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JP2003109946A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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JP2003109946A
JP2003109946A JP2001303714A JP2001303714A JP2003109946A JP 2003109946 A JP2003109946 A JP 2003109946A JP 2001303714 A JP2001303714 A JP 2001303714A JP 2001303714 A JP2001303714 A JP 2001303714A JP 2003109946 A JP2003109946 A JP 2003109946A
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high frequency
frequency power
processing apparatus
plasma processing
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慎司 檜森
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い周波数の高周波電力を使用した場合で
も、電力ロスが増大することを抑制することができ、ま
た、特殊な整合素子を用いることなく容易に整合をとる
ことのできるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 ＨＦ整合器１４とＬＦ整合器１７とが別
体に構成され、ＨＦ整合器１４は、下部電極２の下側に
設けられた空隙１３内に位置するように、下部電極２の
下側中央部に配置され、ＨＦ整合器１４の出力側が、非
同軸構造の給電棒１９を介して（同軸構造の給電棒を介
することなく）、下部電極２に電気的に接続されてい
る。第２の高周波電源１８からの高周波電力は、ＬＦ整
合器１７、ＬＰＦ１６を介して、下部電極２の外周部か
ら供給されるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に係り、特に半導体ウエハやＬＣＤ用のガラス基板等の
被処理基板に、エッチングや成膜等のプラズマ処理を施
すプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の製造分野におい
ては、処理室内にプラズマを発生させ、このプラズマを
処理室内に配置した被処理基板、例えば半導体ウエハや
ＬＣＤ用のガラス基板等に作用させて、所定の処理、例
えば、エッチング、成膜等を行うプラズマ処理装置が用
いられている。
【０００３】このようなプラズマ処理装置では、内部を
気密に閉塞可能とされた真空チャンバ内において、被処
理基板にプラズマを作用させて所定の処理を施すように
なっているが、例えば、所謂平行平板型のプラズマ処理
装置では、この真空チャンバ内に、上部電極と下部電極
が、平行に対向するように設けられており、下部電極上
に被処理基板を載置し、上部電極と下部電極との間に高
周波電力を供給して処理ガスのプラズマを生起し、被処
理基板にこのプラズマを作用させて所定の処理を施すよ
うに構成されている。
【０００４】また、近年においては、プラズマ密度と、
被処理基板に作用するイオンのエネルギーを別個に制御
するため、図５に示すように、下部電極１００に、第１
の高周波電源１０１から周波数の高い高周波電力を供給
するとともに、第２の高周波電源１０２からこれより周
波数の低い高周波電力を供給し、周波数の異なる２種類
の高周波電力を重畳して下部電極１００に供給するよう
に構成されたプラズマ処理装置も開発されている。
【０００５】すなわち、このようなプラズマ処理装置で
は、周波数の高い高周波電力を供給することによってプ
ラズマ密度を高め、周波数の低い高周波電力を供給する
ことによって、プラズマ中のイオンを被処理基板に引き
込む際のイオンのエネルギーを低く抑えるようにしてい
る。
【０００６】なお、図５に示すように、下部電極１００
の周囲には、石英等からなるフォーカスリング１０３が
設けられており、下部電極１００の下部には、真空チャ
ンバ底部１０４と電気的に絶縁するためのインシュレー
タ板（絶縁体板）１０５が設けられている。また、下部
電極１００の下方には、複数（通常３又は４本）のリフ
ターピン１０６等によって、被処理基板であるウエハ等
を下部電極１００上に持ち上げるためのウエハリフト機
構１０７、下部電極１００に冷却のための冷却溶媒を供
給するための配管系、ウエハの裏面と下部電極１００と
の間に熱伝達のためのガス、例えばＨｅガスを供給する
ための配管系、温度センサや静電チャックのための電気
系のケーブル等１０８が設けられている。
【０００７】一方、インピーダンスマッチングをとるた
めの整合器１１０は、第１の高周波電源１０１からの周
波数の高い高周波電力に対するインピーダンスマッチン
グをとるためのＨＦ整合部１１１と、第２の高周波電源
