JP2002305328A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
でき、かつ薄型化が可能な発光ダイオードとその製造方
法を提供する。 【解決手段】 互いに対向する第1の主面と第2の主面
を有し、第1の主面を発光観測面としかつ第2の主面に
正及び負の電極が形成された発光素子チップと、第1の
主面上に形成されたレンズとを備え、第1の主面の外周
端部とレンズの外周端部とが実質的に一致し、かつ上記
レンズの球面がレンズの外周端部より外側に膨らんで形
成されている。
Description
な指向性を有し薄型で高出力の発光素子に関する。
いて紫外領域から黄色の光を発光することができる発光
ダイオードが開発されたことから、紫外領域から赤色ま
での幅広い領域の用途に対応して種々の発光素子の作製
が可能になった。これらの発光素子において、所定の方
向に均一な指向性が要求される場合には、例えば樹脂が
成形されてなるレンズと発光素子とを組み合わせて所定
の指向特性を得ている。
は、例えば、図13に示すように、キャスティングケー
ス100のレンズ形状に対応する空洞内にリードフレー
ム101上に設けられた発光素子チップ102をセット
して、その空洞内に透光性樹脂110を流し込んでレン
ズを形成する方法、又は、図14に示すように、成形金
型104内に基板103上に設けられた発光素子チップ
102をセットして、透光性樹脂111を射出成形する
ことにより形成する方法等により作製されていた。
構成及び方法では、指向性のバラツキを十分小さく抑え
ることが難しく、また、薄型化が困難であるという問題
点があった。
分小さく抑えることができ、かつ薄型化が可能な発光ダ
イオードとその製造方法を提供することを目的とする。
は、互いに対向する第1の主面と第2の主面を有し、上
記第1の主面を発光観測面としかつ上記第2の主面に正
及び負の電極が形成された発光素子チップと、上記第1
の主面上に形成されたレンズとを備え、上記第1の主面
の外周端部と上記レンズの外周端部とが実質的に一致
し、かつ上記レンズの球面が上記外周端部より外側に膨
らんで形成されていることを特徴とする。このように、
本発明に係る発光素子は、上記第1の主面の外周端部と
上記レンズの外周端部とが実質的に一致するように上記
発光面上のみにレンズが形成されているので、薄型化が
図れる。また、上記レンズの球面が上記レンズの外周端
部より外側に膨らんで形成されているので、上記発光観
測面である第1の主面の外周端部にいて輝線が観測され
ることを防止できる。
記発光素子はさらに、光散乱粒子を含む遮光層を有し、
該遮光層は上記発光素子チップの側面と上記レンズの外
周端部及びその近傍とを連続的に覆うように設けられて
いることが好ましい。これにより、実質的に発光した光
を実質的に発光観測面のみから出力できるので、発光強
度を向上させることができる。また、本発明に係る発光
素子において、上記散乱粒子として酸化ケイ素、チタン
酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムからなる群
から選択される少なくとも1つを含む粒子を用いること
ができる。
は、上記発光素子チップを窒化物半導体発光素子チップ
とし、上記レンズは蛍光体を含むようにすることができ
る。このようにすると、発光素子チップからの光と蛍光
体からの光との混色による発光色が得られる。また、上
記蛍光体として、少なくともセリウムで付活されたイッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を含む蛍
光体を用いることができる。さらに、上記発光素子チッ
プは、主発光波長が530nm以下の可視光を発光する
ようにできる。ここで、本発明におけるセリウムで付活
されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光
体は、広義に解釈するものとし、Yの少なくとも一部を
GdやLa等に置換するもの、Alの少なくとも一部を
InやGa等に置換するもの、Ceの少なくとも一部を
Tb等に置換するものを含む。他の蛍光体として、発光
素子チップの発光スペクトル、蛍光体の発光スペクトル
や励起スペクトルを考慮して、種々のものを利用するこ
とができるが、Eu及び/又はCrで付活されたCa−
Al−Si−O−N系オキシナイトライド蛍光硝子やY
2O2S:Eu,Sr5(PO4)3Cl:Eu,(S
rEr)O・Al2O3等が挙げられる。
明に係る実施の形態の発光素子について説明する。本実
施の形態の発光素子は、一方の主面にn電極とp電極と
が形成され他方の主面を発光観測面とする発光素子チッ
プ1と、レンズ20と、遮光膜30とを備え、レンズ2
0がパッケージ内に設けられた発光素子チップ1の発光
観測面に形成されていることを特徴とし、これにより高
い指向特性と発光輝度の向上を実現している。以下、詳
細に本実施の形態の発光素子について説明する。
正電極板51と負電極板52とが樹脂54により連結さ
れてなる底部電極部と、その底部電極部の上面に発光素
子チップを収納する収納部が形成されるように該上面の
周囲に接合された外枠53により構成される。また、発
光素子チップ1は、例えば、サファイアからなる基板1
0の上に、例えばn型窒化ガリウム系化合物半導体から
なるn型半導体層11と、例えばp型窒化ガリウム系化
合物半導体からなるp型半導体層12とが積層され、n
型半導体層11及びp型半導体層12の上にそれぞれ、
n電極14及びp電極13とが形成されて構成される。
は、図1に示すように、パッケージ50の正電極板51
と負電極板52にそれぞれp電極13とn電極14とが
対向するように配置され、例えば、半田、銀ペースト等
の導電性接着材15,16や金バンプ等の金属により接
合される。そして、レンズ20は、以下の2つの条件を
満足するように発光素子チップ1の発光観測面(第1の
主面)上に形成されている。第1に、レンズ20は、レ
ンズ20の外周端部(発光素子チップ1とレンズ20と
が接する境界におけるレンズ20の外周端部)が発光素
子チップ1の発光観測面(第1の主面)の外周端部と実
質的に一致するように形成される。第2に、レンズ20
は、レンズ20の球面がレンズ20の外周端部より外側
に膨らむように、すなわち、レンズの光軸上の上方から
レンズ20及び発光素子チップ1を見た時に、発光素子
