JP2002289465A - セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック素体にめっきが侵入していないセ
ラミック電子部品と、簡単にそのようなセラミック電子
部品を製造することができるセラミック電子部品の製造
方法を得る。 【解決手段】 セラミック電子部品１０は、セラミック
素体１２を含み、その両端面に端子電極１４ａ，１４ｂ
が形成される。端子電極１４ａ，１４ｂは、焼き付けら
れた外部電極１６ａ，１６ｂと、その上に形成されため
っき皮膜１８ａ，１８ｂとを含む。このセラミック電子
部品１０を形成するために、外部電極１６ａ，１６ｂを
有するセラミック素体１２を撥水処理剤に浸漬・乾燥
し、めっき処理を施す。撥水処理剤は、Ｒａ−（ＣＨ
2 ）−Ｓｉ−（Ｏ−Ｒｂ）3 で表され、Ｒｂに相当す
る官能基の少なくとも１つが加水分解することによって
水酸基に置換される。
ラミック電子部品と、簡単にそのようなセラミック電子
部品を製造することができるセラミック電子部品の製造
方法を得る。 【解決手段】 セラミック電子部品１０は、セラミック
素体１２を含み、その両端面に端子電極１４ａ，１４ｂ
が形成される。端子電極１４ａ，１４ｂは、焼き付けら
れた外部電極１６ａ，１６ｂと、その上に形成されため
っき皮膜１８ａ，１８ｂとを含む。このセラミック電子
部品１０を形成するために、外部電極１６ａ，１６ｂを
有するセラミック素体１２を撥水処理剤に浸漬・乾燥
し、めっき処理を施す。撥水処理剤は、Ｒａ−（ＣＨ
2 ）−Ｓｉ−（Ｏ−Ｒｂ）3 で表され、Ｒｂに相当す
る官能基の少なくとも１つが加水分解することによって
水酸基に置換される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品およびその製造方法に関し、特に、たとえばセラミ
ック素体の端面に端子電極が形成されたセラミック電子
部品と、その製造方法に関する。
部品およびその製造方法に関し、特に、たとえばセラミ
ック素体の端面に端子電極が形成されたセラミック電子
部品と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック電子部品は、導体とセラミッ
ク絶縁体からなるセラミック素体に、導体と導通する端
子電極が形成された構造を有している。端子電極は、セ
ラミック素体の端面に焼き付けられた外部電極と、外部
電極上に形成されるめっき皮膜とで形成される。めっき
皮膜としては、たとえば半田付けの際の耐半田性を得る
ためにＮｉめっき皮膜が形成され、さらに半田付き性を
良好とするために、ＳｎまたはＳｎ／Ｐｂなどのめっき
皮膜が形成される。このようなめっき皮膜は、めっき液
中で外部電極上に電気めっきを行なう、いわゆる湿式め
っき法によって形成される。
ク絶縁体からなるセラミック素体に、導体と導通する端
子電極が形成された構造を有している。端子電極は、セ
ラミック素体の端面に焼き付けられた外部電極と、外部
電極上に形成されるめっき皮膜とで形成される。めっき
皮膜としては、たとえば半田付けの際の耐半田性を得る
ためにＮｉめっき皮膜が形成され、さらに半田付き性を
良好とするために、ＳｎまたはＳｎ／Ｐｂなどのめっき
皮膜が形成される。このようなめっき皮膜は、めっき液
中で外部電極上に電気めっきを行なう、いわゆる湿式め
っき法によって形成される。
【０００３】セラミック電子部品においては、焼き付け
によって形成される外部電極に微細な空隙が存在する。
また、セラミック素体に内部電極が形成されている場合
には、内部電極とセラミック絶縁体との界面にも微細な
空隙が存在する。したがって、外部電極が焼き付けられ
たセラミック素体をめっき液中に浸漬すると、めっき液
が外部電極の空隙内および空隙を通してセラミック素体
内に侵入して残留することになる。
によって形成される外部電極に微細な空隙が存在する。
また、セラミック素体に内部電極が形成されている場合
には、内部電極とセラミック絶縁体との界面にも微細な
空隙が存在する。したがって、外部電極が焼き付けられ
たセラミック素体をめっき液中に浸漬すると、めっき液
が外部電極の空隙内および空隙を通してセラミック素体
内に侵入して残留することになる。
【０００４】めっき液は、主として、Ｎｉ、Ｓｎあるい
はＳｎ／Ｐｂなどの各種金属の塩からなり、セラミック
素体中に残留すると、それ自体が異質誘電体として挙動
する結果、電子部品の特性、たとえば静電容量や誘電体
損失などにばらつきが生じる。また、水分の存在下では
イオンとして移行し、絶縁抵抗値を低下させるなどの原
因となっている。
はＳｎ／Ｐｂなどの各種金属の塩からなり、セラミック
素体中に残留すると、それ自体が異質誘電体として挙動
する結果、電子部品の特性、たとえば静電容量や誘電体
損失などにばらつきが生じる。また、水分の存在下では
イオンとして移行し、絶縁抵抗値を低下させるなどの原
因となっている。
【０００５】このようなめっき液の侵入を防止するため
に、たとえば外部電極が焼き付けられたセラミック素体
にシリコンまたはフェノールなどの熱硬化性樹脂を含浸
させた後、樹脂を硬化させて表面の余分な樹脂を研磨に
より除去したり、溶剤などによって余分な樹脂を洗浄す
る方法がある。このような方法により、セラミック素体
や外部電極の空隙を樹脂で封止し、外部電極表面に湿式
めっきによってめっき皮膜が形成される。
に、たとえば外部電極が焼き付けられたセラミック素体
