JP2002287664A - 表示パネルとその駆動方法 - Google Patents
表示パネルとその駆動方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
リクス型の表示パネルにおいて、複雑な回路構成やトラ
ンジスタの特性のバラツキの影響を受けず、画素毎に所
望の輝度表示を可能にし、良好はホワイトバランスでカ
ラー表示が可能な構成を提供する。 【解決手段】 複数の単位画素で1表示画素とし、単位
画素毎に発光素子を配し、該発光素子をカレントミラー
回路で駆動する回路構成において、該回路を構成するト
ランジスタのミラー比を表示画素内において、各単位画
素の発光色の発光効率に応じて設定することにより、表
示画素として良好なホワイトバランスの表示を実現す
る。
Description
クトロルミネッセンス(以下、「EL」と記す)素子や
発光ダイオード(以下、「LED」と記す)素子といっ
た、自発光型発光素子を用いたアクティブマトリクス型
の表示パネルとその駆動方法に関する。
ED素子等のような自発光型の発光素子をアレイ状に組
み合わせ、ドットマトリクスにより表示を行うディスプ
レイは、テレビや携帯端末等に広く利用されている。こ
れら自発光型の発光素子を用いたディスプレイは、液晶
ディスプレイとは異なり、照明のためのバックライトを
必要とせず、視野角が広いといった特徴を有し、注目を
集めている。
とこれら発光素子とを組み合わせてスタティック駆動を
行うアクティブマトリクス型と呼ばれるディスプレイ
は、ダイナミック駆動を行う単純マトリクス型のディス
プレイと比較して、高輝度、高コントラスト、高精細等
の優位性を持っており、近年注目されている。
3に、Society for Informatio
n Display発行の、1990年秋季大会予稿集
「Eurodisplay’90」の第216〜219
頁の発表から引用した、EL素子を使用したアクティブ
マトリクス型ディスプレイの駆動回路の1画素構成を示
す。図中、101、107はトランジスタ、102は走
査線、103はデータ線、104はコンデンサ、105
は電源線、106はEL素子、108は共通電極、10
9は電流制御回路である。
されて選択信号が印加されると、トランジスタ101が
オンとなり、トランジスタ101を介してデータ線10
3からデータ信号がコンデンサ104に書き込まれる。
コンデンサ104に書き込まれたデータ信号は、トラン
ジスタ107のゲート・ソース電極間電圧を決定する。
り、トランジスタ101がオフすると、コンデンサ10
4の両端間の電圧は次の走査で当該走査線102が選択
されるまで保持される。そして、コンデンサ104の両
端間の電圧に応じて、電源線105→EL素子106→
トランジスタ107のドレイン→共通電極108という
経路に沿って電流が流れ、この電流によりEL素子10
6が発光する。
ルコンピュータのモニタ、テレビ等の動画表示を行うた
めには、各画素の輝度が変化する階調表示ができること
が望ましい。画像に階調性を出すためには、従来、アナ
ログ階調方式、面積階調方式、時間階調方式が用いられ
ていた。
供給するトランジスタのゲート電極電位を、ビデオ信号
に応じて制御する。即ち、トランジスタのコンダクタを
制御する必要がある。この場合、発光素子の輝度−電圧
特性に応じてビデオ信号を変化させる必要がある。一般
的にEL素子やLED素子の電圧−電流特性は非線形の
ダイオード特性を示すため、電圧−輝度特性もダイオー
ド特性を示す。従って、ビデオ信号電圧にガンマ補正を
施す必要があり、システムが複雑になる。また、トラン
ジスタ、特にディスプレイで広く用いられている薄膜ト
ランジスタ(以下、「TFT」と記す)は特性にバラツ
キがあるため、画素に入力されるビデオ信号電圧が均一
であっても、表示にムラを生じてしまう。
示を行うためには、トランジスタ107のゲート・ソー
ス電極間にしきい値電圧(Vth)付近の電圧を印加する
必要がある。しかしながら、トランジスタ107のゲー
ト電圧・ソース電流特性に、図4に示すようなバラツキ
があると、例えば図3のトランジスタ107のゲート電
極にゲート電圧VAを印加した場合、トランジスタ10
7に流れる電流はIA(実線で示す曲線とVAとの交点)
