Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2002335019A - 発光装置 - Google Patents

発光装置

Info

Publication number
JP2002335019A
JP2002335019A JP2001109709A JP2001109709A JP2002335019A JP 2002335019 A JP2002335019 A JP 2002335019A JP 2001109709 A JP2001109709 A JP 2001109709A JP 2001109709 A JP2001109709 A JP 2001109709A JP 2002335019 A JP2002335019 A JP 2002335019A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
substrate
light
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001109709A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3783572B2 (ja
Inventor
Koji Nakano
公司 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2001109709A priority Critical patent/JP3783572B2/ja
Publication of JP2002335019A publication Critical patent/JP2002335019A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3783572B2 publication Critical patent/JP3783572B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大電流高輝度発光が可能な発光装置に係り、
特に、リペアが可能で、安定駆動可能な発光装置を提供
することにある。 【解決手段】 貫通孔を持った基板(102)と、貫通孔と
勘合する支持部材(105)と、支持部材上に配置された発
光素子(101)とを有する発光装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は大電流高輝度発光が可能な
発光装置に係り、特に、リペアが可能で、安定駆動可能
な発光装置を提供することにある。
【０００２】
【従来技術】今日、発光装置としてＲＧＢ（赤・緑・青
色）がそれぞれ高輝度に発光可能な発光ダイオードに加
え紫外線が発光可能な発光ダイオード、白色（例えば、
JIS8110で規定された白色を含む）が発光可能な発光ダ
イオードやレーザーダイオードが開発された。これらの
半導体発光素子は高輝度、低消費電力且つ長寿命化とい
う優れた特性を有している。そのため、屋外や屋内の各
種ディスプレイ、交通や鉄道などの信号機、各種インジ
ケータや標示や液晶装置のバックライトだけでなく、照
明自体として利用されはじめている。
【０００３】このような発光装置はガラスエポキシ樹脂
の表面に銅箔のパターンが形成された基板上に複数のＳ
ＭＤ型発光ダイオードや砲弾型発光ダイオードを配置す
ると共に電気的に接続させユニットを構成させる。照明
や信号機などとして利用する場合は、各発光ダイオード
を直列及び／又は並列に接続するとともに電源に接続さ
せる。電源から電流を供給することによってユニットを
構成する各発光ダイオードが発光する。信号機や照明と
して利用する場合は、発光ダイオード上にレンズを設け
特定の領域の指向特性を向上させたり散乱させたりす
る。通常、半導体発光素子であるＬＥＤに電流を多く流
すにしたがい、一定の電流までは比較的リニアに発光輝
度が上昇する。他方、ＬＥＤの温度上昇に反比例して発
光効率が低下する。また、温度上昇に伴い発光素子から
放出される光のスペクトルがシフトする場合がある。
【０００４】このような問題を解決し、より明るい発光
装置を構成するためには図４に示す構成が考えられる。
図４には樹脂と比較して比較的熱伝導率のよいアルミや
セラミックス基板(402)上に絶縁層(405)、導電性パター
ン(403)を介してLEDチップ(401)を数多く密接配置させ
実装させてある。このような構成とすることによって、
光量を増大させつつ各発光素子に大電流を流しつつ安定
した特性を有するＬＥＤパワーモジュールなどとするこ
とができる。
【０００５】しかしながら、高熱伝導基板は半導体発光
素子の実装と、電気伝導、熱伝導を合わせた機能を有し
ているため総合的な効率が低く、信号機や照明用として
発光ダイオードを利用するためには、さらなる高輝度化
が求められる。また、ＬＥＤチップ(401)をアルミニウ
ムやセラミック上にダイボンド配置すると、ＬＥＤチッ
プの取り外しなど補修時にモジュール自体が損傷する可
能性がある。さらに、熱伝導性がよいため実装後に不具
合のあるＬＥＤチップだけを取り出すことが難しく、そ
の過程において不具合のないＬＥＤチップにまで熱及び
機械的損傷を与えることもある。特に、個別のＬＥＤチ
ップを取り外し及び再実装する場合において、加熱する
と高熱伝導基板(402)のため補修部分だけでなく、隣接
する他の良好な部分までも加熱してしまい、モジュール
がすべて破壊される可能性もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本願発明
は高輝度に安定して発光可能な発光装置を提供すると共
に発光素子を比較的簡単に個別に取り外しでき補修が容
易である発光装置を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、貫通孔を持っ
た基板と、貫通孔と勘合する支持部材と、支持部材上に
