JP2003128906A - 芳香族ポリカーボネート樹脂組成物および光学用成形品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 成形性、機械的特性および熱安定性を維持し
つつ、複屈折率を低減し、光学特性と転写性に関してバ
ランスの取れた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物およ
びそれからの成形品を提供する。 【解決手段】 （Ａ）二価フェノール成分が２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ａ）より
実質的になる芳香族ポリカーボネート（ポリマーＡ）
と、（Ｂ）二価フェノール成分が（ｂ−１）１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサン（成分ｂ−１）および（ｂ−２）４，
４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノ
ールおよび／または２，２−ビス（３−メチルー４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ−２）より実質的
になり、成分ｂ−１：成分ｂ−２の割合がモル比で９
９：１〜２０：８０である二価フェノール成分より構成
された芳香族ポリカーボネート共重合体（ポリマーＢ）
から実質的になり、ポリマーＡ：ポリマーＢの割合が重
量で９５：５〜７５：２５であることを特徴とする芳香
族ポリカーボネート樹脂組成物および光学用成形品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族ポリカーボ
ネート樹脂組成物に関する。更に詳しくは光学特性、成
形性（殊に転写性）および機械的特性の良好な芳香族ポ
リカーボネート樹脂組成物ならびに透明かつ低い複屈折
率を有するそれからの成形品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン（以下“ビスフェノールＡ”と略称す
ることがある）にカーボネート前駆体物質を反応させて
得られるポリカーボネート樹脂は透明性、耐熱性、機械
的特性、寸法安定性が優れているがゆえにエンジニアリ
ングプラスチックとして多くの分野に使されている。特
に透明性に優れることから光学材料としての用途も多
い。しかしながら、かかるポリカーボネート樹脂はベン
ゼン環の光学異方性が大きく、従って成形品の複屈折率
が大きい欠点がある為、従来の透明性、耐熱性、機械的
特性、寸法安定性といった特性を維持しつつ、成形品の
複屈折率を改善した樹脂が求められている。

【０００３】一方、特開平２−８８６３４号公報には、
特定構造のジヒドロキシジフェニルアルカンおよびそれ
からの新規な芳香族ポリカーボネートについて記載され
ている。この公報に開示されている代表的例は、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリ
メチルシクロヘキサンを全二価フェノール成分の１００
〜２モル％使用した芳香族ポリカーボネートである。具
体的には、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを１００〜３０
モル％の割合で使用したホモ・またはコ・ポリカーボネ
ートが示され、コポリマーの場合の共重合成分として
は、ビスフェノールＡが３０、５０、６５、または７０
モル％使用されている。上記公報には、得られた前記芳
香族ポリカーボネートは、従来のビスフェノールＡから
のポリカーボネートの用途、例えば電器分野、被覆およ
び透明版ガラスの分野において使用され、高い耐熱性に
おいて優れていることが開示されている。しかしなが
ら、かかる芳香族ポリカーボネートは、溶融流動性が悪
く良好な成形品が得られ難い。

【０００４】そこで、流動性を改善した例としては、特
開平８−２９３１２８号公報で示されているように、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５
−トリメチルシクロヘキサンと４，４’−（ｍ−フェニ
レンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または
２，２−ビス（３−メチルー４−ヒドロキシフェニル）
プロパンを二価フェノール成分とする共重合ポリカーボ
ネートとすることが考えられる。ところがこの共重合体
の溶融流動性は幾分改善されるものの、より高密度ディ
スク（例えばデジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶ
Ｄ））用基板を成形した場合、転写精度において必ずし
も十分満足すべきものではなかった。

【０００５】また、特開２０００−１０９６６９号公報
にて、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサンと４，４’−（ｍ−
フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／
または２，２−ビス（３−メチルー４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパンを二価フェノール成分とする共重合ポリ
カーボネート樹脂とビスフェノールＡを二価フェノール
成分とするポリカーボネート樹脂が重量比で９９．９：
０．１〜４０：６０の割合である芳香族ポリカーボネー
ト樹脂組成物について示されている。しかしながら、こ
の樹脂組成物を用いて、さらに高密度ディスク用基板
（ＤＶＤディスク用基板等）を成形した場合において
は、その転写性は充分とは言い難い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを二価フ
ェノール成分とするポリカーボネート樹脂において、成
形性、機械的特性および熱安定性を維持しつつ、複屈折
率を低減し、光学特性と転写性に関してバランスの取れ
た芳香族ポリカーボネート樹脂組成物およびそれからの
成形品を提供することにある。

【０００７】本発明の他の目的は、光学用成形品、殊に
光ディスク基板の材料として、種々の優れた特性を具備
する芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供すること
にある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らの研究によれ
ば、前記本発明の目的は、（Ａ）二価フェノール成分が
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成
分ａ）より実質的になる芳香族ポリカーボネート（ポリ
マーＡ）と、（Ｂ）二価フェノール成分が（ｂ−１）
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５
−トリメチルシクロヘキサン（成分ｂ−１）および（ｂ
−２）４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メ
チルー４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ−
２）より実質的になり、成分ｂ−１：成分ｂ−２の割合
がモル比で９９：１〜２０：８０である二価フェノール
成分より構成された芳香族ポリカーボネート共重合体
（ポリマーＢ）から実質的になり、ポリマーＡ：ポリマ
ーＢの割合が重量で９５：５〜７５：２５であることを
特徴とする芳香族ポリカーボネート樹脂組成物によって
達成される。