にシリコンまたはフェノールなどの熱硬化性樹脂を含浸
させた後、樹脂を硬化させて表面の余分な樹脂を研磨に
より除去したり、溶剤などによって余分な樹脂を洗浄す
る方法がある。このような方法により、セラミック素体
や外部電極の空隙を樹脂で封止し、外部電極表面に湿式
めっきによってめっき皮膜が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では、樹脂を熱硬化させる必要があり、熱硬化
により外部電極表面に付着した余分な樹脂は、研磨や洗
浄などの方法で除去する必要がある。このように、セラ
ミック素体に樹脂を含浸させる方法では、製造工程が複
雑になり、量産性に欠け、またコストアップにつながる
という問題がある。
うな方法では、樹脂を熱硬化させる必要があり、熱硬化
により外部電極表面に付着した余分な樹脂は、研磨や洗
浄などの方法で除去する必要がある。このように、セラ
ミック素体に樹脂を含浸させる方法では、製造工程が複
雑になり、量産性に欠け、またコストアップにつながる
という問題がある。
【０００７】さらに、完成したセラミック電子部品に合
成樹脂が残存すると、電子部品をプリント基板に実装す
る際、あるいは実装された後に高温・高湿環境下で使用
される場合、空隙に残存した樹脂が溶解あるいは変質し
て、電子部品の信頼性を損なう恐れがある。
成樹脂が残存すると、電子部品をプリント基板に実装す
る際、あるいは実装された後に高温・高湿環境下で使用
される場合、空隙に残存した樹脂が溶解あるいは変質し
て、電子部品の信頼性を損なう恐れがある。
【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、セ
ラミック素体にめっきが侵入していないセラミック電子
部品と、簡単にそのようなセラミック電子部品を製造す
ることができるセラミック電子部品の製造方法を提供す
ることである。
ラミック素体にめっきが侵入していないセラミック電子
部品と、簡単にそのようなセラミック電子部品を製造す
ることができるセラミック電子部品の製造方法を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、セラミック
素体と、セラミック素体の端面に形成される外部電極
と、外部電極上に形成されるめっき皮膜とを含むセラミ
ック電子部品の製造方法であって、撥水処理剤によって
セラミック素体に形成された外部電極に撥水処理を施す
ことによりめっき液侵入防止皮膜を形成する工程と、外
部電極上にめっき処理を施す工程とを含み、撥水処理剤
は、Ｒａ−（ＣＨ2 ）−Ｓｉ−（Ｏ−Ｒｂ）3 で表され
る式において、Ｒａが疎水性を有する官能基であり、Ｒ
ｂに相当する官能基の少なくとも１つを加水分解するこ
とによって水酸基に置換したことを特徴とする、セラミ
ック電子部品の製造方法である。このようなセラミック
電子部品の製造方法において、セラミック素体に撥水処
理を行なう際、水酸基に置換した基が、加水分解前の基
に対して２〜８０％含有される撥水処理剤を用いること
が好ましい。また、めっき液侵入防止皮膜を形成する工
程の後に、加熱による撥水処理剤の縮重合により外部電
極と撥水処理剤とを共有結合させる工程を含めてもよ
い。このようなセラミック電子部品の製造方法におい
て、セラミック素体として、セラミックと内部電極とか
らなるセラミック素体を用いることができる。さらに、
外部電極は、たとえば電極ペーストを塗布し、焼き付け
ることによって形成される。また、この発明は、上述の
いずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法で製造
された、セラミック電子部品である。
素体と、セラミック素体の端面に形成される外部電極
と、外部電極上に形成されるめっき皮膜とを含むセラミ
ック電子部品の製造方法であって、撥水処理剤によって
セラミック素体に形成された外部電極に撥水処理を施す
ことによりめっき液侵入防止皮膜を形成する工程と、外
部電極上にめっき処理を施す工程とを含み、撥水処理剤
は、Ｒａ−（ＣＨ2 ）−Ｓｉ−（Ｏ−Ｒｂ）3 で表され
る式において、Ｒａが疎水性を有する官能基であり、Ｒ
ｂに相当する官能基の少なくとも１つを加水分解するこ
とによって水酸基に置換したことを特徴とする、セラミ
ック電子部品の製造方法である。このようなセラミック
電子部品の製造方法において、セラミック素体に撥水処
理を行なう際、水酸基に置換した基が、加水分解前の基
に対して２〜８０％含有される撥水処理剤を用いること
が好ましい。また、めっき液侵入防止皮膜を形成する工
程の後に、加熱による撥水処理剤の縮重合により外部電
極と撥水処理剤とを共有結合させる工程を含めてもよ
い。このようなセラミック電子部品の製造方法におい
て、セラミック素体として、セラミックと内部電極とか
らなるセラミック素体を用いることができる。さらに、
外部電極は、たとえば電極ペーストを塗布し、焼き付け
ることによって形成される。また、この発明は、上述の
いずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法で製造
された、セラミック電子部品である。
【００１０】Ｒａ−（ＣＨ2 ）−Ｓｉ−（Ｏ−Ｒｂ）3
で表される撥水処理剤において、Ｒｂに相当する官能基
を電極に対して吸着性のある水酸基に置換することによ
り、撥水処理剤の外部電極への吸着力を高めることがで
