JP2003186020A - Liquid crystal display device and its manufacturing method - Google Patents
Liquid crystal display device and its manufacturing methodInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関する。特には、スペーサ及びシール材
を介して大判の一対の原基板を貼り合わせた後、各液晶
表示装置に相当する部分を切り出す工程を含む液晶表示
装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same. In particular, the present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device including a step of cutting out a portion corresponding to each liquid crystal display device after bonding a pair of large-sized original substrates via a spacer and a sealing material.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、CRTディスプレイに代わる表示
装置として、平面型の表示装置が盛んに開発されてお
り、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等
の利点から注目を集めている。特には、各画素電極にス
イッチ素子が電気的に接続されて成るアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、隣接画素間でクロストークのな
い良好な表示画像を実現できることから、液晶表示装置
の主流となっている。2. Description of the Related Art In recent years, flat panel display devices have been actively developed as display devices to replace CRT displays. Among them, liquid crystal display devices have been attracting attention because of their advantages such as light weight, thin thickness and low power consumption. . In particular, an active matrix type liquid crystal display device in which a switch element is electrically connected to each pixel electrode can realize a good display image without crosstalk between adjacent pixels, and is therefore the mainstream of liquid crystal display devices. There is.
【0003】以下に、TFT(Thin Film Transistor)を
スイッチ素子とする光透過型のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を例にとり説明する。A light transmissive active matrix type liquid crystal display device using a TFT (Thin Film Transistor) as a switch element will be described below as an example.
【0004】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、
アレイ基板と対向基板との間に配向膜を介して液晶層が
保持されて成っている。アレイ基板においては、ガラス
や石英等の透明絶縁基板上に、複数本の信号線と複数本
の走査線とが絶縁膜を介して格子状に配置され、格子の
各マス目に相当する領域にITO(Indium-Tin-Oxide)等
の透明導電材料からなる画素電極が配される。そして、
格子の各交点部分には、各画素電極を制御するスイッチ
ング素子としてのTFTが配置される。TFTのゲート
電極は走査線に、ドレイン電極は信号線にそれぞれ電気
的に接続され、さらにソース電極は画素電極に電気的に
接続されている。The active matrix type liquid crystal display device is
A liquid crystal layer is held between the array substrate and the counter substrate via an alignment film. In the array substrate, a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines are arranged in a grid pattern on a transparent insulating substrate such as glass or quartz via an insulating film, and the signal lines and the scanning lines are arranged in regions corresponding to each grid cell. Pixel electrodes made of a transparent conductive material such as ITO (Indium-Tin-Oxide) are arranged. And
A TFT as a switching element for controlling each pixel electrode is arranged at each intersection of the grid. The gate electrode of the TFT is electrically connected to the scanning line, the drain electrode is electrically connected to the signal line, and the source electrode is electrically connected to the pixel electrode.
【0005】対向基板は、ガラス等の透明絶縁基板上に
ITOから成る対向電極が配置され、またカラー表示を
実現するのであればカラーフィルタ層が配置されて構成
されている。The counter substrate is formed by arranging a counter electrode made of ITO on a transparent insulating substrate such as glass, and arranging a color filter layer if color display is realized.
【0006】液晶表示装置の外周部では、アレイ基板が
対向基板から突き出して棚状の接続領域をなしており、
この接続領域に配列される接続パッドと、外部駆動系統
からの入力を行うための端子とが接続される。また、対
向基板の端縁の部分とアレイ基板との間にシール材が配
置されて、液晶層の四周を封止している。At the outer periphery of the liquid crystal display device, the array substrate projects from the counter substrate to form a shelf-shaped connection region,
The connection pads arranged in this connection region are connected to terminals for input from the external drive system. Further, a sealing material is arranged between the edge portion of the counter substrate and the array substrate to seal the four circumferences of the liquid crystal layer.
【0007】液晶層の配置領域内には、液晶層の厚みを
均一にするための多数のスペーサが配されている。スペ
ーサは、いずれかの基板に散布される非固定の球状タイ
プが用いられていたが、最近は、いずれかの基板上に成
膜及びパターニングにより形成された柱状スペーサや、
散布後に融着により位置が固定される球状タイプなども
用いられている。In the arrangement region of the liquid crystal layer, a large number of spacers for making the thickness of the liquid crystal layer uniform are arranged. As the spacer, a non-fixed spherical type dispersed on any substrate was used, but recently, a columnar spacer formed by film formation and patterning on any substrate,
A spherical type in which the position is fixed by fusion after spraying is also used.
【0008】液晶表示装置を製造するにあたり、製造効
率を向上し製造コストを低減する目的で、「多面取り」
が行われている。これは、例えば、650×550mm
の大型のガラス基板から対角寸法12.1インチのアレ
イ基板及び対向基板が6個(2×3個)とれる場合に、
650×550mmの寸法のままでアレイ基板や対向基
板を製造するための各種成膜及びパターニングの工程を
行い、後に各液晶表示装置に対応する部分を切り出すも
のである。In manufacturing a liquid crystal display device, "multi-chambering" is performed for the purpose of improving manufacturing efficiency and reducing manufacturing cost.
Is being done. This is, for example, 650 x 550 mm
If you can take 6 (2 x 3) array substrates and counter substrates with a diagonal dimension of 12.1 inches from the large glass substrate of
Various film forming and patterning processes for manufacturing an array substrate or a counter substrate are performed with the dimensions of 650 × 550 mm as it is, and a portion corresponding to each liquid crystal display device is cut out later.