【０００９】以下、本発明についてさらに詳細に説明す
る。

【００１０】本発明の樹脂組成物は、実質的に前記ポリ
マーＡおよびＢより形成され、このポリマーＡ：ポリマ
ーＢの割合は、重量で９５：５〜７５：２５の範囲であ
り、９０：１０〜７５：２５の範囲が好ましく、８５：
１５〜７５：２５の範囲が最も好ましい。ポリマーＢの
割合が５％未満の場合、光弾性定数、複屈折率の低減効
果が小さく光学特性に劣り、一方２５％を越えるとポリ
マーＡの有する良好な成形性を維持することが困難とな
り、殊に高密度の光ディスク用基板の成形において転写
性が劣り好ましくない。

【００１１】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物において、ポリマーＢにおける二価フェノール成分中
の成分ｂ−１と成分ｂ−２との割合がモル比で９９：１
〜２０：８０の範囲であり、８０：２０〜２０：８０の
範囲が好ましく、８０：２０〜３０：７０の範囲がさら
に好ましい。成分ｂ−１の割合が９９モル％より多く、
成分ｂ−２の割合が１モル％より少なくなると、得られ
た共重合体の溶融流動性が悪く成形不良を生じ、光学的
に良好な成形品が得られ難くなる。また成分ｂ−１の割
合が２０モル％より少なく、成分ｂ−２の割合が８０モ
ル％より多くなると、得られた共重合体の光弾性定数が
大きくなり、またガラス転移温度も低下する傾向にある
ので好ましくない。

【００１２】本発明のポリマーＡとしての芳香族ポリカ
ーボネート樹脂およびポリマーＢとしての芳香族ポリカ
ーボネート共重合体は、それぞれ通常の芳香族ポリカー
ボネート樹脂を製造するそれ自体公知の反応手段、例え
ば二価フェノール成分にホスゲンや炭酸ジエステルなど
のカーボネート前駆物質を反応させる方法により製造さ
れる。次にこれらの製造方法について基本的な手段を簡
単に説明する。

【００１３】カーボネート前駆体としてはカルボニルハ
ライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等
が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネ
ートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が挙げ
られる。

【００１４】上記二価フェノールとカーボネート前駆体
を界面重合法または溶融法によって反応させてポリカー
ボネート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触
媒、末端停止剤、二価フェノールの酸化防止剤等を使用
してもよい。またポリカーボネート樹脂は三官能以上の
多官能性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネー
ト樹脂であっても、芳香族または脂肪族の二官能性カル
ボン酸を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であ
ってもよく、また、得られたポリカーボネート樹脂の２
種以上を混合した混合物であってもよい。

【００１５】界面重合法による反応は、通常二価フェノ
ールとホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶
媒の存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸
化物またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有
機溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン
等のハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進
のために例えばトリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチル
アンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニ
ウムブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム
化合物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いるこ
ともできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応
時間は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保
つのが好ましい。

【００１６】溶融法による反応は、通常二価フェノール
とカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、
不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエ
ステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコール
またはフェノールを留出させる方法により行われる。反
応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等
により異なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲である。
反応後期には系を１．３×１０³〜１．３×１０Ｐａ程
度に減圧して生成するアルコールまたはフェノールの留
出を容易にさせる。反応時間は通常１〜４時間程度であ
る。

【００１７】カーボネートエステルとしては、置換され
ていてもよい炭素数６〜１０のアリール基、アラルキル
基あるいは炭素数１〜４のアルキル基などのエステルが
挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジト
リルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネー
ト、ｍ―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネー
ト、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボ
ネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート
などが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好
ましい。

【００１８】また、溶融法において重合速度を速めるた
めに重合触媒を用いることができ、かかる重合触媒とし
ては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価
フェノールのナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金
属化合物、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化
マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウ
ムヒドロキシド、トリメチルアミン、トリエチルアミン
等の含窒素塩基性化合物、アルカリ金属やアルカリ土類
金属のアルコキシド類、アルカリ金属やアルカリ土類金
属の有機酸塩類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、アル
ミニウム化合物類、珪素化合物類、ゲルマニウム化合物
類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、オスミウム化合物
類、アンチモン化合物類マンガン化合物類、チタン化合
物類、ジルコニウム化合物類などの通常エステル化反
応、エステル交換反応に使用される触媒を用いることが
できる。触媒は単独で使用してもよいし、２種以上組み
合わせ使用してもよい。これらの重合触媒の使用量は、
原料の二価フェノール１モルに対し、１×１０^-8〜１×
１０^-3当量、好ましくは１×１０^-7〜１×１０^-3当量、
より好ましくは１×１０^-6〜５×１０^-4当量の範囲で選
ばれる。

【００１９】芳香族ポリカーボネート樹脂（ポリマーＡ
およびポリマーＢ）は、その重合反応において、末端停
止剤として通常使用される単官能フェノール類を使用す
ることができる。殊にカーボネート前駆物質としてホス
ゲンを使用する反応の場合、単官能フェノール類は末端
停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、ま
た得られたポリマーは、末端が単官能フェノール類に基
づく基によって封鎖されているので、そうでないものと
比べて熱安定性に優れている。

【００２０】かかる単官能フェノール類としては、芳香
族ポリカーボネート樹脂の末端停止剤として使用される
ものであればよく、一般にはフェノール或いは低級アル
キル置換フェノールであって、下記一般式で表される単
官能フェノール類を示すことができる。

【００２１】

【化１】

【００２２】［式中、Ａは水素原子または炭素数１〜９
の直鎖または分岐のアルキル基あるいはアリールアルキ
ル基を示し、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数を示
す。］前記単官能フェノール類の具体例としては、例え
ばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−
クミルフェノールおよびイソオクチルフェノールが挙げ
られる。

