずるの
で、端子電極には端子接着強度が必要である。
【０００３】また、端子電極の緻密性が不足した場合に
は、端子電極に空隙が生じ、端子電極を形成した後のめ
っき工程において、空隙にめっき液が侵入し、はんだ付
けの際に端子電極が破壊するという問題が生ずる。ま
た、めっき液が空隙を通って、セラミックコンデンサの
内部電極にまで到達し、セラミックコンデンサの電気特
性が劣化し易く、製品歩留まりの悪化を招くという問題
も生ずる。そのため、セラミックコンデンサの端子電極
には緻密性も要求される。
は、端子電極に空隙が生じ、端子電極を形成した後のめ
っき工程において、空隙にめっき液が侵入し、はんだ付
けの際に端子電極が破壊するという問題が生ずる。ま
た、めっき液が空隙を通って、セラミックコンデンサの
内部電極にまで到達し、セラミックコンデンサの電気特
性が劣化し易く、製品歩留まりの悪化を招くという問題
も生ずる。そのため、セラミックコンデンサの端子電極
には緻密性も要求される。
【０００４】端子接着強度と緻密性を改善する手段とし
て、米国特許第３９２２３８７号明細書においては、端
子電極を７５０〜９５０℃という高温で焼付けて形成す
る技術を開示している。
て、米国特許第３９２２３８７号明細書においては、端
子電極を７５０〜９５０℃という高温で焼付けて形成す
る技術を開示している。
【０００５】しかし、端子電極を高温で焼付けて形成し
た場合には、はんだ付け時などに加える熱や、セラミッ
クコンデンサを実装した回路基板の反りや曲げなどによ
り、セラミック素体にクラックが生じ易くなるという問
題が生ずる。
た場合には、はんだ付け時などに加える熱や、セラミッ
クコンデンサを実装した回路基板の反りや曲げなどによ
り、セラミック素体にクラックが生じ易くなるという問
題が生ずる。
【０００６】しかも、端子電極を７５０〜９５０℃とい
う高温で焼付けて形成する必要があるため、エネルギー
コスト高を招くという問題点も生ずる。
う高温で焼付けて形成する必要があるため、エネルギー
コスト高を招くという問題点も生ずる。
【０００７】端子電極を高温で焼付けることから生ずる
問題点を改善する手段として、例えば、特開平８−１８
６０４９号公報は、低融点ガラス成分を含む端子電極材
料ペーストを用いて比較的低温で焼付けを行う技術を開
示している。特開平８−１８６０４９号公報に開示され
た技術を用いて実験をしたところ、銅端子電極を６５０
〜７８０℃という比較的低温で焼付けることができた。
しかし、この比較的低温で焼付けて形成された端子電極
は、燒結密度が６０〜７０％となり、緻密性が十分でな
い。
問題点を改善する手段として、例えば、特開平８−１８
６０４９号公報は、低融点ガラス成分を含む端子電極材
料ペーストを用いて比較的低温で焼付けを行う技術を開
示している。特開平８−１８６０４９号公報に開示され
た技術を用いて実験をしたところ、銅端子電極を６５０
〜７８０℃という比較的低温で焼付けることができた。
しかし、この比較的低温で焼付けて形成された端子電極
は、燒結密度が６０〜７０％となり、緻密性が十分でな
い。
【０００８】また、特開平８−１８６０４９号公報に開
示された技術を用いた場合でも、低温、例えば５００℃
以下での焼付けは不可能であった。例えば、Ｐ2Ｏ5系ガ
ラスを含む銅端子電極を５００℃で焼付けた場合は、端
子が剥がれ、端子接着強度の測定ができなかった。
示された技術を用いた場合でも、低温、例えば５００℃
以下での焼付けは不可能であった。例えば、Ｐ2Ｏ5系ガ
ラスを含む銅端子電極を５００℃で焼付けた場合は、端
子が剥がれ、端子接着強度の測定ができなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、十分
な端子接着強度を持つ電子部品、この電子部品の製造に
直接用いられる端子電極材料ペースト、及び、この電子
部品の製造に適した製造方法を提供することである。
な端子接着強度を持つ電子部品、この電子部品の製造に
直接用いられる端子電極材料ペースト、及び、この電子
部品の製造に適した製造方法を提供することである。
【００１０】本発明のもう一つの課題は、緻密な端子電
極を持つ電子部品、この電子部品の製造に直接用いられ
る端子電極材料ペースト、及び、この電子部品の製造に
適した製造方法を提供することである。
極を持つ電子部品、この電子部品の製造に直接用いられ
る端子電極材料ペースト、及び、この電子部品の製造に
適した製造方法を提供することである。
【００１１】本発明の更にもう一つの課題は、低温で焼
付けることにより緻密な端子電極を形成できる端子電極
材料ペーストを提供することである。
付けることにより緻密な端子電極を形成できる端子電極
材料ペーストを提供することである。
【００１２】本発明の更にもう一つの課題は、低温で焼
付けられた緻密な端子電極を持つ電子部品の製造方法を
提供することである。
付けられた緻密な端子電極を持つ電子部品の製造方法を
提供することである。
【００１３】本発明の更にもう一つの課題は、端子電極
にめっきを施した場合における製品歩留まりの向上を実
現することができる電子部品、この電子部品の製造に直
接用いられる端子電極材料ペースト、及び、この電子部
品の製造に適した製造方法を提供することである。
にめっきを施した場合における製品歩留まりの向上を実
現することができる電子部品、この電子部品の製造に直
