JP2002200552A - ポリッシング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハ等の研磨対象物の表面に形成さ
れた薄膜の膜厚分布に対応して研磨を行なうことがで
き、研磨後の膜厚の均一性を得ることができるポリッシ
ング装置を提供する。 【解決手段】 研磨テーブル１１の研磨面に研磨対象物
である半導体ウェハＷを押圧して研磨するポリッシング
装置において、研磨テーブル１１の研磨面の目立てを行
なうドレッサー３９と、ドレッサー３９を研磨テーブル
１１の研磨面上で移動させる揺動モータ３６と、半導体
ウェハＷの被研磨面内の所定位置を研磨するために用い
られる研磨面の領域において、該被研磨面内の所定位置
における研磨すべき膜厚に応じて揺動モータ３６による
ドレッサー３９の移動速度を制御する制御装置５０とを
備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハなど
の研磨対象物を平坦かつ鏡面状に研磨するポリッシング
装置、特に、ポリッシング装置における研磨テーブルの
上面に貼付された研磨布の表面のドレッシングを行なう
ドレッサーを備えたポリッシング装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が０．５μｍ以下の光リソグラ
フィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像
面の平坦度を必要とする。このような半導体ウェハの表
面を平坦化する一手段として、化学機械研磨（ＣＭＰ）
を行なうポリッシング装置が知られている。

【０００３】この種のポリッシング装置は、図１２に示
すように、上面に研磨布（研磨パッド）３００を貼付し
て研磨面を構成する研磨テーブル３０２と、研磨対象物
である半導体ウェハ等の基板Ｗをその被研磨面を研磨テ
ーブル３０２に向けて保持するトップリング３０４とを
備えている。このようなポリッシング装置を用いて半導
体ウェハＷの研磨処理を行なう場合には、研磨テーブル
３０２とトップリング３０４とをそれぞれ自転させ、研
磨テーブル３０２の上方に設置された砥液ノズル３０６
より砥液を供給しつつ、トップリング３０４により半導
体ウェハＷを一定の圧力で研磨テーブル３０２の研磨布
３００に押圧する。砥液ノズル３０６から供給される砥
液は、例えばアルカリ溶液にシリカ等の微粒子からなる
砥粒を懸濁したものを用い、アルカリによる化学的研磨
作用と、砥粒による機械的研磨作用との複合作用である
化学的・機械的研磨によって半導体ウェハＷが平坦かつ
鏡面状に研磨される。

【０００４】研磨布３００に半導体ウェハＷを接触させ
て、研磨テーブル３０２を回転することによりポリッシ
ングを行なうと、研磨布３００には、砥粒や研磨屑が付
着し、研磨布３００の特性が変化して研磨性能が劣化し
てくる。このため、同一の研磨布３００を用いて半導体
ウェハＷの研磨を繰り返すと、研磨速度の低下、又は研
磨ムラが生じるなどの問題がある。そこで、半導体ウェ
ハの研磨前後、又は最中に研磨布３００の表面状態を回
復するドレッシング（目立て）と称するコンディショニ
ングが行われている。

【０００５】研磨布のドレッシングを行なう場合には、
ポリッシング装置にドレッサー３０８を設け、研磨する
半導体ウェハＷの交換時などに、このドレッサー３０８
によって研磨布３００のドレッシングを行なう。即ち、
ドレッサー３０８の下面に取り付けられたドレッシング
部材を研磨テーブル３０２の研磨布３００に押圧しつ
つ、研磨テーブル３０２とドレッサー３０８とをそれぞ
れ自転させることで、研磨面に付着した砥粒や切削屑を
除去すると共に、研磨面全体の平坦化及び目立てが行な
われ、研磨面が再生される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウェ
ハの表面に形成される薄膜は、成膜の際の方法や装置の
特性により、半導体ウェハの半径方向の位置で膜厚が異
なる。即ち、半径方向に膜厚分布を持っている。また、
このような膜厚分布は、成膜の方法や成膜装置の種類に
よって異なる。即ち、膜厚の厚い部分の半径方向の位置
やその数、及び膜厚の薄い部分と厚い部分との膜厚の差
は、成膜の方法や成膜装置の種類により異なっている。

【０００７】しかしながら、上述した従来のドレッサー
では研磨面全体を均一にドレッシングするため、研磨面
全体が同じように再生され、研磨面全体が同じ研磨力を
持つこととなる。従って、従来のドレッサーによって研
磨面を再生した後、半導体ウェハの全面を均等に押圧し
て研磨すると、半導体ウェハの全面で研磨レートが一定
となる。このため、上述した膜厚分布に適合した研磨を
行なうことができず、膜厚の薄い部分では過研磨が、膜
厚の厚い部分では研磨不足が生ずる場合があった。

【０００８】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、半導体ウェハ等の研磨対象物の
表面に形成された薄膜の膜厚分布に対応して研磨を行な
うことができ、研磨後の膜厚の均一性を得ることができ
るポリッシング装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような従来技術にお
ける問題点を解決するために、本発明は、研磨面を有す
る研磨テーブルと、該研磨テーブルの研磨面に研磨対象
物を押圧するトップリングとを備え、上記研磨テーブル
の研磨面に研磨対象物を押圧して該研磨対象物を研磨す
るポリッシング装置において、上記研磨テーブルの研磨
面の目立てを行なうドレッサーを備え、上記ドレッサー
は、上記研磨対象物の被研磨面内の所定位置を研磨する
ために用いられる研磨面の領域を、該被研磨面内の所定
位置における研磨すべき膜厚に応じて目立てすることを
特徴とする。

【００１０】また、本発明の他の態様は、研磨面を有す
る研磨テーブルと、該研磨テーブルの研磨面に研磨対象
物を押圧するトップリングとを備え、上記研磨テーブル
の研磨面に研磨対象物を押圧して該研磨対象物を研磨す
るポリッシング装置において、上記研磨テーブルの研磨
面の目立てを行なうドレッサーと、上記ドレッサーを上
記研磨テーブルの研磨面上で移動させる移動機構、上記
ドレッサーを回転させる回転機構、上記ドレッサーを上
記研磨テーブルの研磨面に押圧する押圧機構のうち少な
くとも１つと、上記研磨対象物の被研磨面内の所定位置
を研磨するために用いられる研磨面の領域において、該
被研磨面内の所定位置における研磨すべき膜厚に応じ
て、上記移動機構による上記ドレッサーの移動速度、上
記回転機構による上記ドレッサーの回転速度、上記押圧
機構による上記ドレッサーの押圧荷重のうち少なくとも
１つを制御する制御装置とを備えたことを特徴とする。

