JP2003094548A - 反射防止フィルム - Google Patents
反射防止フィルムInfo
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- JP2003094548A JP2003094548A JP2001292920A JP2001292920A JP2003094548A JP 2003094548 A JP2003094548 A JP 2003094548A JP 2001292920 A JP2001292920 A JP 2001292920A JP 2001292920 A JP2001292920 A JP 2001292920A JP 2003094548 A JP2003094548 A JP 2003094548A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 中屈折率層の屈折率の最適化が容易な反射防
止フィルムを得る。 【解決手段】 可視光域で透明性の高い基体１上に、密
着層３を介して中屈折率層／高屈折率層７／低屈折率層
９からなる反射防止層１１がスパッタリング法により成
膜される反射防止フィルムにおいて、基体１の屈折率に
応じて屈折率の最適化が要求される中屈折率層に、Ｓｉ
と、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｂ、ＩｎまたはＮｂ
と、それらの酸化物を形成する酸素とからなる合金酸化
物層５を用いる。この合金酸化物層５は、Ｓｉ対添加金
属の含有比率に応じて屈折率が変化するため、基体１の
屈折率に応じて、最適な屈折率を有する中屈折率層を容
易に形成することができる。
止フィルムを得る。 【解決手段】 可視光域で透明性の高い基体１上に、密
着層３を介して中屈折率層／高屈折率層７／低屈折率層
９からなる反射防止層１１がスパッタリング法により成
膜される反射防止フィルムにおいて、基体１の屈折率に
応じて屈折率の最適化が要求される中屈折率層に、Ｓｉ
と、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｂ、ＩｎまたはＮｂ
と、それらの酸化物を形成する酸素とからなる合金酸化
物層５を用いる。この合金酸化物層５は、Ｓｉ対添加金
属の含有比率に応じて屈折率が変化するため、基体１の
屈折率に応じて、最適な屈折率を有する中屈折率層を容
易に形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ等の
表面反射を抑える反射防止フィルムに関する。
表面反射を抑える反射防止フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】反射防止（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉ
ｏｎ、以下略してＡＲという。）フィルムは、ＣＲＴや
ＬＣＤ（液晶表示素子）の画面表面に形成されて、画面
表面での反射を防止することにより、外光の映り込みを
防止して画面を見やすくするとともに、コントラストを
上げて画質を向上させ、さらには透過率を上げて画面の
明るさを向上させる機能を持つ。
ｏｎ、以下略してＡＲという。）フィルムは、ＣＲＴや
ＬＣＤ（液晶表示素子）の画面表面に形成されて、画面
表面での反射を防止することにより、外光の映り込みを
防止して画面を見やすくするとともに、コントラストを
上げて画質を向上させ、さらには透過率を上げて画面の
明るさを向上させる機能を持つ。
【０００３】ＣＲＴ用途としては、特開平１１−２１８
６０３号公報、特開平９−８０２０５号公報及びＨ．Ｉ
ｓｈｉｋａｗａ ｅｔ ａｌ．／ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ
Ｆｉｌｍｓ ３５１ （１９９９） ２１２−２１５
の文献等に示されているように、ＰＥＴ（ポリエチレン
テレフタレート）ベースの上にハードコート層を形成
し、さらにその上にＳｉＯx／ＩＴＯ／ＳｉＯ2／ＩＴＯ
／ＳｉＯ2やＳｉＯx／ＴｉＮ／ＳｉＯ2等の積層構造の
ＡＲ層が形成されたものが知られている。
６０３号公報、特開平９−８０２０５号公報及びＨ．Ｉ
