JP2002365657A - 液晶装置、投射型表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造プロセスや製造コストの増大を招くこと
なく、応答速度の向上を図ることができる液晶装置を提
供する。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、互いに対向配
置された一対の基板間に誘電率異方性が正の液晶からな
る液晶層が挟持されており、素子基板２上、対向基板３
上に液晶層１８に対して縦電界を印加する画素電極７、
共通電極８がそれぞれ設けられるとともに、素子基板２
上の画素電極７の上方には、画素電極７との間で液晶層
１８に対して横電界を印加するための櫛歯状電極１５が
絶縁膜１４を介して設けられている。この横電界の作用
により、ＯＦＦ時に液晶分子１９が戻ろうとする動きが
アシストされ、応答速度が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置、投射型
表示装置および電子機器に関し、特に応答速度に優れた
液晶装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶プロジェクタ等の投射型液晶表示装
置において、光変調手段として用いられる液晶ライトバ
ルブにはアクティブマトリクス型液晶装置が使用されて
いる。アクティブマトリクス型液晶装置は、信号線や画
素電極、画素スイッチング用素子などが形成された素子
基板と共通電極が形成された対向基板とが、シール材を
介して一定の間隙をもって対向配置されており、この間
隙の間に液晶を挟持して構成されている。液晶装置の表
示領域には、データ線と走査線に囲まれた多数の画素電
極が形成されており、これら画素電極がマトリクス状に
配列されている。

【０００３】アクティブマトリクス型液晶装置の表示方
式としては、ツイステッドネマティック（Twisted Nema
tic, 以下、ＴＮと略記する）モードの表示方式が現
在、主流を占めている。その理由は、明るい、コントラ
ストが高い、応答速度が比較的速い、駆動電圧が低い、
階調表示が容易であるなど、ＴＮモードの液晶装置はデ
ィスプレイとして基本的に必要とされる諸特性をバラン
ス良く具備しているからである。ＴＮモードにおいて
は、素子基板と対向基板との間で液晶分子の長軸方向が
９０°ねじれた構造を採る。

【０００４】ところで、液晶表示装置の広視野角化を図
る一つの手段として、基板に対して面内方向の横電界を
発生させ、この横電界で液晶分子を基板に平行な面内で
回転させることで光スイッチング機能を持たせるインプ
レイン・スイッチング（In-Plane Switching, 以下、Ｉ
ＰＳと略記する）技術が実用化されている。そして、近
年、ＩＰＳ技術をさらに改良した形のフリンジフィール
ド・スイッチング（Fringe-Field Switching, 以下、Ｆ
ＦＳと略記する）技術が、"High-Transmittance, Wide-
Viewing-Angle Nematic Liquid Crystal Display Contr
olled by Fringe-Field Switching", S.H.Lee et al.,
ASIA DISPLAY 98, p.371-374, "A HighQuality AM-LCD
using Fringe-Field Switching Technology", S.H.Lee
et al.,IDW'99, p.191-194 などに発表されている。

【０００５】図１３はＩＰＳとＦＦＳの概念の違いを示
す図であって、図１３（ａ）はＩＰＳの概略構成、図１
３（ｂ）はＦＦＳの概略構成をそれぞれ示している。一
対の基板２００、２０１間の液晶分子２０２が一対の電
極２０３，２０４による横電界Ｅで駆動される点は同様
である。ところが、セルギャップをｄ、電極幅をｗ、電
極間距離をｌとすると、これらの寸法の関係が、ＩＰＳ
ではｌ／ｄ＞１かつｌ／ｗ＞１であるのに対し、ＦＦＳ
ではｌ／ｄ＜１かつｌ／ｗ＜１、またはｌ／ｄ＝０かつ
ｌ／ｗ＝０である。すなわち、ＩＰＳではセルギャップ
や電極幅よりも電極間距離が大きいのに対し、ＦＦＳで
はセルギャップや電極幅よりも電極間距離が小さい（図
１３（ａ）のＩＰＳにおける電極２０３と電極２０４が
充分に接近した状態）か、もしくは電極間距離が０、言
い換えると、図１３（ｂ）に示すように一方の電極２０
４（−極）の上方に絶縁層２０５を介して他方の電極２
０３（＋極）を積層した形態の電極構成を採用してい
る。この電極構成の違いによって発生する電界の方向が
若干異なり、ＩＰＳでの電界方向は電極が対向する方向
（図中ｙ方向）であるが、ＦＦＳ、特に図１３（ｂ）の
電極構造においては、電極２０３，２０４が積層されて
いるため、横方向（図中Ｙ方向）に加えて、電極２０３
の縁の近傍で基板面に垂直な方向（図中Ｚ方向）にも電
界成分を持っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ＴＮモードのアクティ
ブマトリクス型液晶装置は、誘電率異方性が正の液晶で
平行配向、ノーマリーホワイトモードを採用した場合、
画素電極と共通電極への電圧印加によって縦電界を発生
させ、この縦電界で基板面と略垂直な方向に液晶分子を
立たせ（これを以下、ＯＮ状態という）、黒表示を行
う。そして、電圧印加を止めることによって液晶分子を
平行配向状態に戻し（これを以下、ＯＦＦ状態とい
う）、白表示を行う。すなわち、ＯＦＦ状態からＯＮ状
態への移行は電圧印加（外部からのエネルギー供給）に
因るが、ＯＮ状態からＯＦＦ状態への移行は液晶自身の
粘性による自然な戻りに因るものである。したがって、
ＯＦＦ状態からＯＮ状態への応答速度は印加電圧を大き
くするなどの手段を用いて速めることができるが、ＯＮ
状態からＯＦＦ状態への応答速度は使用する液晶材料で
決まると考えられていた。そのため、ＴＮモードでは応
答速度が比較的速いとは言っても、液晶材料の特性で決
まるＯＮ状態からＯＦＦ状態への応答速度が遅いため
に、全体の応答速度の向上には限界があった。