チップ1の発光観測面(第1の主面)の外周端部がレン
ズ20の球面によって覆い隠されるように形成される。
光する光を反射散乱させる、例えば、TiO2からなる
光散乱粒子を含む樹脂等からなり、少なくとも発光素子
チップ1の側面とレンズ20の球面におけるレンズ20
の外周端部の近傍とを含むように、発光素子チップ1の
周りに形成される。このように、遮光膜30を、発光素
子チップ1の側面とレンズ20の球面における外周端部
の近傍とに亙って形成することにより、発光素子チップ
1の側面から放出される光を遮光膜30により反射して
レンズ20を介して出力できるので、より効果的に発光
素子チップ1の側面から放出される光を利用することが
でき、発光出力を向上させることができる。
乱粒子を含む遮光膜は、発光素子チップ1のp電極13
とn電極14の間にできる発光素子チップ1とパッケー
ジ50の底部電極板との間の隙間にも形成することが、
以下のような点でより好ましい(図1においてこの遮光
膜は31の符号を付して示している。)。すなわち、上
述の位置に遮光膜31をさらに形成すると、発光素子チ
ップ1の発光観測面を除く外表面が全て、遮光膜30,
31と遮光性のある電極層(p電極13,n電極14)
とによって覆われていることになり、発光層において発
光した光を発光観測面から効果的に放出することができ
るので、発光効率を向上させることができる。
周端部1a付近におけるレンズ20、発光素子チップ
1、遮光層30の位置関係について、図2を参照しなが
ら、詳細に説明する。レンズ20は、以下に説明する方
法により形成されるので、実際に形成された後の、レン
ズ20の外周端部20aは、発光観測面の外周端部1a
の若干下に位置することがある。しかしながら、発光素
子チップ1の厚さが通常、80μm〜100であるのに
対し、レンズ20が形成された後のレンズ20の外周端
部20aと発光観測面の外周端部1aの間隔は通常10
μm以下であり、本明細書において、この程度のずれは
実質的に一致しているという。また、遮光膜30は、発
光素子チップ1の側面からレンズ20の外周端部の近傍
に位置する球面とを連続して覆うように形成される。
素子は、レンズ20を、そのレンズ20の外周端部が発
光素子チップ1の発光観測面の外周端部と実質的に一致
するように、かつレンズ20の球面がレンズ20の外周
端部より外側に膨らむように形成し、しかも遮光膜30
を、発光素子チップ1の側面からレンズ20の外周端部
の近傍に位置する球面とを連続して覆うように形成して
いるので、光軸に対して角度の大きい方向の光の強度を
効果的に抑えることができ(図11における0度〜20
度、160度〜180度付近)、全体的に均一な指向性
が得られる。
体(発光素子チップの発光観測面と側面の両方)を覆う
ようにレンズを形成すると、長方体形状に形成されるパ
ッケージにおいては、その長軸方向における指向性と短
軸方向における指向性が異なるが、本実施の形態では、
発光素子チップに直接レンズ20を形成するようにして
いるので、パッケージの形状に影響されることなく、方
向性のない指向特性を実現できる。
覆うようにレンズを形成すると、発光素子チップの発光
観測面から出力される光と発光素子チップの側面から出
力される光の量やダイシング状態(加工バリや形状)が
変化すると、その変化により指向特性が変化することか
ら、指向特性にばらつきが生じやすいが、本実施の形態
の窒化物半導体発光素子では、発光観測面上に形成され
たレンズ20と発光素子チップの側面を取り囲むように
形成された遮光膜により、発光素子チップにより発光さ
れた光は実質的に発光観測面のみから出力されるので、
指向特性のばらつきを小さくできる。
ンズの形成方法と遮光膜の形成方法について説明する。 (レンズの形成方法)本形成方法では、まず、図3
(a)(b)に示すように、発光素子チップ1の発光観
測面上のほぼ中央にディスペンサーにより所定量のレン
ズ形成用樹脂21を塗布する。ここで、レンズ形成用樹
脂21は例えば粘度が5000〜8000cpsのエポ
キシ樹脂に、例えば平均粒径7μmの石英ガラスフィラ
ーが混合されてなり、ディスペンサーの吐出圧力を例え
ば1.5kgf/cm2に設定して、吐出時間を調節す
ることにより一定量のレンズ形成用樹脂21を塗布す
る。このように吐出されたレンズ形成用樹脂21は、図
4(a)(b)に示すように、発光観測面の外周端部1
aまで広がり、その吐出された樹脂21の量と粘度に対
応した形状の球面を形成する。
広がった樹脂は、発光素子チップ1の側面は分割面であ
るために、滑らかな発光観測面とは異なり凹凸のある粗
面となっており、発光観測面の端部1aの外側にさらに
広がって流れ出すことはなく、表面張力により樹脂21
の量と粘度に対応した形状の球面を形成することにな
る。言いかえると、本方法は、発光素子チップの発光観
測面の形状及び面積と、形成しようとするレンズ形状に
基いて、レンズ形成用樹脂の粘度と塗布量とを設定する
ことにより、所望の形状のレンズ20を形成するもので
ある。
体化されたレンズ20とする。ここで、レンズ形成樹脂
21の硬化温度は、例えば、レンズ形成樹脂21のエポ
キシ樹脂が150℃以上のガラス転位点を有する場合、
レンズを形状のばらつきなく一定の形状に形成するため
に、120℃,2時間で硬化させた後さらに、150
℃,8時間で硬化させるなど、2段階で硬化させること
が好ましい。そして、レンズ形成樹脂21を硬化させて
レンズ20とした後、例えば、反射散乱粒子(光散乱粒
子)としてTiO2が混合された樹脂をディスペンサー
を用いて、発光素子チップの側面とレンズ20の外周端
部の近傍とを少なくとも覆うように、発光素子チップ1
の両側に塗布して硬化させる。
子は、上記製造方法を用いて、実質的に発光観測面の上
のみにおいてレンズ20を形成することができるので、
レンズ20の高さを従来の素子チップ全体を覆うレンズ
に比較して薄くできる。また、本実施の形態の発光素子
の製造方法において、レンズ20は、高価な金型等を使
用することなく、樹脂の粘度と塗布量とを所望のレンズ
形状に対応させて設定することにより所望のレンズ形状
を形成しているので、金型を用いて形成される従来例に
比較して、簡単でかつ安価に製造することができる。
では、レンズ20に石英ガラスフィラーを混合した例に
ついて説明したが、本発明はこれに限られるものではな
く、レンズ20に、発光素子チップにより発光された光
の一部又は全部を吸収して吸収した光より長波長の光を