ｓｈｉｋａｗａ ｅｔ ａｌ．／ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ
Ｆｉｌｍｓ ３５１ （１９９９） ２１２−２１５
の文献等に示されているように、ＰＥＴ（ポリエチレン
テレフタレート）ベースの上にハードコート層を形成
し、さらにその上にＳｉＯx／ＩＴＯ／ＳｉＯ2／ＩＴＯ
／ＳｉＯ2やＳｉＯx／ＴｉＮ／ＳｉＯ2等の積層構造の
ＡＲ層が形成されたものが知られている。
【０００４】一方、ＬＣＤ表面に形成する吸収の少ない
ＡＲフィルムに関する文献は数多くある。例えば、「光
学薄膜」（Ｈ．Ａ．Ｍａｃｌｅｏｄ著、日刊工業新聞
社）などでは、基体／高屈折率層／低屈折率層／高屈折
率層／低屈折率層または基体／中屈折率層／高屈折率層
／低屈折率層等の構成が記載されており、工業的にはこ
れらの構成を基本に基体とＡＲ層との間に密着力を改善
するための密着層を設けたり、最表面に防汚層等を付与
して実用化している。
ＡＲフィルムに関する文献は数多くある。例えば、「光
学薄膜」（Ｈ．Ａ．Ｍａｃｌｅｏｄ著、日刊工業新聞
社）などでは、基体／高屈折率層／低屈折率層／高屈折
率層／低屈折率層または基体／中屈折率層／高屈折率層
／低屈折率層等の構成が記載されており、工業的にはこ
れらの構成を基本に基体とＡＲ層との間に密着力を改善
するための密着層を設けたり、最表面に防汚層等を付与
して実用化している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基体／
中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層という３層構成の
ＡＲフィルムは、簡単な構成で優れた反射防止機能を持
つものの、基体と接する中屈折率層の最適屈折率が基体
屈折率に依存するという短所を有する。そして、基体屈
折率に応じて中屈折率層の屈折率を調整することが難し
いという問題があった。
中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層という３層構成の
ＡＲフィルムは、簡単な構成で優れた反射防止機能を持
つものの、基体と接する中屈折率層の最適屈折率が基体
屈折率に依存するという短所を有する。そして、基体屈
折率に応じて中屈折率層の屈折率を調整することが難し
いという問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来技術の問題点に対処し
てなされたもので、基体に接する中屈折率層の屈折率の
調整が可能な、反射防止性能に優れたＡＲフィルムを提
供することを目的とする。
てなされたもので、基体に接する中屈折率層の屈折率の
調整が可能な、反射防止性能に優れたＡＲフィルムを提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１の発
明は、基体上に屈折率の異なる層が３層積層されてなる
反射防止層を有する反射防止フィルムにおいて、反射防
止層の基体に最も近い層が、Ｓｉと、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｉｎ及びＮｂから選択される少なくと
も一種の金属とを含む合金酸化物層で形成されてなるこ
とを特徴とする。
明は、基体上に屈折率の異なる層が３層積層されてなる
反射防止層を有する反射防止フィルムにおいて、反射防
止層の基体に最も近い層が、Ｓｉと、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｉｎ及びＮｂから選択される少なくと
も一種の金属とを含む合金酸化物層で形成されてなるこ
とを特徴とする。
【０００８】本発明においては、Ｓｉと、Ｓｎ、Ｚｒ、
Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｂ、ＩｎまたはＮｂとの合金の酸化物
は、合金中の成分比により屈折率が変化するため、基体
の屈折率に応じて基体に接する層の屈折率を成分調整に
より容易に調整可能となる。例えば、Ｓｉ−Ｓｎ合金酸
化物の場合、合金中のＳｎ含有率（Ｓｎ／Ｓｉ＋Ｓｎの
原子割合：以下同じ）を５０〜６５原子％の間で調整す
ることにより、５５０ｎｍの波長での屈折率を１．７０