配置された発光素子とを有する発光装置である。これに
より比較的簡単に発光装置を構成することができる。ま
た、支持体を貫通孔に勘合させていることから極めて薄
く発光装置を構成することができる。
【０００８】本発明の請求項２の発光装置は、支持部材
が貫通孔を持った基板よりも熱伝導率が高い発光装置で
ある。これにより、発光素子と筐体となる基板との熱的
機能分離を図ることが容易となる。そのため、大電流を
流すことによって生ずる発光素子からの熱を支持部材か
ら効率よく外部に放出させることができる。
【０００９】本発明の請求項３に記載の発光装置は、支
持部材が基板の貫通孔と着脱可能な発光装置である。こ
れにより、発光素子に不具合が生じた場合、基板や同時
に実装される他の半導体素子などに損傷を与えることな
く不具合が生じた発光素子のみを交換することができ
る。
【００１０】本願発明の請求項４に記載の発光装置は、
支持部材にリフレクター構造を有する発光装置である。
これにより、発光素子からの光を効率よく外部に取り出
すことができると共に、貫通孔に挿入する支持部材自体
にリフレクター構造をもつ。そのため、リフレクター構
造を持ちつつも発光装置全体の厚みを極めて薄くするこ
とができる。
【００１１】本願発明の請求項５に記載の発光装置は、
支持部材にメッキが施されている発光装置である。支持
部材の熱伝導と発光素子からの光の反射とを機能分離さ
せることでそれぞれの特性を高めることができる。ま
た、発光装置の表面から見ると基板自体の表面とは別に
支持部材だけがメッキされて見えるためキャビティの大
きさに合わせてメッキ部を比較的簡単に小さく形成させ
ることができる。また、リペア時に置いても新たに支持
部材の置き換えだけで済むため、あらかじめ基板にメッ
キが形成されている構成のものと比較してメッキ部を損
傷することはない。
【００１２】本発明の請求項６の発光装置は、基板が表
面に導電性パターンが形成された硝子エポキシ樹脂から
なる発光装置である。これにより支持部材を発光素子か
ら電気的に分離させ導通と熱伝導とを機能分離させるこ
とができる。
【００１３】本願発明の請求項７の発光装置は、支持体
部材が発光素子が配置される表面よりも底部が大きい。
画鋲の如き凸状の支持部材形状により、放熱効率を高め
信頼性を向上させることができると共に比較的簡単に実
装やリペアを行うことができ量産性を高めることができ
る。また底部が嵌合時のストッパーとして機能すること
もできる。
【００１４】本願発明の請求項８の発光装置は、支持部
材が熱放出手段を有している。支持部材がヒートシンク
などの熱放出手段を有する構造に形成されていること
で、これに直接配置されている発光素子が熱による劣化
を受けにくくなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明者は種々実験の結果、発光
素子を実装する支持体とそれらを保持する特定形状の筐
体との関係を定めることにより、発光特性や実装性が向
上することを見出し本願発明をなすに至った。
【００１６】即ち、本願発明は発光素子を保持実装する
基板を貫通孔を持った基板と、この貫通孔に着脱可能で
発光素子が実装される支持体とに分離することにより、
実装後に発光素子の不具合により取り替える必要がある
ときでも発光素子ではなく、支持体を基板から抜き取る
だけの極めて簡単な構成によって不具合のある発光素子
を他の発光素子に悪影響を与えることなく取り替えるこ
とができる。本発明の実施態様を図１及び図3に示す。
【００１７】あらかじめリード電極を構成する銅箔パタ
ーン(103)が絶縁膜(106)を介して表面に形成されたステ
ンレス基板(102)にドリルなどを用いて複数の貫通孔(10
8)を形成させる。次に、平板状に突起が形成された銅板
を支持体(105)として利用する（図３（Ａ）の工程）。
突起は基板の貫通孔に勘合できるように複数設けられて
おり、その先端にはＬＥＤチップ(101)が配置されるよ
うにキャビティを構成している。支持体となる突起のつ
いた平板を基板の貫通孔(108)に勘合させる（図３
（Ｂ）の工程）。次に、各支持体を構成すべく、突起の
ついた平板をエッチングによって分離(310)する。これ
によって、複数の貫通孔に分離された支持体(105)が勘
合した状態となる。次の工程でサファイア基板上にｐｎ
接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体層が形成され
たＬＥＤチップ(101)を基板に羽目合わされた支持体を
構成するキャビティ内にエポキシ樹脂によってダイボン
ドする。
【００１８】この場合、絶縁基板上に半導体が形成され
ているため、同一表面側から一対の電極を取り出すＬＥ
Ｄの構成となっている。ダイボンド樹脂を硬化後、ＬＥ
Ｄチップの各電極と基板の表面に設けられた銅パターン
(103)とを金線(104)によって好適にワイヤーボンディン
グする。このようにして、ＬＥＤパワーモジュールを構
成することができる（図３（Ｃ）の工程）。なお、複数
の支持体が形成された場合について説明したが、一つだ
け形成された発光ダイオードとして形成できることはい
うまでもない。また、ＬＥＤパワーモジュール上には、
透光性の樹脂を設けてもよいし、またはレンズを設けて
もよい。レンズを設ける場合は、シリコンなどの樹脂を
介してもよいし、気体を封入させてもよい。このような
レンズは、予め成形されたものを用いてもよいし、硬化
性樹脂を用いて成形させても良く、成形には金型等を用
いてもよい。また、これらレンズには、発光ダイオード
からの発光波長によって励起されてそれよりも長波長の
光を発する蛍光物質を設けることもできる。これによ
り、発光素子からの光だけでなく、蛍光物質からの光を
も利用することができるので、様々な波長の光を有する
発光装置とすることができる。
【００１９】次に、リペア時の工程例について説明す
る。上述の如き形成された発光装置のリード電極に電流