【００１１】本発明によれば、研磨面の領域内でドレッ
シングされる領域を任意に変更することができるので、
研磨すべき膜厚が厚い部分を研磨するために用いられる
研磨面を、研磨すべき膜厚が薄い部分を研磨するために
用いられる研磨面よりも多くドレッシングし目立てする
ことが可能となる。これにより、研磨すべき膜厚の厚い
部分を相対的に多く、薄い部分を相対的に少なく研磨す
ることができ、研磨対象物の被研磨面のプロファイル
（膜厚分布）に応じた適切な研磨が可能となる。

【００１２】また、本発明の一態様においては、上記ド
レッサーが上記研磨対象物よりも径の小さなドレッサー
であることを特徴とする。更に、上記ドレッサーが、研
磨中に上記研磨面の目立てを行なうことを特徴とする。
更にまた、上記ドレッサーを洗浄する洗浄槽を備えたこ
とを特徴とする。

【００１３】また、本発明の一態様は、上記研磨対象物
の被研磨面における研磨すべき膜厚を測定する膜厚測定
器を備えたことを特徴とする。このような構成とするこ
とで、膜厚測定器により測定された実際の研磨対象物の
被研磨面のプロファイルが得られるため、各研磨対象物
の実際のプロファイルに応じたより適切な研磨が可能と
なる。

【００１４】本発明の他の一態様においては、上記研磨
対象物が押圧される研磨面の略全面を目立てする第２の
ドレッサーを更に備えたことを特徴とする。好ましく
は、この第２のドレッサーを上記研磨対象物よりも径の
大きなドレッサーとし、第２のドレッサーによって上記
研磨対象物が押圧される研磨面の略全面を目立てする。
これにより、研磨面の凸起部を選択的に除去して研磨面
の平坦化を行なうことができる。即ち、研磨中における
ドレッシングによって目立てを多くした部分は早く削れ
てしまうため、研磨後の研磨面の表面には凹凸ができる
が、上記第２のドレッサーによるドレッシングによっ
て、このうちの凸起部のみを削り落とすことができるの
で、研磨面の表面を平坦化することができる。

【００１５】更に、本発明の一態様は、上記第２のドレ
ッサーが、上記研磨面が局所的に減耗した場合に該研磨
面の略全面を目立てすることを特徴とする。このような
構成により、例えば、他方のドレッサーによるドレッシ
ングによって研磨テーブルの研磨面が局所的に減耗した
場合においても、第２のドレッサーによって研磨面の状
態をリセットすることができるので、その後の研磨をよ
り正確にすることができる。

【００１６】また、本発明の一態様は、研磨面を有する
研磨テーブルと、該研磨テーブルの研磨面に研磨対象物
を押圧するトップリングとを備え、上記研磨テーブルの
研磨面に研磨対象物を押圧して該研磨対象物を研磨する
ポリッシング装置において、上記研磨対象物の研磨中に
上記研磨テーブルの研磨面の目立てを行なう第１のドレ
ッサーと、上記研磨対象物が研磨されていないときに上
記研磨テーブルの研磨面の目立てを行なう第２のドレッ
サーとを一体化したドレッシングユニットを備えたこと
を特徴とする。これにより、目的の異なる２つのドレッ
サーを一体化することができるので、設備の省スペース
化を図ることが可能となる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の第１の実施形態について図１乃至図８を参照して
詳細に説明する。図１は本実施形態におけるポリッシン
グ装置を模式的に示す平面図である。

【００１８】図１に示すように、本発明に係るポリッシ
ング装置には、全体が長方形をなす床上のスペースの一
端側に一対の研磨部１ａ，１ｂが左右に対向して配置さ
れ、他端側にそれぞれ半導体ウェハ収納用カセット２
ａ，２ｂを載置する一対のロード・アンロードユニット
が配置されている。研磨部１ａ，１ｂとロード・アンロ
ードユニットとを結ぶ線上には、半導体ウェハを搬送す
る搬送ロボット４ａ，４ｂが２台配置されて搬送ライン
が形成されている。この搬送ラインの両側には、それぞ
れ１台の反転機５，６とこの反転機５，６を挟んで２台
の洗浄機７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂとが配置されている。

【００１９】２つの研磨部１ａ，１ｂは、基本的に同一
の仕様の装置が搬送ラインに対称に配置されており、そ
れぞれ、上面に研磨布が貼付された研磨テーブル１１
と、研磨対象物である半導体ウェハを真空吸着により保
持し、これを研磨テーブル１１に押圧して研磨するトッ
プリングユニット１２と、研磨テーブル１１上の研磨布
の目立て（ドレッシング）を行なうドレッシングユニッ
ト１３とを備えている。また、研磨部１ａ，１ｂには、
それぞれの搬送ライン側に、半導体ウェハをトップリン
グユニット１２との間で授受するプッシャー１４が設け
られている。

【００２０】搬送ロボット４ａ，４ｂは、水平面内で屈
折自在な関節アームを有しており、それぞれ上下に２つ
の把持部をドライフィンガーとウェットフィンガーとし
て使い分けている。本実施形態では２台のロボットが使
用されるので、基本的に第１ロボット４ａは反転機５，
６よりカセット２ａ，２ｂ側の領域を、第２ロボット４
ｂは反転機５，６より研磨部１ａ，１ｂ側の領域をそれ
ぞれ受け持つ。

【００２１】反転機５，６は半導体ウェハの上下を反転
させるもので、搬送ロボット４ａ，４ｂのハンドが到達
可能な位置に配置されている。本実施形態では、２つの
反転機５，６をドライ基板を扱うものと、ウエット基板
を扱うものとに使い分けている。

【００２２】各洗浄機７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂの形式は
任意であるが、例えば、研磨部１ａ，１ｂ側はスポンジ
付きのローラで半導体ウェハの表裏両面を拭う形式の洗
浄機７ａ，７ｂであり、カセット２ａ，２ｂ側は半導体
ウェハのエッジを把持して水平面内で回転させながら洗
浄液を供給する形式の洗浄機８ａ，８ｂである。後者
は、遠心脱水して乾燥させる乾燥機としての機能をも備
える。洗浄機７ａ，７ｂにおいて、半導体ウェハの１次
洗浄を行なうことができ、洗浄機８ａ，８ｂにおいて１
次洗浄後の半導体ウェハの２次洗浄を行なうことができ
る。