以上、１．８０以下の範囲に調整することができる。ま
た、Ｓｉ−Ｚｒ合金酸化物層の場合は、Ｚｒ含有率２０
〜６０原子％で５５０ｎｍの波長での屈折率を１．６０
以上、１．９０以下の範囲に調整することができる。そ
して、基体の屈折率に応じて成分調整により屈折率を最
適化した合金酸化物層の上に、この層より屈折率の高い
高屈折率層と、合金酸化物層より屈折率の低い低屈折率
層を順次積層することにより、簡単な構成で反射防止性
能に優れたＡＲフィルムを得ることができる。
Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｂ、ＩｎまたはＮｂとの合金の酸化物
は、合金中の成分比により屈折率が変化するため、基体
の屈折率に応じて基体に接する層の屈折率を成分調整に
より容易に調整可能となる。例えば、Ｓｉ−Ｓｎ合金酸
化物の場合、合金中のＳｎ含有率（Ｓｎ／Ｓｉ＋Ｓｎの
原子割合：以下同じ）を５０〜６５原子％の間で調整す
ることにより、５５０ｎｍの波長での屈折率を１．７０
以上、１．８０以下の範囲に調整することができる。ま
た、Ｓｉ−Ｚｒ合金酸化物層の場合は、Ｚｒ含有率２０
〜６０原子％で５５０ｎｍの波長での屈折率を１．６０
以上、１．９０以下の範囲に調整することができる。そ
して、基体の屈折率に応じて成分調整により屈折率を最
適化した合金酸化物層の上に、この層より屈折率の高い
高屈折率層と、合金酸化物層より屈折率の低い低屈折率
層を順次積層することにより、簡単な構成で反射防止性
能に優れたＡＲフィルムを得ることができる。
【０００９】また、本発明の反射防止フィルムは、好ま
しくは基体と反射防止層との間に、Ｓｉ、ＳｉＯx（但
し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＮ、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１
〜２、ｙ＝０．２〜０．６）、ＣｒＯx（但し、ｘ＝
０．２〜１．５）およびＺｒＯx（但し、ｘ＝１〜２）
から選択される少なくとも一種の材料からなる密着層が
設けられる。
しくは基体と反射防止層との間に、Ｓｉ、ＳｉＯx（但
し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＮ、ＳｉＯxＮy（但し、ｘ＝１
〜２、ｙ＝０．２〜０．６）、ＣｒＯx（但し、ｘ＝
０．２〜１．５）およびＺｒＯx（但し、ｘ＝１〜２）
から選択される少なくとも一種の材料からなる密着層が
設けられる。
【００１０】さらに、反射防止層の上には、好ましくは
パーフルオロポリエーテル基を持つアルコキシシラン化
合物からなる防汚層が設けられる。
パーフルオロポリエーテル基を持つアルコキシシラン化
合物からなる防汚層が設けられる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施の形態のＡＲフィ
ルムの積層構成を示すもので、基体１上に、密着性を向
上させるための密着層３を介して、中屈折率層となる合
金酸化物層５と、高屈折率層７と、低屈折率層９とから
なる反射防止層１１が形成され、その上に防汚層１３が
形成されている。
ルムの積層構成を示すもので、基体１上に、密着性を向
上させるための密着層３を介して、中屈折率層となる合
金酸化物層５と、高屈折率層７と、低屈折率層９とから
なる反射防止層１１が形成され、その上に防汚層１３が
形成されている。
【００１３】上記構成において、基体１としては、ＰＥ
Ｔ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボ
ネート）等の脂環式ポリオレフィン樹脂、ＴＡＣ（トリ
アセチレンセルロース）等の可視光域で透明性の高いフ
ィルムが用いられる。ただし基体１は有機物に限らず、
無機物であってもよい。
Ｔ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボ
ネート）等の脂環式ポリオレフィン樹脂、ＴＡＣ（トリ
アセチレンセルロース）等の可視光域で透明性の高いフ
ィルムが用いられる。ただし基体１は有機物に限らず、
無機物であってもよい。
【００１４】密着層３としては、Ｓｉ、ＳｉＯx（但