とIB(破線で示す曲線とVAとの交点)のように異なる
ため、EL素子106に流れる電流も変わり、本来なら
ば同じ輝度であるはずの領域の輝度が異なり、輝度ムラ
等の画質劣化が生じることになる。
−LCD2000、AM3−1」に提案されている方式
が挙げられる。この方式は、一つの画素を複数の副画素
に分割し、各副画素をオン・オフして、オンしている副
画素の総面積によって当該画素の階調を出すものであ
る。しかしながらこの方式では、開口率を上げるのが困
難なため、発光素子への駆動電流密度を上げざるを得
ず、駆動電圧の上昇、素子の寿命低下といった問題があ
る。
調方式や面積階調方式における問題点を解決するため
に、発光素子の発光時間を変調して階調を出す方式であ
り、例えば、SID2000 DIGEST 36.1
(p.912〜915)で報告されている。
構成に用いたトランジスタのバラツキの影響を小さくす
るため、発光素子の定電流駆動のためのトランジスタを
線形領域で動作させる必要があり、このため、電源電
圧、消費電力の上昇といった問題がある。
レームで1画面)を時間階調表示用に変換するために、
フレームメモリ及びメモリ入出力制御用MPUが必要に
なり、システムが複雑になり、コストもアップしてしま
う。
らつきそのものを補正する回路もいくつか提案されてい
る。
TFTと2つのキャパシタを用いてEL素子への電流を
制御するドライブTFTのしきい値電圧(Vth)を補正
する画素回路及びその駆動シーケンスが提案されてい
る。これは、アドレッシングTFTのドレイン電極とド
ライブTFTのゲート電極の間に電圧クランプ用のキャ
パシタを直列に接続し、所定のタイミングで駆動するこ
とにより、ドライブTFTのVthばらつきを補正するも
のである。この回路は、クランプキャパシタとドライブ
TFTのゲート容量比により補正された電圧レベルが決
定するため、大きなクランプ容量値が必要になり、画素
回路面積の増大を招く恐れがある。
tional Display Research C
onference)2000、Digest p.3
58〜361には、カレントミラー回路をEL素子を用
いたディスプレイの駆動回路に適用した形態が提案され
ている。図5は、当該駆動回路の1画素構成を示す図で
あり、図中、120はカレントミラー回路、121〜1
24はTFT、125は保持容量、126は有機EL素
子、127は走査線、128は信号線、129は電源
線、130は定電流回路である。
された選択信号によって、トランジスタ123と124
がオンすると、定電流回路130からの定電流がトラン
ジスタ124を介してトランジスタ121に供給され、
さらに、TFT123を介して保持容量125とTFT
122のゲート電極に供給される。TFT121とTF
T122はカレントミラーを構成しており、同一電流が
流れる。TFT123とTFT124がオフしても、保
持容量125によってTFT122のゲート電極電位は
固定されているため、TFT122はオン状態を保持し
て定電流を流し続ける。この状態で、定電流値を制御す
ることで、有機EL素子126が発光・非発光を行うこ
とになる。
電流を、TFTのしきい値電圧に関わらず負荷に供給す
ることが可能であるため、本質的にTFTのバラツキに
関係なく、負荷、即ち有機EL素子126に定電流を供
給することが可能となる。また、ここで使用される保持
容量125は、ドライブTFT122のゲート電圧を保
持するために必要最小限の大きさでよい。
た従来のカレントミラー回路では、以下のような問題点
があった。
用いて構成されたアクティブマトリクス型の表示パネル
の回路構成を示す。図中、1は発光素子、2は制御回路
であり、本図ではカレントミラー回路である。3は定電
流回路、4は走査回路、5は定電流回路3の出力レベル
・タイミングを制御するデータドライバ回路、6は走査
線、7は信号線、8は電源線である。
示す定電流回路3のようにマトリクスを構成する信号線
7毎に接続されていたか、或いは、図7に示すように、
1個の回路で全ての画素を駆動するように接続されてい
た。
を接続した場合、該回路の駆動能力としては基本的に1
画素を駆動できるだけの電流を供給できればよい。
数分だけの出力能力を有する定電流回路3が必要にな
り、例えばVGAカラーの場合、640×3=1920
