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JP2003074800A - Fluid controller, heat treatment device and fluid control method - Google Patents

Fluid controller, heat treatment device and fluid control method

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JP2003074800A
JP2003074800A JP2001261047A JP2001261047A JP2003074800A JP 2003074800 A JP2003074800 A JP 2003074800A JP 2001261047 A JP2001261047 A JP 2001261047A JP 2001261047 A JP2001261047 A JP 2001261047A JP 2003074800 A JP2003074800 A JP 2003074800A
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JP
Japan
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fluid
line
gas
flow rate
pressure control
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Japanese (ja)
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Yasuyuki Okabe
庸之 岡部
Nariyuki Okura
成幸 大倉
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a cost by commonly using a plurality of gas lines, to implement compactness by reducing the number of the gas lines, and to facilitate expansion of gas kinds. SOLUTION: In this fluid controller 11, the single-system fluid supply line 13 is provided with a flow controller 13g, a pressure control system area 14 is provided on the upstream side of the flow controller 13g, the single-system line 13 of the pressure control system area 14 is connected with a plurality of fluid supply sources A, B, C, and a nearly L-shaped extension line 15 extended on this side in a view from the front of the single-system line 13 of the pressure control system area 14 is provided to coaxially configure the single-system line 13. The extension line 15 is formed with a plurality of fluid supply ports 16a, 16b, 16c connected to the fluid supply sources A, B, C.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造用等の
流体制御装置及び熱処理装置と流体制御方法に関し、特
に、互いに合流することなく、また同時使用することな
く、しかも流量レンジが近いことを前提条件に、異なる
種類のガスを1系統にて供給制御して共有化することに
より、コンパクト化とコストダウン等を可能とした流体
制御装置及び熱処理装置と流体制御方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fluid control apparatus and a heat treatment apparatus and a fluid control method for semiconductor manufacturing, etc. The present invention relates to a fluid control apparatus, a heat treatment apparatus, and a fluid control method that enable downsizing and cost reduction, etc. by controlling and sharing different types of gas in one system as prerequisites.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程には、多種類のガスを経
時的に切替えて使用したり、又は、同一種類のガスを異
なる流量で使用することが多い。この半導体製造工程の
うち、例えば、成膜工程では、複数種のガスの組合せに
より半導体ウェハ上に成膜が実施される。この場合、1
種類のガスに対して、1系統のガス制御ラインを設けて
いるので、結果的に複数系統のガスラインを必要として
いる。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, it is often the case that many kinds of gases are used by switching over time, or the same kind of gas is used at different flow rates. In the semiconductor manufacturing process, for example, in the film forming process, film formation is performed on a semiconductor wafer by combining a plurality of kinds of gases. In this case, 1
Since one type of gas control line is provided for each type of gas, a plurality of types of gas lines are eventually required.

【0003】図10は、半導体製造用の反応処理炉内へ
複数系統のガスラインから各種のガスを供給する従来例
を示した概略回路図であり、同図において、a、b、
c、dのガスを供給するガス供給ラインとパージガスp
を導入するパージガスラインにより構成されている。
FIG. 10 is a schematic circuit diagram showing a conventional example in which various gases are supplied from a plurality of gas lines into a reaction processing furnace for semiconductor manufacturing. In FIG. 10, a, b, and
Gas supply line for supplying gases c and d and purge gas p
It is composed of a purge gas line for introducing.

【0004】また、このガス供給ラインa、b、c、d
には、マスフローコントローラ等の流量制御器1の上流
側に、切換弁2、フィルタ3、圧力調整器4、圧力セン
サ5等の圧力制御領域とコントロールバルブ2aがそれ
ぞれのラインに個別に設けられている。更に、パージラ
インpより分岐した分岐ラインp’が流量制御器1の一
次側に連結されている。
The gas supply lines a, b, c, d
, A pressure control area such as a switching valve 2, a filter 3, a pressure regulator 4, a pressure sensor 5 and a control valve 2a are individually provided in each line upstream of a flow rate controller 1 such as a mass flow controller. There is. Further, a branch line p ′ branched from the purge line p is connected to the primary side of the flow rate controller 1.