【０００７】そこで、ＯＮ状態からＯＦＦ状態への応答
速度の向上を目的として、上下の基板に横電界を発生さ
せるための電極を備えた液晶装置が、特開平９−２３６
８１９号公報、特開平１１−０４２１０９号公報などに
提案されている。これらの公報に記載の液晶装置におい
ては、上基板、下基板のそれぞれに横電界を発生させる
ための一対の櫛歯状の電極を備え、しかも各基板上の電
極によって発生する横電界の方向が直交するように各電
極が配置されている。この構成によれば、液晶分子の配
向方向が基板面に垂直方向から平行な方向に変化する際
に各基板上の電極から発生する横電界が液晶分子の配向
変化を助長する。この作用により、液晶分子の状態変化
がより速くなり、高速応答が可能になる。

【０００８】しかしながら、上記公報に記載の液晶装置
の場合、製造プロセスが非常に複雑になり、製造コスト
も増大するという問題があった。すなわち、横電界で液
晶を駆動して表示を行う通常のＩＰＳ方式の液晶装置で
あれば、一対の基板のうちの一方の基板にのみ横電界発
生用の櫛歯状電極を形成すれば済むが、上記公報に記載
の液晶装置においては、上基板、下基板の双方に櫛歯状
電極を形成しなければならず、さらにこの櫛歯状電極を
駆動するためのスイッチング素子が個々の基板に必要と
なる。そのため、上基板、下基板がともに素子基板とな
り、製造プロセスが双方の基板で煩雑になるとともに、
製造コストが増大してしまう。

【０００９】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、製造プロセスや製造コストの増大
を招くことなく、応答速度の向上を図ることができる液
晶装置、およびこの液晶装置を用いた投射型表示装置、
電子機器を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の液晶装置は、互いに対向配置された一対
の基板間に誘電率異方性が正の液晶からなる液晶層が挟
持された液晶装置であって、前記一対の基板を構成する
第１の基板、第２の基板のそれぞれに前記液晶層を挟ん
で対峙し、該液晶層に対して縦電界を印加する電極が設
けられるとともに、前記第２の基板には、前記液晶層に
対して横電界を印加する複数の電極が設けられたことを
特徴とする。

【００１１】本発明の液晶装置は、基本的には誘電率異
方性が正の液晶を用いた平行配向モードの液晶装置であ
り、第１の基板上、第２の基板上にそれぞれ設けられた
電極間で発生する基板面に略垂直な方向の電界（この電
界のことを本明細書では縦電界という）で液晶を駆動し
て表示を行うものである。したがって、両基板の電極へ
の電圧印加によって縦電界が発生し、その縦電界により
液晶分子の長軸方向が基板面に平行な方向から垂直な方
向に向くように配向方向が変わり、ＯＮ状態となる。

【００１２】次に、ＯＦＦ状態に切り換える際、従来で
あれば電圧印加を止めるだけで液晶の粘性による自然な
戻りによって基板面に垂直な方向から平行な方向に液晶
分子の配向状態を変えていた。それに対し、本発明の液
晶装置の場合、第２の基板に液晶層に対して基板面に略
平行な方向の電界（この電界のことを本明細書では横電
界という）を印加するための複数の電極が設けられてい
るので、この横電界の印加により誘電率異方性が正の液
晶が電界方向に沿って配向する、すなわち、液晶分子の
長軸方向が基板面に平行な方向に向くように配向する。
このように、本発明によれば、液晶自身の粘性で元の配
向状態に戻ろうとする力に加えて、横電界に沿って液晶
分子が配向しようとする力を作用させることができるの
で、ＯＮ状態からＯＦＦ状態への応答速度を従来よりも
速くすることができる。

【００１３】なお、本発明の液晶装置において、誘電率
異方性が正の液晶を用いなければならないのは、誘電率
異方性が正の液晶では分極の方向が分子長軸方向であっ
て一方向に限定できるため、横電界が印加された時に分
子長軸方向が横電界の向きに揃おうとし、液晶が戻ろう
とする動きを補助できるが、誘電率異方性が負の液晶で
は分極の方向が分子短軸方向であり、一方向に限定でき
ないため、横電界が印加されても液晶分子の向きが一方
向に揃わないからである。

【００１４】また本発明においては、上記公報に記載の
液晶装置と異なり、横電界発生用の電極を形成するのは
第２の基板側のみで済むので、製造工程が煩雑になった
り、製造コストが増大することがない。

【００１５】より具体的な電極構成の一例として、前記
第１の基板に第１の電極を設け、前記第２の基板に前記
第１の電極との間で縦電界を発生させる第２の電極を設
け、さらに前記第２の基板には前記第２の電極との間で
横電界を発生させる第３の電極を設けた構成を採ること
ができる。

【００１６】この構成によれば、第２の基板上の第２の
電極は、第１の基板上の第１の電極との間で縦電界を発
生させる電極として機能すると同時に、第２の基板上の
第３の電極との間で横電界を発生させる電極としても機
能するので、電極構成を簡単にすることができる。

【００１７】さらに、前記第２の電極を略矩形状の電極
とし、前記第３の電極を前記第２の電極の上方に絶縁膜
を介して形成された線状部分を有する電極とすることも
できる。

【００１８】この構成は、［従来の技術］の項で説明し
たＦＦＳの電極構成に類似したものである。ＦＦＳの電
極構成を採用した場合、線状（櫛歯状）電極の縁の近傍
で基板面に垂直な方向にも電界成分を持っており、ＩＰ
Ｓでは線状電極間に位置する液晶分子は駆動されても線
状電極の上方に位置する液晶分子はほとんど駆動されな
いが、ＦＦＳの場合、線状電極間に位置する液晶分子は
勿論のこと、線状電極の上方に位置する液晶分子も駆動
されることになる。したがって、電極をインジウム錫酸
化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等
の透明導電膜で形成すれば、電極の部分も表示に寄与さ
せることができ、同じ条件のＩＰＳに比べて開口率を大
きくできるという利点が得られる。ただし、本発明にお
いては、電極の配置がＦＦＳと似ているというだけであ
って、セルギャップ、電極幅、電極間距離などの相互の
寸法の関係は、上述のＦＦＳとして定義される関係を必
ずしも満たす必要はない。

【００１９】電極構成の他の例としては、前記第１の基
板に第１の電極を設け、前記第２の基板に前記第１の電
極との間で縦電界を発生させる第２の電極を設け、さら
に前記第２の基板には互いの間に横電界を発生させる第
３の電極および第４の電極を設けた構成を採ることがで
きる。