【0009】特には、まず、このような大判(例えば6
50×550mm)のアレイ原基板と対向原基板とを、
各画像表示領域ごとに配されたシール材を介して貼り合
わせて、大判の複合セル構造体を形成する。そして、こ
の後、各液晶表示装置に相当するセル構造体を、スクラ
イブ等により切り出すのである。スクライブとは、ガラ
ス基板の表面にダイヤモンドチップ等によりけがき線
(掛書き線)を入れてから、このけがき線に沿って折り
曲げ力を加えて破断させることにより、切断を行うもの
である。Particularly, first of all, such a large format (for example, 6
50 × 550 mm) array original substrate and counter original substrate,
A large-sized composite cell structure is formed by laminating the image display areas with a sealing material provided therebetween. Then, after that, a cell structure corresponding to each liquid crystal display device is cut out by scribing or the like. The scribe is a process in which a scribe line (writing line) is put on the surface of a glass substrate with a diamond tip or the like, and then a bending force is applied along the scribe line to break the scribe line.
【0010】各画像表示領域内には、予め液晶層の厚み
を一定にするためのスペーサが配置されているが、その
シール材より外の周辺領域、特には、棚状の接続領域に
相当する領域では、本来はスペーサのような支持構造物
が配されない。これらの領域にて支持構造物なしに押圧
力を受けると基板間の間隔(ギャップ)が小さくなり、
これにより基板に歪みが生じる。このため、画像表示領
域内においてもシール材に近接した個所では基板間の間
隔が不均一となり、液晶層の厚みの不均一に起因する表
示不良を引き起こすこととなる。In each image display area, a spacer is arranged in advance to make the thickness of the liquid crystal layer constant, but it corresponds to a peripheral area outside the sealing material, in particular, a shelf-like connection area. In the area, a support structure such as a spacer is not originally arranged. If a pressing force is applied in these areas without a supporting structure, the gap between the substrates becomes smaller,
This causes distortion in the substrate. Therefore, even in the image display region, the space between the substrates becomes non-uniform at a position close to the sealing material, which causes a display defect due to the non-uniform thickness of the liquid crystal layer.
【0011】そこで、特願平10−193304におい
ては、シール材より外の周辺領域に画像表示領域内と同
様の柱状スペーサを設け、スクライブ切断する個所に沿
ってダミーシール材を設けておくことが提案されてい
る。Therefore, in Japanese Patent Application No. 10-193304, columnar spacers similar to those in the image display area are provided in the peripheral area outside the sealing material, and a dummy sealing material is provided along the scribe cut point. Proposed.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】しかし、棚状の接続領
域をなすための、接続パッドを配列する領域に、柱状ス
ペーサ及びダミーシール材を配置することは困難であ
る。特に、原基板の有効利用率を充分に高く保ち、かつ
液晶表示装置の外形寸法を充分に小さく保つためには、
接続パッドより外側に充分な余白を設けることができな
い。However, it is difficult to dispose the columnar spacer and the dummy seal material in the region where the connection pads are arranged to form the shelf-shaped connection region. In particular, in order to keep the effective utilization rate of the original substrate sufficiently high and to keep the external dimensions of the liquid crystal display device sufficiently small,
A sufficient margin cannot be provided outside the connection pad.
【0013】そこで、スクライブ切断線に沿って連続す
る堰堤状突起を、柱状スペーサ等の画素領域内の構造物
の形成と同時に形成しておくことが考えられている。Therefore, it has been considered to form dam-like projections which are continuous along the scribe cutting line at the same time when the structures in the pixel region such as columnar spacers are formed.
【0014】ところが、本件発明者は、隣り合う接続パ
ッド間の短絡について鋭意検討し、特には、このような
支持構造を設けた場合についても検討した結果、堰堤状
突起を設けることに起因する接続パッド間の短絡が生じ
得るということを見いだした。However, the inventor of the present invention diligently studied a short circuit between adjacent connection pads, and in particular, also examined the case where such a support structure was provided. As a result, the connection resulting from the provision of the dam-like projections was found. We have found that short circuits between pads can occur.
【0015】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、基板の貼り合わせや切り出しの工程による基板
の歪みと表示不良とを防止することができるだけでな
く、接続パッドやこれに接続する端子の間の短絡をも充
分に防止することができる液晶表示装置及びその製造方
法を提供するものである。The present invention has been made in view of the above problems, and not only can prevent the distortion and display failure of the substrate due to the steps of bonding and cutting the substrate, but also the connection pad and the connection pad. Provided is a liquid crystal display device capable of sufficiently preventing a short circuit between terminals and a manufacturing method thereof.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】請求項1の液晶表示装置
は、スペーサ及びシール材を介して貼り合わされた第1
及び第2の基板と、これらの間に保持される液晶層と、
前記第1基板の接続用周縁部に配列される接続パッドと
を備える液晶表示装置において、前記第1基板のパター
ン形成面の端縁に堰堤状突起が備えられ、この堰堤状突
起が、前記接続パッドの列に沿った領域にて、隣り合う
前記接続パッドの間の間隙ごとに省かれていることを特
徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device having a first structure in which a liquid crystal display device is pasted through a spacer and a sealing material.
And a second substrate and a liquid crystal layer held between them,
In a liquid crystal display device including a connection pad arranged on a connection peripheral portion of the first substrate, a dam-like projection is provided on an end edge of a pattern formation surface of the first substrate, and the dam-like projection is used for the connection. In the region along the row of pads, the gaps between adjacent connection pads are omitted.
【0017】上記構成により、基板の貼り合わせや切り
出しの工程による基板の歪みと表示不良とを防止するこ
とができるだけでなく、接続パッド間の短絡をも充分に
防止することができる。With the above structure, it is possible not only to prevent the distortion of the substrate and the display failure due to the steps of attaching and cutting the substrate, but also to sufficiently prevent the short circuit between the connection pads.
【0018】請求項3の液晶表示装置は、同様の前提の
液晶表示装置において、前記第1基板のパターン形成面
の端縁に堰堤状突起が備えられ、前記接続パッドの列に
沿った領域にて、前記堰堤状突起の両縁に段部が備えら
れることを特徴とする。A liquid crystal display device according to a third aspect of the present invention is a liquid crystal display device of the same premise, wherein a dam-like projection is provided on an edge of the pattern formation surface of the first substrate, and the dam is formed in a region along the row of the connection pads. In addition, step portions are provided on both edges of the dam-like projection.