し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＮ、ＳｉＯxＮ y（但し、ｘ＝１
〜２、ｙ＝０．２〜０．６）、ＣｒＯx（但し、ｘ＝
０．２〜１．５）およびＺｒＯx（但し、ｘ＝１〜２）
から選択された少なくとも一種の材料が用いられ、例え
ばＡＣスパッタリング法によって成膜される。この層
は、膜厚が約３〜５ｎｍと光の波長に対し十分に薄く、
光学特性には影響を与えない。
し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＮ、ＳｉＯxＮ y（但し、ｘ＝１
〜２、ｙ＝０．２〜０．６）、ＣｒＯx（但し、ｘ＝
０．２〜１．５）およびＺｒＯx（但し、ｘ＝１〜２）
から選択された少なくとも一種の材料が用いられ、例え
ばＡＣスパッタリング法によって成膜される。この層
は、膜厚が約３〜５ｎｍと光の波長に対し十分に薄く、
光学特性には影響を与えない。
【００１５】基体１上に密着層３を介して形成される反
射防止層１１は反応性スパッタリング法により順次成膜
される。最初に中屈折率層として成膜される合金酸化物
層５としては、Ｓｉと、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓ
ｂ、ＩｎまたはＮｂと、それらの酸化物を形成する酸素
とからなる合金酸化物材料が用いられる。この合金酸化
物層５の屈折率は、合金中の成分比により調整可能で、
基体１の屈折率に応じて最適化される。
射防止層１１は反応性スパッタリング法により順次成膜
される。最初に中屈折率層として成膜される合金酸化物
層５としては、Ｓｉと、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓ
ｂ、ＩｎまたはＮｂと、それらの酸化物を形成する酸素
とからなる合金酸化物材料が用いられる。この合金酸化
物層５の屈折率は、合金中の成分比により調整可能で、
基体１の屈折率に応じて最適化される。
【００１６】図２及び図３は、Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ膜及びＳ
ｉ−Ｚｒ−Ｏ膜の５５０ｎｍにおける屈折率変化を示す
もので、横軸にＳｉ−Ｓｎ中のＳｎ含有率（原子％）、
Ｓｉ−Ｚｒ中のＺｒ含有率（原子％）をそれぞれとって
いる。なお、Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ膜、Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ膜にお
ける酸素含有量は、各金属酸化物の化学量論組成に対応
する。図２に示すように、Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ膜の屈折率
は、Ｓｎ含有率５０原子％で約１．７５、Ｓｎ含有率６
５原子％で約１．８０となる。また、Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ膜
の場合は、図３に示すように、Ｚｒ含有率４０原子％で
約１．７５、Ｚｒ含有率５０原子％で約１．８０の屈折
率とすることができる。
ｉ−Ｚｒ−Ｏ膜の５５０ｎｍにおける屈折率変化を示す
もので、横軸にＳｉ−Ｓｎ中のＳｎ含有率（原子％）、
Ｓｉ−Ｚｒ中のＺｒ含有率（原子％）をそれぞれとって
いる。なお、Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ膜、Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ膜にお
ける酸素含有量は、各金属酸化物の化学量論組成に対応
する。図２に示すように、Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ膜の屈折率
は、Ｓｎ含有率５０原子％で約１．７５、Ｓｎ含有率６
５原子％で約１．８０となる。また、Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ膜
の場合は、図３に示すように、Ｚｒ含有率４０原子％で
約１．７５、Ｚｒ含有率５０原子％で約１．８０の屈折
率とすることができる。
【００１７】合金酸化物層５の上に形成される高屈折率
