JP2002111066A - Optical semiconductor device and mounting substrate thereof - Google Patents
Optical semiconductor device and mounting substrate thereofInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ、発
光ダイオード、受光ダイオード等の光半導体素子を支持
部材にマウントした状態で透光性樹脂により封止した光
半導体装置に係り、特に支持部材の光半導体素子マウン
ト面に平行な方向の光出力あるいは光入力を可能とする
光半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor device in which optical semiconductor elements such as a semiconductor laser, a light emitting diode, and a light receiving diode are mounted on a support member and sealed with a translucent resin. The present invention relates to an optical semiconductor device that enables optical output or optical input in a direction parallel to an optical semiconductor element mounting surface.
【0002】[0002]
【従来の技術】図9(a)は、従来の発光半導体装置の
一例として、発光ダイオード装置(LED装置)を正面
から見て一部透視して示す平面図である。図9(b)
は、同図(a)中のC−C´線に沿って概略的に示す断
面図である。2. Description of the Related Art FIG. 9A is a plan view showing, as an example of a conventional light emitting semiconductor device, a light emitting diode device (LED device) partially viewed through from the front. FIG. 9B
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically shown along the line CC ′ in FIG.
【0003】図9(a)および(b)に示すLED装置
90において、LED素子(ペレット)91は金属製のリー
ドフレームのベッド部92にマウントされ、LED素子91
の電極とリードフレームのインナーリード部93とはボン
ディングワイヤー94により接続されている。そして、前
記LED素子91、ボンディングワイヤー94およびインナ
ーリード部93が透光性樹脂95により封止され、リードフ
レームのアウターリード部96が外部に露出している。An LED device shown in FIGS. 9A and 9B
In 90, the LED element (pellet) 91 is mounted on a bed 92 of a metal lead frame,
And the inner lead portion 93 of the lead frame are connected by a bonding wire 94. Then, the LED element 91, the bonding wires 94 and the inner lead portions 93 are sealed with a light transmitting resin 95, and the outer lead portions 96 of the lead frame are exposed to the outside.
【0004】上記LED装置90は、LED素子91から全
方向に出射する光出力のうち、リードフレームの素子マ
ウント面に垂直な正面方向に出射する成分を利用してい
る。The above-mentioned LED device 90 utilizes, of the light output emitted in all directions from the LED element 91, the component emitted in the front direction perpendicular to the element mounting surface of the lead frame.
【0005】図10(a)、(b)は、図9(a)およ
び(b)に示したLED装置90を実装基板に実装し、光
ファイバを対向させたLED装置実装基板の一例を側
方、上方から見て一部透視して示す平面図である。FIGS. 10 (a) and 10 (b) show an example of an LED device mounting substrate in which the LED device 90 shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b) is mounted on a mounting substrate and optical fibers are opposed to each other. FIG. 3 is a plan view partially seen through when viewed from above.
【0006】このLED装置実装基板において、LED
装置90は実装基板面100 に垂直状態に、かつ、光出射方
向が実装基板100 の長さ方向に向くように実装されてお
り、光ファイバ101 は、その一端がLED装置90の光出
射面に対向する状態で実装基板面に平行に配設されてい
る。なお、光ファイバ101 の一端部とLED装置90の発
光部とは光結合用のコネクタ(図示せず)の内部に挿入
されて相対位置が固定される場合が多い。In this LED device mounting board, an LED
The device 90 is mounted so as to be perpendicular to the mounting substrate surface 100 and the light emitting direction is directed to the length direction of the mounting substrate 100. One end of the optical fiber 101 is connected to the light emitting surface of the LED device 90. They are arranged in parallel to the surface of the mounting board so as to face each other. In many cases, the one end of the optical fiber 101 and the light emitting portion of the LED device 90 are inserted into an optical coupling connector (not shown) to fix the relative position.
【0007】しかし、このような実装構造では、実装基
板100 は、少なくともLED装置90の幅と同じ幅が必要
となり、光結合用のコネクタも、少なくともLED装置
90の幅と同じ幅が必要となるので、実装基板100 上の部
品の高密度化(高密度実装)が困難である。However, in such a mounting structure, the mounting substrate 100 needs to have at least the same width as the width of the LED device 90, and the connector for optical coupling needs to have at least the LED device 90.
Since the same width as 90 is required, it is difficult to increase the density of components on the mounting board 100 (high-density mounting).
【0008】なお、前記LED素子91に代えて半導体レ
ーザ(LD)素子をマウントしたLD装置として、面発
光出力を正面方向に出射させる構造のものがあるが、前
記LED装置90と同様の問題がある。As an LD device having a semiconductor laser (LD) device mounted thereon in place of the LED device 91, there is an LD device having a structure for emitting a surface light emission output in the front direction. is there.
【0009】また、図11(a)および(b)に示すよ
うに、LD素子111 の面発光出力をリードフレーム112
の素子マウント面に平行な上方に出射させる構造のもの
も提案されている。Further, as shown in FIGS. 11A and 11B, the surface emission output of the LD element 111 is
A structure in which light is emitted upward parallel to the element mounting surface has been proposed.
【0010】図11(a)、(b)は、LD装置110 の
一例を正面、側方から見て一部透視して示す平面図であ
る。このLD装置110 において、LD素子(ペレット)
111は支持部材である金属製のリードフレーム112 のベ
ッド部にマウントされ、PD素子111 の電極とリードフ
レームのインナーリード部とがボンディングワイヤー
(図示せず)により接続されている。そして、前記LD
素子111 、ボンディングワイヤーおよびインナーリード
部は透光性樹脂113 により封止され、リードフレーム11
2 のアウターリード部が外部に露出している。FIGS. 11 (a) and 11 (b) are plan views showing an example of the LD device 110 in a partially transparent manner as viewed from the front and side. In this LD device 110, an LD element (pellet)
111 is mounted on the bed of a metal lead frame 112 as a support member, and the electrodes of the PD element 111 and the inner leads of the lead frame are connected by bonding wires (not shown). And the LD
The element 111, the bonding wire and the inner lead portion are sealed with a light-transmitting resin 113, and the lead frame 11 is sealed.
The outer lead part 2 is exposed to the outside.
【0011】図12(a)および(b)は、従来の受光
半導体装置(例えばフォトダイオード;PD装置)120
の一例を正面および側方から見て一部透視して示す平面
図である。FIGS. 12A and 12B show a conventional light receiving semiconductor device (eg, photodiode; PD device) 120.
FIG. 2 is a plan view showing an example of the first embodiment in a partially transparent manner as viewed from the front and side.
【0012】このPD装置120 において、PD素子(ペ
レット)121 は支持部材である金属製のリードフレーム
122 のベッド部にマウントされ、PD素子121 の電極と
リードフレームのインナーリード部とがボンディングワ
イヤー(図示せず)により接続されている。そして、前
記PD素子121 、ボンディングワイヤーおよびインナー
リード部は透光性樹脂123 により封止され、リードフレ
ーム122 のアウターリード部が外部に露出している。In this PD device 120, a PD element (pellet) 121 is a metal lead frame serving as a support member.
The electrodes of the PD element 121 and the inner leads of the lead frame are connected by bonding wires (not shown). The PD element 121, the bonding wire and the inner lead are sealed with a light-transmitting resin 123, and the outer lead of the lead frame 122 is exposed to the outside.
