JP2003086357A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
発光素子及びその製造方法Info
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層構造体上に直接バリア膜を形成すること
が可能になり、吸湿による有機EL素子劣化や、膜応力
によるバリア膜クラック、及び発光素子劣化のない信頼
性の高い有機EL素子及びそれを用いた表示装置、照明
装置を実現することを目的とする。また発光素子の小型
化が可能となり、かつ発光光の外部への射出割合の低下
をなくすことができる。 【解決手段】 基板上に少なくとも電極、有機発光層、
対向電極を形成した積層構造体上に有機化合物からなる
緩衝層を形成する。
が可能になり、吸湿による有機EL素子劣化や、膜応力
によるバリア膜クラック、及び発光素子劣化のない信頼
性の高い有機EL素子及びそれを用いた表示装置、照明
装置を実現することを目的とする。また発光素子の小型
化が可能となり、かつ発光光の外部への射出割合の低下
をなくすことができる。 【解決手段】 基板上に少なくとも電極、有機発光層、
対向電極を形成した積層構造体上に有機化合物からなる
緩衝層を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極間に正
孔輸送層、発光層、電子注入層からなる有機材料を含む
発光領域を備え、両電極から発光層にキャリアを注入す
ることによって発光層を発光させる有機エレクトロルミ
ネッセンス素子(以下、有機EL素子という)に関す
る。
孔輸送層、発光層、電子注入層からなる有機材料を含む
発光領域を備え、両電極から発光層にキャリアを注入す
ることによって発光層を発光させる有機エレクトロルミ
ネッセンス素子(以下、有機EL素子という)に関す
る。
【0002】
【従来の技術】有機EL素子を利用した平面ディスプレ
イや、平面光源は、次世代のディスプレイ材料として研
究、開発が盛んに行われている。
イや、平面光源は、次世代のディスプレイ材料として研
究、開発が盛んに行われている。
【0003】有機EL素子は、例えば、図3に示すよう
に、ガラス基板10上に陽極を構成する透明導電材料
(ITO、SnO2、InO3、ZnO)が用いられた
透明電極12が形成され、この透明電極12上に有機材
料を含む有機材料を含む発光領域18(正孔輸送層1
4、発光層16、電子輸送層17)、発光領域18上
に、陰極を構成するMgAg,Ca,Al、MgInな
どからなる金属電極50が形成されている。そして、透
明電極12から発光層16に注入された正孔と、金属電
極50から発光層に注入される電子とが、発光層16で
再結合することにより発光する。図3に示すように、発
光層16で発光した光は、透明電極を通過し、ガラス基
板10を通じて外部に出る。また、不透明な金属電極5
0側へ進んだ光は、透明電極50で反射され、これより
ガラス基板側へ進んでガラス基板を通って外部へ出る。
しかし、このようなEL素子内で発生した発光光がガラ
ス基板10を通して外部へ射出される場合は、射出割合
は約20%程度であり、残りの80%近くは、発光層1
8やガラス基板10を導波して金属面で吸収されたり基
板の端から放出されてしまう。
に、ガラス基板10上に陽極を構成する透明導電材料
(ITO、SnO2、InO3、ZnO)が用いられた
透明電極12が形成され、この透明電極12上に有機材
料を含む有機材料を含む発光領域18(正孔輸送層1
4、発光層16、電子輸送層17)、発光領域18上
に、陰極を構成するMgAg,Ca,Al、MgInな
どからなる金属電極50が形成されている。そして、透
明電極12から発光層16に注入された正孔と、金属電
極50から発光層に注入される電子とが、発光層16で
再結合することにより発光する。図3に示すように、発
光層16で発光した光は、透明電極を通過し、ガラス基
板10を通じて外部に出る。また、不透明な金属電極5
0側へ進んだ光は、透明電極50で反射され、これより
ガラス基板側へ進んでガラス基板を通って外部へ出る。
しかし、このようなEL素子内で発生した発光光がガラ
ス基板10を通して外部へ射出される場合は、射出割合
は約20%程度であり、残りの80%近くは、発光層1
8やガラス基板10を導波して金属面で吸収されたり基
板の端から放出されてしまう。
【0004】素子内で発生した発光を効率良く素子外部
に取り出すして発光効率を改善するために提案されたE
L素子の構成が図4に示すものである。
に取り出すして発光効率を改善するために提案されたE
L素子の構成が図4に示すものである。
【0005】図4に示すように、ガラス基板10上に電
極を構成する透明導電材料(ITO、SnO2、InO
3、ZnO等)、あるいはMgAg,Ca,Al、Mg
Inなどからなる金属材料が用いられた電極12が形成
され、この電極12上に有機材料を含んだ発光領域18
(正孔輸送層14、発光層16、電子輸送層17)、発
光領域18上に透明電極51が形成されている。この透
明電極60は、図3に示すように不透明な金属材料では
なく、ITO、SnO2、InO3、ZnO、あるいは
これらの酸化物の複合体からなる透明導電膜材料が用い
られている。
極を構成する透明導電材料(ITO、SnO2、InO
3、ZnO等)、あるいはMgAg,Ca,Al、Mg
Inなどからなる金属材料が用いられた電極12が形成
され、この電極12上に有機材料を含んだ発光領域18
(正孔輸送層14、発光層16、電子輸送層17)、発
光領域18上に透明電極51が形成されている。この透
明電極60は、図3に示すように不透明な金属材料では
なく、ITO、SnO2、InO3、ZnO、あるいは
これらの酸化物の複合体からなる透明導電膜材料が用い
られている。
【0006】透明電極51に透明導電膜材料を用いるこ
とで、素子の上部電極となる陰極電極側から発光領域1
8で発生した発光光を取り出すことが可能となる。図4
に示すように、発光層16で発光した光は、透明な陰極
電極51を通過し、外部に出る。電極12が不透明な金
属材料である場合は、陽極電極12側へ進んだ光は陽極
電極12で反射され、これより透明電極60側へ進んで
透明電極60を通って外部へ出る。また、電極が透明導
電膜材料からなる場合、例えばガラス上に反射層(散乱
層)(図示せず)と組み合わせることにより、発光層1
6で発光し陽極電極12側へ進んだ光は陽極電極12で
反射され、これより透明電極51側へ進んで透明電極6
0を通って外部へ出ることになる。
とで、素子の上部電極となる陰極電極側から発光領域1
8で発生した発光光を取り出すことが可能となる。図4
に示すように、発光層16で発光した光は、透明な陰極
