JP2003132506A

JP2003132506A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2003132506A
Application number: JP2001324792A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Sato; 清佐藤; Toshinori Watanabe; 利徳渡辺
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2001-10-23
Filing date: 2001-10-23
Publication date: 2003-05-09
Also published as: US6898055B2; US20030076630A1

Abstract

(57)【要約】【課題】狭トラック化においても、ギャップ近傍から
の漏れ磁界強度を安定化させて強めることができ、オー
バーライト特性等に優れた薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法を提供することを目的する。【解決手段】下から下部磁極層、ギャップ層、及び上
部磁極層の順に積層された磁極部２６と第１下部コア層
２０との間に第２下部コア層２１が形成されているが、
従来例のように、Ｇｄ決め層は設けられていない。従っ
て前記磁極部２６を略矩形状で適切に形成しやすく、従
来のようにＧｄ決め層が設けられていることによるギャ
ップ層の湾曲化の問題や、上部磁極層の体積低減の問題
等は発生しない。よってギャップ近傍での記録磁界強度
を安定化させて強くでき、狭トラック化に適切に対応可
能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドや接触式磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄
膜磁気ヘッドに係り、特に高記録密度化においても狭ト
ラック化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の高記録密度化に伴い、狭トラック
化においても特にサイドフリンジング（いわゆるトラッ
ク幅方向からの漏れ磁界）の発生を抑制できる、記録用
の薄膜磁気ヘッド（この薄膜磁気ヘッドをインダクティ
ブヘッドという）の構造が要望されている。

【０００３】従来では、サイドフリンジングの発生を適
切に抑制できるインダクティブヘッドの構造として例え
ば以下のような２つの構造が考えられた。

【０００４】図１６は従来のインダクティブヘッドの構
造を示す部分縦断面図である。なお「縦断面」とは、図
示Ｙ方向と図示Ｚ方向から形成される面と平行な方向に
切断された断面を意味し、以下においてすべて同じであ
る。

【０００５】符号１はＮｉＦｅ系合金などで形成された
下部コア層であり、前記下部コア層１の上にレジストな
どで形成されたＧｄ決め層２が形成されている。Ｇｄ決
め層２の縦断面は図１６に示すように例えば半楕円状で
ある。前記Ｇｄ決め層２の前端面２ａから「薄膜磁気ヘ
ッドの前端面」までの長さでギャップデプス（Ｇｄ）が
決定される。前記Ｇｄ決め層２を形成することで、記録
磁界をギャップ近傍で絞り込み、オーバーライト特性等
に代表される記録特性を向上させることができると考え
られていた。

【０００６】図１６に示す構造では、前記下部コア層１
上には前記「薄膜磁気ヘッドの前端面」からハイト方向
（図示Ｙ方向）にＧｄ決め層２上にかけて、下から下部
磁極層３、ギャップ層４及び上部磁極層５からなる磁極
部６が形成されている。また前記磁極部６の後端側には
ハイト方向にＡｌ₂Ｏ₃などからなる絶縁層７が形成され
ている。

【０００７】図１６に示すように前記絶縁層７上にはコ
イル層８が巻回形成されており、前記コイル層８上は有
機絶縁材料層９によって覆われている。

【０００８】図１６に示すように前記磁極部６を構成す
る上部磁極層５上から前記有機絶縁材料層９上にかけて
磁性材料製の上部コア層１０が形成されている。前記上
部コア層１０の基端部１０ｂは前記下部コア層１上に磁
気的に接続された状態になっている。

【０００９】図１６に示す形態のインダクティブヘッド
では、上部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の
幅寸法でトラック幅Ｔｗが規制され、この幅寸法は前記
上部コア層１０の先端部１０ａのトラック幅方向の幅寸
法より小さい。前記上部コア層１０と下部コア層１間
に、トラック幅Ｔｗを規制する磁極部６を形成すること
で、サイドフリンジングの発生を適切に抑制でき、狭ト
ラック化に適切に対応できるものと考えられた。

【００１０】図１８は別の従来のインダクティブヘッド
の構造の部分縦断面図である。なお図１６と同じ符号が
付けられた層は図１６と同じ層を示している。

【００１１】図１８に示す構造では、前記下部コア層１
上に「薄膜磁気ヘッドの前端面」からハイト方向（図示
Ｙ方向）にかけて第２下部コア層１１が形成されてい
る。前記第２下部コア層１１のハイト方向後方には絶縁
層７が形成され、前記第２下部コア層１１上から絶縁層
７上にかけてＡｌ₂Ｏ₃などの絶縁材料で形成されたギャ
ップ層１２が形成されている。

【００１２】前記ギャップ層１２上には前記「薄膜磁気
ヘッドの前端面」からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけ
て所定の長さ寸法で第２上部コア層１３が形成されてお
り、前記第２上部コア層１３のハイト方向後方にはＡｌ
₂Ｏ₃などで形成された絶縁層１４が形成されている。図
１８に示すように、前記第２上部コア層１３の後端面１
３ａは、前記第２下部コア層１１の後端面１１ａよりも
ハイト方向（図示Ｙ方向）に位置し、前記第２下部コア
層１１の「薄膜磁気ヘッドの前端面」から後端面１１ａ
までのハイト方向への長さ寸法でギャップデプス（Ｇ
ｄ）が決定される。上記のように、第２上部コア層１３
の後端面１３ａを、前記第２下部コア層１１の後端面１
１ａよりハイト方向後方に位置させていた理由は、これ
により前記第２上部コア層１３と上部コア層１０との接
触面積を大きくでき磁束効率を良好にできる等の理由か
らである。

【００１３】図１８に示すように、前記絶縁層１４上に
は、コイル層８が巻回形成されており、前記コイル層８
は有機絶縁材料層９によって覆われている。

【００１４】図１８に示すように、前記第２上部コア層
１３上から有機絶縁材料層９上にかけて上部コア層１０
が形成され、前記上部コア層１０の基端部１０ｂは、前
記下部コア層１上に磁気的に接続された状態になってい
る。

【００１５】図１８に示す形態のインダクティブヘッド
では、適切にサイドフリンジングを防止すべく以下のよ
うな処理がなされている。

【００１６】図１９（図１８に示すインダクティブヘッ
ドを「薄膜磁気ヘッドの前端面」側から見た部分正面
図）に示すように（あるいは図１８の一点鎖線に示すよ
うに）、前記第２下部コア層１１のトラック幅方向（図
示Ｘ方向）における両側端面１１ｃをまず、下部コア層
1表面に対しほぼ垂直方向Ａからのイオンミリング（こ
れをデプストリミングと呼ぶ。以下同じ）で削り込み、
これによって前記第２下部コア層１１に第２上部コア層
１３側に突出する突出部１１ｂを形成し、その後、前記
第２上部コア層１３等のトラック幅方向（図示Ｘ方向）
における両側端面１３ｂに付着した再付着物の除去及び
さらなる狭トラック化のために前記下部コア層１表面の
垂直方向に対し斜めに傾いた方向Ｂからのイオンミリン
グ（これをサイドトリミングと呼ぶ。以下同じ）を施
す。これによって前記第２下部コア層１１の両側端面１
１ｃは、前記突出部１１ｂの基端からトラック幅方向
（図示Ｘ方向）に離れるにしたがって、徐々に前記第２
下部コア層１１の膜厚が薄くなる傾斜面で形成される。

【００１７】図１８及び図１９に示す形態のインダクテ
ィブヘッドでは、前記第２上部コア層１３のトラック幅
方向（図示Ｘ方向）の幅寸法でトラック幅Ｔｗが規制さ
れ、前記第２下部コア層１１には前記第２上部コア層１
３と対向する位置に突出部１１ｂが形成されており、こ
れにより図１８及び図１９に示す形態のインダクティブ
ヘッドは、サイドフリンジングの発生を適切に抑制でき
る狭トラック化に対応可能な構造であると考えられた。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、狭トラック
化を適切に実現するには、上記したサイドフリンジング
の発生の抑制はもとより、ギャップ近傍での記録磁界の
強度が強く、さらにその強度が安定した強さでなけれ
ば、オーバーライト特性等の記録特性は悪化し、効果的
に狭トラック化に対応可能な高記録密度化に優れた薄膜
磁気ヘッドの製造を実現できない。

【００１９】しかしながら、上記した２つの構造のイン
ダクティブヘッドには、それぞれ以下のような課題が発
生し、共にギャップ近傍での記録磁界の強さ、あるいは
その安定度に問題があることがわかった。

【００２０】図１７は図１６に示すインダクティブヘッ
ドの磁極部６付近の構造を拡大した部分拡大縦断面図で
あり、前記磁極部６を形成する際の一工程を示した図で
ある。

【００２１】図１７に示すように、前記下部コア層１上
にレジストなどからなるＧｄ決め層２を形成した後、前
記Ｇｄ決め層２上の途中から前記下部コア層１上にかけ
て露光現像によりパターン形成されたレジスト層１５を
形成する。

【００２２】そして前記レジスト層１５に形成されたパ
ターン内に、下から下部磁極層３、ギャップ層４及び上
部磁極層５を連続してメッキ形成するのであるが、この
とき、前記Ｇｄ決め層２はレジストなどの絶縁材料であ
るため、前記下部磁極層３の前記Ｇｄ決め層２上に乗る
後端３ａ付近は、適切にメッキ成長せず、前記下部磁極
層３の後端３ａ付近は膜厚が極端に薄くなる。従って前
記下部磁極層３の表面は湾曲して形成されてしまう。

【００２３】よって前記下部磁極層３上にメッキ形成さ
れるギャップ層４の後端４ａも湾曲して形成されてしま
う。

【００２４】本来、前記ギャップ層４は、下部コア層１
表面と平行な方向に平坦化形状で形成されるべきである
が、Ｇｄ決め層２を有する図１６の構造であると、ギャ
ップ層４は湾曲形成されやすく、これによって記録特性
の不安定化が問題となる。