１０２からの周波数の低い高周波電力に対するインピー
ダンスマッチングをとるためのＬＦ整合部１１２、及び
ＬＰＦ（ローパスフィルタ）１１３等から構成されるた
め、その外形が大型となっている。
【０００８】その結果、整合器１１０を下部電極１００
近傍に配置することが困難となるため、整合器１１０と
下部電極１００との間は、同軸構造とされ、長さが数十
ｃｍ（例えば５０ｃｍ程度）とされた給電棒１２０によ
って電気的に接続され、２つの周波数の高周波電力が重
畳された高周波電力を下部電極１００に供給するように
している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したとおり、従来
のプラズマ処理装置では、整合器が真空チャンバーの外
部に設けられ、整合器と下部電極との間は、長さが例え
ば５０ｃｍ程度とされた給電棒によって電気的に接続さ
れている。
【００１０】しかしながら、近年においては、前述した
高周波電力として、周波数が、数十ＭＨｚから１００数
十ＭＨｚと、従来に比べて高い周波数のものが使用され
るようになりつつある。
【００１１】このため、前述した従来のプラズマ処理装
置においては、給電棒におけるＬ（インダクタンス）
や、Ｃ（キャパシタンス）成分によって、電力ロスが大
きくなり発熱や高電圧がかかるという問題や、整合器に
おける整合の際に市販の整合素子（真空可変コンデンサ
等）では必要とされる小さなＣ（キャパシタンス）を得
ることができず整合をとることが困難になるという問題
がある。
【００１２】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、高い周波数の高周波電力を使用した場合
でも、電力ロスが増大することを抑制することができ、
また、特殊な整合素子を用いることなく容易に整合をと
ることのできるプラズマ処理装置を提供しようとするも
のである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の発明は、内部を気密に閉塞可能とされ、被処理基板に
プラズマを作用させて所定の処理を施すための真空チャ
ンバと、前記真空チャンバ内に設けられ、前記被処理基
板を載置するよう構成された下部電極と、前記下部電極
と対向するように設けられた上部電極と、前記真空チャ
ンバ内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給機構
と、前記下部電極に所定の第１の周波数の高周波電力を
供給する第１の高周波電源と、前記下部電極に前記第１
の周波数より低い第２の周波数の高周波電力を供給する
第２の高周波電源と、前記第１の高周波電源から前記下
部電極に供給される高周波電力のインピーダンスマッチ
ングを行う第１の整合器を有し、前記下部電極の中央部
から当該下部電極に前記第１の周波数の高周波電力を給
電するよう構成された第１の給電手段と、前記第１の整
合器と別体に構成され、前記第２の高周波電源から前記
下部電極に供給される高周波電力のインピーダンスマッ
チングを行う第２の整合器を有し、前記下部電極の外周
部から当該下部電極に前記第２の周波数の高周波電力を
給電するよう構成された第２の給電手段とを具備したこ
とを特徴とする。
【００１４】請求項２の発明は、請求項１記載のプラズ
マ処理装置において、前記下部電極が、板状に形成され
た絶縁体板上に支持され、当該絶縁体板と接地電位とさ
れた前記真空チャンバの底部との間に空隙が形成されて
いることを特徴とする。
【００１５】請求項３の発明は、請求項２記載のプラズ
マ処理装置において、前記第１の整合器が、前記空隙部
分に設けられていることを特徴とする。
【００１６】請求項４の発明は、請求項１〜３いずれか
一項記載のプラズマ処理装置において、前記第１の整合
器が、非同軸構造の給電棒を介して、前記下部電極に電
気的に接続されていることを特徴とする。
【００１７】請求項５の発明は、請求項１〜４いずれか
一項記載のプラズマ処理装置において、前記第１の周波
数が、１３．５６〜１５０ＭＨｚであることを特徴とす
る。
【００１８】請求項６の発明は、請求項１〜５いずれか
一項記載のプラズマ処理装置において、前記第２の周波
数が、０．５〜１３．５６ＭＨｚであることを特徴とす
る。
【００１９】請求項７の発明は、請求項１〜６いずれか
一項記載のプラズマ処理装置において、前記下部電極の
キャパシタンスが５０ｐＦ以下とされていることを特徴
とする。
【００２０】請求項８の発明は、請求項１〜７いずれか
一項記載のプラズマ処理装置において、前記被処理基板
にプラズマを作用させてエッチング処理を施すことを特
徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を、実施の形
態について図面を参照して説明する。
【００２２】図１は、本発明を、ウエハのエッチングを
行うプラズマエッチング装置に適用した実施の形態の概
略構成を模式的に示すものであり、同図において、符号
１は、材質が例えばアルミニウム等からなり、内部を気
密に閉塞可能に構成され、円筒状のプラズマ処理室を構
成する真空チャンバを示している。
【００２３】上記真空チャンバ１の内部には、被処理基
板としてのウエハ（半導体ウエハ）Ｗを、被処理面を上