を流すことで発光検査を行うことができる（図３（Ｄ）
の工程）。発光検査の結果不具合のある発光素子(301)
がダイボンドされた支持部材を画像認識装置で位置を特
定する。発光観測面側から支持部材だけ基板からピンで
突き落とすことによって不具合の発光素子がダイボンド
された支持部材を取り除くことができる。続いて、不具
合のあった発光素子と基板上の導電性パターンとを電気
的に接続させていたワイヤーを機械的に除去した後、改
めて発光素子付き支持部材(305)を貫通孔に挿入する
（図３（Ｅ）の工程）。発光素子をワイヤーボンドする
ことによって比較的簡単な構成でリペアを容易に行うこ
とができる(図３（Ｆ）の工程)。以下本発明の各構成に
ついて詳述する。
【００２０】（発光素子１０１，２０１）本発明の用い
られる発光素子は各種半導体発光素子を利用することが
できる。具体的半導体発光素子としては、サファイヤ、
ＳｉＣ、スピネル、ＧａＮなどの基板上にＭＯＣＶＤ法
などを利用してｎ型窒化物半導体及びｐ型窒化物半導体
を積層させたものを好適に利用することができる。Ｇａ
Ｎ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧ
ａＡｌＮ、ＧａＩｎＢＮなどの窒化物半導体だけでなく
ＩｎＧａＰ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、Ａｌ
Ｐ、ＡｌＡｓ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣなど各種半導
体を発光層に用いた発光素子を好適に利用することがで
きる。基板に導電性材料を用いた場合支持部材とＡｇペ
ーストやハンダなどによってダイボンドし電気的に導通
させてもよいし、間に絶縁層を介してもよい。
【００２１】（基板１０２，２０２）本願発明に用いら
れる基板としては、貫通孔を有し支持部材が嵌合可能な
ものである。基板自体は支持部材を保持可能なものであ
り、はめ込みによって固定されるものでもよく、突起に
よって固定されるもの。ネジ式で固定されるもの、発光
素子などが破壊されない温度で溶融する金属やロウ材で
固定するものなど種々利用することができる。本発明の
基板は貫通孔を支持部材の嵌合に利用しているため比較
的簡単に製造できると共に放熱性、機械的強度など目的
に合わせて支持部材との機能分離することができる。ま
た、基板に設けられる貫通孔はドリルで開けることもで
きるし、レーザーにより設けることもできる。また、打
ち抜き加工によっても形成することができる。貫通孔の
形状も円他、発光素子の指向特性に合わせた支持部材に
合わせて楕円や四角形、三角形など種々選択することが
できる。このような基板の具体的材料として、あらかじ
めリード電極を構成する銅箔などの導電性パターンが表
面に形成された硝子エポキシ樹脂や銅、アルミニウムや
各種合金、セラミックなど種々のものを利用することが
できる。リード電極を表面に持つ基板として金属を用い
た場合は、電気的に絶縁すべくＳｉＯ２やＳｉＮｘなど
の絶縁膜を形成後、銅、金、銀などの薄膜パターンやこ
れら金属を含む合金、これら金属を含む積層膜などＣＶ
Ｄやスパッタによって形成させたものを好適に利用する
ことができる。 （支持部材１０５、２０５）本発明の支持部材とは発光
素子が配置されるものであり、基板の貫通孔と嵌合可能
なものである。発光素子が配置される支持部材の表面は
発光素子からの光を効率よく反射させるために、キャビ
ティを設けリフレクター構造としてもよい。また、反射
率の高い金属や合金などでメッキなどすることもでき
る。このような金属として金、銀、銅やニッケルや各種
合金を好適に利用することできる。支持部材自体の材料
としては発光素子からの熱を効率よく外部に取り出すた
めに高熱伝導性材料としてＡｕ、Ｃｕ、Ａｌやこれら合
金などを好適に利用することもできる。特に、銅やアル
ミニウムは加工のしやすさやなどから好適に利用するこ
とができる。
【００２２】発光ダイオードを量産性よく形成させるた
めには平板状に発光素子が配置される複数の突起が形成
されるものを利用することができる。基板との嵌合後に
それぞれの発光素子用支持部材として分離させることも
できるし、そのまま利用することもできる。分離させる
場合は、各突起部の間隔や作業性を考慮して突起部が１
つずつ分離されるようにしてもよいし、２つ以上有する
ようなパーツに分離することもできる。また、支持持部
材をリード電極の一部として利用することもできる。な
お、支持部材と基板との位置決めや量産性を良くさせ支
持部材の抜け防止のために、支持部材の突出部(107)を
設けてもよい。基板には突出部対応する凹部を設けるこ
とが好ましい。
【００２３】また、発光素子駆動時に発生する熱を効率
よく放出させるために、支持体に熱放出手段を有するこ
ともできる。熱放出手段としては、平板を大きくした
り、裏面（突起部の反対側の面）に凹凸を設けるなど表
面積を広げることにより放熱性を向上させる方法や、ヒ
ートパイプ等の熱を移動させる手段を設けて熱を離れた
位置に移動させる方法がある。
【００２４】凹凸により表面積を広げる機構を有するも
のとしてはヒートシンクが挙げられる。ヒートシンク
は、熱を吸収してから放出する機構を有するものであ
り、具体的には、図５に示すように、支持体の裏面に凸
部が設けられた形状とする。このような構造とすること
で、表面積を大きくすることができるので、発光素子か
ら発生して支持体に蓄熱された熱を効率よく外部に放出
させることができる。凸部を大きくしたり数を増やした
りすることで表面積は大きくなるが、支持体自体も大き
くなるので、発光素子から放出される熱に応じて好まし
い形状や材料等を選択することができる。
【００２５】また、ヒートパイプは、熱を効率よく熱伝
導させるもので、発光素子から離れた位置に効率よく熱
を伝導させることにより放出させることができる。この
ようなヒートパイプは、管の内壁に毛細管構造を持たせ