【００２５】さらに図１７に示すように、前記ギャップ
層４よりもさらにハイト方向（図示Ｙ方向）後方のＧｄ
決め層２上にまで延びて形成される上部磁極層５も、そ
の後端５ａは、前記Ｇｄ決め層２上に形成されるから、
前記上部磁極層５の後端５ａを適切な膜厚でメッキ成長
させることができず、前記後端５ａでの膜厚は非常に薄
いものになる。

【００２６】またこれによって図１７に示すように前記
上部磁極層５の前記後端５ａとレジスト層１５との間に
隙間５ｂが形成されやすく、これによって前記上部コア
層１０の先端部１０ａと接触すべき前記上部磁極層５の
上面５ｃの面積は小さくなり、ギャップ近傍から漏れる
記録磁界の強度の低下を招きやすい。

【００２７】以上のように、図１７の工程の際に、ギャ
ップデプスを決定すべきＧｄ決め層２を設けると、ギャ
ップ層４の湾曲化や、さらには前記上部磁極層５の後端
５ａ側の膜厚が薄くなることで前記磁極層が磁気飽和に
達しやすくなり、また上部磁極層５と上部コア層１０と
の接触面積が小さくなるなどの要因により、ギャップ近
傍での記録磁界の強度の低下や不安定化が問題となり、
オーバーライト特性等の諸特性が低下しやすくなってい
た。

【００２８】また例えば、前記上部磁極層５の体積を所
定の大きさに確保するためには、図１７に示すレジスト
層１５の膜厚を厚く形成し、前記レジスト層１５に形成
されるパターンを深いものとすれば、そのパターン内に
形成される上部磁極層５の膜厚を厚く形成できるが、か
かる場合、前記レジスト層１５に磁極部６のパターンを
形成する際のパターン精度が低下し、前記パターンのト
ラック幅方向の幅が広がりやすく、適切に狭トラック化
に対応可能なインダクティブヘッドを形成できないとい
った問題が発生した。

【００２９】次に図１８に示すインダクティブヘッドの
構造の課題について説明する。図１９に示すように、図
示Ａ方向からのデプストリミングや図示Ｂ方向からのサ
イドトリミング工程によって、前記第２上部コア層１３
の両側端面１３ｂ、１３ｂは平坦化形成されずにうねっ
て形成されやすく、また前記両側端面１３ｂにはＡｌ ₂
Ｏ₃などで形成された絶縁層７の再付着膜７ａが依然と
して残りやすい。

【００３０】上記した第２上部コア層１３の両側端面１
３ｂのうねりによってトラック幅Ｔｗは所定寸法で形成
されず不安定化した。

【００３１】上記した、前記トラック幅Ｔｗの不安定形
成の問題は、図１８に示すように第２上部コア層１３の
後端面１３ａが、第２下部コア層１１の後端面１１ａよ
りハイト方向後方に延びて形成される点が要因であると
考えられる。

【００３２】ここで図２０は、デプストリミング及びサ
イドトリミングを施すときの工程を示す部分斜視図であ
るが、図２０に示すように前記第２上部コア層１３の後
端側はレジスト層１６で覆っておき、前記レジスト層１
６に覆われていない露出した前記第２上部コア層１３の
両側のギャップ層１２及びその下の第２下部コア層１１
の一部を、図示Ａ方向からのデプストリミングで掘り込
んで、前記第２下部コア層１１に突出部１１ｂを形成す
る。

【００３３】ところが、前記第２上部コア層１３の後端
面１３ａは、第２下部コア層１１の後端面１１ａよりも
ハイト方向後方にまで延びて形成されているから、上記
したデプストリミングの際、前記第２下部コア層１１の
後端に広がる絶縁層７の後端領域７ａが、前記レジスト
層１６に覆われずに露出するため、上記デプストリミン
グによって、この絶縁層７の後端領域７ａも削り込ま
れ、このとき飛来する絶縁層７の元素が、前記第２上部
コア層１３の両側端面１３ｂに前記絶縁材料製の膜７ａ
として付着し、またその付着量は前記第２上部コア層１
３の両側端面１３ｂ全体に一定量ではなく、部分的に付
着量が変化し、トラック幅形状が不安定化する。

【００３４】そして図示Ｂ方向からのサイドトリミング
によってトラック幅Ｔｗを狭める工程において、前記付
着膜７ａを前記サイドトリミングで削り取る際、付着膜
７ａが一定膜厚で付着していないから、前記付着膜７ａ
が薄い部分は厚い部分よりも早く除去され、第２上部コ
ア層１３の両側端面１３ｂまでも上記のサイドトリミン
グの影響を受けやすくなる。特に前記付着膜７ａは絶縁
材料製でありミリングレートが磁性材料に比べて遅く、
この付着膜７ａを有効に前記第２上部コア層１３から除
去するためには、ミリング時間を長くしたり、高エネル
ギーのイオンミリングを使用しなければならず、よって
サイドトリミングの際、第２上部コア層１３の両側端面
１３ｂが部分的に強いイオンミリングの影響を受けて、
前記両側端面１３ｂが削り込まれてうねり、またサイド
トリミングの際に、露出している絶縁層７の後端領域７
ａもまた削り込まれるので、再び、絶縁層７の再付着膜
７ａが前記第２上部コア層１３の両側端面１３ｂ全体に
付着するなどして、結局、所定寸法のトラック幅Ｔｗ形
状を形成できないといった問題があった。

【００３５】所定のトラック幅Ｔｗで形成されないこと
で、ギャップ付近での記録磁界強度が製品毎に不安定化
し、品質の向上を図ることができず、狭トラック化に適
切に対応可能なインダクティブヘッドを製造することが
できなかった。

【００３６】そこで本発明は上記従来の課題を解決する
ためのものであり、特に狭トラック化においても、ギャ
ップ近傍からの漏れ磁界強度を安定化させて強めること
ができ、オーバーライト特性等に優れた薄膜磁気ヘッド
及びその製造方法を提供することを目的としている。

【００３７】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、第１下部コア層と、前記第１下部コア層上に薄膜磁
気ヘッドの前端面からハイト方向に所定の長さで形成さ
れた第２下部コア層と、前記第２下部コア層のハイト方
向後方に形成された絶縁層と、前記第２下部コア層上、
あるいは前記第２下部コア層上及び絶縁層上に、前記前
端面からハイト方向後方に所定の長さ寸法で形成され、
下から下部磁極層、ギャップ層、及び上部磁極層の順、
又は下からギャップ層及び上部磁極層の順に積層された
磁極部と、前記上部磁極層の上に形成された上部コア層
とを有してなることを特徴とするものである。

【００３８】上記した第１の本発明では、磁極部が、例
えば下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の３層構造
であるが、図１６に示す従来例のように、Ｇｄ決め層は
設けられていない。

【００３９】従って、この発明では、磁極部を略矩形状
で適切に形成しやすく、従来のようにＧｄ決め層が設け
られていることによるギャップ層の湾曲化の問題や、上
部磁極層の体積低減による磁気飽和の問題等は発生しな
い。

【００４０】さらにこの発明では、図１６に示す従来例
と異なって磁極部の下には第２下部コア層が設けられて
おり、下部磁極層側での磁気飽和を適切に解消すること
ができる構造となっている。

【００４１】また上記した磁極部構造では、図１８に示
す従来例と異なって、そもそもデプストリミングは必要
なく、トラック幅形状を安定化して形成しやすいといっ
た利点もある。

【００４２】よって上記した第１の本発明では、ギャッ
プ近傍での記録磁界強度を安定化して強くでき、狭トラ
ック化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッド（インダクテ
ィブヘッド）を製造することが可能である。

【００４３】また本発明では、前記磁極部の後端面は、
前記第２下部コア層表面に対して垂直方向に延びた垂直
面で形成されていることが好ましい。

【００４４】また本発明では、前記磁極部の後端面は、
前記第２下部コア層の後端面よりも前記前端面側に形成
されていることが好ましい。

【００４５】また本発明における薄膜磁気ヘッドは、第
１下部コア層と、前記第１コア層上であって薄膜磁気ヘ
ッドの前端面からハイト方向に所定の長さで形成された
第２下部コア層と、前記第２下部コア層のハイト方向後
方に形成された絶縁層と、前記第２下部コア層上に形成
されたギャップ層と、前記ギャップ層上に前記前端面か
らハイト方向後方に所定の長さ寸法で形成された第２上
部コア層と、前記第２上部コア層の上に形成された第１
上部コア層とを有し、前記第２上部コア層の後端面は、
前記第２下部コア層の後端面よりも前記前端面側に位置
していることを特徴とするものである。

【００４６】この発明では前記第２上部コア層の後端面
は、前記第２下部コア層の後端面よりも薄膜磁気ヘッド
の前端面側に位置している。このため、例えば図１８に
示す従来例と同様に、前記第２上部コア層及び第２下部
コア層に対してデプストリミング及びサイドトリミング
を施す工程において、前記第２上部コア層のトラック幅
方向の両側端面に、従来のように絶縁材料製の付着膜が
付着するといった不具合は発生しにくく、したがってト
ラック幅形状を所定形状で形成しやすく、ギャップ近傍
からの記録磁界強度が安定して強い狭トラック化に優れ
た薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）を製造する
ことができる。

【００４７】また本発明では、前記第２上部コア層の後
端面は、前記第２下部コア層層表面に対して垂直方向に
延びた垂直面で形成されていることが好ましい。

【００４８】また本発明では、前記磁極部あるいは第２
上部コア層は、前記前端面からハイト方向にかけてトラ
ック幅方向に所定の幅寸法で形成された先端部と、この
先端部の基端からハイト方向にかけて、前記トラック幅
方向への幅寸法が広がる後端部とで構成されていること
が好ましい。

【００４９】また前記ギャップ層は、非磁性導電材料で
形成されることが好ましく、また前記ギャップ層は、Ｎ
ｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上からな
ることが好ましい。

【００５０】また本発明では、前記絶縁層にはコイル形
成溝が形成され、前記コイル形成溝内にコイル層が設け
られ、前記コイル層の表面と、前記磁極部あるいは第２
上部コア層の表面とは同一平面で形成されることが好ま
しい。