側に向けて略水平に支持する下部電極２が設けられてお
り、この下部電極２と平行に対向するように、真空チャ
ンバ１内の天井部には、上部電極３が設けられている。
【００２４】この上部電極３には、多数の透孔３ａが形
成され、所謂シャワーヘッドが構成されている。そし
て、処理ガス供給源４から供給された所定の処理ガス
を、これらの透孔３ａから、下部電極２上に設けられた
ウエハＷに向けて均一に送出できるように構成されてい
る。
【００２５】一方、真空チャンバ１の底部には、下部電
極２の周囲に位置するように排気口５が設けられてお
り、この排気口５は、真空ポンプ等からなる排気装置６
に接続されている。
【００２６】また、下部電極２周囲の載置面より下側の
部分には、下部電極２の周縁部と真空チャンバ１の内壁
部との間に介在するように、環状の板状部材からなる排
気リング（邪魔板）７が設けられており、この排気リン
グ７には、多数の透孔７ａが設けられている。
【００２７】そして、この排気リング７を介して、排気
口５から排気装置６によって排気を行うことにより、下
部電極２の周囲から均一に排気が行われ、真空チャンバ
１内に均一な処理ガスの流れが形成されるように構成さ
れている。
【００２８】また、下部電極２の上面には、ウエハＷを
静電的に吸着保持するための静電チャック８が設けられ
ている。この静電チャック８は、絶縁体８ａの間に電極
８ｂを配置して構成されており、電極８ｂには、直流高
圧電源（ＨＶ）９が接続されている。そして、直流高圧
電源９から電極８ｂに直流電圧を印加することにより、
クーロン力によって、ウエハＷを下部電極２上に吸着保
持するように構成されている。
【００２９】また、下部電極２には、冷媒を循環するた
めの冷媒流路１０と、冷媒からの冷熱を効率よくウエハ
Ｗに伝達するためにウエハＷの裏面にＨｅガスを供給す
るガス導入機構１１とが設けられ、ウエハＷを所望の温
度に温度制御できるようになっている。これらの冷媒流
路１０及びガス導入機構１１に冷媒及びＨｅガスを外部
から供給するための配管等は、下部電極２の外周部分に
位置するように設けられている。
【００３０】さらに、下部電極２の下側には、材質が例
えば、アルミナ等の絶縁物からなる絶縁体板１２が設け
られており、この絶縁体板１２を介して真空チャンバ１
の底部に支持されている。なお、真空チャンバ１は接地
電位とされている。
【００３１】そして、絶縁体板１２の下部と、真空チャ
ンバ１の底部との間には、間隙１３が形成されており、
この間隙１３内に位置するように、下部電極２の中央部
分には、ＨＦ整合器１４が設けられている。
【００３２】このＨＦ整合器１４は、その電気的な出力
側の端部が下部電極２の中央部に電気的に接続されてお
り、一方、入力側には、第１の高周波電源１５が接続さ
れている。そして、第１の高周波電源１５からの高周波
電力（周波数が１３．５６〜１５０ＭＨｚ、例えば１０
０ＭＨｚ）をＨＦ整合器１４を介して、下部電極２の中
央部に供給可能なように、第１の給電手段が構成されて
いる。
【００３３】なお、ＨＦ整合器１４の出力側の端部に
は、給電回路に直列に介挿され、インピーダンスマッチ
ングをとるための可変コンデンサＣ2 が設けられてお
り、本実施の形態においては、このコンデンサＣ2 は、
真空可変コンデンサから構成されている。そして、この
コンデンサＣ2 が非同軸構造の給電棒１９によって、下
部電極２に電気的に接続されている。ここで、非同軸構
造の給電棒とは、図１に示されるように、単一の円筒形
の給電棒、あるいは円筒形以外の形状の単一の導電体か
らなり、外側に接地導体を有さないものを言う。また、
本実施の形態において、同軸構造の給電棒を用いる必要
がないのは、給電経路が短いため、接地されているチャ
ンバ壁が、同軸構造の給電棒の外側接地導体として機能
し、十分に遮蔽効果が得られるためである。また、この
場合においても、その遮蔽効率をより高めるべく、同軸
構造の給電棒を用いてもよい。
【００３４】また、下部電極２の外周部の下側には、前
述した第１の高周波電源１５からの高周波をカットする
ためのＬＰＦ（ローパスフィルタ）１６が設けられてお
り、このＬＰＦ１６、ＬＦ整合器１７を介して、第２の
高周波電源１８が、下部電極２の外周部に電気的に接続
されている。そして、第２の高周波電源１８からの高周
波電力（周波数が０．５〜１３．５６ＭＨｚ、例えば
３．２ＭＨｚ）をＬＦ整合器１７、ＬＰＦ１６を介し
て、下部電極２の外周部に供給可能なように第２の給電
手段が構成されている。なお、ＬＰＦ１６と、ＬＦ整合
器１７との間の電気的な接続は、同軸管または同軸ケー
ブルによって行う。
【００３５】なお、図１には図示を省略したが、図２に
示すように、下部電極２には、複数本（本実施の形態で
は３本）のリフターピン２０が、下部電極２を貫通する
ように設けられており、図示しないウエハリフト機構に
よりこれらのリフターピン２０を上下動させ、ウエハＷ
の搬入、搬出時に、ウエハＷをこれらのリフターピン２
０によって、下部電極２の上方に支持するよう構成され
ている。
【００３６】また、図２に示すＨＦは、下部電極２に対
する前述した整合器１４の接続部位、つまり第１の周波
数の高周波電力の給電部を示し、ＬＦは、下部電極２に
