JP2002305364A - 回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法Info
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Abstract
からなる電気絶縁性基板を用いることによって、高密度
で回路部品の実装が可能であり且つ信頼性が高い回路部
品内蔵モジュールおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 無機フィラー70重量%〜95重量%と
熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板1
01と、電気絶縁性基板101の一方の主面に形成され
た第1の配線パターン102bと、電気絶縁性基板10
1の他方の主面に形成された第2の配線パターン102
aと、電気絶縁性基板101に埋設され第1の配線パタ
ーン102bに電気的に接続された少なくとも1つの回
路部品103と、第1の配線パターン102bと第2の
配線パターン102aを電気的に接続するように電気絶
縁性基板101内に形成されたインナービア104とを
含む。
Description
ュールに関し、特にたとえば、回路部品が電気絶縁性基
板の内部に配置される回路部品内蔵モジュールに関す
る。
求に伴い、回路部品の高密度、高機能化が一層叫ばれて
いる。そのため、回路部品の高密度、高機能化に対応し
た回路基板が要求されている。
を多層化する方法が考えられるが、従来のガラス−エポ
キシ基板では、ドリルによる貫通スルーホール構造を用
いる必要があるため、高密度実装化への対応が困難であ
る。このため、最も回路の高密度化が図れる方法とし
て、LSI間や部品間の配線パターンを最短距離で接続
できるインナービアホール接続法の開発が、各方面で進
められている。
層間のみの接続が可能であり、回路部品の実装性にも優
れている(特開昭63−47991、特開平6−268
345)。
インナービアホール接続法で用いられてきた基板は、樹
脂系の材料で構成されていたため、熱伝導度が低いとい
う問題があった。回路部品内蔵モジュールでは、回路部
品の実装密度が高密度になればなるほど部品から発生す
る熱を放熱させる必要が高くなるが、従来の基板では十
分に放熱をすることができず、回路部品内蔵モジュール
の信頼性が低下するという問題があった。
め、高密度で回路部品の実装が可能であり且つ信頼性の
高い回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法を提供
することを目的とする。
に、本発明の回路部品内蔵モジュールは、無機フィラー
70重量%〜95重量%と熱硬化性樹脂とを含む混合物
からなる電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性基板の一方
の主面に形成された第1の配線パターンと、前記電気絶
縁性基板の他方の主面に形成された第2の配線パターン
と、前記電気絶縁性基板に埋設され前記第1の配線パタ
ーンに電気的に接続された少なくとも1つの回路部品
と、前記第1の配線パターンと前記第2の配線パターン
を電気的に接続するように前記電気絶縁性基板内に形成
されたインナービアとを含む。この回路部品内蔵モジュ
ールでは、回路部品から発生する熱が、無機フィラーに
よって速やかに放熱されるため、信頼性の高い回路部品
内蔵モジュールが得られる。さらに、無機フィラーを選
択することによって、内蔵する回路部品にあわせて電気
絶縁性基板の熱伝導度、線膨張係数、誘電率、絶縁耐圧
等を変化させることができる。また、半導体素子および
チップコンデンサを含む回路部品内蔵モジュールでは、
半導体素子とチップコンデンサとの距離を短くすること
によって、電気信号のノイズを低減することができる。
とも2種類以上の回路部品が前記電気絶縁性基板に埋設
されていることが好ましい。
路部品は半導体ベアーチップを含むことが好ましい。
品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチ
ップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品
を含むことが好ましい。チップ状の部品を用いることに
よって、電気絶縁性基板に容易に埋設することができ
る。
導体ベアーチップは前記第1の配線パターンにフリップ
チップボンディングされていることが好ましい。
ンナービアは導電性樹脂組成物からなることが好まし
い。インナービアが導電性樹脂組成物からなる場合は、
製造が容易になる。
線パターンが導電性樹脂組成物を含むことが好ましい。
導電性樹脂組成物を用いることによって、配線パターン
を容易に形成することができる。
線パターンが、エッチング法または打ち抜き法で形成さ
れた金属板のリードフレームからなることが好ましい。
金属板のリードフレームは、電気抵抗が低いからであ
る。エッチング法を用いることによって、微細なパター
ンの配線パターンを形成することができる。打ち抜き法
を用いることによって、簡易な設備で配線パターンを形
成することができる。
は、分散剤、着色剤、カップリング剤および離型剤から
選ばれる少なくとも一つの添加剤をさらに含むことが望
ましい。分散剤によって、熱硬化性樹脂中の無機フィラ
ーを均一性よく分散させることができる。着色剤によっ
て、電気絶縁性基板を着色することができるため、回路
部品内蔵モジュールの放熱性をよくすることができる。
カップリング剤によって、熱硬化性樹脂と無機フィラー
との接着強度を高くすることができるため、電気絶縁性
基板の絶縁性を向上できる。離型剤によって、金型と混
合物との離型性を向上できるため、生産性を向上でき
る。
縁性基板の線膨張係数が8×10-6/℃〜20×10-6
/℃であり、かつ電気絶縁性基板の熱伝導度が1w/m
K〜10w/mKであることが好ましい。セラミック基
板に近い熱伝導度が得られ、放熱性に富む基板が得られ
るからである。
製造方法は、無機フィラー70重量%〜95重量%と未
硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板状体
Aを形成する工程と、第1の銅箔の一主面に少なくとも
1つ以上の回路部品を実装する工程と、前記第1の銅箔
の前記一主面上に、前記板状体Aを位置合わせして重
ね、さらにその上に第2の銅箔を重ねて加圧することに
よって、前記回路部品が埋設された板状体Bを形成する
工程と、前記第1および第2の銅箔を加工して配線パタ
ーンを形成する工程とを含む。
製造方法は、無機フィラー70重量%〜95重量%と未
硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板状体
Aを形成する工程と、第1の離型フィルムの一主面に配
線パターンを形成し、前記配線パターン上に少なくとも
1つ以上の回路部品を実装する工程と、第2の離型フィ
ルムの一主面に配線パターンを形成する工程と、前記第
1の離型フィルムと前記板状体Aと前記第2の離型フィ
ルムとを前記配線パターンが前記板状体A側に向くよう
にこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによっ
て前記回路部品が埋設された板状体Bを形成する工程
と、前記第1および第2の離型フィルムを前記板状体B