た金属パイプの内部を真空にし、作動液として少量の水
・代替フロンなどを密封して形成することができる。具
体的には、ヒートパイプの一端を発光素子が配置された
支持体に熱的に接続させ、他端はその支持体と離れた位
置に配置させる。発光素子から放出された熱は支持体を
通してヒートパイプの一端に達し、その加熱された部分
の作動液が蒸発する。蒸気流となった作動液は発光素子
が配置され加熱された一端よりも低温である他端へと移
動する。蒸気流が低温部の管壁に接触し冷却されて凝縮
されると毛細管現象または重力により発光素子と熱的に
接触された支持体へと戻り、繰り返し熱を連続的に輸送
することができる。このようにして発光素子の発熱を効
率よく熱伝導させることができる。ヒートパイプの他端
は、支持体と接続された一端から離れていれば、何も設
けなくても低温部として機能するが、より効果的に熱を
移動し放出させるには、冷却器や上記のようなヒートシ
ンクを設けてもよい。このように、発光素子を配置させ
る支持体に、熱放出手段に加えて熱伝達手段も設けるこ
とにより、基板と離れた位置に熱放出手段を配置させる
ことができるので、発光装置の形態に応じて様々な方法
で用いることができる。
【００２６】（蛍光物質）本発明に利用可能な蛍光物質
は、発光素子から発せられる発光波長によって励起さ
れ、その光よりも長波長の可視光を発光可能な蛍光物質
ならば無機蛍光体でも有機蛍光体でもよく、また、発光
色は紫色〜赤色までの全ての可視光のものが適用でき
る。具体的には、無機蛍光体としてはケイ酸塩系蛍光
体、リン酸塩系蛍光体、アルミン酸系蛍光体、希土類系
蛍光体、酸希土類系蛍光体、硫化亜鉛系蛍光体などが挙
げられる。具体的には緑色系発光蛍光体では、Ｙ２Ｓｉ
Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、ＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｃｅ，Ｔｂ、
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｍｎ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：
Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａ
ｌ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、青色系発光蛍光体では（Ｓ
ｒＣａＢａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＢａＣａ）
５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ２Ａｌ
１６Ｏ２７：Ｅｕ、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、Ｓ
ｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ａｇ、Ａｌ、ＺｎＳ：Ａ
ｇ，Ａｌ（ｐｉｇｍｅｎｔｅｄ）、ＺｎＳ：ＡｇＣｌ、
ＺｎＳ：ＡｇＣｌ（ｐｉｇｍｅｎｔｅｄ）、赤色系発光
蛍光体ではＹ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ（ｐｉ
ｇｍｅｎｔｅｄ）、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、３．５ＭｇＯ・
０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ、Ｙ（ＰＶ）Ｏ４：Ｅ
ｕ、５ＭｇＯ・３Ｌｉ２Ｏ・Ｓｂ２Ｏ５：Ｍｎ、Ｍｇ２
ＴｉＯ４：Ｍｎ等が挙げられる。比較的発光効率が高い
ものとしては、緑色系発光蛍光体ではＳｒＡｌ２Ｏ４：
Ｅｕ、青色系発光蛍光体ではＳｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：
Ｅｕ、赤色系発光蛍光体ではＹ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕが挙げら
れる。
【００２７】以下本発明の具体的実施例について詳述す
るが、これのみに限られるものでないことは言うまでも
ない。
【００２８】
【実施例】（実施例１）本発明を図２を用いて説明す
る。あらかじめリード電極を構成する銅箔パターン(20
3)が表面に形成された硝子エポキシ樹脂(202)にドリ
ル、エッチングやレーザなどを用いて貫通孔を形成させ
る。次に、平板状に突起が形成された金属板を支持体(2
05)として利用する。突起の先端にはＬＥＤチップ(201)
が配置されＬＥＤチップからの光を有効に外部に取り出
せれるようにキャビティを構成している。支持体(205)
となる突起のついた平板を基板(202)の貫通孔に勘合さ
せる。基板の貫通孔に支持部材が勘合した状態となる。
次の工程でサファイア基板上にｐｎ接合を有する窒化ガ
リウム系化合物半導体層が形成されたＬＥＤチップ(20
1)を支持体(205)を構成するキャビティ内にエポキシ樹
脂によってダイボンドする。
【００２９】この場合、ＬＥＤチップ(201)は絶縁基板
上に半導体が形成されているため、同一表面側から一対
の電極を取り出す構成となっている。ダイボンド樹脂を
硬化後、ＬＥＤチップ(201)の各電極と基板(202)の表面
に設けられた銅パターン(203)とを金線(204)によって好
適にワイヤーボンディングする。次に、ＬＥＤチップ(2
01)からの光を効率よく集光するよう形成されたレンズ
(209)が基板(202)と密着して設けられている。内部には
不活性ガスやシリコン樹脂(210)などが封入されてい
る。この構成の発光装置とすることで比較的簡単にリペ
アが容易な発光装置とすることができる。なお、絶縁層
上にｐｎ接合が形成されたＬＥＤチップを用いている
が、支持体自体をリード電極の一部として利用する場合