【0005】ところが、この従来例によると、1種類の
ガスに対して1系統のガス制御ラインのそれぞれの系統
毎に流量制御器を設けているため、多種ガスの供給を実
現しようとすると、多種類のガスラインとそれを収納す
る大型の筐体と多数の流量制御器が必要になり、その結
果、高価格化の要因となるばかりでなく、装置のフット
プリントの増大等の大きな問題点を有している。
However, according to this conventional example, since a flow rate controller is provided for each system of one system of gas control line for one type of gas, it is often attempted to supply various gases. This requires different types of gas lines, a large housing for accommodating the gas lines, and a large number of flow rate controllers, and as a result, not only becomes a factor of cost increase, but also causes major problems such as an increase in equipment footprint. Have

【0006】そこで、供給ガスの系統毎に流量制御器を
設けて流量制御を行なうと、ガス供給装置の小型化と低
コスト化を図ることができないという上記の問題点を解
決するため、特開2000−323464号公報が提案
されている。即ち、同公報によると、図11の概略回路
図に示すように、a、b、c、dのガスを供給するガス
供給ラインとパージガスラインpを導入するパージガス
ラインにより構成され、ガス供給ラインa、b、cに
は、共有化したマスフローコントローラ等の流量制御器
6が設けられ、それぞれのラインには、切換弁7、フィ
ルタ8、圧力調整器10、圧力センサ9等の圧力制御部
が設けられ、またガス供給ラインdには、流量制御器6
等が設けられ、更には、パージガスラインpの分岐ライ
ンp’が流量制御器6の一次側に連結されている。
Therefore, in order to solve the above-mentioned problem that it is impossible to reduce the size and cost of the gas supply device if a flow rate controller is provided for each supply gas system to control the flow rate, No. 2000-323464 has been proposed. That is, according to the publication, as shown in the schematic circuit diagram of FIG. 11, the gas supply line a is constituted by a gas supply line for supplying gas a, b, c, d and a purge gas line for introducing a purge gas line p. , B, c are provided with a flow rate controller 6 such as a shared mass flow controller, and each line is provided with a pressure control section such as a switching valve 7, a filter 8, a pressure regulator 10, a pressure sensor 9 and the like. The gas supply line d is connected to the flow rate controller 6
Etc., and the branch line p ′ of the purge gas line p is connected to the primary side of the flow rate controller 6.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報の構成によると、ガス供給ラインa、b、cには、1
つの流量制御器6を設けることによって、流量制御器6
を共有化しているため、それだけコストダウンを図るこ
とができると共に、共有化分の小型化に対応することが
できるが、流量制御器6の上流側に配設した切換弁7、
フィルタ8、圧力調整器10、圧力センサ9等の圧力制
御系領域を、個別のガス供給ラインa、b、cにそれぞ
れ配設しているので、ガス供給装置のコンパクト化の要
請には、依然として不十分である等の課題を有してい
る。
However, according to the configuration of the above publication, the gas supply lines a, b and c have one
By providing two flow rate controllers 6,
Since it is shared, it is possible to reduce the cost accordingly, and it is possible to cope with the miniaturization of the shared portion. However, the switching valve 7 disposed on the upstream side of the flow rate controller 6,
Since the pressure control system areas such as the filter 8, the pressure regulator 10, the pressure sensor 9 and the like are respectively arranged in the individual gas supply lines a, b and c, there is still a demand for downsizing the gas supply device. There are issues such as inadequacy.

【0008】本発明は、上記の課題点を解決するために
鋭意研究の結果、開発に至ったものであり、その目的と
するところは、複数のガスラインを共有化することによ
って大幅なコストダウンを図り、ガスラインの数を縮小
することによってコンパクト化を可能とすると共に、ガ
ス種の増設も容易にすることにある。
The present invention has been developed as a result of intensive research in order to solve the above problems. The object of the present invention is to significantly reduce costs by sharing a plurality of gas lines. The purpose is to reduce the number of gas lines to enable compactness and to easily add gas types.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項1に係る発明は、1系統の流体供給ラインに
流量制御器を設け、この流量制御器の上流側に圧力制御
系領域を設け、この圧力制御系領域の1系統ラインに複
数の流体供給源を接続するようにした流体制御装置であ
る。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is to provide a flow rate controller on one fluid supply line, and to arrange a pressure control system region on the upstream side of the flow rate controller. And a plurality of fluid supply sources are connected to one system line in this pressure control system area.

【0010】請求項2に係る発明において、流量制御器
は、マスフローコントローラ又は圧力式流量制御器であ
り、また、請求項3に係る発明において、圧力制御系領
域は、切換弁、フィルタ、圧力調整器、圧力センサ等よ
り成る流体制御装置である。
In the invention according to claim 2, the flow rate controller is a mass flow controller or a pressure type flow rate controller, and in the invention according to claim 3, the pressure control system area includes a switching valve, a filter, and a pressure adjusting device. It is a fluid control device including a container, a pressure sensor and the like.