【００５１】また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、以下の工程を有することを特徴とするものであ
る。（ａ）第１下部コア層上に、薄膜磁気ヘッドの前端面か
らハイト方向にかけて所定長さの第２下部コア層をメッ
キ形成する工程と、（ｂ）前記第２下部コア層の後端面
からハイト方向にかけて前記第１下部コア層上に絶縁層
を形成する工程と、（ｃ）前記第２下部コア層上に、前
記前端面からハイト方向にかけて下から下部磁極層、ギ
ャップ層及び上部磁極層の順で、あるいは下からギャッ
プ層及び上部磁極層の順で各層を連続メッキ形成して磁
極部を形成し、このとき前記磁極部の後端面を前記第２
下部コア層の後端面より前記前端面側に位置させる工程
と、（ｄ）前記磁極部よりもハイト方向後方に位置する
絶縁層上にコイル層を形成し、前記コイル層上を第２絶
縁層で覆う工程と、（ｅ）前記上部磁極層上からハイト
方向後方に上部コア層を形成する工程。

【００５２】上記した（ａ）工程から（ｅ）工程までを
施すことで、第２下部コア層を有し、しかも磁極部の後
端面が、前記第２下部コア層の後端面よりも薄膜磁気ヘ
ッドの前端面側に位置する薄膜磁気ヘッドを容易に且つ
適切に製造することができる。

【００５３】上記した工程から成る薄膜磁気ヘッドであ
れば、ギャップ近傍での記録磁界強度が安定して強く、
狭トラック化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造
することができる。

【００５４】なお本発明では、前記（ｃ）工程で、前記
磁極部の後端面を第２下部コア層表面から垂直面として
形成することが好ましい。

【００５５】また本発明では、前記（ｄ）工程にかえて
以下の工程を有することが好ましい。（ｆ）前記磁極部よりもハイト方向後方に位置する絶縁
層にコイル形成溝を形成する工程と、（ｇ）前記コイル
形成溝上にコイル層を形成し、前記コイル層上をコイル
絶縁層で覆う工程と、（ｈ）前記磁極部表面、およびコ
イル層表面が同じ平坦化面になるまで、前記磁極部、コ
イル層、およびコイル絶縁層表面を削る工程。

【００５６】また本発明では、前記ギャップ層を非磁性
導電材料で形成することが好ましい。具体的には本発明
では前記ギャップ層を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、Ｎ
ｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１
種または２種以上からなる非磁性導電材料で形成するこ
とが好ましい。

【００５７】これにより下部磁極層、ギャップ層及び上
部磁極層の各層を連続してメッキ形成することができ
る。

【００５８】

【発明の実施の形態】図１は、本発明における薄膜磁気
ヘッドの構造を示す部分縦断面図（ハイト方向断面）で
ある。

【００５９】図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のイ
ンダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダ
クティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用
ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。

【００６０】図１に示す符号２０は、例えばパーマロイ
などの磁性材料で形成された第１下部コア層である。な
お、前記第１下部コア層２０の下側に再生用ヘッドが積
層される場合、前記第１下部コア層２０とは別個に、巨
大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）、異方性磁気抵抗効
果素子（ＡＭＲ素子）あるいはトンネル型磁気抵抗効果
素子（ＴＭＲ素子）の磁気抵抗効果素子をノイズから保
護するシールド層を設けてもよいし、あるいは、前記シ
ールド層を設けず、前記第１下部コア層２０を、前記再
生用ヘッドの上部シールド層として機能させてもよい。

【００６１】図１に示すように、第１下部コア層２０の
上には、「薄膜磁気ヘッドの前端面」（「薄膜磁気ヘッ
ドの前端面」とは図１に示すように記録媒体Ｄと対向す
る面のことを指す。）からハイト方向（図示Ｙ方向）に
かけてＮｉＦｅ系合金等の磁性材料製の第２下部コア層
２１が形成されている。前記第２下部コア層２１はハイ
ト方向に所定の長さ寸法Ｌ１で形成される。

【００６２】前記第１下部コア層２０上にはさらにハイ
ト方向（図示Ｙ方向）に離れた位置に磁性材料製の第１
バックギャップ層２３が形成されている。前記第１バッ
クギャップ層２３は前記第２下部コア層２１と同じ材質
の磁性材料で且つ同じ工程時に形成されている方が製造
工程を簡略化できて好ましいが、異なる材質あるいは異
なる工程時に形成されていてもよい。

【００６３】図１に示すように前記第２下部コア層２１
の後端面２１ａからハイト方向後方（図示Ｙ方向）には
Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの絶縁材料で形成された絶縁材
料層２２が形成されている。前記絶縁材料層２２の前端
部２２ａ表面は、前記第２下部コア層２１表面と同一平
面で形成されるが、前記絶縁材料層２２表面には前記第
２下部コア層２１からハイト方向（図示Ｙ方向）に離れ
た位置で、コイル形成溝２２ｂが形成され、このコイル
形成溝２２ｂが形成された部分での前記絶縁材料層２２
の膜厚は、前記絶縁材料層２２の前端部２２ａでの膜厚
より薄くなっている。

【００６４】図１に示すように、前記コイル形成溝２２
ｂ上には、第１コイル層２４が、巻回形成されている。
前記第１コイル層２４は例えばＣｕなどの非磁性導電材
料で形成される。

【００６５】図１に示すように、前記第１コイル層２４
の各導体部間には、レジストなどの有機絶縁材料または
Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂などの無機絶縁材料で形成されたコ
イル絶縁層２５が形成されている。

【００６６】図１に示すように、前記第２下部コア層２
１上には、前記「薄膜磁気ヘッドの前端面」からハイト
方向（図示Ｙ方向）にかけて磁極部２６が形成されてい
る。前記磁極部２６は下から下部磁極層２７、ギャップ
層２８及び上部磁極層２９の順に積層形成されている。

【００６７】図１に示す実施形態では前記磁極部２６の
後端面２６ａは、前記第２下部コア層２１の後端面２１
ａよりも前記「薄膜磁気ヘッドの前端面」側に位置して
いる。また図４（図１に示す薄膜磁気ヘッドを前記前端
面側から見た部分正面図）に示すように、前記磁極部２
６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法は、前記第
２下部コア層２１のトラック幅方向の幅寸法Ｔ１よりも
小さく形成され、前記磁極部２６の上部磁極層２９のト
ラック幅方向における幅寸法でトラック幅Ｔｗが規制さ
れる。

【００６８】また図１に示す実施形態では、前記第１バ
ックギャップ層２３上には磁性材料製の第２バックギャ
ップ層３１が形成されている。前記第２バックギャップ
層３１の図示Ｘ−Ｙ平面の断面積は、第１バックギャッ
プ層２３の図示Ｘ−Ｙ平面の断面積に比べて小さく形成
されているが、大きく形成されていてもよい。

【００６９】図１に示すように前記磁極部２６の後端面
２６ａからハイト方向後方（図示Ｙ方向）にかけてＡｌ
₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などで形成された絶縁層３０が形成さ
れ、この絶縁層３０表面は、前記磁極部２６表面と同一
平面で形成されている。さらに図１に示す実施形態で
は、前記第１コイル層２４及びコイル絶縁層２５の表面
もまた前記磁極部２６表面と同一平面で形成されてい
る。

【００７０】図１に示すように前記コイル絶縁層２５上
及び第１コイル層２４上にはレジストなどの有機絶縁材
料で形成された有機絶縁層３２が形成され、この有機絶
縁層３２上に第２コイル層３３が形成されている。前記
第２コイル層３３の各導体部間はレジストなどで形成さ
れた有機絶縁層３４によって埋められ、また前記第２コ
イル層３３上は前記有機絶縁層３４によって覆われてい
る。

【００７１】図１に示すように、前記磁極部２６を構成
する上部磁極層２９上から前記有機絶縁層３４上にかけ
て磁性材料製の上部コア層３５が例えばフレームメッキ
法にて形成される。前記上部コア層３５の先端部３５ａ
は、前記上部磁極層２９上に磁気的に接続されている。
この実施形態では、前記先端部３５ａは前記「薄膜磁気
ヘッドの前端面」よりハイト方向後方（図示Ｙ方向）に
形成されているが、前記先端部３５ａは前記前端面と同
一平面状に形成されていてもよい。

【００７２】また前記上部コア層３５の基端部３５ｂ
は、前記第２バックギャップ層３１上に磁気的に接続さ
れており、図１に示す実施形態では、上部磁極層２９−
上部コア層３５−第２バックギャップ層３１−第１バッ
クギャップ層２３−第１下部コア層２０−第２下部コア
層２１−下部磁極層２７を経る磁路が形成される。

【００７３】図示されていないが、前記「薄膜磁気ヘッ
ドの前端面」にはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬ
Ｃ）などの保護層が形成されている。

【００７４】図１に示す本発明における薄膜磁気ヘッド
の構造の特徴点について説明する。図１に示す薄膜磁気
ヘッドでは、磁極部２６が下から下部磁極層２７、ギャ
ップ層２８及び上部磁極層２９の順で積層された３層構
造で形成されている。

【００７５】この実施形態では、図１６に示す従来例の
ように、磁極部２６の下にＧｄ決め層２は形成されてい
ない。このため前記磁極部２６を構成する各層のメッキ
下地層となる第２下部コア層２１上全面（あるいはメッ
キ下地層は別に設けても良い）から適切にメッキ成長さ
せることができ、各層を略矩形状にあるいは略平板状に
適切に形成することができる。すなわち従来のように、
前記磁極部２６を構成する下部磁極層２７及び上部磁極
層２９の各層の後端面２６ａ側の膜厚が薄くなることは
なく、前記磁極層２７、２９の体積を所定の大きさで形
成でき、前記磁極層２７、２９が磁気飽和に達し難い構
造とすることができる。