や、絶縁スペーサを構成する場合などは半導体を介して
一対の電極が設けられたＬＥＤチップを利用することが
できることは言うまでもない。
【００３０】（実施例２）支持体として、図６に示すよ
うな裏面（突起部が形成された面と対向する面）に凹凸
を有する形状の支持体(511)を用いる。この支持体に
は、突起部が複数個形成されており、突起部の反対側の
面（裏面）には凹凸が形成されている。また、本実施例
では、レンズとして各突起部と対向する位置で光を集光
出来るようにレンズ状に形成された連続型レンズを用い
ているが、各発光素子ごとにレンズを設けていても何ら
問題はない。さらにこのレンズには、図に示すように、
レンズの内側、即ち発光素子と対向する側に蛍光物質が
設けられている。蛍光物質は、樹脂等に混入させて塗布
し、硬化させることでレンズの内側に設けることができ
る。蛍光物質はレンズの材料に混入させておいてもよ
い。このような支持体とレンズを用いる以外は、実施例
１と同様に行い、本発明の発光装置を得る。
【００３１】（実施例３）レンズとして、予め成形され
たものを用いるのではなく、図７に示すようにシリコン
樹脂(714)等の透光性樹脂をポッティングして硬化させ
ることにより形成させるレンズを用いる以外は、実施例
１と同様に行い、本発明の発光装置を得る。レンズとし
て機能させているシリコン樹脂(714)は、支持体の突起
部及び発光素子、更には電極にボンディングされたワイ
ヤーまでを覆うように設けられていればよく、金型等を
用いずとも表面張力を利用してレンズ状に形成すること
ができる。
【００３２】（実施例４）実施例３において、シリコン
樹脂を硬化後、金型を用いて図８のようにレンズ材料を
注入して２層構造のレンズを一体成形させて、本発明の
発光装置を得る。
【００３３】
【発明の効果】 【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の発光装置を示す模式的断面図。
【図２】 本発明の他の発光装置を示す模式的断面図。
【図３】 本発明の発光装置の形成工程及びリペア工程
を示す工程図。
【図４】 本発明と比較のために示す発光装置の模式的
断面図。
【図５】 本発明の他の発光装置を示す模式的断面図。
【図６】 本発明の他の発光装置を示す模式断面図。
【図７】 本発明の他の発光装置を示す模式断面図。
【図８】 本発明の他の発光装置を示す模式断面図。
【符号の説明】
１０１、２０１、５０１、６０１、７０１、８０１…発
光素子としてのＬＥＤチップ １０２、２０２、５０２、６０２、７０２、８０２…貫
通孔が設けられた基板 １０３、２０３、５０３、６０３、７０３、８０３…リ
ード電極を構成する導電性パターン １０４，２０４、５０４、６０４、７０４、８０４…発
光素子とリード電極とを電気的に接続させる電気的接続
部材 １０５、２０５、７０５、８０５…支持体 １０６、５０６、６０６、７０６、８０６…金属基板と
導電性パターンとを電気的に分離させる絶縁層 １０７、５０７、６０７、７０７、８０７…支持体に設
けられた抜け防止用の突出部 １０８…貫通孔 ２０９…レンズ ２１０…不活性ガス ３０１…不良のＬＥＤチップ ３０５…良好なＬＥＤチップが配置された支持体 ３１０…エンチングされ電気的に分離された分離溝 ４０１…ＬＥＤチップ ４０２…金属基板 ４０３…銅パターン ４０４…金線 ４０５…ＳｉＯ２絶縁膜 ５１１、６１２…凹凸を設けた支持体 ６１３…連続型レンズ ６１６…蛍光物質 ７１４、８１４…シリコン樹脂 ８１５…一体成形されたレンズ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 貫通孔を持った基板(102)と、該貫通孔
    と勘合する支持部材(105)と、該支持部材上に配置され
    た発光素子(101)とを有する発光装置。
  2. 【請求項２】 前記支持部材(105)は貫通孔を持った基
    板(102)よりも熱伝導率が高い請求項１に記載の発光装
    置。
  3. 【請求項３】 前記支持部材(105)は基板(102)の貫通孔
    と着脱可能な請求項１乃至請求項２に記載の発光装置。
  4. 【請求項４】 前記支持部材(105)はリフレクター構造
    を有する請求項１乃至請求項３に記載の発光装置。
  5. 【請求項５】 前記支持部材(105)にメッキが施されて
    いる請求項１乃至請求項４に記載の発光装置。
  6. 【請求項６】 前記基板(102)は表面に導電性パターン
    が形成された硝子エポキシ樹脂である請求項１乃至請求
    項５に記載の発光装置。
  7. 【請求項７】 前記支持部材(105)は発光素子(101)が配
    置される表面よりも底部が大きい請求項１乃至請求項６
    に記載の発光装置。
  8. 【請求項８】 前記支持部材(105)は、熱放出手段を有
    する請求項１乃至請求項７記載の発光装置。
JP2001109709A 2001-03-05 2001-04-09 発光装置 Expired - Lifetime JP3783572B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001109709A JP3783572B2 (ja) 2001-03-05 2001-04-09 発光装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-59349 2001-03-05
JP2001059349 2001-03-05
JP2001109709A JP3783572B2 (ja) 2001-03-05 2001-04-09 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002335019A true JP2002335019A (ja) 2002-11-22
JP3783572B2 JP3783572B2 (ja) 2006-06-07