電極51を通過し、外部に出る。電極12が不透明な金
属材料である場合は、陽極電極12側へ進んだ光は陽極
電極12で反射され、これより透明電極60側へ進んで
透明電極60を通って外部へ出る。また、電極が透明導
電膜材料からなる場合、例えばガラス上に反射層(散乱
層)(図示せず)と組み合わせることにより、発光層1
6で発光し陽極電極12側へ進んだ光は陽極電極12で
反射され、これより透明電極51側へ進んで透明電極6
0を通って外部へ出ることになる。
【0007】このような有機EL素子内で発生した発光
光は、ガラス基板10を通して外部へ射出されないた
め、図3の構成に比べて、外部への射出割合は増えるの
である。
光は、ガラス基板10を通して外部へ射出されないた
め、図3の構成に比べて、外部への射出割合は増えるの
である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図3、図4に
示すような有機EL素子は、例えば、電子注入層や発光
領域を構成する有機層などへの水分や酸素の進入による
素子劣化が発生するといった問題がある。水分や酸素と
の反応により構造変化を生じるため、素子の一部分が発
光しないダークスポットが発生、成長したり、発光効率
が低下を招く原因となり、例えばEL素子を用いたディ
スプレイの場合、表示品位が悪化するのである。したが
って、有機EL素子の耐久性や信頼性を高めるには、電子
注入層や有機層に用いる材料と水分や酸素との反応を防
止するために、有機EL素子全体が封止されている必要
がある。
示すような有機EL素子は、例えば、電子注入層や発光
領域を構成する有機層などへの水分や酸素の進入による
素子劣化が発生するといった問題がある。水分や酸素と
の反応により構造変化を生じるため、素子の一部分が発
光しないダークスポットが発生、成長したり、発光効率
が低下を招く原因となり、例えばEL素子を用いたディ
スプレイの場合、表示品位が悪化するのである。したが
って、有機EL素子の耐久性や信頼性を高めるには、電子
注入層や有機層に用いる材料と水分や酸素との反応を防
止するために、有機EL素子全体が封止されている必要
がある。
【0009】図3,4に示されるようにガラスやアルミ
からなるキャップ51、52を発光素子に被せることに
より、水分の侵入を防止されているが、発光素子の小型
化(薄化)の妨げとなり、かつ発光光の外部への射出割
合の低下を引き起すといった問題がある。
からなるキャップ51、52を発光素子に被せることに
より、水分の侵入を防止されているが、発光素子の小型
化(薄化)の妨げとなり、かつ発光光の外部への射出割
合の低下を引き起すといった問題がある。
【0010】従来、有機EL素子の封止については、これ
まで主に二つの方法による検討が行われてきた。その一
つは、ガラス製キャップ等を有機EL素子に封着するも
のであり、他方は蒸着法等の真空成膜技術を用いて、有
機EL素子の外表面に保護膜を形成するものである。
まで主に二つの方法による検討が行われてきた。その一
つは、ガラス製キャップ等を有機EL素子に封着するも
のであり、他方は蒸着法等の真空成膜技術を用いて、有
機EL素子の外表面に保護膜を形成するものである。
【0011】ガラス製キャップ等を封着して有機EL素
子を封止する方法としては、無機エレクトロルミネッセ
ンス素子で既に用いられているように、背面電極の外側
にガラス板を設け、背面電極とガラス板の間にシリコー
ンオイルを封入する方法等がある。
子を封止する方法としては、無機エレクトロルミネッセ
ンス素子で既に用いられているように、背面電極の外側
にガラス板を設け、背面電極とガラス板の間にシリコー
ンオイルを封入する方法等がある。
【0012】保護膜を形成して有機EL素子を封止する
方法については、例えば特開平6−96858号公報に
GeO、SiO、AlF3等をイオンプレーティング法
を用いて有機EL素子の外表面に形成する方法が開示さ
れている。
方法については、例えば特開平6−96858号公報に
GeO、SiO、AlF3等をイオンプレーティング法
を用いて有機EL素子の外表面に形成する方法が開示さ
れている。
【0013】また、特開平7−211455号公報にお
いては、吸水率1%以下の吸水物質と吸水率0.1%以
下の防湿性物質からなる保護膜を形成する方法が形成さ
れている。
いては、吸水率1%以下の吸水物質と吸水率0.1%以
下の防湿性物質からなる保護膜を形成する方法が形成さ
れている。
【0014】また、特開平10−41067号公報にお
いては、有機EL素子の外表面に、最下層に絶縁性化合
物を有する少なくとも2層以上の積層膜からなる膜厚3
μm〜30μmの保護膜を形成する方法が開示されてい
る。
いては、有機EL素子の外表面に、最下層に絶縁性化合
物を有する少なくとも2層以上の積層膜からなる膜厚3
μm〜30μmの保護膜を形成する方法が開示されてい
る。
【0015】一般的に有機EL素子を用いたディスプレ
イ等を製造する場合、基板上には有機EL素子を構成す
る積層体の他、スイッチング素子や発光色の異なる発光
領域を区分して形成するための有機材料(リブ)等が形
成される。この場合、基板表面上には多数の凹凸ができ
ることは避けられない。水分や酸素の侵入を防ぐべく、
基板上に有機EL素子を構成積層構造体上に保護膜を形成
した場合、基板上に形成されたスイッチング素子、電
極、有機EL素子といった基板上の凹凸のため、膜応力に
起因するバリア膜のクラックや剥がれ、素子破壊を引き
起こすといった課題があった。膜応力は多層に積層され
ることにより増加する。 また、基板上に付着したダス
トに起因するバリア膜のクラックや剥がれ、素子破壊を
引き起こすといった課題もあった。
イ等を製造する場合、基板上には有機EL素子を構成す
る積層体の他、スイッチング素子や発光色の異なる発光
領域を区分して形成するための有機材料(リブ)等が形
成される。この場合、基板表面上には多数の凹凸ができ
ることは避けられない。水分や酸素の侵入を防ぐべく、
基板上に有機EL素子を構成積層構造体上に保護膜を形成
した場合、基板上に形成されたスイッチング素子、電
極、有機EL素子といった基板上の凹凸のため、膜応力に
起因するバリア膜のクラックや剥がれ、素子破壊を引き
起こすといった課題があった。膜応力は多層に積層され
ることにより増加する。 また、基板上に付着したダス
トに起因するバリア膜のクラックや剥がれ、素子破壊を
引き起こすといった課題もあった。
【0016】EL素子上に保護膜を形成する場合に、バ
リア膜の形成方法によっては、有機EL素子にダメージ
を与えたり、静電破壊が発生するといった課題があっ
た。
リア膜の形成方法によっては、有機EL素子にダメージ
を与えたり、静電破壊が発生するといった課題があっ
た。