【0013】上記PD装置120 は、リードフレーム122
のPD素子マウント面に垂直な正面方向からの入射光を
受光する。The PD device 120 includes a lead frame 122
Incident light from the front direction perpendicular to the PD element mounting surface.
【0014】しかし、このような構造の受光半導体装置
も、図10(a)および(b)に示したように実装基板
に実装した場合、実装基板は受光半導体装置と同じ幅が
必要となり、光結合用のコネクタも受光半導体装置と同
じ幅が必要となるので、実装基板上の部品の高密度化
(高密度実装)が困難である。However, when the light receiving semiconductor device having such a structure is mounted on a mounting substrate as shown in FIGS. 10A and 10B, the mounting substrate needs to have the same width as the light receiving semiconductor device. Since the coupling connector also needs to have the same width as the light receiving semiconductor device, it is difficult to increase the density of components on the mounting board (high density mounting).
【0015】また、前述したような図9(a)、(b)
に示した構造のLED装置90、図10(a)、(b)に
示した構造のLD装置110 および図12(a)、(b)
に示した構造のPD装置120 は、それぞれ素子の発熱を
封止樹脂(パッケージ)の外部に突出しているアウター
リードにより放熱しているが、放熱効果は必ずしも高く
はない。FIGS. 9A and 9B described above.
LED device 90 having the structure shown in FIG. 10A, LD device 110 having the structure shown in FIGS. 10A and 10B, and FIGS. 12A and 12B.
In the PD device 120 having the structure shown in FIG. 1, the heat generated by the elements is radiated by the outer leads projecting outside the sealing resin (package), but the radiation effect is not necessarily high.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
光半導体装置は、リードフレームの素子マウント面に垂
直な正面方向に対して光出力あるい光入力が可能な樹脂
封止構造であり、実装基板に実装した場合に高密度実装
が困難であるという問題があった。As described above, the conventional optical semiconductor device has a resin-sealed structure capable of outputting or inputting light in a front direction perpendicular to the element mounting surface of the lead frame. When mounted on a mounting board, there is a problem that high-density mounting is difficult.
【0017】また、従来の光半導体装置は、ベッド部に
素子がマウントされたリードフレームのアウターリード
により放熱する樹脂封止構造であり、放熱効果は必ずし
も高くはない。Further, the conventional optical semiconductor device has a resin sealing structure in which heat is radiated by outer leads of a lead frame in which elements are mounted on a bed portion, and the heat radiation effect is not necessarily high.
【0018】本発明は上記の問題点を解決するためにさ
れたもので、発光素子あるいは受光素子がマウントされ
た板状の支持部材の素子マウント面に平行な側方あるい
は上方の方向に対して光出力あるいは光入力が可能な構
造を有し、実装基板に実装した場合に高密度実装が可能
になる光半導体装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and is directed to a lateral or upward direction parallel to an element mounting surface of a plate-like support member on which a light emitting element or a light receiving element is mounted. It is an object of the present invention to provide an optical semiconductor device having a structure capable of optical output or optical input and capable of high-density mounting when mounted on a mounting substrate.
【0019】また、本発明は、発光素子あるいは受光素
子がマウントされた支持部材の放熱効果が従来のリード
フレームのアウターリードの放熱効果よりも高い樹脂封
止構造を有する光半導体装置を提供することを目的とす
る。Further, the present invention provides an optical semiconductor device having a resin sealing structure in which the heat radiation effect of the support member on which the light emitting element or the light receiving element is mounted is higher than the heat radiation effect of the outer lead of the conventional lead frame. With the goal.
【0020】また、本発明は、発光半導体装置あるいは
受光半導体装置がマウントされた実装基板上の部品の高
密度化(高密度実装)が可能になり、実装基板を内蔵す
る装置の小型化に有利になる光半導体装置実装基板を提
供することを目的とする。Further, the present invention enables high-density (high-density mounting) of components on a mounting substrate on which a light-emitting semiconductor device or a light-receiving semiconductor device is mounted, which is advantageous for miniaturization of a device incorporating a mounting substrate. It is an object of the present invention to provide an optical semiconductor device mounting substrate that becomes:
【0021】[0021]
【課題を解決するための手段】本発明の第1の光半導体
装置は、半導体ペレットに形成された発光素子と、前記
発光素子がベッド部にマウントされたリードフレーム
と、前記発光素子の電極と前記リードフレームのインナ
ーリード部とを接続するボンディングワイヤーと、前記
発光素子、ボンディングワイヤーおよびインナーリード
部を封止する透光性樹脂と、前記透光性樹脂の外部に露
出した前記リードフレームのアウターリード部とを具備
し、前記発光素子は、前記リードフレームの素子マウン
ト面に平行な方向、かつ、前記アウターリード部の長さ
方向に直角な方向に光出力を出射する向きにマウントさ
れていることを特徴とする。According to a first optical semiconductor device of the present invention, there is provided a light emitting element formed on a semiconductor pellet, a lead frame having the light emitting element mounted on a bed, and an electrode of the light emitting element. A bonding wire for connecting the inner lead portion of the lead frame, a light-transmitting resin for sealing the light emitting element, the bonding wire and the inner lead portion, and an outer part of the lead frame exposed outside the light-transmitting resin. A light-emitting element is mounted in a direction parallel to an element mounting surface of the lead frame, and in a direction to emit light output in a direction perpendicular to a length direction of the outer lead part. It is characterized by the following.
【0022】また、本発明の第2の光半導体装置は、半
導体ペレットに形成された発光素子と、絶縁基板上に配
線パターンが形成され、前記発光素子がマウントされて
その電極と所定の配線パターン部とが電気的に接続され
た印刷配線基板と、前記印刷配線基板上で前記発光素子
およびその周辺部を封止した透光性樹脂と、前記印刷配
線基板上で前記透光性樹脂外部に露出した外部接続リー
ド用の配線パターン部とを具備し、前記発光素子は、前
記印刷配線基板の素子マウント面に平行な方向、かつ、
前記外部接続リード用の配線パターン部の長さ方向に直
角な方向に光出力を出射する向きにマウントされている
ことを特徴とする。According to a second optical semiconductor device of the present invention, a light emitting element formed on a semiconductor pellet and a wiring pattern are formed on an insulating substrate, and the light emitting element is mounted and its electrodes are connected to a predetermined wiring pattern. And a light-transmitting resin that seals the light emitting element and its peripheral portion on the printed wiring board, and a light-transmitting resin outside the light-transmitting resin on the printed wiring board. An exposed wiring pattern portion for external connection leads, wherein the light emitting element is in a direction parallel to an element mounting surface of the printed wiring board, and
It is characterized by being mounted so as to emit light output in a direction perpendicular to the length direction of the wiring pattern portion for the external connection lead.
【0023】また、本発明の第1の光半導体装置実装基
板は、本発明の第1あるいは第2の光半導体装置と、前
記光半導体装置が実装基板面に垂直状態に、かつ、その
光出射方向が前記実装基板面に平行で実装基板長さ方向
に向くように実装された実装基板と、前記発光半導体装
置の光出射面に一端が対向する状態に、かつ、前記実装
基板上で前記実装基板面に平行に配設された光ファイバ
とを具備することを特徴とする。Further, the first optical semiconductor device mounting substrate of the present invention comprises the first or second optical semiconductor device of the present invention, wherein the optical semiconductor device is in a state perpendicular to the mounting substrate surface and the light emission thereof. A mounting substrate mounted in such a manner that the direction is parallel to the mounting substrate surface and oriented in the mounting substrate length direction, and one end faces a light emitting surface of the light emitting semiconductor device, and the mounting substrate is mounted on the mounting substrate. And an optical fiber disposed parallel to the substrate surface.