きる。このとき、水酸基に置換した基が、加水分解前の
基に対して２〜８０％含有される撥水処理剤を用いるこ
とにより、優れた撥水効果を得ることができる。水酸基
に置換した基が、加水分解前の基に対して２％未満であ
ると、十分な撥水処理剤の吸着効果が得られず、８０％
を超えると、撥水処理剤の吸着量が多くなりすぎ、めっ
き付き性が悪くなる。外部電極に撥水処理剤を吸着させ
た後、過熱して縮重合させ、撥水処理剤と外部電極とを
共有結合させることにより、耐磨耗性に優れためっき液
侵入防止皮膜を形成することができる。このような電極
形成方法用いたセラミック電子部品では、外部電極上へ
のめっき工程において、セラミック素体へのめっき液の
侵入を防ぐことができ、めっき液によるセラミック電子
部品の特性の変化を防止することができる。
で表される撥水処理剤において、Ｒｂに相当する官能基
を電極に対して吸着性のある水酸基に置換することによ
り、撥水処理剤の外部電極への吸着力を高めることがで
きる。このとき、水酸基に置換した基が、加水分解前の
基に対して２〜８０％含有される撥水処理剤を用いるこ
とにより、優れた撥水効果を得ることができる。水酸基
に置換した基が、加水分解前の基に対して２％未満であ
ると、十分な撥水処理剤の吸着効果が得られず、８０％
を超えると、撥水処理剤の吸着量が多くなりすぎ、めっ
き付き性が悪くなる。外部電極に撥水処理剤を吸着させ
た後、過熱して縮重合させ、撥水処理剤と外部電極とを
共有結合させることにより、耐磨耗性に優れためっき液
侵入防止皮膜を形成することができる。このような電極
形成方法用いたセラミック電子部品では、外部電極上へ
のめっき工程において、セラミック素体へのめっき液の
侵入を防ぐことができ、めっき液によるセラミック電子
部品の特性の変化を防止することができる。
【００１１】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の製造方法が適用
されるセラミック電子部品の一例を示す斜視図であり、
図２はその断面図である。セラミック電子部品１０は、
セラミック素体１２を含む。セラミック素体１２として
は、たとえば積層セラミックコンデンサ用のものが用い
られる。積層セラミックコンデンサ用のセラミック素体
１２は、セラミックグリーンシート上に電極材料が印刷
され、複数のセラミックグリーンシートが積層・圧着さ
れた後、焼成されることにより形成される。
されるセラミック電子部品の一例を示す斜視図であり、
図２はその断面図である。セラミック電子部品１０は、
セラミック素体１２を含む。セラミック素体１２として
は、たとえば積層セラミックコンデンサ用のものが用い
られる。積層セラミックコンデンサ用のセラミック素体
１２は、セラミックグリーンシート上に電極材料が印刷
され、複数のセラミックグリーンシートが積層・圧着さ
れた後、焼成されることにより形成される。
【００１３】このようにして得られたセラミック素体１
２は、電極材料を焼成することによって形成された内部
電極が交互に両端面に露出した構造を有している。この
ように内部電極が露出したセラミック素体１２の両端面
に、端子電極１４ａ，１４ｂが形成される。端子電極１
４ａ，１４ｂは、それぞれ外部電極１６ａ，１６ｂと、
その上に形成されるめっき皮膜１８ａ，１８ｂとで形成
される。なお、めっき皮膜１８ａ，１８ｂとしては、１
層のものに限らず、多層に形成されたものであってもよ
い。たとえば、外部電極１６ａ，１６ｂ上に、耐半田性
を有するＮｉめっき層を形成し、さらに半田付き性の良
好なＳｎめっき層やＳｎ／Ｐｂめっき層などを形成する
ことが考えられる。また、セラミック素体２としては、
チップインダクタ用やチップ抵抗用のものなどの他のセ
ラミック素体を用いることができる。
２は、電極材料を焼成することによって形成された内部
電極が交互に両端面に露出した構造を有している。この
ように内部電極が露出したセラミック素体１２の両端面
に、端子電極１４ａ，１４ｂが形成される。端子電極１
４ａ，１４ｂは、それぞれ外部電極１６ａ，１６ｂと、
その上に形成されるめっき皮膜１８ａ，１８ｂとで形成
される。なお、めっき皮膜１８ａ，１８ｂとしては、１
層のものに限らず、多層に形成されたものであってもよ
い。たとえば、外部電極１６ａ，１６ｂ上に、耐半田性
を有するＮｉめっき層を形成し、さらに半田付き性の良
好なＳｎめっき層やＳｎ／Ｐｂめっき層などを形成する
ことが考えられる。また、セラミック素体２としては、
チップインダクタ用やチップ抵抗用のものなどの他のセ
ラミック素体を用いることができる。
【００１４】外部電極１６ａ，１６ｂは、セラミック素
体１２の両端面に電極ペーストを塗布し、焼き付けるこ
とによって形成される。電極ペーストにはガラスフリッ
トが含まれるため、焼き付けることによって、外部電極
１６ａ，１６ｂは多孔質な構造となる。さらに、湿式め
っき法により外部電極１６ａ，１６ｂ上にめっき皮膜１
８ａ，１８ｂが形成されるが、このとき、めっき液が外
部電極１６ａ，１６ｂの空隙を通してセラミック素体１
２に侵入しないように、めっき工程の前に撥水処理が施
される。
体１２の両端面に電極ペーストを塗布し、焼き付けるこ
とによって形成される。電極ペーストにはガラスフリッ
トが含まれるため、焼き付けることによって、外部電極
１６ａ，１６ｂは多孔質な構造となる。さらに、湿式め
っき法により外部電極１６ａ，１６ｂ上にめっき皮膜１