放出する蛍光体を含有してもよい。すなわち、レンズ2
0に石英ガラスフィラーを混合した場合には、発光素子
チップが発生する光がそのまま(波長が変化することな
く)レンズ20を介して出力されるので、発光色は発光
素子チップの発光色となる。これに対して、レンズ20
が蛍光体を含む場合には、以下のように決定される発光
色となる。発光素子チップにより発光される光の一部を
蛍光体が吸収する場合は、蛍光体からの光と発光素子チ
ップからの光との混色により得られる光の発光色とな
る。また、発光素子チップにより発光された全部を蛍光
体が吸収する場合、または発光素子チップが紫外光を発
光しその紫外光を蛍光体が吸収して発光する場合は、蛍
光体が発光する光の発光色となる。
る。 実施例1 (発光素子チップ作製)まず、発光素子チップとして、
InGaNからなる発光層を有し主発光ピークが470
nmのLEDチップを準備する。このLEDチップは、
MOCVD法を利用して、サファイア基板上に発光層等
の窒化物半導体層を成膜して、所定のエッチング工程を
経て所定の位置に電極を形成し、個々のチップに分割す
ることにより作製することができる。尚、発光層等の窒
化物半導体層は、反応室内に洗浄したサファイア基板を
セットし、反応ガスとして、TMG(トリメチル)ガ
ス、TMI(トリメチルインジウム)ガス、TMA(ト
リメチルアルミニウム)ガス、アンモニアガス及びキャ
リアガスとして水素ガス、さらには不純物ガスとしてシ
ランガス及びシクロペンタジアマグネシウムを利用して
成膜することができる。
にして作製されたLEDチップをパッケージ50に電極
同士を対向させ発光観測面(サファイア基板の裏面)を
上にして実装する。 (レンズ形成)次に、以下のようにしてレンズ20を形
成する。ガラス点移転が150℃以上である一液性熱硬
化型のエポキシ樹脂に、平均粒径が15μmの組成式が
(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ceである蛍
光体粉末を分散させ、粘度を5000cpsに調整す
る。ここで、実施例1では、蛍光体の含有量は、重量比
でエポキシ樹脂100に対して、蛍光体を45の割合と
した。
キシ樹脂を、吐出圧力1.5kgf/cm2、吐出時間
0.4秒の条件で、LEDチップの発光観測面に塗布す
る。これにより、所定量の蛍光体混合エポキシ樹脂が発
光観測面に塗布され、図3〜図5に示すようにレンズ形
状が発光観測面上に形成される。そして、このレンズ形
状に形成された蛍光体混合エポキシ樹脂を120℃で2
時間硬化した後さらに、150℃で8時間硬化する。
ものと同様のエポキシ樹脂に、TiO2からなる反射散
乱粒子を分散させ、粘度を5000cpsに調整する。
ここで、実施例1では、反射散乱粒子の含有量は、重量
比でエポキシ樹脂100に対して、反射散乱粒子を30
の割合とした。そして、調整された反射散乱粒子混合エ
ポキシ樹脂を、発光素子チップの周りに所定量だけ塗布
した後、前述と同様の2段階で熱硬化する。尚、遮光膜
は、実施の形態で説明したように、発光素子チップ1の
側面からレンズ20の外周端部の近傍の球面とを連続し
て覆うように形成する。言いかえると、反射散乱粒子混
合エポキシ樹脂の塗布量は、発光素子チップ1の側面か
らレンズ20の外周端部の近傍の球面とを連続して覆う
ように設定する。以上のようにして、実施例1の窒化物
半導体発光素子は作製される。
半導体発光素子は、発光色は白色であり、図6に示す指
向特性を有していた。ここで、図6において、実線L1
は、長軸方向d1(図8参照)における指向角に対する
発光出力Poを示し、破線L2は短軸方向d2(図8参
照)における指向角に対する発光出力Poを示す。図6
から明らかなように、本実施例の構成では、長軸方向d
1及び短軸方向d2において、ほぼ等しい指向特性を有
している。
半導体発光素子において、レンズ20と遮光膜30とを
形成することなく、実施例1と同様にして蛍光体が混合
された蛍光体混合エポキシ樹脂を、図10に示すよう
に、パッケージ50のチップ収納部に充填して硬化させ
たものである。尚、この比較例1において、蛍光体混合
エポキシ樹脂60の表面は、パッケージ50の外枠53
の上面とほぼ一致し、かつ実質的に平坦になるように形
成する。すなわち、この比較例1の素子における蛍光体
混合エポキシ樹脂は、発光素子チップからの光を遮光す
る遮光層及び集光させるレンズ形状を有していない。
半導体発光素子は、発光色は白色であり、図7に示す指
向特性を有していた。ここで、図7において、実線L3
は、長軸方向d1(図8参照)における指向角に対する
発光出力Poを示し、破線L4は短軸方向d2(図8参
照)における指向角に対する発光出力Poを示す。図7
から明らかなように、本実施例の構成では、長軸方向d
1及び短軸方向d2において、ほぼ等しい特性を有して
いるが、指向性は実施例1に比較して均一でなく大きく
ばらつく。
り、実施例1の発光出力は、比較例1に比べて極めて大
きくできることがわかる。
子は、実施例1の窒化物半導体発光素子において、レン
ズ20の蛍光体に代えて、石英ガラスフィラーを含有さ
せた点以外は、実施例1と同様にして作製される。ここ
で、実施例2において、石英ガラスフィラーの含有量
は、重量比でエポキシ樹脂100に対して、石英ガラス
フィラーを30の割合とした。以上のようにして作製し
た実施例2の窒化物半導体発光素子の発光色は青色であ
る(すなわち、図1に示す構造で発光色は青色であ
る)。
子は、比較例1の窒化物半導体発光素子のパッケージ5
0の収納部に充填された樹脂において、蛍光体に代え
て、石英ガラスフィラーを含有させた点以外は、比較例
1と同様にして作製される。以上のようにして作製した
比較例2の窒化物半導体発光素子の発光色は青色である
(図10に示す構造で発光色は青色である)。
と比較例2の素子の発光強度と光出力とを比較してそれ
ぞれ、図9(a)と図9(b)に示す。図9(a)と図
9(b)に示すように、実施例2の素子の発光強度及び
光出力は、比較例2の素子に比べて、極めて高くでき
る。尚、図9に示すデータは、実施例2の素子及び比較
例2の素子とをそれぞれ600個(各3ロット)ずつ作
製して、その平均値を示したものである。
向特性を示すグラフであり、実線L5は長軸方向d1の
指向特性を示し、破線L6は短軸方向d2の指向特性を
示す。この実施例2の発光素子においても、実施例1と
