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JP2003006588A - Ic module, manufacturing method therefor and ic card manufacturing method - Google Patents

Ic module, manufacturing method therefor and ic card manufacturing method

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JP2003006588A
JP2003006588A JP2001184939A JP2001184939A JP2003006588A JP 2003006588 A JP2003006588 A JP 2003006588A JP 2001184939 A JP2001184939 A JP 2001184939A JP 2001184939 A JP2001184939 A JP 2001184939A JP 2003006588 A JP2003006588 A JP 2003006588A
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JP
Japan
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chip
reinforcing plate
insulating substrate
electrode
module
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JP2001184939A
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Tomoya Akiyama
知哉 秋山
Hiroshi Tamura
博 田村
Hiroyuki Yamaguchi
博之 山口
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an IC module not to be deformed or destroyed even by impact force and bending stress from the outside, the manufacturing method and an IC card manufacturing method. SOLUTION: In the IC module incorporated in an IC card, a center sheet 1 is provided and a capacitor electrode 73 is formed with metallic foil on the surface of the center sheet on the opposite side of the surface where an IC chip 4 is loaded at the position of the center sheet 1 where the IC chip 4 is loaded on the center sheet 1. Since the IC chip 4 is reinforced by the metallic foil, the effect of improving impact force resistance and bending stress resistance is provided. Further, at the position of loading the IC chip 4, the capacitor electrode 71 is formed with the metallic foil on the surface on the opposite side of the surface where the capacitor electrode 73 is formed of the center sheet. Since the IC chip 4 is reinforced doubly by the metallic foil, the effect of further improving the impact force resistance and the bending stress resistance is provided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、外力に強いICモ
ジュールおよびその製造方法、ならびにICカード製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC module resistant to external force, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing an IC card.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報処理の効率化やセキュリティ
ーの観点から、磁気カードに代えて、データの記録およ
び処理を行う半導体素子によるIC回路を内蔵したIC
カードの実用化が進められている。ICカードは、通
常、財布やカード入れに収納し、あるいはカード単体で
携帯し使用される。この使用条件下では、ICカードに
外部からの応力、衝撃力など(外力)が加わる場合が多
く、その場合にはICカードに内蔵されているICチッ
プに外力が加わりICチップが変形することにより、デ
ータの記録およびデータ処理等の機能が果たせなくなる
恐れがある。このため、外力に対して変形、破壊しない
ICカードおよびICモジュールが望まれている。
2. Description of the Related Art In recent years, from the viewpoint of efficiency of information processing and security, an IC having a built-in IC circuit by a semiconductor element for recording and processing data is used instead of a magnetic card.
Practical application of cards is in progress. The IC card is usually stored in a wallet or a card case, or is carried as a single card. Under these conditions of use, external stress, impact force, etc. (external force) are often applied to the IC card. In that case, the IC chip built in the IC card is deformed by the external force. , The functions of data recording and data processing may not be achieved. Therefore, an IC card and an IC module that are not deformed or destroyed by an external force are desired.

【0003】近年、特開2000−99678号公報に
開示されているように、ICカードが製造される際に、
ICチップの回路面以外に金属箔が残され、その金属箔
によりICチップが補強されているICカードが知られ
ている。また、特開平2−158156号公報に開示さ
れているように、ICチップが樹脂で封止された、およ
びICチップ上に補強板が形成されたICカードが知ら
れている。
Recently, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-99678, when an IC card is manufactured,
There is known an IC card in which a metal foil is left on a portion other than the circuit surface of the IC chip and the IC chip is reinforced by the metal foil. Further, as disclosed in JP-A-2-158156, there is known an IC card in which an IC chip is sealed with a resin and a reinforcing plate is formed on the IC chip.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
2−158156号公報で開示された、ICチップが樹
脂で封止されたICカードでは、十分な補強強度が得ら
れないという問題点がある。また、特開平2−1581
56号公報に開示された、ICチップ上に補強板が形成
されたICカードでは、0.2mm以下の厚さのICチ
ップ自身にエッチング処理が行なわれて補強板が形成さ
れている。しかし、近年のICチップの高性能化に伴い
ICチップが大きく厚くなる傾向にあるため、ICチッ
プ自身にエッチング処理等によって補強を行っても、十
分な補強強度が得られないという問題がある。このた
め、外部からの衝撃力および曲げ応力によっても変形、
破壊しないICモジュールおよびICカードが望まれて
いる。
However, the IC card in which the IC chip is sealed with resin disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2-158156 has a problem that sufficient reinforcing strength cannot be obtained. In addition, JP-A-2-1581
In the IC card in which the reinforcing plate is formed on the IC chip disclosed in Japanese Patent No. 56, the reinforcing process is performed on the IC chip itself having a thickness of 0.2 mm or less to form the reinforcing plate. However, as the performance of IC chips has increased in recent years, the IC chips tend to become large and thick, so that there is a problem in that even if the IC chips themselves are reinforced by etching or the like, sufficient reinforcing strength cannot be obtained. Therefore, it is deformed by impact force and bending stress from the outside,
There is a demand for an IC module and an IC card that do not break.

【0005】したがって、本発明の目的は、外部からの
衝撃および曲げに強いICモジュールとその製造方法、
外部からの衝撃力および曲げ応力によっても変形、破壊
しないICカードの製造方法を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide an IC module which is resistant to external impact and bending and a method for manufacturing the same.
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an IC card which is not deformed or destroyed by an external impact force and a bending stress.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のICモジュールは、絶縁性基板と、当該絶
縁性基板に形成されたアンテナコイルと、当該絶縁性基
板に搭載された信号処理用ICチップを有するICモジ
ュールであって、前記ICチップが搭載される前記絶縁
性基板の位置で当該ICチップが搭載される面と反対側
の前記絶縁性基板の面に第1の補強板が形成されてい
る。
In order to solve the above-mentioned problems, an IC module of the present invention comprises an insulating substrate, an antenna coil formed on the insulating substrate, and a signal mounted on the insulating substrate. An IC module having a processing IC chip, wherein a first reinforcing plate is provided on a surface of the insulating substrate opposite to a surface on which the IC chip is mounted at a position of the insulating substrate on which the IC chip is mounted. Are formed.

【0007】上記の本発明のICモジュールによれば、
絶縁性基板のICチップが搭載される前記絶縁性基板の
位置で当該ICチップが搭載される面と反対側の前記絶
縁性基板の面に、前記アンテナコイルと同一材料の第1
の補強板が形成されていることから、たとえばICチッ
プに外部から衝撃力、曲げ応力が生じた場合であって
も、補強板により補強されるため、衝撃力、曲げ応力に
よっても変形、破壊しないICモジュールを得ることが
できる。
According to the above IC module of the present invention,
A first material of the same material as that of the antenna coil is provided on the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the IC chip of the insulating substrate is mounted at the position of the insulating substrate.
Since the reinforcing plate is formed, even if external impact force or bending stress is generated on the IC chip, since it is reinforced by the reinforcing plate, it is not deformed or destroyed by the impact force or bending stress. An IC module can be obtained.

【0008】好適には、前記第1の補強板は、前記アン
テナコイルと同一材料で形成されている。
Preferably, the first reinforcing plate is made of the same material as the antenna coil.

【0009】また、好適には、前記ICチップが搭載さ
れる位置で、前記絶縁性基板の前記第1の補強板が形成
された面の反対側の面に形成された第2の補強板をさら
に有する。
Preferably, a second reinforcing plate formed on the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the first reinforcing plate is formed at a position where the IC chip is mounted. Have more.

【0010】上記の発明のICモジュールによれば、I
Cチップは、絶縁性基板を介して2重に補強板が形成さ
れていおり、ICチップに外部からの衝撃力および曲げ
応力が生じた場合であっても、2重に形成された補強板
により補強されているため、衝撃力、曲げ応力によって
も変形、破壊しないICモジュールを得ることができ
る。
According to the IC module of the above invention, I
The C chip has a double reinforcing plate formed through an insulating substrate. Even when an external impact force or bending stress is generated on the IC chip, the double reinforcing plate is formed by the double reinforcing plate. Since it is reinforced, it is possible to obtain an IC module that is not deformed or destroyed by impact force or bending stress.