【００２０】本例の場合、第２の基板上に縦電界を発生
させる第２の電極とは別個に横電界を発生させる第３の
電極および第４の電極を設けた点で、前の例に比べると
電極構成が若干複雑になる。その反面、各電極の機能を
分離させることができるので、各電極に印加する電圧値
の設定の自由度が上がり、印加電圧値のパターンを変え
ることで応答速度を調節することができる。

【００２１】さらに、前記第２の電極を略矩形状の電極
とし、前記第３の電極および前記第４の電極をともに前
記第２の電極の上方に絶縁膜を介して形成された線状部
分を有する電極とすることもできる。その場合、前記第
３の電極および前記第４の電極を同じ層で形成すること
が望ましい。

【００２２】この構成は、［従来の技術］の項で説明し
たＩＰＳの電極構成に類似したものである。ＩＰＳの電
極構成を採用した場合、第３の電極および前記第４の電
極は絶縁膜を介した別々の層で構成してもよいが、同一
の層で構成すれば、同一の工程で第３の電極と第４の電
極を同時に形成することができるので、その分製造プロ
セスが複雑になることがない。

【００２３】また、縦電界を印加しない状態において、
前記液晶層のバルク部分を構成する液晶分子の長軸方向
が前記第３の電極または前記第４の電極の前記線状部分
の延在方向に対して略垂直な方向を向くように配向処理
がなされていることが望ましい。ここで言う「液晶層の
バルク部分」とは、各基板の表面の配向処理によって配
向状態が完全に規定された基板表面近傍の領域を除く、
液晶分子がその配向方向を自由に変え得るセル厚方向中
央部の液晶部分のことである。

【００２４】この構成によれば、第３の電極または第４
の電極に電圧を印加した際に線状部分の延在方向に対し
て略垂直な方向に横電界が発生するが、初期の配向状態
が、バルク部分の液晶分子の長軸方向が前記線状部分の
延在方向に対して略垂直な方向を向くように規定されて
いるので、横電界の方向とＯＮ→ＯＦＦ時に液晶分子が
戻ろうとする方向が一致し、液晶分子の戻りを円滑に補
助することができる。

【００２５】一般に、表示モードには電圧無印加（ＯＦ
Ｆ）時に白表示、電圧印加（ＯＮ）時に黒表示のノーマ
リーホワイト、電圧無印加（ＯＦＦ）時に黒表示、電圧
印加（ＯＮ）時に白表示のノーマリーブラックの２種類
があるが、本発明の液晶装置においてはノーマリーホワ
イトを採用することが望ましい。

【００２６】本発明の液晶装置においては、ＯＮ状態か
らＯＦＦ状態に切り替える際に液晶分子の戻りを補助す
るために横電界を印加するが、その際、電圧印加方法に
よっては第１の基板上の第１の電極との間に一時的に縦
電界が発生することも考えられ、電界の乱れが発生する
恐れもある。その場合、電界の乱れに起因して液晶の配
向乱れ、いわゆるディスクリネーションが発生するが、
ノーマリーブラックモードでは白表示から黒表示に切り
替わる際にディスクリネーションが発生するため、光漏
れが起こり、コントラストの低下につながることもあ
る。ところが、ノーマリーホワイトモードでは黒表示か
ら白表示に切り替わる際にディスクリネーションが発生
するため、ディスクリネーションの発生自体は好ましい
ことではないが、コントラストが低下することはない。
よって、本発明ではノーマリーホワイトを採用すること
が望ましい。

【００２７】前記第１の基板、前記第２の基板に設けら
れた電極の全てをＩＴＯ等の透明導電膜で形成する構成
としてもよい。この構成によれば、本発明の液晶装置を
透過型液晶装置として実現することができる。

【００２８】また、前記第１の基板、前記第２の基板の
うち、いずれか一方の基板上の電極をＩＴＯ等の透明導
電膜で形成し、他方の基板上の電極の少なくとも一つを
アルミニウム、銀等の金属膜で形成する構成としてもよ
い。この構成によれば、別の反射層や外付けの反射板な
どを追加することなく、本発明の液晶装置を反射型液晶
装置として実現することができる。

【００２９】この場合、様々な形態が考えられ、第１の
基板を入射側、第２の基板を反射側とするならば、例え
ば第１の電極を透明導電膜、第２の電極、第３の電極
（第４の電極）を金属膜とすればよい。あるいは、第１
の電極を透明導電膜、第２の電極を金属膜、第３の電極
（第４の電極）を透明導電膜としてもよい。逆に第２の
基板を入射側、第１の基板を反射側とするならば、第２
の電極、第３の電極（第４の電極）を透明導電膜、第１
の電極を金属膜とすればよい。

【００３０】さらに、前記液晶層を加熱する加熱手段を
備えた構成としてもよい。この構成によれば、加熱手段
の作用によって液晶層の温度を常温以上に上昇させるこ
とができ、それにより液晶の粘度が低下するので、ＯＮ
状態からＯＦＦ状態に切り替える際の液晶分子の戻りを
速め、応答速度を向上することができる。

【００３１】本発明の投射型表示装置は、光源と、前記
光源からの光を変調する上記本発明の液晶装置からなる
光変調手段と、前記光変調手段により変調された光を投
射する投射手段とを備えたことを特徴とする。この構成
によれば、応答速度の速い表示が可能な投射型表示装置
を実現することができ、特にフィールドシーケンシャル
（時分割）駆動のカラー投射型表示装置に好適なものと
なる。

【００３２】本発明の電子機器は、上記本発明の液晶装
置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、応答
速度の速い表示が可能な液晶表示部を備えた電子機器を
実現することができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］以下、本発
明の第１の実施の形態を図１〜図４を参照して説明す
る。本実施の形態の液晶装置は薄膜トランジスタ（Thin
Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）をスイッ
チング素子に用いたアクティブマトリクス方式の透過型
液晶装置の例であり、図１（ａ）は液晶装置の全体構成
を示す斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）における一画素
の拡大図、図２は一画素の電極構成のみを取り出して示
す斜視図、図３は同平面図、図４（ａ）、（ｂ）は同液
晶装置の動作を説明するための図であって図２のＡ−
Ａ’線に沿う断面図である。なお、以下の全ての図面に
おいては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚
や寸法の比率などは適宜異ならせてある。