８ａ，１８ｂが形成されるが、このとき、めっき液が外
部電極１６ａ，１６ｂの空隙を通してセラミック素体１
２に侵入しないように、めっき工程の前に撥水処理が施
される。
【００１５】撥水処理を行うための撥水処理剤は、Ｒａ
−（ＣＨ2 ）−Ｓｉ−（Ｏ−Ｒｂ） 3 で表され、この式
のＲｂに相当する官能基の少なくとも１つが、加水分解
することによって水酸基に置換される。この水酸基が、
外部電極１６ａ，１６ｂに吸着しやすい官能基として働
く。また、Ｒａはめっき液がセラミック基体１２に侵入
することを防ぐ疎水性の官能基であり、たとえば、アル
キル基、ビニル基、フェニル基、パーフルオロ基から選
ばれる少なくとも１種類である。このとき、水酸基に置
換した基が、加水分解前の基に対して２〜８０％含有さ
れる撥水処理剤を用いることにより、優れた撥水効果を
得ることができる。水酸基に置換した基が、加水分解前
の基に対して２％未満であると、十分な撥水処理剤の吸
着効果が得られず、８０％を超えると、撥水処理剤の吸
着量が多くなりすぎ、めっき付き性が悪くなる。水酸基
の含有量は、加水分解を行なう時間によって制御するこ
とができる。
−（ＣＨ2 ）−Ｓｉ−（Ｏ−Ｒｂ） 3 で表され、この式
のＲｂに相当する官能基の少なくとも１つが、加水分解
することによって水酸基に置換される。この水酸基が、
外部電極１６ａ，１６ｂに吸着しやすい官能基として働
く。また、Ｒａはめっき液がセラミック基体１２に侵入
することを防ぐ疎水性の官能基であり、たとえば、アル
キル基、ビニル基、フェニル基、パーフルオロ基から選
ばれる少なくとも１種類である。このとき、水酸基に置
換した基が、加水分解前の基に対して２〜８０％含有さ
れる撥水処理剤を用いることにより、優れた撥水効果を
得ることができる。水酸基に置換した基が、加水分解前
の基に対して２％未満であると、十分な撥水処理剤の吸
着効果が得られず、８０％を超えると、撥水処理剤の吸
着量が多くなりすぎ、めっき付き性が悪くなる。水酸基
の含有量は、加水分解を行なう時間によって制御するこ
とができる。
【００１６】このような撥水処理剤に外部電極１６ａ，
１６ｂが形成されたセラミック素体１２を浸漬して、外
部電極１６ａ，１６ｂに撥水処理剤を付着させて、さら
に風乾することにより、めっき液侵入防止皮膜が形成さ
れる。このとき、撥水処理剤に電極に対する吸着性の良
好な水酸基が含まれていることにより、外部電極１６
ａ，１６ｂへの撥水処理剤の吸着力を高めることができ
る。
１６ｂが形成されたセラミック素体１２を浸漬して、外
部電極１６ａ，１６ｂに撥水処理剤を付着させて、さら
に風乾することにより、めっき液侵入防止皮膜が形成さ
れる。このとき、撥水処理剤に電極に対する吸着性の良
好な水酸基が含まれていることにより、外部電極１６
ａ，１６ｂへの撥水処理剤の吸着力を高めることができ
る。
【００１７】次に、めっき処理により、外部電極１６
ａ，１６ｂの上にめっき皮膜１８ａ，１８ｂが形成され
る。このめっき工程において、外部電極１６ａ，１６ｂ
に撥水処理剤が付着しているため、疎水性を有する官能
基の働きによって、めっき液が外部電極１６ａ，１６ｂ
の空隙からセラミック素体１２に侵入することが防止さ
れる。したがって、セラミック素体１２の特性がめっき
液の侵入によって変化せず、特性ばらつきのないセラミ
ック電子部品１０を得ることができる。
ａ，１６ｂの上にめっき皮膜１８ａ，１８ｂが形成され
る。このめっき工程において、外部電極１６ａ，１６ｂ
に撥水処理剤が付着しているため、疎水性を有する官能
基の働きによって、めっき液が外部電極１６ａ，１６ｂ
の空隙からセラミック素体１２に侵入することが防止さ
れる。したがって、セラミック素体１２の特性がめっき
液の侵入によって変化せず、特性ばらつきのないセラミ
ック電子部品１０を得ることができる。
【００１８】また、撥水処理剤に外部電極１６ａ，１６
ｂを浸漬した後、加熱により撥水処理剤を縮重合させ、
撥水処理剤と外部電極１６ａ，１６ｂとを共有結合させ
てもよい。このような処理を施すことにより、撥水処理
剤と外部電極１６ａ，１６ｂとが強力に結合し、撥水処
理剤の耐磨耗性を高めることができ、外部電極１６ａ，
１６ｂのシール性を維持することが可能となる。
ｂを浸漬した後、加熱により撥水処理剤を縮重合させ、
撥水処理剤と外部電極１６ａ，１６ｂとを共有結合させ
てもよい。このような処理を施すことにより、撥水処理
剤と外部電極１６ａ，１６ｂとが強力に結合し、撥水処
理剤の耐磨耗性を高めることができ、外部電極１６ａ，
１６ｂのシール性を維持することが可能となる。
【００１９】このように、撥水処理剤の一部をＯＨ化す
ることにより、この水酸基が吸着基として働き、撥水処
理剤を金属に吸着させることができる。このとき、全て
の撥水処理剤をＯＨ化しないことにより、金属への吸着
性の弱い撥水処理剤が残り、ＯＨ基をもつものが強く電
極に吸着され、ＯＨ化されていないものの吸着性は弱い
状態に保たれる。そのため、セラミック素体の外部電極
に形成された撥水処理剤皮膜は網目状になると考えら
れ、このような網目状構造により、外部電極へのめっき
付き性は確保されながら、撥水作用が維持されるものと
考えられる。
ることにより、この水酸基が吸着基として働き、撥水処
理剤を金属に吸着させることができる。このとき、全て
の撥水処理剤をＯＨ化しないことにより、金属への吸着
性の弱い撥水処理剤が残り、ＯＨ基をもつものが強く電