【0011】また、好適には、前記第1の補強板および
前記第2の補強板は、導電性部材であり、第1の電極で
ある前記第1の補強板と、第2の電極である前記第2の
補強板と、誘電体である前記絶縁性基板とでコンデンサ
を形成し、前記ICチップは、前記コンデンサの少なく
とも1部の上に搭載されている。
Further, preferably, the first reinforcing plate and the second reinforcing plate are conductive members, and are the first reinforcing plate which is the first electrode and the second electrode. A capacitor is formed by the second reinforcing plate and the insulating substrate that is a dielectric, and the IC chip is mounted on at least a part of the capacitor.

【0012】上記の発明のICモジュールによれば、I
Cチップを搭載する領域に、コンデンサが形成されてい
ることから、コンデンサの電極形成領域がより広く確保
されるため、より大きなキャパシタンスを有するコンデ
ンサを形成できる。
According to the IC module of the above invention, I
Since the capacitor is formed in the region where the C chip is mounted, the electrode forming region of the capacitor is secured to be wider, so that the capacitor having a larger capacitance can be formed.

【0013】また、好適には、前記コンデンサの第1の
電極は、前記絶縁性基板の前記第2の電極が形成されて
いる面にさらに形成されており、前記ICチップは、前
記絶縁性基板の当該面に形成された第1の電極の形成領
域と、前記絶縁性基板の当該面に形成された第2の電極
の形成領域にまたがって搭載されている。
Further, preferably, the first electrode of the capacitor is further formed on a surface of the insulating substrate on which the second electrode is formed, and the IC chip is the insulating substrate. Of the first electrode formed on the surface of the insulating substrate and the formation area of the second electrode formed on the surface of the insulating substrate.

【0014】また、好適には、前記ICチップが搭載さ
れている前記第1の電極および前記第2の電極の縁が、
前記ICチップの中心からずれている。
Preferably, the edges of the first electrode and the second electrode on which the IC chip is mounted are
It is offset from the center of the IC chip.

【0015】また、好適には、前記ICチップは、前記
絶縁性基板に異方性導電膜を介して搭載されている。
Further, preferably, the IC chip is mounted on the insulating substrate via an anisotropic conductive film.

【0016】また、好適には、前記ICチップは、前記
絶縁性基板に搭載され、樹脂で封止されている。
Preferably, the IC chip is mounted on the insulating substrate and sealed with resin.

【0017】また、好適には、前記ICチップは、当該
ICチップの前記絶縁性基板と接する面と反対側の面に
形成された補強板をさらに有する。
Further, preferably, the IC chip further has a reinforcing plate formed on a surface of the IC chip opposite to a surface in contact with the insulating substrate.

【0018】前記課題を解決するために、本発明のIC
モジュール製造方法は、絶縁性基板と、当該絶縁性基板
に形成されたアンテナコイルと、当該絶縁性基板に搭載
された信号処理用ICチップを有するICモジュール
の、補強板を形成するICモジュール製造方法であっ
て、前記ICチップが搭載される前記絶縁性基板の位置
で当該ICチップが搭載される面と反対側の前記絶縁性
基板の面に第1の補強板、および前記アンテナコイルの
一部を形成する第1の補強板形成工程と、前記ICチッ
プを搭載する搭載工程とを有する。
In order to solve the above problems, the IC of the present invention
The module manufacturing method is an IC module manufacturing method for forming a reinforcing plate of an IC module having an insulating substrate, an antenna coil formed on the insulating substrate, and a signal processing IC chip mounted on the insulating substrate. And a first reinforcing plate and a part of the antenna coil on the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the IC chip is mounted at the position of the insulating substrate on which the IC chip is mounted. And a mounting step for mounting the IC chip.

【0019】上記の発明のICモジュール製造方法によ
れば、ICチップが搭載される前記絶縁性基板の位置で
当該ICチップが搭載される面と反対側の前記絶縁性基
板の面に第1の補強板、および前記アンテナコイルの一
部を同時に形成することから、第1の補強板、および前
記アンテナコイルの一部を別々に製造する場合に比べ
て、製造時間の短縮になる。
According to the method of manufacturing an IC module of the above invention, a first surface is provided on the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the IC chip is mounted at the position of the insulating substrate on which the IC chip is mounted. Since the reinforcing plate and a part of the antenna coil are formed at the same time, the manufacturing time can be shortened as compared with the case where the first reinforcing plate and a part of the antenna coil are manufactured separately.

【0020】好適には、前記ICチップが搭載される位
置で、前記絶縁性基板および前記第1の補強板が形成さ
れた面の反対側の面に第2の補強板および前記アンテナ
コイルの一部を同時に形成する第2の補強板形成工程と
を有する。
Preferably, at a position where the IC chip is mounted, a second reinforcing plate and one of the antenna coils are provided on a surface opposite to a surface on which the insulating substrate and the first reinforcing plate are formed. A second reinforcing plate forming step of simultaneously forming the portions.

【0021】また、好適には、前記第1の補強板および
前記第2の補強板は、導電性部材であり、第1の電極で
ある前記第1の補強板と、第2の電極である前記第2の
補強板と、誘電体である前記絶縁性基板とでコンデンサ
を形成し、前記搭載工程においては、前記ICチップ
を、前記コンデンサの少なくとも1部の上に搭載する。
Further, preferably, the first reinforcing plate and the second reinforcing plate are conductive members, and are the first reinforcing plate which is the first electrode and the second electrode. A capacitor is formed by the second reinforcing plate and the insulating substrate that is a dielectric, and in the mounting step, the IC chip is mounted on at least a part of the capacitor.

【0022】また、好適には、前記第2の補強板形成工
程においては、前記ICチップが搭載される位置で、前
記絶縁性基板の前記第1の補強板が形成された面の反対
側の面に、前記コンデンサの第1の電極およびコンデン
サの第2の電極を形成し、前記絶縁性基板の一方の面に
形成された第1の電極、および前記絶縁性基板の反対側
の面に形成された第1の電極をスルーホールを形成し電
気的に接続する工程を有し、前記搭載工程においては、
前記絶縁性基板の一方の面に形成された第1の電極およ
び第2の電極をまたいで前記ICチップを搭載する。
Further, preferably, in the step of forming the second reinforcing plate, at a position where the IC chip is mounted, on a side of the insulating substrate opposite to a surface on which the first reinforcing plate is formed. A first electrode of the capacitor and a second electrode of the capacitor on a surface, and a first electrode formed on one surface of the insulative substrate and an opposite surface of the insulative substrate. A step of electrically connecting the formed first electrode with a through hole, and in the mounting step,
The IC chip is mounted by straddling a first electrode and a second electrode formed on one surface of the insulating substrate.

【0023】また、好適には、前記搭載工程において
は、前記ICチップを、前記絶縁性基板の一方の面に形
成された第1の電極および第2の電極をまたぎ、当該第
1の電極および第2の電極の縁を当該ICチップの中心
からずらして搭載する。
Further, preferably, in the mounting step, the IC chip is straddled over a first electrode and a second electrode formed on one surface of the insulating substrate, and the first electrode and The edge of the second electrode is mounted while being displaced from the center of the IC chip.

【0024】また、好適には、前記搭載工程において
は、異方性導電膜を介して前記ICチップを搭載する。
Also, preferably, in the mounting step, the IC chip is mounted via an anisotropic conductive film.

【0025】また、好適には、前記ICチップを樹脂封
止する工程をさらに有する。
Preferably, the method further comprises the step of resin-sealing the IC chip.

【0026】また、好適には、前記ICチップの前記絶
縁性基板と接する面と反対側の面に、補強板を形成する
工程をさらに有する。
Preferably, the method further comprises the step of forming a reinforcing plate on the surface of the IC chip opposite to the surface in contact with the insulating substrate.