【0011】請求項4に係る発明は、圧力制御系領域の
1系統ラインを正面から見て手前側に略L字形に延設し
た延設ラインを設けて1系統ラインを同軸上に構成し、
この延設ラインには、流体供給源を接続する複数個の流
体供給口を設けた流体制御装置である。
In the invention according to claim 4, an extension line extending substantially L-shaped is provided on the front side of the one-system line in the pressure control system region as viewed from the front, and the one-system line is coaxially constructed.
The extension line is a fluid control device provided with a plurality of fluid supply ports for connecting a fluid supply source.

【0012】請求項5に係る発明は、それぞれの流体供
給口に三方弁を設け、この三方弁の一つの接続口を流体
供給源に接続し、他の一対の接続口同志を連結すると共
に、最前端の接続口にパージ用流体ラインを接続した流
体制御装置である。
According to a fifth aspect of the present invention, each fluid supply port is provided with a three-way valve, one connection port of the three-way valve is connected to a fluid supply source, and another pair of connection ports are connected to each other. In the fluid control device, a purging fluid line is connected to the connection port at the front end.

【0013】請求項6に係る発明において、1系統の流
体供給ラインに設けた流量制御器、圧力制御系領域或は
三方弁は、それぞれ集積構造ユニットである。
In the invention according to claim 6, the flow rate controller, the pressure control system region or the three-way valve provided in one fluid supply line are integrated units.

【0014】請求項7に係る発明は、1系統で異種ガス
を処理反応炉内へ供給するためのガス供給ラインに流量
制御器を設け、この流量制御器の上流側に圧力制御領域
を設けると共に、この圧力制御領域の1系統ラインに複
数のガス供給源を接続する流体制御装置を備えた熱処理
装置である。
According to a seventh aspect of the present invention, a flow rate controller is provided in a gas supply line for supplying different kinds of gas into the processing reactor in one system, and a pressure control region is provided upstream of the flow rate controller. The heat treatment apparatus is provided with a fluid control device that connects a plurality of gas supply sources to one system line in the pressure control region.

【0015】請求項8に係る発明は、1系統の流体供給
ラインに設けた複数個の流体供給口より異種流体を切換
制御しながら供給し、この供給流体を1系統に設けた圧
力制御領域から流量制御器に供給するようにした流体制
御方法である。
According to an eighth aspect of the present invention, different kinds of fluids are supplied while being switching-controlled from a plurality of fluid supply ports provided in one fluid supply line, and this supply fluid is supplied from a pressure control region provided in one system. This is a fluid control method for supplying to a flow rate controller.

【0016】請求項9に係る発明は、1系統の流体供給
ラインの最前端よりパージ流体を供給するようにした流
体制御方法である。
The invention according to claim 9 is a fluid control method, wherein the purge fluid is supplied from the front end of one fluid supply line.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】本発明における流体制御装置の好
ましい実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本
発明における流体制御装置の一例を示した概略回路図で
ある。同図において、11は流体制御装置であり、この
装置11は、所定のピッチ間隔で、ガス供給ラインが同
軸上に並列されている。図1のシステムにおいて、12
は、左側の縦列より、N等の置換ガスPを供給するた
めのパージガスライン(パージ用流体ライン)であり、
このパージガスライン12には、ガス供給口(流体供給
口)12a、手動バルブ12b、フィルタ12c、圧力
調整器(レギュレータ)12d、圧力センサ12e、制
御バルブ12f、流量制御器12g、フィルタ12hが
設けられている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A preferred embodiment of a fluid control device according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic circuit diagram showing an example of a fluid control device according to the present invention. In the figure, reference numeral 11 denotes a fluid control device. In this device 11, gas supply lines are coaxially arranged in parallel at a predetermined pitch interval. In the system of FIG. 1, 12
Is a purge gas line (purging fluid line) for supplying the replacement gas P such as N 2 from the left column,
The purge gas line 12 is provided with a gas supply port (fluid supply port) 12a, a manual valve 12b, a filter 12c, a pressure regulator (regulator) 12d, a pressure sensor 12e, a control valve 12f, a flow rate controller 12g, and a filter 12h. ing.

【0018】次に、図1〜図5は、異種類のガス(例え
ば、H,O、N、SiHなど)を1系統のライ
ンに供給するガス供給ライン(流体供給ライン)13を
示したものである。このガス供給ライン13には、流量
制御器13gと、この流量制御器13gの上流側に圧力
制御系領域14を設けている。この圧力制御系領域14
には、手動バルブ13b、フィルタ13c、圧力調整器
13d、圧力センサ13e、制御バルブ13f、フィル
タ13h、制御バルブ13iが設けられている。
Next, FIGS. 1 to 5 show a gas supply line (fluid supply line) 13 for supplying different kinds of gases (for example, H 2 , O 2 , N 2 , SiH 4 etc.) to one line. Is shown. The gas supply line 13 is provided with a flow rate controller 13g and a pressure control system region 14 on the upstream side of the flow rate controller 13g. This pressure control system area 14
A manual valve 13b, a filter 13c, a pressure regulator 13d, a pressure sensor 13e, a control valve 13f, a filter 13h, and a control valve 13i are provided in the.