【0024】また、本発明の第2の光半導体装置実装基
板は、複数個の本発明の第1あるいは第2の光半導体装
置と、前記複数個の光半導体装置が実装基板面にそれぞ
れ垂直状態に、かつ、それぞれの光出射方向が前記実装
基板面に平行で実装基板長さ方向に向くように実装基板
幅方向に並べられて実装された実装基板と、前記複数個
の発光半導体装置のそれぞれの光出射面にそれぞれ一端
が対向する状態に、かつ、前記実装基板上で前記実装基
板面に平行に配設された複数本の光ファイバとを具備す
ることを特徴とする。Further, a second optical semiconductor device mounting substrate of the present invention comprises a plurality of the first or second optical semiconductor devices of the present invention, and the plurality of optical semiconductor devices are respectively in a state perpendicular to the mounting substrate surface. And a mounting board mounted in a mounting board width direction such that each light emitting direction is parallel to the mounting board surface and faces the mounting board length direction, and each of the plurality of light emitting semiconductor devices. And a plurality of optical fibers disposed on the mounting board in parallel with the mounting board surface, with one end facing each of the light emitting surfaces.
【0025】また、本発明の第3の光半導体装置は、半
導体ペレットに形成された発光素子と、絶縁基板上に配
線パターンが形成され、前記発光素子がマウントされて
その電極と所定の配線パターン部とが電気的に接続され
た印刷配線基板と、前記印刷配線基板上で前記発光素子
およびその周辺部を封止した透光性樹脂と、前記印刷配
線基板上で前記透光性樹脂外部に露出した外部接続リー
ド用の配線パターン部とを具備し、前記発光素子は、前
記印刷配線基板の素子マウント面に平行な方向、かつ、
前記外部接続リード用の配線パターン部の方向とは反対
側の上方に光出力を出射する向きにマウントされている
ことを特徴とする。In a third optical semiconductor device according to the present invention, a light emitting element formed on a semiconductor pellet and a wiring pattern are formed on an insulating substrate, and the light emitting element is mounted and its electrode is connected to a predetermined wiring pattern. And a light-transmitting resin that seals the light emitting element and its peripheral portion on the printed wiring board, and a light-transmitting resin outside the light-transmitting resin on the printed wiring board. An exposed wiring pattern portion for external connection leads, wherein the light emitting element is in a direction parallel to an element mounting surface of the printed wiring board, and
It is characterized in that it is mounted above the opposite side to the direction of the wiring pattern portion for the external connection lead so as to emit light output.
【0026】また、本発明の第4の光半導体装置は、半
導体ペレットに形成された受光素子と、絶縁基板上に配
線パターンが形成され、前記受光素子がマウントされて
その電極と所定の配線パターン部とが電気的に接続され
た印刷配線基板と、前記印刷配線基板上で前記発光素子
およびその周辺部を封止した透光性樹脂と、前記印刷配
線基板上で前記透光性樹脂外部に露出した外部接続リー
ド用の配線パターン部とを具備し、前記透光性樹脂の正
面には、内部の下方にテーパ状に向かう切り込みが形成
されており、この切り込みのテーパ面は前記受光素子の
正面に対向していることを特徴とする。In a fourth optical semiconductor device according to the present invention, a light receiving element formed on a semiconductor pellet and a wiring pattern are formed on an insulating substrate, and the light receiving element is mounted and its electrode is connected to a predetermined wiring pattern. And a light-transmitting resin that seals the light emitting element and its peripheral portion on the printed wiring board, and a light-transmitting resin outside the light-transmitting resin on the printed wiring board. An exposed wiring pattern portion for an external connection lead, wherein a cut is formed in the front of the translucent resin in a downward tapered shape inside, and a tapered surface of the cut is formed of the light-receiving element. It is characterized by being opposed to the front.
【0027】また、本発明の第5の光半導体装置は、半
導体ペレットに形成された受光素子と、前記受光素子が
ベッド部にマウントされたリードフレームと、前記受光
素子の電極と前記リードフレームのインナーリード部と
を接続するボンディングワイヤーと、前記発光素子、ボ
ンディングワイヤーおよびインナーリード部を封止する
透光性樹脂と、前記透光性樹脂の外部に露出した前記リ
ードフレームのアウターリード部とを具備し、前記透光
性樹脂の正面には、内部の下方にテーパ状に向かう切り
込みが形成されており、この切り込みのテーパ面は前記
受光素子の正面に対向していることを特徴とする。According to a fifth optical semiconductor device of the present invention, there is provided a light receiving element formed on a semiconductor pellet, a lead frame having the light receiving element mounted on a bed, an electrode of the light receiving element and a lead frame. A bonding wire connecting the inner lead portion, a light-transmitting resin for sealing the light emitting element, the bonding wire and the inner lead portion, and an outer lead portion of the lead frame exposed to the outside of the light-transmitting resin. A cut is formed in the front of the translucent resin in a downward tapered shape inside, and the tapered surface of the cut is opposed to the front of the light receiving element.
【0028】[0028]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0029】<第1の実施の形態>図1(a)は、本発
明の第1の実施の形態に係る発光半導体装置の一例を正
面から見て一部透視して示す平面図である。図1(b)
は、同図(a)中のA−A´線に沿って概略的に示す断
面図である。<First Embodiment> FIG. 1A is a plan view showing an example of a light-emitting semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, partially seen through from the front. FIG. 1 (b)
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically shown along line AA ′ in FIG.
【0030】図1(a)および(b)に示す発光半導体
装置10において、発光素子(ペレット)11は金属製のリ
ードフレームのベッド部12にマウントされ、発光素子11
の電極とリードフレームのインナーリード部13とがボン
ディングワイヤー14により接続されている。そして、前
記発光素子11、ボンディングワイヤー14およびインナー
リード部13が透光性樹脂(透明樹脂)15により封止さ
れ、リードフレームのアウターリード部16が外部に露出
している。In the light emitting semiconductor device 10 shown in FIGS. 1A and 1B, a light emitting element (pellet) 11 is mounted on a bed portion 12 of a metal lead frame.
And the inner lead portion 13 of the lead frame are connected by a bonding wire 14. Then, the light emitting element 11, the bonding wire 14, and the inner lead portion 13 are sealed with a translucent resin (transparent resin) 15, and the outer lead portion 16 of the lead frame is exposed to the outside.
【0031】上記発光素子11がLD素子の場合には、光
出力を素子の側面方向に出射するものが使用され、リー
ドフレームの素子マウント面に平行な方向、かつ、アウ
ターリード部16に直角な方向に光出力を出射する向きに
マウントされている。When the light emitting element 11 is an LD element, an element that emits light output in the side direction of the element is used. The light output element 11 is parallel to the element mounting surface of the lead frame and perpendicular to the outer lead portion 16. It is mounted so as to emit light output in the direction.