接用いられる端子電極材料ペースト、及び、この電子部
品の製造に適した製造方法を提供することである。
【００１４】本発明の更にもう一つの課題は、エネルギ
ーコストの低減を実現することができる電子部品、この
電子部品の製造に直接用いられる端子電極材料ペース
ト、及び、この電子部品の製造に適した製造方法を提供
することである。
ーコストの低減を実現することができる電子部品、この
電子部品の製造に直接用いられる端子電極材料ペース
ト、及び、この電子部品の製造に適した製造方法を提供
することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係る電子部品は、セラミック素体と、端
子電極とを含む。端子電極は、セラミック素体に焼付け
られた電極であり、第１の金属成分と、第２の金属成分
と、ガラス成分とを含む。第１の金属成分は、融点が第
２の金属成分の融点よりも低い。ガラス成分は、軟化点
が第２の金属成分の融点よりも低い。
ため、本発明に係る電子部品は、セラミック素体と、端
子電極とを含む。端子電極は、セラミック素体に焼付け
られた電極であり、第１の金属成分と、第２の金属成分
と、ガラス成分とを含む。第１の金属成分は、融点が第
２の金属成分の融点よりも低い。ガラス成分は、軟化点
が第２の金属成分の融点よりも低い。
【００１６】上述した電子部品の製造に当たっては、端
子電極の焼付け温度を、第１の金属成分の融点よりも高
く、かつ、第２の金属成分の融点よりも低く、かつ、ガ
ラス成分の軟化点よりも高くする。
子電極の焼付け温度を、第１の金属成分の融点よりも高
く、かつ、第２の金属成分の融点よりも低く、かつ、ガ
ラス成分の軟化点よりも高くする。
【００１７】本発明に係る電子部品において、第２の金
属成分は、融点が焼付け温度よりも高いから、溶融しな
い。第１の金属成分は、融点が焼付け温度よりも低いか
ら溶融し、第２の金属成分の周囲を覆い、拡散により合
金化が進み、均一な組成になる。ガラス成分は、軟化点
が焼付け温度よりも低いから溶融し、セラミック素体と
合金とに結合し、ガラス素体と端子電極とを確実に結合
する。
属成分は、融点が焼付け温度よりも高いから、溶融しな
い。第１の金属成分は、融点が焼付け温度よりも低いか
ら溶融し、第２の金属成分の周囲を覆い、拡散により合
金化が進み、均一な組成になる。ガラス成分は、軟化点
が焼付け温度よりも低いから溶融し、セラミック素体と
合金とに結合し、ガラス素体と端子電極とを確実に結合
する。
【００１８】ガラスの状態変化により緻密化される従来
の手法とは異なり、本発明においては、金属同士の合金
化により端子電極が緻密化される。このため、端子電極
がより緻密な構造となり、端子電極にめっきを施した場
合における製品歩留まりが向上する。
の手法とは異なり、本発明においては、金属同士の合金
化により端子電極が緻密化される。このため、端子電極
がより緻密な構造となり、端子電極にめっきを施した場
合における製品歩留まりが向上する。
【００１９】また、第１の金属成分と第２の金属成分と
の合金の融点（以下合金化融点と称する）は、第１の金
属成分の融点よりも高くなる。このため、当該電子部品
を、部品実装基板に実装する際に採用されるリフロー工
程において、端子接着強度が低下することがなく、緻密
性が低下することもない。
の合金の融点（以下合金化融点と称する）は、第１の金
属成分の融点よりも高くなる。このため、当該電子部品
を、部品実装基板に実装する際に採用されるリフロー工
程において、端子接着強度が低下することがなく、緻密
性が低下することもない。
【００２０】しかも、端子電極材料ペーストを低温で焼
付けることができる。このため、エネルギーコストが低
減される。
付けることができる。このため、エネルギーコストが低
減される。
【００２１】第１の金属成分と、第２の金属成分との組
み合わせ、及び、組成比等は、第１の金属成分と第２の
金属成分の組み合わせ毎に、既に知られた状態図を参照
して、適切に選択することができる。
み合わせ、及び、組成比等は、第１の金属成分と第２の
金属成分の組み合わせ毎に、既に知られた状態図を参照
して、適切に選択することができる。
【００２２】本発明は、更に、上述した電子部品の製造
に直接用いられる端子電極材料ペースト、及び、電子部
品の製造方法についても開示する。
に直接用いられる端子電極材料ペースト、及び、電子部
品の製造方法についても開示する。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る電子部品の一
実施例を示す正面図であり、図２は、図１に示した電子
部品の正面断面図である。図１及び図２に図示された電
子部品は、セラミック素体１と、一対の端子電極２、３
とを含む。セラミック素体１は、誘電体、磁性体、絶縁
体などのセラミック材料を含み、回路要素が構成されて
いる。本実施例に示した電子部品は、チップ状のセラミ
ックコンデンサであり、セラミック素体１は、セラミッ
ク誘電体基体１００の内部に多数（例えば１００層）の
内部電極１０１、１０２を有する。
実施例を示す正面図であり、図２は、図１に示した電子
部品の正面断面図である。図１及び図２に図示された電
子部品は、セラミック素体１と、一対の端子電極２、３
とを含む。セラミック素体１は、誘電体、磁性体、絶縁
体などのセラミック材料を含み、回路要素が構成されて
いる。本実施例に示した電子部品は、チップ状のセラミ