【0017】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、基板上に少なくとも電極、有機発光層、
対向電極を形成した積層構造体上に有機化合物からなる
緩衝層を形成することにより、積層構造体上に直接バリ
ア膜を形成することが可能になり、水分や酸素の進入に
よる有機EL素子劣化や、膜応力によるバリア膜クラッ
ク、及び発光素子劣化のない耐久性、信頼性の高い有機
EL素子及びそれを用いた表示装置、照明装置を実現す
ることを目的とする。
たものであり、基板上に少なくとも電極、有機発光層、
対向電極を形成した積層構造体上に有機化合物からなる
緩衝層を形成することにより、積層構造体上に直接バリ
ア膜を形成することが可能になり、水分や酸素の進入に
よる有機EL素子劣化や、膜応力によるバリア膜クラッ
ク、及び発光素子劣化のない耐久性、信頼性の高い有機
EL素子及びそれを用いた表示装置、照明装置を実現す
ることを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明の発光素子は、基
板上に形成された電極と、有機発光層と対向電極と、を
備えた発光素子であって、前記対向電極上に形成された
緩衝層と、前記緩衝層上に少なくとも1層以上のバリア
膜とが形成されていることを特徴とする。
板上に形成された電極と、有機発光層と対向電極と、を
備えた発光素子であって、前記対向電極上に形成された
緩衝層と、前記緩衝層上に少なくとも1層以上のバリア
膜とが形成されていることを特徴とする。
【0019】本発明の好ましい態様において、緩衝層
は、有機物を有する。
は、有機物を有する。
【0020】また、本発明の好ましい態様において、緩
衝層は、0.3μm以上5μm以下の膜厚である。
衝層は、0.3μm以上5μm以下の膜厚である。
【0021】また、本発明の好ましい態様において、緩
衝層は、基板上に形成された積層体構造の凹凸の2倍以
上の膜厚である。
衝層は、基板上に形成された積層体構造の凹凸の2倍以
上の膜厚である。
【0022】また、本発明の好ましい態様において、緩
衝層は、前記積層構造体を覆い、前記積層構造体の表面
の凹凸を0.5μm以下である。
衝層は、前記積層構造体を覆い、前記積層構造体の表面
の凹凸を0.5μm以下である。
【0023】また、本発明の好ましい態様において、緩
衝層は導電性を有し、体積抵抗値が1012Ω・cm以下
である。
衝層は導電性を有し、体積抵抗値が1012Ω・cm以下
である。
【0024】また、本発明の好ましい態様において、バ
リア膜は、酸化膜や窒化膜、金属薄膜、及びダイヤモン
ドライクカーボン膜を少なくとも1種以上含む。なお、
酸化膜はSi又はAlを有する。
リア膜は、酸化膜や窒化膜、金属薄膜、及びダイヤモン
ドライクカーボン膜を少なくとも1種以上含む。なお、
酸化膜はSi又はAlを有する。
【0025】また、本発明の好ましい態様において、緩
衝層は、酸化膜を有する。
衝層は、酸化膜を有する。
【0026】また、本発明の好ましい態様において、酸
化膜はSiOxからなる。
化膜はSiOxからなる。
【0027】また、本発明の好ましい態様において、S
iOx層は、15nm以上1000nm以下の膜厚であ
る。
iOx層は、15nm以上1000nm以下の膜厚であ
る。
【0028】本発明の表示装置は、上記に記載のいずれ
かの発光素子を用いた表示装置。
かの発光素子を用いた表示装置。
【0029】本発明の証明装置は、上記に記載のいずれ
かの発光素子を用いた照明装置。
かの発光素子を用いた照明装置。
【0030】本発明の発光素子の製造方法は、基板上に
電極を形成する工程と、前記電極上に有機発光層を形成
する工程と、前記有機発光層上に対向電極を形成する工
程からなる発光素子の製造方法であって、少なくとも前
記対向電極の表面に緩衝層を形成する工程と、前記緩衝
層上に少なくとも1層以上のバリア膜を形成する工程と
を有するこを特徴とする。
電極を形成する工程と、前記電極上に有機発光層を形成
する工程と、前記有機発光層上に対向電極を形成する工
程からなる発光素子の製造方法であって、少なくとも前
記対向電極の表面に緩衝層を形成する工程と、前記緩衝
層上に少なくとも1層以上のバリア膜を形成する工程と
を有するこを特徴とする。
【0031】本発明の好ましい態様において、一度も大
気中に取り出すことなく、真空中で連続して行われる。
気中に取り出すことなく、真空中で連続して行われる。
【0032】また、本発明の好ましい態様において、前
記対向電極上に緩衝層を形成する工程と、前記緩衝層上
に少なくとも1層以上のバリア膜を形成する工程とは、
100℃以下の温度条件下で行われる。
記対向電極上に緩衝層を形成する工程と、前記緩衝層上
に少なくとも1層以上のバリア膜を形成する工程とは、
100℃以下の温度条件下で行われる。
【0033】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面に基づいて説明する。
て、図面に基づいて説明する。
【0034】(実施の形態1)以下本発明の実施の形態
1について説明する。図1は本発明に係る発光素子の実
施の形態1を示す断面図である。図1において、101
は基板、102は電極、103は発光層、104は対向
電極、105は緩衝層、106はバリア性を有するバリ
ア膜、107はスイッチング素子をリブで覆ったもので
ある。
1について説明する。図1は本発明に係る発光素子の実
施の形態1を示す断面図である。図1において、101
は基板、102は電極、103は発光層、104は対向
電極、105は緩衝層、106はバリア性を有するバリ
ア膜、107はスイッチング素子をリブで覆ったもので
ある。
【0035】本実施の形態において、薄膜トランジスタ
からなるスイッチング素子107及びITOからなる画
素電極102が形成されたガラス基板上に、少なくとも
有機EL素子の発光領域103、対向電極104を蒸着法
により形成した積層構造体を形成する。発光領域103
は例えばAlq3等からなる発光層(膜厚500A)と
TPDからなる正孔輸送層(膜厚500A)(図示せ
ず)からなる。対向電極104は、この場合、反射率が
高く、発光層を効率良く発光させる機能を備えているA
l層(膜厚1000A)からなる。
からなるスイッチング素子107及びITOからなる画
素電極102が形成されたガラス基板上に、少なくとも
有機EL素子の発光領域103、対向電極104を蒸着法
により形成した積層構造体を形成する。発光領域103
は例えばAlq3等からなる発光層(膜厚500A)と
TPDからなる正孔輸送層(膜厚500A)(図示せ
ず)からなる。対向電極104は、この場合、反射率が
高く、発光層を効率良く発光させる機能を備えているA