層７としては、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＮ、Ｔａ
2Ｏ5、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯ等の材料が使用
される。また、高屈折率層７の上に形成される低屈折率
層９としては、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2等の材料が使用され
る。
層７としては、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＮ、Ｔａ
2Ｏ5、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯ等の材料が使用
される。また、高屈折率層７の上に形成される低屈折率
層９としては、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2等の材料が使用され
る。
【００１８】さらに、低屈折率層９の上に形成される防
汚層１３としては、例えばパーフルオロポリエーテル基
を持つアルコキシシラン化合物が用いられ、湿式で成膜
される。
汚層１３としては、例えばパーフルオロポリエーテル基
を持つアルコキシシラン化合物が用いられ、湿式で成膜
される。
【００１９】上記構成とすることにより、中屈折率層の
屈折率を基体１の屈折率に応じて容易に最適化すること
ができ、反射防止性能に優れた３層構成のＡＲフィルム
を容易に製造することができるとともに、耐久性及び防
汚性に優れたＡＲフィルムを得ることができる。
屈折率を基体１の屈折率に応じて容易に最適化すること
ができ、反射防止性能に優れた３層構成のＡＲフィルム
を容易に製造することができるとともに、耐久性及び防
汚性に優れたＡＲフィルムを得ることができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例についてさらに詳細に
説明する。なお、ここでは、光学材料の実測した光学定
数に基づく設計完成例を示しており、光学定数が変わる
と最適設計結果がずれる可能性がある。本発明は実施例
に限定されることなく、本発明の要旨を損なわない範囲
で任意に変更可能であることはいうまでもない。
説明する。なお、ここでは、光学材料の実測した光学定
数に基づく設計完成例を示しており、光学定数が変わる
と最適設計結果がずれる可能性がある。本発明は実施例
に限定されることなく、本発明の要旨を損なわない範囲
で任意に変更可能であることはいうまでもない。
【００２１】（実施例１）図１において、基体１にＴＡ
Ｃ（屈折率ｎ＝１．５０）を使用し、厚さ８０μｍのＴ
ＡＣフィルム上にＳｉＯx（ｘ＝１〜２）からなる密着
層３をＡＣスパッタリング法により約３〜５ｎｍの厚さ
に成膜した。このＴＡＣに最も適した中屈折率層の屈折
率は約１．７５〜１．７８であるため、図２に示すよう
に屈折率がこの範囲にあるＳｉ（４５原子％）−Ｓｎ
（５５原子％）の酸化物膜を合金酸化物層５として、密
着層３上にＡＣ反応性スパッタリング法により６６ｎｍ
の厚さに成膜した。ついで、この合金酸化物層５の上に
膜厚１０７ｎｍのＮｂ2Ｏ5膜を高屈折率層７として、膜
厚９０ｎｍのＳｉＯ2膜を低屈折率層９として順次ＡＣ
反応性スパッタリング法により成膜して、基体１上に密
着層３を介して反射防止層１１を形成した。さらに、低
屈折率層９の上にパーフルオロポリエーテル基を有する
アルコキシシラン化合物を用いて湿式法により厚さ３〜
５ｎｍの防汚層１３を形成してＡＲフィルムを得た。本
実施例のＡＲフィルムの構成は以下の通りである。
Ｃ（屈折率ｎ＝１．５０）を使用し、厚さ８０μｍのＴ
ＡＣフィルム上にＳｉＯx（ｘ＝１〜２）からなる密着
層３をＡＣスパッタリング法により約３〜５ｎｍの厚さ
に成膜した。このＴＡＣに最も適した中屈折率層の屈折
率は約１．７５〜１．７８であるため、図２に示すよう
に屈折率がこの範囲にあるＳｉ（４５原子％）−Ｓｎ
（５５原子％）の酸化物膜を合金酸化物層５として、密
着層３上にＡＣ反応性スパッタリング法により６６ｎｍ
の厚さに成膜した。ついで、この合金酸化物層５の上に
膜厚１０７ｎｍのＮｂ2Ｏ5膜を高屈折率層７として、膜
厚９０ｎｍのＳｉＯ2膜を低屈折率層９として順次ＡＣ