ックコンデンサであり、セラミック素体１は、セラミッ
ク誘電体基体１００の内部に多数（例えば１００層）の
内部電極１０１、１０２を有する。
【００２４】内部電極１０１は一端がセラミック素体１
の長さ方向において相対する両側端面１１、１２の一方
側端面１１に引き出され、他端が自由端になっている。
内部電極１０２は一端がセラミック素体１の他方側端面
１２に引き出され、他端が自由端になっている。
の長さ方向において相対する両側端面１１、１２の一方
側端面１１に引き出され、他端が自由端になっている。
内部電極１０２は一端がセラミック素体１の他方側端面
１２に引き出され、他端が自由端になっている。
【００２５】セラミック誘電体基体１００及び内部電極
１０１、１０２の構成材料およびその製造方法等は周知
である。典型的な例では、セラミック素体１は、鉛系複
合ペロブスカイトのセラミック誘電体基体１００の内部
にＡｇーＰｄよりなる内部電極１０１、１０２を有す
る。
１０１、１０２の構成材料およびその製造方法等は周知
である。典型的な例では、セラミック素体１は、鉛系複
合ペロブスカイトのセラミック誘電体基体１００の内部
にＡｇーＰｄよりなる内部電極１０１、１０２を有す
る。
【００２６】端子電極２、３は、セラミック素体１の側
端面１１、１２に焼付けられた電極であり、第１の金属
成分と、第２の金属成分と、ガラス成分とを含む。第１
の金属成分は、融点が第２の金属成分の融点よりも低
い。ガラス成分は、軟化点が第２の金属成分の融点より
も低く、セラミック素体１と第１の金属成分と第２の金
属成分とに結合されている。
端面１１、１２に焼付けられた電極であり、第１の金属
成分と、第２の金属成分と、ガラス成分とを含む。第１
の金属成分は、融点が第２の金属成分の融点よりも低
い。ガラス成分は、軟化点が第２の金属成分の融点より
も低く、セラミック素体１と第１の金属成分と第２の金
属成分とに結合されている。
【００２７】第１の金属成分としては、Ｓｎ、またはＳ
ｎを含む合金（Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ、
Ｓｎ−５１Ｉｎ、Ｓｎ−５８Ｂｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ
−１０Ｓｂ、Ｓｎ−１０ＡｕまたはＳｎ−９Ｚｎから選
択された少なくとも一種）を用いることが好ましいが、
これら組成に限定されるものではない。
ｎを含む合金（Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ、
Ｓｎ−５１Ｉｎ、Ｓｎ−５８Ｂｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ
−１０Ｓｂ、Ｓｎ−１０ＡｕまたはＳｎ−９Ｚｎから選
択された少なくとも一種）を用いることが好ましいが、
これら組成に限定されるものではない。
【００２８】第２の金属成分としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓ
ｂ、Ａｕ、ＮｉまたはＺｎから選択された少なくとも一
種を用いることができる。ガラス成分としては、Ｐ2Ｏ5
系、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系またはＴｌ2Ｏ3系ガラスを用
いることができる。
ｂ、Ａｕ、ＮｉまたはＺｎから選択された少なくとも一
種を用いることができる。ガラス成分としては、Ｐ2Ｏ5
系、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系またはＴｌ2Ｏ3系ガラスを用
いることができる。
【００２９】上述した電子部品の製造に当っては、ま
ず、端子電極材料ペーストを用意する。端子電極材料ペ
ーストは、第１の金属成分と、第２の金属成分と、ガラ
ス成分とを含む。更に具体的には、端子電極材料ペース
トにおいては、第１の金属成分、第２の金属成分及びガ
ラス成分は粉状であり、これらは、有機結合材及び有機
溶剤と混合され、ペースト化されている。
ず、端子電極材料ペーストを用意する。端子電極材料ペ
ーストは、第１の金属成分と、第２の金属成分と、ガラ
ス成分とを含む。更に具体的には、端子電極材料ペース
トにおいては、第１の金属成分、第２の金属成分及びガ
ラス成分は粉状であり、これらは、有機結合材及び有機
溶剤と混合され、ペースト化されている。
【００３０】次に、端子電極材料ペーストをセラミック
素体１に塗布し、端子電極材料ペーストをセラミック素
体１に焼付け、端子電極２、３を形成する。この焼付け
に当たっては、焼付け温度を、第１の金属成分の融点よ
りも高く、かつ、第２の金属成分の融点よりも低く、か
つ、ガラス成分の軟化点よりも高くする。そして、必要
に応じて、端子電極２、３にめっきを施す。
素体１に塗布し、端子電極材料ペーストをセラミック素
体１に焼付け、端子電極２、３を形成する。この焼付け
に当たっては、焼付け温度を、第１の金属成分の融点よ
りも高く、かつ、第２の金属成分の融点よりも低く、か
つ、ガラス成分の軟化点よりも高くする。そして、必要
に応じて、端子電極２、３にめっきを施す。
【００３１】上述したように、本発明に係る電子部品に
おいて、第２の金属成分は、融点が焼付け温度よりも高
いから、溶融しない。第１の金属成分は、融点が焼付け