【００３４】本実施の形態の液晶装置１は、図１（ａ）
に示すように、ＴＦＴが形成された側の素子基板２（第
２の基板）と対向基板３（第１の基板）とが対向配置さ
れ、これら基板２，３間に誘電率異方性が正の液晶から
なる液晶層（図示略）が封入されている。素子基板２の
内面側には、多数のソース線４および多数のゲート線５
が互いに交差するように格子状に設けられている。各ソ
ース線４と各ゲート線５の交差点の近傍にはＴＦＴ６が
形成されており、各ＴＦＴ６を介して画素電極７（第２
の電極）がそれぞれ接続されている。すなわち、マトリ
クス状に配置された各画素毎に一つのＴＦＴ６と画素電
極７が設けられている。一方、対向基板３の内面側全面
には、多数の画素がマトリクス状に配列されてなる表示
領域の全体にわたって一つの共通電極８（第１の電極）
が形成されている。

【００３５】ＴＦＴ６は、図１（ｂ）に示すように、ゲ
ート線５から延びるゲート電極１０と、ゲート電極１０
を覆う絶縁膜（図示略）と、絶縁膜上に形成された多結
晶シリコン、アモルファスシリコン等からなる半導体層
１１と、半導体層１１中のソース領域に電気的に接続さ
れたソース線４から延びるソース電極１２と、半導体層
１１中のドレイン領域に電気的に接続されたドレイン電
極１３とを有している。そして、ＴＦＴ６のドレイン電
極１３が画素電極７に電気的に接続されている。本実施
の形態の場合、画素電極７はＩＴＯ等の透明導電膜で形
成され、対向基板３側の共通電極８もＩＴＯ等の透明導
電膜で形成されている。表示に寄与する縦電界を発生さ
せるための電極は、従来と同様、上記の画素電極７と共
通電極８であるが、これに加えて、図１（ａ）、（ｂ）
では図示を省略するが、本発明特有の作用を生み出す横
電界を発生させるための電極が形成されている。これに
ついて次に説明する。

【００３６】図２〜図４に示すように、素子基板２の画
素電極７の上方に絶縁膜１４を介して櫛歯状電極１５
（第３の電極）が形成されている。櫛歯状電極１５は、
略矩形状の画素電極７の上方に絶縁膜１４を介してＩＴ
Ｏ等の透明導電膜により形成されており、画素電極７の
長手方向に延在する複数本（本実施の形態では３本）の
線状部分１５ａを有している。また、図示は省略する
が、この櫛歯状電極１５を画素電極７とは独立して個別
に駆動するためのＴＦＴ、このＴＦＴに信号を供給する
ソース線およびゲート線が素子基板２上に形成されてい
る。そして、櫛歯状電極１５を覆うように素子基板の全
面にわたって樹脂材料、無機材料等からなる配向膜１６
が形成されている。また、対向基板３側にも共通電極８
を覆うように樹脂材料、無機材料等からなる配向膜１７
が形成されている。

【００３７】本実施の形態の場合、図３に示すように、
素子基板２側、対向基板３側の配向膜１６，１７には、
ともに櫛歯状電極１５の線状部分１５ａの延在方向と略
直交する同方向に配向処理が施されている（図３におい
て、素子基板２上の配向膜１６の配向方向を実線の矢
印、対向基板３上の配向膜１７の配向方向を破線の矢印
で示す）。したがって、画素電極７−共通電極８間に電
圧を印加していない状態（ＯＦＦ状態）では、液晶層１
８の液晶分子１９は、セル厚方向に向かってねじれるこ
となく、その長軸方向が櫛歯状電極１５の線状部分１５
ａの延在方向と略直交する方向に向くように平行配向し
ている。

【００３８】上記構成の液晶装置の動作について説明す
る。まず、ＯＦＦ状態から画素電極７−共通電極８間に
電圧を印加する（ＯＮ状態とする）場合、図４（ａ）に
示すように、共通電極８（第１の電極）にＶ₀（例えば
Ｖ₀＝０Ｖ）、画素電極７（第２の電極）に＋Ｖ（例え
ば＋Ｖ＝＋５Ｖ）、櫛歯状電極１５（第３の電極）にも
画素電極７と同じく＋Ｖ（例えば＋Ｖ＝＋５Ｖ）の電圧
を印加する。この時、画素電極７−共通電極８間には電
位差が生じ、基板面に略垂直な方向に縦電界Ｅｖが発生
するが、画素電極７と櫛歯状電極１５は同電位であるか
ら横電界は発生しない。そこで、縦電界Ｅｖに対応し
て、櫛歯状電極１５の線状部分１５ａの延在方向と略直
交する方向に平行配向していた液晶分子１９が、その長
軸方向が縦電界Ｅｖの方向に向くように立ち上がる。

【００３９】次に、ＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換え
る場合、図４（ｂ）に示すように、共通電極８（第１の
電極）と櫛歯状電極１５（第３の電極）への印加電圧は
変えずに、画素電極７（第２の電極）への印加電圧のみ
を＋Ｖ（例えば＋Ｖ＝＋５Ｖ）からＶ₀（例えばＶ₀＝０
Ｖ）に切り換える。この時、画素電極７−共通電極８間
の電位差はなくなるので、ＯＮ時に発生していた縦電界
Ｅ_V が消滅する一方、画素電極７−櫛歯状電極１５間に
は電位差が生じるので、横電界Ｅ_L が発生する。この横
電界に対応して、ＯＮ時に基板面に略垂直な方向に垂直
配向していた液晶分子１９が、その長軸方向が横電界Ｅ
ｖの方向に向くように平行配向状態に戻る。