対する前述したＬＰＦ１６の接続部位、つまり第２の周
波数の高周波電力の給電部を示しており、Ｐは、前述し
た冷媒流路１０及びガス導入機構１１に冷媒及びＨｅガ
スを外部から供給するための配管等が設けられた部位を
示している。
【００３７】以上のように、本実施の形態においては、
ＨＦ整合器１４とＬＦ整合器１７とが別体に構成されて
おり、これらを一体に構成した場合より、夫々の整合器
が小型化されている。
【００３８】そして、この小型化されたＨＦ整合器１４
を下部電極２の下側中央部に配置して、同軸構造の給電
棒を介することなく、ＨＦ整合器１４を下部電極２に電
気的に接続する構成とされているので、同軸構造の給電
棒を使用することによって生じるＬ（インダクタンス）
成分やＣ（キャパシタンス）成分を排除することがで
き、第１の高周波電源１５から、例えば６０ＭＨｚ以上
の周波数の高い高周波電力を供給しても、電力ロスが発
生することを抑制することができ、また、ＨＦ整合器１
４のコンデンサＣ2 等に必要とされるＣ（キャパシタン
ス）の値が極端に小さくなることも抑制することができ
る。したがって、コンデンサＣ2 等に市販の真空可変コ
ンデンサ等の整合素子を用いることができる。
【００３９】また、第１の高周波電源１５からの周波数
の高い（波長の短い）高周波電力を、下部電極２の中央
部から供給するようになっているので、定在波の影響等
によって、下部電極上のウエハＷに対する処理が不均一
になることを防止することができる。
【００４０】なお、第２の高周波電源１８からの高周波
電力は、下部電極２の外周部から供給されるようになっ
ているが、第２の高周波電源１８からの高周波電力は、
第１の高周波電源１５からの高周波電力に比べて周波数
が低い（波長が長い）ので、かかる構成を採用しても、
定在波等の影響は無視することができる。また、第２の
高周波電源１８からの高周波電力の供給部については、
図３に示すように、ＬＦの給電部分から、例えば環状に
構成された導体（例えばアルミニウム等）２１を介して
下部電極２に接続する構成とすることで、かかる高周波
電力を同心状に下部電極２に供給することができ、より
定在波の影響を抑制してより詳細なプラズマ制御を行え
るようにすることもできる。
【００４１】また、本実施の形態においては、前述した
とおり、下部電極２の下側にアルミナ等の絶縁物からな
る絶縁体板１２が設けられており、絶縁体板１２の下部
と、真空チャンバ１の底部との間には、間隙１３が形成
されている。ここで、上記構成において、下部電極２と
真空チャンバ１の底部（接地電位）との間には、絶縁体
板１２と間隙１３とを挟んでＣ（キャパシタンス）が形
成されるが、上記のように本実施の形態においては、間
隙１３が形成されているので、このＣ（キャパシタン
ス）の成分を小さくすることができる。
【００４２】図４は、縦軸をトータルキャパシタンス
（ｐＦ）、横軸を厚さ（ｍｍ）として、上記の下部電極
２の下側の絶縁部分の厚さ（下部電極２下面と真空チャ
ンバ１の底面との間の距離）を変更した場合のトータル
キャパシタンスの変化を示している。
【００４３】同図において、四角形の印で示す「全体の
厚み変更」とは、下部電極２の下側にアルミナ板と石英
板を配置した場合で、これらの厚みを同じ割合で変更し
た場合を示している。また、円形の印で示す「アルミナ
を挟む」とは、上記のアルミナ板と石英板を配置した構
成の下側にアルミナ板を挟み、このアルミナ板の厚みを
変更した場合を示している。さらに、三角形の印で示す
「石英を挟む」とは、上記のアルミナを挟む代わりに石
英を挟み、この石英の厚みを変更した場合を示してお
り、黒塗りの逆三角形の印で示す「空間を挟む」とは、
上記のアルミナを挟む代わりに空間を設け、この空間の
厚みを変更した場合を示している。
【００４４】さらにまた、白抜きの逆三角形の印で示す
「石英部も空間にして空間を挟む」とは、上記のアルミ
ナ板の下側に配置した石英板も空間として、さらにその
下側の空間の厚みを変化させた場合を示している。
【００４５】同図に示すように、アルミナ板や石英板を
配置した場合に比べて、空間を設けることによって、同
じ厚さにおけるトータルキャパシタンスを小さくするこ
とができる。
【００４６】なお、下部電極２全体のキャパシタンス
は、５０ｐＦ以下程度とすることが好ましく、本実施の
形態では、上記のように間隙１３を形成することによっ
て、下部電極２全体のキャパシタンスが約３５ｐＦとさ
れている。
【００４７】以上のとおり、本実施の形態では、下部電
極２全体のＣ（キャパシタンス）成分も減少させること
ができ、第１の高周波電源１５から、例えば１００ＭＨ
ｚ以上の周波数の高い高周波電力を供給しても、電力ロ
スが発生することを抑制することができる。
【００４８】次に、このように構成されたプラズマエッ
チング装置におけるプラズマエッチング処理について説
明する。
【００４９】まず、図示しないゲートバルブを開放し、
このゲートバルブに隣接して配置された図示しないロー
ドロック室を介して、自動搬送機構の搬送アーム等によ
りウエハＷが真空チャンバ１内に搬入され、下部電極２
上に載置されて、静電チャック８により吸着保持され
る。ウエハＷ載置後、搬送アームを真空チャンバ１外へ
退避させ、ゲートバルブが閉じられる。