温度よりも低いから溶融し、第２の金属成分の周囲を覆
い、拡散により合金化が進み、均一な組成になる。ガラ
ス成分は、軟化点が焼付け温度よりも低いから溶融し、
セラミック素体１と合金とに結合し、セラミック素体１
と端子電極２、３とを確実に結合する。
おいて、第２の金属成分は、融点が焼付け温度よりも高
いから、溶融しない。第１の金属成分は、融点が焼付け
温度よりも低いから溶融し、第２の金属成分の周囲を覆
い、拡散により合金化が進み、均一な組成になる。ガラ
ス成分は、軟化点が焼付け温度よりも低いから溶融し、
セラミック素体１と合金とに結合し、セラミック素体１
と端子電極２、３とを確実に結合する。
【００３２】ここで、ガラスの状態変化により緻密化さ
れる従来の手法とは異なり、本発明においては、端子電
極２、３が金属同士の合金化により緻密化される。この
ため、端子電極２、３がより緻密な構造となり、端子電
極２、３にめっきを施した場合における製品歩留まりが
向上する。
れる従来の手法とは異なり、本発明においては、端子電
極２、３が金属同士の合金化により緻密化される。この
ため、端子電極２、３がより緻密な構造となり、端子電
極２、３にめっきを施した場合における製品歩留まりが
向上する。
【００３３】また、第１の金属成分と第２の金属成分と
の合金の融点は、第１の金属成分の融点よりも高くな
る。このため、当該電子部品を、部品実装基板に実装す
る際に採用されるリフロー工程において、端子接着強度
が低下することがなく、緻密性が低下することもない。
の合金の融点は、第１の金属成分の融点よりも高くな
る。このため、当該電子部品を、部品実装基板に実装す
る際に採用されるリフロー工程において、端子接着強度
が低下することがなく、緻密性が低下することもない。
【００３４】しかも、第１の金属成分が低融点の金属で
あるので、端子電極材料ペーストを低温で焼付けること
ができる。このため、エネルギーコストが低減される。
あるので、端子電極材料ペーストを低温で焼付けること
ができる。このため、エネルギーコストが低減される。
【００３５】また、ガラス成分を確実に軟化させ、セラ
ミック素体１と端子電極２、３とを確実に結合させるた
めに、合金化融点をガラス成分の軟化点よりも大幅に高
くすることもできる。
ミック素体１と端子電極２、３とを確実に結合させるた
めに、合金化融点をガラス成分の軟化点よりも大幅に高
くすることもできる。
【００３６】次に、端子電極材料ペーストの焼付けに当
り、焼付け温度を５００℃とし、第１の金属成分として
Ｓｎ、第２の金属成分としてＡｇ、ガラス成分としてＰ
2Ｏ5系ガラスを選択した場合を例にとって具体的に説明
する。
り、焼付け温度を５００℃とし、第１の金属成分として
Ｓｎ、第２の金属成分としてＡｇ、ガラス成分としてＰ
2Ｏ5系ガラスを選択した場合を例にとって具体的に説明
する。
【００３７】図３は理化学辞典等から援用したＡｇーＳ
ｎの状態図である。図３において、網掛けをした領域が
固相領域、固相領域に隣接する領域が固相及び液相の混
ざった領域、この領域に接する領域が液相（溶融領域）
である。第１の金属成分Ｓｎの割合が１００ｗｔ％、即
ち、Ｓｎのみの場合は、その融点２３２℃で溶融する。
第２の金属成分Ａｇの割合が１００ｗｔ％の場合、即
ち、Ａｇのみの場合は、その融点９６０．５℃で溶融す
る。
ｎの状態図である。図３において、網掛けをした領域が
固相領域、固相領域に隣接する領域が固相及び液相の混
ざった領域、この領域に接する領域が液相（溶融領域）
である。第１の金属成分Ｓｎの割合が１００ｗｔ％、即
ち、Ｓｎのみの場合は、その融点２３２℃で溶融する。
第２の金属成分Ａｇの割合が１００ｗｔ％の場合、即
ち、Ａｇのみの場合は、その融点９６０．５℃で溶融す
る。
【００３８】５００℃で端子電極材料ペーストの焼付け
を行うに当り、第１の金属成分Ｓｎ及び第２の金属成分
Ａｇの２成分系端子電極２、３が、液相及び固相の混じ
った相となるように、第１の金属成分Ｓｎ及び第２の金
属成分Ａｇの割合を選択する。そのような割合の範囲
は、図３の状態図において、第１の金属成分Ｓｎの割合
が５ｗｔ％〜２６ｗｔ％以下となる範囲である。第１の
金属成分Ｓｎの割合が２６ｗｔ％より多くなると、第２
の金属成分Ａｇが少ないために、２２１℃の固相線をも
つ金属となる。
を行うに当り、第１の金属成分Ｓｎ及び第２の金属成分
Ａｇの２成分系端子電極２、３が、液相及び固相の混じ
った相となるように、第１の金属成分Ｓｎ及び第２の金
属成分Ａｇの割合を選択する。そのような割合の範囲
は、図３の状態図において、第１の金属成分Ｓｎの割合
が５ｗｔ％〜２６ｗｔ％以下となる範囲である。第１の
金属成分Ｓｎの割合が２６ｗｔ％より多くなると、第２
の金属成分Ａｇが少ないために、２２１℃の固相線をも
つ金属となる。
【００３９】本実施例にかかる電子部品の製造に当たっ
ては、まず、上記割合の第１の金属成分Ｓｎの粉末と、
第２の金属成分Ａｇの粉末と、ガラス成分Ｐ2Ｏ5系ガラ
スの粉末とを有機結合剤及び有機溶剤に混合して、ペー
スト状の端子電極材料ペーストを調整する。この端子電
極材料ペーストは、第１の金属成分Ｓｎの粒子と第２の
金属成分Ａｇの粒子とが混在している。
ては、まず、上記割合の第１の金属成分Ｓｎの粉末と、
第２の金属成分Ａｇの粉末と、ガラス成分Ｐ2Ｏ5系ガラ
スの粉末とを有機結合剤及び有機溶剤に混合して、ペー
スト状の端子電極材料ペーストを調整する。この端子電