【００２３】次に、上述した研磨部の詳細を説明する。
図２は図１に示す研磨部１ａの要部を模式的に示す縦断
面図、図３及び図４は図１の研磨部１ａの概略を示す平
面図である。なお、以下では、研磨部１ａについてのみ
説明するが、研磨部１ｂについても研磨部１ａと同様に
考えることができる。

【００２４】図２に示すように、研磨テーブル１１の研
磨布１０の表面は研磨対象物である半導体ウェハＷと摺
接する研磨面を構成している。研磨テーブル１１は、テ
ーブル軸１１ａを介してその下方に配置されるモータ
（図示せず）に連結されており、研磨テーブル１１はそ
のテーブル軸１１ａ周りに回転可能となっている。

【００２５】図２乃至図４に示すように、研磨テーブル
１１の上方には砥液・水供給ノズル１５が配置されてお
り、この砥液・水供給ノズル１５からは研磨に使用する
研磨砥液及びドレッシングに使用するドレッシング液
（例えば、水）が研磨布１０上に供給される。また、こ
れら砥液と水を回収する枠体１７が研磨テーブル１１の
周囲に設けられており、この枠体の下部に樋１７ａが形
成されている。

【００２６】また、研磨テーブル１１の上方には、窒素
ガスと純水又は薬液とを混合した液体を研磨布の研磨面
に噴射するアトマイザ１６が配置されている。アトマイ
ザ１６は、窒素ガス供給源及び液体供給源に接続される
複数の噴射ノズル１６ａを備えている。窒素ガス供給源
からの窒素ガス及び液体供給源からの純水又は薬液は、
図示しないレギュレータやエアオペレータバルブによっ
て所定の圧力に調整され、両者が混合された状態でアト
マイザ１６の噴射ノズル１６ａに供給される。

【００２７】混合された窒素ガスと純水又は薬液は、
液体微粒子化、液体が凝固した微粒子固体化、液体
が蒸発した気体化（これら、、を霧状化又はアト
マイズという）された状態で、アトマイザ１６の噴射ノ
ズル１６ａから研磨布１０に向けて噴射される。混合さ
れた液体が液体微粒子化、微粒子固体化、気体化のいず
れの状態で噴射されるかは、窒素ガス及び／又は純水又
は薬液の圧力、温度、又はノズル形状などによって決定
される。従って、レギュレータなどによって窒素ガス及
び／又は純水又は薬液の圧力、温度、又はノズル形状な
どを適宜変更することによって噴射される液体の状態を
変更することができる。

【００２８】トップリングユニット１２は、回転可能な
支軸２０と、支軸２０の上端に連結されるトップリング
ヘッド２１と、トップリングヘッド２１の自由端から垂
下するトップリングシャフト２２と、トップリングシャ
フト２２の下端に連結される略円盤状のトップリング２
３とから構成されている。トップリング２３は、支軸２
０の回転によるトップリングヘッド２１の揺動と共に水
平方向に移動し、図１の矢印Ａで示すように、プッシャ
ー１４と研磨布１０上の研磨位置との間での往復運動が
可能となっている。

【００２９】また、トップリング２３は、トップリング
シャフト２２を介してトップリングヘッド２１の内部に
設けられた図示しないモータ及び昇降シリンダに連結さ
れており、これにより昇降可能かつトップリングシャフ
ト２２周りに回転可能となっている。また、研磨対象で
ある半導体ウェハＷは、トップリング２３の下端面に真
空等によって吸着、保持されている。これらの機構によ
り、トップリング２３は自転しながら、その下面に保持
した半導体ウェハＷを研磨布１０に対して任意の圧力で
押圧することができる。

【００３０】ドレッシングユニット１３は、研磨を行っ
て劣化した研磨布１０の表面を再生するもので、研磨テ
ーブル１１の中心に対してトップリングユニット１２と
は反対側に配置されている。図２乃至図４に示すよう
に、本実施形態におけるドレッシングユニット１３は、
２つのドレッサー、即ち、第１ドレッサー３９及び第２
ドレッサー３３を一体化して備えている。後述するよう
に、第１ドレッサー３９は研磨中に研磨布１０のドレッ
シングを行なうため、第２ドレッサー３３は研磨前の研
磨布１０の初期表面調整のための目粗しを行なうために
それぞれ用いられる。

【００３１】ドレッシングユニット１３は、回転可能な
支軸３０と、支軸３０の上端に連結されるドレッサーヘ
ッド３１と、ドレッサーヘッド３１の自由端から垂下す
るドレッサーシャフト３２と、ドレッサーシャフト３２
の下端に連結される略円盤状の第２ドレッサー３３とを
備えている。第２ドレッサー３３は、支軸３０の回転に
よるドレッサーヘッド３１の揺動と共に水平方向に移動
し、図１及び図３の矢印Ｂで示すように研磨布１０上の
ドレッシング位置と研磨テーブル１１の外側の待機位置
との間で往復運動が可能となっている。更に、第２ドレ
ッサー３３は、ドレッサーシャフト３２を介してドレッ
サーヘッド３１の内部に設けられた図示しないモータ及
び昇降シリンダに連結されており、これにより昇降可能
かつドレッサーシャフト３２周りに回転可能となってい
る。なお、研磨テーブル１１の外側の待機位置には、第
２ドレッサー３３を洗浄するためのドレッサー洗浄槽１
８が配置されている。

【００３２】ここで、第２ドレッサー３３は、ドレッシ
ング部材としてペレット及びリングタイプのダイヤモン
ドドレッサー３４を備えている。このダイヤモンドドレ
ッサー３４は、第２ドレッサー３３の下面の周縁部にダ
イヤモンド粒子等の粒状物が電着された円板の部材を複
数個配設したものである。第２ドレッサー３３の直径は
例えば２７０ｍｍであり、研磨対象物である半導体ウェ
ハＷの直径（２００ｍｍ）よりも大きくなっている。従
って、第２ドレッサー３３によりドレッシングされる研
磨面の領域は、半導体ウェハＷの研磨に用いられる研磨
面の領域よりも大きくなっている。