【００５０】しかる後、排気機構６により、真空チャン
バ１内が排気されるとともに、上部電極３の透孔３ａを
介して、処理ガス供給源４から、所定の処理ガス、例え
ば、Ｃ4 Ｆ6 ＋Ａｒ＋Ｏ2 （流量例えば４５／７５０／
３０ｓｃｃｍ）が、真空チャンバ１内に導入され、真空
チャンバ１内が所定の圧力、例えば５．３２Ｐａ（４０
ｍＴｏｒｒ）に保持される。
【００５１】そして、この状態で、第１の高周波電源１
５から、前述した第１の給電手段を介して、周波数が１
３．５６〜１５０ＭＨｚ程度、例えば８０ＭＨｚの高周
波電力が下部電極２の中央部に供給され、これととも
に、第２の高周波電源１８から、前述した第１の給電手
段を介して、周波数が０．５〜１３．４５ＭＨｚ、例え
ば３．２ＭＨｚの高周波電力が下部電極２の外周部に供
給され、真空チャンバ１内に供給された処理ガスがプラ
ズマ化されるとともに、このプラズマ中のイオンが下部
電極２上のウエハＷに引き込まれ、ウエハＷ上の所定の
膜がエッチングされる。
【００５２】上記のようにして、所望の膜厚のエッチン
グ処理が行われると、第１の高周波電源１５、第２の高
周波電源１８からの高周波電力の供給及び処理ガス供給
源４からの処理ガスの供給が停止され、エッチング処理
が停止されて、上述した手順とは逆の手順で、ウエハＷ
が真空チャンバ１外に搬出される。
【００５３】なお、上記の実施の形態においては、本発
明をウエハＷのエッチングを行うエッチング装置に適用
した場合について説明したが、本発明はかかる場合に限
定されるものではない。例えば、ウエハＷ以外の基板を
処理するものであっても良く、エッチング以外のプラズ
マ処理、例えばＣＶＤ等の成膜処理装置にも適用するこ
とができる。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
高い周波数の高周波電力を使用した場合でも、電力ロス
が増大することを抑制することができ、また、特殊な整
合素子を用いることなく容易に整合をとることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の一実施形態の概略
構成を模式的に示す図。
【図２】図１のプラズマ処理装置の要部構成を模式的に
示す図。
【図３】図１のプラズマ処理装置の要部構成の変形例を
模式的に示す図。
【図４】下部電極の下側の絶縁部分の材質及び厚さとト
ータルキャパシタンスの関係を示す図。
【図５】従来のプラズマ処理装置の概略構成を模式的に
示す図。
【符号の説明】
Ｗ……ウエハ、１……真空チャンバ、２……下部電極、
３……上部電極、４……処理ガス供給源、５……排気
口、６……排気装置、７……排気リング、８……静電チ
ャック、９……直流高圧電源、１０……冷媒流路、１１
……ガス導入機構、１２……絶縁体板、１３……空隙、
１４……ＨＦ整合器、１５……第１の高周波電源、１６
……ＬＰＦ（ローパスフィルタ）、１７……ＬＦ整合
器、１８……第２の高周波電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA62 AA63 BC04 BC06 CA25 CA47 CA63 EB42 FB04 FB06 FC15 4K030 CA04 CA06 CA12 FA03 JA18 KA14 KA30 KA46 5F004 AA16 BA04 BB11 BB13 BB22 BB29 BC06 CA03

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 内部を気密に閉塞可能とされ、被処理基
    板にプラズマを作用させて所定の処理を施すための真空
    チャンバと、 前記真空チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を載置
    するよう構成された下部電極と、 前記下部電極と対向するように設けられた上部電極と、 前記真空チャンバ内に所定の処理ガスを供給する処理ガ
    ス供給機構と、 前記下部電極に所定の第１の周波数の高周波電力を供給
    する第１の高周波電源と、 前記下部電極に前記第１の周波数より低い第２の周波数
    の高周波電力を供給する第２の高周波電源と、 前記第１の高周波電源から前記下部電極に供給される高
    周波電力のインピーダンスマッチングを行う第１の整合
    器を有し、前記下部電極の中央部から当該下部電極に前
    記第１の周波数の高周波電力を給電するよう構成された
    第１の給電手段と、 前記第１の整合器と別体に構成され、前記第２の高周波
    電源から前記下部電極に供給される高周波電力のインピ
    ーダンスマッチングを行う第２の整合器を有し、前記下
    部電極の外周部から当該下部電極に前記第２の周波数の
    高周波電力を給電するよう構成された第２の給電手段と
    を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理装置におい
    て、 前記下部電極が、板状に形成された絶縁体板上に支持さ
    れ、当該絶縁体板と接地電位とされた前記真空チャンバ
    の底部との間に空隙が形成されていることを特徴とする
    プラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】 請求項２記載のプラズマ処理装置におい
    て、 前記第１の整合器が、前記空隙部分に設けられているこ
    とを特徴とするプラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】 請求項１〜３いずれか一項記載のプラズ
    マ処理装置において、 前記第１の整合器が、非同軸構造の給電棒を介して、前
    記下部電極に電気的に接続されていることを特徴とする
    プラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】 請求項１〜４いずれか一項記載のプラズ
    マ処理装置において、 前記第１の周波数が、１３．５６〜１５０ＭＨｚである
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項１〜５いずれか一項記載のプラズ
    マ処理装置において、 前記第２の周波数が、０．５〜１３．５６ＭＨｚである
    ことを特徴とするプラズマ処理装置。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６いずれか一項記載のプラズ
    マ処理装置において、 前記下部電極のキャパシタンスが５０ｐＦ以下とされて
    いることを特徴とするプラズマ処理装置。
  8. 【請求項８】 請求項１〜７いずれか一項記載のプラズ
    マ処理装置において、 前記被処理基板にプラズマを作用させてエッチング処理
    を施すことを特徴とするプラズマ処理装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007080811A (ja) * 2005-08-05 2007-03-29 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc Asia 真空反応室のｒｆマッチングネットワーク及びその配置方法
JP2007266436A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
CN100440425C (zh) * 2005-06-23 2008-12-03 东京毅力科创株式会社 载置台装置的安装结构、处理装置和馈电线间放电防止方法
JP2012256905A (ja) * 2007-08-17 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
CN103730316A (zh) * 2012-10-16 2014-04-16 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子处理方法及等离子处理装置
CN103943448A (zh) * 2013-01-17 2014-07-23 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子处理装置的等离子处理方法
KR101737014B1 (ko) 2010-05-25 2017-05-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040129218A1 (en) * 2001-12-07 2004-07-08 Toshiki Takahashi Exhaust ring mechanism and plasma processing apparatus using the same
US7582185B2 (en) * 2002-12-26 2009-09-01 Canon Kabushiki Kaisha Plasma-processing apparatus
JP4558296B2 (ja) * 2003-09-25 2010-10-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマアッシング方法
JP5102706B2 (ja) * 2008-06-23 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及び基板処理装置
US20120164834A1 (en) * 2010-12-22 2012-06-28 Kevin Jennings Variable-Density Plasma Processing of Semiconductor Substrates
US9088085B2 (en) 2012-09-21 2015-07-21 Novellus Systems, Inc. High temperature electrode connections
US10002782B2 (en) 2014-10-17 2018-06-19 Lam Research Corporation ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough
JP7278136B2 (ja) * 2019-04-08 2023-05-19 東京エレクトロン株式会社 インピーダンス整合装置、異常診断方法及び異常診断プログラム