l層(膜厚1000A)からなる。
【0036】スイッチング素子107上には、異なる発
光領域を区分するため有機材料が覆っている場合があ
り、この場合、基板表面からおよそ1.5μmの高低差
がある。
光領域を区分するため有機材料が覆っている場合があ
り、この場合、基板表面からおよそ1.5μmの高低差
がある。
【0037】緩衝層105は、ポリアニリンスルホン酸
(PAS)からなる有機導電性材料をスピンコート法に
より対向電極104上に3μm程度形成した後、熱処理
を施こすことにより硬化している。これにより、積層構
造体表面の高低差は約0.5μm程度である。
(PAS)からなる有機導電性材料をスピンコート法に
より対向電極104上に3μm程度形成した後、熱処理
を施こすことにより硬化している。これにより、積層構
造体表面の高低差は約0.5μm程度である。
【0038】また緩衝層のシート抵抗値は106Ω・c
m程度である。
m程度である。
【0039】衝層上にはバリア膜106が形成されてい
る。バリア膜は窒化アルミニウムからなりスパッタ法に
て3000A形成されている。バリア膜106は、水蒸
気バリア性に優れ、0.5以下g/m2/dayであ
る。
る。バリア膜は窒化アルミニウムからなりスパッタ法に
て3000A形成されている。バリア膜106は、水蒸
気バリア性に優れ、0.5以下g/m2/dayであ
る。
【0040】また、本発明に用いられる素子構成は特に
限定されるものではなく、次のような構成をとることが
出来る。例えば、 陽極/発光層/陰極 陽極/正孔注入層/発光層/陰極 陽極/発光層/電子注入層/陰極 陽極/正孔注入層/発光層/陰極 等をあげることができる。これらの構成の素子において
は各層が複数の層の積層体であってもよいし、また複数
の材料の混合体であってもよい。これらの構成を、基板
/電極/発光領域(正孔注入層、発光層)/対向電極と
大別する。
限定されるものではなく、次のような構成をとることが
出来る。例えば、 陽極/発光層/陰極 陽極/正孔注入層/発光層/陰極 陽極/発光層/電子注入層/陰極 陽極/正孔注入層/発光層/陰極 等をあげることができる。これらの構成の素子において
は各層が複数の層の積層体であってもよいし、また複数
の材料の混合体であってもよい。これらの構成を、基板
/電極/発光領域(正孔注入層、発光層)/対向電極と
大別する。
【0041】発光層に使用される材料としては、ベンゾ
イミダゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾオキサゾ
ール系の材料、金属キレート化オキシノイド系化合物、
スチルヘルゼン系化合物等をあげることができる。正孔
注入層としては、フルオレノン誘導体、アントラキノジ
メタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジ
オキシド誘導体、複素環テトラカルボン酸、カルボジイ
ミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジ
メタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘
導体、キノリノール誘導体の金属錯体、フタロシアニ
ン、ジスチリルピラジン誘導体等が考えられる。
イミダゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾオキサゾ
ール系の材料、金属キレート化オキシノイド系化合物、
スチルヘルゼン系化合物等をあげることができる。正孔
注入層としては、フルオレノン誘導体、アントラキノジ
メタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジ
オキシド誘導体、複素環テトラカルボン酸、カルボジイ
ミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジ
メタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘
導体、キノリノール誘導体の金属錯体、フタロシアニ
ン、ジスチリルピラジン誘導体等が考えられる。
【0042】有機EL素子の場合、発光層の形成は主に
抵抗加熱蒸着法を用いるが、エレクトロンビーム蒸着
法、スパッタ法等を用いてもよい。
抵抗加熱蒸着法を用いるが、エレクトロンビーム蒸着
法、スパッタ法等を用いてもよい。
【0043】有機EL素子は、有機発光層が付着した基
板を高温に加熱すると、有機層が劣化してしまうため、
対向電極104は低温成膜する必要がある。さらに、対
向電極としてITO等、金属薄膜を蒸着法、スパッタ法
やエレクトロンビーム蒸着法等により有機発光層上に形
成する場合、有機層へのダメージを軽減するため、有機
層上にバッファ層を形成してから透明電極を形成するの
が好ましい。バッファ層としては、銅フタロシアニン等
の熱的に安定な有機化合物等を用いればよい。
板を高温に加熱すると、有機層が劣化してしまうため、
対向電極104は低温成膜する必要がある。さらに、対
向電極としてITO等、金属薄膜を蒸着法、スパッタ法
やエレクトロンビーム蒸着法等により有機発光層上に形
成する場合、有機層へのダメージを軽減するため、有機
層上にバッファ層を形成してから透明電極を形成するの
が好ましい。バッファ層としては、銅フタロシアニン等
の熱的に安定な有機化合物等を用いればよい。
【0044】対向電極104は低温で形成されるため、
対向電極104と下地膜の密着性は悪く、対向電極10
4の剥がれが発生しやすい。対向電極と下地膜との密着
性を向上するため、プラズマアッシングといった表面処
理を施した表面に対向電極形成することが好ましい。
対向電極104と下地膜の密着性は悪く、対向電極10
4の剥がれが発生しやすい。対向電極と下地膜との密着
性を向上するため、プラズマアッシングといった表面処
理を施した表面に対向電極形成することが好ましい。
【0045】対向電極104は、この場合、反射率が高
く、発光層を効率良く発光させる機能を備えていればよ
く、AlあるいはAl化合物、銀あるいは銀化合物等の
金属膜を用いることが好ましい。さらに、銀化合物とし
ては、銀・パラジウム・銅(AgPdCu)の合金ある
いは銀・金・銅(AgAuCu)の合金を用いるのが好
ましい。また、有機化合物を発光層として用いるいわゆ
る電流注入型の有機EL素子の場合、通常反射電極は陰
極となり、電子の注入効率のよい材料、すなわち仕事関
数の低い材料を用いることが多い。有機EL素子の陰極
としては例えばAl−Li合金、Mg−Ag合金等の、
仕事関数が低いが反応性の高い金属(Li、Mg等)と
反応性が低く安定な金属(Al、Ag等)との合金を用