から剥離する工程とを含む。
銅箔または前記配線パターンに前記回路部品を実装した
後、前記銅箔または前記配線パターンと前記回路部品と
の間に封止樹脂を注入する工程をさらに含むことが好ま
しい。この工程によって、回路部品と配線パターンとの
間に空間が形成されることを防止することができ、ま
た、回路部品と配線パターンとの接続を強固にすること
ができる。
板状体Aを形成する工程が、前記混合物を板状に成型し
た後、前記板状の混合物を前記熱硬化性樹脂の硬化温度
より低い温度で熱処理することによって、前記板状の混
合物の粘着性を失わせる工程を含むことが好ましい。
回路部品を前記板状体Aに埋設することによって前記板
状体Bを形成する工程を、前記熱硬化性樹脂の硬化温度
より低い温度下で行うことが好ましい。
回路部品を前記配線パターンに実装する工程は、前記回
路部品と前記配線パターンとを半田によって電気的およ
び機械的に接続する工程からなることが好ましい。
回路部品が能動部品を含み、前記能動部品を前記配線パ
ターンに実装する際に、前記能動部品の金バンプと前記
配線パターンとを導電性接着剤によって電気的に接続す
ることが好ましい。
回路部品が半導体ベアーチップを含み、前記半導体ベア
ーチップは前記配線パターンにフリップチップボンディ
ングされていることが好ましい。
回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサお
よびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つ
の部品を含むことが好ましい。
実施の形態の一例について説明する。
の回路部品内蔵モジュールの一例であり、図1は、この
実施形態の回路部品内蔵モジュール100の斜視断面図
である。
内蔵モジュール100は、電気絶縁性基板101と、電
気絶縁性基板101の一主面および他主面に形成された
配線パターン102aおよび102bと、配線パターン
102bに接続され電気絶縁性基板101の内部に配置
された回路部品103と、配線パターン102aおよび
102bを電気的に接続するインナービア104とを含
む。
熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。無機フィラーに
は、たとえば、Al2O3、MgO、BN、AlNまたは
SiO2などを用いることができる。無機フィラーは、
混合物に対して70重量%から95重量%であることが
好ましい。無機フィラーの平均粒子径は、0.1μm〜
100μm以下であることが好ましい。熱硬化性樹脂に
は、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール
樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。エポキシ樹脂
は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。なお、混合物
は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型
剤を含んでいてもよい。
電気導電性を有する物質からなり、たとえば、銅箔や導
電性樹脂組成物からなる。配線パターンとして銅箔を用
いる場合、たとえば、電解メッキにより作製された厚さ
18μm〜35μm程度の銅箔が使用できる。銅箔は、
電気絶縁性基板101との接着性を向上させるため、電
気絶縁性基板101と接触する面を粗化することが望ま
しい。また、銅箔には、接着性および耐酸化性向上のた
め、銅箔表面をカップリング処理したものや、銅箔表面
に錫、亜鉛またはニッケルをメッキしたものを使用して
もよい。また、配線パターン102aおよび102bに
は、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板
のリードフレームを用いてもよい。
03aおよび受動部品103bを含む。能動部品103
aとしては、たとえば、トランジスタ、IC、LSIな
どの半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベ
アーチップであってもよい。受動部品103bとして
は、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチッ
プ状インダクタなどが用いられる。なお、回路部品10
3は、受動部品103bを含まない場合であってもよ
い。
との接続には、たとえばフリップチップボンディングが
用いられる。
性の導電性物質からなる。熱硬化性の導電性物質として
は、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導
電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子として
は、金、銀、銅またはニッケルなどを用いることができ
る。金、銀、銅またはニッケルは導電性が高いため好ま
しく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため
特に好ましい。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用い
ることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特
に好ましい。
ュール100では、配線パターン102aと配線パター
ン102bとが、電気絶縁性基板101の貫通孔に充填
されたインナービア104によって接続される。したが
って、回路部品内蔵モジュール100では、高密度に回
路部品103を実装することができる。
は、電気絶縁性基板101に含まれる無機フィラーによ
って回路部品で発生した熱が速やかに伝導される。した
がって、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られ
る。
は、電気絶縁性基板101に用いる無機フィラーを選択
することによって、電気絶縁性基板101の線膨張係
数、熱伝導度、誘電率などを容易に制御することができ
る。電気絶縁性基板101の線膨張係数を半導体素子と
略等しくすると、温度変化によるクラックの発生等を防
止することができるため、信頼性の高い回路部品内蔵モ
ジュールが得られる。電気絶縁性基板101の熱伝導性
を向上させると、高密度で回路部品を実装した場合に
も、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。
電気絶縁性基板101の誘電率を低くすることによっ
て、誘電損失の少ない高周波回路用モジュールが得られ
る。
は、電気絶縁性基板101によって回路部品103を外
気から遮断することができるため、湿度による信頼性低
下を防止することができる。
00は、電気絶縁性基板101の材料として、無機フィ
ラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いているため、セラ
ミック基板と異なり、高温で焼成する必要がなく製造が
容易である。
ル100では、配線パターン102aが電気絶縁性基板
101に埋設されていない場合を示したが、配線パター
ン102aが電気絶縁性基板101に埋設されていても
よい(図3(h)参照)。
ル100では、配線パターン102a上に回路部品が実
装されていない場合を示したが、配線パターン102a