【００３３】ドレッサーヘッド３１の側部には支持部３
５が固着されており、支持部３５の先端には揺動モータ
３６が固定されている。揺動モータ３６のモータシャフ
ト３６ａには揺動アーム３７が連結されており、揺動モ
ータ３６を回転駆動することによって揺動アーム３７が
揺動するようになっている。この揺動モータ３６は制御
装置５０に接続されており、該制御装置５０によってモ
ータ速度（揺動速度）が制御される。揺動モータ３６
は、後述する第１ドレッサー３９を研磨テーブル１１の
研磨面上で移動させる移動機構を構成する。

【００３４】揺動アーム３７の自由端側からはドレッサ
ーシャフト３８が垂下しており、ドレッサーシャフト３
８の下端には略円盤状の第１ドレッサー３９が連結され
ている。第１ドレッサー３９は、揺動モータ３６の駆動
による揺動アーム３７の揺動と共に水平方向に移動し、
図４の矢印Ｃで示すように研磨布１０上のドレッシング
位置と研磨テーブル１１の外側の待機位置との間で往復
運動が可能となっている。支軸３０のドレッサーヘッド
３１の下方には支持台４６が固定されており、支持台４
６には第１ドレッサー３９の待機位置に第１ドレッサー
３９を洗浄するための桶状のドレッサー洗浄槽４７が設
けられている。この支持台４６は支軸３０の回転により
ドレッサーヘッド３１と一体となって揺動する。

【００３５】ドレッサーシャフト３８は揺動アーム３７
に固定されたエアシリンダ（押圧機構）４０に連結され
ており、このエアシリンダ４０によってドレッサーシャ
フト３８は昇降可能となっている。更に、ドレッサーシ
ャフト３８はキー（図示せず）を介して回転筒４１に連
結されている。この回転筒４１はその外周部にタイミン
グプーリ４２を備えている。揺動アーム３７には回転モ
ータ（回転機構）４３が固定されており、上記タイミン
グプーリ４２はタイミングベルト４４を介して回転モー
タ４３に設けられたタイミングプーリ４５に接続されて
いる。従って、回転モータ４３を駆動することによって
タイミングプーリ４５、タイミングベルト４４、及びタ
イミングプーリ４２を介して回転筒４１及びドレッサー
シャフト３８が一体に回転し、第１ドレッサー３９が回
転する。

【００３６】ここで、第１ドレッサー３９は、ドレッシ
ング部材としてディスクタイプのダイヤモンドドレッサ
ー４８を備えている。このダイヤモンドドレッサー４８
は、第１ドレッサー３９の下面の全面にダイヤモンド粒
子等の粒状物が電着された円板の部材を配設したもので
ある。第１ドレッサー３９の直径は例えば１００ｍｍで
あり、研磨対象物である半導体ウェハＷの直径（２００
ｍｍ）よりも小さくなっている。従って、第１ドレッサ
ー３９によりドレッシングされる研磨面の領域は、半導
体ウェハＷの研磨に用いられる研磨面の領域よりも小さ
くなっている。

【００３７】このように、本実施形態におけるドレッシ
ングユニットは、目的の異なる２つのドレッサー及び一
方のドレッサーの洗浄槽を一体化した構成となってい
る。このような構成とすることにより、設備の省スペー
ス化を図ることが可能となる。

【００３８】次に、上述した構成のポリッシング装置を
用いて、半導体ウェハの研磨処理及びドレッシングを行
なう場合の動作について説明する。図５乃至図７は本実
施形態における一連の動作を示すタイミングチャートで
ある。

【００３９】まず、図５に示す例について説明する。最
初に研磨前の研磨布の初期表面調整が行なわれる。この
研磨前の研磨布の初期表面調整では、ドレッシングユニ
ット１３の第２ドレッサー３３を用いて研磨布１０の表
面を薄く削り取ることによる目粗しが行なわれる。図３
はこのような状態を示している。この場合には、支軸３
０の回転によりドレッサーヘッド３１を研磨布１０上の
ドレッシング位置に移動する。そして、第２ドレッサー
３３及び研磨テーブル１１をそれぞれ独立に自転させつ
つ、第２ドレッサー３３に保持されたダイヤモンドドレ
ッサー３４を所定の圧力で研磨布１０に当接させる。こ
のとき、ドレッシング部材３４が研磨布１０に接触する
のと同時又は接触する前に、砥液・水供給ノズル１５か
ら研磨布１０の上面に水を供給し、研磨布１０に残留し
ている使用済みの砥液を洗い流す。このように、第２ド
レッサー３３によって、研磨布１０の研磨面は全体に亘
って再生される。

【００４０】次に、研磨前の第２ドレッサー３３による
ドレッシングが行なわれる。この第２ドレッサー３３に
よるドレッシング中又はドレッシング前後に、所定の圧
力、温度の窒素ガスと純水又は薬液とをアトマイザ１６
に供給し、アトマイザ１６の噴射ノズル１６ａから純水
又は薬液と窒素ガスとの混合液体を研磨布１０に向けて
噴射する。これにより、混合液体が霧状化された状態で
研磨布１０に噴射され、研磨布１０上の砥液や研磨屑が
研磨テーブル１１の外方に飛散される。特に、研磨布の
凹部に落ち込んだ砥液や研磨屑を、混合液体中の気体に
よって掻き出し、更に純水又は薬液によって洗い流すこ
とができる。これにより、スクラッチの原因となる研磨
布１０上に存在する砥液や研磨屑を効果的に除去するこ
とができる。このようなアトマイズは、第２ドレッサー
３３によるドレッシング中の任意の時間、あるいは第２
ドレッサー３３によるドレッシングの前後の任意の時間
に行なうことができる。なお、図５乃至図７において点
線で示すように、研磨前の研磨布の初期表面調整のとき
にもアトマイズを行なうこととしてもよい。

【００４１】砥液・水供給ノズルから研磨布１０に供給
された水や、アトマイザ１６から研磨布１０に噴射され
た混合液体は、研磨テーブル１１の回転による遠心力を
受けて研磨テーブル１１の外方に飛散し、枠体１７の下
部の樋１７ａにより回収される。ドレッシング終了後の
第２ドレッサー３３は、ドレッサーヘッド３１の揺動に
より待機位置に戻され、この待機位置に設置されたドレ
ッサー洗浄槽１８によって洗浄される。