【0019】このような構成であっても、基板の貼り合
わせや切り出しの工程による基板の歪みと表示不良とを
防止することができるだけでなく、接続パッド間の短絡
をも充分に防止することができる。Even with such a structure, not only the distortion of the substrate and the display failure due to the process of bonding and cutting the substrate but also the short circuit between the connection pads can be sufficiently prevented. it can.
【0020】請求項4の液晶表示装置の製造方法は、第
1基板上に、堰堤状突起を含む厚さが1μm以上の樹脂
膜のパターンを形成する樹脂膜形成工程と、前記樹脂膜
上のパターン及び接続パッドの列を含む導電層パターン
を形成する工程と、前記第1基板と、第2基板とをシー
ル材を介して貼り合わせる工程と、前記の第1基板及び
第2基板が貼り合わされた状態で、前記堰堤状突起に沿
って前記の第1基板及び第2基板を切断する基板切断工
程と、前記接続パッドの列に、導電性接着手段を介して
フレキシブル配線基板の端子群を電気的に接続させる工
程とを備える液晶表示装置の製造方法であって、前記接
続パッドの列に沿った領域にて、前記堰堤状突起が、隣
り合う前記接続パッドの間の間隙ごとに省かれているこ
とを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, which comprises: a resin film forming step of forming a resin film pattern having a dam-like projection and having a thickness of 1 μm or more on the first substrate; A step of forming a conductive layer pattern including a pattern and a row of connection pads; a step of attaching the first substrate and a second substrate via a sealant; and a step of attaching the first substrate and the second substrate to each other. In a state of being cut, the substrate cutting step of cutting the first substrate and the second substrate along the dam-like protrusions, and the terminal group of the flexible wiring substrate is electrically connected to the row of the connection pads through conductive adhesive means. And a step of electrically connecting the liquid crystal display device, wherein the dam-like protrusions are omitted for each gap between the adjacent connection pads in a region along the row of the connection pads. It is characterized by being
【0021】請求項5の液晶表示装置の製造方法は、同
様の液晶表示装置の製造方法であって、前記樹脂膜形成
工程において、露光される領域の露光の積算強度につい
て前記堰堤状突起の両縁の個所にて段差または傾斜を設
け、これにより、前記堰堤状突起の両縁の個所に段部を
設けるか、または、該両縁の端面の傾斜角を低減し、同
時に、前記前記画素電極配置領域にて凹凸パターンを形
成することを特徴とする。A method of manufacturing a liquid crystal display device according to a fifth aspect is the same method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein, in the resin film forming step, the integrated intensity of exposure of an exposed region is determined by both of the dam-like projections. A step or an inclination is provided at the edge portion, whereby step portions are provided at both edge portions of the dam-like projection, or the inclination angle of the end faces of the both edge portions is reduced, and at the same time, the pixel electrode is formed. It is characterized in that an uneven pattern is formed in the arrangement region.
【0022】[0022]
【発明の実施の形態】実施例1の液晶表示装置及びその
製造方法について図1〜4を用いて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to a first embodiment will be described with reference to FIGS.
【0023】図1は、実施例1の液晶表示装置の要部に
ついて説明するための、表示パネル本体10の端縁部に
ついての模式的な部分断面斜視図である。また、図2〜
4は、製造方法の要部について説明するための図であ
る。図2は、切り出し前のアレイ原基板と対向原基板と
を貼り合わせてなる大判の貼り合わせ基板について示す
平面図であり、図3は、この大判の貼り合わせ基板につ
いての模式的な積層断面図である。FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional perspective view of an edge portion of the display panel body 10 for explaining the main part of the liquid crystal display device of the first embodiment. Moreover, FIG.
FIG. 4 is a diagram for explaining a main part of the manufacturing method. FIG. 2 is a plan view showing a large-sized bonded substrate obtained by bonding an original array substrate and an opposite original substrate before cutting out, and FIG. 3 is a schematic laminated sectional view of the large-sized bonded substrate. Is.
【0024】図1には、表示パネル本体10における棚
状接続領域の端縁部を示す。FIG. 1 shows an edge portion of the shelf-like connection area in the display panel body 10.
【0025】大判の貼り合わせ基板300から各表示パ
ネル本体10を切り出す際に表示パネル本体10の全周
で切り出しが行われるのであれば、切り出し後の各表示
パネル本体10は、アレイ基板101の全周に沿って堰
堤状突起11を有することとなる。図3を用いて後に説
明するように、各表示パネル本体10の外形に相当する
スクライブ線16に沿って堰堤状突起11が設けられる
からである。この堰堤状突起は、図4を用いて後に説明
するように、アレイ原基板100の製造工程において、
レジスト樹脂と同様の樹脂よりなる厚型の樹脂膜150
からなる。When cutting out each display panel body 10 from the large-sized bonded substrate 300, if cutting is performed on the entire circumference of the display panel body 10, each cut-out display panel body 10 is formed on the entire array substrate 101. It has dam-like projections 11 along the circumference. This is because, as will be described later with reference to FIG. 3, the dam-shaped projection 11 is provided along the scribe line 16 corresponding to the outer shape of each display panel body 10. As will be described later with reference to FIG. 4, the dam-shaped projections are formed in the process of manufacturing the array original substrate 100.
Thick resin film 150 made of resin similar to resist resin
Consists of.
【0026】図1に示すように、接続パッド15の列に
沿った個所では、堰堤状突起11に、抜き部12及び段
部(肩部)13が設けられる。抜き部12は、隣り合う
接続パッド15間の間隔19ごとに、この間隔19をア
レイ基板の端縁101aに向かって平行移動させたよう
な位置及び寸法Dに形成される。As shown in FIG. 1, at a location along the row of the connection pads 15, the dam-like projection 11 is provided with a cutout 12 and a step (shoulder) 13. The cutouts 12 are formed at a position and a dimension D such that, for each interval 19 between the adjacent connection pads 15, this interval 19 is translated in parallel toward the edge 101a of the array substrate.