【００７６】また磁極部２６の下側にＧｄ決め層２が形
成されていないため、磁極層２７、２９及びギャップ層
２８の表面を、下部コア層２０表面と平行な（図示Ｘ−
Ｙ平面と平行な）平坦化形状で形成でき、従来のように
前記ギャップ層２８の後端側が湾曲形成されるといった
不具合は発生せず、前記ギャップ層２８を適切に略平板
形状で形成することができる。

【００７７】さらに本発明では、前記上部磁極層２９は
略矩形状で形成され、前記上部磁極層２９の上面は適切
に平坦化形成されるので、前記上部コア層３５と前記上
部磁極層２９との接触面積を効果的に大きくすることが
できる。

【００７８】以上のように図１に示す実施形態では、前
記磁極部２６の下側にＧｄ決め層を形成しないことで、
前記磁極部２６を所定の体積を有する略矩形状で形成で
きるようになり磁気飽和が起き難くでき、またギャップ
層２８表面の湾曲化を防ぐことができ、よって狭トラッ
ク化においてもギャップ近傍での記録磁界の強度を安定
して強めることができ、オーバーライト特性に代表され
る種々の記録特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造するこ
とが可能である。

【００７９】また図１のように、磁極部２６の下側にＧ
ｄ決め層を設けない実施形態であると、狭トラック化に
適切に対応すべく前記磁極部２６の膜厚を薄く形成して
も、前記磁極部２６の体積が、Ｇｄ決め層を設ている場
合に比べて極端に小さくなるといったことはない。

【００８０】図１６、１７に示す従来例であると、Ｇｄ
決め層２が存在することで、特に上部磁極層５の体積が
小さくなって磁気飽和に達しやすくなるという問題か
ら、磁極部６の形成をするためのフレームとなるレジス
ト層１５を厚く形成して深いパターンを形成し、これに
よって上部磁極層５の体積を所定の大きさに保つことが
できるようにしていたが、前記レジスト層１５を厚く形
成すると、前記レジスト層１５に露光現像によって磁極
部６を形成するためのパターンを形成するとき、パター
ン精度の低下から、前記パターンのトラック幅寸法が広
く形成されやすくなる。このため図１６、１７に示す従
来例では、適切に狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘ
ッドを製造できなかったが、本発明では前記磁極部２６
の下側にＧｄ決め層を設けないことで、磁極部２６を所
定形状に適切にメッキ成長させることが容易になり、よ
って前記磁極部２６の全体膜厚を従来より薄くしても、
前記磁極部２６を構成する上部磁極層２９の体積を所定
の大きさに保ちやすい。

【００８１】従って本発明では、前記磁極部２６を形成
する際のレジスト層の膜厚を薄く形成でき、露光現像の
際のパターン精度を適切に向上させることができ、よっ
て幅方向にパターンが広がることなく狭トラック化に適
切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能に
なる。

【００８２】なお本発明では前記磁極部２６の膜厚は
１．５μｍ以上で３．０μｍ以下であることが好まし
い。

【００８３】次に本発明では前記磁極部２６の下側には
第２下部コア層２１が設けられている。本発明では、こ
の第２下部コア層２１を設けることで、下部磁極層２７
側の磁気飽和を適切に防止することが可能になる。

【００８４】上記したように、本発明では、従来のよう
にＧｄ決め層を設けないことで前記磁極部２６の全体膜
厚を薄く形成してもなお上部磁極層２９の体積を所定の
大きさに保ちやすい。しかしこのとき前記磁極部２６を
構成する下部磁極層２７の体積が極端に小さくなりすぎ
ると、この下部磁極層２７が磁気飽和しやすくなり好ま
しくない。

【００８５】このため本発明では、前記磁極部２６の下
側に第２下部コア層２１を設けたのである。前記第２下
部コア層２１は第１下部コア層２０上に部分的に形成さ
れ、この第１下部コア層２０の上に下部磁極層２７が形
成され、前記下部磁極層２７での磁気飽和が前記第２下
部コア層２１の形成によって緩和されるようになってい
る。

【００８６】前記第２下部コア層２１は図４に示すよう
に、トラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法Ｔ１が、前
記下部磁極層２７のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅
寸法より大きく、第１下部コア層２０のトラック幅方向
の幅寸法より小さい。

【００８７】また前記第２下部コア層２１は図１に示す
ように、ハイト方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法Ｌ１
が、下部磁極層２７のハイト方向への長さ寸法に比べて
大きく、第１下部コア層２０のハイト方向への長さ寸法
に比べて小さい。

【００８８】また前記第２下部コア層２１の膜厚は０．
５〜１．５μｍであることが好ましい。

【００８９】以上のように図１に示す薄膜磁気ヘッドの
構造は、前記磁極部２６が下部磁極層２７、ギャップ層
２８及び上部磁極層２９の３層構造であり、且つ前記磁
極部２６の下に第２下部コア層２１が形成されている点
に特徴があり、これにより前記磁極部２６を所定形状で
形成でき、しかも各磁極層での磁気飽和を抑制でき、ギ
ャップ近傍から漏れる記録磁界強度を安定して強めるこ
とができ、オーバーライト特性等の記録特性を適切に向
上させることができ、狭トラック化に適切に対応可能な
薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。

【００９０】次に図１の薄膜磁気ヘッドの構造のその他
の特徴点について説明する。前記磁極部２６の後端面２
６ａは、前記第２下部コア層２１表面に対して垂直方向
（図示Ｚ方向）に延びた垂直面として形成されているこ
とが好ましい。これによって前記上部磁極層２９は略矩
形状で形成され、前記上部磁極層２９の表面は平坦化面
となり、前記上部磁極層２９の上部コア層３５との接触
面積を大きくすることが可能である。なお本発明におい
て前記磁極部２６の後端面２６ａを前記第２下部コア層
２１表面に対して垂直面として形成できる理由は、前記
磁極部２６の下側にＧｄ決め層が形成されていないから
である。前記Ｇｄ決め層が形成されていると、前記Ｇｄ
決め層上に乗って形成される磁極部の部分は極端に膜厚
が薄くなり、前記磁極部の表面は湾曲してしまうが（図
１７を参照されたい）、本発明では、前記Ｇｄ決め層が
形成されていないから磁極部２６を適切にメッキ成長さ
せることができ、よって従来のような不具合は発生せ
ず、前記磁極部２６の後端面２６ａを前記第２下部コア
層２１表面に対し垂直方向（図示Ｚ方向）に延びる垂直
面として形成することができるのである。

【００９１】次に前記磁極部２６は、図１に示す実施形
態では、下部磁極層２７、ギャップ層２８及び上部磁極
層２９の３層構造であるが、前記磁極部２６はギャップ
層２８及び上部磁極層２９の２層構造であってもかまわ
ない。しかしかかる場合は、前記ギャップ層２８のトラ
ック幅方向の両側に広がる第２下部コア層２１を削り込
み（デプストリミング）、前記第２下部コア層２１にギ
ャップ層２８方向に突出する突出部を形成し、サイドフ
リンジングの発生を適切に抑制できるようにすることが
狭トラック化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造
できて好ましい。

【００９２】また本発明では、前記磁極部２６の各層は
連続メッキ形成される。前記下部磁極層２７は、前記第
２下部コア層２１上からメッキ形成されるので前記第２
下部コア層２１表面が前記下部磁極層２７をメッキ成長
させる場合のメッキ下地層となっている。ただしメッキ
下地層は別途設けてもかまわない。例えばＮｉＦｅ合金
などからなる薄い膜のメッキ下地層を前記第２下部コア
層２１上にスパッタ法などで成膜し、その上に前記下部
磁極層２７をメッキ成長させる。

【００９３】本発明では、前記ギャップ層２８もメッキ
形成するため前記ギャップ層２８は非磁性導電材料で形
成されることが好ましい。本発明では前記ギャップ層２
８を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上
からなる非磁性導電材料で形成することが好ましい。

【００９４】なお本発明における具体的な実施形態とし
て前記ギャップ層２８にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰ
で前記ギャップ層２８を形成することで前記ギャップ層
２８を適切に非磁性状態にできるからである。

【００９５】前記磁極部２６を構成する上部磁極層２９
及び下部磁極層２７は１層構造であってもよいし、複数
の磁性層からなる多層構造であってもよい。多層構造で
ある場合、各磁性層は同一材料で形成されても異なる磁
性材料で形成されてもどちらでもよい。異なる磁性材料
で形成される場合、あるいは同一材料で形成される場合
でも組成比を各磁性層毎で変える場合、ギャップ層２８
に近い磁性層ほど飽和磁束密度Ｂｓが高くなるようにす
ることが、ギャップ近傍から漏れる記録磁界強度を強め
ることができて好ましい。また飽和磁束密度Ｂｓは、第
１下部コア層２０より第２下部コア層２１の方が高いか
あるいは同じであることが好ましく、また第２下部コア
層２１よりも下部磁極層２７の方が高いことが好まし
い。また前記飽和磁束密度Ｂｓは上部コア層３５よりも
上部磁極層２９の方が高いことが好ましい。ギャップ近
傍に磁束を適切に集中させることができ、高記録密度化
の促進を図ることができる。

【００９６】次に図１に示す実施形態では、前記磁極部
２６の後端面２６ａが前記第２下部コア層２１の後端面
２１ａよりも「薄膜磁気ヘッドの前端面」側（図示Ｙ方
向とは逆方向側）に形成されている。

【００９７】図１に示すように、前記磁極部２６の後端
面２６ａを前記第２下部コア層２１の後端面２１ａより
前記前端面側に形成することで、以下の効果を期待する
ことができる。

【００９８】すなわち前記磁極部２６の両側端面２６ｂ
をサイドトリミングする工程において、図４に示す磁極
部２６の両側端面２６ｂ、２６ｂに絶縁膜が付着しない
ようにでき、前記磁極部２６を構成する上部磁極層２９
のトラック幅方向の形状を所定形状で形成することがで
きる。