上に回路部品を実装してもよく、さらに回路部品内蔵モ
ジュールを樹脂モールドしてもよい(以下の実施形態に
おいて同様である)。配線パターン102a上に回路部
品を実装することによって、さらに高密度に回路部品を
実装できる。
に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形
態を説明する。実施形態2で用いられる材料および回路
部品は、実施形態1で説明したものである。
ールの製造工程の一実施形態を示す断面図である。
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによ
って板状の混合物200を形成する。板状の混合物20
0は、無機フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂とを混
合してペースト状混練物とし、そのペースト状混練物を
一定厚みに成型することによって形成することができ
る。
脂の硬化温度より低い温度で熱処理をしてもよい。熱処
理をすることによって、混合物200の可撓性を維持し
ながら粘着性を除去することができるため、その後の処
理が容易になる。また、溶剤によって熱硬化性樹脂を溶
解させた混合物では、熱処理をすることによって、溶剤
の一部を除去することができる。
200の所望の位置に貫通孔201を形成することによ
って、貫通孔201が形成された板状体を形成する。貫
通孔201は、たとえば、レーザ加工、ドリルによる加
工または金型による加工で形成することができる。レー
ザ加工は、微細なピッチで貫通孔201を形成すること
ができ、削り屑が発生しないため好ましい。レーザ加工
では、炭酸ガスレーザやエキシマレーザを用いると加工
が容易である。なお、貫通孔201は、ペースト状混練
物を成型して板状の混合物200を形成する際に、同時
に形成してもよい。
201に導電性樹脂組成物202を充填することによっ
て、貫通孔201に導電性樹脂組成物202が充填され
た板状体を形成する。
2(d)に示すように、銅箔203に回路部品204を
フリップチップボンディングする。回路部品204は、
導電性接着剤205を介して銅箔203と電気的に接続
されている。導電性接着剤205には、たとえば、金、
銀、銅、銀−パラジウム合金などを熱硬化性樹脂で混練
したものが使用できる。また、導電性接着剤205の代
わりに、金ワイヤボンディング法で作製したバンプまた
は半田によるバンプを回路部品側にあらかじめ形成し、
熱処理によって金または半田の溶解して回路部品204
を実装することも可能である。さらに、半田バンプと導
電性接着剤とを併用することも可能である。
4と銅箔203との間に封止樹脂を注入してもよい(以
下の実施形態において、回路部品と銅箔との間あるいは
回路部品と配線パターンとの間に封止樹脂を注入しても
よいことは同様である)。封止樹脂の注入によって、後
の工程で半導体素子を板状体に埋設する際に、半導体素
子と配線パターンとの間に隙間ができることを防止する
ことができる。封止樹脂には通常のフリップチップボン
ディングに使用されるアンダーフィル樹脂を用いること
ができる。
箔206を形成する。
品204を実装した銅箔203、図2(c)の板状体お
よび銅箔206を位置合わせして重ねる。
わせして重ねたものを加圧することによって回路部品2
04が埋設された板状体を形成した後、これを加熱する
ことによって、混合物200および導電性樹脂組成物2
02中の熱硬化性樹脂を硬化させ、回路部品204が埋
設された板状体を形成する。加熱は、混合物200およ
び導電性樹脂組成物202中の熱硬化性樹脂が硬化する
温度以上の温度(たとえば150℃〜260℃)で行
い、混合物200は電気絶縁性基板207となり、導電
性樹脂組成物はインナービア208となる。この工程に
よって、銅箔203および206と回路部品204と電
気絶縁性基板207とが機械的に強固に接着する。ま
た、インナービア208によって、銅箔203および2
06が電気的に接続される。なお、加熱によって混合物
200および導電性樹脂組成物202中の熱硬化性樹脂
を硬化させる際に、加熱しながら10kg/cm2〜2
00kg/cm2の圧力で加圧することによって、回路
部品モジュールの機械的強度を向上させることができる
(以下の実施形態において同様である)。
03および206を加工することによって配線パターン
209および210を形成する。
路部品内蔵モジュールが形成される。上記製造方法によ
れば、実施形態1で説明した回路部品内蔵モジュールを
容易に製造することができる。
填する導電性物質として導電性樹脂組成物202を用い
たが、熱硬化性の導電性物質であればよい(以下の実施
形態において同様である)。
に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実
施形態を説明する。実施形態3で用いられる材料および
回路部品は、実施形態1で説明したものである。
る回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図であ
る。
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによ
って板状の混合物300を形成する。この工程は図2
(a)と同様であるため、重複する説明は省略する。
300の所望の位置に、貫通孔301を形成する。この
工程は図2(b)と同様であるため、重複する説明は省
略する。
301に導電性樹脂組成物302を充填することによっ
て、貫通孔301に導電性樹脂組成物302が充填され
た板状体を形成する。
3(d)に示すように、離型フィルム305上に配線パ
ターン303を形成し、配線パターン303に回路部品
304を実装する。回路部品304を実装する方法は、
図2(d)で説明した方法と同様であるため、重複する
説明は省略する。離型フィルム305には、たとえば、
ポリエチレンテレフタレートやポリフェニレンサルファ
イトのフィルムを用いることができる。配線パターン3
03は、たとえば、離型フィルム305に銅箔を接着し
た後フォトリソ工程およびエッチング工程を行うことに
よって形成できる。また、配線パターン303には、エ
ッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリー
ドフレームを用いてもよい。
3(e)に示すように、離型フィルム307上に配線パ
ターン306を形成する。配線パターン306は、配線
パターン303と同様の方法で形成できる。
ターン303および306と導電性物質302とが所望
の部分で接続されるように、離型フィルム305、図2
(c)の板状体および離型フィルム307を位置合わせ
して重ねる。
わせして重ねたものを加圧し加熱することによって、混
合物300および導電性樹脂組成物302中の熱硬化性
樹脂を硬化させ、回路部品304ならびに配線パターン
303および306が埋設された板状体を形成する。加
熱は、混合物300および導電性樹脂組成物302中の
熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(たとえば15
0℃〜260℃)で行い、混合物300は電気絶縁性基
板308となり、導電性樹脂組成物302はインナービ
ア309となる。インナービア309によって、配線パ
ターン303および306が電気的に接続される。