極材料ペーストは、第１の金属成分Ｓｎの粒子と第２の
金属成分Ａｇの粒子とが混在している。
【００４０】端子電極材料ペーストとしては、２０Ｓｎ
−８０Ａｇに対して、Ｐ2Ｏ5系ガラスを５％程度添加す
ることが好ましい。
−８０Ａｇに対して、Ｐ2Ｏ5系ガラスを５％程度添加す
ることが好ましい。
【００４１】次に、端子電極材料ペーストをセラミック
素体１に塗布し、端子電極材料ペーストをセラミック素
体１に焼付け、端子電極２、３を形成する。この焼付け
に当たっては、焼付け温度を５００℃、即ち、第１の金
属成分の融点よりも高く、かつ、第２の金属成分の融点
よりも低く、かつ、ガラス成分の軟化点よりも高い温度
にする。そして、最後に、端子電極２、３にめっきを施
す。
素体１に塗布し、端子電極材料ペーストをセラミック素
体１に焼付け、端子電極２、３を形成する。この焼付け
に当たっては、焼付け温度を５００℃、即ち、第１の金
属成分の融点よりも高く、かつ、第２の金属成分の融点
よりも低く、かつ、ガラス成分の軟化点よりも高い温度
にする。そして、最後に、端子電極２、３にめっきを施
す。
【００４２】このようにして構成された電子部品は、端
子接着強度が約２．７ｋｇ、めっき後のＩＲ不良率が０
％であった。
子接着強度が約２．７ｋｇ、めっき後のＩＲ不良率が０
％であった。
【００４３】端子電極材料ペーストの焼付け温度、及
び、第１の金属成分の融点に対応した第１の金属成分と
第２の金属成分との組み合わせ、混合割合は、これらの
金属成分について、既に周知である状態図を参照して定
めることができる。例えば、第１の金属成分をＮｉ、第
２の金属成分をＳｎ、ガラス成分をＰ2Ｏ5系ガラスと
し、３０Ｎｉ−７０Ｓｎに対して、Ｐ2Ｏ5系ガラスを５
％程度添加しても、上記実施例と同様の結果が得られ、
端子接着強度が約２．９ｋｇ、めっき後のＩＲ不良率が
０％となる。
び、第１の金属成分の融点に対応した第１の金属成分と
第２の金属成分との組み合わせ、混合割合は、これらの
金属成分について、既に周知である状態図を参照して定
めることができる。例えば、第１の金属成分をＮｉ、第
２の金属成分をＳｎ、ガラス成分をＰ2Ｏ5系ガラスと
し、３０Ｎｉ−７０Ｓｎに対して、Ｐ2Ｏ5系ガラスを５
％程度添加しても、上記実施例と同様の結果が得られ、
端子接着強度が約２．９ｋｇ、めっき後のＩＲ不良率が
０％となる。
【００４４】本発明に係る電子部品の端子電極、端子電
極材料ペーストは、上述した第１の金属成分、第２の成
分及びガラス成分に加えて、更に、第３の金属成分を含
んでいてもよい。前記第３の金属成分は、微量添加物で
あって、Ｐ、Ｓｉ、ＧｅまたはＧａから選択された少な
くとも一種を含むことが望ましい。端子電極材料ペース
トに第３の金属成分を添加した場合には、多元系合金と
なるので拡散速度が大きくなり、合金が均一化しやすく
なる。
極材料ペーストは、上述した第１の金属成分、第２の成
分及びガラス成分に加えて、更に、第３の金属成分を含
んでいてもよい。前記第３の金属成分は、微量添加物で
あって、Ｐ、Ｓｉ、ＧｅまたはＧａから選択された少な
くとも一種を含むことが望ましい。端子電極材料ペース
トに第３の金属成分を添加した場合には、多元系合金と
なるので拡散速度が大きくなり、合金が均一化しやすく
なる。
【００４５】また、本発明に係る電子部品の端子電極
は、セラミック素体の側端面に限らず、セラミック素体
の上面、底面等に設けてもよい。また、セラミック素体
に構成される回路要素は、その内部に限らず、上面、底
面等に構成されていてもよい。そして、電子部品として
は、チップ状のセラミックコンデンサの他に、チップ状
のセラミックインダクタ、チップ状のセラミック−ハイ
ブリッドＩＣなどであってもよい。
は、セラミック素体の側端面に限らず、セラミック素体
の上面、底面等に設けてもよい。また、セラミック素体
に構成される回路要素は、その内部に限らず、上面、底
面等に構成されていてもよい。そして、電子部品として
は、チップ状のセラミックコンデンサの他に、チップ状
のセラミックインダクタ、チップ状のセラミック−ハイ
ブリッドＩＣなどであってもよい。
【００４６】図４は、本発明に係る電子部品の別の実施
例を示す斜視図である。図４においては、図１に現れた
構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号
を付してある。
例を示す斜視図である。図４においては、図１に現れた
構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号
を付してある。
【００４７】図４に図示された電子部品は、セラミック
素体４と、複数の端子電極５１、５２、５３、５４、５
５、５６、５７、５８とを含むチップ状のセラミック−
ハイブリッドＩＣである。セラミック素体４は、セラミ
ックからなる基体４０の内部に電子回路（図示せず）が
構成されている。
素体４と、複数の端子電極５１、５２、５３、５４、５
５、５６、５７、５８とを含むチップ状のセラミック−
ハイブリッドＩＣである。セラミック素体４は、セラミ
ックからなる基体４０の内部に電子回路（図示せず）が
構成されている。
【００４８】端子電極５１、５２、５３、５４、５５、
５６、５７、５８は、第１の金属成分と、第２の金属成
分と、ガラス成分とを含み、焼付けにより基体４０の側
端面４１、４２、４３、４４に結合され、基体４０の内