【００４０】なお、上のような電圧印加方法を採用した
場合、「ＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換えた際、画素
電極７−共通電極８間には電位差がなくなり、縦電界Ｅ
_V が消滅する」と述べたが、櫛歯状電極１５−共通電極
８間には電位差があるため、実際には若干の縦電界が発
生しており、ＯＦＦ状態に切り換えた時点では横電界と
縦電界が混在した状態となる。その結果、電界の乱れが
発生し、それに起因して液晶の配向乱れ、いわゆるディ
スクリネーションが発生することが考えられる。このデ
ィスクリネーションによる表示の不具合を抑えるために
は、ノーマリーホワイトの表示モードを採用することが
望ましい。ノーマリーブラックモードでは白表示から黒
表示に切り替わる際にディスクリネーションが発生する
ことになり、光漏れが起こるため、コントラストの低下
が生じる。その点、ノーマリーホワイトモードでは黒表
示から白表示に切り替わる際にディスクリネーションが
発生することになるため、コントラストが低下すること
はないからである。

【００４１】液晶分子１９は、両基板表面の配向処理に
よってＯＦＦ状態では平行配向をとるように規制されて
いるため、ＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換えた時に縦
電界Ｅ_V が消滅したただけでも平行配向状態に戻ってい
くが、従来は、液晶の粘性だけに頼った動きのためにど
うしても遅くなり、ＯＮ時に比べてＯＦＦ時の応答速度
が低下する原因となっていた。これに対して、本実施の
形態の液晶装置１の場合、素子基板２側に画素電極７と
櫛歯状電極１５とを備え、ＯＮ状態からＯＦＦ状態に切
り替える際に画素電極７と櫛歯状電極１５とで液晶に横
電界を印加する構成となっているため、この横電界が平
行配向状態へ液晶分子が戻ろうとする動きをアシストす
る結果、ＯＦＦ時の応答速度を従来に比べて向上させる
ことができる。

【００４２】本発明者は、本実施の形態の液晶装置の応
答速度の向上効果を従来の液晶装置と比較した。櫛歯状
電極を持たない従来の液晶装置を作製し、応答速度を測
定した結果、ＯＮ時（印加電圧：５Ｖ）の応答速度が２
０msec、ＯＦＦ時（印加電圧：０Ｖ）の応答速度が３５
msecであった。これに対し、本実施の形態で説明したよ
うな櫛歯状電極を追加した液晶装置を作製して応答速度
を評価した結果、ＯＮ時の応答速度は２０msecと変わら
ないが、ＯＦＦ時の応答速度を２５msecに改善すること
ができた。

【００４３】また、［従来の技術］の項で挙げた公報に
記載の液晶装置と異なり、本実施の形態の場合、横電界
発生用の電極を形成するのは素子基板２側のみで済むの
で、上記公報に記載の液晶装置ほど製造プロセスが煩雑
になったり、製造コストが増大することがない。さら
に、画素電極７は、共通電極８との間で縦電界を発生さ
せる電極として機能すると同時に、櫛歯状電極１５との
間で横電界を発生させる電極としても機能するので、電
極構成を簡単にすることができる。本実施の形態の電極
の構成はいわゆるＦＦＳの電極構成に類似したものであ
り、櫛歯状電極１５の上方に位置する液晶分子も駆動さ
れるため、電極の部分も表示に寄与させることができ、
同じ条件のＩＰＳ構造の液晶装置に比べて開口率を大き
くできるという利点も得られる。

【００４４】また本実施の形態の場合、ＯＦＦ状態にお
いて、液晶層１８のバルク部分を構成する液晶分子１９
の長軸方向が櫛歯状電極１５の線状部分１５ａの延在方
向に対して略垂直な方向を向くように配向処理がなされ
ているため、櫛歯状電極１５の線状部分１５ａの延在方
向に対して略垂直な方向に横電界Ｅ_L が発生した際に横
電界Ｅ_L の方向とＯＦＦ時に液晶分子１９が戻ろうとす
る方向が一致し、液晶分子１９の戻りを円滑に補助する
ことができる。

【００４５】なお、横電界の印加のタイミングに関して
は、ＯＦＦ状態に切り換えた後、ＯＦＦ状態が続く間、
横電界を印加し続けてもよいが、本発明における横電界
の印加の意味は、横電界を使って液晶分子を完全に駆動
するというよりも、液晶分子が戻ろうとする動きを横電
界がアシストするだけのものである。これだけで応答速
度の向上には充分効果がある。したがって、上述したデ
ィスクリネーションによる悪影響を極力排除することを
考えると、ＯＦＦ状態に切り換えた直後の一定の時間だ
け横電界を印加し、その後は止めてもよい。

【００４６】印加電圧のパターンに関しては、本実施の
形態の場合、ＯＮ時には共通電極：Ｖ₀、画素電極：＋
Ｖ、櫛歯状電極：＋Ｖとし、ＯＦＦ時には共通電極：Ｖ
₀、画素電極：Ｖ₀、櫛歯状電極：＋Ｖとしたが、ＯＮ時
に縦電界が発生し、ＯＦＦ時に横電界が発生しさえすれ
ば、その他のいかなるパターンで電圧を印加してもよ
い。また、液晶材料の特性に合わせて横電界の大きさや
印加時間を制御することにより、応答速度を調節するこ
ともできる。

【００４７】［第２の実施の形態］以下、本発明の第２
の実施の形態を図５〜図７を参照して説明する。本実施
の形態の液晶装置はＴＦＴをスイッチング素子に用いた
アクティブマトリクス方式の反射型液晶装置の例であ
る。基本構成は図１（ａ）、（ｂ）に示した第１の実施
の形態と同様であり、異なる点は横電界を発生させるた
めの電極構成のみである。よって、液晶装置の全体構成
の説明は省略し、電極構成と動作を中心に説明する。図
５は一画素の電極構成のみを取り出して示す斜視図、図
６は同平面図、図７（ａ）、（ｂ）は同液晶装置の動作
を説明するための図であって図５のＢ−Ｂ’線に沿う断
面図である。なお、図５〜図７において、図２〜図４と
共通の構成要素については同一の符号を付す。

【００４８】本実施の形態の液晶装置は、図５〜図７に
示すように、素子基板２の画素電極７の上方に絶縁膜１
４を介して一画素毎に第１の櫛歯状電極２１（第３の電
極）、第２の櫛歯状電極２２（第４の電極）が形成され
ている。これら第１、第２の櫛歯状電極２１，２２は、
略矩形状の画素電極７の上方に絶縁膜１４を介してアル
ミニウム、銀等の光反射率の高い同一の層の金属膜によ
り形成されている。各櫛歯状電極２１，２２は画素電極
の長手方向に延在する複数本（本実施の形態では２本）
の線状部分２１ａ，２２ａをそれぞれ有しており、コ字
状の第１の櫛歯状電極２１と逆コ字状の第２の櫛歯状電
極２２とが組み合わされて配置されている。また、図示
は省略するが、これら櫛歯状電極２１，２２の各々を画
素電極７とは独立して個別に駆動するためのＴＦＴ、こ
のＴＦＴに信号を供給するソース線およびゲート線が素
子基板２上に形成されている。