ィルム305および307を図3(g)の板状体から剥
離する。
路部品内蔵モジュールが形成される。上記製造方法によ
れば、実施形態1で説明した回路部品内蔵モジュールを
容易に製造することができる。
ン306を形成した離型フィルム307を用いるため、
配線パターン306が電気絶縁性基板308に埋め込ま
れ表面が平坦な回路部品内蔵モジュールを製造できる。
表面が平坦であることによって配線パターン306上に
高密度に部品を実装することができるため、より高密度
に回路部品を実装できる。
明の多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの一実施
形態を説明する。図4は、この実施形態4の回路部品内
蔵モジュール400の斜視断面図である。
内蔵モジュール400は、積層された電気絶縁性基板4
01a、401bおよび401cからなる電気絶縁性基
板401と、電気絶縁性基板401の主面および内部に
形成された配線パターン402a、402b、402c
および402dと、電気絶縁性基板401の内部に配置
され配線パターン402a、402bまたは402cに
接続された回路部品403と、配線パターン402a、
402b、402cおよび402dを電気的に接続する
インナービア404とを含む。
401cは、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合
物からなる。無機フィラーには、たとえば、Al2O3、
MgO、BN、AlNまたはSiO2などを用いること
ができる。無機フィラーは、混合物に対して70重量%
〜95重量%であることが好ましい。無機フィラーの平
均粒子径は、0.1μm〜100μmであることが好ま
しい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポ
キシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ま
しい。エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ま
しい。なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップ
リング剤または離型剤を含んでいてもよい。
cおよび402dは、実施形態1で説明した配線パター
ン102aおよび102bと同様であるので、重複する
説明は省略する。
03aや受動部品403bを含む。能動部品403aと
しては、たとえば、トランジスタ、IC、LSIなどの
半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベアー
チップであってもよい。受動部品403bとしては、チ
ップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチップ状イ
ンダクタなどが用いられる。なお、回路部品403は、
受動部品403bを含まない場合であってもよい。
02cと能動部品403aとの接続には、たとえばフリ
ップチップボンディングが用いられる。
性の導電性物質からなる。インナービア404として
は、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導
電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子の材料
としては、金、銀、銅またはニッケルなどの金属を用い
ることができる。金、銀、銅またはニッケルは導電性が
高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーション
も少ないため特に好ましい。また、熱硬化性樹脂として
は、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシ
アネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、
耐熱性が高いため特に好ましい。
ル400は、配線パターン402dが電気絶縁性基板4
01cに埋設されていない場合を示したが、配線パター
ン402dが電気絶縁性基板401cに埋設されていて
もよい(図6(g)参照)。
ジュール400を示したが、設計に応じた多層構造とす
ることができる(以下の実施形態において同様であ
る)。
形態4に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一
実施形態を説明する。実施形態5で用いられる材料およ
び回路部品は、実施形態4で説明したものである。
部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図5
(a)〜(h)は、この実施形態の回路部品内蔵モジュ
ールの製造工程を示す断面図である。
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによ
って板状の混合物500を形成し、貫通孔に導電性樹脂
組成物501を充填することによって、貫通孔に導電性
樹脂組成物501が充填された板状体を形成する。この
工程は、図2(a)〜(c)で説明した工程と同様であ
るので、重複する説明は省略する。
ン506を形成し、配線パターン506上に能動部品5
04および受動部品505を実装する。この工程は、図
3(d)で説明したものと同様であり、重複する説明は
省略する。
(a)の板状体と離型フィルム503とを位置合わせし
て重ねて加圧した後、離型フィルム503を剥離するこ
とによって、配線パターン506、能動部品504およ
び受動部品505が埋設された板状体を形成する。
て、図5(a)および(b)と同様の工程で、配線パタ
ーン506および回路部品が埋設された板状体を複数形
成する(図5(c)および(d)、図5(e)および
(f)参照)。なお、配線パターン506と回路部品
は、設計に応じて各層ごとに異なる。
(b)、(d)および(f)の板状体を位置合わせして
重ね、図5(f)の板状体の配線パターンが形成されて
いない主面上にさらに銅箔507を重ねる。
(g)で重ねた板状体および銅箔507を加圧し加熱す
ることによって多層構造を有する板状体を形成する。加
熱は、混合物500および導電性樹脂組成物501中の
熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(たとえば15
0℃〜260℃)で行い、混合物500は電気絶縁性基
板508となり、導電性樹脂組成物501はインナービ
ア509となる。この工程によって、回路部品504お
よび505、銅箔507および電気絶縁性基板508が
機械的に強固に接着する。また、インナービア509に
よって、配線パターン506および銅箔507が電気的
に接続される。その後、銅箔507を加工して配線パタ
ーン510を形成する。
品内蔵モジュールを形成できる。上記製造方法によれ
ば、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に
製造することができる。
形態4で説明した回路部品内蔵モジュールの製造方法の
他の一実施形態を説明する。実施形態6で用いられる材
料および回路部品は、実施形態4で説明したものであ
る。
路部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図