【0019】また、このガス供給ライン13の下端側に
は、複数のガス供給源(流体供給源)A、B、Cを接続
するようにしている。特に、図2に示すように、ガス供
給ライン13の下端部には、正面から見て手前側に略L
字形に延設して延設ライン15を設けており、この延設
ライン15とガス供給ライン13とは正面から見て同軸
上に設けられている。そして、この延設ライン15に
は、ガス供給源A、B、Cを接続するガス供給口(流体
供給口)16a、16b、16cが設けられている。
Further, a plurality of gas supply sources (fluid supply sources) A, B and C are connected to the lower end side of the gas supply line 13. In particular, as shown in FIG. 2, the lower end portion of the gas supply line 13 is substantially L toward the front side when viewed from the front.
An extension line 15 is provided extending in a letter shape, and the extension line 15 and the gas supply line 13 are provided coaxially when viewed from the front. The extension line 15 is provided with gas supply ports (fluid supply ports) 16a, 16b, 16c for connecting the gas supply sources A, B, C.

【0020】更に、このガス供給口16a、16b、1
6cには、アクチュエータ付きの三方弁17、18、1
9が設けられており、この三方弁17、18、19の一
つのポートをガス供給源A、B、Cの接続口17a、1
8a、19aとし、他の一対の接続ポート(接続口)1
7b、17cと18b、18cと19b、19c同志を
それぞれ連結するようにしている。更に、最前端の接続
ポート17bにパージガスライン12を接続しており、
具体的には、図2及び図4に示すように、接続ポート1
7bにアクチュエータ付きの二方弁20を設け、この二
方弁20には、チェックバルブ21を介してパージガス
Pのライン22に接続している。この三方弁17、1
8、19における一対の接続ポート17b、17c等
は、常時連通しており、接続口17a、18a、19a
のみが、アクチュエータによって作動するダイアフラム
によって自動開閉するように構成されている。
Further, the gas supply ports 16a, 16b, 1
6c includes three-way valves 17, 18 and 1 with actuators
9 is provided, and one port of the three-way valves 17, 18, 19 is connected to the connection ports 17a, 1 of the gas supply sources A, B, C.
8a and 19a, and another pair of connection ports (connection ports) 1
7b, 17c and 18b, 18c and 19b, 19c are connected to each other. Furthermore, the purge gas line 12 is connected to the connection port 17b at the front end,
Specifically, as shown in FIGS. 2 and 4, the connection port 1
7b is provided with a two-way valve 20 with an actuator, and this two-way valve 20 is connected to a line 22 of the purge gas P via a check valve 21. This three-way valve 17,1
The pair of connection ports 17b, 17c and the like in 8 and 19 are always in communication, and the connection ports 17a, 18a, 19a
Only are configured to automatically open and close with a diaphragm actuated by an actuator.

【0021】また、図1において、右側の縦列に、ガス
供給源Dを供給するガス供給ライン23を設けており、
このガス供給ライン23にも、同様に、ガス供給口23
a、手動バルブ23b、フィルタ23c、圧力調整器2
3d、圧力センサ23e、コントロールバルブ23f、
流量制御器23g等が設けられている。
Further, in FIG. 1, a gas supply line 23 for supplying a gas supply source D is provided in the right column.
Similarly to this gas supply line 23, the gas supply port 23
a, manual valve 23b, filter 23c, pressure regulator 2
3d, pressure sensor 23e, control valve 23f,
A flow controller 23g and the like are provided.

【0022】また、図1及び図4において、パージガス
ライン12には、分岐ライン24が設けられ、この分岐
ライン24を前述したように、二方弁20を介して三方
弁17の接続ポート17bに接続している。一方、同種
のガスを複数回に亘って供給する場合は、圧力制御領域
14を置換してパージする必要がないので、流量制御器
13gの一次側に連結した分岐ライン25に自動的に切
換制御してパージガスを供給することも可能である。な
お、この分岐ライン25にもコントロール弁25aとチ
ェックバルブ25bとが設けられている。
Further, in FIGS. 1 and 4, the purge gas line 12 is provided with a branch line 24, and the branch line 24 is connected to the connection port 17b of the three-way valve 17 via the two-way valve 20 as described above. Connected. On the other hand, when the same type of gas is supplied a plurality of times, it is not necessary to replace the pressure control region 14 and purge it. Therefore, the switching control is automatically performed to the branch line 25 connected to the primary side of the flow rate controller 13g. It is also possible to supply the purge gas. The branch line 25 is also provided with a control valve 25a and a check valve 25b.