【0027】段部(肩部)13は、アレイ基板101が
対向基板から突き出す棚状の接続領域21の全体に沿っ
て設けることもでき、また、アレイ基板101の全周の
端縁に沿って設けることもできるが、少なくとも、接続
パッド15の列に沿った個所には配される。段部13
は、後述するように、樹脂膜150を形成する工程にお
いて作成される。The stepped portion (shoulder portion) 13 can be provided along the entire shelf-shaped connection region 21 where the array substrate 101 projects from the counter substrate, or along the entire edge of the array substrate 101. Although it can be provided, it is arranged at least at a position along the row of the connection pads 15. Step 13
Is created in the step of forming the resin film 150, as described later.
【0028】接続パッド15の列は、例えば、ACF
(異方性導電膜)を介してTCPの出力端子群に接続さ
れる。後述するように((6) 第6のパターニング)、実
施例1の液晶表示装置では、抜き部12及び段部13の
存在により、堰堤状突起11の内縁に沿った金属層の残
留が防止されており、残留金属層に起因する端子間の短
絡が防止されている。The row of connection pads 15 is, for example, ACF.
It is connected to the output terminal group of TCP via (anisotropic conductive film). As will be described later ((6) Sixth patterning), in the liquid crystal display device of the first embodiment, the presence of the recess 12 and the step 13 prevents the metal layer from remaining along the inner edge of the dam-like projection 11. Therefore, a short circuit between terminals due to the residual metal layer is prevented.
【0029】図2は、多面取りの様子について説明する
ための、大判の貼り合わせ基板300の平面図である。
大判の貼り合わせ基板300は、図3に示すように、切
り出し前のアレイ原基板100と、対向原基板300と
が、表示パネル本体10に対応する各領域10−1,1
0−2,10−3,…にて、矩形状のシール材400の
パターンを介して貼り合わされている。FIG. 2 is a plan view of a large-sized bonded substrate 300 for explaining the manner of multi-layering.
In the large-sized bonded substrate 300, as shown in FIG. 3, the array original substrate 100 before being cut out and the counter original substrate 300 correspond to the respective areas 10-1, 1 corresponding to the display panel body 10.
0-2, 10-3, ... Are attached via a pattern of a rectangular seal material 400.
【0030】表示パネル本体10に対応する各領域10
−1,10−2,10−3,…は、まず、アレイ基板1
01の輪郭に沿ったスクライブ線16に沿って、2枚重
ねのままでのスクライブにより切り出される。そして、
アレイ基板101上の接続領域21の内縁に対応するス
クライブ線17に沿って、対向原基板200のみについ
ての切断が行われる。これは、接続領域21を覆う個所
での対向原基板200の不要部分を除去するものであ
る。Each area 10 corresponding to the display panel body 10
-1, 10-2, 10-3, ... First, the array substrate 1
Along the scribe line 16 along the outline of 01, two sheets are scribed and cut out. And
Only the opposing original substrate 200 is cut along the scribe line 17 corresponding to the inner edge of the connection region 21 on the array substrate 101. This is to remove an unnecessary portion of the counter original substrate 200 at a portion covering the connection region 21.
【0031】図3に示すように、大判の貼り合わせ基板
300には、スクライブ線17に沿って、アレイ原基板
100上に上記堰堤状突起11が設けられるとともに、
対向原基板200上に堰堤状スペーサ211が設けられ
る。すなわち、堰堤状突起11と堰堤状スペーサ211
とが互いに当接して支持構造をなすことにより、スクラ
イブ切断の際に加わる押圧力に抗して、画素表示領域内
と同様の所定の間隔を維持するのである。As shown in FIG. 3, the large-sized bonded substrate 300 is provided with the dam-like projections 11 on the original array substrate 100 along the scribe line 17, and
A dam-shaped spacer 211 is provided on the opposing original substrate 200. That is, the dam-shaped projection 11 and the dam-shaped spacer 211
By abutting each other to form a support structure, a predetermined space similar to that in the pixel display region is maintained against the pressing force applied during the scribe cutting.
【0032】本実施例においては、堰堤状突起11に抜
き部12や段部13が設けられるが、堰堤状突起11は
充分な幅に設けられるので、スクライブの際に何ら悪影
響を及ぼすものでない。堰堤状突起11の幅は、例え
ば、スクライブにより折半する前で、100μmに設定
される。In this embodiment, the dam-like projection 11 is provided with the cutout portion 12 and the step portion 13. However, since the dam-like projection 11 is provided with a sufficient width, it does not have any adverse effect on the scribe. The width of the dam-like projection 11 is set to 100 μm before being halved by scribing, for example.
【0033】以下に、図3〜4を用いて、実施例1の液
晶表示装置の製造方法について詳細に説明する。The method of manufacturing the liquid crystal display device of the first embodiment will be described in detail below with reference to FIGS.
【0034】まず、アレイ原基板100の製造工程につ
いて説明する。First, the manufacturing process of the original array substrate 100 will be described.
【0035】(1) 第1のパターニング
ガラス基板118上に、スパッタ法によりモリブデン−
タングステン合金膜(MoW膜)を230nm堆積させ
る。そして、第1のマスクパターンを用いるパターニン
グにより、対角寸法2.2インチ(56mm)の長方形
領域ごとに、176本の走査線111、その延在部から
なるゲート電極111a、及び、走査線111と略同数
の幅の広い補助容量線を形成する。(1) On the first patterned glass substrate 118, molybdenum-containing material is formed by sputtering.
A tungsten alloy film (MoW film) is deposited to a thickness of 230 nm. Then, by patterning using the first mask pattern, 176 scanning lines 111, a gate electrode 111a including the extended portion, and the scanning line 111 are provided for each rectangular area having a diagonal dimension of 2.2 inches (56 mm). And the same number of wide auxiliary capacitance lines as the above are formed.