【００４９】第１の実施の形態の液晶装置は透過型であ
ったため、全ての電極が透明導電膜で形成されていたの
に対し、本実施の形態の液晶装置は反射型に対応するも
のであり、各電極の構成材料は、対向基板３上の共通電
極８がＩＴＯなどの透明導電膜、素子基板２上の画素電
極７および２つの櫛歯状電極２１，２２がアルミニウ
ム、銀等の金属膜となっている。したがって、本実施の
形態の液晶装置は、対向基板３側が光入射側となる。

【００５０】本実施の形態の場合、図６に示すように、
素子基板２側、対向基板３側の配向膜１６，１７には、
各櫛歯状電極２１，２２の線状部分２１ａ，２２ａの延
在方向と直交する方向に対してそれぞれ４５°をなす方
向に配向処理が施されており（図６において、素子基板
２上の配向膜１６の配向方向を実線の矢印、対向基板３
上の配向膜１７の配向方向を破線の矢印で示す）、これ
ら基板２，３間にツイステッドネマティック（Twisted
Nematic,ＴＮ）液晶が挟持されている。したがって、画
素電極７−共通電極８間に電圧を印加していない状態
（ＯＦＦ状態）では、液晶層２３の液晶分子２４はセル
厚方向全体で９０°ねじれており、バルク部分の液晶分
子２４は、その長軸方向が各櫛歯状電極２１，２２の線
状部分２１ａ，２２ａの延在方向と略直交する方向に向
くように平行配向している。

【００５１】上記構成の液晶装置の動作について説明す
る。まず、ＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り換える場合、
図７（ａ）に示すように、共通電極８（第１の電極）に
Ｖ₀（例えばＶ₀＝０Ｖ）、画素電極７（第２の電極）に
＋Ｖ（例えば＋Ｖ＝＋５Ｖ）、第１の櫛歯状電極２１
（第３の電極）、第２の櫛歯状電極２２（第４の電極）
にも画素電極７と同じく＋Ｖ（例えば＋Ｖ＝＋５Ｖ）の
電圧を印加する。この時、画素電極７−共通電極８間に
は電位差が生じ、基板面に略垂直な方向に縦電界Ｅｖが
発生するが、画素電極７、第１，第２の櫛歯状電極２
１，２２は全て同電位であるから、これらの電極間に横
電界は発生しない。そこで、縦電界Ｅｖに対応して、櫛
歯状電極２１，２２の線状部分２１ａ，２２ａの延在方
向と略直交する方向に平行配向していた液晶分子２４
が、その長軸方向が縦電界Ｅｖの方向に向くように立ち
上がる。

【００５２】次に、ＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換え
る場合、図７（ｂ）に示すように、共通電極８（第１の
電極）への印加電圧は変えず、画素電極７（第２の電
極）にＶ₀（例えばＶ₀＝０Ｖ）、第１の櫛歯状電極２１
（第３の電極）に＋Ｖ（例えば＋Ｖ＝＋５Ｖ）、第２の
櫛歯状電極２２（第４の電極）に−Ｖ（例えば−Ｖ＝−
５Ｖ）の電圧を印加する。この時、画素電極７−共通電
極８間の電位差はなくなるので、ＯＮ時に発生していた
縦電界Ｅ_V が消滅する一方、第１の櫛歯状電極２１−第
２の櫛歯状電極２２間、第１の櫛歯状電極２１−画素電
極７間、および第２の櫛歯状電極２２−画素電極７間に
はそれぞれ電位差が生じるので、横電界Ｅ _L が発生す
る。この横電界Ｅ_L に対応して、ＯＮ時に基板面に略垂
直な方向に垂直配向していた液晶分子２４が、その長軸
方向が横電界Ｅｖの方向に向くように平行配向状態に戻
る。

【００５３】なお、本実施の形態においても第１の実施
の形態と同様、ＯＦＦ時に画素電極７−共通電極８間に
は電位差がないが、第１，第２の櫛歯状電極２１，２２
−共通電極８間には電位差があるため、若干の縦電界が
発生しており、ディスクリネーションが発生することが
考えられる。したがって、このディスクリネーションに
起因するコントラスト比の低下を抑えるために、本実施
の形態の場合もノーマリーホワイトの表示モードを採用
することが望ましい。

【００５４】本実施の形態の液晶装置においても、ＯＮ
状態からＯＦＦ状態に切り替える際に第１，第２の櫛歯
状電極２１，２２を用いて液晶層２３に横電界を印加す
る構成となっており、この横電界が平行配向状態へ液晶
が戻ろうとする動きをアシストするため、ＯＦＦ時の応
答速度を従来に比べて向上させることができる、という
第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

【００５５】本発明者は、本実施の形態の液晶装置の応
答速度の向上効果を従来の液晶装置と比較した。櫛歯状
電極を持たない従来の液晶装置を作製し、応答速度を測
定した結果、ＯＮ時（印加電圧：５Ｖ）の応答速度が１
６msec、ＯＦＦ時（印加電圧：０Ｖ）の応答速度が３２
msecであった。これに対し、本実施の形態で説明したよ
うな第１，第２の櫛歯状電極を追加した液晶装置を作製
して応答速度を評価した結果、ＯＮ時の応答速度は１６
msecと変わらないが、ＯＦＦ時の応答速度を２３msecに
まで改善することができた。