【0032】また、上記発光素子11がLED素子の場合
には、素子から全方向に出射する光出力のうち、リード
フレームの素子マウント面に平行な方向、かつ、アウタ
ーリード部16に直角な方向に出射する成分を利用してい
る。When the light emitting element 11 is an LED element, the light output emitted from the element in all directions includes a direction parallel to the element mounting surface of the lead frame and a direction perpendicular to the outer lead portion 16. The component that emits light is used.
【0033】このような構造によれば、発光半導体装置
10の光出射方向が、リードフレームに平行な側方、か
つ、アウターリード部16に直角な方向であるので、発光
半導体装置10を光ファイバと光結合させる場合に光結合
部の面積を小さくできる。According to such a structure, the light emitting semiconductor device
Since the light emission direction of 10 is a side parallel to the lead frame and a direction perpendicular to the outer lead portion 16, the area of the optical coupling portion can be reduced when the light emitting semiconductor device 10 is optically coupled to an optical fiber. .
【0034】なお、光ファイバの一端部と発光半導体装
置10の発光部とを光結合用のコネクタ(図示せず)の内
部に挿入して相対位置を固定するようにしてもよく、そ
の場合には、光結合用のコネクタの幅も狭くすることが
できる。Incidentally, one end of the optical fiber and the light emitting portion of the light emitting semiconductor device 10 may be inserted into an optical coupling connector (not shown) to fix the relative position. The width of the optical coupling connector can be reduced.
【0035】図2は、図1(a)および(b)に示した
発光半導体装置を実装基板に実装し、光ファイバを対向
させた発光半導体装置実装基板の一例を側方から見て一
部透視して示す平面図である。FIG. 2 shows an example of a light emitting semiconductor device mounting substrate in which the light emitting semiconductor device shown in FIGS. 1A and 1B is mounted on a mounting substrate and optical fibers are opposed to each other when viewed from the side. It is a top view shown by seeing-through.
【0036】図2において、発光半導体装置10は実装基
板21の基板面に垂直状態に、かつ、光出射方向が実装基
板面に平行で実装基板21の長さ方向(図面の左右方向)
に向くように実装されており、光ファイバ22は、その一
端が発光半導体装置10の光出射面に対向する状態で実装
基板面に平行に配設されている。In FIG. 2, the light emitting semiconductor device 10 is in a state perpendicular to the substrate surface of the mounting substrate 21 and the light emitting direction is parallel to the mounting substrate surface and the length direction of the mounting substrate 21 (left and right direction in the drawing).
The optical fiber 22 is disposed parallel to the mounting substrate surface with one end thereof facing the light emitting surface of the light emitting semiconductor device 10.
【0037】このような実装構造によれば、実装基板21
の幅(図面の前後方向)は、少なくとも発光半導体装置
10の厚さ(幅よりは短い寸法)だけあればよいので、実
装基板上の部品の高密度化(高密度実装)が可能にな
り、実装基板21を内蔵する装置の小型化に有利になる。According to such a mounting structure, the mounting substrate 21
Width (in the front-back direction of the drawing) is at least the light-emitting semiconductor device.
Since only 10 thicknesses (dimensions shorter than the width) are required, it is possible to increase the density of components on the mounting board (high-density mounting), which is advantageous for miniaturization of a device incorporating the mounting board 21. .
【0038】図3は、図1(a)および(b)に示した
発光半導体装置の複数個を実装基板に実装し、複数本の
光ファイバを対向させた発光半導体装置実装基板の一例
を上方から見て一部透視して示す平面図である。FIG. 3 shows an example of a light emitting semiconductor device mounting substrate in which a plurality of the light emitting semiconductor devices shown in FIGS. 1A and 1B are mounted on a mounting substrate and a plurality of optical fibers are opposed to each other. FIG. 3 is a plan view showing a part of the structure as viewed from above.
【0039】図3において、n(複数)個の発光半導体
装置10は、一枚の実装基板(図示せず)の基板面にそれ
ぞれ垂直状態に、かつ、光出射方向が実装基板の長さ方
向(図面の左右方向)に向くように実装されている。そ
して、上記n個の発光半導体装置10に対応するn本(n
チャネル)の光ファイバ22は、それぞれその一端が対応
する発光半導体装置10の光出射面に対向する状態で実装
基板面に平行に配設されている。In FIG. 3, n (plurality) light emitting semiconductor devices 10 are perpendicular to the substrate surface of one mounting substrate (not shown), and the light emission direction is the length direction of the mounting substrate. (Left and right direction of the drawing). Then, n (n) corresponding to the n light emitting semiconductor devices 10 described above.
The optical fibers 22 of the (channel) are arranged in parallel with the surface of the mounting substrate with one end thereof facing the light emitting surface of the corresponding light emitting semiconductor device 10.
【0040】なお、光ファイバ22の一端部と発光半導体
装置10の発光部とを光結合用のコネクタ(図示せず)の
内部に挿入して相対位置を固定するようにしてもよい。The relative position may be fixed by inserting one end of the optical fiber 22 and the light emitting section of the light emitting semiconductor device 10 into an optical coupling connector (not shown).
【0041】このような多チャネルの光出力を得る実装
構造によれば、各チャネルの光ファイバ相互間の間隔を
狭くすることが可能になり、実装基板の幅(図面の上下
方向)は発光半導体装置10の厚さ(幅よりは短い寸法)
のほぼn倍だけあればよく、実装基板の幅が狭くてもn
個の発光半導体装置10を実装することが可能になるの
で、実装基板上の部品の高密度化(高密度実装)が可能
になる。According to the mounting structure for obtaining such multi-channel optical output, the distance between the optical fibers of each channel can be reduced, and the width of the mounting substrate (vertical direction in the drawing) can be reduced. Thickness of device 10 (dimension shorter than width)
N times as long as the width of the mounting substrate is small.
Since the light emitting semiconductor devices 10 can be mounted, it is possible to increase the density of components on the mounting board (high density mounting).
【0042】<第2の実施の形態>図4(a)は、本発
明の第2の実施の形態に係る発光半導体装置の一例を正
面から見て一部透視して示す平面図である。図4(b)
は、同図(a)中のB−B´線に沿って概略的に示す断
面図である。<Second Embodiment> FIG. 4A is a plan view showing an example of a light emitting semiconductor device according to a second embodiment of the present invention as seen from the front and partially seen through. FIG. 4 (b)
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically shown along the line BB ′ in FIG.
【0043】この発光半導体装置40は、前述した第1の
実施の形態の発光半導体装置10と比べて、発光素子11は
同じであるが、リードフレームに代えて印刷配線基板42
が用いられている点が根本的に異なる。The light emitting semiconductor device 40 has the same light emitting element 11 as the light emitting semiconductor device 10 of the first embodiment, but a printed wiring board 42 is used instead of the lead frame.
Is fundamentally different.
【0044】即ち、図4(a)および(b)において、
発光素子(ペレット)11は、絶縁基板43上に例えば胴箔
からなる配線パターンが形成された印刷配線基板42にマ
ウントされ、発光素子11の電極と印刷配線基板42の中央
部の配線パターン部44とが電気的に接続され、印刷配線
基板42上で発光素子11およびその周辺部が透光性樹脂45
により封止されている。この場合、印刷配線基板42上の
周縁部および外部接続リード用の配線パターン部46は外
部に露出している。That is, in FIGS. 4A and 4B,
The light emitting element (pellet) 11 is mounted on a printed wiring board 42 in which a wiring pattern made of, for example, a body foil is formed on an insulating substrate 43, and an electrode of the light emitting element 11 and a wiring pattern section 44 at the center of the printed wiring board 42. Are electrically connected to each other, and the light emitting element 11 and its peripheral portion are
Is sealed. In this case, the peripheral portion on the printed wiring board 42 and the wiring pattern portion 46 for external connection leads are exposed to the outside.