個の回路が必要になる。単純に言えば、1920Pin
のIC実装を行わなければならない。近年、高性能TF
Tの基板として用いられている多結晶シリコンTFT基
板を用いて画素部と同じ基板上に作製することも可能で
あるが、多結晶シリコンTFTは、特性のバラツキが大
きく、定電流回路のようなアナログ的な回路を構成しよ
うとした場合、上記のような多数の定電流回路をばらつ
きなく作り込むことの困難さは容易に理解できる。
定電流回路で駆動する場合、1走査線に接続されている
全ての画素を駆動できるだけの電流駆動能力が必要にな
り、そのため、回路を構成するトランジスタなどの素子
サイズが増大する懸念がある。当該構成では、図6の場
合のような問題点は解決されるが、1画素毎に異なる輝
度レベルを実現するために、非常に高周波数(例えば、
VGA60フレーム表示の場合、55MHz)で電流値
の切換を行わなければならない。
装置では、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)色に
それぞれ発光する材料を単位画素毎に配置し、それぞれ
の画素毎に映像信号を転送して所望の輝度を得ることに
よりカラー表示を行っている。
の発光材料は、素子に流す電流密度に対する発光輝度特
性、即ち発光効率が材料毎に異なる。この特性を図8に
定性的に示す。図8に示されるように、一般的にG発光
材料の発光効率が高く(電流密度が同じならば、発光輝
度が高い。或いは、同じ発光輝度ならば、定電流密度で
よい。)、次にB発光材料であり、R発光材料は発光効
率が最も低い。
EL素子を発光させて白表示を行う場合、ホワイトバラ
ンスを考慮する必要があるが、例えば、各色の発光波長
をR(615nm)、G(545nm)、B(450n
m)とすると、それぞれの発光輝度比は、視感度特性か
ら、0.45:1:0.04に設定することが望まれ
る。しかしながら、現状の発光材料の発光効率はRが最
も低く、且つ、R、G、Bの比も視感度特性とは異なっ
ているため、良好なホワイトバランスを得るためには、
各発光色毎に素子に供給する電流レベルを変調しなけれ
ばならず、図6、図7に示した構成では実施が困難であ
った。
電流回路を用いた発光素子の駆動回路において、トラン
ジスタ等スイッチング素子の特性のバラツキの影響や素
子サイズの増大などの問題を解決し、画素毎に所望の輝
度表示が可能な表示パネルとその駆動方法を提供するこ
とにあり、さらには、良好なホワイトバランスでフルカ
ラー表示が可能な表示パネルとその駆動方法を提供する
ことにある。
の走査線と複数列の信号線を基板上にマトリクス配置
し、該走査線と信号線の交点を単位画素として隣接する
少なくとも2つ以上の単位画素により表示画素を形成
し、各単位画素毎に、素子に流れる電流に応じて輝度が
変化する電流制御型発光素子を備えたアクティブマトリ
クス型の表示パネルであって、各単位画素は、少なくと
も第1乃至第4トランジスタと保持容量と上記発光素子
を有し、第1トランジスタのゲート電極が単位画素行毎
に共通に走査線に接続され、第1主電極が単位画素列毎
に共通に信号線に接続され、第2主電極が第2トランジ
スタの第1主電極、ゲート電極、及び第3トランジスタ
の第1主電極に接続され、第2トランジスタの第2主電
極が第1の電源線に接続され、第3トランジスタのゲー
ト電極が単位画素行毎に共通に走査線に接続され、第2
主電極が保持容量の第1電極及び第4トランジスタのゲ
ート電極に接続され、保持容量の第2電極が第1の電源
線に接続され、第4トランジスタの第1主電極が第1の
電源線に接続され、第2主電極が発光素子の第1電極に
接続され、発光素子の第2電極が第2の電源線に接続さ
れ、表示画素列毎に信号線が共通に、該表示画素列毎に
設けられた定電流回路に接続され、第2トランジスタと
第4トランジスタにおけるトランジスタのゲート電極の
長さ(L)と幅(W)の比(W/L)の割合が、表示画
素内において単位画素毎に異なることを特徴とする。
の構成を好ましい態様として含むものである。
る。
ッチ手段を介して発光素子の第1電極に接続されてい
る。
サで構成されている。
6トランジスタを直列に接続してなり、第5トランジス
タの第1主電極が前記第4トランジスタの第2主電極
に、第6トランジスタの第2主電極が発光素子の第1電