【００９９】図６は、第１下部コア層２０、第２下部コ
ア層２１及び磁極部２６の部分のみを示す部分斜視図で
ある。図６に示すように前記磁極部２６を形成した後、
前記磁極部２６の両側端面２６ｂ、２６ｂを図示Ｚ方向
に対して斜めに傾いた方向Ｃからイオンミリング（サイ
ドトリミング）し、前記磁極部２６のトラック幅方向
（図示Ｘ方向）の幅寸法をさらに小さくし適切に狭トラ
ック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドとする工程を施す。

【０１００】本発明では、前記磁極部２６の後端面２６
ａは、前記第２下部コア層２１の後端面２１ａよりも
「薄膜磁気ヘッドの前端面」側（図示Ｙ方向とは逆方向
側）に位置しているから、前記第２下部コア層２１の後
端面２１ａよりハイト側（図示Ｙ方向側）に形成された
絶縁材料層２２は、上記したサイドトリミングのとき、
レジスト層などのマスク層５０で覆われており、従って
前記サイドトリミングのときに前記絶縁材料層２２がイ
オンミリングによって削られることを適切に防止するこ
とができる。従って本発明では前記サイドトリミングに
よって前記磁極部２６の両側端面２６ｂに前記絶縁材料
層２２が削られて飛来する絶縁元素の付着膜が付着する
といった問題は発生しない。

【０１０１】よって本発明では、従来のように（図１９
を参照されたい）、前記磁極部２６の両側端面２６ｂに
絶縁元素の付着膜が付くことで、前記磁極部２６のトラ
ック幅形状が不安定化するといったこともなく、所定の
形状で且つ所定のトラック幅Ｔｗを有する磁極部２６を
形成することが可能である。磁極部２６の両側端面２６
ｂは図４に示すように、第２下部コア層２１表面から垂
直方向（図示Ｚ方向）に延びて形成されていることが好
ましいが、若干、図示Ｚ方向に向うにしたがってトラッ
ク幅方向の幅寸法が広がる形状等であってもかまわな
い。本発明では図１９に示す従来例のように、磁極部の
両側端面がうねらないようにできればよい。なお前記ト
ラック幅Ｔｗは、０．１μｍ以上で０．５μｍ以下であ
ることが好ましい。

【０１０２】なお図４及び図６に示すように、前記下部
磁極層２７の基端からトラック幅方向（図示Ｘ方向）に
向けて形成される前記第２下部コア層２１の両側端面２
１ｂは、前記下部磁極層２７からトラック幅方向に離れ
るにしたがって徐々に前記第２下部コア層２１の膜厚が
小さくなる傾斜面、あるいは湾曲面で形成される。この
傾斜面あるいは湾曲面は、図６に示すＣ方向からのサイ
ドトリミングを施すことによって形成されるものであ
る。

【０１０３】以上のように本発明では磁極部２６を所定
のトラック幅形状で形成できることから製品毎にギャッ
プ近傍から漏れる漏れ磁界の強さが不安定化するといっ
た品質上の問題は発生せず、ギャップ近傍からの記録磁
界の強さが安定している薄膜磁気ヘッドを歩留まり良く
形成することができる。

【０１０４】また図１のように、前記磁極部２６の後端
面２６ａが前記第２下部コア層２１の後端面２１ａより
前記前端面側に位置すると、第１下部コア層２０、第２
下部コア層２１及び下部磁極層２７の順に各層の後端面
が、前記前端面側に近づく構造にできるから、第１下部
コア層２０から前記下部磁極層２７に導かれる記録磁界
を、前記第１下部コア層２０側から前記下部磁極層２７
側にかけて適切に絞り込むことができ、前記ギャップ近
傍から漏れる記録磁界の強度を適切に強めることができ
る。

【０１０５】また図１のように、磁極部２６の後端面２
６ａが前記第２下部コア層２１の後端面２１ａより前記
前端面側に位置するとき、ギャップデプス（Ｇｄ）は、
前記磁極部２６の前記前端面から後端面２６ａまでの長
さ寸法で設定される。前記磁極部２６の後端面２６ａを
第２下部コア層２１の後端面２１ａよりも前端面側に位
置させると、前記第２下部コア層２１の後端面２１ａよ
りハイト側に位置させる場合に比べて、前記上部磁極層
２９と上部コア層３５との接触面積は小さくなるように
思えるが、本発明では上記したように、磁極部２６の後
端面２６ａを第２下部コア層２１表面から垂直方向に延
びる垂直面で形成でき、前記上部磁極層２９の表面を適
切な平坦化面で形成できること、また以下に説明するよ
うな磁極部２６形状を形成することで、前記上部磁極層
２９と上部コア層３５間の接触面積を減らすこと無く、
前記上部コア層３５から上部磁極層２９へ適切に記録磁
界を導くことができ、ギャップ近傍から漏れる記録磁界
の強度を強めることが可能になるのである。

【０１０６】前記磁極部２６の平面形状について図６を
参照しながら以下に説明する。図６に示すように、前記
磁極部２６は前記「薄膜磁気ヘッドの前端面」からハイ
ト方向（図示Ｙ方向）にかけてトラック幅方向（図示Ｘ
方向）の幅寸法が所定の幅寸法で形成された先端部２６
ｃと、この先端部２６ｃの基端２６ｃ１からハイト方向
後方（図示Ｙ方向）に向けて、前記トラック幅方向（図
示Ｘ方向）の幅寸法が広がる後端部２６ｄとで構成され
ている。なお前記先端部２６ｃの幅寸法は全ての領域に
おいて一律の寸法でなくてもよく、例えば前記前端面か
らハイト方向に向うにしたがって若干、幅寸法が広がる
ような形状であってもかまわない。

【０１０７】図６の実施形態では、前記磁極部２６の
「薄膜磁気ヘッドの前端面」から後端面２６ａまでのハ
イト方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法でギャップデプス
（Ｇｄ）が決定されており、この実施形態では、このギ
ャップデプス内に前記磁極部２６のストレート部となる
先端部２６ｃが形成されている。

【０１０８】例えば図１６に示す従来例ように、磁極部
６の下側にＧｄ決め層２が形成される場合は、ギャップ
デプス（Ｇｄ）は前記Ｇｄ決め層２の前端面２ａから
「薄膜磁気ヘッドの前端面」までの長さ寸法で決定さ
れ、前記磁極部６に図６のようなストレート部となる先
端部が設けられている場合、この先端部の基端は、前記
Ｇｄ決め層２の前端面２ａの位置と図示Ｚ方向にて同じ
位置か、あるいは前記先端部の基端は、Ｇｄ決め層２の
前端面２ａよりハイト方向後方（図示Ｙ方向）に位置し
ていた。すなわち従来では、磁極部におけるストレート
部の長さ≧ギャップデプス（Ｇｄ）の関係になってい
た。

【０１０９】これに対し本発明では、Ｇｄ決め層を前記
磁極部２６の下側に形成せず、この磁極部２６のハイト
方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法でギャップデプス（Ｇ
ｄ）を規定することができることで、前記磁極部２６の
ストレート部となる先端部２６ｃの基端２６ｃ１を、前
記ギャップデプスの後端よりも「薄膜磁気ヘッドの前端
面」側に位置させることが可能になる。前記ストレート
部となる先端部２６ｃのハイト方向（図示Ｙ方向）への
長さ寸法Ｌ２は０．３μｍ以上で１．２μｍ以下である
ことが好ましい。

【０１１０】上記のように前記ギャップデプスの後端よ
りもストレート部となる先端部２６ｃの基端２６ｃ１が
「薄膜磁気ヘッドの前端面」側にあると、磁気飽和が生
じ難い磁極部２６を形成でき、オーバーライト特性等の
諸特性の向上を図りやすくなる。

【０１１１】なおストレート部となる先端部２６ｃを上
記した寸法値内に短く形成し、これによって、より適切
に磁気飽和を抑制できる。

【０１１２】また図６に示すように、前記磁極部２６の
後端部２６ｄは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸
法がハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて漸次的に広がる
形状であり、例えば前記後端部２６ｄのトラック幅方向
（図示Ｘ方向）における両側端面２６ｅは湾曲面であっ
たり傾斜面で形成される。

【０１１３】これによって前記後端部２６ｄの上面の面
積を大きくすることができ、上部コア層３５との接触面
積を大きくすることができる。

【０１１４】ところで図１に示す実施形態のように、磁
極部２６が下部磁極層２７、ギャップ層２８及び上部磁
極層２９の３層構造で且つ第２下部コア層２１を有する
構造の場合、図２（本発明における第２実施形態の薄膜
磁気ヘッドの部分縦断面図）に示すように、前記磁極部
２６の後端面２６ａが、前記第２下部コア層２１の後端
面２１ａよりハイト側（図示Ｙ方向）に形成されていて
もよい。かかる場合、図１の場合に比べて、磁極部２６
の両側端面２６ｂに、前記絶縁材料層２２がサイドトリ
ミングの際に一部削られたことによって飛来する絶縁元
素の付着膜が付着しやすくなるが、その付着膜の膜の厚
さは非常に薄く、後で説明する図３の構造の場合に比べ
て、前記付着膜の付着によるトラック幅形状の不安定化
は小さく、狭トラック化を適切に促進させることができ
るものと考えられる。

【０１１５】その理由は、図１や図２のように磁極部２
６を下部磁極層２７、ギャップ層２８及び上部磁極層２
９の３層構造でメッキ形成すると、従来例の図１８ない
し図２０で説明した矢印Ａ方向からのデプストリミング
は必要なく、サイドトリミングだけで、トラック幅形状
を形成できるからである。

【０１１６】サイドトリミングは図６で説明したように
図示Ｚ方向に対し斜め方向からミリングを行うから、図
示Ｚ方向とほぼ同じ方向からミリングするデプストリミ
ングに比べて、前記磁極部２６の後方に広がる絶縁材料
層２２が前記サイドトリミングの影響を受けて削られ難
く、よって前記サイドトリミングによって削られる前記
絶縁材料層２２の量は、デプストリミングの場合に比べ
て少ない。