Family

ID=26610594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001109709A Expired - Lifetime JP3783572B2 (ja) 2001-03-05 2001-04-09 発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3783572B2 (ja)

Cited By (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281606A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2004281605A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄパッケージ
JP2005100810A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Seiko Epson Corp 光源装置及びプロジェクタ
JP2005136224A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 発光ダイオード照明モジュール
JP2005166587A (ja) * 2003-12-05 2005-06-23 Koito Mfg Co Ltd 車両用前照灯
JP2005534201A (ja) * 2002-07-25 2005-11-10 ジョナサン エス． ダーム、 発光ダイオードを硬化用に使用するための方法および装置
JP2006005290A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2006041230A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2006066409A (ja) * 2004-07-28 2006-03-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法
JP2006093565A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
JP2006093612A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006210677A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Hitachi Aic Inc Ｌｅｄ用ヒートブロックおよびそれを使用したｌｅｄ装置
JP2006216764A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
JP2006332234A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Hitachi Aic Inc 反射機能を有するｌｅｄ装置
US7164159B2 (en) 2003-11-20 2007-01-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. LED package
JP2007019476A (ja) * 2005-06-09 2007-01-25 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、表示装置、走査型表示装置およびプロジェクタ
JP2007109701A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Hitachi Aic Inc 発光素子搭載用基板
EP1836723A2 (en) * 2005-01-11 2007-09-26 SemiLEDs Corporation System and methods for producing light emitting diode array
JP2007266173A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2008047908A (ja) * 2006-08-14 2008-02-28 Chien-Chung Chen 発光モジュールおよびその製造プロセス
JP2008086230A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Shimane Pref Gov 集魚灯
JP2008172178A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Tai-Sol Electronics Co Ltd Ｌｅｄと液相・気相放熱装置との結合構造
JP2008277817A (ja) * 2007-05-07 2008-11-13 Advance Connectek Inc 放熱モジュール及びその製造方法
JP2009502024A (ja) * 2005-06-27 2009-01-22 ラミナ ライティング インコーポレーテッド 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
US7554129B2 (en) 2004-06-10 2009-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
JP2009532856A (ja) * 2006-03-31 2009-09-10 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子及びそれを有する照明システム
JP2009289906A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Hamamatsu Photonics Kk 紫外線照射装置および紫外線照射ユニット
JP2010021434A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Denka Agsp Kk 発光素子搭載用基板、発光素子パネル、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法
JP2010021420A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Denka Agsp Kk 発光素子搭載用基板、発光素子パネル、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法
US7683470B2 (en) 2006-02-22 2010-03-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. LED package
JP2010129583A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Citizen Electronics Co Ltd 照明装置
US7737462B2 (en) 2003-02-28 2010-06-15 Citizen Electronics Co., Ltd Light emitting diode and light emitting diode device including the light emitting diode element and method for manufacturing the light emitting diode
JP2011003340A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Wun Song Hu Ｌｅｄやｌｅｄｓｍｄ電球と電灯の有効な放熱構造
EP1455398A3 (en) * 2003-03-03 2011-05-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device comprising a phosphor layer and method of making same
US7989839B2 (en) 2002-08-23 2011-08-02 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Method and apparatus for using light emitting diodes
JP2011151112A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
US8071988B2 (en) 2004-05-06 2011-12-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light emitting device comprising a plurality of light emitting diodes with different peak emission wavelengths and a wavelength converter
US8070983B2 (en) 2004-06-10 2011-12-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent material
US8096691B2 (en) 1997-09-25 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N V Optical irradiation device
US8134165B2 (en) 2007-08-28 2012-03-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
US8137589B2 (en) 2007-08-22 2012-03-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Non stoichiometric tetragonal copper alkaline earth silicate phosphors and method of preparing the same
US8188492B2 (en) 2006-08-29 2012-05-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plural light emitting diodes and at least one phosphor for emitting different wavelengths of light
US8273266B2 (en) 2005-11-11 2012-09-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Copper-alkaline-earth-silicate mixed crystal phosphors
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
WO2013009082A2 (ko) * 2011-07-14 2013-01-17 주식회사 포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판
KR101237328B1 (ko) * 2005-07-27 2013-02-28 소니 주식회사 발광 유닛의 방열장치 및 백라이트 장치
KR101240650B1 (ko) * 2006-01-18 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 모듈, 이를 구비한 백라이트 어셈블리 및이를 구비한 표시 장치
JP2013516076A (ja) * 2010-01-01 2013-05-09 中山偉強科技有限公司 発光ダイオードのパッケージ構造
US8535564B2 (en) 2009-06-24 2013-09-17 Seoul Semiconductor, Co., Ltd. Light emitting device employing luminescent substances with oxyorthosilicate luminophores
WO2013154151A1 (ja) * 2012-04-11 2013-10-17 株式会社リキッド・デザイン・システムズ 照明装置及び液晶表示装置
US8703014B2 (en) 2009-06-24 2014-04-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent substances having Eu2+-doped silicate luminophores
US8847254B2 (en) 2005-12-15 2014-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US9209162B2 (en) 2004-05-13 2015-12-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
CN103650180B (zh) * 2011-07-14 2016-11-30 普因特工程有限公司 用于光学器件的基板
JP2017073513A (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 シチズン電子株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2017121592A (ja) * 2016-01-04 2017-07-13 株式会社東芝 紫外線照射ユニット及び紫外線照射装置
JP2022025833A (ja) * 2020-07-30 2022-02-10 日本特殊陶業株式会社 半導体パッケージ、および、半導体パッケージアレイ