同様、長軸方向d1の指向特性と短軸方向d2の指向特
性とはほぼ同一である。
2の発光素子において、石英ガラスフィラーを含有させ
た樹脂の表面を平坦ではなく、レンズ形状にした以外は
比較例2と同様に構成される。この比較例3の発光素子
の指向特性は、図12に示すようになる。ここで、図1
2において、実線L7は長軸方向d1の指向特性であ
り、破線L8は短軸方向d2の指向特性である。図12
から明らかなように、比較例3の素子では、長軸方向d
1と短軸方向d2では指向特性が異なる。これに対し
て、本発明の発光素子では、長軸方向d1の指向特性と
短軸方向d2の指向特性とをほぼ同一にできる。
る発光素子は、上記第1の主面を発光観測面としかつ上
記第2の主面に正及び負の電極が形成された発光素子チ
ップの第1の主面上にレンズが形成され、かつそのレン
ズは上記第1の主面の外周端部と上記レンズの外周端部
とが実質的に一致し、かつ上記レンズの球面が上記レン
ズの外周端部より外側に膨らむように形成されているの
で、薄型化が図れ、かつ発光観測面の外周端部において
輝線が観測されるのを防止できる。また、本発明に係る
発光素子は、金型を用いることなくレンズを形成するこ
とができるので、安価に製造できる。また、本発明に係
る発光素子において、光散乱粒子を含む遮光層を上記発
光素子チップの側面と上記レンズの外周端部及びその近
傍とを連続的に覆うように設けることにより、発光した
光を実質的に発光観測面のみから出力できるので、発光
強度を向上させることができる。
示す断面図である。
発光素子チップの発光観測面上にレンズ形成用樹脂を塗
布した直後の平面図(a)と断面図(b)である。
発光素子チップの発光観測面上にレンズ形成用樹脂を塗
布し、レンズ形状が形成されたときの平面図(a)と断
面図(b)である。
発光素子チップの周りに遮光膜を形成した後の平面図
(a)と断面図(b)である。
を示すグラフである。
を示すグラフである。
軸方向と短軸方向とを示す平面図である。
素子の特性とを対比して示すグラフであり、(a)は光
度を比較して示すグラフであり、(b)は光出力を比較
して示すグラフである。
フである。
フである。
グケースを用いてレンズを形成する場合の様子を示す断
面図である。
レンズを形成する場合の様子を示す断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 互いに対向する第1の主面と第2の主面
を有し、上記第1の主面を発光観測面としかつ上記第2
の主面に正及び負の電極が形成された発光素子チップ
と、上記第1の主面上に形成されたレンズとを備え、 上記第1の主面の外周端部と上記レンズの外周端部とが
実質的に一致し、かつ上記レンズの球面が上記外周端部
より外側に膨らんで形成されていることを特徴とする発
光素子。 - 【請求項2】 上記発光素子はさらに、光散乱粒子を含
む遮光層を有し、該遮光層は上記発光素子チップの側面
と上記レンズの外周端部及びその近傍とを連続的に覆う
ように設けられている請求項1記載の発光素子。 - 【請求項3】 上記散乱粒子は、酸化ケイ素、チタン酸
バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウムからなる群か
ら選択される少なくとも1つを含む請求項2記載の発光
素子。 - 【請求項4】 上記発光素子チップは窒化物半導体発光
素子チップであって、上記レンズは蛍光体を含む請求項
1〜3のうちのいずれか1つに記載の発光素子。 - 【請求項5】 上記蛍光体は、少なくともセリウムで付
活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍
光体を含む請求項4記載の発光素子。 - 【請求項6】 前記発光素子チップは、主発光波長が5
30nm以下の可視光を発光する請求項1〜5のうちの
いずれか1つに記載の発光素子。
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|
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Cited By (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004193393A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合発光素子 |
JP2005158949A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2005209852A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光デバイス |
JP2006086172A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Seiko Epson Corp | 光源装置及びその冷却方法、並びに画像表示装置 |
JP2006303397A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2007095809A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体光源装置とその発光部及び発光部の製造方法 |
WO2007123239A1 (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-01 | Asahi Glass Company, Limited | 発光装置 |
WO2007135754A1 (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Asahi Glass Company, Limited | 発光装置の製造方法および発光装置 |
WO2008041771A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Asahi Glass Co., Ltd. | Glass coated light emitting element, wiring board with light emitting element, method for producing wiring board with light emitting element, lighting device and projector |