【0023】上述の流体制御装置11に縦配列に設けら
れたパージガスライン12、ガス供給ライン13並びに
ガス供給ライン23は、処理反応炉32内に多種のガス
を導入するように構成されている。この場合、図1にお
いて、流体制御装置11に配列したガスラインは、図1
0及び図11のガス供給システム11の領域と比較して
領域X分だけ縮小することができ、コンパクト化を図る
ことができる。
The purge gas line 12, the gas supply line 13 and the gas supply line 23 provided in the fluid control device 11 in a vertical arrangement are configured to introduce various gases into the process reaction furnace 32. In this case, the gas line arranged in the fluid control device 11 in FIG.
0 and the area of the gas supply system 11 of FIG. 11 can be reduced by the area X, and the size can be reduced.

【0024】更に、本例においては、ガス供給ライン1
3、パージガスライン12並びにガス供給ライン23に
設けられた流量制御器13g、12g、23g、圧力制
御系領域14等に設けられた手動バルブ12b、13
b、23b、フィルタ12c、13c、23c、圧力調
整器12d、13d、23d並びに三方弁17、18、
19や二方弁20等は、それぞれ公知の集積構造ユニッ
トにより構成されている。この集積構造ユニット26
は、それぞれ基材27、28に基体ブロック26aを固
定し、この基体ブロック26aの上面にアクチュエータ
等を有する弁部ブロック26bを搭載して密封固着する
ことによって構成されている。
Further, in this example, the gas supply line 1
3, flow rate controllers 13g, 12g, 23g provided in the purge gas line 12 and the gas supply line 23, and manual valves 12b, 13 provided in the pressure control system region 14 and the like.
b, 23b, filters 12c, 13c, 23c, pressure regulators 12d, 13d, 23d and three-way valves 17, 18,
19, the two-way valve 20, and the like are each configured by a known integrated structure unit. This integrated structure unit 26
Is formed by fixing the base block 26a to the bases 27 and 28, respectively, and mounting the valve block 26b having an actuator or the like on the upper surface of the base block 26a and sealingly fixing it.

【0025】次に、上記実施形態の作用を説明する。例
えば、成膜工程等のように半導体製造工程には、各種の
複数種類のガス(例えば、H,O、SiH、N
等)を処理反応炉32内へ供給することが行なわれてい
る。この場合、供給ガスが互いに合流可能で、同時使用
ではなく経時的使用であり、しかも、流量レンジが近い
という前提条件において、異なる種類のガスを1ライン
で兼用することを可能とした。
Next, the operation of the above embodiment will be described. For example, in a semiconductor manufacturing process such as a film forming process, various plural kinds of gases (for example, H 2 , O 2 , SiH 4 , and N 2 are used).
Etc.) are supplied into the process reaction furnace 32. In this case, it is possible to use different types of gas in one line under the precondition that the supply gases can join each other and are used over time instead of simultaneously, and the flow rate range is close.

【0026】まず、図2及び図3において、供給ガスB
を導入する場合は、二方弁20を閉止した状態で三方弁
18を開放すると、供給ガスBは、延設ライン15より
ガス供給ライン13の圧力制御領域14によって所定の
圧力に制御され、更に、流量制御器13により所定の流
量に制御されて処理反応炉32内へ供給される。
First, referring to FIGS. 2 and 3, the supply gas B
When the three-way valve 18 is opened while the two-way valve 20 is closed, the supply gas B is controlled to a predetermined pressure by the pressure control region 14 of the gas supply line 13 from the extension line 15, and The flow rate is controlled to a predetermined flow rate by the flow rate controller 13 and supplied into the process reaction furnace 32.

【0027】次いで、異種ガスを供給するために、供給
ラインを置換ガスPによってパージする場合、図4及び
図5に示すように、三方弁17、18、19を閉止し
て、二方弁20を開放すると、パージガスPが供給され
て、延設ライン15よりガス供給ライン13を押し出す
ように通過して全体の流路内がパージされ、パージガス
Pが供給されないデット領域がなく使用ガスが残留する
おそれがない。そして、他の異種ガスを供給するには、
上述の使用を繰り返すことによって実行することが可能
となる。
Next, when purging the supply line with the replacement gas P in order to supply a different gas, as shown in FIGS. 4 and 5, the three-way valves 17, 18, 19 are closed and the two-way valve 20 is closed. Is opened, the purge gas P is supplied, the gas supply line 13 is pushed out from the extension line 15 to purge the entire flow path, and there is no dead region where the purge gas P is not supplied and the used gas remains. There is no fear. And to supply other different gases,
It becomes possible to carry out by repeating the above-mentioned use.