【0027】また、前記課題を解決するために、本発明
のICカード製造方法は、絶縁性基板と、当該絶縁性基
板に形成されたアンテナコイルと、当該絶縁性基板に搭
載された信号処理用ICチップおよびコンデンサを有す
るICモジュールを内蔵するICカードの、補強板を形
成するICカード製造方法であって、前記ICチップが
搭載される前記絶縁性基板の位置で当該ICチップが搭
載される面と反対側の前記絶縁性基板の面に第1の補強
板、および前記アンテナコイルの一部を形成する第1の
補強板形成工程と、前記ICチップを搭載する搭載工程
と、前記ICモジュールを保護層により被覆する工程と
を有する。
In order to solve the above problems, the method of manufacturing an IC card according to the present invention provides an insulating substrate, an antenna coil formed on the insulating substrate, and a signal processing device mounted on the insulating substrate. An IC card manufacturing method for forming a reinforcing plate of an IC card containing an IC module having an IC chip and a capacitor, the surface on which the IC chip is mounted at the position of the insulating substrate on which the IC chip is mounted. A step of forming a first reinforcing plate and a part of the antenna coil on the surface of the insulative substrate opposite to the step of forming the IC chip; a mounting step of mounting the IC chip; Coating with a protective layer.

【0028】好適には、前記ICチップが搭載される位
置で、前記絶縁性基板および前記第1の補強板が形成さ
れた面の反対側の面に第2の補強板を形成する第2の補
強板形成工程とを有する。
Preferably, at a position where the IC chip is mounted, a second reinforcing plate is formed on a surface opposite to the surface on which the insulating substrate and the first reinforcing plate are formed. And a reinforcing plate forming step.

【0029】また、好適には、前記第1の補強板および
前記第2の補強板は、導電性部材であり、第1の電極で
ある前記第1の補強板と、第2の電極である前記第2の
補強板と、誘電体である前記絶縁性基板とで、コンデン
サを形成し、前記搭載工程においては、前記ICチップ
を、前記コンデンサの少なくとも1部の上に搭載する。
Further, preferably, the first reinforcing plate and the second reinforcing plate are conductive members, and are the first reinforcing plate which is the first electrode and the second electrode. A capacitor is formed by the second reinforcing plate and the insulating substrate that is a dielectric, and in the mounting step, the IC chip is mounted on at least a part of the capacitor.

【0030】また、好適には、前記第2の補強板形成工
程においては、前記ICチップが搭載される位置で、前
記絶縁性基板の前記第1の補強板が形成された面の反対
側の面に、前記コンデンサの第1の電極およびコンデン
サの第2の電極を形成し、前記絶縁性基板の一方の面に
形成された第1の電極、および前記絶縁性基板の反対側
の面に形成された第1の電極をスルーホールを形成し電
気的に接続する工程と、前記搭載工程は、前記絶縁性基
板の一方の面に形成された第1の電極および第2の電極
をまたいで前記ICチップを搭載する。
Further, preferably, in the step of forming the second reinforcing plate, at a position where the IC chip is mounted, on a side opposite to a surface of the insulating substrate on which the first reinforcing plate is formed. A first electrode of the capacitor and a second electrode of the capacitor on a surface, and a first electrode formed on one surface of the insulative substrate and an opposite surface of the insulative substrate. The step of forming a through hole to electrically connect the formed first electrode and the mounting step include the step of connecting the first electrode and the second electrode formed on one surface of the insulating substrate. Equipped with an IC chip.

【0031】また、好適には、前記搭載工程において
は、前記ICチップを、前記絶縁性基板の一方の面に形
成された第1の電極および第2の電極をまたぎ、当該第
1の電極および第2の電極の縁が当該ICチップの中心
からずらして搭載する。
Further, preferably, in the mounting step, the IC chip is straddled over a first electrode and a second electrode formed on one surface of the insulating substrate, and the first electrode and the second electrode are formed. The edge of the second electrode is mounted while being displaced from the center of the IC chip.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】第1の実施の形態 本発明の第1の実施の形態を図1〜図6を参照して説明
する。図1は、本実施の形態に係るICカードの構成を
示す図である。図2は、図1に図解したICカードに内
蔵されているICモジュールの概略平面図である。図3
は、図2のA−A' 線における断面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram showing the configuration of the IC card according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic plan view of an IC module incorporated in the IC card illustrated in FIG. Figure 3
FIG. 3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.

【0033】図1に示すように、本第1の実施の形態に
係る非接触型ICカード200は、7層のラミネート構
造であり、後述するICモジュール100の両面に接着
シート10,11を介して、コアシート12,13およ
びオーバーシート14,15が積層されている。
As shown in FIG. 1, the non-contact type IC card 200 according to the first embodiment has a 7-layer laminated structure, and adhesive sheets 10 and 11 are provided on both sides of an IC module 100 described later. The core sheets 12 and 13 and the over sheets 14 and 15 are laminated.

【0034】ICカード200の大きさは、例えば、I
SO国際規格で定められた、縦54mm、横85.6m
m、厚さ0.76mm±10%である。
The size of the IC card 200 is, for example, I
54 mm in length and 85.6 m in width determined by SO international standard
m and the thickness is 0.76 mm ± 10%.

【0035】まず、各カード基材について説明する。接
着シート10,11は、例えば、ポリエステル樹脂、エ
ポキシ樹脂等を主成分としたシートにより構成されてい
る。コアシート12,13ならびにオーバーシート1
4,15は、プラスチック樹脂で構成されている。これ
らコアシート12,13ならびにオーバーシート14,
15は、例えばPET−G、ABS樹脂、PET、PE
N、アクリル樹脂、ポリカーボネート、塩化ビニル等の
プラスチック樹脂のいずれかで構成されている。
First, each card base material will be described. The adhesive sheets 10 and 11 are made of, for example, a sheet containing polyester resin, epoxy resin or the like as a main component. Core sheets 12, 13 and over sheet 1
4, 15 are made of plastic resin. These core sheets 12, 13 and oversheets 14,
15 is, for example, PET-G, ABS resin, PET, PE
It is made of N, acrylic resin, polycarbonate, or plastic resin such as vinyl chloride.

【0036】図に示すように、ICモジュール100
は、センターシート1、アンテナコイル2、異方性導電
フィルム3、ICチップ4、および補強金属箔5を有す
る。
As shown in the figure, the IC module 100
Has a center sheet 1, an antenna coil 2, an anisotropic conductive film 3, an IC chip 4, and a reinforcing metal foil 5.

【0037】センターシート1は、プラスチック樹脂で
形成されている。アンテナコイル2は、ICチップ4に
接続されているアンテナコイルであり、表面アンテナコ
イル21、裏面金属箔22、およびスルーホール23、
24を有する。また、アンテナコイル2は、図示しない
コンデンサと共振回路を形成し、共振周波数の電波を用
いて信号の送受信を行う。表面アンテナコイル21は、
センターシート1の表面の周縁部にループ上に導電性の
金属で形成されている。また、表面アンテナコイル21
は、スルーホール23,24を介して裏面金属箔22と
電気的に接続している。裏面金属箔22は、センターシ
ート1の裏面に形成された導電性の金属箔であり、スル
ーホール23,24を介して表面アンテナコイル21と
電気的に接続している。また、裏面金属箔22は、表面
アンテナコイル21と同一の材料で形成されているが、
異なる材料で形成されていてもよい。
The center sheet 1 is made of plastic resin. The antenna coil 2 is an antenna coil connected to the IC chip 4, and includes a front surface antenna coil 21, a back surface metal foil 22, and a through hole 23.
With 24. Further, the antenna coil 2 forms a resonance circuit together with a capacitor (not shown), and transmits and receives a signal using a radio wave having a resonance frequency. The surface antenna coil 21 is
The center sheet 1 is formed of a conductive metal on the periphery of the loop on the loop. In addition, the surface antenna coil 21
Are electrically connected to the back surface metal foil 22 through the through holes 23 and 24. The back surface metal foil 22 is a conductive metal foil formed on the back surface of the center sheet 1, and is electrically connected to the front surface antenna coil 21 through the through holes 23 and 24. Further, the back surface metal foil 22 is formed of the same material as the front surface antenna coil 21,
It may be formed of different materials.

【0038】異方性導電フィルム3は、例えば、導電性
微粒子を接着材に分散配合したもので、フィルム自体は
絶縁性を示すが、フィルムを圧縮することにより導電性
微粒子相互が接触して導電性が顕在化するものである。
The anisotropic conductive film 3 is, for example, one in which conductive fine particles are dispersed and blended in an adhesive, and the film itself has an insulating property. It is the manifestation of sex.