6(a)〜(g)は、この実施形態における回路部品内
蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによ
って板状の混合物600を形成し、貫通孔に導電性物質
601を充填することによって貫通孔に導電性樹脂組成
物601が充填された板状体を形成する。この工程は、
図2(a)〜(c)で説明したものと同様であり、重複
する説明は省略する。一方、離型フィルム603上に配
線パターン606を形成し、配線パターン606上に能
動部品604および受動部品605を実装する。この工
程は、図3(d)で説明したものと同様であり、重複す
る説明は省略する。
(a)の板状の混合物600と離型フィルム603とを
位置合わせして重ねて加圧した後、離型フィルム603
を剥離することによって、配線パターン606、能動部
品604および受動部品605が埋設された板状体を形
成する。
て、図6(a)および(b)と同様の工程で、配線パタ
ーン606および回路部品が埋設された板状体を形成す
る(図6(c)および(d)参照)。なお、配線パター
ン606と回路部品は、設計に応じて各層ごとに異な
る。
て、図6(e)に示すように、離型フィルム603上
に、配線パターン607を形成する。
(b)および(d)の板状体を位置合わせして重ね、図
6(d)の板状体の配線パターン606が形成されてい
ない主面上に、さらに図6(e)の離型フィルム603
を配線パターン607が内側になるように重ねる。
(f)で重ねた板状体および離型フィルム603を加圧
し加熱することによって、多層構造を有する板状体を形
成する。加熱は、混合物600および導電性樹脂組成物
601中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(た
とえば150℃〜260℃)で行い、混合物600は電
気絶縁性基板608となり、導電性樹脂組成物601は
インナービア609となる。この工程によって、能動部
品604、受動部品605、配線パターン606および
607、および電気絶縁性基板608が機械的に強固に
接着する。また、インナービア609によって、配線パ
ターン606および607が電気的に接続される。
フィルム603を剥離することによって、多層構造を有
する回路部品内蔵モジュールを形成できる。
多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造
することができる。
る。
ールの作製に際し、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含
む混合物からなる電気絶縁性基板の作製方法の一例につ
いて説明する。
絶縁性基板を作製した。なお、比較例を試料番号1に示
す。
日本ペルノックス(株)製のエポキシ樹脂(WE−20
25、酸無水系硬化剤含む)を用いた。フェノール樹脂
には、大日本インキ(株)製のフェノール樹脂(フェノ
ライト、VH4150)を用いた。シアネート樹脂に
は、旭チバ(株)製のシアネート樹脂(AroCy、M
−30)を用いた。この実施例では、添加物としてカー
ボンブラックまたは分散剤を加えた。
されたペースト状の混合物を、所定量だけ離型フィルム
上に滴下する。ペースト状の混合物は、無機フィラーと
液状の熱硬化性樹脂とを攪拌混合機によって10分程度
混合して作製した。使用した攪拌混合機は、所定の容量
の容器に無機フィラーと液状の熱硬化性樹脂とを投入
し、容器自身を回転させながら公転させるもので、混合
物の粘度が比較的高くても充分な分散状態が得られる。
離型フィルムには厚み75μmのポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用い、フィルム表面にシリコンによる
離型処理を施した。
物にさらに離型フィルムを重ね、加圧プレスで厚さ50
0μmになるようにプレスして、板状の混合物を得た。
物を離型フィルムごと加熱し、板状の混合物の粘着性が
無くなる条件下で熱処理した。熱処理は、120℃の温
度で15分間保持である。この熱処理によって、板状の
混合物の粘着性が失われるため、離型フィルムの剥離が
容易になる。この実施例で用いた液状エポキシ樹脂は、
硬化温度が130℃であるため、この熱処理条件下で
は、未硬化状態(Bステージ)である。
離し、板状の混合物を耐熱性離型フィルム(PPS:ポ
リフェニレンサルファイト、厚さ75μm)で挟んで、
50kg/cm2の圧力で加圧しながら170℃の温度
で加熱することによって板状の混合物を硬化させた。
型フィルムを剥離することによって、電気絶縁性基板を
得た。
て、熱伝導度、線膨張係数などを測定した。熱伝導度
は、10mm角に切断した試料の表面を加熱ヒータに接
触させて加熱し、反対面の温度上昇から計算で求めた。
線膨張係数は、室温から140℃まで温度上昇させた場
合の電気絶縁性基板の寸法変化を測定し、その寸法変化
の平均値から求めた。絶縁耐圧は、電気絶縁性基板の厚
み方向にAC電圧を印加した場合の絶縁耐圧を求め、単
位厚み当たりの絶縁耐圧を計算した。
た電気絶縁性基板は、無機フィラーとしてAl2O3を用
いた場合には、従来のガラス−エポキシ基板(熱伝導度
0.2w/mK〜0.3w/mK)に比べて熱伝導度が
約10倍以上となった。Al 2O3の量を85重量%以上
とすることによって、熱伝導度を2.8w/mK以上と
することができた。Al2O3はコストが安いという利点
もある。
を用いた場合では、Al2O3を用いた場合と同等以上の
熱伝導度が得られた。
を用いた場合では、線膨張係数がシリコン半導体(線膨
張係数3×10-6/℃)により近くなった。したがっ
て、無機フィラーとして非晶質SiO2を用いた電気絶
縁性基板は、半導体を直接実装するフリップチップ用基
板として好ましい。
た場合には、誘電率が低い電気絶縁性基板が得られた。
SiO2は比重が軽いという利点もある。無機フィラー
としてSiO2を用いた回路部品内蔵モジュールは、携
帯電話などの高周波用モジュールとして好ましい。
合には、熱伝導度が高く線膨張係数が低い電気絶縁性基
板が得られた。
に、無機フィラーとして60重量%のAl2O3を用いた
場合を除いて、電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、10kV
/mm以上であった。電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、電
気絶縁性基板の材料である無機フィラーと熱硬化性樹脂
との接着性の指標となる。すなわち、無機フィラーと熱
硬化性樹脂との接着性が悪いと、その間に微小な隙間が
生じて絶縁耐圧が低下する。このような微小な隙間は回
路部品内蔵モジュールの信頼性低下を招く。一般に、絶
縁耐圧が10kV/mm以上であれば無機フィラーと熱
硬化性樹脂との接着性が良好であると判断できる。した
がって、無機フィラーの量は70重量%以上であること
が好ましい。
絶縁性基板の強度が低下するため、熱硬化性樹脂は4.
8重量%以上であることが好ましい。
明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例で
ある。
は、Al2O3(昭和電工(株)製AS−40、球状、平
均粒子径12μm)が90重量%、液状エポキシ樹脂
(日本レック(株)製、EF−450)が9.5重量
%、カーボンブラック(東洋カーボン(株)製)が0.