【００５６】本実施の形態の場合、素子基板２上に縦電
界を発生させる画素電極７とは別個に横電界を発生させ
る第１の櫛歯状電極２１、第２の櫛歯状電極２２を設け
た点で、第１の実施の形態に比べると電極構成や配線構
成が若干複雑になる。しかしながら、横電界を発生させ
るための２つの櫛歯状電極２１，２２があるために、各
電極に印加する電圧値の設定の自由度が上がり、印加電
圧値のパターンを変えることで応答速度を調節すること
ができる。上記印加電圧のパターン例を見ても、２つの
櫛歯状電極２１，２２間に２×Ｖ（例えば２×Ｖ＝１０
Ｖ）の電圧が印加され、第１の実施の形態に比べて２倍
の印加電圧となるので、より大きな横電界を発生させる
ことができ、液晶分子の戻りをより強くアシストするこ
とができる。

【００５７】さらに本実施の形態の場合、第１の櫛歯状
電極２１、第２の櫛歯状電極２２が同一の層で形成され
ているので、同一の工程で第１の櫛歯状電極２１と第２
の櫛歯状電極２２を同時に形成することができ、製造プ
ロセスが複雑になることがない。また、素子基板２上の
画素電極７、第１，第２の櫛歯状電極２１，２２を全て
アルミニウム、銀等の金属膜で形成しているため、これ
らの電極を対向基板３側から入射された外光を反射させ
る反射層として機能させることができ、別の反射層や外
付けの反射板などを追加することなく、反射型液晶装置
を実現することができる。なお、下側に位置する画素電
極７を金属膜で形成すれば、その上の第１，第２の櫛歯
状電極２１，２２は透明導電膜で形成してもよい。

【００５８】また、本実施の形態では、ＴＮ液晶を用い
ていることと各基板の配向処理の方向が第１の実施の形
態と異なっているものの、液晶層２３のバルク部分を構
成する液晶分子２４の長軸方向が各櫛歯状電極２１，２
２の線状部分２１ａ，２２ａの延在方向に対して略垂直
な方向を向くようになっていることは同じである。した
がって、横電界の方向と液晶分子のＯＮ→ＯＦＦ時の戻
り方向が一致し、液晶分子の戻りを円滑に補助できると
いう効果が得られる点では第１の実施の形態と同様であ
る。

【００５９】第１、第２の実施の形態の液晶装置に、液
晶層を加熱するためのヒータなどの加熱手段を備えた構
成としてもよい。本発明者が、任意の液晶装置において
液晶の温度と応答時間の関係を調べたものが図１２であ
る。図１２において、横軸は液晶の温度［℃］、縦軸は
応答時間［msec］である。ＯＦＦ時→ＯＮ時の応答時間
を実線、ＯＮ時→ＯＦＦ時の応答時間を破線で示す。

【００６０】図１２に示すように、ＯＦＦ時→ＯＮ時の
応答時間よりもＯＮ時→ＯＦＦ時の応答時間の方が長い
ことがわかる。これはＯＮ時→ＯＦＦ時の応答が液晶分
子の戻りのみに因っているためであり、上で述べた通り
である。−２０℃における応答時間はともに１００msec
を超えているが、温度の上昇とともに応答時間は短くな
る傾向にあり、３０℃を超えるとＯＦＦ時の応答時間も
１０msec以下となる。これは、ある一種の液晶材料につ
いて調べた結果であるが、液晶材料を変えても４０℃以
上になれば概ね１０msec以下、例えば数msecといったの
応答時間が実現できる。

【００６１】この結果から、本発明の液晶装置において
応答速度をさらに改善するためにはヒータなどの加熱手
段により液晶層を加熱することが有効である。さらに、
液晶層の温度を常に一定範囲に制御するような温度制御
手段を備えることがより好ましい。後述する投射型液晶
表示装置のライトバルブに本発明の液晶装置を用いるよ
うな場合には光源からの強い光が液晶装置に照射され、
液晶層の温度が必然的に上昇してしまうので、応答時間
の改善にとっては有利である。

【００６２】［投射型表示装置］図８は、上記実施の形
態の液晶装置を液晶ライトバルブとして用いた色順次単
板方式（フィールドシーケンシャルカラー方式）の投射
型液晶表示装置（液晶プロジェクタ）の一例を示す概略
構成図である。図中、符号５００は光源、５０１，５０
２は集光レンズ、５０３はカラーホイール、５０４は液
晶ライトバルブ（光変調手段）、５０５は投射レンズを
示す。

【００６３】光源５００は、メタルハライド等のランプ
５０６とランプ５０６の光を反射するリフレクタ５０７
とから構成されている。光源５００からの白色光が第１
集光レンズ５０１を透過した後、高速回転するカラーホ
イール５０３を透過することにより、赤色光、青色光、
緑色光が例えば数msecといった時分割で出射される。そ
の後、出射された各色光は第２集光レンズ５０２を透過
する。第２集光レンズ５０２を透過した光は液晶ライト
バルブ５０４に入射され、ここで変調された後、投射レ
ンズ５０５によってスクリーン（図示略）上に投射さ
れ、画像が拡大されて表示される。

【００６４】上記構成の投射型液晶表示装置は、各色に
対応する画像を１つの液晶ライトバルブ５０４で時分割
で切り換えて投射し、カラー表示を実現するものである
から、液晶ライトバルブ５０４には応答速度が速いこと
が要求される。そこで、上記実施の形態の液晶装置を用
いたことにより、画像品位に優れた投射型液晶表示装置
を実現することができる。また上述したように、光源５
００からの強い光が液晶ライトバルブ５０４に照射さ
れ、液晶層の温度が高くなるので、応答時間の改善にと
っては有効であり、時分割駆動のカラー投射型表示装置
に好適なものとなる。

【００６５】［電子機器］上記実施の形態の液晶表示装
置を備えた電子機器の例について説明する。図９は、携
帯電話の一例を示した斜視図である。図９において、符
号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記
の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。

【００６６】図１０は、腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。図１０において、符号１１００は時計
本体を示し、符号１１０１は上記の液晶表示装置を用い
た液晶表示部を示している。

【００６７】図１１は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１に
おいて、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２は
キーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置
本体、符号１２０６は上記の液晶表示装置を用いた液晶
表示部を示している。

【００６８】図９〜図１１に示す電子機器は、上記実施
の形態の液晶装置を用いた液晶表示部を備えているの
で、応答速度の速い表示が可能な液晶表示部を備えた電
子機器を実現することができる。