【0039】ICチップ4は、信号処理用を行う回路を
有するICチップであり、バンプ(接続用端子)6が設
けられており、異方性導電フィルム3を介して、アンテ
ナコイル2と電気的に接続されている。
The IC chip 4 is an IC chip having a circuit for signal processing, is provided with bumps (connection terminals) 6, and is electrically connected to the antenna coil 2 via the anisotropic conductive film 3. It is connected to the.

【0040】補強金属箔5は、センターシート1の裏面
に、ICチップ4が実装される位置の反対側に金属で形
成されている。また、補強金属箔5は、ICチップ4の
センターシート1の縁よりも大きく形成されている。
The reinforcing metal foil 5 is formed of metal on the back surface of the center sheet 1 on the side opposite to the position where the IC chip 4 is mounted. Further, the reinforcing metal foil 5 is formed larger than the edge of the center sheet 1 of the IC chip 4.

【0041】このように、本実施の形態のICモジュー
ル100およびICカード200においては、センター
シート1の裏面に、ICチップ4が実装される位置の反
対側の位置に補強金属箔5が形成されているために、I
Cチップ4の耐曲げ応力、耐衝撃力などが増すという効
果がある。
As described above, in the IC module 100 and the IC card 200 of the present embodiment, the reinforcing metal foil 5 is formed on the back surface of the center sheet 1 at the position opposite to the position where the IC chip 4 is mounted. Because I am
There is an effect that bending resistance, impact resistance and the like of the C chip 4 are increased.

【0042】次に、ICモジュール100の製造方法に
ついて、図4に示す断面図および図5に示すフローチャ
ートを用いて説明する。
Next, a method of manufacturing the IC module 100 will be described with reference to the sectional view shown in FIG. 4 and the flow chart shown in FIG.

【0043】ステップST1:図4(a)に示すよう
に、センターシート1の両面に、金属箔21a,22a
を張り付ける。
Step ST1: As shown in FIG. 4A, the metal foils 21a and 22a are formed on both sides of the center sheet 1.
Stick.

【0044】ステップST2:図4(b)に示すよう
に、形成する表面アンテナコイル21、裏面金属箔2
2、および補強金属箔5のパターンを有するレジストR
21,R22を塗布する。
Step ST2: As shown in FIG. 4B, the front surface antenna coil 21 and the rear surface metal foil 2 to be formed.
2 and the resist R having the pattern of the reinforcing metal foil 5
21 and R22 are applied.

【0045】ステップST3:図4(c)に示すよう
に、エッチング液を用いてエッチングを行い、レジスト
R20,R22塗布部以外のセンターシート1を露出さ
せる。
Step ST3: As shown in FIG. 4 (c), etching is performed using an etching solution to expose the center sheet 1 other than the resist R20 and R22 coating portions.

【0046】ステップST3:図4(d)に示すよう
に、レジストR20,R22を除去して、所望の表面ア
ンテナコイル21、裏面金属箔22、および補強金属箔
5が形成される。
Step ST3: As shown in FIG. 4 (d), the resists R20 and R22 are removed to form the desired front surface antenna coil 21, rear surface metal foil 22, and reinforcing metal foil 5.

【0047】ステップST4:スルーホール23,24
を形成し、表面アンテナコイル21と、裏面金属箔22
を電気的に接続する。
Step ST4: Through holes 23 and 24
To form the front surface antenna coil 21 and the back surface metal foil 22.
To be electrically connected.

【0048】ステップST5:上記のセンターシート1
に形成された表面アンテナコイル21の上に、異方性導
電フィルム3を転写して、ICチップ4の接続用端子6
が下面に位置するように異方性導電フィルム3上に載置
させ、上方から熱により圧着して、ICチップ4を表面
アンテナコイル21に接続して固着させ、ICチップ4
とアンテナコイル2とを電気的に接続する。上記の工程
により、本第1の実施の形態のICモジュール100を
形成することができる。
Step ST5: Center seat 1 above
The anisotropic conductive film 3 is transferred onto the surface antenna coil 21 formed on the surface of the IC chip 4, and the connecting terminal 6 of the IC chip 4 is connected.
Is placed on the anisotropic conductive film 3 so that the IC chip 4 is located on the lower surface, and is thermally pressure-bonded from above to connect the IC chip 4 to the surface antenna coil 21 and fix the IC chip 4 to the IC chip 4
And the antenna coil 2 are electrically connected. Through the above steps, the IC module 100 according to the first embodiment can be formed.

【0049】次に、ICカード200の製造方法を、図
6に示すフローチャートを参照して説明する。 ステップST11:上記のセンターシート1、接着シー
ト10,11、コアシート12,13、オーバーシート
14,15を図1に示したように積層させ、仮貼りを行
う。この仮張りの工程においては、例えば、2本のゴム
ロールで挟み込み、ロール間隔およびゴム強度を適宜調
整、設定して積層させ、接着面中に空気が残存しないよ
うに、空気を押し出すようにして積層させる。
Next, a method of manufacturing the IC card 200 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. Step ST11: The center sheet 1, the adhesive sheets 10 and 11, the core sheets 12 and 13, and the oversheets 14 and 15 are laminated as shown in FIG. 1 and temporarily attached. In this temporary tensioning step, for example, it is sandwiched by two rubber rolls, the roll interval and the rubber strength are appropriately adjusted and set to be laminated, and the air is pushed out so that no air remains in the bonding surface. Let

【0050】ステップST12:仮貼りした上記のセン
ターシート1、接着シート10,11、コアシート1
2,13、オーバーシート14,15の積層体を不図示
のプレス板などのプレス具により熱とともに加圧し、ラ
ミネート加工する。例えば、温度120°C、圧力20
kg/cm2 、および加圧時間12分のプレスラミネー
ト加工を行う。
Step ST12: The above-mentioned center sheet 1, adhesive sheets 10 and 11 and core sheet 1 which have been temporarily attached.
The laminated body of Nos. 2 and 13 and the oversheets 14 and 15 is pressed together with heat by a press tool such as a press plate (not shown) and laminated. For example, temperature 120 ° C, pressure 20
Press laminating is performed with a pressure of 12 kg / cm 2 for 12 minutes.

【0051】ステップST13:以上の処理により、カ
ードサイズに打ち抜いて、所望のICカード200を形
成することができる。
Step ST13: By the above processing, the desired IC card 200 can be formed by punching into a card size.

【0052】このように、本第1の実施の形態のICモ
ジュール100およびICカード200の製造方法にお
いては、裏面金属箔22、補強金属箔5を同時にエッチ
ング加工により形成している。このため、裏面金属箔2
2および補強金属箔5を別々に形成する場合に比べて、
製造方法が簡単になる。
As described above, in the method of manufacturing the IC module 100 and the IC card 200 according to the first embodiment, the back surface metal foil 22 and the reinforcing metal foil 5 are simultaneously formed by etching. Therefore, the back metal foil 2
2 and the reinforcing metal foil 5 are formed separately,
The manufacturing method becomes simple.

【0053】また、ICチップ4は、アンテナコイル2
の上に搭載されて、接続用端子6および異方性導電フィ
ルム3を介して、アンテナコイル2と接続している。こ
のため、従来のワイヤボンディングで接続する方法に比
べて製造方法が簡単になる。
The IC chip 4 is the antenna coil 2
It is mounted on the above and is connected to the antenna coil 2 through the connection terminal 6 and the anisotropic conductive film 3. Therefore, the manufacturing method is simpler than the conventional method of connecting by wire bonding.

【0054】第2の実施の形態 第2の実施の形態を図7〜図9を参照して説明する。図
7は、本実施の形態に係るICカードに内蔵されている
ICモジュールの概略平面図である。図8は、図7に図
解したICモジュールのICチップおよびコンデンサを
拡大した図である。図9は、図8のB−B’線における
断面図である。本実施の形態のICモジュール100お
よびICカード200においては、図に示すように、I
Cモジュール100は、センターシート1、アンテナコ
イル2、異方性導電フィルム3、ICチップ4、および
コンデンサ7を有する。
Second Embodiment A second embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 9. FIG. 7 is a schematic plan view of an IC module built in the IC card according to the present embodiment. FIG. 8 is an enlarged view of the IC chip and the capacitor of the IC module illustrated in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. In the IC module 100 and the IC card 200 of this embodiment, as shown in FIG.
The C module 100 has a center sheet 1, an antenna coil 2, an anisotropic conductive film 3, an IC chip 4, and a capacitor 7.