極に吸着され、ＯＨ化されていないものの吸着性は弱い
状態に保たれる。そのため、セラミック素体の外部電極
に形成された撥水処理剤皮膜は網目状になると考えら
れ、このような網目状構造により、外部電極へのめっき
付き性は確保されながら、撥水作用が維持されるものと
考えられる。
【００２０】
【実施例】（実施例１）外部電極としてＣｕ下地電極が
形成された積層セラミックコンデンサ用のセラミック素
体を準備した。下地電極焼付後に、撥水処理を行なうた
めに、撥水処理剤を準備した。撥水処理剤として、Ｒａ
−（ＣＨ2 ）−Ｓｉ−（ＯＣＨ3 ）3 を準備した。この
処理剤を水分を含有させたイソプロピルアルコールに３
０ｇ／Ｌ投入して、ＣＨ3 の加水分解を進めた。イソプ
ロピルアルコールは水溶性の溶媒であり、加水分解に必
要なものである。また、Ｒａは、疎水性を有する官能基
として働くパーフルオロ基である。
形成された積層セラミックコンデンサ用のセラミック素
体を準備した。下地電極焼付後に、撥水処理を行なうた
めに、撥水処理剤を準備した。撥水処理剤として、Ｒａ
−（ＣＨ2 ）−Ｓｉ−（ＯＣＨ3 ）3 を準備した。この
処理剤を水分を含有させたイソプロピルアルコールに３
０ｇ／Ｌ投入して、ＣＨ3 の加水分解を進めた。イソプ
ロピルアルコールは水溶性の溶媒であり、加水分解に必
要なものである。また、Ｒａは、疎水性を有する官能基
として働くパーフルオロ基である。
【００２１】ＣＨ3 の加水分解を行なったのちに、Ｘ線
光電子分光分析装置でのケミカルシフトから、−ＯＨの
生成量を求めた。作製した処理剤のＯＨ含有量は、元の
処理剤に対して、２，１０，５０，８０，９０％とし
た。この撥水処理剤に下地電極を形成したセラミック素
体を２分間浸漬処理し、液切り、風乾した後、Ｎｉめっ
き、Ｓｎめっきを順次行なって積層セラミックコンデン
サを作製した。
光電子分光分析装置でのケミカルシフトから、−ＯＨの
生成量を求めた。作製した処理剤のＯＨ含有量は、元の
処理剤に対して、２，１０，５０，８０，９０％とし
た。この撥水処理剤に下地電極を形成したセラミック素
体を２分間浸漬処理し、液切り、風乾した後、Ｎｉめっ
き、Ｓｎめっきを順次行なって積層セラミックコンデン
サを作製した。
【００２２】得られた積層セラミックコンデンサについ
て、断面構造における外部電極内部へのめっき皮膜形成
状態、Ｎｉめっき連続性、半田付き性、および温度８５
℃で湿度８５％の恒温槽において４ＷＶ印加し、１００
０時間経過後の絶縁抵抗不良品数（耐湿負荷試験）を評
価実施した。ここで、１ＷＶは積層セラミックコンデン
サの定格電圧を示し、４ＷＶは定格電圧の４倍の電圧を
印加したことを示す。比較例として、撥水処理を行わず
にめっき皮膜を形成した積層セラミックコンデンサ、Ｒ
ａ−（ＣＨ2 ）−Ｓｉ−（ＯＣＨ3 ）3 のＣＨ3 を加水
分解しない処理剤を用いた積層セラミックコンデンサ、
および外部電極に樹脂を含浸させた後にめっき皮膜を形
成した積層セラミックコンデンサについて、同様の評価
を行なった。そして、その結果を表１に示した。表１の
中の分数について、分母は評価したサンプル数を示し、
分子は各項目に該当する積層セラミックコンデンサの不
良個数を示す。
て、断面構造における外部電極内部へのめっき皮膜形成
状態、Ｎｉめっき連続性、半田付き性、および温度８５
℃で湿度８５％の恒温槽において４ＷＶ印加し、１００
０時間経過後の絶縁抵抗不良品数（耐湿負荷試験）を評
価実施した。ここで、１ＷＶは積層セラミックコンデン
サの定格電圧を示し、４ＷＶは定格電圧の４倍の電圧を
印加したことを示す。比較例として、撥水処理を行わず
にめっき皮膜を形成した積層セラミックコンデンサ、Ｒ
ａ−（ＣＨ2 ）−Ｓｉ−（ＯＣＨ3 ）3 のＣＨ3 を加水
分解しない処理剤を用いた積層セラミックコンデンサ、
および外部電極に樹脂を含浸させた後にめっき皮膜を形
成した積層セラミックコンデンサについて、同様の評価
を行なった。そして、その結果を表１に示した。表１の
中の分数について、分母は評価したサンプル数を示し、
分子は各項目に該当する積層セラミックコンデンサの不
良個数を示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１からわかるように、この発明の電極形
成方法を採用したものでは、電極内へのめっきの侵入は
なく、Ｎｉめっき連続性および半田付き性も良好で、耐
湿負荷試験においても絶縁抵抗の劣化は見られなかっ
た。それに対して、撥水処理を行わなかったものや加水
分解していない処理剤を用いたものでは、電極内へのめ
っきの侵入のあるものが見られ、絶縁抵抗の劣化するも
のも発見された。また、樹脂を含浸させたものや、ＯＨ
基量を９０％とした撥水処理剤を用いたものでは、Ｎｉ
めっき連続性および半田付き性が不良であるものが見ら
れた。これらは、外部電極表面の樹脂が十分に除去され
なかったり、撥水処理剤の付着量が多すぎたため、Ｎｉ
めっき皮膜の形成がよくなかったものであると考えられ
る。
成方法を採用したものでは、電極内へのめっきの侵入は
なく、Ｎｉめっき連続性および半田付き性も良好で、耐
湿負荷試験においても絶縁抵抗の劣化は見られなかっ
た。それに対して、撥水処理を行わなかったものや加水
分解していない処理剤を用いたものでは、電極内へのめ
っきの侵入のあるものが見られ、絶縁抵抗の劣化するも
のも発見された。また、樹脂を含浸させたものや、ＯＨ