【０１１７】従ってサイドトリミングしか行わない図２
の場合、前記磁極部２６の後端面２６ａが、第２下部コ
ア層２１の後端面２１ａよりもハイト側（図示Ｙ方向
側）に位置していても、前記磁極部２６の両側端面２６
ｂに付着する絶縁材料層２２の付着量は少なく、所定の
形状で且つ所定のトラック幅Ｔｗでトラック幅形状を形
成しやすいのである。

【０１１８】ただし当然に、図１のように前記磁極部２
６の後端面２６ａを第２下部コア層２１の後端面２１ａ
より「薄膜磁気ヘッドの前端面」側に位置させる方が、
より所定の形状且つ所定のトラック幅Ｔｗでトラック幅
形状を形成でき、狭トラック化に適切に対応可能な薄膜
磁気ヘッドを形成できて好ましいことは言うまでもな
い。

【０１１９】なお図２のように、前記磁極部２６の後端
面２６ａが、前記第２下部コア層２１の後端面２１ａよ
りハイト方向後方（図示Ｙ方向）に位置している場合、
ギャップデプス（Ｇｄ）は、前記第２下部コア層２１の
「薄膜磁気ヘッドの前端面」から後端面２１ａまでの長
さ寸法で決定されるが、かかる場合でも、前記磁極部２
６に形成されたストレート部からなる先端部２６ｃの基
端２６ｃ１は、前記ギャップデプス（Ｇｄ）の後端より
も前記前端面側に位置することが好ましい。

【０１２０】次に図１に示す第１コイル層２４の形成位
置について以下に説明する。図１に示すように前記絶縁
材料層２２にはコイル形成溝２２ｂが形成され、このコ
イル形成溝２２ｂ上に第１コイル層２４が形成されてい
る。このようにコイル形成溝２２ｂを形成してその上に
第１コイル層２４を形成することの利点は、前記第１コ
イル層２４の各導体部の体積を大きくすることができる
からである。

【０１２１】上記したように本発明では、従来のように
Ｇｄ決め層が設けられていないから磁極部２６の全体膜
厚を従来に比べて薄く形成しても前記磁極部２６を構成
する上部磁極層２９の体積を所定の大きさに保つことが
できる。

【０１２２】しかし前記磁極部２６の膜厚を薄くする
と、絶縁材料層２２にコイル形成溝２２ｂが形成されて
いない場合、表面が前記磁極部２６の表面と同一平面上
で形成される第１コイル層２４の膜厚もまた薄くなり、
前記第１コイル層２４の各導体部の体積は小さくなって
しまう。このため本発明では前記絶縁材料層２２上にコ
イル形成溝２２ｂを形成し、前記第１コイル層２４の各
導体部の体積を大きくできるようにしたのである。これ
により所定の大きさの記録磁界を発生させることができ
る。

【０１２３】ただし前記コイル形成溝２２ｂが形成され
ておらず、絶縁材料層２２は一定の膜厚で形成され、そ
の前記絶縁材料層２２上に第１コイル層２４が形成され
た形態であってもかまわない。

【０１２４】また図１では前記第１コイル層２４の表面
は、磁極部２６表面と同一平面状で形成されているが、
前記第１コイル層２４表面が前記磁極部２６表面より低
い位置に形成され、前記第１コイル層２４上を覆う絶縁
層表面と前記磁極部２６表面とが同一平面状で形成され
ていてもよい。

【０１２５】図３は図１に示す実施形態とは異なる構造
の第３実施形態の薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。

【０１２６】図３に示す薄膜磁気ヘッドは図１に示す薄
膜磁気ヘッドと異なり、前記第２下部コア層２１上から
ハイト方向後方（図示Ｙ方向）の絶縁材料層２２上に長
く延ばされたギャップ層４１が形成され、このギャップ
層４１の上に第２上部コア層４２が形成されている。前
記第２上部コア層４２上には上部コア層（第１上部コア
層）３５の先端部２５ａが磁気的に接続された状態にあ
る。

【０１２７】前記ギャップ層４１は、例えばＡｌ₂Ｏ₃や
ＳｉＯ₂等の絶縁材料から形成されいるが、図１で説明
したギャップ層２８と同様に非磁性導電材料で形成され
ていてもよい。前記ギャップ層４１がＡｌ₂Ｏ₃などの絶
縁材料で形成される場合には、前記ギャップ層４１はス
パッタ法や蒸着法などによって形成される。

【０１２８】図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、前記第２
上部コア層４２の後端面４２ａが、前記第２下部コア層
２１の後端面２１ａよりも「薄膜磁気ヘッドの前端面」
側に形成されており、ギャップデプス（Ｇｄ）が前記第
２上部コア層４２の前記前端面から前記後端面４２ａま
での長さ寸法で決定される。

【０１２９】図３に示す実施形態では、前記第２上部コ
ア層４２を（メッキ）形成した後に、デプストリミング
及びサイドトリミングを施す。その工程は図７（図３に
示す薄膜磁気ヘッドの部分斜視図）に示されている。図
７に示すように、前記第２上部コア層４２の後端面４２
ａよりハイト方向後方（図示Ｙ方向）は、レジストなど
によるマスク層５０によって覆われている。上記したよ
うに前記第２上部コア層４２の後端面４２ａは、第２下
部コア層２１の後端面２１ａよりも「薄膜磁気ヘッドの
前端面」側に位置しているから、前記第２上部コア層４
２の後端面４２ａよりハイト側（図示Ｙ方向側）を前記
マスク層５０で覆うことによって前記第２下部コア層２
１よりもハイト側に広がっている絶縁材料層２２の後方
領域２２ｃは前記マスク層５０で完全に覆われることに
なる。

【０１３０】このため、前記第２上部コア層４２のトラ
ック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に露出するギャップ層
４１及び第２下部コア層２１の一部を、前記第１下部コ
ア層２０表面に対しほぼ垂直方向（図示Ｚ方向）からの
ミリング方向Ｄを有するイオンミリングによって削り込
み、前記第２下部コア層２１に前記第２上部コア層４２
側に突出する突出部２１ｃを形成するデプストリミング
工程、および前記第２上部コア層４２の両側端面４２ｂ
を前記第１下部コア層２０表面の垂直方向に対し斜めに
傾いたミリング方向Ｅを有するイオンミリングによって
削り、前記第２上部コア層４２のトラック幅方向の幅寸
法をさらに小さくして狭トラック化の適正化を図るため
のサイドトリミング工程においても、前記絶縁材料層２
２の後方領域２２ｃは上記したイオンミリング工程で削
られることがなく、よって従来のように、前記後方領域
２２ｃがイオンミリングで削られたことによって飛来し
た絶縁元素の付着膜が前記第２上部コア層４２の両側端
面４２ｂに付着するといった不具合は発生しない。

【０１３１】このため本発明では、前記第２上部コア層
４２のトラック幅形状を所定の形状且つ所定の幅寸法で
形成することができ、ギャップ近傍から漏れる記録磁界
の強さを安定した強いものにでき、狭トラック化におい
ても適切に高記録密度化を図ることが可能な薄膜磁気ヘ
ッドを製造することができる。図３に示す薄膜磁気ヘッ
ドを「薄膜磁気ヘッドの前端面」（正面）側から見た図
５では、前記第２上部コア層４２の両側端面４２ｂは、
第１下部コア層２０表面から垂直方向（図示Ｚ方向）に
延びる垂直面として形成されているが、前記両側端面４
２ｂは、第１上部コア層３５の先端部３５ａに向うにし
たがって徐々にトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法
が広がる傾斜面あるいは湾曲面で形成されていてもかま
わない。本発明では図１９に示す従来例のように第２上
部コア層の両側端面がうねって形成されないように、前
記両側端面４２ｂを形成できればよい。

【０１３２】なお図５及び図７に示すように、前記第２
下部コア層２１に形成された突出部２１ｃの基端２１ｃ
１からトラック幅方向（図示Ｘ方向）に向けて形成され
る前記第２下部コア層２１の両側端面２１ｂは、前記突
出部２１ｃからトラック幅方向に離れるにしたがって徐
々に前記第２下部コア層２１の膜厚が小さくなる傾斜
面、あるいは湾曲面で形成される。この傾斜面あるいは
湾曲面は、図７に示すＥ方向からのサイドトリミングを
施すことによって形成されるものである。

【０１３３】またこの実施形態では、図７に示すよう
に、前記第２上部コア層４２及びその下に形成されてい
るギャップ層４１、突出部２１ｃは「薄膜磁気ヘッドの
前端面」からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけてトラッ
ク幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法が所定の幅寸法で形成
された先端部４２ｃと、この先端部４２ｃの基端４２ｃ
１からハイト方向後方（図示Ｙ方向）に向けて、前記ト
ラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法が広がる後端部４
２ｄとで構成されている。なお前記先端部４２ｃの両側
端面４２ｂは、前記前端面からハイト方向に向けてトラ
ック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法が若干広がる傾斜面
や湾曲面で形成されていてもよい。

【０１３４】図７の実施形態では、前記第２上部コア層
４２の「薄膜磁気ヘッドの前端面」から後端面４２ａま
でのハイト方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法でギャップ
デプス（Ｇｄ）が決定されており、この実施形態では、
このギャップデプスの後端よりも前記第２上部コア層４
２のストレート部となる先端部４２ｃの基端４２ｃ１の
方を前記「薄膜磁気ヘッドの前端面」側に位置させるこ
とができる。これによりギャップデプス（Ｇｄ）よりも
短いストレート部（先端部４２ｃ）を前記第２上部コア
層４２に形成することが可能になる。前記ストレート部
となる先端部４２ｃのハイト方向（図示Ｙ方向）への長
さ寸法Ｌ２は０．３μｍ以上で１．２μｍ以下であるこ
とが好ましい。

【０１３５】上記のように前記ギャップデプス（Ｇｄ）
の後端よりもストレート部となる先端部４２ｃの基端４
２ｃ１が「薄膜磁気ヘッドの前端面」側にあると、磁気
飽和が生じ難い第２上部コア層４２を形成でき、オーバ
ーライト特性等の諸特性の向上を図りやすくなる。