【００４２】次に、半導体ウェハの研磨処理が行なわれ
る。半導体ウェハの研磨処理中には、トップリング２３
によって半導体ウェハＷの研磨が行なわれると同時に、
ドレッシングユニット１３の第１ドレッサー３９による
ドレッシングも行なわれる。図４はこのような状態を示
している。この場合には、支軸２０の回転によりトップ
リングヘッド２１を研磨布１０上の研磨位置に移動す
る。そして、トップリング２３及び研磨テーブル１１を
それぞれ独立に自転させつつ、トップリング２３に保持
された半導体ウェハＷと研磨テーブル１１とを相対運動
させて、トップリング２３の下面に保持された半導体ウ
ェハＷを研磨テーブル１１上の研磨布１０に押圧する。
このとき、同時に砥液・水供給ノズル１５から研磨布１
０の上面に砥液を供給する。この砥液として、例えばア
ルカリ溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁したものが用い
られ、アルカリによる化学的研磨作用と、砥粒による機
械的研磨作用との複合作用とによって半導体ウェハＷが
研磨される。研磨に使用された砥液は、研磨テーブル１
１の回転による遠心力を受けて研磨テーブル１１の外方
に飛散し、枠体１７の下部の樋１７ａにより回収され
る。

【００４３】このような研磨中に、ドレッシングユニッ
ト１３の支持部３５に固定された揺動モータ３６を駆動
し、揺動アーム３７を揺動させて支持台４６のドレッサ
ー洗浄槽４７に収容されていた第１ドレッサー３９を研
磨布１０上に移動させる。そして、第１ドレッサー３９
を回転モータ４３により回転させ、第１ドレッサーに保
持されたダイヤモンドドレッサー４８を所定の圧力で研
磨布１０に当接させ研磨布１０のドレッシングを行な
う。

【００４４】このドレッシング中には、揺動モータ３６
により揺動アーム３７及び第１ドレッサー３９を揺動さ
せる。制御装置５０は、研磨テーブル１１上の位置によ
って第１ドレッサー３９の揺動速度が変化するように、
揺動モータ３６のモータ速度を制御する。この第１ドレ
ッサー３９の揺動速度は、半導体ウェハＷの被研磨面の
プロファイルに基づいて制御されている。即ち、研磨す
べき膜厚が厚い部分を研磨する研磨布１０の位置では遅
く、研磨すべき膜厚が薄い部分を研磨する研磨布１０の
位置では速く移動するように制御されている。従って、
研磨すべき膜厚が厚い部分を研磨するために用いられる
研磨布が、研磨すべき膜厚が薄い部分を研磨するために
用いられる研磨布よりも多くドレッシングされ目立てさ
れるため、トップリング２３では、研磨すべき膜厚の厚
い部分を相対的に多く、薄い部分を相対的に少なく研磨
することができ、研磨の過不足をなくすことができる。
なお、半導体ウェハＷの研磨中における第１ドレッサー
３９のドレッシング時間は任意に選択できる。また、本
実施形態の制御装置５０は、第１ドレッサー３９の揺動
速度を制御しているが、回転モータ（回転機構）４３又
はエアシリンダ（押圧機構）４０を制御して、第１ドレ
ッサー３９の回転速度又は押圧荷重を制御することによ
って、同様に研磨の過不足をなくすことが可能である。

【００４５】図６に示す例においては、研磨前の研磨布
の初期表面調整を第２ドレッサー３３ではなく、第１ド
レッサー３９により行なっており、その他の点は上述し
た図５に示す例と同様である。このように、第１ドレッ
サー３９によって初期表面調整のための目粗しを行なう
ことも可能である。また、図７に示す例のように、第２
ドレッサー３３を研磨布１０の交換時のみ使用し、その
後のドレッシングは第１ドレッサー３９によって行なう
ことも可能である。使用前の研磨布１０は目立てが全く
されていないので、初期表面調整のドレッシング時間が
長くなる。一方、一度目立てがなされた研磨布１０は、
その後は軽いドレッシングをするだけで研磨効率が上が
る。従って、図７に示す例では、大径の第２ドレッサー
３３によって短時間で初期表面調整を行ない、小径の第
１ドレッサー３９によって、ドレッシングが必要な箇所
の目立てを行なっている。このような方法は、研磨対象
と使用する研磨砥液の組合せなどによって、研磨プロセ
ス上、研磨中にドレッシングができない場合に好適なド
レッシング方法である。

【００４６】上述したように、本発明に係るポリッシン
グ装置は、研磨対象物である半導体ウェハＷよりも径の
小さな第１ドレッサー３９を用いることにより、研磨面
の領域内でドレッシングされる領域を任意に変更するこ
とができるため、研磨面の任意の箇所の目立て量を調整
することが可能となる。従って、半導体ウェハＷの被研
磨面のプロファイル（膜厚分布）に応じた適切な研磨が
可能となる。

【００４７】ここで、例えば成膜法や成膜装置に応じて
半導体ウェハＷの研磨すべき膜厚の分布、即ち、半導体
ウェハＷの被研磨面のプロファイルを予め想定し、この
プロファイルに基づいたプログラムによって第１ドレッ
サー３９の揺動速度、回転速度、押圧荷重のうち少なく
とも１つを制御することとしてもよい。また、図２乃至
図４に示すように、研磨前又は研磨中の半導体ウェハＷ
の被研磨面のプロファイルを測定する膜厚測定器１００
を設けて、この膜厚測定器により測定された実際の半導
体ウェハＷの被研磨面のプロファイルに基づいて半導体
ウェハ毎に第１ドレッサー３９の揺動速度、回転速度、
押圧荷重のうち少なくとも１つを制御することとしても
よい。このように膜厚測定器１００を設けた場合には、
半導体ウェハ毎に、より適切な研磨が可能となる。ま
た、このように膜厚測定器１００により半導体ウェハＷ
の被研磨面のプロファイルを測定する場合においては、
更に研磨布１０の研磨面のプロファイルを測定するパッ
ドプロファイラーを設けて研磨面のプロファイルをも測
定し、半導体ウェハＷの被研磨面及び研磨布１０の研磨
面の双方のプロファイルに基づいて、第１ドレッサー３
９の揺動速度、回転速度、押圧荷重のうち少なくとも１
つを制御することとしてもよい。