【0028】図6〜図9は、流体制御装置の他例を示し
たもので、上記の例と同一部分は同一符号を用いて説明
を省略する。本例は、1系統のガス供給ライン13に、
マスフローコントローラ等の流量制御器13gを設け、
この流量制御器13gの上流側に圧力制御領域14を設
け、この圧力制御領域14の1系統ラインに複数のガス
供給源29a、29b、29cとパージガス供給源29
dを設けたものである。
FIGS. 6 to 9 show another example of the fluid control system. The same parts as those in the above example are designated by the same reference numerals and their description is omitted. In this example, one system of gas supply line 13
Provide a flow rate controller 13g such as a mass flow controller,
A pressure control region 14 is provided on the upstream side of the flow rate controller 13g, and a plurality of gas supply sources 29a, 29b, 29c and a purge gas supply source 29 are provided in one system line of the pressure control region 14.
d is provided.

【0029】この例によると、ガス供給源を設ける延設
ライン30を横展開状態に配列しており、延設ライン3
0の最上流にパージガス供給ライン31を設けている。
この場合、図6と図7に示すように、供給ガスを供給す
ると、デット領域Vが生じ、使用ガスが残留する。この
場合、図8と図9に示すように、パージガスを供給する
と、デット領域Vに残留しているガスはパージすること
ができない。このように、異なる種類のガスを1系統に
して供給することができるというシステムとして上記の
例と同様であるが、前述の例と対比すると、ガス供給ラ
インに設けた延設ライン30は横展開であるから、ライ
ンの削減につながらないばかりでなく、使用ガスが残留
し、各部位にデット領域Vを生じるため、この例と比較
して前述の例は、要求する条件を確実に満足することが
でき、本発明の目的を確実に達成することができる。
According to this example, the extension line 30 for providing the gas supply source is arranged in a laterally expanded state, and the extension line 3
A purge gas supply line 31 is provided at the uppermost stream of 0.
In this case, as shown in FIGS. 6 and 7, when the supply gas is supplied, a dead region V is generated and the used gas remains. In this case, as shown in FIGS. 8 and 9, when the purge gas is supplied, the gas remaining in the dead zone V cannot be purged. As described above, a system capable of supplying different types of gas in one system is similar to the above example, but in comparison with the above example, the extension line 30 provided in the gas supply line is laterally expanded. Therefore, not only does it not lead to the reduction of lines, but also the used gas remains and a dead region V is generated in each part. Therefore, in comparison with this example, the above-mentioned example can surely satisfy the required condition. Therefore, the object of the present invention can be reliably achieved.

【0030】流量制御器12g、13g、23gは、マ
スフローコントローラを用いているが、これに限定され
ることなく圧力式流量制御器であっても良い。また、流
量制御器12g、13g、23gのうち、デジタルMF
C(マスフローコントローラ)を用いると、流量レンジ
の異なるガス種にも対応可能となる。このデジタルMF
Cは、流量制御特性曲線を基準ガスと基準流量に対応す
るものだけに固定し、かつ異なるガス種や異なる流量に
ついては、予かじめ基準ガスに対する変換係数を求めて
おき、ガス種や流量が変った場合には、その時の測定値
とこの変換係数とから基準ガス及び基準流量に対応する
近似的な制御値を演算し、この近似的な制御値に基づい
て異種ガスの流量制御を行なうようにし、多数の異種ガ
スに対応できると共に、広い流量レンジを採用すること
が可能となる。
Although mass flow controllers are used as the flow rate controllers 12g, 13g, and 23g, the flow rate controllers are not limited thereto, and pressure type flow rate controllers may be used. Also, of the flow rate controllers 12g, 13g, and 23g, the digital MF
If C (mass flow controller) is used, it becomes possible to cope with gas types having different flow rate ranges. This digital MF
In C, the flow rate control characteristic curve is fixed only to those corresponding to the reference gas and the reference flow rate, and for different gas species and different flow rates, the conversion coefficient for the pre-crimp reference gas is obtained, and the gas species and flow rate are If it changes, an approximate control value corresponding to the reference gas and the reference flow rate is calculated from the measured value at this time and this conversion coefficient, and the flow rate control of the different gas is performed based on this approximate control value. In addition, it is possible to handle a large number of different gases and to adopt a wide flow rate range.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上のことから明らかなように、請求項
1と請求項7に係る発明によると、1系統の流体(ガ
ス)供給ラインに、流量制御系領域と圧力制御系領域を
設けて全てを共有化しているために、大幅なコストダウ
ンを達成できると共に、ライン数を極力少なくすること
によってコンパクト化に寄与することができ、更には、
流体(ガス)種の増設も極めて容易に行なうことができ
る等の効果を有する。
As is apparent from the above, according to the inventions of claims 1 and 7, the flow rate control system region and the pressure control system region are provided in one fluid (gas) supply line. Since all of them are shared, a significant cost reduction can be achieved, and it is possible to contribute to downsizing by reducing the number of lines as much as possible.
This has the effect that the number of fluid (gas) species can be increased extremely easily.