【００６９】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記実施の形態ではスイッチング素子にＴＦＴを用
いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適
用したが、スイッチング素子に薄膜ダイオード（ThinFi
lm Diode,ＴＦＤ）を用いたアクティブマトリクス方式
の液晶装置、パッシブマトリクス方式の液晶装置、カラ
ーフィルターを備えたカラー液晶装置などにも適用が可
能である。また、液晶装置の応用例としては、上記の投
射型液晶表示装置の他、直視型の液晶表示装置にも応用
できることは勿論である。

【００７０】その他、横電界を発生させるための電極
（上記実施の形態では櫛歯状電極とした）等の各構成要
素の形状、構成材料等の具体的な記載に関しては、上記
実施の形態の例に限ることなく、適宜変更が可能であ
る。

【００７１】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、ＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換え際に第２の
基板上の電極を用いて液晶に横電界を印加する構成とな
っており、この横電界がＯＦＦ時の液晶の戻りを補助す
るように働くため、従来に比べて応答速度が速い液晶装
置を実現することができる。また、横電界発生用の電極
を形成するのは第２の基板側のみで済むので、製造プロ
セスが煩雑になったり、製造コストが増大することがな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態の液晶装置を示す図
であって、図１（ａ）は液晶装置の全体構成を示す斜視
図、図１（ｂ）は図１（ａ）における一画素の拡大図で
ある。

【図２】 同、液晶装置の一画素の電極構成のみを取り
出して示す斜視図である。

【図３】 同、電極構成を示す平面図である。

【図４】 図４（ａ）、（ｂ）ともに同液晶装置の動作
を説明するための図であって、図２のＡ−Ａ’線に沿う
断面図である。

【図５】 本発明の第２の実施形態の液晶装置の一画素
の電極構成のみを取り出して示す斜視図である。

【図６】 同、電極構成を示す平面図である。

【図７】 図７（ａ）、（ｂ）ともに同液晶装置の動作
を説明するための図であって、図５のＢ−Ｂ’線に沿う
断面図である。

【図８】 同、液晶装置を備えた投射型表示装置の一例
を示す図である。

【図９】 同、液晶装置を備えた電子機器の一例を示す
図である。

【図１０】 同、電子機器の他の例を示す図である。

【図１１】 同、電子機器のさらに他の例を示す図であ
る。

【図１２】 液晶の温度と応答時間との関係を測定した
結果を示すグラフである。

【図１３】 横電界モードの液晶表示装置（（ａ）ＩＰ
Ｓ方式、（ｂ）ＦＦＳ方式）の原理を説明するための図
である。

【符号の説明】

１ 液晶装置 ２ 素子基板（第２の基板） ３ 対向基板（第１の基板） ７ 画素電極（第２の電極） ８ 共通電極（第１の電極） １４ 絶縁膜 １５ 櫛歯状電極（第３の電極） １５ａ，２１ａ，２２ａ （櫛歯状電極の）線状部分 １６，１７ 配向膜 １８，２３ 液晶層 １９，２４ 液晶分子 ２１ 第１の櫛歯状電極（第３の電極） ２２ 第２の櫛歯状電極（第４の電極）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 EA13 HA02 HA03 2H092 GA14 GA17 NA04 NA05 NA27 PA02 PA06

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向配置された一対の基板間に誘
   電率異方性が正の液晶からなる液晶層が挟持された液晶
   装置であって、 前記一対の基板を構成する第１の基板、第２の基板のそ
   れぞれに前記液晶層を挟んで対峙し、該液晶層に対して
   縦電界を印加する電極が設けられるとともに、前記第２
   の基板には、前記液晶層に対して横電界を印加する複数
   の電極が設けられたことを特徴とする液晶装置。
2. 【請求項２】 前記第１の基板に第１の電極が設けら
   れ、前記第２の基板に前記第１の電極との間で前記縦電
   界を発生させる第２の電極が設けられ、さらに前記第２
   の基板には前記第２の電極との間で前記横電界を発生さ
   せる第３の電極が設けられていることを特徴とする請求
   項１に記載の液晶装置。
3. 【請求項３】 前記第２の電極は略矩形状の電極であ
   り、前記第３の電極は前記第２の電極の上方に絶縁膜を
   介して形成された線状部分を有する電極であることを特
   徴とする請求項２に記載の液晶装置。
4. 【請求項４】 前記第１の基板に第１の電極が設けら
   れ、前記第２の基板に前記第１の電極との間で前記縦電
   界を発生させる第２の電極が設けられ、さらに前記第２
   の基板には互いの間に前記横電界を発生させる第３の電
   極および第４の電極が設けられていることを特徴とする
   請求項１に記載の液晶装置。
5. 【請求項５】 前記第２の電極は略矩形状の電極であ
   り、前記第３の電極および前記第４の電極はともに前記
   第２の電極の上方に絶縁膜を介して形成された線状部分
   を有する電極であることを特徴とする請求項４に記載の
   液晶装置。
6. 【請求項６】 前記第３の電極および前記第４の電極は
   同一の層で形成されていることを特徴とする請求項５に
   記載の液晶装置。
7. 【請求項７】 前記縦電界を印加しない状態において、
   前記液晶層のバルク部分を構成する液晶分子の長軸方向
   が前記第３の電極または前記第４の電極の前記線状部分
   の延在方向に対して略垂直な方向を向くように配向処理
   がなされていることを特徴とする請求項３または５に記
   載の液晶装置。
8. 【請求項８】 ノーマリーホワイトの表示モードを採用
   したことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項
   に記載の液晶装置。
9. 【請求項９】 前記電極が全て透明導電膜で形成されて
   いることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項
   に記載の液晶装置。
10. 【請求項１０】 前記一対の基板のいずれか一方の基板
    上の電極が透明導電膜で形成され、他方の基板上の電極
    の少なくとも一つが金属膜で形成されていることを特徴
    とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の液晶装
    置。
11. 【請求項１１】 前記液晶層を加熱する加熱手段を備え
    たことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一項
    に記載の液晶装置。
12. 【請求項１２】 光源と、前記光源からの光を変調する
    請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の液晶装置か
    らなる光変調手段と、前記光変調手段により変調された
    光を投射する投射手段とを備えたことを特徴とする投射
    型表示装置。
13. 【請求項１３】 請求項１ないし１１のいずれか一項に
    記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。