【００２３】また、他の単官能フェノール類としては、
長鎖のアルキル基或いは脂肪族ポリエステル基を置換基
として有するフェノール類または安息香酸クロライド
類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を
使用することができ、これらを用いて芳香族ポリカーボ
ネート共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止
剤または分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂
の溶融流動性が改良され、成形加工が容易となるばかり
でなく、基板としての物性も改良される。特に樹脂の吸
水率を低くする効果があり、好ましく使用される。これ
らは下記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｈ］で表される。

【００２４】

【化２】

【００２５】［各式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−
Ｏ−または−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合
または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪
族炭化水素基を示し、Ｔは単結合または上記Ｘと同様の
結合を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。

【００２６】Ｑはハロゲン原子または炭素数１〜１０、
好ましくは１〜５の一価の脂肪族炭化水素基を示し、ｐ
は０〜４の整数を示し、Ｙは炭素数１〜１０、好ましく
は１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｗ¹は水素
原子、−ＣＯ−Ｒ¹³、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ¹⁴またはＲ¹⁵であ
る、ここでＲ¹³、Ｒ¹⁴およびＲ¹⁵は、それぞれ炭素数１
〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族炭化水素基、
炭素数４〜８、好ましくは５〜６の一価の脂環族炭化水
素基または炭素数６〜１５、好ましくは６〜１２の一価
の芳香族炭化水素基を示す。

【００２７】ｌは４〜２０、好ましくは５〜１０の整数
を示し、ｍは１〜１００、好ましくは３〜６０、特に好
ましくは４〜５０の整数を示し、Ｚは単結合または炭素
数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素
基を示し、Ｗ²は水素原子、炭素数１〜１０、好ましく
は１〜５の一価の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好
ましくは５〜６の一価の脂環族炭化水素基または炭素数
６〜１５、好ましくは６〜１２の一価の芳香族炭化水素
基を示す。］ これらのうち好ましいのは、［Ｉ−ａ］および［Ｉ−
ｂ］の置換フェノール類である。この［Ｉ−ａ］の置換
フェノール類としては、ｎが１０〜３０、特に１０〜２
６のものが好ましく、その具体例としては、例えばデシ
ルフェノール、ドデシルフェノール、テトラテトデシル
フェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフ
ェノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノール
およびトリアコンチルフェノールなどを挙げることがで
きる。

【００２８】また、［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類とし
てはＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化
合物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６の
ものが好適であって、その具体例としては、例えばヒド
ロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、
ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸
ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロ
キシ安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリア
コンチルが挙げられる。

【００２９】前記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示さ
れる置換フェノール類または置換安息香酸クロライドに
おいて置換基の位置は、ｐ位またはｏ位が一般的に好ま
しく、その両者の混合物が好ましい。

【００３０】前記単官能フェノール類は、得られた芳香
族ポリカーボネート樹脂組成物の全末端に対して少なく
とも５モル％、好ましくは少なくとも１０モル％末端に
導入されることが望ましく、また単官能フェノール類は
単独でもしくは２種以上混合して使用してもよい。

【００３１】また、本発明のポリマーＢとしての芳香族
ポリカーボネート共重合体において、成分ｂ−１の１,
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリ
メチルシクロヘキサンが、全二価フェノール成分の８０
モル％以上である場合は、樹脂の流動性が低下すること
があり、そのため前記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で
示される置換フェノール類または置換安息香酸クロライ
ド類を末端停止剤として使用することが好ましい。

【００３２】本発明の組成物の調整において、ポリマー
ＡとポリマーＢとの混合は、ポリマー溶液、粉粒体、ペ
レット等の成形品の段階が考えられるが、特に規制する
ものではない。また混合の方法については、ポリマー溶
液の段階では、例えば、攪拌機付き容器が主として考え
られ、また、粉粒体、ペレット等の成形品の段階では、
例えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、ナウターミキサ
ー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出機などで混
合する方法が用いられる。いずれの場合も任意の方法で
使用され、特に規制はないが、混合操作中の異物混入に
対する除去方法の簡便さからポリマー溶液状態での混合
後、任意の目開きのフィルターを通過させるという方法
が好ましい。

【００３３】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物はそのポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレン
に溶解し、２０℃で測定した比粘度が０.２〜０.５のも
のが好ましく、０.２５〜０.４の範囲のものがより好ま
しい。比粘度が０.２未満では成形品が脆くなり、０.５
より高くなると溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光
学的に良好な成形品が得られ難くなる。

【００３４】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、オリゴマー含量が１０％以下であることが好まし
く、７％以下がより好ましく、特に５％以下が好まし
い。このオリゴマー含量の値は下記方法およびカラムを
使用して測定された値である。すなわち、東ソー（株）
製、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬ
カラム各１本づつ直列に繋いで溶離液としてクロロホル
ムを用い、流量０.７ｍｌ／分で安定化した後、該芳香
族ポリカーボネート樹脂組成物のクロロホルム溶液を注
入する方法で測定したＧＰＣチャートのリテンションタ
イムが２３分以降のオリゴマーピーク面積の合計の全ピ
ーク面積に対する割合がオリゴマー含量であり、この値
が１０％以下であることが好ましく、７％以下であるこ
とがより好ましい。オリゴマー含量が７％、殊に１０％
を越えると、成形時に金型表面を汚染することがあるの
で望ましくなく、その汚染はオリゴマー含量が多くなる
程顕著になる傾向がある。一方、オリゴマーは芳香族ポ
リカーボネート樹脂組成物の製造過程で生じるものであ
り、完全に零（０）にすることはできない。