【0032】請求項2に係る発明によると、多くの流体
(ガス)種の変更や流体(ガス)流量の変更に対応する
ことができ、同一の流量制御器で高精度な流量制御を可
能とする。
According to the second aspect of the present invention, it is possible to deal with the change of many kinds of fluid (gas) and the change of the flow rate of fluid (gas), and it is possible to control the flow rate with high accuracy by the same flow rate controller. To do.

【0033】請求項3に係る発明によると、圧力制御系
領域も共有化することができるため、流体制御装置とし
てのコンパクト化とコストダウンに大いに寄与できる。
According to the third aspect of the invention, since the pressure control system region can be shared, the fluid control device can be made compact and the cost can be greatly reduced.

【0034】請求項4に係る発明によると、1系統ライ
ンが縦展開のラインであるため、流体(ガス)供給ライ
ンの削減を達成することが可能となり、ひいてはコンパ
クト化に寄与することができる。
According to the invention of claim 4, since one system line is a vertically developed line, it is possible to reduce the number of fluid (gas) supply lines, which in turn contributes to downsizing.

【0035】請求項5と請求項9に係る発明によると、
1系統ラインの全体を流体(ガス)置換することができ
ると共に、使用流体(ガス)の残留がなく、ライン内に
おいて流体(ガス)パージを確実に実行することができ
る。
According to the inventions of claims 5 and 9,
The entire one-system line can be replaced with a fluid (gas), and the fluid (gas) used does not remain, so that the fluid (gas) purge can be reliably executed in the line.

【0036】請求項6に係る発明によると、流体(ガ
ス)供給ラインをコンパクトに構成することができ、ま
た、コストダウンを図ることができると共に、メンテナ
ンスも容易となる等の集積構造ユニットとしてその効果
は大きい。
According to the invention of claim 6, the fluid (gas) supply line can be constructed compactly, the cost can be reduced, and the maintenance can be facilitated. The effect is great.

【0037】請求項7に係る発明によると、半導体製造
用等の熱処理装置において、連結プロセス並びに多種ガ
ス供給という要求と、一方、装置の低価格化並びに低フ
ットプリント化という要求を何れも満足させることがで
きる。
According to the seventh aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus for manufacturing semiconductors and the like, both the demand for the connection process and the supply of various gases and the demand for the low cost and the low footprint of the apparatus are satisfied. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明における流体制御装置の一例を示す概略
回路図である。
FIG. 1 is a schematic circuit diagram showing an example of a fluid control device according to the present invention.

【図2】図1の圧力制御領域を示した拡大側面図であ
る。
FIG. 2 is an enlarged side view showing a pressure control area of FIG.

【図3】図2の正面図である。FIG. 3 is a front view of FIG.

【図4】図2における供給ラインのパージガス実行時の
一例を示した側面図である。
FIG. 4 is a side view showing an example of execution of purge gas in the supply line in FIG.

【図5】図4の正面図である。FIG. 5 is a front view of FIG.

【図6】図2の圧力制御領域の他例を示した正面図であ
る。
FIG. 6 is a front view showing another example of the pressure control region of FIG.

【図7】図6のイ−イ線断面図である。7 is a cross-sectional view taken along the line EE of FIG.

【図8】図5のパージガス実行時の他例を示した正面図
である。
FIG. 8 is a front view showing another example when the purge gas of FIG. 5 is executed.

【図9】図8のロ−ロ線断面図である。9 is a cross-sectional view taken along the line ROLL of FIG.

【図10】従来例におけるガス供給装置の一例を示す概
略回路図である。
FIG. 10 is a schematic circuit diagram showing an example of a gas supply device in a conventional example.