2重量%、カップリング剤(味の素(株)製、チタネー
ト系、46B)が0.3重量%である。
ることによって、板状体(厚み500μm)を作製し
た。上記板状体を所定の大きさに切断し、炭酸ガスレー
ザを用いてインナービアホール接続をするための貫通孔
(直径0.15mm)を形成した(図2(b)参照)。
ーン印刷法によって充填した(図2(c)参照)。導電
性樹脂組成物は、球状の銅粒子85重量%と、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ製、エピ
コート828)3重量%と、グルシジルエステル系エポ
キシ樹脂(東都化成製、YD−171)9重量%と、ア
ミンアダクト硬化剤(味の素製、MY−24)3重量%
とを混練して作製した。
し、粗化した面に導電性接着剤を用いて半導体素子をフ
リップチップボンディングした(図2(d)参照)。
性樹脂組成物を充填した板状体と、別途作製した銅箔
(片面を粗化処理した銅箔で厚さ35μm)とを位置合
わせして重ねた(図2(f)参照)。この時、銅箔の粗
化面は、板状体側になるように重ねた。
度120℃、圧力10kg/cm2で5分間加熱加圧し
た。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中
の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子が板状体中
に容易に埋没した。
0分間加熱した(図2(g)参照)。この加熱によっ
て、板状体中のエポキシ樹脂および導電性樹脂組成物中
のエポキシ樹脂が硬化し、半導体素子および銅箔と板状
体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によ
って、導電性樹脂組成物と銅箔とが電気的(インナービ
ア接続)、機械的に接続された。
面の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によ
ってエッチングし、配線パターンを形成した(図2
(h)参照)。このようにして、回路部品内蔵モジュー
ルを作成した。
モジュールの信頼性を評価するため、半田リフロー試験
および温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験
は、ベルト式リフロー試験機を用い、最高温度が260
℃で10秒のサイクルを10回繰り返すことで行った。
温度サイクル試験は、125℃で30分間保持した後、
−60℃の温度で30分間保持する工程を200サイク
ル繰り返すことによって行った。
のいずれにおいても、本実施例の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例で
ある。
導電性樹脂組成物が充填された板状体(厚さ500μ
m)を作製した(図3(c)参照)。
ファイト製、厚さ150μm)に、厚さ35μmの銅箔
を接着剤によって接着した。この銅箔は、片面が粗化処
理されており、光沢面が接着剤側になるように接着し
た。
ソ工程およびエッチング工程によってエッチングして、
配線パターンを形成した。さらにこの配線パターン上
に、半田バンプを用いて半導体素子をフリップチップボ
ンディングした(図3(d)参照)。
と配線パターンとの隙間に封止樹脂を注入した。具体的
には、70℃に加熱したホットプレートを傾け、そのホ
ットプレート上に、半導体素子を実装した配線パターン
を有する離型フィルムを設置した後、半導体素子と配線
パターンとの間に注射器で徐々に封止樹脂を注入した。
10秒程度で半導体素子と配線パターンとの間に封止樹
脂を注入できた。ホットプレートで加熱するのは、封止
樹脂の粘度を下げて短時間に注入できるようにするため
である。また、ホットプレートを傾けるのは注入を容易
にするためである。封止樹脂には、テクノアルファー
(株)製EL18Bを用いた。EL18Bは、一液性の
エポキシ樹脂にSiO2粉末を混入した樹脂である。
様に、片面に配線パターンが形成された離型フィルム
(ポリフェニレンサルファイト製、厚さ150μm)を
作製した(図3(e)参照)。
フィルムと、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板
状体と、片面に配線パターンが形成された離型フィルム
とを、位置合わせして重ねた(図3(f)参照)。
度120℃、圧力10kg/cm2で5分間加熱加圧し
た。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中
の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子および配線
パターンが板状体中に容易に埋没した。
0分間加熱した(図3(g)参照)。この加熱によっ
て、板状体および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が
硬化するため、半導体素子および配線パターンと板状体
とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によっ
て、導電性樹脂組成物と配線パターンとが電気的(イン
ナービア接続)、機械的に接続された。さらに、この加
熱によって、半導体素子と配線パターンとの間に注入さ
れた封止樹脂も硬化した。
(図3(h)参照)。ポリフェニレンサルファイト製の
離型フィルムは、上記加熱温度以上の耐熱性がある。ま
た、銅箔の粗化された面は板状体およびインナービアと
接着し、銅箔の光沢面は離型フィルムと接着している。
したがって、板状体およびインナービアと銅箔との接着
強度は、離型フィルムと銅箔との接着強度よりも大きい
ため、離型フィルムだけを剥離することができる。この
ようにして、回路部品内蔵モジュールを作成した。
モジュールの信頼性を評価するため、実施例2と同様の
条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行
った。
のいずれにおいても、実施例3の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールを作製した一例である。
体素子とチップ部品とを用いた。
導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。
れた板状体と、回路部品がフリップチップボンディング
された配線パターンを備える離型フィルム(ポリフェニ
レンサルファイト製)とを、位置合わせして重ねた(図
5(a)参照)。
温度120℃、圧力10kg/cm 2で5分間加熱加圧
した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体
中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中
に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から
剥離することによって回路部品が埋設された板状体を形
成した(図5(b)参照)。
体と銅箔とを位置合わせして重ねた(図5(g)参
照)。
温度175℃、圧力50kg/cm 2で60分間加熱加
圧した。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設さ
れた複数の板状体と銅箔とが一体となって、一つの板状
体が形成された。この加熱加圧処理によって、板状体お
よび導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、回路
部品および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接
続された。また、この加熱加圧処理によって、銅箔およ
び配線パターンと導電性樹脂組成物とが電気的(インナ
ービア接続)、機械的に接続された。
の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によっ
てエッチングすることによって、配線パターンを形成し
た(図5(h)参照)。このようにして、多層構造を有
する回路部品内蔵モジュールを作製した。
モジュールの信頼性を評価するため、実施例2と同様の
条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行
った。
のいずれにおいても、実施例4の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールを作製した一例である。
導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。次
に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、
回路部品がフリップチップボンディングされた配線パタ
ーンを備える離型フィルム(ポリフェニレンサルファイ
ト製)とを、位置合わせして重ねた(図6(a)参
照)。
温度120℃、圧力10kg/cm 2で5分間加熱加圧
した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体
中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中
に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から
剥離することによって板状体を形成した(図6(b)参
照)。同様に、回路部品が埋設された板状体を形成した
(図6(d)参照)。
ファイト製)の片面に配線パターンを形成した(図6
(e)参照)。
と、配線パターンが形成された離型フィルムとを位置合
わせして重ねた(図6(f)参照)。
温度175℃、圧力50kg/cm 2で60分間加熱加
圧した。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設さ