【0045】ここで、上記発光素子11がLD素子の場合
には、素子の側面方向に光出力を出射するものが使用さ
れ、印刷配線基板面に平行な方向、かつ、外部接続リー
ド用の配線パターン部46に直角な方向に光出力を出射す
る向きにマウントされている。また、上記発光素子11が
LED素子の場合には、素子から全方向に出射する光出
力のうち、印刷配線基板面に平行な方向、かつ、外部接
続リード用の配線パターン部46に直角な方向に出射する
成分を利用している。Here, when the light emitting element 11 is an LD element, a light emitting element which emits light output in the side direction of the element is used. It is mounted so as to emit light output in a direction perpendicular to the pattern section 46. In the case where the light emitting element 11 is an LED element, of the light output emitted in all directions from the element, a direction parallel to the printed wiring board surface and a direction perpendicular to the wiring pattern portion 46 for external connection leads. The component that emits light is used.
【0046】このような構造によれば、発光半導体装置
40の光出射方向が印刷配線基板面に平行な側方、かつ、
外部接続リード用の配線パターン部46に直角な方向であ
るので、発光半導体装置40を光ファイバと光結合させる
場合に光結合部の面積を小さくできる。According to such a structure, the light emitting semiconductor device
40 light emission directions are parallel to the surface of the printed wiring board, and
Since the direction is perpendicular to the wiring pattern portion 46 for external connection leads, the area of the optical coupling portion can be reduced when the light emitting semiconductor device 40 is optically coupled to an optical fiber.
【0047】なお、光ファイバの一端部と発光半導体装
置40の発光部とを光結合用のコネクタ(図示せず)の内
部に挿入して相対位置を固定するようにしてもよく、そ
の場合には、光結合用のコネクタの幅も狭くすることが
できる。It should be noted that one end of the optical fiber and the light emitting portion of the light emitting semiconductor device 40 may be inserted into a connector (not shown) for optical coupling to fix the relative position. The width of the optical coupling connector can be reduced.
【0048】また、印刷配線基板は、従来のリードフレ
ームのアウターリードよりも放熱面積が広いので、発光
素子の放熱効果を高くすることができる。しかも、絶縁
基板として放熱性の高い材料(セラミック基板など)を
使用すれば、放熱効果をさらに高くすることができる。Further, since the printed wiring board has a larger heat radiation area than the outer leads of the conventional lead frame, the heat radiation effect of the light emitting element can be enhanced. Moreover, if a material having a high heat dissipation property (such as a ceramic substrate) is used as the insulating substrate, the heat dissipation effect can be further enhanced.
【0049】図5は、図4(a)および(b)に示した
発光半導体装置の複数個を実装基板に実装し、複数本の
光ファイバを対向させた発光半導体装置実装基板の一例
を上方から見て一部透視して示す平面図である。FIG. 5 shows an example of a light emitting semiconductor device mounting substrate in which a plurality of the light emitting semiconductor devices shown in FIGS. 4A and 4B are mounted on a mounting substrate and a plurality of optical fibers are opposed to each other. FIG. 3 is a plan view showing a part of the structure as viewed from above.
【0050】図5において、n(複数)個の発光半導体
装置40は、一枚の実装基板(図示せず)の基板面にそれ
ぞれ垂直状態に、かつ、光出射方向が実装基板の長さ方
向(図面の左右方向)に向くように実装されている。そ
して、上記n個の発光半導体装置40に対応するn本(n
チャネル)の光ファイバ22は、それぞれその一端が対応
する発光半導体装置40の光出射面に対向する状態で実装
基板面に平行に配設されている。In FIG. 5, n (plurality) light emitting semiconductor devices 40 are perpendicular to the substrate surface of one mounting substrate (not shown), and the light emitting direction is the length direction of the mounting substrate. (Left and right direction of the drawing). Then, n (n) corresponding to the n light emitting semiconductor devices 40 are described.
The optical fibers 22 of the (channel) are disposed in parallel with the surface of the mounting substrate with one end thereof facing the light emitting surface of the corresponding light emitting semiconductor device 40.
【0051】このような多チャネルの光出力を得る実装
構造によれば、各チャネルの光ファイバ相互間の間隔を
狭くすることが可能になり、実装基板の幅(図面の上下
方向)は発光半導体装置40の厚さ(幅よりは短い寸法)
のほぼn倍だけあればよく、実装基板の幅が狭くてもn
個の発光半導体装置40を実装することが可能になるの
で、実装基板上の部品の高密度化(高密度実装)が可能
になる。According to the mounting structure for obtaining such multi-channel optical output, the distance between the optical fibers of each channel can be reduced, and the width of the mounting substrate (vertical direction in the drawing) can be reduced. The thickness of the device 40 (dimensions shorter than the width)
N times as long as the width of the mounting substrate is small.
Since the light emitting semiconductor devices 40 can be mounted, the density of components on the mounting board can be increased (high density mounting).
【0052】また、印刷配線基板上の透光性樹脂45の外
部に露出している周縁部は、各発光半導体装置間(チャ
ネル間)の光干渉を防止する役割を持つ。Further, the peripheral portion exposed to the outside of the transparent resin 45 on the printed wiring board has a role of preventing light interference between the light emitting semiconductor devices (between the channels).
【0053】<第3の実施の形態>図6(a)、(b)
は、本発明の第3の実施の形態に係る発光半導体装置の
一例を正面、側面から見て一部透視して示す平面図であ
る。<Third Embodiment> FIGS. 6A and 6B
FIG. 9 is a plan view showing an example of a light emitting semiconductor device according to a third embodiment of the present invention, partially seen through from the front and side.
【0054】この発光半導体装置60は、前述した第2の
実施の形態の発光半導体装置40と比べて、発光素子11の
光出力方向が上方である点が異なり、その他は同じであ
る。The light emitting semiconductor device 60 is different from the light emitting semiconductor device 40 of the second embodiment in that the light output direction of the light emitting element 11 is upward, and the other components are the same.
【0055】即ち、図6(a)および(b)に示す発光
半導体装置60において、発光素子(ペレット)11は、印
刷配線基板42にマウントされ、発光素子11の電極と印刷
配線基板42の配線パターン部44とが電気的に接続され、
印刷配線基板上で発光素子11およびその周辺部が透光性
樹脂45により封止されている。この場合、印刷配線基板
上の外部接続リード用の配線パターン部46および周縁部
は透光性樹脂45の外部に露出している。That is, in the light emitting semiconductor device 60 shown in FIGS. 6A and 6B, the light emitting element (pellet) 11 is mounted on the printed wiring board 42, and the electrodes of the light emitting element 11 are connected to the wiring of the printed wiring board 42. The pattern unit 44 is electrically connected,
On the printed wiring board, the light emitting element 11 and its peripheral portion are sealed with a translucent resin 45. In this case, the wiring pattern portion 46 for external connection leads and the peripheral portion on the printed wiring board are exposed to the outside of the translucent resin 45.