【００４８】また、図８に示すようなフローによって研
磨布１０のドレッシングを行なうことも可能である。即
ち、第２ドレッサー３３によって初期表面調整した後、
第１ドレッサー３９によるドレッシングを行ない、半導
体ウェハＷを研磨する。半導体ウェハＷの研磨後には、
研磨布１０の研磨性能が適切に維持されているかを判断
し、研磨性能が適切に維持されていない場合には、大径
の第２ドレッサー３３によって研磨布１０を全体に亘っ
てドレッシングする。研磨性能が適切に維持されている
かを判断するためには、研磨後の半導体ウェハＷの被研
磨面のプロファイルを膜厚測定器１００によって測定
し、測定されたプロファイルが予め決められたレベルを
満たすか否かを判断する。このように、研磨面が局所的
に減耗した場合に、大径の第２ドレッサー３３によって
研磨面の略全面を目立てすることによって、第１ドレッ
サー３９によるドレッシングによって研磨布１０が局所
的に減耗した場合においても、第２ドレッサー３３によ
って研磨布１０の状態をリセットすることが可能とな
る。

【００４９】次に、本発明に係るポリッシング装置の第
２の実施形態について図９乃至図１１を参照して詳細に
説明する。なお、上述の第１の実施形態における部材又
は要素と同一の作用又は機能を有する部材又は要素には
同一の符号を付し、特に説明しない部分については第１
の実施形態と同様である。図９は本実施形態における研
磨部の要部を模式的に示す縦断面図、図１０及び図１１
は本実施形態における研磨部の概略を示す平面図であ
る。

【００５０】本実施形態のポリッシング装置は、図９乃
至図１１に示すように、研磨中に研磨布のドレッシング
を行なう第１ドレッサー７３を備えた第１ドレッシング
ユニット５２と、研磨前の研磨布の初期表面調整のため
の目粗しを行なう第２ドレッサー６３を備えた第２ドレ
ッシングユニット５１とを別々に備えている。

【００５１】第１ドレッシングユニット５２は、水平方
向に延びるボールネジ７０と、ボールネジ７０上のナッ
ト７１から垂下するドレッサーシャフト７２と、ドレッ
サーシャフト７２の下端に連結される略円板状の第１ド
レッサー７３とを備えている。ボールネジ７０の一端に
はボールネジ駆動モータ７４が接続されている。ボール
ネジ駆動モータ７４の駆動によりボールネジ７０が回転
し、このボールネジ７０の作用によりボールネジ７０上
のナット７１及び該ナット７１に連結された第１ドレッ
サー７３が水平方向に移動可能となっている。これによ
り、第１ドレッサー７３は、図１１の矢印Ｅに示すよう
に、研磨布１０上のドレッシング位置と研磨テーブル１
１の外側の待機位置との間で往復運動が可能となってい
る。このボールネジ駆動モータ７４は制御装置８０に接
続されており、制御装置８０によってモータ速度（揺動
速度）が制御される。このボールネジ駆動モータ７４
は、第１ドレッサー７３を研磨テーブル１１上で移動さ
せる移動機構を構成する。

【００５２】更に、第１ドレッサー７３は、ドレッサー
シャフト７２を介してボールネジ７０のナット７１上に
固定された回転モータ（回転機構）７５及びエアシリン
ダ（押圧機構）７６に連結されており、これにより昇降
可能かつドレッサーシャフト７２周りに回転可能となっ
ている。なお、研磨テーブル１１の外側の待機位置に
は、第１ドレッサー３３を洗浄するためのドレッサー洗
浄槽７７が配置されている。

【００５３】ここで、第１ドレッサー７３は、第１の実
施形態と同様に、ドレッシング部材としてディスクタイ
プのダイヤモンドドレッサー７８を備えており、第１ド
レッサー７３の直径は研磨対象物である半導体ウェハＷ
の直径よりも小さくなっている。従って、第１ドレッサ
ー７３によりドレッシングされる研磨面の領域は、半導
体ウェハＷの研磨に用いられる研磨面の領域よりも小さ
くなっている。

【００５４】第２ドレッシングユニット５１は、回転可
能な支軸６０と、支軸６０の上端に連結されるドレッサ
ーヘッド６１と、ドレッサーヘッド６１の自由端から垂
下するドレッサーシャフト６２と、ドレッサーシャフト
６２の下端に連結される略円盤状の第２ドレッサー６３
とを備えている。第２ドレッサー６３は、支軸６０の回
転によるドレッサーヘッド６１の揺動と共に水平方向に
移動し、図１０の矢印Ｄで示すように研磨布１０上のド
レッシング位置と研磨テーブル１１の外側の待機位置と
の間で往復運動が可能となっている。更に、第２ドレッ
サー６３は、ドレッサーシャフト６２を介してドレッサ
ーヘッド６１の内部に設けられた図示しないモータ及び
昇降シリンダに連結されており、これにより昇降可能か
つドレッサーシャフト６２周りに回転可能となってい
る。

【００５５】ここで、第２ドレッサー６３は、第１の実
施形態と同様に、ドレッシング部材としてペレットタイ
プのダイヤモンドドレッサー６４を備えており、第２ド
レッサー６３の直径は、研磨対象物である半導体ウェハ
Ｗの直径よりも大きくなっている。従って、第２ドレッ
サー６３によりドレッシングされる研磨面の領域は、半
導体ウェハＷの研磨に用いられる研磨面の領域よりも大
きくなっている。

【００５６】次に、上述した構成のポリッシング装置を
用いて、半導体ウェハの研磨処理及びドレッシングを行
なう場合の動作について説明する。以下では、第１の実
施形態の図５に示す例に対応する動作についてのみ説明
するが、図６乃至図８に示す例に対応する動作も可能で
あることは言うまでもない。