【0036】(2) 第2のパターニング
まず、ゲート絶縁膜115をなす350nm厚の酸化・
窒化シリコン膜(SiONx膜)を堆積する。表面をフ
ッ酸で処理した後、さらに、TFT107の半導体膜1
36を作成するための50nm厚のアモルファスシリコ
ン(a-Si:H)層、及び、TFT107のチャネル保
護膜121等を形成するための膜厚200nmの窒化シ
リコン膜(SiNx膜)を、大気に曝すことなく連続し
て成膜する。(2) Second patterning First, oxidation of 350 nm thick forming the gate insulating film 115 is performed.
A silicon nitride film (SiONx film) is deposited. After treating the surface with hydrofluoric acid, the semiconductor film 1 of the TFT 107 is further processed.
A 50 nm-thick amorphous silicon (a-Si: H) layer for forming 36 and a 200-nm-thick silicon nitride film (SiNx film) for forming the channel protective film 121 of the TFT 107 are exposed to the atmosphere. Film formation continuously without
【0037】レジスト層を塗布した後、第1のパターニ
ングにより得られた走査線111等のパターンをマスク
とする裏面露光技術により、各ゲート電極111a上に
チャネル保護膜21を作成する。After applying the resist layer, the channel protection film 21 is formed on each gate electrode 111a by the backside exposure technique using the pattern of the scanning line 111 or the like obtained by the first patterning as a mask.
【0038】(3) 第3のパターニング
良好なオーミックコンタクトが得られるように、アモル
ファスシリコン(a-Si:H)層の露出する表面をフッ
酸で処理した後、低抵抗半導体膜137を作成するため
の50nm厚のリンドープアモルファスシリコン(n+
a-Si:H)層を上記と同様のCVD法により堆積す
る。(3) Third patterning In order to obtain good ohmic contact, the exposed surface of the amorphous silicon (a-Si: H) layer is treated with hydrofluoric acid, and then the low resistance semiconductor film 137 is formed. 50 nm thick phosphorus-doped amorphous silicon (n +
The a-Si: H) layer is deposited by the same CVD method as above.
【0039】この後、スパッタ法により、25nm厚の
ボトムMo層、250nm厚のAl層、及び、50nm
厚のトップMo層からなる三層金属膜(Mo/Al/Mo)を
堆積する。Thereafter, a bottom Mo layer having a thickness of 25 nm, an Al layer having a thickness of 250 nm, and a thickness of 50 nm are formed by a sputtering method.
A three-layer metal film (Mo / Al / Mo) consisting of a thick top Mo layer is deposited.
【0040】そして、第2のマスクパターンを用いて、
レジストを露光、現像した後、a-Si:H層、n+a-
Si:H層、及び三層金属膜(Mo/Al/Mo)を一括して
パターニングする。この第3のパターニングにより、対
角寸法2.2インチ(56mm)の長方形領域ごとに、
220×3本の信号線131と、各信号線131から延
在するドレイン電極132と、ソース電極133とを作
成する。Then, using the second mask pattern,
After exposing and developing the resist, a-Si: H layer, n + a-
The Si: H layer and the three-layer metal film (Mo / Al / Mo) are patterned together. By this third patterning, for each rectangular area having a diagonal dimension of 2.2 inches (56 mm),
220 × 3 signal lines 131, a drain electrode 132 extending from each signal line 131, and a source electrode 133 are created.
【0041】(4) 第4のパターニング
上記のように得られた多層膜パターンの上に、200n
m厚の窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜140を堆積
した後、ソース電極133上の層間絶縁膜140を除去
してコンタクトホール142を作成する。(4) Fourth patterning On the multilayer film pattern obtained as described above, 200 n
After depositing an interlayer insulating film 140 made of a silicon nitride film having a thickness of m, the contact hole 142 is formed by removing the interlayer insulating film 140 on the source electrode 133.
【0042】(5) 第5のパターニング(図4)
上記第4のパターニングに用いたレジストパターンを剥
離した後、アクリル樹脂からなるポジ型の感光性の硬化
性樹脂液150aを、コーターにより、乾燥後膜厚が2
μmとなるよう均一に塗布する。そして、以下に説明す
るような露光操作を行った後、現像、ポストベーク、及
び未硬化樹脂を除去する洗浄操作を行う。(5) Fifth Patterning (FIG. 4) After removing the resist pattern used for the fourth patterning, a positive photosensitive curable resin liquid 150a made of acrylic resin is dried by a coater. After film thickness is 2
Apply evenly to a thickness of μm. Then, after performing the exposure operation as described below, the developing operation, the post-baking, and the cleaning operation for removing the uncured resin are performed.
【0043】図4に示すように、所定の領域にて、凹部
156や段部13を設けるための弱い露光を行う。As shown in FIG. 4, weak exposure for forming the concave portion 156 and the step portion 13 is performed in a predetermined region.
【0044】露光走査の際に、例えば、2枚重ねのマス
クパターンを用い、ある露光時間の経過後に一方のマス
クパターンを外すことにより、所定の領域で一方のマス
クパターンを外したときから露光が開始するようにする
ことができる。このように所定領域弱い露光を行うこと
により、例えば1μmの深さをもつ、凹部156及び段
部13が設けられる。During the exposure scanning, for example, by using a mask pattern of two sheets and removing one mask pattern after a certain exposure time, exposure is performed from the time when one mask pattern is removed in a predetermined area. Can be set to start. By performing weak exposure in a predetermined region in this manner, the recess 156 and the step 13 having a depth of 1 μm, for example, are provided.
【0045】上記コンタクトホール142に連続するコ
ンタクトホール152を設ける個所等では強い露光が行
われて、樹脂層が残らないこととなる。Strong exposure is performed at places where the contact holes 152 continuous with the contact holes 142 are provided, and the resin layer does not remain.
【0046】画素電極161を配置する領域では、多数
の凹部156が設けられることにより、反射型の画素電
極161に光散乱機能をもたせるための凹凸パターンが
形成される。In the region where the pixel electrode 161 is arranged, a large number of recesses 156 are provided, so that a concavo-convex pattern for giving the light scattering function to the reflective pixel electrode 161 is formed.