基量を９０％とした撥水処理剤を用いたものでは、Ｎｉ
めっき連続性および半田付き性が不良であるものが見ら
れた。これらは、外部電極表面の樹脂が十分に除去され
なかったり、撥水処理剤の付着量が多すぎたため、Ｎｉ
めっき皮膜の形成がよくなかったものであると考えられ
る。
【００２５】このように、この発明の撥水処理を行うこ
とにより、吸着基として働く水酸基により撥水処理剤が
外部電極に吸着され、外部電極のシール効果を得ること
ができる。ただし、撥水処理剤の加水分解が進んで、Ｏ
Ｈ基の含有量が８０％を超えると、撥水処理剤の吸着量
が多くなり、撥水効果が高くなりすぎて、めっき付き性
が悪くなる。また、ＯＨ基の含有量が２％未満では、撥
水処理剤の吸着量が少なくなり、十分な撥水効果が得ら
れない。そのため、撥水処理剤におけるＯＨ基の含有量
は、２〜８０％の範囲にあることが好ましい。
とにより、吸着基として働く水酸基により撥水処理剤が
外部電極に吸着され、外部電極のシール効果を得ること
ができる。ただし、撥水処理剤の加水分解が進んで、Ｏ
Ｈ基の含有量が８０％を超えると、撥水処理剤の吸着量
が多くなり、撥水効果が高くなりすぎて、めっき付き性
が悪くなる。また、ＯＨ基の含有量が２％未満では、撥
水処理剤の吸着量が少なくなり、十分な撥水効果が得ら
れない。そのため、撥水処理剤におけるＯＨ基の含有量
は、２〜８０％の範囲にあることが好ましい。
【００２６】（実施例２）実施例１と同様に、加水分解
した撥水処理剤に下地電極を形成した積層セラミックコ
ンデンサ用のセラミック素体を２分間撥水処理剤に浸漬
処理し、液切り、風乾した。その後、セラミック素体を
オーブンに入れ、１００〜１２０℃で３０分間熱処理し
た。比較例として、実施例１と同様に、熱処理を行なわ
ないで加水分解した撥水処理剤を吸着させたセラミック
素体を準備した。そして、量産工程でのハンドリングに
よる撥水処理剤の剥落を想定して、これらのセラミック
素体について、２Ｌポリポットで６０ｒｐｍ、３０分間
のバレル処理を行った。さらに、下地電極上にＮｉめっ
き、Ｓｎめっきを順次行なって積層セラミックコンデン
サを作製した。これらの積層セラミックコンデンサにつ
いて、実施例１と同様にして、電極内へのめっきの侵
入、Ｎｉめっき連続性、半田付き性、耐湿負荷試験を行
ない、その結果を表２に示した。
した撥水処理剤に下地電極を形成した積層セラミックコ
ンデンサ用のセラミック素体を２分間撥水処理剤に浸漬
処理し、液切り、風乾した。その後、セラミック素体を
オーブンに入れ、１００〜１２０℃で３０分間熱処理し
た。比較例として、実施例１と同様に、熱処理を行なわ
ないで加水分解した撥水処理剤を吸着させたセラミック
素体を準備した。そして、量産工程でのハンドリングに
よる撥水処理剤の剥落を想定して、これらのセラミック
素体について、２Ｌポリポットで６０ｒｐｍ、３０分間
のバレル処理を行った。さらに、下地電極上にＮｉめっ
き、Ｓｎめっきを順次行なって積層セラミックコンデン
サを作製した。これらの積層セラミックコンデンサにつ
いて、実施例１と同様にして、電極内へのめっきの侵
入、Ｎｉめっき連続性、半田付き性、耐湿負荷試験を行
ない、その結果を表２に示した。
【００２７】
【表２】
【００２８】表２からわかるように、風乾のみの場合、
耐湿負荷試験において、絶縁抵抗が劣化したものが見ら
れた。これは、バレル処理によって、撥水処理剤皮膜が
剥離したためであると考えられる。それに対して、熱処
理を行った場合、撥水処理剤が縮重合して下地電極と共
有結合し、バレル処理によっても撥水処理剤が剥離せ
ず、耐湿負荷試験においても絶縁抵抗の劣化は見られな
かった。
耐湿負荷試験において、絶縁抵抗が劣化したものが見ら
れた。これは、バレル処理によって、撥水処理剤皮膜が
剥離したためであると考えられる。それに対して、熱処
理を行った場合、撥水処理剤が縮重合して下地電極と共
有結合し、バレル処理によっても撥水処理剤が剥離せ
ず、耐湿負荷試験においても絶縁抵抗の劣化は見られな
かった。
【００２９】
【発明の効果】この発明によれば、撥水処理剤が外部電
極に十分に吸着され、撥水効果が得られるため、めっき
液がセラミック素体に侵入することを防止することがで
きる。しかも、外部電極が形成されたセラミック素体を
撥水処理剤に浸漬して、乾燥するだけで、簡単にセラミ
ック電子部品を作製することができる。さらに、撥水処
理剤を乾燥した後、加熱して縮重合させれば、耐磨耗性
が大きく、製造工程において撥水処理剤皮膜を剥離しに
くくすることができる。したがって、セラミック電子部
品を量産する場合においても、めっき液の侵入による特
性劣化を防止することができる。
極に十分に吸着され、撥水効果が得られるため、めっき
液がセラミック素体に侵入することを防止することがで
きる。しかも、外部電極が形成されたセラミック素体を
撥水処理剤に浸漬して、乾燥するだけで、簡単にセラミ
ック電子部品を作製することができる。さらに、撥水処
理剤を乾燥した後、加熱して縮重合させれば、耐磨耗性
が大きく、製造工程において撥水処理剤皮膜を剥離しに
くくすることができる。したがって、セラミック電子部
品を量産する場合においても、めっき液の侵入による特
性劣化を防止することができる。
【図１】この発明の製造方法が適用されるセラミック電
子部品の一例を示す斜視図である。