【0056】ここで、上記発光素子11がLD素子の場合
には、素子の側面方向に光出力を出射するものが使用さ
れ、印刷配線基板面に平行な上方に光出力を出射する向
きにマウントされている。また、上記発光素子11がLE
D素子の場合には、素子から全方向に出射する光出力の
うち、印刷配線基板面に平行な上方に出射する成分を利
用している。Here, when the light emitting element 11 is an LD element, an element that emits light output in the side direction of the element is used, and the light emitting element 11 is mounted in an upward direction parallel to the surface of the printed wiring board so as to emit light output. Have been. The light emitting element 11 is LE
In the case of the D element, a component of light output emitted from the element in all directions and emitted upward in parallel with the printed wiring board surface is used.
【0057】このような構造によれば、印刷配線基板42
は、従来のリードフレームのアウターリードよりも放熱
面積が広いので、発光素子11の放熱効果を高くすること
ができる。しかも、基板材料として放熱性の高いセラミ
ック基板などを使用すれば、放熱効果をさらに高くする
ことができる。According to such a structure, the printed wiring board 42
Since the heat radiation area is larger than that of the outer lead of the conventional lead frame, the heat radiation effect of the light emitting element 11 can be enhanced. Moreover, when a ceramic substrate or the like having high heat dissipation properties is used as the substrate material, the heat dissipation effect can be further enhanced.
【0058】<第4の実施の形態>図7(a)は、本発
明の第4の実施の形態に係る受光半導体装置(例えばフ
ォトダイオード;PD)の一例を正面から見て一部透視
して示す平面図である。図7(b)は、同図(a)中の
B−B´線に沿って概略的に示す断面図である。<Fourth Embodiment> FIG. 7A is a partial perspective view of an example of a light receiving semiconductor device (for example, a photodiode; PD) according to a fourth embodiment of the present invention as viewed from the front. FIG. FIG. 7B is a cross-sectional view schematically shown along the line BB ′ in FIG.
【0059】この受光半導体装置70において、受光素子
(ペレット)71は、印刷配線基板72にマウントされ、受
光素子71の電極と印刷配線基板72の中央部の配線パター
ン部74とが電気的に接続され、印刷配線基板上の受光素
子71およびその周辺部が透光性樹脂75により封止されて
いる。この場合、印刷配線基板上の外部接続リード用の
配線パターン部46および周縁部は透光性樹脂75の外部に
露出している。In this light receiving semiconductor device 70, a light receiving element (pellet) 71 is mounted on a printed wiring board 72, and an electrode of the light receiving element 71 is electrically connected to a wiring pattern portion 74 at the center of the printed wiring board 72. Then, the light receiving element 71 on the printed wiring board and its peripheral portion are sealed with a light transmitting resin 75. In this case, the wiring pattern portion 46 for the external connection lead and the peripheral portion on the printed wiring board are exposed outside the translucent resin 75.
【0060】さらに、前記透光性樹脂75の正面には、内
部の下方にテーパ状に向かう切り込み(凹部)77が形成
されており、この切り込み77のテーパ面77a は受光素子
71の正面に対向している。これにより、印刷配線基板72
のマウント面に平行な上方からの入射光を切り込み77の
テーパ面77a で受光素子71の正面に反射させるものであ
る。Further, a notch (recess) 77 is formed on the front surface of the translucent resin 75 in a downward tapered shape, and the tapered surface 77a of the notch 77 is provided on the light receiving element.
It faces the front of 71. Thereby, the printed wiring board 72
The incident light from above parallel to the mounting surface is reflected by the tapered surface 77a of the cut 77 toward the front of the light receiving element 71.
【0061】上記受光半導体装置70の構造によれば、印
刷配線基板72は、従来のリードフレームのアウターリー
ドよりも放熱面積が広いので、受光素子71の放熱効果を
高くすることができる。しかも、基板材料として放熱性
の高いセラミック基板などを使用すれば、放熱効果をさ
らに高くすることができる。According to the structure of the light receiving semiconductor device 70, the printed wiring board 72 has a larger heat radiation area than the outer leads of the conventional lead frame, so that the heat radiation effect of the light receiving element 71 can be enhanced. Moreover, when a ceramic substrate or the like having high heat dissipation properties is used as the substrate material, the heat dissipation effect can be further enhanced.
【0062】<第5の実施の形態>図8(a)は、本発
明の第5の実施の形態に係る受光半導体装置(例えばフ
ォトダイオード;PD)の一例を正面から見て一部透視
して示す平面図である。図8(b)は、同図(a)中の
B−B´線に沿って概略的に示す断面図である。<Fifth Embodiment> FIG. 8A is a partial perspective view of an example of a light receiving semiconductor device (for example, a photodiode; PD) according to a fifth embodiment of the present invention as viewed from the front. FIG. FIG. 8B is a cross-sectional view schematically shown along the line BB ′ in FIG.
【0063】この受光半導体装置80は、前述した第4の
実施の形態の受光半導体装置と比べて、受光素子は同じ
であるが、印刷配線基板に代えてリードフレームが用い
られている点が根本的に異なる。The light-receiving semiconductor device 80 has the same light-receiving elements as the light-receiving semiconductor device of the fourth embodiment described above, but basically uses a lead frame instead of a printed wiring board. Differently.
【0064】即ち、図8(a)および(b)に示す受光
半導体装置80において、受光素子(ペレット)81は金属
製のリードフレーム82のベッド部にマウントされ、受光
素子81の電極とリードフレーム82のインナーリード部と
がボンディングワイヤー(図示せず)により接続されて
いる。そして、前記受光素子81、ボンディングワイヤー
およびインナーリード部が透光性樹脂85により封止さ
れ、リードフレーム82のアウターリード部が外部に露出
している。That is, in the light receiving semiconductor device 80 shown in FIGS. 8A and 8B, the light receiving element (pellet) 81 is mounted on the bed of the metal lead frame 82, and the electrode of the light receiving element 81 and the lead frame are connected. The inner lead portions 82 are connected by bonding wires (not shown). Then, the light receiving element 81, the bonding wire and the inner lead portion are sealed with the translucent resin 85, and the outer lead portion of the lead frame 82 is exposed to the outside.
【0065】さらに、透光性樹脂85の正面には、内部の
下方にテーパ状に向かう切り込み87が形成されており、
この切り込み87のテーパ面87a は受光素子81の正面に対
向している。これにより、リードフレーム82のマウント
面に平行な上方からの入射光を切り込み87のテーパ面87
a で受光素子81の正面に反射させるものである。Further, at the front of the translucent resin 85, there is formed a notch 87 which tapers downward in the interior.
The tapered surface 87a of the cut 87 faces the front of the light receiving element 81. As a result, incident light from above parallel to the mounting surface of the lead frame 82 is cut into the tapered surface 87 of the cut 87.
The light is reflected to the front of the light receiving element 81 at a.
【0066】上記受光半導体装置80の構造によれば、リ
ードフレーム82の素子マウント面に平行な上方からの入
射光を受光素子81で受光することが可能になるので、実
装基板に実装した場合に高密度実装が可能になる。According to the structure of the light receiving semiconductor device 80, it is possible to receive the incident light from above parallel to the element mounting surface of the lead frame 82 with the light receiving element 81. High-density mounting becomes possible.