【0055】センターシート1は、プラスチック樹脂で
形成されている。また、センターシート1は、コンデン
サの誘電体の役割を持つ。アンテナコイル2は、ICチ
ップ4に接続されたコイルであり、表面アンテナコイル
21、スルーホール23を介して電気的に接続されてい
る裏面金属箔22を有する。表面アンテナコイル21、
スルーホール23、および異方性導電フィルム3は、第
1の実施の形態で説明したものと同じである。
The center sheet 1 is made of plastic resin. The center sheet 1 also has a role of a dielectric of the capacitor. The antenna coil 2 is a coil connected to the IC chip 4, and has a front surface antenna coil 21 and a back surface metal foil 22 electrically connected through a through hole 23. Surface antenna coil 21,
The through holes 23 and the anisotropic conductive film 3 are the same as those described in the first embodiment.

【0056】図に示すように、ICモジュール100の
コンデンサ7は、センターシート1と、センターシート
1の表面に形成されたコンデンサ電極71およびコンデ
ンサ電極72と、コンデンサ電極71,72が形成され
ている面の反対側の裏面に形成されたコンデンサ電極7
3、およびスルーホール8で構成されている。
As shown in the figure, the capacitor 7 of the IC module 100 is provided with the center sheet 1, the capacitor electrodes 71 and 72 formed on the surface of the center sheet 1, and the capacitor electrodes 71, 72. Capacitor electrode 7 formed on the back surface opposite to the surface
3 and through holes 8.

【0057】スルーホール8は、表面に形成されたコン
デンサ電極72と、裏面に形成されたコンデンサ電極7
3を電気的に接続する。
The through hole 8 has a capacitor electrode 72 formed on the front surface and a capacitor electrode 7 formed on the back surface.
3 is electrically connected.

【0058】また、コンデンサ電極71およびコンデン
サ電極72の縁が、搭載するICチップ4の中心からず
れて形成されている。
The edges of the capacitor electrode 71 and the capacitor electrode 72 are formed so as to deviate from the center of the IC chip 4 to be mounted.

【0059】ICチップ4は、コンデンサ電極71とコ
ンデンサ電極72にまたがって、かつ、ICチップ4の
中心が、コンデンサ電極71およびコンデンサ電極72
の縁とずれて搭載されている。また、ICチップ4に
は、バンプ(接続用端子)6が設けられており、センタ
ーシート1の表面に形成されたコンデンサ電極71およ
びコンデンサ電極72と異方性導電フィルム3を介し
て、ICチップ4は電気的に接続されている。
The IC chip 4 straddles the capacitor electrode 71 and the capacitor electrode 72, and the center of the IC chip 4 has the capacitor electrode 71 and the capacitor electrode 72.
It is mounted off the edge of. Further, bumps (connection terminals) 6 are provided on the IC chip 4, and the IC chip 4 is formed via the capacitor electrode 71 and the capacitor electrode 72 formed on the surface of the center sheet 1 and the anisotropic conductive film 3. 4 is electrically connected.

【0060】このように、本第2の実施の形態のICモ
ジュール100およびICカード200においては、I
Cチップ4のコンデンサ電極の搭載領域とコンデンサ電
極の搭載領域の1部とが共有されるとともに、ICチッ
プ4の搭載領域に金属箔が2層重なり合って形成されて
いるために、第1の実施の形態と比べて、さらにICチ
ップ4の耐曲げ応力、耐衝撃力などが向上する。
As described above, in the IC module 100 and the IC card 200 of the second embodiment, I
Since the mounting area of the capacitor electrode of the C chip 4 and a part of the mounting area of the capacitor electrode are shared and the mounting area of the IC chip 4 is formed by overlapping two layers of metal foil, the first embodiment Bending stress, impact resistance and the like of the IC chip 4 are further improved as compared with the above-mentioned form.

【0061】また、本第2の実施の形態のICモジュー
ル100およびICカード200においては、ICチッ
プ4の搭載領域が、コンデンサ電極71およびコンデン
サ電極72に2分割され、その境界が、ICチップ4の
中心からずれていることにより、ICチップ4の搭載領
域の折れ曲がりやすい領域がICチップ4の端側にな
り、ICチップ4の機械的強度がさらに向上する。
Further, in the IC module 100 and the IC card 200 of the second embodiment, the mounting area of the IC chip 4 is divided into the capacitor electrode 71 and the capacitor electrode 72, and the boundary thereof is the IC chip 4 By deviating from the center of the IC chip 4, the easily bendable area of the mounting area of the IC chip 4 is on the end side of the IC chip 4, and the mechanical strength of the IC chip 4 is further improved.

【0062】また、ICチップ4の搭載面に2つのコン
デンサの電極71,72が形成されているため、ICチ
ップ4の接続用端子6を直接搭載することにより、IC
チップ4とコンデンサを接続することができ、ワイヤボ
ンディングで接続する場合よりも、接続不良が起こりに
くいという効果がある。
Further, since the electrodes 71 and 72 of the two capacitors are formed on the mounting surface of the IC chip 4, by directly mounting the connection terminal 6 of the IC chip 4, the IC
The chip 4 and the capacitor can be connected, and the connection failure is less likely to occur than in the case of connection by wire bonding.

【0063】また、ICモジュール100およびICカ
ード200において、コンデンサ7の上にICチップ4
を搭載することにより、従来コンデンサの電極として形
成されていなかったICチップ4の下の面積を使用する
が可能となり、従来よりも大きいキャパシタンスを確保
することができる。
In the IC module 100 and the IC card 200, the IC chip 4 is placed on the capacitor 7.
It becomes possible to use the area under the IC chip 4 which has not been conventionally formed as an electrode of a capacitor by mounting the device, and it is possible to secure a larger capacitance than the conventional one.

【0064】また、ICモジュール100およびICカ
ード200の製造方法については、第1の実施の形態に
示したものとほぼ同じである。以下、第1の実施の形態
と相違点を説明する。
The method of manufacturing the IC module 100 and the IC card 200 is almost the same as that shown in the first embodiment. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described.

【0065】図5に示すように、ステップST2におい
て、センターシート1の表面にコンデンサ電極71,7
2のパターンを有するレジスト、裏面にコンデンサ電極
73のパターンを有するレジストを塗布する。そして、
エッチング処理を行い(ST3)、レジストを除去し
(ST4)、コンデンサ電極71,72,73を形成す
る。そして、ステップST5において、コンデンサ電極
72コンデンサ電極73をスルーホール8で電気的に接
続する。そして、ステップST6において、形成したコ
ンデンサ電極72とコンデンサ電極73をまたいで、か
つICチップ4の中心がコンデンサ電極72とコンデン
サ電極73の縁からずらして、異方性導電フィルムを介
してICチップ4を搭載する。上記の工程以外は、第1
の実施の形態で説明したのと同様である。
As shown in FIG. 5, in step ST2, the capacitor electrodes 71, 7 are formed on the surface of the center sheet 1.
A resist having a pattern of 2 and a resist having a pattern of the capacitor electrode 73 are applied on the back surface. And
Etching is performed (ST3), the resist is removed (ST4), and capacitor electrodes 71, 72, 73 are formed. Then, in step ST5, the capacitor electrode 72 and the capacitor electrode 73 are electrically connected through the through hole 8. Then, in step ST6, the center of the IC chip 4 is shifted from the edges of the capacitor electrode 72 and the capacitor electrode 73 while straddling the formed capacitor electrode 72 and the capacitor electrode 73, and the IC chip 4 is interposed via the anisotropic conductive film. Equipped with. 1st except the above steps
This is similar to that described in the embodiment.

【0066】このように、本第2の実施の形態のICチ
ップ100およびICカード200の製造方法において
は、ICチップ4は、コンデンサ電極72とコンデンサ
電極73をまたいで、かつICチップ4の中心がコンデ
ンサ電極72とコンデンサ電極73の縁からずらして、
異方性導電フィルム3を介してICチップ4を搭載され
る。このためICチップ4を搭載する工程が容易とな
る。
As described above, in the method of manufacturing the IC chip 100 and the IC card 200 according to the second embodiment, the IC chip 4 straddles the capacitor electrode 72 and the capacitor electrode 73 and is at the center of the IC chip 4. Shifts from the edges of the capacitor electrodes 72 and 73,
The IC chip 4 is mounted via the anisotropic conductive film 3. Therefore, the process of mounting the IC chip 4 becomes easy.