反応性スパッタリング法により成膜して、基体１上に密
着層３を介して反射防止層１１を形成した。さらに、低
屈折率層９の上にパーフルオロポリエーテル基を有する
アルコキシシラン化合物を用いて湿式法により厚さ３〜
５ｎｍの防汚層１３を形成してＡＲフィルムを得た。本
実施例のＡＲフィルムの構成は以下の通りである。
【００２２】ＴＡＣ（８０μｍ）／ＳｉＯx（３〜５ｎ
ｍ）／４５原子％Ｓｉ＋５５原子％Ｓｎ−Ｏ（６６ｎ
ｍ）／Ｎｂ2Ｏ5（１０７ｎｍ）／ＳｉＯ2（９０ｎｍ）
／防汚層（３〜５ｎｍ）
ｍ）／４５原子％Ｓｉ＋５５原子％Ｓｎ−Ｏ（６６ｎ
ｍ）／Ｎｂ2Ｏ5（１０７ｎｍ）／ＳｉＯ2（９０ｎｍ）
／防汚層（３〜５ｎｍ）
【００２３】上記のように作製したＡＲフィルムの反射
率特性を検査したところ、図４に示すような結果が得ら
れた。図４から明らかなように、本実施例のＡＲフィル
ムは良好な反射防止特性を示した。
率特性を検査したところ、図４に示すような結果が得ら
れた。図４から明らかなように、本実施例のＡＲフィル
ムは良好な反射防止特性を示した。
【００２４】（実施例２）図１において、合金酸化物層
５にＳｉ（６０原子％）−Ｚｒ（４０原子％）の酸化物
を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてＡＲフィル
ムを作製した。Ｓｉ（６０原子％）−Ｚｒ（４０原子
％）の酸化物は、図３に示すように、屈折率約１．７５
に対応する。本実施例のＡＲフィルムの構成は以下の通
りである。
５にＳｉ（６０原子％）−Ｚｒ（４０原子％）の酸化物
を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてＡＲフィル
ムを作製した。Ｓｉ（６０原子％）−Ｚｒ（４０原子
％）の酸化物は、図３に示すように、屈折率約１．７５
に対応する。本実施例のＡＲフィルムの構成は以下の通
りである。
【００２５】ＴＡＣ（８０μｍ）／ＳｉＯx（３〜５ｎ
ｍ）／６０原子％Ｓｉ＋４０原子％Ｚｒ−Ｏ（６６ｎ
ｍ）／Ｎｂ2Ｏ5（１０７ｎｍ）／ＳｉＯ2（９０ｎｍ）
／防汚層（３〜５ｎｍ）
ｍ）／６０原子％Ｓｉ＋４０原子％Ｚｒ−Ｏ（６６ｎ
ｍ）／Ｎｂ2Ｏ5（１０７ｎｍ）／ＳｉＯ2（９０ｎｍ）
／防汚層（３〜５ｎｍ）
【００２６】図５は、このＡＲフィルムの反射率特性を
示すもので、実施例１と同様に反射防止性能に優れたＡ
Ｒフィルムが得られた。
示すもので、実施例１と同様に反射防止性能に優れたＡ
Ｒフィルムが得られた。
【００２７】（実施例３）図１において、基体１に１８
８μｍの厚さのＰＥＴ（屈折率ｎ＝１．５９）を使用
し、これに合わせて合金酸化物層５の屈折率を１．８０
に調整するために、Ｓｉ（３５原子％）−Ｓｎ（６５原
子％）の酸化物を６４ｎｍの厚さに成膜し、さらに高屈
折率層７のＮｂ２Ｏ５膜の厚さを１１０ｎｍとしたこと
以外は、実施例１と同様にしてＡＲフィルムを作製し
た。本実施例のＡＲフィルムの構成は以下の通りであ
る。
８μｍの厚さのＰＥＴ（屈折率ｎ＝１．５９）を使用
し、これに合わせて合金酸化物層５の屈折率を１．８０
に調整するために、Ｓｉ（３５原子％）−Ｓｎ（６５原
子％）の酸化物を６４ｎｍの厚さに成膜し、さらに高屈
折率層７のＮｂ２Ｏ５膜の厚さを１１０ｎｍとしたこと
以外は、実施例１と同様にしてＡＲフィルムを作製し
た。本実施例のＡＲフィルムの構成は以下の通りであ
る。
【００２８】ＰＥＴ（１８８μｍ）／ＳｉＯx（３〜５
ｎｍ）／３５原子％Ｓｉ＋６５原子％Ｓｎ−Ｏ（６４ｎ
ｍ）／Ｎｂ2Ｏ5（１１０ｎｍ）／ＳｉＯ2（９０ｎｍ）
／防汚層（３〜５ｎｍ）
ｎｍ）／３５原子％Ｓｉ＋６５原子％Ｓｎ−Ｏ（６４ｎ
ｍ）／Ｎｂ2Ｏ5（１１０ｎｍ）／ＳｉＯ2（９０ｎｍ）
／防汚層（３〜５ｎｍ）
【００２９】図６は、このＡＲフィルムの反射率特性を
示すもので、実施例１、２と同様に反射防止性能に優れ
たＡＲフィルムが得られた。
示すもので、実施例１、２と同様に反射防止性能に優れ
たＡＲフィルムが得られた。
【００３０】（実施例４）図１において、合金酸化物層
５にＳｉ（５０原子％）−Ｚｒ（５０原子％）の酸化物
を用いたこと以外は、実施例３と同様にしてＡＲフィル
ムを作製した。Ｓｉ（５０原子％）−Ｚｒ（５０原子
％）の酸化物は、図３に示すように屈折率約１．８０に