【００５７】まず、研磨前の研磨布の初期表面調整を行
なう場合について説明する。この研磨前の研磨布の初期
表面調整では、第２ドレッシングユニット５１の第２ド
レッサー６３を用いて研磨布１０の表面を薄く削り取る
ことによる目粗しが行なわれる。図１０はこのような状
態を示している。この場合には、支軸６０の回転により
ドレッサーヘッド６１を研磨布１０上のドレッシング位
置に移動する。そして、第２ドレッサー６３及び研磨テ
ーブル１１をそれぞれ独立に自転させつつ、第２ドレッ
サー６３に保持されたダイヤモンドドレッサー６４を所
定の圧力で研磨布１０に当接させる。このように、第２
ドレッサー６３によって研磨布１０の研磨面は全体に亘
って再生される。なお、ドレッシング終了後の第２ドレ
ッサー６３は、ドレッサーヘッド６１の揺動により待機
位置に戻され、この待機位置に設置されたドレッサー洗
浄槽１８によって洗浄される。

【００５８】次に、半導体ウェハの研磨処理が行なわれ
る。半導体ウェハの研磨処理中には、トップリング２３
によって半導体ウェハＷの研磨が行なわれると同時に、
第１ドレッシングユニット５２の第１ドレッサー７３に
よるドレッシングも行なわれる。図１１はこのような状
態を示している。この場合には、支軸２０の回転により
トップリングヘッド２１を研磨布１０上の研磨位置に移
動する。そして、トップリング２３及び研磨テーブル１
１をそれぞれ独立に自転させつつ、トップリング２３に
保持された半導体ウェハＷと研磨テーブル１１とを相対
運動させて、トップリング２３の下面に保持された半導
体ウェハＷを研磨テーブル１１上の研磨布１０に押圧す
る。このとき、同時に砥液・水供給ノズル１５から研磨
布１０の上面に砥液が供給され、半導体ウェハＷが研磨
される。

【００５９】このような研磨中に、第１ドレッシングユ
ニット５２のボールネジ駆動モータ７４を駆動し、ドレ
ッサー洗浄槽７７に収容されていた第１ドレッサー７３
を研磨布１０上に移動させる。そして、第１ドレッサー
７３を回転モータ７５により回転させ、第１ドレッサー
７３に保持されたダイヤモンドドレッサー７８を所定の
圧力で研磨布１０に当接させ研磨布１０のドレッシング
を行なう。

【００６０】このドレッシング中には、ボールネジ駆動
モータ７４により第１ドレッサー７３を研磨テーブル１
１上でテーブル１１の半径方向に揺動させる。制御装置
８０は、研磨テーブル１１上の位置によって第１ドレッ
サー７３の揺動速度が変化するように、ボールネジ駆動
モータ７４のモータ速度を制御する。この第１ドレッサ
ー７３の揺動速度は、半導体ウェハＷの被研磨面のプロ
ファイルに基づいて制御されている。即ち、研磨すべき
膜厚が厚い部分を研磨する研磨布１０の位置では遅く、
研磨すべき膜厚が薄い部分を研磨する研磨布１０の位置
では速く移動するように制御される。従って、研磨すべ
き膜厚が厚い部分を研磨するために用いられる研磨布
は、研磨すべき膜厚が薄い部分を研磨するために用いら
れる研磨布よりも多くドレッシングされ目立てされるた
め、トップリング２３では、研磨すべき膜厚の厚い部分
を相対的に多く、薄い部分を相対的に少なく研磨するこ
とができ、研磨の過不足をなくすことができる。なお、
半導体ウェハＷの研磨中における第１ドレッサー７３の
ドレッシング時間は任意に選択できる。また、本実施形
態の制御装置５０は、第１ドレッサー７３の揺動速度を
制御しているが、回転モータ（回転機構）７５及びエア
シリンダ（押圧機構）７６を制御して、第１ドレッサー
７３の回転速度又は押圧荷重を制御することによって、
同様に研磨の過不足をなくすことが可能である。

【００６１】このように、本発明に係るポリッシング装
置は、研磨対象物である半導体ウェハＷよりも径の小さ
な第１ドレッサー７３を用いることにより、研磨面の領
域内でドレッシングされる領域を任意に変更することが
できるため、研磨面の任意の箇所の目立て量を調整する
ことが可能となる。従って、半導体ウェハＷの被研磨面
のプロファイル（膜厚分布）に応じた適切な研磨が可能
となる。

【００６２】第１の実施形態と同様に、例えば成膜法や
成膜装置に応じて半導体ウェハＷの被研磨面のプロファ
イルを予め想定し、このプロファイルに基づいたプログ
ラムによって第１ドレッサー７３の揺動速度、回転速
度、押圧荷重のうち少なくとも１つを制御することとし
てもよいし、あるいは、研磨前の半導体ウェハＷの被研
磨面のプロファイルを測定する膜厚測定器を設けて、こ
の膜厚測定器により測定された実際の半導体ウェハＷの
被研磨面のプロファイルに基づいて各半導体ウェハ毎に
第１ドレッサー７３の揺動速度、回転速度、押圧荷重の
うち少なくとも１つを制御することとしてもよい。

【００６３】なお、第１及び第２の実施形態において
は、第２ドレッサー及び第１ドレッサーのドレッシング
部材としていずれもダイヤモンドドレッサーを用いた
が、これに限られるものではない。例えば、ペレットタ
イプやディスクタイプのダイヤモンドドレッサーだけで
なく、リングタイプのダイヤモンドドレッサーを用いる
こともでき、ブラシドレッサを用いることもできる。こ
れらの様々なドレッシング部材を適宜組み合わせて使用
することが可能である。

【００６４】さてこれまで本発明の一実施形態について
説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、そ
の技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施
されてよいものであることは言うまでもない。

【００６５】

【発明の効果】上述したように本発明によれば、研磨対
象物よりも径の小さなドレッサーを用いることにより、
研磨面の領域内でドレッシングされる領域を任意に変更
することができる。従って、研磨すべき膜厚が厚い部分
を研磨するために用いられる研磨布を、研磨すべき膜厚
が薄い部分を研磨するために用いられる研磨布よりも多
くドレッシングし目立てすることが可能となる。これに
より、研磨すべき膜厚の厚い部分を相対的に多く、薄い
部分を相対的に少なく研磨することができ、研磨対象物
の被研磨面のプロファイル（膜厚分布）に応じた適切な
研磨が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態におけるポリッシング
装置を模式的に示す平面図である。