【0067】第3に実施の形態 第3の実施の形態を図10を参照して説明する。本実施
の形態のICモジュール100およびICカード200
においては、図10に示すように、ICチップ4が覆わ
れるように樹脂50で封止されている。樹脂封止50
は、たとえば熱硬化性樹脂を用いて、異方性導電フィル
ム3、ICチップ4、およびコンデンサ電極71,72
を封止している。その他の構成については、第2の実施
の形態のICモジュール100およびICカード200
で説明したものと同様である。
Third Embodiment A third embodiment will be described with reference to FIG. IC module 100 and IC card 200 of the present embodiment
In FIG. 10, as shown in FIG. 10, the IC chip 4 is sealed with resin 50 so as to be covered. Resin encapsulation 50
Is an anisotropic conductive film 3, the IC chip 4, and the capacitor electrodes 71, 72 using, for example, a thermosetting resin.
Is sealed. Regarding other configurations, the IC module 100 and the IC card 200 of the second embodiment
It is similar to that described in.

【0068】このように、本第3の実施の形態のICモ
ジュール100およびICカード200においては、I
Cチップ4の搭載領域に金属箔が2層重なり合って形成
され、さらにICチップ4が樹脂封止50で封止されて
いる。このため、ICチップ4が樹脂封止のみで補強さ
れている場合に比べて、耐曲げ応力、耐衝撃力などが向
上する。
As described above, in the IC module 100 and the IC card 200 of the third embodiment, I
In the mounting area of the C chip 4, two layers of metal foil are formed to overlap each other, and the IC chip 4 is further sealed with a resin seal 50. Therefore, the bending stress, impact resistance and the like are improved as compared with the case where the IC chip 4 is reinforced only by resin sealing.

【0069】本実施の形態のICモジュール100およ
びICカード200の製造方法については、第2の実施
の形態のICモジュール100およびICカード200
の製造方法とほぼ同じである。第2の実施の形態との相
違点のみ説明する。図11で示すように、ステップST
7aにおいて、たとえばICチップ4を囲むように熱硬
化性樹脂で覆い、加熱して硬化させ、樹脂封止50とし
てICチップ4を封止する。それ以外は、第2の実施の
形態で説明したのと同様である。
Regarding the method of manufacturing the IC module 100 and the IC card 200 of this embodiment, the IC module 100 and the IC card 200 of the second embodiment will be described.
It is almost the same as the manufacturing method of. Only differences from the second embodiment will be described. As shown in FIG. 11, step ST
In 7a, for example, the IC chip 4 is covered with a thermosetting resin so as to surround the IC chip 4 and is heated and cured to seal the IC chip 4 as a resin seal 50. Other than that, it is the same as that described in the second embodiment.

【0070】第4の実施の形態 第4の実施の形態を図12を参照して説明する。本実施
の形態のICモジュール100およびICカード200
においては、図12に示すように、ICチップ4のコン
デンサ電極71,72に接する面と反対側の面に金属で
補強板60が形成されている。その他の構成について
は、第2の実施の形態のICモジュール100およびI
Cカード200で説明したのと同様である。
Fourth Embodiment A fourth embodiment will be described with reference to FIG. IC module 100 and IC card 200 of the present embodiment
In FIG. 12, a reinforcing plate 60 is formed of metal on the surface of the IC chip 4 opposite to the surface in contact with the capacitor electrodes 71 and 72. For other configurations, the IC modules 100 and I of the second embodiment are used.
This is the same as described for the C card 200.

【0071】このように、本第4の実施の形態のICモ
ジュール100およびICカード200においては、I
Cチップ4のコンデンサ電極71,72に接する面と反
対側の面に補強板60が形成されている。ICチップ4
は、コンデンサ電極71,71、コンデンサ電極73で
2重に補強され、さらに補強板60で補強される。この
ため、第2の実施の形態のICモジュール100および
ICカード200に比べて、ICチップ4の耐曲げ応
力、耐衝撃力などが増すという効果がある。このため、
従来の補強板と比べて薄く補強板を形成しても、同等以
上の耐曲げ応力、耐衝撃力などを得ることができる。
As described above, in the IC module 100 and the IC card 200 of the fourth embodiment, I
A reinforcing plate 60 is formed on the surface of the C chip 4 opposite to the surface in contact with the capacitor electrodes 71, 72. IC chip 4
Is double reinforced by the capacitor electrodes 71, 71 and the capacitor electrode 73, and further reinforced by the reinforcing plate 60. Therefore, compared with the IC module 100 and the IC card 200 according to the second embodiment, there is an effect that bending stress, impact resistance and the like of the IC chip 4 are increased. For this reason,
Even if the reinforcing plate is formed thinner than the conventional reinforcing plate, it is possible to obtain bending stress, impact resistance and the like that are equal to or higher than those of the conventional reinforcing plate.

【0072】本実施の形態のICモジュール100およ
びICカード200の製造方法については、ICチップ
4のコンデンサ電極71、72に接する面と反対側の面
に補強板60を金属で形成する以外は、第2の実施の形
態で説明したのと同様である。以下相違点のみ説明す
る。図13に示すように、ステップST7bにおいて、
ICチップ4のコンデンサ電極71,72に接する面と
反対側の面に、金属箔で補強板60を形成する。それ以
外は、第2の実施の形態で説明したのと同様である。
Regarding the method of manufacturing the IC module 100 and the IC card 200 of the present embodiment, except that the reinforcing plate 60 is made of metal on the surface of the IC chip 4 opposite to the surface in contact with the capacitor electrodes 71 and 72, It is similar to that described in the second embodiment. Only the differences will be described below. As shown in FIG. 13, in step ST7b,
A reinforcing plate 60 is formed of metal foil on the surface of the IC chip 4 opposite to the surface in contact with the capacitor electrodes 71 and 72. Other than that, it is the same as that described in the second embodiment.

【0073】なお、本発明は本実施の形態に限られるも
のではなく、任意好適な種々の改変が可能である。例え
ば本実施の形態のICチップ4は、異方性導電フィルム
を介して接続を行ったがこれに限られるものではない。
例えば、金ワイヤー等を用いて、ICチップ4の接続を
行ってもよい。
The present invention is not limited to this embodiment, and various suitable modifications can be made. For example, the IC chip 4 of the present embodiment is connected through the anisotropic conductive film, but the connection is not limited to this.
For example, the IC chip 4 may be connected using a gold wire or the like.

【0074】[0074]

【発明の効果】このように、本発明によれば、ICチッ
プを外部に対して耐衝撃力および耐曲げ応力を向上させ
たICモジュールを提供することができる。また、この
ように、本発明によれば、ICチップを外部に対して耐
衝撃力および耐曲げ応力を向上させたICモジュールお
よびICカードの製造方法を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide an IC module in which the IC chip has improved impact resistance and bending stress with respect to the outside. As described above, according to the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing an IC module and an IC card in which the IC chip has improved impact resistance and bending stress with respect to the outside.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係るICカードの
構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an IC card according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示したICカードに内蔵されているIC
モジュールの概略平面図である。
FIG. 2 is an IC built in the IC card shown in FIG.
It is a schematic plan view of a module.

【図3】図2に示したICモジュールのICチップの断
面図である。
3 is a cross-sectional view of an IC chip of the IC module shown in FIG.

【図4】図2に示したICモジュールの製造方法を示す
図である。
FIG. 4 is a diagram showing a method for manufacturing the IC module shown in FIG.

【図5】図2に示したICモジュールの製造方法のフロ
ーチャートである。
5 is a flow chart of a method of manufacturing the IC module shown in FIG.

【図6】図1に示したICカードの製造方法のフローチ
ャートである。
6 is a flowchart of a method for manufacturing the IC card shown in FIG.

【図7】本発明の第2の実施の形態に係るICカードに
内蔵されているICモジュールの概略平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view of an IC module built in an IC card according to a second embodiment of the present invention.

【図8】図7に示したICモジュールのICチップおよ
びコンデンサを拡大した図である。
8 is an enlarged view of an IC chip and a capacitor of the IC module shown in FIG.