対応する。本実施例のＡＲフィルムの構成は以下の通り
である。
５にＳｉ（５０原子％）−Ｚｒ（５０原子％）の酸化物
を用いたこと以外は、実施例３と同様にしてＡＲフィル
ムを作製した。Ｓｉ（５０原子％）−Ｚｒ（５０原子
％）の酸化物は、図３に示すように屈折率約１．８０に
対応する。本実施例のＡＲフィルムの構成は以下の通り
である。
【００３１】ＰＥＴ（１８８μｍ）／ＳｉＯx（３〜５
ｎｍ）／５０原子％Ｓｉ＋５０原子％Ｚｒ−Ｏ（６４ｎ
ｍ）／Ｎｂ2Ｏ5（１１０ｎｍ）／ＳｉＯ2（９０ｎｍ）
／防汚層（３〜５ｎｍ）
ｎｍ）／５０原子％Ｓｉ＋５０原子％Ｚｒ−Ｏ（６４ｎ
ｍ）／Ｎｂ2Ｏ5（１１０ｎｍ）／ＳｉＯ2（９０ｎｍ）
／防汚層（３〜５ｎｍ）
【００３２】図７に、このＡＲフィルムの反射率特性を
示すように、実施例１〜３と同様に反射防止性能に優れ
たＡＲフィルムが得られた。
示すように、実施例１〜３と同様に反射防止性能に優れ
たＡＲフィルムが得られた。
【００３３】
【発明の効果】上記したように、請求項１の発明によれ
ば、基体に隣接する層を、ＳｉとＳｎ等の金属とを含む
合金酸化物層で形成することにより、基体の材質が変わ
ってもＳｉに対するＳｎ等の金属の比率の調整により当
該層の屈折率を基体の屈折率に応じて容易に最適化する
ことができ、反射防止性能に優れた反射防止フィルムを
容易に作製することができる。
ば、基体に隣接する層を、ＳｉとＳｎ等の金属とを含む
合金酸化物層で形成することにより、基体の材質が変わ
ってもＳｉに対するＳｎ等の金属の比率の調整により当
該層の屈折率を基体の屈折率に応じて容易に最適化する
ことができ、反射防止性能に優れた反射防止フィルムを
容易に作製することができる。
【００３４】請求項２の発明によれば、反射防止層が従
来の４層構成より少ない３層構成の反射防止フィルムに
適用することにより、スパッタリング法により反射防止
層を成膜する場合のカソード数を減らすことができ、従
来より小形の装置で良好な反射防止特性を有する反射防
止フィルムを生産することが可能となる。また、反射防
止層の構成層数が少ないため、膜厚変動に対して安定し
た分光特性を有する反射防止フィルムを得ることができ
る。
来の４層構成より少ない３層構成の反射防止フィルムに
適用することにより、スパッタリング法により反射防止
層を成膜する場合のカソード数を減らすことができ、従
来より小形の装置で良好な反射防止特性を有する反射防
止フィルムを生産することが可能となる。また、反射防
止層の構成層数が少ないため、膜厚変動に対して安定し
た分光特性を有する反射防止フィルムを得ることができ
る。
【００３５】請求項７の発明によれば、基体と反射防止
層との間にＳｉＯx等からなる密着層を設けることによ
り、基体と反射防止層との密着性が向上し、耐久性に優
れた反射防止フィルムを得ることができる。
層との間にＳｉＯx等からなる密着層を設けることによ
り、基体と反射防止層との密着性が向上し、耐久性に優
れた反射防止フィルムを得ることができる。
【００３６】請求項８の発明によれば、パーフルオロポ
リエーテル基を持つアルコキシシラン化合物からなる防
汚層を表面に設けることにより、耐汚染性に優れた反射
防止フィルムを得ることができる。
リエーテル基を持つアルコキシシラン化合物からなる防
汚層を表面に設けることにより、耐汚染性に優れた反射
防止フィルムを得ることができる。
【図１】本発明の反射防止フィルムの一実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ膜のＳｎ含有量による屈折率変
化を示す図である。
化を示す図である。
【図３】Ｓｉ−Ｚｒ−Ｏ膜のＺｒ含有量による屈折率変
化を示す図である。
化を示す図である。
【図４】実施例１の反射率特性を示す図である。
【図５】実施例２の反射率特性を示す図である。
【図６】実施例３の反射率特性を示す図である。
【図７】実施例４の反射率特性を示す図である。
１……基体、３……密着層、５……合金酸化物層、７…
…高屈折率層、９……低屈折率層、１１……反射防止
層、１３……防汚層
…高屈折率層、９……低屈折率層、１１……反射防止
層、１３……防汚層
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H091 FA37X FA37Z FB02 FB06