いればよい。あるいは、Li/Al、LiF/Al等の
仕事関数の低い金属あるいはその化合物と仕事関数の高
い金属の積層電極、ITO/Al/ITOといった金属
と透明導電膜の積層電極などを用いることができる。
く、発光層を効率良く発光させる機能を備えていればよ
く、AlあるいはAl化合物、銀あるいは銀化合物等の
金属膜を用いることが好ましい。さらに、銀化合物とし
ては、銀・パラジウム・銅(AgPdCu)の合金ある
いは銀・金・銅(AgAuCu)の合金を用いるのが好
ましい。また、有機化合物を発光層として用いるいわゆ
る電流注入型の有機EL素子の場合、通常反射電極は陰
極となり、電子の注入効率のよい材料、すなわち仕事関
数の低い材料を用いることが多い。有機EL素子の陰極
としては例えばAl−Li合金、Mg−Ag合金等の、
仕事関数が低いが反応性の高い金属(Li、Mg等)と
反応性が低く安定な金属(Al、Ag等)との合金を用
いればよい。あるいは、Li/Al、LiF/Al等の
仕事関数の低い金属あるいはその化合物と仕事関数の高
い金属の積層電極、ITO/Al/ITOといった金属
と透明導電膜の積層電極などを用いることができる。
【0046】また、対向電極側から、発光考を取り出す
光上取り出しの場合は、対向電極は透明あるいは半透明
であることが好ましい。この場合、例えばITO、Zn
Oといった酸化物からなる電極や、MgAg金属薄膜、
酸化物膜とメッシュ状に形成された金属薄膜との積層電
極なども用いることが出来る。
光上取り出しの場合は、対向電極は透明あるいは半透明
であることが好ましい。この場合、例えばITO、Zn
Oといった酸化物からなる電極や、MgAg金属薄膜、
酸化物膜とメッシュ状に形成された金属薄膜との積層電
極なども用いることが出来る。
【0047】電極102の形成方法としては、酸化イン
ジウムの他、酸化インジウムに酸化錫を含むITOや、
ZnOといった透明導電膜やAl等の金属電極であって
もよく、スパッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱
蒸着等の方法を用いればよい。
ジウムの他、酸化インジウムに酸化錫を含むITOや、
ZnOといった透明導電膜やAl等の金属電極であって
もよく、スパッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱
蒸着等の方法を用いればよい。
【0048】基板1は,本発明の発光素子を嘆じ出来るも
のであれば良く,ガラス或いはポリカー簿ねート、ポリ
メチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレートな
どの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用いること
ができる。
のであれば良く,ガラス或いはポリカー簿ねート、ポリ
メチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレートな
どの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用いること
ができる。
【0049】緩衝層105は、上記材料に限らないもの
とし、例えば有機材料に導電性フィラーを混合したもの
であっても構わない。
とし、例えば有機材料に導電性フィラーを混合したもの
であっても構わない。
【0050】また、緩衝層105の形成方法も、上記方
法に限らないものとし、印刷法等の塗布型の他、真空蒸
着法などを用いてもよい。また硬化方法も熱硬化に限ら
ず、UV照射によるUV硬化、電子線照射によるEB硬
化法等を用いてもよい。
法に限らないものとし、印刷法等の塗布型の他、真空蒸
着法などを用いてもよい。また硬化方法も熱硬化に限ら
ず、UV照射によるUV硬化、電子線照射によるEB硬
化法等を用いてもよい。
【0051】緩衝層の膜厚は、0.3μm以上5μm以
下であることが好ましく、さらに好ましいくは0.3μ
m以上10μm以下であることが好ましい。
下であることが好ましく、さらに好ましいくは0.3μ
m以上10μm以下であることが好ましい。
【0052】また、基板上に形成された積層構造体の高
低差の2倍以上であることが好ましい。
低差の2倍以上であることが好ましい。
【0053】表1に、本実施の形態における耐久テスト
結果を示す。
結果を示す。
【0054】バリア膜106は、窒化アルミニウムに限
らず、SiOx、Al2O3といった酸化物、窒化物から
なる無機膜、ダイヤモンドライクカーボン膜(DLC
膜)の他、Alなどの金属膜であっても構わない。
らず、SiOx、Al2O3といった酸化物、窒化物から
なる無機膜、ダイヤモンドライクカーボン膜(DLC
膜)の他、Alなどの金属膜であっても構わない。
【0055】また、有機層と無機層の多層膜、または無
機膜の積層膜であっても構わない。
機膜の積層膜であっても構わない。
【0056】また、バリア膜106の形成方法も、上記
方法に限らないものとし、スパッタ、エレクトロンビー
ム蒸着、抵抗加熱蒸着、CVD、塗布型等、真空アーク
法、電子シャワー法、陽極酸化法などを用いればよい。
方法に限らないものとし、スパッタ、エレクトロンビー
ム蒸着、抵抗加熱蒸着、CVD、塗布型等、真空アーク
法、電子シャワー法、陽極酸化法などを用いればよい。
【0057】本実施の形態1においては、基板上に形成
された積層構造体上に、緩衝層105を形成することに
より、前記積層構造体の表面凹凸が低減し、その上に形
成されるバリア膜のクラックを防止することができる。
また、バリア膜が積層構造体にあたえる応力及びその他
外的要因によって引き起こされる応力が積層構造体に与
える影響を低減すること可能になり、対向電極の剥がれ
などといった素子破壊を防止することが出来る。
された積層構造体上に、緩衝層105を形成することに
より、前記積層構造体の表面凹凸が低減し、その上に形
成されるバリア膜のクラックを防止することができる。
また、バリア膜が積層構造体にあたえる応力及びその他
外的要因によって引き起こされる応力が積層構造体に与
える影響を低減すること可能になり、対向電極の剥がれ
などといった素子破壊を防止することが出来る。
【0058】緩衝層105が有する導電性は、1012Ω
・cm以下が好ましい。さらに好ましくは、1010Ω・
cm以下である。
・cm以下が好ましい。さらに好ましくは、1010Ω・
cm以下である。
【0059】緩衝層105が導電性を有することにより
対向電極の補助電極としての効果の他、例えば、バリア
膜成膜時のダメージを防止するなど、EL素子の静電破
壊を防止出来ると言った効果もある。
対向電極の補助電極としての効果の他、例えば、バリア
膜成膜時のダメージを防止するなど、EL素子の静電破