【００３５】オリゴマーは、前記した含量以下であれば
よく、その値を満足する限り、少割合含有されていても
差支えない。０.１％以上、より好ましくは０.１５％以
上の少割合の含量でオリゴマーが存在すると、それ以下
のものと比べて溶融流動性が向上する。そのため、特に
好ましくはオリゴマー含量は０.１５〜４％の範囲であ
る。

【００３６】芳香族ポリカーボネート樹脂組成物中のオ
リゴマー含量を前記範囲に制御するには、大量のオリゴ
マーが共重合体中に含まれないように重合を充分に完結
することが必要であり、また触媒および重合条件を適宣
選択することが要求される。もしオリゴマー含量が前記
範囲を越えている場合には、例えばオリゴマーを抽出な
どの手段により除去する処置が採用される。この抽出は
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の溶液（例えば塩化
メチレン溶液）を、その共重合体の貧溶剤または非溶剤
（例えばアセトンまたはメタノール）中に滴下する方
法、或いはその組成物を貧溶媒または非溶媒に浸漬し
て、オリゴマーを抽出する方法などの手段によって実施
することができる。

【００３７】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、光学的材料、殊に光ディスク基板として好適に使
用されるため、その中に未溶解粒子が或る一定量以上存
在しないことが望ましい。

【００３８】すなわち、かかる芳香族ポリカーボネート
樹脂組成物は、その２０ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解し
た溶液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウン
ターモデル４１００を用いたレーザーセンサー法にて、
散乱光をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求め
た径０.５μｍ以上の未溶解粒子が、該芳香族ポリカー
ボネート樹脂組成物１ｇ当り２５,０００個以下、且つ
１μｍ以上の未溶解粒子が５００個以下であることが好
ましい。０.５μｍ以上の未溶解粒子が２５,０００個を
超えるか、または１μｍ以上の未溶解粒子が５００個を
超えると光ディスクに書き込まれた情報ピットに悪影響
を及ぼしエラーレートが大きくなるので好ましくない。
さらに好ましくは、０.５μｍ以上の未溶解粒子が２０,
０００個以下、且つ１μｍ以上の未溶解粒子が２００個
以下である。また、１０μｍ以上の未溶解粒子は実質的
に存在すべきでない。また５μｍ以上の未溶解粒子は３
０個／ｇ以下であるのが好ましい。

【００３９】芳香族ポリカーボネート樹脂組成物中にお
ける未溶解粒子の量を前記範囲とするためには、重合過
程および造粒過程において、未溶解粒子が混入しないか
或いは除去し得る手段を採用すべきである。

【００４０】そのような手段としては、例えば操作をク
リーンルームで行うこと、未溶解粒子の除去装置の付い
た造粒装置を使用すること（具体的例としては、軸受け
部に異物取り出し口を有する隔離室を設けたニーダーな
ど）或いは摺動部分に樹脂粒子が触れない構造の装置
（例えばスプレードライヤー形式の造粒機）で造粒する
ことなどがある。

【００４１】また、未溶解粒子を除去する他の手段とし
て、樹脂の溶液を目開きの小さいフィルター（０.５〜
１μｍ）によりろ過する方法或いは樹脂を溶融して後、
金属フィルター（１０〜４０μｍ）により固体粒子を除
去する方法などが採用される。

【００４２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、その光弾性定数の値が７８×１０^-12ｍ²／Ｎ以
下、好ましくは７５×１０^-12ｍ²／Ｎ以下のものが有利
に利用される。光弾性定数の値が前記値よりも大きい場
合、光学用材料、殊に光ディスクとして適さなくなる。

【００４３】芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、そ
のガラス転移点が１２０℃以上が好ましく、１３０℃以
上がより好ましく、１３５℃以上がさらに好ましい。ガ
ラス転移点が低くなると光学用材料、殊にディスク基板
としての耐熱性が不足する。

【００４４】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、カーボネート前駆物質としてホスゲンを使用し、
また溶媒として塩化メチレンなどの塩素系溶媒を使用し
た場合、塩素が少なからず残存している。この塩素の含
有量が多いと成形金型が腐食したり、芳香族ポリカーボ
ネート樹脂組成物の熱安定性が低下したり、また光ディ
スク基板として用いた場合、その金属膜の腐食が起こっ
たりするので望ましくない。従って、塩素の含量は１０
ｐｐｍ以下、好ましくは７ｐｐｍ以下、特に好ましくは
５ｐｐｍ以下であるのが推奨される。ここで云う塩素含
量とは、芳香族ポリカーボネート共重合体を三菱化学製
全有機ハロゲン分析装置ＴＯＸ１０型を用いて燃焼法に
より測定された値を意味するものとする。

【００４５】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、溶融成形における流動性に優れかつ成形条件の大
幅な制限が改善されている。従って成形条件にその巾が
広くなるので成形の操作が容易となる。すなわち、本発
明の樹脂組成物は溶融時（２６０℃）における流動性
（ＭＦＲ値）が２０〜４５ｇ／１０ｍｉｎ、好ましくは
２３〜３５ｇ／１０ｍｉｎであって、流動特性に優れて
いる。

【００４６】本発明で使用するポリカーボネート樹脂組
成物は、ＡＳＴＭ Ｄ−０５７０によって測定した吸水
率が０．２重量％以下であることが好ましく、０．１８
量％以下であることがより好ましい。吸水率が０．２重
量％を超えると、本発明のポリカーボネート共重合体よ
り成形される光ディスク基板の表面上に金属膜を形成さ
せた光ディスクが吸水によって反りを生じ易くなり、ト
ラッキングエラーを起こし易くなるので好ましくない。