【0067】[0067]
【発明の効果】上述したように本発明の光半導体装置に
よれば、発光素子あるいは受光素子がマウントされた板
状の支持部材の素子マウント面に平行な側方あるいは上
方の方向に対して光出力あるいは光入力が可能な構造を
有し、実装基板に実装した場合に高密度実装が可能にな
る。As described above, according to the optical semiconductor device of the present invention, the light is emitted in the direction parallel to the element mounting surface of the plate-like supporting member on which the light emitting element or the light receiving element is mounted, or in the upward direction. It has a structure that allows output or light input, and enables high-density mounting when mounted on a mounting substrate.
【0068】また、本発明の光半導体装置によれば、発
光素子あるいは受光素子がマウントされた支持部材の放
熱効果を従来のリードフレームのアウターリードの放熱
効果よりも高くすることができる。Further, according to the optical semiconductor device of the present invention, the heat radiation effect of the support member on which the light emitting element or the light receiving element is mounted can be made higher than that of the outer lead of the conventional lead frame.
【0069】また、本発明の光半導体装置実装基板によ
れば、発光半導体装置あるいは受光半導体装置がマウン
トされた実装基板上の部品の高密度化(高密度実装)が
可能になり、実装基板を内蔵する装置の小型化を図るこ
とができる。Further, according to the optical semiconductor device mounting substrate of the present invention, it is possible to increase the density of components on the mounting substrate on which the light emitting semiconductor device or the light receiving semiconductor device is mounted (high density mounting). The built-in device can be reduced in size.
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る発光半導体装
置の一例を正面から見て一部透視して示す平面図および
断面図。FIGS. 1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view showing an example of a light-emitting semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, partially seen through from the front.
【図2】図1に示した発光半導体装置を実装基板に実装
し、光ファイバを対向させた発光半導体装置実装基板の
一例を側方から見て一部透視して示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an example of a light emitting semiconductor device mounting substrate in which the light emitting semiconductor device shown in FIG. 1 is mounted on a mounting substrate and optical fibers are opposed to each other when viewed from the side.
【図3】図1に示した発光半導体装置の複数個を実装基
板に実装し、複数本の光ファイバを対向させた発光半導
体装置実装基板の一例を上方から見て一部透視して示す
平面図。FIG. 3 is a plan view showing an example of a light emitting semiconductor device mounting substrate in which a plurality of light emitting semiconductor devices shown in FIG. 1 are mounted on a mounting substrate and a plurality of optical fibers are opposed to each other when viewed from above; FIG.
【図4】本発明の第2の実施の形態に係る発光半導体装
置の一例を正面から見て一部透視して示す平面図および
断面図。FIGS. 4A and 4B are a plan view and a cross-sectional view showing an example of a light emitting semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, partially seen through from the front.
【図5】図4に示した発光半導体装置の複数個を実装基
板に実装し、複数本の光ファイバを対向させた発光半導
体装置実装基板の一例を上方から見て一部透視して示す
平面図。FIG. 5 is a plan view showing an example of a light emitting semiconductor device mounting substrate in which a plurality of light emitting semiconductor devices shown in FIG. 4 are mounted on a mounting substrate and a plurality of optical fibers are opposed to each other when viewed from above; FIG.
【図6】本発明の第3の実施の形態に係る発光半導体装
置の一例を正面から見て一部透視して示す平面図および
断面図。FIGS. 6A and 6B are a plan view and a cross-sectional view showing an example of a light emitting semiconductor device according to a third embodiment of the present invention, partially seen through from the front.
【図7】本発明の第4の実施の形態に係る受光半導体装
置の一例を正面および側面から見て一部透視して示す平
面図。FIG. 7 is a plan view showing an example of a light receiving semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention in a partially transparent manner as viewed from the front and side.
【図8】本発明の第5の実施の形態に係る受光半導体装
置の一例を正面から見て一部透視して示す平面図および
断面図。FIGS. 8A and 8B are a plan view and a cross-sectional view showing an example of a light-receiving semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention, partially seen through from the front.
【図9】従来の発光ダイオード装置を正面から見て一部
透視して示す平面図および断面図。FIG. 9 is a plan view and a cross-sectional view showing a conventional light-emitting diode device in a partially transparent manner as viewed from the front.
【図10】図9に示した発光ダイオード装置を実装基板
に実装し、光ファイバを対向させた発光ダイオード装置
実装基板の一例を側方および上方から見て一部透視して
示す平面図。FIG. 10 is a plan view showing an example of a light emitting diode device mounting substrate in which the light emitting diode device shown in FIG. 9 is mounted on a mounting substrate and optical fibers are opposed to each other when viewed from the side and above.
【図11】従来の半導体レーザ装置の一例を正面および
側方から見て一部透視して示す平面図。FIG. 11 is a plan view showing an example of a conventional semiconductor laser device in a partially transparent manner as viewed from the front and side.
【図12】従来のフォトダイオード装置の一例を正面お
よび側方から見て一部透視して示す平面図。FIG. 12 is a plan view showing an example of a conventional photodiode device in a partially transparent manner as viewed from the front and side.
10…発光半導体装置、 11…発光素子、 12…リードフレームのベッド部、 13…リードフレームのインナーリード部、 14…ボンディングワイヤー、 15…透光性樹脂(透明樹脂)、 16…リードフレームのアウターリード部。 10: Light emitting semiconductor device, 11: Light emitting element, 12: Bed part of lead frame, 13: Inner lead part of lead frame, 14: Bonding wire, 15: Translucent resin (transparent resin), 16: Outer of lead frame Lead section.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樫浦 由貴子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 (72)発明者 鈴永 浩 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 Fターム(参考) 5F041 AA47 DA07 DA17 DA43 DC03 5F073 FA07 FA27 FA28 FA29 5F088 JA02 JA06 JA10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yukiko Kashiura 1st address, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Microelectronics Center Co., Ltd. No. 1 Komukai Toshiba-cho F-term in Toshiba Microelectronics Center (reference) 5F041 AA47 DA07 DA17 DA43 DC03 5F073 FA07 FA27 FA28 FA29 5F088 JA02 JA06 JA10
Claims (7)
と、 前記発光素子がベッド部にマウントされたリードフレー
ムと、 前記発光素子の電極と前記リードフレームのインナーリ
ード部とを接続するボンディングワイヤーと、 前記発光素子、ボンディングワイヤーおよびインナーリ
ード部を封止する透光性樹脂と、 前記透光性樹脂の外部に露出した前記リードフレームの
アウターリード部とを具備し、 前記発光素子は、前記リードフレームの素子マウント面
に平行な方向、かつ、前記アウターリード部の長さ方向
に直角な方向に光出力を出射する向きにマウントされて
いることを特徴とする光半導体装置。A light emitting element formed on a semiconductor pellet; a lead frame on which the light emitting element is mounted on a bed; a bonding wire connecting an electrode of the light emitting element with an inner lead part of the lead frame; The light emitting device includes: a light-transmitting resin that seals the light-emitting element, the bonding wire and the inner lead portion; and an outer lead portion of the lead frame exposed to the outside of the light-transmitting resin. The optical semiconductor device is mounted in a direction parallel to the element mounting surface and in a direction perpendicular to the length direction of the outer lead portion to emit light output.