部に構成された電子回路と電気的に接続されている図４
に示された電子部品のセラミック素体４及び端子電極５
１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８は、図
１〜図３を参照して説明した電子部品と同様の構成を含
む。このため、図４に示された電子部品は、図１〜図３
を参照して説明した電子部品と同様の作用効果を奏する
ことができる。
５６、５７、５８は、第１の金属成分と、第２の金属成
分と、ガラス成分とを含み、焼付けにより基体４０の側
端面４１、４２、４３、４４に結合され、基体４０の内
部に構成された電子回路と電気的に接続されている図４
に示された電子部品のセラミック素体４及び端子電極５
１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８は、図
１〜図３を参照して説明した電子部品と同様の構成を含
む。このため、図４に示された電子部品は、図１〜図３
を参照して説明した電子部品と同様の作用効果を奏する
ことができる。
【００４９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）十分な端子接着強度を持つ電子部品、この電子部
品の製造に直接用いられる端子電極材料ペースト、及
び、この電子部品の製造に適した製造方法を提供するこ
とができる。 （ｂ）緻密な端子電極を持つ電子部品、この電子部品の
製造に直接用いられる端子電極材料ペースト、及び、こ
の電子部品の製造に適した製造方法を提供することがで
きる。 （ｃ）低温で焼付けても緻密な端子電極を形成できる端
子電極材料ペーストを提供することができる。 （ｄ）低温で焼付けられた緻密な端子電極を持つ電子部
品の製造方法を提供することができる。 （ｅ）端子電極にめっきを施した場合における製品歩留
まりの向上を実現することができる電子部品、この電子
部品の製造に直接用いられる端子電極材料ペースト、及
び、この電子部品の製造に適した製造方法を提供するこ
とができる。 （ｆ）エネルギーコストの低減を実現することができる
電子部品、この電子部品の製造に直接用いられる端子電
極材料ペースト、及び、この電子部品の製造に適した製
造方法を提供することができる。
のような効果が得られる。 （ａ）十分な端子接着強度を持つ電子部品、この電子部
品の製造に直接用いられる端子電極材料ペースト、及
び、この電子部品の製造に適した製造方法を提供するこ
とができる。 （ｂ）緻密な端子電極を持つ電子部品、この電子部品の
製造に直接用いられる端子電極材料ペースト、及び、こ
の電子部品の製造に適した製造方法を提供することがで
きる。 （ｃ）低温で焼付けても緻密な端子電極を形成できる端
子電極材料ペーストを提供することができる。 （ｄ）低温で焼付けられた緻密な端子電極を持つ電子部
品の製造方法を提供することができる。 （ｅ）端子電極にめっきを施した場合における製品歩留
まりの向上を実現することができる電子部品、この電子
部品の製造に直接用いられる端子電極材料ペースト、及
び、この電子部品の製造に適した製造方法を提供するこ
とができる。 （ｆ）エネルギーコストの低減を実現することができる
電子部品、この電子部品の製造に直接用いられる端子電
極材料ペースト、及び、この電子部品の製造に適した製
造方法を提供することができる。
【図１】本発明に係る電子部品の一実施例を示す正面図
である。
である。
【図２】図１に示した電子部品の正面断面図である。
【図３】ＡｇーＳｎの状態図である。
【図４】本発明に係る電子部品の別の実施例を示す斜視
図である。
図である。
１ セラミック素体
１００ セラミック誘電体基体
１０１、１０２ 内部電極
２、３ 端子電極
Claims (16)
- 【請求項１】 セラミック素体と、端子電極とを含む電
子部品であって、 前記端子電極は前記セラミック素体に焼付けられた電極
であり、第１の金属成分と、第２の金属成分と、ガラス
成分とを含み、 前記第１の金属成分は、融点が前記第２の金属成分の融
点よりも低く、 前記ガラス成分は、軟化点が前記第２の金属成分の融点
よりも低い電子部品。 - 【請求項２】 請求項１に記載された電子部品であっ
て、 前記第１の金属成分は、融点が前記端子電極の焼付け時
の温度よりも低く、 前記第２の金属成分は、融点が前記端子電極の焼付け時
の温度よりも高く、 前記ガラス成分は、軟化点が前記端子電極の焼付け時の
温度よりも低い電子部品。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載された電子部品で
あって、 前記第１の金属成分と前記第２の金属成分とが合金化さ
れている電子部品。 - 【請求項４】 請求項１ないし３の何れかに記載された
電子部品であって、前記第１の金属成分と前記第２の金
属成分との合金の融点が、前記ガラス成分の軟化点より
も高い電子部品。 - 【請求項５】 請求項１ないし４の何れかに記載された
電子部品であって、 前記第１の金属成分は、Ｓｎ、またはＳｎを含む合金
（Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ、Ｓｎ−５１Ｉ
ｎ、Ｓｎ−５８Ｂｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ−１０Ｓｂ、
Ｓｎ−１０ＡｕまたはＳｎ−９Ｚｎから選択された少な