【００４７】さらに本発明の樹脂組成物から形成された
成形品、殊に光ディスク基板は、優れた光学特性値を有
している。すなわち、本発明の樹脂組成物は光弾性定数
が５０×１０^-12ｍ²／Ｎ〜７８×１０^-12ｍ²／Ｎ、好適
には５５×１０^-12ｍ²／Ｎ〜７５×１０^-12ｍ²／Ｎの範
囲である。

【００４８】また、シリンダー設定温度３８０℃、金型
温度１３０℃、冷却時間１０秒にて直径１２０ｍｍ、厚
さ０．６ｍｍのディスクを成形した場合の半径５０ｍｍ
部分における垂直複屈折率とディスク半径方向に対して
垂直になるような斜め入射（３０度）複屈折率の差の絶
対値（ΔＲ）が２５〜４０ｎｍ、好適には２７〜３５ｎ
ｍの範囲であって、光ディスク基板としての目的に優れ
た特性を有している。

【００４９】本発明において、前記芳香族ポリカーボネ
ート樹脂組成物に、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜
ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択
された少なくとも１種のリン化合物が、その共重合体に
対して０.０００１〜０.０５重量％の割合で配合するこ
とができる。このリン化合物を配合することにより、か
かる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の熱安定性が向
上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防止
される。

【００５０】かかるリン化合物としては、リン酸、亜リ
ン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステ
ルよりなる群から選択される少なくとも１種のリン化合
物であり、好ましくは下記一般式（１）〜（４）よりな
る群から選択された少なくとも１種のリン化合物であ
る。

【００５１】

【化３】

【００５２】ここで、Ｒ¹〜Ｒ¹²は、それぞれ独立し
て、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、
ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルなどの炭素数１
〜２０のアルキル基、フェニル、トリル、ナフチルなど
の炭素数６〜１５のアリール基またはベンジル、フェネ
チルなどの炭素数７〜１８のアラルキル基を表してい
る。また１つの化合物中に２つのアルキル基が存在する
場合は、その２つのアルキル基は互いに結合して環を形
成していてもよい。

【００５３】上記（１）式で示されるリン化合物として
は、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフ
ェニルホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホス
ファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオク
チルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフ
ェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイ
ト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチル
ジフェニルホスファイト、ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトール
ジホスファイト、２,２−メチレンビス（４,６−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス
（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイ
ト、ビス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペ
ンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペン
タエリスリトールジホスファイトなどが挙げられ、上記
（２）式で示されるリン化合物としては、例えばトリブ
チルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェ
ニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニ
ルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェ
ート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフ
ェートなどが挙げられ、上記（３）式で示されるリン化
合物としては、テトラキス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）−４,４−ジフェニレンホスホナイトな
どが挙げられ、また上記（４）式で示される化合物とし
ては、ベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン
酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピルなどが挙げ
れる。なかでも、ジステアリルペンタエリスリトールジ
ホスファイト、トリエチルホスフェート、ベンゼンホス
ホン酸ジメチルが好ましく使用される。

【００５４】かかるリン化合物の配合量は、該芳香族ポ
リカーボネート樹脂組成物に対して０.０００１〜０.０
５重量％であり、０.０００５〜０.０２重量％が好まし
く、０.００１〜０.０１重量％が特に好ましい。配合量
が０.０００１重量％未満では上記効果が得られ難く、
０.０５重量％を超えると、逆に該芳香族ポリカーボネ
ート樹脂組成物の熱安定性に悪影響を与え、また耐加水
分解性も低下するので好ましくない。

【００５５】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添
加することができる。その例としてはフェノール系酸化
防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレ
ングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト）、１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,５−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
ピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３
−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−（３,
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,６−ト
リス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
ベンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビス（３,
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシ
ンナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、
トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス｛１,１−
ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］
エチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ（５,
５）ウンデカンなどが挙げられる。これら酸化防止剤の
好ましい添加量の範囲は芳香族ポリカーボネート樹脂組
成物に対して、０.０００１〜０.０５重量％である。

【００５６】さらに本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂組成物には、必要に応じて一価または多価アルコール
の高級脂肪酸エステルを加えることもできる。この一価
または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを配合する
ことにより、前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の
成形時の金型からの離型性が改良され、ディスク基板の
成形においては、離型荷重が少なく離型不良によるディ
スク基板の変形、ピットずれを防止できる。また、芳香
族ポリカーボネート樹脂組成物の溶融流動性が改善され
る利点もある。

【００５７】かかる高級脂肪酸エステルとしては、炭素
原子数１〜２０の一価または多価アルコールと炭素原子
数１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エ
ステルであるのが好ましい。

【００５８】また、かかる一価または多価アルコールと
飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルとして
は、ステアリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソ
ルビテート、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリス
リトールモノステアレート、ペンタエリスリトールテト
ラステアレート、プロピレングリコールモノステアレー
ト、ステアリルステアレート、パルミチルパルミテー
ト、ブチルステアレート、メチルラウレート、イソプロ
ピルパルミテート、２−エチルヘキシルステアレートな
どが挙げられ、なかでも、ステアリン酸モノグリセリ
ド、ペンタエリスリトールテトラステアレートが好まし
く用いられる。