子部品の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示すセラミック電子部品の断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １０ セラミック電子部品 １２ セラミック素体 １４ａ，１４ｂ 端子電極 １６ａ，１６ｂ 外部電極 １８ａ，１８ｂ めっき皮膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AF06 AH01 AH07 AJ03 5E082 AA01 AB03 BC19 FG26 GG10 GG26 GG28 JJ03 JJ15 JJ23 MM24
Claims (6)
- 【請求項１】 セラミック素体と、前記セラミック素体
の端面に形成される外部電極と、前記外部電極上に形成
されるめっき皮膜とを含むセラミック電子部品の製造方
法であって、 撥水処理剤によって前記セラミック素体に形成された前
記外部電極に撥水処理を施すことによりめっき液侵入防
止皮膜を形成する工程、および前記外部電極上にめっき
処理を施す工程を含み、 前記撥水処理剤は、Ｒａ−（ＣＨ2 ）−Ｓｉ−（Ｏ−Ｒ
ｂ）3 で表される式において、Ｒａが疎水性を有する官
能基であり、Ｒｂに相当する官能基の少なくとも１つを
加水分解することによって水酸基に置換したことを特徴
とする、セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 前記セラミック素体に撥水処理を行なう
際、前記水酸基に置換した基が、加水分解前の基に対し
て２〜８０％含有される前記撥水処理剤が用いられる、
請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記めっき液侵入防止皮膜を形成する工
程の後に、加熱による前記撥水処理剤の縮重合により前
記外部電極と前記撥水処理剤とを共有結合させる工程を
含む、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子
部品の製造方法。 - 【請求項４】 前記セラミック素体は、セラミックと内
部電極とからなる積層セラミック素体であることを特徴
とする、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のセ
ラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 前記外部電極は、電極ペーストを塗布
し、焼き付けたものであることを特徴とする、請求項１
ないし請求項４のいずれかに記載のセラミック電子部品
の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれかに記
載のセラミック電子部品の製造方法で製造された、セラ
ミック電子部品。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001086616A JP3444291B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| CNB021183112A CN1238873C (zh) | 2001-03-26 | 2002-03-25 | 陶瓷电子元件及其制造方法 |
| GB0207150A GB2375546B (en) | 2001-03-26 | 2002-03-26 | Ceramic electronic part and method of producing the same |
| KR10-2002-0016395A KR100432182B1 (ko) | 2001-03-26 | 2002-03-26 | 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| US10/107,099 US7005192B2 (en) | 2001-03-26 | 2002-03-26 | Ceramic electronic component and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001086616A JP3444291B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289465A true JP2002289465A (ja) | 2002-10-04 |
| JP3444291B2 JP3444291B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=18941967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001086616A Expired - Lifetime JP3444291B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281125A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| WO2007119281A1 (ja) * | 2006-03-15 | 2007-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP2010267901A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP2010278373A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP2011165725A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| US8288924B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