壊を防止出来ると言った効果もある。
【0060】これより、薄型、軽量、高寿命、かつ信頼
性の高い発光素子、表示装置及び照明装置を得ることが
出来る。
性の高い発光素子、表示装置及び照明装置を得ることが
出来る。
【0061】(実施の形態2)以下本発明の実施の形態
2について説明する。図2は本発明に係る発光素子の実
施の形態2を示す断面図である。図2において、201
は基板、202は電極、203は発光層、204は対向
電極、205は緩衝層、206はバリア性を有するバリ
ア膜、207はスイッチング素子、208はSiO
2層、209は反射層である。
2について説明する。図2は本発明に係る発光素子の実
施の形態2を示す断面図である。図2において、201
は基板、202は電極、203は発光層、204は対向
電極、205は緩衝層、206はバリア性を有するバリ
ア膜、207はスイッチング素子、208はSiO
2層、209は反射層である。
【0062】本実施の形態において、発光素子を形成す
る工程は、一度も大気中に取り出すことなく、真空中で
行われる。
る工程は、一度も大気中に取り出すことなく、真空中で
行われる。
【0063】本実施の形態において、反射層209、薄
膜トランジスタからなるスイッチング素子207及びI
TOからなる画素電極202が形成されたガラス基板上
に、少なくとも有機EL素子の発光領域203、対向電極
204を蒸着法により形成した積層構造体を形成する。
膜トランジスタからなるスイッチング素子207及びI
TOからなる画素電極202が形成されたガラス基板上
に、少なくとも有機EL素子の発光領域203、対向電極
204を蒸着法により形成した積層構造体を形成する。
【0064】発光領域203は例えばAlq3等からな
る発光層(膜厚500A)とTPDからなる正孔輸送層
(膜厚500A)(図示せず)からなる。対向電極20
4は、この場合、MgAgからなる金属薄膜(50A)
上に透明あるいは半透明である酸化インジウム(膜厚1
000A)を積層した積層電極からなる。
る発光層(膜厚500A)とTPDからなる正孔輸送層
(膜厚500A)(図示せず)からなる。対向電極20
4は、この場合、MgAgからなる金属薄膜(50A)
上に透明あるいは半透明である酸化インジウム(膜厚1
000A)を積層した積層電極からなる。
【0065】スイッチング素子207上には、異なる発
光領域を区分するため有機材料が覆っており、基板表面
からおよそ1μm程度の高低差がある。
光領域を区分するため有機材料が覆っており、基板表面
からおよそ1μm程度の高低差がある。
【0066】対向電極上に形成されたSiO2層(20
0A)は、スパッタ法にて無加熱に形成されており、緩
衝層205との密着性を向上することが出来る。
0A)は、スパッタ法にて無加熱に形成されており、緩
衝層205との密着性を向上することが出来る。
【0067】緩衝層205は、アクリル系材料に例えば
ポリアルキレングリコールを主成分とするポリマーに過
塩素酸リチウムなどの過塩素酸塩を複合化させたイオン
伝導性の導電性付与剤を添加した有機導電性材料を、印
刷法によりSiO2上に208上に5μm形成した後、
電子線照射を施こすことにより硬化している。これによ
り、積層構造体表面の高低差は約20nm程度である。
緩衝層205を形成することにより基板上の表面形状を
平坦化するといった効果がある。また緩衝層のシート抵
抗値は105Ω・cm程度である。
ポリアルキレングリコールを主成分とするポリマーに過
塩素酸リチウムなどの過塩素酸塩を複合化させたイオン
伝導性の導電性付与剤を添加した有機導電性材料を、印
刷法によりSiO2上に208上に5μm形成した後、
電子線照射を施こすことにより硬化している。これによ
り、積層構造体表面の高低差は約20nm程度である。
緩衝層205を形成することにより基板上の表面形状を
平坦化するといった効果がある。また緩衝層のシート抵
抗値は105Ω・cm程度である。
【0068】衝層上にはバリア膜206が形成されてい
る。バリア膜はSiOxとアクリル系樹脂を交互に20
層程度積層した多層膜からなる。SiOxはバリア性を
有し、スパッタ法にて800A形成されている。アクリ
ル系樹脂は蒸着重合により0.3μm程度形成されてい
る。バリア膜206は、水蒸気バリア性に優れ、0.0
5以下g/m2/dayである。
る。バリア膜はSiOxとアクリル系樹脂を交互に20
層程度積層した多層膜からなる。SiOxはバリア性を
有し、スパッタ法にて800A形成されている。アクリ
ル系樹脂は蒸着重合により0.3μm程度形成されてい
る。バリア膜206は、水蒸気バリア性に優れ、0.0
5以下g/m2/dayである。
【0069】有機材料からなる発光領域203は、耐熱
性が悪く、発光領域203上に形成する対向電極20
3、SiOx層208、及び緩衝層206、バリア膜2
06は、100℃以下の温度で形成することが好まし
い。
性が悪く、発光領域203上に形成する対向電極20
3、SiOx層208、及び緩衝層206、バリア膜2
06は、100℃以下の温度で形成することが好まし
い。
【0070】対向電極204は低温で形成されるため、
対向電極104と下地膜の密着性は悪く、対向電極20
4の剥がれが発生しやすい。また対向電極204上に形
成された緩衝層、バリア膜といった各積層膜も低温で形
成するため、各層界面の密着性も悪く、各膜応力による
各膜界面の剥がれが発生しやすい。対向電極204と緩
衝層205との間にSiOx膜を形成することにより、
対向電極204と緩衝層205の密着性が向上するとい
った効果がある。
対向電極104と下地膜の密着性は悪く、対向電極20
4の剥がれが発生しやすい。また対向電極204上に形
成された緩衝層、バリア膜といった各積層膜も低温で形
成するため、各層界面の密着性も悪く、各膜応力による
各膜界面の剥がれが発生しやすい。対向電極204と緩
衝層205との間にSiOx膜を形成することにより、
対向電極204と緩衝層205の密着性が向上するとい
った効果がある。
【0071】発光光を対向電極側から取り出す、光上取
り出しの場合は、対向電極は透明あるいは半透明である
ことが好ましい。この場合、例えばITO、ZnOとい
った酸化物からなる電極や、MgAg金属薄膜、酸化物
膜とメッシュ状に形成された金属薄膜との積層電極など
も用いることが出来る。
り出しの場合は、対向電極は透明あるいは半透明である
ことが好ましい。この場合、例えばITO、ZnOとい
った酸化物からなる電極や、MgAg金属薄膜、酸化物
膜とメッシュ状に形成された金属薄膜との積層電極など
も用いることが出来る。
【0072】電極202の形成方法としては、酸化イン
ジウムの他、酸化インジウムに酸化錫を含むITOや、