JP2008251604A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2009218274A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2010092897A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
CN101436637B (zh) * | 2008-12-16 | 2011-02-16 | 王海军 | 一种高效散热发光的大功率led封装结构 |
KR20110025994A (ko) * | 2008-07-01 | 2011-03-14 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 변환되지 않은 광의 방출이 감소된 파장 변환형 발광 다이오드 |
JP2011071272A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2011258675A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
JP2012119412A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Sanyu Rec Co Ltd | オプトデバイスの製造方法および製造装置 |
JP2012519975A (ja) * | 2009-03-09 | 2012-08-30 | トリドニック イェネルスドルフ ゲー,エム,ベー,ハー | 光出力を向上させたledモジュール |
JP2013529841A (ja) * | 2010-06-16 | 2013-07-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス素子 |
JP2013534728A (ja) * | 2010-06-22 | 2013-09-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
JP2014112724A (ja) * | 2014-03-03 | 2014-06-19 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2014212329A (ja) * | 2008-09-02 | 2014-11-13 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 蛍光体変換led |
US20150001565A1 (en) * | 2013-06-28 | 2015-01-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2015070132A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
US9024340B2 (en) | 2007-11-29 | 2015-05-05 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method for producing the same |
JP2015135986A (ja) * | 2015-03-23 | 2015-07-27 | 株式会社東芝 | 光半導体装置 |
JP2015165536A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-17 | ウシオ電機株式会社 | 発光装置および発光モジュール |
JP2015173287A (ja) * | 2015-05-25 | 2015-10-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015220307A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2016146434A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-12 | 住友化学株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
WO2017038961A1 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 丸文株式会社 | 深紫外led及びその製造方法 |
US9806229B2 (en) | 2014-03-06 | 2017-10-31 | Marubun Corporation | Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same |
JP2018019091A (ja) * | 2017-10-02 | 2018-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US9929317B2 (en) | 2015-01-16 | 2018-03-27 | Marubun Corporation | Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same |
US9929311B2 (en) | 2013-07-17 | 2018-03-27 | Marubun Corporation | Semiconductor light emitting element and method for producing the same |
US9972752B2 (en) | 2015-04-08 | 2018-05-15 | Nichia Corporation | Light-emitting device manufacturing method |
US10056526B2 (en) | 2016-03-30 | 2018-08-21 | Marubun Corporation | Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same |
JP2018174334A (ja) * | 2018-06-08 | 2018-11-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