【図11】従来例の更に他例を示す概略回路図である。FIG. 11 is a schematic circuit diagram showing still another example of the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 流体制御装置 12 パージ用流体ライン(パージガスライン) 13 流体供給ライン(ガス供給ライン) 13g 流量制御器 14 圧力制御領域 15 延設ライン 16a、16b、16c 流体供給口(ガス供給口) 32 処理反応炉 A、B、C 流体供給源(ガス供給源) 11 Fluid control device 12 Purge fluid line (purge gas line) 13 Fluid supply line (gas supply line) 13g flow controller 14 Pressure control area 15 extension line 16a, 16b, 16c Fluid supply port (gas supply port) 32 treatment reactor A, B, C Fluid supply source (gas supply source)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3J071 AA02 BB14 BB15 CC01 DD27 DD36 EE02 EE24 FF11 5F045 BB08 EC07 EE04    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 3J071 AA02 BB14 BB15 CC01 DD27                       DD36 EE02 EE24 FF11                 5F045 BB08 EC07 EE04

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 1系統の流体供給ラインに流量制御器を
設け、この流量制御器の上流側に圧力制御系領域を設
け、この圧力制御系領域の1系統ラインに複数の流体供
給源を接続するようにしたことを特徴とする流体制御装
置。
1. A flow controller is provided in one fluid supply line, a pressure control system region is provided upstream of the flow controller, and a plurality of fluid supply sources are connected to one system line in this pressure control system region. A fluid control device characterized in that.
【請求項2】 前記流量制御器は、マスフローコントロ
ーラ又は圧力式流量制御器である請求項1に記載の流体
制御装置。
2. The fluid control device according to claim 1, wherein the flow rate controller is a mass flow controller or a pressure type flow rate controller.
【請求項3】 前記圧力制御系領域は、切換弁、フィル
タ、圧力調整器、圧力センサ等より成る請求項1及び2
に記載の流体制御装置。
3. The pressure control system area comprises a switching valve, a filter, a pressure regulator, a pressure sensor and the like.
The fluid control device according to.
【請求項4】 前記圧力制御系領域の1系統ラインを正
面から見て手前側に略L字形に延設した延設ラインを設
けて1系統ラインを同軸上に構成し、この延設ラインに
は、流体供給源を接続する複数個の流体供給口を設けた
請求項1に記載の流体制御装置。
4. An extension line extending substantially L-shaped is provided on the front side of the one-system line in the pressure control system area when viewed from the front, and the one-system line is coaxially configured. The fluid control device according to claim 1, further comprising a plurality of fluid supply ports that connect the fluid supply sources.
【請求項5】 請求項4におけるそれぞれの流体供給口
に三方弁を設け、この三方弁の一つの接続口を流体供給
源に接続し、他の一対の接続口同志を連結すると共に、
最前端の接続口にパージ用流体ラインを接続した流体制
御装置。
5. A three-way valve is provided at each fluid supply port in claim 4, one connection port of this three-way valve is connected to a fluid supply source, and another pair of connection ports are connected to each other.
A fluid control device with a purging fluid line connected to the frontmost connection port.
【請求項6】 1系統の流体供給ラインに設けた前記流
量制御器、圧力制御系領域或は三方弁は、それぞれ集積
構造ユニットである請求項1乃至5の何れか1項に記載
の流体制御装置。
6. The fluid control according to claim 1, wherein each of the flow rate controller, the pressure control system region, and the three-way valve provided in one fluid supply line is an integrated structure unit. apparatus.
【請求項7】 1系統で異種ガスを処理反応炉内へ供給
するためのガス供給ラインに流量制御器を設け、この流
量制御器の上流側に圧力制御領域を設けると共に、この
圧力制御領域の1系統ラインに複数のガス供給源を接続
する流体制御装置を備えたことを特徴とする熱処理装
置。
7. A flow rate controller is provided in a gas supply line for supplying different kinds of gas into the processing reactor in one system, and a pressure control area is provided upstream of the flow rate controller, and a pressure control area of this pressure control area is provided. A heat treatment apparatus comprising a fluid control device for connecting a plurality of gas supply sources to one system line.
【請求項8】 1系統の流体供給ラインに設けた複数個
の流体供給口より異種流体を切換制御しながら供給し、
この供給流体を1系統に設けた圧力制御領域から流量制
御器に供給するようにしたことを特徴とする流体制御方
法。
8. A heterogeneous fluid is switched and supplied from a plurality of fluid supply ports provided in one fluid supply line,
A fluid control method characterized in that the supply fluid is supplied to a flow rate controller from a pressure control region provided in one system.
【請求項9】 1系統の流体供給ラインの最前端よりパ
ージ流体を供給するようにした請求項8に記載の流体制
御方法。
9. The fluid control method according to claim 8, wherein the purge fluid is supplied from the front end of one fluid supply line.
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