極に接続され、両トランジスタのゲート電極を2入力と
するマルチプレクサを構成してなる。
成され、第1主電極が前記第4トランジスタの第2主電
極に、第2主電極が発光素子の第1電極に接続され、当
該トランジスタのゲート電極と発光素子の第2電極とを
2入力とするマルチプレクサが構成されている。
の駆動方法であって、表示画素行毎に順次走査線に選択
信号を印加して、選択した表示画素行内の単位画素の第
1乃至第3トランジスタをオンし、上記第1トランジス
タのオン期間に同期して、当該単位画素の発光素子の発
光・非発光情報を有する駆動信号を各信号線より第1及
び第3トランジスタを介して保持容量に印加し、該駆動
信号の情報に応じて第4トランジスタをオンして第1電
源線より該第4トランジスタを介して発光素子に電流を
供給することを特徴とする。
は、下記の構成を好ましい態様として含むものである。
ッチ手段を有し、第4トランジスタから発光素子への電
流の供給と、該スイッチ手段のオン・オフによって制御
する。
とによって、発光素子の発光時間を変調する。
サで構成され、該スイッチ手段のオン期間の変調を、上
記マルチプレクサの入力信号によって制御する。
列に接続してなり、両トランジスタのゲート電極を2入
力としてマルチプレクス駆動する。
構成され、該トランジスタのゲート電極と発光素子の該
トランジスタが接続されていない側の電極とを2入力と
してマルチプレクス駆動し、発光素子の発光時間を変調
する。
各色の発光輝度変化の傾きはほぼ等しい。このことは、
一定の電流から、R、G、Bの画素毎に所定の割合で電
流密度を変化させることによって、全ての輝度レベルを
表現できることを意味する。本発明は、この特性を利用
して達成されたものである。
数行の走査線と複数列の信号線とを基板上にマトリクス
状に配置し、その交点を単位画素として隣接する少なく
とも2つ以上の単位画素により表示画素を形成し、各単
位画素毎に発光素子を配置したアクティブマトリクス型
の表示パネルである。
示したカレントミラー回路を基本構成として有する。即
ち、少なくとも第1乃至第4トランジスタと保持容量と
上記発光素子を有し、第1トランジスタのゲート電極が
単位画素行毎に共通に走査線に接続され、第1主電極が
単位画素列毎に共通に信号線に接続され、第2主電極が
第2トランジスタの第1主電極、ゲート電極、及び第3
トランジスタの第1主電極に接続され、第2トランジス
タの第2主電極が第1の電源線に接続され、第3トラン
ジスタのゲート電極が画素行毎に共通に走査線に接続さ
れ、第2主電極が保持容量の第1電極及び第4トランジ
スタのゲート電極に接続され、保持容量の第2電極が第
1の電源線に接続され、第4トランジスタの第1主電極
が第1の電源線に接続され、第2主電極が発光素子の第
1電極に接続され、発光素子の第2電極が第2の電源線
に接続されている。さらに本発明の表示パネルにおいて
は、表示画素列毎に信号線が共通に、該表示画素列毎に
設けられた定電流回路に接続された構成を基本構成とし
て有している。
ンジスタと第4トランジスタにおけるトランジスタのゲ
ート電極の長さ(L)と幅(W)の比(W/L)の割合
が、表示画素内において単位画素毎に異なることを特徴
とする。本発明においては、この第2トランジスタと第
4トランジスタの(W/L)の割合を、単位画素毎に異
なるように設定することにより、上記したように、各単
位画素に供給された定電流は、上記、各単位画素で異な
る電流密度で発光素子に流れるため、単位画素毎に異な
る発光輝度が得られる。即ち、R、G、Bの各発光色に
対応する3単位画素を一組で表示画素とし、フルカラー
表示する際に、各発光色の発光輝度に応じて各単位画素
の上記第2トランジスタと第4トランジスタの(W/
L)の割合を設定することにより、当該表示画素におい
て良好なホワイトバランスが得られる。
トリクス回路を模式的に示す。図中、1R、1G、1B
はそれぞれR、G、Bを発光する発光素子、2R、2
G、2Bは各発光色の発光素子1R、1G、1Bに供給
する電流を制御する制御回路である。3は定電流回路、
4は走査回路、5は定電流回路3の出力レベル・タイミ
ングを制御するデータドライバ回路、6は走査線、7は
信号線、8は電源線である。
た方向)に1表示画素を構成するR、G、Bの単位画素