KR20190011457A (ko) * | 2017-07-25 | 2019-02-07 | (주)라이타이저코리아 | 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법 |
JP2020102646A (ja) * | 2020-03-18 | 2020-07-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020205458A (ja) * | 2020-10-05 | 2020-12-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11309454B2 (en) | 2018-01-26 | 2022-04-19 | Marubun Corporation | Deep ultraviolet LED and method for producing the same |
US11329201B2 (en) | 2016-12-06 | 2022-05-10 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2023067888A (ja) * | 2021-01-12 | 2023-05-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2023181930A1 (ja) * | 2022-03-22 | 2023-09-28 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-04-09 JP JP2001109819A patent/JP3991612B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004193393A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合発光素子 |
JP2005158949A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP4622253B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2011-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光デバイス及びその製造方法 |
JP2005209852A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光デバイス |
JP2006086172A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Seiko Epson Corp | 光源装置及びその冷却方法、並びに画像表示装置 |
JP2006303397A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2007095809A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体光源装置とその発光部及び発光部の製造方法 |
WO2007123239A1 (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-01 | Asahi Glass Company, Limited | 発光装置 |
JP5035241B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2012-09-26 | 旭硝子株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
WO2007135754A1 (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Asahi Glass Company, Limited | 発光装置の製造方法および発光装置 |
US7872281B2 (en) | 2006-10-05 | 2011-01-18 | Asahi Glass Company, Limited | Glass-coated light-emitting element, light-emitting element-attached wiring board, method for producing light-emitting element-attached wiring board, lighting device and projector |
WO2008041771A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Asahi Glass Co., Ltd. | Glass coated light emitting element, wiring board with light emitting element, method for producing wiring board with light emitting element, lighting device and projector |
JP2008251604A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US10522727B2 (en) | 2007-11-29 | 2019-12-31 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method for producing the same |
US9024340B2 (en) | 2007-11-29 | 2015-05-05 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method for producing the same |
US11735699B2 (en) | 2007-11-29 | 2023-08-22 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method for producing the same |