【００５９】かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステ
ルの配合量は、該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に
対して０.０１〜２重量％であり、０.０１５〜０.５重
量％が好ましく、０.０２〜０.２重量％がより好まし
い。配合量が０.０１重量％未満では上記効果が得られ
ず、２重量％を越えると金型表面の汚れの原因ともな
る。

【００６０】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物には、さらに光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤な
どの添加剤を透明性を損なわない範囲で加えることがで
きる。本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を上
記添加剤を混合するには、任意の方法で行うことができ
る。例えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、ナウターミキ
サー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出機などで
混合する方法が適宜用いられる。この芳香族ポリカーボ
ネート樹脂組成物は、例えば射出成形法、圧縮成形法、
押出成形法、溶液キャスティング法など任意の方法によ
り成形される。

【００６１】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、成形性および熱安定性に優れているので種々の成
形品として利用することができる。殊に光学ディスク、
光学レンズ、液晶パネル、光カード、シート、フィル
ム、光ファイバー、コネクター、蒸着プラスチック反射
鏡、ディスプレーなどの光学部品の構造材料または機能
材料用途に適した光学用成形品として有利に使用するこ
とができる。これらのうち、光ディスク基板として特に
有利に使用することができる。

【００６２】本発明の光ディスク基板は、その片面に金
属薄膜を形成させることにより光ディスクが得られる。
この金属としては、アルミニウム、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｇｄ、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＧｅＳｂＴｅ、Ｚｎ
Ｓおよびアルミニウム合金等があり、アルミニウムが適
している。また薄膜は、スパッタリング、蒸着等の手段
で形成させることができる。これらの金属薄膜の形成手
段は、それ自体知られた方法で行うことができる。

【００６３】本発明の光ディスクとしては、オーディオ
用のコンパクトディスク（直径１２ｃｍのディスク当り
約６５０ＭＢの記録密度）から高密度のディスクまでを
対象とする。例えば、最近再生専用では容量４.７ＧＢ
のＤＶＤ−ＲＯＭ、記録再生可能なＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ
−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭにおいても容量４.７ＧＢが実
現されつつある。また、ＭＯディスクでは５.２５”サ
イズでは両面で５.２ＧＢ、３.５”では片面で１.３Ｇ
Ｂの光学情報記録媒体が上市されているが、デジタル高
画質放送などに対応する直径１２ｃｍのディスクに換算
して片面約６.５ＧＢ以上、殊に１０ＧＢ以上の高密度
光学記録媒体が要望され、本発明の光ディスク基板はこ
れらのものにも十分に適応できる特性を有する。

【００６４】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部である。なお、評価は下
記の方法によった。

【００６５】（１）比粘度 ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し
２０℃の温度で測定した。

【００６６】（２）ガラス転移点（Ｔｇ） ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）社製
２９１０型ＤＳＣを使用し、昇温速度１０℃／ｍｉｎに
て測定した。

【００６７】（３）流動性（ＭＦＲ） ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠して、東洋精機製セミオー
トメルトインデクサーを用いて、２６０℃、荷重２.１
６ｋｇで１０分間に流出したポリマー量（ｇ）で示し
た。

【００６８】（４）オリゴマー含量 東ソー製ＧＰＣカラムＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬと
ＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬを用い、溶離液としてク
ロロホルムを流量０.７ｍｌ／分で流しながら試料５０
ｍｇをクロロホルム５ｍｌに溶解した溶液を２０μｌ注
入する方法で求めたＧＰＣチャートのリテンションタイ
ムが２３分以降のオリゴマー成分のピーク面積の全ピー
ク面積に対する割合を％で示した。

【００６９】（５）塩化メチレン未溶解粒子 該芳香族ポリカーボネート樹脂２０ｇを塩化メチレン１
Ｌに溶解した溶液をハイアックロイコ社製液体パーティ
クルカウンターモデル４１００を用いたレーザーセンサ
ー法にて散乱光をラテックス粒子の散乱光に換算する方
法で求めた。

【００７０】（６）全光線透過率およびヘーズ ＡＳＴＭ Ｄ−１００３に準拠して日本精密工業（株）
ＳＥＰ−Ｈ−２を用いて測定した。（ヘーズ＝散乱光線
透過率／全光線透過率×１００（％））

【００７１】（７）光弾性定数 理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−１５０により
測定した。

【００７２】（８）吸水率 ＡＳＴＭ Ｄ−０５７０に従い２３℃、２４時間水浸積
後の吸水率を測定した。

【００７３】（９）ΔＲ値 射出成形機（名機製作所 Ｍ３５−Ｄ−ＤＭ）とキャビ
ティ厚０．６ｍｍｔ直径１２０ｍｍの金型およびグルー
ブ深さ８６ｎｍ、グルーブ幅０．７６μｍの溝が刻まれ
た１５ＧＢ以上の容量を持つＨＤ−ＤＶＤ−ＲＡＭ基板
用スタンパーを用いて、シリンダー設定温度３８０℃、
金型温度１３０℃、型締め力１５トン、冷却時間１０秒
でディスク基板を成形した。このディスク基板について
オ−ク製ＡＤＲ２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、デ
ィスクの中心から半径５０ｍｍ部分における垂直入射複
屈折率とディスク半径方向に対して垂直になるような斜
め入射（３０度）複屈折率の差の絶対値（ΔＲ）を測定
した。

【００７４】（１０）転写性 前記ΔＲ値と同様の手法により成形したディスク基板の
半径５０ｍｍ部分における溝部の深さを原子間力顕微鏡
（セイコー電子工業 ＳＰＩ３７００）にて測定し、溝
形状の再現率（＝１００×ディスクの溝深さ／スタンパ
ーの溝深さ（％））を求めた。