JP2021111783A (ja) * 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
JP2022044209A (ja) * 2020-09-07 2022-03-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8701867A (nl) * 1987-08-07 1989-03-01 Cobrain Nv Werkwijze voor het behandelen, in het bijzonder droog etsen van een substraat en etsinrichting.
US5707486A (en) * 1990-07-31 1998-01-13 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using UHF/VHF and RF triode source, and process
JP2939355B2 (ja) * 1991-04-22 1999-08-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5565036A (en) * 1994-01-19 1996-10-15 Tel America, Inc. Apparatus and method for igniting plasma in a process module
JP2000514600A (ja) * 1996-07-03 2000-10-31 ティーガル コーポレイション 半導体ウェーハーをエッチングするための方法及びその装置
JP3220383B2 (ja) * 1996-07-23 2001-10-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びその方法
KR100252210B1 (ko) * 1996-12-24 2000-04-15 윤종용 반도체장치 제조용 건식식각장치
US6149730A (en) * 1997-10-08 2000-11-21 Nec Corporation Apparatus for forming films of a semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of forming thin films of a semiconductor
US6089161A (en) * 1998-02-10 2000-07-18 Saban; John M. Method and apparatus for transporting railway track sections
US6261408B1 (en) * 2000-02-16 2001-07-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing chamber pressure control
JP3792999B2 (ja) * 2000-06-28 2006-07-05 株式会社東芝 プラズマ処理装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100440425C (zh) * 2005-06-23 2008-12-03 东京毅力科创株式会社 载置台装置的安装结构、处理装置和馈电线间放电防止方法
JP2007080811A (ja) * 2005-08-05 2007-03-29 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc Asia 真空反応室のｒｆマッチングネットワーク及びその配置方法
JP2007266436A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2012256905A (ja) * 2007-08-17 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
KR101737014B1 (ko) 2010-05-25 2017-05-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
CN103730316A (zh) * 2012-10-16 2014-04-16 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子处理方法及等离子处理装置
US9275870B2 (en) 2012-10-16 2016-03-01 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc, Shanghai Plasma processing method and plasma processing device
CN103943448A (zh) * 2013-01-17 2014-07-23 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子处理装置的等离子处理方法

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