【図9】図8に示したICモジュールおよびコンデンサ
の断面図である。
9 is a sectional view of the IC module and the capacitor shown in FIG.

【図10】本発明の第3の実施の形態のICモジュール
のICチップおよびコンデンサの断面図である。
FIG. 10 is a sectional view of an IC chip and a capacitor of an IC module according to a third embodiment of the present invention.

【図11】図10に示したICモジュールの製造方法の
フローチャートである。
11 is a flowchart of a method for manufacturing the IC module shown in FIG.

【図12】本発明の第4の実施の形態のICモジュール
のICチップおよびコンデンサの断面図である。
FIG. 12 is a sectional view of an IC chip and a capacitor of an IC module according to a fourth embodiment of the present invention.

【図13】図12に示したICモジュールの製造方法の
フローチャートである。
13 is a flowchart of a method for manufacturing the IC module shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…センターシート 2…アンテナコイル 21…表面アンテナコイル 21a,22a…金属箔 22…裏面金属箔 23,24…スルーホール 3…異方性導電フィルム 4…ICチップ 5…補強金属箔 6…接続用端子 7…コンデンサ 71,72,73…コンデンサ電極 8…スルーホール 10,11…接着シート 12,13…コアシート 14,15…オーバーシート 50…樹脂封止 60…補強板 100…モジュール 200…カード R20,R21,R22…レジスト 1 ... Center sheet 2 ... Antenna coil 21 ... Surface antenna coil 21a, 22a ... Metal foil 22 ... Back side metal foil 23, 24 ... Through hole 3 ... Anisotropic conductive film 4 ... IC chip 5 ... Reinforcing metal foil 6 ... Connection terminal 7 ... Capacitor 71, 72, 73 ... Capacitor electrodes 8 ... Through hole 10, 11 ... Adhesive sheet 12, 13 ... Core sheet 14,15 ... Overseat 50 ... Resin sealing 60 ... Reinforcing plate 100 ... Module 200 ... Card R20, R21, R22 ... Resist

フロントページの続き (72)発明者 山口 博之 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 Fターム(参考) 2C005 MA10 NA09 NA31 NA35 NB34 PA03 PA04 PA14 PA19 PA26 PA29 RA05 RA06 RA09 5B035 AA08 BA05 BB09 CA03 CA23Continued front page    (72) Inventor Hiroyuki Yamaguchi             1-1-1, Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo             Dai Nippon Printing Co., Ltd. F-term (reference) 2C005 MA10 NA09 NA31 NA35 NB34                       PA03 PA04 PA14 PA19 PA26                       PA29 RA05 RA06 RA09                 5B035 AA08 BA05 BB09 CA03 CA23