と、 絶縁基板上に配線パターンが形成され、前記発光素子が
マウントされてその電極と所定の配線パターン部とが電
気的に接続された印刷配線基板と、 前記印刷配線基板上で前記発光素子およびその周辺部を
封止した透光性樹脂と、 前記印刷配線基板上で前記透光性樹脂外部に露出した外
部接続リード用の配線パターン部とを具備し、 前記発光素子は、前記印刷配線基板の素子マウント面に
平行な方向、かつ、前記外部接続リード用の配線パター
ン部の長さ方向に直角な方向に光出力を出射する向きに
マウントされていることを特徴とする光半導体装置。2. A light-emitting element formed on a semiconductor pellet, and a printed wiring having a wiring pattern formed on an insulating substrate, the light-emitting element being mounted, and the electrode being electrically connected to a predetermined wiring pattern portion. A substrate, a light-transmitting resin that seals the light emitting element and its peripheral portion on the printed wiring board, and a wiring pattern portion for an external connection lead exposed outside the light-transmitting resin on the printed wiring board. The light emitting element is mounted in a direction parallel to an element mounting surface of the printed wiring board and in a direction to emit light output in a direction perpendicular to a length direction of the wiring pattern portion for the external connection lead. An optical semiconductor device, comprising:
と、 絶縁基板上に配線パターンが形成され、前記発光素子が
マウントされてその電極と所定の配線パターン部とが電
気的に接続された印刷配線基板と、 前記印刷配線基板上で前記発光素子およびその周辺部を
封止した透光性樹脂と、 前記印刷配線基板上で前記透光性樹脂外部に露出した外
部接続リード用の配線パターン部とを具備し、 前記発光素子は、前記印刷配線基板の素子マウント面に
平行な方向、かつ、前記外部接続リード用の配線パター
ン部の方向とは反対側の上方に光出力を出射する向きに
マウントされていることを特徴とする光半導体装置。3. A light-emitting element formed on a semiconductor pellet, and a printed wiring on which a wiring pattern is formed on an insulating substrate, and the light-emitting element is mounted and the electrode is electrically connected to a predetermined wiring pattern portion. A substrate, a light-transmitting resin that seals the light emitting element and its peripheral portion on the printed wiring board, and a wiring pattern portion for an external connection lead exposed outside the light-transmitting resin on the printed wiring board. The light emitting element is mounted in a direction parallel to the element mounting surface of the printed wiring board, and in a direction to emit light output upward on a side opposite to a direction of the wiring pattern portion for the external connection lead. An optical semiconductor device, comprising:
と、 絶縁基板上に配線パターンが形成され、前記受光素子が
マウントされてその電極と所定の配線パターン部とが電
気的に接続された印刷配線基板と、 前記印刷配線基板上で前記発光素子およびその周辺部を
封止した透光性樹脂と、 前記印刷配線基板上で前記透光性樹脂外部に露出した外
部接続リード用の配線パターン部とを具備し、 前記透光性樹脂の正面には、内部の下方にテーパ状に向
かう切り込みが形成されており、この切り込みのテーパ
面は前記受光素子の正面に対向していることを特徴とす
る光半導体装置。4. A printed wiring in which a light receiving element formed on a semiconductor pellet and a wiring pattern are formed on an insulating substrate, and the light receiving element is mounted and an electrode thereof is electrically connected to a predetermined wiring pattern portion. A substrate, a light-transmitting resin that seals the light emitting element and its peripheral portion on the printed wiring board, and a wiring pattern portion for an external connection lead exposed outside the light-transmitting resin on the printed wiring board. In the front surface of the translucent resin, a cut is formed in a downward tapered shape inside, and the tapered surface of the cut faces the front surface of the light receiving element. Optical semiconductor device.
と、 前記受光素子がベッド部にマウントされたリードフレー
ムと、 前記受光素子の電極と前記リードフレームのインナーリ
ード部とを接続するボンディングワイヤーと、 前記発光素子、ボンディングワイヤーおよびインナーリ
ード部を封止する透光性樹脂と、 前記透光性樹脂の外部に露出した前記リードフレームの
アウターリード部とを具備し、 前記透光性樹脂の正面には、内部の下方にテーパ状に向
かう切り込みが形成されており、この切り込みのテーパ
面は前記受光素子の正面に対向していることを特徴とす
る光半導体装置。5. A light receiving element formed on a semiconductor pellet, a lead frame in which the light receiving element is mounted on a bed, a bonding wire for connecting an electrode of the light receiving element and an inner lead part of the lead frame, A light-transmitting resin that seals the light-emitting element, the bonding wire and the inner lead portion; and an outer lead portion of the lead frame exposed to the outside of the light-transmitting resin. The optical semiconductor device is characterized in that a notch is formed in a downward tapered shape inside, and a tapered surface of the notch faces the front of the light receiving element.
と、 前記光半導体装置が実装基板面に垂直状態に、かつ、そ
の光出射方向が前記実装基板面に平行で実装基板長さ方
向に向くように実装された実装基板と、 前記発光半導体装置の光出射面に一端が対向する状態
に、かつ、前記実装基板上で前記実装基板面に平行に配
設された光ファイバとを具備することを特徴とする光半
導体装置実装基板。6. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the optical semiconductor device is in a state perpendicular to a surface of the mounting substrate, and a light emitting direction is parallel to the surface of the mounting substrate and in a length direction of the mounting substrate. A mounting substrate mounted so as to face, and an optical fiber disposed on the mounting substrate in a state where one end faces a light emitting surface of the light emitting semiconductor device and parallel to the mounting substrate surface. An optical semiconductor device mounting board characterized by the above-mentioned.
体装置と、 前記複数個の光半導体装置が実装基板面にそれぞれ垂直
状態に、かつ、それぞれの光出射方向が前記実装基板面
に平行で実装基板長さ方向に向くように実装基板幅方向
に並べられて実装された実装基板と、 前記複数個の発光半導体装置のそれぞれの光出射面にそ
れぞれ一端が対向する状態に、かつ、前記実装基板上で
前記実装基板面に平行に配設された複数本の光ファイバ
とを具備することを特徴とする光半導体装置実装基板。7. A plurality of optical semiconductor devices according to claim 1 or 2, wherein the plurality of optical semiconductor devices are perpendicular to the surface of the mounting substrate, and the light emitting directions of the plurality of optical semiconductor devices are perpendicular to the surface of the mounting substrate. A mounting substrate mounted in parallel with the mounting substrate width direction so as to face the mounting substrate length direction, and a state in which one end faces each light emitting surface of the plurality of light emitting semiconductor devices, and An optical semiconductor device mounting substrate, comprising: a plurality of optical fibers arranged on the mounting substrate in parallel with the surface of the mounting substrate.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000291902A JP2002111066A (en) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | Optical semiconductor device and mounting substrate thereof |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006203006A (en) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Sony Corp | Semiconductor laser device and lead frame |
CN100459328C (en) * | 2003-05-26 | 2009-02-04 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | Method for producing a laser diode component, housing for a laser diode component, and laser diode component itself |
JP2016086053A (en) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | スタンレー電気株式会社 | Led lamp and manufacturing method of the same |
-
2000
- 2000-09-26 JP JP2000291902A patent/JP2002111066A/en active Pending
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