れた複数の板状体と離型フィルムとが一体となって、一
つの板状体が形成された。この加熱加圧処理によって、
板状体中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品および配線
パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。ま
た、この加熱加圧処理によって導電性樹脂組成物中のエ
ポキシ樹脂が硬化し、配線パターンと導電性樹脂組成物
とが電気的(インナービア接続)、機械的に接続され
た。
ムを剥離することによって、多層構造を有する回路部品
内蔵モジュールを作製した(図6(g)参照)。
モジュールの信頼性を評価するため、実施例2と同様の
条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行
った。
のいずれにおいても、実施例5の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
内蔵モジュールでは、無機フィラーと熱硬化性樹脂との
混合物からなる電気絶縁性基板を用いているため、放熱
性が高い回路部品内蔵モジュールが得られる。
は、多層構造とすることによって、さらに高密度に回路
部品が実装することができる。
では、無機フィラーを選択することによって、電気絶縁
性基板の熱伝導度、線膨張係数、誘電率などを制御する
ことが可能である。したがって、本発明の回路部品内蔵
モジュールでは、電気絶縁性基板の線膨張係数を半導体
素子とほぼ同じにすることが可能であるため、半導体素
子を内蔵した回路部品内蔵モジュールとして好ましい。
また、電気絶縁性基板の熱伝導度を向上させることがで
きるため、放熱を必要とする半導体素子などを内蔵した
回路部品内蔵モジュールとして好ましい。さらに、電気
絶縁性基板の誘電率を低くすることもできるため、高周
波回路用の回路部品内蔵モジュールとして好ましい。
法では、上記回路部品内蔵モジュールを容易に製造する
ことができる。
製造方法では、配線パターンを形成した離型フィルムを
用いることによって、配線パターンを電気絶縁性基板に
埋設することができるため、表面が平滑な回路部品内蔵
モジュールが得られる。したがって、表面の配線パター
ンにさらに回路部品を実装する場合に、高密度で回路部
品を実装することができる。
態を示す斜視断面図である。
の一実施形態を示す工程図である。
の他の一実施形態を示す工程図である。
施形態を示す斜視断面図である。
の他の一実施形態を示す工程図である。
の他の一実施形態を示す工程図である。
電気絶縁性基板 102a、102b、402a、402b、402c、
402d 配線パターン 103、403 回路部品 103a、403a 能動部品 103b、403b 受動部品 104、404 インナービア
Claims (19)
- 【請求項1】 無機フィラー70重量%〜95重量%と
熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板
と、 前記電気絶縁性基板の一方の主面に形成された第1の配
線パターンと、 前記電気絶縁性基板の他方の主面に形成された第2の配
線パターンと、 前記電気絶縁性基板に埋設され前記第1の配線パターン
に電気的に接続された少なくとも1つの回路部品と、 前記第1の配線パターンと前記第2の配線パターンを電
気的に接続するように前記電気絶縁性基板内に形成され
たインナービアと、を含む回路部品内蔵モジュール。 - 【請求項2】 少なくとも2種類以上の回路部品が前記
電気絶縁性基板に埋設されている請求項1に記載の回路
部品内蔵モジュール。 - 【請求項3】 前記回路部品は半導体ベアーチップを含
む請求項1または2に記載の回路部品内蔵モジュール。 - 【請求項4】 前記回路部品が、チップ状の抵抗、チッ
プ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ば
れる少なくとも一つの部品を含む請求項1または2に記
載の回路部品内蔵モジュール。 - 【請求項5】 前記半導体ベアーチップは前記第1の配
線パターンにフリップチップボンディングされている請
求項3に記載の回路部品内蔵モジュール。 - 【請求項6】 前記インナービアは導電性樹脂組成物か
らなる請求項1に記載の回路部品内蔵モジュール。 - 【請求項7】 前記第1の配線パターンが導電性樹脂組
成物を含む請求項1に記載の回路部品内蔵モジュール。 - 【請求項8】 前記配線パターンが、エッチング法また
は打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームから
なる請求項1に記載の回路部品内蔵モジュール。 - 【請求項9】 前記混合物は、分散剤、着色剤、カップ
リング剤および離型剤から選ばれる少なくとも一つの添
加剤をさらに含む請求項1に記載の回路部品内蔵モジュ
ール。 - 【請求項10】 前記電気絶縁性基板の線膨張係数が8
×10-6/℃〜20×10-6/℃であり、かつ前記電気
絶縁性基板の熱伝導度が1w/mK〜10w/mKであ
る請求項1に記載の回路部品内蔵モジュール。 - 【請求項11】 無機フィラー70重量%〜95重量%
と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板
状体Aを形成する工程と、 第1の銅箔の一主面に少なくとも1つ以上の回路部品を
実装する工程と、 前記第1の銅箔の前記一主面上に、前記板状体Aを位置
合わせして重ね、さらにその上に第2の銅箔を重ねて加
圧することによって、前記回路部品が埋設された板状体
Bを形成する工程と、 前記第1および第2の銅箔を加工して配線パターンを形
成する工程とを含む回路部品内蔵モジュールの製造方
法。 - 【請求項12】 無機フィラー70重量%〜95重量%
と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を用いて板
状体Aを形成する工程と、 第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、
前記配線パターン上に少なくとも1つ以上の回路部品を
実装する工程と、 第2の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する
工程と、 前記第1の離型フィルムと前記板状体Aと前記第2の離
型フィルムとを前記配線パターンが前記板状体A側に向
くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧すること
によって前記回路部品が埋設された板状体Bを形成する
工程と、 前記第1および第2の離型フィルムを前記板状体Bから
剥離する工程とを含む回路部品内蔵モジュールの製造方
法。 - 【請求項13】 前記銅箔または前記配線パターンに前
記回路部品を実装した後、前記銅箔または前記配線パタ
ーンと前記回路部品との間に封止樹脂を注入する工程を
さらに含む請求項11または12に記載の回路部品内蔵
モジュールの製造方法。 - 【請求項14】 前記板状体Aを形成する工程が、前記
混合物を板状に成型した後、前記板状の混合物を前記熱
硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理することに
よって、前記板状の混合物の粘着性を失わせる工程を含
む請求項11または12に記載の回路部品内蔵モジュー
ルの製造方法。 - 【請求項15】 前記回路部品を前記板状体Aに埋設す
ることによって前記板状体Bを形成する工程を、前記熱
硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で行う請求項11
または12に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方
法。 - 【請求項16】 前記回路部品を前記配線パターンに実
装する工程は、前記回路部品と前記配線パターンとを半
田によって電気的および機械的に接続する工程からなる
請求項11または12に記載の回路部品内蔵モジュール
の製造方法。 - 【請求項17】 前記回路部品が能動部品を含み、前記
能動部品を前記配線パターンに実装する際に、前記能動
部品の金バンプと前記配線パターンとを導電性接着剤に
よって電気的に接続する請求項11または12に記載の
回路部品内蔵モジュールの製造方法。 - 【請求項18】 前記回路部品が半導体ベアーチップを
含み、前記半導体ベアーチップは前記配線パターンにフ
リップチップボンディングされている請求項11または
12に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 - 【請求項19】 前記回路部品が、チップ状の抵抗、チ
ップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選
ばれる少なくとも一つの部品を含む請求項11または1
2に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004158537A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005294833A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Endicott Interconnect Technologies Inc | 回路基板及びその製法、それを使用した電気アセンブリ及びそれを使用した情報処理システム |
JP2006511937A (ja) * | 2002-12-23 | 2006-04-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子装置及びその用途 |