を配列し、信号線7により同じ定電流回路3に接続され
ている。当該構成において、走査回路4により走査線6
が順次選択され、これと同期してデータドライバ回路5
より定電流回路3に、各表示画素の発光・非発光情報を
有する駆動信号が印加され、発光する表示画素に接続さ
れた定電流回路3からは定電流が信号線7に供給され
る。発光する単位画素の制御回路2R、2G、2Bには
信号線7より該定電流が供給され、これにより、制御回
路2R、2G、2Bにおいて発光素子1R、1G、1B
への電流供給が行われる。
単位画素の回路図を示す。本実施形態は、本発明の基本
構成である図5に示したカレントミラー回路にスイッチ
手段を付加したものであり、基本構成における発光素子
として有機EL素子を用い、上記スイッチ手段として第
5トランジスタを用い、さらに第1〜第5トランジスタ
としてTFTを用いた形態である。図中、2は図1の2
R、2G、2Bに相当する制御回路、21〜25はTF
T、26は保持容量、27は+電源線、28はパルス信
号線、29は有機EL素子、30は−電源線であり、図
1と同じ部材には同じ符号を付した。
てTFT21、23がオンすると、当該単位画素が発光
する場合には、定電流回路3より定電流が駆動信号とし
て信号線7よりTFT21を介してTFT22に供給さ
れ、さらにTFT23を介して保持容量26とTFT2
4のゲート電極に入力される。TFT22とTFT24
とはカレントミラーを構成しており、その(W/L)の
割合に応じた電流が流れる。TFT21とTFT23が
オフしても、TFT24のゲート電極電位は保持容量2
6にメモリされた信号によって固定されている(メモリ
されている)ため、該駆動信号によるTFT24のオン
状態はメモリされ、+電源線27より有機EL素子29
に定電流が供給される。本実施形態においては、TFT
24を介して供給された定電流は、最終的にパルス信号
線28より入力されるオン信号によってTFT25がオ
ンした期間のみ該TFT25を介して有機EL素子29
に供給される。即ち、TFT25を設けたことにより、
TFT25のオン期間の制御によって時間階調を得るこ
とができる。
素毎に、TFT22とTFT24の(W/L)の割合、
即ちカレントミラー回路におけるミラー比がR、G、B
で最適なホワイトバランスが保たれるように設定されて
いるため、共通の+電源線27からの電流値を単位画素
毎に制御して、良好なグレイ(階調)が表示できる。従
って、白黒の階調表示を行う場合には、表示画素内で各
単位画素のTFT25を同時にオンした上で該オン期間
を変調し、有機EL素子29の発光時間を制御する。ま
た、カラー階調表示を行う場合には、単位画素毎にTF
T25のオン期間を変調し、有機EL素子29の発光時
間を単位画素毎に制御すればよい。
線28を単位画素行毎に共通に接続し、有機EL素子2
9のカソード電極を単位画素列毎に共通に接続してマト
リクス配線し、パルス信号線28、カソード電極を2入
力としてマルチプレクス駆動することにより、有機EL
素子29の発光時間を単位画素毎に制御(TFT25が
オン、有機EL素子29のカソード電極電位がlowレ
ベルになる時間の制御)することができる。
態の1画素の回路図を示す。図中、91、92はTF
T、93、94はパルス信号線である。本実施形態は、
先の実施形態におけるスイッチ手段としてのTFT25
に代えて、スイッチ手段を2入力のマルチプレクサで構
成した形態であり、具体的には第5トランジスタと第6
トランジスタを直列に接続し、それぞれのゲート電極を
2入力としてマルチプレクス駆動するものである。即
ち、従来の液晶表示パネルなどでマルチプレクス駆動に
用いられていた制御ドライバを利用し、制御信号をパル
ス信号線93、94に入力し、その組み合わせによって
TFT91、92のオン・オフを制御し、単位画素毎に
有機EL素子29に電流を供給する期間(TFT91、
92が同時にオンする期間)を制御することができる。
いわゆるカレントミラー回路が用いられているため、回
路を構成するTFT特性のバラツキに左右されないアナ
ログ階調制御が可能である。
電流を供給するため、該定電流回路3は基本的に表示画
素を構成する単位画素、例えば図1の構成では3個の単
位画素を駆動できるだけの電流駆動能力が有れば良く、