US11257996B2 (en) | 2007-11-29 | 2022-02-22 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method for producing the same |
US9853194B2 (en) | 2007-11-29 | 2017-12-26 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method for producing the same |
JP2009218274A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
KR101596001B1 (ko) | 2008-07-01 | 2016-03-07 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 변환되지 않은 광의 방출이 감소된 파장 변환형 발광 다이오드 |
EP2294634B1 (en) * | 2008-07-01 | 2020-08-05 | Lumileds Holding B.V. | Wavelength converted light emitting diode with reduced emission of unconverted light |
JP2011526739A (ja) * | 2008-07-01 | 2011-10-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 非変換光の発光が少ない、波長を変換する発光ダイオード |
KR20110025994A (ko) * | 2008-07-01 | 2011-03-14 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 변환되지 않은 광의 방출이 감소된 파장 변환형 발광 다이오드 |
JP2014212329A (ja) * | 2008-09-02 | 2014-11-13 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 蛍光体変換led |
JP2016167626A (ja) * | 2008-09-02 | 2016-09-15 | ブリッジラックス インコーポレイテッド | 蛍光体変換led |
JP2010092897A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
CN101436637B (zh) * | 2008-12-16 | 2011-02-16 | 王海军 | 一种高效散热发光的大功率led封装结构 |
JP2012519975A (ja) * | 2009-03-09 | 2012-08-30 | トリドニック イェネルスドルフ ゲー,エム,ベー,ハー | 光出力を向上させたledモジュール |
EP2406834B1 (en) * | 2009-03-09 | 2019-04-24 | Tridonic Jennersdorf GmbH | Led module with improved light output |
US9099621B2 (en) | 2009-09-25 | 2015-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
JP2011071272A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US8759863B2 (en) | 2009-09-25 | 2014-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
US8350285B2 (en) | 2009-09-25 | 2013-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
US9240520B2 (en) | 2009-09-25 | 2016-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
US8981412B2 (en) | 2010-06-07 | 2015-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor device and method for manufacturing same |
JP2011258675A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
US8754429B2 (en) | 2010-06-07 | 2014-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor device and method for manufacturing same |
JP2013529841A (ja) * | 2010-06-16 | 2013-07-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス素子 |
US8759862B2 (en) | 2010-06-16 | 2014-06-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
US9634207B2 (en) | 2010-06-22 | 2017-04-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor component and method of producing a semiconductor component |
JP2013534728A (ja) * | 2010-06-22 | 2013-09-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
US9368699B2 (en) | 2010-06-22 | 2016-06-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor component containing a highly refractive polymer material |