JP2006519486A (ja) * | 2003-02-26 | 2006-08-24 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 電子モジュールを製造する方法及び電子モジュール |
JP2007503713A (ja) * | 2003-08-26 | 2007-02-22 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 電子モジュールおよびその製造方法 |
JP2007518282A (ja) * | 2004-01-07 | 2007-07-05 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | フリップチップqfnパッケージおよびそのための方法 |
JP2007535157A (ja) * | 2004-04-27 | 2007-11-29 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 電子モジュール及びその製造方法 |
JP2008509549A (ja) * | 2004-08-05 | 2008-03-27 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 素子を含む層の形成 |
US7352052B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP2010157669A (ja) * | 2009-01-05 | 2010-07-15 | Seiko Instruments Inc | 電子回路部品および電子機器 |
US7906370B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-03-15 | Tdk Corporation | Mounting method of electronic components, manufacturing method of electronic component-embedded substrate, and electronic component-embedded substrate |
KR101077313B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2011-10-27 | 삼성전기주식회사 | 전자부품 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP2012216840A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 三次元集積回路積層体 |
US8544167B2 (en) | 2006-12-22 | 2013-10-01 | Tdk Corporation | Collective mounting method of electronic components and manufacturing method of electronic component-embedded substrate |
US9508648B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-11-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Three-dimensional integrated circuit laminate, and interlayer filler for three-dimensional integrated circuit laminate |
-
2002
- 2002-01-23 JP JP2002014625A patent/JP4606685B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004158537A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4653493B2 (ja) * | 2002-12-23 | 2011-03-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子装置及びその用途 |
JP2006511937A (ja) * | 2002-12-23 | 2006-04-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子装置及びその用途 |
JP2006519486A (ja) * | 2003-02-26 | 2006-08-24 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 電子モジュールを製造する方法及び電子モジュール |
KR101060856B1 (ko) * | 2003-02-26 | 2011-08-31 | 임베라 일렉트로닉스 오와이 | 전자 모듈 및 전자 모듈 제조 방법 |
JP2007503713A (ja) * | 2003-08-26 | 2007-02-22 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 電子モジュールおよびその製造方法 |
KR101120733B1 (ko) | 2004-01-07 | 2012-03-23 | 프리스케일 세미컨덕터, 인크. | 플립칩 qfn 패키지 및 그 방법 |
JP2007518282A (ja) * | 2004-01-07 | 2007-07-05 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | フリップチップqfnパッケージおよびそのための方法 |
JP2005294833A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Endicott Interconnect Technologies Inc | 回路基板及びその製法、それを使用した電気アセンブリ及びそれを使用した情報処理システム |
JP2007535157A (ja) * | 2004-04-27 | 2007-11-29 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 電子モジュール及びその製造方法 |
US7352052B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
US7932605B2 (en) | 2004-04-30 | 2011-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP2008509549A (ja) * | 2004-08-05 | 2008-03-27 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 素子を含む層の形成 |
US7906370B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-03-15 | Tdk Corporation | Mounting method of electronic components, manufacturing method of electronic component-embedded substrate, and electronic component-embedded substrate |
US8544167B2 (en) | 2006-12-22 | 2013-10-01 | Tdk Corporation | Collective mounting method of electronic components and manufacturing method of electronic component-embedded substrate |
JP2010157669A (ja) * | 2009-01-05 | 2010-07-15 | Seiko Instruments Inc | 電子回路部品および電子機器 |
KR101077313B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2011-10-27 | 삼성전기주식회사 | 전자부품 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP2012216840A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 三次元集積回路積層体 |
US9508648B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-11-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Three-dimensional integrated circuit laminate, and interlayer filler for three-dimensional integrated circuit laminate |
US9847298B2 (en) | 2011-03-31 | 2017-12-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Three-dimensional integrated circuit laminate, and interlayer filler for three-dimensional integrated circuit laminate |
Also Published As
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