【0047】この厚型樹脂膜150は、図示の例で、液
晶表示装置に組み立てられた場合に液晶層の厚さを略均
一にする平坦化膜の役割を果たすとともに、画素電極を
信号線等に重ねられるようにすることで、光利用効率を
向上させる役割を果たす。In the illustrated example, the thick resin film 150 serves as a flattening film that makes the thickness of the liquid crystal layer substantially uniform when assembled in a liquid crystal display device, and also functions as a pixel electrode for a signal line or the like. And play a role of improving light utilization efficiency.
【0048】上記の説明において、厚型樹脂膜150が
ポジ型の感光性樹脂により形成されるとして説明した
が、ネガ型の感光性樹脂を用いることも可能である。こ
の場合、露光を行わない領域と、強い露光を行う領域と
が入れ替わるが、弱い露光を行う領域は全く同様であ
る。In the above description, the thick resin film 150 is described as being formed of a positive photosensitive resin, but it is also possible to use a negative photosensitive resin. In this case, the areas not exposed and the areas exposed to strong are exchanged, but the areas exposed to weak are exactly the same.
【0049】また、上記の説明においては、2枚のマス
クパターンを用いることにより積算露光量に段差を設け
たが、所定領域にメッシュパターンを有するマスクパタ
ーンを用いる、いわゆるハーフトーンパターニングを採
用することにより積算露光量に段差を設けることもでき
る。Further, in the above description, a step is provided in the integrated exposure amount by using two mask patterns, but so-called halftone patterning, which uses a mask pattern having a mesh pattern in a predetermined area, is adopted. Therefore, a step can be provided in the integrated exposure amount.
【0050】また、露光の制御等により積算露光量に傾
斜を設けることで、上記凹部156を設けることもで
き、この際、堰堤状突起11の両縁の面についても、段
部を有しない緩やかな傾斜面とすることができる。The recess 156 can also be provided by providing the integrated exposure amount with an inclination by controlling the exposure or the like. At this time, the surfaces of both edges of the dam-like projection 11 do not have a step and are gentle. Can be an inclined surface.
【0051】(6) 第6のパターニング
スパッタ法により100nm厚のアルミニウム(Al)
層を堆積した後、第5のマスクパターンを用いてレジス
トパターンを形成後、アッシングによりレジストパター
ンを除去する。そして、ドライエッチングによるパター
ニングにより、画素電極161及び接続パッド15を作
成する。(6) Aluminum having a thickness of 100 nm (Al) is formed by the sixth patterning sputtering method.
After depositing the layer, a resist pattern is formed using the fifth mask pattern, and then the resist pattern is removed by ashing. Then, the pixel electrode 161 and the connection pad 15 are formed by patterning by dry etching.
【0052】この際、堰堤状突起11には、段部13が
設けられているので、堰堤状突起11の両縁にて、アル
ミニウム(Al)層が他に比べて著しく厚くなることが
ない。また、アッシング後にレジストパターンが部分的
に残留することもない。したがって、通常のエッチング
の操作の後には、堰堤状突起11の両縁にAl層が残留
することがない。At this time, since the step portion 13 is provided on the dam-like projection 11, the aluminum (Al) layer at both edges of the dam-like projection 11 is not significantly thicker than the other layers. Further, the resist pattern does not partially remain after the ashing. Therefore, the Al layer does not remain on both edges of the dam-like protrusion 11 after the ordinary etching operation.
【0053】また、工程上のばらつき等により充分な段
部13が形成されなかった場合においても、充分な寸法
の抜き部12の存在により、隣り合う接続パッド15や
これに接続する隣り合う端子間での短絡が充分に防止さ
れている。Further, even when the sufficient step portion 13 is not formed due to the process variation or the like, the existence of the sufficient size of the cutout portion 12 causes a gap between the adjacent connection pads 15 and the adjacent terminals connected thereto. The short circuit at is sufficiently prevented.
【0054】次ぎに、対向原基板200の製造工程につ
いて簡単に説明する。Next, the manufacturing process of the counter original substrate 200 will be briefly described.
【0055】まず、遮光層201のパターンが形成され
る。遮光層201は、シール材400パターン内にあっ
て各TFT107を遮光する個所と、柱状スペーサ20
1を設ける個所とに設けられるとともに、スクライブ線
16に沿った個所に設けられる。First, the pattern of the light shielding layer 201 is formed. The light-shielding layer 201 has a portion in the pattern of the sealing material 400 that shields each TFT 107 from light, and the columnar spacer 20.
1 is provided at a location along with the scribe line 16.
【0056】次いで、各画素ドットにレッド(R)、ブ
ルー(B)、グリーン(G)のカラーフィルタ層20
2,203,204を割り当てて配置するための3回の
パターニングが行われる。同時に、所定個所にて、上記
遮光層201に3つのカラーフィルタ層202,20
3,204が積み重ねられることにより、柱状スペーサ
201及び堰堤状スペーサ211を形成する。Next, red (R), blue (B), and green (G) color filter layers 20 are formed on the respective pixel dots.
Patterning is performed three times to allocate and arrange 2, 203 and 204. At the same time, the three color filter layers 202, 20 are formed on the light shielding layer 201 at a predetermined position.
The columnar spacer 201 and the dam-shaped spacer 211 are formed by stacking 3,204.
【0057】この後、シール材400パターンの内側で
対向電極をなすITO膜205が設けられる。After that, an ITO film 205 forming a counter electrode is provided inside the pattern of the sealing material 400.
【0058】このようにしてアレイ原基板100及び対
向原基板200を作成した後、いずれかの原基板にシー
ル材が塗布されて圧着、硬化を行った後、上記のような
スクライブによる切り出しが行われる。切り出しの後、
液晶材料の注入及び注入口の封止により表示パネル本体
10が作成してから、TCP及び駆動回路基板の装着、
及びフロントライト装置の組み付けを経て液晶表示装置
が完成される。After the array original substrate 100 and the counter original substrate 200 are prepared in this manner, a sealing material is applied to any one of the original substrates, pressure-bonded and cured, and then cut out by scribe as described above. Be seen. After cutting out,
After the display panel body 10 is created by injecting the liquid crystal material and sealing the injection port, mounting the TCP and the drive circuit board,
Then, the liquid crystal display device is completed through the assembling of the front light device.