Claims (25)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁性基板と、当該絶縁性基板に形成され
たアンテナコイルと、当該絶縁性基板に搭載された信号
処理用ICチップを有するICモジュールであって、 前記ICチップが搭載される前記絶縁性基板の位置で当
該ICチップが搭載される面と反対側の前記絶縁性基板
の面に第1の補強板が形成されているICモジュール。
1. An IC module having an insulating substrate, an antenna coil formed on the insulating substrate, and a signal processing IC chip mounted on the insulating substrate, wherein the IC chip is mounted. An IC module in which a first reinforcing plate is formed on the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the IC chip is mounted at the position of the insulating substrate.
【請求項2】前記第1の補強板は、前記アンテナコイル
と同一材料で形成されている請求項1に記載のICモジ
ュール。
2. The IC module according to claim 1, wherein the first reinforcing plate is made of the same material as the antenna coil.
【請求項3】前記ICチップが搭載される位置で、前記
絶縁性基板の前記第1の補強板が形成された面の反対側
の面に形成された第2の補強板をさらに有する請求項1
または2に記載のICモジュール。
3. A second reinforcing plate formed on the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the first reinforcing plate is formed, at a position where the IC chip is mounted. 1
Or the IC module described in 2.
【請求項4】前記第1の補強板および前記第2の補強板
は、導電性部材であり、第1の電極である前記第1の補
強板と、第2の電極である前記第2の補強板と、誘電体
である前記絶縁性基板とでコンデンサを形成し、 前記ICチップは、前記コンデンサの少なくとも1部の
上に搭載されている請求項3に記載のICモジュール。
4. The first reinforcing plate and the second reinforcing plate are conductive members, and the first reinforcing plate that is a first electrode and the second reinforcing plate that is a second electrode. The IC module according to claim 3, wherein a reinforcing plate and the insulating substrate that is a dielectric form a capacitor, and the IC chip is mounted on at least a part of the capacitor.
【請求項5】前記コンデンサの第1の電極は、前記絶縁
性基板の前記第2の電極が形成されている面にさらに形
成されており、 前記ICチップは、前記絶縁性基板の当該面に形成され
た第1の電極の形成領域および第2の電極の形成領域に
またがって搭載されている請求項4に記載のICモジュ
ール。
5. The first electrode of the capacitor is further formed on a surface of the insulating substrate on which the second electrode is formed, and the IC chip is formed on the surface of the insulating substrate. The IC module according to claim 4, wherein the IC module is mounted astride the formed region of the first electrode and the formed region of the second electrode.
【請求項6】前記ICチップが搭載されている前記第1
の電極および前記第2の電極の縁が、前記ICチップの
中心からずれている請求項5に記載のICモジュール。
6. The first device on which the IC chip is mounted
6. The IC module according to claim 5, wherein edges of the electrode and the second electrode are displaced from the center of the IC chip.
【請求項7】前記ICチップは、前記絶縁性基板に異方
性導電膜を介して搭載されている請求項3〜6のいずれ
かに記載のICモジュール。
7. The IC module according to claim 3, wherein the IC chip is mounted on the insulating substrate via an anisotropic conductive film.
【請求項8】前記ICチップは、前記絶縁性基板に搭載
され、樹脂で封止されている請求項3〜7のいずれかに
記載のICモジュール。
8. The IC module according to claim 3, wherein the IC chip is mounted on the insulating substrate and sealed with resin.
【請求項9】前記ICチップは、当該ICチップの、前
記絶縁性基板と接する面と反対側の面に形成された補強
板をさらに有する請求項1〜8のいずれかに記載のIC
モジュール。
9. The IC according to claim 1, further comprising a reinforcing plate formed on a surface of the IC chip opposite to a surface in contact with the insulating substrate.
module.
【請求項10】絶縁性基板と、当該絶縁性基板に形成さ
れたアンテナコイルと、当該絶縁性基板に搭載された信
号処理用ICチップを有するICモジュールの、補強板
を形成するICモジュール製造方法であって、 前記ICチップが搭載される前記絶縁性基板の位置で当
該ICチップが搭載される面と反対側の前記絶縁性基板
の面に、第1の補強板および前記アンテナコイルの一部
を同時に形成する第1の補強板形成工程と、 前記ICチップを搭載する搭載工程とを有するICモジ
ュール製造方法。
10. An IC module manufacturing method for forming a reinforcing plate of an IC module having an insulating substrate, an antenna coil formed on the insulating substrate, and a signal processing IC chip mounted on the insulating substrate. A part of the first reinforcing plate and the antenna coil is provided on the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the IC chip is mounted at the position of the insulating substrate on which the IC chip is mounted. A method of manufacturing an IC module, comprising: a first reinforcing plate forming step of simultaneously forming the same; and a mounting step of mounting the IC chip.
【請求項11】前記ICチップが搭載される位置で、前
記絶縁性基板および前記第1の補強板が形成された面の
反対側の面に第2の補強板および前記アンテナコイルの
一部を同時に形成する第2の補強板形成工程とを有する
請求項10に記載のICモジュール製造方法。
11. A second reinforcing plate and a part of the antenna coil are provided on a surface opposite to a surface on which the insulating substrate and the first reinforcing plate are formed, at a position where the IC chip is mounted. The method of manufacturing an IC module according to claim 10, further comprising a step of forming a second reinforcing plate that is formed at the same time.
【請求項12】前記第1の補強板および前記第2の補強
板は、導電性部材であり、 第1の電極である前記第1の補強板と、第2の電極であ
る前記第2の補強板と、誘電体である前記絶縁性基板と
でコンデンサを形成し、 前記搭載工程においては、前記ICチップを、前記コン
デンサの少なくとも1部の上に搭載する請求項11に記
載のICモジュール製造方法。
12. The first reinforcing plate and the second reinforcing plate are conductive members, and the first reinforcing plate that is a first electrode and the second reinforcing plate that is a second electrode. The IC module manufacturing according to claim 11, wherein a capacitor is formed by a reinforcing plate and the insulating substrate that is a dielectric, and the IC chip is mounted on at least a part of the capacitor in the mounting step. Method.
【請求項13】前記第2の補強板形成工程においては、
前記ICチップが搭載される位置で、前記絶縁性基板の
前記第1の補強板が形成された面の反対側の面に、前記
コンデンサの第1の電極およびコンデンサの第2の電極
を形成し、 前記絶縁性基板の一方の面に形成された第1の電極、お
よび前記絶縁性基板の反対側の面に形成された第1の電
極をスルーホールを形成し電気的に接続する工程を有
し、 前記搭載工程においては、前記絶縁性基板の一方の面に
形成された第1の電極および第2の電極をまたいで前記
ICチップを搭載する請求項12に記載のICモジュー
ル製造方法。
13. In the second reinforcing plate forming step,
A first electrode of the capacitor and a second electrode of the capacitor are formed on the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the first reinforcing plate is formed at the position where the IC chip is mounted. A step of forming a through hole and electrically connecting the first electrode formed on one surface of the insulating substrate and the first electrode formed on the opposite surface of the insulating substrate. The IC module manufacturing method according to claim 12, wherein, in the mounting step, the IC chip is mounted across the first electrode and the second electrode formed on one surface of the insulating substrate.
【請求項14】前記搭載工程においては、前記ICチッ
プを、前記絶縁性基板の一方の面に形成された第1の電
極および第2の電極をまたぎ、当該第1の電極および第
2の電極の縁を当該ICチップの中心からずらして搭載
する請求項13に記載のICモジュール製造方法。
14. In the mounting step, the IC chip is straddled over a first electrode and a second electrode formed on one surface of the insulating substrate, and the first electrode and the second electrode are formed. 14. The IC module manufacturing method according to claim 13, wherein the edge of the IC chip is mounted while being displaced from the center of the IC chip.
【請求項15】前記搭載工程においては、異方性導電膜
を介して前記ICチップを搭載する請求項10〜14の
いずれかに記載のICモジュール製造方法。
15. The method of manufacturing an IC module according to claim 10, wherein in the mounting step, the IC chip is mounted via an anisotropic conductive film.
【請求項16】前記ICチップを樹脂封止する工程をさ
らに有する請求項10〜15のいずれかに記載のICモ
ジュール製造方法。
16. The method of manufacturing an IC module according to claim 10, further comprising a step of resin-sealing the IC chip.
【請求項17】前記ICチップの前記絶縁性基板と接す
る面と反対側の面に、補強板を形成する工程をさらに有
する請求項10〜16のいずれかに記載のICモジュー
ル製造方法。
17. The method of manufacturing an IC module according to claim 10, further comprising a step of forming a reinforcing plate on a surface of the IC chip opposite to a surface in contact with the insulating substrate.
【請求項18】絶縁性基板と、当該絶縁性基板に形成さ
れたアンテナコイルと、当該絶縁性基板に搭載された信
号処理用ICチップおよびコンデンサを有するICモジ
ュールを内蔵するICカードの、補強板を形成するIC
カード製造方法であって、 前記ICチップが搭載される前記絶縁性基板の位置で当
該ICチップが搭載される面と反対側の前記絶縁性基板
の面に第1の補強板、および前記アンテナコイルの一部
を形成する第1の補強板形成工程と、 前記ICチップを搭載する搭載工程と、 前記ICモジュールを保護層により被覆する工程とを有
するICカード製造方法。
18. A reinforcing plate for an IC card containing an insulating substrate, an antenna coil formed on the insulating substrate, and an IC module having a signal processing IC chip and a capacitor mounted on the insulating substrate. Forming the IC
A method for manufacturing a card, comprising: a first reinforcing plate on the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the IC chip is mounted at the position of the insulating substrate on which the IC chip is mounted; and the antenna coil. A method of manufacturing an IC card, comprising: a first reinforcing plate forming step of forming a part of the IC chip; a mounting step of mounting the IC chip; and a step of covering the IC module with a protective layer.
【請求項19】前記ICチップが搭載される位置で、前
記絶縁性基板および前記第1の補強板が形成された面の
反対側の面に第2の補強板および前記アンテナコイルの
一部を形成する第2の補強板形成工程を有する請求項1
8に記載のICカード製造方法。
19. At a position where the IC chip is mounted, a second reinforcing plate and a part of the antenna coil are provided on a surface opposite to a surface on which the insulating substrate and the first reinforcing plate are formed. The method according to claim 1, further comprising a step of forming a second reinforcing plate.
8. The IC card manufacturing method according to item 8.
【請求項20】前記第1の補強板および前記第2の補強
板は、導電性部材であり、 第1の電極である前記第1の補強板と、第2の電極であ
る前記第2の補強板と、誘電体である前記絶縁性基板と
でコンデンサを形成し、 前記搭載工程においては、前記ICチップを、前記コン
デンサの少なくとも1部の上に搭載する請求項19に記
載のICカード製造方法。
20. The first reinforcing plate and the second reinforcing plate are conductive members, and the first reinforcing plate that is a first electrode and the second reinforcing plate that is a second electrode. 20. The IC card manufacturing according to claim 19, wherein a capacitor is formed by a reinforcing plate and the insulating substrate that is a dielectric, and the IC chip is mounted on at least a part of the capacitor in the mounting step. Method.
【請求項21】前記第2の補強板形成工程においては、
前記ICチップが搭載される位置で、前記絶縁性基板の
前記第1の補強板が形成された面の反対側の面に、前記
コンデンサの第1の電極およびコンデンサの第2の電極
を形成し、 前記絶縁性基板の一方の面に形成された第1の電極、お
よび前記絶縁性基板の反対側の面に形成された第1の電
極をスルーホールを形成し電気的に接続する工程を有
し、 前記搭載工程においては、前記絶縁性基板の一方の面に
形成された第1の電極および第2の電極をまたいで前記
ICチップを搭載する請求項20に記載のICカード製
造方法。
21. In the second reinforcing plate forming step,
A first electrode of the capacitor and a second electrode of the capacitor are formed on the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the first reinforcing plate is formed at the position where the IC chip is mounted. A step of forming a through hole and electrically connecting the first electrode formed on one surface of the insulating substrate and the first electrode formed on the opposite surface of the insulating substrate. 21. The IC card manufacturing method according to claim 20, wherein in the mounting step, the IC chip is mounted by straddling a first electrode and a second electrode formed on one surface of the insulating substrate.
【請求項22】前記搭載工程においては、前記ICチッ
プを、前記絶縁性基板の一方の面に形成された第1の電
極および第2の電極をまたぎ、当該第1の電極および第
2の電極の縁を当該ICチップの中心からずらして搭載
する請求項21に記載のICカード製造方法。
22. In the mounting step, the IC chip is straddled over a first electrode and a second electrode formed on one surface of the insulating substrate, and the first electrode and the second electrode are formed. 22. The IC card manufacturing method according to claim 21, wherein the edge of the IC chip is mounted so as to be displaced from the center of the IC chip.
【請求項23】前記搭載工程は、異方性導電膜を介して
前記ICチップを搭載する請求項18〜22のいずれか
に記載のICカード製造方法。
23. The IC card manufacturing method according to claim 18, wherein in the mounting step, the IC chip is mounted via an anisotropic conductive film.
【請求項24】前記ICチップを樹脂封止する工程をさ
らに有する請求項18〜23のいずれかに記載のICカ
ード製造方法。
24. The IC card manufacturing method according to claim 18, further comprising a step of sealing the IC chip with a resin.
【請求項25】前記ICチップの前記絶縁性基板と接す
る面と反対側の面に、補強板を形成する工程をさらに有
する請求項18〜24のいずれかに記載のICカード製
造方法。
25. The method of manufacturing an IC card according to claim 18, further comprising a step of forming a reinforcing plate on a surface of the IC chip opposite to a surface in contact with the insulating substrate.
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