Cited By (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8096691B2 (en) 1997-09-25 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N V Optical irradiation device
US9726435B2 (en) 2002-07-25 2017-08-08 Jonathan S. Dahm Method and apparatus for using light emitting diodes for curing
JP2005534201A (ja) * 2002-07-25 2005-11-10 ジョナサン エス． ダーム、 発光ダイオードを硬化用に使用するための方法および装置
US7989839B2 (en) 2002-08-23 2011-08-02 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Method and apparatus for using light emitting diodes
US7737462B2 (en) 2003-02-28 2010-06-15 Citizen Electronics Co., Ltd Light emitting diode and light emitting diode device including the light emitting diode element and method for manufacturing the light emitting diode
US7745835B2 (en) 2003-02-28 2010-06-29 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode and light emitting diode device including the light emitting diode element and method for manufacturing the light emitting diode
EP1455398A3 (en) * 2003-03-03 2011-05-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device comprising a phosphor layer and method of making same
JP2004281605A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄパッケージ
JP2004281606A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2005100810A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Seiko Epson Corp 光源装置及びプロジェクタ
JP2005136224A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 発光ダイオード照明モジュール
US7164159B2 (en) 2003-11-20 2007-01-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. LED package
JP2005166587A (ja) * 2003-12-05 2005-06-23 Koito Mfg Co Ltd 車両用前照灯
US8071988B2 (en) 2004-05-06 2011-12-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light emitting device comprising a plurality of light emitting diodes with different peak emission wavelengths and a wavelength converter
US9209162B2 (en) 2004-05-13 2015-12-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US10916684B2 (en) 2004-05-13 2021-02-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US10186642B2 (en) 2004-05-13 2019-01-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US10672956B2 (en) 2004-05-13 2020-06-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US11605762B2 (en) 2004-05-13 2023-03-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US7554129B2 (en) 2004-06-10 2009-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8070984B2 (en) 2004-06-10 2011-12-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent material
US8252203B2 (en) 2004-06-10 2012-08-28 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent material
US8089084B2 (en) 2004-06-10 2012-01-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8075802B2 (en) 2004-06-10 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent material
US8158028B2 (en) 2004-06-10 2012-04-17 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent material
US8070983B2 (en) 2004-06-10 2011-12-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent material
US8900482B2 (en) 2004-06-10 2014-12-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8883040B2 (en) 2004-06-10 2014-11-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent material
US8066909B2 (en) 2004-06-10 2011-11-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8318044B2 (en) 2004-06-10 2012-11-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
JP2006005290A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2006041230A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2006066409A (ja) * 2004-07-28 2006-03-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法
JP2006093612A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006093565A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
EP1836723A2 (en) * 2005-01-11 2007-09-26 SemiLEDs Corporation System and methods for producing light emitting diode array
EP1836723A4 (en) * 2005-01-11 2013-05-15 Semileds Corp SYSTEM AND METHODS FOR PRODUCING LIGHT EMITTING DIODE MOSAIC
JP2006210677A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Hitachi Aic Inc Ｌｅｄ用ヒートブロックおよびそれを使用したｌｅｄ装置
JP2006216764A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
JP2006332234A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Hitachi Aic Inc 反射機能を有するｌｅｄ装置
JP2007019476A (ja) * 2005-06-09 2007-01-25 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、表示装置、走査型表示装置およびプロジェクタ
JP2009502024A (ja) * 2005-06-27 2009-01-22 ラミナ ライティング インコーポレーテッド 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
US8129734B2 (en) 2005-06-27 2012-03-06 Lighting Science Group Corporation LED package with stepped aperture
KR101237328B1 (ko) * 2005-07-27 2013-02-28 소니 주식회사 발광 유닛의 방열장치 및 백라이트 장치
JP2007109701A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Hitachi Aic Inc 発光素子搭載用基板
US8273266B2 (en) 2005-11-11 2012-09-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Copper-alkaline-earth-silicate mixed crystal phosphors
US8847254B2 (en) 2005-12-15 2014-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR101240650B1 (ko) * 2006-01-18 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 모듈, 이를 구비한 백라이트 어셈블리 및이를 구비한 표시 장치
US8105854B2 (en) 2006-02-22 2012-01-31 Samsung Led Co., Ltd. LED package
US7683470B2 (en) 2006-02-22 2010-03-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. LED package
JP2007266173A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置
US11322484B2 (en) 2006-03-31 2022-05-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
US9576939B2 (en) 2006-03-31 2017-02-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
US12009348B2 (en) 2006-03-31 2024-06-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
US9312246B2 (en) 2006-03-31 2016-04-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
JP2009532856A (ja) * 2006-03-31 2009-09-10 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子及びそれを有する照明システム
JP2008047908A (ja) * 2006-08-14 2008-02-28 Chien-Chung Chen 発光モジュールおよびその製造プロセス
US8188492B2 (en) 2006-08-29 2012-05-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plural light emitting diodes and at least one phosphor for emitting different wavelengths of light
US8674380B2 (en) 2006-08-29 2014-03-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plural light emitting diodes and plural phosphors for emitting different wavelengths of light
JP2008086230A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Shimane Pref Gov 集魚灯
JP4735848B2 (ja) * 2006-09-29 2011-07-27 島根県 集魚灯
JP2008172178A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Tai-Sol Electronics Co Ltd Ｌｅｄと液相・気相放熱装置との結合構造
JP2008277817A (ja) * 2007-05-07 2008-11-13 Advance Connectek Inc 放熱モジュール及びその製造方法
US8501040B2 (en) 2007-08-22 2013-08-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Non-stoichiometric tetragonal copper alkaline earth silicate phosphors and method of preparing the same
US8137589B2 (en) 2007-08-22 2012-03-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Non stoichiometric tetragonal copper alkaline earth silicate phosphors and method of preparing the same
US8134165B2 (en) 2007-08-28 2012-03-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
US8431954B2 (en) 2007-08-28 2013-04-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
JP2009289906A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Hamamatsu Photonics Kk 紫外線照射装置および紫外線照射ユニット
JP2010021420A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Denka Agsp Kk 発光素子搭載用基板、発光素子パネル、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法
JP2010021434A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Denka Agsp Kk 発光素子搭載用基板、発光素子パネル、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法
JP2010129583A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Citizen Electronics Co Ltd 照明装置
JP2011003340A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Wun Song Hu Ｌｅｄやｌｅｄｓｍｄ電球と電灯の有効な放熱構造
US8703014B2 (en) 2009-06-24 2014-04-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent substances having Eu2+-doped silicate luminophores
US8535564B2 (en) 2009-06-24 2013-09-17 Seoul Semiconductor, Co., Ltd. Light emitting device employing luminescent substances with oxyorthosilicate luminophores
JP2013516076A (ja) * 2010-01-01 2013-05-09 中山偉強科技有限公司 発光ダイオードのパッケージ構造
JP2011151112A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
CN103650180A (zh) * 2011-07-14 2014-03-19 普因特工程有限公司 用于光学器件的基板
CN103650180B (zh) * 2011-07-14 2016-11-30 普因特工程有限公司 用于光学器件的基板
WO2013009082A2 (ko) * 2011-07-14 2013-01-17 주식회사 포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판
WO2013009082A3 (ko) * 2011-07-14 2013-03-14 주식회사 포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판
KR101986694B1 (ko) 2012-04-11 2019-06-07 가부시키가이샤 리키드 디자인 시스템즈 조명 장치 및 액정표시장치
JP5481626B1 (ja) * 2012-04-11 2014-04-23 株式会社リキッド・デザイン・システムズ 照明装置及び液晶表示装置
CN103688373A (zh) * 2012-04-11 2014-03-26 株式会社理技独设计系统 照明装置以及液晶显示装置
CN103688373B (zh) * 2012-04-11 2016-03-02 株式会社理技独设计系统 照明装置以及液晶显示装置
WO2013154151A1 (ja) * 2012-04-11 2013-10-17 株式会社リキッド・デザイン・システムズ 照明装置及び液晶表示装置
KR20150009418A (ko) * 2012-04-11 2015-01-26 가부시키가이샤 리키드 디자인 시스템즈 조명 장치 및 액정표시장치
US9159271B2 (en) 2012-04-11 2015-10-13 Liquid Design Systems Inc. Illumination device and liquid crystal display device
JP2017073513A (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 シチズン電子株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2017121592A (ja) * 2016-01-04 2017-07-13 株式会社東芝 紫外線照射ユニット及び紫外線照射装置
JP2022025833A (ja) * 2020-07-30 2022-02-10 日本特殊陶業株式会社 半導体パッケージ、および、半導体パッケージアレイ
JP7291675B2 (ja) 2020-07-30 2023-06-15 日本特殊陶業株式会社 半導体パッケージアレイ