【００７５】（１１）引張り試験法 ＡＳＴＭ Ｄ−６３８に準拠して、東洋ボールドウィン
社製ＵＴＭ２.５Ｔを用いて測定した。

【００７６】［実施例１］ ［Ａ] ビスフェノールＡからのポリカーボネート単独
重合体（ポリマーＡ）の合成；温度計、攪拌機及び還流
冷却器付き反応器にイオン交換水１１０５７.０部、４
８％水酸化ナトリウム水溶液１５５９.９部を仕込み、
これにビスフェノールＡ２１３３.９部及びハイドロサ
ルファイト２.１２部を溶解した後、塩化メチレン６４
４５.３部を加え、攪拌下１５〜２０℃でホスゲン１０
０５.６部を６０分要して吹込んだ。ホスゲン吹込み終
了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール９２.３部及び４
８％水酸化ナトリウム水溶液８２９.９部を加え、撹拌
して乳化させた後トリエチルアミン０.０９部を加え、
２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了した。反応終
了後生成物溶液を多孔板付遠心抽出機［（株）日立製作
所製ウルトレックスＥＰ−０２］にてイオン交換水流量
１,０００ｍｌ／分、反応生成物溶液流量１,５００ｍｌ
／分、回転数３,５００ｒｐｍの条件で遠心分離した
後、塩化メチレン相を塩酸酸性にし、更に同様の条件で
遠心分離操作を繰返し、水相の導電率がイオン交換水と
殆ど同じになったところで、軸受部に異物取出口を有す
る隔離室を設けたニーダーにより塩化メチレンを蒸発し
て、比粘度が０.２６９である粉粒状の無色のポリカー
ボネート樹脂２,４００部（収率９２％）を得た。

【００７７】［Ｂ］ ポリマーＢの共重合体の合成；温
度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９
２９.２部、４８％水酸化ナトリウム水溶液６１.３部を
入れ、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン（成分ａ−１：以下
“ビスフェノールＴＭＣ”と略称することがある）３９
部、４,４’−（成分ａ−２：ｍ−フェニレンジイソプ
ロピリデン）ジフェノール（以下“ビスフェノールＭ”
と略称することがある）４３.６部およびハイドロサル
ファイト０.１７部を溶解した後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール１.５１部と塩化メチレン６３７.９部を加
えトリエチルアミン０.０９部を添加した後攪拌下１５
〜２５℃でホスゲン３２.４部を４０分を要して吹き込
んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウ
ム水溶液１５.６部を加え、２８〜３３℃で１時間攪拌
して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレ
ンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相
の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、
軸受け部に異物取り出し口を有する隔離室を設けたニー
ダーにて塩化メチレンを蒸発して、ビスフェノールＴＭ
ＣとビスフェノールＭの比がモル比で５０：５０の比粘
度が０.２７１である無色のポリマー８６.４部を得た
（収率９７％）。

【００７８】［Ｃ］ 樹脂組成物の調整 ［Ａ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体（ポリ
マーＡ）の塩化メチレン溶液と［Ｂ］で合成したポリマ
ーＢの共重合体の塩化メチレン溶液とを溶液中のポリマ
ー重量比（ポリマーＡ：ポリマーＢ）が８０：２０とな
るようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した後、攪拌して
混合した。混合後、目開き０．３μｍのフィルターを通
過させた後、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設け
たニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレンを蒸
発することにより該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得
た。

【００７９】このポリカーボネート樹脂粉粒体にトリス
ノニルフェニルフォスフェートを０.００５％、トリメ
チルフォスフェートを０.００３％、ステアリン酸モノ
グリセリドを０．０３０％加えて、ベント付きφ３０ｍ
ｍ二軸押出機を用いて、ペレット化した後、名機製作所
（株）製Ｍ３５−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、０．
６ｍｍ厚みのディスク基板に射出成形した。このものの
塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１７,０００
個／ｇ、１μｍ以上が１８０個／ｇであった。結果を表
１に示す。

【００８０】［実施例２］実施例１の［Ａ］で合成した
ビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＡ）溶液と
［Ｂ］で合成したポリマーＢの共重合体溶液とを溶液中
のポリマーＡ：ポリマーＢの重量比が９０：１０となる
ようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した以外は実施例１
と同様の操作をおこなった。結果を表１に示す。

【００８１】［実施例３］実施例１の［Ａ］で合成した
ビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＡ）溶液と
［Ｂ］で合成したポリマーＢの共重合体溶液とを溶液中
のポリマーＡ：ポリマーＢの重量比が７５：２５となる
ようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した以外は実施例１
と同様の操作をおこなった。結果を表１に示す。

【００８２】［実施例４］ ［Ｄ］ ポリマーＢの共重合体の合成；温度計、攪拌
機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９６５．１、
４８％水酸化ナトリウム水溶液６３．６部を入れ、１,
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリ
メチルシクロヘキサン（成分ａ−１）１６．２部、２，
２−ビス（３−メチルー４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン（以下“ビスフェノールＣ”と略称することがあ
る）５３．６部およびハイドロサルファイト０.１８部
を溶解した後、塩化メチレン６６２．５部を加え、攪拌
下１５〜２５℃でホスゲン３２.４部を４０分を要して
吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェノール２部と４８％水酸化ナトリウム水溶液
１６．２部を加え乳化後、トリエチルアミン０.０９部
を添加して、２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了
した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水
洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオ
ン交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物
取り出し口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メ
チレンを蒸発して、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノ
ールＣの比がモル比で２０：８０の比粘度が０.３０２
である無色のポリマー７４．９部を得た（収率９５
％）。