【０１３６】また図７に示すように、前記第２上部コア
層４２の後端部４２ｄは、トラック幅方向（図示Ｘ方
向）の幅寸法がハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて広が
る形状であり、これによって前記後端部４２ｄの上面の
面積を大きくすることができ、上部コア層３５との接触
面積を大きくすることができる。前記幅寸法は漸次的に
広がっていることが好ましい。また前記後端部４２ｄの
トラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面４２ｅ
は、傾斜面であってもよいし図７に示すような湾曲面で
あってもよい。

【０１３７】図８ないし図１５は、図１に示す形状の薄
膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図である。なお各
図は製造工程中の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図であ
る。

【０１３８】図８に示す工程では、ＮｉＦｅ系合金など
の磁性材料からなる第１下部コア層２０をメッキ形成し
た後、前記第１下部コア層２０上であって、「薄膜磁気
ヘッドの前端面」からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけ
て所定の長さ寸法で第２下部コア層２１を形成する。前
記第２下部コア層２１は例えばメッキで形成される。な
お図８に示す「薄膜磁気ヘッドの前端面」の位置は、図
１に示す「薄膜磁気ヘッドの前端面」の位置と異なって
いる。すなわち最終の図１５工程で、薄膜磁気ヘッドの
前端面はハイト方向（図示Ｙ方向）にＨ−Ｈ面まで削ら
れ、その削られた面が図１に示す「薄膜磁気ヘッドの前
端面」となる。

【０１３９】図８工程では、前記第２下部コア層２１の
形成と同時に、第１バックギャップ層２３も前記第１下
部コア層２０上に形成することが好ましい。前記第１バ
ックギャップ層２３も前記第２下部コア層２１と同様に
メッキ形成されることが好ましい。

【０１４０】次に前記第２下部コア層２１上から前記第
１下部コア層２０上及び第１バックギャップ層２３上に
かけてＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの絶縁材料で形成された
絶縁材料層２２をスパッタ法あるいは蒸着法等で形成す
る。

【０１４１】次に前記絶縁材料層２２及び第２下部コア
層２１及び第１バックギャップ層２３を図８に示すＦ−
Ｆ面まで例えばＣＭＰ技術等を用いて削り込み、図９に
示すように、前記第２下部コア層２１表面、前記絶縁材
料層２２表面及び第１バックギャップ層２３表面を同一
平面に形成する。

【０１４２】図１０に示す工程では、前記第２下部コア
層２１、絶縁材料層２２及び第１バックギャップ層２３
上にレジスト層５２を形成した後、前記レジスト層５２
の「薄膜磁気ヘッドの前端面」側に露光現像によって磁
極部２６形状のパターン５２ａを形成する。

【０１４３】従来では前記磁極部２６の下側にＧｄ決め
層を設けていたため、磁極部２６を構成する上部磁極層
の特に後端側の体積が急激に小さくなるといった不具合
があり、このため前記レジスト層５２の膜厚を厚く形成
して深いパターン５２ａを形成し、前記上部磁極層の体
積が所定の大きさになるようにする必要性があったが、
本発明では、Ｇｄ決め層を設けていないため、上記のよ
うな不具合は発生せず、したがって前記レジスト層５２
の膜厚を従来より薄く形成しても、磁極部２６を構成す
る上部磁極層２９の体積を所定の大きさに確保しやす
い。

【０１４４】よって本発明では、前記レジスト層５２を
薄く形成し、具体的には２．５μｍ以上で４．５μｍ以
下で形成することができ、これによって露光現像時にお
けるパターン精度を向上させることができ、前記レジス
ト層５２に形成される磁極部２６形状のパターン５２ａ
を狭トラック化に対応可能なように所定の大きさで形成
することができる。

【０１４５】またこの工程では、前記パターン５２ａの
後端面５２ｂが、前記第２下部コア層２１の後端面２１
ａより「薄膜磁気ヘッドの前端面」側に位置するよう
に、前記パターン５２ａを形成することが好ましい。

【０１４６】前記レジスト層５２にパターン５２ａを露
光現像で形成した後、前記パターン５２ａ内に下から下
部磁極層２７、ギャップ層２８及び上部磁極層２９の順
に連続して各層をメッキ形成する。本発明では前記磁極
部２６の全体膜厚を２．０μｍ以上で４．０μｍ以下で
形成することが好ましい。このように本発明では前記磁
極部２６の全体膜厚を薄く形成できる。

【０１４７】また本発明では前記ギャップ層２８もメッ
キ形成するので、前記ギャップ層２８をメッキ形成可能
な非磁性導電材料で形成することが好ましい。具体的に
は、前記ギャップ層２８を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、Ｎｉ
Ｗ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒの
うち１種または２種以上からなる非磁性導電材料で形成
することが好ましい。前記非磁性導電材料のうち本発明
では特にＮｉＰをギャップ層２８として用いることが好
ましい。ＮｉＰは組成比によって適切に非磁性の性質を
帯び、また表面を平坦化しやすく、さらに前記ギャップ
層２８上に形成される上部磁極層２９の結晶性を良好に
保つことができるなど、優れた特性を有している。

【０１４８】前記磁極部２６をメッキ形成した後、前記
レジスト層５２を除去する。次に本発明では、既に説明
した図６に示すように、前記磁極部２６のハイト方向後
方（図示Ｙ方向）にレジストなどからなるマスク層５０
を設け、前記磁極部２６のトラック幅方向（図示Ｘ方
向）の両側端面２６ｂ、２６ｂを、図示Ｃ方向からサイ
ドトリミングし、前記磁極部２６のトラック幅方向にお
ける幅寸法をさらに小さくし、前記上部磁極層２９のト
ラック幅方向の幅寸法で決定されるトラック幅Ｔｗを所
定の幅寸法内に収める。本発明では前記トラック幅Ｔｗ
は０．１μｍ以上で０．５μｍ以下であることが好まし
い。

【０１４９】本発明では磁極部２６の後端面２６ａが第
２下部コア層２１の後端面２１ａより「記録媒体との対
向面」側に位置し、サイドトリミング時に前記磁極部２
６の後端面２６ａ側がマスク層５０で覆われることで、
上記のサイドトリミングによって前記絶縁材料層２２は
削られ難くなり、よって前記絶縁材料層２２を構成する
絶縁元素の付着膜が前記磁極部２６の両側端面２６ｂに
付着するといった不具合を解消でき、前記磁極部２６を
所定のトラック幅形状で且つ所定のトラック幅Ｔｗで形
成することが可能になる。

【０１５０】本発明では、前記磁極部２６をメッキ形成
した後、前記第１バックギャップ層２３の上に、レジス
ト層（図示しない）を用いて第２バックギャップ層３１
を形成することが好ましい。

【０１５１】次に図１１に示す工程では、前記第２下部
コア層２１と第１バックギャップ層２３間に形成された
絶縁材料層２２表面をエッチング等で削り込み（この
際、エッチングの影響を受けないように磁極部２６や第
２バックギャップ層３１上等はレジスト層で覆ってお
く）、前記絶縁材料層２２表面にコイル形成溝２２ｂを
形成する。なおこのコイル形成溝２２ｂの形成は、例え
ば図９工程後、磁極部２６形成前に行ってもよい。また
前記コイル形成溝２２ｂを形成しなくてもよい。

【０１５２】そして前記コイル形成溝２２ｂ上に第１コ
イル層２４をパターン形成し、前記第１コイル層２４の
各導体部間をレジストなどで形成されたコイル絶縁層２
５で埋め、また前記第１コイル層２４上を前記コイル絶
縁層２５で覆う。

【０１５３】図１２工程では、前記磁極部２６上から前
記コイル絶縁層２５上、および第２バックギャップ層３
１上にかけてＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの絶縁材料で形成
された絶縁層３０をスパッタ法や蒸着法によって形成す
る。

【０１５４】そして前記上部磁極層２９、第１コイル層
２４、絶縁層３０、コイル絶縁層２５及び第２バックギ
ャップ層３１表面が同一平面になるまで各層をＧ−Ｇ平
面までＣＭＰ技術等により削り込む。削り込みが終了し
た時点での薄膜磁気ヘッドの構造が図１３である。

【０１５５】次に図１４に示す工程では、前記第１コイ
ル層２４上及びコイル絶縁層２５上に、レジストなどか
らなる有機絶縁層３２を形成した後、前記有機絶縁層３
２上に第２コイル層３３をパターン形成する。さらに前
記第２コイル層３３上をレジストなどからなる有機絶縁
層３４で覆い、このとき前記有機絶縁層３４に、前記第
２バックギャップ層３１上にまで貫通する穴部３４ａを
形成する。

【０１５６】次に図１５に示す工程では、前記上部磁極
層２９上から前記有機絶縁層３４上、および前記有機絶
縁層３４に形成された穴部３４ａから露出した第２バッ
クギャップ層３１上にかけて上部コア層３５を例えばフ
レームメッキ法等により形成する。これによって前記上
部コア層３５の先端部３５ａを上部磁極層２９上に、前
記上部コア層３５の基端部３５ｂを前記第２バックギャ
ップ層３１上に磁気的に接続させることができる。

【０１５７】次に図１５に示すように、前記薄膜磁気ヘ
ッドの記録媒体側の先端部分をＨ−Ｈ平面まで削り込
み、これによって前記磁極部２６のハイト方向（図示Ｙ
方向）への長さ寸法で決定されるギャップデプス（Ｇ
ｄ）を所定の長さ寸法内に収まるようにする。なお図１
５に示す薄膜磁気ヘッドのＨ−Ｈ平面が図１に示す「薄
膜磁気ヘッドの前端面」となる。