【0059】次ぎに、図5〜6を用いて実施例2〜3に
ついて説明する。Next, Examples 2 to 3 will be described with reference to FIGS.
【0060】図5に示すように、実施例2に係る表示パ
ネル本体10Aは、実施例1のものと同様の構成におい
て、堰堤状突起11に段部13が省かれている。このよ
うな構成であると、堰堤状突起11の基板内側の縁に沿
って金属層18がすじ状に残留するおそれがあるが、充
分な幅の抜き部の存在により、残留金属層18が接続パ
ッド15ごとに分割されているので、TCP等の端子群
が被せられて接続された場合にも端子間に短絡を起こす
ことがない。As shown in FIG. 5, the display panel body 10A according to the second embodiment has the same structure as that of the first embodiment except that the step portion 13 is omitted from the dam-like projection 11. With such a configuration, the metal layer 18 may remain in the form of streaks along the edge of the dam-like projection 11 on the inner side of the substrate, but the residual metal layer 18 is connected due to the existence of the punched portion having a sufficient width. Since each pad 15 is divided, even when a terminal group such as TCP is covered and connected, a short circuit does not occur between the terminals.
【0061】図6に示すように、実施例3に係る表示パ
ネル本体10Bは、実施例1のものと同様の構成におい
て、堰堤状突起11に抜き部12が設けられていない。
このような構成であっても、充分な段部13を設けるこ
とにより、堰堤状突起11の基板内側の縁での残留金属
層18の生成を充分に防止することができる。As shown in FIG. 6, the display panel body 10B according to the third embodiment has the same structure as that of the first embodiment, but the dam-like projection 11 is not provided with the cutout portion 12.
Even with such a configuration, the formation of the residual metal layer 18 at the edge of the dam-like projection 11 on the inner side of the substrate can be sufficiently prevented by providing the sufficient step portion 13.
【0062】最後に、図7を用いて比較例について説明
する。Finally, a comparative example will be described with reference to FIG.
【0063】比較例に係る表示パネル本体10’には、
上記実施例と同様の構成において、堰堤状突起11に、
抜き部12及び段部13のいずれも設けられていない。In the display panel body 10 'according to the comparative example,
In the same configuration as the above embodiment,
Neither the cutout portion 12 nor the step portion 13 is provided.
【0064】図7に示すように、接続パッド15の列に
沿った個所において、すじ状に連続する残留金属層18
が形成されるおそれがある。接続パッド15の列にTC
P等の端子群が接続された場合、隣り合う端子が残留金
属層18に当接して短絡を起こすこととなるのである。As shown in FIG. 7, the residual metal layer 18 which is continuous in a stripe shape is formed at a portion along the row of the connection pads 15.
May be formed. TC on the row of connection pads 15
When a terminal group such as P is connected, adjacent terminals come into contact with the residual metal layer 18 to cause a short circuit.
【0065】上記実施例において、反射型の液晶表示装
置を例にとり説明したが、透過型の液晶表示装置の場合
であっても全く同様である。In the above embodiments, the reflection type liquid crystal display device has been described as an example, but the same applies to the case of a transmission type liquid crystal display device.
【0066】[0066]
【発明の効果】基板の貼り合わせや切り出しの工程によ
る基板の歪みと表示不良とを防止することができるだけ
でなく、接続パッドやこれに接続する端子の間の短絡を
も充分に防止することができる。EFFECT OF THE INVENTION Not only the distortion of the substrate and the display failure due to the steps of laminating and cutting out the substrate can be prevented, but also the short circuit between the connection pad and the terminal connected thereto can be sufficiently prevented. it can.
【図1】実施例1の液晶表示装置の要部について説明す
るための、表示パネル本体の端縁部についての模式的な
部分断面斜視図である。FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional perspective view of an edge portion of a display panel body for explaining a main part of a liquid crystal display device according to a first embodiment.
【図2】切り出し前のアレイ原基板と対向原基板とを貼
り合わせてなる大判の貼り合わせ基板について示す平面
図である。FIG. 2 is a plan view showing a large-sized bonded substrate obtained by bonding an array original substrate and a counter original substrate before being cut out.
【図3】図2の大判の貼り合わせ基板についての模式的
な積層断面図である。FIG. 3 is a schematic laminated sectional view of the large-sized bonded substrate of FIG.
【図4】アレイ原基板上に、厚型樹脂膜を形成する工程
について説明するための模式的な積層断面図である。FIG. 4 is a schematic laminated sectional view for explaining a step of forming a thick resin film on an original array substrate.
【図5】実施例2の液晶表示装置の要部について説明す
るための、図1に対応する部分断面斜視図である。5 is a partial cross-sectional perspective view corresponding to FIG. 1 for explaining a main part of the liquid crystal display device of Example 2. FIG.
【図6】実施例3の液晶表示装置の要部について説明す
るための、図1に対応する部分断面斜視図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional perspective view corresponding to FIG. 1 for explaining a main part of the liquid crystal display device of the third embodiment.
【図7】比較例の液晶表示装置の要部について説明する
ための、図1に対応する部分断面斜視図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional perspective view corresponding to FIG. 1 for explaining a main part of a liquid crystal display device of a comparative example.