ZnOといった透明導電膜やAl等の金属電極であって
もよく、スパッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱
蒸着等の方法を用いればよい。
ジウムの他、酸化インジウムに酸化錫を含むITOや、
ZnOといった透明導電膜やAl等の金属電極であって
もよく、スパッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱
蒸着等の方法を用いればよい。
【0073】基板201は,本発明の発光素子を嘆じ出
来るものであれば良く,ガラス或いはポリカー簿ねー
ト、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタ
レートなどの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用
いることができる。
来るものであれば良く,ガラス或いはポリカー簿ねー
ト、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタ
レートなどの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用
いることができる。
【0074】緩衝層205は、上記材料に限らないもの
とし、例えば有機材料に導電性フィラーを混合したもの
であっても構わない。
とし、例えば有機材料に導電性フィラーを混合したもの
であっても構わない。
【0075】また、緩衝層205の形成方法も、上記方
法に限らない。
法に限らない。
【0076】発光光を対向電極側から取り出す、光上取
り出しの場合は、緩衝層やバリア膜は透明あるいは半透
明であることが好ましい。
り出しの場合は、緩衝層やバリア膜は透明あるいは半透
明であることが好ましい。
【0077】発光光を対向電極側から取り出す、光上取
り出しの場合は、緩衝層やバリア膜は透明あるいは半透
明であることが好ましい。
り出しの場合は、緩衝層やバリア膜は透明あるいは半透
明であることが好ましい。
【0078】本実施の形態において、発光素子を形成す
る工程は、一度も大気中に取り出すことなく、真空中で
行われることが好ましい。これにより水分、酸素等が取
り込まれることなく、信頼性の高い発光素子が得ること
が可能になる。
る工程は、一度も大気中に取り出すことなく、真空中で
行われることが好ましい。これにより水分、酸素等が取
り込まれることなく、信頼性の高い発光素子が得ること
が可能になる。
【0079】例えば、バリア膜206は、SiOxに限
らず、AlON、Al2O3といった酸化物、窒化物から
なる無機膜、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜
であっても構わない。
らず、AlON、Al2O3といった酸化物、窒化物から
なる無機膜、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜
であっても構わない。
【0080】また、有機層と無機層の多層膜、または無
機膜の積層膜であっても構わない。
機膜の積層膜であっても構わない。
【0081】また、バリア膜206の形成方法も、上記
方法に限らないものとし、スパッタ、エレクトロンビー
ム蒸着、抵抗加熱蒸着、CVD、塗布型等、真空アーク
法、電子シャワー法、陽極酸化法などを用いればよい。
方法に限らないものとし、スパッタ、エレクトロンビー
ム蒸着、抵抗加熱蒸着、CVD、塗布型等、真空アーク
法、電子シャワー法、陽極酸化法などを用いればよい。
【0082】
【表1】
【0083】表1に、本実施の形態における耐久テスト
結果を示す。
結果を示す。
【0084】また、ガラスキャップ等を被うことによ
り、さらにバリア性を向上するこが出来る。
り、さらにバリア性を向上するこが出来る。
【0085】本実施の形態2においては、基板上に形成
された積層構造体上に、SiOx膜、緩衝層205を形
成することにより、前記積層構造体の表面凹凸が低減
し、その上に形成されるバリア膜のクラックを防止する
ことができる。また、バリア膜が積層構造体にあたえる
応力及びその他外的要因によって引き起こされる応力が
積層構造体に与える影響を低減すること可能になり、対
向電極の剥がれなどといった素子破壊を防止することが
出来る。また、緩衝層205が導電性を有することによ
り対向電極の補助電極としての効果の他、素子の静電破
壊を防止出来ると言った効果もある。
された積層構造体上に、SiOx膜、緩衝層205を形
成することにより、前記積層構造体の表面凹凸が低減
し、その上に形成されるバリア膜のクラックを防止する
ことができる。また、バリア膜が積層構造体にあたえる
応力及びその他外的要因によって引き起こされる応力が
積層構造体に与える影響を低減すること可能になり、対
向電極の剥がれなどといった素子破壊を防止することが
出来る。また、緩衝層205が導電性を有することによ
り対向電極の補助電極としての効果の他、素子の静電破
壊を防止出来ると言った効果もある。
【0086】これより、薄型、軽量、高寿命、かつ信頼
性の高い発光素子、表示装置及び照明装置を得ることが
出来る。
性の高い発光素子、表示装置及び照明装置を得ることが
出来る。
【0087】
【発明の効果】本発明によれば、基板上に少なくとも電
極、有機発光層、対向電極を形成した積層構造体上に有
機化合物からなる緩衝層を形成することにより、積層構
造体上に直接バリア膜を形成することが可能になり、吸
湿による有機EL素子劣化や、膜応力によるバリア膜ク
ラック、及び発光素子劣化のない信頼性の高い有機EL
素子及びそれを用いた表示装置、照明装置を実現するこ
とを目的とする。
極、有機発光層、対向電極を形成した積層構造体上に有
機化合物からなる緩衝層を形成することにより、積層構
造体上に直接バリア膜を形成することが可能になり、吸
湿による有機EL素子劣化や、膜応力によるバリア膜ク
ラック、及び発光素子劣化のない信頼性の高い有機EL
素子及びそれを用いた表示装置、照明装置を実現するこ
とを目的とする。
【0088】また、従来、水分の侵入を防止するべく有
機EL発光素子に被せられてきたガラスやアルミからな
るキャップ52を設ける必要がなくなり、発光素子の小
型化が可能となり、かつ発光光の外部への射出割合の低
下をなくすことができる。
機EL発光素子に被せられてきたガラスやアルミからな
るキャップ52を設ける必要がなくなり、発光素子の小
型化が可能となり、かつ発光光の外部への射出割合の低
下をなくすことができる。
【0089】これより、薄型、軽量、高寿命、かつ信頼
性の高い発光素子、表示装置及び照明装置を得ることが
出来る。
性の高い発光素子、表示装置及び照明装置を得ることが
出来る。