Also Published As

Publication number Publication date
JP3783572B2 (ja) 2006-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3783572B2 (ja) 発光装置
US11543081B2 (en) LED assembly with omnidirectional light field
US7622743B2 (en) Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP4675906B2 (ja) 発光素子搭載用基板、発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置
JP4359195B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
TWI373855B (en) Led package with structure and materials for high heat dissipation
JP5208414B2 (ja) Ｌｅｄパワー・パッケージ
US7772609B2 (en) LED package with structure and materials for high heat dissipation
EP2197051B1 (en) Light emitting device and method for manufacturing same
JP4881358B2 (ja) 発光装置
TWI535077B (zh) 發光單元及其發光模組
JP5379465B2 (ja) 発光装置
JP2007250979A (ja) 半導体パッケージ
WO2008056813A1 (fr) Dispositif électroluminescent et son procédé de fabrication
JP2007214524A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP3991624B2 (ja) 表面実装型発光装置及びその製造方法
JP2008071954A (ja) 光源装置
JP2006080165A (ja) 発光装置
KR101070974B1 (ko) 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지
JP2013062416A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP4288931B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP4348894B2 (ja) 発光装置
JP4815843B2 (ja) 発光装置
JP2010153561A (ja) 発光装置
JP2010087051A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050301

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050802

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051003

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051012

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051206

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060221

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060306

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3783572

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090324

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090324

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120324

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120324

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130324

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130324

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140324

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250