10 表示パネル本体 11 アレイ基板の縁の堰堤状突起 12 堰堤状突起の抜き部 13 堰堤状突起の段部(肩部) 15 接続パッド 16 スクライブ線 10 Display panel body 11 Embankment-like protrusions on the edge of the array substrate 12 Extraction part of dam-like projection 13 Steps (shoulders) of dam-like projections 15 connection pad 16 scribe line
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山川 伸二 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 Fターム(参考) 2H088 FA02 FA03 FA04 FA05 HA02 HA08 MA17 2H089 KA10 LA09 LA13 LA41 NA05 NA15 QA12 QA14 TA03 TA09 2H092 GA40 JA24 JA37 JA46 JB22 JB31 KA05 KA10 MA13 MA18 MA27 NA29 PA03 PA04 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Shinji Yamakawa 8 East Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Shiba Electronics Engineering Co., Ltd. F-term (reference) 2H088 FA02 FA03 FA04 FA05 HA02 HA08 MA17 2H089 KA10 LA09 LA13 LA41 NA05 NA15 QA12 QA14 TA03 TA09 2H092 GA40 JA24 JA37 JA46 JB22 JB31 KA05 KA10 MA13 MA18 MA27 NA29 PA03 PA04
Claims (5)
れた第1及び第2の基板と、これらの間に保持される液
晶層と、前記第1基板の接続用周縁部に配列される接続
パッドとを備える液晶表示装置において、 前記第1基板のパターン形成面の端縁に堰堤状突起が備
えられ、この堰堤状突起が、前記接続パッドの列に沿っ
た領域にて、隣り合う前記接続パッドの間の間隙ごとに
省かれていることを特徴とする液晶表示装置。1. A first and a second substrate bonded together via a spacer and a sealing material, a liquid crystal layer held between them, and a connection pad arranged on a peripheral edge for connection of the first substrate. In the liquid crystal display device including: a dam-like projection is provided at an edge of the pattern formation surface of the first substrate, and the dam-like projection is adjacent to the connection pad in a region along the row of the connection pad. A liquid crystal display device characterized by being omitted for each gap between.
記堰堤状突起の基板内側の縁に段部が備えられることを
特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a step portion is provided at an edge of the dam-like projection inside the substrate in a region along the row of the connection pads.
れた第1及び第2の基板と、これらの間に保持される液
晶層と、前記第1基板の接続用周縁部に配列される接続
パッドとを備える液晶表示装置において、 前記第1基板のパターン形成面の端縁に堰堤状突起が備
えられ、前記接続パッドの列に沿った領域にて、前記堰
堤状突起の基板内側の縁に段部が備えられることを特徴
とする液晶表示装置。3. A first and a second substrate bonded together via a spacer and a sealing material, a liquid crystal layer held between them, and a connection pad arranged at a connection peripheral portion of the first substrate. In a liquid crystal display device including: a dam-like projection provided at an edge of the pattern formation surface of the first substrate, and a step along the edge of the dam-like projection inside the substrate in a region along the row of the connection pads. A liquid crystal display device, which is provided with a section.
μm以上の樹脂膜のパターンを形成する樹脂膜形成工程
と、 前記樹脂膜上のパターン及び接続パッドの列を含む導電
層パターンを形成する工程と、 前記第1基板と、第2基板とをシール材を介して貼り合
わせる工程と、 前記の第1基板及び第2基板が貼り合わされた状態で、
前記堰堤状突起に沿って前記の第1基板及び第2基板を
切断する基板切断工程と、 前記接続パッドの列に、導電性接着手段を介してフレキ
シブル配線基板の端子群を電気的に接続させる工程とを
備える、液晶表示装置の製造方法であって、 前記接続パッドの列に沿った領域にて、前記堰堤状突起
が、隣り合う前記接続パッドの間の間隙ごとに省かれて
いることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。4. The first substrate has a thickness of 1 including a dam-like projection.
a resin film forming step of forming a resin film pattern of μm or more; a step of forming a conductive layer pattern including a pattern of the resin film and a row of connection pads; and sealing the first substrate and the second substrate. A step of pasting through a material, and a state in which the first substrate and the second substrate are pasted together,
A substrate cutting step of cutting the first substrate and the second substrate along the dam-like projections, and electrically connecting a terminal group of a flexible wiring substrate to the row of the connection pads through a conductive adhesive means. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a step along a row of the connection pads, wherein the dam-shaped projections are omitted for each gap between the adjacent connection pads. A method for manufacturing a characteristic liquid crystal display device.
μm以上の樹脂膜のパターンを形成する樹脂膜形成工程
と、 前記樹脂膜上のパターン及び接続パッドの列を含む導電
層パターンを形成する工程と、 前記第1基板と、第2基板とをシール材を介して貼り合
わせる工程と、 前記の第1基板及び第2基板が貼り合わされた状態で、
前記堰堤状突起に沿って前記の第1基板及び第2基板を
切断する基板切断工程と、 前記接続パッドの列に、導電性接着手段を介してフレキ
シブル配線基板の端子群を電気的に接続させる工程とを
備える、液晶表示装置の製造方法であって、 前記樹脂膜形成工程において、露光される領域の露光の
積算強度について前記堰堤状突起の両縁の個所にて段差
または傾斜を設け、これにより、前記堰堤状突起の両縁
の個所に段部を設けるか、または、該両縁の端面の傾斜
角を低減し、同時に、前記前記画素電極配置領域にて凹
凸パターンを形成することを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。5. The thickness including the dam-like protrusions is 1 on the first substrate.
a resin film forming step of forming a resin film pattern of μm or more; a step of forming a conductive layer pattern including a pattern of the resin film and a row of connection pads; and sealing the first substrate and the second substrate. A step of pasting through a material, and a state in which the first substrate and the second substrate are pasted together,
A substrate cutting step of cutting the first substrate and the second substrate along the dam-like projections, and electrically connecting a terminal group of a flexible wiring substrate to the row of the connection pads through a conductive adhesive means. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a step or an inclination at the two edges of the dam-like projection with respect to the integrated intensity of exposure of an area to be exposed in the resin film forming step, According to the aspect, a step is provided at both edges of the dam-like projection, or the inclination angle of the end face of the both edges is reduced, and at the same time, a concavo-convex pattern is formed in the pixel electrode arrangement region. A method for manufacturing a liquid crystal display device.
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