回路的負荷は1個の定電流回路3で全ての単位画素を駆
動する場合に比べて格段に小さくできる。
示画素として共通の定電流回路3からの電流で駆動する
ため、図1の構成の如く、表示画素を構成する単位画素
が行方向に配列している場合には、仮に外部定電流源I
Cを実装する場合でも、接続Pin数は従来の1/単位
画素数、例えば図1の場合には1/3で済み、高歩留ま
り化、低コスト化を図ることができる。よって、本発明
では、表示画素を構成する単位画素の配列方向としては
行方向が望ましい。
G、Bの単位画素毎の電流値は、カレントミラー回路の
ミラー比で制御することで、定電流回路3と制御回路2
との接続は、従来の図6の構成と同様に考えることがで
き、従来のような1個の定電流回路3で全ての画素を駆
動する時のように、非常に高周波数で定電流回路3の出
力を切り換える必要が無く(1走査線の選択周期で切り
替わればよい)、結果として低消費電力が図られる。
Bの3色の単位画素で表示画素を構成するものとした
が、本発明は特にこれに限定されるものではなく、R、
G、B、W(白)の4単位画素で表示画素を構成するも
のであってもよく、また、その配列方法としては、4単
位画素で表示画素を構成する場合には、正方配列として
も良い。さらに、同一色でミラー比を変えた単位画素を
組み合わせて表示画素を構成することにより、さらに広
い階調範囲を表示することもできる。尚、表示画素を構
成する単位画素が複数の行にまたがる場合には、該当す
る走査線を同時に選択する必要がある。
タとしてTFTを、発光素子として有機EL素子を用い
た場合を例に説明したが、TFT以外のトランジスタを
用いることもできる。また、スイッチ手段としてはTF
T以外のトランジスタやアクティブ素子を用いても良
く、発光素子としては無機EL素子やLED素子を好ま
しく用いることができる。
電流制御型の発光素子を用いたアクティブマトリクス型
の表示パネルにおいて、より良好な階調表示、カラー表
示がより低消費電力で実現し、さらに、回路構成が簡略
化されることで製造歩留まりが向上し、より安価に提供
することが可能となる。
路を模式的に示す図である。
単位画素の回路図である。
マトリクス型表示パネルの1画素の回路構成を示す図で
ある。
示す図である。
プレイの駆動回路の1画素構成を示す図である。
たアクティブマトリクス型表示パネルの回路構成の一例
を示す図である。
たアクティブマトリクス型表示パネルの回路構成の他の
例を示す図である。
輝度特性を示す図である。
素の回路図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 複数行の走査線と複数列の信号線を基板
上にマトリクス配置し、該走査線と信号線の交点を単位
画素として隣接する少なくとも2つ以上の単位画素によ
り表示画素を形成し、各単位画素毎に、素子に流れる電
流に応じて輝度が変化する電流制御型発光素子を備えた
アクティブマトリクス型の表示パネルであって、各単位
画素は、少なくとも第1乃至第4トランジスタと保持容
量と上記発光素子を有し、第1トランジスタのゲート電
極が単位画素行毎に共通に走査線に接続され、第1主電
極が単位画素列毎に共通に信号線に接続され、第2主電
極が第2トランジスタの第1主電極、ゲート電極、及び
第3トランジスタの第1主電極に接続され、第2トラン
ジスタの第2主電極が第1の電源線に接続され、第3ト
ランジスタのゲート電極が単位画素行毎に共通に走査線
に接続され、第2主電極が保持容量の第1電極及び第4
トランジスタのゲート電極に接続され、保持容量の第2
電極が第1の電源線に接続され、第4トランジスタの第
1主電極が第1の電源線に接続され、第2主電極が発光
素子の第1電極に接続され、発光素子の第2電極が第2
の電源線に接続され、表示画素列毎に信号線が共通に、
該表示画素列毎に設けられた定電流回路に接続され、第
2トランジスタと第4トランジスタにおけるトランジス
タのゲート電極の長さ(L)と幅(W)の比(W/L)
の割合が、表示画素内において単位画素毎に異なること
を特徴とする表示パネル。 - 【請求項2】 上記トランジスタが薄膜トランジスタで
ある請求項1に記載の表示パネル。 - 【請求項3】 上記第4トランジスタの第2主電極がス