くとも一種）を含み、 前記第２の金属成分は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ａｕ、Ｎｉ
またはＺｎから選択された少なくとも一種を含む電子部
品。 - 【請求項６】 請求項１ないし５の何れかに記載された
電子部品であって、 前記ガラス成分は、Ｐ2Ｏ5系、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系ま
たはＴｌ2Ｏ3系ガラスである電子部品。 - 【請求項７】 請求項１ないし６の何れかに記載された
電子部品であって、更に、第３の金属成分を含み、前記
第３の金属成分は、微量添加物であって、Ｐ、Ｓｉ、Ｇ
ｅまたはＧａから選択された少なくとも一種を含む電子
部品。 - 【請求項８】 第１の金属成分と、第２の金属成分と、
ガラス成分とを含む端子電極材料ペーストであって、 前記第１の金属成分は、融点が焼付け時の温度よりも低
く、 前記第２の金属成分は、融点が焼付け時の温度よりも高
く、 前記ガラス成分は、軟化点が焼付け時の温度よりも低い
端子電極材料ペースト。 - 【請求項９】 請求項８に記載された端子電極材料ペー
ストであって、 前記第１の金属成分及び前記第２の金属成分及び前記ガ
ラス成分は粉状であり、有機結合材と混合されている端
子電極材料ペースト。 - 【請求項１０】 請求項８又は９に記載された端子電極
材料ペーストであって、 前記第１の金属成分は、Ｓｎ、またはＳｎを含む合金
（Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ、Ｓｎ−５１Ｉ
ｎ、Ｓｎ−５８Ｂｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ−１０Ｓｂ、
Ｓｎ−１０ＡｕまたはＳｎ−９Ｚｎから選択された少な
くとも一種）を含み、 前記第２の金属成分は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ａｕ、Ｎｉ
またはＺｎから選択された少なくとも一種を含む端子電
極材料ペースト。 - 【請求項１１】 請求項８ないし１０の何れかに記載さ
れた端子電極材料ペーストであって、前記ガラス成分
は、Ｐ2Ｏ5系、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系またはＴｌ2Ｏ3系
ガラスである端子電極材料ペースト。 - 【請求項１２】 請求項８ないし１１の何れかに記載さ
れた端子電極材料ペーストであって、 更に、第３の金属成分を含み、前記第３の金属成分は、
微量添加物であって、Ｐ、Ｓｉ、ＧｅまたはＧａから選
択された少なくとも一種を含む端子電極材料ペースト。 - 【請求項１３】 電子部品の製造方法であって、 請求項８ないし１２の何れかに記載された端子電極材料
ペーストをセラミック素体に塗布し、 前記第１の金属成分の融点よりも高く、前記第２の金属
成分の融点よりも低く、前記ガラス成分の軟化点よりも
高い温度で焼付ける工程を含む電子部品の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載された電子部品の製
造方法であって、 前記第１の金属成分は、ＳｎまたはＳｎを含む合金（Ｓ
ｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．７Ｃｕ、Ｓｎ−５１Ｉｎ、
Ｓｎ−５８Ｂｉ、Ｓｎ−５Ｓｂ、Ｓｎ−１０Ｓｂ、Ｓｎ
−１０ＡｕまたはＳｎ−９Ｚｎから選択された少なくと
も一種）を含み、 前記第２の金属成分は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ａｕ、Ｎｉ
またはＺｎから選択された少なくとも一種を含む電子部
品の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１３又は１４に記載された電子
部品の製造方法であって、前記ガラス成分は、Ｐ2Ｏ
5系、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系またはＴｌ2Ｏ3系ガラスで
ある電子部品の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１３ないし１５の何れかに記載
された電子部品の製造方法であって、 更に、第３の金属成分を含み、前記第３の金属成分は、
微量添加物であって、Ｐ、Ｓｉ、ＧｅまたはＧａから選
択された少なくとも一種を含む電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001332786A JP2003133158A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 電子部品、端子電極材料ペースト及び電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001332786A JP2003133158A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 電子部品、端子電極材料ペースト及び電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133158A true