【００８３】［Ｅ］ 樹脂組成物の調整 ［Ａ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体（ポリ
マーＡ）の塩化メチレン溶液と［Ｄ］で合成したポリマ
ーＢの共重合体の塩化メチレン溶液とを溶液中のポリマ
ー重量比（ポリマーＡ：ポリマーＢ）が８０：２０とな
るようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した後、攪拌して
混合した。混合後、目開き０．３μｍのフィルターを通
過させた後、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設け
たニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレンを蒸
発することにより該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得
た。

【００８４】このポリカーボネート樹脂粉粒体にトリス
ノニルフェニルフォスフェートを０.００５％、トリメ
チルフォスフェートを０.００３％、ステアリン酸モノ
グリセリドを０．０３０％加えて、ベント付きφ３０ｍ
ｍ二軸押出機を用いて、ペレット化した後、名機製作所
（株）製Ｍ３５−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、０．
６ｍｍ厚みのディスク基板に射出成形した。このものの
塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１９,０００
個／ｇ、１μｍ以上が２００個／ｇであった。結果を表
１に示す。

【００８５】［比較例１］実施例１において、［Ａ］で
合成したビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＡ）
溶液のみを、目開き０．３μｍのフィルターを通過させ
た後、軸受け部に異物取出口を有する隔離室を設けたニ
ーダーにこの溶液を投入して塩化メチレンを蒸発するこ
とにより該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得た以外は実
施例１と同様の操作を行った。結果を表1に示す。

【００８６】［比較例２］実施例1において、［Ｂ］で
合成した成分Ｂの共重合体溶液のみを、目開き０．３μ
ｍのフィルターを通過させた後、軸受部に異物取出口を
有する隔離室を設けたニーダーにこの混合溶液を投入し
て塩化メチレンを蒸発することにより該ポリカーボネー
ト樹脂粉粒体を得た以外は実施例１と同様の操作を行っ
た。結果を表1に示す。

【００８７】［比較例３］実施例１の［Ａ］で合成した
ビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＡ）溶液と
［Ｂ］で合成したポリマーＢの共重合体溶液とを溶液中
のポリマーＡ：ポリマーＢの重量比が６０：４０となる
ようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した以外は実施例１
と同様の操作をおこなった。結果を表１に示す。

【００８８】［比較例４］実施例１の［Ａ］で合成した
ビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＡ）溶液と
［Ｂ］で合成したポリマーＢの共重合体溶液とを溶液中
のポリマーＡ：ポリマーＢの重量比が２０：８０となる
ようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した以外は実施例１
と同様の操作をおこなった。結果を表１に示す。

【００８９】

【表１】

【００９０】

【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂
は、成形性、機械的特性、光学特性、熱安定性に優れて
いるので種々の成形品として利用することができる。殊
に、複屈折率が低く、光学特性と転写性に関してバラン
スの取れた光ディスク基板、特に高密度光ディスク基板
用の材料として好適に用いられ、その奏する工業的効果
は格別なものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古屋 和彦 東京都千代田区内幸町１丁目２番２号 帝 人化成株式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 CG001 CG002 GP00 GS02 4J029 AA09 AB01 AB07 AC02 AD09 AD10 AE01 AE05 BB13B BB16A BD09C HC01 HC05 5D029 KA07 KC05 KC20

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）二価フェノール成分が２，２−ビ
   ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ａ）より
   実質的になる芳香族ポリカーボネート（ポリマーＡ）
   と、（Ｂ）二価フェノール成分が（ｂ−１）１，１−ビ
   ス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
   ルシクロヘキサン（成分ｂ−１）および（ｂ−２）４，
   ４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノ
   ールおよび／または２，２−ビス（３−メチルー４−ヒ
   ドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ−２）より実質的
   になり、成分ｂ−１：成分ｂ−２の割合がモル比で９
   ９：１〜２０：８０である二価フェノール成分より構成
   された芳香族ポリカーボネート共重合体（ポリマーＢ）
   から実質的になり、ポリマーＡ：ポリマーＢの割合が重
   量で９５：５〜７５：２５であることを特徴とする芳香
   族ポリカーボネート樹脂組成物。
2. 【請求項２】 成分ｂ−１：成分ｂ−２の割合がモル比
   で８０：２０〜２０：８０である請求項１記載の芳香族
   ポリカーボネート樹脂組成物。
3. 【請求項３】 ポリマーＡ：ポリマーＢの割合が、重量
   で９０：１０〜７５：２５である請求項１記載の芳香族
   ポリカーボネート樹脂組成物。
4. 【請求項４】 本文に定義された方法によって測定され
   た垂直入射複屈折率とディスク半径方向に対して垂直に
   なるような斜め入射（３０度）複屈折率の差の絶対値
   （ΔＲ）が、２５〜４０ｎｍである請求項１記載の芳香
   族ポリカーボネート樹脂組成物。
5. 【請求項５】 光弾性定数が５０×１０^-12〜７８×１
   ０^-12ｍ²／Ｎである請求項１記載の芳香族ポリカーボネ
   ート樹脂組成物。
6. 【請求項６】 本文に定義された吸水率が０.２重量％
   以下である請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂
   組成物。
7. 【請求項７】 請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
   樹脂組成物より形成された光学用成形品。
8. 【請求項８】 請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
   樹脂組成物より形成された高記録密度の光ディスク基
   板。
9. 【請求項９】 請求項８記載の光ディスク基板の片面に
   金属薄膜を形成させた光ディスク。