イッチ手段を介して発光素子の第1電極に接続されてい
る請求項1または2に記載の表示パネル。 - 【請求項4】 上記スイッチ手段が2入力のマルチプレ
クサで構成されている請求項3に記載の表示パネル。 - 【請求項5】 上記スイッチ手段が第5トランジスタと
第6トランジスタを直列に接続してなり、第5トランジ
スタの第1主電極が前記第4トランジスタの第2主電極
に、第6トランジスタの第2主電極が発光素子の第1電
極に接続され、両トランジスタのゲート電極を2入力と
するマルチプレクサを構成してなる請求項4に記載の表
示パネル。 - 【請求項6】 上記スイッチ手段が第5トランジスタで
構成され、第1主電極が前記第4トランジスタの第2主
電極に、第2主電極が発光素子の第1電極に接続され、
当該トランジスタのゲート電極と発光素子の第2電極と
を2入力とするマルチプレクサが構成されている請求項
3に記載の表示パネル。 - 【請求項7】 請求項1〜6のいずれかに記載の表示パ
ネルの駆動方法であって、表示画素行毎に順次走査線に
選択信号を印加して、選択した表示画素行内の単位画素
の第1乃至第3トランジスタをオンし、上記第1トラン
ジスタのオン期間に同期して、当該単位画素の発光素子
の発光・非発光情報を有する駆動信号を各信号線より第
1及び第3トランジスタを介して保持容量に印加し、該
駆動信号の情報に応じて第4トランジスタをオンして第
1電源線より該第4トランジスタを介して発光素子に電
流を供給することを特徴とする表示パネルの駆動方法。 - 【請求項8】 第4トランジスタと発光素子との間にス
イッチ手段を有し、第4トランジスタから発光素子への
電流の供給を、該スイッチ手段のオン・オフによって制
御する請求項7に記載の表示パネルの駆動方法。 - 【請求項9】 上記スイッチ手段のオン期間を変調する
ことによって、発光素子の発光時間を変調する請求項8
に記載の表示パネルの駆動方法。 - 【請求項10】 上記スイッチ手段が2入力のマルチプ
レクサで構成され、該スイッチ手段のオン期間の変調
を、上記マルチプレクサの入力信号によって制御する請
求項9に記載の表示パネルの駆動方法。 - 【請求項11】 上記スイッチ手段がトランジスタを2
個直列に接続してなり、両トランジスタのゲート電極を
2入力としてマルチプレクス駆動する請求項10に記載
の表示パネルの駆動方法。 - 【請求項12】 上記スイッチ手段が1個のトランジス
タで構成され、該トランジスタのゲート電極と発光素子
の該トランジスタが接続されていない側の電極とを2入
力としてマルチプレクス駆動し、発光素子の発光時間を
変調する請求項8に記載の表示パネルの駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001084717A JP2002287664A (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 表示パネルとその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001084717A JP2002287664A (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 表示パネルとその駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002287664A true JP2002287664A (ja) | 2002-10-04 |
JP2002287664A5 JP2002287664A5 (ja) | 2008-02-14 |
Family
ID=18940346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2001084717A Pending JP2002287664A (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 表示パネルとその駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2002287664A (ja) |
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