FC02 GA01 LA12 LA16
2K009 AA02 AA06 CC03 CC42 DD04
EE05
4F100 AA17B AA20C AB01B AB11B
AB11C AB19B AB21B AB31B
AD05C AH06D AJ06 AK54D
AK54K AT00A BA04 BA10A
BA10D EH66 GB41 JL06D
JN06 JN18
Claims (8)
- 【請求項１】 基体上に屈折率の異なる層が３層積層さ
れてなる反射防止層を有する反射防止フィルムにおい
て、 前記反射防止層の基体に最も近い層が、Ｓｉと、Ｓｎ、
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｉｎ及びＮｂから選択される
少なくとも一種の金属とを含む合金酸化物層で形成され
てなることを特徴とする反射防止フィルム。 - 【請求項２】 前記反射防止層が、前記合金酸化物層の
上にこの層より屈折率の高い高屈折率層と屈折率の低い
低屈折率層が順次積層されてなることを特徴とする請求
項１記載の反射防止フィルム。 - 【請求項３】 前記合金酸化物層が、ＳｉとＳｎの合金
の酸化物からなり、Ｓｎを合金中５０〜６５原子％の範
囲で含有することを特徴とする請求項１記載の反射防止
フィルム。 - 【請求項４】 前記合金酸化物層の５５０ｎｍの波長で
の屈折率が、１．７０以上、１．８０以下であることを
特徴とする請求項３記載の反射防止フィルム。 - 【請求項５】 前記合金酸化物層が、ＳｉとＺｒの合金
の酸化物からなり、Ｚｒを合金中２０〜６０原子％の範
囲で含有することを特徴とする請求項１記載の反射防止
フィルム。 - 【請求項６】 前記合金酸化物層の５５０ｎｍの波長で
の屈折率が、１．６０以上、１．９０以下であることを
特徴とする請求項５記載の反射防止フィルム。 - 【請求項７】 前記基体と反射防止層との間に、Ｓｉ、
ＳｉＯx（但し、ｘ＝１〜２）、ＳｉＮ、ＳｉＯxＮ
y（但し、ｘ＝１〜２、ｙ＝０．２〜０．６）、ＣｒＯx
（但し、ｘ＝０．２〜１．５）およびＺｒＯx（但し、
ｘ＝１〜２）から選択される少なくとも一種の材料から
なる密着層を有することを特徴とする請求項１記載の反
射防止フィルム。 - 【請求項８】 前記反射防止層の上にパーフルオロポリ
エーテル基を持つアルコキシシラン化合物が被覆されて
いることを特徴とする請求項１記載の反射防止フィル
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001292920A JP2003094548A (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 反射防止フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001292920A JP2003094548A (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 反射防止フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003094548A true JP2003094548A (ja) | 2003-04-03 |
Family
ID=19114801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001292920A Pending JP2003094548A (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 反射防止フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003094548A (ja) |
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-
2001
- 2001-09-26 JP JP2001292920A patent/JP2003094548A/ja active Pending
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