JP2012119412A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Sanyu Rec Co Ltd | オプトデバイスの製造方法および製造装置 |
US9484507B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US20150001565A1 (en) * | 2013-06-28 | 2015-01-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US9608180B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-03-28 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US9929311B2 (en) | 2013-07-17 | 2018-03-27 | Marubun Corporation | Semiconductor light emitting element and method for producing the same |
JP2015070132A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP2014112724A (ja) * | 2014-03-03 | 2014-06-19 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2015165536A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-17 | ウシオ電機株式会社 | 発光装置および発光モジュール |
US9806229B2 (en) | 2014-03-06 | 2017-10-31 | Marubun Corporation | Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same |
JP2015220307A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US9929317B2 (en) | 2015-01-16 | 2018-03-27 | Marubun Corporation | Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same |
JP2016146434A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-12 | 住友化学株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
JP2015135986A (ja) * | 2015-03-23 | 2015-07-27 | 株式会社東芝 | 光半導体装置 |
US9972752B2 (en) | 2015-04-08 | 2018-05-15 | Nichia Corporation | Light-emitting device manufacturing method |
JP2015173287A (ja) * | 2015-05-25 | 2015-10-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR20180032638A (ko) * | 2015-09-03 | 2018-03-30 | 마루분 가부시키가이샤 | 심자외 led 및 그 제조 방법 |
JPWO2017038961A1 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-09-07 | 丸文株式会社 | 深紫外led及びその製造方法 |
WO2017038961A1 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 丸文株式会社 | 深紫外led及びその製造方法 |
KR102056414B1 (ko) | 2015-09-03 | 2020-01-22 | 마루분 가부시키가이샤 | 심자외 led 및 그 제조 방법 |
US10680134B2 (en) | 2015-09-03 | 2020-06-09 | Marubun Corporation | Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same |
US10950751B2 (en) | 2015-09-03 | 2021-03-16 | Marubun Corporation | Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same |
US10056526B2 (en) | 2016-03-30 | 2018-08-21 | Marubun Corporation | Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same |
US11329201B2 (en) | 2016-12-06 | 2022-05-10 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
KR20190011457A (ko) * | 2017-07-25 | 2019-02-07 | (주)라이타이저코리아 | 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법 |
KR102026655B1 (ko) * | 2017-07-25 | 2019-09-30 | (주)라이타이저 | 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법 |
JP2018019091A (ja) * | 2017-10-02 | 2018-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US11309454B2 (en) | 2018-01-26 | 2022-04-19 | Marubun Corporation | Deep ultraviolet LED and method for producing the same |
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