【0090】また、緩衝層105が導電性を有すること
により対向電極の補助電極としての効果の他、例えば、
バリア膜成膜時のダメージを防止するなど、EL素子の
静電破壊を防止か可能となり、歩留まりが向上出来ると
言った効果もある。
により対向電極の補助電極としての効果の他、例えば、
バリア膜成膜時のダメージを防止するなど、EL素子の
静電破壊を防止か可能となり、歩留まりが向上出来ると
言った効果もある。
【0091】また、対向電極204と緩衝層205との
間にSiOx膜を形成することにより、対向電極204
と緩衝層205の密着性が向上するといった効果があ
る。
間にSiOx膜を形成することにより、対向電極204
と緩衝層205の密着性が向上するといった効果があ
る。
【0092】これより、各膜応力による各膜界面の剥が
れが発生しない信頼性の高い有機EL素子及びそれを用
いた表示装置、照明装置を実現することを目的とする。
れが発生しない信頼性の高い有機EL素子及びそれを用
いた表示装置、照明装置を実現することを目的とする。
【図1】本発明の実施の形態1における発光素子の断面
図
図
【図2】本発明の実施の形態2における発光素子の断面
図
図
【図3】従来の一般的な有機EL発光素子を示す断面図
【図4】従来の一般的な有機EL発光素子を示す断面図
101 基板
102 電極
103 発光領域
104 対向電極
105 緩衝層
106 バリア膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Fターム(参考) 3K007 AB11 AB15 AB18 BA06 BB07
CB01 CB02 CC01 DA01 DB03
EB00 FA01 FA02
5C094 AA15 AA31 AA36 AA42 AA43
BA03 BA27 CA19 DA07 DA09
DA13 EA04 EA05 EA06 EA07
EA10 FA01 FA02 FA04 FB01
FB02 FB12 FB15 FB20 GB10
JA05 JA08 JA20
5G435 AA14 AA17 AA18 BB05 CC09
GG32 GG42 HH01 HH12 HH20
KK05
Claims (15)
- 【請求項1】 基板上に形成された電極と、有機発光層
と対向電極と、を備えた発光素子であって、前記対向電
極上に形成された緩衝層と、前記緩衝層上に少なくとも
1層以上のバリア膜とが形成されていることを特徴とす
る発光素子。 - 【請求項2】 緩衝層は、有機物を有することを特徴と
する請求項1記載の発光素子。 - 【請求項3】 緩衝層は、0.3μm以上5μm以下の
膜厚であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発
光素子。 - 【請求項4】 緩衝層は、基板上に形成された積層体構
造の凹凸の2倍以上の膜厚であることを特徴とする請求
項1から3のいずれか1項に記載の発光素子。 - 【請求項5】 緩衝層は、積層構造体を覆い、前記積層
構造体の表面の凹凸を0.5μm以下にしていることを
特徴とする請求項4に記載の発光素子。 - 【請求項6】 緩衝層は導電性を有し、体積抵抗値が1
012Ω・cm以下であることを特徴とする請求項1から
5のいずれか1項に記載の発光素子。 - 【請求項7】 バリア膜は、酸化膜、窒化膜、金属薄
膜、及びダイヤモンドライクカーボン膜を少なくとも1
種以上含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか
1項に記載の発光素子。 - 【請求項8】 緩衝層は、酸化膜を有することを特徴と
する請求項1から7のいずれか1項に記載の発光素子。 - 【請求項9】 酸化膜はSiOxからなることを特徴と
する請求項8記載の発光素子。 - 【請求項10】 SiOx層は、15nm以上1000
nm以下の膜厚であることを特徴とする請求項8又は9
に記載の発光素子。 - 【請求項11】 請求項1から10の何れかに記載の発
光素子を用いた表示装置。 - 【請求項12】 請求項1から10のいずれかに記載の
発光素子を用いた照明装置。 - 【請求項13】 基板上に電極を形成する工程と、前記
電極上に有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層
上に対向電極を形成する工程からなる発光素子の製造方
法であって、少なくとも前記対向電極の表面に緩衝層を
形成する工程と、前記緩衝層上に少なくとも1層以上の
バリア膜を形成する工程とを有することを特徴とする発
光素子の製造方法。 - 【請求項14】 一度も大気中に取り出すことなく、真
空中で連続して行われることを特徴とする請求項13記
載の発光素子の製造方法。 - 【請求項15】 対向電極上に緩衝層を形成する工程
と、前記緩衝層上に少なくとも1層以上のバリア膜を形
成する工程とは、100℃以下の温度条件下で行われる
ことを特徴とする請求項13記載の発光素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001271307A JP2003086357A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | 発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001271307A JP2003086357A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | 発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003086357A true JP2003086357A (ja) | 2003-03-20 |
Family
ID=19096833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001271307A Pending JP2003086357A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | 発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003086357A (ja) |
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-
2001
- 2001-09-07 JP JP2001271307A patent/JP2003086357A/ja active Pending
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