【０１５８】図１５に示すＨ−Ｈ平面までの研削工程が
終了すると図１に示す構造の薄膜磁気ヘッドが完成す
る。

【０１５９】図２に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
図８、９工程を施した後、図１０工程でレジスト層５２
に磁極部２６形状のパターン５２ａを形成する際に、前
記パターン５２ａの後端面５２ｂを、前記第２下部コア
層２１の後端面２１ａよりハイト方向（図示Ｙ方向）後
方に位置させればよい。これによって前記パターン５２
ａ内に下から下部磁極層２７、ギャップ層２８及び上部
磁極層２９からなる磁極部２６をメッキ形成すると、図
２のように前記磁極部２６の後端面２６ａが、前記第２
下部コア層２１の後端面２１ａよりもハイト方向後方
（図示Ｙ方向）に位置し、その後、図１１工程ないし図
１５工程を施すことで、図２に示す構造の薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【０１６０】図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
まず図８、図９工程を施した後、図９に示す第２下部コ
ア層２１上及び絶縁材料層２２上にＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂
などからなるギャップ層４１をスパッタあるいは蒸着法
等によって形成する。

【０１６１】次にレジスト層を用いて前記ギャップ層４
１の上に第２上部コア層４２をメッキ形成する。このと
き前記第２上部コア層４２の後端面４２ａが前記第２下
部コア層２１の後端面２１ａよりも「薄膜磁気ヘッドの
前端面」側に位置するように、前記第２上部コア層４２
を形成する。

【０１６２】その次は既に図７で説明した通り、前記第
２上部コア層４２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両
側に露出したギャップ層４１及び第２下部コア層２１の
一部を図示Ｄ方向からのデプストリミングで削り込み、
前記第２下部コア層２１に前記第２上部コア層４２側に
突き出す突出部２１ｃを形成し、次に前記第２上部コア
層４２、ギャップ層４１及び突出部２１ｃの両側端面を
図示Ｅ方向からのサイドトリミングで削り、前記第２上
部コア層４２のトラック幅方向の幅寸法で決定されるト
ラック幅Ｔｗを所定寸法内に小さくする。その後は図１
１ないし図１５工程と同じ工程を施す。

【０１６３】また図１に示す構造の薄膜磁気ヘッドにお
いて、磁極部２６をギャップ層２８と上部磁極部２９の
２層構造で形成してもよいが、かかる場合、デプストリ
ミングも施し、第２下部コア層２１に突出部を形成し
て、サイドフリンジングをより効果的に防止できる薄膜
磁気ヘッドを製造することが好ましい。

【０１６４】以上、詳述した本発明における薄膜磁気ヘ
ッドは、例えばハードディスク装置などに搭載される磁
気ヘッド装置に内蔵される。前記薄膜磁気ヘッドは浮上
式磁気ヘッドあるいは接触式磁気ヘッドのどちらに内蔵
されたものでもよい。また前記薄膜磁気ヘッドはハード
ディスク装置以外にも磁気センサ等に使用できる。

【０１６５】

【発明の効果】以上、詳細に説明した本発明の第１の発
明では、下から下部磁極層、ギャップ層、及び上部磁極
層の順に積層された磁極部と第１下部コア層との間に第
２下部コア層が形成された形態であり、この発明では従
来例のように、Ｇｄ決め層は設けられていない。

【０１６６】従って本発明では、磁極部を略矩形状で適
切に形成しやすく、従来のようにＧｄ決め層が設けられ
ていることによるギャップ層の湾曲化の問題や、上部磁
極層の体積低減の問題等は発生しない。

【０１６７】さらにこの発明では従来と異なって磁極部
の下には第２下部コア層が設けられており、下部磁極層
側での磁気飽和を適切に解消することができる構造とな
っている。

【０１６８】よって上記した第１の本発明では、ギャッ
プ近傍での記録磁界強度を安定化させて強くでき、狭ト
ラック化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッド（インダク
ティブヘッド）を製造することが可能である。

【０１６９】また本発明における第２の発明では、第１
下部コア層上に第２下部コア層が形成され、前記第２下
部コア層上にギャップ層を介して第２上部コア層が形成
された形態であり、前記第２上部コア層の後端面は、前
記第２下部コア層の後端面よりも前記前端面側に位置し
ている。

【０１７０】このため、前記第２上部コア層及び第２下
部コア層に対してデプストリミング及びサイドトリミン
グを施す工程において、前記第２上部コア層のトラック
幅方向の両側端面に、従来のように絶縁材料製の付着物
が付着するといった不具合は発生しにくく、したがって
トラック幅形状を所定形状で形成しやすく、ギャップ近
傍からの記録磁界強度が安定して強い狭トラック化に優
れた薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）を製造す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における第１の実施の形態の薄膜磁気ヘ
ッドの構造を示す部分縦断面図、

【図２】本発明における第２の実施の形態の薄膜磁気ヘ
ッドの構造を示す部分縦断面図、

【図３】本発明における第３の実施の形態の薄膜磁気ヘ
ッドの構造を示す部分縦断面図、

【図４】図１、２に示す薄膜磁気ヘッドの部分正面図、

【図５】図３に示す薄膜磁気ヘッドの部分正面図、

【図６】図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分斜視図、

【図７】図３に示す薄膜磁気ヘッドの部分斜視図、

【図８】本発明の図１の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す一工程図、

【図９】図８に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図１０】図９に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図１１】図１０に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１２】図１１に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１３】図１２に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１４】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１５】図１４に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１６】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分縦断面図、

【図１７】図１６に示す薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断
面図、

【図１８】従来における別の薄膜磁気ヘッドの部分縦断
面図、

【図１９】図１８に示す薄膜磁気ヘッドの部分正面図、

【図２０】図１８、図１９に示す薄膜磁気ヘッドの部分
斜視図、

【符号の説明】

２０第１下部コア層２１第２下部コア層２２絶縁材料層２６磁極部２６ｃ（磁極部の）先端部２６ｄ（磁極部の）後端部２７下部磁極層２８、４１ギャップ層２９上部磁極層３５上部コア層（第１上部コア層）４２第２上部コア層５０マスク層５２レジスト層

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１下部コア層と、前記第１下部コア層
上に薄膜磁気ヘッドの前端面からハイト方向に所定の長
さで形成された第２下部コア層と、前記第２下部コア層
のハイト方向後方に形成された絶縁層と、前記第２下部
コア層上、あるいは前記第２下部コア層上及び絶縁層上
に、前記前端面からハイト方向後方に所定の長さ寸法で
形成され、下から下部磁極層、ギャップ層、及び上部磁
極層の順、又は下からギャップ層及び上部磁極層の順に
積層された磁極部と、前記上部磁極層の上に形成された
上部コア層とを有してなることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。
【請求項２】前記磁極部の後端面は、前記第２下部コ
ア層表面に対して垂直方向に延びた垂直面で形成されて
いる請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記磁極部の後端面は、前記第２下部コ
ア層の後端面よりも前記前端面側に形成されている請求
項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】第１下部コア層と、前記第１コア層上で
あって薄膜磁気ヘッドの前端面からハイト方向に所定の
長さで形成された第２下部コア層と、前記第２下部コア
層のハイト方向後方に形成された絶縁層と、前記第２下
部コア層上に形成されたギャップ層と、前記ギャップ層
上に前記前端面からハイト方向後方に所定の長さ寸法で
形成された第２上部コア層と、前記第２上部コア層の上
に形成された第１上部コア層とを有し、前記第２上部コ
ア層の後端面は、前記第２下部コア層の後端面よりも前
記前端面側に位置していることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。
【請求項５】前記第２上部コア層の後端面は、前記第
２下部コア層表面に対して垂直方向に延びた垂直面で形
成されている請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】前記磁極部あるいは第２上部コア層は、
前記前端面からハイト方向にかけてトラック幅方向に所
定の幅寸法で形成された先端部と、この先端部の基端か
らハイト方向にかけて、前記トラック幅方向への幅寸法
が広がる後端部とで構成されている請求項３ないし５の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】前記ギャップ層は、非磁性導電材料で形
成される請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気
ヘッド。
【請求項８】前記ギャップ層は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、
ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃ
ｒのうち１種または２種以上からなる請求項７記載の薄
膜磁気ヘッド。
【請求項９】前記絶縁層にはコイル形成溝が形成さ
れ、前記コイル形成溝内にコイル層が設けられ、前記コ
イル層の表面と、前記磁極部あるいは第２上部コア層の
表面とは同一平面で形成される請求項１ないし８のいず
れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】以下の工程を有することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。（ａ）第１下部コア層上に、薄膜磁気ヘッドの前端面か
らハイト方向にかけて所定長さの第２下部コア層をメッ
キ形成する工程と、（ｂ）前記第２下部コア層の後端面
からハイト方向にかけて前記第１下部コア層上に絶縁層
を形成する工程と、（ｃ）前記第２下部コア層上に、前
記前端面からハイト方向にかけて下から下部磁極層、ギ
ャップ層及び上部磁極層の順で、あるいは下からギャッ
プ層及び上部磁極層の順で各層を連続メッキ形成して磁
極部を形成し、このとき前記磁極部の後端面を前記第２
下部コア層の後端面より前記前端面側に位置させる工程
と、（ｄ）前記磁極部よりもハイト方向後方に位置する
絶縁層上にコイル層を形成し、前記コイル層上を第２絶
縁層で覆う工程と、（ｅ）前記上部磁極層上からハイト
方向後方に上部コア層を形成する工程。
【請求項１１】前記（ｃ）工程で、前記磁極部の後端
面を第２下部コア層表面から垂直面として形成する請求
項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】前記（ｄ）工程にかえて以下の工程を
有する請求項１０または１１に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。（ｆ）前記磁極部よりもハイト方向後方に位置する絶縁
層にコイル形成溝を形成する工程と、（ｇ）前記コイル
形成溝上にコイル層を形成し、前記コイル層上をコイル
絶縁層で覆う工程と、（ｈ）前記磁極部表面、およびコ
イル層表面が同じ平坦化面になるまで、前記磁極部、コ
イル層、およびコイル絶縁層表面を削る工程。
【請求項１３】前記ギャップ層を、非磁性導電材料で
メッキ形成する請求項１０ないし１２のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】前記ギャップ層を、ＮｉＰ、ＮｉＰ
ｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
ｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上からなる非磁性導電
材料でメッキ形成する請求項１３記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。