| KR101200686B1 (ko) * | 2010-05-19 | 2012-11-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 전자부품의 제조방법 |
| JP2014184631A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Seiko Epson Corp | 流路ユニット、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、流路ユニットの製造方法 |
| JP2021007124A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法および積層セラミックコンデンサ |
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|---|---|---|---|---|
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| KR20220096547A (ko) | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| KR20220096781A (ko) | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
-
2001
- 2001-03-26 JP JP2001086616A patent/JP3444291B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007119281A1 (ja) * | 2006-03-15 | 2007-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JPWO2007119281A1 (ja) * | 2006-03-15 | 2009-08-27 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP5188390B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2013-04-24 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP2007281125A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| US8288924B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
| US8475866B2 (en) | 2008-12-26 | 2013-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing ceramic electronic component |
| JP2010267901A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| US8149566B2 (en) | 2009-05-18 | 2012-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated electronic component and manufacturing method therefor |
| JP2010278373A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| US8587923B2 (en) | 2009-06-01 | 2013-11-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated electronic component including water repellant and manufacturing method therefor |
| US9013859B2 (en) | 2010-02-05 | 2015-04-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated electronic component and manufacturing method therefor |
| JP2011165725A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| KR101200686B1 (ko) * | 2010-05-19 | 2012-11-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 전자부품의 제조방법 |
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