JP2003133158A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19148154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001332786A Withdrawn JP2003133158A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 電子部品、端子電極材料ペースト及び電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003133158A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273775A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト、及びセラミック電子部品の製造方法 |
| KR101127870B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2012-03-21 | 티디케이가부시기가이샤 | 세라믹 전자 부품 및 세라믹 전자 부품의 제조 방법 |
| JP2013118356A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-06-13 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2013118358A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-06-13 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2013118357A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-06-13 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-10-30 JP JP2001332786A patent/JP2003133158A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273775A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト、及びセラミック電子部品の製造方法 |
| KR101127870B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2012-03-21 | 티디케이가부시기가이샤 | 세라믹 전자 부품 및 세라믹 전자 부품의 제조 방법 |
| US8254083B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-08-28 | Tdk Corporation | Ceramic electronic component and method for producing same |
| JP2013118356A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-06-13 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2013118358A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-06-13 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2013118357A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-06-13 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| US8988855B2 (en) | 2011-10-31 | 2015-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing ceramic electronic component including heating an electrode layer to form a conductive layer including an alloy particle |
| US9202640B2 (en) | 2011-10-31 | 2015-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component and manufacturing method thereof |
| US9490055B2 (en) | 2011-10-31 | 2016-11-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component and manufacturing method thereof |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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