【図２】本発明の第１の実施形態におけるポリッシング
装置の研磨部の要部を模式的に示す縦断面図である。

【図３】図１の研磨部の概略を示す平面図であり、研磨
布の初期表面の調整を行なうときの状態を示している。

【図４】図１の研磨部の概略を示す平面図であり、トッ
プリングによる研磨中の状態を示している。

【図５】図２の研磨部の一連の動作例を示すタイミング
チャートである。

【図６】図２の研磨部の一連の動作例を示すタイミング
チャートである。

【図７】図２の研磨部の一連の動作例を示すタイミング
チャートである。

【図８】図２の研磨部の一連の動作例を示すフローチャ
ートである。

【図９】本発明の第２の実施形態におけるポリッシング
装置の研磨部の要部を模式的に示す縦断面図である。

【図１０】本発明の第２の実施形態におけるポリッシン
グ装置の研磨部の概略を示す平面図であり、研磨布の初
期表面の調整を行なうときの状態を示している。

【図１１】本発明の第２の実施形態におけるポリッシン
グ装置の研磨部の概略を示す平面図であり、トップリン
グによる研磨中の状態を示している。

【図１２】従来のポリッシング装置を模式的に示す断面
図である。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ 研磨部 ２ａ，２ｂ 半導体ウェハ収納用カセット ４ａ，４ｂ 搬送ロボット ５， ６ 反転機 ７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ 洗浄機 １０ 研磨布 １１ 研磨テーブル １１ａ テーブル軸 １２ トップリングユニット １３ ドレッシングユニット １４ プッシャー １５ 砥液・水供給ノズル １６ アトマイザ １６ａ 噴射ノズル １７ 枠体 １７ａ 樋 １８，４７，７７ ドレッサー洗浄槽 ２０，３０，６０ 支軸 ２１ トップリングヘッド ２２ トップリングシャフト ２３ トップリング ３１，６１ ドレッサーヘッド ３２，３８，６２，７２ ドレッサーシャフト ３３，６３ 第２ドレッサー ３４，４８，６４，７８ ドレッシング部材 ３５ 支持部 ３６ 揺動モータ ３６ａ モータシャフト ３７ 揺動アーム ３９，７３ 第１ドレッサー ４０ エアシリンダ ４１ 回転円筒 ４２，４５ タイミングプーリ ４３ 回転モータ ４４ タイミングベルト ４６ 支持台 ５０，８０ 制御装置 ５１ 第２ドレッシングユニット ５２ 第１ドレッシングユニット ７０ ボールネジ ７１ ナット ７４ ボールネジ駆動モータ ７５ 回転モータ ７６ エアシリンダ １００ 膜厚測定器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｋ ６２２Ｒ ６２２Ｓ (72)発明者 赤木 真 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 徳重 克彦 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 松尾 尚典 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 辻村 学 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 3C047 AA04 AA05 AA34 FF08 FF09 FF19 3C058 AA12 AA16 AA19 AB04 AC02 AC05 BA04 BA07 CB01 DA17

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 研磨面を有する研磨テーブルと、該研磨
   テーブルの研磨面に研磨対象物を押圧するトップリング
   とを備え、上記研磨テーブルの研磨面に研磨対象物を押
   圧して該研磨対象物を研磨するポリッシング装置におい
   て、 上記研磨テーブルの研磨面の目立てを行なうドレッサー
   を備え、 上記ドレッサーは、上記研磨対象物の被研磨面内の所定
   位置を研磨するために用いられる研磨面の領域を、該被
   研磨面内の所定位置における研磨すべき膜厚に応じて目
   立てすることを特徴とするポリッシング装置。
2. 【請求項２】 研磨面を有する研磨テーブルと、該研磨
   テーブルの研磨面に研磨対象物を押圧するトップリング
   とを備え、上記研磨テーブルの研磨面に研磨対象物を押
   圧して該研磨対象物を研磨するポリッシング装置におい
   て、 上記研磨テーブルの研磨面の目立てを行なうドレッサー
   と、 上記ドレッサーを上記研磨テーブルの研磨面上で移動さ
   せる移動機構、上記ドレッサーを回転させる回転機構、
   上記ドレッサーを上記研磨テーブルの研磨面に押圧する
   押圧機構のうち少なくとも１つと、 上記研磨対象物の被研磨面内の所定位置を研磨するため
   に用いられる研磨面の領域において、該被研磨面内の所
   定位置における研磨すべき膜厚に応じて、上記移動機構
   による上記ドレッサーの移動速度、上記回転機構による
   上記ドレッサーの回転速度、上記押圧機構による上記ド
   レッサーの押圧荷重のうち少なくとも１つを制御する制
   御装置とを備えたことを特徴とするポリッシング装置。
3. 【請求項３】 上記ドレッサーは上記研磨対象物よりも
   径の小さなドレッサーであることを特徴とする請求項１
   又は２に記載のポリッシング装置。
4. 【請求項４】 上記ドレッサーは、研磨中に上記研磨面
   の目立てを行なうことを特徴とする請求項１乃至請求項
   ３のいずれか一項に記載のポリッシング装置。
5. 【請求項５】 上記ドレッサーを洗浄する洗浄槽を備え
   たことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一
   項に記載のポリッシング装置。
6. 【請求項６】 上記研磨対象物の被研磨面における研磨
   すべき膜厚を測定する膜厚測定器を備えたことを特徴と
   する請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のポリ
   ッシング装置。
7. 【請求項７】 上記研磨対象物が押圧される研磨面の略
   全面を目立てする第２のドレッサーを更に備えたことを
   特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載
   のポリッシング装置。
8. 【請求項８】 上記第２のドレッサーは、上記研磨面が
   局所的に減耗した場合に該研磨面の略全面を目立てする
   ことを特徴とする請求項７に記載のポリッシング装置。
9. 【請求項９】 上記第２のドレッサーは上記研磨対象物
   よりも径の大きなドレッサーであることを特徴とする請
   求項７又は８に記載のポリッシング装置。
10. 【請求項１０】 研磨面を有する研磨テーブルと、該研
    磨テーブルの研磨面に研磨対象物を押圧するトップリン
    グとを備え、上記研磨テーブルの研磨面に研磨対象物を
    押圧して該研磨対象物を研磨するポリッシング装置にお
    いて、 上記研磨対象物の研磨中に上記研磨テーブルの研磨面の
    目立てを行なう第１のドレッサーと、上記研磨対象物が
    研磨されていないときに上記研磨テーブルの研磨面の目
    立てを行なう第２のドレッサーとを一体化したドレッシ
    ングユニットを備えたことを特徴とするポリッシング装
    置。